TW440736B

TW440736B - Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof

Info

Publication number: TW440736B
Application number: TW087117152A
Authority: TW
Inventors: Joo-Hyoung Lee; Dong-Gyu Kim; Woon-Yong Park
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1997-10-14
Filing date: 1998-10-14
Publication date: 2001-06-16
Also published as: US7139044B2; US20100181572A1; US20020101547A1; US7710506B2; US20070064165A1; US7986379B2; US6587160B2; US20030210359A1

Description

440736 五、發明說明（1) 發明背景 (a)發明之領域制本發明係關於液晶顯示器（本文以下參照為LCD)及其〜法’更特別者’係關於供於LCD與其製法之中被提供以防止靜電玫電之電路。 C b )相關技藝之敘述液晶顯示器’係一種平面顯示器（FPD)，包含兩片具有透明電極之基材及一液晶層夾於兩基材之間。於液晶顯示器中’透過光係藉改變施加於液晶層之電壓而予以控制。在LCD之薄膜電晶體（TFT)基材上，彼此交錯之N閘極線與Μ數據線，在Nxm矩陣中定義凶了多個圖素。每一圖素中形成一個圖素電極且圖素電極經由諸如TFΤ之開關袭置被連接至閘極與數據線。根據傳送經過閘極線之掃描信號狀態’ TFT控制傳送經過數據線之顯示信號。大多數LCD之製程係在玻璃基材上實施。因為玻璃基材不導電，故突然在基材上形成之電荷無法予以擴散。此可能引起絕緣膜或TFTs被靜電放電所破壞。於LCD製程中，因為在組合TFT基材與彩色濾光膜基材之步驟被完成後所產生之靜電電荷，即使電荷為小量也會引起高電壓，而降低基材品質。此外，因為靜電電荷通常係產生於切割基材步驟期間，然後經由閘極與數據襯墊流動入具有圖素區域之主動區域，TFTs之通道接近襯墊而變得易於被靜電放電所破壞。圖1顯示被靜電放電所破壞之傳統LCD基材之配置圖。如

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第5頁 44 07 ^ Γ 五、發明說明（2) 圊所示’ LCD面板包含TFT基材1 〇與彩色濾光臈基材20。形成襯墊以連接TFT基材1〇之每一電線至驅動電路之襯墊區域30 ’與實際顯示影像之主動區域4〇，於TFT基材1 〇之上予以分離開形成。於主動區域40内之線50以實例說明因遭損壞之TFT區域而具有某些缺陷之圖素。若靜電電荷產生於襯墊區域3〇且朝主動區域40内移動’位於襯墊附近之TFTs通道，會被破壞，或通道之品質會惡化。惡=之TFT如圖2所示。如圖所示，閘極線6〇與數據線8〇相互父錯，且閘極電極6丨之邊緣自閘極線6〇延伸重疊於自數據線80延伸而來之源極電極8]_之末端。閘極電極61之與源極電極8 1相重疊邊緣之對向邊緣與汲極電極μ重疊。— :„70形成於閘極電極61、源極電测與汲極電極 8 2之重豐部份之上。若靜 8 2與閘 8 2之間為限被應用其不可路線被於製信號至著*主電電荷進入由半導體薄膜7〇、源極與汲極電極81座所組成之m，介於源極與没極電極81與 .i生放電，因而破壞半導體薄膜^ 1連接全部金屬導線之短路線廣二入：电電何。然而’於電氣電荷量大之場合， ::::防止靜電放電所引起之破壞。另外，在短、Α且右後，不可能防止靜電電荷進入基材令。短路線之目視顯示測試之後？：猎把加測試皮切割成個別之㈣基材1晶材料被注入於

440736 五、發明說明（3) 基材之間’且注入孔被封合。短路移去。於另一目視顯示測試時，不直接地接觸至每一襯墊被施加於鄰電路被貼附至LCD面板。如以上所述，因為短路線在切斷去’在移除短路線之步驟後防止靜不，。另外’因為偏光片藉利用短於每一導線之簡單測試之後才被貼可能性被貼附在遭破壞之LCD面板上後續測試中被檢測出’伴隨昂貴偏光棄’因為增加了 LCD之整體製造誠本發明之概要本發明之目的係提供基材具備防止之液晶顯示器。本發明之另一目的係提供一液晶顯在將短路線移去之後進入基材，因此本發明之另一目的係提供一液晶顯 LCD面板被防止免於遭靜電放電破壞本降低。為達成上述目的，本發明提供一液 TFT基材之導線所產生之靜電電荷消β 路’與將靜電電荷充電並將之消除之成於TFT基材上。 ‘、 -在切割基材之步驟被測試信號藉使用探針 •之數據線，然後驅動 .材之同一步驟時被移電何以保護基材即為線在單一信號被施加 ’偏光片甚至有高度。若遭破壞之面板在片之面板必須予以廢示器其防止靜電電荷使圖素缺陷達最少示器之製法，其中，同時使LCD之製造成晶顯示器，其中將在 $之多個放電誘發電靜電充電電路，被形

f-· 44〇736 —---- 五、發明說明（4) 帝Ϊ ^誘發電路包含使兩相鄰接導線與彼此相連接之開極二二=聯連接之多個TFTs，與兩個電容器，連接至打丁5之 5二Ϊ極之電極與連接至相鄰接導線之另一電極°因為多在導電路被並聯連接於鄰接導 '線之Μ，若靜電電荷了' 生’放電會產生於TFTs之放電誘發電路中且介 ^ 之源極與汲極電極間誘發出高電壓電流。此巨大電 :在，變為焦耳（j ou 1 e)熱能後喪失了其強度。所以，於 /道:域内之TFTs被保濩免於遭受靜電放電，其亦可能將產生之靜電電荷予以分散。被形成之放電誘發電哭吏FT串聯連接至介於每一導線與共同電極間之電容 σσ 〇於另一樣態。放電誘發電路可包含？1?1，分別連接至相同導線之間極電極與汲極電極，與連接至一 Φ -ix * 日且V綠足你徑％極及形成於導線與汲極電極之電容器。包含電阻器與串聯連接於數據線與暫置間極線間之，容器；與連接於數攄線之鄰接數據線與電容器間^ ^ 一電阻器’之供分散靜電電荷之電路可被使用以 ^ 誘發電路。 s π电靜$充電電路包含形成於使TFT基材與對應基材彼此相互組合之封合材料外側之第一靜電充電電路，與形合材料内側之第二靜電充電電路。第一靜電充電電i右彼此串聯連接兩個鄰接導線之兩個電容器。多個第一充電電路可並聯連接至鄰接之導線。供防止靜電冷；-主動區域内之第二靜電充電電路，包含形成於每〜導線與

C:\ProgramFiles\patent\55434.ptd 第 8 頁 44 0736 五、發明酬⑸ ' '' —---- 共同電極間之電容器。t容器包含一額外對應之連接至共同電極與導線之電極。才目當於導線之數據線之對應電極由使用以製造數據線之金屬製得，且相當於導線之閘極線之對應電極由利用以製造閘極線之金屬製得。第一與第二靜電充電電路使在導線所產生之靜電電荷充電並移除。為保護TFT基材使其不遭受靜電電荷，形成於TFT基材上之連結全部導線之短路線被形成於基材之切割線之内。因為在T F T基材被分割成多個L c 面板之後短路線依然留存在基材上’其仍然有可能使TFT基材受到短路線所保護。為保護LCD使不遭受在製程中所產生之靜電電荷，一 TFT與導線形成於基材上之靜電龙電保護電路，短路線被形成於之切割線之内，且基材被切割分離成多個T f τ基材。接著，個別之LCD面板形成且短路線藉邊緣研磨被移去。在藉施加測試信號至每一導線以實施目視顯示品質測試之後’偏光片被貼附在無缺陷被檢測得之LCD面板上。然後驅動電路被連接至LCD面板。於LCD之製法中，有可能保護LCD面板免於遭受於製造期間所產生之靜電電荷，因為切割基材，注入液晶及封合注入孔之步驟係在短路線依然留存在L CD面板之下實施之。另外，因為偏光月僅貼附在良好L C D面板上而有可能減少製造成本。於本發明之另一具體實例中，暫置線被形成於由多個圖素所定義之目視主動區域之外’圖素係由多個藉閘極與數據線及暫置線交錯得之暫置圖素所製得。連接於每—暫置

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五、發明說明（6) 線之暫置TFT形成於每—暫圖素之中。於上述之中，形成於主動區域内之暫置TFT通道之宽# 對長度比率大麵通道之寬度對長度之比率，或者 :咬多個暫置TFTs形成於暫置圖素中。因此，當產生靜電固何時其即被分散通經暫置了 f τ。 “連接至TFT之暫置圖素電極，形成於暫置圖素内，且盍住暫置圖素之黑紋矩陣被形成於兩基材之一。，:般而έ ,因為在起初或每一步驟後所產生之靜電電通經包圍住主動區域而定義出暫置圖素之暫置閘極與數= 線，自靜電電荷所造成之惡化將首先發生於暫置TF τ。所以，彤成於主動區域内且連接夂閘極與數據線之TFTs被保護免於遭受靜電電荷，因而破壞暫置圖素並不影響[之品質。暫置T F T之外φ可改變以主動地誘發靜電電荷。較佳爲暫置TFT通道之寬度對面積之比率大mTft之寬度對面積”之比率。多個暫置TFTs可被形成於暫置圖素内。同時，包括兩個電極及一個半導體圖案之靜電電荷分散 =案，形成於主動區域之外以以使靜電電荷經由半導體圖案通運放電。為使靜電電荷主動地放電，電極之末端可被有所指向地形成且較佳於半導體圖案之末端製作一電容器。多個放電圖案可被並聯連接至一條導線，或兩= 線。 ” 圖示之簡短敛述圖1係被靜電放電所破壞之傳統液晶顯示器（lcd)基材之

44 07 3 6 五、發明說明（7) 配置圖示；圖2係圖1中之薄膜電晶體之放大配置圖示；圖3係根據本發明之較佳具體實例之LCD基材之示意圖；圖4係根據本發明之第—較佳具體實例之圖3之A之放大配置圖示；圖5舉例說明顯示於圖4中之靜電放電保護二極體電路之等效電路；圖6係根攄本發明之第二較佳具體實例之圖3iA之放大配置圊示；圖7係圖5及6之第一玫電誘發電路之等效電路；圖8係圖5及6之第二放電誘發患路之等效電路；圖9係圖5及6之第二放電誘發電路之等效電路；圖10 ϋ圖5及6之第四故電誘發電路之等效電路；圖11係圖5及6之第一靜電充電電路之等效電路；圖12係圖6及7之第二靜電充電電路之等效電路；圖13係圖10之第四放電誘發電路圖案之配置圖示；圖1 4係沿著圖1 3之線X I V - X I V，所取得之剖視圖；圖15係圖10之另一種第四放電誘發電路圖案之配置圖；圖1 6係沿著圖1 5之線XV I - XV I ’所取得之剖視圖；圖1 7係根據本發明之較佳具體實例之供使靜電電荷放電之暫置圖素之配置圖示；圖18係沿著圖17之線XVII I-χνι 11’所取得之剖視圖；圖1 9係根據本發明之另一較佳具體實例之供使靜電電荷放電之暫置圖案之配置圖示；

第11頁 C:\Program Files\Patent\55434. ptd r 44 07 3 6_ 五、發明說明（8) ' 圖2 0係根據本發明之第一較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示；圖2 1係沿著圖2 0之線X X I - XX I ’所取得之剖視圖；圖22係形成於供使靜電電荷放電之圖案末端之電容器之透視圖，圖2 3係根據本發明之第二較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示；圖2 4係根據本發明之第三較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示；圖2 5係根據本發明之第四較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示； — 圖26A至26F使用於敘述本發明之第一至第三具體實例之供使靜電電荷放電之圖案製法之剖視圖；圖2 7係根據本發明之第三較佳具體實例之連接至圖3之A 部份之供防止靜電電荷電路之等效電路；圖28係圖27中之電路圖案之西己置圖示；圖29係沿著圖28之線XXIX-XXIX’所取得之剖視圖；圖3 0係根攄本發明之第四較佳具體實例之連接至圖3之A 部份之供防止靜電放電電路圖案之配置圖示；圖3 1係沿著圖3 0之線X XX I -XXX Γ所取得之剖視圖；圖3 2係根據本發明之第五較佳具體實例之連接至圖3之A 部份之供防止靜電放電電路圖案之配置圖示；圖3 3係說明薄膜電晶體基材與彩色濾光膜基材相互組合狀態下之LCD之透視圖；及

C:\Prograra Files\Patent\55434. ptcl 第12頁 ^ 4407 36 五、發明說明（9) 圖34係根據本發明之1(;1)製法說明之流程圖。幸义佳具體實例之詳細敘述本，明將參考本文件内隨附之圖示以本發明所示之較佳具體實例更完整地予以描述。然而，本發明可涵蓋多種不同形式且將不被解釋而受限於本文所提出之具體實例，更正確地說，此等具體實例被提供以使本發明更為完整，且將使本發明之範圍完全地表達予彼等熟練此方面=^者。於諸圖示中，為清晰之故各層之厚度與區域予以誇二化。全文中相同編號對照相同之構件。應被了解者，當諸如層，區域或基材之構件被參照為，，在另一構件M ("=" another eUmeiU)時，其可為係直接在其他構件之上或亦可為插入構件中。首先參考圖3，係顯示根據本發明之較佳具體實例之液晶顯示器基材之示意圖。如圖3所示，多個閘極線1 〇〇於水平方向形成於透明絕緣基材1〇之上，而閘極襯墊1〇1被分 =形成於閘極線1 〇〇之末端。多個數據線2〇〇與閘極線丨◦ 〇父錯於垂直之方向被形成，而數據襯墊2 〇 i被分別形成於數據20 0之末端。開關裝置薄膜電晶體（TFTs)形成於由閘極與數據線1 00與2 0 0交叉所定義之個別圖素區域pXs中s 夕個圖素區域PX聚集而成主動區域，自—主動區域線4〗所限定4 1以顯示可見影像。 ^ 分別連結全部閘極線丨00與全部數據線2〇〇末端之短路線 1 〇 2與2 0 2被形成於接近基材丨〇之邊緣。短路線丨〇 2與2 〇 2迻

C:\Program Files\Patent\55434.ptd 440736 五'發明說吗（10) 二何在閘極與數據襯墊^ 〇 i與2〇 !被產生時，靜電電放通經矩路線102與202。刀一；靜電笔％具有南電荷值之場合’即使提供如上所述之線102與202靜電電荷仍可進入主動區域。此外，若靜電，=在短路線10 2與20 2隨切割線1 1被移去之後才產生，靜電電荷即易於進入主動區域。為主動地分散靜電電荷，在基材10之A區域，即介於襯墊或2〇1及主動區域間之區域’提供了連接至在主動區域外圍之防護環或暫置線 110之靜電電荷分散電路。同時，短路線102與202可與圖3之實例不同而位於基材之切割線1 1之内。土圖4係圖3之A區域之放大配置圖示。於圖4中，切割基材 1 0以移除短路線1 〇2之切割線1 1，與基材1〇對向之相當於另一基材2 0之邊界線2 1，及主動區域線4 1係以點虛線表示。短路線1 02係位於切割線1 1之内，連接至短路線丨〇 2之襯塾101位於切割線11與邊界線21之間，且導線1〇〇自概塾 1 〇 1延伸朝向主動區域。由供結合兩基材之封合劑 (sealant)所佔有之封合區域位於邊界線21與主動區域線4 1之間。由金屬製得之防護環或暫置線1 1 〇配置於封合區域90與主動區域線4 1之間，而靜電放電保護二極體電路Q 120 ’放電誘發電路或靜電充電電路mo與被分別連接至導線1 0 0與暫置線〗1 〇。靜電放電保護二極體電路120參考圖5予以描述。 TFT Q1之閘極電極與汲極電極被連接至暫置線丨丨〇，而

C:\Program Files\Patent\55434.ptd 第14頁 44 07 3 6

五、發明說明（11) 3電極被連接至導線1〇〇。此處提供了另一個m 連：Si與没極電極被連接至導線100，而源極電極被 ί ίi :1二因為TFTs Q1與Q2之開極與沒極電極彼暫置線㈣之間係以背對背方式連:T"⑽在 .般而呂，TFTs Q1與⑽包含具備高阻抗之非日曰而導線100係由諸如金屬之具備低阻抗材料曰：、 =入暫置線110之靜電電荷之量可能小於進：導：1〇〇二美電上之量：其結果為僅利用圖5所示之電路難於保邊LCD基材免於遭受具有大電荷值之靜電電荷。放電誘發電路與靜電充電電迄可協助靜電放電保镬。在前述之圖4中，放電誘發電路13〇與第—靜電充電電路 140被連接至鄰接之位於封合區域9〇與襯墊丨〇1間之導線 100，而第二靜電充電電路丨50被連接至位於封合區域㈣與主動區域41間之導線1 〇〇。所以，靜電電荷被主動地放電。然而’因為放電誘發電路130與靜電充電電路14〇與15() ，位於主動區域之外部，有可能發生諸如空氣所致^腐飪或外部衝擊所致之破壞等缺陷。圖6係根據本發明之第二較佳具體實例之之放大圖。於第二具體實例中，靜電放電保護電路係位於在封合區域9 0所包圍之區域内。如圖6所示，放電誘發電路丨3 0被連接至位於封合區域9 〇與主動區域線41間之導線100 ’而靜電放電保護二極體電

C:\PiOgramFiles\Patent\55434.ptd 第 15 頁 r-4407 五、發明說明（12) 路120先前具體實例相同被連接至導線1〇〇 ^第一與第二靜電充電電路（未顯示出）可被提供於封合區域9〇所包圍之區域内。根據較佳具體實例之各種類型之放電誘發電路1 3 〇列不於圖7至11中。第一至第四種放電誘發電路5]^，ST2，ST3 與ST4分別參考圖7至10予以描述，第一至第四種放電誘發电路ST1 ’ST2 ’ST3與ST4代表不同類型之放電誘發電路。圖7舉例說明第一放電誘發電路ST 1 ^如圖所示，第一放電誘發電路ST1包含一對串聯連接於兩鄰接導線丨〇〇間之丁FTs Q3與Q4 ’與兩個電容器ci與C2。即TFTs Q3與Q4之閘極電極彼此相連接’一了 F T s之邋極或汲極電極連接於另一 TFT之源極或汲極電極’而電容器π與以之電極分別連接至鄰接兩導線10之一及連接至TFTs Q3與Q4之電極閘極。多個第一放電誘發電路ST1被並聯連接至兩鄰接之導線 100。第一放電誘發電路S T1之操作將在以下本文中予以描述。右所產生之靜電電荷自襯墊101進入第一放電誘發電路^1中’於第一放電誘發電路ST1之TFTs中發生放電以消除靜電電荷。結果為於主動區域内之TFTs被保護而免於遭，靜，電荷。在導線丨〇〇中產生靜電電荷之場合’因為彼等於電容器C1與C2充電而使抒·!^開啟，靜電電荷經由導線 1 0 0被分散掉。 .於第一放電誘發電路ST1中，若超過STFTs串聯連接於導線1 0 0之間，在導線j 0 0間所增加之電流可被主動地減

C:\Program Files\Patent\55434. p^d 苐頁 44 07 3 6 五、發明說明（13) 少 0 圖8顯示第二放電誘發電路ST2。如發電路ST2包含TFT仍盥不弟一放私誘汲極電極彼此相互電氣遠V^FTQ5之閘極電極與屯虱連接且T F T Q 5之源揣带私、去拉5遑

線100。電容器C3連接於η κ φ 4 &、極電極連接至V 示幻共同機。心閘與：；於共同電極(未列接至每-導線1〇。。間多個弟-放電誘發電路ST2可連 =具體實例’共同電極被使用作為儲存電•，但可使用額外電極作為儲存電極。圖9顯示第三放電誘發電路ST3。如圖所示，帛=放電誘發電路ST3之結構實質上盥策―.命吁八+ 弟一放％飞 ―一貝上與弟一龙电誘發電路ST2相同。然，弟三放電誘發電路ST3具備多個TFTs Q6與”且僅有一個電容器C4 »TFTs qwQ7之閘極電極肖汲極電極彼此相 =接二連接至電容器C4，且TFTs⑽與⑽之源極電極被連妾至‘線1 00。第三放電誘發電路ST3之操作幾乎盥第二放電誘發電路ST2相同。與第一放電誘發電路相同’共同電極被使用作為儲存電極L但可使用額外電極作為儲存電極s 第—至第三放電誘發電路ST1，ST2與ST3可位於由封合區域90所包圍之區域内。圖1 〇顯示第四放電誘發電路874。 > =圖所示’提供了包含暫置閘極線11 1之暫置導線或防護％與連接至暫置閘極線丨丨1之暫置數據線，而TFT q8形成於暫置閘極線1 1 1之上。T F T Q 8之閘極，源極與汲極電

第17頁 44 07 3 6 五、發明說明（14) 至暫置問極線⑴’數據線200及其另-電極連接至暫置閘極線Π1之電容器C5之電極。於第四放電誘發電路ST4中，若靜電電荷被傳送至閘極線11 1，電容器C 5被穿雷以門& τ ρ τ 暫被充電以開啟TFT Q8，且自暫置間

St暫置數據線112所產生之靜電電荷被分散於數據 = 2 0 0及暫置導線。在靜電電荷為大電荷值之場合，了打 Q在放電發生同時被破壞，因而消除了靜電電荷。於第一至第四放電誘發電路ST1，ST2，STC與ST4， =，電電荷所致之能量藉燃燒TFTs被轉變成焦耳（j〇u’i 此3:而使靜電電荷不會影響於主動區域内之電路。。圖11顯示圖4之第一靜電充電遵路14〇。如圖所示，充電電路包含介於兩鄰接導線間之彼此_聯：谷窃C6與C7。多個電路並聯連接至鄰接導線丨㈣。第—弘電充電電路可位於由封合區賴所包圍之静電電荷以降低其電位。保存靜圖12顯不圖4之第二靜電充電電路150。於此處，第二

電充電電路最後移除剩餘之靜電電荷而使彼等不會進^ T ^區域。如圖所示，多個電容器C8被分別連接於導線1 =共同電極電壓Vc〇m之間^第二靜電充電電路15 電電荷並降低其電位。碎吞知圖之第四放電誘發電路ST4將在以下本文内參考舉例說明之第四放電誘發電路ST#之配置圖示更詳二予以描述。而圖14係沿著圖13之線χιν_χίν，所圖。丁〈刮硯

440736 五、發明說明（15) 如圖1 3與1 4所示，第四放電誘發電路包含TFT圖案與電容器。TFT包含係一部份暫置閘極線丨u之閘極電極，閘極名巴緣膜3 ’形成於與閘極電極對向之閘極絕緣膜3上之半導體圖案700 ’為數據線200之分支之源極電極及供作為汲極電極之金屬圖案1〇3 °源極與汲極電極重疊於半導體圖案 700之任一邊緣。透明導電層6被連接至金屬圖案1〇3並與暫置閘極線1 1 1重疊而形成一儲存電容器。暫置數據線1 j 2 在垂直方向被形成而位於第四放電誘發電路外部位置，且經由連接圖案5連接至全部暫置閘極線〗1 !。详細S之’多個暫置閘極線111於水平方向被形成於基材1 0之上’閘極絕緣膜3被形成於其上’且半導體圖案7 〇〇被形成於與暫置閑極線1 1 1對向之閘極絕緣膜3上。暫置數據線1 1 2與多個暫置數據線2 〇〇於垂直方向被形成於閘極絕緣膜3之上且數據線2〇〇重疊於半導體圖案7〇〇之邊緣。重疊於半導體圖案700之對向邊緣之多個金屬圖案1〇3被形成於閘極絕緣膜3之上，且供改良電氣接觸特佳之歐姆接觸 710被形成於半導體圖案7〇〇與數據線2 0 0及金屬圖案103之間。中間層絕緣膜4覆蓋住暫置數據線1 1 2，數據線200與半導體圖案7 0 0。接觸孔C1與C3貫穿中間層絕緣膜4，且接觸孔C2貫穿閘極絕緣膜3與中間層絕緣膜4而暴露出暫置閘極線1 1 1 °透明導電圖案6被形成於中間層絕緣膜4之上且經由接觸孔C 3連接至金屬圖案1 〇 3，且在中間層絕緣膜4上之透明接觸圖案5經由接觸孔C1及C2被連接至暫置數據線 1 1 2及個別之暫置閘極線π 1。

第19頁 C:\Program Files\Patent\55434. ptd -/U〇7 3 6 五'發明說明（16) 於此具體實例，可預期介於暫閘極線111間之距離較小於在主動區域内之閘極線間之距離而減少了被暫置導線所佔據之面積。於上述具備TFT與電容器結構之放電誘發電路中，當靜電電荷經由數據線2 0 0或暫置數據線1 1 2進入電路時，靜電電荷在透明導電圖案7 0 0與暫置閘極線1 1 1間之電容器充電並消失。自暫置數據線2 00所產生之靜電電荷可藉燃燒TFT 而轉變為焦耳（j 〇 u 1 e )熱能，且可消失掉。圖15係另一種第四放電誘發電路之配置圖示；而圖16係沿著圖1 5之線XV I-XVI’所取得之剖視圖；其中放大之金屬圖案1 0 4被替代為電容器之透明尊電圖案。於此結構中，金屬圖案1 04被放大以與暫置閘極線1 1 1重疊而使預定之儲存電容被形成於金屬圖案1 0 4與暫置閘極線11 1之間。消除靜電電荷之實施與圖1 3與1 4所描述之第四放電誘發電路 S T 4相同。為防止靜電電何進入主動區域，較佳為形成具備與主動區域内之圖素類似結構之暫置圖素。圖1 7係根據本發明之較佳具體實例之供使靜電電荷放電之暫置圖素之配置圖示，而圖1 8係沿著圖1 7之線XV ί I I _m I r所取得之剖視圖。如圖所示，閘極線或暫置閘極線1 0 0於水平方向被形成於第一基材10之上。閘極線或暫置閘極線10 0部份係供作為暫置閘極電極。閘極絕緣層膜3覆蓋位暫置閘極線1 0 0，且暫置非晶系矽層7 0 0被形成於閘極絕緣膜3之上而覆蓋於

C:\Program Files\Patent\55434.ptd 第20頁 4407 3 6 五、發明說明（17) -- ，置閘極電極上，暫置數據線11〇於垂直方向被形成於閘 =絶緣膜3之上。暫置閘極線100與暫置數據線n〇彼此交 =定義出暫置圖素D卜暫置圖素可由交叉之閘極線與暫置閘極線或暫置數據線與暫置閘極線定義出。來自暫置數據線11 〇分支之暫置源極電極〗丨3重疊於經摻 t之非晶系石夕層710之邊緣，且暫置沒極電極114重昼於經 ^雜之非晶系矽層7 1 〇之與暫置源極電極丨〗3相對向側。高礼雜之非晶系矽層710被形成於暫置電極113與114與暫置非晶系石夕層7 1 〇之接觸表面。暫置源極與汲極電極丨13與！ 14之寬度等於形成於暫置非晶系矽700内之通道寬度，且介|暫置源極電極113與暫置汲極電極114間之距離DL係通道長度DL。在此處，暫置源極與汲極電極n 3與〗丨4之寬度係不同於形成圖素之源極與汲極電極之寬度，且介於暫置源極電極】丨3與暫置汲極電極1丨4間之長度係不同於形成圖素之介於源極與汲極電極間之長度。如以上所述，為誘發靜電電射進入暫置圖素，較佳為於气置圖，f、内之通道寬度對通道長度之比率較在主動區^内所升>成之通道寬度對通道長度之比率超過兩倍。鈍化膜4被形成於暫置數據線1 1 〇及暫置非晶系石夕層7 〇〇之上’且接觸孔C4被形成於鈍化膜4之内以暴露出暫置没極電極11 4。經由接觸孔C4被連接至暫置汲極電極】丨4之圖素電極3 0 0係由在鈍化膜4上之氧化銦錫（I TO )製得。圖素電極3 0 0部份與鄰接之暫置閘極線1 〇〇重疊。

440736 五、發明說明（18) 覆盖住純化膜4之献a , ，· 、 ^ 心配向（al ignment)膜7被形於第一基村八備開〇區域與暫置圖素D P之區域相對應之黑紋矩陣4 0 0，被形忐你洳处乂成於與第一基材10相對之第二基材11上。與黑紋矩陣4 0 〇之邊铬去„ ' 遠緣重豐之彩色濾光膜5〇〇被形成於圖辛區域DP内。另外，读系 , 边明導電共同電極600與配向膜8依序，形成而覆盍於彩色濾光膜5 0 0與黑紋矩陣上。雖然黑紋矩陣400被形成於根據本發明之LCD之第二基材 11之中，其有可能同樣形成於第一基材10中。於此具體實例中，暫置閘極線1 00與暫置數據線丨丨〇被形成於主動區外部以防止靜電電荷進入主動區域。此外，多個暫置 TFTs可被形成於暫置圖素内。— 圖1 9係根據本發明之另一較佳具體實例之供使靜電電荷放電之暫置圖素之配置圖示^如圖所示，放電暫置圖素之結構實質上係相同於圖n所示之暫置圖素之結構，但被連接至暫置閘極線100之暫置閘極電極1〇1被延伸進入暫置圖素區域内。另外’三（即’多個）個源極電極U 5，1丨6及 1 1 7被連接至暫置數據線丨10，而分別相當於暫置源極電極 115，116與117之暫置汲極電極125 ’126與12了經由接觸孔 C5，C6及C7被連接至暫置圖素電極3〇1。第一暫置源極與汲極1 1 5與1 2 5之寬度Μ1係較第二暫置源極與汲極電極1 1 6與1 26之寬度DW2狹窄，與第二暫置源極與汲極電極1 1 β與1 2 6之寬度D W 2係較第三暫置源極與汲極117與127之見度DW3狹窄。在具備此結構下，介於暫置源極電極Π 5 ’ 1 1 6與1 1 7及暫置汲極電極1 2 5，1 2 6與1 2 7間

440736 丨_ ' 1 五、發明說明09) 此等距離有可能製成不相之全部距離D L為相同。然而同。在主動區域内呈現缺陷之圓素可、署T F T夕έ士姓IX ·ΪΤ r ’交如以上所述之暫置TFT之…構及錯迅速地誘發靜電電暫置TFT而予以防止。任暫置圖素内之供防止靜電電荷進入主動區域之另一+ 本文内予以描述。圖20係根據本發明之二二伟'呈土以下之供使靜電電荷放電之圖案之配 =二貫例之，卜χη所取侍之剖視圖’而圖22係形成於供電何放電之圖案末端之電容器之透視圖。數據線或暫置數據線1〗0被形減於覆蓋住基材】〇之閘極絕緣膜3之上，且供使靜電電荷放電之非晶系矽圖案7〇4被 =成於閘極絕緣膜3之上。重4於非晶系碎圖案7Q4邊緣之第一電極圖案1 1 8自數據線或暫置數據線丨〗〇延伸出，且二電極圖案12δ重疊於在第一電核圖案118對向側之矽圖案704之另一邊緣。第—與第二電極圖案118與128之末端被逐漸變小至一點，且諸如歐姆接觸層之經摻雜之非晶乐矽圖案7 1 0，被形成於第一與第二電極圖案丨丨8與〗2 s 及非晶乐矽圖案7 0 4之接觸表面。鈍化膜4被形成以覆蓋暫置數據線11 0與第一及第二電極圖案丨丨8與1 28 ;而接觸孔 C8被形成於鈍化膜4内以暴露出第二電極圖案Kg。電容之ΙΤ0圖案302被形成於鈍化膜4之上且與第二電極圖案Mg 重疊。電容器之ΙΤ0圖案302經由接觸孔C8被連接至第二電極圖案1 2 8。

C:\Program Files\Patent\55434, ptd 第23頁 -------------__ 五、發明說明（20) 換句話說，放電圖案包含非晶系矽圖案7 0 4，供儲存静電電荷之電容器之ITO圖案3 02，及連結ITO圖案3 0 2與非晶系矽圖案704至暫置數據線Π0之第一與第二電極圖案1 ! 8 與128。於具備此放電圖案之LCD中’在暫置數據線11〇所產生之靜電電荷經常會經由非晶系矽圖案3 0 2與第二電極圖案128通過而進入ITO圖案302，而使非晶系矽不致破壞。隨道效應優於破壞效應之原因為第一與第二電極圖案 11 8與1 2 8係有所指向地形成使得靜電電荷移動朝向電極圖案118及128之末端，而不朝向其它部份。如圖22所示，放電圖案之ITO圖案302相當於上部彩色渡光膜基材之共同電極6 0 0 ’朝向洪同電極。液晶村料L c被夾於ITO圖案302與共同電極600之間而使儲存電容哭Cst被形成於放電圖案之末端部份。因為移動至電容器之IT〇圖案302之靜電電荷被儲存在儲存電容器内，於主動區域内之TFT並未受受靜電電荷之影響。圖2 3係根據本發明之第二較佳具體實例之供传蘇# 放電之圖案之配置圖示：第二具體實：之電圖案之結構係類似於第一具體實例之供使靜電電荷放電圖案之結構，但超過兩個放電裝置被並聯連接至[τ〇圖案 3 02與暫置數據線1 1 ” 如圖2 1至2 3所示，包含第一非晶系矽圖案7 〇 4及第一與第二電極圖案118與128之第一放電裝置，與包含第二非晶系矽圖案705及第三與第四之電極圖案119與129之第二放電裝置，被形成於閘極絕緣膜3之上。第一與第二放雷裝

C: \Program Fi les\Patent\554；34. ptd 第24頁五、發明說明（21) 置被並聯連接至暫置數據線11〇。暴露出第二與第四圖案128與129之接觸孔C8與C9在鈍化膜4中被製得，且二與第四電極圖案128與129經由接觸孔㈡與㈢被容器之ITO圖案3 0 2。 # $ $ 如在第一具體實例中所描述之靜電電荷放電圖案’

C 至第四電極圖案118 ’ 128 ’ 119與129之末端被製成有所指向性。第一與第三電極圖案118與119分別面對第二血電極圖案丨28與129。第一與第二圖案118與128被形成於第 -非晶系矽圖案704之上’而第三與苐四圖案119與129被形成於第二非晶系石夕圖案70 5之上。因此，流動經過暫置數據線11 〇之靜電電荷經由點部I被故電至電容器之ίτ〇圖案302亚儲存於電容器内。連接至暫置數據線11〇之放電裝置D1與D2之數量可視需要予以增加。圖24係根據本發明之第三較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示。如圖24所示，第一放電裝置^之第二電極圖案128與第二放電裝置D2之第四電極"圖案129被連接至鄰接於其他數據線120 ^放電裝置之數量可視需要予以增加。上述之第一至第二具體實例之靜電電荷放電圖案之結構在組合步驟’液晶之注入步驟，或目提測試步驟，具有將戶斤產生之靜電電荷放電之優點’因為電容器被形成於UD 之上與下基材組合之後。參考圖2.5 ’係根據本發明之第四較佳具體實例之供使靜電電荷放電之圖案之配置圖示。如圖所示，第四具體實例

C:\Program Files\Patent\55434. ptd 第25.頁 4407 36 五、發明說明（22) 之靜電電荷放電圖案之結構幾乎相同於第一具體實例之第靜電電荷放電圖案之結構，但暫置金屬線丨3〇於水平方向被形成於基材1 〇之上。暫置金屬線丨3〇被接地且經由閘極絕緣獏與鈍化膜重疊於電容器之IT〇案3〇2。所以，電容 =被=成於ΙΤ0圖案302與暫置金屬線丨30之間以因應當靜包電荷藉非晶系矽圖案7 0 4之隧道效應自第一電極圖案u 8 移向第二電極圖案128與I TO圖案3〇2時。 ” 。第四具體貫例之靜電電荷放電之圖案可更主動地使靜電包荷放電：因為在基材中形成導線之步驟時形成超過了一個電容器。靜電電荷放電圖案之製法將I以下本文内參考圖2丨至25 與圖2 6 A至2 6 F予以描述。如圖2 6 A所示，閘極導線之金屬層被沉積在基材1 〇之上並衣成圖案5?別在内部形成問極線及在外部形成暫置閘極線1 00。於第四較佳具體實例之靜電電荷放電圖案之場合，於此步驟暫置金屬線130與閘極及暫置閘極^1〇〇並聯被形成於主動區域之外側。如圖26B所示，閘極絕緣膜3被用氮化矽或氧化砂沉積。接著’非晶乐石夕與經接雜之非晶系石夕被沉積且然後製成圖案以便在主動區域之外部形成供使靜電電荷放'電之非晶系矽圖案7 0 4與經摻雜之非晶系矽層71 0。 $ ” 接著’如圖2 6 C所示，數據導線之金屬層被沉積且製成圖案以形成數據線’暫置數據線1 1 0 ’第—電極圖案11 8與第二電極圖案128。在有兩個或更多個敌電裝置被形成之

C: \Prograin Fi les\Patent\55434. ptd 第 26 頁 44 07 3 6 五、發明說明（23) 下/多個電極圖案118，128，119，129在此步驟被形成。然後暴露於外部之經摻雜之非晶系矽材料，被移去。如圖』D與2 6 E所不’鈍化膜4被沉積且然後閘極絕緣膜3 二鈍化膜4被製成圖案以便形成接觸孔C8與㈢而暴露出第二與第四電極圖案128與129。如圖27F所示，IT〇被沉積並製成圖案以形成電容器之17>〇圖案3〇2。接著，供防止基材被靜電放電破壞之另—電路將參考圖 2 7予以描述。圖27係根據本發明之第三較佳具體實例之連接至圖3之入部份之供防止靜電電荷電路之另一等效電路。如圖27所示，第一電阻器R1臭電容器彼此相互举聯連接於數據線200與暫置閘極線丨η之間，且電容器與數據線 2 0 0之鄰接數據線2 00藉第二電阻器R2串聯連接。暫置閘極線1 1 1係電氣連接至形成於數據線2 〇〇外部之暫置數據線 112。著數據線2 0 0所產生之靜電電荷通經電阻号r 1盥μ於裤間分散之。暫置數據線112所產生之靜電電荷移向暫置閘極線U 1且儲存至由數據線2 0 0與暫置閘極線丨u 之電容器Cl中。 v 靜電電存之消失將參考圖28及29予以描述。圖28係圖27中之電路圖案之配置圖示，而圖29係 28之線ΧΧίΧ-ΧΧΙΧ1所取得之剖視圖。 @ 大致而言’因供保護基材使不遭受靜電電荷之茫置應，成於主動區域與襯塾間之狹窄區域，此處之限制為_ p

440736 五、發明說明（24) 電容器之電容以使靜電電半導體圖案如同電阻，:这取小化。於此具體實例中，線，而被利用以择加八4 ^連接電容器於兩鄰接之數據如圖28與29所示，夕/π 电乱之此力。形成於透明絕緣A 閑極線（未顯示）於一水平方向被平方向被形成於；暫置閘極線】]於水極線與暫置閑極線u丨。且閘極絕緣膜3覆蓋往閘在閘極絕緣膜3之上，$钿盅请邮於接近具備非晶系石夕 + ζ體圖案m與m被形成之數據侧之間。若心體】侧位於兩鄰接案m則另-圖案即…導體Λ 線200之第一電極12盥朝連接至數據 — 興朝向苐—電極1 2之第二電極η公别與第一半導體圖案707之兩側重聶。足 M ,%9nn ^ ^ 〈旳側重噠。另外，連接至鄰接數據線之弟三電極15與朝向第三電郎之第四電極心 =與第一半導體圖案7〇8之兩側重叠。供改良接觸特性之歐姆接巧層介入第一’第二’第三與第四電極ΐ2，ΐ3 ’Η 及14與第一及第二半導體7〇7與7〇8接觸之表面。至少一條暫置數據線1 12與數據線2〇()並聯被形成於數據線200之外部。純化膜4覆蓋住數據線2 0 0與暫置數據線112，而據以使暫置數據線1 1 2 ’暫置閘極線Π 1之末端，第四電極1 3與i 4 被暴露出之接觸孔Cl，C2，C3與C4被製造埋入於鈍化膜4 之中。

C:\Frogram Fi les\Pat.ent\55434. ptd 第28頁 44 07 3 6 五、發明說明（25) 重疊於暫置數據線112與暫f閉極線⑴上之 5形成於鈍化膜4之上以連接暫置數據連接圖案㈣於第二與第四彻與14及暫置 =2線益9之圖案被形成以便經由接觸孔㈡盥以連接- ^ 電極13與U。連接圖案5與電容器9之圖案可二與第四錫（ΙΤ0)製得。、透明氧化麵如以上所述，因為暫置閘極線u i被連接至 112，沿著暫置數據線112所產生之靜電電荷被傳置數據: 閑極線m且被儲存於電容器9之圖案與暫後^置間。沿著數據線2 0 0所產生之靜電電荷藉通經第半導體圖案m與m而被傳送瓦電容器9之圖案，或二：壞苐一與第二半導體圖案70 7與7〇8而損失其能量。圖30係根據本發明之苐四較佳具體實例之連部份之供防止靜電放電電路圖案之配置圖丄著圖30之線XXXhUn，所取得之剖視圖。圖糸如圖30與31所不，第石带 ^7Π7 弟五電極109被刀别形成於第一與半 V體圖案707及7 08之下，因此於第五電極ι〇9與第一及第一半導體圖案70 7及708之間形成另一電容。電谷之其它結構係與第三具體實例相同。圖32係根據本發明之第五較佳具體實例之連接至圖3之乂部份之供防止靜電放電電路圖案之配置圖示，其卞暫置間極線不與數據線交又且包含多個將相關數據線分割之圖案。如圖3 2所示’每-暫置閑極線⑴之圓案沿著數據線2 〇〇

C:XProgram F i1es\Patent\55434. ptd m 第29頁 44 07 36 五、發明說明（26) 形成於兩鄰接之數據線2 〇〇之間，且同時與多個電容器圖案9重疊，因此可獲得充足之電容。於此具體實例中，暫置閘極線丨丨】係呈電氣浮置。接著’可使靜電放電破壞達最小化之LCD之製法，將在以下本文内參考圖33與34予以描述。圖3 3係説明薄膜電晶體基材與彩色濾光膜基材相互組合之狀態下之LCD之透視圖，而圖3 4係根據本發明之LCD製法說明之流程圖。

C 如圖33與34所示。於步驟}多條導線1〇〇被形成於透明絕緣基材1 0之上，且連結與外在驅動電路接觸之全部導線 1 0 0及襯墊1 0 1之短路線丨〇 2形成於導線丨〇〇之外側。於此步驟，諸^一極體，放電誘發電路，靜電充電電路與放電圖案，之靜電電荷分散電路被形成以製得TFT基材丨〇且具備彩色濾光膜與共同電極之彩色濾光膜基材被製得。 '，著，於步驟2，TFT基材1 0與彩色濾光膜基材丨丨被切割成單一基村，基材1 〇與1 ；[被置於彼此相對向，然後液晶材料被注入於基材1 〇與1丨之間。在切割基材丨〇及丨丨之步驟及在注入液晶材料之步驟所產生之靜電電荷被短路線102所分散。於步驟3中，利用以注入液晶材料之注入孔被封合然後短路線1 02藉研磨製程予以移去.於步驟4中，測試信號被施加於每一導線丨〇 5以檢測LCD基材之缺陷。於此測試中，有可能藉利用接觸至每一襯墊1 〇 1之探針施加不同測試信號至每一導線1 0 0以實施各種測試》在此步驟所產生之靜

C:\Program Files\Patent\55434. ptd 第 30 頁 44 07 3 6 一^---- — 五 '發明說明（27) 電電荷於放電誘發電路，靜電充電以消除。 ^•路，與放电圖案中予在測試之後，實施步驟5。於步驟5中 :在LCD基材之無缺陷外表面。於步、=被貼接至L C D之襯藝。一般而言，在貼中=動電路被連於產生靜電電荷。於此方法中，靜電電=;2電之步驟易 2電充電電路被主動地分散，而可心靜電主動區域内。何進入統之方法’於此LCD之製法中，因為切斷基材， ^液阳，與封合注入孔之步驟係在翅路線1 02存在下實 =，LCD基材即被保護免於遭受龙製程中所產生之靜何此外，因為偏光片1與2被貼附在通過目視測試之上’製造成本因而降低◊ 材 =士所述’於根據本發明之LCD中，暫置線被附加於主動區域之外側，多個靜電電荷分散電路被連接至電荷分散電路被製成具有適當之結構以主動地使評包電何放電。因此’可防止靜電電荷進入主動區域。此外’因4靜電電荷分散電路在短路線被移去之後依芦保留且昂貴之偏光片在目視測試之後才被貼附，因靜電放電所致之LCD破壞達最小化且降低了製造成本。 —於諸圖示與說明書中，已揭示了本發明之典型較佳具體貫例，且雖然使用了特定項目，I等僅係供—般性與記述之考量^並非供以限制本發明在以下之申請專利範圍所提出之樣悲。

1H C; \Program Fi Ies\Pcitent\55434. ptd 第31頁 4407 3 6 案號 87117152 修正五、發明說明（28) 元件符號簡單說明 1 0 :基材 2 0 :彩色濾光膜基材 3 0 :襯墊區域 40 :主動區域 5 0 :線 6 0 :閘極線 61 :閘極電極 7 0 :半導體薄膜 8 0 :數據線 8 1 :源極電極 8 2 :汲極電極 9 0 :封合區域 1 1 :切割線 41 .主動區域線 1 0 0 :閘極線 1 0 1 :閘極襯墊 1 0 2 :短路線 1 1 0 :暫置線 2 0 0 :數據線 2 0 1 :數據襯墊 2 0 2 :短路線 120 :靜電放電保護二極體電路 130 :放電誘發電路 140 :第一靜電充電電路

O:\55\55434.ptc 第31a頁 2000. 10.20.032 4 ^ 3案號87117152 年（〇月^曰修正五、發明說明（29) 路 feBO ΐ充 fra Γ^ΪΒΓ AIt 二第線界邊 .1-丄 2 5 6 ο ο圖ο 1 «—< t 線線膜案案極據膜緣圖圖案案閘數緣絕觸電圖圖置置絕層接導屬屬暫暫極間明明金金 ::閘中透透：：中 4 案層圖觸體接導姆半歐 7 r I 圖中 8 ο 7 0 3 4 1=1 li 11 極極極極極極 "•fhl ^mj lurfH1^ΙΙΊ In Fppr fpw* -¾¾ 矽極極極極極極極極案系層電電源源源汲没汲圊晶碎極極置置置置置置極非系源没暫暫暫暫暫暫電置晶置置一二三一二三一暫非暫暫第第第第第第第 O:\55\55434.ptc 第31b頁 2000. 10. 20.033 ^ 44 07 36 _案號87117152 f?1年月^日修正五、發明說明（3〇) 128 第二電極圖案 704 非晶系矽圖案 302 ITO圖案 400 里紋矩陣 500 彩色遽光膜 600 透明導電共同電極 705 第二非晶系矽圖案 119 第三電極圖案 129 第四電極圖案 707 第一半導體圖案 708 第二半導體圖案 12 ：第- -電極 13 ：第二二電極 15 ：第i L電極 14 ：第四電極 9 :電容器 1 0 9 :第五電極 1 0 5 :導線

O:\55\55434.ptc 第31c頁 2000.10. 20.034

Claims

4 4 Ο 7 3 6 公告 6 六、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示器基材，包含：第一絕緣基材；提供在第一基材上之供顯示影像之多個圖素電極；連接至圖素電極之多個開關構件；形成在第一基材上且連接至開關構件之多條導線；及多個放電誘發電路，其連接於相互鄰接導線之間且藉針對所產生之靜電電荷應答來產生放電，以消除在第一基材上所產生之靜電電荷。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，另外包含封合劑，其係被形成於第一基材上且使第一基材與相對向於第一基材之第二基材封合，i在其中放電誘發電路係位於封合劑所涵蓋區域之外側。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，其中放電誘發電路包含：串聯連接於鄰接導線間之多個薄膜電晶體，且具有交互連接之閘極電極；及兩個電容器，每一個均具有第一電極連接至閘極電極，及苐二電極連接至個別導線。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，其中放電誘發電路包含：具備連接至一導線之汲極電極、彼此連接之閘極及源極電極之薄膜電晶體；及連接於薄膜電晶體之閘極電極與第一電壓間之電容器。

第32頁 /t 07 3 6 々、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，其中放電誘發電路包含：具備連接至一導線之汲極電極、與彼此交互連接之閘極與源極電極之多個薄膜電晶體；及連接於閘極電極與第一電壓間之電容器。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，另外包含第一靜電充電電路，其係被連接於鄰接之兩導線間且儲存與消除於導線中所產生之靜電電荷。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器基材，其中第一靜電充電電路包含兩個彼此串聯連接之電容器。 8. 如申請專利範圍第7項之液顯示器基材，另外包含第二靜電充電電路，其係被連接於鄰接之兩導線間且與第一靜電充電電路並聯。 9. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器基材，另外包含封合劑，其係被形成於第一基材上且使第一基材與相對向於第一基材之第二基材封合，且在其中第一靜電充電電路係位於封合劑所涵蓋區域之外侧。 1 0.如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，另外包含封合劑，其係被形成於第一基材上且使第一基材與相對向於第一基材之第二基材封合，且在其中放電誘發電路係位於封合劑所涵蓋區域之内側。 11.如申請專利範圍第1 0項之液晶顯示器基材，另外包含一形成於封合劑所涵蓋區域Θ側之暫置導線，且在其中放電誘發電路包含：

C:\Program Files\Patent\55434. ptd 第33頁 ^ 4^〇736 六、申請專利範圍薄膜電晶體，其具備連接至該暫置導線之閘極電極與連接至導線之源極電極、與汲極電極；及與連接於暫置導線與汲極電極間之電容器。 12. —種液晶顯示器基材，包含：第一絕緣基材；提供在第一基材上之供顯示影像之多個圖素電極；連接至圖素電極之多個開關構件；形成在第一基材上且連接至開關構件之多條導線；及一放電誘發電路，其連接於相互鄰接導線之間且儲存用以消除於導線中所產生之篆電電荷。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示器基材，其中靜電充電電路包含具有為導線之一部份之第一電極與第二電極之電容器° 1 4.如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示器基材，另外包含封合劑，其係被形成於第一基材上且使第一基材與相對向於第一基材之第二基材封合，且在其中靜電充電電路係位於封合劑所涵蓋區域之内侧。 1 5.如申請專利範圍第1項之液晶顯示器基材，另外包含一短路線，其係連接至全部導線且其被形成於基材之切割線之内側。 1 6. —種液晶顯示器基材，包含：形成於基材上之多個閘極線；覆蓋閉極線之閘極絕緣膜；

C: '-Program Fi les\Patent\55434. ptd 第34頁 4 六、申請專利範圍形成於閘極絕緣獏上且與間極線垂直交錯之多條數據線；至少一暫置閘極線與一數據暫置線，分別連結全部閘極線與全部數據線，暫置閘極線以閘極絕緣膜覆蓋住；薄膜電晶體，具備連接至暫置閘極線之閘極電極、連接至數據線或暫置數據線之源極電極、及汲極電極；及連接至汲極電極且與暫置閘極線重疊之電容器電極。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示器基材，其中電容器電極包含經過覆蓋於汲極電極之閘極絕緣膜中之接觸孔而連接至汲極電極之透明導電~膜。 1 8. —種製造液晶顯示器基材之方法，包含如下之步驟：形成.多個液晶顯示器面板區域，其係具備薄膜電晶體、圖素電極、導線與在第一絕緣基材上之靜電電荷分散電路；形成短路線以連結於每一面板區域内之導線；在第一基材上形成供分離液晶顯示器面板區域之切割線，致使短路線位於切割線之内侧；使第一基材與第二基材對準；封合第一與第二基材；沿著切割線切斷第一基材而分離成多個液晶顯示器面板；經由注入孔注入液晶材料於液晶顯不器面板内，

C:\Prograra Files\Patent\55434. ptd 第35頁 44 07 3 6_ 六、申請專利範圍封合注入孔；移除短路線；檢測液晶顚不si面板之缺陷，及貼附偏光片於液晶顯不為'面板上。 1 9. 一種液晶顯示器，包含：第一絕緣基材；多條閘極線*形成於第一基材上；多條數據線，其與閘極線交錯以定義出多個圖素區域；多個圖素電極，形成於圖素區域中；多個第一薄膜電晶體，形減於圖素區域中，每一薄膜電晶體包含閘極 '源極與汲極電極，此等電極分別連接至一閘極線、一數據線與一圖素電極；多條暫置數據線，形成於包含圖素區域之有源區域之外側，且與閘極線交錯以定義出多個第一暫置圖素區域；多個暫置閘極線，形成於主動區域之外侧且與數據線或暫置數據線交錯以定義出多個第二暫置圖素區域；形成於第一或第二暫置圖素區域内之暫置圖素電極；一暫置薄膜電晶體，被連接至閘極線、數據線、暫置閘極線與任一於暫置圖素區域之暫置數據線，且具有通道寬度對通道長度之比率係大於第一薄膜電晶體：及與第一基材相對向之第二基材。

第36頁 4Λ07 36 六、申請專利範圍 2 〇.如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示器，另外包含形成於第一或第二基材上之黑紋矩陣。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示器，其中暫置圖素電極被黑紋矩陣被覆蓋住。 .2 2.如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示器，其中暫置薄膜電晶體之通道寬度對通道長度之比率係超過第一薄膜電晶體兩倍。 2 3 . —種液晶顯示器，包含：第一絕緣基材；多條閘極線，形成於第一基材上；多條數據線，其與閘極線-交錯以定義出多個圖素區域；多個圖素電極，形成於圖素區域中；多個第一薄膜電晶體，形成於圖素區域中，每一薄膜電晶體包含閘極、源極與汲極電極，此等電極分別連接至一閘極線、一數據線與一圖素電極；多條暫置數據線，形成於包含圖素區域之主動區域之外側，且與閘極線交錯以定義出多個第一暫置圖素區域；多個暫置閘極線，形成於主動區域之外側且與數據線或暫置數據線交錯以定義出多個第二暫置圖素區域；形成於苐一或第二暫置圖素區域内之暫置圖素電極；以及多個暫置薄膜電晶體，被形成於第一或第二暫置圖

第37頁 4Λ0736 \'申請專利範圍素區域其中之一且被連接至閘極線、數據線、與暫置閘極線或暫置數據線。 2 4.如申請專利範圍第23項之液晶顯示器，其中暫置薄膜電晶體具有不同值之通道寬度對通道長度之比率。 2 5.如申請專利範圍第2 3項之液晶顯示器，其中暫置薄膜電晶體被連接至暫置圖素電極。包含 26. CTC? •種液晶顯一絕緣基材；多條導線形成於基材上；及連接至一導線且具有半導體圖案之第一放電圖案，其中靜電電荷藉隧道效應經由於半導體圖案中所產生之通道予以放電° 2 7.如申請專利範圍第2 6項之液晶顯示器，另外包含儲存電容器形成於半導體圖案與第一電壓之間。 2 8.如申請專利範圍第2 7項之液晶顯示器，另外包含多個第二放電圖案並聯連接至第一放電圖案之導線。 2 9.如申請專利範圍第2 8項之液晶顯示器，其中第一與第二放電圖案並聯連接於鄰接之兩導線之間。 0 3 0. —種液晶顯示器，包含：一絕緣基材；一形成於基材上之絕緣膜；以第一方向形成於基材上之導線；在接近導線處形成之供靜電電荷放電之.非晶系矽圖案；

第38頁 -44 07 3 6 六、申請專利範圍 3 5.如申請專利範圍第3 4項之液晶顯示器之製造方法，其中第一電極自數據導線延伸出；第一電極之末端有所指向地形成，與指向之末端重疊於供使靜電電荷放電之非晶系石夕圖案之邊緣。 3 6.如申請專利範圍第3 5項之液晶顯示器之製造方法，其中第二電極之末端係有所指向地形成且第二電極重疊於非晶系矽圖案在第一電極之對向側之邊緣。 3 7.如申請專利範圍第3 6項之液晶顯示器之製造方法，另外包含如下之步驟：沉積鈍化膜於數據導線與第一及第二電極上；及使閘極絕緣膜與鈍化膜製減圖案以形成暴露出第二電極之接觸孔。 3 8.如申請專利範圍第3 7項之液晶顯示器製造方法，另外包含如下之步驟：沉積一導電層；及將導電層製成圖案以形成經由接觸孔連接至第二電極之電容器之圖素電極與導電圖案。 3 9.如申請專利範圍第3 8項之液晶顯示器之製造方法，另外包含將第一金屬層製成圖案之步驟以形成供使靜電電荷放電之暫置金屬線。 4 〇. —種具備多個圖素之液晶顯示器，包含：彼此相互交錯以定義出圖素之多個閘極線與多個數據線；至少一條暫置閘極線與閘極線，並聯而被製得且位

第40頁 440736 六、申請專利範圍於包含圖素之主動區域之外側；第一電阻器與電容器，串聯連接於數據線之第一數據線與暫置閘極線；及第二電阻器被連接至電容器及連接至鄰接於第一數據線之數據線。 4 1.如申請專利範圍第4 0項之液晶顯示器，另外包含至少一條暫置數據線，其被形成於主動區域之外侧而與數據線並聯，且電氣連接至暫置閘極線。 4 2. —種液晶顯示器，包含：形成於基材上之多個閘極線；至少一條暫置閘極線，形減於閘極線外側之基材上；覆蓋住閘極線與暫置閘極線之閘極絕緣膜；多條數據線，形成於閘極絕緣膜之上且與閘極線與暫置閘極線交錯；多個第一半導體圖案，形成於閘極絕緣膜之上且分別連接至數據線之第一數據線；多個第二半導體圖案，形成於閘極絕緣膜之上且分別連接至鄰接於第一數據線之數據線之第二數據線；覆蓋住數據線與第一及第二半導體圖案之鈍化膜；以及至少一個電容器圖案，被形成於鈍化膜之上，與暫置閘極線重疊，且電氣連接至第一與第二半導體圖·案。 4 3.如申請專利範圍第4 2項之液晶顯示器，另外包含至

C:\Program Files\Patent\55434.ptd 第41頁 _ 4407 3 6 六、申請專利範圍少一條暫置數據線與數據線並聯被形成於基材之上且電氣連接至暫置閘極線。 44.如申請專利範圍第43項之液晶顯示器，另外包含形成於鈍化獏上之連接圖案，重疊於暫置閘極線之末端與暫置數據線，且經由在鈍化膜内之接觸孔被連接至暫置閘極線與暫置數據。 4 5.如申請專利範圍第42項之液晶顯示器，其中電容器圖案多個位於鄰接兩數據線之間，暫置閘極線包含多個相對於數據線彼此分離開之暫置圖案，每一暫置圖案同時與介於鄰接兩數據線間之電容器圖案重疊。 46.如申請專利範圍第45項之I晶顯示器，其中暫置圖案係為浮置。 4 7.如申請專利範圍第42項之液晶顯示器，另外包含形成於閘極絕緣膜上且分別連接於第一半導體圖案至電容器圖案與第二半導體圖案至電容器圖案之第一與第二連接圖案。 48.如申請專利範圍第47項之液晶顯示器，其中電容器圖案被由氧化銦錫製得。 4 9.如申請專利範圍第42項之液晶顯示器，其中第一與第二半導體圖案被由非晶系矽製得。 5 0.如申請專利範圍第4 2項之液晶顯示器，另外包含電極圖案，其形成於基材與閘極絕緣膜之間且位於第一與第二半導體圖案之下。

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