TW424244B - Printed wiring board having highly reliably via hole and process for forming via hole - Google Patents

Printed wiring board having highly reliably via hole and process for forming via hole Download PDF

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TW424244B
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Morio Gaku
Nobuyuki Ikeguchi
Yasuo Tanaka
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Mitsubishi Gas Chemical Co
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 2 4 4 a? ______B7___ 五、發明說明(!) f明之領域_ 本發明係關於一種有微通路_孔之印刷佈線^。本.發』3尤 指一種有―^ m ζ Βΰ刷佈線板_,其中去除位於外層,亦 即表_面層下而之銅箔之表面;^__部_#~^象4E-底不1穿銅 箔,並月表面層及以鍍真喜粵毒鲁·>ΒΗ^ΙΙ微姜^ 藉佈 就傳導性而言為高度可靠,始且主要為供體塑 膠封裝使用。 發明之先前技蓊 在一種供使用於半導體塑膠封裝之高密度多層印刷佈線 板,m為_,通路孔係直接μ機械鐙作成,或其藉蝕刻, 去_Μ_表面層-MJI 之孔形iHU分 射*在絕緣層作成孔所作吨。在使用麗槭錯辟,如第内層 銅箔具有小厚度*或麗果多層板在__麗..崖有所變化*在預計 內層銅箔之中間,在1是JL丑向,」1 難Μ作一戚 路孔。在有,些情形,通w乳通過預計内曆廳)箔(,並達到肉 凰鋦蒗下丽少緬箔曆,淇導I在功能上ϋ效。使用二氧 化碳氣體雷射時* 一約有1微米之樹腊層殘留在微通路孔 之壁表面,及殘留在形成微通路孔底部之錮箔表面’並因 此在鍍銅前需要簧施除塗汚處置。在微通路孔_具有小真徑 時,或-之不足夠接觸而不足時*錮辦敷之黏附至.便 不良,其在^·^—性導致不良可靠/性。亦即,由夷而層 銅箔與 路-銅傳H , 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 4 -------------G裝--------訂---------錄 1 {請先閲婧背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 2 4 4 " A7 ___B7_ 五、發明說明(2) ifr#發生傳導失效°而且*有另一問題為Μ上之除塗Θ處 置需要時間2至3倍於供一般通孔除塗汚處置之時間週期’ 其導致不良可工作性。 而且,在銅箔表面以二氧化碳氣體雷射.予Μ直接照射時 ,雷射束被反射,並且無孔作成在銅萡。因此,普知為’ 氣蝕刻去除宪肩層銅箔之預定大小之孔作成部)分,及一露 出之樹脂部份,Μ低輸出二氧化碳氣體雷射予Μ照射,Μ 作成通路孔。存.箔藉触成有小直徑1立 ^孔時,如具有士 偁孔具有不良备撺準 __度之間顆。 再者,存在有銅箔作為內層時,即使在藉蝕刻去除表面 層銅箔之相關部份後,Μ低能量在表面腫銅箔作成孔,执 可能瘁.孔作成接:_內.層题^,_或無~^^_^壁表而形成有銅層 •苳僉計微通路^。 發明之概述 本發明之一項目的為提供一種印刷佈線板,有高度可靠 微通路孔,將在最.外層之銅箔電連接至位於微通路孔底部 之銅箔,及一種形成Μ上微通路孔之方法。 本發明之另一目的為提供一種印刷佈線板,有高度可靠 微通路孔,將在最外層之銅箔通過在微通路孔之壁表面露 出之銅箔,電連接至位於微通路孔底部之銅箔,及一種彤 成Μ上微通路孔之方法。 本發明之再一目的為提供一麗板直徑微 通路孔形成,而"不必任何除塗汚處置Β 一種形成具有Μ 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS)Α4規格(210 X 297公釐) - 10-裝--------tr--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42424 4_Ae_ 五、發明説明(3) 上特徵之微通路孔之方法。 本發明之又一目的為提供一種具有可汰高^^^_成)之f 通路孔之印刷佈岣板,及一種形成以上徹法〇 根據本發明,本發明之Μ上諸多目的傜藉下列(1)至(8) 所逹成。 (1) 一種印刷佈線板》有微通路孔將一作為最外層之第 一銅箔電連接至位於第一銅箔下面之銅箔,徽度 敷或導.雷塗層成级直路-A—落 ,反二氧化碳氣體雷射在微通i孔底份 而胗成時*微通路孔在璐-Cr底--部不.雪穿^。 (2) —種作成微通路孔之方法,Μ二氧化碳氣體雷射將 一作為印刷佈線板之最外層之第一銅箔電連接至在微通路 孔底部之銅萡,該方法包.含提供一種有機物質為塗層_良薄> Μ容積計含3至97¾之至少一種選自lb合物^,碳 粉或金屬粉,具有熔點至少900 t *及结合能量至少300千 焦耳/莫耳在銅箔上作為含有至少二銅層之銅包覆叠片之 最外層,Μ二f化碳氣體雷射y,在輸出20至60兆焦耳/脈 衝照射塗層或薄片 > 藉以^除作為^最外層之至少銅箔之薇) 辑:¾孔、形成部货/,然後Μ二氧化碳氣體雷射在輸出5至3 5 兆焦耳/脈衝照射餘留層之微ϋ路孔形成部>,Μ作成微 解一路在>,其在微通路孔唼翊,並W金屬鍍敷或 導電塗層成份電連接作為·^Ul_^銅萡,及在微诵路孔底 部之銅箔,而藉Μ作成微通路孔。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]〇χ 297公釐) 6 ----.---:----G裝----I -訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 424244 五、發明說明(4) (3) —種根據以上(2)之方法,其中在Μ二氧化碳氣體雷 射去除作為最外層之銅箔之通路孔形成部份後,在其厚度 方尚,Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出20至35雜焦耳/脈衝 部份去除位於第一銅萡下面之銅箔。 (4) 一種根據Μ上(2)之方法,其中作為最外層之第一銅 箔予Μ表面蝕刻,在第一銅箔之厚度方向*並HIT時去除銅 蒗毛邊5,Μ部份減少第一銅箔部份。 (5) —種根據Μ上(2)之方法,其中在微路孔底部去除 綢箔表面之一部份,然後微通路孔之内側並在一種氣相予 Μ處置,Μ去除餘留樹脂層,後隨濕潤處置。 (6) —種根摟Μ上(5)之方法|其中藉在氣栢之處置及濕 潤處置,去除餘留樹脂。 (7) —種根據从上(5)之方法,其中在氣相之處置為等離 子處置或低壓紫外允處置。 (8) —種根據Μ上(2)之方法,其中第一銅箔及在微通路 孔底部之銅箔層,係藉銅鍍敷填滿路孔之至 少 接。 附圖之簡要說明 圖1示在實例2[(1),(2)及(3)]*以二氧化碳氣體雷射 作成微通路孔之步驟。 圖2示在實例2[藉SUEP(4)去除毛邊]及[銅鍍敷(5)],以 二氧化碳氣體雷射作成微通路孔之步驟。 圖3示在比較性實例2,藉機械鑽作成微通路孔之步驟。 圖4示在比較性實例4,以二氧化碳氣體雷射作成微通路 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^一!裝-------丨訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 2 4 4 A7 _B7五、發明說明(5) 驟 步 之 敷 鍍 之 4 例 實 性 較 比 步示 之圖 孔 銅 面 雙 在 敷0 銅 及 射 雷 體 0 氣驟 碳步 化Ζ 氧孔 二 路 Κ 通 , 微 5成 作 板 層 蠱 圖覆 包 例 實 在 示 通 微 成 作 板 層 多 在 射 雷 體 氣 碳 化 氧二Μ 6 例 ο 實驟 7 之 圖孔 路 之 敷 鑛 銅 及 射 雷 體 氣 碳 化 氧二 6 例 實在。0 圖步 之 置 處 作 敷 鍍 銅 及 射 雷 體 氣 碳 化 氧二% 7 例 賁 性 較 比 在 示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 驟 步 之 孔 路 通 圖微 成 驟 步 之 孔 路 通 微 成 作 鑽 械 機Μ 7 例 。 實層 性下 較最 比穿 在貫 示鑽 ο 3 1 中 圖 其 明 說 细 詳 之 明 發 b:碳 * 化 層氧 脂二 樹出 粉輸 屬 高 金 Ό 含 , a'層 。 脂 義樹 意性 列固 下熱 有及 具材 號基 符布 , 璃 中玻 圖 C 附-在箔 銅 在, > 份 射部 雷敷 體鍍 氣銅 碳之 化孔 氧路 二 通 出微 輸h: 低 , f:層 , 面 遴表 毛箔 箔錮 銅之 e 部 , 底 射孔 雷路 體通 氣微 ^----ί·訂-----
t I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 高處 於層 由内 k;之 , 箔 箔銅 銅為 之作 層穿 下貫 最孔 為路 作通 穿微 貫 -孔射 路雷 通體 微氣 J:碳 , 化 鑌氧 械二 機出 1:輸 微填 In:所 , 份 孔部 路孔 通路 激通 之微 成在 作η: 所, 射置 雷處 體潤 氣濕 碳及 化置 氧處 二 相 Μ 氣 1ί歷 , 經 份孔 部路 之通 之份 滿部 根 箔 銅 * 之 孔 刻 路 蝕 通 所 徽 法。有 方敷種 ΕΡ鍍一 SU銅供 藉之提 〇 層 , , 内明 敷穿發 鍍貫本 銅,據 孔 路 通 微 在 層 外 最 為 作1 將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 8 42424 4 A7 B7
/, 0 AO A. A 五、發明說明(B) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在下文也稱作”表面層”)之第一銅箔電連接至位於第一錮 箔下面之銅萡之印刷佈線板,微通路孔在微通路孔底部藉 鍍敷或導電塗層成份,將最外層電連接至銅箔*在微通路 孔底部Μ二氧化碳氣體雷射去除銅箔之一部份而形成時, 微通路孔不貫穿在徽通路孔底部之銅箔。在本發明之微通 路孔係如下所形成。在雙茴銅包覆疊片或多層板之銅箔表 面之至少二氧化碳氣體雷射照射表面實施氧化處置* Μ肜 成一金屬,或至少以上二氧化碳氣體雷射照射表面設有Μ 一種具有熔點至少900¾及結合能量至少300千焦耳/莫耳 之金屬化合物* 一種碳粉或至少一種金屬粉與有機材料之 混合物所形成之塗層或薄片*在作為表面層之銅箔* Μ具 有能量20至60兆焦耳/脈衝之二氧化碳氣體雷射之脈衝振 盪作成孔*並且緊接在Μ上銅箔或雙面銅包覆饉片之另一 外銅萡表面下面,作為內層之銅箔層之一部份,W能童2 0 至35兆焦耳/_衝*致箔層不貫穿*從而形 成有之内部新露出之微通。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 否則,微通路孔可彩成如下。藉預先蝕刻去除作為表面 層之銅箔之微通路孔形成部份,及以二氧化碳氣體雷射處 理藉蝕刻去除銅之樹脂層部份* K及Μ二氧化碳氣體雷射 >在輸出20至35兆焦耳/脈衝,處理位於Μ上處理部份下 面之銅箔層,致使銅箔層不貫穿,從而形成有銅箔層之內 部新露出之微通路孔。 在微通路孔底部之銅箔予Μ處理,而不切削其表面之部 份時,在微通路孔底部之保持一厚度約為1微米之樹脂層 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員K消費合作社印製 五、發明說明(7) 。在此情形,較佳為,實施等離子處置或低壓紫外先處置 ,κ去除樹脂層,然後並在銅鍍敷前,餘多污虛置等-實 然後,銅箔表面藉機械拋光,或K一種.化擧溶液予Μ處 置。實施化學處置之處置,俾在雙面銅包覆蠱片作成微通 路孔時,在微通路孔部份不溶解及去除銅箔。 Μ二氧化碳氣體雷射直接照射,藉以作成微通路孔時, 茌作為表面層之銅箱_之撒LJS路孔邊。此種 毛邊靂K藉機械拋光去除,並因此較佳為K —種彳h璺涊游 去每一銅箔之表面予以平面蝕刻,μ減少其厚度 ,從而去厚 少。因此,在每一表面藉金屬鍍敷所猶揖之銅箔形 u /之霜辟眭,_不潑生缺陷諸如i路及圈案撕#,並可產生高 密度印刷佈線板。而且,不需要除塗污處置,並且達成良 好之可工作性。在最外層及一在其下®之内層Μ金屬鍍敷 或一種導電塗層成份予以連接時,獲得大連接區域,並且 如此獲得之印刷佈線板在連接(傳導)上高度可靠。本發明 係關於印刷佈線板,包含一有至少二銅曆或多曆板及,一 微通路孔作成在其上之雙面銅包覆疊片’及一種作成以上 微通路孔之方法。 作成微通路孔之方法如下。作為表面曆之銅箱予从氧化 處置,Μ形成金屬氧化物,將一種以容積計含3至9η至少 一選自具有熔點至少900Ό及結合能量至少300千焦耳/莫 耳之金屬化合物粉,碳粉或金靥粉之樹脂成份’施加至作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 10 --------------0^-裝--------訂---------^ - 1 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 424244 五、發明說明(g) 為表面層之銅箔,或將此種成份之薄片置於作為表面層之 銅箔,金屬氧化物,塗層或薄片K高輸出二氧化碳氣體雷 射,在輸出20至60兆焦耳/脈衝予Μ照射,Μ茌作為表面 曆之錮箔形成孔,然後Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出25至 35兆焦耳/脈衝照射位於Κ上銅箔或雙面銅包覆疊片之另 一銅箔表面下面之内層之一部份,以作成微通路孔,其在 微通路孔底部不貫穿銅箔,從而形成有銅箔層之肉部新露 出之微通路孔。 可採用一種實施例,其中銅箔Μ能量20至60兆焦耳/脈 衝予Μ處理,在微通路孔底部之銅箔最後以能量5至35兆 焦耳/脈衝予Μ處理,處置諸如等離子或奸藤)屬外 〜 線處置^表I餘留樹脂)Τ.,然後,實施濕潤處置,及賀施 銅鍍敷。自然,可實施除塗污處置,同時在微通路孔具有 小直徑時’ m s ^ 餘、樹贈u- 而旦,藉蝕刻自作為表面層之銅箔之微通路孔形成部份 預先去除銅萡*並且樹脂以低輸出二氣化碳氣體雷射予Μ 處理。然後,位於樹脂下面之銅箔Κ二氧化碳氣體雷射在 輸出20至35兆焦耳/脈衝予以處理*致使銅箔不貫穿,Μ 作成有銅箔之內部露出之微通路孔。 然後,銅箔表面予Κ機槭式拋光,或Μ —種化學溶液予 Μ處置◊供機械拋光,可使用一種通用拋光機。在微通路 孔部份有毛邊時,需要實施拋光若干次,其可能在板之尺 寸導致變化。因此較佳為採用銅萡表面處置方法,其中同 時實施化學溶液之蝕刻,並Κ化學溶液將其溶解,藉Μ去 -11 - ----,---,----震--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國囤家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 2 4 4 A7 _ B7 五、發明說明(9) 除毛逄。 每一錮萡之表面予κ平面蝕刻,以減少其厚度,直到銅 箱各大致有厚度3至7微米。在每一表面藉金屬。鍍敷所獲得 之銅箔形成窄線之楚路時,不發生諸如短路及圖案斷開等 缺陷*並苛產生高密度印刷佈線板。而且*不需要除塗污 處置,並達成良好之可工作性。在微通路孔底部之銅箔大 程度露出,並且在微通路孔部份K 一種金屬予Μ鍍敷或填 滿導罨塗層成份,以將最外層連接至位於其下面之銅箔時 ,可獲得大連接面積*並可獲得在通過微通路孔之連接具 有髙度可靠性之印刷佈媒板。可使用一種如此供蝕刻之已 知化學溶疲。例如,此等化學品揭示於JP-A-02-22887號 * JP-A-02-228 96號,JΡ-A-02-250 89號,JP-A-02-25090 號 * JH-02-6()189號,JP-A-02-166789號 * JP-A-03-25995號,JP-A-03-60 1 8 3號,JP-A-0 3-9449 1 號,JP-AO4 -199592號及JP-A-04-263488號。藉一種方法(稱為SUEP方 法)實施蝕刻,其中藉以上之化學品溶解及去除金屬表面 。蝕刻速率通常設定在0. 02至1.0微米/秒。 在本發明所使用,具有至少2銅層之雙面飼包覆蟁片或 多層板,較佳為提供一玻璃布作為基材,將一種染料或色 素併入至一種熱固性樹脂成份,Μ將其著包成黑色*並使 10至60%之一種無機絕緣填料與樹脂成份混合,形成一種 均質混合物*並將披璃布浸潰該溫合物,藉Μ產生雙面銅 包覆盤片。 多層板較佳為一種處理Μ上雙面銅包覆蠱片,使用玻璃 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----.---Ί —--裝 -----— I 訂---------轉 一· - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) κι 4 2 424 4 _Β7 五、發明說明(10) ‘ 布作為基材,提供處理之雙面銅包覆疊片作為内層,氧化 其表面,Μ依需要形成氧化銅層,將一種無機或有機布基 預浸片,樹脂薄片*樹脂附著銅箔*或一種塗層成份之塗 層置於每一表面,並在熱及歷力下,並且較佳為在真空下 ,合成之組合予以疊片成形,所藉以產生之產品。 除了以上之銅包覆·板外,可使用雙面緬包覆疊片,及一 使用通常已知之高度耐熱薄膜,諸如聚醯餌胺薄膜*聚酯 薄膜•聚石蠟酸薄膜或類似薄膜之多層板。 基材包括通常已知之無機或有機織造織物及非織造織物 。特別是》無機基材係選自ME,S,D及!4玻_纖維所形成 之織造及非織造織物。有機基材選自以液晶聚酯及全部為 已酸 自氟 'tb 莛 fi 常官 通多 0 9 9 物脂脂 纈樹樹 造之氣 織份環 非成括 及脂包 造樹例 織性實 之固定 成熱.特 形之其 所明。 維發脂 纖本樹 胺於性 醯用固 聚使熱 族供之 芳钳 醯可 來脂 馬樹 能等 官 此 多 。 • S 脂樹 樹醚 酯撐 酸苯 氟聚卜含 胺 I 亞組 醯類 來和 馬飽 能不 官及 多 ’ , 脂 脂樹 樹胺 酯亞 --------,----一^"裝--------訂---------^ - , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 射溫 雷渡 體過 氣璃 碳玻 化有 氧具 二 Μ 出 , 輸式 高彤 Κ之 於.孔 鑑通 。 或 πτ> 7U 使路 合通 組微 成之 或成 獨形 單所 Μ 理 予處 性 15濕 少抗 至 之 度 後 收 吸 氣 濕 在 於 鑑 0 佳 較 為 份 成 脂 樹 性 固 熱 之 Ρ 酯 酸. 氰 .ce β 官 多 種 1 Μ 徵 特 及 性 特 移 遷 抗 物 合 化 酯 酸 氰 官 多 之 份 組 脂 樹 性 固 熱 。 種 佳一 較為 為明 份發 成本 脂在 樹 物 合 化 之 基 氧 氯 之 得 獲 所 應 反 之 間 少氰 至化 含 鹵 子與 分漆 有清 具醛 種S1 1 藉 0括 , 包 例 實 定 特 其 或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 13 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 預物前 一樹型,化醇 。 合用 括氧漆烯氧代 得混使 包環清二環鹵 獲之在 例型醛戊聚氧 所物其。實^F酚,之環 化聚 * 中定 W 酚烯得與 聚預常劑特1:¾甲二獲脂 體及通溶其,j 種 丁所樹 種 單體。機。4 一 使化矽 酯單明有脂一 ,種氧基 酸成發之樹旨脂一環羥 氰係本解氧 楢,鍵含 樹 能並於溶環ο氧脂雙藉 氧 官,用中之II環樹之種 環 多體使其知 W 型氧醚 一 上單合在已As漆環基及 K 應適可自酚清環戊 , 使反也種選苯醛脂環醇 , 未其一 常二酚種雙元 時有且在通體酚一或多 鈉含並解脂®.苯,烷種 酸份,溶樹或種脂己一 碳部式 K 氧體 一 樹環, 如物形予環液,氧烯物 諸聚之 , 種脂 環乙合 42424 4 Α7 Β7 五、發明說明(u) 二氤氧基苯,1,3, 5-三氰氧基苯,1,3 -,1,4-,1,6-, 1,8-,2,6-或2,7-二氟氧基禁 ,1,3,6-三氮氣基禁 ,4,4-二氰氧聯苯,雙U-二氟氧基苯基)甲烷,2,2-雙 (4-氟氧基苯基)丙烷,2,2-雙(3,5-二溴-4-氰氧基苯基) 丙烷,·雙(4-氰氧基苯基)醚,雙(4-氰氧基苯基)硫醚•雙 U-氟氧基苯基)聚楓,三(4-氟氣基苯基)¾磷酸鹽,三 (4-氰氧基苯基)亞磷酸鹽及氰酸鹽。 而且,可使用在日本專利公報41-1928號,42-18468號 ,44-479 1 號,45-11712號 * 46-4111 2號及 47-26853號 Μ 及JP-A-5 1-63 14 9號中所揭示之多官能氟酸酯化合物。再 者,可使用一種具有分子量400至6,000*及具有使任何 一種此等多官能氰酸酯化合物之氮氧基二聚化所形成之三 氮雜苯環之預聚物。預聚物傜在存在有一種酸諸如無機酸 或路易氐酸,一種鹼,諸如叔胺,例如醇鈉,或一種鹽, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) 14 -----—,----一W裝--------訂---------0’ 一 • I 一 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 424244 五、發明說明(12) 間之反應所獲得之聚縮水甘油化合物。此等樹脂可予Μ單 獨或成組合使用。 聚醯亞肢樹脂通常選自已知之聚醯亞胺樹脂。較佳為, 鑑於特徼上之平衡,適合成組合使用一種聚醯亞胺樹脂。 在本發明,只要不損害成份夕固有特性,可Hf _各種添JJ1J 至。以上添加栩包括具有可聚化雙鍵 之簞體,諸醋,此等單體之預聚物*具有低分 子量之液體骝性橡膠,或具有高分子量之彈性橡膠諸如聚 丁二烯,環氧化丁二烯,順式丁烯二酸酯,丁二烯-丙烯 睛共聚物,聚氛丁二烯,一丁二烯-苯乙烯共聚物*聚異 戊間二烯,丁基橡膠,含覯橡膠及天然橡膠,聚乙烯,聚 丙烯,聚丁烯,聚-4-甲基戊烷,聚苯乙烯,AS樹脂, A BS樹脂,MBS樹脂,苯乙烯-異戊間二烯橡膠,一聚乙烯-丙烯共聚物,4-氟乙烯-6-氟乙烯共聚物,高分子量預聚 物或齊聚物,諸如聚碳酸酯,聚苯撐醚,聚棵類,聚酯及 聚苯檔硫化物,以及聚氨酯。依需要使用此等添加物。而 且,或成組合使用各種已知添加物,諸加
V 機填料’楢_劑,觸徵劑’抗起泡劑,令散劑,均j_h劑, t忠火馅咀滯劑,光.,聚化作祖JOI-SL翻好齬戀麵 。依盥要將一種©化1L或催化劑併入反應性類 在本發明之熱固性樹脂成份經歷在熱之下使其本身固化 。然而,由於其固化速率低,並因此在可工作性及經濟性 能等上不良,故將一種已知之熱固化催化劑併人至熱固性 我張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ i c _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 人裝--------訂---------声 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 424244 _B7_ 五、發明說明Π.3) 樹脂。Μ重量計每100份之熱固性樹脂,催化劑之量Μ重 量計為0.005至10份* Μ重量計較佳為0.01至5份。 無機絕緣填科可選自通常已知之填料。其特定實例包括 二氧化矽,諸如天然二氧化矽*煅燒二氧化矽及非晶質二 氧化矽*白碳,钛白,氣凝膠,黏土,滑石,鈣矽石,天 然雲母,合成雲a,高嶺土 *氧化鎂,氧化鋁及珠光體。 K上填料之量,Μ重量計為10至60%,Μ重量計較佳基15 至 50%。 而且,較佳為將一種萆染料或色素添SB至樹脂成份,供 ' - ^ -- ........"。 在」^氣化碳氣體雷射照射時y 钙射#,f〜。黑染 料或色累之微粒直撺*較佳為1微张或更小,以供彤成均 勻分散體。染料或色緊可選自通常已知之染料或色素。κ 重量計,其量較佳為0.1至10%。而且,可使用一種玻璃纖 維,其纖維表面予Μ染成黑色。 供使用作為最外層之銅箔,可選自通常已知之銅箔。較 佳為,使用一種具有厚度3至18微浓之電解銅箔。作為供 使用作為內層之銅箔,較佳為使用具有厚度12至7 0微米之 電解鋦箔。將玻璃基材浸漬熱固性樹脂成份,將成份乾燥 至Β-級,Μ獲得一種具有玻璃含量Μ重量計30至85¾之預 浸片*然後盤層預定Η數如此獲得之預浸片,將銅箔置於 蠱層預浸片之上及下表面,在每一表面各一,並在熱及壓 力下,合成之組合予Κ豳片成形* Μ獲得雙面銅包覆疊Η ,藉Μ製備強化玻璃布基材銅包覆豳片。如此獲得之銅包 覆疊Η有一剖面*玻璃Κ外之其他樹脂及無機填料在此處 氏張尺度適用Ί7國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝
III— «II I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 4 2 4 4 A7 B7 五、發明說明(14) 均勻分散,並可藉雷射均勻形成孔。而且,銅包覆盤Η予 Μ著色成黑色,由於防止雷射東之散射,故較容易作成無 不均勻壁表面之均勻孔。 微通路孔係予Κ如下作成。在雙面銅包.覆鲞片或多層板 ,以二氧化碳氣體雷射予从照射之錮箔表面予Κ氧化,Μ 形成金屬氧化物,或一 Μ—種樹脂成份Κ容積計含3至97% 金屬化合物粉所形成之塗層或薄片*在Μ上表面提供具有 熔點至少900 ¾及結合能量至少 300千焦耳/莫耳之碳粉或 金屬粉,並且將行形成微通路孔之部份Κ二氧化碳氣體雷 射予Μ直接照射。 在本發明使用作為輔助材料,具有熔點至少900C及结 合能量至少300千焦耳/莫耳之金屬化合物*通常可選自已 知之金屬化合物。例如使用氧化物。氧化物包括鈦氣化物 諸如氧化鈦*鎂氧化物諸如二氧化鎂,鐵之氧化物諸如氧 化鐵,鎳之氧化物諸如氧化鎳,二氧化錳,鋅之氧化物諸 如二氧化鋅,二氧化矽,氧化鋁f稀土金屬氧化物,鈷之 氧化物諸如氧化鈷,錫之氧化物諸如氧化錫,及鎢之氧化 物諸如氧化鎢。可使用非氧化物。非氧化物包括通常已知 之非氧化物*諸如碳化矽*碳化鎢,氮化硼,氮化矽,氮 化鋁,硫酸鋇及稀土金屬硫化物。也可使用碳。而且,也 可使用為金屬气 用碳粉。甜且,甩|用鏹一美,錳 ,鉬,鑠,鈀,銻矽,錫,鈦,釩,鎢及鋅夕簡凰物質 之粉末,j fc等物-之合_:金一:^H。此等物質係予K單 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----—-----裝--------訂-------— i 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17 - 42424 4 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明5) 獨或成組合使用。此等物質有平均微粒直徑5微米或更小 ,較佳為1微米或更小。 在K二氧化碳氣體雷射照射時,分子被分離或熔化消散 。因此較佳為在黏附至孔壁時,對半導體晶片或孔壁之黏 . 附特性等不具有不利效應者。一種含Ma,K或C1離子之成 份則非較佳,由於其對半導體之可靠性具有不利效應。Μ 上粉末之量,以容積計為3至97¾,以容積計較佳為5至95% 。較佳為,將以上粉末併入至一種水溶液並均勻分散。 作為輔助材料之有機物質無特別限制,雖然其為選自在 搓捏,施加至銅箔表面及乾燥時,不自錮萡表面剝離。較 佳為,使用一種樹腊。特別是,鑑於環境保護,其為選自 水可溶或可分散樹脂,諸如聚乙烯酵*聚乙烯醇皂化產品 及澱粉。 製備含金麗化合物粉,碳粉或金屬粉及有機材料之成份 之方法無關緊要。K上古法包括在高溫以搓捏機搓_捏材料 壓合峋-成肩之-之方法堪一種1劑 或可溶於水,樹脂成粉末,jl攪動 使其均匀溫必.腧加琨合物層H分,'並 使其乾燥K形成塗層之I法將樹脂成份碑加至_熱塑堆..薄 膜,K形成薄片之方法,Μ及者學」貴樹 :成份及猫苴乾燥,城獲得薄片(也稱作"輔肋薄片,供Μ 雷射作成孔)之方法。途圃成薄片之厚度無特別限制.,雖 然其總厚度為30至20 0微米。 供Μ雷射作成孔之輔助薄Η,可按現狀予以使用。然而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) -i g _ ------------φ,裝--------訂---------妗...,.-· ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 424244 A7 __B7______ 五、發明說明.(IG) ,較佳為將其置於多層板•並保持與其儘可能近密接觸, 供作成具有較佳彤式之微通路孔。通常,K帶或類似者將 其附著*藉此方法使薄片固定,並保持對多層板成近密接 觸。為將其更完全附著*將所獲得之薄片置於一雙面銅包 覆®片或多層板,K其樹脂表面與其附著,並使樹脂熔化 ,並旦在熱及壓力下,將薄片结合。否則,Μ水預濕潤樹 脂表面層至深度3微米或更小,並在室溫在壓力下進行結 合,從而改進對網萡表面之黏附•並可獲得具有優異孔形 式之微通路孔。 樹脂成份W辱_〜韻不可-.溶..於水,但可溶於一_獲_直機溶劑 之樹脂成份。然而*在有些情形,在以二氧化碳氣體雷射 照射時,樹脂黏附至徽通路孔之附近,並且不溝要水,但 需要一種有機溶劑供去除Μ上樹脂,其使處理複雜•並在 後步驟導致污染及類似問題。因此不宜使用可溶於右楗溶 ^樹脂成份。 而且,在另一實胞例,可在銅箱之表面氧化後作成微通 路孔,同時鑑於微通路孔之形式,較佳為使用以上之輔助 薄片。Μ上之輔助薄Η在熱及壓力下曼曆在錮箔表面時, 將其所施加之樹腊層側面附著至綢箔表面,並藉一_使樹 脂層在溫度大致在4〇υ與15〇υ之間*較佳為在6〇t與120 °C之間*在線性壓力0.5至30公斤,較佳為1至20ks溶化, 藉K使輔助薄Η近密接觸錮箔表面。將行採用之溫度,依 選定之水可溶樹腊之溶點而有所不同,並且也依選定之線 性壓力及進給速率而有所不同。通常,在溫度高於水可溶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐〉 19 1--------HI ---! — 1 I 訂·!--!'" 1 » (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 242 4 4 ___B7_ 五、發明說明α. 7) 樹脂之熔點5至20TC實施層壓。 輔肋薄Η在室溫近密接觸錮箔表面時*所施加之樹脂曆 表面Μ水予以溻潤深3微米或更少,以溶解水可溶樹脂至 若干程度,並且輔助薄Η在Μ上壓力下予Μ叠層。Μ水濕 潤之方法無特別限制,同時可採用例如以一輥連鑕施加水 至銅包覆疊片表面,然後並將輔肋薄Η連鑛叠層至銅包覆 蠱片之芳法,或將水連續噴塗至所施加之樹脂層表面,然 後並將輔助薄片連續盤層至銅包覆疊片之方法。 微通路孔係如下作成。將一 Μ容積計含3至97ίΚ* Κ容積 計較佳為5至95¾金屬化合物粉末,具有熔點至少900*0及 結合能量300千焦耳/莫耳之樹脂成份附著至熱塑性薄膜K 具有總厚度30至200微米,MUJi助薄片固定至以上位 置,在學及力下使樹腊熔化*或以水濕潤水可溶樹脂成 份表面,在室溫將其附著至溶解水可溶樹脂表面*藉以使 合成之輔肋薄片近密接觸將行以二氧化碳氣體雷射予K照 射之銅萡表面之微通路孔形成位置(全然未處置),並且Μ 一有束直徑聚焦至預計直徑,在輸出20至6 0兆焦耳/脈衝 之高輸出二氧化碳氣體雷射直接照射輔肋薄片,藉Μ在銅 箔作成孔。 二氧化碳氣體雷射通常使用在紅外線波長區域之波長9 。3至10.6微米。較佳為,首先,在輸出20至60兆焦耳/脈 衝處理一作為表面之第一銅箔,作成一孔,繼續以二氧化 碳氣體雷射按現狀照射*直到孔達到在微通路孔底部之飼 箔部份,使輸出減少至能量25至35兆焦耳/脈衝’並以一 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------,^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20 - 424244 A7 B7 五、發明說明(I g) 取後射擊處理樹脂層及銅箔之一部份,以肜成微通路孔之 底部’致使銅箱不貫穿。自然,在處理第一銅箔曆後,樹 脂層可Μ能量5至35兆焦耳/脈衝予以處理,並且將行形成 微通路孔底部之銅箔可予以處理。通常,在處理蚁玻璃布 艇成之銅包覆鲞片之絕緣層時,每1〇〇微米厚度予以^加1 至10射擊。在照射後,在每—表面之飼箔以一種液體化學 品予Μ平面溶解,並且也藉液體化學品去除形成在微通路 孔部份之毛邊。然後,藉—種氣相方法完全去除在微通路 孔底部之部份及壁表面露出之餘留樹脂。氣相方法通常可 選自已知之方法。在溶解銅箔之等離子處置,預先提供具 有較大厚度之銅箔,並且在處置完成後,每一銅箔具有厚 度3至7微米。 . 氣相處置可選自已知之方法,諸如等離子處置及藉低壓 紫外光之處置。等雛子處置使用以高頻電源部份激勵分子 及使其離子化所製備之低溫等離子。在等離子處置,通常 使用一種使用離子撞擊之高速率處置,或—種藉基類之適 度處置。使用一種反應性氣體或一種惰性氣體作為處理氣 體。氩氣體惰性氣體。以Μ氣輝或、類似者實 表f處置。物理處置Κ離子撞擊物理方式清潔表面 。低壓紫外光為在短波長區域之紫外光。例如,M在短波 畏區域 '有峰值在184. 9毫微或来夕照 解〜。然後,樹脂表面變成為疏水 性。較佳為,因此在孔.具有小直徑時,配合使用超音波處 置質施濕潤處置*後隨銅鍍敷。溻潤處置無特别限制。例 私紙張尺度適用中國ΐ家標準(CNS>A4規格<210 X 297公楚3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ft 1 Kt 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4.2 42 4 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(! 3) 如,使用高錳酸鉀之一種水溶疲,或採用軟蝕刻。 二氧化碳氣體雷射通常使用在紅外線波長區域之波長 9.3至10.6微米。較佳為,首先,一作為表面之第一銅箔 在輸出20至60兆焦耳/脈衝予K處理,Μ作成孔,輸出予 Κ減少至能量20至35兆焦耳/脈衝 > 及一位於下面之樹脂 層表面Κ最後射擊予Μ處理| Μ形成微通路孔之底部。在 位於下面之銅箔上之樹脂層*不Μ 5至3 5兆焦耳/脈衝之最 後射擊予以去除,因而不彤成微通路孔之底部時,較佳為 ,實施氣相處置及濕潤處置,Μ去除樹脂層,後隨銅鍍敷 。通常,在處理Μ玻璃布所形成之銅包覆®片之絕緣層時 ,每100微泶之厚度予Κ施加1至10射擊。 之銅 則導軍 塗曆成份在微通路孔予μ镇滿至在與位於:g :面之錮箔間之雷傳導。導電塗層成1通常可選已知之導爾 _ · - - — . . 塗層成.份。其:特定實例包择錮®_ 銀[科。 發明之效應 本發明之印刷佈線板及藉本發明之方法所彤成之微通路 孔*無需除塗污處置,並且就最外層及位於其下面之銅箔 間之連接而言,具有高度可靠性。而且,處理速率顯著較 高於藉鑽之處理,其大為改進生產力。而且,根據本發明 ,銅箔在厚度方向予以蝕刻至若干程度*從而可同時去除 .發生在微通路孔部份之毛邊。因此,在每一表面藉金屬鍍 敷所獲得之銅箔形成電路時,不發生諸如短路及圖案斷開 等缺陷,並可產生高密度印刷佈線板。也可提供一種作成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝---- 訂---------'^ 424244 A7 B7 五、發明說明(20) 微通路孔之方法,其可提供以上之印刷佈線板。 管例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明將在下文參照實例予Μ更明確解釋,其中除非S 外規定,”份”表示”以重量計之份》。 實例1 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 90 0份之2,2-雙(4-氟氧基笨基)丙烷及100份之雙(4-馬 來醯亞胺笨基)甲烷,在150Τ予Μ熔化,並允許藉攪動反 應4小時* Μ獲得一種預聚物。預聚鞠予以在甲基乙基酮 及二甲基甲醯胺之混合溶劑溶解。將400份二苯酚Α型環氣 樹脂(商名:Epikotel001,Yuka Shell Epoxy K.K*所供應 )及一種甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(商名:ESCH-220F, SumUomo Chemical Co.,Ltd.所供應)添加至合成溶液, 並且此等材料予K均勻溶解及混合。而且,添加0.4份之 辛基酸鉾作為催化劑,並且此等材料予K溶解及混合。將 500份之無機絕緣填料(商名:烘烤滑石,平均微粒直徑〇.4 微米,Ni{>Pon Talc K.K.所供應)及Μ分之黑色素添加至合 成混合物,並且此等材料予Κ均匀攪動及溫合,以製備清 漆Α。將100微泶厚玻璃織造織物浸漬以上之清漆,並且浸 漬之玻璃織造織物予Μ在150 t:乾燥* K製備預浸片(預浸 ΗΒ)在170 °C具有膠凝時間120秒,並且以重量計,有玻璃 織物含量57¾。將一 18微米厚電解銅箔置於一片以上預浸 片B之每一表面,並且合成之組合在200t!,在20公斤英尺 /平方厘米,在30毫米汞柱或更小之真空下予K昼Η成形2 小時* Μ使雙面銅包覆盤片Β具有絕緣層厚度100微米。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42424 4 A7 _____B7___ 五、發明說明(21.) 將800份具有平均微粒直徑0 . 86微米之氧化銅粉單獨加 至將部份皂化之聚乙烯醇粉溶解在水中所製備之清漆,並 將混合物均勻攪動及混合(清漆C)。清漆C予K加至一 50微 米厚聚乙烯對苯二酸酯薄膜> K形成20微米厚塗層,並且 塗層予K在110 °c乾燥30分鐘,以使薄片有一薄膜以容積 計具有氧化銅粉含量20¾。將薄Η置於雙面銅包覆蠱片B, 並且薄片表面以二氧化碳氣體雷射,在輸出40兆焦耳/脈 衝予Ml脈衝(射擊)直接照射。然後,輸出予Μ減少至30 兆焦耳/脈衝,並且位於下面之銅箔之微通路孔形成部份 M2脈衝予以處理及去除,Μ作成900具有直徑100微米, 成間隔400微米之孔。在總共70塊體作成微通路孔(63, 000微通路孔)。然後,反面予以覆蓋一種蝕刻抗蝕劑*並 且正面藉SUEP方法予Μ完全處置,Κ溶解在微通路孔部份 之毛邊,藉以將其去除,並同時也溶解在正面之銅萡*直 到其具有7微米之厚度。在去除蝕刻抗蝕劑後,正面予Μ 完全覆蓋一種蝕刻抗蝕劑,並藉SUEP方法溶解及去除在反 . ... · · * - · * .—·
其一真肩^5-度。在去除蝕刻抗蝕劑 後,將板置為以銅彤成15微米厚銅鍍敷(總厚度:22微米) 。在每一微通路孔部份形成一有直徑250微米之台階,使 用在每一微通路孔底部之銅箔作為球墊片,並且900微通 路孔如在稍後將行說明之5)”微通路孔之熱循環測試”所說 明予Μ連接,以實施熱循環測試。而且,形成電路(200個 之線/空間=50/50微米),在其上形成供焊球等之台階,除 了至少半導體晶片,接合墊片及焊球墊片外之部份*予W 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 24 ------------裝-----J11 訂 i! _ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 4 2 4 2 4 4 A7 B7 五、發明說明(22) 覆蓋鍍敷抗蝕劑,並完成鍍敷鎳及金,Μ製備印刷佈線板 。表1示此印刷佈線板之評量結果。 實例2 將1 * 400份之環氧樹脂(商名:EpiUte 5045) » 600份 之環氧樹脂(商名:ESCN220F),70份之雙氟胺及2份之2-乙 基-4-甲基咪唑溶解在混合甲基乙基酮及二甲基甲醯胺之 溶劑。而且*添加500份與實例〗中者相同之絕緣無機填料 ,並且混合物予Μ強制攪動*以形成一種均質分散體,從 而獾得清漆D。Κ清漆D浸漬一50微米厚玻璃織造織物,並 且浸潰之玻璃織造織物予Κ乾燥,Μ產生一有膠凝時間 150秒,並有玻璃布含量Μ重量計35%之預浸Μ (預浸片Ε) 。使用一片預浸片Ε,並將一 18微米厚電解銅箔置於每一 表面,並且合成之組合予Μ在19〇υ *在20公斤英尺/平方 厘米*在30毫米汞柱或更小之真空下蠱Η成形2小時,以 製備雙面銅包覆盤HF。絕緣層具有100微张之厚度。在每 一表面形成電路*然後並使其經歷銅之氧化,將一片預浸 片Ε置於每一表面,將一 12微泶厚電解銅箔置於每一表面 ,並且合成之組合予Μ同樣蠱片成形,Μ獲得雙面銅包覆 四層板F。 具有平均微粒直徑0.7微米之銅粉予Μ單獨溶解在聚乙 烯醇溶液,Μ製備具有銅粉含量Κ容積計70S!之清漆G。清 漆G予Μ施加至Κ上雙面銅包覆四層板F,Μ具有40微米之 厚度,並且所施加之清漆Ρ在110 °C予Κ乾燥30分鐘,Κ彤 成一塗層(圖1U))。塗層Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出40 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂----- Ό 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 424244 A7 B7 五、發明說明(23) 兆焦耳/脈衝予M2脈衝(射擊)照射,Μ作成各有直徑100 微米之孔,並且以28兆焦耳/脈衝實施2脈衝相似處理,後 隨在實例1之對應程序,以製備多層印刷佈線板,其中作 成各有直徑100微米之微通路孔(圖1及2(2),(3)· (4), 並且(5)表1示評量結果。 比較性實例1 使用與在實例1者相同之雙面銅包覆螽片,及與在實例2 者相同之多層板,並試圖同樣Μ二氧化碳氣體雷射作成微 通路孔*而無任何表面處置,或在表面不使用輔肋薄片。 不作成孔。 比較性實例2 在茛例2(圖3(1))·同樣藉一有鑽直徑100微米之機械鑽 作成 63,000孔*自正®達到位於下面之銅箔。所有孔之 剖面經觀察為示如圓3(2)中所示,巳作成總孔之13¾。其 餘孔貫穿作為內層之銅箔* Μ達到樹脂層。貿施除塗污處 置一次,而不實施SUE Ρ處置,然後並同樣製備印刷佈線板 。表1示評量結果。 比較性實例3 提供與在實例2所使用者相同之雙面銅包覆疊片(實圖 1(1)),並且其表面予以蝕刻,及Μ二氧化碳氣體雷射| 在輸出18兆焦耳/脈衝予从三射擊照射,以同樣作成63* 000各有直徑100微米,成間隔400微米之孔。實施已知之 除塗污處置二次,而無SUEP處置*同樣實施鍍敷,Μ形成 15微米厚銅鍍敷,在每一表面形成電路,並且合成疊片予 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------丨訂---------μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 4 2 2 d ά A7 _B7_ 五、發明說明(24 ) 以同樣處理* μ製備印刷佈線板。表1示評量結果。 比較性質例4 在與實例2中者相同之雙面銅包覆蠱Η,Μ二氧化碳氣 體在輸出40兆焦耳/脈衝雷射 4脈衝照射.,藉Κ同樣作成 微通路孔。每一微通路孔貫穿作為内層之銅箔,以達到樹 脂層(圖4及5)。使盤片經歷 SUEP處置*並製備印刷佈線 板。表1示評量結果。 表1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例 比較牲實例 1 2 2 3 4 微通路 孔底部 之彤式 近乎 扁平 近乎 扁平 孔貫穿 作為内層 之銅萡 平滑 孔貫穿 作為内層 之銅箔 必要除 塗污處置 否 否 是 是 否 圖案斷開 及短路 0/200 0/200 54/100 55/200 0/200 玻璃過渡 溫度(°c ) 235 160 160 160 160 微通路孔 熱循環 測試U) 1 0 0循環 2.0 2 . 4 3.0 2.9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 __B7 五、發明說明(25) 300循環 5 0 0循環 2.5 2.4 2,7 2 . 7 一 8.7 23.7 5.5 11.3 供作成 微通路 孔之時間 (分鐘) 10 12 630 〈測量方法> 1)微通路孔底部之形式 底部之剖面為目視所觀察。 2) 作成微通路孔之時間Μ二氣化碳氣體雷射或機械鑽作 成63,000微通路孔/板需要一時間週期。 3) 實例及比較性實例中之圖案斷開及短路,通過放大鏡 目視所觀察具有線/空間=50微米/ 5t)微米之200圔案,並旦 計數具有圖案斷開及短路之圖案。分子示具有圖案斷開及 短路之圖案之數。 4) 玻璃過渡溫度 藉DMA方法所測量。 5) 微通路孔之熱循環測試 板之900微通路孔予Μ電連接如下。相鄰之二微通路孔 予Μ連接通過台階,俾製備450連接之相鄰二微通路孔之 組合◊而且,例如* 一組合之一微通路孔予Κ連接至一相 鄰組合之一微通路孔,”一組合”之另一微通路孔通過在微 通路孔底部之銅箔予以連接至另一相郯組合之另一微通路 孔 > 並且Κ此方式,900微通路孔通過台階或通過在微通 L度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 9 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ________I_____— II ^ _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42424 4 A7 — B7 五、發明說明(2b') 路孔底部之銅箔予以連接。然後,將板浸於一有溫度260 υ之焊料30秒,取出並允許在室溫維持5分鐘。姒上之變 後.入30秒及Μ上之維15分:麗iJbl設定為1循環,並且以上程 ..V』 ....... Y.序予Μ總共重複200循環。其後,測量板電阻值,以確定 電阻變化之最大值。 丨.簧例3 除了 Κ25微米厚聚乙烯對苯二酸酯薄瞑替代在實例1所 .使用之50微米厚聚乙烯對苯二酸酯薄膜外,μ與在實例1 之相同方式製備一有薄膜具有氧化銅粉含量以容積計20¾ :並有熔點8 3 t;之薄片。 將以上薄片在90t:蠡層在與實例1中所獲得者相同之雙 面銅包覆鹽片B,並旦薄片Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出 40兆焦耳/脈衝予Μ 2射搫照射,以作成900各有直徑微 米,成間隔.40 0微米之孔。然後,作為內層之銅箔Κ二氧 化碳氣體雷射*在減少之輸出7兆焦耳/脈衝予以1射擊照 (請先閱讀背面之注t·事項再填寫本頁) 訂--------- 份孔 部路 之通 部微 底成 孔作 路體 通塊 微 7 成在 形, 行式 將方 在此Μ % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉 面 反 及 面 正 之 板 後 然 0 S—/ , 。 孔 射份路 除 去 部通 面微 衷 之 箔 銅 置 01處 00全 , 完 63Μ 共予 總法 /|\ 方 直 箔 緬 面 表 解 溶 時 同 並 邊 毛 除 去 份 部 孔 路 通 微 在 Μ .、鐘 & 分 微 ο 7— 1Χ 度置 厚處 有'Κ 具 予 其氧 0之 動, 流米 Μ微 έ 5 虻至 ,度 厚 .之 箔 銅 面 表 少 減 Μ 機 置 處 子 離 等 於 置 板 將 然 Μ 〇 f 曆銅 脂敷 樹鍍 之W 面予 表後 箔然 銅板 附, 黏且 除並一 去 „ 每 部次在 底 一 0 之置敷 孔處鍍 路污銅 通塗厚 微除米 f 施微 每實15 在,成 及後形 徑 直 有 1 成 形 份 部 孔 路 通 微 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 424244 A7 Β7 經濟部智慧財屋局員工消費合作社印製 五、發明說明(27) 25徽米之台階,並在每一微通路孔底部之使用銅.搭作為球 墊Η。總共900微通路孔如在5) ”微通路孔之熱循環測試” 所說明予Κ連接* Μ實施熱循環测試。而且,彤成電路( 線/空間= 50/50微米,200圖某),並在其上形成供焊球之 台階。至少一半導體晶片,接合墊片及焊球墊片以外之其 他部份予以覆餐鍍敷抗蝕劑,並實施鍍敷鎳及金,Μ製備 印刷佈線板。表2示印刷佈線板之評量結果。 實例4 將一 100微米厚玻璃織造織物浸潰在實例2.所製備之清漆 D,並且浸濱之玻璃織造織物予Μ乾燥,Μ製備一有膠凝 時間150秒,並具有玻璃布含量Μ重量計55%之預浸Η (預 浸片Η),及一有膠凝時間180秒,並具有玻璃布含量Μ重 量計44¾之預浸片(預浸HI)。使用一片預浸ΗΗ,將一 18 微米厚電解銅箔置於該薄片預浸片Η之每一表面*並且合 成之組合在190¾在20公斤英尺/平方厘米,在30毫米汞柱 或更小之真空下予Μ蠱片成形2小時,Κ製備雙面銅包覆 叠HJ。絕緣層具有100微张之厚度。在二表面均形成電路 ,將一 12微米電解銅箔置於每一表面*並且合成之組合予 以同樣盤片成形,Μ產生雙面銅包覆四層疊片。 具有平均微粒直徑0.7激米之粉銅予以單獨溶解在聚乙 烯醇溶液* Μ製備具有銅粉含量以容積計70¾之清漆。將 清漆施加至以上雙面銅包覆四層疊片,並在110TC乾燥30 分鐘,Μ形成一 40微米厚塗層。塗曆K二氧化碳氣體雷射 ,在輸出40兆焦耳/脈衝予M2射擊照射*並且然後在輸出 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .Θ裝------II 訂----- 5·. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 30 4 2 4 2 4 4 a7 B7 五、發明說明(2g) 13兆焦耳/脈衝予Μ同樣施加1射擊,K在銅箔作成具有直 徑100微米之微通路孔。其後,板藉低壓紫外光處置予Μ 處置*代替實例3中之等雛子處置,並Μ與實例3中之相同 方式予Μ處理,Μ製備一有微通路孔之多層印刷佈線板。 衷2示其評量之結果。 比較性實例5及6 提供與賁例3中者相同之雙面銅包覆盤片,及與賁例4中 者相同之雙面銅包覆四層鲞片*並Μ與實例3或4中相同方 式予以處置,而不實施微通路孔底部之表面SUEP處置及等 離子或低壓紫外光處置,Μ製備印刷佈線板。表2示其之 結果評量。 釐 -公 97 2 X 10 2 /t\ 格 規 A4 S) N (C 準 標 ^ 國 國 中 用 適 度 尺 張 紙 本 11 3 Θ裝--------訂---------> : " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例 比較性實例 3 4 5 6 微 通 路 近乎 近乎 近乎 近乎 孔 底 部 扁平 扁平 扁平 扁平 之 形 式 圖 案 斷開 0/200 0/200 57/200 57/200 及 短 路 铍 璃 過渡 235 160 235 160 溫 度 (V ) 微 通 路孔 熱 循 環 測 試 (%) A7 B7 ).2 42 44 五、發明說明(29) 100循環 2.0 2.4 >50 300循環 2.5 2,7 - 500循環 2.4 2,7 訓 f〇o〇i| if 2 · & 2 _气 - 供作成 10 10 10 微通路 孔之時間 (分鐘) >50 10 實例5 以與實例1中所獲得者相同之清漆浸漬1〇〇微米厚玻璃織 造織物,並且浸漬之織物在150Ό予K乾燥,Μ製備一在 Ϊ 70 有膠凝時間120秒,並具有玻璃布含量Μ重量計 55¾之預浸片(預浸片Κ)。 將一 7微米厚電解銅箔(圖6* i>)置於一片Μ上預浸HK之 每一表面*並且合成之組合予Κ在200¾,在20公斤英尺_/ 平方厘米*在30毫米汞柱或更小之真空下疊片成形2小峙 ,以產生具有絕缘層厚度100微米之雙面銅包覆璺片L。 將800份作為金靥粉之氧化銅粉(平均微粒直徑:0.86微 张)單獨加至聚乙烯醇粉末溶解於水所製成之清漆,並且 混合物予K均勻攪動及混合。將混合物施加至一 25微米厚 聚乙烯對苯二酸酯薄膜之表面^ Μ形成一 60微米厚塗層* 並且塗層予以在llOt;乾煉30分艟,以製備一有銅粉含量 K容積計65¾之輔助薄片M。將輔肋薄HM(圖6,a)置於K 上雙面銅包覆蠱片L,致使樹腊表面面向銅萡側面(圖 6 (1 )),並且輔助薄片Μ藉賽璐玢帶予Μ固定。然後,輔肋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ©裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32 /. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 玉 A7 B7 發明説明(:m) 薄片jj(二氧化碳氣體雷射,在輸出40兆焦耳/脈衝予以1射 盤照射* K在銅箔作成900孔,然後在減少之輸出3〇兆焦 耳/脈衝施加1射擊,而且,盲微通路孔之底部,亦即位於 下面之銅箔,在輸出7兆焦耳/脈衝予以]_射擊照射,M在 70塊髏之每一塊體之50毫米X 50毫米平方面積(圖6(2)), 作成各有直徑100微米之900盲微通路孔(圖6, 1)e不實施 SUEP處置,並將以上之板置於等離子處置單元,並在一種 氧大氣處置10分鐘,及在一種氩大氣處置5分鐘,以去除 在每一盲微通路孔内之餘留樹脂層,及去除正面及反面銅 箔之表面層。因此*每一緬箔具有5微米之厚度。將合成 板置於高錳酸鉀水溶液,予Μ超音波濕處置(圖6(3))及無 電鍍銅。而且,板藉一種脈衝鍍敷(HiPPori Rylonal Co. ,Ltd.)方法鍍敷銅,K在Μ容積計每一盲微通路孔之至 少90¾填滿銅鍍敷(圖6(4))。表面予Μ軟蝕刻,並在每一 表面,根據已知方法彤成一電路(200個,線/空間= ι〇〇/ι〇〇 微米),供焊球之台階,及類似者。半導體晶片部份,接 合墊片部份及焊球墊片部份以外之其他部份,予以覆蓋鍍 敷抗蝕劑,後隨鍍敷鎳及金,以產生印刷佈線板。表3示 印刷佈線板之評蠆結果。 實例6 將一種金屬化合物粉末(Si〇2:57wtS;,Mg0:43wt%,平均 微粒直徑:0.4微米)在水中加至溶解一種具有熔點58¾之 水可溶聚酷樹脂所製備之樹腊溶液,並將此等材料均勻搅 動及混合。然後,將混合物施加至一 50微米厚聚乙烯對苯 ----- - -----裝--------訂------— Ί - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 33 — — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 νί 2424 4 Α7 Β7 五、發明說明(:u) 二酸酯薄膜,Μ胗成一 15微米厚塗層,並且塗層予Μ在 llOt:乾燥25分鐘,以製備一有金屬化合物含量以容積計 90¾之薄膜形輔肋材料Ν。 將700份之環氧樹脂(商名:Ep ikote 50 45), 300份之環 氧樹脂(商名:ESCH2 20F) * 35份之雙氰胺及1份之2-乙基-4 -甲基咪唑單獨溶解於甲基乙基嗣及二甲基甲醯胺之混合 溶劑。而且,添加800份之煅燒滑石(商名:烘烤滑石)及8 份之黑色素,並且混合物予Μ強制攪動* Μ形成均質分散 體,從而獲得一種清漆。將一 100微來厚玻璃織造織物浸 潰以上之清漆,並且浸潰之玻璃織造織物予Κ乾燥,Μ產 生一有膠凝時間12 0秒*並具有玻璃布含量以重量計5 5¾之 預浸片(預浸片0)。而且,也製備一有玻璃含量以重量計 55¾之預浸片P。使用一片預浸片0,並將一18微米厚電解 銅箔置於每一表面*並且合成之組合予K在190¾,在20 公斤英尺/平方厘米,在30毫米汞柱或更小之真空下盤片 成彤2小時,Μ製備雙面銅包覆蠱HQ。絕緣層具有100微 米之厚度。 在每一表面形成電路,然後並經歷銅之氧化,將一 Η預 浸H Q置於每一表面,將一 12微米厚電解銅箔置於每一表 面,並且合成之組合予Κ同樣盤片成形,Μ獲得一多層板。 將Μ上之輔助材料Ε(圖7,a)置於多層板,致使其樹脂 成份表面面向多層板,並且輔肋材料E藉一輥在1001C,在 線性壓力1.5公斤英尺予以疊層,以形成具有優異接觸特 性之塗層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 34 ----*---.----\w裝--------訂---------線'Γ - _ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '^^244五、發明說明(:?2) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 塗層Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出35兆焦耳/脈衝予Ml 脈衝照射,後隨在輸出20兆焦耳/脈衝之1脈衝照射*及在 輸出5兆焦耳/脈衝之1脈衝照射,Μ作成各有直徑100微米 之盲微通路孔(圖7 (1)及7 (2))。 將表面上之輔助薄片剝雛*表面藉SUEP方法予Κ處置, 直到銅箔具有5微米之厚度(圖8 (3))。然後,將板置於等 離子處置單元,在一種氧氣體流動予Κ處置10分鐘,並在 一氩氣體流動予Μ處置5分鐘,及在一種高錳酸鉀水溶液 予Κ超音波溻處置。然後,同樣簧施脈衝銅鍍敷,Μ在每 一盲微通路孔之容積之至少95¾填滿銅鍍敷(圖8(5))*及 同樣製備印刷佈線板。表3示其結果評量。 比較性踅例7 除了單獨使用1 » 000份之Ep i kote 5045作為環氧樹脂外 ,以與實例6中之相同方式製備多層板。試圖作成Μ二氧 化碳氣體雷射,在輸出45兆焦耳/脈衝之1射擊照射及Μ二 氣化碳氣體雷射之3射擊同樣照射*作成盲微通路孔。在 此情形,孔貫穿作為内層之銅萡(圖9(2))〇實施除塗污處 置二次*而不實施SUEP處置(圖9(3)) >並且根據一種習知 方法實施銅鍍敷(圖9(4)),以製備印刷佈線板。 比較性筲例8 試圖Κ間隔300微米,以與實例6中者相同之多層板,藉 一有鑽直徑150微米之機械鑽,在100,〇〇〇轉/分鐘之旋轉 ,在進姶速率1公尺/分作成盲微通路孔。所有微通路孔之 剖面為目視所觀察,並且其經發現如在圖10(2)中所示作 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J裝 訂i -------4)^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 35 424244 A7 B7 五、發明說明(3:1) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成13¾之微通路孔。其餘微通路孔貫穿作為内曆之銅萡, 並達到樹脂層,。實施除塗污處置一次,而不實施SUEP處置 ,並根據一種習知方法實胞銅鍍敷,以製備印刷佈線板。 表3示之結果評量其。 表3 實例 比較性 實例 5 6 7 8 圖 案 断開 0/200 0/200 14-/Z0 0 /5/200 及 短 路(個) 玻 璃 過渡 235 160 139 160 溫 度 (V ) 微 通 路孔 熱 循 環 測 試 (%) 100循環 1.2 1.4 3.5 6.0 300循環 1.3 1,5 7.3 7 . 3 500循環 1 . 4 1.6 15.7 9.9 供 作 成 10 10 630 微 通 路 孔 之 時間 (分鐘) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1, 一種印刷佈線板,具有微通路孔,將一作為最外層之第 一銅箔電連接至位於第一銅箔下面之銅箔,微通路孔藉鍍 敷或導電塗層成份將最外層電連接至在微通路孔底部之銅 萡,在由二氧化碳氣體雷射去除在徽通路孔底部之銅箔之 一部份而形成微孔通路時,微通路孔不貫穿在微通路孔底 部之飼箔。 2. 如申請專利範圍第1項之印刷佈線板,其有至少二銅 箔層。 3 .如申請專利範圍第1項之印刷佈線板,其中作為最外 層之第一銅箔,在微通路孔底部之銅箔,及一在微通路孔 之壁表面露出之銅箔,係藉由微通路孔予Μ電連接。 4. 一種作成微通路孔的方法*供Μ二氧化碳氣體雷射將 一作為印刷佈線板之最外層之第一銅箔電連接至在微通路 孔底部之銅箔,該方法包含在作為一有至少二銅層之銅包 覆疊片之最外層之銅箔提供一有機物質之塗層或薄片,Μ 容積計含3至97¾之至少一種選定之金屬化合物粉末* 一種 碳粉,或一種金鼷粉末*具熔點至> 90010及結合能量至 少300千焦耳/奠耳,风二氧化碳氣體番,在輸出20至60 兆焦耳/脈衝照射該塗層或薄片,藉MS除至少作為最外 層之銅萡之微通路孔形成部份*然後Μ二氧化碳氣體雷射 ,在輸出5至35兆焦耳/脈衝照射餘留層之微通路孔彤成部 份,Μ作成不貫穿在微通路孔底部銅箔之微通路孔,並旦 Κ一種金屬鍍敷或導電塗層成份電連接作為最外層之銅箔 及在微通路孔底部之銅箔。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) , .----'»裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 5. 如申譆專利範圍第4項之方法,其中銅包覆疊片之第 一銅箔層予Μ氧化,依需要將有機物質之塗層或薄Η置於 氧化之第一銅箔表面,以及Κ二氧化碳氣』依肩-微~扈 6. 如申請專利範園第4項之方法,其中,在Μ二氧化碳 氣體雷射去除作為最外層之銅箔之通路孔形成部份後,在 其厚度方向* Μ二氧化碳氣體雷射,在輸出20至35兆焦耳 /脈衝部份去除位於第一銅萡下面之銅箔。 7. 如申請專利範圍第4項之方法,其中作為最外層之第 —銅箔,在微通路孔底部之銅箔及一在微通路孔之壁表面 露出之銅箔,藉由微通路孔予Μ電連接。 8. 如申請專利範圍第4項之方法,其中作為最外層之第 一銅箔予以表面蝕刻,Κ在第一銅箔之厚度方向去除部分 第一銅箔,並同時去除銅箔毛邊。 9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中作為最外層之第 一銅箔予Κ蝕刻,直到其具有 3至7微张之厚度。 10. 如申請專利範圍第4項之方法*其中銅包覆®Η為雙 面銅包覆截Η或多層疊Η。 11. 如申請專利範圍第10項之方法*其中雙面銅包覆疊 Η包含一基材*係藉將無機或有機織造或非織造織物浸潰 熱固性樹脂成份,染料或色素,及一種無機絕緣填料所形 成。 1 2 .如申請專利範圍第11項之方法,其中熱固性樹脂成 份含有至少一種選自環氧樹脂,多官能氰酸酯樹脂,多官 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---------峻 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 J· 2
    經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 六、申請專利範圍 能馬來醯亞胺-氤酸酯樹脂*多官能馬來醯亞胺樹脂之類 組,及一種含聚伸苯醚樹脂之含不飽和基之樹脂。 13. 如申請專莉範圍第4項之方法,其中去除在微通路孔 底部之部分銅箔表面》然後微通路孔之内側係在氣相予以 處理,Μ去除餘留樹脂層,後隨濕潤處置。 14. 如申請專利範圍第13項之方法》其中藉 氣相及濕 潤處理去除餘留樹腊。 15. 如申請專利範圃第13項之方法,其中作為最外層之 第一銅萡,在氣相之處理前予Κ蝕刻。 16. 如申請專利範圍第13項之方法,其中氣相之處置為 電漿處理或低壓力紫外光處置。 17. 如申請專利範圍第4項之方法,其中第一錮箔及在微 通路孔底部之銅箔層為藉Μ銅鍍敷填滿Κ容積計至少80¾ 之微通路孔予Μ電連接。 1 8 .如申請專利範圍第4項之方法,其中有機1質之塗屙 或屋H Jl—種少一種粉一屋_^粉或二^. 種有一種水可溶樹金匾粉末g温合物之塗層_成份所形 壊遵膜之一表面, 19. 如申請專利範圍第18項之方法,其中在熱及在壓力 下,將有機物質之薄片疊曆於作為最外層之第一銅箔。 20. 如申請專利範圍第18項之方法,其中在有機物質之 薄片蠱層在第一銅箔前,薄片予Μ濕潤深3微米或更少。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----,---^----φ-裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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