JP2015138922A - 電子材料用基板及び電子材料用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エキシマレーザーによる加工性が良好であり、これにより、薄膜化、及び微細配線化が可能であり、しかも微細配線化した場合でも、優れた電気特性を有し、かつ、耐水性などの信頼性に優れた電子材料用基板すること。
【解決手段】脂環式オレフィン重合体、硬化剤、及び体積平均粒子径が１μｍ以下である無機充填剤を含有する第１硬化性樹脂組成物により形成される第１樹脂層と、前記第１樹脂層と積層され、前記第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物により形成される第２樹脂層と、前記第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射することにより形成され、前記第１樹脂層を貫通し、かつ、前記第２樹脂層を貫通しない凹部と、前記凹部内に導体を充填することにより形成された配線と、を備える電子材料用基板を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子材料用基板及び電子材料用基板の製造方法に関し、微細配線を良好に形成可能な電子材料用基板及び電子材料用基板の製造方法に関する。

電子機器の小型化、多機能化、通信高速化などの追求に伴い、電子機器中の半導体素子などに使用される回路基板のさらなる高密度化が要求されており、このような要求に応えるため、多層構造を有する回路基板（以下、多層回路基板という）が使用されている。このような多層回路基板は、たとえば、表面に導体層が形成されたコア基板の上に電気絶縁層を積層して電子材料用基板を得て、この電子材料用基板の上に導体層を形成させ、さらに、これら電気絶縁層の積層と、導体層の形成と、を繰り返し行なうことにより形成される。

たとえば、特許文献１では、このような回路基板を形成する電気絶縁層を、第１無機粒子を含有する第１絶縁層と、第１無機粒子よりも粒子径の小さい第２無機粒子を含有する第２絶縁層とを積層してなるもので形成し、第１絶縁層表面にレーザーを照射することにより溝（トレンチ）を形成し、形成したトレンチ内に導体を充填することで、所定の回路パターンを形成する技術が開示されている。しかしながら、この特許文献１の技術では、たとえば、配線のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）をより小さなものとし、これにより、配線のさらなる微細化をするために、エキシマレーザーなどの微細加工が可能なレーザーを用いた場合に、エキシマレーザーによる加工性が十分でなく、そのため、微細配線化をした場合における電気特性や耐水性などの信頼性に劣るものとなるという不具合が生じてしまう。そのため、特許文献１の技術では、配線のさらなる微細化が困難であり、高密度化に対する要求に十分に応えることができないものであった。

国際公開第２０１０／００４８４１号

本発明の目的は、エキシマレーザーによる加工性が良好であり、これにより、薄膜化、及び微細配線化が可能であり、しかも微細配線化した場合でも、優れた電気特性を有し、かつ、耐水性などの信頼性に優れた電子材料用基板を提供することにある。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、電気絶縁層を、脂環式オレフィン重合体、及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物により形成される第１樹脂層と、第１樹脂層と積層され、第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物により形成される第２樹脂層とを備えるものとし、これに対し、第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射した場合に、優れた加工性にて、配線形成用の凹部を形成することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明によれば、
〔１〕脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を硬化して形成される第１樹脂層と、前記第１樹脂層と積層され、前記第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物を硬化して形成される第２樹脂層と、前記第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射することにより形成され、前記第１樹脂層を貫通し、かつ、前記第２樹脂層を貫通しない凹部と、前記凹部内に導体を充填することにより形成された配線と、を備える電子材料用基板、
〔２〕前記第１硬化性樹脂組成物が、さらに体積平均粒子径が１μｍ以下である無機充填剤を含有する、前記〔１〕に記載の電子材料用基板、
〔３〕前記脂環式オレフィン重合体が、極性基Ａを含有する極性基含有脂環式オレフィン重合体であり、前記硬化剤が、前記極性基Ａとの反応性を有する官能基Ｘを含有する多価エポキシ化合物である前記〔１〕または〔２〕に記載の電子材料用基板、
〔４〕前記第１硬化性樹脂組成物中における、前記無機充填剤の含有割合が、１０〜５０重量％である前記〔２〕または〔３〕に記載の電子材料用基板、
〔５〕前記第２硬化性樹脂組成物が、多価エポキシ化合物、エポキシ基と反応する基を有する硬化剤、及び無機充填剤を含有する前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の電子材料用基板、
〔６〕脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を硬化して第１樹脂層を形成される工程と、前記第１樹脂層と積層され、前記第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物を硬化して第２樹脂層を形成する工程と、前記第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射して、前記第１樹脂層を貫通し、かつ、前記第２樹脂層を貫通しない凹部を形成する工程と、前記凹部内に導体を充填することにより配線を形成する工程と、を含む電子材料用基板の製造方法、ならびに、
〔７〕前記第１硬化性樹脂組成物が、さらに体積平均粒子径が１μｍ以下である無機充填剤を含有する、前記〔６〕に記載の製造方法、
が提供される。

本発明によれば、エキシマレーザーによる加工性が良好であるため、これにより、薄膜化、及び微細配線化が可能であり、しかも微細配線化した場合でも、優れた電気特性を有し、かつ、耐水性などの信頼性に優れた電子材料用基板を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る電子材料用基板の断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る電子材料用基板の製造方法を示す図である。

以下、本発明の電子材料用基板について、図面を参照しながら、説明する。図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子材料用基板の断面図である。

本発明の一実施形態に係る電子材料用基板は、図１（Ａ）に示すように、第１樹脂層１０と、第２樹脂層２０と、配線４０とを備える。
第１樹脂層１０は、脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を用いて形成され、一方、第２樹脂層２０は、第１樹脂層１０とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物を用いて形成される。

また、配線４０は、図２（Ａ）に示す第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０からなる積層体の第１樹脂層１０表面に、エキシマレーザーを照射することにより、図２（Ｂ）に示すように、第１樹脂層１０を貫通し、かつ、第２樹脂層２０を貫通しない凹部４０ａを形成し、凹部４０ａ内に、導体を充填することにより形成される。
なお、図１（Ａ）に示す例においては、第１樹脂層１０、第２樹脂層２０及び配線４０を、基板３０上に形成する態様を例示したが、このような態様に特に限定されるものではない。

（第１硬化性樹脂組成物）
まず、第１樹脂層１０を形成するための第１硬化性樹脂組成物について説明する。
第１硬化性樹脂組成物は、第１樹脂層１０を形成するための組成物であり、脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する、硬化性の樹脂組成物である。

脂環式オレフィン重合体としては、単量体単位の一部または全部に脂環式構造を有する重合体であればよく、特に限定されない。硬化性の樹脂として、脂環式オレフィン重合体を使用することにより、第１硬化性樹脂組成物から形成される硬化物の電気特性を良好なものとしながら、エキシマレーザーを照射し、これにより凹部４０ａを形成する際における加工性を良好なものとすることができる。

また、本発明で用いる脂環式オレフィン重合体としては、単量体単位の一部または全部に脂環式構造を有することに加えて、重合体分子中に少なくとも１つの極性基Ａを有するものであることが好ましく、このような極性基Ａを有することにより、極性基Ａが硬化反応時に反応点として作用し、第１硬化性樹脂組成物から形成される硬化物の機械強度を高めることができる。

本発明で用いる脂環式オレフィン重合体を構成する脂環式構造としては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが挙げられるが、脂環式オレフィン重合体を含む第１硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の機械的強度や耐熱性などの観点からは、シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造としては、特に限定されないが、単環、多環、縮合多環、橋架け環、及び、これらを組合せてなる多環などが挙げられる。脂環式構造を構成する炭素原子数は特に限定されないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲であり、環式構造を構成する炭素原子数がこの範囲にある場合に、機械的強度、耐熱性、及び成形性の諸特性が高度にバランスされ好適である。

脂環式オレフィン重合体の脂環式構造は、炭素原子で形成される脂環構造を有するオレフィン単量体単位、すなわち、脂環式オレフィン単量体単位よりなる。脂環式オレフィン重合体は、脂環式オレフィン単量体単位の他、その他の単量体単位を含んでいてもよい。脂環式オレフィン重合体中の脂環式オレフィン単量体単位の割合は、特に限定されないが、通常３０〜１００質量％、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％である。脂環式オレフィン単量体単位の割合が３０質量％以上であることで、得られる硬化物の耐熱性に優れる。脂環式オレフィン単量体単位以外の単量体単位としては、格別な限定はなく、目的に応じて適宜選択される。

極性基Ａとしては、特に限定されないが、アルコール性ヒドロキシル基、フェノール性ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水物基、スルホン酸基、リン酸基等が挙げられる。これらの中でも、得られる硬化物の機械的強度、耐熱性を優れたものとする観点から、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、フェノール性ヒドロキシル基、及び、エポキシ基からなる群から選択される基を少なくとも１つ含むことが好ましく、カルボキシル基またはカルボン酸無水物基を含むことがより好ましい。なお、脂環式オレフィン重合体は、極性基を１種含むものであってもよいし、あるいは、２種以上含有するものであってもよい。

また、脂環式オレフィン重合体が含有する極性基Ａは、重合体の主鎖を構成する原子に直接結合していてもよいし、メチレン基、オキシ基、オキシカルボニルオキシアルキレン基、フェニレン基などの他の二価の基を介して結合してもよい。脂環式オレフィン重合体中の極性基Ａを有する単量体単位の含有率は、特に制限されないが、脂環式オレフィン重合体を構成する全単量体単位１００モル％中、４モル％以上が好ましく、８モル％以上がより好ましく、また、６０モル％以下が好ましく、５０モル％以下が好ましい。

また、本発明で用いる脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造及び極性基Ａに加え、芳香環を有していてもよい。脂環式オレフィン重合体として、極性基Ａを有する芳香環含有脂環式オレフィン重合体を使用することにより、当該重合体の剛直さが増加し、第１硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の強度をより向上させることができる。

本発明で用いる脂環式オレフィン重合体を、脂環式構造に加えて、極性基Ａを有するものとする場合には、本発明で用いる脂環式オレフィン重合体は、たとえば、以下の方法により得ることができる。すなわち、（１）極性基Ａを有する脂環式オレフィンを、必要に応じて他の単量体を加えて、重合する方法、（２）極性基Ａを有しない脂環式オレフィンを、極性基Ａを有する単量体と共重合する方法、（３）極性基Ａを有する芳香族オレフィンを、必要に応じて他の単量体を加えて、重合し、これにより得られる重合体の芳香環部分を水素化する方法、（４）極性基Ａを有しない芳香族オレフィンを、極性基Ａを有する単量体と共重合し、これにより得られる重合体の芳香環部分を水素化する方法、または、（５）極性基Ａを有しない脂環式オレフィン重合体に極性基Ａを有する化合物を変性反応により導入する方法、もしくは、（６）上述の（１）〜（５）のようにして得られる極性基（たとえばカルボン酸エステル基など）を有する脂環式オレフィン重合体の極性基を、たとえば加水分解することなどにより他の極性基Ａ（たとえばカルボキシル基）に変換する方法、などにより得ることができる。これらのなかでも、脂環式オレフィン重合体に極性基Ａを容易な反応条件で効率よく導入できるという観点から、（１）の方法によって得られる重合体が好適である。

また、脂環式オレフィン重合体を得る重合法は開環重合や付加重合が用いられるが、開環重合の場合には得られた開環重合体を水素添加することが好ましい。また、本発明で用いる脂環式オレフィン重合体を、脂環式構造に加えて、極性基Ａ及び芳香環を有するものとする場合には、本発明で用いる脂環式オレフィン重合体は、たとえば（７）上述の（１）の方法の極性基Ａを有する脂環式オレフィンとして、極性基Ａを有する芳香環含有脂環式オレフィンを用いて重合する方法、（８）上述の（２）の方法の極性基Ａを有しない脂環式オレフィンとして、極性基Ａを有しない芳香環含有脂環式オレフィンを用いて重合する方法、により得ることができる。

極性基Ａを有する脂環式オレフィンの例としては、特に限定されないが、５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチル−５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシメチル−５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、９−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、９−メチル−９−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、９−カルボキシメチル−９−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、５−エキソ−６−エンド−ジヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、９−エキソ−１０−エンド−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、などのカルボキシル基を有する脂環式オレフィン；ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン−９，１０−ジカルボン酸無水物、ヘキサシクロ［１０．２．１．１^３，１０．１^５，８．０^２，１１．０^４，９］ヘプタデカ−６−エン−１３，１４−ジカルボン酸無水物、などのカルボン酸無水物基を有する脂環式オレフィン；９−メチル−９−メトキシカルボニルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、などのカルボン酸エステル基を有する脂環式オレフィン；（５−（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、９−（４−ヒドロキシフェニル）テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エン、Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミドなどのフェノール性ヒドロキシル基を有する脂環式オレフィン；５−エポキシエチルー２−ノルボルネン、９−エポキシエチルテトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカ−４−エンなどのエポキシ基を有する脂環式オレフィン、などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

極性基Ａを有しない脂環式オレフィンの例としては、特に限定されないが、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカ−３，８−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、９−メチル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−エチル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−メチリデン−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−エチリデン−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−ビニル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−プロペニル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、９−フェニル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エン、テトラシクロ［９．２．１．０^２，１０．０^３，８］テトラデカ−３，５，７，１２−テトラエン、シクロペンテン、シクロペンタジエンなどが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

極性基Ａを有しない芳香族オレフィンの例としては、特に限定されないが、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。これらの具体例が前記極性基Ａを有する場合、極性基Ａを有する芳香族オレフィンの例として挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

極性基Ａを有する芳香環含有脂環式オレフィンの例としては、特に限定されないが、フェノール性ヒドロキシル基を有する脂環式オレフィンや、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロジベンゾフラン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロジベンゾチアジン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロカルバゾール、１，４−メタノ−９−フェニル−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロカルバゾール、４−カルボキシフェニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン、Ｎ−（４−カルボキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミドなどが挙げられる。

極性基Ａを有しない芳香環含有脂環式オレフィンの例としては、特に限定されないが、９−フェニル−テトラシクロ〔６．２．１．１^３，６．０^２，７〕ドデカ−４−エンや、５−（４−メチルフェニル−２−ノルボルネン、５−（１−ナフチル）−２−ノルボルネン、テトラシクロ［９．２．１．０^２，１０．０^３，８］テトラデカ−３，５，７，１２−テトラエン（ＭＴＦ）、１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフルオレンなどが挙げられる。

極性基Ａを有する単量体としては、特に限定されないが、極性基Ａを有するエチレン性不飽和化合物が挙げられる。極性基Ａを有するエチレン性不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸、α−エチルアクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸などの不飽和カルボン酸化合物；無水マレイン酸、ブテニル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シトラコン酸などの不飽和カルボン酸無水物；などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

極性基Ａを有しない単量体としては、極性基Ａを有しないエチレン性不飽和化合物が挙げられる。極性基Ａを有しないエチレン性不飽和化合物の例としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数２〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

脂環式オレフィン重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、硬化して得られる硬化物の機械的強度を良好とするためには、５００以上であることが好ましく、１，０００以上であることがより好ましく、３，０００以上であることが特に好ましく、また、第１硬化性樹脂組成物からなる第１樹脂層１０を成形する際の作業性を良好とするためには、重量平均分子量は、１，０００，０００以下であることが好ましく、５００，０００以下であることがより好ましく、３００，０００以下であることが特に好ましい。なお、本発明において、重量平均分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として使用したゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量を指す。

脂環式オレフィン重合体を、開環重合法により得る場合の重合触媒としては、たとえば国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の従来公知のメタセシス重合触媒を用いることができる。メタセシス重合触媒としては、Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕなどの原子を含有してなる遷移金属化合物が例示され、なかでも、Ｍｏ，ＷまたはＲｕを含有する化合物は重合活性が高くて好ましい。特に好ましいメタセシス重合触媒の具体的な例としては、＜１＞ハロゲン基、イミド基、アルコキシ基、アリロキシ基またはカルボニル基を配位子として有する、モリブデンあるいはタングステン化合物を主触媒とし、有機金属化合物を第二成分とする触媒や、＜２＞Ｒｕを中心金属とする金属カルベン錯体触媒を挙げることができる。なお、脂環式オレフィン重合体の重合は、特に限定されることなく、たとえば国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の方法を用いて行うことができる。

脂環式オレフィン重合体の分子量を調整する方法としては、ビニル化合物またはジエン化合物を適当量添加する方法を挙げることができる。分子量調整に用いるビニル化合物は、ビニル基を有する有機化合物であれば特に限定されないがたとえば国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の化合物を挙げることができる。ビニル化合物またはジエン化合物の添加量は、目的とする分子量に応じて、重合に用いる単量体に対して、０．１〜１０モル％の間で任意に選択することができる。

脂環式オレフィン重合体を、付加重合法により得る場合の重合触媒としては、たとえば国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の、チタン、ジルコニウムまたはバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒が好適に用いられる。これらの重合触媒は、それぞれ単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

脂環式オレフィン重合体として、開環重合体の水素添加物を用いる場合の、開環重合体に対する水素添加は、通常、水素添加触媒を用いて行われる。水素添加触媒は特に限定されず、オレフィン化合物の水素添加に際して一般的に使用されているものを適宜採用すればよい。水素添加触媒としては、たとえば、国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の公知の触媒を用いることが可能である。

水素添加反応は、通常、有機溶媒中で行う。有機溶媒は生成する水素添加物の溶解性により適宜選択することができ、上述した重合反応に用いる有機溶媒と同様の有機溶媒を使用することができる。したがって、重合反応後、有機溶媒を入れ替えることなく、そのまま水素添加触媒を添加して反応させることもできる。さらに、上述した重合反応に用いる有機溶媒の中でも、水素添加反応に際して反応しないという観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、芳香族エーテル系溶媒が好ましく、芳香族エーテル系溶媒がより好ましい。なお、水素添加反応条件は、使用する水素添加触媒の種類に応じて適宜選択すればよく、たとえば、国際公開第２０１２／０９０９８０号に記載の条件を用いることができる。

脂環式オレフィン重合体は、重合や水素添加反応後の重合体溶液として使用しても、溶媒を除去した後に使用してもどちらでもよいが、第１硬化性樹脂組成物を調製する際に添加剤の溶解や分散が良好になるとともに、工程が簡素化できるため、重合体溶液として使用するのが好ましい。

第１硬化性樹脂組成物に含有される硬化剤としては、加熱等により、上述した脂環式オレフィン重合体に架橋構造を形成させることができる化合物であれば特に限定されず、一般の電気絶縁層形成用の樹脂組成物に配合される硬化剤を用いることができるが、たとえば、上述した脂環式オレフィン重合体として、極性基Ａを有するものを用いる場合には、極性基Ａとの反応性を有する官能基Ｘを一分子中に好ましくは２個以上有する多価エポキシ化合物を好適に用いることができる。

多価エポキシ化合物としては、たとえば、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、クレゾール型エポキシ化合物、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ポリフェノール型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ化合物等のグリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、グリシジルアミン型エポキシ化合物、が挙げられる。また、前記エポキシ化合物の骨格として脂環式オレフィン、芳香環、縮合芳香環やフルオレン構造などを有するものが挙げられる。これらのなかでも、第１硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の機械物性を良好なものとすることができるという点より、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物や、脂環式オレフィン構造またはフルオレン構造を有するノボラック型エポキシ化合物が好ましい。さらに、第１硬化性樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の電気特性や耐熱性を良好とする点から、脂環式オレフィン構造を有するエポキシ化合物が特に好ましい。なお、これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

脂環式オレフィン構造を有する多価エポキシ化合物としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂〔たとえば、商品名「エピクロン（登録商標）ＨＰ７２００Ｌ、エピクロン（登録商標）ＨＰ７２００、エピクロン（登録商標）ＨＰ７２００Ｈ、エピクロン（登録商標）ＨＰ７２００ＨＨ」（以上、ＤＩＣ社製）；商品名「Ｔａｃｔｉｘ（登録商標）５５８」（ハンツマン・アドバンスト・マテリアル社製）；商品名「ＸＤ−１０００−１Ｌ、ＸＤ−１０００−２Ｌ」（以上、日本化薬社製）〕を挙げることができる。

第１硬化性樹脂組成物中における、硬化剤の配合量は、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、好ましくは、１〜１００重量部、より好ましくは５〜８０重量部、さらに好ましくは１０〜５０重量部の範囲である。硬化剤の配合量を上記範囲とすることにより、第１硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の機械的強度及び電気特性を特に良好なものとすることができる。

第１硬化性樹脂組成物は、体積平均粒子径が１μｍ以下の無機充填剤を含有していることが好ましい。かかる無機充填剤としては、たとえば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；酸化ケイ素（シリカ）、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタンなどの酸化物；塩化ナトリウム、塩化カルシウムなどの塩化物；硫酸水素ナトリウム、硫酸ナトリウムなどの硫酸塩；硝酸ナトリウム、硝酸カルシウムなどの硝酸塩；リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素ナトリウムなどのリン酸塩；マイカ、カオリン、フライアッシュ、タルク、雲母などのケイ酸塩；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムなどのチタン酸塩；炭酸ナトリウム、炭酸カルシウムなどの炭酸塩；炭化ケイ素、炭化硼素などの炭化物；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物；ガラス粉末；カーボンブラック；アルミニウムやニッケル、マグネシウム、銅、亜鉛、鉄などの金属粒子；Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系等のフェライト；カルボニル鉄、鉄−珪素系合金、鉄−アルミニウム−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金等の強磁性金属粉；などが例示される。

これらのなかでも、水酸化物、酸化物、チタン酸塩及び炭酸塩が好ましく、水酸化物では水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウム、酸化物では酸化ケイ素（シリカ）、チタン酸塩ではチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸カルシウム、炭酸塩では炭酸カルシウムがより好ましく、酸化ケイ素（シリカ）が耐熱性、電気特性などの観点で特に好ましい。これらの無機充填剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いることができる。また、これらの無機充填剤は、公知の、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等で表面処理したものを用いることが、硬化性樹脂組成物中の分散性に優れ、トレンチ形状や表面状態などの形成性に優れるため好ましい。

無機充填剤の体積平均粒子径は、１μｍ以下であればよいが、好ましくは０．０５〜０．５μｍ、より好ましくは０．１〜０．３μｍである。無機充填剤の体積平均粒子径が大きすぎると、配線を形成するためのトレンチ内の樹脂表面の凹凸が大きくなり、微細配線形成性や信頼性が低くなるおそれがある。なお、無機充填剤の体積平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布計にて測定される値である。

第１硬化性樹脂組成物中における、無機充填剤の配合量は、特に限定されるものではないが、固形分換算で、好ましくは１０〜５０重量％であり、より好ましくは１５〜４５重量％、さらに好ましくは２０〜４０重量％である。無機充填剤の配合量を上記範囲とすることにより、トレンチ形成性と耐熱性、機械特性、信頼性などをより向上させることができる。

また、本発明で用いる第１硬化性樹脂組成物には、上記成分以外に、ヒンダードフェノール化合物やヒンダードアミン化合物を含有することが好ましく、ヒンダードフェノール化合物およびヒンダードアミン化合物の両方を含有することがさらに好ましい。

ヒンダードフェノール化合物とは、ヒドロキシル基を有し、かつ、該ヒドロキシル基のβ位の炭素原子に水素原子を有さないヒンダード構造を分子内に少なくとも１つ有するフェノール化合物である。ヒンダードフェノール化合物の具体例としては、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２−チオビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、ｎ−オクタデシル−３−（４′−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル・フェニル）プロピオネート、テトラキス−〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタンなどが挙げられる。

第１硬化性樹脂組成物中にヒンダードフェノール化合物を配合する場合における、ヒンダードフェノール化合物の配合量は、特に限定されないが、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０４〜１０重量部、より好ましくは０．３〜５重量部、さらに好ましくは０．５〜３重量部の範囲である。ヒンダードフェノール化合物の配合量を上記範囲とすることにより、第１硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の機械的強度を良好とすることができる。

また、ヒンダードアミン化合物とは、４−位に２級アミンまたは３級アミンを有する２，２，６，６−テトラアルキルピペリジン基を分子中に少なくとも一個有する化合物である。アルキルの炭素数としては、通常、１〜５０である。ヒンダードアミン化合物としては、４−位に２級アミンまたは３級アミンを有する２，２，６，６−テトラメチルピペリジル基を分子中に少なくとも一個有する化合物が好ましい。

第１硬化性樹脂組成物中にヒンダードアミン化合物を配合する場合における、ヒンダードアミン化合物の配合量は、特に限定されないが、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０２〜１０重量部、より好ましくは０．２〜５重量部、さらに好ましくは０．２５〜３重量部の範囲である。ヒンダードアミン化合物の配合量を上記範囲とすることにより、第１硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の機械的強度を良好とすることができる。

さらに、本発明で用いる第１硬化性樹脂組成物には、上記成分以外に、硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、一般の電気絶縁膜形成用の樹脂組成物に配合される硬化促進剤を用いればよいが、たとえば、第２級アミン、第３級アミン、酸無水物、イミダゾール誘導体、有機酸ヒドラジド、ジシアンジアミド及びその誘導体、尿素誘導体などが挙げられる。硬化促進剤としては、第１硬化性樹脂組成物の保存安定性を高めるという観点から、イミダゾール誘導体が好ましい。

イミダゾール誘導体としては、イミダゾール骨格を有する化合物であればよく、特に限定されないが、たとえば、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−（２’−シアノエチル）イミダゾールなどのアリール基やアラルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換されたイミダゾール化合物；などが挙げられる。これらは１種を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。

第１硬化性樹脂組成物中に硬化促進剤を配合する場合における、硬化促進剤の配合量は、使用目的に応じて適宜選択すればよいが、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、好ましくは０．００１〜３０重量部、より好ましくは０．０１〜１０重量部、さらに好ましくは０．０３〜５重量部である。

また、本発明で用いる第１硬化性樹脂組成物は、上記成分以外に、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、紫外線吸収剤（レーザー加工性向上剤）、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、磁性体、誘電特性調整剤、靭性剤などの公知の成分を適宜配合してもよい。これらの任意成分の配合割合は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜選択すればよい。

第１硬化性樹脂組成物の製造方法としては、特に限定されるものではなく、上記各成分を、そのまま混合してもよいし、有機溶剤に溶解若しくは分散させた状態で混合してもよいし、上記各成分の一部を有機溶剤に溶解若しくは分散させた状態の組成物を調製し、当該組成物に残りの成分を混合してもよい。

（第２硬化性樹脂組成物）
次いで、第２樹脂層２０を形成するための第２硬化性樹脂組成物について説明する。
第２硬化性樹脂組成物は、第１樹脂層１０とは異なる熱硬化性樹脂を含有する硬化性の樹脂組成物である。

第２硬化性樹脂組成物を構成する熱硬化性樹脂としては、第１樹脂層１０を構成する樹脂と異なる樹脂であればよく特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂、マレイミドトリアジン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネ−トエステル樹脂、及びポリイミドなどを挙げることができる。これらの熱硬化性樹脂は、それぞれ単独で、または２種以上を組み合わせて用いられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ基を含有するもの（すなわち、エポキシ樹脂）が好ましく、架橋密度を増加させて樹脂強度を向上させる観点から、少なくとも２つのエポキシ基を有するもの（多価エポキシ化合物）がより好ましい。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とはメタクリルまたはアクリルを意味する。

第２硬化性樹脂組成物を構成する熱硬化性樹脂として好適に用いることができる多価エポキシ化合物としては、たとえば、フェノールノボラック型エポキシ化合物やクレゾールノボラック型エポキシ化合物が挙げられ、その骨格としては脂環式オレフィン構造を有する化合物を挙げることができる。少なくとも２つのエポキシ基を含有する脂環式オレフィン構造を有する化合物としては、たとえば、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標） ＨＰ７２００Ｌ」、「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００」、「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００Ｈ」、「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００ＨＨ」（以上、ＤＩＣ社製）；商品名「Ｔａｃｔｉｘ（登録商標）５５８」（ハンツマン・アドバンスト・マテリアル社製）；商品名「ＸＤ−１０００−１Ｌ」、「ＸＤ−１０００−２Ｌ」（以上、日本化薬社製）などのジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂が挙げられる。

また、第２硬化性樹脂組成物は、上述した熱硬化性樹脂に加えて、必要に応じて硬化剤を含有していてもよい。硬化剤は、使用する熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜公知のものを選択して使用すればよく、すなわち、熱硬化性樹脂と反応性を有する基を含有するものを使用すればよい。以下、熱硬化性樹脂として、多価エポキシ化合物を用いる場合を例示して、好適な硬化剤について説明する。ここで多価エポキシ化合物とは、少なくとも２つのエポキシ基を有するものであればよく特に限定されない。

多価エポキシ化合物に対して用いる硬化剤としては、多価エポキシ化合物を硬化させることができれば特に限定されず、たとえば、エポキシ基と反応する基を有する脂環式オレフィン重合体、ジシアンジアミド、アミン化合物、アミン化合物から合成される化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物、フェノール化合物（フェノール硬化剤）、活性エステル化合物、ベンゾオキサジン化合物、マレイミド化合物、熱潜在性カチオン重合触媒、光潜在性カチオン重合開始剤またはシアネート樹脂等が挙げられる。これらの硬化剤の誘導体を用いてもよい。硬化剤は、１種のみ用いてもよく、２種以上併用してもよい。また、硬化剤とともに、アセチルアセトン鉄等の硬化触媒を用いてもよい。上述のアミン化合物、アミン化合物から合成される化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物としては、たとえば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、フェノール化合物としては、たとえば国際公開第２０１０／０３５４５１号に記載のものを用いることができる。

これら多価エポキシ化合物に対して用いる硬化剤のなかでも、フェノール樹脂や活性エステル化合物が好ましく、電気特性や耐水性の観点から、活性エステル化合物がより好ましい。

また、上記活性エステル化合物は、活性エステル基を有するものであれば特に限定されないが、分子内に少なくとも２つの活性エステル基を有する化合物が好ましい。活性エステル化合物としては、耐熱性等の観点から、カルボン酸化合物及び／またはチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物及び／またはチオール化合物とを反応させて得られる活性エステル化合物が好ましく、カルボン酸化合物と、フェノール化合物、ナフトール化合物及びチオール化合物からなる群から選択される１種または２種以上とを反応させて得られる活性エステル化合物がより好ましく、カルボン酸化合物とフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族化合物とを反応させて得られ、かつ、分子内に少なくとも２つの活性エステル基を有する芳香族化合物が特に好ましい。活性エステル化合物は、直鎖状であっても多分岐状であってもよい。活性エステル化合物が、少なくとも２つのカルボン酸を分子内に有する化合物に由来する場合を例示すると、このような少なくとも２つのカルボン酸を分子内に有する化合物が、脂肪族鎖を含む場合には、エポキシ樹脂との相溶性を高くすることができ、また、芳香族環を有する場合には、得られる硬化物の耐熱性を高くすることができる。

活性エステル化合物を形成するためのカルボン酸化合物、フェノール化合物、ナフトール化合物、チオール化合物としては、特開２０１２−１５３８８５号公報に記載のものを用いることができる。

ここで、活性エステル化合物としては、たとえば、特開２００２−１２６５０号公報に記載されている活性エステル基を持つ芳香族化合物及び特開２００４−２７７４６０号公報に記載されている多官能性ポリエステル、あるいは、市販のものを用いることができる。市販されている活性エステル化合物としては、たとえば、商品名「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」（以上、ＤＩＣ社製）、商品名「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、商品名「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）などが挙げられる。

活性エステル化合物の製造方法は特に限定されず、公知の方法により製造ができるが、たとえば、カルボン酸化合物及び／またはチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／またはチオール化合物との縮合反応によって得ることができる。

第２硬化性樹脂組成物中に硬化剤を配合する場合における、硬化剤の配合量は、特に限定されないが、多価エポキシ化合物１００重量部に対して、好ましくは２０〜１２０重量部、より好ましくは４０〜１００重量部、さらに好ましくは５０〜９０重量部の範囲である。また、硬化剤として活性エステル化合物を使用する場合を例示すると、多価エポキシ化合物及び活性エステル化合物等を含む第２硬化性樹脂組成物中、多価エポキシ化合物由来のエポキシ基と、活性エステル化合物由来の活性エステル基との比率は、「エポキシ基／活性エステル基」の当量比で、好ましくは０．５〜１．２５、より好ましくは０．７〜１．１、さらに好ましくは０．８〜１．０５である。活性エステル化合物の配合量を上記範囲とすることにより、硬化物としての電気特性、及び耐熱性を向上させ、熱膨張率を小さく抑えることができる。
また、本発明で用いる追加樹脂層用樹脂組成物には、これらの特性のバランスを損なわない範囲で、フェノールノボラック樹脂などのほかのエポキシ硬化剤を併用することができる。

また、本発明で用いる第２硬化性樹脂組成物には、必要に応じて無機充填剤を含有させてもよい。無機充填剤としては、前述した第１樹脂層１０を形成するための第１硬化性樹脂組成物に用いられる無機充填剤と同様のものを用いることができる。

第２硬化性樹脂組成物中に含有させる無機充填剤の体積平均粒子径は、好ましくは０．１〜１．０μｍ、より好ましくは０．２〜０．６μｍである。無機充填剤の体積平均粒子径を上記範囲とすることにより、機械強度、耐熱性（熱膨張）や貫通穴形成の場合のレーザー穴開け性などのバランスをより向上させることができる。なお、無機充填剤の体積平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布計にて測定される値である。

第２硬化性樹脂組成物中における、無機充填剤の配合量は、特に限定されるものではないが、固形分換算で、好ましくは５０〜９０重量％であり、より好ましくは６０〜８０重量％、さらに好ましくは６５〜７５重量％である。無機充填剤の配合量を上記範囲とすることにより、耐熱性（熱膨張）やレーザー穴あけ性をより向上させることができる。

また、本発明で用いる第２硬化性樹脂組成物には、上記成分以外に、上述した第１樹脂層１０を形成するための第１硬化性樹脂組成物と同様に、硬化促進剤、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、紫外線吸収剤（レーザー加工性向上剤）、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、磁性体、誘電特性調整剤、靭性剤などの任意成分を適宜配合してもよい。

本発明で用いる第２硬化性樹脂組成物の製造方法としては、特に限定されるものではなく、上記各成分を、そのまま混合してもよいし、有機溶剤に溶解もしくは分散させた状態で混合してもよいし、上記各成分の一部を有機溶剤に溶解もしくは分散させた状態の組成物を調製し、当該組成物に残りの成分を混合してもよい。

（電子材料用基板の製造方法）
次いで、本発明の電子材料用基板の製造方法について説明する。
まず、図２（Ａ）に示すように、基板３０の上に、第２硬化性樹脂組成物を硬化してなる第２樹脂層２０及び第１硬化性樹脂組成物を硬化してなる第１樹脂層１０をこの順に形成する。

基板３０としては、特に限定されないが、たとえば、電気絶縁層を有し、該電気絶縁層の一方の面あるいは両方の面に導体回路層が形成されてなるものが挙げられる。このような基板３０の具体例としては、プリント配線基板、シリコンウェハー基板およびガラス基板などが挙げられる。基板３０の厚みは、通常１０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは３０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは５０μｍ〜１ｍｍである。

基板３０としては、基板３０を構成する電気絶縁層が、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂を主成分とするものが好ましく、このような熱硬化性樹脂としては、たとえば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、芳香族ポリエーテル重合体、シアネートエステル重合体、及びポリイミドなどが挙げられる。通常、これらの熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性組成物を硬化して電気絶縁層を得ることができる。また、基板３０は、強度向上の観点から、ガラス繊維や樹脂繊維などを電気絶縁層に含有させたものであってもよい。基板３０を構成する導電体回路層の材料は、通常、導電性金属が用いられる。

基板３０上に、第２硬化性樹脂組成物を硬化してなる第２樹脂層２０及び第１硬化性樹脂組成物を硬化してなる第１樹脂層１０を形成する方法としては、特に限定されないが、たとえば以下の方法が挙げられる。すなわち、（Ａ）基板３０上に、第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、次いで、この上に、第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、硬化させる方法；（Ｂ）基板３０上に、第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、次いで、この上に、別の支持体上に第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥したものを積層し、硬化させる方法；（Ｃ）別の支持体上に第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、これを基板３０上に積層し、次いで、この上に、第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、硬化させる方法；（Ｄ）別の支持体上に第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、これを基板３０上に積層し、次いで、この上に、さらに別の支持体上に第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥したものを積層し、硬化させる方法；（Ｅ）別の支持体上に第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、次いで、この上に、第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥することで積層体を得て、これを基板３０上に積層した後に、硬化させる方法；（Ｆ）別の支持体上に第１樹脂層１０形成用の第１硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥し、次いで、この上に、さらに別の支持体上に第２樹脂層２０形成用の第２硬化性樹脂組成物を塗布・乾燥したものを積層することで積層体を得て、これを基板３０上に積層した後に、硬化させる方法；などが挙げられる。なかでも作業工程が煩雑でなく、厚さ制御が容易であるとの観点で、（Ｅ）の方法が好ましい。

なお、第１硬化性樹脂組成物及び第２硬化性樹脂組成物を塗布する際には、所望により有機溶剤を添加してもよく、さらには、これらの組成物を塗布する方法に代えて、散布または流延する方法を採用してもよい。

上記方法において用いる支持体としては、樹脂フィルムや金属箔などが挙げられる。樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これらのフィルムのうち、耐熱性、耐薬品性、剥離性などの観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムが好ましい。金属箔としては、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。なお、支持体の表面平均粗さＲａは、通常、３００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。

第１硬化性樹脂組成物及び第２硬化性樹脂組成物を塗布する方法としては、ディップコート、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート、グラビアコートなどが挙げられる。

第１硬化性樹脂組成物及び第２硬化性樹脂組成物を塗布した後、乾燥する際の乾燥温度は、これらの組成物が硬化しない程度の温度とすることが好ましく、通常、２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃である。また、乾燥時間は、通常、３０秒間〜１時間、好ましくは１分間〜３０分間である。

また、第２樹脂層２０には、必要に応じて、繊維基材を含んだ構成とすることができる。 繊維基材としては、ポリアミド繊維、ポリアラミド繊維やポリエステル繊維などの有機繊維や、ガラス繊維、カーボン繊維等などの無機繊維が挙げられる。また、繊維基材の形態としては、平織りもしくは綾織りなどの織物の形態、または不織布の形態等が挙げられる。繊維基材の厚さは、その取り扱いを容易とする観点から、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましく、また、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。

第１硬化性樹脂組成物及び第２硬化性樹脂組成物の硬化は、これらを加熱することにより行うことができる。硬化温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃である。また、硬化時間は、０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。加熱の方法は特に制限されず、たとえば電気オーブンや熱プレスなどを用いて行えばよい。硬化は、複数回に分けて行ってもよい。

本発明においては、第１樹脂層１０の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１．５〜８μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍであり、また、第２樹脂層２０の厚みは、特に限定されないが、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜６０μｍ、さらに好ましくは１５〜４０μｍである。

次いで、 図２（Ａ）に示す第１樹脂層１０、第２樹脂層２０及び基板３０からなる積層体について、第１樹脂層１０の表面に、エキシマレーザーを照射することにより、図２（Ｂ）に示すように、配線４０を形成するための凹部４０ａを所定パターンにて形成する。なお、本発明においては、凹部４０ａは、図２（Ｂ）に示すように、第１樹脂層１０を貫通し、かつ、第２樹脂層２０を貫通しない態様、すなわち、凹部４０ａの底部が、第２樹脂層２０内に位置するような態様にて形成する。

凹部４０ａを形成する方法としては、たとえば、形成する配線４０のパターンに応じたマスクを使用し、第１樹脂層１０の表面をマスクした状態にて、エキシマレーザーを照射する方法が挙げられる。本発明においては、凹部４０ａを形成する際に、エキシマレーザーを使用することにより、配線４０を形成するための凹部４０ａを微細なパターンにて形成することができ、これにより微細配線化が可能となる。特に、本発明においては、第１樹脂層１０を、脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する硬化性樹脂組成物を用いて形成するものであり、これにより、第１樹脂層１０を、エキシマレーザーによる加工性に優れたものとすることができるため、微細なパターンを形成した場合でも、凹部４０ａを良好に形成することができるものである。そして、これにより、後述するように、凹部４０ａ内に導体を充填することにより、微細なパターンを有する配線４０を形成した場合でも、優れた電気特性を有し、しかも、耐水性などの信頼性に優れた電子材料用基板を得ることができるものである。特に、本発明においては、微細配線化により、隣り合う配線４０間の距離を小さくした場合でも、これら配線４０間の絶縁信頼性を良好なものとすることができるものである。そして、これにより、微細配線化及び高密度化を可能とするものである。

エキシマレーザーのレーザー波長は、特に限定されないが、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、または３０８ｎｍであることが好ましく、凹部４０ａをより高精度に形成できるという点から、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）であることが特に好ましい。また、エキシマレーザーの照射条件としては、特に限定されず、形成する凹部４０ａに応じて使用するマスクパターン、レーザーエネルギー、レーザーパワー、フルエンス、ショット数などを適宜選択すればよい。

また、本発明においては、凹部４０ａを形成した後、あるいは、凹部４０ａを形成する前に、必要に応じて、図２（Ｃ）に示すようにビアホール５０ａを形成してもよい。ここで、図２（Ｃ）は、ビアホール５０ａの形成部分における断面を示す図である。ビアホール５０ａの形成方法としては、特に限定されないが、たとえば、エキシマレーザー、ＣＯ_２レーザー、ＹＡＧレーザーなどのレーザーを用いた方法などが挙げられ、微細穴を形成する観点でエキシマレーザーやＹＡＧレーザーが好ましい。また、この際におけるレーザーの照射条件も特に限定されず、適宜設定すればよい。

次いで、凹部４０ａ、及び、必要に応じて形成したビアホール５０ａの側壁面に残留した炭化物を除去するデスミア処理を行う。このような炭化物の除去は、たとえば、プラズマを用いる方法、あるいは、薬液を用いる方法などが挙げられる。

プラズマを用いる方法においては、たとえば、窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。また、薬液を用いる方法においては、薬液として、たとえば、無機酸化性化合物や有機酸化性化合物などの酸化能を有する化合物を用いることができる。無機酸化性化合物としては、過マンガン酸塩、無水クロム酸、重クロム酸塩、クロム酸塩、過硫酸塩、活性二酸化マンガン、四酸化オスミウム、過酸化水素、過よう素酸塩などが挙げられる。有機酸化性化合物としてはジクミルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ｍ−クロロ過安息香酸、過酢酸、オゾンなどが挙げられる。

次いで、デスミア処理を行った後に、凹部４０ａ、及び、必要に応じて形成したビアホール５０ａの内部に、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、配線４０及び貫通導体５０を形成する。配線４０及び貫通導体５０の形成方法は、特に限定されず、スパッタや導電性物質の充填などによる乾式手法や、無電解めっきおよび電解めっきなどの湿式手法などが挙げられるが、第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０との密着性に優れるものとすることができるという点より、スパッタリング法により行なうことが好ましい。なお、図１（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子材料用基板の断面を示す図であり、具体的には、貫通導体５０が形成された部分を示す図である。

スパッタリング法で金属薄膜層を形成する場合、密着性を向上させるために、あらかじめ第１樹脂層および第２樹脂層表面をプラズマと接触させるプラズマ処理を行うことが好ましい。プラズマ処理に用いる不活性気体としては、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、窒素ガスなどが用いられる。中でも窒素ガスおよび／またはアルゴンガスが好ましい。プラズマを発生させる方法に格別な制限はなく、不活性気体をプラズマ発生装置内に導入し、プラズマを発生させればよい。
プラズマ処理の方法に格別な制限はなく、第１樹脂層および第２樹脂層上に金属からなる導電体回路を形成する際、通常の採用されているプラズマ処理装置を用いて行えばよい。プラズマ処理に要する時間は特に限定されず、通常１秒〜３０分、好ましくは１０秒〜１０分である。プラズマ処理時のプラズマの周波数と出力、プラズマ発生のためのガス圧、処理温度に関しても格別な制限はなく、プラズマ処理装置で扱える範囲であれば良い。周波数は通常１３．５６ＭＨｚ、出力は通常５０Ｗ〜１０００Ｗ、ガス圧は通常０．０１Ｐａ〜１０Ｐａ、温度は、通常２０℃〜２５０℃、好ましくは２０℃〜１８０℃である。出力が高すぎると、第１樹脂層および第２樹脂層表面に亀裂の入るおそれがある。また、ガス圧が高すぎると第１樹脂層表面の平滑性が低下するおそれがある。

スパッタリングの方法に格別な制限はなく、直流２極スパッタリング、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲットスパッタリング、ＥＣＲスパッタリング、バイアススパッタリング、プラズマ制御型スパッタリング、マルチ・ターゲットスパッタリングなどを用いることができる。これらのうち、直流２極スパッタリング、又は高周波スパッタリングが好適である。スパッタリング処理時の出力、プラズマ発生のためのガス圧、処理温度に関しても格別な制限はなく、スパッタリング装置で扱える範囲であれば良い。出力は通常１０Ｗ〜１０００Ｗ、ガス圧は通常０．０１Ｐａ〜１０Ｐａ、温度は、通常２０℃〜２５０℃、好ましくは２０℃〜１８０℃である。また、成膜レートは０．０１ｎｍ／秒〜１００ｎｍ／秒、好ましくは０．１ｎｍ／秒〜１０ｎｍ／秒である。成膜レートが高すぎると、形成した金属膜に亀裂の入るおそれがある。また、ガス圧が高すぎると密着性が低下するおそれがある。

このようなスパッタリング法で形成させる金属薄膜は１種類の金属により形成されても複数の金属により形成されても良く、また金属薄膜は、１層であっても２層以上が積層されたものであってもよい。金属薄膜を形成するための金属は、アルミニウム、鉄、タングステン、モリブデン、スズ、ニッケル、クロム、コバルト、チタン、銅、銀、金、白金など任意の金属でよいが、優れた密着性を得ることができる点で、好ましくは銅以外の金属、特に好ましくはニッケル、スズ、又はクロムの膜を１層目の金属薄膜層として、第１樹脂層および第２樹脂層の表面に形成することが好ましい。更に、この１層目の金属薄膜層の上に、銅からなる２層目の金属薄膜層を形成することが特に好ましい。

金属薄膜を形成した後、基板表面を防錆剤と接触させて防錆処理を施すことができる。また、金属薄膜を形成した後、密着性向上などのため、金属薄膜を加熱することもできる。加熱温度は、通常、５０〜３５０℃、好ましくは８０〜２５０℃である。なお、この際において、加熱は加圧条件下で実施してもよい。このときの加圧方法としては、たとえば、熱プレス機、加圧加熱ロール機などの物理的加圧手段を用いる方法が挙げられる。加える圧力は、通常、０．１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．５〜１０ＭＰａである。この範囲であれば、金属薄膜と第１樹脂層１０及び第２樹脂層２０との高い密着性が確保できる。

このようにして形成された金属薄膜上にめっき用レジストパターンを形成し、さらにその上に電解めっきなどの湿式めっきによりめっきを成長させ（厚付けめっき）、次いで、レジストを除去し、さらにエッチングにより金属薄膜をパターン状にエッチングして配線４０及び貫通導体５０を形成する。従って、この方法により形成される配線４０及び貫通導体５０は、通常、パターン状の金属薄膜と、その上に成長させためっきとからなる。

なお、本発明においては、このようにして得られた第１樹脂層１０、第２樹脂層２０、基板３０、配線４０及び貫通導体５０を備える電子材料用基板上に、さらに、上記と同様にして、第１樹脂層１０、第２樹脂層２０、配線４０及び貫通導体５０を形成することで、多層基板とすることもできる。あるいは、上記説明においては、基板３０の一方の面にのみ、第１樹脂層１０、第２樹脂層２０、配線４０及び貫通導体５０を形成する態様を例示したが、基板３０の他方の面にも同様に形成してもよい。また、上記説明においては、本発明を、図１に示す一実施形態に係る電子材料用基板を例示して説明したが、本発明は、このような態様に特に限定されるものではない。

このようにして得られる本発明の電子材料用基板は、上述したように、第１樹脂層と、第２樹脂層とを備え、これに対し、第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射することにより、第１樹脂層を貫通し、かつ、第２樹脂層を貫通しない凹部を形成し、該凹部内に導体を充填することにより配線を形成してなるものである。特に、本発明によれば、第１樹脂層を、脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を用いて形成するものであるため、配線を形成するための凹部をエキシマレーザーにより、微細パターンにて形成する際における、エキシマレーザーによる加工性に優れるものであるため、このような凹部を良好に形成することでき、ひいては凹部内に形成する配線も良好に形成することができるものである。そのため、本発明によれば、エキシマレーザーを用いることにより、微細な配線パターンを形成可能であり、これにより、薄膜化、及び微細配線化が可能であり、しかも微細配線化した場合でも、優れた電気特性を有し、かつ、耐水性などの信頼性に優れた電子材料用基板を得ることができる。

そして、このようにして得られる本発明の電子材料用基板は、その特性を活かし、携帯電話機、ＰＨＳ、ノート型パソコン、ＰＤＡ（携帯情報端末）、携帯テレビ電話機、パーソナルコンピューター、スーパーコンピューター、サーバー、ルーター、液晶プロジェクタ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの各種電子機器に好適に用いることができる。

以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
（極性基含有脂環式オレフィン重合体の合成例１）
重合１段目として５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（ＥｄＮＢ）３５モル部、１−ヘキセン０．９モル部、アニソール３４０モル部及び４−アセトキシベンジリデン（ジクロロ）（４，５−ジブロモ−１，３−ジメシチル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウム（Ｃ１０６３、和光純薬社製）０．００５モル部を、窒素置換した耐圧ガラス反応器に仕込み、攪拌下に８０℃で３０分間の重合反応を行ってノルボルネン系開環重合体の溶液を得た。
次いで、重合２段目として重合１段目に得た溶液中にテトラシクロ［９．２．１．０^２，１０．０^３，８］テトラデカ−３，５，７，１２−テトラエン（ＭＴＦ）３５モル部、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物（ＮＤＣＡ）３０モル部、アニソール２５０モル部及びＣ１０６３ ０．０１モル部を追加し、攪拌下に８０℃で１．５時間の重合反応を行ってノルボルネン系開環重合体の溶液を得た。この溶液について、ガスクロマトグラフィーを測定したところ、実質的に単量体が残留していないことが確認され、重合転化率は９９％以上であった。
次いで、窒素置換した攪拌機付きオートクレーブに、得られた開環重合体の溶液を仕込み、Ｃ１０６３ ０．０３モル部を追加し、１５０℃、水素圧７ＭＰａで、５時間攪拌させて水素添加反応を行って、ノルボルネン系開環重合体の水素添加物である脂環式オレフィン重合体（Ｐ−１）の溶液を得た。得られた重合体（Ｐ−１）の重量平均分子量は６０，０００、数平均分子量は３０，０００、分子量分布は２であった。また、水素添加率は９５％であり、カルボン酸無水物基を有する単量体単位の含有率は３０モル％であった。重合体（Ｐ−１）の溶液の固形分濃度は２０質量％であった。

（第１硬化性樹脂組成物の調製）
合成例１で得られた脂環式オレフィン重合体（Ｐ−１）の溶液５００重量部（重合体（Ｐ−１）固形分として１００重量部）、及び硬化剤としてのジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｌ、ＤＩＣ社製、エポキシ当量２５０ｇ／ｅｑ）３２重量部（エポキシ化合物固形分として３２重量部）、無機充填剤としての球状シリカ（アドマファイン（登録商標）ＳＯ−Ｃ１のアミノシランカップリング剤処理品、アドマテックス社製、体積平均粒子径０．２５μｍ）４０重量部、レーザー加工性向上剤として２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール１重量部、老化防止剤としてトリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレート（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）３１１４、ＢＡＳＦ社製）１重量部、老化防止剤としてテトラキス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシラート（アデカスタブ（登録商標）ＬＡ５２、ＡＤＥＫＡ社製）０．５重量部を混合し高圧ホモジナイザーで分散処理した。さらに、これに、硬化促進剤として１−べンジル−２−フェニルイミダゾールをアニソールに５０％溶解した溶液１重量部を混合、攪拌機で５分間攪拌して第１樹脂層用の第１硬化性樹脂組成物のワニスを得た。

（第２硬化性樹脂組成物の調製）
熱硬化性樹脂としてのジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ７２００ＨＨ、ＤＩＣ社製、エポキシ基当量２８０ｇ／ｅｑ）１００重量部、硬化剤としての活性エステル化合物（ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ、不揮発分６５質量％のトルエン溶液、ＤＩＣ社製、活性エステル基当量２２３ｇ／ｅｑ）１２１重量部（活性エステル化合物７９重量部）、無機充填剤としてのシリカ（ＳＣ２５００−ＳＸＪ、平均粒径０．５μｍ、アミノシランカップリング剤表面処理、アドマテックス社製）３５２重量部、老化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤（ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４、ＢＡＳＦ社製）１重量部、及びアニソール１１０重量部を混合し、高圧ホモジナイザーで分散処理した。さらにこれに、硬化促進剤として１−べンジル−２−フェニルイミダゾールをアニソールに５０質量％溶解した溶液を５．４重量部（硬化促進剤２．７重量部）混合し、攪拌機で５分間攪拌して第２樹脂層用の第２硬化性樹脂組成物のワニスを得た。

（支持体付きフィルム成形体の作製）
上記にて得られた第１樹脂層用の第１硬化性樹脂組成物のワニスを、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上にワイヤーバーを用いて塗布し、次いで、窒素雰囲気下、８５℃で５分間乾燥させて、未硬化の第１硬化性樹脂組成物からなる、第１樹脂層形成用成形体（厚み３μｍ）が形成された支持体付きフィルム成形体の中間体を得た。

次いで、得られた支持体付きフィルム成形体の中間体における第１樹脂層形成用成形体の表面に、上記にて得られた第２樹脂層用の第２硬化性樹脂組成物のワニスを、ドクターブレード（テスター産業社製）とオートフィルムアプリケーター（テスター産業社製）を用いて塗布し、次いで、窒素雰囲気下、８０℃で１０分間乾燥させて、総厚みが４０μｍである積層体（第１樹脂層形成用成形体と、第２樹脂層形成用成形体との積層体）が形成された支持体付きフィルム成形体を得た。当該支持体付きフィルム成形体は、支持体、第１樹脂層形成用成形体、及び第２樹脂層形成用成形体の順で形成されている。

（積層体の形成）
次いで、両面導体層付きコア基板（樹脂層：ハロゲンフリー樹脂基板、厚さ０．４ｍｍ、導体層：銅箔、厚み１８μｍ、メック社製フラットボンドで表面処理）の両面に、上記にて得られた支持体付きフィルム成形体を１２５ｍｍ角に切断したものを、第２樹脂層形成用成形体側の面がコア基板側となるようにして貼り合わせた後、一次プレスを行った。一次プレスは、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータにて、２００Ｐａの減圧下、温度１１０℃、圧力０．１ＭＰａで９０秒間の加熱圧着である。さらに、金属製プレス板を上下に備えた油圧プレス装置を用いて、圧着温度１１０℃、圧力１ＭＰａで９０秒間、加熱圧着した。次いで支持体を剥がすことにより、コア基板と積層体からなる複合体を得た。次いで、得られた複合体を空気雰囲気下、１８０℃で６０分間放置して、前記積層体における各硬化性樹脂組成物からなる層をそれぞれ硬化させて、コア基板上に積層体の硬化物を有する硬化複合体を得た。すなわち、第１硬化性樹脂組成物からなる第１樹脂層、及び第２硬化性樹脂組成物からなる第２樹脂層が、コア基板の両面に形成された硬化複合体を得た。

（エキシマレーザーによる加工）
そして、上記にて得られた硬化複合体の第１硬化性樹脂組成物からなる第１樹脂層の表面に、マスクを介して、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）の波長を有するエキシマレーザーを照射することにより、第１樹脂層を貫通し、かつ、第２樹脂層を貫通しない深さ（深さ１２μｍ）にて、幅１５μｍのトレンチを形成した。なお、エキシマレーザーによる加工は、エキシマレーザーの照射条件を、パワー１３３Ｗ、フルエンス８００ｍＪ／ｃｍ^２、周波数２００Ｈｚ、１８ショットとして行なった。

（膨潤処理工程）
そして、上記にて作製したトレンチを形成した硬化複合体を、膨潤液（「スウェリング ディップ セキュリガント Ｐ」、アトテック社製、「セキュリガント」は登録商標）５００ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウム３ｇ／Ｌになるように調製した６０℃の水溶液に１５分間揺動浸漬した後、水洗した。

（酸化処理工程）
次いで、過マンガン酸塩の水溶液（「コンセントレート コンパクト ＣＰ」、アトテック社製）６４０ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウム濃度４０ｇ／Ｌになるように調製した８０℃の水溶液に、膨潤処理を行なった複合体を１５分間揺動浸漬をした後、水洗した。

（中和還元処理工程）
続いて、硫酸ヒドロキシアミン水溶液（「リダクション セキュリガント Ｐ５００」、アトテック社製、「セキュリガント」は登録商標）１００ｍＬ／Ｌ、硫酸３５ｍＬ／Ｌになるように調製した４０℃の水溶液に、酸化処理を行なった複合体を５分間揺動浸漬し、中和還元処理をした後、水洗した。

（クリーナー・コンディショナー工程）
次いで、クリーナー・コンディショナー水溶液（「アルカップ ＭＣＣ−６−Ａ」、上村工業社製、「アルカップ」は登録商標）を濃度５０ｍｌ／Ｌとなるよう調製した５０℃の水溶液に、中和還元処理を行なった複合体を５分間揺動浸漬し、クリーナー・コンディショナー処理を行った。次いで４０℃の水洗水に複合体を１分間揺動浸漬した後、水洗した。その後、１２０℃で１０分間オーブン中で乾燥した。

（スパッタリング工程）
基板表面に、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力４００Ｗ、ガス圧０．８Ｐａの条件でアルゴン雰囲気下にてＲＦスパッタ法により、０．４６ｎｍ／秒のレートで厚さ０．０３μｍのニッケルクロム膜を形成させ、次いで０．９１ｎｍ／秒のレートで厚さ０．３μｍの銅薄膜を形成させた。
このようにして金属薄膜層を形成した後、その表面に市販の感光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像してめっきレジストパターンを得た。

（電解めっき工程）
次いで、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、３８％の濃塩酸０．０５ｍＬ／Ｌ、ＦＶＦ−１Ａ（商品名、上村工業社製）１ｍＬ／Ｌ、ＦＶＦ−Ｂ（商品名、上村工業社製）１０ｍＬ／Ｌ、ＦＶＦ−Ｒ（商品名、上村工業社製）２ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液（電解液）に空気を吹き込みながら、室温で、脱脂・酸洗処理を行った積層体を陰極側、含リン銅板を陽極側に浸漬・設置し、直流電源装置で通電し、電解銅めっきを施し、無電解めっき処理により形成された金属層上に電解銅めっき膜を形成した。

（エッチング工程）
前記トレンチ部分以外の部分に形成されたスパッタリング金属薄膜層をシードロン（商品名、ＪＣＵ社製）を用いて、スプレー処理にてエッチングをした後、水洗した。次いで、ＡＴ−２１（商品名、上村工業社製）１ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に、室温にて１分間浸漬し防錆処理を行った後、空気中にて、１８０℃で６０分間アニール処理をすることで、図１（Ａ）に示すような第１樹脂層１０、第２樹脂層２０、配線４０及び基板３０からなる電子材料用基板を得た。

そして、このようにして得られた電子材料用基板は、第１樹脂層１０、及び第２樹脂層２０中に形成された配線４０が、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ、高さ１０μｍの平行ラインパターンで良好に形成されたものであり、この結果より、本発明によれば、薄膜化及び微細配線化が可能であり、さらには、電気特性（特に、電気絶縁性）、及び耐水性に優れた電子材料用基板を得ることが可能であることが確認できた。

１０…第１樹脂層
２０…第２樹脂層
３０…基板
４０…配線
４０ａ…凹部
５０…貫通導体
５０ａ…ビアホール

Claims (7)

1. 脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を硬化して形成される第１樹脂層と、
   前記第１樹脂層と積層され、前記第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物を硬化して形成される第２樹脂層と、
   前記第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射することにより形成され、前記第１樹脂層を貫通し、かつ、前記第２樹脂層を貫通しない凹部と、
   前記凹部内に導体を充填することにより形成された配線と、を備える電子材料用基板。
2. 前記第１硬化性樹脂組成物が、さらに体積平均粒子径が１μｍ以下である無機充填剤を含有する、請求項１に記載の電子材料用基板。
3. 前記脂環式オレフィン重合体が、極性基Ａを含有する極性基含有脂環式オレフィン重合体であり、前記硬化剤が、前記極性基Ａとの反応性を有する官能基Ｘを含有する多価エポキシ化合物である請求項１または２に記載の電子材料用基板。
4. 前記第１硬化性樹脂組成物中における、前記無機充填剤の含有割合が、１０〜５０重量％である請求項２または３に記載の電子材料用基板。
5. 前記第２硬化性樹脂組成物が、多価エポキシ化合物、エポキシ基と反応する基を有する硬化剤、及び無機充填剤を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の電子材料用基板。
6. 脂環式オレフィン重合体及び硬化剤を含有する第１硬化性樹脂組成物を硬化して第１樹脂層を形成される工程と、
   前記第１樹脂層と積層され、前記第１樹脂層とは異なる熱硬化性樹脂を含有する第２硬化性樹脂組成物を硬化して第２樹脂層を形成する工程と、
   前記第１樹脂層表面にエキシマレーザーを照射して、前記第１樹脂層を貫通し、かつ、前記第２樹脂層を貫通しない凹部を形成する工程と、
   前記凹部内に導体を充填することにより配線を形成する工程と、を含む電子材料用基板の製造方法。
7. 前記第１硬化性樹脂組成物が、さらに体積平均粒子径が１μｍ以下である無機充填剤を含有する、請求項６に記載の製造方法。

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