MXPA00006720A - Material de metal para piezas electronicas, piezas electronicas, aparatos electronicos, y metodo para procesar materiales de metal. - Google Patents
Material de metal para piezas electronicas, piezas electronicas, aparatos electronicos, y metodo para procesar materiales de metal.Info
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Abstract
La presente invencion se relaciona con un material de metal para piezas electronicas, piezas electronicas, aparatos electronicos, un metodo para procesar materiales de metal, y piezas electro-opticas. Por ejemplo, la presente invencion se aplica a equipos de presentacion de cristal liquido, varios dispositivos semiconductores, tableros de instalacion electrica, piezas de circuito integrado, y semejantes. La presenta invencion propone un material de metal para piezas electronicas que esta caracterizado por resistividad mas baja, estabilidad mas alta, y capacidad de procesamiento mas excelente de la tecnica anterior. La presente invencion propone tambien piezas electronicas y aparatos electronicos que usan este material de metal. Un material de metal aplicable es una aleacion que contiene Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de elementos tales como A1.
Description
Convencionalmente, los alambres, electrodos y contactos para las piezas y aparatos electrónicos usan materiales de metal tales como metales puros incluyendo Cu, Al, Mo. Ta, W, Cr, y semejantes, y aleaciones que incluyen Al-Cu, Al-Cu-Si, Al-Pd, TaSi, WSi, y semejantes para formar patrones de instalación eléctrica. Por ejemplo, un equipo de presentación de cristal líquido transparente que constituye una presentación de equipo plano por lo general usa Al puro como un material de instalación eléctrica debido a las características de excelentes de grabado químico y baja resistencia eléctrica. Sin embargo, Al puro muestra una temperatura de fusión tan baja así como de 660°C. Usando Al puro como el material de instalación eléctrica para equipos de presentación de cristal líquido, deja la posibilidad de ocasionar defectos tales como un montículo y un filamento durante el tratamiento térmico a temperatura de aproximadamente 300°C a 400°C para un proceso de deposición al vapor químico (CVD) después de la formación de la película de instalación eléctrica. Algunos tipos de equipos de presentación de cristal líquido impiden estos defectos usando materiales de temperatura de fusión alta para instalación eléctrica tales como Ta, Mo, Cr, W y semejantes, que son estables a alta temperatura en vez de Al puro.
Un equipo de presentación de cristal líquido reflector requiere una capa de alta reflectancia que refleja una luz transmitida a través de las celdas de cristal líquido. Esta capa de alta reflectancia o los miembros para patrones de instalación eléctrica y electrodos que funcionan como una capa de alta reflectancia usan Al puro, una aleación a base de Al, Ag puro, una aleación a base de Ag, Au y semejanes. Una pieza electro-óptica (llamada a continuación una pieza electro-óptica usando microespejos) usa microespejos colocados en un circuito integrado de silicio y presenta imágenes por medio de modulación óptica de cada espejo. Esta pieza electro-óptica usa Al puro para los miembros de espejo. Si se proporciona un material de metal que está caracterizado por resistencia eléctrica más baja, estabilidad más alta y procesabilidad más excelente que los materiales de metal usados para aparatos electrónicos convencionales, usando este material de metal para distintas piezas electrónicas, se puede mejorar el funcionamiento y simplificar los procesos de fabricación. Un equipo de presentación de cristal líquido transparente usa Ta, Mo, Cr, W y semejantes en vez de Al puro, a fin de evitar los defectos. Como se muestra en el Cuadro 1, sin embargo, estos materiales tienen una desventaja de resistividad mayor que el Al puro. Si el equipo de presentación de cristal líquido transparente se convierte en más grande y proporciona más alta resolución, la longitud del alambre para los patrones de instalación eléctrica aumenta y los patrones de instalación eléctrica se convierten en mucho más finos, dificultando proporcionar operaciones fáciles, confiables. Debido a esta razón, no hay disponibles materiales de instalación eléctrica óptimos para equipos de presentación de cristal líquido transparente. Cuadro 1
MATERIAL RESISTIVIDAD RESISTENCIA OXIDACIÓN [µOcm] QUÍMICA ANODICA
Mo 50 ' BAJA IMPOSIBLE
Cr 12.9 BUENA IMPOSIBLE
Ti 55 EXCELENTE IMPOSIBLE
Ta 13.6 EXCELENTE POSIBLE
Al 2.7 BAJA POSIBLE
Cu 1.7 BAJA IMPOSIBLE
Ag 1.6 BUENA IMPOSIBLE
Au 2.3 EXCELENTE IMPOSIBLE Un equipo de presentación de cristal líquido reflector y una pieza electro-óptica usando microespejos permiten que los alambres y electrodos sirvan como una capa de alta reflectancia. En este caso, es necesario añadir requisitos para una capa de alta reflectancia a las características del material de instalación eléctrica para equipos de presentación de cristal líquido transparente. Desde el punto de vista de reflejar de manera efectiva la luz incidente en la capa de alta reflectancia, el Ag puro es un material óptimo para capas de alta reflectancia debido a que el Ag puro proporciona la reflectancia más elevada en una región de longitud de onda de luz visible. Sin embargo, el Ag puro tiene una resistencia débil a la corrosión, no apropiada para un material de instalación eléctrica o electrodo. Debido a esta razón, los materiales de instalación eléctrica óptimos no siempre quedan disponibles asimismo para equipos de presentación de cristal líquido reflectores y piezas electro-ópticas usando microespejos. En consideración a estos puntos, el equipo de presentación de cristal líquido reflector usa una capa de barrera formada sobre, o sobre y por debajo de la película de alta reflectancia y la capa del electrodo de instalación eléctrica para mejorar la resistencia a la corrosión. Sin embargo, aumentando los pasos para formar las capas de barrera complica el proceso de fabricación. Además, si la capa' de barrera se forma, su confiabilidad permanece inestable bajo condiciones de alta temperatura. Como materiales de instalación eléctrica de baja resistencia, el Au, Cu y Ag muestran resistividad menor que aquella de Al. Sin embargo, Au no es fácilmente obtenible. Cu está caracterizada por resistencia a la corrosión deficiente, proporciona procesabilidad degradada mediante grabado químico, y presenta problemas de dificultad en el procesamiento fino. Ag reacciona excesivamente en el cloruro, azufre y sulfuro, ofreciendo problemas en el procesamiento fino y resistencia a la corrosión. Por ejemplo, Ag reacciona excesivamente durante un proceso de grabado químico en seco por medio de gas de grabado químico que' contiene cloro. A medida que continua el proceso de grabado químico, Ag reacciona en el cloro en el gas de grabado químico, generando un AgCl en una superficie límite del patrón de instalación eléctrica. Este AgCl degrada la conductividad eléctrica y la conductividad térmica. Aquí hay un ejemplo en el cual Ag ocasiona problemas relacionados con la resistencia a la corrosión. Cuando se aplica Ag a un equipo de presentación de cristal líquido reflector, hay una posibilidad grande de hacer reaccionar el oxígeno o una cantidad pequeña de azufre y .semejantes, en una interfaz mediante contacto directo con una capa conductora transparente. De manera semejante a
Al, es necesario formar una capa de barrera en la capa del substrato o el sitio de la capa del substrato entre las capas de barrera en una estructura de emparedado. En muchos casos, estos equipos de presentación de cristal líquido usan un TFT (transistor de película delgada) que comprende silicio amorfo o silicio de policristal con un dispositivo impulsor. En la actualidad, los materiales de electrodo óptimos 'no pueden obtenerse desde el punto de vista de dispositivos impulsores. Algunos de estos dispositivos impulsores simplifican un proceso de fabricación oxidando el material de metal de los electrodos y formando una película de aislameiento de compuerta entre este electrodo y un elemento activo de silicio. Esto es llamado un método de
'oxidación anódico. De los materiales de instalación eléctrica mostrados en el Cuadro 1, Al .y Ta pueden formar películas de aislamiento de compuerta. Especialmente, Ta .puede formar una película de aislamiento de óxido que ocasiona defectos pequeños tales como picaduras y proporciona un alto rendimiento. Sin embargo, Ta está caracterizado por alta resistividad. Cuando se usa el método de oxidación anódica, una estructura del electrodo requiere una instalación eléctrica de dos capas usando Al con baja resistividad, aumentando los procesos de fabricación. Cuando la instalación eléctrica de dos capas se usa, la resistividad de los patrones de instalación eléctrica se convierte igual que aquella determinada por Al. Además de la aplicación a los dispositivos de presentación mencionados anteriormente, los dispositivos semiconductores tales como DRAM, memoria rápida, CPU, MPU y ASIC requieren un ancho de instalación eléctrica más angosto debido a alta integración. La longitud de la instalación eléctrica para patrones de instalación eléctrica está convirtiéndose en más prolongada debido a los tamaños de circuito integrado aumentados e instalación eléctrica complicada, tal como la interconexión de capas múltiples. Estos dispositivos semiconductores requieren también materiales de instalación eléctrica que están caracterizados por baja resistividad, operaciones estables, y procesabilidad excelente. Haciendo más angosto el ancho de la instalación eléctrica y extiendiendo la longitud de instalación eléctrica aumenta la resistencia de instalación eléctrica. Aumentando la resistencia aumenta también una caída de voltaje en la instalación eléctrica y disminuye en un voltaje impulsor para los elementos. Además, aumenta el consumo de energía eléctrica ocasionando un retardo en la transmisión de la señal debido a la instalación eléctrica. Además, de estos dispositivos semiconductores las piezas electrónicas tales como tableros de instalación eléctrica impresa, capacitores de circuito integrado y relés usan Cu y Ag para la instalación eléctrica, el electrodo y materiales de contacto. Estos materiales proporcionan asimismo prácticamente resistencia incompleta a la corrosión y dificultan el uso reciclado. La presente invención se ha elaborado tomando en cuenta lo anteriormente expuesto. La invención tiene como mira proponer un material de metal para piezas electrónicas que está caracterizado por resistividad más baja, operaciones más estables, y procesabilidad más excelente que la de los materiales existentes. La invención también tiene como mira proponer piezas electrónicas, aparatos electrónicos, piezas electro-ópticas usando este material de metal, y un método para procesamiento del material de metal.
BREVE COMPENDIO DE LA INVENCIÓN
Para resolver estos problemas, la invención de conformidad con la reivindicación 1, se aplica a un material de metal para piezas electrónicas. El material de metal comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de por lo menos uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co y Si. La invención de conformidad con la reivindicación 7, se aplica a un material de metal para piezas electrónicas. El material de metal comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de un elemento que se selecciona de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación 12, se aplica a piezas electrónicas elaboradas de un material de metal específico, en donde los patrones de instalación eléctrica, electrodos, o contactos se forman en estas piezas. El material de metal comprende una aleación de Ag un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de los elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación 19, se aplica a aparatos electrónicos elaborados de un material de metal específico, en donde los patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos se forman en estas piezas. El material de metal comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación 26, se aplica a un método de procesamiento de materiales de metal. El método de procesamiento forma patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos usando una solución que contiene ácido fosfórico para grabar una película de metal que comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de los elementos seleccionados de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co', y Si. La invención de conformidad con la reivindicación
27, se aplica a un método de procesamiento de materiales de metal. El método de procesamiento .forma patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos usando una atmósfera de gas que contiene cloro para grabar una película de metal que comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se selección del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación
28, se aplica a un método de procesamiento de dispositivo incluyendo los materiales de metal. Cuando el material de metal incluye una película de metal que comprende una aleación de Ag como un componente principal, y 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si, el método de procesamiento procesa los materiales que no sean la película de metal anteriormente mencionada, usando grabado químico en una atmósfera de gas que contiene flúor. La invención de conformidad con la reivindicación
29, se aplica a un método de procesamiento de materiales de metal. El método de procesamiento forma patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos tratando térmicamente una película de metal dentro de una escala de temperatura de 300°C a 750°C. De esta manera, la película de metal que comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación
30, se aplica a un método de procesamiento de materiales de metal. El método de procesamiento forma patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos en un substrato o una película depositada elaborada de , Ta, Mo, óxido de estaño de indio, nitruro de titanio, óxido de silicio, o nitruro de silicio Si o Si amorfo. De esta manera, los patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd de 0'.1 por ciento a 3 por ciento en peso total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención de conformidad con la reivindicación
31, se aplica a un método de procesamiento de materiales de metal. El método de procesamiento forma patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos formando directamente una película de metal en un substrato de vidrio o de plástico. De esta manera, la película de metal comprende una aleación Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La invención, de conformidad con la reivindicación 32, se aplica a piezas electro-ópticas elaboradas de un material de metal específico, en donde las películas de reflexión, los patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos se forman en estas piezas. El material de metal comprende una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. Es posible mejorar la resistencia a la corrosión para todo el Ag añadiendo Pd al Ag . y mezclando uniformemente el Pd en el límite de grano de Ag. Es posible disminuir la resistividad añadiendo uno o uno de una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. Este tercer elemento puede suprimir un régimen de aumento en la resistividad. Mejorar la resistencia a la corrosión requiere que se añadan de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de los elementos.
Es posible producir una aleación proporcionando una aleación de AgPD con de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de uno o de. una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. Esta aleación mantiene una conductividad térmica excelente de Ag puro. Esta aleación puede conformarse a los procesos de formación de película convencionales tales como el método de bombardeo iónico, el método de vaporización, el método de CVD y el método de electrodeposición. La aleación puede proporcionar fácilmente patrones por medio de técnica de grabado en húmedo y técnica de grabado en seco. La aleación puede mantener estados estables a alta temperatura. De conformidad con la reivindicación 1 o 7, es posible proporcionar un . material de metal parar piezas electrónicas que está caracterizado por resis.tividad más baja, operaciones más estables, y procesabilidad más excelente que los materiales existentes. De conformidad con la reivindicación 12, es posible proporcionar piezas electrónicas cuyos patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos usan un material de metal para piezas electrónicas, en donde el material está caracterizado por baja resistividad, operaciones estables y procesabilidad excelente.
De conformidad con la reivindicación 19, es posible proporcionar aparatos electrónicos cuyos patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos usan un material de metal para piezas electrónicas, en donde el material está caracterizado por baja resistencia, operaciones estables y procesabilidad excelente. Esta aleación ternaria permite el grabado químico usando una solución de grabado químico a base de ácido fosfórico tal como H3PO4 + HNO3 + CH3COOH. Es posible controlar un régimen de grabado químico añadiendo agua, nitrato de cerio y nitrato de plata así como ácido fosfórico, ácido nítrico y ácido acético. De conformidad con la reivindicación 26, es posibile proporcionar una técnica de formación de patrones apropiada a este tipo de materiales de metal además de las técnicas formadoras de patrones convencionales. Esta aleación ternaria permite el grabado químico en seco en una atmósfera de gas que contiene cloro. Por ejemplo, hay disponibles el grabado químico RÍE (grabado químico reactivo) y grabado químico de plasma en una atmósfera de gas que contiene cloro tal como CI2 CCI4, BCI3 y SÍCI4. De conformidad con la reivindicación 27, es posible proporcionar una técnica para formar patrones apropiada para este tipo de materiales de metal, además de las técnicas para formar patrones convencionales. Esta aleación ternaria dificulta llevar a cabo el grabado químico en seco en una atmósfera de gas que contiene flúor, proporcionando una ventaja de que la aleación queda libre de un daño debido a estos gases. Es posible impedir que la aleación ternaria se grabe por medio de RÍE o medio de grabado de plasma en una atmósfera de gas que contiene flúor, tal como CF4, C3Fg, C4F8 y SFg. Sin embargo, también es posible grabar otros materiales tales como Si, Si de policristal, Si amorfo Si, Si?2/ SÍ3N4, Mo, W, Ta, Ti y Pt. La presente invención de conformidad con la reivindicación 28 se puede aplicar a dispositivos que comprenden este tipo de materiales de metal y otros materiales y que proporcionan una técnica óptima para formar, patrones. La presente invención de conformidad con la reivindicación 29 se puede aplicar a un método de procesamiento de materiales de metal. Es posible formar, digamos, capas de deposición compuestas de esta aleación usando vaporización, CVD, o semejantes, y luego alear los mismos. La aleación excede en estabilidad a alta temperatura. Es posible mantener un estado estable durante los procesos a alta temperatura después de la formación de la película, usando distintos métodos para formación de película. La aleación puede aplicarse a varios dispositivos que requieren procesos de • alta temperatura, proporcionando de esta manera patrones de instalación eléctrica y semejantes que son estables y excelentes en procesabilidad. La presente invención de conformidad con la reivindicación 30, se puede aplicar a un método se procesamiento de materiales de metal. Los patrones de instalación eléctrica, electrodos o contactos elaborados de este tipo de aleación se forman en un substrato o una « película depositada elaborada de W, Ta, Mo, óxido de estaño de indio, nitruro de titanio, óxido de silicio y nitruro de silicio, Si o Si amorfo. Los procesos de procesamiento convencionales se aplican para asegurar propiedades de adhesión suficientes. Se proporcionan patrones de instalación eléctrica y semejantes que están caracterizados por baja resistividad, operaciones estables, y excelente procesabilidad. La presente invención de conformidad con la reivindicación 31, se puede aplicar a un método de procesamiento de materiales de metal. Los patrones de instalación eléctrica, electrodos, o contactos elaborados de este tipo de aleación pueden formarse directamente en un tablero de vidrio o plástico. En este caso, un aumento en la resistividad no es tan grande como se encuentra en Al debido a que esta aleación está sujeta a pocos efectos de oxígeno. Correspondientemente, se puede emplear un proceso de fabricación fácil para fabricar de manera efectiva patrones de instalación eléctrica con baja resistividad. La presente invención de conformidad con la reivindicación 32, puede proporcionar piezas electro-ópticas cuyas películas de reflexión, patrones de instalación eléctrica o electrodos se elaboran de un material de metal que está caracterizado por baja resistividad, operaciones estables y excelente procesabilidad y reflectancia. Como se menciona en lo que antecede, un material de metal de conformidad con la presente invención puede ser una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de los elementos tales como Al. Se puede proporcionar un material de metal para piezas electrónicas, piezas electrónicas y aparatos usando este material de metal mediante lo cual el material de metal está caracterizado por resistividad más baja, mayor estabilidad y procesabilidad más excelente que la de la técnica anterior.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LAS DISTINTAS VISTAS DEL DIBUJO La Figura 1 es una vista en sección transversal esquemática de un equipo de presentación de cristal líquido al cual es aplicable una aleación de Ag de conformidad con la invención; La Figura 2 es una vista en sección transversal esquemática de otro equipo de presentación de cristal líquido al cual es aplicable una aleación de Ag de conformidad con la invención; La Figura 3 es una vista en sección transversal esquemática de una celda de memoria rápida a la cual es aplicable una aleación de Ag de conformidad con la invención; La Figura 4 es una vista en sección transversal esquemática de una pieza electrónica formada aplicando la presente invención. La Figura 5 es una vista en sección transversal esquemática de otra pieza electrónica formada aplicando la presente invención; y La Figura 6 es una ilustración esquemática en un aparato de bombardeo iónico que puede usarse para procesar un material de metal para los fines de la invención.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN La presente invención se describirá en detalle a través del uso de modalidades ejemplares con referencia a los dibujos que se acompañan. Esta modalidad usa un material de metal para varias piezas electrónicas que es una aleación de Ag com un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. En este caso, varias piezas electrónicas incluyen dispositivos de presentación tales como equipos de presentación de cristal 'líquido transparente, equipos de presentación de cristal líquido reflector, equipos orgánicos de EL (electro-luminiscencia) , aparatos de presentación de plasma, piezas electro-ópticas usando microespejos y semejantes, varios dispositivos semiconductores, tableros de alambrado eléctrico impreso, capacitores de circuito integrado, relés y semejantes. Estas aleaciones se aplican a 'los materiales de instalación eléctrica, materiales de electrodo, materiales de película de alta reflexión, materiales de contacto y semejantes, y materiales de blanco de bombardeo iónico usados para fabricación de instalación eléctrica y semejantes. Es bien sabido que la resistencia a la corrosión para todo el Ag se puede mejorar añadiendo Pd a Ag y mezclando Pd en el límite de grano de Ag. Sin embargo, añadiendo justamente Pd a Ag para asegurar resistencia a la corrosión suficiente aumenta la resistividad. Es posible disminuir la resistividad o suprimir un aumento en la resistividad añadiendo uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan del grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. El mejoramiento de la resistencia a la corrosión requiere de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso del tercer elemento que va a añadirse. Añadiendo este elemento en más del 3 por ciento en peso degrada la resistencia a la corrosión. La aleación de plata con resistencia a la corrosión mejorada mantiene las características del Ag puro, que proporciona conductividad eléctrica más excelente, conductividad térmica y reflectancia en los elementos de metal. Esta aleación puede proporcionar materiales de metal con excelente resistencia a la corrosión, baja resistividad, alta conductividad térmica y alta reflectancia. Especialmente, cuando la aleación se aplica a materiales de instalación eléctrica, se requiere seleccionar un elemento adicional desde el grupo anteriormente mencionado que puede asegurar un valor de 3 µOcm o menos para los materiales de instalación eléctrica. Se sabe que un cierto criterio para materiales de instalación eléctrica prácticamente utilizables rio es exceder la resistividad de las aleaciones de AISi usadas extensamente. Un experimento da por resultado la resistividad de 1.6 µOcm o más. Dependiendo de las necesidades, es posible asegurar la resistividad de 3.5 µOcm o menos que se requiere para esta aleación de AISi. Esta aleación de plata no es un material de aleación de reacción eutéctica, sino una solución sólida completa. Asimismo, desde un punto de vita microscópico, la aleación de plata puede proporcionar establemente características uniformes. Estas aleaciones de metal de solución sólida completa mantienen la maleabilidad de Ag. Debido a la poca deterioración mediante esfuerzos de película, por ejemplo, se disminuye que ocurra un esfuerzo en una película de espesor de más de 1 µm o una hoja laminada. Por consiguiente, la aleación puede proporcionar procesabilidad excelente, operaciones estables a alta temperatura y confiabilidad mejorada en comparación con materiales convencionales tales como Al, Mo, Cr, Ti, Ta, y Cu. Con respecto a los métodos de procesamiento de Ag, el grabado químico en seco usa gas compuesto a base de cloro. El grabado químico en húmedo usa un material de grabado químico a base de ácido nítrico. Estos métodos también se pueden usar para grabar la aleación de Ag de conformidad con esta modalidad. Es posibile aplicar distintos métodos de procesamiento acumulados para aleaciones de Ag convencionales. Los gases clorados incluyen, digamos, CI2 CCI4,
BCI3, SÍCI4. En estas atmósferas, el grabado de RÍE o plasma se puede usar para procesar películas de la aleación de Ag de conformidad con esta modalidad. Un proceso de grabado químico en seco usando gas de grabado químico clorado se puede aplicar a patrones de instalación eléctrica a base de Ag. A medida que el grabado continua, el cloro en el gas reacciona con el Ag y genera AgCl en una superficie límite en el patrón de instalación eléctrica. Este AgCl degrada la conductividad eléctrica y la conductivicad térmica. Se confirma que la película de aleación de Ag de conformidad con esta modalidad no ocasiona esta reacción. OfHCl, CI2, CCI4, BCI3 y SÍCI4 que se usan de manera popular como gas de grabado químico en seco, el CI2 puede usarse de manera más ventajosa para procesamiento fino y es seguido por HCl y BCI3. Este efecto de procesamiento del proceso de grabado químico en seco puede mejorarse usando una mezcla obtenida añadiendo gas que contiene yodo tal como Hl a cualesquiera de aquellos gases, o CI2 + Hl, HCl + Hl o BCI3 + Hl .
El grabado en una atmósfera de gas clorado puede proporcionar una técnica óptima formadora de patrones durante el proceso de fabricación de las piezas electrónicas usando este tipo de materiales de metal. La aleación ternaria dificulta llevar a cabo el grabado químico en seco en una atmósfera de gas que contiene flúor, pero no cloro, 'proporcionando una ventaja de evitar daños mediante este tipo de gas. El grabado RÍE o plasma en una atmósfera de gas, digamos de CF4, C3F8, C4F8, o SFg puede grabar otros materiales tales como Si de policristal, Si amorfo, SÍO2, SÍ3N4, Mo, W, Ta, Ti, y Pt, sin ocasionar ningunos efectos en esta aleación ternaria. El procesamiento en una atmósfera de gas que contiene flúor pero no cloro permite grabar selectivamente porciones que no sean la aleación ternaria. Este método también puede proporcionar una técnica formadora de patrones que se aplica de manera óptima a este tipo de materiales de metal. En la actualidad, el grabado químico en húmedo en el equipo de fabricación de presentación de cristal líquido usa un material de grabar que contiene ácido fosfórico para grabar el Al puro y semejantes. Los materiales de grabar fosfóricos incluyen digamos H3PO4 + • HO3 + CH3COOH. Ha sido difícil usar estos materiales de grabar para grabar Ag puro convencional o una aleación de dos o tres elementos incluyendo Ag como un componente principal . Se ha hecho evidente que este complejo fosfórico puede usarse para grabar una aleación de Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.2 por ciento a 3 por ciento en peso del elemento Cu o Ti. El equipo de grabar a base de Al convencional puede usarse de manera efectiva para grabar.
De manera semejante, a la técnica anterior es también posible controlar un régimen de grabado químico añadiendo agua, nitrato de cerio, y nitrato de plata así como ácido fosfórico, ácido nitrito y ácido acético. El pos-tratamiento después del grabado tal como un lavado puede usar el mismo proceso que aquel para el Al puro, las aleaciones de Al y semejantes. Es posible disminuir las posibilidades de contaminación ambiental en comparación con un caso en donde se graban los materiales de Al. El material de conformidad con la presente invención puede ser mayor capaz de procesarse que los materiales convencionales tales como Al, Mo, Cr, Ti, Ta, y Cu. Esta aleación de Ag puede formarse fácilmente de manera confiable por medio de procesos de formación de película convencionales tales como el método de bombardeo iónico, el método de vaporización, el método de CVD, y el método de electrodeposición. El método de bombardeo iónico puede bombardear esta aleación de Ag aproximadamente tres veces más rápido que los materiales de Al. Esto significa que la aleación de Ag presenta una formación de película delgada rápida con respecto al método de bombardeo iónico. Esto puede acortar el tiempo de formación de la película y el tiempo requerido para toda la producción. Debido a que el componente principal Ag es un metal precioso, se puede recoger y reciclar más fácilmente que los otros metales. Para los fines de la invención, el aparato de bombardeo iónico 1 se usa en combinación en un aparato de bombardeo iónico que tiene típicamente una configuración como se muestra en la Figura 1. Haciendo referencia a la. Figura 1, el aparato de bombardeo iónico 1, un miembro de blanco 5 elaborado de una aleación de Ag de conformidad con la invención y un substrato 6 en donde la aleación de Ag emitida del miembro de blanco 5 se deposita, se colocan en un tanque de vacio 2. Un proceso de bombardeo iónico prosigue en el tanque de vacio 2 a medida que el miembro de blanco 5 se enfria, mediante el circuito de enfriamiento 7, usando agua y gas de argón, por ejemplo, se alimenta al tanque de vacio 2 a través del orificio 9 de suministro de gas/ mientras que el aire es atraído hacia afuera del tanque de vacio 2 por medio de la bomba de succión 8. Un proceso de bombardeo iónico de magnetrón avanza en el campo magnético generado por el imán 10 del aparato de bombardeo iónico 1. Cuando el método de bombardeo iónico, vaporización, o semejante se usa para la formación de la película, se requiere calentamiento para la aleación. El tratamiento térmico que varía de 300°C a 750°C puede producir una película de metal que está caracterizada por baja resistividad, alta estabilidad, y excelente procesabilidad. La adhesión a los materiales de substrato es importante para procesos de procesamiento. Se puede asegurar una adhesión excelente usando . Ta, Mo, óxido de estaño de indio, nitruro de titanio, óxido de silicio, o nitruro de silicio para los substratos. Para varios dispositivos semiconductores y semejantes, pueden reemplazarse fácilmente los patrones de instalación eléctrica convencionales a base de Al y pueden asegurarse caraacterísticas ventajosas. Cuando se forma directamente una película delgada a base de Al en plástico o vidrio, el Al reacciona en el oxígeno para ocasionar un valor de resistencia considerablemente grande, a saber del doble a tres veces mayor que la resistencia de los materiales volumétricos. Sin embargo, la aleación de Ag de conformidad con la invención está sujeta a un pequeño efecto de oxígeno y disminuye en aumento en la resistividad debido a la formación directa de películas delgadas en plástico o vidrio. Es posible producir patrones de instalación eléctrica y semejantes con características excelentes formando directamente los patrones de instalación eléctrica y semejantes en plástico o vidrio. Un proceso de fabricación sencillo se puede usar para crear los patrones de instalación eléctrica y semejantes con baja resistividad. La aleación de Ag puede aplicarse a patrones de instalación eléctrica de los equipos de presentación de cristal líquido transparente. Si aumena la longitud de instalación eléctrica y la instalación eléctrica se convierte en fina debido a tamaños de presentación grandes o resoluciones altas, es posible proporcionar operaciones seguras fáciles, mejorar la confiabilidad, y disminuir el consumo de energía eléctrica. Mientras tanto, la película de reflexión usada en un aparato de presentación de cristal líquido de tipo de reflexión se desea que muestre una alta reflectividad a la luz visible a través de toda la escala de longitud de onda de la misma. En el caso de Ag, muestra una reflectividad de aproximadamente 90 por ciento a la luz con una longitud de onda de 400 nm. Sin embargo, en el caso de AgPd (0.9 por ciento en peso) Cu (1.0 por ciento en peso), su reflectividad a la luz con una longitud de onda de 400 nm se reduce hasta aproximadamente 86 por ciento. La reducción en la reflectividad a la luz con una longitud de onda de 400 nm se puede reducir al mínimo sin degradar la la estabilidad química reemplazando parte del Cu .contenido en la aleación anteriormente citada con Al. Una aleación que contiene Ag tal como AgPd (0.9 por ciento en peso) Cu (0.3 por ciento en peso) Al (0.7 por ciento en peso) puede mejorar la reflectividad a la luz con la longitud de onda anteriormente citada hasta 88 por ciento'. De esta manera, la reflectividad a la luz a través de una escala de longitud de onda corta entre aproximadamente 380 nm y aproximadamente 500 nm de la película, se puede mejorar sin degradar la estabilidad química de la película. Correspondientemente, la aleación de Ag puede aplicarse a patrones de instalación eléctrica de los equipos de presentación de cristal líquido reflectores para proporcionar efectos equivalentes a los equipos de presentación de cristal líquido transparentes. Aplicando la aleación de Ag a la película de alta reflexión asegura establemente alta reflectancia, y forma una pantalla de presentación brillante.
Un equipo de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión se describirá brevemente como un ejemplo del dispositivo de presentación de cristal líquido de TFT obtenido aplicando una aleación de Ag de conformidad con la invención. Como se muestra en la Figura 2, el equipo de presentación de cristal líquido a colores del tipo de reflexión 11 comprende un electrodo de reflexión 13, una capa de cristal líquido 14, un electrodo transparente 15, un filtro a colores 16, un substrato de vidrio 17, una película de diferencia de fase 18, una placa de polarización 19 y una placa de dispersión 20 que se colocan en secuencia sobre un substrato de vidrio 11. El electrodo de reflexión 13 se elabora del material de aleación de Ag anteriormente descrito. El equipo de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión 11 de la Figura 2 es del tipo que utiliza una supeficie de espejo de un electrodo de reflexión 13 y una placa de dispersión 20, básicamente tal como una disposición que se puede aplicar a cualquier electrodo que se coloca en pares con un electrodo transparente. Un electrodo de reflexión elaborado de aleación de Ag que de conformidad con la invención proporciona las ventajas de una baja resistividad como material de electrodo, una alta confiabilidad de operación y alta reflectividad cuando se aplica a un dispositivo de tipo de reflexión. Será innecesario decir que un dispositivo de presentación de cristal líquido puede ser del tipo de reflexión o del tipo de transmisión y que una aleación de Ag de conformidad con la invención también se puede usar para dispositivos de presentación de cristal líquido del último tipo. Además, una aleación de Ag de conformidad con la invención se pueden usar no solamente para electrodos impulsores de cristal líquido como se muestra en la Figura 2 sino también para equipos de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión usando un sistema impulsor de matriz activo. Un equipo de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión como se describe en lo que antecede puede usarse ventajosamente como el equipo de presentación de un aparato de teléfono portátil, un PDA
(Auxiliar Digital Personal) o cierto otro terminal de información portátil debido a su bajo régimen de consumno de energía eléctrica. Un TFT formado usando una aleación de Ag de conformidad con la invención y usado en un equipo de presentación de cristal líquido del tipo anteriormente descrito no necesita proporcionarse con una capa de barrera para impedir que el Al o cualquier aleación de Al conocida reaccione con y/o se disperse hacia cierto otro material.
Como se muestra en la Figura 3, un equipo de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión 21 del tipo anteriormente descrito tiene una capa 25 de cristal líquida formada en cada una de las regiones en un substrato de vidrio 22 y separado mediante líneas de datos 23 y líneas de palabras 24. Un elemento de conmutación 26 se conecta eléctricamente con la capa de cristal líquido 25 de cada una de las regiones. Como se muestra en la Figura 3, el equipo de presentación de cristal líquido a colores de tipo de reflexión 21 comprende además un electrodo transparente 27, un filtro a colores 28 y un substrato de vidrio 29 que se colocan en secuencia sobre la capa 25 de cristal líquido. Una aleación de Ag de conformidad con la invención se puede usar para distintos electrodos de un elemento de conmutación tales como TFT incluyendo el electrodo de compuerta, el electrodo de consumo y/o ciertos otros electrodos así como los alambres que conectan los mismos. Además, también puede usarse para varios dispositivos de presentación incluyendo dispositivos de electroluminiscencia (EL) , dispositivos de emisión archivados (FED) y equipos de presentación de plasma (PDP) . Todavía de manera adicional, una aleación de Ag de conformidad con la invención, también puede usarse ventajosamente para la película de reflexión de cristal líquido de tipo de reflexión, el electrodo de reflexión y los alambres que conectan estos electrodos de un equipo de presentación de cristal líquido .para el electrodo de compuerta, el electrodo de la región de compuerta, aquel de la región de consumo con' los alambres que conectan estos electrodos de TFT de un dispositivo de cristal líquido de tipo de transmisión y para el electrodo posterior y los alambres que conectan el mismo de un dispositivo de presentación de plasma. De manera semejante, la aleación .de Ag puede aplicarse • para películas de reflexión, electrodos o patrones de instalación eléctrica para dispositivos de modulación ópticos tales como piezas electro-ópticas usando microespejos. Debido a la alta reflectancia y baja resistencia, es posible formar dispositivos capaces de alto brillo y operaciones rápidas. La aleación de Ag puede aplicarse al método de oxidación anódico usando Ta para estos equipos de presentación de cristal líquido y varios dispositivos semiconductores. La estructura de 2 capas usando esta aleación de plata y Ta, por ejemplo, pueden proporcionar valores de resistencia lo suficientemente pequeños. La Figura 4 ilustra una celda de memoria instantánea que funciona como una unidad de almacenamiento muy pequeña de una memoria instantánea para la cual puede usarse una aleación de Ag de conformidad con la invención. Como se muestra en la Figura 4, la celda de memoria instantánea comprende una región de fuente 32 y una región de consumo 33 formadas en una capa 31 de silicio de tipo p junto con una compuerta de flotación 34, una compuerta de control 35 y líneas de bit 36 que se elaboran de la aleación de Ag. Aún cuando la Figura 4 muestra un dispositivo semiconductor de óxido de metal de canal del tipo n (nMOS: Semiconductor de Oxido de Metal) que tiene líneas de bit 36 elaboradas de una aleación de Ag, el alcance aplicable de una aleación de Ag de conformidad con la invención no se limieta a líneas de bit de nMOSs e incluye los alambres de casi todos los dispositivos electrónicos tales como los dispositivos semiconductores de óxido 'de metal de canal de tipo p (pMOSs) , transistores bipolares, BiCMOSs
(Dispositivos Semiconductores de Oxido de Metal
Complementarios, transistores de película delgada y dispositivos de memoria usando un material ferroeléctrico o un material ferromagnético. Una aleación de Ag de conformidad con la invención se puede usar no solamente como el material de una capa de instalación eléctrica única formada como la capa superior del dispositivo como se muestra en la Figura 4 sino también como de disposiciones de instalación eléctrica de capas múltiples como se muestra en las Figuras
5 y 6. El dispositivo semiconductor de la Figura 5 tiene una disposición de tres capas de la primera, segunda y tercera capas 41, 42, 43 elaboradas de una aleación de Ag y colocadas en secuencia con capas de aislamiento 44 interpuestas entre las mismas. Cada una de la primera, segunda y tercera capas 41, 42, 43, se proporciona con un agujero pasante 45. El dispositivo semiconductor de la Figura 6 tiene también una disposición de tres capas de la primera capa 51 que se elabora típicamente de polisilicio o siliciuro, la segunda capa 52 y la tercera capa 53 con capas de aislamiento interpuestas entre las mismas, la segunda capa 52 y la tercera capa 53 habiéndose elaborado de una aleación de Ag. De nuevo, cada una de la primera, segunda y tercera capas 52, 53 se proporciona con' un agujero pasante 55. Con disposiciones de instalación eléctrica de capas múltiples conocidas, las capas de instalación eléctrica típicamente se elaboran de polisilicio o un compuestode de silicio tal como WSÍ2 M0SÍ2 o TaSÍ2 con el objeto de asegurar una estabilidad química de las capas de instalación eléctrica en los procesos calientes subsecuentes al proceso de instalación eléctrica. Sin embargo, los materiales anteriormente mencionados tienen una inconveniencia de mostrar una alta resistividad eléctrica. Mientras que Al y las aleaciones de Al muestran una resistividad eléctrica considerablemente más baja que aquella de cualesquiera de los materiales de .alta temperatura de fusión anteriormente citados, tienen una inconveniencia de una temperatura de fusión baja que es tan baja así como de 660°C. En vista de estas circunstancias, una aleación de Ag de conformidad con la invención- puede usarse ventajosamente para disposiciones de instalación eléctrica de capas múltiples debido a que la temperatura de fusión de la plata es tan alta asi como de 960°C y la aleación es químicamente estable a alta temperatura. Los dispositivos semiconductores a los cuales es aplicable la presente invención incluyen CPUs (unidades de procesamiento central), MPUs (Unidades de Micro-Procesamiento) , LSIs (Circuitos Integrados a Gran Escala) , que tienen memorias, DRAMs (Memorias de Acceso Aleatorio Dinámicas), SRAMs (RAMs Estáticas), ROM (Memorias de Solo Lectura) , PROM (ROMs Programables) , memorias instantáneas, FeRAMs (RAMs Ferroeléctricas) , MRAMs (RAMs Magnéticas), formaciones de compuerta, CCDs (Dispositivos Acoplados con la Carga), MOSs sensores de imagen y celdas solares. La aleación de Ag puede también aplicarse a patrones de instalación eléctrica de varios dispositivos semiconductores e impedir un acceso en valores de resistencia debidos a longitudes de instalación eléctrica extendidas e instalación eléctrica fina. Esto también puede disminuir el consumo de energía eléctrica. Es también posible impedir una caída de voltaje debido a la instalación eléctrica e impedir retardos de señales, mejorando de esta manera las distintas características y la confiabilidad. La aleación de Ag puede también aplicarse a patrones de instalación eléctrica de tableros de circuito impresos, electrodos de piezas de circuito integrado, contactos de relé, y semejantes, asegurando características óptimas y confiabilidad elevada. Ahora, se discutirán a continuación los tipos y el efecto de las aleaciones de cuatro elementos que contienen una aleación de Ag. El. problema de alambres rotos se puede suscitar cuando los alambres se elaboran de Al o una aleación de Al (tal como AISi) debido a que los alambres quedan expuestos a alta temperatura en el proceso de fabricación del dispositivo y un' fenómeno al cual se hace referencia como migración de los átomos de Al que ocurre cuando los alambres se usan durante un período prolongado con alta densidad de corriente. Sin embargo, los alambres elaborados de una aleación 'de Ag de conformidad con la invención son excelentes en términos de migración de átomos particularmente, la aleación de Ag es AgPdCuTi o AgPdCuCr. Particularmente, AgPd (de 0.7 a 0.8 por ciento en peso) Cu (de 0.5 por ciento en peso) Ti (de 0.5 por ciento en peso) y AgPd (de 0.7 a 0.8 por ciento en peso) de Cu (de 0.5 por ciento en peso) de Cr (de 0.5 por ciento en peso) funcionan excelentemente en términos de la migración de átomos. [Modalidad] El Cuadro 2 muestra valores de resistencia y resistencias químicas de la aleaciones de plata mencionadas anteriormente en comparación con el Al puro convencionalmente, las aleaciones a base de Al y aleaciones de Ag. Cuadro 2
MATERIAL RESISTIVIDAD RESISTENCIA [µOcm] QUMICA
Al 2.69 BAJA
C 1.7 BAJA
Ag 1.6 BUENA
Au 2.3 EXCELENTE
Al-1% en peso de Cu 3.26 BAJA Al-0.5% en peso de Si 3.45 BAJA
Al-0.5% en peso de Si 1% en peso de Cu 3.48 BAJA
Ag-2% en peso de Au 2.15 BUENA
Ag-3% en peso de Pd 3.01 BUENA
Ag-0.1% en peso de Pd- 0.1% en peso de Cu 1.75 EXCELENTE
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Cu 1.93 EXCELENTE
Ag-2.0% en peso de Pd- 2.0% en peso de Cu 2.44 EXCELENTE
Ag-3.0% en peso de Pd- 0.1% en peso de Cu 2.98 EXCELENTE
Ag-0.1% en peso de Pd- 3.0% en peso de Cu 1.96 EXCELENTE
Ag-3.0% en peso de Pd- 3.0% en peso de Cu 2.76 EXCELENTE
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Cr 3.44 EXCELENTE
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Si 3.51 EXCELENTE Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Ti 2.34 EXCELENTE Creamos muestras usadas para esta medición formando una película de cada composición en un tablero de sílice de acuerdo con el método de bombardeo iónico, y luego llevando a cabo el tratamiento térmico durante tres horas a 300°C en una condición de vacio. Todas las muestras tienen un espesor de película de 300 nm. Usamos el método de prueba cuatro para medir los valores de resistencia a teraperatura ambiente. De estos materiales de metal, el Ag muestra la resistividad más baja. Añadiendo otros elementos a Ag se aumenta la resistividad. Como una referencia, un aumento en los valores de resistencia se basa en la resistividad de 3.5 µOcm para las aleaciones de AISi usadas más extensamente. Una aleación de AgPdCu satisface este criterio cuando el volumen de adición de Pd es de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso, y el volumen de adición de Cu es de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso. Un aumento de resistividad mediante la adición de Cu es más pequeño que aquel mediante la adición de Pd en la condición en donde el volumen añadido es igual para Cu y Pd. Cuando Cu se añade a una aleación de AgPd, es un caso en donde la adición de Cu disminuye la resistividad. A fin de investigar las resistividades cuando se usan médodos de formación de película que no sean los de bombardeo .iónico para la formación de películas, formamos películas de Cu de 1.0 por ciento en peso de Ag 1.0 por ciento en peso de Pd usando los métodos de vaporización, electrodeposición, y CVD. Medimos las resistividades usando el método de medición mencionado anteriormente. Los resultados de las medidas muestran que las resistividades que varían de 1.90 a 1.98 µOcm se suprimen en todos los métodos de vaporización, electrodeposición y CVD. _ Se ha encontrado que pueden formarse películas casi equivalentes independientemente de los métodos de formación de película. El Cuadro 3 muestra una resistividad justamente para la formación de película sin recocido. Esta medición usó el método de bombardeo iónico para formar una película de un grueso tal como de 150 nm en un substrato acrílico. Cuando se forma una película en este substrato a base de plástico, una aleación a base de Al aumenta notablemente los valores de resistencia debido a las propiedades de la película delgada, la reacción en el oxígeno, y . otras razones. La resistividad se convierte en el doble o tres veces mayor que la de los materiales volumétricos.
Cuadro 3
MATERIAL RESISTIVIDAD [µOcm]
Al 6.23
Ag 2.56
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Cr 7.31
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Si 7.45
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en peso de Ti 5.34
Ag-0.9% en peso de Pd- 1.0% en. peso de Cu 3.23
En contraste, la aleación de Ag de conformidad con la presente invención está sujeta a poco efecto del oxígeno, manteniendo un aumento de resistividad hasta de 1.6 veces de los materiales volumétricos. La resistividad dio por resultado en una cantidad tan baja así como de 2.56 µOcm. Cuando se añaden Cr, Si, Ti y Cu a AgPd para crear una aleación, los materiales añadidos influencian de manera diferente en las resistividades y regímenes de aumentos de resistividad. Añadiendo Cr y Si se aumenta la resistividad en comparación con Al. Añadiendo Cu y Ti se disminuye la resistividad' en comparación con Al. Especialmente, añadiendo Cu proporcionó la resistividad lo suficientemente baja de 3.23 µOcm. El Cuadro 4 muestra un resultado para evaluar las resistencias químicas para materiales de película respectivos. La columna de resistencia química en el Cuadro 2 resume los resultados de la evaluación en el Cuadro 4. Para esta prueba de evaluación, las muestras se remojaron en soluciones de 3 por ciento de NaCl, 5 por ciento de NaOH, 1 por ciento de KOH y 1 por ciento de H2SO4 durante 24 horas a temperatura ambiente. Después de 24 horas, las muestras se comprobaron visualmente.
Cuadro 4
MATERIAL 3% de NaCl 5% de NaOH
Au NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO
Al REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Al-1.0% en peso de Cu REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE Al-0.5% en peso de Si REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Al-0.5% en peso de Si- REACCIONO REACCIONO 1.0% en peso de Cu COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Ag REACCIONO SE DECOLORO COMPLETAMENTE
Ag-2% en peso de Au REACCIONO SE DECOLORO COMPLETAMENTE
Ag-3% en peso de Pd SE DECOLORO SE DECOLORO LIGERAMENTE
Ag-0.1% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 0.1% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE
Ag-3.0% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 0.1% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE
Ag-1.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 1.0% en peso de Cu
Ag-2.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 2.0% en peso de Cu
Ag-0.1% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 3.0% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE
Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu MATERIAL 1% de KOH 1% de H2SO4 Au NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO
Al REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Al--1.0% en peso de Cu REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Al--0.5% en peso de Si REACCIONO REACCIONO COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Al--0.5% en peso de Si- REACCIONO REACCIONO 1.0% en peso de Cu COMPLETAMENTE COMPLETAMENTE
Ag SE DECOLORO •SE DECOLORO LIGERAMENTE Ag--2% en peso de Au SE DECOLORO SE DECOLORO LIGERAMENTE Ag--3% en peso de Pd SE DECOLORO SE DECOLORO LIGERAMENTE Ag-0.1% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 0.1% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE
Ag-3.0% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 0.1% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE
Ag-1.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 1.0% en peso de Cu Ag-2.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 2.0% en peso de Cu Ag-0.1% en peso de Pd- SE DECOLORO SE DECOLORO 3.0% en peso de Cu LIGERAMENTE LIGERAMENTE Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu Excepto Au, los materiales convencionales Al, AICu, AISi y AlCuSi mostraron una pérdida de lustre metálico o cambios a blanco opaco y transparente. Esto significa que estos materiales - reaccionaro en las substancias químicas respectivas.- En contraste, una aleación de AgPdCu mejoró grandemente la resistencia química justamente añadiendo una cantidad pequeña de Pd y Cu (0.1 por ciento en peso) y mostró solamente decoloración leve en la superficie. Se ha encontrado también que aumentando la cantidad adicional de Pd y Cu mejoró la resistencia química a un grado tal que no ocurrieron ningunos cambios. Los Cuadros 5 y 6 están mostrando estabilidades contra el tratamiento térmico y resultados de evaluación de confiabilidad a plazo prolongado. Creamos cada muestra en un tablero de vidrio usando el método de bombardeo iónico. Los resultados de la evaluación en el Cuadro 5 se basan en la comprobación visual después de dejar muestras en una atmósfera de oxígeno al 100 por ciento a 600°C durante 24. horas. Los resultados de la evaluación en el Cuadro 6 se basan en una comprobación visual después de dejar las muestras en una atmósfera a 90°C en 85 por ciento de humedad durante 1,000 horas.
Cuadro 5
MATERIAL RESULTADO DE LA PRUEBA Au NINGÚN CAMBIO Cu CAMBIO A NEGRO 'Al CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE Al-1.0% en peso de Cu CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE •
Al-0.5% en peso de Si CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE Al-0.5% en peso de Si- CAMBIO A BLANCO OPACO Y 1.0% en peso de Cu SE OXIDO COMPLETAMENTE Ag CAMBIO A AMARILLO Ag-2% en peso de Au CAMBIO A AMARILLO Ag-3% en peso de Pd - CAMBIO A AMARILLO Ag-0.1% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 0.1% en peso de Cu Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 0.1% en peso de Cu Ag-1.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 1.0% en peso de Cu Ag-2.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 2.0% en peso de Cu Ag-0.1% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu Cuadro 6
MATERIAL • RESULTADO DE LA PRUEBA
Au NINGÚN CAMBIO Cu CAMBIO A NEGRO Al CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE
Al-1.0% en peso de Cu CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE
Al-0.5% en peso de Si CAMBIO A BLANCO OPACO Y SE OXIDO COMPLETAMENTE
Al-0.5% en peso de Si- CAMBIO A BLANCO OPACO Y 1.0% en peso de Cu SE OXIDO COMPLETAMENTE
Ag CAMBIO A NEGRO Ag-2% en peso de Au CAMBIO A NEGRO Ag-3% en peso de Pd CAMBIO A NEGRO Ag-0.1% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 0.1% en peso de Cu Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 0.1% en peso de Cu Ag-1.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 1.0% en peso de Cu Ag-2.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 2.0% en peso de Cu Ag-0.1% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu Ag-3.0% en peso de Pd- NINGÚN CAMBIO 3.0% en peso de Cu Como se muestra en el Cuadro 5, una aleación de AgPdCu que contiene de 0.1 por ciento a 3.0 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento en peso a 3.0 por ciento en peso de Cu no mostró ningún cambio bajo este medio ambiente a alta temperatura seria. Además de estas pruebas, el mismo material se dejó en una atmósfera de oxígeno al 100 por ciento a 750°C durante 24 horas. Asimismo bajo esta condición, no se observó ningún cambio. De conformidad con estas pruebas, el material relacionado se encontró que era estable durante un proceso a alta temperatura de aproximadamente 750°C. Después de la formación de la película, el material no varía con la temperatura sin crear una película protectora, simplificando de esta manera el tratamiento pos-térmico después de la formación de la película. El material se encontró también que era estable bajo condiciones de alta temperatura y humedad, asegurando confiabilidad suficiente para usarse como un material de instalación eléctrica y semejante. El Cuadro 7 muestra los resultados de evaluar la resistencia química durante un proceso de fotolitografía. Para esta evaluación, creamos una muestra formando una película de Ag de 0.9 por ciento en peso de Pd-1.0 por ciento en peso de Cu de un espesor de 150 nm en un substrato de Si. Esta muestra se sometió a desarrollo de resistencia que es uno de los procesos de fotolitografía regulares. Luego la resistencia se horneó para observación de los cambios en la resistencia de la hoja. Actualmente, como un proceso de desarrollo, la muestra se remojó en 5 por ciento de una solución de NaOH que es un componente principal de la solución de desarrollar. Como un proceso de horneado de resistencia, la muestra con la resistencia aplicada se horneó durante 30 minutos a 120°C. Cuadro 7 ESTADO DESPUÉS DESPUÉS DE HORNEADO DE LA REMOJARSE EN DURANTE 30 FORMACIÓN 5% DE SOLUCIÓN MINUTOS A DE LA DE NaOH 120°C PELÍCULA (COMPONENTE (HORNEADO DESARROLLADOR) DE RESISTENCIA)
RESISTENCIA (µO/D) 0.17 0.17 0.17
Como se muestra en el Cuadro 7, esta muestra no mostró cambios en la resistencia de la hoja antes y después de cada proceso. Se ha encontrado que la muestra se puede aplicar a procesos de fotolitografía convencionales y procesar establemente. El Cuadro 8 muestra un resultado para evaluar la adhesión a un material de película de capa inferior de AgPdCu. A fin de evaluar esta adhesión, creamos una muestra formando un material de película de capa inferior -
de Ti, Cr, W, Ta y Mo, óxidos y nitruros tales como ITO (Oxido de Estaño de Indio) , nitruro de titanio, nitruro de silicio, óxido de silicio un silicio amorfo, y luego formando en las mismas una película de AgPdCu. Este espesor de película de substrato es de 100 nm. El espesor de la película de AgPdCu es de 300 nm. Para fines de evaluación, llevamos a cabo una prueba de desprendimiento usando cintas adhesivas. Las muestras luego se grabaron en una solución de nitrato y se comprobaron visualmente para determinar defectos tales como desprendimientos de película. Cuadro 8
MATERIAL DE BASE PRUEBA DE
DESPRENDIMIENTO DE PELÍCULA Ti SE DESPRENDIÓ GRANDEMENTE Cr SE DESPRENDIÓ LIGERAMENTE W NO SE DESPRENDIÓ Ta NO SE DESPRENDIÓ Mo NO SE DESPRENDIÓ ITO NO SE DESPRENDIÓ
TIN NO SE DESPRENDIÓ
SIN NO SE DESPRENDIÓ
SI02 NO SE DESPRENDIÓ Si Amorfo NO SE DESPRENDIÓ Este resultado de la evaluación reveló que puede obtenerse una buena adhesión excepto el substrato de Ti. Aún cuando se observó un desprendimiento leve en el substrato de Cr, se consideró que se había obtenido buena adhesión mediante procesos óptimos tales como seleccionando las condiciones de la formación de la película. Además de la evaluación de adhesión en el Cuadro 8, evaluamos la adhesión a los tableros mismos formando directamente películas de AgPdCu en los tableros. De conformidad con esta evaluación, no se observó desprendimiento en ninguno de los tableros de vidrio tales como vidrio de sosa y vidrio de sílice, tableros de oblea de silicio, y tableros de plástico tales como de policarbonato, acrílico y tereftalato de polietileno. Se ha encontrado que puede obtenerse una buena adhesión cuando se usan estos materiales para los tableros. El Cuadro 9 muestra un resultado de evaluación de los regímenes de formación de película de acuerdo con el método de bombardeo iónico de magnetrón de radiofrecuencia. Esta evaluación usa una aleación de Ag elaborada de cada material formador de película para un blanco de bombardeo iónico de 7.62 cm. Formamos una película en un tablero retenido a distancia de 94 milímetros desde este blanco y que se midió durante un período de tiempo hasta que el espesor de la película en este substrato era de 100 nm.
Cuadro 9
MATERIAL DE POTENCIA DE TIEMPO DE ESPESOR DE PELÍCULA FORMACIÓN FORMACIÓN DE PELÍCULA DE PELÍCULA PELÍCULA (W) (min. seg) (nm)
AgPdCu 300 75 seg 100
Ag 300 86 seg 100
Au 300 104 seg 100
Cu 300 145 seg 100
Al 300 273 seg 100
Este resultado de evaluación muestra que la formación de la película usando el blanco de AgPdCu avanza aproximadamente tres veces más rápidamente que aquel que usa el blanco de Al. Se ha encontrado que usando AgPdCu en vez de Al como un material de metal puede reducir el tiempo para la formación de la película hasta una tercera parte y también acortar el tiempo de fabricación. Esta evaluación mostró también una mejora de velocidades de formación de película cuando se compara con el uso de Ag como un blanco. En comparación con estos materiales de formación de película convencionales, hay poca elevación de temperatura en los tableros, haciéndose saber que son también utilizables los tableros de plástico. Las modalidades anteriormente mencionadas describen añadir un elemento que se selecciona de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. La presente invención no se limita a esto. La presente invención puede aplicarse ampliamente a aleaciones que contienen de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si. Las modalidades anteriormente mencionadas describen la formación de la película usando bombardeo iónico y método semejantes. La presente invención no se limita a esto. La presente invención puede aplicarse ampliamente a otras formaciones de película y aún a formaciones de película gruesa.
Claims (32)
1. Un material de metal que contiene Ag como un componente principal para piezas electrónicas en donde el material de metal comprende una aleación que contiene de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de por lo menos cualesquiera o una pluralidad de los elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
2. El material de metal para piezas electrónicas como se describe en la reivindicación 1, en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de instalación eléctrica.
3. Él material de metal para piezas electrónicas de conformidad con la reivindicación 1, en donde: una resistividad eléctrica es de 3 µOcm o menos.
4. El material de metal para piezas electrónicas como se describe en la reivindicación 1 en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de electrodo.
5. El material de metal para piezas electrónicas como se describe en la reivindicación 1 en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de contacto.
6. El material de metal para piezas electrónicas como se describe en la reivindicación 1 en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de blanco de bombardeo iónico.
7. Un material de metal que contiene Ag como un componente principal para piezas electrónicas en donde: el material de metal comprende una aleación ternaria que contiene de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de un elemento que se selecciona de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
8. El material de metal para piezas electrónicas de conformidad con la reivindicación 7, en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de instalación eléctrica.
9. El material de metal para piezas electrónicas de conformidad con la reivindicación 7, en donde: una resistividad eléctrica de 1.6 µOcm o más y de 3.5 µOcm o menos.
10. El material de metal para piezas electrónicas como se describe en la reivindicación 7 en donde : el material de metal para piezas electrónicas es un material de electrodo.
11. El material de metal para piezas electrónicas se describe en la reivindicación 7 en donde: el material de metal para piezas electrónicas es un material de blanco de bombardeo iónico.
12. Una pieza electrónica que tiene un patrón de instalación eléctrica, un electrodo o un contacto elaborado de un material de metal específico en donde: el material de metal comprende una aleación que contiene Ag como un componente principal de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
13. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: el patrón de instalación eléctrica, el electrodo, o el contacto se forma por medio de grabado a través del uso de una solución que contiene ácido fosfórico.
14. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: el patrón de instalación eléctrica, el electrodo, o el contacto se forma por medio de grabar en una atmósfera de gas que contiene cloro.
15. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: las porciones otras que no sean el patrón de instalación eléctrica, el electrodo y el contacto se procesan por medio de grabado en una atmósfera de gas que contiene flúor.
16. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: el patrón de instalación eléctrica el electrodo del contacto se calienta térmicamente a temperatura que varía de 300°C a 750°C.
17. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: el patrón de instalación eléctrica, el electrodo, o el contacto se forma en un substrato elaborado de , Ta, Mo, óxido de estaño de indio, nitruro de titanio, óxido de silicio o nitruro de silicio.
18. La pieza electrónica como se describe en la reivindicación 12 en donde: el patrón de instalación eléctrica, el electrodo, o el contacto se forma directamente en un tablero de vidrio o de plástico.
19. Un aparato electrónico que tiene un patrón de instalación eléctrica, un electrodo, o contacto - - elaborado mediante un material de metal específico, én donde : el material de metal comprende una aleación que contiene Ag como el componente principal de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o de una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
20. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: el patrón de instalación eléctrica, el electrodo del contacto se forma por medio de grabado a través del uso de una solución que contiene ácido fosfórico.
21. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: el patrón de instalación eléctrica, electrodo o contacto se forma por medio de grabado en una atmósfera de gas que contiene cloro.
22. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: las porciones que no sean el patrón de instalación eléctrica, electrodo, y el contacto se procesan por medio de grabado en una atmósfera de gas que contiene flúor.
23. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: el patrón de instalación eléctrica, electrodo, o contacto se trata térmicamente a una temperatura que varía de 300°C a 750°C.
24. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: el patrón de instalación eléctrica, electrodo o contacto se forma en un substrato elaborado de , Ta, Mo, óxido de estaño de . indio, nitruro de titanio, óxido de silicio, o nitruro de silicio.
25. El aparato electrónico como se describe en la reivindicación 19 en donde: el patrón de instalación eléctrica, electrodo, o contacto se forma directamente en un tablero de vidrio o de plástico.
26. Un método para procesar materiales de metal en donde: el método forma un patrón de instalación eléctrica, electrodo, o contacto usando una solución que contiene ácido fosfórico para grabar una película de metal de aleación que contiene: Ag como el componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
27. Un método para procesar materiales de metal en donde: el método forma un patrón de instalación eléctrica, electrodo, o contacto usando una solución que contiene ácido clorhídrico para grabar una película de metal de aleación que contiene; Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
28. Un método para procesar piezas electrónicas en donde: el método lleva a cabo el grabado - en una atmósfera de gas que contiene flúor para procesar materiales que no sean una película de metal de aleación que contiene: Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
29. Un método para procesar materiales de metal en donde: el método forma un patrón de instalación eléctrica, un electrodo. o un contacto mediante tratamiento térmico a una temperatura que varía de 300°C a 750°C de una película de metal de aleación que contiene; Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
30. Un método para procesar materiales de metal en donde: el método forma un patrón de instalación eléctrica, electrodo o contacto formando una película de metal de aleación que contiene: Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo . que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si en un material de la capa inferior elaborado de , Ta) Mo, óxido de estaño de indio, nitruro de titanio, óxido de silicio, nitruro de silicio o silicio amorfo.
31. Un método para procesar materiales de metal en donde: el método forma un patrón de instalación eléctrica, electrodo o contacto formando directamente una película de metal de aleación que contiene: Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si en un tablero de vidrio, plástico o Si.
32. Una pieza electro-óptica caracterizada usando una película de reflexión o un electrodo o material de instalación eléctrica elaborado de una película de metal de aleación en donde: Ag como un componente principal, de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso de Pd, y de 0.1 por ciento a 3 por ciento en peso en total de uno o una pluralidad de elementos que se seleccionan de un grupo que consiste de Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, y Si.
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