JP2006173597A - レジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板の高密度化を実現するランドレスや狭小ランド幅の貫通孔を有する回路基板を作製するためのレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板を提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板の第１面に樹脂層及びマスク層を形成する工程と、基板の第１面とは反対側の第２面から樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する工程と、を含むレジストパターンの形成方法、及び、このレジストパターンの形成方法を用いた回路基板の製造方法、及び回路基板である。
【選択図】図５

Description

本発明は、レジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板に関する。より具体的には、回路基板の高密度化や配線パターンの微細化に適したランドレス又は狭小ランド幅を有するレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板に関する。

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板の高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段として、回路基板の多層化が挙げられる。図２１に示すように、複数の配線層を積層して形成した多層回路基板は、一般にスルーホールと呼ばれる内壁を導電層で被覆した貫通孔３１あるいは導電層を充填した貫通孔３１を通して各層間の導通が行われている。

図２２は、貫通孔を上部から見た概略図である。貫通孔１７の周囲にランド１８と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは、角形、円形、楕円形、異形等の種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形状のランドを使用することが多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレス又は狭小ランド幅の貫通孔が必要とされている。ここでランド幅とは、円形状ランドの場合は貫通孔周囲の環状導体幅の最小値を意味している。穴明け加工時の貫通孔の直径をＤ_０、円形状ランドの環状導体の直径をＤとすると、ランドレスとは、（Ｄ−Ｄ_０）／２がゼロであり、狭小ランド幅とは、（Ｄ−Ｄ_０）／２が０より大きく４０μｍ以下をいう。

回路基板を製造する方法としては、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法によって微細回路を形成する場合、導電層のサイドエッチングによる画線の細り等が生じるため、微細回路形成に対しては不利とされている。一方、アディティブ法は、微細回路形成に対しては有利であるが、無電解めっきで全ての導電層を形成するため、製造コストが高いという問題がある。セミアディティブ法は、多工程であるが、高速作業が可能な電解めっきを使用することができるために、微細回路形成方法として、優位に使用することができる。

セミアディティブ法で回路基板を製造する方法の一例を挙げる。まず、絶縁性基板１（図２３）にスルーホールと呼ばれる貫通孔３を開け（図２４）、貫通孔内壁を含む表面に薄い第１導電層１２を設ける（図２５）。次いで、非回路部にめっきレジスト層３６を形成する（図２６）。続いて、電解めっき処理により、第１導電層１２が露出する部分の表面に第２導電層１３を形成する（図２７）。その後、めっきレジスト層３６を除去し（図２８）、めっきレジスト層３６下部の薄い第１導電層１２をフラッシュエッチング除去して回路基板を形成する（図２９）。

めっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成することができるが、高密度化に対応するには、フォトファブリケーション法を優位に使用することができる。フォトファブリケーション法としては、ネガ型（光架橋型）若しくはポジ型（光分解型）フォトレジストを用いた方法が一般的である。セミアディティブ法では、電解めっき処理により貫通孔内壁に第２導電層を設けるため、貫通孔上及び貫通孔内壁にはめっきレジスト層が残存していない状態が必要である。

ネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストを用いた場合、図３０に示すように、貫通孔及びランド部を遮光部４２で遮光して、ネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジスト３８が架橋しないようにし、未反応ドライフィルムフォトレジストを除去して、貫通孔上及びランド部にはめっきレジスト層がない状態とする。これら工程では、貫通孔の穴開け加工や露光工程の位置合わせが重要となり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレス及び狭小ランド幅の貫通孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。

例えば、図３１（ｂ）に示すように、ランド幅が大きい場合には、露光マスクの位置合わせ時の位置ずれが距離Ｘだけ発生したとしても、貫通孔は完全に遮光された状態となりネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストは架橋されない。しかし、図３１（ａ）に示すように、狭小ランド幅の場合には、露光マスクの位置合わせ時の位置ずれが同じ距離Ｘだけ発生すると、貫通孔がランドから外れ、貫通孔の全外周にわたって狭小ランドを形成することができないという問題がある。

ランドレスの貫通孔を製造する場合、位置合わせ精度の許容範囲を広げるために、図３２に示すように、ネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジスト３８の貫通孔上中央部のみを露光しないように遮光部４２を設け、図３３に示すように、めっきレジスト層３６を貫通孔上中央部に向けて突出させた状態にする方法が公知である（例えば、特許文献１）。図３４（ｂ）に示すように、大孔径の貫通孔１７の場合、距離Ｙだけ遮光部４２の位置ずれが発生したとしても、貫通孔１７の一部が遮光された状態となる。しかし、図３４（ａ）に示すように、小孔径の貫通孔の場合、遮光部４２が同じ距離Ｙだけ位置ずれが発生すると、遮光部４２が貫通孔１７から外れてしまうために、貫通孔上のネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジスト３８が架橋されてしまい、貫通孔上のめっきレジスト層３６が除去されないという問題が発生する。

穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される貫通孔の径は多種類で、孔数も極めて多いために、全ての貫通孔に対して正確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の貫通孔が求められているにもかかわらず、狭小ランド幅の貫通孔の場合には貫通孔の遮光が確実に行われてネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、ランド幅を大きく設計しなければならないという問題が発生している（例えば、特許文献２）。また、ランドレスの貫通孔の場合には貫通孔の遮光が確実に行われてネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、遮光部を小さく設計しなければならず、そのためにめっき液が貫通孔内に侵入しづらくなり、めっきがされないという問題が発生している。

めっきレジスト層を形成する方法として、電着フォトレジストを使用する方法も知られている。これは、電着塗装法によって貫通孔内壁を含む導電層上に一様に電着フォトレジスト層を設け、次に、フォトマスクを介して露光し、現像することで、めっきレジスト層を設ける方法である。

電着フォトレジストには、ネガ型（光架橋型）とポジ型（光分解型）がある。ポジ型（光分解型）の場合は、露光してフォトレジストを分解させる必要があるが、円柱形状の貫通孔では貫通孔内部を完全に露光することができない。このため、貫通孔内部の電着フォトレジストを完全に分解することができず、めっきレジスト層として使用することができない。

一方、ネガ型（光架橋型）電着フォトレジストの場合は、貫通孔内部を露光する必要がないので、ランドのないパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの貫通孔を形成する手段として有効であると言われている。円柱形状の貫通孔では光が進入しないために、貫通孔内壁のネガ型（光架橋型）フォトレジスト層を除去することが可能である。しかし、貫通孔のコーナー部にテーパー形状があった場合には、貫通孔内部にも部分的に光が進入して、貫通孔の内壁全てのめっきレジスト層を除去することができないという問題がある。

また、これらの課題を解決し狭小ランド幅の貫通孔を形成する技術として、貫通孔を有する基板上に第一樹脂層を形成し、次いで貫通孔上以外の第一樹脂層表面に第二樹脂層を形成し、続いて、第二樹脂層を溶解しない第一樹脂層用現像液を用いて貫通孔上の第一樹脂層を溶解除去して、貫通孔上に精度よく開口部を形成する技術が公知である（特許文献３）。この技術によって、狭小ランド幅の貫通孔を精度良く形成することが可能となるが、一方、第二樹脂層の形成の際に、液体トナー現像装置等の従来の回路基板製造方法では使用しない設備を新たに必要とする。従って、新たな設備導入のためのスペースがない場合や設備投資ができない場合には、狭小ランド幅の貫通孔を精度良く形成することはできない。

また、回路基板では、はんだ付けに必要なパッド以外のランドや回路部導電層などにはんだが付かないようにするために、また、回路表面の絶縁性を保ち回路部導電層を保護するために、一般に、ソルダーレジストを基板表面に被覆し、貫通孔の内部に充填する。この際、ランド部導電層頂端部の形状が鋭角であると、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題がある。
特開平１０−１７８０３１号公報 特開平０７−００７２６５号公報 国際公開第２００５／０８６５５２号パンフレット

本発明の課題は、ランドレスや狭小ランド幅の貫通孔を新たな設備導入なしに形成することができ、かつ、ソルダーレジストも良好に付与することができるレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板を提供することであり、特に、位置合わせ精度の許容範囲の広いレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板を提供することである。なお、本発明において、ランドレスや狭小ランド幅の貫通孔とは、上記に定義したとおりのものをいう。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
（１）貫通孔を有する基板の第１面に樹脂層及びマスク層を形成する工程と、基板の第１面とは反対側の第２面から樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する工程と、を含むレジストパターンの形成方法、
（２）樹脂層とマスク層とを一体に形成する、上記（１）記載のレジストパターンの形成方法、
（３）樹脂層が光架橋性樹脂層である、上記（１）又は（２）記載のレジストパターンの形成方法、
（４）貫通孔を有する基板が、基板表面及び貫通孔内壁に導電層を有する絶縁性基板である、上記（１）〜（３）のいずれか記載のレジストパターンの形成方法、
（５）（ａ）貫通孔を有する絶縁性基板の第１面及び第１面とは反対側の第２面並びに貫通孔内壁に第１導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、（ｂ）第１面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第１面の第１導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、（ｃ）第２面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第１面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程、（ｄ）第１面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、（ｅ）第２面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第２面の第１導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、（ｆ）第１面のマスク層を除去する工程、（ｇ）第１面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第１面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第１面上の第１導電層及び第２面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程、（ｈ）第２面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、（ｉ）第２面のマスク層を除去する工程、（ｊ）第２面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第２面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第２面上の第１導電層を露出する工程、（ｋ）貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第１面上及び第２面上に露出している第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、（ｌ）第１面上及び第２面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第１面上及び第２面上の第１導電層を露出する工程、（ｍ）露出する第１導電層をフラッシュエッチングして除去する工程、をこの順で含む回路基板の製造方法、
（６）（ｆ）工程を（ｅ）工程の前に行う、上記（５）記載の回路基板の製造方法、
（７）（ｆ）工程を（ｄ）工程の前に行う、上記（５）記載の回路基板の製造方法、
（８）（ｇ）工程が、（ｇ１）第１面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第１面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第１面上の第１導電層を露出する工程と、（ｇ２）第１面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第２面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程とからなり、（ｅ）工程を（ｇ１）工程と（ｇ２）工程の間で行う、請求項５記載の回路基板の製造方法、
（９）貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が９０度より小さい回路基板、
（１０）回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、６０〜８０度である、上記（９）載の回路基板、
（１１）ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、０〜８０μｍである、上記（９）又は（１０）記載の回路基板、
（１２）回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、上記（９）〜（１１）のいずれか記載の回路基板、
（１３）回路部導電層の側面の傾斜角度が略９０度である、上記（９）〜（１２）のいずれか記載の回路基板、
（１４）ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、上記（９）〜（１３）のいずれか記載の回路基板、
を見出した。

本発明のレジストパターンの形成方法（１）においては、貫通孔を有する基板の片面（第１面とする）に貫通孔を塞ぐように樹脂層及びマスク層を設け、反対面（第２面とする）から供給した樹脂層除去液により、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する。

第２面より供給された樹脂層除去液は、貫通孔を通って、第１面の樹脂層に達し、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を溶解除去する。マスク層は、この樹脂層除去液に対して不溶性の成分からなり、従って、樹脂層除去液は、樹脂層の貫通孔上及び貫通孔周辺部のみを正確かつ選択的に精度良く除去できる。これにより、貫通孔及び貫通孔周辺部のみ基板の露出した樹脂層を極めて精度良く形成することができ、その後の工程により、ランドレス及び狭小ランド幅のパターンの形成が容易に可能となる。

本発明のレジストパターンの形成方法（２）においては、樹脂層とマスク層とを一体に形成することで、工程の簡略化を図ることができる。また、あらかじめ樹脂層とマスク層を積層したフィルムを形成しておき、それをラミネート等の手段により基板に一体形成することで、極めて安定性の高いレジストパターン形成方法を簡便に実現できる。

本発明のレジストパターンの形成方法（３）においては、樹脂層を光架橋性樹脂層とする。これにより、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層除去に加え、基板表面のパターン露光によるレジストパターンの形成が可能となり、その後の貫通孔及び基板表面の回路パターン形成工程を簡略に行うことができる。

本発明のレジストパターンの形成方法（４）においては、貫通孔を有する基板が、表面及び貫通孔内壁に導電層を有する絶縁性基板とすることで、より信頼性の高い回路基板を形成するためのレジストパターン形成が可能となる。

本発明の回路基板の製造方法（５）においては、表面及び貫通孔内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の第１面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成する。その後、第２面より供給した光架橋性樹脂層除去液により、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する。これにより、位置合わせ不要で、精度良く、貫通孔及び貫通孔周辺部の第１導電層を露出させることができる。また、光架橋性樹脂層除去液による除去方法を制御することで、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去状況を制御することが可能となり、貫通孔周辺部の露出幅をコントロールすることができる。その後、第１面の光架橋性樹脂層に対してパターン露光することにより、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる。次に、第２面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成する工程、第１面のマスク層を除去する工程を経た後、第１面より光架橋性樹脂層除去液を供給し、第１面の未硬化光架橋性樹脂層及び第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去する。この際、硬化した光架橋性樹脂は、光架橋性樹脂層除去液には不溶であるため、硬化した光架橋性樹脂によるレジストパターンが第１面表面に形成される。第２面も同様にして、貫通孔及び貫通孔周辺部の第１導電層を精度良く露出させた後、第２面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、第２面のマスク層を除去する工程、光架橋性樹脂層除去液を供給して第２面の未硬化光架橋性樹脂層を除去する工程を経て、第１面、第２面両面に、めっきレジスト層として機能する硬化した光架橋性樹脂からなるレジストパターンを形成することができる。続いて、露出している第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、第１面及び第２面の硬化光架橋性樹脂層を除去する工程、露出した第１導電層をフラッシュエッチングして除去する工程を経て、ランドレス若しくは狭小ランド幅を持った回路基板が製造される。

第１面及び第２面のいずれにおいても、光架橋性樹脂層をパターン露光する工程の前に、貫通孔及び貫通孔周辺部の第１導電層は露出した状態となっているので、パターン露光する工程で貫通孔周辺部は露光されてもされなくても、良好なランド形状が確保できる。すなわち、ランドレス及び狭小ランド幅を位置合わせすることなく精度良く確実に形成することができ、パターン露光時の位置合わせの許容範囲が広がるという秀逸な効果をもたらす。

本発明のレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法では、マスク層を有した状態での光架橋性樹脂層の除去工程で、光架橋性樹脂層除去量を制御することで、任意にランド幅を調整することができる。また、この方法によると、貫通孔周辺部のランドは図２２に示すように、均一な幅を有するものとなる。

このように、本発明のレジストの形成方法及び回路基板の製造方法では、位置合わせを必要としない工程のみで、貫通孔及び貫通孔周辺部に対して正確かつ選択的にめっきレジスト層が存在しない状態を形成することができ、かつランド幅も任意にコントロールできるという秀逸な効果をもたらす。

本発明の回路基板（９）は、本発明の回路基板の製造方法によって製造された、貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が９０度より小さい回路基板である。また、本発明の回路基板（１０）〜（１４）はそれぞれ、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が６０〜８０度である、上記（９）記載の回路基板；ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、０〜８０μｍである、上記（９）又は（１０）記載の回路基板；回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、上記（９）〜（１１）のいずれか記載の回路基板；回路部導電層の側面の傾斜角度が略９０度である、上記（９）〜（１２）のいずれか記載の回路基板；ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、上記（９）〜（１３）のいずれか記載の回路基板、である。これにより、ランドレス又は狭小ランド幅のランドを有する回路基板を実現できるとともに、特に、その後のソルダーレジストの付与を極めて良好に行うことのできるという効果を奏する。

すなわち、回路基板でははんだ付けに必要なパッド以外のランドや回路部などを、はんだが付かないようにするために、また、回路表面の絶縁性を保ち、導体パターンを保護するため、ソルダーレジストで基板表面を被覆し、貫通孔の内部にソルダーレジストが充填される。このとき、ランド部導電層頂端部の形状が９０度より大きい鈍角であるために、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題が発生せずに、良好なソルダーレジストの付与が行われる。通常、回路部導電層の断面形状は、良好な信号の伝達速度を得るためには、矩形がよいと考えられている。従来の回路基板の製造方法では、回路部導電層の形状を矩形としながら、ランド部導電層の頂端部の形状を鈍角とすることは難しかったが、本発明の回路基板においては、回路部導電層の断面形状を矩形、すなわち回路部導電層の側面の傾斜角度を略９０度としたまま、ランド部導電層の頂端部の形状を鈍角、すなわちランド部導電層の外側面の傾斜角度を９０度よりも小さくすることができる。これにより、ランドレス又は狭小ランド幅を有する回路基板であるだけでなく、ランド部のソルダーレジストの厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題を回避できるという効果を奏することができる。

以下、本発明のレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板について詳細に説明する。

本発明のレジストパターンの形成方法、回路基板の製造方法及び回路基板では、図４に示すように、貫通孔を有する基板の片面（第１面とする）に貫通孔を塞ぐように樹脂層２５及びマスク層６を設け、第１面とは反対の面（第２面とする）から供給する樹脂層除去液により、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する（図５）。

本発明に係わる樹脂層としては、樹脂層除去液により溶解除去可能な樹脂であれば特に限定されない。アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラール等のビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン及びその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が利用できる。また、次に述べる光架橋性樹脂も樹脂層として利用することができる。これらの樹脂は、同じ種類の樹脂であっても、その樹脂に含まれる官能基の種類や量、分子量の違いにより、溶解性は変化する。アルカリ水溶液を樹脂層除去液として使用する場合には、アルカリ水溶液に対する溶解性が高い樹脂を樹脂層として使用することで、樹脂層除去液により溶解除去が可能になる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、樹脂層としては酸価が１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の樹脂を好適に用いることができる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、樹脂層としては、カルボン酸基、メタクリル酸アミド、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホンイミド基、ホスホン酸基を有する単量体を含有する共重合体、及びフェノール樹脂、キシレン樹脂等が挙げられる。具体的な例としては、スチレン／マレイン酸モノアルキルエステル共重合体、メタクリル酸／メタクリル酸エステル共重合体、スチレン／メタクリル酸／メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸／メタクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸／メタクリル酸エステル／アクリル酸エステル共重合体、スチレン／メタクリル酸／アクリル酸エステル共重合体、スチレン／アクリル酸／メタクリル酸エステル共重合体、酢酸ビニル／クロトン酸共重合体、酢酸ビニル／クロトン酸／メタクリル酸エステル共重合体、安息香酸ビニル／アクリル酸／メタクリル酸エステル共重合体等のスチレン、アクリル酸アステル、メタクリル酸エステル、酢酸ビニル、安息香酸ビニルと上記カルボン酸含有単量体との共重合体が挙げられる。これらの樹脂は単独でも、あるいは２種以上を混合して用いてもよい。また、除去液に対する溶解性が確保されていれば、その他の添加剤を添加することもできる。

本発明に係わる光架橋性樹脂としては、例えば、回路基板製造用の光架橋型ドライフィルムフォトレジストが挙げられる。以下に例を挙げるが、本発明の趣旨と異ならない限り何れの光架橋性樹脂層であっても適用可能である。例えば、カルボン酸基を含むバインダーポリマー、光重合性の多官能モノマー、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなるネガ型の感光性樹脂組成物が使用できる。それらの配合比率は、感度、解像度、硬度、テンティング性等の要求される性質に合わせて決定される。これらの例は「フォトポリマーハンドブック」（フォトポリマー懇話会編、（株）工業調査会、１９８９年）や「フォトポリマー・テクノロジー」（山本亜夫、永松元太郎編、日刊工業新聞社、１９８８年）等に記載されている。市販品としては、例えばデュポンＭＲＣドライフィルム株式会社のリストン、日立化成工業株式会社のフォテック、旭化成エレクトロニクス株式会社のサンフォート等を使用することができる。市販品は、光架橋性樹脂フィルムが、ポリエステルフィルム等の支持体フィルムとポリエチレンフィルム等の保護フィルムとで挟まれた状態となっている。

本発明に係わるマスク層としては、樹脂層除去液若しくは光架橋性樹脂層除去液に対して不溶性又は難溶性である樹脂や金属等を使用することができる。樹脂としては、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン及びその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が利用できる。汎用性の点から、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等を好適に使用することができる。金属としては、銅やアルミニウム等を使用できる。レジストパターンの形成に係わるパターン露光をマスク層を介して行う場合には、パターン露光に障害がないように、光透過性を有する樹脂を使用する。マスク層は、フィルム形状として、樹脂層と一体化して基板上に形成するようにすれば、工程上、簡便で安定に樹脂層とマスク層の形成ができるので好ましい。光架橋性樹脂として前述のドライフィルムフォトレジストを利用した場合には、その支持体フィルムをそのままマスク層とすることができるので好ましい。これらの樹脂は、同じ種類の樹脂であっても、その樹脂に含まれる官能基の種類や量、分子量の違いにより、溶解性は変化する。アルカリ水溶液を樹脂層除去液として使用する場合には、これらの樹脂のうち、アルカリ水溶液に対する溶解性の低い樹脂をマスク層として使用することで、樹脂層除去液に不溶性又は難溶性となる。アルカリ水溶液を除去液として使用する場合、マスク層の酸価は、樹脂層の酸価の十分の一以下、好ましくは百分の一以下である樹脂を好適に使用することができる。

本発明に係わる樹脂層除去液又は光架橋性樹脂層除去液（以下、合わせて「除去液」と呼ぶ）としては、樹脂層又は光架橋性樹脂層を溶解又は分散可能な液であり、使用する樹脂層又は光架橋性樹脂層の組成に見合った液を使用する。除去液によって、貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層又は光架橋性樹脂層を除去し、貫通孔上及び貫通孔周辺部に樹脂層又は光架橋性樹脂層の存在しない領域を形成する。貫通孔上の樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去とは、少なくとも貫通孔の直上の樹脂層又は光架橋性樹脂層の一部が除去されて、貫通孔上に開口部が形成されている状態をいう。樹脂層又は光架橋性樹脂層の開口部において、これらの樹脂層上部の開口径は、貫通孔径よりも小さくてもよい。除去液は、マスク層は溶解しない液か、あるいは、マスク層を溶解する液であっても、樹脂層又は光架橋性樹脂層を適正量分だけ溶解する条件において、マスク層が膨潤したり、形状が変化したりすることがない液を使用する。一般的には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸又は炭酸アルカリ金属塩、リン酸又は炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン、エチレンジアミン、プロパンジアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物を使用することができる。これら水溶液は、樹脂層又は光架橋性樹脂層に対する溶解性を制御するため、濃度、温度、スプレー圧等を調整する必要がある。除去液の供給は、マスク層を有する面と反対の面から、貫通孔を通して樹脂層又は光架橋性樹脂層に除去液が接触するように供給できれば、いずれの方式を用いてもよい。ディップ処理装置、両面シャワースプレー装置、片面シャワースプレー装置等を利用することができる。樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去は、除去液による処理に続いて、水洗や酸処理を行うことによって、速やかに停止させることができる。

本発明に係わる樹脂層又は光架橋性樹脂層とマスク層とを一体に形成する方法としては、あらかじめ、マスク層となるフィルム支持体に樹脂層又は光架橋性樹脂層を形成したドライフィルムをラミネータにより基板にラミネートする方法を好適に使用することができる。

本発明に係わる絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、４２アロイ、ニクロム、タングステン、ＩＴＯ、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、１９８７年）に記載されている。

本発明に係わる絶縁性基板に第１導電層を設ける方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法、絶縁性基板に金属箔等の極薄導電層を張り合わせる方法や、導電層を張り合わせた積層板の導電層をエッチング処理によって薄膜とする方法などがある。絶縁性基板に貫通孔を開けた後に、絶縁性基板の表面及び貫通孔の内壁に第１導電層を設けることもできるし、また、絶縁性基板表面に第１導電層を設けた後に、貫通孔をあけ、再度、表面及び貫通孔内壁に第１導電層を設けてもよい。また、第２導電層は、第１導電層に対する電解めっき法によって形成することができる。

本発明に係わる無電解めっき処理、電解めっき処理は、例えば、「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、１９８７年）に記載されているものを使用することができる。

本発明の回路基板の製造方法（５）においては、以下のように両面にレジストパターンを順次形成して、セミアディティブ工法により回路基板を製造する。レジストパターンの形成方法としては、本発明の（１）〜（４）のいずれかを利用する。

まず絶縁性基板１（図１）に貫通孔３を形成する（図２）。次いで、絶縁性基板１の表面及び貫通孔３の内壁に第１導電層１２を設ける（図３）。その後、第１面に光架橋性樹脂層２５を貫通孔にテンティングするように設ける（図４）。その際、光架橋性樹脂層２５上には、マスク層６が光架橋性樹脂層２５と接触して形成してある。次いで、第１面と反対側にある第２面から光架橋性樹脂層除去液を供給し、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層２５を溶解除去する（図５）。除去液の種類と濃度、除去処理の時間と温度、スプレー使用の場合は除去液のスプレー圧、吐出量等の除去処理の条件を調整して、貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層２５の除去量を調整することができ、第１導電層の露出幅をコントロールすることができる。従って、ランドレスから狭小ランド、広大ランドまでその後のランド幅のコントロールが可能となる。必要な場合には洗浄、乾燥をし、その後、第１面の光架橋性樹脂層２５に対してパターン露光を行う。

パターン露光は、レーザ直接描画、フォトマスクを介した密着露光、プロキシミティ露光、投影露光等によって行われる。光源としては、各種レーザ光源の他、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を使用することができる。このパターン露光により、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる（図６）。

第１面に施したのと同様な方法で、第２面にも光架橋性樹脂層２５及びマスク層６を形成する（図７）。第１面のマスク層６を除去した後（図８）、再度、光架橋性樹脂層除去液による処理を行う。少なくとも第１面より除去液を供給するようにし、第１面表面の未硬化光架橋性樹脂層２５を溶解除去するとともに、貫通孔を通して、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層２５を溶解除去する（図９）。この際、第１面の処理と同様にして、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層２５の除去量を調整することができ、第１導電層１２の露出幅をコントロールすることができる。必要な場合には洗浄、乾燥をし、その後、第２面の光架橋性樹脂層２５に対してパターン露光を行って、非回路部の光架橋性樹脂を硬化させる（図１０）。

第１面のマスク層の除去は、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層の除去工程の後であれば、第２面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成以前に行ってもよい。第２面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成時に、第１面の損傷、汚染の可能性がある場合には、第２面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成の後に第１面のマスク層の除去を行った方が、パターン露光後の第１面をマスク層により保護できるので好ましい。一方、第１面からの光架橋性樹脂層除去液の処理の後、マスク層を除去してから、乾燥、露光等を行うこともできる。さらに、第１面の未硬化光架橋性樹脂層を除去した後、第２面の光架橋性樹脂層及びマスク層の形成を行い、次いで、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去してもよい。

パターン露光された第２面のマスク層６を除去した後（図１１）、光架橋性樹脂層除去液による処理を行う。少なくとも第２面より除去液を供給するようにし、第２面の表面の未硬化光架橋性樹脂層２５を溶解除去する（図１２）。

これにより、第１面、第２面両面に、めっきレジスト層として機能する硬化した光架橋性樹脂２６からなるレジストパターンを形成することができる。次いで、露出している第１導電層１２上に電解めっき処理により第２導電層１３を形成（図１３）し、その後、第１面及び第２面の硬化光架橋性樹脂層２６を除去（図１４）し、露出したままの第１導電層１２をフラッシュエッチングすることにより、ランドレス又は狭小ランド幅を有する回路基板を製造することができる(図１５)。

本発明の回路基板の製造方法において、めっきレジスト層として使用した硬化光架橋性樹脂層を除去する方法としては、高ｐＨのアルカリ性水溶液、有機溶剤等で除去する方法が挙げられる。

本発明に係わる第１導電層のフラッシュエッチングに使用するエッチング液は、第１導電層１２を溶解除去できるものであればよい。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、１９８７年）に記載されている。

図１６は、本発明の回路基板のランド部及び回路部を示す平面概略図である。本発明に係わるランド部導電層とは、ランドを形成する導電層であり、図１６中の符号「１８」で示す領域である。また、本発明に係わる回路部導電層とは、貫通孔、ランド以外の表面に回路形成された配線を構成する導電層であり、図１６中の符号「２８」で示す領域である。

また、本発明に係わるランドの回路部導電層との非連結部とは、ランド部導電層のうち回路部導電層と接していない領域である。

本発明に係わるランド部導電層の外側面の傾斜角度、及び、回路部導電層の側面の傾斜角度について、図１６〜図１８を用いて以下に説明する。

図１７（ａ）は、図１６の線Ｂにおける概略断面図であり、図１８（ａ）は、図１６の線Ｃにおける概略断面図である。図１７（ａ）は、ランドの回路部導電層との非連結部のランド部導電層１８の断面を表しており、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αとは、ランド部導電層頂端部１８ａとランド部導電層底端部１８ｂとを結ぶ線分と絶縁性基板１の表面とがなす角度であって、導電層を挟む側の角度を意味する。ここでランド部導電層底端部１８ｂは、図１７（ａ）に示すように、ランド部導電層１８が絶縁性基板１と接する面の外周輪郭部分である。

図１８（ａ）は、回路部導電層２８の断面を表しており、回路部導電層の側面の傾斜角度βとは、回路部導電層頂端部２８ａと回路部導電層底端部２８ｂとを結ぶ線分と絶縁性基板１の表面とがなす角度であって、導電層を挟む側の角度を意味する。ここで回路部導電層底端部２８ｂは、図１８（ａ）に示すように、回路部導電層２８が絶縁性基板１と接する面の輪郭部分である。

なお図１７においては、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが９０度よりも小さい場合（図１７（ａ））に加えて、比較のために、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが略９０度の場合（図１７（ｂ））、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが９０度より大きい場合（図１７（ｃ））のランド部導電層の断面についても示している。また、図１８においても、回路部導電層の側面の傾斜角度βが略９０度の場合（図１８（ａ））に加えて、比較のために、回路部導電層の側面の傾斜角度βが９０度より大きい場合（図１８（ｂ））、回路部導電層の側面の傾斜角度βが９０度よりも小さい場合（図１８（ｃ））の回路部導電層の断面についても示している。なおここで、「略９０度」とは、８５〜９５度をいう。

通常、回路部導電層の断面形状は、良好な信号の伝達速度を得るためには、矩形がよいと考えられていたが、従来の回路基板の製造方法では、回路部導電層の形状を矩形としながら、ランド部導電層の頂端部の形状を変更することは難しかった。しかるに、本発明の回路基板においては、回路部導電層の断面形状を矩形、すなわち回路部導電層の側面の傾斜角度を略９０度としたまま、図１７（ａ）に示すように、貫通孔に対して同心円状に連続して貫通孔周辺部に形成された、ランド部導電層の回路部導電層との非連結部における外側面の傾斜角度αを９０度より小さくする。

すなわち本発明の回路基板は、ランド部導電層１８の外側面の傾斜角度αと回路部導電層２８の側面の傾斜角度βとが異なり、回路部導電層の側面の傾斜角度βが略９０度であり、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αが９０度より小さい回路基板である。このような回路基板のランド部導電層１８及び回路部導電層２８の断面形状を採用することにより、ソルダーレジストの頂端部での厚みが表面張力及びソルダーレジストの硬化収縮が原因となって極端に薄くなるという問題が発生せずに良好なソルダーレジストの付与できるという好効果を有しつつ、回路部導電層の信号の伝達速度を良好に保つことができる。ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは、３０度から８０度の範囲が好ましく、６０度から８０度の範囲がより好ましい。

ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは、電解めっきによるめっき厚のほか、光架橋性樹脂層の膜厚、光架橋性樹脂層除去液による光架橋性樹脂層の除去条件によって変化する。例えば、光架橋性樹脂層の除去条件が同一であれば、電解めっきによるめっき厚が厚いほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。また、光架橋性樹脂層の除去条件が同一であれば、光架橋性樹脂層の膜厚が厚いほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。しかしながら、光架橋性樹脂層の除去条件の最適化がランド部導電層の外側面の傾斜角度αを小さくするのにも有効である。光架橋性樹脂層除去液による除去を大きくしてランド幅を広くすると、ランド部導電層の外側面の傾斜角度は大きくなり９０度に近づく方向に変化し、より狭いランド幅を形成する条件ほど、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは小さくなる。光架橋性樹脂層の除去量は、前述のとおり、除去液の種類と濃度、除去処理の時間と温度、スプレー使用の場合は除去液のスプレー圧、吐出量等の除去処理の条件を調整して制御する。本発明の回路基板の製造方法によりランドレス又は狭小ランド幅を形成することにより、良好なランド部導電層の外側面の傾斜角度を持った回路基板が得られる。本発明の回路基板の製造方法において、樹脂層又は光架橋性樹脂層の除去条件は、これらの樹脂層の厚さに依存するが、例えば光架橋性樹脂層の厚さが２０〜３０μｍの場合、好ましい除去条件は、除去液として１質量％の炭酸ナトリウム溶液を用い、除去温度３０℃、処理時間２０〜６０秒、スプレー圧０．１〜０．３ＭＰａである。

以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、基材厚み０．１ｍｍ）に、０．１ｍｍφの貫通孔をドリル加工機を使用して開けた後、デスミア処理を施し、次いで無電解めっき処理を行い、貫通孔内壁を含む表面に厚さ約０．５μｍの無電解銅めっき層を第１導電層として設けた。ドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、２５μｍの光架橋性樹脂層及び１２μｍのマスク層（支持体フィルム、材質：ポリエステル）よりなる、回路形成用ドライフィルムフォトレジストを基板の片面（第１面とする）に熱圧着し、光架橋性樹脂層及びマスク層（支持体フィルム）を設けた。

次に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いて、基板の第２面側よりスプレー圧０．２ＭＰａでシャワースプレーを３２秒間当てて、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去した。貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。図１９に示す貫通孔についての各種パラメータは、穴開け加工時の貫通孔径Ｌ１＝１００μｍ、めっき加工時の貫通孔径Ｌ２＝９９μｍ、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３＝１３９μｍ、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４＝１２１μｍであった。なお、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３は、光架橋性樹脂層が第１導電層と接する部分での開口径を測定し、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４は、光架橋性樹脂層がマスク層と接する部分での開口部を測定した。

回路パターンを描画したフォトマスク（導体幅及び間隙：３５μｍ）を基板の第１面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用いて、３０秒間紫外線パターン露光を行った。

次いで、露光処理が終了した基板の第２面に、ドライフィルムフォトレジスト用ラミネータを用いて、第１面と同一の回路形成用ドライフィルムフォトレジストを熱圧着して、光架橋性樹脂層及びマスク層を設けた。その後、第１面のマスク層を剥がして除去した。

次に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いて、基板の第１面側よりスプレー圧０．２ＭＰａでシャワースプレーを３３秒間当てて、第１面の光架橋性樹脂層の未硬化部分を除去するとともに第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去した。第２面の貫通孔及び貫通孔周辺部を光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されていた。穴開け加工時の貫通孔径Ｌ１＝１００μｍ、めっき加工時の貫通孔径Ｌ２＝９９μｍ、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３＝１３９μｍ、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４＝１２１μｍであった。

回路パターンを描画したフォトマスク（導体幅及び間隙：３５μｍ）を基板の第２面に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用いて、３０秒間紫外線パターン露光を行った。その後、第２面のマスク層を剥がして除去した。

次に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いて、基板の第２面側よりスプレー圧０．２ＭＰａでシャワースプレーを２５秒間当てて、第２面の光架橋性樹脂層の部分を除去した。

第１面、第２面の光架橋性樹脂からなるレジストパターンを観察した結果、貫通孔及び貫通孔周辺部には、同心円状に精度良く第１導電層が露出されるようにレジストパターンが形成されており、基板表面のレジストパターンも、良好に形成されていた。

次いで、電解銅めっきを行って、第１導電層上に厚さ約１２μｍの電解銅めっき層を、第２導電層として形成した。続いて、３質量％の水酸化ナトリウム水溶液で処理し、めっきレジスト層として使用した光架橋性樹脂の架橋部を剥離除去した。

さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（三菱ガス化学製、製品名ＣＰＥ、３０℃、スプレー圧 ０．２ＭＰａ）で処理し、露出している第１導電層を除去した。得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に形成されていた。図２０に示すフラッシュエッチング後の貫通孔径Ｌ５＝７６μｍ、ランド径Ｌ６＝１３８μｍ、ランド幅は１９μｍであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径の調査を詳細に行った結果、ランドのボトム（絶縁性基板との接触面）でのランド端部でのランド径Ｌ６は１３８μｍ、ランドのトップ（ランド部導電層の最も高い部分の輪郭）でのランド頂端部のランド径Ｌ７は１２９μｍで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは７０度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに３４μｍであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは９０度であった。

実施例１において、第１面及び第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いた処理時間を第１面では２６秒間、第２面では２８秒間と短く設定した点以外は、実施例１と同様にして回路基板の作製をおこなった。

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第１面、第２面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径Ｌ１＝１００μｍ、めっき加工時の貫通孔径Ｌ２＝９９μｍ、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３＝１１５μｍ、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４＝８６μｍであった。

実施例１と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径Ｌ５＝７６μｍ、ランド径Ｌ６＝１１４μｍ、ランド幅は７μｍであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム（絶縁性基板との接触面）でのランド端部でのランド径Ｌ６は１１４μｍ、ランドのトップ（ランド導電層の最も高い部分の輪郭）でのランド頂端部のランド径Ｌ７は１００μｍで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは６０度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに３４μｍであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは９０度であった。

実施例１において、第１面及び第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いた処理時間を第１面、第２面ともに５０秒間と長く設定した点以外は、実施例１と同様にして回路基板の作製をおこなった。

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第１面、第２面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径Ｌ１＝１００μｍ、めっき加工時の貫通孔径Ｌ２＝９９μｍ、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３＝１４９μｍ、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４＝１４０μｍであった。

実施例１と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径Ｌ５＝７６μｍ、ランド径Ｌ６＝１４８μｍ、ランド幅は２４μｍであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム（絶縁性基板との接触面）でのランド端部でのランド径Ｌ６は１４８μｍ、ランドのトップ（ランド導電層の最も高い部分の輪郭）でのランド頂端部のランド径Ｌ７は１４４μｍで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは８０度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに３４μｍであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは９０度であった。

実施例１において、４０μｍの光架橋性樹脂層及び１２μｍのマスク層（支持体フィルム、材質：ポリエステル）よりなる回路形成用ドライフィルムフォトレジストを用い、第１面及び第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を溶解除去する際に、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）の除去液を用いた処理時間を第１面、第２面ともに８８秒間と長く設定した点以外は、実施例１と同様にして回路基板の作製をおこなった。

電解銅めっきを行う直前の貫通孔及び貫通孔周辺部を第１面、第２面それぞれ光学顕微鏡で観察したところ、貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層は、貫通孔と同心円状に除去されており、穴開け加工時の貫通孔径Ｌ１＝１００μｍ、めっき加工時の貫通孔径Ｌ２＝９９μｍ、光架橋性樹脂層除去部の径Ｌ３＝１８１μｍ、光架橋性樹脂層上部の径Ｌ４＝１６６μｍであった。

実施例１と同様の処理を行い、フラッシュエッチング処理後に得られた回路基板を光学顕微鏡で観察したところ、ランドは貫通孔と同心円状に除去されており、フラッシュエッチング後の貫通孔径Ｌ５＝７６μｍ、ランド径Ｌ６＝１８０μｍ、ランド幅は４０μｍであった。回路基板に断線はなく、良好な狭小ランド幅を持った回路基板の作製ができた。また、この回路基板にソルダーレジストの付与を行ったところ、ランド部導電層頂端部においても、ソルダーレジストの厚みが極端に薄くなるような問題が発生せずに、良好にソルダーレジストの付与が行われた。

また、この回路基板の断面の観察を行い、ランド径を詳細に調査を行った結果、ランドのボトム（絶縁性基板との接触面）でのランド端部でのランド径Ｌ６は１８０μｍ、ランドのトップ（ランド導電層の最も高い部分の輪郭）でのランド頂端部のランド径Ｌ７は１７６μｍで、ランド部導電層の外側面の傾斜角度αは８０度であった。また、回路部導電層の断面形状は、配線のトップの線幅、ボトムの線幅ともに３４μｍであり、回路部導電層の側面の傾斜角度βは９０度であった。

本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造に利用することができる。

本発明の方法における一工程を示す断面図。 本発明の方法における図１に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図２に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図３に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図４に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図５に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図６に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図７に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図８に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図９に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図１０に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図１１に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図１２に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図１３に続く工程を示す断面図。 本発明の方法における図１４に続く工程を示す断面図。 本発明の回路基板の孔ランド部を表す平面図。 図１６の線Ｂ部分における断面図。 図１６の線Ｃ部分における断面図。 本発明の方法における穴開け加工時の貫通孔径、めっき加工時の貫通孔径及び光架橋性樹脂層除去部の径を示す断面図。 本発明の回路基板の孔ランド部を表す断面図。 多層回路基板の一例を示す概略断面図。 貫通孔とランドを表す概略平面図 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２３に続く工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２４に続く工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２５に続く工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２６に続く工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２７に続く工程を示す断面図。 セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２８に続く工程を示す断面図。 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法において、露光工程を示す断面図。 貫通孔とランドの位置ずれを表した概略図。 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法において、露光工程を示す断面図。 従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。 貫通孔とフォトマスク遮光部の位置ずれを表した概略図。

符号の説明

１ 絶縁性基板
２ 導電層
３ 貫通孔
６ マスク層
１２ 第１導電層
１３ 第２導電層
１７ 貫通孔
１８ ランド部導電層
１８ａ ランド部導電層頂端部
１８ｂ ランド部導電層底端部
２５ 光架橋性樹脂層
２６ 架橋部
２８ 回路部導電層
２８ａ 回路部導電層頂端部
２８ｂ 回路部導電層底端部
３１ 貫通孔
３６ めっきレジスト層
３８ ドライフィルムフォトレジスト
４１ フォトマスク
４２ 遮光部

Claims (14)

1. 貫通孔を有する基板の第１面に樹脂層及びマスク層を形成する工程と、
   基板の第１面とは反対側の第２面から樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の樹脂層を除去する工程と、
   を含むレジストパターンの形成方法。
2. 樹脂層とマスク層とを一体に形成する、請求項１記載のレジストパターンの形成方法。
3. 樹脂層が光架橋性樹脂層である、請求項１又は２記載のレジストパターンの形成方法。
4. 貫通孔を有する基板が、基板表面及び貫通孔内壁に導電層を有する絶縁性基板である、請求項１〜３のいずれか１項記載のレジストパターンの形成方法。
5. （ａ）貫通孔を有する絶縁性基板の第１面及び第１面とは反対側の第２面並びに貫通孔内壁に第１導電層を有する絶縁性基板を準備する工程、
   （ｂ）第１面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第１面の第１導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
   （ｃ）第２面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第１面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第１面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程、
   （ｄ）第１面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
   （ｅ）第２面に光架橋性樹脂層及びマスク層を形成して、第２面の第１導電層及び貫通孔開口部を光架橋性樹脂層及びマスク層で覆う工程、
   （ｆ）第１面のマスク層を除去する工程、
   （ｇ）第１面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第１面の未硬化光架橋性樹脂層並びに第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第１面上の第１導電層及び第２面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程、
   （ｈ）第２面の光架橋性樹脂層をパターン露光する工程、
   （ｉ）第２面のマスク層を除去する工程、
   （ｊ）第２面より光架橋性樹脂層除去液を供給して、第２面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第２面上の第１導電層を露出する工程、
   （ｋ）貫通孔内壁及び貫通孔周辺部、並びに第１面上及び第２面上に露出している第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、
   （ｌ）第１面上及び第２面上の硬化光架橋性樹脂層を除去して、第１面上及び第２面上の第１導電層を露出する工程、
   （ｍ）露出する第１導電層をフラッシュエッチングして除去する工程
   をこの順で含む回路基板の製造方法。
6. （ｆ）工程を（ｅ）工程の前に行う、請求項５記載の回路基板の製造方法。
7. （ｆ）工程を（ｄ）工程の前に行う、請求項５記載の回路基板の製造方法。
8. （ｇ）工程が、（ｇ１）第１面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第１面の未硬化光架橋性樹脂層を除去し、第１面上の第１導電層を露出する工程と、（ｇ２）第１面より光架橋性樹脂除去液を供給して、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の光架橋性樹脂層を除去し、第２面の貫通孔周辺部の第１導電層を露出する工程とからなり、（ｅ）工程を（ｇ１）工程と（ｇ２）工程の間で行う、請求項５記載の回路基板の製造方法。
9. 貫通孔を有する絶縁性基板の貫通孔周辺部に形成されたランド部導電層と、絶縁性基板の表面で回路配線を構成する回路部導電層と、貫通孔内壁の導電層とからなる回路基板であって、回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が９０度より小さい回路基板。
10. 回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、６０〜８０度である、請求項９記載の回路基板。
11. ランド部導電層の外側面からなる直径と穴開け加工時の貫通孔の直径との差が、０〜８０μｍである、請求項９又は１０記載の回路基板。
12. 回路部導電層との非連結部におけるランド部導電層の外側面の傾斜角度が、回路部導電層の側面の傾斜角度より小さい、請求項９〜１１のいずれか１項記載の回路基板。
13. 回路部導電層の側面の傾斜角度が略９０度である、請求項９〜１２のいずれか１項記載の回路基板。
14. ランド部導電層が、貫通孔に対して同心円状に形成されている、請求項９〜１３のいずれか１項記載の回路基板。

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