JPH01261888A - プリント板の製造方法 - Google Patents
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- JPH01261888A JPH01261888A JP63089083A JP8908388A JPH01261888A JP H01261888 A JPH01261888 A JP H01261888A JP 63089083 A JP63089083 A JP 63089083A JP 8908388 A JP8908388 A JP 8908388A JP H01261888 A JPH01261888 A JP H01261888A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 183
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 155
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 155
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 154
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims abstract description 18
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 9
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 dicyclohexylammonium nitride Chemical class 0.000 claims description 6
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GCMNJUJAKQGROZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dihydroquinolin-2-imine Chemical compound C1=CC=CC2=NC(N)=CC=C21 GCMNJUJAKQGROZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BAPVPOOWCZUVGA-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;n-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)[NH2+]C(C)C.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 BAPVPOOWCZUVGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- BNAFKNQBXIKNDQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarboxylate;dicyclohexylazanium Chemical compound [O-]C(=O)C1CCCCC1.C1CCCCC1[NH2+]C1CCCCC1 BNAFKNQBXIKNDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CIFYUXXXOJJPOL-UHFFFAOYSA-N cyclohexylazanium;benzoate Chemical compound [NH3+]C1CCCCC1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 CIFYUXXXOJJPOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ICIDZHMCYAIUIJ-UHFFFAOYSA-N dinaphthalen-1-yldiazene Chemical compound C1=CC=C2C(N=NC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 ICIDZHMCYAIUIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- JSXMFCCPQQJLCR-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexylamino)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1NC1CCCCC1 JSXMFCCPQQJLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940102838 methylmethacrylate Drugs 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000008262 pumice Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
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- H05K2203/0591—Organic non-polymeric coating, e.g. for inhibiting corrosion thereby preserving solderability
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
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- H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- H05K3/061—Etching masks
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント板の製造方法に係り、特に高密度で微
細なパターンの回路が要求されるプリント板の製造方法
に関する。
細なパターンの回路が要求されるプリント板の製造方法
に関する。
従来より、両面プリント板や多層プリント板などの高密
度プリント板は、銅張積層板を出発材料とし、パネル電
気鋼めっきによりスルホールを形成した後、回路部分以
外の銅をエツチング除去することによって得る方法が主
流であった。しがし、この従来方法は、厚さのばらつき
の大きい電気銅めっきを用いること、回路精度がエツチ
ングレジストの形成精度と銅のエツチング精度の両方に
依存することなどにより、高密度、微細回路形成には不
向きである。そこで、高密度化、微細化に適した回路形
成法が種々提供されてきた。
度プリント板は、銅張積層板を出発材料とし、パネル電
気鋼めっきによりスルホールを形成した後、回路部分以
外の銅をエツチング除去することによって得る方法が主
流であった。しがし、この従来方法は、厚さのばらつき
の大きい電気銅めっきを用いること、回路精度がエツチ
ングレジストの形成精度と銅のエツチング精度の両方に
依存することなどにより、高密度、微細回路形成には不
向きである。そこで、高密度化、微細化に適した回路形
成法が種々提供されてきた。
その一つにパターン化学鋼めっき法がある。これは、銅
張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感光性めっ
きレジストでマスクし1次いで回路形成予定部分のみに
選択的に化学銅めっきを行った後、めっきレジストを除
去し、レジストを除去した部分、すなわち回路形成予定
部分以外の銅をエツチング除去して回路を形成する方法
である。
張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感光性めっ
きレジストでマスクし1次いで回路形成予定部分のみに
選択的に化学銅めっきを行った後、めっきレジストを除
去し、レジストを除去した部分、すなわち回路形成予定
部分以外の銅をエツチング除去して回路を形成する方法
である。
しかし、この方法ではめつきレジストがめつき中に剥離
しやすく、良好な回路形成が出来ないという問題がある
。この問題はめっき厚さのばらつきがほとんどない化学
鋼めっきで顕著であり、電気銅めっきではあまり問題に
ならない場合が多い。
しやすく、良好な回路形成が出来ないという問題がある
。この問題はめっき厚さのばらつきがほとんどない化学
鋼めっきで顕著であり、電気銅めっきではあまり問題に
ならない場合が多い。
すなわち、電気銅めっきはめつき速度が速く短時間(1
時間以内)でめっきが終了するのに対して化学銅めっき
はめつき速度が遅いため長時間のめっきが必要となる。
時間以内)でめっきが終了するのに対して化学銅めっき
はめつき速度が遅いため長時間のめっきが必要となる。
例えば30μmの化学銅めっきを行うには10〜30時
間かかつてしまい、電気銅めっきの10倍以上時間がか
かる。このように、長時間めっきを行うため、めっきレ
ジストがダメージを受ける。例えば、めっきレジストと
下地との界面あるいはレジスト股を通して化学銅めっき
液が浸み込み、下地との界面で(1)式の反応によって
水酸イオンが生成し、界面を破壊すると2HzO+Oz
+4 e−+40H−・・−(1)言われている(IB
M J、RES、DEVELOP、Vo Q 、29.
Na1(1985)Cathodic delami
nation of methylmethacryl
ate−based dry film polyme
rs oncopper)。また、化学銅めっき液はp
H12前後の高アルカリ性であるため、特にめっきレ
ジストと下地との界面破壊が生じやすいと考えられる。
間かかつてしまい、電気銅めっきの10倍以上時間がか
かる。このように、長時間めっきを行うため、めっきレ
ジストがダメージを受ける。例えば、めっきレジストと
下地との界面あるいはレジスト股を通して化学銅めっき
液が浸み込み、下地との界面で(1)式の反応によって
水酸イオンが生成し、界面を破壊すると2HzO+Oz
+4 e−+40H−・・−(1)言われている(IB
M J、RES、DEVELOP、Vo Q 、29.
Na1(1985)Cathodic delami
nation of methylmethacryl
ate−based dry film polyme
rs oncopper)。また、化学銅めっき液はp
H12前後の高アルカリ性であるため、特にめっきレ
ジストと下地との界面破壊が生じやすいと考えられる。
上述した問題を解決するため、上記IBM J、RES
。
。
DEVELOP、Vo Q 、 29 、 Ha 1
(1985) L:=記載されているように、銅張積層
板の表面を軽石などで研磨して平滑にした後、ベンゾト
リアゾールなどで該表面を処理して感光性めっきレジス
トで回路予定部分以外をマスクする方法が提案されてい
る。また、化学銅めっきの代わりに電気銅めっきを用い
た場合については特公昭50−9177号に記載されて
いるようにベンゾトリアゾールなどを感光性めっきレジ
ストに添加する方法が提供されている。これらにより、
めっきレジストが下地から剥離する問題は大幅に改善さ
れるに至った。
(1985) L:=記載されているように、銅張積層
板の表面を軽石などで研磨して平滑にした後、ベンゾト
リアゾールなどで該表面を処理して感光性めっきレジス
トで回路予定部分以外をマスクする方法が提案されてい
る。また、化学銅めっきの代わりに電気銅めっきを用い
た場合については特公昭50−9177号に記載されて
いるようにベンゾトリアゾールなどを感光性めっきレジ
ストに添加する方法が提供されている。これらにより、
めっきレジストが下地から剥離する問題は大幅に改善さ
れるに至った。
上記のベンゾトリアゾールを適用した場合、効果が十分
でなかったり、化学銅めっきにおいてはめつき特性に悪
影響を及ぼす場合がある。
でなかったり、化学銅めっきにおいてはめつき特性に悪
影響を及ぼす場合がある。
具体的にはめつき速度を局部あるいは全体にわたって低
下させたり、めっき膜の物性を低下させたりする。これ
はベンゾトリアゾールが化学銅めっき液に溶は出したた
めと推定される。このような現象が生じると、十分な信
頼性が得られないばかりか、場合によっては回路形成そ
のものが不可能になってしまうという欠点が生じてしま
う。上述した問題が生じないようにコントロールするた
め、ベンゾトリアゾールのレジスト中や下地表面での適
切な濃度管理が不可欠と考えられるが、実際には難しい
。
下させたり、めっき膜の物性を低下させたりする。これ
はベンゾトリアゾールが化学銅めっき液に溶は出したた
めと推定される。このような現象が生じると、十分な信
頼性が得られないばかりか、場合によっては回路形成そ
のものが不可能になってしまうという欠点が生じてしま
う。上述した問題が生じないようにコントロールするた
め、ベンゾトリアゾールのレジスト中や下地表面での適
切な濃度管理が不可欠と考えられるが、実際には難しい
。
本発明の目的は、銅箔貼り絶縁板を用いたパターン化学
銅めっき法において、めっきレジストが下地金属層へ十
分密着していて、化学めっき時に剥離することがなく、
微細回路を形成し得るプリント板の製造方法を提供する
ことにある。
銅めっき法において、めっきレジストが下地金属層へ十
分密着していて、化学めっき時に剥離することがなく、
微細回路を形成し得るプリント板の製造方法を提供する
ことにある。
前記目的は、下記の各工程により達成すること・ができ
る。
る。
(1) (a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化する
工程、 (b)該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて°選択的に露光し、現像するこ
とにより回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形
成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程、 (e)前記めっきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程。
工程、 (b)該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成す
る回路パターンに応じて°選択的に露光し、現像するこ
とにより回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形
成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程、 (e)前記めっきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程。
を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
(2) (a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化した
後、該銅層表面を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を
被覆する工程、 (b)該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめっきレジスト部を
形成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程。
後、該銅層表面を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を
被覆する工程、 (b)該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形
成する回路パターンに応じて選択的に露光し、現像する
ことにより回路のネガパターン部にめっきレジスト部を
形成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程。
(d)化学銅めっきにより回路部をめっきする工程、
(e)前記めっきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層および前記金FA薄膜層を
除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
路パターン部以外の前記銅層および前記金FA薄膜層を
除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
(3) (a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、
該銅層表面を酸化し、速比する工程、 (b)該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形成す
る工程。
該銅層表面を酸化し、速比する工程、 (b)該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層に活性光線を形成する
回路パターンに応じて選択的に露光し、現像することに
より回路のネガパターン部にめっきレジスト層を形成す
る工程。
(c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。
(e)前記めっきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
(4) (a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し。
該銅層表面を酸化し、還元した後、該表面を銅よりも卑
なる電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 (b)該全屈薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、活性光線を形成する回路パタ
ーンに応じて選択的に露光し、現像することにより回路
のネガパターン部にめっきレジスト層を形成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。
なる電位の金属の薄膜層を被覆する工程、 (b)該全屈薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、活性光線を形成する回路パタ
ーンに応じて選択的に露光し、現像することにより回路
のネガパターン部にめっきレジスト層を形成する工程、 (c)該めっきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めっきにより回路部をめっきする工程。
(e)前記めっきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。
(5)昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾール。
トリルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、
1−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、2−キ
ノリルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘ
キシルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエ
ート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカ
ルボキシレートから選ばれることを特徴とする前項(1
)〜(4)のいずれかに記載するプリント板の製造方法
。
1−シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、2−キ
ノリルアミン、1,1′−アゾナフタレン、ジシクロヘ
キシルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエ
ート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカ
ルボキシレートから選ばれることを特徴とする前項(1
)〜(4)のいずれかに記載するプリント板の製造方法
。
(6)前記工程(c)の加熱処理温度がめつきレジスト
が熱変形しない温度であることを特徴とする前項(1)
〜(5)のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
が熱変形しない温度であることを特徴とする前項(1)
〜(5)のいずれかに記載するプリント板の製造方法。
(7)加熱処理条件が100〜180℃、1〜2時間で
あることを特徴とする前項(1)〜(5)のいずれかに
記載するプリント板の製造方法。
あることを特徴とする前項(1)〜(5)のいずれかに
記載するプリント板の製造方法。
(8)前記工程(f)において、銅回路パターン上に銅
エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の
前記銅層、金r7fc薄成層を除去する工程を含む前項
(1)〜(4)のいずれかに記載するプリント板の製造
方法。
エツチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の
前記銅層、金r7fc薄成層を除去する工程を含む前項
(1)〜(4)のいずれかに記載するプリント板の製造
方法。
即ち1本発明の特徴は、絶縁板上に設けた銅層表面を粗
化することである。該粗化面上に、回路のネガティブパ
ターン状に形成する感光性めっきレジストとして、昇華
性の銅腐食抑制剤を配合したものを用いることである。
化することである。該粗化面上に、回路のネガティブパ
ターン状に形成する感光性めっきレジストとして、昇華
性の銅腐食抑制剤を配合したものを用いることである。
そして、これを加熱処理した後、鋼化学めっきを行って
銅回路を形成することである。
銅回路を形成することである。
従来は銅層表面を極力平滑にすることがポイントとなっ
ており、パーミス研磨を行う方法が知られている。しか
し、上記方法では銅層上にラミネートしためつきレジス
トの十分な密着性を得るには不十分であり、むしろ銅層
表面を粗化した方が良いという結果が得られた。これは
、銅層とめっきレジストとの接触面積が増加し、且つ、
アンカー効果によってめっきレジストとの密着性が向上
したものと考えられる。
ており、パーミス研磨を行う方法が知られている。しか
し、上記方法では銅層上にラミネートしためつきレジス
トの十分な密着性を得るには不十分であり、むしろ銅層
表面を粗化した方が良いという結果が得られた。これは
、銅層とめっきレジストとの接触面積が増加し、且つ、
アンカー効果によってめっきレジストとの密着性が向上
したものと考えられる。
また、銅層を粗化した後、粗化面に、ニッケルや亜鉛、
すずなどの金属層を薄く形成してやることにより、めっ
き時の密着性は大幅に改善されることを見出した。これ
は、めっき時のめつきレジスト剥離現象について胴入た
結果、めつきレジストと接している銅層表面の酸化物が
めつき液のしみ込み等により還元されてしまうのを防止
するためと考えられる。すなわち、ニッケルや亜鉛など
の金属はそれらの酸化物が還元される電位が化学銅めっ
きの反応電位よりも卑でいるため、還元されずに、酸化
物として存在し、めっきレジストとの界面が破壊されな
いことによるものと推定される。
すずなどの金属層を薄く形成してやることにより、めっ
き時の密着性は大幅に改善されることを見出した。これ
は、めっき時のめつきレジスト剥離現象について胴入た
結果、めつきレジストと接している銅層表面の酸化物が
めつき液のしみ込み等により還元されてしまうのを防止
するためと考えられる。すなわち、ニッケルや亜鉛など
の金属はそれらの酸化物が還元される電位が化学銅めっ
きの反応電位よりも卑でいるため、還元されずに、酸化
物として存在し、めっきレジストとの界面が破壊されな
いことによるものと推定される。
本発明の特徴は、昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、活性光線により露光を行い、さらに
現象を行って、回路形成予定部分以外(ネガパターン部
)にめっきレジストを設ける工程と、該めっきレジスト
を加熱する工程を含むことである。ベンゾトリアゾール
を感光性レジストに加え、化学銅めっきレジストとして
用いると、電気鋼めっきの場合と同様にめっき時のレジ
スト剥離は大幅に低減することを確認しているが、前述
したように、化学銅めっき膜の物性を低下させたり、め
っき速度を低下させたりする問題があり、その最適添加
量の決定がむずかしく、実質的には実用化が困難であっ
た。特に、同一化学銅めっき液を用いてくり返しめっき
を行ったり、めっきレジストの面積が大きいと化学銅め
っき液中にベンゾトリアゾールが溶出して蓄積され実質
的な化学銅めっきができなくなってしまうことである。
ジスト層を形成し、活性光線により露光を行い、さらに
現象を行って、回路形成予定部分以外(ネガパターン部
)にめっきレジストを設ける工程と、該めっきレジスト
を加熱する工程を含むことである。ベンゾトリアゾール
を感光性レジストに加え、化学銅めっきレジストとして
用いると、電気鋼めっきの場合と同様にめっき時のレジ
スト剥離は大幅に低減することを確認しているが、前述
したように、化学銅めっき膜の物性を低下させたり、め
っき速度を低下させたりする問題があり、その最適添加
量の決定がむずかしく、実質的には実用化が困難であっ
た。特に、同一化学銅めっき液を用いてくり返しめっき
を行ったり、めっきレジストの面積が大きいと化学銅め
っき液中にベンゾトリアゾールが溶出して蓄積され実質
的な化学銅めっきができなくなってしまうことである。
本発明らは、種々検討の結果、ベンゾトリアゾール以外
にも銅腐食抑制効果を有する添加剤を感光性めっきレジ
ストに加えると、ベンゾトリアゾールの場合と同様にレ
ジスト剥離を防止するのに効果があることを見出した。
にも銅腐食抑制効果を有する添加剤を感光性めっきレジ
ストに加えると、ベンゾトリアゾールの場合と同様にレ
ジスト剥離を防止するのに効果があることを見出した。
しかしこの銅腐食抑制剤の場合も、化学銅めっき液中に
溶出するとベンゾトリアゾールと同様めっき速度の低下
やめつき膜物性の低下をひきおこすことがわかった。そ
こで、さらに検討を進めた結果、昇華性の銅腐食抑制剤
を加えてめっきレジストを形成し、次いて後加熱処理を
行うことによって、化学銅めっき液の汚染を防止できる
と同時に、めっきレジストの剥離も防止できることを見
出した本発明に至った。
溶出するとベンゾトリアゾールと同様めっき速度の低下
やめつき膜物性の低下をひきおこすことがわかった。そ
こで、さらに検討を進めた結果、昇華性の銅腐食抑制剤
を加えてめっきレジストを形成し、次いて後加熱処理を
行うことによって、化学銅めっき液の汚染を防止できる
と同時に、めっきレジストの剥離も防止できることを見
出した本発明に至った。
昇華性銅腐食抑制剤が加熱処理によって昇華し、必要最
適量がめつきレジスト中に残るため前記の効果が得られ
るものと思われる。
適量がめつきレジスト中に残るため前記の効果が得られ
るものと思われる。
該銅腐食抑制剤のレジスト中への残留状態も銅層との界
面で濃度が高く、化学銅めっき液と接する側で濃度が低
くなるような濃度勾配が生ずるのではないかと推定され
る。
面で濃度が高く、化学銅めっき液と接する側で濃度が低
くなるような濃度勾配が生ずるのではないかと推定され
る。
上述した本発明の適用により電気鋼めっきの場合よりは
るかに過酷なパターン化学鋼めっきにおいても、めっき
レジストが剥離する開運がなく、且つ、化学銅めっき液
の汚染も少なくなり、微細なパターンの回路形成が可能
となり、化学銅めっき液の寿命も著しく向上する。
るかに過酷なパターン化学鋼めっきにおいても、めっき
レジストが剥離する開運がなく、且つ、化学銅めっき液
の汚染も少なくなり、微細なパターンの回路形成が可能
となり、化学銅めっき液の寿命も著しく向上する。
次に、本発明について、第1図により具体的に説明する
。
。
第1図(a)は絶縁板1上に貼り付けた銅層2の表面を
粗化した状態を示す。絶縁板1にはガラスエポキシ積層
板やガラスポリイミド積層板、セラミック板等が適用で
きる。銅層2は通常の銅張積層板を適用することにより
、形成できる。微細回路形成には銅層は薄い方が有利で
ある。銅層2の表面粗化はサンドブラストなどの機械的
方法、もしくは塩酸酸性の塩化第2銅水溶液などによる
化学的方法を適用することができる。また、さらに表面
を粗化したい場合は、亜塩素酸ナトリウム水溶液などで
処理し、次いで、ジメチルアミノボラン水溶液などで処
理する方法が有効である。ここでは−度、銅表面を酸化
して酸化銅(II)を形成してから再度金属銅に還元す
る。このとき1表面は粗化され、微小の凹凸が形成され
る(特開昭61−176192号)。
粗化した状態を示す。絶縁板1にはガラスエポキシ積層
板やガラスポリイミド積層板、セラミック板等が適用で
きる。銅層2は通常の銅張積層板を適用することにより
、形成できる。微細回路形成には銅層は薄い方が有利で
ある。銅層2の表面粗化はサンドブラストなどの機械的
方法、もしくは塩酸酸性の塩化第2銅水溶液などによる
化学的方法を適用することができる。また、さらに表面
を粗化したい場合は、亜塩素酸ナトリウム水溶液などで
処理し、次いで、ジメチルアミノボラン水溶液などで処
理する方法が有効である。ここでは−度、銅表面を酸化
して酸化銅(II)を形成してから再度金属銅に還元す
る。このとき1表面は粗化され、微小の凹凸が形成され
る(特開昭61−176192号)。
めっき時のめつきレジストの密着性を得るにはこのよう
な銅表面の酸化処理と還元処理を行うことが好ましい、
また、さらにめっきレジストとの良好な密着性を必要と
する場合は、第1図すに示したように、粗面化した鋼上
に薄い金属膜3を形成するのがよい、°金属膜はニッケ
ル、亜鉛、クロム、すず及びそれらの合金が良い。特に
、化学銅めっきの反応電位より卑の酸化膜還元電位を有
する金属が好ましい、第1図は回路形成の一つの面のみ
を示しているが、雨間、あるいは多層プリント板にも適
用きる。このとき、必要に応じて、スルーホールめっき
を行うことが可能である。
な銅表面の酸化処理と還元処理を行うことが好ましい、
また、さらにめっきレジストとの良好な密着性を必要と
する場合は、第1図すに示したように、粗面化した鋼上
に薄い金属膜3を形成するのがよい、°金属膜はニッケ
ル、亜鉛、クロム、すず及びそれらの合金が良い。特に
、化学銅めっきの反応電位より卑の酸化膜還元電位を有
する金属が好ましい、第1図は回路形成の一つの面のみ
を示しているが、雨間、あるいは多層プリント板にも適
用きる。このとき、必要に応じて、スルーホールめっき
を行うことが可能である。
銅層表面を粗化した後、第1図Cに示すように回路形成
予定部分以外をめっきレジスト4でマスクする。このめ
っきレジスト4にはネガ型の感光性レジストに昇華性の
銅腐食抑制剤を添加したものが適用できる0本発明で使
用する感光性レジストは末端エチレン基を有する光重合
可能な不飽和化合物などを含む。例えば、トリメチロー
ルプロパン、トリメチロールエタン、プロピレングリコ
ール、テトラエチレングリコール等の多価アルコールの
アクリル酸エステル、またはメタクリル酸エステルがあ
る。
予定部分以外をめっきレジスト4でマスクする。このめ
っきレジスト4にはネガ型の感光性レジストに昇華性の
銅腐食抑制剤を添加したものが適用できる0本発明で使
用する感光性レジストは末端エチレン基を有する光重合
可能な不飽和化合物などを含む。例えば、トリメチロー
ルプロパン、トリメチロールエタン、プロピレングリコ
ール、テトラエチレングリコール等の多価アルコールの
アクリル酸エステル、またはメタクリル酸エステルがあ
る。
昇華性の銅腐食抑制剤としてはベンゾトリアゾール、ト
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン。
リルトリアゾール、ベンゾグアナミン。
グアニジン、1−シアノグアニジン、チアゾール。
チオ尿素、2−キノリルアミン、1,1′−アゾナフタ
レン、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライド、シ
クロへキシルアミノベンゾエート、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウム
シクロヘキサンカルボキシレートなどがあげられる。こ
れらの添加量は昇華性銅腐食抑制剤の種類や、後加熱時
の条件によって異なるが、ベンゾトリアゾールの場合は
感光性めっきレジスト100重量部に対して0.01〜
1重量部が好適であり、そのときの後加熱は100〜1
60℃、1〜2時間程度が適当である。これら銅腐食抑
制剤はできるだけ感光めっきレジストとしての特性を失
わない範囲で添加することが望ましい。
レン、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライド、シ
クロへキシルアミノベンゾエート、ジイソプロピルアン
モニウムベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウム
シクロヘキサンカルボキシレートなどがあげられる。こ
れらの添加量は昇華性銅腐食抑制剤の種類や、後加熱時
の条件によって異なるが、ベンゾトリアゾールの場合は
感光性めっきレジスト100重量部に対して0.01〜
1重量部が好適であり、そのときの後加熱は100〜1
60℃、1〜2時間程度が適当である。これら銅腐食抑
制剤はできるだけ感光めっきレジストとしての特性を失
わない範囲で添加することが望ましい。
感光性めっきレジスト層は、一般的な方法で前記粗化表
面にラミネートされる。ラミネート後に。
面にラミネートされる。ラミネート後に。
回路形成予定部分のレジスト層を除去する。これには回
路形成予定部分をマスクして露光し、さらにクロロセン
などの現象液で現象する方法が一般的である。ただし、
露光量を多くすると、後工程で感光性めっきレジストを
剥離除去するときに除去しにくくなったり、本発明の目
的が十分得られなくなる問題の生じる場合がある。適切
な露光量は光源やレジストの種類によっても異なるが、
超電圧水銀灯を光源とする場合は300 m J /
ryJ以下が適切と思われる。
路形成予定部分をマスクして露光し、さらにクロロセン
などの現象液で現象する方法が一般的である。ただし、
露光量を多くすると、後工程で感光性めっきレジストを
剥離除去するときに除去しにくくなったり、本発明の目
的が十分得られなくなる問題の生じる場合がある。適切
な露光量は光源やレジストの種類によっても異なるが、
超電圧水銀灯を光源とする場合は300 m J /
ryJ以下が適切と思われる。
次に後加熱処理を行う。この後加熱条件は感光性めっき
レジストに適用する昇華性銅腐食抑制剤の種類や量に依
存する。形成したレジストが変形したり変質しない温度
で後加熱することが望ましい。例えば後加熱温度は18
0℃以下が良い場合が多い。この後加熱処理により、余
分の銅腐食制剤が昇華除去される。このとき、測定は行
っていないが、感光性めっきレジスト中には銅腐食抑制
剤の濃度分布く銅層側で濃く、外側で薄い)が形成され
るものと推定される。
レジストに適用する昇華性銅腐食抑制剤の種類や量に依
存する。形成したレジストが変形したり変質しない温度
で後加熱することが望ましい。例えば後加熱温度は18
0℃以下が良い場合が多い。この後加熱処理により、余
分の銅腐食制剤が昇華除去される。このとき、測定は行
っていないが、感光性めっきレジスト中には銅腐食抑制
剤の濃度分布く銅層側で濃く、外側で薄い)が形成され
るものと推定される。
次に、第1図dに示すように、金属層3を設けた場合は
必要に応じて回路形成予定部分の金属層3を除去する。
必要に応じて回路形成予定部分の金属層3を除去する。
除去液としては金属層3を溶かすものならたいていのも
のが使用できる。
のが使用できる。
その後で、第1図eに示すように回路形成予定部分に化
学銅めつき5を行う、この化学銅めっきには通常用いら
れる厚付けめっき用のものが適用される。この化学銅め
っきでスルーホールめっきも同時に行うような場合は特
に高品質の化学銅めっき膜を形成することが望ましい。
学銅めつき5を行う、この化学銅めっきには通常用いら
れる厚付けめっき用のものが適用される。この化学銅め
っきでスルーホールめっきも同時に行うような場合は特
に高品質の化学銅めっき膜を形成することが望ましい。
例えば、下記組成の化学銅めっき液に70℃で数〜数十
時間めっきすることにより、伸び特性などに優れた高品
質めっき膜を得ることができる。
時間めっきすることにより、伸び特性などに優れた高品
質めっき膜を得ることができる。
さらに、化学銅めっきを行った後、第1図fに示すよう
に、銅のエツチングレジストとして半田めつき6を行う
。旦し、この半田めっきは必ずしも必要なものではなく
、また、他のめつき1例えばすずめつき、金めつき、ニ
ッケルめっきなども用いることができる。この銅のエツ
チングレジストがないと、後工程の銅エツチングで1回
路形成部分の銅も一部エッチングされるため、銅エツチ
ングレジスト6を形成した方が良い。銅エツチングレジ
ストに半[1]めつきを用いる場合の半田めっき浴とし
て一般に用いられるホウフッ化浴などが使用できる。
に、銅のエツチングレジストとして半田めつき6を行う
。旦し、この半田めっきは必ずしも必要なものではなく
、また、他のめつき1例えばすずめつき、金めつき、ニ
ッケルめっきなども用いることができる。この銅のエツ
チングレジストがないと、後工程の銅エツチングで1回
路形成部分の銅も一部エッチングされるため、銅エツチ
ングレジスト6を形成した方が良い。銅エツチングレジ
ストに半[1]めつきを用いる場合の半田めっき浴とし
て一般に用いられるホウフッ化浴などが使用できる。
半田めっきを行った後、第1図gに示すように、感光性
めっきレジスト層4を除去する。本発明ではこの感光性
めっきレジストの剥離工程が不可欠なため、レジストの
硬化を促進させるのに有効な現象後の後露光は行わない
ことが望ましい。めっきレジスト除去には塩化メチレン
などの通常の剥離液が使用できる。
めっきレジスト層4を除去する。本発明ではこの感光性
めっきレジストの剥離工程が不可欠なため、レジストの
硬化を促進させるのに有効な現象後の後露光は行わない
ことが望ましい。めっきレジスト除去には塩化メチレン
などの通常の剥離液が使用できる。
感光性めっきレジストを除去した後、第1図りに示すよ
うに回路形成部分以外の銅層2をエツチング除去する。
うに回路形成部分以外の銅層2をエツチング除去する。
金属層3を設けた場合には金属層も同様にエツチング除
去する。最後に、第1図iに示すように銅のエツチング
レジストとなる半田めつき6を除去する。但し、除去不
要のときは、第1図りのままで終了しても良い。特に金
めつきを銅のエツチングレジストに用いたときはそのま
ま残しておくことが多い。
去する。最後に、第1図iに示すように銅のエツチング
レジストとなる半田めつき6を除去する。但し、除去不
要のときは、第1図りのままで終了しても良い。特に金
めつきを銅のエツチングレジストに用いたときはそのま
ま残しておくことが多い。
以上説明した工程を実施することにより、パターン化学
銅めっきにおいて感光性めっきレジストの密着不良がな
く、且つ化学銅めっき液の汚染が少ない微細パターンの
プリント配線板を製造することができる。
銅めっきにおいて感光性めっきレジストの密着不良がな
く、且つ化学銅めっき液の汚染が少ない微細パターンの
プリント配線板を製造することができる。
次に、本発明を実施例により、さらに具体的に説明する
。
。
実施例1
工程a:18μmの銅層を有する両面銅張ガラスエポキ
シ積層板の必要個所に孔をあけた。次いで、銅表面をブ
ラッシングして研磨した後、アルカリ脱脂を行い、水洗
後、過硫酸アンモニウム200g、硫酸10mAを水に
溶かしてIQにした組成のソフトエツチング液(30℃
)で1分間処理した。水洗を行った後、15%塩酸に1
分間浸漬し、解媒液(日立化成工業、 H5IOIB)
に20℃、5分間浸漬し水洗し、さらに15%塩酸20
℃、5分間浸漬して水洗を行い、活性化した。ひきつづ
き、下記組成(1)の化学鋼めっき液中で70’C,2
時間めっきした。
シ積層板の必要個所に孔をあけた。次いで、銅表面をブ
ラッシングして研磨した後、アルカリ脱脂を行い、水洗
後、過硫酸アンモニウム200g、硫酸10mAを水に
溶かしてIQにした組成のソフトエツチング液(30℃
)で1分間処理した。水洗を行った後、15%塩酸に1
分間浸漬し、解媒液(日立化成工業、 H5IOIB)
に20℃、5分間浸漬し水洗し、さらに15%塩酸20
℃、5分間浸漬して水洗を行い、活性化した。ひきつづ
き、下記組成(1)の化学鋼めっき液中で70’C,2
時間めっきした。
組成(I)
上記化学銅めっきにより、必要個所にあけた孔にスルー
ホールめっきし導電化した。
ホールめっきし導電化した。
工程b:銅層表面を粗化するため、下記組成(II)の
粗化液に空気を吸込みながら攪拌し。
粗化液に空気を吸込みながら攪拌し。
45℃で30秒間処理した。
組成(II)
次に水洗を行い表面が粗化された基板を得た。
工P!c:基板表面を十分乾燥した。他方、下記組成(
III)の感光性樹脂組成物の溶液を25μm厚さのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、
約80”Cの熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した。
III)の感光性樹脂組成物の溶液を25μm厚さのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、
約80”Cの熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した。
組成(1111)
感光性樹脂組成物層の乾燥後の厚さは35μmとした。
感光性樹脂組成物層の上に約25μmの厚さのポリエチ
レンフィルムをカバーフィルムとして張合わせ、感光性
めっきレジストとなるエレメントを得た。このエレメン
トを前記基板の両側に、カバーフィルムをはずしてから
ホットロールラミネータによりラミネートした。このと
き、ホットロール温度を110℃、ラミネート速度を1
m/分とした。約5分間放冷した後、回路形成予定部分
をマスクし、超高圧水銀灯露光器で100mJ/−露光
した。次に、1,1.i−トリクロルエタンを現像液と
し、約18℃で2分間スプレーすることにより現像した
。これにより1回路形成予定部分以外をめっきレジスト
でマスクした。
レンフィルムをカバーフィルムとして張合わせ、感光性
めっきレジストとなるエレメントを得た。このエレメン
トを前記基板の両側に、カバーフィルムをはずしてから
ホットロールラミネータによりラミネートした。このと
き、ホットロール温度を110℃、ラミネート速度を1
m/分とした。約5分間放冷した後、回路形成予定部分
をマスクし、超高圧水銀灯露光器で100mJ/−露光
した。次に、1,1.i−トリクロルエタンを現像液と
し、約18℃で2分間スプレーすることにより現像した
。これにより1回路形成予定部分以外をめっきレジスト
でマスクした。
ここでは回路形成予定部分に90μmのパターンを形成
した。
した。
工程d:回路形成予定部分以外をめっきレジストでマス
クした後、140℃で1時間後加熱処理を行った。
クした後、140℃で1時間後加熱処理を行った。
工程e:基板全体を硫酸の100 m Q / Q水溶
液に2分間浸漬して酸化物等を除去し、次いで水洗を行
った。
液に2分間浸漬して酸化物等を除去し、次いで水洗を行
った。
工程f:工程(a)の組成(I)と同一組成の化学銅め
っき液に70℃で12時間浸漬しパターン化学銅めっき
を行った。めっき後十分水洗した。
っき液に70℃で12時間浸漬しパターン化学銅めっき
を行った。めっき後十分水洗した。
工程g:全全体硫酸の100 m Q / Q水溶液に
2分間浸漬した後、S n”15 g/ Q 、 P
b”10 g/ Q 、HaBOa40 g/Ω、HB
Fi300g/12を含む半田めっき浴にLA/drr
rで15分間攪拌しなから、上記パターン化学銅めっき
表面に半田めっきを行ない、十分に水洗後乾燥した。
2分間浸漬した後、S n”15 g/ Q 、 P
b”10 g/ Q 、HaBOa40 g/Ω、HB
Fi300g/12を含む半田めっき浴にLA/drr
rで15分間攪拌しなから、上記パターン化学銅めっき
表面に半田めっきを行ない、十分に水洗後乾燥した。
工程h:塩化メチレンに浸漬してめっきレジストを除去
した1次いで、@アンモニウム塩性のアルカリエツチン
グ液により、回路形成部以外の銅層をエツチング除去し
た。さらに水洗を行い、硝酸を含むエツチング液で半田
めっき部分を除去した。最後に十分水洗を行い、乾燥さ
せた。
した1次いで、@アンモニウム塩性のアルカリエツチン
グ液により、回路形成部以外の銅層をエツチング除去し
た。さらに水洗を行い、硝酸を含むエツチング液で半田
めっき部分を除去した。最後に十分水洗を行い、乾燥さ
せた。
工程a = hを順次行うことによって両面スルーホー
ルプリント配線板を作成した。
ルプリント配線板を作成した。
実施例2
実施例1の工程すのあとに、下記に示す工程iを加えた
以外は実施例1と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
以外は実施例1と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
工程i:さらに表面を粗化するため、下記組成(IV)
の処理液に70℃で2分間浸漬し酸化した。
の処理液に70℃で2分間浸漬し酸化した。
組成(TV)
水洗を行った後、下記組成(V)の処理液に45℃、1
分間浸漬し、酸化物を還元した。これにより表面を十分
に粗化した。次いで十分水洗した。
分間浸漬し、酸化物を還元した。これにより表面を十分
に粗化した。次いで十分水洗した。
組成(V)
以下、実施例1と同様にしてプリント板を得た。
実施例3
実施例1の工程すの代わりに下記の工程jを行う以外は
実施例1と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
実施例1と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
工程j:銅層表面を粗化するため、過硫酸アンモニウム
200g、硫酸5mAを加えて111とした組成の液で
攪拌しながら30℃、1分間処理した。水洗を行った後
、前記実施例1の工程iに示した組成(IV)の処理液
に70℃、2分間浸漬し酸化した。水洗を行った後、工
程iの組成(V)の処理液に45℃、1分間浸漬し、酸
化物を還元した。ひき続き水洗を行った後、下記組成(
VI)のニッケめっき液でめっきし、銅層表面にうすい
ニッケルめっき金属層を形成した。ニッケルめっき組成
(VI) は20℃で0.I Aldrd、6分間行った。次い
で十分に水洗した。以下実施例1と同様にしてプリント
板を得た。
200g、硫酸5mAを加えて111とした組成の液で
攪拌しながら30℃、1分間処理した。水洗を行った後
、前記実施例1の工程iに示した組成(IV)の処理液
に70℃、2分間浸漬し酸化した。水洗を行った後、工
程iの組成(V)の処理液に45℃、1分間浸漬し、酸
化物を還元した。ひき続き水洗を行った後、下記組成(
VI)のニッケめっき液でめっきし、銅層表面にうすい
ニッケルめっき金属層を形成した。ニッケルめっき組成
(VI) は20℃で0.I Aldrd、6分間行った。次い
で十分に水洗した。以下実施例1と同様にしてプリント
板を得た。
実施例4
実施例3の工程Cにおける感光性樹脂の組成(m)にお
いて、ベンゾトリアゾール量を0.02部としたことお
よび工程dの加熱処理を100°C12時間としたこと
以外は実施例3と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
いて、ベンゾトリアゾール量を0.02部としたことお
よび工程dの加熱処理を100°C12時間としたこと
以外は実施例3と同様の工程で両面スルーホールプリン
ト配線板を作成した。
実施例5
実施例3で、工程Cの組成(III)においてベンシト
リアゾール量を0.5 部としたこと、工程dの加熱処
理を160’C,2時間としたこと以外は実施例3と同
様の工程で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。
リアゾール量を0.5 部としたこと、工程dの加熱処
理を160’C,2時間としたこと以外は実施例3と同
様の工程で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。
実施例6
実施例3の工程jにおいて、ニッケルめっきの代わりに
電気亜鉛めっき液(シエーリング社製、シンカルックス
浴)で0.5 A/drrr、5分間亜鉛めっきを行
った以外は実施例3と同様の工程で両面スルーホールプ
リント配線板を作成した。
電気亜鉛めっき液(シエーリング社製、シンカルックス
浴)で0.5 A/drrr、5分間亜鉛めっきを行
った以外は実施例3と同様の工程で両面スルーホールプ
リント配線板を作成した。
実施例7
実施例3において、工程Cの組成(III)を下記組成
(■)にしたこと、及び工程dの加熱処理を150℃1
時間にした他は、実施例3と同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。
(■)にしたこと、及び工程dの加熱処理を150℃1
時間にした他は、実施例3と同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。
組成(■)
重量部
実施例8
実施例7において1組成(■)のベンゾグアナミンの代
わりに1−シアノグアニジン0.02 部加えた以外は
実施例7と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
わりに1−シアノグアニジン0.02 部加えた以外は
実施例7と同様の工程で両面スルーホールプリント配線
板を作成した。
実施例9
実施例7において、組成(■)のベンゾグアナミンの代
わりに2−キノリルアミン1部を加え、工程dの加熱処
理を130℃、1時間にした以外は実施例7と同様の工
程で両面スルーホールプリント配線板を作成した。
わりに2−キノリルアミン1部を加え、工程dの加熱処
理を130℃、1時間にした以外は実施例7と同様の工
程で両面スルーホールプリント配線板を作成した。
実施例10
実施例7において、組成(■)のベンゾグアナミンの代
わりにシクロヘキシルアミンベンゾエート5部を加え、
工程dの加熱処理を130℃、1時間にした以外は実施
例7と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
わりにシクロヘキシルアミンベンゾエート5部を加え、
工程dの加熱処理を130℃、1時間にした以外は実施
例7と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板を
作成した。
上記実施例1〜10の結果を下記に示す比較例の結果と
合せて表にした。表から明らかなように実施例はいずれ
も良好な結果が得られた。
合せて表にした。表から明らかなように実施例はいずれ
も良好な結果が得られた。
比較例1
実施例3で工程Cの組成(III)においてベンゾトリ
アゾールを除いたこと、及び工程dの加熱を行わなかっ
たこと以外は実施例3と全く同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。
アゾールを除いたこと、及び工程dの加熱を行わなかっ
たこと以外は実施例3と全く同様の工程で両面スルーホ
ールプリント配線板を作成した。
比較例2
実施例3の工程dの加熱を行わなかった以外は実施例3
と全く同様の工程で両面プリント配線板を作成した。
と全く同様の工程で両面プリント配線板を作成した。
比較例3
実施例3で工程0の組成(m)においてベンゾトリアゾ
ールを除いた組成を用いたこと以外は実施例3と全く同
様の方法で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。
ールを除いた組成を用いたこと以外は実施例3と全く同
様の方法で両面スルーホールプリント配線板を作成した
。
比較例4
実施例3で、工程jの金属薄膜の形成を省いた以外は実
施例3と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
施例3と同様の工程で両面スルーホールプリント配線板
を作成した。
本発明によれば、化学鋼めっき時に感光性めっきレジス
トの剥離がなく良好な密着性が得られ、且つ、感光性め
っきレジストから化学銅めっき液への銅腐食抑制剤の溶
出が実質的にないのでめっき速度の低下やめつき膜物性
の低下の生じない良好なパターン化学銅めっきを行うこ
とができ、微細回路形成に効果がある。
トの剥離がなく良好な密着性が得られ、且つ、感光性め
っきレジストから化学銅めっき液への銅腐食抑制剤の溶
出が実質的にないのでめっき速度の低下やめつき膜物性
の低下の生じない良好なパターン化学銅めっきを行うこ
とができ、微細回路形成に効果がある。
第1図は本発明の一実施例のプリント配線板製造工程を
示す図である。 1・・・絶縁板、2・・・銅層、3・・・金属層、4・
・・めっきレジスト、5・・・化学銅めっき層、6・・
・半田めっき茅 1 巴
示す図である。 1・・・絶縁板、2・・・銅層、3・・・金属層、4・
・・めっきレジスト、5・・・化学銅めっき層、6・・
・半田めっき茅 1 巴
Claims (8)
- 1.(a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化する工程
、 (b)該銅層表面に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性
レジスト層を形成し、該レジスト 層に活性光線を形成する回路パターンに応 じて選択的に露光し、現像することにより 回路のネガパターン部にめつきレジスト層 を形成する工程、 (c)該めつきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 (e)前記めつきレジストを除去する工程、(f)回路
パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 2.(a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化した後、
該銅層表面に銅よりも卑なる電位の金 属の薄膜層を形成する工程、 (b)該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジ スト層に活性光線を形成する回路パターン に応じて選択的に露光し、現像することに より回路のネガパターン部にめつきレジス ト層を形成する工程、 (c)該めつきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 (e)前記めつきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 3.(a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該銅
層表面を酸化し、還化する工程、 (b)該銅層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感光性レ
ジスト層を形成し、該レジスト層 に活性光線を形成する回路パターンに応じ て選択的に露光し、現像することにより回 路のネガパターン部にめつきレジスト層を 形成する工程、 (c)該めつきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めつきにより回路部にめつきする工程、 (e)前記めつきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層を除去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 4.(a)絶縁板上に設けた銅層の表面を粗化し、該銅
層表面を酸化し、還元した後、該表面 を銅よりも卑なる電位の金属の薄膜層を被 覆する工程、 (b)該金属薄膜層上に昇華性の銅腐食抑制剤を含む感
光性レジスト層を形成し、該レジ スト層に活性光線を形成する回路パターン に応じて選択的に露光し、現像することに より回路のネガパターン部にめつきレジス ト層を形成する工程、 (c)該めつきレジスト層を加熱処理する工程、(d)
化学銅めつきにより回路部をめつきする工程、 (e)前記めつきレジスト層を除去する工程、(f)回
路パターン部以外の前記銅層および前記金属薄膜層を除
去する工程、 を含むことを特徴とするプリント板の製造方法。 - 5.昇華性の銅腐食抑制剤がベンゾトリアゾール、トリ
ルトリアゾール、ベンゾグアナミン、グアニジン、1−
シアノグアニズン、チアゾール、チオ尿素、2−キノリ
ルアミン、1,1’−アゾナフタレン、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムナイトライド、ジイソプロピルアンモニ
ウムベンゾエート、シクロヘキシルアミンベンゾエート
、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカルボ
キシレートから選ばれることを特徴とする請求項1〜請
求項4のいずれか1項に記載するプリント板の製造方法
。 - 6.前記工程(c)の加熱処理温度が、めつきレジスト
が熱変形しない温度であることを特徴とする請求項1〜
請求項5のいずれか1項に記載するプリント板の製造方
法。 - 7.加熱処理条件が100〜180℃,1〜2時間であ
ることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項
に記載するプリント板の製造方法。 - 8.前記工程(f)において、銅回路パターン上に銅エ
ッチングレジスト層を被覆後、回路パターン部以外の前
記銅層,金属薄膜層を除去する工程を含む請求項1〜請
求項4のいずれか1項に記載するプリント板の製造方法
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089083A JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
EP89106641A EP0337465B1 (en) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Process for producing printed circuit board |
KR1019890004915A KR970004999B1 (ko) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | 인쇄 회로판의 제조방법 |
DE68918975T DE68918975T2 (de) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Verfahren für die Herstellung von Leiterplatten. |
US07/336,771 US5028513A (en) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | Process for producing printed circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089083A JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01261888A true JPH01261888A (ja) | 1989-10-18 |
JPH0783168B2 JPH0783168B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13960971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63089083A Expired - Lifetime JPH0783168B2 (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | プリント板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5028513A (ja) |
EP (1) | EP0337465B1 (ja) |
JP (1) | JPH0783168B2 (ja) |
KR (1) | KR970004999B1 (ja) |
DE (1) | DE68918975T2 (ja) |
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