JP2001217553A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気絶縁層と導電体層との密着性が高く、且
つパターニング性に優れた多層回路基板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
エーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化して
なる電気絶縁層の表面を、１）過マンガン酸塩又はプラ
ズマと接触させ、次いで乾式メッキすることによって、
２）乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキす
ることによって、３）乾式メッキを複数回繰り返した
後、湿式メッキをすることによって、又は４）メッキし
た後、アニーリングすることによって導電体層を形成す
ることを含む多層回路基板の製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板の製
造方法に関し、さらに詳しくは、電気絶縁層と導電体層
との密着性が高く、且つパターニング性に優れた多層回
路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板もより高密度化が要
求されるようになってきている。回路基板の高密度化の
一般的手法として、回路基板を多層化することが良く知
られている。多層回路基板は、通常、電気絶縁層（１）
と、その表面に形成された導電体回路（１）とからなる
内層基板上に、電気絶縁層（２）を積層し、該電気絶縁
層（２）の上に導電体回路（２）を形成することによっ
て、必要に応じて、さらに電気絶縁層と導電体回路を数
段積層することによって得られる。

【０００３】多層回路基板内の導電体回路は、電気絶縁
層の全面に、湿式メッキ法、乾式メッキ法などによっ
て、銅などの導電体を被覆し、必要に応じて、レジスト
などを用いて所望の回路パターンを形成するようにエッ
チングして、形成される。電気絶縁層とメッキによって
形成された導電体との密着を高めるために、電気絶縁層
の表面粗さを大きくすることがよく知られているが、し
かし、表面粗さの大きい電気絶縁層上に設けられた導電
体層は、パターニング性に劣る。そのため所望のインピ
ーダンスやコンダクタンスが得られずノイズを拾いやす
くなる。一方表面粗さを小さくすると電気絶縁層と導電
体との密着性が低下する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電気
絶縁層と導電体との密着性が高く、且つパターニング性
に優れた多層回路基板を提供することにある。本発明者
は、上記目的を達成するために鋭意研究をした結果、脂
環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を
含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の
表面を、 １）過マンガン酸塩又はプラズマと接触させ、次いで乾
式メッキすることによって、 ２）乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキす
ることによって、 ３）乾式メッキを複数回繰り返した後、湿式メッキをす
ることによって、又は ４）メッキした後、アニーリングすることによって、上
記目的を達成できることを見いだし、この知見に基づい
て本発明を完成するに到った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、（１）脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエー
テル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる
電気絶縁層の表面を過マンガン酸塩又はプラズマと接触
させ、次いで乾式メッキして導電体層を形成することを
含む多層回路基板の製造方法、（２）脂環式オレフィン
重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性
樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の表面に、乾式メ
ッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキして導電体層
を形成することを含む多層回路基板の製造方法、（３）
脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体
を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層
の表面に、乾式メッキを複数回繰り返し、次いで湿式メ
ッキして導電体層を形成することを含む多層回路基板の
製造方法、（４）脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポ
リエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化し
てなる電気絶縁層の表面を過マンガン酸塩又はプラズマ
と接触させ、乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式
メッキして導電体層を形成することを含む多層回路基板
の製造方法、及び（５）メッキした後、アニーリングし
て導電体層を形成することを含む前記（１）〜（４）の
いずれかの多層回路基板の製造方法が提供される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板の製造方法
は、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重
合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶
縁層（２）の表面を、後記の方法で処理することを含む
ものである。

【０００７】本発明に用いる電気絶縁層（２）は脂環式
オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を、好
適には脂環式オレフィン重合体を含有する硬化性樹脂組
成物を、硬化してなるものである。該組成物を構成する
脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を有するオレフ
ィンの重合体である。脂環式構造としては、シクロアル
カン構造やシクロアルケン構造などが挙げられるが、機
械的強度、耐熱性などの観点から、シクロアルカン構造
が好ましい。また、脂環式構造としては、単環、多環、
縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環などが挙
げられる。脂環式構造を構成する炭素原子数は、格別な
制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０
個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、機
械的強度、耐熱性、及び成形性の諸特性が高度にバラン
スされ好適である。また、本発明で使用される脂環式オ
レフィン重合体は、通常、熱可塑性のものである。

【０００８】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
構造を有するオレフィン（以下、脂環式オレフィンとい
うことがある。）由来の繰り返し単位を含有する。脂環
式オレフィン重合体中の脂環式オレフィン由来の繰り返
し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されるが、
通常３０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量
％、より好ましくは７０〜１００重量％である。脂環式
オレフィン由来の繰り返し単位の割合が過度に少ない
と、耐熱性に劣り好ましくないことがある。脂環式オレ
フィン由来の繰り返し単位以外の繰り返し単位として
は、格別な限定はなく、使用目的に応じて適宜選択され
る。

【０００９】本発明で用いられる脂環式オレフィン重合
体として、極性基を有するものが好ましい。極性基とし
ては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル
基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、
カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水
物基などが挙げられ、特に、カルボキシル基又はカルボ
ン酸無水物基が好適である。

【００１０】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして該
重合体の芳香環部分を水素化することによって得られ
る。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、
例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を有
する化合物を変性反応により導入することによって、
２）極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合
することによって、あるいは３）エステル基などの極性
基を含有する単量体を共重合成分として共重合した後、
エステル基を加水分解することによって得られる。

【００１１】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、

【００１２】５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−メトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−ビ
シクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチル
−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシクロ
〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．
２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、

【００１３】ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、

【００１４】トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デ
カ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエ
ン）、トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デカ−３
−エン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５〕ウンデカ
−３，７−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．
１^２，５〕ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ
〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３−エン、テト
ラシクロ〔７．４．０．１^{１０，１３}．０^２，７〕−ト
リデカ−２，４，６−１１−テトラエン（別名：１，４
−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレ
ン）、テトラシクロ〔８．４．０．１^{１１，１４}．０
^３，８〕−テトラデカ−３，５，７，１２−１１−テト
ラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１
０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）、

【００１５】テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロ
ドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．
１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチ
ル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．
１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テ
トラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ド
デカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
〔４．４．０．１^{２ ，５}．１^７，１０〕−ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−
３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．
１^２，５．１^{７ ，１０}〕−ドデカ−３−エン、

【００１６】８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、
８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１
^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロ
ヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５．１
^７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラ
シクロ〔４．４．０．１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ
−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１^３，６．０
^２，７．０^９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、
ペンタシクロ〔７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．
０^２，７〕−ペンタデカ−４，１１−ジエン、テトラシ
クロ〔６．５．０．１^２，５．０^８、１３〕トリデカー
３，８，１０，１２−テトラエン、テトラシクロ〔６．
６．０．１ ^２，５．１^８，１３〕テトラデカー３，８，
１０，１２−テトラエンのごときノルボルネン系単量
体；

【００１７】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。

【００１８】芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。

【００１９】脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフ
ィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。

【００２０】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これら共重合
可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよ
い。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可
能な単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテ
ン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブ
テン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−
ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−
ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、
３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセ
ン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数２
〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；１，４−ヘキ
サジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メ
チル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンな
どの非共役ジエン；等が挙げられる。これらの単量体
は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて
使用することができる。

【００２１】脂環式オレフィン又は／及び芳香族オレフ
ィンの重合方法及び必要に応じて行われる水素添加の方
法は、格別な制限はなく、公知の方法に従って行うこと
ができる。

【００２２】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、例えば、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単
環シクロアルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビ
ニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香
族オレフィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられ
る。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合
体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重
合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重
合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好
ましく、特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素
添加物が好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、
それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用い
ることができる。

【００２３】脂環式オレフィン重合体は、その分子量に
よって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分
子量は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測
定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）
で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは
５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０
００〜２５０，０００の範囲である。脂環式オレフィン
重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこの範囲にあるとき
には、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ
好適である。

【００２４】脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、
シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするＧＰＣで測
定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍ
ｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常５以下、好ましくは
４以下、より好ましくは３以下である。上記の重量平均
分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲及
び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合する
が、それに限定されるものではない。また、上記方法で
重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレ
フィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂
層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを
使用することができる。

【００２５】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、通常５
０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１０
０℃以上、最も好ましくは１２５℃以上である。

【００２６】硬化性樹脂組成物を構成する芳香族ポリエ
ーテル重合体は、芳香環を有するポリエーテルであっ
て、通常、２，６−ジメチルフェノールや２，６−ジフ
ェニルフェノールのごとき２，６−ジ置換フェノール類
を銅（ＩＩ）アミン錯体のごとき塩基性銅（ＩＩ）塩の
存在下で酸素と反応させて得ることができる。芳香族ポ
リエーテル重合体としては、ポリフェニレンエーテル、
変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。これらの
うち誘電率及び誘電正接が小さい変性ポリフェニレンエ
ーテルが好適である。

【００２７】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には硬化
剤が配合されていてもよい。硬化剤としては、格別な限
定はなく、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤
又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用
いられ、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性、及び脂環式オ
レフィン重合体との相溶性の観点でイオン性硬化剤が好
ましい。

【００２８】イオン性硬化剤としては、例えば、脂肪族
ポリアミン化合物；脂環族ポリアミン化合物；芳香族ポ
リアミン化合物；ビスアジド化合物；カルボン酸無水
物；ジカルボン酸；ジオール化合物；トリオール；多価
フェノール；多価アミド化合物；ジイソシアネート化合
物；多価エポキシ化合物などが挙げられる。ラジカル性
硬化剤としては、例えば、有機ペルオキシドなどが挙げ
られる。これらの中でも、ジオール化合物、多価フェノ
ール化合物及び常温固体の多価エポキシ化合物が、特
に、常温固体の多価エポキシ化合物が好ましい。

【００２９】これらの硬化剤は、それぞれ単独で、ある
いは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配
合割合は、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエー
テル重合体（以下、脂環式オレフィン重合体等とい
う。）１００重量部に対して、通常５〜１５０重量部、
好ましくは１５〜１１０重量部、より好ましくは３０〜
１００重量部の範囲である。

【００３０】脂環式オレフィン重合体等と硬化剤との硬
化反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使
用することもできる。硬化促進剤は、特に限定されな
い。硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、
第３級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好
適である。なかでも、第３級アミン系化合物を使用する
と、微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐
薬品性が向上する。

【００３１】これらの硬化促進剤は、それぞれ単独で、
あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。硬化促進
剤の配合量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、脂
環式オレフィン重合体等１００重量部に対して、通常
０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０重
量部、より好ましくは０．０３〜５重量部である。

【００３２】硬化助剤は、特に限定されるものではな
い。例えば、オキシム・ニトロソ系硬化助剤；マレイミ
ド系硬化助剤；アリル系硬化助剤；メタクリレート系硬
化助剤；ビニル系硬化助剤等が挙げられる。

【００３３】これらの硬化助剤は、それぞれ単独で、あ
るいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その
配合割合は、硬化剤１００重量部に対して、通常１〜１
０００重量部、好ましくは１０〜５００重量部の範囲で
ある。

【００３４】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には液状
エポキシ樹脂が配合されているのが好ましい。液状エポ
キシ樹脂は、溶剤の不存在下の常温で液体のエポキシ化
合物（あるいは樹脂）である。具体的には、フェノール
型液状エポキシ樹脂として、ＣＡＳ ５８４２１−５５
−９、ＣＡＳ ９００３−８５−４、、ＣＡＳ ３０６
２１−６５−９、ＣＡＳ ８９１１８−７０−７、ジブ
ロモクレジルグリシジルエーテル；アミン型液状エポキ
シ樹脂として、ＣＡＳ ２８７６８−３２−３、既存化
学物質 ３−２７９２、ＣＡＳ ２０９５−０６−９、
ＣＡＳ ４００２７−５０−７；アルコール型液状エポ
キシ樹脂として、ＣＡＳ ３４６２９−７８−２、ＣＡ
Ｓ ２９６１１−９７−０、ＣＡＳ ７−３４３、ＣＡ
Ｓ ９０７２−６２−２、ＣＡＳ ３０４９９−７０−
８、ＣＡＳ ３０５８３−７２−３、ＣＡＳ １１１２
１−１５−６；エステル型液状エポキシ樹脂としては、
ＣＡＳ ２７１０３−６６−８、ＣＡＳ ７１９５−４
５−１、ＣＡＳ ３６３４３−８１−４、ＣＡＳ ３６
２２１−２５−７、ＣＡＳ ６８４７５−９４−５、Ｃ
ＡＳ ６８９９１−７１−９；その他の液状エポキシ樹
脂として、ＣＡＳ２５０８５−９８−７、ＣＡＳ ２９
７９７−７１−５、ＣＡＳ ２６６１６−４７−７、Ｃ
ＡＳ ２８８２５−９６−９；エポキシ変性液状ゴム
（具体的にはエポキシ変性液状ポリブタジエン）、ゴム
分散液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型液状エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、フェノ
ールノボラック型液状エポキシ樹脂などが挙げられる。

【００３５】これら液状エポキシ樹脂は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることがで
き、その配合割合は、脂環式オレフィン重合体等１００
重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ましくは５
〜８０重量部、より好ましくは７〜６０重量部の範囲で
ある。

【００３６】本発明に用いる硬化性樹脂組成物には、所
望に応じて、その他の成分を配合することができる。そ
の他の成分としては、脂環式オレフィン重合体等以外の
重合体や配合剤などが挙げられる。

【００３７】脂環式オレフィン重合体等以外の重合体と
しては、例えば、ゴム質重合体や樹脂を挙げることがで
きる。ゴム質重合体は、通常３０℃以下のＴｇを有する
重合体であり、具体例としては、例えば、天然ゴム、ポ
リイソブチレンゴム、ブチルゴム、ポリブタジエンゴ
ム、ポリイソプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエ
ン共重合体ゴム、スチレン・ブタジエン共重合体ゴム、
スチレン・イソプレン共重合体ゴム、スチレン・ブタジ
エン・イソプレン三元共重合体ゴムのごときジエン系ゴ
ム及びこれらジエン系ゴムの水素添加物；エチレン・プ
ロピレン共重合体等のエチレン・α−オレフィン共重合
体、プロピレン・その他のα−オレフィン共重合体など
の飽和ポリオレフィンゴム；エチレン・プロピレン・ジ
エン共重合体、α−オレフィン・ジエン共重合体、イソ
ブチレン・イソプレン共重合体、イソブチレン・ジエン
共重合体などのα−オレフィン・ジエン系重合体ゴム；
ウレタンゴム、ポリエーテルゴム、アクリルゴム、プロ
ピレンオキサイドゴム、エチレンアクリルゴムなどの特
殊ゴム；スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重
合体ゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共
重合体ゴムなどのスチレン系熱可塑性エラストマー及び
それらの水素添加物；ウレタン系熱可塑性エラストマ
ー；ポリアミド系熱可塑性エラストマー；１，２−ポリ
ブタジエン系熱可塑性エラストマー；シリコーンゴムな
どが挙げられる。

【００３８】樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレ
ン、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、
超低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、シンジオタク
チックポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテンなど
のポリオレフィン；ナイロン６６などのポリアミド；エ
チレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体；ポリエステル；ポリカーボネート；ア
クリル樹脂；ポリイミド；シリコーン樹脂などが挙げら
れる。

【００３９】これらの重合体は、それぞれ単独で、ある
いは２種以上を組み合わせて用いることができる。その
他の重合体の配合割合は、脂環式オレフィン重合体等１
００重量部に対して、通常１００重量部以下、好ましく
は７０重量部以下、より好ましくは５０重量部以下であ
り、その下限は０重量部である。

【００４０】配合剤としては、フィラー、難燃剤、難燃
助剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、レベリング剤、帯電防
止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑
剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤など
が挙げられ、その配合割合は、本発明の目的を損ねない
範囲で適宜選択される。

【００４１】また、配合剤として絶縁抵抗性及び耐剥離
性を向上させるために、チオール化合物、特に、分子中
に少なくとも二個のチオール基を有する多価チオール化
合物が好ましく、さらに分子内にヘテロ環構造を有する
ものがより好ましい。ヘテロ環の構造としてはトリアジ
ン環構造が好ましい。配線埋め込み性をさらに考慮した
場合には特にトリアジンチオール化合物が好ましい。チ
オール化合物の配合量は、脂環式オレフィン重合体等１
００重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好
ましくは０．０１〜１０重量部である。配合量が少なす
ぎると、絶縁抵抗性及び耐剥離性の向上効果が発揮され
にくくなり、配合量が多すぎると、耐熱性及び耐薬品性
が低下傾向になる。

【００４２】電気絶縁層（２）は、通常、内層基板上に
形成される。内層基板は、電気絶縁層（１）と、その表
面に形成された導電体回路層（１）とからなる。内層基
板を構成する導電体回路層（１）は、導電性金属などの
導電体により形成された電気回路であって、その回路構
成などは通常の多層回路基板に用いられているものと同
じものが使用できる。内層基板の具体例として、プリン
ト配線基板、シリコンウェハー基板などが挙げられる。
内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは
６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは１００μｍ〜１
ｍｍである。

【００４３】内層基板を構成する電気絶縁層（１）の材
料は電気絶縁性のものであれば特に限定されない。電気
絶縁層（１）の材料として、例えば、脂環式オレフィン
重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アク
リル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、
ポリフェニレンエーテルなどを含有する硬化性組成物
を、硬化してなるものが挙げられる。また、内層基板
は、ガラス繊維などを強度向上のために含有させたもの
であってもよい。

【００４４】内層基板上に電気絶縁層（２）を形成する
方法としては、前記の硬化性樹脂組成物の溶液又は分散
液を内層基板上に塗布した後、溶媒を除去乾燥して硬化
性組成物の塗布層を形成した後、該組成物を硬化させる
方法が一般に採られている。しかし、本発明において
は、硬化性樹脂組成物をフィルム又はシートに成形し、
そのシート又はフィルムを加熱圧着等により内層基板上
に重ね合わせた後に、硬化することによって、電気絶縁
層（２）を形成することが好ましい。

【００４５】硬化性樹脂組成物をシート又はフィルムに
成形する方法は特に限定されないが、本発明においては
溶液キャスト法や溶融キャスト法で成形するのが好まし
い。溶液キャスト法では、硬化性樹脂組成物の溶液又は
分散液を支持体に塗布した後に、溶媒を乾燥除去する。

【００４６】本発明の硬化性樹脂組成物を溶解又は分散
させるために使用する溶媒としては、例えば、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンな
どの芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；シクロ
ペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系溶
媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベ
ンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、
シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒などを挙げること
ができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、あるいは
２種以上を組み合わせて用いることができる。

【００４７】これら溶媒のなかでも、微細配線への埋め
込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、芳香
族炭化水素系溶媒や脂環式炭化水素系溶媒のごとき非極
性溶媒と、ケトン系溶媒のごとき極性溶媒とを混合した
混合溶媒が好ましい。これらの非極性溶媒と極性溶媒の
混合比は適宜選択できるが、重量比で、通常５：９５〜
９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好
ましくは２０：８０〜８０：２０の範囲である。

【００４８】溶媒の使用量は、使用目的に応じて適宜選
択されるが、硬化性樹脂組成物の溶液又は分散液の固形
分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６５
重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲で
ある。

【００４９】硬化性樹脂組成物の溶媒中への分散又は溶
解方法は、常法に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネ
チックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザ
ー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボー
ルミル、三本ロールなどを使用した方法などで行うこと
ができる。

【００５０】溶液キャスト法に使用する支持体として、
樹脂フィルムや金属箔などが挙げられる。 樹脂フィル
ムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、
具体的には、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネイトフィ
ルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。こ
れら樹脂フィルムの中、耐熱性や耐薬品性、積層後の剥
離性などの観点からポリエステルフィルム、ポリエチレ
ンナフタレートフィルム等が好ましい。金属箔として
は、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、
金箔、銀箔などが挙げられる。導電性が良好で安価であ
る点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適であ
る。支持体の厚さは特に制限されないが、作業性等の観
点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜
１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍである。

【００５１】塗布方法として、デイップコート、ロール
コート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート
などの方法が挙げられる。また溶媒の除去乾燥の条件
は、溶媒の種類により適宜選択され、乾燥温度は、通常
２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃であり、乾
燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１分〜３０
分である。

【００５２】フィルム又はシートの厚みは、通常０．１
〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好
ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又は
シートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又
はシートを形成した後、支持体から剥離する。

【００５３】硬化性樹脂組成物からなるフィルム又はシ
ートを内層基板上に積層するには、通常、支持体付きの
フィルム又はシートを、該フィルム又はシートが内層基
板面に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレ
ス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータな
どの加圧機を使用して加熱圧着する。加熱圧着は、配線
への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑えるため
に真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温度は、通
常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、圧力
は、通常０．１〜２００ｋｇ／ｃｍ^２、好ましくは１〜
１００ｋｇ／ｃｍ ^２、圧着時間は、通常３０秒〜５時
間、好ましくは１分〜３時間、真空度は通常７６０ｍｍ
Ｈｇ ｖａｃ．〜０．０１ｍｍＨｇ ｖａｃ．、好まし
くは３００ｍｍＨｇ ｖａｃ．〜０．１ｍｍＨｇ ｖａ
ｃ．である。

【００５４】硬化性樹脂組成物を硬化させるために、通
常、硬化性樹脂組成物を加熱する。硬化剤の種類に応じ
て適宜選択されるが、硬化させるための温度は、通常３
０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好まし
くは１００〜２００℃であり、硬化時間は、通常０．１
〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。前記支持
体付きフィルム又はシートを内層基板に積層させた場合
には、前記支持体が付いたままで、硬化性樹脂組成物か
らなるフィルム又はシートを加熱し硬化させてもよい
が、通常は前記支持体を剥がした後に硬化性樹脂組成物
からなるフィルム又はシートを加熱し硬化させる。

【００５５】一方、前記支持体付きフィルム又はシート
を内層基板に積層させた場合は、支持体を全て除去し、
該フィルム又はシートを硬化させて電気絶縁層（２）を
得る。

【００５６】本発明の製造方法は、前記電気絶縁層
（２）の表面を、１）過マンガン酸塩又はプラズマと接
触させた後、乾式メッキすること、２）乾式メッキし、
次いで湿式メッキ又は乾式メッキすること、３）乾式メ
ッキを複数回繰り返した後、湿式メッキをすること、を
含むものである。

【００５７】本発明に用いる過マンガン酸塩としては、
例えば、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸、過マン
ガン酸ナトリウムなどが挙げられる。過マンガン酸塩
は、通常、水溶液の状態にして、電気絶縁層の表面に接
触させる。過マンガン酸塩水溶液の濃度は、通常０．０
０１〜５ｍｏｌ／ｌ、０．００５〜３ｍｏｌ／ｌであ
る。電気絶縁層に過マンガン酸塩を接触させるときの水
溶液温度は、通常１０〜１００℃、好ましくは４０〜９
０℃である。接触時間は、通常０．１〜１２０分、好ま
しくは１〜６０分である。過マンガン酸塩と接触させる
方法は特に限定されず、刷毛塗り法、浸漬法、スプレー
法などが挙げられる。

【００５８】プラズマは、アーク放電の電極間の気体；
放電管内の発光部分；コロナなどの高度に電離した気体
である。プラズマを発生させるための気体として、ネオ
ン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、酸素、窒
素、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、四塩化炭素な
どが挙げられる。プラズマと接触させる時間は、特に限
定されないが、通常１秒〜３０分、好ましくは１０秒〜
１０分である。

【００５９】過マンガン酸塩又はプラズマのどちらかと
接触させることによって、本発明の効果が得られるので
あるが、過マンガン酸塩と接触させた後に、プラズマと
接触させることによって、本発明の効果がより一層顕著
になる。

【００６０】乾式メッキには、真空蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリング、分子線エピタキシー、イオ
ン注入、イオンビームミキシングのごとき物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）；熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどの化
学蒸着などが挙げられる。これらのうち物理蒸着、特に
スパッタリングが好適である。

【００６１】スパッタリングの基本的構成は、放電管の
ごとき真空チャンバー中に、ターゲットと呼ばれる母材
（導電体層の元になる物質）を直流又は容量結合で高周
波電源に接続して陰極と、導電体層を堆積させる電気絶
縁層とを相対して設置し、電気絶縁層に母材を薄膜状に
堆積させるものである。スパッタリングの方法として
は、直流２極スパッタリング、高周波スパッタリング、
マグネトロンスパッタリング、対向ターゲットスパッタ
リング、ＥＣＲスパッタリング、バイアススパッタリン
グ、プラズマ制御型スパッタリング、マルチ・ターゲッ
トスパッタリングなどが挙げられる。これらのうち、直
流２極スパッタリング、又は高周波スパッタリングが好
適である。スパッタリングするときにかける電力は、通
常１００Ｗ以上、好ましくは６００Ｗ以上、より好まし
くは１１００Ｗ以上である。スパッタリングの電力を挙
げることによって密着性が向上する。

【００６２】乾式メッキによって、電気絶縁層（２）の
表面に、導電体層を形成する。乾式メッキで形成される
導電体層としては、ニッケル、銅、アルミニウム、金、
銀、クロムなどの導電性金属で形成されたものが挙げら
れる。乾式メッキは、１回、又は複数回行われる。同じ
膜厚の導電体層を得るために、乾式メッキを複数回繰り
返し行った場合には、乾式メッキを１回行った場合に比
べ、導電体層と電気絶縁層との密着性が向上する。乾式
メッキによって形成される導電体層の総厚さは、通常
０．０１〜５０μｍ、好ましくは０．０５〜２０μｍ、
より好ましくは０．２〜１０μｍである。乾式メッキを
複数回繰り返して行う場合には、所望の導電体層の厚み
を、通常、均等割りした厚みの導電体層を、１回分の乾
式メッキで形成させるのが好ましい。乾式メッキを複数
回繰り返して行う場合で、１回分の乾式メッキで形成さ
せる導電体層の厚みは、通常０．００１〜１０μｍ、好
ましくは０．０１〜５μｍである。

【００６３】乾式メッキのみによって導電体層を得ても
良いが、本発明の製造方法においては、乾式メッキし、
次いで湿式メッキすることが、導電体層と電気絶縁層と
の密着性を高めるために好ましい。湿式メッキには、電
気メッキ、無電解メッキ、溶融メッキなどが挙げられ
る。湿式メッキすることによって、乾式メッキで得られ
た導電体層の上に更に導電体層が堆積される。湿式メッ
キによって形成される導電体層としては、ニッケル、
銅、アルミニウム、金、銀、クロムなどの金属で形成さ
せたものが挙げられる。なお、乾式メッキで形成された
導電体層と同じ金属で湿式メッキをすることが好まし
い。湿式メッキによって形成される導電体層の厚みは、
通常５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍである。
湿式メッキで形成される導電体層の厚みに対する、乾式
メッキで形成される導電体層の厚みは、通常０．０１〜
５０％、好ましくは０．０５〜１０％である。乾式メッ
キで形成される導電体層の厚みが薄いと、乾式メッキ後
に行う湿式メッキの際にメッキ薬液によって乾式メッキ
層に欠損が生じパターン幅などが不均一になる傾向があ
り、乾式メッキで形成される導電体層の厚みが厚いとパ
ターンにクラックが発生しやすくなる傾向がある。乾式
メッキを行い、次いで湿式メッキを行って形成させる導
電体層の総厚みは、通常約５〜約５２μｍ、好ましくは
約１０〜約３１μｍである。

【００６４】本発明の好適な製造方法は、前述のごとく
メッキをした後、アニーリングすることを含むものであ
る。アニーリングは、メッキによって形成された導電体
層の構造を再構築するために行われる。アニーリングの
際の温度は、導電体層を形成する導電体の種類によっ
て、適宜、選択されるが、通常２０〜２５０℃、好まし
くは１００〜２００℃である。アニーリング時間は、通
常１〜６０分である。

【００６５】本発明の製造方法によって得られた基板
は、新たな内層基板として、その上に新たに電気絶縁層
および導電体回路を幾層にも積層することができる。

【００６６】本発明の製造方法によって得られた多層回
路基板は、通常、電気絶縁層（２）で仕切られた導電体
回路間をビアで接続して使用される。ビアは、ドリル、
レーザーなどの物理的処理によって形成することもでき
るし、前記硬化性樹脂組成物をマスキングして光で硬化
させ未硬化部分を取り除く、いわゆるフォトリソグラフ
ィーによっても形成することができる。これらビア形成
方法のうち、絶縁層の特性を低下させず、より微細なビ
アを形成できるという観点から、炭酸ガスレーザー、エ
キシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等のレーザーに
よる方法が好ましい。

【００６７】また、上記多層回路基板において、導電体
回路の一部は、金属電源層や金属グラウンド層、金属シ
ールド層になっていてもよい。

【００６８】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、〔部〕は、特に断
りのない限り〔重量部〕のことである。

【００６９】評価及び測定方法 （１）分子量は、特に断りのない限り、トルエンを溶媒
とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー
（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。 （２）水素化率及びカルボキシル基含有率は、^１Ｈ−Ｎ
ＭＲにより測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量法（Ｄ
ＳＣ法）により測定した。 （４）密着性試験 配線板の内層絶縁層と上層絶縁層のピール強度をＪＩＳ
Ｃ６４８１に準拠して、９０度剥離試験によって求め
た。 （５）パターニング性試験 配線幅３０μｍ、配線間距離３０μｍで１００本の配線
パターンを形成し、その配線１００本がいずれも形状に
乱れが無い場合は”Ａ”、形状に乱れがあるが欠損の無
いものを”Ｂ”、欠損のあるものを”Ｄ”として評価し
た。

【００７０】実施例１ ８−エチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．
１^２，５．１^７，１０〕−ドデカ−３−エンを開環重合
し、次いで水素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）
＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８０
０、Ｔｇ＝約１５５℃の水素化重合体を得た。得られた
ポリマーの水素化率は９９％以上であった。得られた重
合体２８部、無水マレイン酸１０部及びジクミルパーオ
キシド３部をｔ−ブチルベンゼン１３０部に溶解し、１
４０℃で６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液
を３００部のメタノール中に注ぎ、反応生成物を凝固さ
せマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性水素化
重合体を１００℃で２０時間真空乾燥した。この変性水
素化重合体の分子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６
８，３００でＴｇは１７０℃であった。マレイン酸基含
有率は２５モル％であった。

【００７１】前記の変性水素化重合体１００部、臭素化
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：アラルダイ
トＡＥＲ８０４９：旭チバ株式会社製）５０部、硬化促
進剤（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）０．
１部及び液状エポキシ化合物（商品名：シェルブロッ
ク：油化シェルエポキシ株式会社）３０部を、キシレン
１３５部及びシクロペンタノン９０部からなる混合溶媒
に溶解させてワニスを得た。

【００７２】該ワニスを孔径３ミクロンのテフロン製精
密フィルターでろ過した後、ダイコーターを用いて、３
００ｍｍ角の厚さ７５ミクロンのポリエチレンナフタレ
ートフィルム（キャリアフィルム）に塗工し、その後窒
素オーブン中で１２０℃で２１０秒間乾燥させ樹脂厚み
３５ミクロンのキャリアーフィルム付きドライフィルム
を得た。

【００７３】配線幅及び配線間距離が７５ミクロンで、
配線層厚さが１８ミクロンの導体配線層と、直径０．２
ｍｍのメッキスルーホールとが形成された、厚さ０．８
ｍｍのコア基板上に、前述のキャリアーフィルム付きド
ライフィルムを、樹脂面が内側となるようにしてコア基
板両面に重ね、真空ラミネーターを用いて、真空度１ｍ
ｍＨｇ ｖａｃ．、温度１５０℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ
^２で３０分間加熱圧着して積層板を得た。得られた積層
板をラミネーターから取り出し、ポリエチレンナフタレ
ートフィルムのみを剥がし、積層板を窒素オーブン中で
１８０℃で６０分間加熱して樹脂を硬化させて絶縁層を
形成した。

【００７４】得られた積層板の、絶縁層部分に、ＵＶ−
ＹＡＧレーザーを用いて直径３０ミクロンの層間接続の
ビアホールを形成した。次いで上記積層板を水洗、乾燥
させた後、１０００Ｗのアルゴンプラズマに１０分間さ
らした。次に該積層板を、銅スパッタ処理し、ビアホー
ルの壁面及び積層板表面全面に厚さ０．１ミクロンの銅
の薄膜を形成させた。この積層板表面に市販の感光性ド
ライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドラ
イフィルム上に所定のパターンのマスクを密着させ露光
した後、現像してレジストパターンを得た。次にレジス
ト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ１８ミクロンの
電解銅メッキ膜を形成させた。次いで、レジストパター
ンを剥離液にて剥離除去し、レジスト形成部分の下に隠
れていたスパッタ銅薄膜を塩化第二銅と塩酸混合溶液に
より除去して配線パターンを形成した。そして、最後
に、１７０℃で３０分間アニール処理をして回路基板を
得た。

【００７５】２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプ
ト−Ｓ−トリアジン０．１部をイソプロピルアルコール
１００部に溶解させ導電体層前処理溶液を得た。前述ま
でで得られた回路基板を、導電体層前処理溶液に室温で
１分間浸漬させた後、９０℃で１５分間乾燥させた。こ
の処理を施した回路基板を、前述のコア基板として使用
し、前述同様にして絶縁層、導電体層を繰り返し形成し
両面合計６層の多層回路基板を得た。評価結果を表１に
示す。

【００７６】比較例 実施例１において銅スパッタ処理を行わなかった他は、
実施例１と同様にして多層回路基板を得た。結果を表1
に示す。

【００７７】実施例２〜４ 銅スパッタ処理により形成するスパッタ銅薄膜の厚さを
０．３、０．５及び０．７ミクロンとした他は実施例１
と同様にして多層回路板を得た。評価結果を表１に示
す。 実施例５ 実施例２において、アルゴンプラズマ処理を１５００Ｗ
で行った他は実施例２と同様にして多層回路基板を得
た。評価結果を表１に示す。

【００７８】実施例６ 実施例２において銅スパッタ処理で０．１５ミクロンの
スパッタ銅薄膜を得、次いで、その銅薄膜の上に、さら
に銅スパッタ処理を行って０．１５ミクロンのスパッタ
銅薄膜を積層させて総厚さ０．３ミクロンの銅薄膜を得
た他は実施例２と同様にして多層回路基板を得た、評価
結果を表１に示す。 実施例７ アルゴンプラズマ処理する前に、過マンガン酸濃度０．
３ｍｏｌ／ｌ、苛性ソーダ濃度３．０ｍｏｌ／ｌになる
ように調整した８０℃の水溶液に約１０分間浸漬させ、
水洗、乾燥した他は実施例２と同様にして多層回路基板
を得た。評価結果を表１に示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】表１から、プラズマ前処理を行い、銅スパ
ッタ処理を行うと、密着強度が高いことがわかる。そし
て銅スパッタ処理を複数回繰り返すことによって密着強
度が高くなることがわかる。また銅スパッタ処理前に過
マンガン酸塩と接触させ、さらにプラズマと接触させる
ことによって密着強度が特段に高くなることがわかる。

【００８１】

【発明の効果】本発明の製法によれば、電気絶縁層と導
電体層との密着性が高く、且つパターニング性に優れた
多層回路基板を容易に得られる。本発明の多層回路基板
は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、
ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を
実装するためのプリント配線板として使用できる。特
に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板と
して、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携
帯端末の配線基板として好適である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
   エーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化して
   なる電気絶縁層の表面を過マンガン酸塩又はプラズマと
   接触させ、次いで 乾式メッキして導電体層を形成する
   ことを含む多層回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
   エーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化して
   なる電気絶縁層の表面に、乾式メッキし、次いで湿式メ
   ッキ又は乾式メッキして導電体層を形成することを含む
   多層回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
   エーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化して
   なる電気絶縁層の表面に、乾式メッキを複数回繰り返
   し、次いで湿式メッキして導電体層を形成することを含
   む多層回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
   エーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化して
   なる電気絶縁層の表面を過マンガン酸塩又はプラズマと
   接触させ、乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メ
   ッキして導電体層を形成することを含む多層回路基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】 メッキした後、アニーリングして導電体
   層を形成することを含む請求項１〜４記載のいずれかの
   多層回路基板の製造方法。