TW457650B

TW457650B - Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials

Info

Publication number: TW457650B
Application number: TW089113780A
Authority: TW
Inventors: Takashi Ueno; Katsuhisa Aratani
Original assignee: Sony Corp; Furuyametals Co Ltd
Priority date: 1999-07-12
Filing date: 2000-07-11
Publication date: 2001-10-01
Also published as: MY127011A; CN1280387A; DE60022951T2; EP1069194A1; CA2313767A1; MXPA00006720A; CN1165990C; US6723281B1; EP1069194B1; ID26547A; DE60022951D1; KR100715405B1; CA2313767C; JP2001192752A; JP4247863B2; KR20010029930A

Description

A7 457650 ----B7_____ 五、發明說明（1 ) 發明背景 · 本發明有，一種電子零件用金屬材料、電子零件、電子裝置以及處理金屬材料之方法。例如，本發明適用於液晶顯示面板、各種半導體裝置,線路板、晶片零件等。本發明使用金屬材料，更明確地說是一種合金，其包含Ag作爲主要組份、0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之元素’諸如A1。因此，本發明提出一種電子零件用金屬材料、使用此種金屬材料之電子零件與裝置，該金屬材料之特徵係比先前技藝電阻係數低、安定性高以及加工性更優良。 ’ 慣常上，線路、電極與電子零件接點與裝置係使用金屬材料，諸如純材料，包括Cu、A卜Mo、Ta、W ' Cr等，以及合金類，包括 Al-Cu，Al-Cu-Si、Al-Pd、TaSi' WSi 等，以形成線&圖型。例如，因爲純A1之蝕刻特徵優良而且電阻低之故，構成平面顯示器之透明液晶顯示面板通常使用純A1作爲線路材料。然而|使用純A1作爲液晶顯示面板之線路材料會存在形成線路薄膜之後於大約300°C至400°C熱處理以進行化學蒸氣澱積（CVD)期間引發瑕.疵之可能性，諸如小丘與鬚狀物。某些種類液晶顯示面板係使用高熔點材料代替純A1作爲線路，以避免此等瑕疵，此等材料諸如Ta，Mo、Cr、W 等，其於·高溫下安定一種反射液晶顯示面扳需要高反射性層，其經由液晶 cell反射透射的光。此種用於線路圖型與電極作爲高反射性本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） — — — — — —— — — — — — — J _ I I — 參猶 — — — — t — · ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 4 5 7 6 5 Ο 五、發明說明（2) 層之高反射性層或構件使用純A1、A1，底質合金、純Ag ' Ag爲底質合金、Au等。一種電光零件（下文稱爲—種使用微 _面之電光零件）使用排列於矽晶粒上之微鏡面，並利用各個鏡面之光學調變顯示影像。此種電光零件使用微鏡面作爲鏡面構件》若提出一種金屬材料，其特徵係比習用電子裝置所使用之金屬材料電阻係數低、安定性高而且加工性更優良1 則在各種電子零件中使用此種金屬材料可以改善性能，並簡偈製造方法。 —種透明液晶顯示面板使用Ta、Mo、Cr、W等代替純 A1，以避免瑕疵。然而，如表1所示，此等材料之缺點係電阻係數大於純Ala若該透明液晶顯示面板變得較大而且提供更高解析度，線路圖型用之線路長度增加，而且線路圖型變得更Iffl微，以致難以提供容易可靠之操作。因此’目前並無最適用於透明液晶顯示面板之線路材料。 I ^1 ^1 ^1 ϋ 1 I- I · H 1 ^1 1 _ISJ, » n n f .i琦先la讀背面之注項*·填寫本頁) 經濟部智慧財產局具工消f合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- IX·:ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 50 a7 -------，B7 五、發明說明（3 ) 表1 . 材料電阻係數[uficml 抗蝕性陽極氧化 Mo 50 • 低不可能 Cr 12.9 良好不可能 Ti 55 優良不可能 Ta 13.6 優良可能 A1 2.7 低可能 Cu 1.7 低不可能 Ag 1.6 良好不可能 Au 2.3 優良不可能使用微鏡面之液晶顯示面板與電光零件使得線路與電極可以作爲高反射性層。此情況下，必須增加透明液晶顯示面板之線路材料特徵的高反射性層需求。自將入射光有效反射在高反射性層之觀點來看，因爲純Ag在可見光波長區提供最高反射性，所以純Ag係用於高反射性層之最適材料。然而，純Ag之抗腐蝕性弱，不適於作爲線路或電極材料。因此最適線路材料未必亦適用於反射液晶顯示面扳與使用微鏡面之電光零件。考慮以上諸點，該反射液晶顯示面板使用一種障層，其在該高反射性層與線路電極層上.或是其上與其下形成，以改善抗腐蝕性。然而，增加形成障層之步驟使該製造方法變複雜。此外，若形成該障層，其於高溫條件下之可靠本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ---—ί -裝！ —訂！ — 1 ,ί諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 457650 A7 B7 五、發明說明（4 ) 性仍然不安定。 , 至於低電阻線路材料，Au、Cu與Ag顯示之電阻係數低於A1。然而，Au不容易取得。Cu之特徵係抗腐蝕性差’產生蝕刻後之加工性降級，而且於細微處理中存在困難問題。Ag在氯化物、硫與硫化物上會過度反應’造成細微處理與抗腐蝕性之問題。例如，在利用含氯蝕刻氣體進行乾式蝕刻處理期間， Ag會過度反應。當蝕刻處理進行時，Ag與飩刻氣體中之氯反應，在線路圖型界限表面上產生AgCl β該八2(：1會使導電性與導熱性變差。胃此處係一個Ag造成有關抗腐蝕性問題之實例。將Ag塗覆於反射液晶顯示面板時，與透明導電層直接接觸時，極可能與界面上之氧或少量硫等反應。AI亦同樣必須在該基質層上形士一障層，或是將基質層於障層之間，形成三明治結構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、請先閱讀背®之注意事項#填寫本頁) 在許多實例中，此等液晶顯示面板使用一種TFT (薄膜電晶體），其包括非晶相矽或多晶矽作爲驅動裝置。目前，自驅動裝置觀點來看，沒有最適電極材料。部分此等驅動裝置藉著寧化電極之金屬材料以及在該電極與矽主動元件之間形成一閘極絕緣薄膜，而簡化製造方法。此稱爲陰極氧化方法。 . 如表1所示之線路材料，AI與Ta可形成閘極絕緣薄膜。尤其是’ Ta可能形成一種會造成諸如針孔之小瑕疵之氧化絕緣薄膜’並提供高產率。然而，Ta之特徵係電阻係數高 ---!_ -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公« )------ 457650 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 。使用陰極氧化方法時，電極結構需要2層使用具有低電阻係數之A1線路’其增加製造處理·>使用2層線路時，線路圖型之電阻係數變得與A1所測得之電阻係數相同。除了適用於上述顯示裝置之外，因爲積合度高之故，諸如DRAM、快速擦寫記憶器、CPU、MPU與ASIC等半導體裝置需要較窄線寬。線路圖型之線路長度因晶粒組成以及諸如多層互連等複雜化線路之故而變得更長。此等半導體裝置亦需要特徵爲低電阻係數、安定操作以及優良加工性之線路材料。使線路寬度變窄並延長線路長度會提高線路電阻。電阻提高亦會提高線路上之壓降，並降低元件用之驅動電壓。此外’電力消耗增加，導致線路所致之訊號傳輸延遲。除了此等半導體裝置之外，印刷線路板、晶粒電容器與替續器捷用Cu與Ag作爲線路、電極與接點材料。此等材料亦提出實際上不充分之抗腐蝕性，並使之難以回收使用〇本發明係基於前述考量而完成。本發明目的在於提出一種電子零件用金屬材料，其特徵係比先前技藝電阻係數低、安定性高以及加工性更谭良。本發明目的亦在於提出使用此金屬材料之電子零件、電子裝置、電光零件，以及處理該金屬材料之方法。發明簡述爲解決此等問題，本發明申請專利範圍第1項提出一種 ___ 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） I —I -裝----1--訂-----1---線乂請先《讀背面之注意事項再填寫本頁} 4 5 7 6 5 0 A7 _ " B7 五、發明說明（6) 讀背面之注意事項: 再填 % 本頁電子零件用金屬材料。該金屬材料包哮一種以Ag作爲主要組份、0.1至3重，量以及總數爲〇.1至3重量％元素之合金，其係選自包括 Al、Au ' Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co 與Si中至少任何一者或是數者^ 本發明申請專利範圍第7項提出一種電子零件用金屬材料。該金屬材料包括一種Ag之合金作爲主要組份、0.1至3 重量％之Pd以及0.1至3重量％之一種元素，其係選自包括A1 、Au、Pt、Cu，Ta、Cr、Ti、Ni、（：〇與5卜本發明申請專利範圍第12項提出一種由特定金屬材料製得之電子零件，其中在此等零件上形成線路圖型、電極或接點。該金屬材料包括一種以Ag作爲主要組份、0.1至3 重量％2Pd以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括 Al、Au' Pt、Cu、Ta' Cr、Ti、Ni、Co 與 Si 中之一者或是數者。^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明申請專利範圍第19項提出一種由特定金屬材料製得之電子零件•其中在此等零件上形成線路圖型、電極或接點。該金屬材料包括一種以Ag作爲主要組份，0.1至3 重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自. 包括 AI、Au、Pt、Cu、Ta、Cr,、Ti、Ni、Co 與 Si 中之一者或是數者。本發明申請專利範圍第26項提出一種金屬.材料之處理方法。該處理方法係使用一種包含磷酸之溶液蝕刻金屬薄膜' 形成線路圖型、電極或接點，該金屬薄膜包括一種以 Ag作爲主要組份、0.1至3重量％2Pd以及總數爲0.1至3重量本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 4 5 7 6 5 0 A7 ___^B7_____ 五、發明說明（7 > %元素之合金，其係選自包括_A1、Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti r 、hi、Co與Si中之一者或是數者》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> ：本發明申請專利範圍第27項提出一種金屬材料之處理方法•該處理方法係使用一種包含氯之氣氛蝕刻金屬薄膜，形成線路圖型、電極或接點，該金屬薄膜包括一種以Ag 作爲主要組份、0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al、Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti 、Ni、Co與Si中之一者或是數者。本發明申請專利範圍第28項提出一種裝置處理方法，其包括金屬材料。當該金屬材料包括一層包括一種'以Ag作爲主要組份、0.1至3重量以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al ' Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti，Ni ' Co與Si中之一者或是數者的金屬薄膜時，該處理方法使用在含氟氣氛中之蝕刻作用處理上述金屬薄膜以外的材料〇本發明申請專利範圍第29項提出一種金屬材料之處理方法。該處理方法係於300°C至75CTC之溫度範圍內熱處理繞齊邠智毪时轰笱具1·育费釜乍土金屬薄膜，而形成線路圖型、電極或接點。因此，該金屬薄膜包括一種以Ag作爲主要組份、0.1至3重量％2Pd以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al、Au、Pt、

Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co與Si中之一者或是數者》. 本發明申請專利範圍第30項提出一種金屬材料之處理方法。該處理方法在一基板或是由W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽、氮化矽、Si或非晶相Si所製得之澱積薄 L------- -1Π-_ 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 457650 _____B7___ 五、發明說明（8 ) 膜上形成線路圖型，電極或接點。因此，線路圖型、電極或接點包括一種以Ag作爲主要組份、〇.1至3重量％2Pd以及繪數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al、Au、Pt 、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co與Si中之一者或是數者。本發明申請專利範圍第31項提出一種金屬材料之處理方法。該處理方法在一玻璃或塑料基板上直接形成金屬薄膜，而形成線路圖型、電極或接點。因此，該金屬薄膜包括一種以Ag作爲主要組份、0.1至3重量％之Pd以及總數爲 0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al、Au ' Pt、Cu、 Ta、Cr、Ti、Ni、Co與Si中之一者或是數者。 _ 本發明申請專利範圍第32項提出一種由特定金屬材料製得之電光零件’其中在此等零件上形成反射性薄膜、線路圖型、電極或接點。該金屬薄膜包括一種以Ag作爲主要組份、0.1至3重量％之Pc[以及總數爲0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括 Al、An、Pt、Cu ' Ta、Cr、Ti ' Ni ' Co 與Si中之一者或是數者。將Pd添加於Ag中，並將Pd均勻混入Ag之顆粒界限，可能改善整體Ag之抗腐蝕性。藉由添加一種或數種選自包括 Al、Au、Pt、Cu、Ta、Cr、T,i、Ni、Co 與 Si 之元素，可能降低電阻係數。第三種元素可以抑制電阻係數之提高率。改善抗腐蝕性需要添加0.1至3重量％之元素。. 藉由提供具有0.1至3重量％ —種或數種選自包括Al、Au * ^ ，Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co 與 Si 元素之 AgPd 合金，可能製造一種合金。此種合金保持純Ag之優良導熱性。此合本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） --------------Μ--- ί請先閲讀背面之注意事^^4:填寫本頁}

訂I .線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 457650 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（9) 金可順應習用薄膜形成方法，諸如濺g 了、蒸發法、CVD 法以及電鍍法。該合金利用濕式蝕刻技術與乾式蝕刻技術可以輕易地提供圖型。該合金在高溫下可以保持安定狀態 e 根據申請專利範圍第1或7項，可提出一種電子零件用金屬材料，其特徵係比現存材料之電阻係數低、安定性高以及加工性更優良》根據申請專利範圍第12項，可提出電子零件，其線路圖型、電極或接點使用一種電子零件用金屬材料，其中該材料之特徵係電阻係數低、安定性操作以及加工性優良。根據申請專利範圍第19項，可提出電子裝置，其線路圖型、電極或接點使用一種電子零件用金屬材料，其中該材料之特徵係電阻係數低、安定性操作以及加工性優良- 此種兰元合金可以使用一種磷酸爲底質蝕刻溶液（諸如 H2P〇4 + HNCh + CH3COOH)進行蝕刻作用。可藉由添加水、硝酸铈與硝酸銀，以及磷酸、硝酸與醋酸控制蝕刻率。根據申請專利範圍第26項，可提出一種習用製圖技術以外，適於此種金屬材料之製圖技術。此種三元合金可於含氯簿氛中進行乾式蝕刻。例如，含氯氣氛（諸如Cl:、CCL·、8(：13與3丨(：14)中可用之RIE (反應性離子蝕刻）與電漿蝕刻》 , 根據申請專利範圍第27項，可提出一種習用製圖技術以外，適於此種金屬材料之製圖技術》此種三元合金可於含氟氣氛中進行乾式蝕刻，提供該 _-1?-_ 本紙張尺度適用中困0家標準(CNS>A4規格（210 X 297公；* ) ' X請先閲讀背面之泫意事項各填寫本頁> ^ 457650 崎 A7 _____ B7 五、發明說明（1G) 合金無此等氣體所致之損壞的優點=@用於含氟氣氛（諸如CF<、C>F.a，PF*與SF6 )中之RIE或電漿蝕刻可以避免該三元合金被蝕刻。然而，亦可能蝕刻其他材料，諸如Si 、多晶 Si、非晶相 Si、SiO]、，Si3N4、Mo、W、Ta、Ti 與 Pt 〇本發明申請專利範圍第28項可應用於包括此種金屬材料與其他材料之裝置，並提供最適製圖技術。本發明申請專利範圍第29項可應用於一種金屬材料之處理方法》其可使用蒸發作用、CVD等澱積由該合金組成之層，然後將之合金化。該合金於高溫之安定性優良。其在使用各種薄膜形成方法形成薄膜之後，可於高溫處理期間保持安定狀態。該合金可應用於需要高溫處理之各種裝置，因此提供安定而且加工性優良之線路圖型等。本發哇申請專利範圍第30項可應用於一種金屬材料之處理方法。在一基板或是包括W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽、氮化矽、Si或非晶相Si任何一者之澱積薄膜上形成由此種合金製得之線路圖型、電極或接點。使用習用處理方法以確保充分黏合性質。其特徵係提供低電阻係數、安定操作與優良加工性之線路圖型等。本發明申請專利範圍第30項可應用於一種金屬材料之處理方法《在一玻璃或塑料基板上直接形成由此種合金製得之線路圖型、電極或接點。此實例中，因爲此種合金受氧影響較小之故，電阻係數提高不如Α1中所發現的電阻係數提高大。因此，可以使用一種簡易製造方法有效地製造 -- -- —— 一 _-13 - 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4现棬（210 X 297公箧) 請先 Μ 讀背面之注意填· 寫裝本. 頁經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 457650 A7 B7 五、發明說明（具有低電阻係數之線路圖型= _ 請先 10- 讀背 it 之注意事項再填 % 本 1 本發明申請專利範圍第32項可提出電光零件，其反射 _薄膜、線路圖型或電極係由特徵爲低電阻係數、安定操作以及優良加工性與反射性之金屬材料製得。如上述，一種本發明之金屬材料可爲包含Ag作爲主要組份、0.1至3重量以及總數爲0.1至3重量％之元素（諸如A1)的合金。其可提出一種電子零件用金屬材料、電子零件與使用此金屬材料之裝置，其中該金屬材料之特徵係比先前技藝電阻係數低、安定性高以及加工性更優良。圖式簡述圖1係一個液晶顯示面板之橫剖面略圖，其中可使用本發明之Ag合金：圖2係> 外液晶顯示面板之橫剖面略圖，其中可使用本發明之Ag合金；圖3係一快速擦寫記億器單元之橫剖面略圖，其中可使用本發明之Ag合金；經濟部智慧財產局員工消费合作社印制衣圖4係進行本發明所形成之電子零件的橫剖面略圖；圖5係進行本發明所形成之另外電子零件的橫剖面略圖 » 圖6係一濺鍍裝置之略圖，其適於用於處.理本發明目的之金屬材料。，主要元件對照表本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格<210 297公釐） 44- 457650 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁五、發明說明（12) 1 濺鍍裝置 , 5 測鍍靶構件 '6 基板 2 真空槽 , 7 冷卻電路 8 空吸泵 9 氣體供應口 10 磁鐵 11 反射型彩色液晶顯示面板 13 反射電極 14 液晶層 15 透明電極 16 透明濾波器 17 症璃基板 18 相差薄膜 19 極化板 20 •散射板 21 反射型彩色液晶顯示面板 22 玻璃基板， 2 3 資料線 2 4 字線 2 5 液晶層 - 2 6 開關元件 2 7 透明電極 ____-15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） I . 1-----—訂 1 I I ! I ί 乂請先閱讀背面之注意事彳再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 d 5 7 6 5 0 Λ? Α7 Β7 五、發明說明（13) 2 8 透明濾波器 ^ 29 玻璃碁板 +3 1 p型矽層 32 源極區 · 3 3 汲極區 34 浮動閘. 3 5 控制閘 3 6 位元線 41，42，43 第一、第二、第三層 4 4 絕緣層 4 5 通孔 5 1 第一層 5 2 第二層 5 3 秦三層 5 5 通孔發明詳述現在茲使用範例具體實例並參考附圖詳細描述本發明' 〇此具體實例使用一種闬於各種電子零件之金屬材料，其係一種以Ag作爲主要組份、0.1至3重量％之.Pd以及總數爲 0.1至3重量％元素之合金，其係選自包括Al、Au、Pt、Cu、 Ta、Cr、Τι，Ni、Co與Si中之—者或是數者。此情況中，各種電子零件包括顯示裝置，諸如透明液晶顯示面板、反射 ____________- - ___ 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 — — — — — — ΙΙΙΙΙΙ1 · I I I I I I I ·1!111111 <請先《讀背面之注意事3填寫本頁) 457650 A7 B7 五、發明說明（14) 二請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 液晶顯示面板、有機EL (有機發光）面板、電漿顯示器、使用微鏡面等之雩光零件、各種半導體裝置、印刷線路板、晶粒電容器、替續器等。此等合金適用於線路材料、電極材料、高反射性薄膜材料、接點材料等，以及用於製造線路等之濺鍍靶材料。已習知可將Pd添加於Ag，並將Pd混入Ag之顆粒界限，可以改善整體Ag之抗腐蝕性。然而，僅將Pd添加於Ag確保獲得充分抗腐蝕性會使電阻係數提高。可以添加選自包括 Al、Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co 與 Si 中之一或多種元素可以降低電阻係數或是抑制電阻係數提高。必須添加0.1 至3重量％之第三種元素以改善抗腐蝕性。添加多於3重量％此種元素會使抗腐蝕性變差。該具有經改良抗腐蝕性之銀合金保持純Ag之特徵，其提供最優良之導電性、導熱性以及金屬元素中之反射性。此合金可以提供具有優良抗腐蝕性、低電阻係數、高導熱性以及高反射性之金屬材料》經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫尤其是，當該合金應用於線路材料時，自上述族群選擇一種額外元素可確保線路材料必須之3 μΩςπι以下之値。. 已知實際可使用線路材料之罈準係不超過被廣泛使用之 AlSi合金的電阻係數。實際結果係電阻係數爲1.6 μΩα以上》視需求而定，可以確定此AlSi合金所需之電阻係數在 3.5 μΩ<：πι以下。 - 此種銀合金並非共晶反應合金材料，但是是爲一種完全固體溶液。亦自微觀觀點來看，銀合金可以安定地提供 _____- 17-___ 本紙張尺度適用中囷圉家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 4576 50 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 A7 B7 五、發明說明（15) 均勻特徵。此等完全固體溶液金屬合#保有Ag之可鍛性。因爲薄膜應力峥微變差之故，例如1微米以上之厚膜或是經滾壓板之應力發生情形減少。因此，與習用材料諸如A1、 Mo，Cr、Ti、Ta與Cu相較，該合金可以提供優良之加工性、於高溫下之安定操作，以及經改良可靠性。至於Ag處理方法，乾式蝕刻作用使用氯爲底質複合氣體。濕式蝕刻作用使用硝酸爲底質蝕刻劑。此等方法亦可用於蝕刻此具體實例之Ag合金。可以應用習用Ag合金累積之各種處理方法。氯化氣體包括。Ch、CCL·、BCh、SiCl^此等氣氛中，可以使用RIE或電漿蝕刻作用處理此具體實例之Ag合金薄膜。使用氯化蝕刻氣體之乾式蝕刻方法可應用於Ag爲底質線路圖型'當蝕刻作用進行時，氣體中之氯在Ag上反應，並在線路圖型界限上產生AgCl。此AgCl使得導電性與導熱性變差。可以確認此具體實例之Ag合金薄膜不會造成此種反應。在適於作爲乾式蝕刻氣體的ΗΠ、Cl·、CCL·、BCl^ SiCh中，使用Cl··進行細微蝕刻作用最有利，其次是HC1與. BCh。使用一種含碘氣體（諸印HI)添加到此等氣體任何一者中所製得之混合物或是Ch + HI、HC1 + HI或BC1; + HI可以改善該乾式蝕刻方法之處理效果。該氯化氣氛中之蝕刻作用可提供使用此種金屬材料製造電子零件期間之最適製圖技術。該三元合金使得很難在含氟而非含氯氣氛中進行乾式 _______ -18- 本紙張尺度適用4*國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) !! t t · I I I I I I ! I ,(锖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457650 A7 _ B7 五、發明說明（16) 蝕刻，其優點係避免此種氣體所造成客損壞。於Ch、、（^Fs與SFi氣氯中之RIE或電漿蝕刻可以蝕刻其他材料，諸如多晶 Si、非晶相 Si、SiO:、ShN4、Mo、W、Ta、Ti與 Pt，而且不會在此種三元合金上造成任何影響。在含氟而非含氯氣氛中之處理可以選擇性蝕刻該三元合金以外部分。此方法亦可提供一種製圖技術，其可最適地應用於該種金屬材料。目前，液晶顯示器製造設備中之濕式蝕刻作用使用一種包含磷酸之蝕刻劑以蝕刻純A1等。磷酸蝕刻劑包括H3P〇4 + HN〇3 + CH3COOH。很難使用此種蝕刻劑蝕刻習用純Ag 或包括Ag作爲主要組份之二或三種元素合金。很明顯地，此種磷酸複合物可用以蝕刻一種以Ag作爲主要組份' 0.1至3重量以及0.2至3重量％元素Cu或Ti 之合金。習用之A1爲底質蝕刻設備可有效地用以蝕刻。與先前技藝相似地，亦可藉由添加水、硝酸铈與硝酸銀，以及磷酸、硝酸與醋酸控制蝕刻率。可以使用與純Al、A1合金等之相同方法進行蝕刻後的後處理，諸如淸洗作用。與蝕刻A1材料之情況相較，可以. 降低環境污染之可能性。，本發明之材料比習用材料諸如A卜Mo、Cr、Ti、Ta與 Cu更容易加工。利用習用薄膜形成方法•諸如濺鍍法、蒸發法、CVD 法與電鍍法可以容易而且可靠地形成此Ag合金。以濺鍍法灘鏡此Ag合金約比A1材料快三倍。此意味該Ag合金具有以 Λ. - -19 - __ 本紙張尺度適用中圉國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱)

If—— — — — — I I - I — I I I I I I I «— — — I — — —· 閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4576 50 A7 B7 五、發明說明（17) {請先閲婧背面之注意事項再填寫本頁) 濺鍍法快速形成薄膜之特徵。此舉可以縮短薄膜形成時間 ’以及整體製造所需之時間。因爲主要組份Ag係一種貴金屬，所以比其他材料更容易收集與回收。就本發明目的而言，倂用濺鍍裝置1與一種通常具有如圖1所示構造之濺鍍裝置。參考圖1，濺鍍裝置1、由本發明 Ag合金製得之濺鍍靶構件5，以及澱積自濺鍍靶構件5射出之Ag合金的基板6係安裝於一真空槽2中。於該真空槽2中進行濺鍍方法，藉由使用水之冷卻電路7冷卻該濺鍍靶構件5 時，經由氣體供應口 9將例如氬氣送料至真空槽2內，此時利用空吸泵8將真空槽2之空氣抽出。在濺鍍裝置1之磁鐵10 所產生磁場中進行磁控管濺鍍方法。使用濺鍍法、蒸發作用等形成薄膜時*合金化需要加熱。自300°C至750 °C之熱處理可製造一種金屬薄膜，其特徵係電阻运數低，安定性高以及加工性優良= 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製對處理方法而言，對於基板材料之黏合性極爲重要。使用W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽或氮化矽作爲基板可以確保優良黏合性。對於各種半導體裝置等而言，習用A1爲底質線路圖型容易被取代，而且可以確定其具有有利特徵a , 在塑料或玻璃上直接形成A1爲底質薄膜時，A1與氧之反應造成相當大之電阻値，換言之*比整體材料之電阻大二至三倍》然而，本發明之Ag合金受氧之影響小，而且在塑料或玻璃上直接形成薄膜之故，其電阻係數增幅降低。可以在塑料或玻璃上直接形成線路圖型，製造具有優良特 •_ ___-20-_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4576 50 A7 _ 、B7 五、發明說明（1句徵之線路圖型等。可以使用一種簡單¥造方法產生具有低電阻係數之線哮圖型等》該Ag合金可應用於透明液晶顯示面板之線路圖型。若是因爲大顯示尺寸或高解析度致使線路長度增加以及線路變細，可以提出容易、平穩操作、改善可靠性，並降低電力消耗。同時，用於反射型液晶顯示面板之反射性薄膜在其全部波長範圍內必須顯示出對於可見光之高度反射性。在Ag 實例中，顯示出對於波長400毫微米的光之反射性約爲90% 。然而，在AgPd(0.9重量％)Cu(I.O重量％)實例中/對於波長 400毫微米的光之反射性降低至約86%。以A1取代包含在上述合金中之部分Cu可以最小化對於波長400毫微米反射性之降低，而且不會降低化學安定性。一種 1Ϊ 如 AgPd(0.9重量％)Cu(0.3重量％)Α1(0.7重量％)之含Ag合金可以使上述波長之光反射性改善至88%。因此，可以改善該薄膜對於介於約380毫微米與約500毫微米短波範圍內之光的反射性，而且不會使該薄膜之化學安定性變差〇因此，該Ag合金可應用时反射液晶顯示面板之線路圖型，提供相當於透明液晶顯示面板之效果。將Ag合金應用於高反射性薄膜可以安定地確保高度反射性，.並形成明亮顯示螢幕。 - 茲描述一種反射型彩色液晶顯示面板作爲應用本發明 Ag合金所完成之TFT液晶顯示裝置實例。如圖2所示，該反 -_ 本纸張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 * 297公釐） 1 I---!· · ! I ! I 訂-!-- (，請先閱讀背面之注^.項，*填寫本頁) 4576 50 A7 B7 五、發明說明（19) 射型彩色液晶顯示面扳1 Γ包括反射電_ I 3、液晶層14、透明電極15、彩色濾波器16、玻璃基板17'相差薄膜18、極化板19與散射板20，其依序置於玻璃基板11上。該反射電極13係由上述A g合金材料製成圖2之反射型彩色液晶顯示面板1 1係使用反射電極Η鏡面與散射板20之類型，基本上此種安置可應用於與透明電極成對之任何電極。由本發明Ag合金製得之反射電極應用於反射型裝置時，提供作爲低電阻係數電極材料、操作可靠性高以及反射性高之優點。不必多說，一種液晶顯示裝置可爲反射型或傳輸型，而本發明之Ag合金亦可用於後一型液晶顯示裝置。此外，本發明之Ag合金不僅可用於圖2所示之液晶驅動電極，亦可用於使用主動基質驅動系統之反射型彩色液晶顯示面板〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因爲上述之反射型彩色液晶顯示面板之電力消耗低之故，其可有利地作爲行動電話之顯示面板、PDA (個人數位助手）或某些其他攜帶式資料終端。使用本發明Ag合金所形成並用於上述種類液晶顯示面板之TFT不必具有避免A1或任何習知A1合金反應&/或遍佈於某些其他材料之障層9 如圖3所示，上述種類之反射型彩色液晶.顯示面板21具有液晶，層25，其係在玻璃基板22上之各區形成，山且以資料線23與字線24隔開。開關元件26與各區之液晶層25連接。如圖3所示，反射型彩色液晶顯示面板21另外包括一個透 22 乂請先閱讀背面之注意事矿再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） A7 * 457650 _____B7___ 五、發明說明（20) 明電極27、彩色濾波器28以及玻璃基_29，其依序置於液晶層25上。，， <請先閱續背面之3.意事琢再填寫本頁> 本發明之Ag合金可用於開關元件之各種電極，諸如包括閘極、汲極及/或某些其他電.極以及連接彼等之線路的 TFT。此外，亦可用於各種顯示裝置，包括訑發光（EL)裝置、場致放射裝置（FED)與電漿顯示面板（PDP)= 另外，本發明之Ag合金亦可有利地用於反射型彩色液晶反射薄膜，反射電極與連接液晶顯示面板此等電極之線路、傳輸型液晶裝置之閘極、閘極之電極、汲極之電極以及連接此等電極之線路，以及電漿顯示裝置之背高電極與連接彼之線路。同樣地，該Ag合金可應用於光學調變裝置之反射薄膜、電極或線路圖型，諸如使闬微鏡面之電光零件。因爲高反射與低邊阻之故，可以形成具有高亮度以及快速操作之裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製該Ag合金可應用於使用Ta之液晶顯示面板與各種半導體裝置的陰極氧化法。使用此種銀合金與Ta之合金可以例如提供充分小之電阻値。圖4顯示作爲快速擦寫記憶器最小貯存單位之快速擦寫記億器單元，其使用本發明之Ag合金。如圖4所示，該快速擦寫記憶器單元包括.源極區32與汲極區33 ·其係沿著由合金製得之浮動閘34、控制閘與位元線36，由p型矽層31形成。圖4顯示一種η型通道金屬氧化物半導體裝置（nMOS:金本紙張尺度用中國國家標準<CNS>A4規格（210 * 297公釐） -23- ^ 457 b 5 0 A7 B7 五、發明說明（21) ----I--I------ * I · -ί靖先吼讀背面之注患事項再填鸾本I> 屬氧化物半導體），其位元線36係由A纟合金製得，本發明Ag 合金之適甩範圍不受限於nMOS之位元線，而且包括幾手全部電子裝置之線路，此等電子裝置係諸如使用強介電性材料或鐵磁性材料之p型通道金屬.氧化物半導體（PM〇S)、雙極電晶體' BiCMOSi互補金屬氧化物半導體裝置）、薄膜電晶體以及記憶器裝置。本發明之Ag合金不僅可作爲圖4所示形成裝置頂層之單一線路層材料，亦可作爲圖5與6所示之多層線路裝配。圖5 之半導體裝置具有Ag合金製得之第一、第二與第三層41，42, 43之三層裝配，並依序於其間插入絕緣層44。 — 圖6之半導體裝置亦具有第一層51 (通常由多晶矽51或矽化物製得）、第二層52與第三層53之三層裝配，其間插入絕緣層’該第二層52與第三層53係由Ag合金製得。第一、第二與第三論52,53各者同樣具有通孔55。 -i. 經濟部智慧財產局ΒΛΧ消費合作社印製以習知多層線路裝配來說，爲了確保布線處理後該線路層於熱處理中之化學安定性目的，該線路層通常係由多晶矽或矽化合物製得，諸如WSi、MoSi或TaSi製得。然而，上述材料具有高電阻係數之缺點。雖然糾與4丨合金顯示出電阻係數大幅低於任何上述if熔點材料，但是其具有低至 660°C之低熔點缺點。有鑑於此等事實，因爲銀之熔點高至 960°C，而且本發明之Ag合金在高溫下具有化.學安定性之故，該合金可以有利地用於多層線路裝配。適用本發明之半導體裝置包括CPU (中央處理單位）、 MPU (微處理單位）、具有記億器之LSI (大型積體電路）、 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '457650 A7 ’，B7 五、發明說明（22) DRAM (動態隨機存取記億器）、SRAM (靜態RAM)' ROM (惟讀.記博器）、PROM (規劃程式ROM)、快速擦寫記憶器、FeRAM (強介電性RAM)、MRAM (磁性RAM)、閘極陣列、CCD (電荷偶合裝置K、MOS影像.感應器與太陽能電池。該Ag合金亦可應用於各種半導體裝置之線路圖型，並避免線路延長與細微線路所致之電阻値提高。此舉亦可降低電力損耗。亦可避免布線所致之壓降並避免訊號延遲，因此改善各種特徵與可靠性° 該Ag合金亦適用於印刷線路板之線路圖型、晶粒零件電極、替續器接題等，確使具有最適特徵與高度可靠度〇現在，下文將討論包含Ag合金之四元素合金之種類與效果。當ΙΪ路係由A1或A1合金（諸如AlSi)製得時，因爲在裝置製造方法中該線路曝於高溫，以及該線路長時間用於高度電流密度時會發生A1原子移動之故，會引發線路斷裂問題。然而，以本發明Ag合金製得之線路特別在原子移動項目中極爲優良，該Ag合金係AgPdCuTi或AgPdCuCr。特別是. ，AgPd(0.7-0.8重量％)Cu(0.5蓴量％)Τι(0·5重量％)與 AgPd(0.7 -0.8重量％)Cu(0.5重量％)Cr(0.5重量％)在原子移動項目中表現得相當優良。 ..

[具體實例J 表2顯示比較上述銀合金與習用純Al、A1爲底質合金與 ______-25- 本紙張尺度適用中0圉家標準（CNS)A4規格（210 * 297公》) 請先讀背面之注填再填寫本頁經濟部智慧財產局員工消费合作社印" 457650 A7 B7 五、發明說明（23)

Ag合金之電阻値和抗蝕性j 表2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料電阻係數[μ Ω c m ] 抗蝕性 A1 2.69 低 Cu 1.7 低 Ag 1.6 良好 Au 2.3 優良 A1 -1 w t % C u 3.26 低 Al-0.5wt%Si 3.45 低 A3-0.5wt%Si-lwt%Cu 3.48 低 A g - 2 w t % A u 2.15 良好 A g - 3 w t % P d 3.01 良好 Ag-0.1wt%Pd-0.1wt%Cu 1.75 優良 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Cu 1.93 優良 Ag-2.0wt%Pd-2.0wt%Cu 2.44 優良 Ag-3.0wt%Pd*0. lwt%Cu 2.98 優良 Ag-0.1 wt%Pd-3.0wt%Cu ^ 1.96 優良 Ag-3.0wt%Pd-3.0wt%Cu 2.76 優良 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Cr 3.44 優良 Ag-0.9wt%Pd-l .0wt%Si 3.51 優良 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Ti 2.34 優良 ___-7R- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -------^ - III — !— --I-- <請先閲續背面之注意事艰再填寫本頁) 457650 A7 B7 五、發明說明（24) --------------裝--- X.靖先閲讀背面之注意事枣再填寫本頁》本發明根據RF濺鍍法在一個氧化矽板上形成各種組成物之薄膜*然後在真空條件下以300°C進行熱處理三小時，製造用於測量之樣本。所有樣本之薄膜厚度均爲300毫微米。本發明人使用四探針了測量室溫下之電阻値。此等金屬材料中，Ag顯示最低電阻係數。將其他元素添加於Ag會提高電阻係數。電阻値之提高係以最廣爲使用之AlSi合金之電阻係數3.5 μΩ<;ιη作爲基準。當Pd之測量體積爲0.1至3重量％而且Cu之測量體積爲0.1至3重量％時， AgPdCu符合此標準。在Cu與Pd之添加體積相同時，添加 Cu所提高之電阻係數小於添加Pd所提高之電阻係數。將 Cii添加於AgPd合金時，存在添加Cu會降低電阻係數之情況。 --東. 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製爲了硏究使用濺鍍作用以外之薄膜形成法形成薄膜時之電阻係數，本發明人使用蒸發作用、電鍍作用與CVD法形成Ag-Ι.Ο重量％?^1.0重量％<：11薄膜。本發明人使用上述測量方法測量電阻係數。測量結果顯示在所有蒸發作用、電鍍作用與CVD法中偵測到1.90至1.98 μΩ£：πι之電阻係數。. 已發現不論薄膜形成方法爲坷，可以形成幾乎相等之薄膜〇表3顯示剛形成薄膜後而且無退火之電阻.係數。此測量使用濺鍍法在一種丙烯酸基板上形成厚度150毫微米之薄膜。在此種塑料爲底質環氧樹脂上形成薄膜時，因爲薄膜性質、對氧之反應與其他因素之故，一種Α1爲底質合金會明 _ -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5 7 6 5 0 A7 B7 五、發明說明（25 ) 顯提高電阻値。該電阻係數變成整體0料電阻係數的兩倍至三倍。表3 材料電阻係數[μΩοη] A1 6.23 Ag 2.56 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Cr 7.31 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Si 7.45 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Ti 5.34 Ag-0.9wt%Pd-1.0wt%Cu 3.23 ·(請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製相反的，本發明Ag合金受氧之影響小，其保持電阻係數提高至整體材料之1.6倍。該電阻係數形成低至2.5 6 MQcm。於AgPd中添加Cr、Si、Ti與Cu以產生一種合金時，所添加材料對於電阻係數以及電阻係數提高率之影響不同。與A1相較，添加Cr與Si會提高電阻係數。與A1相較，添加 Cu與Τί會降低電阻係數。尤其是，添加Cu會提供3.23 μΩοπι 之充分低電阻係數。表4顯示評估個別薄膜材料之抗蝕性結果·。表2之抗蝕性欄彙總*4中之評估結果。爲了.進行該評估試驗，於室溫下將樣本浸於3%NaCl、5%NaOH、1%ΚΟΗ與1%H2SCK溶液中 24小時。24小時後，以肉眼檢視該樣本。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- 457650 A7 B7 五、發明說明（26 ) 表4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料 3% -NaCl 5% NaOH Au 未改變未改變 A1 完全反應完全反應 A1-1.0wt%Cu 完全反應完全反應 Al-0.5 wt%Si 完全反應完全反應 Al-0.5wt%Si-1.0wt%Cu 完全反應完全反應 Ag 完全反應變色 A g - 2 w t % A u _ 完全反應變色 A g - 3 w t % P d 稍微變色變色 Ag-0.1wt%Pd-0.1wt%Cu 稍微變色稍微變色 Ag-3.0wt%Pd-0.1wt%Cu 稍微變色稍微變色 Ag-1.0wt%Pd-1.0wt%Ca 未改變未改變 Ag-2.0wi%Pd-2.0wt%Cu 未改變未改變 Ag-0.1wt%Pd-3,0wt%Cu 梢微變色稍微變色 Ag-3.0wt%Pd-3.0wt%Cu 未改變未改變 Μ 讀背面之注 * 事再 Λ I裝頁訂本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -29 A7 4 5 7 6 5 0 __B7 五、發明說明（27 ) 材料 1%K0H l%H2S〇4 Au 未改變未改變 A1 完全反應完全反應 A1 -1.0 w t % C u 完全反應完全反應 Al-0.5wt%Si 完全反應完全反應 Al-0.5wt%Si-1.0wt%Cu 完全反應完全反應 Ag 變色稍微變色 A g - 2 w t % A u 變色稍微變色 A g - 3 w ΐ % P d 變色稍微變色 Ag-0.1wt%Pd-0.1wt%Cu 稍微變色稍微變色 Ag-3,0wt%Pd-0.1wt%Cu 稍微變色稍微變色 Ag-1.0wt%Pd-1.0wt%Cu 未改變未改變 Ag-2.0wt%Pd-2.0 w t % C u 未改變未改變 Ag-0.1wt%Pd-3.0wt%Cu 稍微變色稍微變色 Ag-3.0wt%Pd-3.0wt%Cu 未改變未改變 -----•裝 i I -(請先閱讀背面之注意事v再填寫本頁) 上5 · .泉. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製除了 Au之外*習用材料Al、AICu、AlSi與AlCuSi顯示出損失金屬光澤或是變成不透明白色與透明。此意味此等材料與個別化學物質反應。相反的，AgPdCu合金僅藉由添加少量Pd與Cu(0.1重量％)即大大地改善抗蝕性，而且僅顯示出表面稍微變色。亦已發現增加額外數量之Pd與Cu會使抗蝕性改善至不會發生改變之程度。表5與6顯示抗熱處理之安定性以及評估長期可靠性之 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457650 A7 B7 五、發明說明（28) .(請先閱讀背面之注意事項為填寫本頁) 結果β本發明人在一個slide玻璃板上g用濺鍍法製造各個樣本。表5之評估結果係使樣本在600°C之100%氧氣氛中逗留24小時後之肉眼檢視爲基準》表6之結果係使樣本在9CTC 相對濕度85%之氣氛中逗留1，0Q0小時後之肉眼檢視爲基準表5 材料試驗結果 Au 未改變 Cu 變黑 * A1 變成不透明白色並完全氧化 Al-1.0wt%Cu 變成不透明白色並完全氧化 Al-0.5wt%Si 變成不透明白色並完全氧化 AI-0.5wt%Si-1.0wt%Cu 變成不透明白色並完全氧化 Ag 變黃 A g - 2 w t % A u 變黃 A g - 3 w t % P d 變黃 Ag-0.1wt%Pd-0.1wt%Cu 未改變 Ag-3.0wt%Pd-0.1wt%Cu ' 未改變 Ag-l.〇wt%Pd-l ,0wt%Cu 未改變 Ag-2.0wt%Pd-2.0wt%Cu 未改變‘ » Ag-0.1wt%Pd-3.0wt%Cu 未改變 Ag-3.0wt%Pd-3.0wt%Cu 未改變經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 457650 A7 B7 五、發明說明（29 表6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料 > 試驗結果 Au 未改變 C u 變黑 A1 變成不透明白色並完全氧化 A1 -1.0 w t % C u 變成不透明白色並完全氧化 Al-0.5wt%Si 變成不透明白色並完全氧化 Al-0.5wt%Si-1.0wt%Cu 變成不透明白色並完全氧化 Ag 變黑 A g - 2 w t % A u 變黑 A g - 3 w t % P d 變黑 Ag-0.1wt%Pd-0.1wt%Cu 未改變 Ag-3.0wt%Pd-0.1wt%Cu 未改變 Ag-1.0wt%Pd-1.0wt%Cu 未改變 Ag-2.0wt%Pd-2.0wt%Cu 未改變 Ag-0.1wt%Pd-3.0wt%Cu 未改變 Ag-3.0wt%Pd-3.0wt%Cu ' 未改變如表5所示，含0.1至3.0重量％Pd與0.1至3.0重量％Cu之 AgPdCu合金在此種嚴格高溫環境下顯示出未改變。除了此等試驗之外，使相同樣本留於750°C之100%氧氣氛中24小時 -32 請先 H- 讀背面之注再' 填 S裝本頁訂本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格<210 X 297公釐） 457650 Α7 Β7 五、發明說明（3〇) a於此種條件下亦未觀察到改變。， <請先53讀背面之注意事ί填寫本頁) 根據此等試驗，發現相關之材料在大約750°C之相關高盔處理期間極安定。形成薄膜之後，該材料在未產生保護薄膜之下，亦不會隨著溫度改變，因此簡偈形成薄膜後之後熱處理。亦發現該材料可於高溫與濕度條件下呈安定狀態，確使作爲線路材料等之充分可靠性。表7顯示照相平版印刷方法期間評估抗蝕性之結果。爲了此評估|本發明人在一 Si基板上形成厚度爲150毫微米之 Ag-0.9重量％?〇1-1.0重量％(：1]薄膜作爲樣本。對該樣本進行抗蝕劑顯影，其係一種原有之照相平版印刷方法。然後，烘烤該抗蝕劑以觀察薄偶電阻之改變。實際上，進行顯影時，將該樣本浸於5%NaOH溶液中，其係顯影溶液之主要組份。進行技蝕劑烘烤時，於120t烘烤塗覆抗蝕劑之樣本30 分鐘。表7 狀態形成薄膜後浸於5%Ν;ΟΗ溶液（顯影組份）後於120°C烘烤30分鐘後（抗蝕劑烘烤作用）電阻（Ω/iJ 0.17 0.17 0.17 經濟部智慧財產局員工消費合作 ίϊ 印製如表7所示，此樣本於各處理前後，薄片電阻並未顯示出改變。已發現該樣本可應用於習用照相平版印刷法，並且安定地處理。 _-33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> 457650 A7 B7 五、發明說明（Μ) 表8顯示評估對於AgPdCu薄膜之Τ；層薄膜材料的黏合性 «爲了評估此轱合性，本發明使用Ti、Cr、W、Ta與Mo、氧化物與氮化物’諸如ITO(氧化銦錫）、氮化鈦、氮化矽、氧化矽與非晶相矽形成一種下層薄膜材料，然後於其上形成AgPdCu薄膜’製得一樣本。該基板薄膜厚度爲100毫微米。該AgPdCu薄膜厚度爲300毫微米。爲了觀察*本發明人使用膠帶進行剝落試驗。然後在一種硝酸鹽溶液中進行蝕刻 •並以肉眼觀察瑕疵，諸如薄膜剝落。表8 (飧先聞讀背由之注填寫本頁) ----iiT 裝經濟部智慧財產局負工消費合作社印製底質材料薄膜剝落試驗 Ti 嚴重剝落 Cr 稍微剝落 W 未剝落 Ta 未剝落 Mo 未剝落 ITO 未剝落 TIN - 未剝落 SIN 未剝落 SICh 未剝落非晶相S i 未剝落此評估結果揭露出，除了 Ti基板外均可獲得良好黏合 __ -34-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公« ) ts]. -東·

Claims

45765C Λ8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 .—種電子零件用金屬材料，其^包含Ag作爲主要組份，其中：該金屬材料包括一種合金，包含 0.1至3重量％之Pd以及 , 總數爲0.1至3重量％之至少一種或多種元素，其係選自包括 Al、Au、Pt ' Cu、Ta ' Cr、Ti、Ni、Co 與 Si 〇 2 .如申請專利範圍第i項之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種線路材料。 3_如申請專利範圍第1項之電子零件用金屬材料，其中· 電阻係數係3 μΩ(；ιη以下。 4_如申請專利範圔第1項之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種電極材料。 5 ·如申請專利範圍第1項之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種接點材料。 6 ‘如申請專利範圍第1磚之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種濺鍍靶材料。 7.—種電子零件用金屬材料，其包含“作爲主要組份，其中：該金屬材料包括一種三元合金，包括 -37 -------------裝------訂------線請先聞讀背面之注意事JS-丨填寫本頁) - - r f - I 457650 A8 B8 C8 D8 六、申請專利祀圍 0.1至3重量％之？(1以及· r 總數爲0.1军3重量％之一種元素，其係選自包括Al、Au 、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co與 Si。~ 8·如申請專利範圍第7項之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種線路材料。 9.如申請專利範圍第7項之電子零件用金屬材料，其中：電阻係數係1.6 μΩ<：ιη以上或3.5 μΩοιη以下。 10 .如申請專利範圍第7項之電子零件用金屬材料•其中：該電子零件用金屬材料係一種電極材料。 11 .如申請專利範圍第7項之電子零件用金屬材料，其中：該電子零件用金屬材料係一種濺鍍靶材料。 12 . —種電子零件，其具有由特定金屬材料製得之線路圖型、電極或接點，其中：該金屬材料包括一種合金，包括 A g作爲主要組份， 0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之至少或多種元素’其係選自包括 Al、Au、Pt、Cu、Ta、-Cr、Ti、Ni、Co 與 Sie 13.如申請專利範圍第12項之電子零件’其中：該線路圖型、電極或接點係經由使用一種包含磷酸溶 -38 -___ 夂枝浃尺度適用令國因家標車（CNS ) Α4現格（2ΙΟΧ297公* } C請先閲讀背面之注意Ϋ寫本頁) -裝經.^-部智1-时4^60;工消費合作社印絮 ^7 6 50 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍液蝕刻所形成。 … r 14.如申請專利範圍第12項之電子零件，其中：該線路圖型 '電極或接點係利用在包含氯氣氛中蝕刻所形成。 . 1 5 .如申請專利範圍第12項之電子零件•其中：該線路圖型 '電極或接點係利用在包含氟氣氛中蝕刻所形成。 16 .如申請專利範圍第12項之電子零件，其中：該線路圖型、電極或接點係於300t至750°C之溫度下熱處理。 ’ 17.如申請專利範圍第12項之電子零件，其中：該線路圖型，電極或接點係在由W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽、氮化矽、Si或非晶相Si所製得之基板上形成。^ 1 8 .如申請專利範圍第1 2項之電子零件，其中：該線路圖型、電極或接點係在玻璃或塑料板上直接形成。 19. 一種電子裝置|其具有由特定金屬材料製得之線路圖型、電極或接點，其中L 該金屬材料包括一種合金，包括 A g作爲主要組份 0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al 、 Au 、 Pt 、 Cu 、 Ta 、 Cr 、 Ti 、 Ni 、 Co與Si 。 _______ - 39 ~_______________ 衣妖張尺度適用中國國家標车（CNS > 格（2丨〇x 297公釐） 4 5 7 6 5 0 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 20 .如申請專利範圍第19項之電f裝置，其中：該線路圖犁、電極或接點係經由使用一種包含磷酸21 溶液蝕刻所形成。 21 .如申請專利範圍第19項之電子裝置，其中：該線路圖型、電極或接點係利用在包含氯氣氛中蝕刻所形成。 22 .如申請專利範圍第19項之電子裝置，其中：該線路圖型、電極或接點係利用在包含氟氣氛中蝕刻所形成。 23 .如申請專利範圍第19項之電子裝置，其丰：該線路圖型、電極或接點係於300°C至750°C之溫度下熱處理》 24 .如申請專利範圍第19項之電子裝置，其中：該線喊圖型、電極或接點係在由W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽、氮化矽、Si或非晶相Si所製得之基板上形成。 25 .如申請專利範圍第19項之電子裝置，其中：該線路圖型、電極或接點係在玻璃或塑料板上直接形成。 26.—種處理金屬材料之方法，其中：該方法使用一種含磷酸溶液蝕刻合金之金屬薄膜，形成線路圖型、電極或接點，該合金包含： Ag作爲主要組份 0.1至3重量％之Pd以及本坟*尺度適用中國國家標準（CNS ) ΑΊ说格（210X297公釐） -40- 457650 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智总对是^具工消費合作社印紫六、申請專利範圍總數爲0·1至3重量％之一種或多種.元素，其係選自包括 Al' Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co與 Sia 27. —種處理金屬材料之方法，其中·· 該方法使用一種含氫氯酸溶液蝕刻合金之金屬薄膜，形成線路圖型、電極或接點，該合金包含： Ag作爲主要組份 0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al 、 An 、 Pt 、 Cu 、 Ta 、 Cr 、 Ti 、 Ni 、 Co與Si 。 28. —種處理金屬材料之方法，其中： _ 該方法在一種含氟氣氛進行蝕刻作用，以處理合金金屬薄膜以外的材料，該合金包含： Ag作爲主要組份 0.1至5重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al、Au、Pt、Cu、Ta、Cr ' Ti、Ni、Co與 Si。 29. —種處理金屬材料之方法，其中：該方法在300 °C至750 °C熱處理一種合金金屬薄膜，而形成線路圖型、電極或接點：該合金包含： Ag作爲主要組份 O.i至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al、 An、 Pt、 Cu、 Ta， Cr、 Ti、 Ni、 Co與Si。 30. —種處理金屬材料之方法，其中： --—_____!_41 - 尺度通用中國國家搮車< CNS > A4规格（210x297公着) -----------裝------訂------線广請先閲_讀背面之注意事19填寫本頁) . 457650 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍該方法藉由在W、Ta、Mo、氧化銦錫、氮化鈦、氧化矽、氮化矽、矽或非晶相矽所製得之下層材料上形成一種合金之金屬薄膜，而形成線路圖型、電極或接點，該合金包含： . Ag作爲主要組份 0.1至3重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al、Au、Pt ' Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co與 Si。 31. —種處理金屬材料之方法，其中：該方法藉由在一種玻璃、塑料或Si板上直接痕成一種合金之金屬薄膜，而形成線路圖型、電極或接點，該合金包含： Ag作爲主要組份 0.1至i重量％之Pd以及總數爲0.1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 AI、 Au、 Pt、 Cu、 Ta、 Cr、 Ti、 Ni、 Co與Si。 32. —種電光零件，其特徵係使用由合金之金屬薄膜製得之反射薄膜或電極或線路材料，其中該合金包含： Ag作爲主要組份 ^ 0.1至3重量％之Pd以及總數爲0,1至3重量％之一種或多種元素，其係選自包括 Al、Au、Pt、Cu、Ta、. Cr、Ti、Ni、Co 與 Si。 -42- 太纸乐尺度適用中國國家橾率（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） „ -----^-- (請先M讀背面之注意事is填寫本頁) 訂線經濟部智慧‘^-465-3(工消費合作社印褽