JPH01261888A - プリント板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプリント板の製造方法に係り、特に高密度で微
細なパターンの回路が要求されるプリント板の製造方法
に関する。

〔従来の技術〕

従来より、両面プリント板や多層プリント板などの高密
度プリント板は、銅張積層板を出発材料とし、パネル電
気鋼めっきによりスルホールを形成した後、回路部分以
外の銅をエツチング除去することによって得る方法が主
流であった。しがし、この従来方法は、厚さのばらつき
の大きい電気銅めっきを用いること、回路精度がエツチ
ングレジストの形成精度と銅のエツチング精度の両方に
依存することなどにより、高密度、微細回路形成には不
向きである。そこで、高密度化、微細化に適した回路形
成法が種々提供されてきた。

その一つにパターン化学鋼めっき法がある。これは、銅
張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感光性めっ
きレジストでマスクし１次いで回路形成予定部分のみに
選択的に化学銅めっきを行った後、めっきレジストを除
去し、レジストを除去した部分、すなわち回路形成予定
部分以外の銅をエツチング除去して回路を形成する方法
である。

しかし、この方法ではめつきレジストがめつき中に剥離
しやすく、良好な回路形成が出来ないという問題がある
。この問題はめっき厚さのばらつきがほとんどない化学
鋼めっきで顕著であり、電気銅めっきではあまり問題に
ならない場合が多い。

すなわち、電気銅めっきはめつき速度が速く短時間（１
時間以内）でめっきが終了するのに対して化学銅めっき
はめつき速度が遅いため長時間のめっきが必要となる。

例えば３０μｍの化学銅めっきを行うには１０〜３０時
間かかつてしまい、電気銅めっきの１０倍以上時間がか
かる。このように、長時間めっきを行うため、めっきレ
ジストがダメージを受ける。例えば、めっきレジストと
下地との界面あるいはレジスト股を通して化学銅めっき
液が浸み込み、下地との界面で（１）式の反応によって
水酸イオンが生成し、界面を破壊すると２ＨｚＯ＋Ｏｚ
＋４　ｅ−＋４０Ｈ−・・−（１）言われている（ＩＢ
Ｍ　Ｊ、ＲＥＳ、ＤＥＶＥＬＯＰ、Ｖｏ　Ｑ　、２９．
　Ｎａ１（１９８５）Ｃａｔｈｏｄｉｃ　ｄｅｌａｍｉ
ｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌ
ａｔｅ−ｂａｓｅｄ　ｄｒｙ　ｆｉｌｍ　ｐｏｌｙｍｅ
ｒｓ　ｏｎｃｏｐｐｅｒ）。また、化学銅めっき液はｐ
　Ｈ１２前後の高アルカリ性であるため、特にめっきレ
ジストと下地との界面破壊が生じやすいと考えられる。

上述した問題を解決するため、上記ＩＢＭ　Ｊ、ＲＥＳ
。

ＤＥＶＥＬＯＰ、Ｖｏ　Ｑ　、　２９　、　Ｈａ　１　
（１９８５）　Ｌ：＝記載されているように、銅張積層
板の表面を軽石などで研磨して平滑にした後、ベンゾト
リアゾールなどで該表面を処理して感光性めっきレジス
トで回路予定部分以外をマスクする方法が提案されてい
る。また、化学銅めっきの代わりに電気銅めっきを用い
た場合については特公昭５０−９１７７号に記載されて
いるようにベンゾトリアゾールなどを感光性めっきレジ
ストに添加する方法が提供されている。これらにより、
めっきレジストが下地から剥離する問題は大幅に改善さ
れるに至った。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のベンゾトリアゾールを適用した場合、効果が十分
でなかったり、化学銅めっきにおいてはめつき特性に悪
影響を及ぼす場合がある。

具体的にはめつき速度を局部あるいは全体にわたって低
下させたり、めっき膜の物性を低下させたりする。これ
はベンゾトリアゾールが化学銅めっき液に溶は出したた
めと推定される。このような現象が生じると、十分な信
頼性が得られないばかりか、場合によっては回路形成そ
のものが不可能になってしまうという欠点が生じてしま
う。上述した問題が生じないようにコントロールするた
め、ベンゾトリアゾールのレジスト中や下地表面での適
切な濃度管理が不可欠と考えられるが、実際には難しい
。

本発明の目的は、銅箔貼り絶縁板を用いたパターン化学
銅めっき法において、めっきレジストが下地金属層へ十
分密着していて、化学めっき時に剥離することがなく、
微細回路を形成し得るプリント板の製造方法を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的は、下記の各工程により達成すること・ができ
る。

（１）　（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化する
工程、 （ｂ）該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて°選択的に露光し、現像するこ
とにより回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形
成する工程、 （ｃ）該めっきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程、 （ｅ）前記めっきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程。

を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。

（２）　（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化した
後、該銅層表面を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を
被覆する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめっきレジスト部を
形成する工程、 （ｃ）該めっきレジスト層を加熱処理する工程。

（ｄ）化学銅めっきにより回路部をめっきする工程、 （ｅ）前記めっきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
路パターン部以外の前記銅層および前記金ＦＡ薄膜層を
除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。

（３）　（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、
該銅層表面を酸化し、速比する工程、 （ｂ）該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形成す
る工程。

（ｃ）該めっきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。

（ｅ）前記めっきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。

（４）　（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し。

該銅層表面を酸化し、還元した後、該表面を銅よりも卑
なる電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 （ｂ）該全屈薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、活性光線を形成する回路パタ
ーンに応じて選択的に露光し、現像することにより回路
のネガパターン部にめっきレジスト層を形成する工程、 （ｃ）該めっきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。

（ｅ）前記めっきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。

（５）昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾール。

トリルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、
１−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、２−キ
ノリルアミン、１，１′−アゾナフタレン、ジシクロヘ
キシルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエ
ート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカ
ルボキシレートから選ばれることを特徴とする前項（１
）〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造方法
。

（６）前記工程（ｃ）の加熱処理温度がめつきレジスト
が熱変形しない温度であることを特徴とする前項（１）
〜（５）のいずれかに記載するプリント板の製造方法。

（７）加熱処理条件が１００〜１８０℃、１〜２時間で
あることを特徴とする前項（１）〜（５）のいずれかに
記載するプリント板の製造方法。

（８）前記工程（ｆ）において、銅回路パターン上に銅
エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の
前記銅層、金ｒ７ｆｃ薄成層を除去する工程を含む前項
（１）〜（４）のいずれかに記載するプリント板の製造
方法。

即ち１本発明の特徴は、絶縁板上に設けた銅層表面を粗
化することである。該粗化面上に、回路のネガティブパ
ターン状に形成する感光性めっきレジストとして、昇華
性の銅腐食抑制剤を配合したものを用いることである。

そして、これを加熱処理した後、鋼化学めっきを行って
銅回路を形成することである。

従来は銅層表面を極力平滑にすることがポイントとなっ
ており、パーミス研磨を行う方法が知られている。しか
し、上記方法では銅層上にラミネートしためつきレジス
トの十分な密着性を得るには不十分であり、むしろ銅層
表面を粗化した方が良いという結果が得られた。これは
、銅層とめっきレジストとの接触面積が増加し、且つ、
アンカー効果によってめっきレジストとの密着性が向上
したものと考えられる。

また、銅層を粗化した後、粗化面に、ニッケルや亜鉛、
すずなどの金属層を薄く形成してやることにより、めっ
き時の密着性は大幅に改善されることを見出した。これ
は、めっき時のめつきレジスト剥離現象について胴入た
結果、めつきレジストと接している銅層表面の酸化物が
めつき液のしみ込み等により還元されてしまうのを防止
するためと考えられる。すなわち、ニッケルや亜鉛など
の金属はそれらの酸化物が還元される電位が化学銅めっ
きの反応電位よりも卑でいるため、還元されずに、酸化
物として存在し、めっきレジストとの界面が破壊されな
いことによるものと推定される。

本発明の特徴は、昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、活性光線により露光を行い、さらに
現象を行って、回路形成予定部分以外（ネガパターン部
）にめっきレジストを設ける工程と、該めっきレジスト
を加熱する工程を含むことである。ベンゾトリアゾール
を感光性レジストに加え、化学銅めっきレジストとして
用いると、電気鋼めっきの場合と同様にめっき時のレジ
スト剥離は大幅に低減することを確認しているが、前述
したように、化学銅めっき膜の物性を低下させたり、め
っき速度を低下させたりする問題があり、その最適添加
量の決定がむずかしく、実質的には実用化が困難であっ
た。特に、同一化学銅めっき液を用いてくり返しめっき
を行ったり、めっきレジストの面積が大きいと化学銅め
っき液中にベンゾトリアゾールが溶出して蓄積され実質
的な化学銅めっきができなくなってしまうことである。

本発明らは、種々検討の結果、ベンゾトリアゾール以外
にも銅腐食抑制効果を有する添加剤を感光性めっきレジ
ストに加えると、ベンゾトリアゾールの場合と同様にレ
ジスト剥離を防止するのに効果があることを見出した。

しかしこの銅腐食抑制剤の場合も、化学銅めっき液中に
溶出するとベンゾトリアゾールと同様めっき速度の低下
やめつき膜物性の低下をひきおこすことがわかった。そ
こで、さらに検討を進めた結果、昇華性の銅腐食抑制剤
を加えてめっきレジストを形成し、次いて後加熱処理を
行うことによって、化学銅めっき液の汚染を防止できる
と同時に、めっきレジストの剥離も防止できることを見
出した本発明に至った。

〔作用〕

昇華性銅腐食抑制剤が加熱処理によって昇華し、必要最
適量がめつきレジスト中に残るため前記の効果が得られ
るものと思われる。

該銅腐食抑制剤のレジスト中への残留状態も銅層との界
面で濃度が高く、化学銅めっき液と接する側で濃度が低
くなるような濃度勾配が生ずるのではないかと推定され
る。

上述した本発明の適用により電気鋼めっきの場合よりは
るかに過酷なパターン化学鋼めっきにおいても、めっき
レジストが剥離する開運がなく、且つ、化学銅めっき液
の汚染も少なくなり、微細なパターンの回路形成が可能
となり、化学銅めっき液の寿命も著しく向上する。

次に、本発明について、第１図により具体的に説明する
。

第１図（ａ）は絶縁板１上に貼り付けた銅層２の表面を
粗化した状態を示す。絶縁板１にはガラスエポキシ積層
板やガラスポリイミド積層板、セラミック板等が適用で
きる。銅層２は通常の銅張積層板を適用することにより
、形成できる。微細回路形成には銅層は薄い方が有利で
ある。銅層２の表面粗化はサンドブラストなどの機械的
方法、もしくは塩酸酸性の塩化第２銅水溶液などによる
化学的方法を適用することができる。また、さらに表面
を粗化したい場合は、亜塩素酸ナトリウム水溶液などで
処理し、次いで、ジメチルアミノボラン水溶液などで処
理する方法が有効である。ここでは−度、銅表面を酸化
して酸化銅（ＩＩ）を形成してから再度金属銅に還元す
る。このとき１表面は粗化され、微小の凹凸が形成され
る（特開昭６１−１７６１９２号）。

めっき時のめつきレジストの密着性を得るにはこのよう
な銅表面の酸化処理と還元処理を行うことが好ましい、
また、さらにめっきレジストとの良好な密着性を必要と
する場合は、第１図すに示したように、粗面化した鋼上
に薄い金属膜３を形成するのがよい、°金属膜はニッケ
ル、亜鉛、クロム、すず及びそれらの合金が良い。特に
、化学銅めっきの反応電位より卑の酸化膜還元電位を有
する金属が好ましい、第１図は回路形成の一つの面のみ
を示しているが、雨間、あるいは多層プリント板にも適
用きる。このとき、必要に応じて、スルーホールめっき
を行うことが可能である。

銅層表面を粗化した後、第１図Ｃに示すように回路形成
予定部分以外をめっきレジスト４でマスクする。このめ
っきレジスト４にはネガ型の感光性レジストに昇華性の
銅腐食抑制剤を添加したものが適用できる０本発明で使
用する感光性レジストは末端エチレン基を有する光重合
可能な不飽和化合物などを含む。例えば、トリメチロー
ルプロパン、トリメチロールエタン、プロピレングリコ
ール、テトラエチレングリコール等の多価アルコールの
アクリル酸エステル、またはメタクリル酸エステルがあ
る。

昇華性の銅腐食抑制剤としてはベンゾトリアゾール、ト
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン。

グアニジン、１−シアノグアニジン、チアゾール。

チオ尿素、２−キノリルアミン、１，１′−アゾナフタ
レン、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライド、シ
クロへキシルアミノベンゾエート、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウム
シクロヘキサンカルボキシレートなどがあげられる。こ
れらの添加量は昇華性銅腐食抑制剤の種類や、後加熱時
の条件によって異なるが、ベンゾトリアゾールの場合は
感光性めっきレジスト１００重量部に対して０．０１〜
１重量部が好適であり、そのときの後加熱は１００〜１
６０℃、１〜２時間程度が適当である。これら銅腐食抑
制剤はできるだけ感光めっきレジストとしての特性を失
わない範囲で添加することが望ましい。

感光性めっきレジスト層は、一般的な方法で前記粗化表
面にラミネートされる。ラミネート後に。

回路形成予定部分のレジスト層を除去する。これには回
路形成予定部分をマスクして露光し、さらにクロロセン
などの現象液で現象する方法が一般的である。ただし、
露光量を多くすると、後工程で感光性めっきレジストを
剥離除去するときに除去しにくくなったり、本発明の目
的が十分得られなくなる問題の生じる場合がある。適切
な露光量は光源やレジストの種類によっても異なるが、
超電圧水銀灯を光源とする場合は３００　ｍ　Ｊ　／　
ｒｙＪ以下が適切と思われる。

次に後加熱処理を行う。この後加熱条件は感光性めっき
レジストに適用する昇華性銅腐食抑制剤の種類や量に依
存する。形成したレジストが変形したり変質しない温度
で後加熱することが望ましい。例えば後加熱温度は１８
０℃以下が良い場合が多い。この後加熱処理により、余
分の銅腐食制剤が昇華除去される。このとき、測定は行
っていないが、感光性めっきレジスト中には銅腐食抑制
剤の濃度分布く銅層側で濃く、外側で薄い）が形成され
るものと推定される。

次に、第１図ｄに示すように、金属層３を設けた場合は
必要に応じて回路形成予定部分の金属層３を除去する。

除去液としては金属層３を溶かすものならたいていのも
のが使用できる。

その後で、第１図ｅに示すように回路形成予定部分に化
学銅めつき５を行う、この化学銅めっきには通常用いら
れる厚付けめっき用のものが適用される。この化学銅め
っきでスルーホールめっきも同時に行うような場合は特
に高品質の化学銅めっき膜を形成することが望ましい。

例えば、下記組成の化学銅めっき液に７０℃で数〜数十
時間めっきすることにより、伸び特性などに優れた高品
質めっき膜を得ることができる。

さらに、化学銅めっきを行った後、第１図ｆに示すよう
に、銅のエツチングレジストとして半田めつき６を行う
。旦し、この半田めっきは必ずしも必要なものではなく
、また、他のめつき１例えばすずめつき、金めつき、ニ
ッケルめっきなども用いることができる。この銅のエツ
チングレジストがないと、後工程の銅エツチングで１回
路形成部分の銅も一部エッチングされるため、銅エツチ
ングレジスト６を形成した方が良い。銅エツチングレジ
ストに半［１］めつきを用いる場合の半田めっき浴とし
て一般に用いられるホウフッ化浴などが使用できる。

半田めっきを行った後、第１図ｇに示すように、感光性
めっきレジスト層４を除去する。本発明ではこの感光性
めっきレジストの剥離工程が不可欠なため、レジストの
硬化を促進させるのに有効な現象後の後露光は行わない
ことが望ましい。めっきレジスト除去には塩化メチレン
などの通常の剥離液が使用できる。

感光性めっきレジストを除去した後、第１図りに示すよ
うに回路形成部分以外の銅層２をエツチング除去する。

金属層３を設けた場合には金属層も同様にエツチング除
去する。最後に、第１図ｉに示すように銅のエツチング
レジストとなる半田めつき６を除去する。但し、除去不
要のときは、第１図りのままで終了しても良い。特に金
めつきを銅のエツチングレジストに用いたときはそのま
ま残しておくことが多い。

以上説明した工程を実施することにより、パターン化学
銅めっきにおいて感光性めっきレジストの密着不良がな
く、且つ化学銅めっき液の汚染が少ない微細パターンの
プリント配線板を製造することができる。

次に、本発明を実施例により、さらに具体的に説明する
。

実施例１ 工程ａ：１８μｍの銅層を有する両面銅張ガラスエポキ
シ積層板の必要個所に孔をあけた。次いで、銅表面をブ
ラッシングして研磨した後、アルカリ脱脂を行い、水洗
後、過硫酸アンモニウム２００ｇ、硫酸１０ｍＡを水に
溶かしてＩＱにした組成のソフトエツチング液（３０℃
）で１分間処理した。水洗を行った後、１５％塩酸に１
分間浸漬し、解媒液（日立化成工業、　Ｈ５ＩＯＩＢ）
に２０℃、５分間浸漬し水洗し、さらに１５％塩酸２０
℃、５分間浸漬して水洗を行い、活性化した。ひきつづ
き、下記組成（１）の化学鋼めっき液中で７０’Ｃ，２
時間めっきした。

組成（Ｉ） 上記化学銅めっきにより、必要個所にあけた孔にスルー
ホールめっきし導電化した。

工程ｂ：銅層表面を粗化するため、下記組成（ＩＩ）の
粗化液に空気を吸込みながら攪拌し。

４５℃で３０秒間処理した。

組成（ＩＩ） 次に水洗を行い表面が粗化された基板を得た。

工Ｐ！ｃ：基板表面を十分乾燥した。他方、下記組成（
ＩＩＩ）の感光性樹脂組成物の溶液を２５μｍ厚さのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、
約８０”Ｃの熱風対流式乾燥機で１０分間乾燥した。

組成（１１１１） 感光性樹脂組成物層の乾燥後の厚さは３５μｍとした。

感光性樹脂組成物層の上に約２５μｍの厚さのポリエチ
レンフィルムをカバーフィルムとして張合わせ、感光性
めっきレジストとなるエレメントを得た。このエレメン
トを前記基板の両側に、カバーフィルムをはずしてから
ホットロールラミネータによりラミネートした。このと
き、ホットロール温度を１１０℃、ラミネート速度を１
ｍ／分とした。約５分間放冷した後、回路形成予定部分
をマスクし、超高圧水銀灯露光器で１００ｍＪ／−露光
した。次に、１，１．ｉ−トリクロルエタンを現像液と
し、約１８℃で２分間スプレーすることにより現像した
。これにより１回路形成予定部分以外をめっきレジスト
でマスクした。

ここでは回路形成予定部分に９０μｍのパターンを形成
した。

工程ｄ：回路形成予定部分以外をめっきレジストでマス
クした後、１４０℃で１時間後加熱処理を行った。

工程ｅ：基板全体を硫酸の１００　ｍ　Ｑ　／　Ｑ水溶
液に２分間浸漬して酸化物等を除去し、次いで水洗を行
った。

工程ｆ：工程（ａ）の組成（Ｉ）と同一組成の化学銅め
っき液に７０℃で１２時間浸漬しパターン化学銅めっき
を行った。めっき後十分水洗した。

工程ｇ：全全体硫酸の１００　ｍ　Ｑ　／　Ｑ水溶液に
２分間浸漬した後、Ｓ　ｎ”１５　ｇ／　Ｑ　、　Ｐ　
ｂ”１０　ｇ／　Ｑ　、ＨａＢＯａ４０　ｇ／Ω、ＨＢ
Ｆｉ３００ｇ／１２を含む半田めっき浴にＬＡ／ｄｒｒ
ｒで１５分間攪拌しなから、上記パターン化学銅めっき
表面に半田めっきを行ない、十分に水洗後乾燥した。

工程ｈ：塩化メチレンに浸漬してめっきレジストを除去
した１次いで、＠アンモニウム塩性のアルカリエツチン
グ液により、回路形成部以外の銅層をエツチング除去し
た。さらに水洗を行い、硝酸を含むエツチング液で半田
めっき部分を除去した。最後に十分水洗を行い、乾燥さ
せた。

工程ａ　＝　ｈを順次行うことによって両面スルーホー
ルプリント配線板を作成した。

実施例２ 実施例１の工程すのあとに、下記に示す工程ｉを加えた
以外は実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。

工程ｉ：さらに表面を粗化するため、下記組成（ＩＶ）
の処理液に７０℃で２分間浸漬し酸化した。

組成（ＴＶ） 水洗を行った後、下記組成（Ｖ）の処理液に４５℃、１
分間浸漬し、酸化物を還元した。これにより表面を十分
に粗化した。次いで十分水洗した。

組成（Ｖ） 以下、実施例１と同様にしてプリント板を得た。

実施例３ 実施例１の工程すの代わりに下記の工程ｊを行う以外は
実施例１と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。

工程ｊ：銅層表面を粗化するため、過硫酸アンモニウム
２００ｇ、硫酸５ｍＡを加えて１１１とした組成の液で
攪拌しながら３０℃、１分間処理した。水洗を行った後
、前記実施例１の工程ｉに示した組成（ＩＶ）の処理液
に７０℃、２分間浸漬し酸化した。水洗を行った後、工
程ｉの組成（Ｖ）の処理液に４５℃、１分間浸漬し、酸
化物を還元した。ひき続き水洗を行った後、下記組成（
ＶＩ）のニッケめっき液でめっきし、銅層表面にうすい
ニッケルめっき金属層を形成した。ニッケルめっき組成
（ＶＩ） は２０℃で０．Ｉ　　Ａｌｄｒｄ、６分間行った。次い
で十分に水洗した。以下実施例１と同様にしてプリント
板を得た。

実施例４ 実施例３の工程Ｃにおける感光性樹脂の組成（ｍ）にお
いて、ベンゾトリアゾール量を０．０２部としたことお
よび工程ｄの加熱処理を１００°Ｃ１２時間としたこと
以外は実施例３と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。

実施例５ 実施例３で、工程Ｃの組成（ＩＩＩ）においてベンシト
リアゾール量を０．５　部としたこと、工程ｄの加熱処
理を１６０’Ｃ，２時間としたこと以外は実施例３と同
様の工程で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。

実施例６ 実施例３の工程ｊにおいて、ニッケルめっきの代わりに
電気亜鉛めっき液（シエーリング社製、シンカルックス
浴）で０．５　　Ａ／ｄｒｒｒ、５分間亜鉛めっきを行
った以外は実施例３と同様の工程で両面スルーホールプ
リント配線板を作成した。

実施例７ 実施例３において、工程Ｃの組成（ＩＩＩ）を下記組成
（■）にしたこと、及び工程ｄの加熱処理を１５０℃１
時間にした他は、実施例３と同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。

組成（■） 重量部 実施例８ 実施例７において１組成（■）のベンゾグアナミンの代
わりに１−シアノグアニジン０．０２　部加えた以外は
実施例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。

実施例９ 実施例７において、組成（■）のベンゾグアナミンの代
わりに２−キノリルアミン１部を加え、工程ｄの加熱処
理を１３０℃、１時間にした以外は実施例７と同様の工
程で両面スルーホールプリント配線板を作成した。

実施例１０ 実施例７において、組成（■）のベンゾグアナミンの代
わりにシクロヘキシルアミンベンゾエート５部を加え、
工程ｄの加熱処理を１３０℃、１時間にした以外は実施
例７と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。

上記実施例１〜１０の結果を下記に示す比較例の結果と
合せて表にした。表から明らかなように実施例はいずれ
も良好な結果が得られた。

比較例１ 実施例３で工程Ｃの組成（ＩＩＩ）においてベンゾトリ
アゾールを除いたこと、及び工程ｄの加熱を行わなかっ
たこと以外は実施例３と全く同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。

比較例２ 実施例３の工程ｄの加熱を行わなかった以外は実施例３
と全く同様の工程で両面プリント配線板を作成した。

比較例３ 実施例３で工程０の組成（ｍ）においてベンゾトリアゾ
ールを除いた組成を用いたこと以外は実施例３と全く同
様の方法で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。

比較例４ 実施例３で、工程ｊの金属薄膜の形成を省いた以外は実
施例３と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。

〔発明の効果〕

本発明によれば、化学鋼めっき時に感光性めっきレジス
トの剥離がなく良好な密着性が得られ、且つ、感光性め
っきレジストから化学銅めっき液への銅腐食抑制剤の溶
出が実質的にないのでめっき速度の低下やめつき膜物性
の低下の生じない良好なパターン化学銅めっきを行うこ
とができ、微細回路形成に効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のプリント配線板製造工程を
示す図である。 １・・・絶縁板、２・・・銅層、３・・・金属層、４・
・・めっきレジスト、５・・・化学銅めっき層、６・・
・半田めっき茅　１　巴

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化する工程
   、 （ｂ）該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
   レジスト層を形成し、該レジスト 層に活性光線を形成する回路パターンに応 じて選択的に露光し、現像することにより 回路のネガパターン部にめつきレジスト層 を形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
   化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジストを除去する工程、（ｆ）回路
   パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
2. ２．（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化した後、
   該銅層表面に銅よりも卑なる電位の金 属の薄膜層を形成する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
   光性レジスト層を形成し、該レジ スト層に活性光線を形成する回路パターン に応じて選択的に露光し、現像することに より回路のネガパターン部にめつきレジス ト層を形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
   化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
   路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
   去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
3. ３．（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該銅
   層表面を酸化し、還化する工程、 （ｂ）該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
   ジスト層を形成し、該レジスト層 に活性光線を形成する回路パターンに応じ て選択的に露光し、現像することにより回 路のネガパターン部にめつきレジスト層を 形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
   化学銅めつきにより回路部にめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
   路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
4. ４．（ａ）絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該銅
   層表面を酸化し、還元した後、該表面 を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を被 覆する工程、 （ｂ）該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
   光性レジスト層を形成し、該レジ スト層に活性光線を形成する回路パターン に応じて選択的に露光し、現像することに より回路のネガパターン部にめつきレジス ト層を形成する工程、 （ｃ）該めつきレジスト層を加熱処理する工程、（ｄ）
   化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 （ｅ）前記めつきレジスト層を除去する工程、（ｆ）回
   路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
   去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
5. ５．昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾール、トリ
   ルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、１−
   シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、２−キノリ
   ルアミン、１，１’−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
   ルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアンモニ
   ウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエート
   、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカルボ
   キシレートから選ばれることを特徴とする請求項１〜請
   求項４のいずれか１項に記載するプリント板の製造方法
   。
6. ６．前記工程（ｃ）の加熱処理温度が、めつきレジスト
   が熱変形しない温度であることを特徴とする請求項１〜
   請求項５のいずれか１項に記載するプリント板の製造方
   法。
7. ７．加熱処理条件が１００〜１８０℃，１〜２時間であ
   ることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項
   に記載するプリント板の製造方法。
8. ８．前記工程（ｆ）において、銅回路パターン上に銅エ
   ッチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の前
   記銅層，金属薄膜層を除去する工程を含む請求項１〜請
   求項４のいずれか１項に記載するプリント板の製造方法
   。