JPH05152766A - 有機基板におけるバイアホールの形成方法 - Google Patents
有機基板におけるバイアホールの形成方法Info
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- JPH05152766A JPH05152766A JP33594691A JP33594691A JPH05152766A JP H05152766 A JPH05152766 A JP H05152766A JP 33594691 A JP33594691 A JP 33594691A JP 33594691 A JP33594691 A JP 33594691A JP H05152766 A JPH05152766 A JP H05152766A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 両面板のバイアホールを簡単な手段で精密に
行う。 【構成】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる多層
板において、表面の銅を微細穴明けし、これをコンフォ
ーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹脂層をエッチ
ングしたのちめっきを施すことを特徴とするバイアホー
ルの形成方法。
行う。 【構成】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる多層
板において、表面の銅を微細穴明けし、これをコンフォ
ーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹脂層をエッチ
ングしたのちめっきを施すことを特徴とするバイアホー
ルの形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、補強材、含浸樹脂とも
有機材料からなる多層板のバイアホール（ブラインドバ
イア）形成方法である。
有機材料からなる多層板のバイアホール（ブラインドバ
イア）形成方法である。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路におけるバイアホー
ルの形成方法としては、シールド板（内部に回路をも
ち、表面を銅箔で覆われた多層板材料）にドリルで穴明
け加工したのち銅をめっきし、その後回路形成する方法
と、すでに回路加工とスルーホールめっきを施した両面
回路板２枚以上の間にプリプレグをはさみ、これをプレ
スして４層以上の多層板を得る方法が一般的であった。
ルの形成方法としては、シールド板（内部に回路をも
ち、表面を銅箔で覆われた多層板材料）にドリルで穴明
け加工したのち銅をめっきし、その後回路形成する方法
と、すでに回路加工とスルーホールめっきを施した両面
回路板２枚以上の間にプリプレグをはさみ、これをプレ
スして４層以上の多層板を得る方法が一般的であった。
【０００３】しかし、機械ドリルでバイアホール用の穴
を明けることは、穴明けを途中で止める操作が煩雑で、
特に最近、多層板が薄型化してきたため極めて困難な作
業となってきた。一方、両面回路板をプリプレグではさ
む方法も、プリプレグの樹脂の流を厳密にコントロール
する必要があり、その製造はきわめて困難なものであっ
た。
を明けることは、穴明けを途中で止める操作が煩雑で、
特に最近、多層板が薄型化してきたため極めて困難な作
業となってきた。一方、両面回路板をプリプレグではさ
む方法も、プリプレグの樹脂の流を厳密にコントロール
する必要があり、その製造はきわめて困難なものであっ
た。
【０００４】一方、プリント回路板の穴明け加工にレー
ザーを利用する試みは多く行われており、炭酸ガスレー
ザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリン
ト回路板の穴明け加工に利用されている。プリント回路
板へのレーザーの応用については『電子材料』１９９１
年１０月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発行）
などにくわしく記載されている。なかでもエキシマレー
ザーは、有機基板の穴明けに多く使用されている。
ザーを利用する試みは多く行われており、炭酸ガスレー
ザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリン
ト回路板の穴明け加工に利用されている。プリント回路
板へのレーザーの応用については『電子材料』１９９１
年１０月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発行）
などにくわしく記載されている。なかでもエキシマレー
ザーは、有機基板の穴明けに多く使用されている。
【０００５】エキシマレーザーで穴明けする場合、マス
クの適用方法としては、マスクイメージ法、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法などがある（詳細は
前記『電子材料』の記事に紹介されている）。これらの
マスクは、ステンレス・スチールなどの金属板にエッチ
ングなどの方法で微細加工されるか、樹脂板の表面にめ
っきを施すなど、複雑な工程が必要であった。
クの適用方法としては、マスクイメージ法、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法などがある（詳細は
前記『電子材料』の記事に紹介されている）。これらの
マスクは、ステンレス・スチールなどの金属板にエッチ
ングなどの方法で微細加工されるか、樹脂板の表面にめ
っきを施すなど、複雑な工程が必要であった。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、簡単で確実な方法で多
層板のバイアホールを形成することにある。
層板のバイアホールを形成することにある。
【０００７】
【発明の構成】本発明は、補強材、含浸樹脂とも有機材
料からなる多層板において、表面の銅を微細穴明けし、
これをコンフォーマルマスクとしてエキシマレーザーで
樹脂層をエッチングしたのちめっきを施すことを特徴と
するバイアホールの形成方法である。
料からなる多層板において、表面の銅を微細穴明けし、
これをコンフォーマルマスクとしてエキシマレーザーで
樹脂層をエッチングしたのちめっきを施すことを特徴と
するバイアホールの形成方法である。
【０００８】さらに本発明は、表面の銅に感光性レジス
トをコーティングしたのち必要な部分にオープニングを
形成し、銅をエッチングすることにより微細穴明けを得
ることを特徴とするバイアホールの形成方法である。
トをコーティングしたのち必要な部分にオープニングを
形成し、銅をエッチングすることにより微細穴明けを得
ることを特徴とするバイアホールの形成方法である。
【０００９】本発明において、基板材料は補強材、樹脂
とも有機材料からなる両面銅つき基板である。具体的に
は、補強材としては、ポリエステル、ポリアミド、アラ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどからなる繊維が
挙げられる。樹脂としては、エポキシ、ポリイミド、ポ
リビスマレイミド、フッ素化ポリマー、ポリシアヌレー
トなどが挙げられる。
とも有機材料からなる両面銅つき基板である。具体的に
は、補強材としては、ポリエステル、ポリアミド、アラ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどからなる繊維が
挙げられる。樹脂としては、エポキシ、ポリイミド、ポ
リビスマレイミド、フッ素化ポリマー、ポリシアヌレー
トなどが挙げられる。
【００１０】アラミド繊維の組成としては、下記反復単
位（Ｉ）式および／または（II）式からなるものであ
る。
位（Ｉ）式および／または（II）式からなるものであ
る。
【００１１】
【化１】
【００１２】
【化２】 上記式中、Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 は置換されたもしく
は置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
は置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
【００１３】
【化３】 ただし、Ｘは下記の２価の基などである。
【００１４】
【化４】 Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 の芳香環への置換基として炭素
原子数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基
などがある。
原子数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基
などがある。
【００１５】上記反復単位（Ｉ）式の芳香族ポリアミド
のうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
のうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
【００１６】
【化５】 および／または
【００１７】
【化６】 であり、残りが
【００１８】
【化７】 および／または
【００１９】
【化８】 および／または
【００２０】
【化９】
【００２１】である直線あるいは平行軸結合の芳香族残
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
【００２２】本発明の芳香族ポリアミド繊維の単糸繊維
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸、毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸、毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
【００２３】芳香族ポリアミド繊維は種々の形態をとる
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよく、またこれらの任
意の組合せからなる混合物であってもよい。
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよく、またこれらの任
意の組合せからなる混合物であってもよい。
【００２４】短繊維の場合、繊維長は１〜６０mmが好ま
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、特に紙では短繊維の分布状態をより向上させ
地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の含
浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙であ
る。
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となりやはり機械的
物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブリ
ル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得るこ
とができ、特に紙では短繊維の分布状態をより向上させ
地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の含
浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙であ
る。
【００２５】本発明において、積層板の含浸樹脂は、熱
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂では、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
【００２６】具体的には樹脂あるいは化合物あるいはこ
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、例えばエポキシ樹脂／アクリルニトリル―ブタ
ジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹脂、
エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／ポリ
ビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この中
で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的に
用いられ、加工性も良好なため特に好適に用いられる。
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、例えばエポキシ樹脂／アクリルニトリル―ブタ
ジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹脂、
エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／ポリ
ビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この中
で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的に
用いられ、加工性も良好なため特に好適に用いられる。
【００２７】なお、基材および樹脂には、本発明の目的
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
【００２８】本発明において、表面の銅はサブトラクテ
ィブ法で用いられる銅箔であってもよく、またアディテ
ィブ法などで形成された銅めっき回路であってもよい。
ィブ法で用いられる銅箔であってもよく、またアディテ
ィブ法などで形成された銅めっき回路であってもよい。
【００２９】いずれの方法であっても、穴明けは従来の
機械加工に代わってエキシマレーザーが用いられる。こ
れらの加工の順序は回路形成の前でもよく、また回路形
成法によっては後で行うこともできる。通常のサブトラ
クティブ法では、穴明けは回路形成の前に行うのが通常
である。
機械加工に代わってエキシマレーザーが用いられる。こ
れらの加工の順序は回路形成の前でもよく、また回路形
成法によっては後で行うこともできる。通常のサブトラ
クティブ法では、穴明けは回路形成の前に行うのが通常
である。
【００３０】エキシマレーザーの発振源としてはＡｒ
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられる。
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられる。
【００３１】エキシマレーザーの加工条件、すなわちエ
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。基板に着いている銅（多くの場合は銅箔）は、レー
ザー穴明けのさい、コンフォーマルマスクとして働くよ
う、予め必要な位置に微細穴明けされる。この穴明けの
方法としては、通常の機械加工のほか、炭酸ガスレーザ
ーやＹＡＧレーザーを用いる方法、銅に感光性レジスト
をコーティングして紫外線で露光することによりオープ
ニング（レジストをコーティングしていない部分）を
得、銅を塩化第２銅などでエッチングする方法などが適
用できる。
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。基板に着いている銅（多くの場合は銅箔）は、レー
ザー穴明けのさい、コンフォーマルマスクとして働くよ
う、予め必要な位置に微細穴明けされる。この穴明けの
方法としては、通常の機械加工のほか、炭酸ガスレーザ
ーやＹＡＧレーザーを用いる方法、銅に感光性レジスト
をコーティングして紫外線で露光することによりオープ
ニング（レジストをコーティングしていない部分）を
得、銅を塩化第２銅などでエッチングする方法などが適
用できる。
【００３２】第２の方法を図面を用いて詳述する（図
１）と、銅張積層板（Ａ）にレジストをコーティングし
（Ｂ）、銅を塩化第２銅などでエッチングする（Ｃ）。
レジストは剥離され（Ｄ）、レーザーを照射することに
より樹脂層がエッチングされる（Ｅ）。さらに塩化第２
銅などにより裏面の銅がエッチングされ（Ｆ）、その
後、裏面のレジストも剥離されて（Ｇ）スルーホールめ
っきが施される（Ｈ）。
１）と、銅張積層板（Ａ）にレジストをコーティングし
（Ｂ）、銅を塩化第２銅などでエッチングする（Ｃ）。
レジストは剥離され（Ｄ）、レーザーを照射することに
より樹脂層がエッチングされる（Ｅ）。さらに塩化第２
銅などにより裏面の銅がエッチングされ（Ｆ）、その
後、裏面のレジストも剥離されて（Ｇ）スルーホールめ
っきが施される（Ｈ）。
【００３３】アラミド繊維などのように、過マンガン酸
カリでエッチングされる補強材を用いたときは、レーザ
ー加工ののち過マンガン酸カリで処理することが好まし
い。
カリでエッチングされる補強材を用いたときは、レーザ
ー加工ののち過マンガン酸カリで処理することが好まし
い。
【００３４】
【発明の効果】本発明により、多層板のバイアホールが
簡単に低コストで得られる。特にバイアホールが密集し
た高密度回路では好ましく使用できる。
簡単に低コストで得られる。特にバイアホールが密集し
た高密度回路では好ましく使用できる。
【００３５】
【実施例】高純度のテレフタル酸クロライド１００モル
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′―ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′―ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ坪量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダーとしては、水分散型エポキシ樹脂
組成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥し
た。バインダー付着量は約５重量％であった。該紙状物
を表面温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロ
ールカレンダーを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件
で熱圧加工した。
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′―ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′―ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ坪量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダーとしては、水分散型エポキシ樹脂
組成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥し
た。バインダー付着量は約５重量％であった。該紙状物
を表面温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロ
ールカレンダーを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件
で熱圧加工した。
【００３６】次に、ビスフェノールＡとホルムアルデヒ
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ―１を得
た。次にビスフェノールＡとホルムアルデヒドとの重縮
合物である硬化剤ｂ―１を得た。エポキシ樹脂ａ―１を
５６重量部、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４７０、ブロム含有量４８重量％）を２
９重量部、硬化剤ｂ―１を２４重量部配合し、これに２
―エチル―４―メチルイミダゾール０．０４重量部から
なるエポキシ樹脂組成物にメチルエチルケトン／エチレ
ングリコールモノメチルエーテル混合溶剤（混合重量比
１／１）を加えて不揮発分６０重量％、ブロム含有量２
２．５重量％（固形分対比）のワニスを調整した。
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ―１を得
た。次にビスフェノールＡとホルムアルデヒドとの重縮
合物である硬化剤ｂ―１を得た。エポキシ樹脂ａ―１を
５６重量部、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４７０、ブロム含有量４８重量％）を２
９重量部、硬化剤ｂ―１を２４重量部配合し、これに２
―エチル―４―メチルイミダゾール０．０４重量部から
なるエポキシ樹脂組成物にメチルエチルケトン／エチレ
ングリコールモノメチルエーテル混合溶剤（混合重量比
１／１）を加えて不揮発分６０重量％、ブロム含有量２
２．５重量％（固形分対比）のワニスを調整した。
【００３７】上述の紙状物に該ワニスを含浸させ、１０
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃、４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％、樹脂層の厚みは０．２mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃、４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％、樹脂層の厚みは０．２mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
【００３８】このようにして得られた両面板を信頼性評
価用の内層回路の設計で回路加工し、通常の方法でブラ
ックオキサイド処理を行ったのち、両側にプリプレグと
銅箔を各１枚積層してプレスし、４槽のシールド板を得
た。
価用の内層回路の設計で回路加工し、通常の方法でブラ
ックオキサイド処理を行ったのち、両側にプリプレグと
銅箔を各１枚積層してプレスし、４槽のシールド板を得
た。
【００３９】このようにして得られたシールド板（図１
Ａ）に感光性レジストを両面にコーティングした（図１
Ｂ）のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して
径０．１mmのオープニング（レジストをコーティングし
ていない部分、図１Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．
５cm、長さ１０cm）を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た（図１Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離し
た。
Ａ）に感光性レジストを両面にコーティングした（図１
Ｂ）のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して
径０．１mmのオープニング（レジストをコーティングし
ていない部分、図１Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．
５cm、長さ１０cm）を得た。裏面はレジストを全面にコ
ーティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーし
てオープニング部分に露出している銅箔をエッチングし
た（図１Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離し
た。
【００４０】このようにして得られた銅箔のオープニン
グ部分をもつ積層板の表面に、ＫｒＦのエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、エネルギ密度１．６Ｊ／cm2 ）を
幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０cm
／分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーはア
ブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹脂
層はエッチングされた（図１Ｅ）が、その壁面は溶融物
が表面を覆い、炭化物が付着していた。
グ部分をもつ積層板の表面に、ＫｒＦのエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ、エネルギ密度１．６Ｊ／cm2 ）を
幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０cm
／分の速度でスキャニングした。エキシマレーザーはア
ブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の樹脂
層はエッチングされた（図１Ｅ）が、その壁面は溶融物
が表面を覆い、炭化物が付着していた。
【００４１】さらに、次に示す条件でバイアホールの内
壁を処理した。 〔前処理〕 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃、５分間 〔過マンガン酸カリ処理〕 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ ５０ｇ／ｌ 処理条件 ７０℃、５分間 〔中和〕 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ４５℃、３分間 得られたバイアホールの内壁は、溶融物も炭化物もきれ
いにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されてい
た。
壁を処理した。 〔前処理〕 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃、５分間 〔過マンガン酸カリ処理〕 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ ５０ｇ／ｌ 処理条件 ７０℃、５分間 〔中和〕 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ４５℃、３分間 得られたバイアホールの内壁は、溶融物も炭化物もきれ
いにエッチングされ、繊維と樹脂が明確に分離されてい
た。
【００４２】さらに、得られた穴あき板に通常のめっき
工程を通して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図１
Ｆ）、エッチングによりスルーホール信頼性のための回
路を形成したのち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ
―Ｐ―５５１１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、
１５分間）に従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００
回であった。
工程を通して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図１
Ｆ）、エッチングによりスルーホール信頼性のための回
路を形成したのち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ
―Ｐ―５５１１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、
１５分間）に従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００
回であった。
【図１】本発明によるバイアホールの形成方法例の各段
階を示す概略図（側断面図）である。 Ａ 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 Ｂ レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ その後、バイアホールめっきを施したプリント回路
板概略図
階を示す概略図（側断面図）である。 Ａ 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 Ｂ レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ その後、バイアホールめっきを施したプリント回路
板概略図
１ 基板 ２ 銅箔 ３ レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる
多層板において、表面の銅を微細穴明けし、これをコン
フォーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹脂層をエ
ッチングしたのちめっきを施すことを特徴とする有機基
板におけるバイアホールの形成方法。 - 【請求項２】 表面の銅に感光性レジストをコーティン
グしたのち必要な部分にオープニングを形成し、銅をエ
ッチングすることにより微細穴明けを得ることを特徴と
する請求項１に記載の有機基板におけるバイアホールの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33594691A JPH05152766A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 有機基板におけるバイアホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33594691A JPH05152766A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 有機基板におけるバイアホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152766A true JPH05152766A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18294108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33594691A Pending JPH05152766A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 有機基板におけるバイアホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152766A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326467A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| WO2002030167A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Zeon Corporation | Procede de fabrication d'un substrat de circuit |
| KR100355417B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2002-10-11 | 안지양 | 레이저와 레이저마스크에 의한 회로기판의 회로 형성방법 |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP33594691A patent/JPH05152766A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355417B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2002-10-11 | 안지양 | 레이저와 레이저마스크에 의한 회로기판의 회로 형성방법 |
| JP2001326467A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| WO2001089276A1 (fr) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Procede de fabrication d'une plaquette de circuit imprime |
| WO2002030167A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Zeon Corporation | Procede de fabrication d'un substrat de circuit |
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