TW457525B - Apparatus for cleaning and drying substrates - Google Patents

Apparatus for cleaning and drying substrates Download PDF

Info

Publication number
TW457525B
TW457525B TW089102872A TW89102872A TW457525B TW 457525 B TW457525 B TW 457525B TW 089102872 A TW089102872 A TW 089102872A TW 89102872 A TW89102872 A TW 89102872A TW 457525 B TW457525 B TW 457525B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
fluid
drying
tank
patent application
Prior art date
Application number
TW089102872A
Other languages
English (en)
Inventor
Boris Fishkin
Michael Sherrard
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW457525B publication Critical patent/TW457525B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

Λ7 457525 B7_ 五、發明說明() 發明領域: 本發明有關同時沖洗及乾燥基材之方法。更詳言之, 本發明有關一同時沖洗及馬氏效應乾燥半導體基材之超 方法及設備。 發明背景: 因為半導體裝置幾何形狀持續降低,超潔淨製程之重 要性增加。在一液體槽(或一浴)内的溶液潔淨,接著一沖 洗浴(即在一分離槽,或以替換潔淨槽液體)以獲得所欲之 潔淨等級。在由沖洗浴除去後,不使用乾燥裝置,浴流體 將由基材表面揮發而造成紋路、斑點及/或殘留浴殘餘物於 基材表面。依此,必須非常注意當基材由水溶液浴除去時 乾燥基材的改良方法。 已知為馬氏效應乾燥的方法產一表面張力梯度以促 使浴流體由基材以一方法流動,其使得基材實質無浴流體 殘留,且因此避免蚊路、斑點及殘餘記號。馬氏效應乾燥 方法使用相對較少量之IPA。特別地,在馬氏效應乾燥期 間,一可與浴流體相溶的溶劑引入至當基材由浴中升起或 浴液體由基材表面排除時形成之\流體彎界面。此溶劑蒸氣 沿流體表面吸附,吸附蒸氣的濃度高於彎界面的頂部。此 一流體已知為"馬式效應”流體,且可用以獲得基材乾燥而 未留下紋路、斑點浴殘餘物於基材上。 一慣用馬氏效應乾燥系統係揭露於歐洲專利第〇 3 85 5 3 6 A 1號,名稱為''在一液體中處理後乾燥基材之方法及 第3頁 本紙張尺度適用申國國家標準(CNS)A4規格CIO X 297公Μ ) (請先閱讀背面之主意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457525 Λ7 [37 五、發明說明( 設備 。, ς Ί 3 3 6號專利之系統係將一基材浸入於一流體浴 十 〇 "*~™· 'oj' 興浴流體相溶之蒸氣(例如醇蒸氣)與一載體氣體 相混合,沙Μ μ侠以多個喷嘴通過流體浴的表面。此蒸氣沿基 材表面、、右 〃、吼體浴相混合,降低流體浴的表面張力^當基材 由流體浴电 τ升起,沿空氣/液體/基材界面形成一流體彎 面。此_ $ 由表面層形成,因此具有一較主體浴流體具有 幸3Ϊ· *|]^ 场張力。依此’流體由基材表面流至主體浴流 劳會,**JC c爆的表面。雖然如5 3 6號申請案中揭露之設備 可有效由其u . 材除去流體,其消耗相當量的流體,因為浴流 體不能過濟η 〜'及回收以由其除去乾燥的蒸氣。因此,浴流體 :,瞀換以在乾燥彎面維持充分之表面張力梯度。再 者▲材由潔淨浴移動至沖洗浴、或替換浴流體需要相當 時間。 因 ιΗ- ,+ i 子有-需要可迅速且有效潔淨、沖洗及乾燥基 號:且!万法及設備,…除去软路、斑點及浴殘留記 所需的體的消耗及減少潔淨、沖洗及乾燥製程 I H ί Γ— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〉 經濟部智慧財產局員工消費合作'£印製 本發明提供可潔淨、沖洗及馬氏效應乾燥' 法及設備。本發明的完成可有利地 i材之 少、流體消耗。本發明包含一乾"…无之生產量及 巷材的設備,玆也版 一第一線性噴嘴(即一具有 叹備包名 . 長孔洞而能嗜Φ 混髂的喷嘴,其相較於單一標 一線' ,薄可濕潤基材相對大 第4頁 -II---.II0%--------訂---------t^------ί---l·------------- Λ7 B: 中,本發明設備包含一潔淨流體 升起機制以由槽中升起基材 洗流體源以當基材由槽中 表面。沖洗流體接觸基材 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457525 五、發明說明( 份) 一搞合.至第一線性喷嘴的流體供應裝置; —第二線性喷嘴’其位於接近第一線性噴嘴,以致其 產生之乾燥蒸氣可影響由第一線性噴嘴噴出之流體而產 生馬氏乾燥效應; 一乾燥蒸氣源耦合至第二線性噴嘴·,及 一將基材在一可操作距離内通過第一及蔑-姑 夂米—線性嘴 嘴的機制,以致基材可以馬氏效應乾燥效果而乾燥之 、 可選擇的,第一及第二喷嘴可以第一及第二風扇式$嘴$ 性矩陣取代之。另一可選擇的,乾燥蒸氣可被動的供應/ 而不是經由至少一喷嘴。 ’ 本發明之喷嘴系統可與多個慣用或先進者共同使用 以進一步促進潔淨/沖洗量及系統的吐$ θ ^ ......._ 的生產量。在第-實施例 槽,—可操作耦合至槽之 車乙燦蒸氣源及一配置之、、中 洗流體源以當基材由槽中升起時^ , /r T 了供應沖洗流體至基絲 表面。沖洗流體接觸基材形成—+ # ^ a乳/基材/沖洗流體界 面,較佳為彎面形式。此乾燥茱痛呢 ’、巩源之設置為供應乾燥芪 氣至空氣/基材/沖洗流體界面,將私^ w &紐蒸氣朝向高於空氣/ 基材/沖洗流體界面之1 - 5 m m點虚 ,Λ
< °冲洗流體源及乾燥I 氣源較佳為包含風扇式喷嘴陣列劣 „„ _ ^ … 戌一單一線性噴嘴。然 而,此乾燥蒸氣源亦可包含一被動,塔 ^ ^ 原,如一充填乾燥流禮 之容器沿沖洗流體源至乾燥反應室 ^ 王間通道設置,以致乾 燥蒸氣擴散至空氣/基材/沖洗流體敦 ..._ 吸界面。此沖洗流體嘴嘴 第5贯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A<!規格(2]〇^97公坌) {猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ¾.---------------1 I,457 52 5
五、發明說明() 及乾燥流體噴嘴可沿基材之前侧及後側延伸,因而同時、.中 洗及乾燥基材的二面 乾燥蒸氣經由乾燥蒸氣喷嘴的主動供應可提供在乾 燥脅面的乾燥路氣的濃度上的嚴密控制 <>:.不.同"於其他浴义 -馬式效應乾燥機本發明提供新鮮沖洗流體的持續供 應’此不同於停滯之浴流體,且無乾燥蒸氣與之混合。因 此,本發明在乾燥彎面及殘餘仲洗流體流間經歷較大表面 張力梯度。此較大表面張力梯度促進馬氏效應乾燥的速 度。更詳言之,因為與浸潰基材相較,需要較少流體喷至 基材的全部表面,所以與慣用浴式馬式效應乾燥機相較, 使用沖洗流體噴嘴明顯減少流體消耗。 在一較佳實施例中’本發明潔淨/乾燥系統之生產量 經由二部份槽增進’其中第一部份用以接受及潔淨基材及 第二部份用以沖洗基材。潔淨槽之第一及第二部份為可流 體流動。一封密沖洗流體源及乾燥蒸氣源之乾燥包封物可 操作的鶴合至槽的第二部份上,以用以接受來自其之基 材。 , ,--「展--------訂 --------^-'-目_ f靖先閱磧背面之沒意事項再填寫本頁) 地 佳 較 以 緣 外 材 基 沿 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 部 起 部 一 升 一 第,第 之後之 槽然槽 在 。 至 梭份回 之部梭 材二後 基第然 之 , 支槽物 至密 材封 基密 遞乾 傳至 並材 材基 基一 1 第 第起 收升 接制 价機 同產 , 生 燥的 乾大 中較 物供 封提 包此 燥因 乾, 在份。 可部低 材 \ 降 基第的 一 的對 第槽相 , 淨上 中潔本 式入成 方載作 i 材操 此基在 在二 且 。 第 , 价時量 施 實 佳 較 列 下 由 可 點 優 及 徵 特 ' 的 目 他 其 之 明 發 本 貫 6 第 本紙張尺度適用中國國家標準(CN,S)A.丨規格(2ίϋ x 1^公藶) 45752S at [竹 五、發明說明() 經濟部智慧財產局員工消費合作社印4,1^ 例 、申請專利範園及所附圖式而 更完整的顯見 \ 圖 式簡箪說明: 第 1A圖為圖示本發明構形 之潔: 爭/乾燥系統的侧視圖; 第 1B圖為第1A圖之潔淨/乾燥; 手、統的前視圖; 第 1C圖為基材表面的特窝 圖, 用以描述本發明之乾燥操 作;及 第 2A-D圖第1 A及1B圖之 潔淨/乾燥系統的連續側面圖, 用以描述本發明之產量增 加。 圖 號對照說明: 11 潔淨/乾燥系統 13 槽 13 a 槽之潔淨部份 13b 槽之沖洗部份 15 基材梭 15a 基材棱的第一支撐面 15b 基材梭的第二支撐面 16a ,16b 第一對軌 17 升起機制 18a ,18b 第二對軌 19 包封物 19a 内壁 19 C 外壁 21 可密封部份 22 a,22b 可縮回定位銷 23 沖洗流體喷嘴 25 乾燥蒸氣喷嘴 27 2氣/基材/沖洗流體界 •面 3 1 控制器 S 基材 T 能量轉換器 M 弩面 第?頁 (請先閲讀背面之泫意事項再填寫本頁) n an 1 i n n n 一ni1 I fj n fl I n n — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21ϋ X 297公釐) 457525 Λ7 _____ _ B7 五、發明說明() 發明評細描產二一 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製
第丨A及1 B圖分別為本發明構成之一較佳潔淨/乾燥 系統Π之側視圖及前視圖<此較佳之潔淨/乾燥系統j } 包含一潔淨流體槽1 3。槽1 3包含二部份,—基材接受及 潔淨.部份13a及一基材沖洗部份13b。一基材棱15可操作 的耦合以承載基材s由基材接受及潔淨部价Π a至基材沖 洗部份1 3 b»基材棱1 5較佳為詨計為可支撐基材s垂直沿 如第1B圖所示的側面。因此,在槽13之基材沖洗部份 1 3 b内的升起機制1 7可在基材梭} 5之第一及第二支撐面 1 5 a,1 5 b間向上延伸,以在其間升起基材s。 在沖洗部份13b内永久裝設第一對軌道i6a,Ub,其 設置係於當升起機制1 7將基材S由基材支撐物1 5之及第 一及第二支撐面15a,15b升起時接受基材s。第二軌18&, 1 8 b為永久裝設在乾燥包封物I9内,且其設置係以接受來 自第一對軌16a ’ 16b之基材S。 乾燥包封物19為設置於槽13之基材沖洗部份丨外之 上’以致一基材可由基材沖洗部份l3b升起至乾燥包封物 1 9。乾燥包封物1 9由多個壁1 9a-e形成。外壁i9c具有〜 可密封部份2 1,基材s可經此處取出。乾燥包封物丨9之 内壁I 9a向下延伸以致部份浸入在槽1 3内之流體中。乾 燥包封物1 9可與槽一體成型或以外壁丨密閉轉合至槽 1 3。壁1 9a-e含有多個孔(未顯示)以排除蒸氣至排氣系统 (未顯示)中。 在乾燥包封物19内,設置一含有至少油:±、> Λ 叹〇 $王^冲洗说體噴嘴 第8頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)/V丨規格公穿 Λ7 457525 五、發明說明() 23之沖洗流體供應裝置以當基材s由基材沖洗耗⑴ 、-内升起時,橫過基材S之全部水平全幅_沖洗流體,同 時設置-含有至少乾燥蒸氣嘴嘴25之乾燥蒸氣供應裝置 以當基材S由基材沖洗部| 13b内升起時,橫過基材3之 全部水平全幅流動乾燥蒸氣。乾燥蒸氣喷嘴25之設置較 佳為可使乾燥蒸氣可在空氣/基材/沖洗流體界面27,如第 1C圖所示,被沖洗流體吸收。為了獲得此一吸收作用, 乾蒸氣流體杈佳在空氣/基材/沖洗流體界面2 7之丨-5 上擊衝基材s。且,如第I c圖所示T空氣/基材/沖洗流體 界面27較佳形成一彎面(如以虛線圓形⑽所圏起者),其 助於馬氏效應乾燥。 在乾燥包封物19内,設置第二對軌丨8a , i 8b以接觸 基材S之乾燥邵份(即已通過沖洗流體及乾燥蒸氣噴霧部 份),且因而由升起機制17接受基材s。可縮回定位銷 22a,22b在最高位置與基材接合,且固持基材s於_固定 位置’以致晶圊處理器(未顯示)可重複由乾燥包封物i 9 移除基材S。 沖洗流體喷嘴23及/或乾燥蒸氣喷嘴25耦合至一控 制器31,且控制器31為程式化以在當基材s之下半部過 時’經由選擇性的脫離在沖洗流體及/或乾燥蒸氣陣列内之 .最外噴嘴以保存沖洗流體及/或乾燥蒸氣。控制器31亦可 搞合至升起機制17、至定位銷22a、22b及至基材梭15, 且程式化以造成其之運作如參考第2A至2D圖進一步的描 述。 本紙張尺度迺用中國國家標準(CNS)A4規格(2⑴X 297公爱 I------. '衣--------訂---------線 kiu''}. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457525 Λ7 B7 經濟部智慧財產局_ Η消費合作社印奴 五、發明說明() 第2 A至2 D圖為第1圖之較佳潔淨/乾燥系統1 1的連 續側視围,其可用描述本發明之潔淨/乾燥系統U的操作 及因此:獲得之增加生產量^如第2A圖所示’基材梭1 5最 切位於槽1 3之基材接受及潔淨部份1 3 a内的縮回位置’ 且經由一晶圓搬運機(未顯示)降低基材3至基材梭15内。 基材S在基材接受及潔淨部份1 3 a經由至少一位於接 受及潔淨部份i3 a内的能量轉換器τ發出之兆聲波能量而 兆聲波潔淨之。為了促進基材s之全部表面皆均勻’基材 S可經由一轉子(未顯示)轉動。在基材S潔淨後’基材梭 15帶有基材3延伸至槽13之基材沖洗部份13b’如第2B 圖所示。 此升起機制1 7升起,接觸基材S之下緣及由流體中 緩慢升起基材S(第2C圖)。此基材S較佳在一低於或等於 沖洗流體流出彎曲Μ之尖端的垂直速率之速度升起。 當基材S達到槽流體的頂部,沖洗流體喷嘴2 3銜合 並開始喷灑沖洗流體,以致當基材S由浴中可與沖洗流體 迅速接觸’因此在達到乾燥蒸氣噴嘴2 5前未乾燥(即,經 蒸發作用)。控制沖洗流體喷霧的流動速率以預防沖洗流 體濺入或濺至乾燥蒸氣喷霧。 一里當基材S與沖洗流體喷嘴2 3相交,乾燥蒸氣喷 嘴25銜合並將乾燥蒸氣流體導向在基材s之表面上形成 尤沖洗流體彎面Μ -乾燥蒸氣由沖洗流體吸收’其降低沖 洗流體之表面張力並造成f面之馬氏效應流體流向沖洗 流體之主體。馬氏效應流體因而乾燥晶材表面而留下無紋 第10頁 本紙張仏賴相H辟(CNS)A.;規格297公;^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫木頁) 装 訂-------W. 457525 Λ7 B7 五、發明說明() 路、斑點及/或潔淨流體殘餘物的表面。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 當升起機制升起基材S至乾燥包封物19内時’基材 梭15之弟—及第二支撐面15a,15b及接著第一對軌16a, 16b 供沿基材s緣之穩疋接觸。在基材s脫離梭15之支 撐面1 5 a,.1 5 b後,梭返回槽1 3之接受及潔淨部份1 3 a, 且準備接受及潔淨下一基材。第一對軌道i6a,丨6b在空 氣/基材/沖洗流體界27下支撐基材s。當基材S進入乾燥 包封物19時,由第二對軌道I8a,18b引導及支撐基材S 之乾燥部份。在第一對軌道! 6a,丨6b及第二對軌道1 8a, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 b間之溝槽足以容受沖洗流體喷嘴2 3及乾燥蒸氣喷嘴 25,以致當基材遇到第二對軌道18a,18b時(即5-10 mm), 基材乾燥。升起機制17持續升起基材S以致其之底部可 通過乾燥彎面Μ(第2C圖)»當基材S位在固定銷22a,22b ..上3-5 mm時,控制器3 1釋離固定銷22a,22b。升起機制 17縮回,基材S與其一起降低直至基材由固定銷22a,22b 支撐,沖洗流體喷霧停止,且經由混合表面張力梯度及經 由藉一噴嘴(未顯示)施加至基材底部3 mm熱氮氣1至2 秒以脈衝而驅離殘餘沖洗流體。然後,基材S由乾燥包封 物19經可密封口 21卸載。固定銷22a,22b在一已知位 置固定基材S之Z-袖一致,以使卸載自動控制裝置可重複 取出基材S。 當基材沖洗且乾燥,沖洗流體由基材流至槽13 ’其接 合至槽流體及溢流至溢流管線(未顯示)。沖洗流體亦可持 續由槽頂部引入,且可經由一加熱器及過濾器回流。 第11頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Λ7 ί57525 五、發明說明() 如第2D圖顯示,在基材3 ,.,,,斤舉玍苐一對軌道丨以, 1 6 b的時間内,基材 _ ' 5。至基材接受及潔淨部份 弗一基材S2經由一晶圓處 ^ 梭15。味揸筮廿 里器(未顯市)載入基材 “: 《―基材S2經死聲潔淨,同時第二基材Sl 餘直至升起機制17縮回。若在接受及潔淨部份 1 :? a中之潔淨及沖漆含# 成第—基材S2準備移動至基材沖 洗部份13 b,同時第-A从c , 中—&材心由乾燥封閉物1 9經由可密 封口 21卸載。在此方式中,本發明之潔淨/乾燥系統1 1 之生產里增加,因為慣用槽系統所需之承載及卸載時間與 加工(潔淨、沖洗及乾燥)所需時間重疊。 兩述揭露僅為本發明之較佳實施例,前述之設備及方 法在本發明範疇内所進行之修飾為熟於此技人士巳可瞭 解的。事實上’雖然本發明在二部份槽上具有乾燥包封物 為較佳,但本發明潔淨、沖洗及乾燥方法可使用慣用槽進 行,且可以具有或不具有乾燥包封物者進行之。 潔淨流體可包含sCI、去離子水,戒一用於表面潔之 P h調整溶液等。包含在槽内或經由喷嘴喷霧之沖洗流體可
包含具或不具有腐姓抑制劑或其他溶刻等之去離子水,JL
乾燥蒸氣可包含任何當冷凝或吸附在沖洗流體表面(IPA 等)顯示具有低表面張力的蒸氣。若潔淨·流體不同於沖洗 流體’接受及潔淨部份1 3 a可密閉由沖洗部份1 3 b以一吁 密封閘分離,且潔淨流體可排出至一貯存容器(未顯示), 接受及潔淨部份1 3 a在開啟閘前以沖洗流體充填。離然# 較佳的,能量轉換器可省去,以使僅造沖洗及乾燥,或在 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)iV1規格(21ϋ X 297公髮 (請先閱讀背面之庄意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457525 Λ7 B7 五、發明說明() 槽1 3之第二部份1 3 b使用能量轉換器。能量轉換器雖顯 示沿槽底部設置,可在其他位置設置。最後,描述之梭及 升起機制僅為例示,其他此種機制為熟於此技人士已知 的。 因此,雖然本發明以較佳實施例描述,應瞭解其他屬 於本發明精神及範®壽之實施例,如在後附申請專利範圍中 界定者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '—^--------訂·--------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21ϋχ 297公t )

Claims (1)

  1. 45752B
    六、 ggD8第矜奶號郝丨案W年&月
    Ί. A Η 否 擎曰II 。之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 一種沖洗及乾燥基材之設備’該設備至少包含: 一流體搢,用以至少部份浸入一基材; —升起機制,其可操作的耦合至槽以由流體中升起 一基材; 一沖洗流體源,其設置係當升起機制由潔淨流體中 升起基材時供應沖洗流體至基材表面,其中沖洗流體接 觸基材,因而形成空氣/基材厂冲洗流體界面;及 一乾燥蒸氣源,其設置以供應乾燥蒸氣至空氣/基材 /沖洗流體界面。 2 ·如申諳專利範圍第I項所述之設備,其中沖洗流體源包 含至少一喷嘴且擴展至基材全幅,以致於沖洗流體噴霧 可濕潤基材表面在空氣/基材/沖洗流體界面及其之下的 每一部份β 3 ·如申請專利範園第2項所述之設備,其中沖洗流體源包 含至少一喷嘴陣列,以致於沖洗流體喷霧可濕潤基材表 面在空氣/基材/沖洗流體界面及其之下的每一部份》 4 ·如申請專利範圍第3項所述之設備,其進一步包含一控 制器可操作的耦合至噴嘴陣列,以致在陣列中的多個喷 嘴可獨立開啟及關閉。 5.如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該槽包含: 第14頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS)A4規格(210 x 297公釐) 請 先閲 讀 背 Sj 之 注 意 事 項 再 填' 寫 頁 裝 訂 457525 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 一第一部份,用以接受及潔淨一基材;及 一第二部份,用以可操作的耦合至第一部份以沖洗 基材。 6_如申請專利範圍第5項所述之設備,其中該設備進一步 包含一乾燥包封物,其可操作的耦合至槽第二部份之 上,用以由其接受基材,其中乾燥包封物封入沖洗流體 源及乾燥蒸氣源。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之設備’其中該第一及第二 部份為水平相鄰;且其中該設備更包含一基材梭’其係 可操作的耦合於槽内以在第一部份接受基材,且用以移 動基材至第二部份。 8 -如申請專利範圍第7項所述之設備,其更包含: 一升起機制,用以由基材梭升起基材至乾燥包封 物。 9.如_請專利範圍第8項所述之設備’其更包含一機制以 適於固定晶圓於固定位置。 I 0,如申請專利範圍第6項所述之設備’其中乾燥包封物更 包含一具有可密封開口之侧壁用以基材的取出° 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------t· — —----線 J r . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 457525
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申清專利範圍 .種用以潔淨、沖洗及乾燥一基材之方法,該方法至少 包含下列步驟: 至少部份浸入一第一基材至一流體槽中; 由流體中升起第一基材; 當第—基材升起時在第一基材表面上喷灑沖洗流 體,因而形成空氣/基材/沖洗流體界面;及 供應乾燥蒸氣至空氣/基材/沖洗流體界面之步驟包 士在空氣/基材/沖洗流體界面供應可與沖洗流體互溶而 吸收的乾燥蒸氣’其具有比沖洗流體之表面張力低之表 面張力’因而產生馬氏效應流體;及 當基材由沖洗流體噴霧中升起時,馬氏效應乾燥第 一基材之表面。 1 2,如申請專利範圍第! 1項所述之方法,其中乾燥蒸氣為 .主動供應至空氣/基材/沖洗流體界面。 13·如申請專利範圍第η項所述之方法,其中在第—基材 表面上噴灑沖洗流體包含控制一沖洗流體噴嘴陣列,以 致於其之最上的喷嘴可在基材全幅通過後關閉。 1 4. 一種潔淨、沖洗及乾燥基材之方法’其至少包含下列步 驟: 提供一第一部份及一第二部份之流體槽; 至少部份浸入一第一基材至槽之第一部份中; . 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐> · -------------訂---------線} 一 - (請先閲讀背面之注意事項再f寫本頁) 457525 A8 B3 C8 D8 dj-ΜΠ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 在槽之第一部份潔淨第一基材; 由槽之第一部份經由一梭移動第一基材至槽之第二 部份; 由槽之第二部份中升起基材至一乾燥區域; 在第一基材由梭上脫離後,將梭回至槽之第β部 份; 當第一基材升起時在第一基材表面上噴灑沖洗流 體’因而形成空氣/基材/沖洗流體界面; 當第一基材升起時供應乾燥蒸氣至空氣/基材/沖洗 流體界面: 在槽之第一部份接受一第二基材; 在槽之第一部份潔淨第二基材; 固定第·一基材於用以由乾燥區域取出之位置; 將第二基材移動至槽之第二部份:及 由乾燥區域取出第一基材; 其中潔淨、乾燥及移動第二基材至少之一的時間與 至第一基材升起與取出之時間重叠。 15.如申請專利範圍第14項所述之方法, 其中供應乾燥蒸 氣至空氣/基材/沖洗流體界面之步騾包含在空氣/基材 沖洗流體界面供應可與沖洗流體互汝^ ^ > '合而吸收的乾燥蒸 、 氣,其具有比沖洗流體之表面張力低女 & <表面張力,因而 產生馬氏效應流體;及 當基材由沖洗流體喷霧中升起時,1 ^ 馬氏效應乾燥第- 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁Ϊ ,裝---- •lneJ«III — 線、 457525 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員1消費合作社印製 六、申請專利範圍 一基材之表面。 1 6. —種乾燥基材之設備,該設備至少包含: 一第一線性噴嘴; 一耦合至第一線性喷嘴的流體供應裝置; 一第二線性喷嘴,其位於接近第一線性喷嘴,以致 其產生之乾燥蒸氣可影響由第.一線性喷嘴噴出之流體 而產生馬氏乾燥效應; 一乾燥蒸氣源耦合至第二線性喷嘴;及 一將基材在一可操作距離内通過第一及第二線性嘴 嘴的機制,以致基材可以馬氏效應乾燥效果而乾燥之。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之設備,其中該第二線性喷嘴 平行於第一線性噴嘴。 1 8.如申請專利範圍第I 6項之設備,其中該第一線性喷嘴 包含一噴嘴且擴展至基材全幅,以致沖洗流體喷霧可濕 潤基材全幅之每一部份 1 9.如申請專利範圍第1 6項之設備,其中該第一線性喷嘴 包含一喷嘴且擴展至基材幅徑,以致沖洗流體喷霧可濕 潤基材幅徑之每一部份。 20. —種乾燥基材之設備,該設備至少包含: - 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------1 ------------丨訂·1 丨丨丨 I---- - ,· (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 57 5 25 el C8 D8 六、申請專利範圍 一第一風扇式喷嘴陣列,其擴展至少基材之幅徑; 一耦合至第一風扇式噴嘴陣列的流體供應裝置: 一第二風扇式噴嘴陣列,其位於接近第一風扇式喷 嘴陣列,以致其產生之乾燥蒸氣可影響由第一喷嘴喷出 之流體而產生馬氏乾燥效應; 一乾燥蒸氣源耦合至第二風扇式喷嘴陣列:及 一將基材在一可操作距離内通過第一及第二風扇式 噴嘴陣列的機制,以致基材可以馬氏效應乾燥效果而乾 燥之。 2 1.如申請專利範圍第2〇項之設備,其更包含一控制器可 操作的耦合至風扇式噴嘴陣列,以致在陣列中的多個噴 嘴可獨立開啟及關閉,其中第一及第二陣列擴展至基材 全幅<» 2 2,一種乾燥基材的方法,其至少包含下列步驟: 在基材表面由一第一線性噴嘴喷灑一流體; 由一位於接近第一線性噴嘴之第二線性噴嘴噴灑乾 燥蒸氣至基材表面,以致乾燥蒸氣可影響由第—線性嘴 嘴喷出之流體而產生馬氏乾燥效應; 在可操作距離内相對第一及第二線性噴嘴移動基 材’以致基材可以馬氏效應乾燥效果而乾燥之„ 23.如申請專利範圍第22項之方法,其中在基材表面由一 第19頁 尺度適用中_規格⑽χ视 )-- -- ------------\/^ --------^--------- - - <請先閱讀背面之沒意事項再填窝本頁) > '4575 20 A8 B8 CS D8 六、申請專利範園 流體,其包含 第一線性喷嘴噴灑一 幅。 ;燕潤基材表面的全 甲請專利範圍 25 之方法,其中相對第一第一 線性噴嘴移動基材,其包含維 ί第及弟一 維持弟一及第二線性喷嘴不 動,而移動基材通過。 .如申請專利範圍第22項之方法,其中相對第一及第二 線性噴嘴移動基材,其包含維持基材不動,而移動第— 及第二線性噴嘴通過β 2 6’種乾燥基材的方法,其至少包含下列步驟: 噴灑一流體線至一基材,因而在基材上形成空氣/流 體界面線; 噴灑一乾燥蒸氣線至空氡/流體界面線,以致沿空氣 /流體界面線產生馬氏乾燥效應;及 相對2氣/流體界面線移動基材a 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之方法,其中噴灑一流體線包 含由多個風扇式噴嘴噴灑流體。 28.—種沖洗及乾燥一基材之設備,該設備至少包含: 一流體槽,用以至少部份浸入/基材,其中該槽包 含一第一部份及一第二部份,其中該第一部份用以接收- 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS}A4規格(210 X 297公釐) ----------裝--------訂 ---------線J (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 7 5 2 5 B8 08 D8 六、申請專利範圍 及潔淨一基材,而該第二部份用以可操作的耦合至第一 部份以沖洗基材,且該第一及第二部份在水平上係為相 鄰之部份; 一升起機制,其可操作的耦合至槽以由流體中升起 一基材: 一沖洗流體源,其設置係當升起機制由潔淨流體中 升起基材時供應沖洗流體至基材表面,其中沖洗流體接 觸基材,因而形成空氣/基材/沖洗流體界面,其中該沖 洗流體源振展至基材全幅’並至少包含一喷嘴陣列,以 致於一沖洗流體噴霧可濕潤基材表面在空氣/基材/沖洗 流體界面及其之下的每一部份; 一乾燥蒸氣源,其設置以供應乾燥蒸氣至空氣/基材 /沖洗流體界面;及 基材梭’在操作時可镇合在該槽之内,以將該基 材接收至該第一部份之内,並可用以將該基材運送至該 第二部份。 29. 如申請專利範圍第6項所述之設備,其更包含: 一升起機制,用以將該基材梭上之基材舉起,並送 至該乾燥包封物》 30. 如申請專利範圍第8項所述之設備,其更包含一可將晶 圓固定於一固定位置之機制。 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準格(21〇 x 297 g ) ------------yM--------訂---------線J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 457525
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 31.如申請專利範園第6項所述之設備’其卡該乾燥包封物 更包含一具有可密封開口之侧壁,以使該基材得以取 出。 3 2 —種沖洗及乾燥一基材之設備,該設備至少包含: 一流體槽,用以至少部份浸入一基材,其中該槽包 含一第一部份及~第二部份,其中該第一部份用以接收 及潔淨一基材,而該第二部份則在水平上與該第一部份 相鄰; 一升起機制,用以從該槽之第二部份將該基材黎 起。 33.如申諳專利範圍第28項所述之設備,其中更包含一基 材梭,該基材梭在操作時可耦合在該槽之内,以將該基 材接收至該第一部份之内’並可用以將該基材運送至該 第二部份。 34. 如申請專利範圍第28項所述之設備,其中更包含: 一乾燥蒸氣源’其設置以供應乾燥蒸氣至一空氣/基 材/沖洗流體界面,其中該界面係在該基材為該升起機 制從該槽之第二部份舉起時所建立的。 35. —種沖洗及乾燥一基材之方法,該方法至少包含: 至少部份將一基材浸入一流體槽之一第一部修中;. 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x297公釐〉 —~*- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- 訂---------. 457525 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 及 升起該基材,從該流體槽之一第二部份升起,其中 該第二部份在水平向與該第一部份相鄰。 36·如申請專利範圍第蜂之方法,其中更包免從該 流體槽之第一部份將該基材運送至該流體槽之第二部 份的步驟。 37.如申請專利範圍第3 1項所述之方法,其中更包含供應 乾燥蒸氣至一空氣/基材/流體界面之步驟,其中該界面 係在該基材從該流體槽之第二部份舉起時建立的。 n n I n n n n u ϊ I » I 1— I n n f— rt w IP*. l n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -!線 經濟部智慧財產局員1消費合作社印製 第23頁 本紙張尺度適用尹國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW089102872A 1999-03-26 2000-02-18 Apparatus for cleaning and drying substrates TW457525B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/280,118 US6328814B1 (en) 1999-03-26 1999-03-26 Apparatus for cleaning and drying substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW457525B true TW457525B (en) 2001-10-01

Family

ID=23071760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089102872A TW457525B (en) 1999-03-26 2000-02-18 Apparatus for cleaning and drying substrates

Country Status (5)

Country Link
US (5) US6328814B1 (zh)
EP (1) EP1039506B1 (zh)
JP (2) JP2000306881A (zh)
DE (1) DE60032654T2 (zh)
TW (1) TW457525B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107210249A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 基板冲洗系统及方法
TWI645915B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 基板溼處理裝置

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3174038B2 (ja) * 1999-01-18 2001-06-11 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US6539960B1 (en) * 2000-05-01 2003-04-01 United Microelectronics Corp. Cleaning system for cleaning ink in a semiconductor wafer
ATE452419T1 (de) * 2000-06-27 2010-01-15 Imec Verfahren und vorrichtung zum reinigen und trocknen eines substrats
US6555017B1 (en) * 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect
DE10122669A1 (de) * 2001-05-10 2002-12-12 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten
US6858091B2 (en) * 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
CN101499413B (zh) * 2001-11-02 2011-05-04 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US7513062B2 (en) 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US20070272657A1 (en) * 2001-12-07 2007-11-29 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US20070079932A1 (en) * 2001-12-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Directed purge for contact free drying of wafers
US20080000495A1 (en) * 2001-12-07 2008-01-03 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US20090029560A1 (en) * 2001-12-07 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US6726848B2 (en) 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20030211427A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for thick film photoresist stripping
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040050408A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Christenson Kurt K. Treatment systems and methods
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
US20050022930A1 (en) * 2003-04-17 2005-02-03 Yoshihiro Moriguchi Substrate treatment apparatus, substrate treatment method and substrate manufacturing method
KR100585091B1 (ko) * 2003-06-12 2006-05-30 삼성전자주식회사 펌프 이상을 예측할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 방법
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
DE10359320A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-21 Scp Germany Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
US20060011222A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for treating substrates
US20060035475A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus
JP2006100717A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法およびその装置
US20060201532A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning system
WO2007047163A2 (en) 2005-10-04 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
JP4683222B2 (ja) * 2006-02-20 2011-05-18 株式会社東京精密 ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法
US7997289B1 (en) * 2006-10-03 2011-08-16 Xyratex Technology Limited Methods of and apparatus for cleaning and conveying a substrate
US20080156360A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Horizontal megasonic module for cleaning substrates
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
US7980000B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US20080236615A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Mimken Victor B Method of processing wafers in a sequential fashion
US20090217950A1 (en) * 2008-03-03 2009-09-03 Multimetrixs, Llc Method and apparatus for foam-assisted wafer cleaning
US20090241998A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Multimetrixs, Llc Apparatus for foam-assisted wafer cleaning with use of universal fluid supply unit
US20090320875A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Dual chamber megasonic cleaner
JP5206792B2 (ja) * 2008-09-12 2013-06-12 富士通株式会社 ソフトウェアパッチ適用方法、プログラム及び装置
KR101421752B1 (ko) * 2008-10-21 2014-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8002901B1 (en) 2009-01-15 2011-08-23 Wd Media, Inc. Temperature dependent pull speeds for drying of a wet cleaned workpiece
JP5140641B2 (ja) * 2009-06-29 2013-02-06 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理装置
US9222194B2 (en) * 2010-08-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Rinsing and drying for electrochemical processing
TWI564988B (zh) 2011-06-03 2017-01-01 Tel Nexx公司 平行且單一的基板處理系統
US8869422B2 (en) * 2012-04-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for marangoni substrate drying using a vapor knife manifold
US9728428B2 (en) * 2013-07-01 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Single use rinse in a linear Marangoni drier
JP6317580B2 (ja) * 2013-12-03 2018-04-25 山本 栄一 半導体装置の製造方法
US9984867B2 (en) * 2014-12-19 2018-05-29 Applied Materials, Inc. Systems and methods for rinsing and drying substrates
US20160178279A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Applied Materials, Inc. Substrate edge residue removal systems, apparatus, and methods
US9352471B1 (en) 2015-01-21 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Substrate gripper apparatus and methods
JP6489524B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10273577B2 (en) 2015-11-16 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US9859128B2 (en) 2015-11-20 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Self-aligned shielding of silicon oxide
US9875907B2 (en) 2015-11-20 2018-01-23 Applied Materials, Inc. Self-aligned shielding of silicon oxide
CN106140679B (zh) * 2016-03-27 2018-10-23 广东世创金属科技股份有限公司 复合式一体结构清洗烘干机
US10828682B2 (en) 2017-02-22 2020-11-10 Hardwood Line Manufacturing Co. Immersion/spray rinse system and methods of use
US10074559B1 (en) 2017-03-07 2018-09-11 Applied Materials, Inc. Selective poreseal deposition prevention and residue removal using SAM
US11430672B2 (en) 2019-03-04 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Drying environments for reducing substrate defects
JP7281925B2 (ja) * 2019-03-07 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US11699595B2 (en) 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
WO2022187093A1 (en) 2021-03-03 2022-09-09 Applied Materials, Inc. Drying system with integrated substrate alignment stage
US11654460B2 (en) 2021-10-21 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Megasonic clean with cavity property monitoring

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868272A (en) * 1973-03-05 1975-02-25 Electrovert Mfg Co Ltd Cleaning of printed circuit boards by solid and coherent jets of cleaning liquid
US4647266A (en) 1979-12-21 1987-03-03 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
US4569695A (en) * 1983-04-21 1986-02-11 Nec Corporation Method of cleaning a photo-mask
US4534314A (en) 1984-05-10 1985-08-13 Varian Associates, Inc. Load lock pumping mechanism
US4548699A (en) 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
US4984597B1 (en) 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4778532A (en) 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4633893A (en) 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4911761A (en) 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4790155A (en) 1986-11-18 1988-12-13 Burlington Industries, Inc. Replaceable fluid dye applicator for inert-blanketed regions
NL8900480A (nl) 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5045120A (en) * 1989-03-06 1991-09-03 Electrovert Ltd. Method for cleaning electronic and other devices
US4977688A (en) 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US5115576A (en) 1989-10-27 1992-05-26 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
NL9000484A (nl) 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
JPH0418436U (zh) * 1990-06-06 1992-02-17
US5082518A (en) 1990-10-29 1992-01-21 Submicron Systems, Inc. Sparger plate for ozone gas diffusion
US5205303A (en) * 1990-12-06 1993-04-27 Electrovert Ltd. Liquid cleaning process and apparatus for circuit boards and the like
US5186192A (en) 1990-12-14 1993-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for cleaning silicon wafer
JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5154730A (en) 1991-05-17 1992-10-13 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module
US5215420A (en) 1991-09-20 1993-06-01 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system
JP2727481B2 (ja) * 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
US6391117B2 (en) * 1992-02-07 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning
US5555981A (en) 1992-05-26 1996-09-17 Empak, Inc. Wafer suspension box
JPH06459A (ja) 1992-06-19 1994-01-11 T H I Syst Kk 洗浄乾燥方法とその装置
US5372652A (en) 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5489341A (en) 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
KR100390293B1 (ko) 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
US5575079A (en) 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JP3126858B2 (ja) * 1993-10-29 2001-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置
JP3102826B2 (ja) * 1993-11-08 2000-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5524654A (en) 1994-01-13 1996-06-11 Kabushi Gaisha Ishii Hyoki Etching, developing and peeling apparatus for printed board
JPH07249605A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
DE4413077C2 (de) 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5542441A (en) 1994-08-03 1996-08-06 Yieldup International Apparatus for delivering ultra-low particle counts in semiconductor manufacturing
US5967156A (en) 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US5849104A (en) 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US6158446A (en) 1994-11-14 2000-12-12 Fsi International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5571337A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5958146A (en) 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US5772784A (en) 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5601655A (en) * 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
US5593505A (en) 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5762749A (en) 1995-07-21 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for removing liquid from substrates
JP3333830B2 (ja) * 1995-07-27 2002-10-15 株式会社タクマ 基板のリンス及び乾燥の方法及び装置
JPH1022257A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Tokyo Electron Ltd 乾燥処理装置
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US6286688B1 (en) 1996-04-03 2001-09-11 Scp Global Technologies, Inc. Compliant silicon wafer handling system
JP3470501B2 (ja) * 1996-04-24 2003-11-25 ソニー株式会社 半導体ウエハ遠心乾燥方法
US6004399A (en) 1996-07-01 1999-12-21 Cypress Semiconductor Corporation Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers
JPH1022249A (ja) * 1996-07-01 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 電解イオン水洗浄装置
JPH1022256A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法
KR100195334B1 (ko) 1996-08-16 1999-06-15 구본준 세정장치
US6041938A (en) 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
JPH10106918A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
US6045624A (en) 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US5942037A (en) 1996-12-23 1999-08-24 Fsi International, Inc. Rotatable and translatable spray nozzle
JPH10189528A (ja) 1996-12-27 1998-07-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US6350322B1 (en) * 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6068002A (en) 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
JP3937508B2 (ja) * 1997-05-22 2007-06-27 株式会社Sumco 半導体基板の洗浄装置
JPH10335298A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP3156074B2 (ja) * 1997-06-13 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理装置
JP3156075B2 (ja) * 1997-06-27 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
JP4001662B2 (ja) * 1997-06-27 2007-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法
JP3550277B2 (ja) * 1997-07-24 2004-08-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5884640A (en) 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
US5928432A (en) * 1997-09-22 1999-07-27 Lucent Techologies Inc. Method for cleaning electronic components
US6119706A (en) * 1997-09-22 2000-09-19 Lucent Technologies Inc. Apparatus for cleaning electronic components
US5807439A (en) 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
US6068441A (en) 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JPH11176798A (ja) 1997-12-08 1999-07-02 Toshiba Corp 基板洗浄・乾燥装置及び方法
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6083566A (en) 1998-05-26 2000-07-04 Whitesell; Andrew B. Substrate handling and processing system and method
US6273100B1 (en) * 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6264036B1 (en) 1998-10-09 2001-07-24 Scp Global Technologies, Inc. Process cassette
AU1321300A (en) 1998-10-26 2000-05-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning objects using dilute ammonium bearing solutions
US6045621A (en) 1998-10-26 2000-04-04 Scd Mountain View, Inc. Method for cleaning objects using a fluid charge
US6199564B1 (en) 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US6148833A (en) 1998-11-11 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Continuous cleaning megasonic tank with reduced duty cycle transducers
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6220259B1 (en) 1998-11-11 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Tank design for sonic wafer cleaning
US6098643A (en) 1998-11-14 2000-08-08 Miranda; Henry R. Bath system for semiconductor wafers with obliquely mounted transducers
US6256555B1 (en) 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
JP2000173962A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Sony Corp ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
US6230406B1 (en) 1999-01-11 2001-05-15 Electric Motion Company, Inc. Flexible bond harness and manufacturing method therefor
JP3174038B2 (ja) * 1999-01-18 2001-06-11 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6098741A (en) 1999-01-28 2000-08-08 Eaton Corporation Controlled torque steering system and method
JP2000243807A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6245250B1 (en) 1999-03-05 2001-06-12 Scp Global Technologies Inc. Process vessel
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6095741A (en) 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
JP3708742B2 (ja) 1999-03-30 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6575177B1 (en) 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US6799583B2 (en) 1999-05-13 2004-10-05 Suraj Puri Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
JP2001017930A (ja) 1999-07-08 2001-01-23 Dan Kagaku:Kk 基板の洗浄方法及びその装置
US6468362B1 (en) 1999-08-25 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6192600B1 (en) 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
WO2001026144A1 (en) 1999-10-01 2001-04-12 Fsi International, Inc. Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
US6395101B1 (en) 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6530388B1 (en) 2000-02-15 2003-03-11 Quantum Global Technologies, Llc Volume efficient cleaning systems
US6401353B2 (en) 2000-03-08 2002-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate dryer
ATE452419T1 (de) 2000-06-27 2010-01-15 Imec Verfahren und vorrichtung zum reinigen und trocknen eines substrats
US6558477B1 (en) 2000-10-16 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas
US20020121289A1 (en) 2001-03-05 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Spray bar
US6578369B2 (en) 2001-03-28 2003-06-17 Fsi International, Inc. Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
JP3535853B2 (ja) 2001-09-18 2004-06-07 エム・エフエスアイ株式会社 基板の支持固定具、及びこれを用いた基板表面の乾燥方法
US7513062B2 (en) 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
CN101499413B (zh) 2001-11-02 2011-05-04 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US6704220B2 (en) 2002-05-03 2004-03-09 Infineon Technologies Ag Layout for thermally selected cross-point MRAM cell
US6875289B2 (en) 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040200409A1 (en) 2002-12-16 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with integrated vertical marangoni drying
US20040129297A1 (en) 2003-01-03 2004-07-08 Settlemyer Kenneth T. Method and system for reducing effects of halfpitch wafer spacing during wet processes
US7244315B2 (en) 2003-06-27 2007-07-17 Fsi International, Inc. Microelectronic device drying devices and techniques
CN1842900A (zh) 2003-07-31 2006-10-04 Fsi国际公司 非常均匀的氧化物层、尤其是超薄层的受控生长
JP4179228B2 (ja) 2004-05-31 2008-11-12 ぺんてる株式会社 ボールペンチップ
US20060124155A1 (en) 2004-12-13 2006-06-15 Suuronen David E Technique for reducing backside particles

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107210249A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 基板冲洗系统及方法
CN107210249B (zh) * 2014-12-19 2020-09-18 应用材料公司 基板冲洗系统及方法
TWI645915B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 基板溼處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060260653A1 (en) 2006-11-23
US20070272278A1 (en) 2007-11-29
JP2000306881A (ja) 2000-11-02
JP2010153888A (ja) 2010-07-08
EP1039506A3 (en) 2001-05-23
EP1039506B1 (en) 2007-01-03
US20040055625A1 (en) 2004-03-25
US6746544B2 (en) 2004-06-08
US7718011B2 (en) 2010-05-18
US7252098B2 (en) 2007-08-07
US20020074023A1 (en) 2002-06-20
DE60032654T2 (de) 2007-10-04
US6328814B1 (en) 2001-12-11
DE60032654D1 (de) 2007-02-15
EP1039506A2 (en) 2000-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW457525B (en) Apparatus for cleaning and drying substrates
JP3448613B2 (ja) 乾燥装置
JP6331961B2 (ja) 基板液処理装置
JP3786549B2 (ja) 半導体湿式エッチング装置
JP4875173B2 (ja) 基板保持装置及び基板保持方法
WO2005015625A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TW201118935A (en) Substrate treating device and method
JPH1126423A (ja) 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
JP2007274003A (ja) 基板保持装置、基板処理装置及び基板保持装置への基板着脱方法
KR101055465B1 (ko) 기판 처리법 및 기판 처리 장치
JP4202934B2 (ja) 塗布装置
TW504739B (en) Developing processing apparatus and developing processing method
US20010045223A1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method of using the same
JP4007980B2 (ja) 基板乾燥方法及び基板乾燥装置
JPH07308642A (ja) 基板表面乾燥装置
JP4617504B2 (ja) 洗浄装置
JP2019186376A (ja) ガラス物品の乾燥方法
JP3237386B2 (ja) 洗浄・乾燥方法と洗浄装置
TWI223850B (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP3707026B2 (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2006080420A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
JP2588524Y2 (ja) 基板の純水引上げ乾燥装置
JP3869613B2 (ja) 基板処理装置
JP2638628B2 (ja) 洗浄装置
KR19980030458A (ko) TFT(Thin Film Transistor) LCD(Liquid Crystal Displayer)용 글라스(Glass)의 자동 에칭(Etching)장치 및 에칭방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent