JPH05152748A - 有機基板におけるスルーホールの形成方法 - Google Patents
有機基板におけるスルーホールの形成方法Info
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- JPH05152748A JPH05152748A JP33557291A JP33557291A JPH05152748A JP H05152748 A JPH05152748 A JP H05152748A JP 33557291 A JP33557291 A JP 33557291A JP 33557291 A JP33557291 A JP 33557291A JP H05152748 A JPH05152748 A JP H05152748A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 両面板のスルーホールを簡単な手段で精密に
行う。 【構成】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる両面
銅つき基板において、表面の銅を微細穴明けし、これを
コンフォーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹脂層
をエッチングしたのちスルーホールめっきを施すことを
特徴とするスルーホールの形成方法。
行う。 【構成】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる両面
銅つき基板において、表面の銅を微細穴明けし、これを
コンフォーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹脂層
をエッチングしたのちスルーホールめっきを施すことを
特徴とするスルーホールの形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、補強材、含浸樹脂とも
有機材料からなる両面銅つき基板のスルーホールの形成
方法である。
有機材料からなる両面銅つき基板のスルーホールの形成
方法である。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路におけるスルーホー
ルの形成方法としては、銅張積層板に機械ドリルで穴明
け加工し、これに無電解銅及び電解銅をめっきしたのち
回路形成する方法が一般的であった。この方法はサブト
ラクティブと呼ばれる方法であるが、アディティブ法や
回路転写法（金属版などに予め回路を形成し、プリプレ
グを圧着して回路を転写する方法）などの回路板の形成
法でも同様にスルーホールの形成が必要である。
ルの形成方法としては、銅張積層板に機械ドリルで穴明
け加工し、これに無電解銅及び電解銅をめっきしたのち
回路形成する方法が一般的であった。この方法はサブト
ラクティブと呼ばれる方法であるが、アディティブ法や
回路転写法（金属版などに予め回路を形成し、プリプレ
グを圧着して回路を転写する方法）などの回路板の形成
法でも同様にスルーホールの形成が必要である。
【０００３】プリント回路板の穴明け加工にレーザーを
利用する試みは多く行われており、炭酸ガスレーザー、
ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリント回路
板の穴明け加工に利用されている。プリント回路板への
レーザーの応用については『電子材料』１９９１年１０
月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発行）などに
くわしく記載されている。なかでもエキシマレーザー
は、有機基板の穴明けに多く使用されている。
利用する試みは多く行われており、炭酸ガスレーザー、
ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどがプリント回路
板の穴明け加工に利用されている。プリント回路板への
レーザーの応用については『電子材料』１９９１年１０
月号、１２０〜１２５ページ（工業調査会発行）などに
くわしく記載されている。なかでもエキシマレーザー
は、有機基板の穴明けに多く使用されている。
【０００４】エキシマレーザーで穴明けする場合、マス
クの適用方法としては、マスクイメージ法、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法などがある（詳細は
前記『電子材料』の記事に紹介されている）。これらの
マスクは、ステンレス・スチールなどの金属板にエッチ
ングなどの方法で微細加工されるか、樹脂板の表面にめ
っきを施すなど、複雑な工程が必要であった。
クの適用方法としては、マスクイメージ法、コンタクト
マスク法、コンフォーマルマスク法などがある（詳細は
前記『電子材料』の記事に紹介されている）。これらの
マスクは、ステンレス・スチールなどの金属板にエッチ
ングなどの方法で微細加工されるか、樹脂板の表面にめ
っきを施すなど、複雑な工程が必要であった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、プリント回路板のスルーホー
ル形成に簡単で確実な方法で行うことを目的とする。
ル形成に簡単で確実な方法で行うことを目的とする。
【０００６】
【発明の構成】すなわち本発明は、補強材、含浸樹脂と
も有機材料からなる両面銅つき基板において、表面の銅
を微細穴明けし、これをコンフォーマルマスクとしてエ
キシマレーザーで樹脂層をエッチングしたのちスルーホ
ールめっきを施すことを特徴とするスルーホールの形成
方法である。
も有機材料からなる両面銅つき基板において、表面の銅
を微細穴明けし、これをコンフォーマルマスクとしてエ
キシマレーザーで樹脂層をエッチングしたのちスルーホ
ールめっきを施すことを特徴とするスルーホールの形成
方法である。
【０００７】さらに本発明は、補強材、含浸樹脂とも有
機材料からなる両面銅つき基板において、片面のみの銅
を微細穴明けし、これをコンフォーマルマスクとしてエ
キシマレーザーで樹脂層をエッチングしたのち、穴明け
した面からエッチング液を噴射することにより裏面の銅
をエッチングしたのちスルーホールめっきを施すことを
特徴とするスルーホールの形成方法である。
機材料からなる両面銅つき基板において、片面のみの銅
を微細穴明けし、これをコンフォーマルマスクとしてエ
キシマレーザーで樹脂層をエッチングしたのち、穴明け
した面からエッチング液を噴射することにより裏面の銅
をエッチングしたのちスルーホールめっきを施すことを
特徴とするスルーホールの形成方法である。
【０００８】本発明において、基板材料は補強材、樹脂
とも有機材料からなる両面銅つき基板である。具体的に
は、補強材としては、ポリエステル、ポリアミド、アラ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどからなる繊維が
挙げられる。
とも有機材料からなる両面銅つき基板である。具体的に
は、補強材としては、ポリエステル、ポリアミド、アラ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどからなる繊維が
挙げられる。
【０００９】樹脂としては、エポキシ、ポリイミド、ポ
リビスマレイミド、フッ素化ポリマー、ポリシアヌレー
トなどが挙げられる。
リビスマレイミド、フッ素化ポリマー、ポリシアヌレー
トなどが挙げられる。
【００１０】アラミド繊維の組成としては、下記反復単
位（Ｉ）式および／または（II）式からなるものであ
る。
位（Ｉ）式および／または（II）式からなるものであ
る。
【００１１】
【化１】
【００１２】
【化２】 上記式中、Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 は置換されたもしく
は置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
は置換されない芳香環であって、下記の基から選ばれ
る。
【００１３】
【化３】 ただし、Ｘは下記の２価の基などである。
【００１４】
【化４】 Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａｒ3 の芳香環への置換基として炭素
原子数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基
などがある。
原子数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基
などがある。
【００１５】上記反復単位（Ｉ）式の芳香族ポリアミド
のうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
のうちＡｒ1 の１５〜３０モル％が
【００１６】
【化５】 および／または
【００１７】
【化６】 であり、残りが
【００１８】
【化７】 および／または
【００１９】
【化８】 および／または
【００２０】
【化９】
【００２１】である直線あるいは平行軸結合の芳香族残
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
基（ただし芳香族環に直接結合している水素原子の一部
がハロゲン原子、メチル基、メトキシ基で置換されてい
てもよい）で構成される共重合物を十分に延伸して高度
に分子配向させた高モジュラス全芳香族ポリアミド共重
合体繊維がとくに良好である。
【００２２】本発明の芳香族ポリアミド繊維の単糸繊維
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸、毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
は０．１〜１０デニール、好ましくは０．３〜５デニー
ルである。０．１デニール未満では製糸技術上困難な点
が多い（断糸、毛羽の発生など）。一方、１０デニール
を越えると機械的物性の点で実用的でなくなる。
【００２３】芳香族ポリアミド繊維は種々の形態をとる
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよく、またこれらの任
意の組合せからなる混合物であってもよい。
ことができる。例えば、織物、長繊維不織布、短繊維不
織布、紙などのシート形態としての基材であってもよ
く、また単にエポキシ樹脂中に分散されてなる短繊維形
態としての基材であってもよい。不織布や紙などの形態
において芳香族ポリアミド繊維は短繊維あるいはフィブ
リル状パルプのいずれの形態でもよく、またこれらの任
意の組合せからなる混合物であってもよい。
【００２４】短繊維の場合、繊維長は１〜６０mmが好ま
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となり、やはり機械
的物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブ
リル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得る
ことができ、特に紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
しく、さらには２〜５０mmが好ましい。繊維長が１mm未
満の場合、得られる不織布や紙の機械的物性が低下す
る。また繊維長が６０mmを越えると得られる不織布や紙
中における短繊維の分布状態が不良となり、やはり機械
的物性が低下する。短繊維を機械的剪断力によりフィブ
リル化させたパルプは製糸困難な繊度の短繊維まで得る
ことができ、特に紙では短繊維の分布状態をより向上さ
せ地合を改良することができる。総じてエポキシ樹脂の
含浸性が良好で均一な地合、性能の得られる形態は紙で
ある。
【００２５】本発明において、積層板の含浸樹脂は、熱
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂とは、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
または／および光で硬化する樹脂（硬化型樹脂）または
熱可塑性樹脂である。熱で硬化する樹脂とは、加熱によ
り化学反応が起こり、分子量の増大や橋架けを行うこと
ができる樹脂または化合物あるいはこれらの組成物をい
う。加熱によってひき起こされる反応はラジカル反応、
イオン反応、付加反応、縮合反応、置換反応、水素引き
抜き反応、酸化反応などがある。
【００２６】具体的には樹脂あるいは化合物あるいはこ
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、例えばエポキシ樹脂／アクリルニトリル―ブタ
ジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹脂、
エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／ポリ
ビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この中
で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的に
用いられ、加工性も良好なため特に好適に用いられる。
れらの組成物として例示すれば、フェノール樹脂、フラ
ン樹脂、キシレン樹脂、ホルムアルデヒド／ケトン樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スルホン
アミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアリ
ルシアヌレート樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂、ビスマレイミド系樹脂およびこれらの
混合物、例えばエポキシ樹脂／アクリルニトリル―ブタ
ジエン共重合組成物、エポキシ樹脂／ポリアミド樹脂、
エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂、フェノール樹脂／ポリ
ビニルブチラール樹脂を挙げることができる。この中
で、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂はもっとも汎用的に
用いられ、加工性も良好なため特に好適に用いられる。
【００２７】なお、基材および樹脂には、本発明の目的
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
を阻害しない範囲でシリカ、アルミナ、酸化チタンなど
の無機充填物を含むことができる。
【００２８】本発明において、表面の銅はサブトラクテ
ィブ法で用いられる銅箔であってもよく、またアディテ
ィブ法などで形成された銅めっき回路であってもよい。
ィブ法で用いられる銅箔であってもよく、またアディテ
ィブ法などで形成された銅めっき回路であってもよい。
【００２９】いずれの方法であっても、穴明けは従来の
機械加工に代わってエキシマレーザーが用いられる。こ
れらの加工の順序は回路形成の前でもよく、また回路形
成法によっては後で行うこともできる。通常のサブトラ
クティブ法では、穴明けは回路形成の前に行うのが通常
である。
機械加工に代わってエキシマレーザーが用いられる。こ
れらの加工の順序は回路形成の前でもよく、また回路形
成法によっては後で行うこともできる。通常のサブトラ
クティブ法では、穴明けは回路形成の前に行うのが通常
である。
【００３０】エキシマレーザーの発振源としてはＡｒ
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられる。
Ｆ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌなどが用いられる。
【００３１】エキシマレーザーの加工条件、すなわちエ
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
ネルギー密度、照射時間、スキャニングの速度などは、
加工対象の厚み、樹脂の種類などにより適宜選択され
る。
【００３２】基板についている銅（多くの場合は銅箔）
は、レーザー穴明けのさい、コンフォーマルマスクとし
て働くよう、予め必要な位置に微細穴明けされる。この
穴明けの方法としては、通常の機械加工のほか、炭酸ガ
スレーザーやＹＡＧレーザーを用いる方法、銅に感光性
レジストをコーティングして紫外線で露光することによ
りオープニング（レジストをコーティングしていない部
分）を得、銅を塩化第２銅などでエッチングする方法な
どが適用できる。
は、レーザー穴明けのさい、コンフォーマルマスクとし
て働くよう、予め必要な位置に微細穴明けされる。この
穴明けの方法としては、通常の機械加工のほか、炭酸ガ
スレーザーやＹＡＧレーザーを用いる方法、銅に感光性
レジストをコーティングして紫外線で露光することによ
りオープニング（レジストをコーティングしていない部
分）を得、銅を塩化第２銅などでエッチングする方法な
どが適用できる。
【００３３】両面板の穴明けにおいて第１の方法は、銅
の穴明けを両面とも行い（表裏同じ位置に穴明けす
る）、レーザーで穴明けする方法である。その後、めっ
きによりスルーホールが形成される。
の穴明けを両面とも行い（表裏同じ位置に穴明けす
る）、レーザーで穴明けする方法である。その後、めっ
きによりスルーホールが形成される。
【００３４】両面板の穴明けにおいて第２の方法は、表
面の銅のみ穴明けし、レーザー加工ののち、表面から塩
化第２銅などを噴射して裏面のエッチングを行う方法で
ある。
面の銅のみ穴明けし、レーザー加工ののち、表面から塩
化第２銅などを噴射して裏面のエッチングを行う方法で
ある。
【００３５】第２の方法を図面を用いて詳述する（図
１）と、銅張積層板（Ａ）にレジストをコーティングし
（Ｂ）、銅を塩化第２銅などでエッチングする（Ｃ）。
レジストは剥離され（Ｄ）、レーザーを照射することに
より樹脂層がエッチングされる（Ｅ）。さらに塩化第２
銅などにより裏面の銅がエッチングされ（Ｆ）、その
後、裏面のレジストも剥離されて（Ｇ）スルーホールめ
っきが施される（Ｈ）。
１）と、銅張積層板（Ａ）にレジストをコーティングし
（Ｂ）、銅を塩化第２銅などでエッチングする（Ｃ）。
レジストは剥離され（Ｄ）、レーザーを照射することに
より樹脂層がエッチングされる（Ｅ）。さらに塩化第２
銅などにより裏面の銅がエッチングされ（Ｆ）、その
後、裏面のレジストも剥離されて（Ｇ）スルーホールめ
っきが施される（Ｈ）。
【００３６】アラミド繊維などのように、過マンガン酸
カリでエッチングされる補強材を用いたときは、レーザ
ー加工ののち過マンガン酸カリで処理することが好まし
い。
カリでエッチングされる補強材を用いたときは、レーザ
ー加工ののち過マンガン酸カリで処理することが好まし
い。
【００３７】
【発明の効果】本発明により、プリント回路板のスルー
ホールが簡単に低コストで得られる。特にスルーホール
が密集した高密度回路では好ましく使用できる。
ホールが簡単に低コストで得られる。特にスルーホール
が密集した高密度回路では好ましく使用できる。
【００３８】
【実施例】高純度のテレフタル酸クロライド１００モル
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′―ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′―ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ坪量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダーとしては、水分散型エポキシ樹脂
組成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥し
た。バインダー付着量は約５重量％であった。該紙状物
を表面温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロ
ールカレンダーを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件
で熱圧加工した。
％、パラフェニレンジアミン５０モル％、３，４′―ジ
アミノジフェニルエーテル５０モル％を共重合させてな
る全芳香族ポリエーテルアミド（ポリパラフェニレン
３，４′―ジアミノジフェニルエーテルテレフタルアミ
ド）を湿式紡糸し、さらに製糸条件の変更により平衡水
分率、含有ナトリウム、抽出ナトリウム、抽出塩素量を
低減させた単糸繊度が１．５デニールの繊維を作成し
た。得られた全芳香族ポリエーテルアミド繊維を３mm長
にカットしこれを水に分散させ坪量５５ｇ／ｍ2 の紙を
抄紙した。バインダーとしては、水分散型エポキシ樹脂
組成物を用い、抄紙後スプレー法により添加、乾燥し
た。バインダー付着量は約５重量％であった。該紙状物
を表面温度１９０℃の金属ロールを有する一対の金属ロ
ールカレンダーを用いて２００kg／cm、５ｍ／分の条件
で熱圧加工した。
【００３９】次に、ビスフェノールＡとホルムアルデヒ
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ―１を得
た。次にビスフェノールＡとホルムアルデヒドとの重縮
合物である硬化剤ｂ―１を得た。エポキシ樹脂ａ―１を
５６重量部、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４７０、ブロム含有量４８重量％）を２
９重量部、硬化剤ｂ―１を２４重量部配合しこれに２―
エチル―４―メチルイミダゾール０．０４重量部からな
るエポキシ樹脂組成物にメチルエチルケトン／エチレン
グリコールモノメチルエーテル混合溶剤（混合重量比１
／１）を加えて不揮発分６０重量％、ブロム含有量２
２．５重量％（固形分対比）のワニスを調整した。
ドとの重縮合物のグリシジルエーテル化物（エポキシ当
量２０８）８０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（エポキシ当量１８７）２０重量部およびテトラブロ
モビスフェノールＡ３０重量部をジメチルイミダゾール
０．０３重量部の存在下で反応させてエポキシ当量３４
２、ブロム含有量２３重量％のエポキシ樹脂ａ―１を得
た。次にビスフェノールＡとホルムアルデヒドとの重縮
合物である硬化剤ｂ―１を得た。エポキシ樹脂ａ―１を
５６重量部、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量４７０、ブロム含有量４８重量％）を２
９重量部、硬化剤ｂ―１を２４重量部配合しこれに２―
エチル―４―メチルイミダゾール０．０４重量部からな
るエポキシ樹脂組成物にメチルエチルケトン／エチレン
グリコールモノメチルエーテル混合溶剤（混合重量比１
／１）を加えて不揮発分６０重量％、ブロム含有量２
２．５重量％（固形分対比）のワニスを調整した。
【００４０】上述の紙状物に該ワニスを含浸させ、１０
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃、４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％、樹脂層の厚みは０．５mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
０℃で３分間乾燥しエポキシ樹脂組成物固形分含有量が
７０重量％のプリプレグを得た。次に厚み３５μｍの電
解銅箔２枚と該プリプレグ５枚を積層しホットプレスに
て１７０℃、４０kg／cm2 の条件で１時間プレスを行い
銅張積層板を作成した。該積層板中のエポキシ樹脂の組
成物の体積比率は約６０％、樹脂層の厚みは０．５mmで
あった。樹脂層の温度膨張係数をＴＭＡ（熱力学分析
機）で測定すると、６ｐｐｍ／℃であった。
【００４１】このようにして得られた積層板（図１Ａ）
に感光性レジストを両面にコーティングした（図１Ｂ）
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
０．１mmのオープニング（レジストをコーティングして
いない部分、図１Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．５
cm、長さ１０cm）を得た。裏面はレジストを全面にコー
ティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーして
オープニング部分に露出している銅箔をエッチングした
（図１Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離し、
裏面はそのまま残した。
に感光性レジストを両面にコーティングした（図１Ｂ）
のち、片面のみ紫外線で露光後アルカリで現像して径
０．１mmのオープニング（レジストをコーティングして
いない部分、図１Ｃ）を１０００個もつ基板（幅４．５
cm、長さ１０cm）を得た。裏面はレジストを全面にコー
ティングしたまま、表面から塩化第２銅をスプレーして
オープニング部分に露出している銅箔をエッチングした
（図１Ｄ）。表面のレジストはアルカリで全面剥離し、
裏面はそのまま残した。
【００４２】このようにして得られた銅箔のオープニン
グ部分をもつ積層板の表面から、ＫｒＦのエキシマレー
ザー（波長２４８ｎｍ、エネルギ密度１．６Ｊ／cm2 ）
を幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０
cm／分の速度でスキャニングした。エキシマ・レーザー
はアブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の
樹脂層はエッチングされた（図１Ｅ）が、その壁面は溶
融物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
グ部分をもつ積層板の表面から、ＫｒＦのエキシマレー
ザー（波長２４８ｎｍ、エネルギ密度１．６Ｊ／cm2 ）
を幅約１００μｍ、長さ５cmにレンズで絞ったのち１０
cm／分の速度でスキャニングした。エキシマ・レーザー
はアブレージョンを起こし、銅箔のオープニング部分の
樹脂層はエッチングされた（図１Ｅ）が、その壁面は溶
融物が表面を覆い、炭化物が付着していた。
【００４３】さらに裏面の銅箔をエッチングするため、
表面から塩化第２鉄を噴射し、レーザーで穴明けされた
部分の銅箔をエッチングした（図１Ｆ）のち、裏面のレ
ジストをアルカリで剥離した（図１Ｇ）。
表面から塩化第２鉄を噴射し、レーザーで穴明けされた
部分の銅箔をエッチングした（図１Ｆ）のち、裏面のレ
ジストをアルカリで剥離した（図１Ｇ）。
【００４４】さらに、次に示す条件で穴の内壁を処理し
た。 〔前処理〕 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃、５分間 〔過マンガン酸カリ処理〕 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ ５０ｇ／ｌ 処理条件 ７０℃、５分間 〔中和〕 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ４５℃、３分間 得られた穴の内壁は、溶融物も炭化物もきれいにエッチ
ングされ、繊維と樹脂が明確に分離されていた。
た。 〔前処理〕 処理剤 脱イオン水 ８０容量％ ジエチレングリコール １０容量％ カセイソーダ （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ７０℃、５分間 〔過マンガン酸カリ処理〕 処理剤 脱イオン水 過マンガン酸カリ ５０ｇ／ｌ 処理条件 ７０℃、５分間 〔中和〕 処理剤 脱イオン水 濃硫酸 （水溶液のｐＨが１．０になるまで添加） 処理条件 ４５℃、３分間 得られた穴の内壁は、溶融物も炭化物もきれいにエッチ
ングされ、繊維と樹脂が明確に分離されていた。
【００４５】さらに、得られた穴あき板に通常のめっき
工程を通して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図１
Ｈ）、エッチングによりスルーホール信頼性のための回
路を形成したのち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ
―Ｐ―５５１１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、
１５分間）に従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００
回であった。
工程を通して厚み約２０μｍのめっきをつけ（図１
Ｈ）、エッチングによりスルーホール信頼性のための回
路を形成したのち熱衝撃試験にかけた。試験法はＭＩＬ
―Ｐ―５５１１０法（−６５℃、１５分間と１５０℃、
１５分間）に従った。断線に至る熱衝撃回数は１５００
回であった。
【図１】本発明の方法例の各段階を示す概略図（側断面
図）である。 Ａ 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 Ｂ レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｇ レジストを剥離したプリント回路板概略図 Ｈ 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
図）である。 Ａ 銅張アラミド基材プリント回路板概略図 Ｂ レジストをコーティングしたのち現像したプリント
回路板概略図 Ｃ 銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｄ レーザー加工後のプリント回路板概略図 Ｅ 樹脂層をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｆ エッチングレジストを再度表面にコーティングし、
裏面の銅箔をエッチングしたプリント回路板概略図 Ｇ レジストを剥離したプリント回路板概略図 Ｈ 加熱した過マンガン酸カリ水溶液で処理したのちス
ルーホールめっきを施したプリント回路板概略図
１ 基板 ２ 銅箔 ３ レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる
両面銅つき基板において、表面の銅を微細穴明けし、こ
れをコンフォーマルマスクとしてエキシマレーザーで樹
脂層をエッチングしたのちスルーホールめっきを施すこ
とを特徴とする有機基板におけるスルーホールの形成方
法。 - 【請求項２】 補強材、含浸樹脂とも有機材料からなる
両面銅つき基板において、片面のみの銅を微細穴明け
し、これをコンフォーマルマスクとしてエキシマレーザ
ーで樹脂層をエッチングしたのち、穴明けした面からエ
ッチング液を噴射することにより裏面の銅をエッチング
したのちスルーホールめっきを施すことを特徴とする有
機基板におけるスルーホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33557291A JPH05152748A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 有機基板におけるスルーホールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33557291A JPH05152748A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 有機基板におけるスルーホールの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152748A true JPH05152748A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18290085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33557291A Pending JPH05152748A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 有機基板におけるスルーホールの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152748A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
| US6346678B1 (en) | 1998-01-14 | 2002-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board and method of manufacturing a circuit board |
| US6996903B2 (en) * | 2001-01-17 | 2006-02-14 | International Business Machines Corporation | Formation of multisegmented plated through holes |
| JP2006173597A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | レジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板 |
| JP2007227648A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sharp Corp | プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 |
| JP2007311451A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 回路基板の製造方法 |
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| US8143533B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-03-27 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Method for forming resist pattern, method for producing circuit board, and circuit board |
| CN103747620A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 苏州米达思精密电子有限公司 | 一种局部无胶的补强片的制备方法 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33557291A patent/JPH05152748A/ja active Pending
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| JP4628993B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-02-09 | 三菱製紙株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| US8143533B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-03-27 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Method for forming resist pattern, method for producing circuit board, and circuit board |
| CN103747620A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 苏州米达思精密电子有限公司 | 一种局部无胶的补强片的制备方法 |
| CN103747620B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-09-11 | 苏州中拓专利运营管理有限公司 | 一种局部无胶的补强片的制备方法 |
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