KR0151296B1 - 정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법

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Abstract

본 발명은 정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, LCD 패널 제작시에 발생하는 정전기에 의한 버스라인간의 단락 및 소자의 열화 및 파괴를 방지하기 위한 것이다.
본 발명은 복수개의 게이트 버스라인과, 상기 게이트 버스라인과 직교하는 복수개의 데이타 버스라인, 상기 복수개의 게이트 버스라인과 복수개의 데이타 버스라인의 각각의 교차지점에 형성되는 복수개의 TFT로 이루어지는 TFT어레이부, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 게이트 버스라인과 연결된 게이트 쇼팅바, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 데이타 버스라인과 연결된 데이타 쇼팅바를 포함하여 이루어진 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 쇼팅바와 데이타 쇼팅바간에 ITO로 이루어진 저항이 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치를 제공한다.

Description

정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법
제1도는 종래의 LCD패널의 정전기 방지구조를 도시한 도면.
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 LCD 패널의 정전기 방지구조를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 픽셀
3 : TFT 4 : 게이트 버스라인
5 : 게이트 쇼팅바 6 : 데이타 버스라인
7 : 데이타 쇼팅바 8 : ITO 저항
9 : 가드라인 10 : 게이트 패드
11 : 데이타 패드
본 발명은 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치(LCD ; Liquid Crystal Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 LCD패널 제작시에 발생하는 정전기에 의한 버스라인간의 단락(short) 및 소자의 열화 및 파괴를 방지하기 위한 정전기 방지구조 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
LCD패널을 제작하는 과정중에 여러가지 요인으로 인한 정전기가 발생하게 되는데, 이 정전기로 인해 LCD구동회로부의 버스라인간에 단락이 발생하거나 소자의 열화 및 파괴가 일어나는 문제가 초래된다.
이러한 정전기로 인한 문제를 해결하기 위해 종래에는 제1도에 도시된 바와같이 공통 쇼트회로 라인(common short circuit line)(70, 72)을 TFT어레이(30) 외곽에 설치한 정전기 방지구조를 채용하였다.
이와같은 정전기 방지구조에 있어서, 각각의 데이타 버스라인(40)의 끝단은 공통 쇼트회로 라인(70)에 의해 쇼트되고, 각각의 게이트 버스라인(48)은 끝단이 공통 쇼트회로 라인(72)에 의해 쇼트되게 된다. 상기 공통 쇼트회로 라인(70, 72)은 기판 코너부분에서 쇼트회로 전극(88)에 의해 연결됨으로써 쇼트되므로 정전기로 인한 버스라인간의 쇼트를 방지할 수 있게 된다.
액정표시장치의 제조공정이 완료되면 절단선(92)에 따라 기판(38)을 절단함으로써 상기 공통 쇼트회로라인은 제거되게 된다. 제1도에서 미설명부호 90은 연결전극을 나타낸다.
상기한 종래기술에서는 정전기 방지를 위한 공통 쇼트회로 라인을 금속으로 형성하기 때문에 저항이 수Ω~수십Ω으로 작아 TFT어레이 형성공정후의 어레이테스트(쇼트 테스트)가 불가능하다.
본 발명은 이와같은 문제를 해결하기 위한 것으로, LCD패널 제작시에 발생하는 정전기를 방지하기 위해 쇼팅바(shorting bar)와 외부 가드라인(guard line)간에 ITO(Indium Tin Oxide) 저항을 설치한 정전기 방지구조 및 이를 형성하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치는 복수개의 게이트 버스라인과, 상기 게이트 비스라인과 직교하는 복수개의 데이타 버스라인, 상기 복수개의 게이트 버스라인과 복수개의 데이타 버스라인의 각각의 교차지점에 형성되는 복수개의 TFT로 이루어지는 TFT어레이부, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 게이트 버스라인과 연결된 데이타 쇼팅바, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 데이타 버스라인과 연결된 데이타 쇼팅바를 포함하여 이루어진 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 쇼팅바와 데이타 쇼팅바간에 ITO로 이루어진 저항이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치의 제조방법은 기판상에 도전물질을 증착하는 공정, 상기 도전물질층을 패터닝하여 TFT어레이부의 게이트전극과 게이트 버스라인 및 게이트 버스라인과 연결되는 TFT어레이 외곽부의 게이트 쇼팅바를 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정, 상기 TFT어레이부의 게이트절연막상부에 활성층 및 오믹콘택층을 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 도전물질을 증착하는 공정, 상기 도전물질층을 패터닝하여 소오스 및 드레인전극과 데이타 버스라인 및 데이타 버스라인과 연결되는 ITO를 증착하는 공정, 및 상기 ITO막을 패터닝하여 TFT어레이부의 화소전극을 형성함과 동시에 상기 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바와 게이트 쇼팅바 사이에 ITO저항을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도에 본 발명에 의한 LCD패널의 정전기 방지구조를 평면도로 나타내었다. 본 발명의 일실시예에 의한 LCD패널의 정전기 방지구조는 도시된 바와 같이 쇼팅바(5, 7)와 정전가드라인(9) 사이에 ITO저항(8)이 설치되어 등전위를 이루도록 구성된다.
상기 쇼팅바는 TFT어레이부의 데이타 버스라인(6)과 접속한 데이타 패드(11)의 외곽부에 데이타 패드(11)에 연결되어 형성된 데이타 쇼팅바(7)와 TFT어레이부의 게이트 버스라인(4)과 접속된 게이트 패드(10)의 외곽부에 게이트 패드(10)에 연결되어 형성된 게이트 쇼팅바(5)로 이루어지며, 외곽부의 정전가드라인(9)에 ITO 저항(8)에 의해 각각 연결되어 있다.
상기 ITO 저항(8)은 저항이 수십~수백KΩ으로 할 수 있다. 따라서 본 발명에서와 같이 데이타 쇼팅바(7)와 게이트 쇼팅바(5)사이에 ITO로 저항(8)을 형성할 경우, 정전기방지는 물론 LCD패널 제조공정을 완료한 후 행하는 어레이 테스트가 가능하게 된다.
상기한 종래 기술의 경우에는 데이타 쇼트회로 라인(72)과 게이트 쇼트회로 라인(70)이 저항이 작은 금속 전극(88)에 의해 쇼트되기 때문에 어레이 테스트를 위해 신호를 인가하게 되면 게이트 버스라인과 데이타 버스라인에 동시에 신호가 가해져 테스트가 불가능하게 된다. 이에 비해 본 발명의 경우에는 상기한 바와 같이 비교적 저항이 큰 ITO로 데이타 쇼팅바와 게이트 쇼팅바를 연결하므로 데이타 버스라인(6)과 게이트 버스라인(4)에 각기 신호를 인가함으로써 어레이 테스트가 가능하게 되는 것이다.
제3도는 상기 ITO저항(8) 부분의 상세도로서, 저항을 크게 하기 위해 ITO라인을 도시한 바와 같은 형태로 형성할 수도 있음을 나타낸 것이다.
한편, 각 쇼팅바와 가드라인간의 ITO저항(8)을 제2도에 도시된 바와 같이 1곳 이상에서 형성할 수도 있다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 정전기 방지구조를 도시한 것으로, ITO 저항(8)을 데이타 쇼팅바(7)와 게이트 쇼팅바(5) 사이에 직접 연결한 경우를 나타낸 것이다.
상기 쇼팅바(5, 7) 및 가드라인(8)은 LCD패널의 제조 및 어레이 테스트가 완료된 후 TFT어레이 외곽부의 소정의 절단선을 따라 행해지는 절단공정에 의해 제거되게 된다.
제2도 및 제4도의 미설명 부호 1은 기판, 2는 픽셀, 3은 TFT를 각각 나타낸다.
한편, 상기 ITO 저항(8)은 TFT어레이 제조공정중의 화소전극 형성단계에서 동시에 형성한다.
예를 들면, 기판상에 도전물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 TFT어레이부의 게이트 전극 및 이 게이트전극과 연결되는 게이트패드(10) 및 TFT어레이 외곽부의 게이트 쇼팅바(5)를 형성한다. 이어서 기판 전면에 게이트절연막을 형성한 후 반도체층 및 불순물이 포함된 반도체층을 차례로 형성하고 이를 소정패턴으로 패터닝하여 활성층 및 오믹콘층을 형성한 다음, 그 전면에 도전물질을 증착하고 이를 패터닝하여 소오스 및 드레인전극과 이와 연결되는 데이타 패드(11) 및 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바(7)를 형성한다. 다음에 기판 전면에 ITO를 증착한후, 이를 패터닝하여 TFT어레이부에는 화소전극을 형성함과 동시에 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바(7)와 게이트 쇼팅바(5) 사이에는 ITO저항을 형성함으로써 데이타 쇼팅바(7)와 게이트 쇼팅바(5)가 ITO저항에 의해 연결되도록 한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, LCD패널의 쇼팅바사이에 비교적 큰 ITO로 이루어진 저항을 설치함으로써 정전기를 방지함과 동시에 TFT어레이 제조 공정후의 어레이 테스트가 가능하게 된다.

Claims (6)

  1. 복수개의 게이트 버스라인과, 상기 게이트 버스라인과 직교하는 복수개의 데이타 버스라인, 상기 복수개의 게이트 버스라인과 복수개의 데이타 버스라인의 각각의 교차지점에 형성되는 복수개의 TFT로 이루어지는 TFT어레이부, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 게이트 버스라인과 연결된 게이트 쇼팅바, 상기 TFT어레이부 외곽에 상기 데이타 버스라인과 연결된 데이타 쇼팅바를 포함하여 이루어진 액정표시장치에 있어서, 상기 게이트 쇼팅바와 데이타 쇼팅바간에 ITO로 이루어진 저항이 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 및 데이타 쇼팅바의 외곽부를 둘러싸며 형성된 가드라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트 쇼팅바 및 데이타 쇼팅바와 상기 가드라인 사이에 각각 ITO로 된 저항이 하나이상 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치.
  4. 기판상에 도전물질을 증착하는 공정, 상기 도전물질층을 패터닝하여 TFT어레이부의 게이트전극과 게이트 버스라인 및 게이트버스라인과 연결되는 TFT어레이 외곽부의 게이트 쇼팅바를 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정, 상기 TFT어레이부의 게이트절연막상부에 활성층 및 오믹콘택층을 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 도전물질을 증착하는 공정, 상기 도전물질층을 패터닝하여 소오스 및 드레인전극과 데이타 버스라인 및 데이타 버스라인과 연결되는 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바를 형성하는 공정, 상기 기판 전면에 ITO를 증착하는 공정, 및 상기 ITO막을 패터닝하여 TFT어레이부의 화소전극을 형성함과 동시에 상기 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바와 게이트 쇼팅바 사이에 ITO 저항을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 TFT어레이부의 게이트전극과 게이트라인 및 게이트라인과 연결되는 TFT어레이 외곽부의 게이트 쇼팅바를 형성하는 공정시에 상기 게이트 쇼팅바 및 데이타 쇼팅바 외곽부에 가드라인을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 전극과 데이타라인 및 데이타라인과 연결되는 TFT어레이 외곽부의 데이타 쇼팅바를 형성하는 공정시에 상기 게이트 쇼팅바 및 데이타 쇼팅바 외곽부에 가드라인을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지구조를 갖춘 액정표시장치의 제조방법.
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