JP2000143967A - 樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板 - Google Patents
樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線板の樹脂絶縁層に発生するクラ
ックを抑制する。 【解決手段】 熱硬化性ポリアリルエーテルと熱可塑性
樹脂の複合体を配線板の樹脂絶縁層に用いる。
ックを抑制する。 【解決手段】 熱硬化性ポリアリルエーテルと熱可塑性
樹脂の複合体を配線板の樹脂絶縁層に用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂複合体およびプリ
ント配線板に関し、特にヒートサイクル時にクラックが
発生せず、誘電率などの電気的特性に優れた樹脂複合体
とプリント配線板である。
ント配線板に関し、特にヒートサイクル時にクラックが
発生せず、誘電率などの電気的特性に優れた樹脂複合体
とプリント配線板である。
【０００２】
【従来技術】近年、電子工業の進歩に伴い、電子機器の
小型化あるいは高速化が進められており、このためプリ
ント配線板やＬＳＩを実装する配線板に対してもファイ
ンパターンによる高密度化および高い信頼性が要求され
ている。
小型化あるいは高速化が進められており、このためプリ
ント配線板やＬＳＩを実装する配線板に対してもファイ
ンパターンによる高密度化および高い信頼性が要求され
ている。
【０００３】このために、最近では、配線板に導体を形
成する他の手段として、接着剤を基板表面に塗布して接
着剤層を形成するアディティブ法が注目を浴びている。
この方法によれば、レジスト形成後に無電解めっきを施
して導体を形成するため、エッチングによりパターンを
形成するエッチドフォイル法よりも高密度でパターン精
度の高い配線が得られる。
成する他の手段として、接着剤を基板表面に塗布して接
着剤層を形成するアディティブ法が注目を浴びている。
この方法によれば、レジスト形成後に無電解めっきを施
して導体を形成するため、エッチングによりパターンを
形成するエッチドフォイル法よりも高密度でパターン精
度の高い配線が得られる。
【０００４】このようなアディティブ法では、導体回路
と樹脂絶縁層との境界を起点として、ヒートサイクルに
よりクラックが発生しやすいという問題が見られた。ま
た、アディティブ法を繰り返して多層化する技術（ビル
ドアップ多層化法）では、層間樹脂絶縁層と導体回路側
面の境界を起点としてクラックが発生するという問題が
見られた。このような問題を解決する手段として高強度
樹脂、例えば特開Ｈ７−３３９９１号公報に示すよう
な、エポキシ樹脂とＰＥＳなどの熱可塑性樹脂との複合
体を使用する技術が提案されている。
と樹脂絶縁層との境界を起点として、ヒートサイクルに
よりクラックが発生しやすいという問題が見られた。ま
た、アディティブ法を繰り返して多層化する技術（ビル
ドアップ多層化法）では、層間樹脂絶縁層と導体回路側
面の境界を起点としてクラックが発生するという問題が
見られた。このような問題を解決する手段として高強度
樹脂、例えば特開Ｈ７−３３９９１号公報に示すよう
な、エポキシ樹脂とＰＥＳなどの熱可塑性樹脂との複合
体を使用する技術が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題】しかしながら、このよ
うな樹脂は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂が完全に均一
にならなければ、その破壊強度値、破壊靱性値が高くな
らない。特開Ｈ７−３３９９１号公報の樹脂複合体で
は、動的粘弾性測定試験で測定されるＴｇ点のピークが
一つになる程の均一さが要求されている。
うな樹脂は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂が完全に均一
にならなければ、その破壊強度値、破壊靱性値が高くな
らない。特開Ｈ７−３３９９１号公報の樹脂複合体で
は、動的粘弾性測定試験で測定されるＴｇ点のピークが
一つになる程の均一さが要求されている。
【０００６】ところが、実際にはこのような完全均一を
実現するためには、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂のスピ
ノーダル分解を防止しながら硬化させなければならず、
量産時の管理が煩雑であった。さらに、特開Ｈ７−３３
９９１号公報の熱硬化性樹脂はいずれも誘電率、誘電正
接が高く、高周波数の信号伝搬特性に欠けるという問題
が見られた。本発明の目的は、熱硬化性樹脂と熱可塑性
樹脂がスピノーダル分解していても破壊強度値、破壊靱
性値が高く、また、誘電率、誘電正接が低い樹脂複合体
を提案することにある。
実現するためには、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂のスピ
ノーダル分解を防止しながら硬化させなければならず、
量産時の管理が煩雑であった。さらに、特開Ｈ７−３３
９９１号公報の熱硬化性樹脂はいずれも誘電率、誘電正
接が高く、高周波数の信号伝搬特性に欠けるという問題
が見られた。本発明の目的は、熱硬化性樹脂と熱可塑性
樹脂がスピノーダル分解していても破壊強度値、破壊靱
性値が高く、また、誘電率、誘電正接が低い樹脂複合体
を提案することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明は、〜であ
る。 熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性樹脂から
なる樹脂複合体。 基板上に樹脂絶縁層が形成され、該樹脂絶縁層上に導
体回路が形成されたプリント配線板において、前記樹脂
絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性
樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなることを特徴と
するプリント配線板。 導体回路形成基板上に層間樹脂絶縁層が形成され、該
層間樹脂絶縁層上に導体回路が形成された多層プリント
配線板において、前記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリ
アリルエーテルおよび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体
で構成されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。前記熱硬化性ポリアリルエーテルは、基本的に低誘
電率、低誘電正接を持ち、また、ポリアリルエーエル自
体は熱可塑性樹脂であり、熱硬化変性しても基本骨格は
熱可塑性樹脂のそれと近似しているため、混合した場合
に破壊強度、破壊靱性値改善の効果が発現しやすく、ス
ピノーダル分解しても充分な破壊強度、破壊靱性値を確
保でき、また、スピノーダル分解しない場合には、さら
に高い破壊強度および破壊靱性値が得られるのである。
る。 熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性樹脂から
なる樹脂複合体。 基板上に樹脂絶縁層が形成され、該樹脂絶縁層上に導
体回路が形成されたプリント配線板において、前記樹脂
絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可塑性
樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなることを特徴と
するプリント配線板。 導体回路形成基板上に層間樹脂絶縁層が形成され、該
層間樹脂絶縁層上に導体回路が形成された多層プリント
配線板において、前記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリ
アリルエーテルおよび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体
で構成されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。前記熱硬化性ポリアリルエーテルは、基本的に低誘
電率、低誘電正接を持ち、また、ポリアリルエーエル自
体は熱可塑性樹脂であり、熱硬化変性しても基本骨格は
熱可塑性樹脂のそれと近似しているため、混合した場合
に破壊強度、破壊靱性値改善の効果が発現しやすく、ス
ピノーダル分解しても充分な破壊強度、破壊靱性値を確
保でき、また、スピノーダル分解しない場合には、さら
に高い破壊強度および破壊靱性値が得られるのである。
【０００８】従って、本発明の樹脂複合体は、均一構
造、共連続２相構造、球状ドメイン構造のいずれの複合
構造でもよい。また、このような樹脂複合体をプリント
配線板の樹脂絶縁層や多層プリント配線板の層間樹脂絶
縁層として使用した場合、ヒートサイクル時に導体回路
とこれら樹脂絶縁層との間の界面境界を起点として発生
するクラックを抑制できる。破壊強度、破壊靱性値が高
いため、導体回路と樹脂絶縁層あるいは導体回路と層間
樹脂絶縁層との間の界面境界に発生する応力によっても
樹脂破壊が生じないからである。
造、共連続２相構造、球状ドメイン構造のいずれの複合
構造でもよい。また、このような樹脂複合体をプリント
配線板の樹脂絶縁層や多層プリント配線板の層間樹脂絶
縁層として使用した場合、ヒートサイクル時に導体回路
とこれら樹脂絶縁層との間の界面境界を起点として発生
するクラックを抑制できる。破壊強度、破壊靱性値が高
いため、導体回路と樹脂絶縁層あるいは導体回路と層間
樹脂絶縁層との間の界面境界に発生する応力によっても
樹脂破壊が生じないからである。
【０００９】本発明で使用される熱硬化性ポリアリルエ
ーテルとしては、熱硬化性ポリフェニレンエーテルが望
ましい。熱可塑性樹脂であるエンジニアリングプラスチ
ックと複合化させやすいからである。熱硬化性ポリフェ
ニレンエーテルとしては、アリル化ポリフェニレンエー
テルが望ましい。アリル化ポリフェニレンエーテルの製
造方法としては、「ポリファイル Ｖｏｌ．３０、Ｎ
ｏ．３、ｐ５５〜５７、１９９３年」や「高分子論文集
Ｖｏｌ．５４、Ｎｏ．４、ｐ１７１〜１８２、１９９７
年」に開示されているように、ポリフェニレンエーテル
をブチルリチウムでリチウム化した後、ハロゲン化アリ
ルと反応させてアリル基を導入する。
ーテルとしては、熱硬化性ポリフェニレンエーテルが望
ましい。熱可塑性樹脂であるエンジニアリングプラスチ
ックと複合化させやすいからである。熱硬化性ポリフェ
ニレンエーテルとしては、アリル化ポリフェニレンエー
テルが望ましい。アリル化ポリフェニレンエーテルの製
造方法としては、「ポリファイル Ｖｏｌ．３０、Ｎ
ｏ．３、ｐ５５〜５７、１９９３年」や「高分子論文集
Ｖｏｌ．５４、Ｎｏ．４、ｐ１７１〜１８２、１９９７
年」に開示されているように、ポリフェニレンエーテル
をブチルリチウムでリチウム化した後、ハロゲン化アリ
ルと反応させてアリル基を導入する。
【００１０】このような熱硬化ポリフェニレンエーテル
の市販品としては、旭化成工業株式会社製の商品名「Ａ
−ＰＰＥ」（化学式１を参照）がある。
の市販品としては、旭化成工業株式会社製の商品名「Ａ
−ＰＰＥ」（化学式１を参照）がある。
【００１１】
【化１】
【００１２】ｎは５０〜５００が望ましい。熱可塑性樹
脂と混合しやすいからである。前記熱硬化性ポリフェニ
レンエーテルの重量平均分子量は、１００００〜８００
００であることが望ましい。耐熱性を確保し、熱可塑性
樹脂との複合化しやすい範囲だからである。また、前記
アリル化ポリフェニレンエーテルでは、アリル基が導入
されているため、アリル基の熱硬化用触媒、例えば、チ
タン・リン酸塩トリエチルアルミニウム触媒、ＬｉＡｌ
Ｈ4 触媒、各種過酸化物、例えば２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３
（日本油脂株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）などを反
応触媒として使用することができる。反応触媒は熱可塑
性樹脂と混合後添加する。
脂と混合しやすいからである。前記熱硬化性ポリフェニ
レンエーテルの重量平均分子量は、１００００〜８００
００であることが望ましい。耐熱性を確保し、熱可塑性
樹脂との複合化しやすい範囲だからである。また、前記
アリル化ポリフェニレンエーテルでは、アリル基が導入
されているため、アリル基の熱硬化用触媒、例えば、チ
タン・リン酸塩トリエチルアルミニウム触媒、ＬｉＡｌ
Ｈ4 触媒、各種過酸化物、例えば２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３
（日本油脂株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）などを反
応触媒として使用することができる。反応触媒は熱可塑
性樹脂と混合後添加する。
【００１３】本発明において熱可塑性樹脂としては、ポ
リフェニレンエーテル（熱可塑性市販品としては、旭化
成工業株式会社製の商品名「ザイロン」）、ポリエーテ
ルスルホン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルエーテルケトンなどのエンジニアリ
ングプラスチックを使用できる。
リフェニレンエーテル（熱可塑性市販品としては、旭化
成工業株式会社製の商品名「ザイロン」）、ポリエーテ
ルスルホン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルエーテルケトンなどのエンジニアリ
ングプラスチックを使用できる。
【００１４】本発明における熱硬化性ポリアリルエーテ
ルと熱可塑性樹脂の複合比率は、重量比で１０／９０〜
６０／４０であることが望ましい。この範囲は、破壊強
度が極大値となる範囲だからである。この範囲で極大と
なる理由は不明であるが、熱硬化性ポリアリルエーテル
が少ない場合は、編目構造が形成されないため強度を確
保できず、熱硬化性ポリアリルエーテルが多くなりすぎ
ると、もろくクラックが発生しやすくなり、わずかなク
ラックを起点として破断が生じるためと推定されてい
る。
ルと熱可塑性樹脂の複合比率は、重量比で１０／９０〜
６０／４０であることが望ましい。この範囲は、破壊強
度が極大値となる範囲だからである。この範囲で極大と
なる理由は不明であるが、熱硬化性ポリアリルエーテル
が少ない場合は、編目構造が形成されないため強度を確
保できず、熱硬化性ポリアリルエーテルが多くなりすぎ
ると、もろくクラックが発生しやすくなり、わずかなク
ラックを起点として破断が生じるためと推定されてい
る。
【００１５】さらに、本発明では、熱硬化性ポリアリル
エーテルおよび熱可塑性樹脂を必要に応じて溶剤に溶解
することにより均一に混合される。このような溶剤（相
溶媒）としては、例えば、ジメチルホルムアミド（DMF
）や塩化メチレン、ジメチルスルホキシド（DMSO）、
Ｎ−メチルピロリドン（NMP ）、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル（DMDG) などが使用できる。溶剤に樹
脂を溶解させることにより粘度調整ができ、フィルム化
する場合には有利である。
エーテルおよび熱可塑性樹脂を必要に応じて溶剤に溶解
することにより均一に混合される。このような溶剤（相
溶媒）としては、例えば、ジメチルホルムアミド（DMF
）や塩化メチレン、ジメチルスルホキシド（DMSO）、
Ｎ−メチルピロリドン（NMP ）、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル（DMDG) などが使用できる。溶剤に樹
脂を溶解させることにより粘度調整ができ、フィルム化
する場合には有利である。
【００１６】これら樹脂には、着色剤、レベリング剤、
消泡剤、紫外線吸収剤、難燃化剤などの添加剤、耐熱性
微粉末あるいはその他の充填剤を適宜配合してもよい。
本発明の樹脂複合体の製造方法としては、熱硬化性ポリ
アリルエーテルの未硬化液と熱可塑性樹脂の粉末、触媒
を上記の溶剤に溶解させて攪拌混合し、所望の形状に成
形した後、乾燥して溶剤を除去し、その後加熱硬化す
る。
消泡剤、紫外線吸収剤、難燃化剤などの添加剤、耐熱性
微粉末あるいはその他の充填剤を適宜配合してもよい。
本発明の樹脂複合体の製造方法としては、熱硬化性ポリ
アリルエーテルの未硬化液と熱可塑性樹脂の粉末、触媒
を上記の溶剤に溶解させて攪拌混合し、所望の形状に成
形した後、乾燥して溶剤を除去し、その後加熱硬化す
る。
【００１７】本発明の樹脂複合体の加熱硬化温度は、１
５０〜２５０℃が望ましい。熱硬化性ポリアリルエーテ
ルの硬化温度だからである。本発明の樹脂複合体は、プ
リント配線板の絶縁樹脂、層間絶縁樹脂、めっきレジス
ト、エッチングレジスト、ソルダーレジストなどの各種
レジスト、ガラスクロスやアラミド繊維布に含浸させて
プリプレグとしたり、このプリプレグを銅箔と積層して
一体化した銅張積層板に使用することができる。
５０〜２５０℃が望ましい。熱硬化性ポリアリルエーテ
ルの硬化温度だからである。本発明の樹脂複合体は、プ
リント配線板の絶縁樹脂、層間絶縁樹脂、めっきレジス
ト、エッチングレジスト、ソルダーレジストなどの各種
レジスト、ガラスクロスやアラミド繊維布に含浸させて
プリプレグとしたり、このプリプレグを銅箔と積層して
一体化した銅張積層板に使用することができる。
【００１８】また、本発明の樹脂複合体は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスに使用されていてもよ
い。通常無電解めっき用接着剤は、樹脂マトリックス中
に酸、アリカリ、酸化剤などに溶解する粒子や樹脂ドメ
インを設けておき、粒子や樹脂ドメインを選択的に溶解
して表面を粗化するのである。この粗化面に無電解めっ
き処理を施すと、粗化面にめっきがアンカーとして食い
込み、めっき膜が無電解めっき用接着剤に密着するので
ある。
き用接着剤の樹脂マトリックスに使用されていてもよ
い。通常無電解めっき用接着剤は、樹脂マトリックス中
に酸、アリカリ、酸化剤などに溶解する粒子や樹脂ドメ
インを設けておき、粒子や樹脂ドメインを選択的に溶解
して表面を粗化するのである。この粗化面に無電解めっ
き処理を施すと、粗化面にめっきがアンカーとして食い
込み、めっき膜が無電解めっき用接着剤に密着するので
ある。
【００１９】本発明の樹脂複合体は、耐薬品性に優れた
熱硬化性ポリアリルエーテルを使用するため、明確な粗
化面が形成できる。前記粒子は、平均粒径10μｍ以下の
粒子が望ましく、金属粒子、耐熱性樹脂粒子、無機粒子
が選ばれる。
熱硬化性ポリアリルエーテルを使用するため、明確な粗
化面が形成できる。前記粒子は、平均粒径10μｍ以下の
粒子が望ましく、金属粒子、耐熱性樹脂粒子、無機粒子
が選ばれる。
【００２０】以下、本願発明のプリント配線板の製造方
法について説明する。 （１）まず、樹脂基板の表面に内層銅パターンを形成し
た基板を作製する。樹脂基板としては、無機繊維を有す
る樹脂基板が望ましく、具体的にはガラス布エポキシ基
板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド
−トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板、から
選ばれる少なくとも１種以上がよい。この樹脂基板への
銅パターンの形成は、樹脂基板両面に銅箔を張った銅張
積層板をエッチングして行う。
法について説明する。 （１）まず、樹脂基板の表面に内層銅パターンを形成し
た基板を作製する。樹脂基板としては、無機繊維を有す
る樹脂基板が望ましく、具体的にはガラス布エポキシ基
板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド
−トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板、から
選ばれる少なくとも１種以上がよい。この樹脂基板への
銅パターンの形成は、樹脂基板両面に銅箔を張った銅張
積層板をエッチングして行う。
【００２１】この基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔
の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホ
ールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきがよ
い。フッ素樹脂基板のように、めっきのつきまわりが悪
い基板の場合は、有機酸などからなる前処理液（潤工社
製 商品名 テトラエッチ）、プラズマ処理などの表面
改質を行う。
の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホ
ールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきがよ
い。フッ素樹脂基板のように、めっきのつきまわりが悪
い基板の場合は、有機酸などからなる前処理液（潤工社
製 商品名 テトラエッチ）、プラズマ処理などの表面
改質を行う。
【００２２】次に厚付けのために電解めっきを行う。電
解めっきは銅めっきがよい。また、スルーホール内壁お
よび電解めっき膜表面を粗化処理してもよい。粗化処理
は、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混
合水溶液をスプレー処理して形成したもの、あるいは銅
−ニッケル−リン針状合金めっきによる粗化層を設け
る。なお、必要に応じてスルーホール内に導電ペースト
を充填し、この導電ペーストを覆う導体層を電解めっき
にて形成することもできる。
解めっきは銅めっきがよい。また、スルーホール内壁お
よび電解めっき膜表面を粗化処理してもよい。粗化処理
は、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混
合水溶液をスプレー処理して形成したもの、あるいは銅
−ニッケル−リン針状合金めっきによる粗化層を設け
る。なお、必要に応じてスルーホール内に導電ペースト
を充填し、この導電ペーストを覆う導体層を電解めっき
にて形成することもできる。
【００２３】（２）この（１）の処理を終えた基板上に
本発明の樹脂複合体からなる樹脂絶縁層を形成する。こ
の樹脂絶縁層は、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層
として機能する。この樹脂絶縁層は、未硬化液を塗布し
たり、フィルム状の樹脂複合体を熱圧してラミネートす
ることにより形成される。未硬化液は、熱硬化性ポリア
リルエーテルの未硬化液と熱可塑性樹脂の粉末、および
触媒を上記の溶剤に溶解させて攪拌混合して調整する。
本発明の樹脂複合体からなる樹脂絶縁層を形成する。こ
の樹脂絶縁層は、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層
として機能する。この樹脂絶縁層は、未硬化液を塗布し
たり、フィルム状の樹脂複合体を熱圧してラミネートす
ることにより形成される。未硬化液は、熱硬化性ポリア
リルエーテルの未硬化液と熱可塑性樹脂の粉末、および
触媒を上記の溶剤に溶解させて攪拌混合して調整する。
【００２４】（３）次にこの樹脂絶縁層に、下層の導体
回路との電気的接続を確保するために開口を設ける。こ
の開口の穿設は、レーザ光にて行う。このとき、使用さ
れるレーザ光は、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキ
シマレーザなどがある。レーザ光にて孔明けした場合
は、デスミア処理を行う。デスミア処理は、クロム酸、
過マンガン酸塩などの水溶液からなる酸化剤を使用して
行うことができ、また酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混
合プラズマやコロナ放電などで処理してもよい。また、
低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、
表面改質することもできる。
回路との電気的接続を確保するために開口を設ける。こ
の開口の穿設は、レーザ光にて行う。このとき、使用さ
れるレーザ光は、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキ
シマレーザなどがある。レーザ光にて孔明けした場合
は、デスミア処理を行う。デスミア処理は、クロム酸、
過マンガン酸塩などの水溶液からなる酸化剤を使用して
行うことができ、また酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混
合プラズマやコロナ放電などで処理してもよい。また、
低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、
表面改質することもできる。
【００２５】特にＣＦ4 と酸素の混合プラズマは、樹脂
表面に、水酸基、カルボニル基、などの親水性基を導入
することができ、後のＣＶＤやＰＶＤ処理がしやすいた
め、有利である。
表面に、水酸基、カルボニル基、などの親水性基を導入
することができ、後のＣＶＤやＰＶＤ処理がしやすいた
め、有利である。
【００２６】（４）開口を形成した樹脂絶縁層の表面
に、第４A族から第１Ｂ族で第４〜第７周期の金属から
選ばれる少なくとも１種以上の薄い金属層をめっき法、
物理的蒸着法（ＰＶＤ）法あるいは化学的蒸着法（ＣＶ
Ｄ）法で形成する。ＰＶＤ法としては、スパッタリン
グ、イオンビームスパタリングなどの蒸着法が具体的に
挙げられる。
に、第４A族から第１Ｂ族で第４〜第７周期の金属から
選ばれる少なくとも１種以上の薄い金属層をめっき法、
物理的蒸着法（ＰＶＤ）法あるいは化学的蒸着法（ＣＶ
Ｄ）法で形成する。ＰＶＤ法としては、スパッタリン
グ、イオンビームスパタリングなどの蒸着法が具体的に
挙げられる。
【００２７】また、ＣＶＤ法としては、アリルシクロペ
ンタジフェニルパラジウム、ジメチルゴールドアセチル
アセテート、スズテトラメチルアクリロニトリル、ジコ
バルトオクタカルボニルアクリロニトリルなどの有機金
属（ＭＯ）を供給材料とするＰＥ−ＣＶＤ（Plasma Enh
anced CVD)などが具体的に挙げられる。
ンタジフェニルパラジウム、ジメチルゴールドアセチル
アセテート、スズテトラメチルアクリロニトリル、ジコ
バルトオクタカルボニルアクリロニトリルなどの有機金
属（ＭＯ）を供給材料とするＰＥ−ＣＶＤ（Plasma Enh
anced CVD)などが具体的に挙げられる。
【００２８】（５）ついで、金属層上に次工程の無電解
めっき膜と同種の金属層をスパッタリングなどで形成す
る。具体的には銅を用いる。次に無電解めっきを行う。
無電解めっきは、銅めっきが最適である。無電解めっき
は、０．１〜５μｍがよい。後に行う電解めっきの導電
層としての機能を損なうことなく、エッチング除去でき
るようにするためである。
めっき膜と同種の金属層をスパッタリングなどで形成す
る。具体的には銅を用いる。次に無電解めっきを行う。
無電解めっきは、銅めっきが最適である。無電解めっき
は、０．１〜５μｍがよい。後に行う電解めっきの導電
層としての機能を損なうことなく、エッチング除去でき
るようにするためである。
【００２９】（６）つぎに、無電解めっき膜上にめっき
レジストを形成する。めっきレジストは、感光性ドライ
フィルムをラミネートして露光、現像処理して行う。さ
らに電解めっきを行い、導体回路を厚付けする。電解め
っき膜は、５〜３０μｍがよい。
レジストを形成する。めっきレジストは、感光性ドライ
フィルムをラミネートして露光、現像処理して行う。さ
らに電解めっきを行い、導体回路を厚付けする。電解め
っき膜は、５〜３０μｍがよい。
【００３０】ついで、めっきレジストを剥離した後、そ
のめっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチング除去
して独立した導体回路とする。エッチング液としては、
硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸
ナトリウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶液、塩
化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸
がよい。
のめっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチング除去
して独立した導体回路とする。エッチング液としては、
硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸
ナトリウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶液、塩
化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸
がよい。
【００３１】さらに、必要に応じて導体回路表面に第４
A族から第１Ｂ族で第４〜第７周期の金属から選ばれる
少なくとも１種以上の薄い金属層をめっき法、ＰＶＤ法
あるいはＣＶＤ法で形成し、さらに前記（２）〜（６）
の工程を繰り返すことにより多層化したプリント配線板
を得る。
A族から第１Ｂ族で第４〜第７周期の金属から選ばれる
少なくとも１種以上の薄い金属層をめっき法、ＰＶＤ法
あるいはＣＶＤ法で形成し、さらに前記（２）〜（６）
の工程を繰り返すことにより多層化したプリント配線板
を得る。
【００３２】以上の説明は、導体回路をセミアディティ
ブ法で形成したが、フルアディティブ法を採用すること
もできる。以下、実施例をもとに説明する。
ブ法で形成したが、フルアディティブ法を採用すること
もできる。以下、実施例をもとに説明する。
【００３３】
【実施例】（実施例１） (1) アリル基変性ポリフェニレンエーテル（旭化成工業
株式会社製 Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポリエーテルス
ルフォン３０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３（日本油脂
株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．０重量部を
塩化メチレン溶媒中に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂
液を得た。
株式会社製 Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポリエーテルス
ルフォン３０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３（日本油脂
株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．０重量部を
塩化メチレン溶媒中に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂
液を得た。
【００３４】(2) ステンレス板に、フッ素樹脂（デユポ
ン製 商品名 テフロン）シートを張りつけた台に、短
冊状にくり抜いて形成された開口を持つポリエチレンテ
レフタレートフィルム（厚さ０．５ｍｍ）を張りつけて
型枠とし、この型枠に樹脂液をドクターブレードで流し
込み、７０℃で３時間乾燥させ、２００℃で１時間熱硬
化させた。
ン製 商品名 テフロン）シートを張りつけた台に、短
冊状にくり抜いて形成された開口を持つポリエチレンテ
レフタレートフィルム（厚さ０．５ｍｍ）を張りつけて
型枠とし、この型枠に樹脂液をドクターブレードで流し
込み、７０℃で３時間乾燥させ、２００℃で１時間熱硬
化させた。
【００３５】(3) 型枠を外して、樹脂フィルムを取出
し、樹脂フィルムを塩化メチレンに３分間浸漬した後、
表面を電子顕微鏡で観察した。表面はＰＥＳが溶解して
アリル化ポリフェニレンエーテルの球状体が連なった共
連続構造が確認された。また、この樹脂フィルムの引っ
張り強度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ
張り強度は８５０ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は５．５％、誘
電率３．０、誘電正接０．００３であった。
し、樹脂フィルムを塩化メチレンに３分間浸漬した後、
表面を電子顕微鏡で観察した。表面はＰＥＳが溶解して
アリル化ポリフェニレンエーテルの球状体が連なった共
連続構造が確認された。また、この樹脂フィルムの引っ
張り強度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ
張り強度は８５０ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は５．５％、誘
電率３．０、誘電正接０．００３であった。
【００３６】なお測定装置、測定条件は、以下に示す。
引っ張り強度および伸び率：測定装置は、Ｒｈｅｏｍｅ
ｆｒｉｃｓ製 Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｅｒ ＲＳＡII
を使用した。サンプルは、長さ３ｃｍ、幅５ｍｍ、厚さ
５０μｍのものを使用した。伸び率は引っ張り試験のチ
ャートから測定した。
引っ張り強度および伸び率：測定装置は、Ｒｈｅｏｍｅ
ｆｒｉｃｓ製 Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｅｒ ＲＳＡII
を使用した。サンプルは、長さ３ｃｍ、幅５ｍｍ、厚さ
５０μｍのものを使用した。伸び率は引っ張り試験のチ
ャートから測定した。
【００３７】誘電率および誘電正接：日本ヒューレット
パッカード社製 インピーダンスアナライザーを使用
し、周波数１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚで測定した。
パッカード社製 インピーダンスアナライザーを使用
し、周波数１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚで測定した。
【００３８】（実施例２）実施例１と同様であるが、ア
リル化ポリフェニレンエーテル（旭化成工業株式会社製
Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポリスチレン変性の熱可塑
性ポリフェニレンエーテル（旭化成工業株式会社製 ザ
イロン）３０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３（日本油脂
株式会社製パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．０重量部を８
０℃に加熱したＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶媒中
に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂液を得た。得られた
樹脂フィルムは、相分離しておらず、その引っ張り強
度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ張り強
度は８００ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は６．２％、誘電率
２．８、誘電正接０．００２であった。
リル化ポリフェニレンエーテル（旭化成工業株式会社製
Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポリスチレン変性の熱可塑
性ポリフェニレンエーテル（旭化成工業株式会社製 ザ
イロン）３０重量部、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３（日本油脂
株式会社製パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．０重量部を８
０℃に加熱したＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶媒中
に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂液を得た。得られた
樹脂フィルムは、相分離しておらず、その引っ張り強
度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ張り強
度は８００ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は６．２％、誘電率
２．８、誘電正接０．００２であった。
【００３９】（比較例１） (1) ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製
エピコート８２８）７０重量部、ＰＥＳ３０重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製 商品名：２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）をジメチルフォルムアミドに溶解させ、実施例１
と同様にしてフィルム状に成形し、７０℃で３時間乾燥
させた後、１００℃で１時間熱硬化させた。得られた樹
脂フィルムを塩化メチレンに３分間浸漬した後、表面を
電子顕微鏡で観察したが、相分離はみられず完全に均一
であった。得られた樹脂フィルムについて引っ張り強
度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ張り強
度は８４０ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は５．２％、誘電率
４．０、誘電正接０．０３であった。
エピコート８２８）７０重量部、ＰＥＳ３０重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製 商品名：２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）をジメチルフォルムアミドに溶解させ、実施例１
と同様にしてフィルム状に成形し、７０℃で３時間乾燥
させた後、１００℃で１時間熱硬化させた。得られた樹
脂フィルムを塩化メチレンに３分間浸漬した後、表面を
電子顕微鏡で観察したが、相分離はみられず完全に均一
であった。得られた樹脂フィルムについて引っ張り強
度、伸び率、誘電率、誘電正接を測定した。引っ張り強
度は８４０ｋｇ／ｃｍ2 、伸び率は５．２％、誘電率
４．０、誘電正接０．０３であった。
【００４０】実施例および比較例から理解されるよう
に、本発明では、相分離していても時実用的な引っ張り
強度、伸び率を確保できる。引っ張り強度は、破壊強
度、伸び率は破壊靱性値を反映するので、高破壊強度、
破壊靱性値を持つと考えられる。また電気的特性は、エ
ポキシ−ＰＥＳの複合系よりも優れている。
に、本発明では、相分離していても時実用的な引っ張り
強度、伸び率を確保できる。引っ張り強度は、破壊強
度、伸び率は破壊靱性値を反映するので、高破壊強度、
破壊靱性値を持つと考えられる。また電気的特性は、エ
ポキシ−ＰＥＳの複合系よりも優れている。
【００４１】（実施例３） (1)ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン樹脂）からなる厚
さ 0.8ｍｍの基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネー
トされているＢＴレジン銅張積層板（三菱ガス化学製、
商品名：HL830-0.8T12D ）を出発材料とした（図１(a)
参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し（図１
(b) 参照）、次いでパラジウム−スズコロイドを付着さ
せ、下記組成の無電解めっき水溶液で下記条件にて無電
解めっきを施し、基板全面に 0.7μｍの無電解めっき膜
を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
さ 0.8ｍｍの基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネー
トされているＢＴレジン銅張積層板（三菱ガス化学製、
商品名：HL830-0.8T12D ）を出発材料とした（図１(a)
参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し（図１
(b) 参照）、次いでパラジウム−スズコロイドを付着さ
せ、下記組成の無電解めっき水溶液で下記条件にて無電
解めっきを施し、基板全面に 0.7μｍの無電解めっき膜
を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
【００４２】さらに、下記組成の電解めっき水溶液で下
記条件にて電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅め
っき膜を形成した（図１(c) 参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 30分 温度 室温
記条件にて電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅め
っき膜を形成した（図１(c) 参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 30分 温度 室温
【００４３】(2)こうして内層銅パターン（スルーホー
ル３を含む）を形成した基板を、水洗いし、乾燥した
後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（20ｇ／ｌ）、NaCl
O2（50ｇ／ｌ）、Na3PO4（15.0ｇ／ｌ）の水溶液を用
い、還元浴として、NaOH（ 2.7ｇ／ｌ）、NaBH4 （ 1.0
ｇ／ｌ）の水溶液を用いた酸化還元処理に供し、導体回
路、スルーホール全表面に粗化層４を設けた（図１(d)
参照）。
ル３を含む）を形成した基板を、水洗いし、乾燥した
後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（20ｇ／ｌ）、NaCl
O2（50ｇ／ｌ）、Na3PO4（15.0ｇ／ｌ）の水溶液を用
い、還元浴として、NaOH（ 2.7ｇ／ｌ）、NaBH4 （ 1.0
ｇ／ｌ）の水溶液を用いた酸化還元処理に供し、導体回
路、スルーホール全表面に粗化層４を設けた（図１(d)
参照）。
【００４４】(3)銅粒子を含む導電ペースト５をスクリ
ーン印刷により、スルーホール３内に充填し、乾燥、硬
化させた。そして、導体上面の粗化層４およびスルーホ
ール３からはみ出した導電ペースト５を、＃400 のベル
ト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨
により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化し
た（図１(e) 参照）。
ーン印刷により、スルーホール３内に充填し、乾燥、硬
化させた。そして、導体上面の粗化層４およびスルーホ
ール３からはみ出した導電ペースト５を、＃400 のベル
ト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨
により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化し
た（図１(e) 参照）。
【００４５】(4)前記(3) で平坦化した基板表面に、常
法に従ってパラジウムコロイド触媒を付与してから無電
解めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電解銅め
っき膜６を形成した（図１(f) 参照）。
法に従ってパラジウムコロイド触媒を付与してから無電
解めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電解銅め
っき膜６を形成した（図１(f) 参照）。
【００４６】(5)ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、導体回
路９となる部分の厚付け、およびスルーホール３に充填
された導電ペースト５を覆う導体層（ふためっき層）10
となる部分を形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 30分 温度 室温
施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、導体回
路９となる部分の厚付け、およびスルーホール３に充填
された導電ペースト５を覆う導体層（ふためっき層）10
となる部分を形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 30分 温度 室温
【００４７】(6)導体回路９および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張りつけ、マスクを載置して、 100mJ／cm2 で露光、
0.8％炭酸水素ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍの
エッチングレジスト８を形成した（図２(a) 参照）。
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張りつけ、マスクを載置して、 100mJ／cm2 で露光、
0.8％炭酸水素ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍの
エッチングレジスト８を形成した（図２(a) 参照）。
【００４８】(7)そして、エッチングレジスト８を形成
していない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、めっき
レジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体
回路９および導電ぺースト５を覆う導体層（以下、この
導体層のことを単に「ふためっき層」という。）10を形
成した（図２(b) 参照）。
していない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、めっき
レジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体
回路９および導電ぺースト５を覆う導体層（以下、この
導体層のことを単に「ふためっき層」という。）10を形
成した（図２(b) 参照）。
【００４９】(8)アリル基変性ポリフェニレンエーテル
（旭化成工業株式会社製 Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポ
リエーテルスルフォン３０重量部、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３
（日本油脂株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．
０重量部を８０℃に加熱したＮ−メチルピロリドン（Ｎ
ＭＰ）溶媒中に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂液を得
た。この樹脂液をポリエチレンテレフタレートフィルム
に塗布し、７０℃で乾燥して樹脂フィルムとした。この
樹脂複合体からなる樹脂フィルム表面を日本真空技術株
式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行
い、表面改質層１１を設けた。不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを用いた。条件は、電力２００Ｗ、ガス圧０．
６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理し
た。（図３(a) 、(b) 参照）
（旭化成工業株式会社製 Ａ−ＰＰＥ）７０重量部、ポ
リエーテルスルフォン３０重量部、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−3-ヘキセン−３
（日本油脂株式会社製 パーヘキシン２５Ｂ）触媒３．
０重量部を８０℃に加熱したＮ−メチルピロリドン（Ｎ
ＭＰ）溶媒中に加えて、攪拌混合し、未硬化樹脂液を得
た。この樹脂液をポリエチレンテレフタレートフィルム
に塗布し、７０℃で乾燥して樹脂フィルムとした。この
樹脂複合体からなる樹脂フィルム表面を日本真空技術株
式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行
い、表面改質層１１を設けた。不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを用いた。条件は、電力２００Ｗ、ガス圧０．
６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理し
た。（図３(a) 、(b) 参照）
【００５０】(9)基板の両面に、この樹脂複合体からな
るフィルムを温度50〜200 ℃まで昇温しながら圧力10kg
／cm2 で加熱プレスして積層し、樹脂複合体からなる層
間樹脂絶縁層12を設けた（図３(c) 、図４(a) 参照）。
るフィルムを温度50〜200 ℃まで昇温しながら圧力10kg
／cm2 で加熱プレスして積層し、樹脂複合体からなる層
間樹脂絶縁層12を設けた（図３(c) 、図４(a) 参照）。
【００５１】(10)波長10.4μｍのＣＯ2 ガスレーザに
て、樹脂絶縁層12に直径80μｍのバイアホール用開口13
を設けた。さらに、ＣＦ4 および酸素混合気体のプラズ
マ処理により、デスミアおよび層間樹脂絶縁層表面の改
質を行った（図４(b) 参照）。なお、酸素プラズマ処理
条件は、電力 800Ｗ、 500ｍTorr、20分間である。
て、樹脂絶縁層12に直径80μｍのバイアホール用開口13
を設けた。さらに、ＣＦ4 および酸素混合気体のプラズ
マ処理により、デスミアおよび層間樹脂絶縁層表面の改
質を行った（図４(b) 参照）。なお、酸素プラズマ処理
条件は、電力 800Ｗ、 500ｍTorr、20分間である。
【００５２】(11)Ｎｉをターゲットにしたスパッタリン
グを、気圧 0.6Ｐａ、温度80℃、電力200Ｗ、時間５分
間の条件で行い、Ｎｉ薄膜を層間樹脂絶縁層12の表面に
形成した。このとき、形成されたＮｉ金属層の厚さは
0.1μｍであった。さらに、Ｎｉ金属層上に、同様の条
件にて厚さ 0.1μｍの銅層をスパッタリングで形成し
た。なお、スパッタリングのための装置は、日本真空技
術株式会社製のＳＶ−4540を使用した。
グを、気圧 0.6Ｐａ、温度80℃、電力200Ｗ、時間５分
間の条件で行い、Ｎｉ薄膜を層間樹脂絶縁層12の表面に
形成した。このとき、形成されたＮｉ金属層の厚さは
0.1μｍであった。さらに、Ｎｉ金属層上に、同様の条
件にて厚さ 0.1μｍの銅層をスパッタリングで形成し
た。なお、スパッタリングのための装置は、日本真空技
術株式会社製のＳＶ−4540を使用した。
【００５３】(12)前記(11)の処理を終えた基板に対し
て、前記(1) の 無電解めっきを施し、厚さ 0.7μｍの
無電解めっき膜14を形成した（図５(a) 参照）。
て、前記(1) の 無電解めっきを施し、厚さ 0.7μｍの
無電解めっき膜14を形成した（図５(a) 参照）。
【００５４】(13)前記(12)で無電解めっき膜14を形成し
た基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張りつ
け、フォトマスクフィルムを載置して、 100mJ／cm2 で
露光、0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍ
のめっきレジスト16を設けた（図５(b) 参照）。
た基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張りつ
け、フォトマスクフィルムを載置して、 100mJ／cm2 で
露光、0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍ
のめっきレジスト16を設けた（図５(b) 参照）。
【００５５】(14)さらに、前記(1) の電解めっきを施し
て、厚さ15μｍの電解めっき膜15を形成し、導体回路９
部分の厚付け、およびバイアホール17部分のめっき充填
を行った（図５(c) 参照）。
て、厚さ15μｍの電解めっき膜15を形成し、導体回路９
部分の厚付け、およびバイアホール17部分のめっき充填
を行った（図５(c) 参照）。
【００５６】(15)そしてさらに、めっきレジスト16を５
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の
Ｎｉ膜および無電解めっき膜14を硝酸および硫酸／過酸
化水素混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ
膜、無電解銅めっき膜14および電解銅めっき膜15からな
る厚さ16μｍの導体回路（バイアホール17を含む）とし
た（図５(d) 参照）。
％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の
Ｎｉ膜および無電解めっき膜14を硝酸および硫酸／過酸
化水素混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ
膜、無電解銅めっき膜14および電解銅めっき膜15からな
る厚さ16μｍの導体回路（バイアホール17を含む）とし
た（図５(d) 参照）。
【００５７】得られた配線板について、−５５℃で３０
分、１２５℃で３０分の条件で５００回のヒートサイク
ル試験を行った後、断面を光学顕微鏡で観察して導体回
路と樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層含む）との界面を起点
とするクラックの有無を確認した。その結果、クラック
は見られなかった。
分、１２５℃で３０分の条件で５００回のヒートサイク
ル試験を行った後、断面を光学顕微鏡で観察して導体回
路と樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層含む）との界面を起点
とするクラックの有無を確認した。その結果、クラック
は見られなかった。
【００５８】
【発明の効果】本願発明の樹脂複合体は、スピノーダル
分解に起因する相分離の有無に関わらず、高破壊強度、
高破壊靱性値を示す。また、プリント配線板の樹脂絶縁
層に使用することにより、ヒートサイクルにより生じる
導体回路と樹脂絶縁層との界面を起点とするクラックを
防止し、さらに低誘電率、低誘電正接であるため、信号
のノイズを防止できる。
分解に起因する相分離の有無に関わらず、高破壊強度、
高破壊靱性値を示す。また、プリント配線板の樹脂絶縁
層に使用することにより、ヒートサイクルにより生じる
導体回路と樹脂絶縁層との界面を起点とするクラックを
防止し、さらに低誘電率、低誘電正接であるため、信号
のノイズを防止できる。
【図１】図１の（ａ）〜（ｆ）は、本願プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２】図２の（ａ）、（ｂ）は、本願プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３】図３の（ａ）〜（ｃ）は、本願プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４】図４の（ａ）、（ｂ）は、本願プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５】図５の（ａ）〜（ｄ）は、本願プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
１ 基板 ２ 銅箔 ３ スルーホール ４ 粗化層 ５ 金属ペースト ６,14 無電解めっき膜 ７,15 電解めっき膜 ８ エッチングレジスト ９ 導体回路 10 導体層（ふためっき層） 11 表面改質層 12 層間樹脂絶縁層（樹脂複合体） 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｂ Ｃ 81/02 81/02 81/06 81/06 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｆターム(参考） 4F100 AB33C AK43B AK50B AK54B AK55B AK56B AK57B AL05B AT00A GB43 JB13B JG04 JG05 JK01 4J002 CF16X CH07W CH07X CH09X CM04X CN01X CN03X FD050 FD090 FD130 FD150 GF00 GQ01 5E346 AA43 CC08 CC37 DD22 FF10 FF13 GG15 GG28
Claims (6)
- 【請求項１】 熱硬化性ポリアリルエーテルおよび熱可
塑性樹脂からなる樹脂複合体。 - 【請求項２】 前記熱硬化性ポリアリルエーテルは、熱
硬化性ポリフェニレンエーテルである請求項１に記載の
樹脂複合体。 - 【請求項３】 前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスル
ホン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアリレ
ート、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、
ポリエーテルエーテルケトンから選ばれる少なくとも１
種以上のエンジニアリングプラスチックである請求項１
に記載の樹脂複合体。 - 【請求項４】 前記熱硬化性ポリアリルエーテルと熱硬
化性ポリフェニレンエーテルの配合比は重量比で１０／
９０〜６０／４０である請求項１に記載の樹脂複合体。 - 【請求項５】 基板上に樹脂絶縁層が形成され、該樹脂
絶縁層上に導体回路が形成されたプリント配線板におい
て、 前記樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルおよび
熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなること
を特徴とするプリント配線板。 - 【請求項６】 導体回路形成基板上に層間樹脂絶縁層が
形成され、該層間樹脂絶縁層上に導体回路が形成された
多層プリント配線板において、 前記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性ポリアリルエーテルお
よび熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体で構成されてなる
ことを特徴とする多層プリント配線板。
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|---|---|---|---|
| JP31967098A JP2000143967A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板 |
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| JP31967098A JP2000143967A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板 |
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|---|---|
| JP2000143967A true JP2000143967A (ja) | 2000-05-26 |
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| JP31967098A Pending JP2000143967A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂複合体、プリント配線板および多層プリント配線板 |
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-
1998
- 1998-11-10 JP JP31967098A patent/JP2000143967A/ja active Pending
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