KR20070082650A

KR20070082650A - 전자부품용 금속재료 및 금속재료의 가공방법

Info

Publication number: KR20070082650A
Application number: KR1020060015508A
Authority: KR
Inventors: 타카시 우에노; 노부히로 오다; 슈헤이 코지마
Original assignee: 데프트 가부시키가이샤
Priority date: 2006-02-17
Filing date: 2006-02-17
Publication date: 2007-08-22
Also published as: WO2007094093A1; KR100787883B1

Abstract

본 발명은, 전자부품 및 전자기기 또는 이들의 제품에 사용되는 금속합금재료, 전자 및 금속재료의 가공방법 및 전자 광학부품에 관한 것으로, 예를 들면 액정표시소자, 각종 반도체제품 또는 부품, 프린트 배선기판, 그 밖의 IC칩 부품 등에 적용해서, 종래에 비해서 저저항율이며, 또한 제조공정중에서의 우위성을 보유한 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속합금재료, 이 금속재료를 사용한 전자부품, 전자기기를 제공한다.

Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금을 금속재료로서 적용한다. 이 금속재료에 의하면, Cu에 W를 첨가해서 Cu의 입계에 Mo를 균질하게 혼입시킴으로써, Cu 전체의 내후성을 향상시킬 수 있다.

Description

전자부품용 금속재료, 전자부품, 전자기기, 금속재료의 가공방법, 전자부품의 제조방법 및 전자 광학부품{METALLIC MATERIAL FOR ELECTRONIC PART, ELECTRONIC PART, ELECTRONIC EQUIPMENT, METHOD OF WORKING METALLIC MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRONIC PART AND ELECTRONIC OPTICAL PART}

본 발명은, 전자부품 및 전자기기 또는 이들의 제품에 사용되는 금속재료, 전자 및 금속재료의 가공방법 및 전자 광학부품에 관한 것으로, 예를 들면 액정표시소자, 각종 반도체제품 또는 부품, 프린트 배선기판, 그 밖의 IC칩 부품 등에 적용할 수 있다. 그리고, 종래에 비해서 저저항율이며, 또한 제조공정중에서의 우위성을 보유한 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료, 이 금속재료를 사용한 전자부품, 전자기기 등에 관한 것이다.

종래의 전자기기, 전자부품에 있어서는, 배선재료, 전극재료, 접점재료에 Cu, Al, Ti, Mo, Ta, W, Cr 등의 순금속에 의한 금속재료, Al-Cu, Al-Cu-Si, Ag-Pd, TaSi, WSi, TiN 등의 합금에 의한 금속재료를 이용하여 전극 또는 배선패턴을 형성하고 있었다.

예를 들면 플랫패널 디스플레이를 구성하는 투과형 액정표시소자에 있어서 는, 일반적으로, 에칭성이 우수하고, 전기저항이 낮은 순Al 또는 Al합금이 배선재료로서 사용된다. 그러나, 순Al은, 융점이 660℃로 낮을 뿐만 아니라, 액정표시소자의 배선재료로서 사용한 경우에는, 배선막 형성후의 화학기상성장(CVD:Chemical Vapor Deposition) 프로세스 등에 있어서의 300∼500℃정도의 열처리공정에 있어서 히록, 휘스커 등의 결함이 발생할 우려가 있다. 또한 Al은 산소에 대해서 화학적으로 불안정하며, 투과형 액정표시소자를 제조하는 공정중의 최고온도에 대해서 내열성이 불안정하다. 이 때문에, Al을 전극이나 배선형성용의 재료에 사용하는 경우에는, 이들 불안정성을 해결하기 위해서 여분으로 보호층이나 배리어층을 형성할 필요가 있어, 공정이 복잡화되거나, 공정량이 증가하는 과제를 갖고 있다. 그러나, Al은 저전기저항인 우위성보다, 다른 금속과 비교한 우위성은 매우 높고, 또한 제조 프로세스도 완성도가 높기 때문에, 대체되는 재료의 개발은 진행되지 않고 있다. 이러한 사정으로부터, 액정표시소자에 있어서는, 고온에서 안정된 고융점재료인 Ta, Mo, Cr, W 등에 의해 순Al을 끼워넣는 배선구조로 함으로써, Al배선의 과제나 결함의 해결을 꾀하고 있다.

또한 반도체소자에 있어서는, 순Cu가 전극 및 배선재료로서, 순Al의 대체재료로서 검토, 또는 일부 사용되고 있다. 그러나, 순Cu는 전기전도성이야말로 매우 높지만, 그것을 사용하는 제조 프로세스에 있어서는, 예를 들면 배선패턴을 에칭법으로 가공하는 경우에, 고온하가 아니면 물성적으로 가공이 불가능하거나, 또한 Si의 산화막이나 Si층에 대해서 화학적으로 반응해서 확산해 버려서, 반도체소자의 기능을 파괴한다는 과제를 갖고 있다. 또한 순Cu는 금속하지나 산화막의 하지의 밀 착성이 낮기 때문에, 여분으로 하지에 밀착을 조장하는 층을 필요로 하는 등, 미세화 등의 기술진보에 대해서 과제를 갖는 것이 확인되고 있다. 또한 순Cu는 열처리를 실시한 후에 응집되어 막의 표면에 요철이 생겨서 평탄성·평활성에 대한 문제도 있고, 기술적인 진보나 혁신이 요구되고 있는 현상황이 있다.

그러나, 종래의 전자기기에 사용되는 금속재료에 비해서, 전기저항이 낮고, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 금속재료를 얻을 수 있으면, 각종 전자부품에 적용해서 성능을 향상시키고, 또한 제조 프로세스를 간략화할 수 있다라고 생각된다.

즉, 투과형 액정표시소자에 있어서, 결함의 발생을 방지할 목적으로 순Al에 대신해서 사용되는 Ti, Ta, Mo, Cr, W 등에 있어서는, 표1에 나타내듯이 순Al에 비해서 저항율이 큰 결점이 있다. 이것에 의해, 투과형 액정표시패널에 있어서는, 대형화, 고정밀·고세밀화에 의해 배선패턴의 배선길이가 증대되고, 또 배선패턴이 미세화되면, 간이하고 또한 확실하게 구동하는 것이 곤란해진다는 문제가 있다. 따라서, 투과형 액정표시패널에 있어서는, 배선재료로서 바람직한 재료가 존재하지 않는 것이 실정이었다.

(표1)

재료	저항율[μΩ㎝]	내약품성	양극산화
Mo	50	약함	불가
Cr	12.9	약간 양호	불가
Ti	55	양호	불가
Ta	13.6	양호	가능
Al	2.7	약함	가능
Cu	1.7	약함	불가
Ag	1.6	약간 양호	불가
Au	2.3	양호	불가

덧붙여서 말하면, 저저항값의 배선재료에 대해서 검토해 보면, Al보다 저항율이 낮은 재료로서는, Au, Cu, Ag가 있지만, Au는 가격적으로 매우 고가이기 때문에 제조비용을 압박할 뿐만 아니라, 내후성이 뒤떨어지고, 에칭에 의한 가공성이 나쁘고, 또한 미세가공이 곤란하다는 문제를 갖고 있다. 또한 Ag는, 염화물, 유황, 황화물 등에 대해서 민감하게 반응하고, 미세가공성, 내후성에 문제를 갖고 있을 뿐만 아니라, 배선이나 전극으로서 사용한 경우에 열처리에 의해 표면층이 응집을 일으키는 등, 공정중에서의 안정성에 수많은 과제를 갖고 있기 때문에, 채용에 있어서는 제약이 많고, 우위성에 대해서 과제와의 밸런스가 문제시되고 있어, 실용성이 낮은 것이 현재의 상황이다.

또, Cu가 민감하게 반응하는 예를 들면, 기판재료에 퇴적되는 산소원자, 예를 들면 Si웨이퍼상의 Si산화막과 접촉한 경우, 또는 수분이나 그 밖의 산소를 함유하는 환경하에서의 각종 제조 프로세스에 있어서, Cu는, 대기를 포함한 환경하에서의 산소와 반응해서 배선패턴의 표면이나 경계면에 CuOx가 생성되고, 이 CuOx에 의해, 본래의 Cu가 갖는 양성의 도전성, 열전도성이 손상된다.

또한 Cu가 내후성에 문제를 갖는 예로서는, 액정표시소자에 적용한 경우에, 투명도전막과 직접 접촉하는 것에 의한 계면의 산소 등과 반응해서 CuOx를 형성해서 금속의 물성이 불안정하게 되고, 액정표시소자의 장기신뢰성의 확보가 곤란하게 되고 있다. 이 때문에, Al과 마찬가지로 배리어층을 하지층에 형성하거나, 또는 상하를 배리어층으로 끼워 샌드위치구조로 함으로써, 이러한 문제를 해결하고 있지만, 이 경우에 기술적 우위성은 인지되면서도, 제조비용 저감이 곤란하여, 실용화 되고 있지 않은 현재의 상황이 있다.

또한 이들 액정표시소자에 있어서는, 구동 디바이스로서 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘에 의한 TFT(Thin Film Transistor)가 많이 사용되지만, 이 구동 디바이스측에서 본 전극재료로서도 적절한 것이 개발되고 있지 않은 것이 실정이다.

즉, 이들 구동 디바이스에 있어서는, 전극의 금속재료를 산화시켜서, 이 전극과 실리콘 능동소자 사이에 게이트 절연막을 형성함으로써, 제조 프로세스를 간략화하도록 이루어진 것이 있다(즉 양극산화법이다).

표1에 기재된 배선재료 중, 이러한 게이트 절연막을 형성하는 것이 가능한 배선재료로서는, Al, Ta가 있고, 특히 Ta의 경우에는, 핀홀 등의 결함이 적고, 수율이 높은 산화 절연막을 형성할 수 있다. 그러나, Ta에 있어서는, 저항율이 높은 것에 의해, 이러한 양극산화에 의한 경우에는, 저항율이 낮은 Al을 이용한 2층배선에 의한 전극구조로 할 필요가 있어, 결국 제조 프로세스를 증가시키게 되어 있었다. 또, 이 2층배선에 의한 경우, 결국, 배선패턴의 저항율은 Al에 의해 결정되는 저항율로 된다.

상술의 디스플레이 디바이스에의 응용 이외에도, DRAM, 플래시메모리, CPU, MPU, ASIC 등의 반도체 디바이스에 있어서는, 고집적화를 위해 배선의 폭이 좁게 되고, 또 칩 사이즈의 대형화, 다층배선 등의 복잡화에 따라 배선패턴의 배선길이가 증대되는 경향이 있다. 이것에 의해 이들 반도체 디바이스에 있어서도, 저저항율이며 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 배선재료가 요구되고 있다.

즉, 이러한 배선폭의 감소, 배선길이의 증대는, 배선에 있어서의 저항의 증 대를 초래하고, 이 저항의 증대에 의해 배선에 있어서의 전압강하가 증대해서 소자의 구동전압이 저하되게 되고, 또 소비전력이 증대되고, 또한 배선에 의한 신호전달에 지연이 발생하게 된다.

또한 이러한 반도체 디바이스 이외의, 예를 들면 프린트 배선기판, 칩 콘덴서, 릴레이 등의 전자부품에 있어서는, 배선재료, 전극재료, 접점재료에 Cu, Ag 등이 이용되고 있다. 그러나, 이들 재료에 대해서도 내후성이 실용상 아직 불충분하다고 하는 문제가 있고, 또 재활용이 곤란하다는 문제가 있었다.

이 때문에, 본 발명자는 일본 특허공개 2004-91907(P 2004-91907A)의 발명에 의해, 순Cu에 Mo 외에 다른 것을 첨가해서 이루어지는 합금에 의해 이들의 과제의 해결을 꾀했지만, 이용 용도나 공정은 제조자에 따라 다종다양하기 때문에, 반드시 만능적인 것은 아니고, 보다나은 진보나 기술적 혁신의 계속성이 필요하다고 생각했다.

본 발명은 이상의 점을 고려해서 이루어진 것으로, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료, 이 금속재료를 사용한 전자부품, 전자기기, 전자 광학부품, 전자부품의 제조방법, 금속재료의 가공방법을 제안하고자 하는 것이다.

이러한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 전자부품용 금속재료는, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서,

W를 0.1∼7.0wt% 함유하고,

Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 전자부품용 금속재료에 의하면, Cu에 W를 첨가해서 Cu의 입계(粒界)에 W를 균질하게 혼입시킴으로써, Cu 전체의 내후성을 향상시킬 수 있다. 또한, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 복수의 원소를 첨가함으로써, 저항율을 낮게 할 수 있다. 또한 제2의 원소인 W를 첨가하는 것에 의한 저항율의 증대의 비율을 이 제3의 원소에 의해 억제할 수 있다. 이 때, 이들 첨가하는 원소를 0.1∼3.0wt%로 함으로써 내후성을 개선할 수 있다. 따라서, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료를 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 전자부품용 금속재료는, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 전자부품용 금속재료는, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 것이 확인되고 있다.

또한 본 발명에 따른 전자부품용 금속재료에 있어서는, 상기 전자부품용 금속재료가 10μΩcm이하의 전기저항율을 갖는 것도 가능하다.

본 발명에 따른 전자부품용 금속재료는, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서,

W를 0.1∼7.0wt% 함유하고,

Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 원소를 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 3원합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 전자부품용 금속재료에 의하면, Cu에 W를 첨가해서 Cu의 입계에 W를 균질하게 혼입시킴으로써, Cu 전체의 내후성을 향상시킬 수 있다. 또한, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 원소를 첨가함으로써, 저항율을 낮게 할 수 있다. 또한 제2의 원소인 W를 첨가하는 것에 의한 저항율의 증대의 비율을 이 제3의 원소에 의해 억제할 수 있다. 이 때, 이들 첨가하는 원소를 0.1∼3.0wt%로 함으로써 내후성을 개선할 수 있다. 따라서, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료를 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 따른 전자부품용 금속재료에 있어서는, 상기 전자부품용 금속재료가 1.5μΩcm이상, 7.0μΩcm이하의 전기저항율을 갖는 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자부품용 금속재료에 있어서는, 상기 전자부품용 금속재료가 배선재료, 전극재료, 접점재료 및 스퍼터링의 타겟재 중 어느 하나인 것도 가능하다.

본 발명에 따른 전자부품은, 금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자부품으로서,

상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 전자부품에 적용되고 있는 금속재료는, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 것이 확인되고 있다.

본 발명에 따른 전자부품은, 금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자부품으로서, 상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료이고, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 인산 및 질산 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 의한 에칭공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

상기 전자부품이 적용되고 있는 3원이상의 합금으로 이루어지는 금속재료에 있어서는, 예를 들면 H₃PO₄+HNO₃+CH₃COOH 등의 인산계의 에칭액에 의해서도 에칭가공할 수 있다. 또한 이 에칭액에 인산, 질산, 초산 외에, 물, 질산세륨, 질산은 등의 첨가에 의해, 에칭 레이트를 제어할 수도 있다. 따라서, 종래의 패터닝의 방법에 추가해서, 이러한 종류의 금속재료에 적용해서 바람직한 패터닝의 방법을 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 염소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

상기 전자부품이 적용되고 있는 3원이상의 합금으로 이루어지는 금속재료에 있어서는, 염소를 함유하는 가스 분위기중에서의 드라이에칭이 가능하며, 예를 들면 Cl₂, CCl₄, BCl₃, SiCl₄등의 염소를 함유하는 가스 분위기중에서의 RIE(Reactive Ion Etching), ICP 등에 의한 에칭처리가 가능하다. 따라서, 종래의 패터닝의 방법에 추가해서, 이러한 종류의 금속재료에 적용해서 바람직한 패터닝의 방법을 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 및 접점 이외의 부분을, 불소를 함유하는 가스, 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF 및 이들을 함유하는 그 밖의 가스 원소와의 혼합가스 등의 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

상기 전자부품이 적용되고 있는 3원이상의 합금으로 이루어지는 금속재료에 있어서는, 불소를 함유하는 가스 분위기중에서의 드라이에칭이 곤란하며, 이들 가스에 의해서는 손상되지 않는 장점이 보여진다. 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF 등의 불소를 함유하는 가스에 있어서는, 그 외의 가스 원소와의 혼합내용에 따라서는 RIE, ICP 등에 의해, 이러한 3원이상의 합금으로 이루어지는 금속재료를 에칭하지 않고, 예를 들면 Si, 다결정 Si, 비결정 Si, SiO₂, Si₃N₄, Mo, W, Ta, Ti, Pt 등의 다른 재료를 에칭할 수 있다. 따라서, 이러한 종류의 금속재료와 다른 재료에 의해 이루어지는 디바이스에 적용해서 바람직한 패터닝의 방법을 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점을 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리하는 공정을 거쳐 형성된 것 도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에 형성되어 있는 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자부품에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성되어 있는 것도 가능하다. 상기 배선패턴, 전극 또는 접점은 밀착성이 우수하기 때문이다.

상기 전자부품에 있어서, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하는 CuW 합금에 Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si에 의한 1개 또는 복수의 원소를 0.1∼3.0wt% 첨가해서 얻어지는 합금에 있어서는, 순Cu가 우수한 열전도성을 유지할 수 있고, 또한 스퍼터링법, 증착법, CVD법, 도금법 등의 종래의 성막 프로세스에 적응할 수 있고, 또한 웨트 에칭 방법 및 드라이 에칭 방법으로 용이하게 패터닝할 수 있고, 또 고온에 있어서도 안정된 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료를 배선패턴, 전극 또는 접점에 적용한 전자부품을 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 전자기기는, 금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자기기로서, 상기 금속재료가, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수 의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 전자기기에 적용되고 있는 금속재료는 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 것이 확인되고 있다.

여기에서의 전자기기란, 적층 칩 콘덴서, 전해 콘덴서 등의 특정의 용량을 보유하는 콘덴서 부품, 및 반도체소자를 동박이나 수지기판에 실장(본딩처리를 포함함)한 반도체 패키지 부품, 또한 이들 전자부품을 중복해서 구성하는 기기제품을 정의한다.

본 발명에 따른 전자기기는, 금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자기기로서, 상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료이며, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 인산 및 질산 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 의한 에칭공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 염소를 함유하는 가스 분위기중, 예를 들면 Cl₂, CCl₄, BCl₃, SiCl₄등의 염소계 가스 및 이들과 다른 가스 원소와의 혼합가스에서의 에칭공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 및 접점 이 외의 다른 부분을, 불소를 함유하는 가스, 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF 및 이들을 함유하는 그 밖의 가스 원소와의 혼합가스 등의 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점을 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리하는 공정을 거쳐 형성된 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에 형성되어 있는 것도 가능하다.

또한 본 발명에 따른 전자기기에 있어서는, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성되어 있는 것도 가능하다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 인산 및 질산 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 의해 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 인산 및 질산 중 적어도 하나를 함유하는 용액에 의해 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은 Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 염산을 함유하는 가스, 예를 들면 Cl₂, CCl₄, BCl₃, SiCl₄등의 염소계 가스 및 이들과 다른 가스 원소와의 혼합가스 분위기중에에서 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 염산을 함유하는 가스, 예를 들면 Cl₂, CCl₄, BCl₃, SiCl₄등의 염소계 가스 및 이들과 다른 가스 원소와의 혼합가스 분위기중에서 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 전자부품의 제조방법은 Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 갖는 전자부품의 제조방법으로서,

상기 금속막 이외의 막을, 불소를 함유하는 가스, 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF 및 이들을 함유하는 그 밖의 가스 원소와의 혼합가스 등의 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 전자부품의 제조방법은, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료이며, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 갖는 전자부품의 제조방법으로서,

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분 으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 금속재료의 가공방법에 의하면, 상기 하지 상에 상기 합금으로 이루어지는 금속막을 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성함으로써, 종래의 가공 프로세스를 적용해서 충분한 밀착성을 확보할 수 있고, 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 배선패턴 등을 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기 금속재료의 가공방법에 의하면, 상기 합금으로 이루어지는 금속막을 유 리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성한다. 상기 금속막을 구성하는 합금의 산소의 영향이 적기 때문에, 예를 들면 Al에 의한 경우와 같은 저항율의 증가를 저감시킬 수 있고, 이것에 의해 간이한 제조 프로세스에 의해 저저항율의 배선패턴 등을 간이하게 제작할 수 있다.

본 발명에 따른 금속재료의 가공방법은, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 전자 광학부품은, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 반사막, 전극 또는 배선재료로서 사용한 것을 특징으로 한다.

상기 전자 광학부품에 의하면, 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수하고, 또한 반사율이 우수한 합금으로 이루어지는 금속막을 반사막, 배선패턴 또는 전극에 적용한 전자 광학부품을 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 전자 광학부품은 Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 반사막, 전극 또는 배선재료로서 사용한 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.

본 발명의 실시형태에 있어서는, 각종 전자부품의 금속재료에, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금을 적용한다.

또, 여기에서 각종의 전자부품은, 투과형 액정표시소자, 유기EL(EIectro Luminescence) 패널, 플라즈마 디스플레이, 미소 미러에 의한 전자 광학부품 등의 디스플레이용 디바이스, 각종 반도체 디바이스, 프린트 배선기판, 칩 콘덴서, 릴레이 등이며, 이들의 배선패턴의 배선재료, 전극재료, 고반사막재료, 접점재료 등, 또한 이들의 배선이나 전극 등의 제작에 사용하는 스퍼터링의 타겟재에 이들 합금이 적용된다.

본 실시형태에 의하면, Cu에 W를 첨가해서 Cu의 입계에 W를 균질하게 혼입시킴으로써, Cu 전체의 내후성을 향상시킬 수 있다. 그러나 단지 Cu에 W를 첨가할 뿐인 경우, 충분한 내후성이 얻어지는 정도로까지 W를 첨가하면 저항율이 증대한다. 이것에 대해서 Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 더 첨가하면, 저항율이 저하하거나, 또는 저항율의 증가를 억제하는 것이 가능해진다. 여기에서, 이 제3 원소의 첨가량은, 0.1∼3.0wt% 첨가함으로써 내후성이 개선되고, 3.0wt% 이상 첨가하면 반대로 내후성이 열화된다.

이렇게 하여 내후성이 개선되어 이루어지는 동합금에 있어서는, 금속원소 중에서 가장 우수한 도전성, 열전도성을 갖는 순Cu의 특성이 유지되고, 또한 내후성이 우수하고, 저전기 저항율이며, 고열전도성의 금속재료를 얻을 수 있다.

특히 배선재료에 상기 동합금을 적용하는 경우에는, 상술한 범위로 첨가하는 원소의 선정에 의해, 배선재료로서 요구되는 7μΩcm이하의 값을 확보할 수 있다.

또, 배선재료나 전극재료로서는, 종래 일반적으로 사용되고 있는 AlSi합금의 저항율과 동등하면 우위성이 현저하게 높고, 적어도 Cr의 저항율 이하이면 실용에 제공할 수 있다라고 생각되고, 실험한 결과에 의하면, 1.6μΩcm이상의 저항율이며, 이 AlSi합금의 저항율인 3.5μΩcm이하의 저항율을 필요에 따라 확보할 수 있다.

또한 내후성을 확보하기 위해 첨가원소의 양을 증가시킨 경우에도, 본 실시형태에 의한 첨가량의 범위이면, Cr의 전기저항값인 12.6μΩcm를 충분히 밑돌기 때문에, 배선 및 전극재료로서 우위성을 얻을 수 있는 것이 확인되었다.

또한 이러한 Cu합금은 모두 완전 고용체가 아니라, 주원소인 Cu의 입계 석출형의 금속합금을 형성한다. 일반적으로는 완전 고용 금속합금은 재료물성적으로 안정적으로 되어 있지만, 완전 고용 합금의 경우에는 첨가원소의 양이 적으면 주원소의 특성에 그대로 의존하는 일이 많고, 완전하게 주원소의 과제를 해결하는 것이 어려운 것이, 특히 Cu합금의 경우에는 확인되고 있다.

또한 최근의 액정표시소자나 반도체소자에 있어서는, 배선이나 전극의 패턴이 매우 미세화되어 있다. 이 때문에, 배선의 기계적 강도나 내전압 등의 재료적 안정성이 극단적으로 중요시된다. 이러한 상황 중에서는, 입계 석출형의 금속합금은 주원소의 강도를 첨가원소가 비약적으로 높이는 것이 확인되고 있으므로, 종래 재료인 Al, Mo, Cr, Ti, Ta, Cu와 비교해서, 가공성이 우수하고, 고온하에서 안정 적이며, 또한 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, Cu의 가공법으로서는, 드라이에칭에 있어서는, 염소계의 복합 가스를 사용하는 방법이 알려져 있으며, 웨트 에칭에 있어서는, 염산계 또는 NH₄OH 등의 알칼리계의 용액 등의 에칭액을 사용하는 방법이 알려져 있다. 본 실시형태에 따른 Cu합금에 있어서도, 이들 방법으로 에칭가공할 수 있고, 또한 종래의 순Al, 및 Al합금으로 축적된 각종 가공방법을 적용할 수 있다.

또, 염소를 함유하는 가스로서는, 예를 들면 Cl₂, CCl₄, BCl₃, SiCl₄등이며, 이들 분위기중에서 RIE, 플라즈마 에칭 등에 의해 본 실시형태에 따른 Cu합금막의 가공이 가능하다. 덧붙여 말하면, 이러한 염소를 함유하는 에칭 가스에 의한 드라이에칭 프로세스를 Cu에 의한 배선패턴에 적용하면, 에칭의 진행에 의해 가스중의 염소와 Cu가 반응해서 배선패턴의 경계면에 CuCl₂가 생성되고, 이 CuCl₂에 의해 도전성, 열전도성이 손상되지만, 본 실시형태에 따른 Cu합금막에 있어서는, 이러한 반응도 하등 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다.

상술한 바와 같이 이러한 종류의 금속재료를 사용한 전자부품의 제작공정에 있어서는, 염소계의 가스의 분위기에 의한 에칭에 의해, 바람직한 패터닝의 방법을 얻을 수 있다.

또한 본 실시형태와 같은 3원이상의 합금에 있어서는, 불소 가스만의 분위기중에서의 드라이에칭이 곤란하며, 이들 가스에 의해서는 손상되지 않는 장점이 보여진다. 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF 및 이들 을 함유하는 그 밖의 가스 원소와의 혼합가스 등의 가스 분위기중에서의 RIE, ICP 등의 플라즈마 에칭 등에 의해, 이러한 3원이상의 합금에 하등 영향을 주지 않고, 예를 들면 Si, 다결정 Si, 비정질 Si, SiO₂, Si₃N₄, Mo, W, Ta, Ti, Pt 등의 다른 재료를 에칭할 수 있지만, 예를 들면 CF₄, C₃F₈, C₄F₈, HF, SF₆, CHF₃, S0F₂, S0₂F₂, NH₄F, BHF를 함유하는 그 밖의 가스 원소와의 혼합가스에 있어서는, 드라이에칭을 용이하게 할 수 있는 것이 확인되고 있다.

상술한 바와 같이 불소 단독의 가스 분위기중에서의 처리에 의해, 이러한 3원합금 이외의 부위를 선택적으로 에칭해서 처리할 수 있고, 이것에 의해서도 이러한 종류의 금속재료에 적용해서 바람직한 패터닝의 방법을 얻을 수 있다.

이것에 대해서 현재, 액정표시소자를 비롯한 디스플레이 제조설비에 있어서의 웨트 에칭에 있어서는, 인산을 함유하는 에칭액으로 순Al 등을 에칭하도록 이루어져 있다. 이러한 인산계의 에칭액으로서는, 예를 들면 H₃PO₄+HNO₃+CH₃COOH가 있고, 종래의 순Cu, Cu를 주성분으로 하는 2∼3원소로 구성되는 합금에 있어서는, 이러한 에칭액에 의해서는 에칭이 곤란했다.

그러나, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 첨가하고, 또한 Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 첨가해서 이루어지는 합금에 있어서는, 이러한 인산계의 착체를 이용하여 에칭할 수 있는 것을 알 수 있었다. 이것에 의해 Al에 의한 종래의 에칭설비를 유효하게 이용해서 에칭가공할 수 있다. 덧붙여 말하면, 종래와 마찬가지로, 인 산, 질산, 초산 외에, 물, 질산셀륨, 염산구리 등을 첨가함으로써, 에칭 레이트 및 에칭되어서 형성되는 배선이나 전극의 치수, 즉 패턴 정밀도를 제어하는 것도 가능하다.

또, 에칭후의 세정 등의 후공정에 있어서도, 순Al, Al합금 등과 같은 공정을 사용할 수 있고, 또 Al계를 에칭 가공하는 경우에 비해서 환경을 오염시킬 가능성도 저감시킬 수 있다. 이들에 의해서도 종래 재료인 Al, Mo, Cr, Ti, Ta, Cu에 비해서 가공성이 우수한 금속재료라고 할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 의한 Cu합금을 사용하면, 스퍼터링법, 증착법, CVD법, 도금법 등의 종래의 성막 프로세스에 의해 간이하고 또한 확실하게 성막할 수 있다. 이 스퍼터링에 있어서, 이 Cu합금은, Al계 재료에 비해서 약 2.3∼2.5배의 속도에 의해 스퍼터링할 수 있고, 스퍼터링법에 의한 박막 형성속도가 빠른 특징이 있다. 이것에 의해 성막시간을 단축할 수 있고, 그 만큼 생산에 필요한 시간을 단축할 수 있다.

또, 스퍼터링법, 증착법 등에 의해 성막한 경우에는, 가열에 의해 합금화하는 것이 필요하게 되고, 이 처리에 있어서는 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리하여, 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 금속막을 제작할 수 있다.

또한, 가공 프로세스로서 중요한 기초재료에 대한 밀착성에 대해서도, 하지에 Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나를 적용함으로써, 양호한 밀착성이 확보되고, 이것에 의해 각종 반도체 디바이스 등에 있어서, 종래의 Al계의 배선패턴과 간이하게 치환할 수 있고, 또 양호한 특성을 확보할 수 있다.

Al계의 경우에는, 예를 들면 박막에 의해 플라스틱, 유리 위에 직접 성막하면, Al이 산소와 반응하는 점 등에서, 저항값이 상당히 크게 되고, 벌크재료에 있어서의 저항값의 2∼3배의 값으로 된다. 또한 순Ag 및 Ag합금의 경우에는, 플라스틱, 유리 위에 직접 성막하면, 기판재료와의 밀착성이 나쁘기 때문에, 성막 직후 또는 그 후의 공정에서 박리되어 버린다는 문제가 생겨 버린다.

이것에 대해서 본 실시형태에 의한 Cu합금의 경우, 산소의 영향이 적고, 플라스틱, 유리 위에 직접 박막을 형성한 것에 의한 저항율의 증가가 저감되고, 또한 밀착성이 양호하기 때문에, 성막 이후의 공정에서의 박리나 치핑 등의 문제가 생기지 않는다. 이것에 의해 플라스틱, 유리 위에 직접 성막해서 배선패턴 등을 제작해서 양호한 특성에 의한 배선패턴 등으로 할 수 있고, 간이한 제조 프로세스에 의해 저저항율의 배선패턴 등을 형성할 수 있다.

이들에 의해 투과형 액정표시패널에 있어서는, 배선패턴에 적용하고, 대화면화, 고정채화(高精彩化)에 의해 배선길이가 증대되고, 또 배선이 미세화된 경우에도, 간이하고 또한 확실하게 구동할 수 있고, 또 신뢰성을 향상시키고, 또한 소비전력을 경감시킬 수 있다.

또한 반사형 액정표시패널에 있어서는, 배선패턴에 적용해서, 투과형 액정표시패널의 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있고, 또 고반사막에 적용해서 안정적으로 높은 반사율을 확보할 수 있고, 밝은 표시화면을 형성할 수 있다.

마찬가지로, 미소 미러에 의한 전자 광학부품 등의 광변조 디바이스의 반사막, 전극 또는 배선패턴에 적용해서, 반사효율이 높고, 저저항이기 때문에, 휘도가 높고, 또한, 고속동작이 가능한 디바이스를 형성할 수 있다.

또한 이들 액정표시패널, 각종 반도체 디바이스에 있어서, Ta를 사용한 양극산화법에 적용해서, 예를 들면 이 구리합금과 Ta에 의한 2층구조로 해서, 충분히 작은 저항값으로 할 수 있다.

또한, 각종 반도체 디바이스에 있어서도, 배선패턴에 적용해서, 배선길이의 증대, 배선의 미세화에 의한 저항값의 증대를 방지할 수 있어, 그 만큼 소비전력을 경감시킬 수 있다. 또한 배선에 의한 전압강하를 방지할 수 있고, 또한 신호의 지연을 방지할 수 있고, 이들에 의해 각종 특성을 향상시킴과 아울러, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 프린트 배선기판의 배선패턴, 칩부품의 전극, 릴레이의 접점 등에 적용해서 바람직한 특성을 확보해서 높은 신뢰성을 확보할 수 있다.

또, 본 실시형태에서는, Cu를 주성분으로 하고, W를 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3wt% 첨가하는 경우에 대해서 설명하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금에 적용하는 것도 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼ 7.0wt% 함유하고, Al 등의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금을 금속재료로서 적용함으로써, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료, 이 금속재료를 사용한 전자부품, 전자기기, 전자 광학부품, 전자부품의 제조방법, 금속재료의 가공방법을 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 의하면, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금을 금속재료로서 적용함으로써, 종래에 비해서 저저항율이며, 열에 대해서 안정적이며 또한 가공성이 우수한 전자부품용 금속재료, 이 금속재료를 사용한 전자부품, 전자기기, 전자 광학부품, 전자부품의 제조방법, 금속재료의 가공방법을 얻을 수 있다.

Claims

Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서,

W를 0.1∼7.0wt% 함유하고,

Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서,

W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자부품용 금속재료가 10μΩcm이하의 전기저항율을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서,

W를 0.1∼3.0wt% 함유하고,

Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 원소를 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 3원합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
제4항에 있어서, 상기 전자부품용 금속재료가 1.5μΩcm이상, 7.0μΩcm이하의 전기저항율을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
제1항, 제2항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자부품용 금속재료가 배선재료, 전극재료, 접점재료 및 스퍼터링의 타겟재 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자부품용 금속재료.
금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자부품으로서,

상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품.
금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자부품으로서,

상기 금속재료가, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료이고, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 인산 및 질산 중 하나이상을 함유하는 용액에 의한 에칭공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하 는 전자부품.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 염소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자부품.
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 및 접점 이외의 부분이, 불소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자부품.
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리하는 공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자부품.
제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품.
제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자부품.
금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자기기로서,

상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.
금속재료에 의해 배선패턴, 전극 또는 접점이 형성된 전자기기로서,

상기 금속재료가 Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료이고, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 인산 및 질산 중 하나이상을 함유하는 용액에 의한 에칭공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 염소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 및 접점 이외의 다른 부분이, 불소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리하는 공정을 거쳐 형성된 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이, Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제15항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선패턴, 전극 또는 접점이 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자기기.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 인산 및 질산 중 하나이상을 함유 하는 용액에 의해 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 인산 및 질산 중 하나이상을 함유하는 용액에 의해 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 염산을 함유하는 가스 분위기중에서 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 염산을 함유하는 가스 분위기중에서 에칭해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유 해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 갖는 전자부품의 제조방법으로서,

상기 금속막 이외의 막을, 불소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 갖는 전자부품의 제조방법으로서,

상기 금속막 이외의 막을, 불소를 함유하는 가스 분위기중에서의 에칭에 의해 가공하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 100℃이상, 750℃이하의 온도범위에 의해 가열처리해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규 소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에, Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Ti, W, Ta, Mo, Ru, 인듐을 주성분으로 하는 산화물, 질화 티타늄, 산화 규소, 질화 실리콘, 질화 탄탈 중 어느 하나로 이루어지는 하지 위에, Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함유하는 수지 기판 상에 직접 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을, 유리기판, 플라스틱 수지 기판, 또는 폴리이미드를 함 유하는 수지 기판 상에 직접 형성해서 배선패턴, 전극 또는 접점을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속재료의 가공방법.
Cu를 주성분으로 하고, W를 0.1∼7.0wt% 함유하고, Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co, Si로 이루어지는 군에서 선택된 1개 또는 복수의 원소를 합계로 0.1∼3.0wt% 함유해서 이루어지는 합금으로 이루어지는 금속막을 반사막, 전극 또는 배선재료로서 사용한 것을 특징으로 하는 전자 광학부품.
Cu를 주성분으로 한 전자부품용 금속재료로서, W를 0.1∼7.0wt% 함유한 합금으로 이루어지는 금속막을 반사막, 전극 또는 배선재료로서 사용한 것을 특징으로 하는 전자 광학부품.