JPH09326547A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JPH09326547A JPH09326547A JP16534796A JP16534796A JPH09326547A JP H09326547 A JPH09326547 A JP H09326547A JP 16534796 A JP16534796 A JP 16534796A JP 16534796 A JP16534796 A JP 16534796A JP H09326547 A JPH09326547 A JP H09326547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の内部の膨れを抑制し，基板に対する導
体回路の密着性が高い，プリント配線板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板の表面に触媒核を付与する（Ｓ１
１）。導体回路形成部分を除いてめっきレジスト膜を被
覆し（Ｓ１２）。第１次無電解めっきを行って，基板の
表面における上記導体回路形成部分に第１次めっき層を
析出させる（Ｓ１３）。第１次めっき層を７０〜９０℃
に加熱する（Ｓ１４）。第２次無電解めっきを行って，
上記第１次めっき層の表面に該第１次めっき層の厚みよ
りも大きい厚みの第２次めっき層を析出させて，第１
次，第２次めっき層からなる導体回路を形成する（Ｓ１
５）。導体回路に対してアニール用の加熱を行う（Ｓ１
６）。
体回路の密着性が高い，プリント配線板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板の表面に触媒核を付与する（Ｓ１
１）。導体回路形成部分を除いてめっきレジスト膜を被
覆し（Ｓ１２）。第１次無電解めっきを行って，基板の
表面における上記導体回路形成部分に第１次めっき層を
析出させる（Ｓ１３）。第１次めっき層を７０〜９０℃
に加熱する（Ｓ１４）。第２次無電解めっきを行って，
上記第１次めっき層の表面に該第１次めっき層の厚みよ
りも大きい厚みの第２次めっき層を析出させて，第１
次，第２次めっき層からなる導体回路を形成する（Ｓ１
５）。導体回路に対してアニール用の加熱を行う（Ｓ１
６）。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，プリント配線板の製造方法に関
し，特に，無電解めっきにより導体回路を形成するフル
アディティブ基板の製造方法に関する。
し，特に，無電解めっきにより導体回路を形成するフル
アディティブ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】プリント配線板としては，例えば，図５に
示すごとく，基板９１の表面に導体回路９２を形成した
ものがある。基板９１の表面における導体回路９２が形
成されていない部分は，めっきレジスト層９３により被
覆されている。
示すごとく，基板９１の表面に導体回路９２を形成した
ものがある。基板９１の表面における導体回路９２が形
成されていない部分は，めっきレジスト層９３により被
覆されている。
【０００３】上記プリント配線板９を製造するに当たっ
ては，従来，以下に説明するフルアディティブ法が行わ
れていた。即ち，まず，基板９１の表面に表面粗化処理
を施して，粗化表面９１０となす。次いで，粗化表面９
１０にパラジウム触媒核を付与する。次いで，上記粗化
表面９１０における導体回路を形成しない部分に，めっ
きレジスト層９３を形成する。
ては，従来，以下に説明するフルアディティブ法が行わ
れていた。即ち，まず，基板９１の表面に表面粗化処理
を施して，粗化表面９１０となす。次いで，粗化表面９
１０にパラジウム触媒核を付与する。次いで，上記粗化
表面９１０における導体回路を形成しない部分に，めっ
きレジスト層９３を形成する。
【０００４】次いで，上記粗化表面９１０に無電解銅め
っき処理を行い，第１次めっき層９２１を形成する。こ
の第１次めっき層９２１の厚みは１．５μｍであり，基
板９１の粗化表面９１０に入り易い厚みである。次い
で，第１次めっき層９２１の表面に第２次無電解銅めっ
きを行い，厚み２０μｍの第２次めっき層９２２を形成
する。これにより，第１次めっき層９２１及び第２次め
っき層９２２からなる導体回路９２を形成する。その
後，導体回路９２を，約１５０℃の温度で加熱して，ア
ニールさせる。以上によりプリント配線板９を得る。
っき処理を行い，第１次めっき層９２１を形成する。こ
の第１次めっき層９２１の厚みは１．５μｍであり，基
板９１の粗化表面９１０に入り易い厚みである。次い
で，第１次めっき層９２１の表面に第２次無電解銅めっ
きを行い，厚み２０μｍの第２次めっき層９２２を形成
する。これにより，第１次めっき層９２１及び第２次め
っき層９２２からなる導体回路９２を形成する。その
後，導体回路９２を，約１５０℃の温度で加熱して，ア
ニールさせる。以上によりプリント配線板９を得る。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来のプ
リント配線板の製造方法においては，導体回路９２を形
成した後に，加熱を行って，導体回路のアニールをして
いた。この加熱を急激に行うと，導体回路９２の付近の
基板９１の内部に膨れが生じる。この膨れは，図６に示
すごとく，基板の内部に剥離（横長の三角形状を有する
黒色部分）を生じさせる。そして，基板９１に対する導
体回路９２の密着性を弱める原因ともなる。尚，図６に
おいて，横長の白い直線部分は，剥離部分周辺に形成さ
れた内部銅箔である。
リント配線板の製造方法においては，導体回路９２を形
成した後に，加熱を行って，導体回路のアニールをして
いた。この加熱を急激に行うと，導体回路９２の付近の
基板９１の内部に膨れが生じる。この膨れは，図６に示
すごとく，基板の内部に剥離（横長の三角形状を有する
黒色部分）を生じさせる。そして，基板９１に対する導
体回路９２の密着性を弱める原因ともなる。尚，図６に
おいて，横長の白い直線部分は，剥離部分周辺に形成さ
れた内部銅箔である。
【０００６】上記基板９１の内部に膨れが発生するメカ
ニズムは，以下のようであると推定されている。即ち，
図７に示すごとく，無電解銅めっきは，Ｃｕ−ＥＤＴＡ
が水酸化ナトリウム及びホールムアルデヒドと反応し
て，銅（Ｃｕ）が基板の粗化表面に析出する。この際，
原子状水素（Ｈ・）が発生する。この原子状水素（Ｈ
・）は，加熱によって水素ガス（Ｈ2 ）にかわる。
ニズムは，以下のようであると推定されている。即ち，
図７に示すごとく，無電解銅めっきは，Ｃｕ−ＥＤＴＡ
が水酸化ナトリウム及びホールムアルデヒドと反応し
て，銅（Ｃｕ）が基板の粗化表面に析出する。この際，
原子状水素（Ｈ・）が発生する。この原子状水素（Ｈ
・）は，加熱によって水素ガス（Ｈ2 ）にかわる。
【０００７】そのため，図８（ａ）に示すごとく，粗化
表面９１０を有する基板９１に，欠陥部９１９があると
する。この場合，図８（ｂ）に示すごとく，無電解銅め
っきを行って第２次めっき層９２２を析出させるときに
原子状水素（Ｈ・）が発生し，この原子状水素が基板９
１の欠陥部９１９に留まる。この基板９１に対してアニ
ール用の加熱をすると，図８（ｃ）に示すごとく，欠陥
部９１９に留まった原子状水素が水素ガス（Ｈ2 ）にか
わり，その際の膨張圧で基板９１に膨れ９９が生じる。
表面９１０を有する基板９１に，欠陥部９１９があると
する。この場合，図８（ｂ）に示すごとく，無電解銅め
っきを行って第２次めっき層９２２を析出させるときに
原子状水素（Ｈ・）が発生し，この原子状水素が基板９
１の欠陥部９１９に留まる。この基板９１に対してアニ
ール用の加熱をすると，図８（ｃ）に示すごとく，欠陥
部９１９に留まった原子状水素が水素ガス（Ｈ2 ）にか
わり，その際の膨張圧で基板９１に膨れ９９が生じる。
【０００８】そこで，かかる基板の膨れを防止するため
に，アニール用の加熱を行なうに当たり，低温から段階
を経て徐々に温度を上げることが考えられる。しかし，
この場合には，加熱に時間がかかる。
に，アニール用の加熱を行なうに当たり，低温から段階
を経て徐々に温度を上げることが考えられる。しかし，
この場合には，加熱に時間がかかる。
【０００９】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，基板
の内部の膨れを抑制し，基板に対する導体回路の密着性
が高い，プリント配線板の製造方法を提供しようとする
ものである。
の内部の膨れを抑制し，基板に対する導体回路の密着性
が高い，プリント配線板の製造方法を提供しようとする
ものである。
【００１０】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，基板の表面に導
体回路を設けてなるプリント配線板を製造する方法にお
いて，まず，基板の表面に触媒核を付与し，次いで，導
体回路形成部分を除いてめっきレジスト膜を被覆し，次
いで，第１次無電解めっきを行って，基板の表面におけ
る上記めっきレジスト膜により被覆されていない導体回
路形成部分に第１次めっき層を析出させ，次いで，上記
第１次めっき層を７０〜９０℃に加熱し，次いで，第２
次無電解めっきを行って，上記第１次めっき層の表面に
該第１次めっき層の厚みよりも大きい厚みの第２次めっ
き層を析出させることにより，第１次めっき層及び第２
次めっき層からなる導体回路を形成し，次いで，上記導
体回路に対してアニール用の加熱を行うことを特徴とす
るプリント配線板の製造方法である。
体回路を設けてなるプリント配線板を製造する方法にお
いて，まず，基板の表面に触媒核を付与し，次いで，導
体回路形成部分を除いてめっきレジスト膜を被覆し，次
いで，第１次無電解めっきを行って，基板の表面におけ
る上記めっきレジスト膜により被覆されていない導体回
路形成部分に第１次めっき層を析出させ，次いで，上記
第１次めっき層を７０〜９０℃に加熱し，次いで，第２
次無電解めっきを行って，上記第１次めっき層の表面に
該第１次めっき層の厚みよりも大きい厚みの第２次めっ
き層を析出させることにより，第１次めっき層及び第２
次めっき層からなる導体回路を形成し，次いで，上記導
体回路に対してアニール用の加熱を行うことを特徴とす
るプリント配線板の製造方法である。
【００１１】本発明において最も注目すべきことは，第
１次無電解めっきを行った後であって，第２次無電解め
っきを行う前に，第１次めっき層を７０〜９０℃に加熱
することである。第１次めっき層の加熱温度が７０℃未
満の場合には，第１次めっき層及び基板に吸蔵された吸
蔵水素の移動性を十分に高めることができず，吸蔵水素
の除去効率が低下する。逆に，９０℃を越える場合に
は，基板及び第１次めっき層の物性等に悪影響を及ぼす
こととなる。第１次めっき層の加熱は，例えば５分間以
上行う。５分間未満の場合には，吸蔵水素の移動性を十
分に高めることができず，吸蔵水素の除去効率が低下す
るおそれがある。
１次無電解めっきを行った後であって，第２次無電解め
っきを行う前に，第１次めっき層を７０〜９０℃に加熱
することである。第１次めっき層の加熱温度が７０℃未
満の場合には，第１次めっき層及び基板に吸蔵された吸
蔵水素の移動性を十分に高めることができず，吸蔵水素
の除去効率が低下する。逆に，９０℃を越える場合に
は，基板及び第１次めっき層の物性等に悪影響を及ぼす
こととなる。第１次めっき層の加熱は，例えば５分間以
上行う。５分間未満の場合には，吸蔵水素の移動性を十
分に高めることができず，吸蔵水素の除去効率が低下す
るおそれがある。
【００１２】本発明の作用効果について説明する。本発
明のプリント配線板の製造方法においては，第１次めっ
き層を加熱している。これにより，第１次めっき層及び
基板の表面付近に吸蔵されることがある吸蔵水素が，第
１次めっき層の金属粒子の隙間をぬって外部に抜け出し
易くなる。従って，吸蔵水素の量を確実に低減させるこ
とができる。
明のプリント配線板の製造方法においては，第１次めっ
き層を加熱している。これにより，第１次めっき層及び
基板の表面付近に吸蔵されることがある吸蔵水素が，第
１次めっき層の金属粒子の隙間をぬって外部に抜け出し
易くなる。従って，吸蔵水素の量を確実に低減させるこ
とができる。
【００１３】また，第１次めっき層は触媒核上に直接形
成されるため，水素の発生量が多い。そのため，第１次
めっき層を析出させた後に吸蔵水素を抜くことは，第２
次めっき層を析出させた後に抜くことよりも水素除去効
果が大きい。
成されるため，水素の発生量が多い。そのため，第１次
めっき層を析出させた後に吸蔵水素を抜くことは，第２
次めっき層を析出させた後に抜くことよりも水素除去効
果が大きい。
【００１４】更に，第１次めっき層の厚みは，第２次め
っき層よりも薄い。また，第１次めっき層には，ピンホ
ールがある。そのため，吸蔵水素が，第１次めっき層の
金属粒子の隙間から，容易に抜け出すことができる。こ
のように厚膜状の第２次めっき層を析出させる前に，予
め積極的に吸蔵水素を抜け出させることにより，アニー
ル用の加熱のときに水素ガスが発生することを防止し，
基板の内部の膨張を防止できる。従って，導体回路と基
板との密着性が向上する。
っき層よりも薄い。また，第１次めっき層には，ピンホ
ールがある。そのため，吸蔵水素が，第１次めっき層の
金属粒子の隙間から，容易に抜け出すことができる。こ
のように厚膜状の第２次めっき層を析出させる前に，予
め積極的に吸蔵水素を抜け出させることにより，アニー
ル用の加熱のときに水素ガスが発生することを防止し，
基板の内部の膨張を防止できる。従って，導体回路と基
板との密着性が向上する。
【００１５】なお，第１次めっき層の加熱によって吸蔵
水素が除去される理由としては，以下のように推定され
る。つまり，第１次めっき層及び絶縁基板の内部に吸蔵
されている吸蔵水素は，その大部分が原子の状態にある
ものと考えられる。第１次めっき層を加熱をすると，原
子状の水素が加熱エネルギーを吸収して分子化し，それ
に伴って吸蔵水素に体積膨張がおこるものと考えられ
る。その結果，吸蔵水素の移動性が高まり，吸蔵水素が
抜け出し易くなるのであろうと考えられる。
水素が除去される理由としては，以下のように推定され
る。つまり，第１次めっき層及び絶縁基板の内部に吸蔵
されている吸蔵水素は，その大部分が原子の状態にある
ものと考えられる。第１次めっき層を加熱をすると，原
子状の水素が加熱エネルギーを吸収して分子化し，それ
に伴って吸蔵水素に体積膨張がおこるものと考えられ
る。その結果，吸蔵水素の移動性が高まり，吸蔵水素が
抜け出し易くなるのであろうと考えられる。
【００１６】次に，請求項２の発明のように，上記第１
次めっき層の加熱は，上記基板を温水により洗浄するこ
とにより行うことが好ましい。これにより，吸蔵水素の
除去効果が更に高くなる。また，請求項３の発明のよう
に，第１次めっき層の加熱は，第１次めっき層を空気中
で加熱してもよい。これにより，上記温水による洗浄を
行う場合と同様に，吸蔵水素の放出が可能となる。
次めっき層の加熱は，上記基板を温水により洗浄するこ
とにより行うことが好ましい。これにより，吸蔵水素の
除去効果が更に高くなる。また，請求項３の発明のよう
に，第１次めっき層の加熱は，第１次めっき層を空気中
で加熱してもよい。これにより，上記温水による洗浄を
行う場合と同様に，吸蔵水素の放出が可能となる。
【００１７】次に，請求項４の発明は，上記第１次めっ
き層の加熱の後には，第１次めっき層の表面を酸で洗浄
し，水で洗浄し，その後，上記第２次無電解めっきを行
うことが好ましい。これにより，第１次めっき層上の酸
化被膜を除去することができ，第１次めっき層と第２次
めっき層との密着性が向上する。
き層の加熱の後には，第１次めっき層の表面を酸で洗浄
し，水で洗浄し，その後，上記第２次無電解めっきを行
うことが好ましい。これにより，第１次めっき層上の酸
化被膜を除去することができ，第１次めっき層と第２次
めっき層との密着性が向上する。
【００１８】次に，請求項５の発明のように，第１次め
っき層の厚みは，０．５μｍ〜３．０μｍの範囲内であ
ることが好ましい。この厚さが０．５μｍ未満の場合に
は，基板の表面に第１次めっき層の未着部分が生じるお
それがある。一方，３．０μｍを越える場合には，吸蔵
水素が外部に抜け出るときの距離が長くなるため，吸蔵
水素が十分に除去されないおそれがある。なお，上記第
１次めっき層の厚みは１．０μｍ〜２．０μｍの範囲内
であることが更に好ましい。これにより，第１次めっき
層を均一に析出させることができ，吸蔵水素を十分に除
去できる。
っき層の厚みは，０．５μｍ〜３．０μｍの範囲内であ
ることが好ましい。この厚さが０．５μｍ未満の場合に
は，基板の表面に第１次めっき層の未着部分が生じるお
それがある。一方，３．０μｍを越える場合には，吸蔵
水素が外部に抜け出るときの距離が長くなるため，吸蔵
水素が十分に除去されないおそれがある。なお，上記第
１次めっき層の厚みは１．０μｍ〜２．０μｍの範囲内
であることが更に好ましい。これにより，第１次めっき
層を均一に析出させることができ，吸蔵水素を十分に除
去できる。
【００１９】
実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかるプリント配線板の製造方法
について，図１〜図４を用いて説明する。本例は，基板
の表面に導体回路を設けてなるプリント配線板を製造す
る方法である（図５参照）。上記プリント配線板の製造
方法の概要について，図１を用いて説明する。まず，基
板の表面に触媒核を付与する（Ｓ１１）。次に，導体回
路形成部分を除いて基板の表面にめっきレジスト膜を被
覆する（Ｓ１２）。次に，第１次無電解めっきを行っ
て，上記導体回路形成部分に第１次めっき層を析出させ
る（Ｓ１３）。次に，第１次めっき層を７０〜９０℃に
加熱する（Ｓ１４）。次に，第２次無電解めっきを行っ
て，上記第１次めっき層の表面に該第１次めっき層の厚
みよりも大きい厚みの第２次めっき層を析出させて，第
１次，第２次めっき層からなる導体回路を形成する（Ｓ
１５）。次に，導体回路に対してアニール用の加熱を行
う（Ｓ１６）。
について，図１〜図４を用いて説明する。本例は，基板
の表面に導体回路を設けてなるプリント配線板を製造す
る方法である（図５参照）。上記プリント配線板の製造
方法の概要について，図１を用いて説明する。まず，基
板の表面に触媒核を付与する（Ｓ１１）。次に，導体回
路形成部分を除いて基板の表面にめっきレジスト膜を被
覆する（Ｓ１２）。次に，第１次無電解めっきを行っ
て，上記導体回路形成部分に第１次めっき層を析出させ
る（Ｓ１３）。次に，第１次めっき層を７０〜９０℃に
加熱する（Ｓ１４）。次に，第２次無電解めっきを行っ
て，上記第１次めっき層の表面に該第１次めっき層の厚
みよりも大きい厚みの第２次めっき層を析出させて，第
１次，第２次めっき層からなる導体回路を形成する（Ｓ
１５）。次に，導体回路に対してアニール用の加熱を行
う（Ｓ１６）。
【００２０】次に，上記の製造方法の詳細について，図
１〜図４を用いて説明する。まず，図２に示すごとく，
基板１を準備した。この基板は，サブトラクティブ法に
よって形成された内層導体回路を有するコア基板と，そ
の両面に積層，接着してなるプリプレグ及び絶縁接着剤
層とからなる。コア基板としては，ガラスエポキシ系樹
脂基板を用いた。絶縁接着剤層は，表面粗化剤に可溶な
エポキシ微粒子と，表面粗化剤に難溶なエポキシ系樹脂
とからなる。次いで，表面粗化剤としての７００ｇ／ｌ
のクロム酸水溶液に，上記基板を７０℃で１５分間浸漬
することにより，基板１の表面を粗化表面１０とした。
次いで，基板を中和液（大東化学社製）に浸漬した後，
基板を水洗した。
１〜図４を用いて説明する。まず，図２に示すごとく，
基板１を準備した。この基板は，サブトラクティブ法に
よって形成された内層導体回路を有するコア基板と，そ
の両面に積層，接着してなるプリプレグ及び絶縁接着剤
層とからなる。コア基板としては，ガラスエポキシ系樹
脂基板を用いた。絶縁接着剤層は，表面粗化剤に可溶な
エポキシ微粒子と，表面粗化剤に難溶なエポキシ系樹脂
とからなる。次いで，表面粗化剤としての７００ｇ／ｌ
のクロム酸水溶液に，上記基板を７０℃で１５分間浸漬
することにより，基板１の表面を粗化表面１０とした。
次いで，基板を中和液（大東化学社製）に浸漬した後，
基板を水洗した。
【００２１】次に，Ｓ１１において，上記基板１を，脱
脂剤（商品名；コンディショナー２３１，シプレイ社
製）に７０℃で２分間浸漬して，コンディショニング処
理を行なった。次いで，２分間の湯洗（７０℃）を１回
行い，更に３分間の水洗を２回行った。
脂剤（商品名；コンディショナー２３１，シプレイ社
製）に７０℃で２分間浸漬して，コンディショニング処
理を行なった。次いで，２分間の湯洗（７０℃）を１回
行い，更に３分間の水洗を２回行った。
【００２２】次いで，基板１を，触媒化剤（商品名；キ
ャタプリップ４０４，シプレイ社製）２７０ｇ／ｌに４
０℃で２分間浸漬し，次いで，触媒化剤（商品名；キャ
タポジット４４，シプレイ社製）の３％溶液に４０℃で
７分間浸漬した。これにより，Ｐｄの周囲をＳｎが取り
囲んだ状態のＰｄ−Ｓｎコロイドが基板１の表面に付着
した。
ャタプリップ４０４，シプレイ社製）２７０ｇ／ｌに４
０℃で２分間浸漬し，次いで，触媒化剤（商品名；キャ
タポジット４４，シプレイ社製）の３％溶液に４０℃で
７分間浸漬した。これにより，Ｐｄの周囲をＳｎが取り
囲んだ状態のＰｄ−Ｓｎコロイドが基板１の表面に付着
した。
【００２３】次いで，１分間の水洗を３回行った後，弱
酸性の活性化剤（商品名アクセラレータ１９，シプレイ
社製）を溶解させた１７％溶液に，基板を室温で７分間
浸漬して，活性化処理を行った。これにより，Ｐｄイオ
ンが２価から４価に変化して，Ｐｄ−Ｓｎコロイドが触
媒核１１となった。
酸性の活性化剤（商品名アクセラレータ１９，シプレイ
社製）を溶解させた１７％溶液に，基板を室温で７分間
浸漬して，活性化処理を行った。これにより，Ｐｄイオ
ンが２価から４価に変化して，Ｐｄ−Ｓｎコロイドが触
媒核１１となった。
【００２４】次いで，Ｓ１２において，基板１の上にめ
っきレジスト（商品名ＳＲ−３２００，日立化成株式会
社製）をラミネートして，基板１の上にめっきレジスト
層を形成した（図５参照）。次いで，めっきレジスト層
を露光マスクにより被覆して，露光した。次いで，スプ
レー現像機によりめっきレジスト層を現像して，基板の
表面における導体回路を形成する部分のめっきレジスト
層を除去し，導体回路を形成しない部分だけを残した
（図５参照）。なお，上記Ｓ１２の後に，基板を６Ｎ塩
酸に浸漬し，上記弱酸性の１７％溶液に浸漬して，触媒
核の再活性化処理を行い，その後水洗した。
っきレジスト（商品名ＳＲ−３２００，日立化成株式会
社製）をラミネートして，基板１の上にめっきレジスト
層を形成した（図５参照）。次いで，めっきレジスト層
を露光マスクにより被覆して，露光した。次いで，スプ
レー現像機によりめっきレジスト層を現像して，基板の
表面における導体回路を形成する部分のめっきレジスト
層を除去し，導体回路を形成しない部分だけを残した
（図５参照）。なお，上記Ｓ１２の後に，基板を６Ｎ塩
酸に浸漬し，上記弱酸性の１７％溶液に浸漬して，触媒
核の再活性化処理を行い，その後水洗した。
【００２５】次いで，Ｓ１３において，薄付け無電解銅
めっき液（商品名；ＥＬＣ−ＳＰ浴，上村工業株式会社
製）に基板を浸漬した。これにより，図３に示すごと
く，基板１の粗化表面１０に，厚み約１．５μｍの第１
次めっき層３１を析出させた。
めっき液（商品名；ＥＬＣ−ＳＰ浴，上村工業株式会社
製）に基板を浸漬した。これにより，図３に示すごと
く，基板１の粗化表面１０に，厚み約１．５μｍの第１
次めっき層３１を析出させた。
【００２６】次いで，Ｓ１４において，８０℃の湯を満
たした恒温槽の中に，上記基板を３０分間浸漬した。こ
れにより，第１次めっき層３１および基板１の内部に吸
蔵されていた吸蔵水素が外部に放出された。このとき，
恒温槽の中には，連続的に空気を吹き込むことによっ
て，第１次めっき層３１の外面に対する酸素供給量が増
加し，吸蔵水素の移動性を高めた。この空気の吹き込み
によって，静置状態又は酸素不足状態で加熱処理を行う
場合よりも，吸蔵水素の除去効果が高かった。
たした恒温槽の中に，上記基板を３０分間浸漬した。こ
れにより，第１次めっき層３１および基板１の内部に吸
蔵されていた吸蔵水素が外部に放出された。このとき，
恒温槽の中には，連続的に空気を吹き込むことによっ
て，第１次めっき層３１の外面に対する酸素供給量が増
加し，吸蔵水素の移動性を高めた。この空気の吹き込み
によって，静置状態又は酸素不足状態で加熱処理を行う
場合よりも，吸蔵水素の除去効果が高かった。
【００２７】次に，基板１を１０〜３０％の硫酸水溶液
で洗浄した。これにより，第１次めっき層上の酸化被膜
を除去した。次に，基板１を２〜３分間水洗して，基板
の表面から硫酸を除去した。
で洗浄した。これにより，第１次めっき層上の酸化被膜
を除去した。次に，基板１を２〜３分間水洗して，基板
の表面から硫酸を除去した。
【００２８】次に，Ｓ１５において，厚付け用無電解銅
めっき液（商品名；ＥＬＣ−ＵＭ浴，上村工業株式会社
製）に浸漬して，第２次無電解めっきを行った。これに
より，図４に示すごとく，第１次めっき層３１の表面
に，厚み３０μｍの第２次めっき層３２を析出させた。
これにより，第１次めっき層３１及び第２次めっき層３
２からなる導体回路３を形成した。
めっき液（商品名；ＥＬＣ−ＵＭ浴，上村工業株式会社
製）に浸漬して，第２次無電解めっきを行った。これに
より，図４に示すごとく，第１次めっき層３１の表面
に，厚み３０μｍの第２次めっき層３２を析出させた。
これにより，第１次めっき層３１及び第２次めっき層３
２からなる導体回路３を形成した。
【００２９】次いで，Ｓ１６において，導体回路３に対
して１２０℃，５時間及び１５０℃，２時間のアニール
用の加熱を行なった。これにより，上記プリント配線板
を得た。このプリント配線板の内部構造を，倍率１００
倍の顕微鏡で観察した。その結果，基板に膨れは発生し
ていなかった。
して１２０℃，５時間及び１５０℃，２時間のアニール
用の加熱を行なった。これにより，上記プリント配線板
を得た。このプリント配線板の内部構造を，倍率１００
倍の顕微鏡で観察した。その結果，基板に膨れは発生し
ていなかった。
【００３０】次に，本例の作用効果について説明する。
本例のプリント配線板の製造方法においては，図１に示
すごとく，Ｓ１４において，第１次めっき層を加熱して
いる。加熱により，第１次めっき層，基板の表面付近に
含まれることがある吸蔵水素が，第１次めっき層の金属
粒子の隙間をぬって外部に抜け出し易くなる。従って，
吸蔵水素の量を確実に低減させることができる。
本例のプリント配線板の製造方法においては，図１に示
すごとく，Ｓ１４において，第１次めっき層を加熱して
いる。加熱により，第１次めっき層，基板の表面付近に
含まれることがある吸蔵水素が，第１次めっき層の金属
粒子の隙間をぬって外部に抜け出し易くなる。従って，
吸蔵水素の量を確実に低減させることができる。
【００３１】また，図３に示すごとく，第１次めっき層
３１は触媒核１１の上に直接形成されるため，水素の発
生量が多い。そのため，第１次めっき層３１を析出させ
後に吸蔵水素を抜くことは，第２次めっき層を析出させ
た後に抜くことよりも水素除去効果が大きい。
３１は触媒核１１の上に直接形成されるため，水素の発
生量が多い。そのため，第１次めっき層３１を析出させ
後に吸蔵水素を抜くことは，第２次めっき層を析出させ
た後に抜くことよりも水素除去効果が大きい。
【００３２】更に，図４に示すごとく，第１次めっき層
３１の厚みは，第２次めっき層３２よりも薄い。また，
第１次めっき層３１には，ピンホールがある。そのた
め，吸蔵水素が，第１次めっき層の金属粒子の隙間か
ら，容易に抜け出すことができる。
３１の厚みは，第２次めっき層３２よりも薄い。また，
第１次めっき層３１には，ピンホールがある。そのた
め，吸蔵水素が，第１次めっき層の金属粒子の隙間か
ら，容易に抜け出すことができる。
【００３３】このように，厚膜状の第２次めっき層を析
出させる前に，予め積極的に吸蔵水素を抜け出させるこ
とにより，アニール用の加熱のときに水素ガスが発生す
ることを防止し，基板の内部の膨張を防止できる。従っ
て，導体回路と基板との密着性が向上する。
出させる前に，予め積極的に吸蔵水素を抜け出させるこ
とにより，アニール用の加熱のときに水素ガスが発生す
ることを防止し，基板の内部の膨張を防止できる。従っ
て，導体回路と基板との密着性が向上する。
【００３４】実施形態例２ 本例のプリント配線板の製造方法においては，第１次め
っき層の加熱時間を５分間としたことの他は，実施形態
例１と同様である。本例により製造したプリント配線板
においては，基板に膨れは発生していなかった。
っき層の加熱時間を５分間としたことの他は，実施形態
例１と同様である。本例により製造したプリント配線板
においては，基板に膨れは発生していなかった。
【００３５】実施形態例３ 本例のプリント配線板の製造方法においては，第１次め
っき層の加熱時間を１０分間としたことの他は，実施形
態例１と同様である。本例により製造したプリント配線
板においては，基板に膨れは発生していなかった。
っき層の加熱時間を１０分間としたことの他は，実施形
態例１と同様である。本例により製造したプリント配線
板においては，基板に膨れは発生していなかった。
【００３６】比較例１ 本例のプリント配線板の製造方法においては，第１次め
っき層の加熱温度が５０℃であり，加熱時間が１０分間
であることの他は，実施形態例１と同様である。本例に
より製造したプリント配線板においては，基板に膨れが
発生していた。
っき層の加熱温度が５０℃であり，加熱時間が１０分間
であることの他は，実施形態例１と同様である。本例に
より製造したプリント配線板においては，基板に膨れが
発生していた。
【００３７】比較例２ 本例のプリント配線板の製造方法においては，第１次め
っき層の加熱を行わないことの他は，実施形態例１と同
様である。本例により製造したプリント配線板において
は，基板に膨れが発生していた。上記実施形態例１〜
３，比較例１，２のプリント配線板について，基板の膨
れの有無の観察結果を表１にまとめた。
っき層の加熱を行わないことの他は，実施形態例１と同
様である。本例により製造したプリント配線板において
は，基板に膨れが発生していた。上記実施形態例１〜
３，比較例１，２のプリント配線板について，基板の膨
れの有無の観察結果を表１にまとめた。
【００３８】表１からも知られるように，第１次めっき
層の形成の後に，８０℃，５分間以上の加熱を行うこと
により，基板の膨れを防止できることがわかる。
層の形成の後に，８０℃，５分間以上の加熱を行うこと
により，基板の膨れを防止できることがわかる。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば，基板の内部の膨れを抑
制し，基板に対する導体回路の密着性が高い，プリント
配線板の製造方法を提供することができる。
制し，基板に対する導体回路の密着性が高い，プリント
配線板の製造方法を提供することができる。
【図１】実施形態例１のプリント配線板の製造方法の工
程説明図。
程説明図。
【図２】実施形態例１のプリント配線板の製造方法にお
いて，触媒核を付与した基板の説明図。
いて，触媒核を付与した基板の説明図。
【図３】図２に続く，第１次めっき層を析出させた基板
の説明図。
の説明図。
【図４】図３に続く，第２次めっき層を析出させた基板
の説明図。
の説明図。
【図５】従来例における，プリント配線板の説明図。
【図６】従来例の問題点を示す，基板の結晶構造を示す
図面代用写真（倍率１００倍）。
図面代用写真（倍率１００倍）。
【図７】従来例における，無電解銅めっきの反応式を示
す説明図。
す説明図。
【図８】従来例における，基板の膨れの発生するメカニ
ズムを示す説明図。
ズムを示す説明図。
１．．．基板， １０．．．粗化表面， １１．．．触媒核， ３．．．導体回路， ３１．．．第１次めっき層， ３２．．．第２次めっき層，
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面に導体回路を設けてなるプリ
ント配線板を製造する方法において，まず，基板の表面
に触媒核を付与し，次いで，導体回路形成部分を除いて
めっきレジスト膜を被覆し，次いで，第１次無電解めっ
きを行って，基板の表面における上記めっきレジスト膜
により被覆されていない導体回路形成部分に第１次めっ
き層を析出させ，次いで，上記第１次めっき層を７０〜
９０℃に加熱し，次いで，第２次無電解めっきを行っ
て，上記第１次めっき層の表面に該第１次めっき層の厚
みよりも大きい厚みの第２次めっき層を析出させること
により，第１次めっき層及び第２次めっき層からなる導
体回路を形成し，次いで，上記導体回路に対してアニー
ル用の加熱を行うことを特徴とするプリント配線板の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１において，上記第１次めっき層
の加熱は，上記基板を温水により洗浄することにより行
うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，第１次めっき
層の加熱は，第１次めっき層を空気中で加熱することを
特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項において，
上記第１次めっき層の加熱の後には，第１次めっき層の
表面を酸で洗浄し，水で洗浄し，その後，上記第２次無
電解めっきを行うことを特徴とするプリント配線板の製
造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項において，
上記第１次めっき層の厚みは，０．５μｍ〜３．０μｍ
の範囲内であることを特徴とするプリント配線板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534796A JPH09326547A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534796A JPH09326547A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326547A true JPH09326547A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15810633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16534796A Pending JPH09326547A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326547A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001058228A1 (fr) * | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Zeon Corporation | Procede de fabrication d'une carte a circuits imprimes multicouche |
| WO2024071007A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを用いた実装構造体 |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP16534796A patent/JPH09326547A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001058228A1 (fr) * | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Zeon Corporation | Procede de fabrication d'une carte a circuits imprimes multicouche |
| KR100760487B1 (ko) * | 2000-02-03 | 2007-09-20 | 제온 코포레이션 | 다층회로기판의 제조방법 |
| WO2024071007A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびそれを用いた実装構造体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060821 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061226 |