JP7081323B2 - 硬化体層、プリント配線板、半導体装置、樹脂シート、プリント配線板の製造方法、及び樹脂シートの製造方法 - Google Patents
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Description
前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たす、硬化体層。
[2] 前記断面において、前記導体層からの距離が0μmから0.5μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-0.5とし、0.5μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-1とした場合に、A0-0.5/A0.5-1>1.1を満たす、[1]に記載の硬化体層。
[3] 前記断面において、前記導体層からの距離が0.5μmからdμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-dとし、dμmから0.5Dμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をAd-0.5Dとした場合に、0.9≦A0.5-d/Ad-0.5D≦1.1(ここで、dは0.5<d<0.5Dを満たす数であり、Dは前記硬化体層の厚みである。)を満たす、[1]又は[2]に記載の硬化体層。
[4] 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂を含む、[1]~[3]のいずれかに記載の硬化体層。
[5] 前記樹脂組成物が、さらに、活性エステル系硬化剤を含む、[4]に記載の硬化体層。
[6] 前記樹脂組成物が、さらに、シアネートエステル系硬化剤を含み、その含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、15質量%以上である、[4]又は[5]に記載の硬化体層。
[7] 前記樹脂組成物の窒素原子含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、1質量%以上である、[1]~[6]のいずれかに記載の硬化体層。
[8] 前記硬化体層が、第1の樹脂組成物の硬化物で形成された第1硬化体層と、前記第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物の硬化物で形成された第2硬化体層とを、前記基板とは反対側からこの順に備える、[1]~[7]のいずれかに記載の硬化体層。
[9] 前記第2硬化体層の厚さが2μm未満である、[8]に記載の硬化体層。
[10] 前記第2の樹脂組成物の無機充填材含有量が20質量%未満である、[8]又は[9]に記載の硬化体層。
[11] O2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理に供するための、[1]~[10]のいずれかに記載の硬化体層。
[13] 前記硬化体層に、トップ径が15μm以下のビアホールが形成された[12]に記載のプリント配線板。
[14] [1]~[11]のいずれかに記載の硬化体層を含む、半導体装置。
前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成した場合における前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たす、樹脂シート。
[16] 前記断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0μmから0.5μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-0.5とし、0.5μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-1とした場合に、A0-0.5/A0.5-1>1.1を満たす、[15]に記載の樹脂シート。
[17] 前記断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0.5μmからdμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-dとし、dμmから0.5Dμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をAd-0.5Dとした場合に、0.9≦A0.5-d/Ad-0.5D≦1.1(ここで、dは0.5<d<0.5Dを満たす数であり、Dは前記硬化体層の厚みである。)を満たす、[15]又は[16]に記載の樹脂シート。
[18] 前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂を含む、[15]~[17]のいずれかに記載の樹脂シート。
[19] 前記樹脂組成物層が、さらに、活性エステル系硬化剤を含む、[18]に記載の樹脂シート。
[20] 前記樹脂組成物層が、さらに、シアネートエステル系硬化剤を含み、その含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、15質量%以上である、[18]又は[19]に記載の樹脂シート。
[21] 前記樹脂組成物層の窒素原子含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、1質量%以上である、[15]~[20]のいずれかに記載の樹脂シート。
[22] 前記樹脂組成物層が、第1の樹脂組成物で形成された第1層と、前記第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物で形成された第2層とを、前記支持体側からこの順位備える、[15]~[21]のいずれかに記載の樹脂シート。
[23] 前記第2層の厚さが2μm未満である、[22]に記載の樹脂シート。
[24] 前記第2の樹脂組成物の無機充填材含有量が20質量%未満である、[22]又は[23]に記載の樹脂シート。
[25] 前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成させた後に、硬化体層をO2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理に供するための、[15]~[24]のいずれかに記載の樹脂シート。
(B)前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成する工程、
(C)前記硬化体層にビアホールを形成する工程、及び
(D)前記硬化体層に、O2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理を行う工程
を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たす、プリント配線板の製造方法。
[27] 前記断面において、前記導体層からの距離が0μmから0.5μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-0.5とし、0.5μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-1とした場合に、A0-0.5/A0.5-1>1.1を満たす、[26]に記載のプリント配線板の製造方法。
[28] 前記断面において、前記導体層からの距離が0.5μmからdμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-dとし、dμmから0.5Dμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をAd-0.5Dとした場合に、0.9≦A0.5-d/Ad-0.5D≦1.1(ここで、dは0.5<d<0.5Dを満たす数であり、Dは前記硬化体層の厚みである。)を満たす、[26]又は[27]に記載のプリント配線板の製造方法。
[29] 前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂を含む、[26]~[28]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[30] 前記樹脂組成物層が、さらに、活性エステル系硬化剤を含む、[29]に記載のプリント配線板の製造方法。
[31] 前記樹脂組成物層が、さらに、シアネートエステル系硬化剤を含み、その含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、15質量%以上である、[29]又は[30]に記載のプリント配線板の製造方法。
[32] 前記樹脂組成物層の窒素原子含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、1質量%以上である、[26]~[31]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[33] 前記樹脂組成物層が、第1の樹脂組成物で形成された第1層と、第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物で形成された第2層とを備える、[26]~[32]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[34] 前記第2層の厚さが2μm未満であり、前記第2層が前記基板と接合する、[33]に記載のプリント配線板の製造方法。
[35] 前記第2の樹脂組成物の無機充填材含有量が20質量%未満である、[33]又は[34]に記載のプリント配線板の製造方法。
[36] (A)工程が、支持体と、前記支持体上に形成された前記樹脂組成物層とを有する樹脂シートを、前記樹脂組成物層が前記基板の前記導体層側の面に接合するように積層することを含む、[26]~[35]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[37] 前記ビアホールのトップ径が、15μm以下である、[26]~[36]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[38] (D)工程が、O2ガスによるプラズマ処理を行う工程である、[26]~[37]のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
[39] 支持体と、無機充填材含有量が40質量%以上である樹脂組成物層とを有する樹脂シートの製造方法であって、
(α)前記支持体上に形成された第1の樹脂組成物で形成された第1層上に、前記第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物で形成された第2層を形成し、樹脂組成物層を得る工程
を含み、
前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成した場合における前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たす、樹脂シートの製造方法。
[40] 前記断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0μmから0.5μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-0.5とし、0.5μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-1とした場合に、A0-0.5/A0.5-1>1.1を満たす、[39]に記載の樹脂シートの製造方法。
[41] 前記断面において、前記支持体とは反対側の前記硬化体層の主表面からの距離が0.5μmからdμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-dとし、dμmから0.5Dμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をAd-0.5Dとした場合に、0.9≦A0.5-d/Ad-0.5D≦1.1(ここで、dは0.5<d<0.5Dを満たす数であり、Dは前記硬化体層の厚みである。)を満たす、[39]又は[40]に記載の樹脂シートの製造方法。
[42] 前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂を含む、[39]~[41]のいずれかに記載の樹脂シートの製造方法。
[43] 前記樹脂組成物層が、さらに、活性エステル系硬化剤を含む、[42]に記載の支持体付樹脂シートの製造方法。
[44] 前記第2層の厚さが2μm未満である、[39]~[43]のいずれかに記載の樹脂シートの製造方法。
[45] 前記第2の樹脂組成物の無機充填材含有量が20質量%未満である、[39]~[44]のいずれかに記載の樹脂シートの製造方法。
[46] (α)工程が、
(α1)支持体と、前記支持体上に形成された第1の樹脂組成物からなる第1層とを含む支持体付き仮樹脂シートを準備する工程、及び
(α2)前記第1層上に、前記第2の樹脂組成物を含む塗工液を塗布し、乾燥して第2層を形成する工程
を含む、[39]~[45]のいずれかに記載の樹脂シートの製造方法。
[47] 樹脂シートが、前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成させた後に、前記硬化体層をO2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理に供するためのものである、[39]~[46]のいずれかに記載の樹脂シートの製造方法。
図1は、本発明の一実施形態における硬化体層100の断面を模式的に示す断面図である。図1に示す硬化体層100は、導体層210を備えた基板200の前記導体層210側の面210U上に設けられている。そこで、図1には、硬化体層100だけでなく、導体層210を備える基板200も示す。
単位面積当たりの樹脂成分の面積は、後述の[樹脂面積比の測定]に記載の方法により測定及び算出することができる。具体的には、(1)硬化体層の主表面に垂直な断面が露出するように断面出しを行い、断面試料を作製すること、及び(2)断面試料を走査電子顕微鏡(SEM)観察し、得られたSEM像について画像解析して樹脂面積を求めることにより、測定することができる。
樹脂組成物は、樹脂成分及び(A)無機充填材を含む。樹脂組成物は、樹脂成分として(B)エポキシ樹脂を含んでいることが好ましい。樹脂組成物は、(A)成分及び(B)成分に加えて、さらに任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、(C)硬化剤、(D)熱可塑性樹脂、(E)有機充填材、(F)難燃剤、(G)硬化促進剤、(H)その他の添加剤等が挙げられる。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
樹脂組成物は、(A)成分を、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上含有する。樹脂組成物中において(A)成分は、樹脂組成物全体に均一に含まれることのみを意図しておらず、樹脂組成物全体に対して(A)成分を40質量%以上含有することを意図する。
F(質量%)=(F1L1+F2L2)/(L1+L2)
(式中、F1は第1の樹脂組成物の無機充填材の含有量(質量%)を示し、F2は第2の樹脂組成物の無機充填材の含有量(質量%)を示し、L1は硬化前の第1の樹脂組成物の厚みを示し、L2は硬化前の第2の樹脂組成物の厚みを示す。)
樹脂組成物は、任意で(B)エポキシ樹脂を含む。
樹脂組成物は、任意で(C)硬化剤を含む。
樹脂組成物は、任意で(D)熱可塑性樹脂を含む。
樹脂組成物は、任意で(E)有機充填材を含む。
樹脂組成物は、任意で(F)難燃剤を含む。
樹脂組成物は、任意で(G)硬化促進剤を含む。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤;重合開始剤などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。
樹脂組成物は、ワニス状態で塗布して使用することもできるが、工業的には一般に、該樹脂組成物を含有する樹脂シートの形態で用いることが好適である。
(α)支持体上にダイコーター等を用いて第1の樹脂組成物を含む塗工液を塗布し、乾燥して、第1の樹脂組成物で形成された第1層を形成することにより、支持体と第1層とを含む仮樹脂シートを準備する工程(以下、工程(α1)ともいう)、及び支持体上に接合する第1層上に、第2の樹脂組成物で形成された第2層を接合又は形成する工程(以下、工程(α’)ともいう)。
プリント配線板は、絶縁層として上述した硬化体層を備え、さらに、最外層の少なくとも一部に導体層を備える基板を有する。硬化体層は、通常、基板の導体層側の面に設けられる。
(A)無機充填材含有量が40質量%以上である樹脂組成物層を含む樹脂シートを、最外層の少なくとも一部に導体層を備える基板に、樹脂組成物層が基板の導体層側の面に接合するように積層する工程;
(B)樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成する工程;
(C)硬化体層にビアホールを形成する工程;
(D)硬化体層に、O2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理を行う工程。
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を含む。本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を用いて製造することができる。
まず、本明細書での物性評価における測定・評価方法について説明する。
(1)内層回路基板の下地処理
内層回路基板として、回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ3μm、基板厚み0.15mm、三菱ガス化学社製「HL832NSF LCA」、255×340mmサイズ)を用意した。該内層回路基板の両面を、メック社製「FlatBOND-FT」にて銅表面の有機被膜処理を行った。
下記の各実施例及び比較例で作製した樹脂シート1~5から保護フィルムを剥離した。樹脂組成物層の露出した樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニチゴー・モートン社製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接合するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された樹脂シートを、大気圧下、100℃、圧力0.5MPaにて60秒間熱プレスして平滑化した。
樹脂シートの積層後、樹脂組成物層を熱硬化させて、内層回路基板の両面に硬化体層を形成した。その際、支持体が付いた状態で樹脂組成物層を熱硬化させた。
UV-YAGレーザー加工機(ビアメカニクス株式会社製「LU-2L212/M50L」)を使用して、下記条件にて硬化体層に小径のビアホールを形成した。
パワー0.08W、ショット数25、狙いトップ径10μm
ビアホールの形成後、硬化体層を形成した内層回路基板を真空プラズマエッチング装置(Tepla社製100-E PLASMA SYSTEM)を使用して、O2ガス100%、真空度100Paの条件にて、5分間処理を行った。この基板を評価基板Bとする。
硬化体層の露出表面に導体層を形成した。評価基板Bに、スパッタリング装置(キャノンアネルバ社製「E-400S」)を用いて、チタン層(厚さ30nm)、次いで銅層(厚さ300nm)を形成した。得られた基板を、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、セミアディティブ法に従って、エッチングレジストを形成し、露光・現像によるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、25μmの厚さで導体層を形成した。導体パターン形成後、200℃にて60分間加熱してアニール処理を行った。得られたプリント配線板を評価基板Cと称する。
評価基板Aについて、支持体表面に垂直な方向の硬化体層の断面が露出するように断面出しを行い、その断面の走査電子顕微鏡(SEM)観察を、集束イオンビーム/走査イオン顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて実施し、SEM観察像を画像として保存した。画像解析ソフト(アメリカ国立衛生研究所製「ImageJ」)を使用して、測定領域の幅7.5μmにおける支持体と硬化体層の境界から一定距離a(μm)~b(μm)の領域と、b(μm)~c(μm)の領域について樹脂部分を黒色、樹脂以外の無機充填材部分を白色として白黒2値化し、各領域について黒色部分のピクセル数として樹脂部分の面積A’a-bとA’b-cをぞれぞれ導き出し、条件(1)~条件(3)に対応する単位面積当たりの樹脂成分の面積Aa-b/Ab-cをそれぞれ下記式に従って算出した。
Aa-b/Ab-c=k(A’a-b/A’b-c)
評価基板Bのビアホール底部の周囲をSEMにて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。スミア除去性は、以下の基準に従って評価した。
評価基準:
○:最大スミア長が2μm未満
×:最大スミア長が2μm以上
硬化体層と導体層の剥離強度の測定は、評価基板Cについて、JIS C6481に準拠して行った。具体的には、評価基板Cの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重を測定し、剥離強度(kgf/cm)を求めた。測定には、引っ張り試験機(TSE社製「AC-50C-SL」)を使用した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「828US」、エポキシ当量約180)10部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量約190)20部、及びビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269)10部、ホスファゼン樹脂(大塚化学社製「SPS-100」)2部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)10部をMEK60部、トルエン20部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)30部、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)8部、ベンゾオキサジン化合物(JFEケミカル社製「ODA-BOZ」の固形分50質量%のMEK溶液)6部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)4部、球状シリカ(デンカ社製「UFP-30」、平均粒径0.3μm、比表面積30.9m2)110部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1のワニスを調製した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「828US」、エポキシ当量約180)10部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量約190)20部、及びビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269)10部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)50部をMEK60部、トルエン20部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)30部、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、活性基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)8部、ベンゾオキサジン化合物(JFEケミカル社製「ODA-BOZ」の固形分50質量%のMEK溶液)6部、硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)4部を混合し、樹脂組成物2のワニスを調製した。
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「HP6000」、エポキシ当量約250)10部と、液状ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032SS」、エポキシ当量約144)10部と、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量約185)10部をMEK10部、シクロヘキサノン10部、ソルベントナフサ40部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA230S75」、シアネート当量約232、不揮発分75質量%のMEK溶液)16部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT30」、シアネート当量約124、不揮発分80質量%のMEK溶液)6部と共に攪拌混合し、さらに
活性エステル硬化剤(DIC社製「HPC-8000-65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)12部、硬化促進剤として4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)の1質量%のMEK溶液2部、コバルト(III)アセチルアセトナート(東京化成社製)の1質量%のMEK溶液4.5部、及び球形シリカ(アドマテックス社製「SOC2」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径0.5μm、比表面積5.9m2)140部、難燃剤として(三光社製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-ジヒドロキシフェニル)-10-ヒドロ-9-オキサ-10-フォスファフェナンスレン-10-オキサイド)4部、ゴム粒子としてスタフィロイド(ガンツ化成社製、AC3816N)2部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP050」)で濾過して、樹脂組成物3のワニスを調製した。樹脂組成物3の窒素原子含有量は2.02質量%である。
樹脂組成物3において、ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA230S75」、シアネート当量約232、不揮発分75質量%のMEK溶液)16部を8部に、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT30」、シアネート当量約124、不揮発分80質量%のMEK溶液)6部を1部に変更したこと以外は、樹脂組成物3と同様にして樹脂組成物4のワニスを調製した。樹脂組成物3の窒素原子含有量は0.88質量%である。
支持体として厚さ38μmのPETフィルム(リンテック社製「AL5」)を用意した。該支持体上に樹脂組成物1のワニスをダイコーターにて均一に塗布し、塗布膜を80~120℃(平均100℃)で3分間乾燥させて、該支持体上に樹脂組成物1で形成された第1層(厚さ9.5μm)を形成した。次いで、乾燥後の樹脂組成物層の総厚さが10μmとなるように、第1層上に樹脂組成物2のワニスをダイコーターにて均一に塗布し、塗布膜を80℃で1分間乾燥させ、樹脂面に厚さ15μmのポリプロピレンカバーフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA-411」)の平滑面側を貼り合わせ、支持体(38μmPETフィルム)/樹脂組成物層1/樹脂組成物層2/保護フィルム(MA-411)という構成の樹脂シート1を作製した。
支持体として厚さ38μmのPETフィルム(リンテック社製「AL5」)を用意した。該支持体上に樹脂組成物1のワニスをダイコーターにて均一に塗布し、塗布膜を80~120℃(平均100℃)で3分間乾燥させて、樹脂組成物1の層(厚さ9.5μm)を備える樹脂シートdを作成した。次に厚さ25μmのPETフィルム(リンテック社製「AL5」)の支持体を用意し、樹脂組成物2のワニスをダイコーターにて均一に塗布し、塗布膜を80℃で1分間乾燥させて、樹脂組成物2の層(厚さ0.5μm)を備える樹脂シートeを作製した。次いでホットロールを使用して、支持体(38μmPETフィルム)/樹脂組成物層1/樹脂組成物層2/支持体(25μm離型PET:保護フィルムとしてラミネート前に剥離)の構成となるよう、樹脂シートdと樹脂シートeを重ね合わせて樹脂シート2を作製した。
支持体として厚さ38μmのPETフィルム(リンテック社製「AL5」)を用意した。該支持体上に樹脂組成物3のワニスをダイコーターにて均一に塗布し、塗布膜を80~120℃(平均100℃)で3分間乾燥させ、樹脂面に厚さ15μmのポリプロピレンカバーフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA-411」)の平滑面側を貼り合わせ、支持体(38μmPETフィルム)/樹脂組成物層3(厚さ10μm)/保護フィルム(MA-411)という構成の樹脂シート3を作製した。
樹脂シート3の作製において、ワニスを樹脂組成物1に変更したこと以外は樹脂シート3と同様にして樹脂シート4を作製した。
樹脂シート3の作製において、ワニスを樹脂組成物4に変更したこと以外は樹脂シート3と同様にして樹脂シート5を作製した。
100D 硬化体層の主表面
110 導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域
110’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離が0μmから1μmまでの領域
120 導体層からの距離が1μmから2μmまでの領域
120’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離が1μmから2μmまでの領域
130 導体層からの距離が0μmから0.5μmまでの領域
130’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離が0μmから0.5μmまでの領域
140 導体層からの距離が0.5μmから1μmまでの領域
140’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離が0.5μmから1μmまでの領域
150 導体層からの距離が0.5μmからdμmまでの領域
150’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離が0.5μmからdμmまでの領域
160 導体層からの距離がdμmから0.5Dμmまでの領域
160’ 支持体とは反対側の硬化体層の主表面からの距離がdμmから0.5Dμmまでの領域
200 基板
210U 基板の導体層側の面
210 導体層
300 ビアホール
300S ビアホールの側面
310 スミア
320 ビアホールの底部
400 樹脂組成物層
500 支持体
600 樹脂シート
Claims (15)
- 最外層の少なくとも一部に導体層を備える基板の前記導体層側の面上に設けられた、無機充填材含有量が40質量%以上である樹脂組成物の硬化物で形成された硬化体層であって、
前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記基板を構成する前記導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たし、
前記硬化体層が、第1の樹脂組成物の硬化物で形成された第1硬化体層と、前記第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物の硬化物で形成された第2硬化体層とを、前記基板とは反対側からこの順に備え、
前記第2硬化体層の厚さが2μm未満である、硬化体層。 - 最外層の少なくとも一部に導体層を備える基板の前記導体層側の面上に設けられた、無機充填材含有量が40質量%以上である樹脂組成物の硬化物で形成された硬化体層であって、
前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記基板を構成する前記導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA 0-1 とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA 1-2 とした場合に、A 0-1 /A 1-2 >1.1を満たし、
前記硬化体層が、第1の樹脂組成物の硬化物で形成された第1硬化体層と、前記第1の樹脂組成物とは異なる組成を有する第2の樹脂組成物の硬化物で形成された第2硬化体層とを、前記基板とは反対側からこの順に備え、
前記第2の樹脂組成物の無機充填材含有量が20質量%未満である、硬化体層。 - 前記断面において、前記基板を構成する前記導体層からの距離が0μmから0.5μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-0.5とし、0.5μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-1とした場合に、A0-0.5/A0.5-1>1.1を満たす、請求項1又は2に記載の硬化体層。
- 前記断面において、前記基板を構成する前記導体層からの距離が0.5μmからdμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0.5-dとし、dμmから0.5Dμmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をAd-0.5Dとした場合に、0.9≦A0.5-d/Ad-0.5D≦1.1(ここで、dは0.5<d<0.5Dを満たす数であり、Dは前記硬化体層の厚みである。)を満たす、請求項1~3のいずれか1項に記載の硬化体層。
- 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の硬化体層。
- 前記樹脂組成物が、さらに、活性エステル系硬化剤を含む、請求項5に記載の硬化体層。
- 前記樹脂組成物が、さらに、シアネートエステル系硬化剤を含み、その含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、15質量%以上である、請求項5又は6に記載の硬化体層。
- 前記樹脂組成物の窒素原子含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%としたとき、1質量%以上である、請求項1~7のいずれか1項に記載の硬化体層。
- (C)前記硬化体層にビアホールを形成する工程、及び
(D)前記硬化体層に、O2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理を行う工程
を含むプリント配線板の製造方法に使用するための、請求項1~8のいずれか1項に記載の硬化体層。 - 請求項1~9のいずれか1項に記載の硬化体層と、導体層を備える基板とを有するプリント配線板。
- 前記硬化体層に、トップ径が15μm以下のビアホールが形成された請求項10に記載のプリント配線板。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載の硬化体層を含む、半導体装置。
- (A)無機充填材含有量が40質量%以上である樹脂組成物層を含む樹脂シートを、最外層の少なくとも一部に導体層を備える基板に、前記樹脂組成物層が前記基板の前記導体層側の面に接合するように積層する工程、
(B)前記樹脂組成物層を硬化させて硬化体層を形成する工程、
(C)前記硬化体層にビアホールを形成する工程、及び
(D)前記硬化体層に、O2ガス及びN2ガスからなる群から選ばれる1以上のガスによるプラズマ処理を行う工程
を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化体層の主表面に垂直な前記硬化体層の断面において、前記基板を構成する前記導体層からの距離が0μmから1μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA0-1とし、1μmから2μmまでの領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積をA1-2とした場合に、A0-1/A1-2>1.1を満たす、プリント配線板の製造方法。 - 前記ビアホールのトップ径が、15μm以下である、請求項13に記載のプリント配線板の製造方法。
- (D)工程が、O2ガスによるプラズマ処理を行う工程である、請求項13又は14に記載のプリント配線板の製造方法。
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