JP2003022711A - 電気絶縁膜、回路基板及び硬化性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平滑性とパターンニング性に優れた回路基板
製造用の電気絶縁膜を得る。 【解決手段】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
エーテル、窒素系硬化剤、及びエポキシ基含有化合物を
含有する硬化性組成物を硬化させてなる電気絶縁膜であ
って、（１）海相と島相とからなる相分離構造を有し、
かつ（２）当該相分離構造中、長径が１μｍ以上の島相
を実質的に有さない電気絶縁膜

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気絶縁膜及びそ
れを用いた回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板も、より高密度化が
要求されるようになってきている。回路基板の高密度化
の一般的手法として、回路基板を多層化することが良く
知られている。多層化された回路基板（多層回路基板）
は、通常、電気絶縁層（１）と、その表面に形成された
導電体回路（ａ）とからなる内層基板上に、電気絶縁層
（２）を積層し、当該電気絶縁層（２）の上に導電体回
路（ｂ）を形成することによって、必要に応じて、さら
に電気絶縁層と導電体回路を積層することによって得ら
れる。

【０００３】多層回路基板内の導電体回路相互間は、通
常、電気絶縁層で絶縁されているが、回路相互間を必要
に応じて通電するためにビアホールなどの配線で接続し
ている部分もある。電気絶縁層形成材料として使用され
る硬化性組成物は、通常、有機溶剤に溶解又は分散させ
たワニス、フィルム又はシートとして使用されている。
例えば、（１）ポリビニルアセタール樹脂と室温で液状
のエポキシ樹脂とを含有するもの（例えば、特開平７−
２６６４９２号公報参照）、（２）室温で固体のエポキ
シ樹脂と室温で液状のエポキシ樹脂とを含有するもの
（例えば、特開平１１−８７９２７号公報参照）、
（３）脂環式オレフィン重合体のごとき環構造含有重合
体と硬化剤及び室温で固体の固形ゴムを含有するもの等
が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】導電体回路の高密度化
を図るためには、電気絶縁層の厚みを薄くする必要があ
る。しかし、本発明者らの検討により、上記（１）や
（２）の硬化性組成物を用いて電気絶縁層を形成する
と、ビアホールなどの配線を形成する際、必ずしも高い
パターンニング性の得られないこと、（３）の硬化性組
成物を用いた場合、電気絶縁層内で海相と島相とからな
る相分離構造（海島構造）を形成し、十分に平滑な電気
絶縁層が形成されないことが判った。かかる従来技術の
下、本発明者らは、これらの問題を解決する電気絶縁膜
を得るべく鋭意検討した結果、脂環式オレフィン重合体
又は芳香族ポリエーテルと窒素系硬化剤とエポキシ基含
有化合物を組み合わせた硬化性組成物を用いて電気絶縁
膜を形成すると、相分離構造（海島構造）はできるもの
の、大きな島相が形成されず、平滑性とパターンニング
性に優れた電気絶縁膜が得られることを見いだし、本発
明を完成させるに到った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、第一に脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエー
テル、窒素系硬化剤、及びエポキシ基含有化合物を含有
する硬化性組成物を硬化させてなる電気絶縁膜であっ
て、（１）海相と島相とからなる相分離構造を有し、か
つ（２）当該相分離構造中、長径が１μｍ以上の島相を
実質的に有さない電気絶縁膜が提供され、第二に、当該
電気絶縁膜を有する回路基板が提供され、第三に脂環式
オレフィン重合体、窒素系硬化剤、及びエポキシ当量が
１０〜１０００ｇの式（１）に示された水素化ビスフェ
ノールＡ型液状エポキシ化合物を含有する硬化性組成物
が提供され、第四に導電体回路を有する基板の上に、当
該硬化性組成物を成形してなるシート又はフィルムを加
熱圧着させた後、硬化させることにより前記電気絶縁膜
を製造する方法が提供される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の電気絶縁膜は、脂環式オ
レフィン重合体又は芳香族ポリエーテル、窒素系硬化
剤、及びエポキシ基含有化合物を含有する硬化性組成物
を硬化させて得られるものである。脂環式オレフィン重
合体は、脂環式構造を有する不飽和炭化水素（以下、脂
環式オレフィンという）の重合体である。脂環式構造と
しては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造など
が挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、
シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造とし
ては、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み
合わせ多環など）のいずれであっても良い。脂環式構造
を構成する炭素原子数は、格別な制限はないが、通常４
〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜
１５個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び
成形性の諸特性が高度にバランスされ好適である。ま
た、本発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通
常、熱可塑性のものである。

【０００７】脂環式オレフィン重合体は、極性基を有す
るものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ
基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、
特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適で
ある。

【０００８】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして当
該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られ
る。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、
例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を有
する化合物を変性反応により導入することによって、
２）極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合
することによって、あるいは３）エステル基などの極性
基を含有する単量体を共重合成分として共重合した後、
エステル基を加水分解することによって得られる。

【０００９】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、

【００１０】５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルビニル−ビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−
ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチ
ル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．
２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、

【００１１】ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、

【００１２】トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デ
カ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエ
ン）、トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デカ−３
−エン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ
−３，７−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．
１^２，５〕ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ
〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３−エン、テト
ラシクロ〔７．４．０．１^{１０，１３}．０^２，７〕−ト
リデカ−２，４，６−１１−テトラエン（別名：１，４
−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレ
ン）、テトラシクロ〔８．４．０．１^{１１，１４}．０
^３，８〕−テトラデカ−３，５，７，１２−１１−テト
ラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１
０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）、

【００１３】テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロ
ドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．
１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチ
ル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．
１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テ
トラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ド
デカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
〔４．４．０．１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−
３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．
１^２，５．１^{７ ，１０}〕−ドデカ−３−エン、

【００１４】８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１
^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロ
ヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラ
シクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ
−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１^３，６．０
^２，７．０^９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、
ペンタシクロ〔７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．
０^２，７〕−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノ
ルボルネン系単量体；

【００１５】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。

【００１６】芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。

【００１７】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンは、
それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用い
ることができる。

【００１８】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィンや芳香族オレフィンと、これら共重合可能な単
量体とを共重合して得られるものであってもよい。脂環
式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可能な単量
体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−
ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３
−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、
４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセ
ン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチ
ル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エ
チル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−
ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−
オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数２〜２０の
エチレン又はα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、
４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，
４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役
ジエン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用すること
ができる。尚、エチレンやα−オレフィンは、開環重合
で用いた場合には分子量調整剤として機能し、重合用の
単量体としては機能しない。

【００１９】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重
合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法には
格別な制限はなく、公知の方法を採用することができ
る。

【００２０】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロ
アルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂
環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフ
ィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これ
らの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳
香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、
特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が
好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。なお、脂環式オレフィン重合体のなかでも、ノ
ルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物
は、その構造の違いから、Ｃ_ｎＨ_２ｎで表されるオレフ
ィンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂とは異種
のポリマーに分類されるものである。

【００２１】脂環式オレフィン重合体は、その分子量に
よって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分
子量は、シクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とする
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で
測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）
で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは
５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０
００〜２５０，０００の範囲である。脂環式オレフィン
重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこの範囲にあるとき
には、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ
好適である。

【００２２】脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、
シクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とするＧＰＣで
測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍ
ｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常５以下、好ましくは
４以下、より好ましくは３以下である。上記の重量平均
分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲及
び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合する
が、それに限定されるものではない。また、上記方法で
重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレ
フィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂
層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを
使用することができる。

【００２３】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以
上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以
上、最も好ましくは１２５℃以上である。

【００２４】芳香族ポリエーテルは、芳香族を有するポ
リエーテルであって、通常、２，６−ジメチルフェノー
ルや２，６−フェニルフェノールのごとき、２，６−ジ
置換フェノール類を、銅（ＩＩ）アミン錯体のごとき塩
基性銅（ＩＩ）の存在下で酸素と反応させて得ることが
できる。芳香族ポリエーテルとしては、ポリフェニレン
エーテル、変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられ
る。

【００２５】本発明に用いる窒素系硬化剤は、窒素原子
を含有する硬化剤であり、ハロゲン元素が含まれていな
いものが好ましい。

【００２６】窒素系硬化剤としては、例えば、ヘキサメ
チレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレン
トリアミン、テトラエチレンペンタミンなどの脂肪族ポ
リアミン；ジアミノシクロヘキサン、３（４），８
（９）−ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．
１．０^２，６］デカン；１，３−（ジアミノメチル）シ
クロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン
Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−
メチルシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシク
ロヘキシル）メタンなどの脂環族ポリアミン；４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジ
フェニルメタン、α，α’−ビス（４−アミノフェニ
ル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビ
ス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベ
ンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、メ
タフェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミンなど
の芳香族ポリアミン；ナイロン−６、ナイロン−６６、
ナイロン−６１０、ナイロン−１１、ナイロン−６１
２、ナイロン−１２、ナイロン−４６、メトキシメチル
化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタル
アミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミドなどのポ
リアミド；ヘキサメチレンジイソシアネート、トルイレ
ンジイソシアネートなどのイソシアネート；イソシアヌ
ル酸；

【００２７】トリアリルシアヌレート；１−アリルイソ
シヌレート、１，３−ジアリルイソシアヌレート、１，
３−ジアリル−５−ベンジルイソシアヌレート、トリア
リルイソシアヌレート、１−アリル−３，５−ジベンジ
ルイソシアヌレート；１−アリル−３，５−ジグリシジ
ルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジ
ルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート
などのイソシアヌレート；グリシジルアミン型エポキシ
化合物；ビスアジド化合物；などが挙げられる。これら
のうち、アリル基とエポキシ基とを含有する窒素系硬化
剤が好ましく、特に１−アリル−３，５−ジグリシジル
イソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジル
イソシアヌレートのごときアリル基とエポキシ基とを含
有するハロゲン不含のイソシアヌレート系硬化剤が好ま
しい。

【００２８】これらの窒素系硬化剤は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることがで
き、その配合割合は、脂環式オレフィン重合体又は芳香
族ポリエーテル１００重量部に対して、通常５〜１５０
重量部、好ましくは１５〜１１０重量部、より好ましく
は３０〜１００重量部の範囲である。

【００２９】もちろん、これらの窒素系硬化剤以外に
も、例えば、酸無水物、ジカルボン酸化合物、ジオール
化合物、トリオール化合物、多価フェノール化合物、グ
リシジルエーテル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化
合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物などの窒素
原子を有さない多価エポキシ化合物、一般的に用いられ
る硬化剤を併用しても良い。

【００３０】硬化剤は、単独で、あるいは２種以上を組
み合わせて用いることができ、その配合割合は、脂環式
オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル１００重量部
に対して、通常５〜１５０重量部、好ましくは１５〜１
１０重量部、より好ましくは３０〜１００重量部の範囲
である。

【００３１】脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエ
ーテルと硬化剤との硬化反応を促進させるために、硬化
促進剤や硬化助剤を使用することもできる。硬化促進剤
として、第３級アミン系化合物を使用すると、微細配線
に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性が向上
する。

【００３２】第３級アミン系化合物の具体例としては、
ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミ
ン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合
物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジ
ン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、
イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げら
れる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を
有する置換イミダゾール化合物が好ましい。

【００３３】置換イミダゾール化合物の具体例として
は、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソ
プロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換
イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミ
ダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、
ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−
（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４
−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリア
ジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラ
ルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換され
たイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中で
も、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式
オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテルとの相溶性の
観点から好ましく、特に、１−ベンジル−２−フェニル
イミダゾールが好ましい。

【００３４】硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上
を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使
用目的に応じて適宜選択されるが、脂環式オレフィン重
合体又は芳香族ポリエーテル１００重量部に対して、通
常０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０
重量部、より好ましくは０．０３〜５重量部である。

【００３５】硬化助剤は、必要に応じて使用される。硬
化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキ
ノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム
・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマ
レイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレー
ト、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エ
チルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系
硬化助剤等が挙げられる。この他、アリル基を有する硬
化剤に対して硬化助剤として機能する過酸化物を用いる
こともできる。

【００３６】過酸化物としては、例えば、ベンゾイルペ
ルオキシド、ジクロルベンゾイルペルオキシド、ジクミ
ルペルオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、
２，５−ジメチル−２，５−（ペルオキシドベンゾエー
ト）−３−ヘキシン、１，４−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル
ペルオキシイソプロピル）ベンゼン、ラウロイルペルオ
キシド、ｔｅｒｔ−ブチルペルアセテート、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ヘ
キシン−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ
−ブチルペルオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルペル
ベンゾエート、ｔｅｒｔブチルベルフェニルアセテー
ト、ｔｅｒｔ−ブチルペルイソブチレート、ｔｅｒｔ−
ブチルペル−ｓｅｃ−オクトエート、ｔｅｒｔ−ブチル
ペルピパレート、クミルペルピパレート及びｔｅｒｔ−
ブチルペルジエチルアセテート、メチルエチルケトンペ
ルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、１，１−
ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキ
シ）ブタン、ｔ−ブチルハイドロペルオキシド、２，５
−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロペルオキシ
ド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５
−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α’
−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベ
ンゼン、オクタノイルペルオキシド、イソブチリルペル
オキシド、ペルオキシジカーボネートなどが挙げられ
る。これら過酸化物のうち、ハロゲン元素を含有しない
ものが好ましい。過酸化物の量は、脂環式オレフィン重
合体又は芳香族ポリエーテル１００重量部に対して、通
常０．１〜４０重量部、好ましくは１〜２０重量部であ
る。過酸化物の量がこの範囲内にあるものは、より配線
埋め込みなどの積層性に優れる。

【００３７】本発明において液状エポキシ基含有化合物
は、溶剤の不存在下の常温（２５℃）で液体のエポキシ
基を有する化合物（あるいは樹脂）である。

【００３８】液体エポキシ基含有化合物の具体例として
は、１，１−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メ
タン（ＣＡＳ ５８４２１−５５−９）、１，１−ビス
（４−グリシジルオキシフェニル）エタン（ＣＡＳ ９
００３−８５−４）、２，６−ジブロモクレジル−４−
グリシジルエーテルなどのフェノール型液状エポキシ化
合物；Ｎ，Ｎ−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビ
ス−（ｎ−（オキシラニルメチル）−オキシラニルメタ
ンアミン）（ＣＡＳ ２８７６８−３２−３）、２−グ
リシジルアミノトルエン（ＣＡＳ ２０９５−０６−
９）、ジグリシジルアミノベンゼン（ＣＡＳ ４００２
７−５０−７）などのアミン型液状エポキシ化合物；
１，３−ジグリシジルオキシ−２，２−ジメチルプロパ
ン（ＣＡＳ３４６２９−７８−２）、１，４−ジグリシ
ジルオキシブタン（ＣＡＳ ２９６１１−９７−０）、
１−グリシジルオキシ−２，２−ジグリシジルオキシメ
チルブタン（ＣＡＳ ３０４９９−７０−８）などの直
鎖又は分岐のアルキルエーテル型液状エポキシ化合物；
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（ＣＡＳ
７−３４３）、ポリイソプロピレングリコールジグリ
シジルエーテル（ＣＡＳ ９０７２−６２−２）などの
ポリアルキレンエーテル型液状エポキシ化合物；下式
（１）で表される化合物などの水素化ビスフェノールＡ
型液状エポキシ化合物；フタル酸ジグリシジルエステル
（ＣＡＳ ７１９５−４５−１）、水素化フタル酸ジグ
リシジルエステル（ＣＡＳ ２７１０３−６６−８、Ｃ
ＡＳ ３６３４３−８１−４）などのエステル型液状エ
ポキシ化合物；エポキシ変性液状ゴム（具体的にはエポ
キシ変性液状ポリブタジエン）；ゴム分散液状エポキシ
樹脂；ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂；ビスフェ
ノールＦ型液状エポキシ樹脂；フェノールノボラック型
液状エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジエ
ステル；などが例示される。

【００３９】

【化１】

【００４０】これらの中でも電気絶縁膜中に比較的小さ
な島相を形成しやすいこと、耐薬品に優れることから、
水素化ビスフェノールＡ型液状エポキシ化合物が好まし
く、エポキシ当量が通常１０〜１０００ｇ、好ましくは
５０〜８００ｇ、より好ましくは８０〜５００ｇのオリ
ゴマーである水素化ビスフェノールＡ型液状エポキシ化
合物がより好ましい。エポキシ当量がこの範囲である
と、吸水性が低く電気絶縁性に優れる。水素化ビスフェ
ノールＡ型液状エポキシ化合物の中でも、前式（１）で
表される化合物（式（１）中のｎが２以上の化合物）が
特に好ましい。

【００４１】エポキシ基含有化合物は、単独で、あるい
は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合
割合は、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテ
ル１００重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ま
しくは５〜８０重量部、より好ましくは１０〜６０重量
部、更に好ましくは１５〜４０重量部の範囲である。

【００４２】本発明に係る硬化性組成物には、所望に応
じて、その他の成分を配合することができる。例えば、
ビアホールやスルホールなどの孔を形成するときに使用
されるレーザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を配合
するのが良い。例えば、炭酸ガスレーザを用いる場合シ
リカなどが用いられ、紫外線レーザ（例えばＵＶ−ＹＡ
Ｇレーザなど）を用いる場合、紫外線吸収剤が用いられ
る。レーザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を含有す
る組成物を用いた場合にはレーザによる孔形成が容易
で、スミアの発生なども少なくなる。紫外線吸収剤の具
体例としては、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサ
リシレートなどのサリチル酸系化合物；２，４−ジヒド
ロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ
ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベン
ゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベン
ゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベ
ンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジ
メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキ
シ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンゾイルフェニル）メタンなどのベン
ゾフェノン系化合物；

【００４３】２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフ
ェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ
−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’
−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テト
ラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニ
ル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ
−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−
［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどのベンゾト
リアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒ
ドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系化合物；２
−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニル
アクリレート、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェ
ニルアクリレートなどのシアノアクリレート系化合物；
ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル４）
セバケートなどのヒンダードアミン系化合物；ニッケル
ビス（オクチルフェニル）サルファイド、［２，２’−
チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラート）］−
ｎ−ブチルアミンニッケルなどの有機金属化合物、酸化
亜鉛、酸化すず、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリ
カ、クレーなどの無機化合物などが挙げられる。これら
の中でも、ベンゾトリアゾール系化合物が環構造含有重
合体との相溶性や加熱硬化時の安定性に優れる点から好
ましい。紫外線吸収剤の量は、脂環式オレフィン重合体
又は芳香族ポリエーテル１００重量部に対して、通常
０．１〜３０重量部、好ましくは１〜１０重量部であ
る。

【００４４】また、回路基板に難燃性を付与する目的
で、アンチモン、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、
ジルコニウム、モリブデン、スズなどの無機化合物から
なる無機難燃剤や、りん酸、りん酸エステルなどの含り
ん化合物、含りん化合物と塩基性含窒素化合物とりん酸
との塩からなるりん系難燃剤などの難燃剤を配合するこ
ともできる。難燃剤の量は、使用目的に応じて適宜選択
されるが、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエー
テル１００重量部に対して、通常０．１〜５０重量部、
好ましくは１〜２０重量部である。

【００４５】更に他の成分として、ゴム質重合体のよう
な軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、
レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッ
キング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成
油、ワックス、乳剤、充填剤などを、硬化性組成物に配
合できる。その配合割合は、本発明の目的を損ねない範
囲で適宜選択される。

【００４６】後に詳述する本発明の電気絶縁膜を得るに
当たり、通常、上述してきた脂環式オレフィン重合体又
は芳香族ポリエーテル、窒素系硬化剤、エポキシ基含有
化合物、及び必要に応じて用いられるその他の成分で構
成される硬化性組成物と有機溶剤とからなるワニスを使
用する。ワニスを得る方法に格別な制限はない。例えば
攪拌子とマグネチックスタラーを使用した攪拌、高速ホ
モジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪
拌機、ボールミル、三本ロール等を使用し、硬化性組成
物を構成する各成分や有機溶剤を混合する方法が挙げら
れる。ワニスを調製する際の温度は、窒素系硬化剤によ
る反応が作業性に影響を及ぼさない範囲であり、さらに
は安全性の点から混合時に使用する有機溶剤の沸点以下
が好ましい。

【００４７】有機溶剤としては、例えば、非極性溶剤と
して、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチ
ルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤；ｎ−ペンタン、
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶
剤；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水
素系溶剤等が挙げられ、極性溶剤として、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系
溶剤；酢酸イソブチル、酢酸シクロヘキシル、安息香酸
メチル、安息香酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピ
レングリコールメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶
剤；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、アニソ
ール等のエーテル系溶剤；エチレンカーボネート、プロ
ピレンカーボネート等のカーボネート系溶剤；ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリ
ドン等のアミド系溶剤を挙げることができる。

【００４８】これらの中でも、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキ
サノンアセトフェノン等のケトン系溶剤；酢酸シクロヘ
キシル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、プロピレン
グリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコ
ールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶剤；エ
チレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカー
ボネート系溶剤；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン等のアミド系溶剤等が好ましい。これらの溶剤
は、単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。これらの溶剤の中でも、微細配線への埋め
込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、芳香
族炭化水素系溶剤や脂環式炭化水素系溶剤のごとき非極
性溶剤と、ケトン系溶剤のごとき極性溶剤とを混合した
混合溶剤が好ましい。これらの非極性溶剤と極性溶剤の
混合比は適宜選択できるが、（非極性溶剤）：（極性溶
剤）重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ましくは１
０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：８０〜８
０：２０の範囲である。有機溶剤の使用量は、使用目的
に応じて適宜選択されるが、硬化性組成物のワニスの固
形分濃度が、通常５〜８０重量％、好ましくは１０〜７
０重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲
である。

【００４９】上記ワニスを、通常の溶液流延法により、
支持体に塗布した後、溶剤を乾燥除去して、上述してき
た硬化性組成物の成形体であるフィルム又はシートを得
ることができる。塗布方法としては、例えば、ディップ
コート、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、
スリットコート等の任意の方法を用いることができる。
溶剤の除去乾燥の条件は、溶剤の種類により適宜選択さ
れるが、乾燥温度は、通常２０〜３００℃、好ましくは
３０〜２００℃であり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時
間、好ましくは１分〜３０分である。フィルム又はシー
トの厚みは、通常０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．
５〜１００μｍ、より好ましくは１．０〜８０μｍであ
る。

【００５０】使用される支持体としては、樹脂フィルム
や金属箔等が挙げられる。樹脂フィルムとしては、通
常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、具体的には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフ
タレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、ナイロンフィルム等が挙げられる。これ
らの樹脂フィルムの中で、耐熱性や耐薬品性、積層後の
剥離性等の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエス
テルフィルムが好ましい。金属箔としては、例えば、銅
箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔等が
挙げられる。導電性が良好で安価であることから、銅
箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適である。支持体の厚
さは特に制限されないが、作業性の観点から、通常１μ
ｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、より
好ましくは３〜５０μｍである。

【００５１】本発明の電気絶縁膜は、上述した硬化性組
成物を硬化させて得られる。本発明の電気絶縁膜は、海
相と島相とからなる相分離構造を形成している。また、
この相分離構造中には、１μｍ以上、好ましくは０．７
μｍ以上の島相を実質的に有さない。そのため本発明の
電気絶縁膜は、平滑性と電気絶縁性に優れる。ここで、
「１μｍ以上の島相を実質的に有さない」とは、電気絶
縁膜断面の単位面積当たりに観察される長径１μｍ以上
の島相の数が、長径０．００１以上１μｍ未満の範囲に
ある島相の数に対して１０％以下、好ましくは５％以
下、より好ましくは１％以下であることを言う。「０．
７μｍ以上の島相を実質的に有さない」についても同様
である。本発明の電気絶縁膜の厚みは、通常１μｍ〜１
００μｍ、好ましくは５μｍ〜８０μｍ、より好ましく
は１０μｍ〜７０μｍである。膜の厚みがこの範囲であ
ると電気絶縁性に優れ、回路基板において高密度の配線
形成が可能である。電気絶縁膜が、海相と島相とからな
る相分離構造であることを確認する方法は、特に制限さ
れず、例えば電気絶縁層膜を薄切りした試料を、用いる
液状エポキシ基含有化合物に特徴的な構造と反応する酸
化ルテニウム（ＲｕＯ_４）などの試薬と反応させた後、
透過型電子顕微鏡にて観察する方法が挙げられる。島相
の長径も、この観察方法において測定することができ
る。このような大きな島相のない電気絶縁膜を得るため
には、特に、脂環式ポリオレフィン重合体を用い、窒素
系硬化剤としてはイソシアヌル酸誘導体を、液状エポキ
シ基含有化合物として水素化ビスフェノールＡ型液状エ
ポキシ化合物を選択すると良い。このとき、脂環式ポリ
オレフィン重合体に対する、イソシアヌル酸誘導体や水
素化ビスフェノールＡ型液状エポキシ化合物との使用割
合は上述した通りであり、イソシアヌル酸誘導体と水素
化ビスフェノールＡ型液状エポキシ化合物との使用割合
は、重量比で９０：１０〜２０：８０、好ましくは８
０：２０〜４０：６０である。

【００５２】本発明の回路基板は、本発明の電気絶縁膜
からなる電気絶縁層を有するものであれば良い。本発明
の回路基板を、以下に詳述する。回路基板は、電気絶縁
層（１）と、その表面に形成された導電体回路（ａ）と
からなる内層基板上に本発明の電気絶縁膜からなる電気
絶縁層（２）を形成し、必要に応じて、当該電気絶縁層
（２）の上に導電体回路（ｂ）を形成することにより得
られる。

【００５３】内層基板は、電気絶縁層（１）と、その表
面に形成された導電体回路（ａ）とを有するものであれ
ば特に制限されず、例えばプリント配線基板やシリコン
ウェハー基板が挙げられる。内層基板の厚みは、通常５
０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、よ
り好ましくは１００μｍ〜１ｍｍである。この内層基板
を構成する電気絶縁層（１）の材料は電気絶縁性のもの
であれば特に限定されない。電気絶縁層（１）の材料と
して、例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹
脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、トリアジン樹脂、芳香族ポリエーテル
などを含有する硬化性組成物を、硬化してなるものが挙
げられる。また、内層基板は、ガラス繊維、樹脂繊維な
どを強度向上のために含有させたものであってもよい。
この内層基板を構成する導電体回路（ａ）は、導電性金
属等の導電体により形成された電気回路であって、その
回路構成等は通常の回路基板に用いられているものと同
様なものを使用することができる。導電体回路の具体例
としては、導電体の厚みが１〜５０μｍ、好ましくは８
〜３５μｍ、導電体幅の最小が１〜３００μｍ、好まし
くは１０〜１００μｍ、導電体間隔の最小が１〜３００
μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。

【００５４】内層基板上に電気絶縁層（２）を形成する
に当たり、内層基板と電気絶縁層（２）との密着力を向
上させるために内層基板を前処理することが好ましい。
前処理としては、アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液
や過マンガン酸等を内層基板表面に接触させて表面を粗
化する方法、アルカリ性過硫酸カリウム水溶液、硫化カ
リウム−塩化アンモニウム水溶液等により表面を酸化し
た後に還元する方法、及び内層基板の導電体回路部分に
メッキを析出させ、粗化する方法、チオール化合物やシ
ラン化合物などによりプライマー層を形成する方法等が
挙げられる。なかでもチオール化合物を用いてプライマ
ー層を形成する方法は、導電体回路が銅である場合に、
銅の腐食がなく、高い密着性が得られる点で好適であ
る。

【００５５】内層基板上に、本発明の電気絶縁膜からな
る電気絶縁層（２）を形成する方法としては、Ａ）硬化
性組成物のワニスを内層基板上に塗布した後、溶剤を除
去乾燥して硬化性組成物の塗布層を形成した後、当該組
成物を硬化させる方法、又はＢ）硬化性組成物をフィル
ム又はシートに成形し、そのシート又はフィルムを加熱
圧着させた後に、硬化させる方法が挙げられる。内層基
板上に、硬化性組成物のワニスを塗布して硬化性組成物
を積層する場合には、必要に応じてワニスを濾過した
後、内層基板に塗布し、溶剤を除去する。塗布方法とし
ては、例えば、ディップコート、ロールコート、カーテ
ンコート、ダイコート、スリットコート等の任意の方法
を用いることができる。溶剤の除去乾燥の条件は、溶剤
の種類により適宜選択されるが、乾燥温度は、通常２０
〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃であり、乾燥時
間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１分〜３０分で
ある。

【００５６】硬化性組成物からなるフィルム又はシート
を内層基板上に積層するには、通常、支持体付きフィル
ム又はシートを、当該フィルム又はシートが内層基板面
に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、
真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の加
圧機を使用して加熱圧着することにより行う。加熱圧着
は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑
えるために減圧下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温
度は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００
℃、圧着圧力は、通常１０ｋＰａ〜２０ＭＰａ、好まし
くは１００ｋＰａ〜１０ＭＰａ、圧着時間は、通常３０
秒〜５時間、好ましくは１分〜３時間であり、通常１０
０ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましくは４０ｋＰａ〜１０Ｐａに
雰囲気を減圧する。こうした加熱圧着工程は、平滑性を
得るため、２回以上に分けて行うこともできる。硬化性
組成物を硬化させるために、通常、硬化性組成物を加熱
する。硬化剤の種類に応じて硬化条件は適宜選択される
が、硬化させるための温度は、通常３０〜４００℃、好
ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２０
０℃であり、硬化時間は、通常０．１〜５時間、好まし
くは０．５〜３時間である。前記支持体付きフィルム又
はシートを内層基板に積層させた場合には、前記支持体
が付いたままで、硬化性組成物からなるフィルム又はシ
ートを加熱し硬化させてもよいが、通常は、前記支持体
を剥がした後に硬化性組成物からなるフィルム又はシー
トを加熱し硬化させる。

【００５７】このようにして内層基板に、本発明の電気
絶縁膜（電気絶縁層（２））を形成させ、電気絶縁層
（２）が最表面となった本発明の回路基板が得られる。
この回路基板を最終的な回路基板製品として得た場合、
当該基板において、本発明の電気絶縁膜（電気絶縁層
（２））はソルダーレジスト層として機能する。

【００５８】本発明の回路基板を更に内層基板として、
電気絶縁層（２）上に新たな導電体回路を形成し、多層
回路基板を得ることができる。この多層回路基板は導電
体回路層を有する基板上に、本発明の電気絶縁膜からな
る層が形成された構造を有する。従ってこの多層回路基
板も、本発明の回路基板である。多層回路基板を製造す
る方法に格別な制限はないが、例えば、次の方法が挙げ
られる。電気絶縁層（２）上に新たな導電体回路を形成
する方法としては、メッキやスパッタリングによる方法
等が挙げられる。メッキやスパッタリングを行う前に、
電気絶縁層（２）と導電体回路（ｂ）との密着力を高め
るために、電気絶縁層（２）の表面を過マンガン酸やク
ロム酸等の液と接触させ、あるいはプラズマ処理等を施
すことができる。

【００５９】一方、前記支持体付きフィルム又はシート
を内層基板に積層させた場合は、支持体を全て除去し、
当該フィルム又はシートを硬化させた後に、メッキやス
パッタリング等によって導電体回路（ｂ）を形成させ
る。支持体が導電性金属箔の場合は、当該金属箔を一部
又は全部残して、そのまま導電体回路（ｂ）として利用
することもできる。本発明においては、電気絶縁層
（２）及び導電体回路（ｂ）を形成して得られた基板
を、新たな内層基板として、新たに電気絶縁層及び導電
体回路を幾層にも積層することができる。

【００６０】このような回路基板は、通常、電気絶縁層
（２）で仕切られた導電体回路（１）と導電体回路
（ｂ）との間をビアで接続して使用される。ビアは、ド
リル、レーザー等の物理的処理等によって形成すること
もできるし、硬化性組成物をマスキングして光硬化さ
せ、未硬化部分を取り除く、いわゆるフォトリソグラフ
ィーによっても形成することができる。これらのビア形
成方法のうち、電気絶縁層の特性を低下させず、より微
細なビアを形成することができるという観点から、炭酸
ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザ
ー等のレーザーによる方法が好ましい。

【００６１】また、上記回路基板は、導電体回路の一部
が金属電源層や金属グラウンド層、金属シールド層にな
っていてもよい。本発明の回路基板は、コンピューター
や携帯電話等の電子機器において，ＣＰＵやメモリ等の
半導体素子、その他の実装部品を実装するためのプリン
ト配線板として使用できる。特に、微細配線を有するも
のは、高密度プリント配線基板として、高速コンピュー
ターや高周波領域で使用する携帯端末の配線基板として
好適である。

【００６２】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に
断りのない限り重量基準である。本実施例において行っ
た評価方法は以下のとおりである。 （１）分子量 トルエンを溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値とし
て測定した。 （２）水素化率及びカルボキシル基含有率^１ Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ） 示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。 （６）島相の長径 電気絶縁層膜を約５０ｎｍに薄切りした試料をＲｕＯ_４
にて染色した後、透過型電子顕微鏡にて５００μｍ四方
の範囲を観察し、長径が０．７μｍ以上の島相が存在し
なかった場合を○、長径が０．７μｍ以上１μｍ未満の
島相の数が、長径が０．００１以上０．７μｍ未満の島
相の数に対して５％以下であった場合を△、１μｍ超過
の島相が存在した場合を×とした。 （７）表面の平滑性 絶縁層形成後に下層に導体層が無い部分の表面１ｃｍ角
を走査型白色干渉計を用いて観察し、Ｒａが１μｍ以下
のものを○、１μｍを越え２μｍ以下のものを△、２μ
ｍを超えるものを×とした。ここでＲａは、ＪＩＳ Ｂ
０６０１−１９９４で定義される表面粗さを示す値であ
る。 （８）パターニング性 多層回路基板の２層目の電気絶縁層上に、配線間距離５
０μｍ、配線幅５０μｍ、配線距離２ｃｍのマスクを用
いて、後述の方法により平行ライン配線を５０本形成し
た後に配線幅のばらつきを光学顕微鏡にて観察した。得
られた５０本の配線幅の平均と５０μｍの差の絶対値
が、３μｍ以内のものを○、３μｍを超え５μｍ以内の
ものを△、５μｍを超えるものを×とした。

【００６３】実施例１ ８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エンを開環重合し、次いで水
素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）＝３１，２０
０、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝約
１４０℃の水素化重合体を得た。得られたポリマーの水
素化率は９９％以上であった。得られた重合体１００
部、無水マレイン酸４０部及びジクミルパーオキシド５
部をｔ−ブチルベンゼン２５０部に溶解し、１４０℃で
６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液を１００
０部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反応生成物を
凝固させマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性
水素化重合体を１００℃で２０時間真空乾燥した。この
変性水素化重合体の分子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ
＝６８，３００でＴｇは１７０℃であった。マレイン酸
基含有率は２５モル％であった。

【００６４】前記変性水素化重合体１００部、１，３−
ジアリルー５−グリシジルイソシアヌレート５０部、ジ
クミルペルオキシド５部、２−［２−ヒドロキシ−３，
５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベン
ゾトリアゾール５部及び水素化ビスフェノールＡ型エポ
キシ化合物（商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−７０１
５、大日本インキ株式会社製、エポキシ当量＝２１０
ｇ）２０部、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール
０．１部をキシレン４０部及びシクロペンタノン２５部
からなる混合溶剤に溶解させてワニスＡを得た。

【００６５】当該ワニスを、孔径３μｍのポリテトラフ
ルオロエチレン製精密フィルタで濾過した後、ダイコー
ターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチ
レンナフタレートフィルム（キャリアフィルム）に塗工
し、その後、窒素オーブン中で１２０℃で１０分間乾燥
させ樹脂厚み４５μｍのキャリアフィルム付きドライフ
ィルムを得た。

【００６６】一方、２−ジブチルアミノ−４，６−ｓ−
トリアジンの０．１％イソプロピルアルコール溶液を調
製し、この溶液に配線幅及び配線間距離が５０μｍ、導
体厚みが１８μｍで表面がマイクロエッチング処理され
た内層回路を形成された厚さ０．８ｍｍの両面銅張り基
板（ガラスフィラー及びハロゲン不含エポキシ樹脂を含
有するワニスをガラスクロスに含浸させて得られたコア
材）を２５℃で１分間浸漬した後、９０℃で１５分間、
窒素置換されたオーブン中で乾燥させてプライマー層を
形成させて、内層基板を得た。

【００６７】前述の内層基板上に、前述のキャリアフィ
ルム付きドライフィルムを、樹脂面が内側となるように
して両面銅張り基板両面に重ね合わせた。これを、一次
プレスとして耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空積
層装置を用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１１０
℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。次い
で、二次プレスとして耐熱ゴム製プレス板と、金属製プ
レス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真
空積層装置を用いて、２００Ｐａに減圧して、温度１４
０℃、圧力１．０ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。そし
て、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がし、
１５０℃の窒素オーブン中に１２０分間放置し、内層基
板上に電気絶縁層を形成した。得られた電気絶縁層の島
相の長径を評価した。また、電気絶縁層の表面の平滑性
を評価した。評価結果を表１に示す。

【００６８】得られた積層板の、絶縁層部分に、ＵＶ−
ＹＡＧレーザー第３高調波を用いて直径３０μｍの層間
接続のビアホールを形成した。ビアホールを形成した基
板を、周波数１３.５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧
０.８Ｐａのアルゴンプラズマに、基板表面温度を約１
３０℃に保持して、１０分間さらした。次にプラズマ処
理された回路基板を出力５００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで
ニッケルスパッタ処理し、厚さ０.１μｍのニッケル膜
を形成させ、次いで出力５００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで
銅スパッタ処理し、厚さ０.３μｍの銅薄膜を形成させ
て、金属薄膜を有する積層板を得た。この積層板表面に
市販の感光性レジストのドライフィルムを熱圧着して貼
り付け、さらに、このドライフィルム上に所定のパター
ンのマスクを密着させ露光した後、現像してレジストパ
ターンを得た。次にレジスト非形成部分に電解銅メッキ
を施し厚さ１８μｍの電解銅メッキ膜を形成させた。次
いで、レジストパターンを剥離液にて剥離除去し、塩化
第二銅と塩酸混合溶液によりエッチング処理を行うこと
により、前記金属薄膜及び電解銅メッキ膜からなる配線
パターンを形成した。そして最後に、１７０℃で３０分
間アニール処理をして両面２層の配線パターン付き多層
回路基板を得た。得られた多層回路基板のパターニング
性の評価を行った。評価結果を表１に示す。

【００６９】比較例 実施例１で使用した水素化ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂の代わりに、２５℃における粘度が０．２８Ｐａ・
ｓであるポリブタジエン（商品名：日石ポリブタジエン
Ｂ−７００、日本石油化学株式会社製）を用いる以外は
実施例１と同様にして多層回路基板を得た。評価結果を
表1に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】この結果から、μｍ以上の島相のない相分
離構造（海島構造）を有する本発明の電気絶縁膜は、表
面の平滑性に優れ、パターンニング性も良好であること
が判った。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 65/00 Ｃ０８Ｌ 65/00 71/00 71/00 Ｙ Ｈ０１Ｂ 3/40 Ｈ０１Ｂ 3/40 Ｃ 3/42 3/42 Ｇ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｆターム(参考） 4F100 AB17 AK02B AK42 AK53B AK54B AL05B AT00A BA02 CA02B EC032 EJ083 EJ202 GB43 JB12B JG01A JG04B JK15 JL01 JM02B 4J002 BK00W CD00X CD01X CD04X CD05X CD06X CD07X CD13X CE00W CH06W CH07W CL00Y CL01Y CL03Y EL026 EN036 EN046 EN076 EQ036 ER006 EU046 EU056 EU116 EU126 EU136 EU146 EU166 EU186 EU196 FD14Y FD146 GF00 GQ01 5E346 AA05 AA06 AA12 AA26 BB01 CC08 CC09 DD02 EE02 EE06 EE08 GG02 HH11 HH24 5G305 AA06 AB40 BA18 CA01 CA13 CA16 CB16

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
   エーテル、窒素系硬化剤、及び液状エポキシ基含有化合
   物を含有する硬化性組成物を硬化させてなる電気絶縁膜
   であって、（１）海相と島相とからなる相分離構造を有
   し、かつ（２）当該相分離構造中、長径が１μｍ以上の
   島相を実質的に有さない電気絶縁膜。
2. 【請求項２】 エポキシ基含有化合物が水素化ビスフェ
   ノールＡ型液状エポキシ化合物である請求項１記載の電
   気絶縁膜。
3. 【請求項３】 硬化剤がイソシアヌル酸誘導体である請
   求項１又は２のいずれかに記載の電気絶縁膜。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の電気絶
   縁膜を有する回路基板。
5. 【請求項５】 脂環式オレフィン重合体、窒素系硬化
   剤、及びエポキシ当量が１０〜１０００ｇの水素化ビス
   フェノールＡ型液状エポキシ化合物を含有する硬化性組
   成物。
6. 【請求項６】 導電体回路を有する基板の上に、請求項
   ５記載の硬化性組成物を成形してなるシート又はフィル
   ムを加熱圧着させた後、硬化させることにより請求項１
   記載の電気絶縁膜を製造する方法。