JP4497262B2

JP4497262B2 - 回路基板の製造方法

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Publication number: JP4497262B2
Application number: JP2000300766A
Authority: JP
Inventors: 康尋脇坂; 大輔内田
Original assignee: Zeon Corp
Current assignee: Zeon Corp
Priority date: 2000-09-29
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2020-09-29
Also published as: WO2002030167A1; US20040029043A1; KR100852368B1; KR20030030017A; JP2002111229A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、孔形成の加工時間が短く、クラックの発生がし難い、紫外線レーザを用いた多層回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に伴い、電子回路の高密度実装技術が発展してきている。このような実装技術には、スルーホールおよびブラインドビアホールを有する多層基板を用いたものが知られている。多層基板に対するスルーホールおよびブラインドビアホールの形成は、多層基板用の本体にスルーホール用加工孔およびブラインドビアホール用加工孔を形成し、これら加工孔の内周面および層面に導電層を形成することにより行われる。
従来、この種の多層基板におけるスルーホール用加工孔の形成方法には、多層基板用の本体にドリル加工を施すことによるものが採用されていた。
一方、ブラインドビアホール用加工孔の形成方法には、例えば、銅層上であってブラインドビアホール用加工孔を形成するための部分を除く部位に接着層を塗布し、次いでこの接着層上にポリイミド層を印刷形成し、しかる後このポリイミド層上にブラインドビアホール用加工孔を形成するための部分を除く部位に接着層を塗布してから、この接着層上に銅層を印刷形成する方法（特開平３−２７２１９５号公報）や、予め絶縁層および導電層が接着層を介して積層してなる積層板にブラインドビアホール用加工孔の内面を形成する貫通孔を設け、次にこの貫通孔の絶縁層側開口部を閉塞するように絶縁層上に銅層を印刷形成する方法（特開平８―２７２１９５号公報）がある。
【０００３】
しかしながら、上記のごとき、ドリル加工、印刷加工による方法では、微細加工（μｍ加工）を施すことが困難なものとなり、近年における高密度実装化に応じることができないという問題があった。
このようなことから、紫外線レーザ（例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ）、炭酸ガスレーザなどを照射してビアホールなどを形成する方法（特開平１１−３４２４８５号公報）が微細加工可能な方法として提案されている。
しかし、レーザ、特に紫外線レーザによる孔形成では、絶縁層を削り取る能力に乏しいためにレーザ照射に長時間を要し、一方時間短縮のために高出力のレーザを用いるとクラックが発生することが多かった。また、孔の縁部分が盛り上がり、多層回路基板の厚み精度が悪くなることがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、孔形成の加工時間が短く、クラックの発生がし難い、紫外線レーザを用いた多層回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究をした結果、絶縁性樹脂及び紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物を硬化してなる絶縁層に紫外線レーザを照射することによって、短時間で孔形成ができ、孔の形状も良好で、クラックの発生し難い多層回路基板が得られることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに到った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、絶縁性樹脂及び紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物を内層基板に積層し、該組成物を硬化させ、次いで紫外線レーザを照射して該硬化物に孔を形成することを含む回路基板の製造方法が提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性樹脂及び紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物を内層基板に積層し、該組成物を硬化させ、次いで紫外線レーザを照射して該硬化物に孔を形成することを含む。
本発明に用いる硬化性組成物は、絶縁性樹脂と紫外線吸収剤とを含有するものである。
本発明の硬化性組成物を構成する絶縁性樹脂は、電気絶縁層を形成するために使用されている公知の絶縁性樹脂を含有するものである。該樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂、脂環式オレフィン重合体などが挙げられる。
【０００７】
本発明に用いる好適な硬化性組成物は、絶縁性樹脂として脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有するもの、特に好適には脂環式オレフィン重合体を含有するものである。
硬化性組成物を構成する脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を有するオレフィンの重合体である。脂環式構造としては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造としては、単環及び多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環など）が挙げられる。脂環式構造を構成する炭素原子数は、格別な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱可塑性のものである。
【０００８】
脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式構造を有するオレフィン（以下、脂環式オレフィンということがある。）由来の繰り返し単位を含有する。脂環式オレフィン重合体中の脂環式オレフィン由来の繰り返し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されるが、通常３０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％、より好ましくは７０〜１００重量％である。脂環式オレフィン由来の繰り返し単位の割合が過度に少ないと、耐熱性に劣り好ましくないことがある。
【０００９】
本発明で用いられる脂環式オレフィン重合体として、極性基を有するものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適である。
【００１０】
脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは芳香族オレフィンを付加重合し、そして該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られる。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を有する化合物を変性反応により導入することによって、２）極性基を含有する単量体を（共）重合成分として（共）重合することによって、あるいは３）エステル基などの極性基を含有する単量体を（共）重合成分として（共）重合した後、エステル基を加水分解することによって得られる。本発明においては１）の方法で得られたものが好適である。
【００１１】
脂環式オレフィン重合体を得るために使用される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタデシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
【００１２】
５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネイト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルオクタネイト、
【００１３】
ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
【００１４】
トリシクロ〔４．３．０．１^２，５〕デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、トリシクロ〔４．３．０．１^２，５〕デカ−３−エン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ−３，７−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ−３−エン、テトラシクロ〔７．４．０．１^{１０，１３}．０^２，７〕−トリデカ−２，４，６−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ〔８．４．０．１^{１１，１４}．０^３，８〕−テトラデカ−３，５，７，１２−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）、
【００１５】
テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
【００１６】
８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１^３，６．０^２，７．０^９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ〔７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．０^２，７〕−ペンタデカ−４，１１−ジエン、テトラシクロ〔６．５．０．１^２，５．０^８、１３〕トリデカー３，８，１０，１２−テトラエン、テトラシクロ〔６．６．０．１^２，５．１^８，１３〕テトラデカー３，８，１０，１２−テトラエンのごときノルボルネン系単量体；
【００１７】
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンのごとき脂環式共役ジエン系単量体；などが挙げられる。
芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。
脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これらと共重合可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよい。
脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可能な単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数２〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
脂環式オレフィン又は／及び芳香族オレフィンの重合方法及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。
【００１９】
脂環式オレフィン重合体としては、例えば、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
脂環式オレフィン重合体は、その分子量によって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分子量は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜２５０，０００の範囲である。脂環式オレフィン重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこの範囲にあるときには、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ好適である。
【００２１】
脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするＧＰＣで測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常５以下、好ましくは４以下、より好ましくは３以下である。
上記の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲及び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合するが、それに限定されるものではない。また、上記方法で重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレフィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを使用することができる。
脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、通常５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、最も好ましくは１２５℃以上である。
【００２２】
硬化性組成物を構成する芳香族ポリエーテル重合体は、芳香環を有するポリエーテルであって、通常、２，６−ジメチルフェノールや２，６−ジフェニルフェノールのごとき２，６−ジ置換フェノール類を銅（ＩＩ）アミン錯体のごとき塩基性銅（ＩＩ）塩の存在下で酸素と反応させて得ることができる。芳香族ポリエーテル重合体としては、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。これらのうち誘電率及び誘電正接が小さい変性ポリフェニレンエーテルが好適である。
【００２３】
本発明に用いる硬化性組成物を構成する紫外線吸収剤は、紫外線領域に吸収を持つ化合物である。紫外線吸収剤の具体例としては、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレートなどのサリチル酸系化合物；２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾイルフェニル）メタンなどのベンゾフェノン系化合物；
【００２４】
２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系化合物；２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレート、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレートなどのシアノアクリレート系化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル４）セバケートなどのヒンダードアミン系化合物；ニッケルビス（オクチルフェニル）サルファイド、［２，２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラート）］−ｎ−ブチルアミンニッケルなどの有機金属化合物、酸化亜鉛、酸化すず、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリカ、クレーなどの無機化合物などが挙げられる。これらの中でも、ベンゾトリアゾール系化合物が環構造含有重合体との相溶性や加熱硬化時の安定性に優れる点から好ましい。
紫外線吸収剤の量は、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常０．１〜３０重量部、好ましくは１〜１０重量部である。紫外線吸収剤があまりにも少なすぎると本発明の効果が発揮されないことがあり、逆に多すぎると、電気絶縁性が低下してくることがある。
【００２５】
本発明に用いる硬化性組成物には、所望に応じて、その他の成分を配合することができる。配合剤としては、前記絶縁性樹脂以外の樹脂、軟質重合体、フィラー、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、充填剤、硬化剤、難燃剤などが挙げられ、その配合割合は、本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。
【００２６】
本発明に用いる好適な硬化性組成物には硬化剤、特に窒素系硬化剤が含有される。窒素系硬化剤は窒素原子を含有する硬化剤である。窒素を含有するものであれば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等のいずれでもよいが、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性、及び絶縁性樹脂との相溶性の観点でイオン性硬化剤が好ましい。さらに本発明に用いる、窒素系硬化剤にはハロゲン元素が含まれていないものが好ましい。
【００２７】
窒素系硬化剤としては、例えば、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミンなどの脂肪族ポリアミン；ジアミノシクロヘキサン、３（４），８（９）−ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デカン；１，３−（ジアミノメチル）シクロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミンＮ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタンなどの脂環族ポリアミン；４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミンなどの芳香族ポリアミン；ナイロン−６、ナイロン−６６、ナイロン−６１０、ナイロン−１１、ナイロン−６１２、ナイロン−１２、ナイロン−４６、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミドなどのポリアミド；ヘキサメチレンジイソシアネート、トルイレンジイソシアネートなどのイソシアネート；イソシアヌル酸；
【００２８】
トリアリルシアヌレート；１−アリルイソシヌレート、１，３−ジアリルイソシアヌレート、１，３−ジアリルー５−ベンジルイソシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、１−アリルー３，５−ジベンジルイソシアヌレート；１−アリルー３，５−ジグリシジルイソシアヌレート、１，３−ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートなどのイソシアヌレートが挙げられる。これらのうち、ビニル基とエポキシ基とを含有する窒素系硬化剤が好ましく、特に１−アリルー３，５−ジグリシジルイソシアヌレート、１，３−ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレートのごときビニル基とエポキシ基とを含有するハロゲン不含のイソシアヌレート系硬化剤が好ましい。
【００２９】
これらの窒素系硬化剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合割合は、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常５〜１５０重量部、好ましくは１５〜１１０重量部、より好ましくは３０〜１００重量部の範囲である。
【００３０】
本発明に用いる硬化性組成物には難燃剤、特にリン系難燃剤が含有されていることが好ましい。リン系難燃剤は、難燃性を有するリン含有化合物である。リン系難燃剤の例として、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、レゾルシノールビス（ジフェニル）ホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、ジメチルメチルホスフェート、トリアリルホスフェート、ジエチルビス（ヒドロキシエチル）アミノメチルホスフェートや、縮合リン酸エステルのごときリン酸エステル化合物；リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、メタリン酸、二リン酸；ホスフィン酸ナトリウム一水和物、ホスホン酸ナトリウム五水和物、ホスホン酸水素ナトリウム２．５水和物、リン酸ナトリウム十二水和物、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム十二水和物、リン酸二水素ナトリウム一水和物、リン酸二水素ナトリウム二水和物、次リン酸ナトリウム十水和物、二リン酸ナトリウム十水和物、二リン酸二水素二ナトリウム、二リン酸二水素二ナトリウム六水和物、三リン酸ナトリウム、ｃｙｃｌｏ−四リン酸ナトリウム、ホスフィン酸カリウム、ホスホン酸カリウム、ホスホン酸水素カリウム、リン酸カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、二リン酸カリウム三水和物、メタリン酸カリウム、赤リンのごとき無機リン化合物；
【００３１】
ポリリン酸アンモニウム、ポリリン酸メラミン塩、ポリリン酸硫酸塩、リン酸グアニジン、リン酸グアニル尿素のごときリン酸塩化合物；ジフェニルリン酸エステル−２−プロペニルアミド、ジフェニルリン酸エステル−２−ヒドロキシエチルアミド、ジフェニルリン酸エステル−ジ（２−ヒドロキシエチル）アミド、ジフェニルリン酸エステル−ジ−２−シアノエチルアミド、ジフェニルリン酸エステル−ｐ−ヒドロキシフェニルアミド、ジフェニルリン酸エステル−ｍ−ヒドロキシフェニルアミド、ジフェニルリン酸エステル−シクロヘキシルアミドのごときリン酸エステルアミド化合物；フェニルリン酸エステル−ジ−Ｎ，Ｎ−フェニルメチルアミド、フェニルリン酸エステル−ジ−Ｎ−シクロヘキシルアミドのごときリン酸アミド化合物；などが挙げられる。リン系難燃剤の量は、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ましくは５〜６０重量部である。これらのうちハロゲン元素を含有しないリン系難燃剤が好ましく、特にハロゲン元素を含有しないリン酸塩化合物、より具体的にはポリリン酸メラミン塩が好適である。
【００３２】
硬化性樹脂に含有させる過酸化物としては、例えば、ベンゾイルペルオキシド、ジクロルベンゾイルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−（ペルオキシドベンゾエート）ヘキシン−３、１，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシイソプロピル）ベンゼン、ラウロイルペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルペルアセテート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルペルベンゾエート、ｔｅｒｔブチルベルフェニルアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルペルイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルペル−ｓｅｃ−オクトエート、ｔｅｒｔ−ブチルペルピパレート、クミルペルピパレート及びｔｅｒｔ−ブチルペルジエチルアセテート、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、ｔ−ブチルハイドロペルオキシド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α’−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、オクタノイルペルオキシド、イソブチリルペルオキシド、ペルオキシジカーボネートなどが挙げられる。これら過酸化物のうち、ハロゲン元素を含有しないものが好ましい。
過酸化物の量は、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常０．１〜４０重量部、好ましくは１〜２０重量部である。過酸化物の量がこの範囲内にあるものの方が配線埋め込みなどの積層性に優れる。
【００３３】
上記窒素系硬化剤、リン系難燃剤及び必要に応じて過酸化物を含有する硬化性組成物は、難燃性、絶縁性及び密着性に優れ、しかも燃焼時にハロゲン系化合物などの有害物質を発生しないので、多層回路基板の絶縁層、半導体素子層間絶縁膜、ソルダーレジスト；液晶表示装置のスペーサー、セル；接着剤などとして利用できる。
【００３４】
また、配合剤として絶縁抵抗性及び耐剥離性を向上させるために、チオール化合物やシラン化合物が好ましい。チオール化合物又はシラン化合物の配合量は、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部である。量が少なすぎると、絶縁抵抗性及び耐剥離性の向上効果が発揮されにくくなり、配合量が多すぎると、耐熱性及び耐薬品性が低下傾向になる。
【００３５】
本発明に用いる内層基板は、電気絶縁層（１）と、その表面に形成された導電体回路層（１）とからなる。
内層基板を構成する導電体回路層（１）は、導電性金属などの導電体により形成された電気回路であって、その回路構成などは通常の多層回路基板に用いられているものと同じものが使用できる。
内層基板の具体例として、プリント配線基板、シリコンウェハー基板などが挙げられる。内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは１００μｍ〜１ｍｍである。
【００３６】
内層基板を構成する電気絶縁層（１）の材料は電気絶縁性のものであれば特に限定されない。電気絶縁層（１）の材料として、例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテルなどを含有する硬化性組成物を、硬化してなるものが挙げられる。また、内層基板は、ガラス繊維、樹脂繊維などを強度向上のために含有させたものであってもよい。
【００３７】
内層基板上に前記硬化性組成物を積層する方法は、特に限定されず、例えば、前記の硬化性組成物の溶液又は分散液を内層基板上に塗布した後、溶媒を除去乾燥して硬化性組成物の塗布層を形成した後、該組成物を硬化させる方法；硬化性組成物をフィルム又はシートに成形し、そのシート又はフィルムを加熱圧着等により内層基板上に重ね合わせた後に、硬化することによって、電気絶縁層（２）を形成する方法が挙げられる。本発明においては後者のシートまたはフィルムを形成して電気絶縁層を形成する方法が好ましい。
硬化性組成物をシート又はフィルムに成形する方法は特に限定されないが、本発明においては溶液キャスト法や溶融キャスト法で成形するのが好ましい。溶液キャスト法では、硬化性組成物の溶液又は分散液を支持体に塗布した後に、溶媒を乾燥除去する。
【００３８】
本発明の硬化性組成物を溶解又は分散させるために使用する溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒などを挙げることができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
これら溶媒のなかでも、微細配線への埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、芳香族炭化水素系溶媒や脂環式炭化水素系溶媒のごとき非極性溶媒と、ケトン系溶媒のごとき極性溶媒とを混合した混合溶媒が好ましい。これらの非極性溶媒と極性溶媒の混合比は適宜選択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：８０〜８０：２０の範囲である。
【００４０】
溶媒の使用量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、硬化性組成物の溶液又は分散液の固形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲である。
硬化性組成物の溶媒中への分散又は溶解方法は、常法に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロールなどを使用した方法などで行うことができる。
【００４１】
溶液キャスト法に使用する支持体として、樹脂フィルムや金属箔などが挙げられる。樹脂フィルムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、具体的には、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これら樹脂フィルムの中、耐熱性や耐薬品性、積層後の剥離性などの観点からポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等が好ましい。金属箔としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。導電性が良好で安価である点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適である。支持体の厚さは特に制限されないが、作業性等の観点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍである。
【００４２】
塗布方法として、デイップコート、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、スリットコートなどの方法が挙げられる。また溶媒の除去乾燥の条件は、溶媒の種類により適宜選択され、乾燥温度は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃であり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１分〜３０分である。
フィルム又はシートの厚みは、通常０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又はシートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又はシートを形成した後、支持体から剥離する。
【００４３】
硬化性組成物からなるフィルム又はシートを内層基板上に積層するには、通常、支持体付きのフィルム又はシートを、該フィルム又はシートが内層基板面に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用して加熱圧着する。加熱圧着は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑えるために真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温度は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、圧力は、通常０．１〜２００ｋｇ／ｃｍ^２、好ましくは１〜１００ｋｇ／ｃｍ^２、圧着時間は、通常３０秒〜５時間、好ましくは１分〜３時間、また、通常７６０ｍｍＨｇ〜０．０１ｍｍＨｇ、好ましくは３００ｍｍＨｇ〜０．１ｍｍＨｇに減圧する。
【００４４】
硬化性組成物を硬化させるために、通常、硬化性組成物を加熱する。窒素系硬化剤の種類に応じて適宜選択されるが、硬化させるための温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、硬化時間は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。前記支持体付きフィルム又はシートを内層基板に積層させた場合には、前記支持体が付いたままで、硬化性組成物からなるフィルム又はシートを加熱し硬化させてもよいが、通常は前記支持体を剥がした後に硬化性組成物からなるフィルム又はシートを加熱し硬化させる。
一方、前記支持体付きフィルム又はシートを内層基板に積層させた場合は、支持体を全て除去し、該フィルム又はシートを硬化させて電気絶縁層（２）を得る。なお、支持体が導電性金属箔の場合は該金属箔を一部又は全部残して、そのまま導電体回路（２）として利用することもできる。
【００４５】
次いで硬化性組成物を硬化させてなる硬化物層、すなわち電気絶縁層（２）に紫外線レーザを照射して孔を形成する。
紫外線レーザとは、紫外線領域を発振波長とするレーザーである。紫外線領域とは、通常、１８０ｎｍ〜３８０ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜３８０ｎｍ、より好ましくは３００ｎｍ〜３８０ｎｍである。
紫外線レーザを得るためのレーザの例として、Ａｒ、Ｎ_２、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣＬ、ＸｅＦ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ｈｅ−Ｎｅなどの気体レーザ；ＹＡＧ、ＮｄＹＡＧ、Ｎｄガラス、アレキサンドライトなどの固体レーザ；有機溶剤に溶かした色素を用いる色素レーザーなどが挙げられる。特に高出力エネルギー発振が可能で、長寿命で、レーザー装置を安価に維持可能なＹＡＧレーザ、ＮｄＹＡＧレーザが好適である。紫外線領域の発振波長として、これらレーザの高調波が好適に用いられる。レーザ高調波は、例えばＹＡＧレーザなどで１．０６μｍのレーザ光（基本波）を発振させ、このレーザ光を、光路方向に所定の間隔をもって並列する二つの非線形結晶（ＬＢＯ結晶）に通すことによって、波長０．５３μｍのＳＨＧ光を経て、波長０．３５５μｍのＴＨＧ光（紫外線）に変換することによって得られる。このような高調波を得るための装置としては特開平１１−３４２４８５号公報などに開示されているレーザ加工機が挙げられる。
レーザは、連続的に又は断続的に照射することができるが、単パルスで断続的に照射する方がクラック発生が防止できるので好ましい。単パルス照射における照射回数（ショット数）は、通常５〜１００回、好ましくは１０〜５０回である。照射回数が増えると加工時間が長くなり、クラックも発生しやすい傾向になる。パルス周期は、通常３〜８ｋＨｚ、好ましくは４〜５ｋＨｚである。
【００４６】
形成される孔は、スルーホールおよびブラインドビアホールとして利用される。孔の底部分の内径（ｄ１）と孔の入り口（表面）部分の内径（ｄ０）との比率（孔径比：ｄ１／ｄ０×１００［％］）は、通常４０％以上、好ましくは５０％以上、より好ましくは６５％以上である。また、ｄ０は、通常１０〜２５０μｍ、好ましくは２０〜８０μｍである。この孔径比が大きいものは、絶縁層間の導通不良を起こし難く、多層回路基板としての信頼性が高い。
孔を形成した後、電気絶縁層（２）の表面には導電体回路層（２）を形成することができる。電気絶縁層（２）上に新たな導電体回路を形成する方法としては、メッキや、スパッタリングによる方法などが挙げられる。メッキやスパッタリングをする前に、電気絶縁層（２）と導電体回路（２）との密着力を高めるために、電気絶縁層（２）の表面を過マンガン酸やクロム酸などの液と接触させ、あるいはプラズマ処理などを施すことができる。
【００４７】
本発明においては、電気絶縁層（２）および導電体回路（２）を形成して得られた基板を、新たな内層基板として、新たに電気絶縁層および導電体回路を幾層にも積層することができる。
本発明の方法によって得られる多層回路基板は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を実装するためのプリント配線板として使用できる。特に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板として、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携帯端末の配線基板として好適である。
【００４８】
【実施例】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に断りのない限り重量基準である。
本実施例において行った評価方法は以下のとおりである。
（１）分子量
特に断りのない限り、トルエンを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。
（２）水素化率及びカルボキシル基含有率
^１Ｈ−ＮＭＲにより測定した。
（３）ガラス移転温度（Ｔｇ）
示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。
（４）低誘電率特性は、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に定める誘電率測定方法に従い、比誘電率（ε）を測定し、εが３．３以下の場合を◎、εが３．３を超え３．８以下の場合を○、εが３．８を超え４．０以下の場合を△、εが４．０を超えている場合を×として評価した。
（５）絶縁性
多層回路基板の２層目の電気絶縁層上に、配線間距離５０ミクロン、配線幅５０ミクロンの櫛形電極を形成した後、直流電圧５０Ｖを印加した状態で、１２０℃、飽和水蒸気条件下に放置し、３００時間後に、電気抵抗値を測定した。電気抵抗が１０^９オーム以上のものは◎、１０^８オーム以上で１０^９オーム未満のものは○、１０^８オーム未満で短絡してないものは△、短絡しているものは×と評価した。
【００４９】
（６）密着性
多層回路基板を１２１℃飽和水蒸気条件下で１００時間処理した後、ＪＩＳＫ５４００に従い碁盤目密着性試験を行いＪＩＳＫ５４００に定める評価点を以下の基準にて評価した。
○：８点以上； △：８点未満４点以上； ×：４点未満
（７）レーザークラックの評価
レーザー加工時に発生するクラックの評価をＵＶ−ＹＡＧレーザー（装置名：ＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００、住友重機工業株式会社製）を用いて発振周波数４０００Ｈｚ、マスク径０．６４ｍｍにて、ビアホール表面が４０μｍ、ビアホール底面が３０μｍ、ビアホール中心間距離が８０μｍ、縦、横に２０穴×２０穴の合計４００穴を加工した後、絶縁樹脂中に発生する1μｍ以上のクラックを光学顕微鏡にて計測し、クラックの発生の無いものを○、発生数が1箇所以上で5箇所未満のものを△、5箇所以上のものを×とした。
（８）レーザー加工性の評価
ＵＶ−ＹＡＧレーザー（装置名：ＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００、住友重機工業株式会社製）を用いて発振周波数４０００Ｈｚ、マスク径０．６４ｍｍにて、ビアホール表面径をｄ０、ビアホール底面径をｄ１とした時、式（ｄ１／ｄ０）×１００（％）で示されるビアホール径比が７０％を越えるために要する照射回数が５０回以下のものを○、５０回を超え１５０回以下のものを△、１５０回を超えるものを×とした。
【００５０】
実施例１
８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エンを開環重合し、次いで水素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝約１４０℃の水素化重合体を得た。得られたポリマーの水素化率は９９％以上であった。
得られた重合体１００部、無水マレイン酸４０部及びジクミルパーオキシド５部をｔ−ブチルベンゼン２５０部に溶解し、１４０℃で６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液を１０００部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反応生成物を凝固させマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性水素化重合体を１００℃で２０時間真空乾燥した。この変性水素化重合体の分子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００でＴｇは１７０℃であった。マレイン酸基含有率は２５モル％であった。
【００５１】
前記変性水素化重合体１００部、１，３−ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレート５０部、ジクミルペルオキシド５部、平均粒径３μｍのポリリン酸メラミン塩３０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール５部、ベンジルフェニルイミダゾール０．０３部及びポリブタジエン（商品名：日石ポリブタジエンＢ−７００、日本石油化学株式会社製）２０部を、キシレン１７０部及びシクロペンタノン１１０部からなる混合溶媒に溶解させてワニスを得た。
【００５２】
該ワニスをダイコーターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４０ミクロンのポリエチレンナフタレートフィルム（キャリアフィルム）に塗工し、その後窒素オーブン中で１００℃で１０分間乾燥させ樹脂厚み３５ミクロンのキャリアーフィルム付きドライフィルムを得た。
【００５３】
表面がマイクロエッチング処理された、厚さ０．８ｍｍの両面銅張り基板（ガラスフィラー及びハロゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含浸させて得られたもの）上に、前述のキャリアーフィルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるようにして両面銅張り基板両面に重ね、真空ラミネーターを用いて、１ｍｍＨｇに減圧し、温度１３０℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ^２で１０分間加熱圧着して積層板を得た。得られた積層板をラミネーターから取り出し、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がし、積層板を窒素オーブン中で１５０℃で１２０分間加熱して樹脂を硬化させて絶縁層を形成した。
得られた積層板の、絶縁層部分について、クラック評価及びレーザー加工性評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００５４】
一方、配線幅及び配線間距離が７５ミクロンで、配線層厚さが１８ミクロンの表面がマイクロエッチング処理された導電体回路層と、直径０．２ｍｍのメッキスルーホールとが形成された、厚さ０．８ｍｍのコア基板（ガラスフィラー及びハロゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含浸させて得られたもの）上に、前述のキャリアーフィルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるようにしてコア基板両面に重ね、真空ラミネーターを用いて、１ｍｍＨｇに減圧し、温度１３０℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ^２で１０分間加熱圧着して積層板を得た。得られた積層板をラミネーターから取り出し、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がし、積層板を窒素オーブン中で１５０℃で１２０分間加熱して樹脂を硬化させて絶縁層を形成した。
【００５５】
得られた積層板の、絶縁層部分に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー（装置名：ＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００、住友重機工業株式会社製）を用いて発振周波数４０００Ｈｚ、マスク径０．６４ｍｍにて、所定大きさの層間接続のビアホールを形成した。次いで上記積層板を水洗、乾燥させた後、１０００Ｗのアルゴンプラズマに１０分間さらした。
次に該積層板を、銅スパッタ処理し、ビアホールの壁面及び積層板表面全面に厚さ０．１ミクロンの銅の薄膜を形成させた。
この積層板表面に市販の感光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像してレジストパターンを得た。次にレジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ１８ミクロンの電解銅メッキ膜を形成させた。次いで、レジストパターンを剥離液にて剥離除去し、レジスト形成部分の下に隠れていたスパッタ銅薄膜を塩化第二銅と塩酸混合溶液により除去して配線パターンを形成した。そして、最後に、１７０℃で３０分間アニール処理をして回路基板を得た。
【００５６】
２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−Ｓ−トリアジン０．１部をイソプロピルアルコール１００部に溶解させ導電体層前処理溶液を得た。前述までで得られた回路基板を、導電体層前処理溶液に室温で１分間浸漬させた後、９０℃で１５分間乾燥させた。この処理を施した回路基板を、前述のコア基板として使用し、前述同様にして絶縁層、導電体層を繰り返し形成し両面合計６層の多層回路基板を得た。密着性、絶縁性及び誘電率の評価結果を表１に示す。
【００５７】
実施例２
実施例１で使用したポリリン酸メラミン塩を用いない以外は実施例１と同様にしてレーザークラックの評価基板、レーザー加工性の評価基板及び多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
【００５８】
実施例３
２，６−ジメチルフェノール１０部をトルエン１００容量部及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン５容量部からなる混合溶媒に溶解させ、ｎ−ブチルリチウム（１．５４モル／リットル、ヘキサン溶液）を１０．８容量部加えて窒素雰囲気下室温で１時間反応させた。続いて−７０℃まで冷却し、プロパルギルブロマイドを２部添加し撹拌した。多量のメタノールに注いでポリマーを析出させ、濾過し、メタノールによる洗浄を３回繰り返し、白色粉末状のプロパギル基置換ポリフェニレンエーテル重合体を得た。^１Ｈ−ＮＭＲによりプロパギル基の置換率を求めたところ、５％であった。
プロパギル基置換ポリフェニレンエーテル重合体１００部、１，３−ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレート５０部、ジクミルペルオキシド５部、平均粒径３μｍのポリリン酸メラミン塩４０部及び２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール５部をトリクロロエチレン２００部に溶解させてワニスを得た。該ワニスを用いて実施例１と同様にしてレーザークラックの評価基板、レーザー加工性の評価基板及び多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
【００５９】
比較例１
実施例１で使用した２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールを用いない以外は実施例１と同様にしてレーザークラックの評価基板、レーザー加工性の評価基板及び多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
比較例２
実施例２で使用した２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールを用いない以外は実施例２と同様にしてレーザークラックの評価基板、レーザー加工性の評価基板及び多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
比較例３
実施例３で使用した２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールを用いない以外は実施例３と同様にしてレーザークラックの評価基板、レーザー加工性の評価基板及び多層回路基板を得た。評価結果を表1に示す。
【００６０】
【表１】

【００６１】
【発明の効果】
本発明の硬化性組成物によれば、誘電率が低く、密着性が高く、絶縁性に優れた多層回路基板を容易に得られる。また、本発明の硬化性組成物はレーザー加工性が良く、生産性に優れる。特に、レーザーによる狭ピッチのビア加工時にクラックの発生が無く、この硬化性組成物を用いる事によって、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を実装するための高密度の多層回路基板作製が可能である。
また、本発明の多層回路基板は、いわゆるノンハロ組成の硬化性組成物から形成することもできる。この場合、得られる多層回路基板は、焼却した場合であっても有毒なハロゲン系の有毒ガスが発生することがないので、環境上好ましい。

Claims

脂環式オレフィン重合体、硬化剤及び紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物を内層基板に積層し、該組成物を硬化させ、次いで紫外線レーザを照射して該硬化物に孔を形成することを含む回路基板の製造方法。