KR100919192B1 - 리페어 배선을 포함하는 액정표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

리페어 배선을 포함하는 액정표시장치와 그 제조방법

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 리페어 배선 구조에 관한 것으로서 특히 게이트라인과 공통전극라인이 동일 기판상에 배열되는 IPS모드의 박막트랜지스터 어레이 기판의 제작시 이물질등에 의해 게이트라인과 공통전극라인에 단선,단락이 생길 경우 수리하기 위해 ITO로된 리페어 배선을 게이트라인과 공통전극라인 위에 게이트라인들과 공통전극라인들과 각각 대응되는 리페어 패턴을 형성함으로서 단락, 단선이 발생한 경우 단선, 단락된 게이트 또는 공통전극라인과 그 상부에 형성된 리페어 라인과 레이저등에 의해 용접함으로서 액정 표시 장치의 선 결함을 수리한다.

Description

리페어 배선을 포함하는 액정표시장치와 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS INCLUDING REPAIR LINE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히 IPS(in plane switching)모드에서, 다수의 박막트랜지스터가 매트릭스 형상으로 배열되어 있는 박막트랜지스터 어레이 기판에서 트랜지스터에 연결되는 게이트 배선 및 상기 기판상의 화소전극과 함께 전계를 형성하기 위한 공통전압전극 배선에 단락,단선이 발생 할 경우 이를 수리하기 위한 리페어 구조에 관한 것이다.
통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 굴절률 이방성,유전률 이방성을 가지는 액정의 배열을 조절함으로 화상을 조절한다. 이를 위하여, 액정표시장치는 액정 쎌들이 매트릭스 형태로 배열 되어있는 액정패널과, 이 액정을 구동하기 위한 구동회로를 구비하고 있다.액정패널에는 액정쎌들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극과 기준전극,즉 공통전극을 구비하고 있다. 화소전극들은 박막트랜지스터가 매트릭스 형태로 배열된 하부기판상에 배치되어있는 반면 공통전극은 상부 기판과일체로 형성되어 있다. 화소전극들 각각은 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터의 소오스 및 드레인을 경유하여 데이터라인의 어느 하나와 각각 연결 된다.공통전극은 하부 박막트랜지스터 어레이 기판과 칼라필터가 배치된 상부기판 사이의 은 접점을 경유하여 외부로부터 전압이 인가되는 공통전압전극과 접속된다.박막트랜지스터들 각각의 게이트 단자는 화소 전압 신호가 1라인 분씩의 화소 전극들에게 인가되게끔 하는 게이트 라인들 중 어느 하나에 접속 되게 된다.
박막트랜지스터(Thin Film Transistor 이하 TFT)들은 게이트라인과 데이터 라인의 교차부에 형성된다. 이 TFT는 게이트라인에 연결된 게이트전극, 데이터라인에 접속된 소오스전극, 접촉홀을 통해 화소전극에 연결된 드레인전극으로 구성되어 있다.
또한 TFT는 게이트전극에 공급되는 게이트전압에 의해 소오스와 드레인을 도통하기 위한 반도체 층을 더 구비한다.이러한 TFT는 게이트라인의 게이트 신호에 응답하여 데이터라인의 데이터신호를 선택적으로 화소전극에 공급한다. 화소전극은 데이터라인과 게이트라인에 의해 분할된 쎌 영역에 위치하며 광 투과율이 높은 투명전극으로 이루어져 있다.이 화소전극들은 접촉홀을 통해 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판의 공통전극과 전계를 형성하고 이 전위차에 의해 상부기판과 하부기판 사이에 위치하는 액정들이 유전율 이방성에 의해 회전하고 하부기판 아래의 광원으로부터의 빛을 상부기판쪽으로 통과시킨다.
상기의 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조공정을 살펴 보면, 먼저 게이트 패턴을 형성하는 단계와 스위칭소자의 액티브층 형성 단계 및 소오스,드레인전극 형성 단계와 화소전극 형성 단계로 나눌 수 있다.
게이트 패턴을 형성하는 단계에서는 전기장 속에서 가속된 플라즈마 상태의 불활성 기체의 이온들이 증착하고자 하는 타겟에 부딪쳐 증발(evaporation)한 타겟입자가 기판에서 재결합하여 박막을 형성하는 스퍼터링(sputtering)방법과 식각방법을 통해 게이트 패턴을 형성한다. 스위칭 소자의 액티브 형성 단계에서는 상기에서 형성된 게이트 패턴에 절연막을 증착시키고 게이트전압에 의해 소오스와 드레인 사이를 도통시키기 위한 비정질 실리콘층을 증착하고 상부에 형성되는 소오스,드레인 층과 오믹 접촉(Ohmic contact)을 형성하기 위한 n+막을 형성한다.
소오스, 드레인 형성 단계에서는 Al,Al합금,저저항 Cr,Ti등을 스퍼터링법에 의해 소오스 ,드레인을 형성한다.
오늘날에는 XGA,SXGA등의 고해상도의 TFT액정표시장치가 생산되고 있으므로 게이트 ,드레인 및 공통전압전극의 선폭은 좁아지고 세밀화됨으로 TFT액정표시 장치의 제조 공정 중 각종 먼지는 패턴의 단선,단락의 주요 원인이 되고 전반적인 수율,품질,신뢰성을 약화시키고 있다.이 밖에도 소자의 단락의 원인은 다양한데 예를 들면,성막 공정의 먼지나 레지스트 도포공정의 먼지,세정공정의 먼지,세정공정의 건조 불균일,유리기판위의 미세한 긁힘 등이 있다.
이러한 결함은 형태에 따라 점 결함(Dot defect),선결함(Line defect),표시얼룩으로 나눌 수 있는데 점 결함은 박막트랜지스터 소자 또는 화소전극 등의 불량으로 발생하며,선 결함은 배선의 단락 및 정전기에 의한 박막트랜지스터의 파괴에 의해 유발된다.이러한 결함 중 선 결함은 하나라도 발생하면 치명적이며 제품으로서의 가치를 상실한다. 이러한 이유로 선 결함의 제거 방법이 중요한 문제로 대두되고 있다.
상기에서 설명한 것은 통상의 TN(Twisted Nematic)모드에 관한 설명으로서 TN모드는 좁은 시야각 특성과 늦은 응답 특성,특히 그레이 스케일 동작에서의 늦은 응답 특성으로 근본적인 문제점을 내포하고 있다. 이를 개선하기 위해 최근에는 액정을 구동하기 위한 공통전극배선과 화소전극이 동일 평면상에 배치된 IPS(in plane switching)모드가 제안 되었다.
도 1을 통해 IPS모드의 액정 표시 장치의 동작 특성을 설명한다.
도 1에서 다수의 게이트 라인(1)과 데이터 라인(2)은 서로 수직 교차하고 격자 형태로 기판 위에 배열되고 이로인해 단위 액정쎌 공간이 한정된다.이때 데이터 라인(2)과 게이트라인(1)은 게이트 절연막을 사이에 두고 절연되어있다.
상기의 단위 액정쎌의 각각에는 공통전극(3)이 단위 쎌을 이루는 게이트라인과 일정한 간격을 두고 평행하게 배치된다.이때 공통전극(3)에는 해당 단위 액정쎌을 이루는 게이트라인(1)을 향하여 사각형의 브랜치 라인(3a)을 갖는다.
이 브랜치 라인(3a)은 가운데에 개구부(H)를 가짐으로 사각형의 틀 형상을 이룬다.이 개구부(H)는 LCD의 빛 투과 영역이 된다.여기서 상기의 브랜치 라인(3a)은 공통전극(3)에서 연장되어 데이터라인(2)과 게이트라인(1)에 의해 형성된 각 쎌마다 형성된다.
게이트라인과 데이터라인의 교차점에는 박막트랜지스터를 구성하기 위한 채널층(C)이 구비된다. 이 채널층은 게이트라인의 상부에 놓이게 되고 데이터라인이 채널층의 일측 부분과 오버랩 되도록 배치 된다.
단위 쎌 공간 각각에는 공통전극의 개구부(H)를 이등분하고 게이트 라인(1)과 평행한 공통전극(3) 부분과 오버랩 됨과 더불어 채널층의 타측과 오버랩 되는 화소전극(4)이 형성된다.
여기서 화소전극(4)과 공통전극(3)이 오버랩된 부분(CAP)은 IPS모드의 액정표시소자에서 보조용량전극이 된다.이때 게이트 라인(1)과 데이터라인(2)의 교차점에서는 게이트라인을 게이트전극으로 하고 채널층을 채널영역으로 하며 데이터라인을 소오스 전극,화소 전극을 드레인측 전극으로하는 박막트랜지스터가 형성된다.
이와같은 IPS모드의 액정표시장치에서는 게이트라인중 어느 하나를 통해 게이트 전압이 인가되고 데이터라인에 영상신호가 인가되면 신호가 인가된 게이트라인과 테이터라인의 교차점의 박막트랜지스터가 턴온되어 데이터라인의 영상신호가 화소전극으로 흐르게 된다. 또한 공통전압전극을 통해 박막트랜지스터 어레이 기판상에 설치된 공통전극에 전압이 인가되어 화소전극과 상기의 공통전극 사이에 전계가 형성된다.이 전계에 의해 액정이 재배열되고 박막트랜지스터 어레이 기판 하부로부터 상부기판 방향으로 빛을 투과시킨다.
상기의 IPS모드에서 게이트라인과 공통전압전극라인을 증착할 때 각종 이물은 게이터라인이나 공통전압전극라인의 단락, 단선의 원인이 되고 액정표시장치에 치명적인 결함으로 작용한다.
도 1b는 게이트라인(1) 또는 공통전극라인(3)에 단선, 단락이 발생한 경우를 예시한다. 즉,게이트라인(1) 또는 공통전극라인(3)의 일부가 단선, 단락이 생기면 단락 이후의 단위 셀 영역에는 전압인 인가되지 않으므로 스위칭 소자가 동작하지 않아 액정기판에 치명적인 불량이 발생한다.
따라서 본발명은 IPS모드의 액정표시장치의 게이트라인과 공통전압전극 라인의 단선, 단락이 발생한 경우 수리 하는 리페어 배선을 포함하는 액정표시장치를 형성함을 목적으로 한다.
상기의 본발명의 목적을 이루기 위한 액정표시소자는 기판과,상기 기판에 교차배열된 다수의 게이트라인 및 데이터라인과,상기의 게이트라인과 데이터라인의 교차로 생기는 단위 쎌공간을 이격공간으로 하여 게이트라인과 평행하게 배열되고 단위쎌을 이루는 게이트라인을 향하여 사각형 형상의 브랜치라인을 구비한 공통전극과,단위 쎌 공간 각각에는 공통전극의 개구부를 이분하고 게이트 라인과 평행한 공통전극 부분과 오버랩 됨과 더불어 채널층의 일측과 오버랩되는 화소전극과, 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 위치하는 스위칭소자와 상기의 게이트라인 및 공통전극배선과 유사한 패턴으로 구성된 리페어배선을 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은 기판을 준비하는 단계와,상기의 기판에 가로방향으로 다수의 게이트라인을 형성하고 그와 동시에 게이트라인과 평행하고 게이트라인을 향하여 사각형의 브랜치 라인을 구비한 공통전극라인을 형성하는 단계와, 세로방향으로 다수의 데이터라인을 형성하는 단계와,상기 게이트라인과 데이터라인의 교차지점에 형성되는 스위칭소자를 형성하는 단계와,상기 스위칭소자 상단의 채널층의 일측과 연결되고 공통전극의 개구부를 이등분하고 게이트라인과 평행한 공통전극 부분과 오버랩 됨과 더불어 채널층의 타측과 오버랩되는 화소전극을 형성하고 절연막으로 상기 화소전극이 형성된 기판을 층착하는 단계와, 게이트라인 패턴 및 데이터라인 패턴과 그 배열이 유사한 리페어라인 패턴을 형성하는 단계와, 게이트라인 또는 데이터라인의 일부에 단선이 발생한 경우 레이저 등에 의해 리페어라인과 단선된 게이트라인 또는 데이터라인을 접합하는 단계를 포함한다.
삭제
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
(실시예 1)
본발명의 일 실시예는 IPS모드 액정표시장치에서 게이트라인(1)패턴과 공통 전극라인(3)패턴이 함께 패터닝 된 박막트랜지스터 어레이기판상에서 게이트 라인(1)또는 공통전극라인(3)들이 단선,단락 되었을때 이를 수리하기 위한 리페어배선 구조를 제안한다.
즉,도 2a를 참조하여 본 실시예에 따른 액정표시장치를 설명하면, 하부 기판(20)상에 다수의 게이트라인(1)이 서로 평행하게 배열된다. 이와 동시에 다수의 게이트라인(1)과 다수의 데이터라인(2)이 서로 매트릭스 형태로 수직 교차함으로서 생기는 각 단위 쎌을 이격 공간으로 하여 게이트 라인들(1)과 평행하게 배열되고 각 단위 셀마다 게이트라인(1)을 향하여 사각형 형상을 이룬 브랜치(3a)를 구비하는 공통전극라인(3)이 배열된다.
각 브랜치라인(branch line)(3a)의 내측은 하판 밑으로부터 박막트랜지스터 어레이기판을 지나 액정을 통해 상판으로 빛을 통과 시킬 수 있도록 개구부(H)가 위치 한다.
이후 도 2b 에서처럼 상기의 게이트전극(11) 및 공통전극(13) 위에 게이트절연막(26)을 형성하고 게이트라인과 데이터라인의 교차지점에 형성되는 스위칭소자 형성공정을 진행한다.
즉 도2b에서 게이트 절연막(26)위에 비정질 실리콘 반도체층(27)을 증착하고, 상기의 반도체층(27)과 그 상부의 소오스,드레인 배선과 오믹 접촉을 위한 N+층(28)을 형성하고, 그위에 소오스(29),드레인전극(210)을 형성한다. 이후 SiNx,SiOx등의 무기막이나 BCB(β-stagged-divinyl-siloxane benzocyclobutene)등 유기 보호막으로 보호층(211)을 형성한다.
다음으로 도(2c)에서처럼, 박막트랜지스터의 드레인전극을 통해 데이터 신호를 전달받는 투명도전막으로 이루어진 화소전극(211) 패턴을 단위 쎌의 각각에 형성된 공통전극(3)의 개구부(H)를 이등분하고 게이트라인(1)과 평행한 공통전극부분(3)과 오버랩하고 채널층의 일측과 오버랩하도록 형성한다. 상기의 화소전극을 형성한 이후 상기 화소전극과 이후 형성될 리페어라인의 절연을 위해 절연층(240)을 증착한다(도2d).
다음으로 화소전극과 동일한 ITO 또는 IZO(indium zinc oxide)의 투명전극 물질로 상기에서 형성된 게이트전극라인(1)및 공통전극라인(3)과 유사하고 상기의 게이트라인(1) 및 공통전극라인(3)과 각각 일치하는 리페어라인(212)을 패턴닝한다(도2d).
이때 리페어라인(212)의 패턴은 하판에 형성된 게이트라인(1) 및 공통전극라인(3)과 동일한 배열 형상일 필요는 없다. 특히 공통전극라인(3)은 각 단위 쎌마다 게이트 라인(1)을 향하여 형성된 브랜치라인(3a)을 구비하는데 화소전극(211)과 함께 형성되는 리페어라인(212) 패턴에서는 브랜치라인을 포함하는 공통전극라인(3)과 동일한 형상의 리페어라인(212) 패턴을 형성 할 필요는 없고 게이트라인과 같이 직선형의 리페어라인(212)이 바람직하다.
그 이유는 리페어 라인은 공통전극라인 또는 게이트전극라인이 이물질 등에 의해 단락이 발생한 경우, 단락 이후의 공통전극라인 또는 게이트라인에는 전압이 인가되지 않아 라인 전체에 불량이 발생하는 것을 게이트라인과 공통전극라인의 상부에 설치된 리페어라인과 그에 대응되는 게이트라인 또는 공통전극라인의 끝단을 레이저 등으로 용접함으로, 용접된 리페어 라인을 통해 단락되어 전압이 인가되지 않던 게이트라인 또는 공통전압전극라인에 전압을 인가해 주기만하면 되기 때문이다.
그러나 상기의 리페어라인 패턴은 하판에 형성된 게이트라인 및 공통전극라인의 각각과 일대일 대응되도록함이 바람직하다.
다음으로 이물등에 의해 게이트라인 또는 공통전극라인에 단선 단락이 발생한 경우 상기의 리페어라인과, 단선,단락이 발생한 게이트 또는 공통전극라인을 레이저에 의한 용접을 실시한다. 게이트라인 또는 공통전극라인은 상기 리페어라인과 절연층을 사이에 두고 서로 일대일로 겹쳐 있으므로 단선,단락된 라인 상부의 리페페어라인에 레이저를 조사하면 리페어라인과 단선,단락된 게이트라인 또는 공통전극라인 사이의 절연층에 홀(231)이 뚫리고 상기 홀을 통해 레이저에 의해 용융된 리페어라인(212)이 흘러들어가 전기적 접속을 이룬다. 레이저 용접부로는 액티브층 외곽으로부터 게이트신호를 인가받는 게이트패드(232)와 제1 데이터라인(234) 사이에 위치한 정전기 방지회로(233)와 제1 데이터라인(334) 사이의 임의의 지점이 적당하다.
(실시예 2)
본 발명의 다른 실시예는 상기 리페어라인의 구조 및 배치를 다르게 구성한 예이다.
즉,상기의 실시예에서는 게이트라인과 공통전극라인과 각각 일대일로 일치 하는 다수의 리페어라인을 형성했다. 그러나 공정진행중 이물등에 의해 불량이 발생하더라도 모든 게이트라인이나 공통전극라인에 불량이 발생하는 것은 아니기 때문에 리페어가 불필요한 게이트라인 및 공통전극라인은 리페어 라인이 필요 없으므로 리페어라인의 수를 줄일 필요가 있다.하지만 어느 배선에서 불량이 발생 할 지 예측 할 수 없기 때문에 상기의 실시예에서는 모든 게이트라인과 공통전극라인에 대응되도록 리페어라인을 형성했다.
본 발명의 다른 실시예는 이와같은 리페어 라인의 수를 반으로 줄이기 위해 상기의 게이트 라인과 가장 가까운 공통전극라인과의 사이에 리페어라인의 패턴을 형성하고 그 리페어라인의 양 끝단을 양측의 게이트라인 및 공통전극라인과 오버랩 될 수 있도록 T자형으로 구성하고 단선, 단락이 발생 할 경우 T자형의 끝단 중 게이트라인 및 공통전극라인에 오버랩 하는 부위와 단선이 발생한 게이트 라인 또는 공통전극라인을 레이저 등에 의해 용접하여 선 결함을 수리한다.
도 3 을 통해 상세히 설명한다.
기판 위에 다수의 게이트 라인(1)과 이와 평행한 공통전극라인(3)과 스위칭 소자(도시 생략)와 게이트라인과 직교하는 데이터라인(2)을 형성하는 공정은 상기 제 1 실시예와 같다.
이렇게 되면 게이트라인(1)과 그 다음 쎌의 공통전극라인(3b)이 일정한 간격을 두고 인접하게 배열되게 된다.이때 리페어라인을 형성하는 단계에서 상기 게이트라인(1)과 그와 가장 인접한 공통전극라인(3b)의 사이로 리페어 라인(312)의 패턴을 형성하고 그 양 끝단을 T자형으로 형성하여 각각 게이트라인 및 데이터라인의 끝단과 오버랩 되도록 한다.
상기 끝단은 도 2e에서와 같이 정전기 방지회로와 제1 데이터라인 사이로 함이 적당하다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 액정표시장치의 리페어라인의 제조공정은 상기 실시예 1에서와 동일하다.
이상에서 설명한 것과 같이 본발명에 의한 리페어라인을 포함한 액정표시장치에 의하면 화소전극 형성단계에서 게이트라인 및 공통전극라인의 리페어라인 페턴을 게이트라인 및 공통전극라인과 각각 일치하도록 형성하고 단선,단락이 발생한 게이트라인 또는 공통전극라인의 양 끝단을 레이저 등에 의해 용접함으로서 리페어 라인을 통해 단선, 단락된 배선에 전압을 공급하여 줌으로서 한 점의 단락으로 라인 전체의 불량이 발생하는 것을 개선하고 미미한 점 결함으로 전환 할 뿐 아니라 게이트라인 및 공통전극라인의 각각과 대응되는 다수의 리페어라인을 형성함으로서 어느 부위에서 배선의 단락이 발생하여도 불량의 수리가 가능하다.
도 1a은 일반적인 IPS모드 액정표시장치의 하부기판 평면도
도 1b는 종래 IPS모드에서 단선 ,단락이 발생한 경우의 개략도
도 2a는 본 발명의 게이트라인과 공통전극라인이 기판위에 배열된 평면도
도 2b는 본 발명의 스위치소자의 단면도
도 2c는 본 발명에 의한 화소전극이 형성된 액정표시장치의 평면도
도 2d는 본 발명에 의한 화소전극과 리페어라인 사이에 절연층을 형성한 단면도
도 2e는 본 발명에 의한 게이트라인 또는 공통전극라인과 리페어라인을 전기적으로 연결하는 단면도.
도3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 리페어라인을 포함하는 액정표시장치의 평면도.
***** 도면의 중요부분에 대한 부호의 설명 *****
1:게이트 배선 2:데이터 배선
3:공통전극 배선 4:화소 전극
H:개구부 11:게이트 전극
13:공통 전극 211:화소 전극
212:리페어 배선 232:게이트 패드
233:정전기 방지회로 234:데이터 배선

Claims (15)

  1. 기판과;
    상기 기판 위에 평행하게 배열된 다수의 게이트 배선과 이와 서로 교차하여 형성되는 다수의 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 평행하고 동일 평면 상에 배열되는 다수의 공통전극배선과;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성되는 스위칭소자와;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차에 의해 형성되는 단위화소영역 내에 위치하는 개구부와;
    상기 스위칭소자에 연결된 화소전극과;
    상기 화소전극을 포함한 기판 전면에 형성된 절연층과;
    상기 절연층상에 형성되고, 상기 게이트배선 및 공통전극배선과 각각 대응되고 게이트배선 및 공통전극배선과 서로 평행한 다수의 리페어배선을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기의 리페어배선은 공통전극배선 및 게이트배선과 일대일 대응되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 기판과;
    상기 기판위에 평행하게 배열된 다수의 게이트배선과 이와 서로 교차하여 형성되는 다수의 데이터배선과;
    상기 게이트배선과 평행하고 동일 평면상에 배열되는 다수의 공통전극배선과;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 형성되는 스위칭소자와;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차에 의해 형성되는 단위 화소영역내에 위치하는 개구부와;
    상기 스위칭소자에 연결된 화소전극과;
    상기 화소전극을 포함한 기판 전면에 형성된 절연층과;
    상기 절연층상에 형성되며, 상기 게이트배선과 가장 근접한 공통전극배선과의 사이에 배열되며, 양 끝단이 T자형으로 형성되어 각각 게이트배선 및 데이터라인의 끝단과 오버랩된 다수의 리페어배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 리페어배선은 상기 게이트배선 또는 공통전극배선과 동 수 인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
  9. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 리페어 배선은 투명전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
  10. 제 5항에 있어서, 상기 리페어 배선의 끝단은 게이트 배선 및 공통전극 배선과 오버랩 되는 것을 특징으로하는 액정표시장치
  11. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 다수의 게이트배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과 평행한 다수의 공통전극배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하여 단위 화소영역을 구획하는 다수의 데이터배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과 데이터배선의 교차 지점에 스위칭소자를 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선의 일측과 오버랩되고 상기 공통전극배선의 일부와 오버랩되는 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기의 화소전극이 형성된 기판위에 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 절연층상에 상기 게이터배선 및 공통전극배선과 각각 대응되는 다수의 리페어배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기의 게이트배선 및 공통전극배선과 일대일 대응되는 다수의 리페어 배선을 형성하는 것을 특징으로하는 액정표시장치 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 리페어배선은 상기 절연층위에 형성되며, 상기 게이트배선과 가장 근접한 공통전극배선과의 사이에 배열되며, 양 끝단이 T자형으로 형성하여 각각 게이트배선 및 데이터라인의 끝단과 오버랩되도록 한 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 리페어배선은 게이트배선 또는 공통전극배선과 동 수인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  15. 삭제
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