JP2003174243A - プリント基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 密着性を高く維持しつつ微細パターン化及び
抵抗値の精度の向上を図ることが可能なプリント基板を
提供する。 【解決手段】 絶縁層２６の表面に抵抗層２８を形成
し、前記抵抗層を所定の形状にエッチングすることによ
り抵抗素子３６を形成するようにしたプリント基板にお
いて、前記絶縁層の表面粗さＲａを、０μｍ〜１μｍと
なるように設定する。これにより、密着性を高く維持し
つつ微細パターン化及び抵抗値の精度の向上を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層基板やビルド
アップ基板などのプリント基板に係り、特に、ラフパタ
ーンの低抵抗から微細パターンの高抵抗までの抵抗素子
を形成・内蔵化することができ、その結果、実装部品点
数の削減を図ったり、配線長を短くしたり、軽量化する
ことができ、電子機器の幅広い分野において、より高密
度化が要求される多層基板として利用できるプリント基
板に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、抵抗素子をプリント基板に内蔵
させる従来の形成方法としては、（１）抵抗ペーストを
印刷するペースト印刷法、（２)Ｃｕ箔に抵抗膜をめっ
きで形成する方法が知られている。 （１）ペースト印刷法 まず、上記ペースト印刷法は、図８に示すように、基板
の絶縁層１上に予め対になる電極パッド２を形成してお
き（図８（Ａ）参照）、これらの電極パッド２をつなぐ
ようにしてカーボンペースト等の抵抗ペーストをスクリ
ーン印刷等により塗布し、これを硬化させてペースト抵
抗４を形成する。

【０００３】(２)Ｃｕ箔に抵抗膜をめっきで形成する方
法（Ohmega-ply） 次に、Ｃｕ箔に抵抗膜をめっきで形成する方法を図９を
参照して説明する。まず、図９（Ａ）に示すように、ウ
ェットプロセスによりＣｕ箔６の表面を粗化する。次
に、図９（Ｂ）に示すように、このＣｕ箔６の表面に、
電気めっき法により、抵抗層となるＮｉＰ化合物層８を
形成する。次に、図９（Ｃ）に示すように、このＮｉＰ
化合物層８の付着したＣｕ箔６を、表面処理した内層板
１０上に絶縁シート１２を介在させて加熱プレスにより
積層し、図９（Ｄ）に示すように形成する。図示例では
内層板１０の両側に上記Ｃｕ箔６を積層した場合を示
し、内層板１０側にＮｉＰ化合層（抵抗層）８が位置す
るようにＣｕ箔６を積層している。次に、図９（Ｅ）に
示すように、Ｃｕ箔６と抵抗層８の両方をそれぞれのエ
ッチング液を用いてパターンエッチングすることによ
り、外層パターン１４を形成する。次に、図９（Ｆ）に
示すように、フォトリソグラフィーを行い、抵抗層８を
残してＣｕ箔６のみを選択的にエッチングする。この抵
抗層８が残った部分が抵抗素子１６となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ペース
ト印刷法によって形成した印刷抵抗には、以下に示す問
題がある。 抵抗ペーストのスクリーン印刷時のニジミ、印刷ズレ
等により、抵抗値の精度が悪い。 抵抗ペーストの膜厚は、スクリーン印刷の条件（スキ
ージ圧、スキージ角度等）及び抵抗ペーストの粘度等の
管理が難しいために、ばらつきが大きくなり、この点よ
りも抵抗値の精度が悪くなる傾向にある。 電極パッド２である導電層(Ｃｕ)とのコンタクトが金
属−樹脂接合のため、接触抵抗がかなり大きくなり、設
計値通りの抵抗値を得にくい。以上の理由により、抵抗
値の精度が±３０％と大きく、そのため最終段階でトリ
ミング等による抵抗値の調整が必要になる欠点があっ
た。

【０００５】また、Ｃｕ箔に抵抗膜をめっきで形成する
方法には、以下に示す問題があった。 電気めっき法で成膜できる材料は限定されるため、高
抵抗化が難しい。 シート抵抗Ｒｓが何種類かに限定されているため、抵
抗素子のサイズが制約されて自由度が少なくなる。 絶縁シート１２と抵抗層８との密着性を確保するため
にアンカー（Ｃｕ箔の表面粗さＲａ）を数μｍと大きく
しなければならず、このため抵抗素子の微細パターン化
を行うことが困難になってしまう。 本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に
解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、密
着性を高く維持しつつ微細パターン化及び抵抗値の精度
の向上を図ることが可能なプリント基板を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、絶縁層の表面に抵抗層を形成し、次いで、前記抵抗
層を所定の形状にエッチングして形成された抵抗素子を
有するプリント基板において、前記絶縁層の表面粗さＲ
ａが、０μｍ〜１μｍであることを特徴とするプリント
基板である。このように、絶縁層の表面粗さを最適化し
て抵抗層を積層することにより、密着性を高く維持しつ
つ微細パターン化及び抵抗値の精度の向上を図ることが
可能となる。

【０００７】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記絶縁層が、脂環式オレフィン重合体及び硬化剤
を含有した硬化性樹脂組成物を硬化してなるものであ
る。また、例えば請求項３に規定するように、前記絶縁
層が、プラズマエッチングにより粗化されたものであ
る。また、例えば請求項４に規定するように、前記プラ
ズマエッチングに用いるプラズマエッチングガスが、ア
ルゴンガス及び／又は酸素ガスである。

【０００８】また、例えば請求項５に規定するように、
前記抵抗素子のパターン幅及びパターン長が、それぞれ
３０μｍ〜２０００μｍである。また、例えば請求項６
に規定するように、前記抵抗素子の厚みが、５００Å〜
１００００Åである。また、例えば請求項７に規定する
ように、前記抵抗素子の材料が金属であり、且つ前記抵
抗素子が、上部に金属間結合によって電気的に接続され
た金属製の電気パッドを有するものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプリント基
板の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１及び
図２は本発明のプリント基板の第１の製造工程（サブト
ラクティブ法）を説明するための工程図である。図３及
び図４は本発明のプリント基板の第２の製造工程（セミ
アディティブ法）を説明するための工程図である。ま
ず、本発明では、絶縁層の表面に抵抗層を形成し、前記
抵抗層を所定の形状にエッチングすることにより抵抗素
子を形成するようにしたプリント基板において、前記絶
縁層の表面粗さＲａは、０μｍ〜１μｍとなるように設
定されていることを特徴としている。

【００１０】例えば銅張板や銅張積層板のような基板上
に、下記に示すような樹脂材料を用いてこれを硬化する
ことにより絶縁層を形成し、この表面を後述するように
プラズマエッチングで表面を活性化させ、その時の表面
粗さＲａを０μｍ〜１μｍに設定する。そして、この絶
縁層の表面に抵抗層を形成し、これを所定の形状にエッ
チングするなどして抵抗素子が内蔵されたプリント基板
を形成する。ここで、上記絶縁層の材料としては樹脂と
硬化剤とから成る硬化性樹脂組成物が用いられる。

【００１１】すなわち、上記組成物に用いる樹脂として
は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル
樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、脂環
式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベン
ゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、液
晶ポリマー、ポリイミドなどが挙げられる。これらの中
でも、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重
合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル
重合体又はポリイミドが好ましく、脂環式オレフィン重
合体又は芳香族ポリエーテル重合体が特に好ましく、脂
環式オレフィン重合体がとりわけ好ましい。これらの重
合体の他に、液晶ポリマーも好ましい絶縁性重合体とし
て用いることができる。液晶ポリマーとしては、芳香族
または脂肪族ジヒドロキシ化合物の重合体、芳香族また
は脂肪族ジカルボン酸の重合体、芳香族ヒドロキシカル
ボン酸の重合体、芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシア
ミンまたは芳香族アミノカルボン酸の重合体などの熱可
塑性液晶ポリマーが好ましい例として挙げられる。

【００１２】脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を
有する不飽和炭化水素の重合体である。脂環式構造とし
ては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが
挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シ
クロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造として
は、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合
わせ多環など）のいずれであっても良い。脂環式構造を
構成する炭素原子数に格別な制限はないが、通常４〜３
０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５
個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形
性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本
発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱
可塑性のものである。

【００１３】脂環式オレフィン重合体は、極性基を有す
るものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ
基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、
特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適で
ある。脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式オレフ
ィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応じて不
飽和結合部分を水素化することによって、或いは芳香族
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして当該重合
体の芳香環部分を水素化することによって得られる。ま
た、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、例え
ば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を変性反
応により導入することによって、２）極性基を含有する
単量体を共重合成分として共重合することによって、あ
るいは３）エステル基などの極性基を含有する単量体を
共重合成分として共重合した後、エステル基などを加水
分解などにより脱離することによって得られる。

【００１４】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．
１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、

【００１５】５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−
ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチ
ル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕
−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．
２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、

【００１６】ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−
ヘプト−２−エン、

【００１７】トリシクロ〔４．３．０．１^2,5〕デカ−
３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、ト
リシクロ〔４．３．０．１^2,5〕デカ−３−エン、トリ
シクロ〔４．４．０．１^2,5〕ウンデカ−３，７−ジエ
ン、トリシクロ〔４．４．０．１^2,5〕ウンデカ−３，
８−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^2,5〕ウンデ
カ−３−エン、テトラシクロ〔７．４．０．１^10,13．
０^2,7〕−トリデカ−２，４，６−１１−テトラエン
（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラ
ヒドロフルオレン）、テトラシクロ〔８．４．０．１
^11,14．０^3,8〕−テトラデカ−３，５，７，１２−１１
−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，
５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）、

【００１８】テトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１
^7,10〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデ
セン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．１
^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−エチル−テト
ラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３
−エン、８−メチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．
１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−エチリデン
−テトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデ
カ−３−エン、８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．
０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−プロペ
ニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−
ドデカ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エ
ン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシク
ロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エ
ン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．４．
０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−カルボ
キシ−テトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−
ドデカ−３−エン、

【００１９】８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．
４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−シ
クロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１
^7,10〕−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テ
トラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−
３−エン、８−フェニル−テトラシクロ〔４．４．０．
１^2,5．１^7,10〕−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ
〔６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13〕ペンタデカ−
３，１０−ジエン、ペンタシクロ〔７．４．０．
１^3,6．１^10,13．０^2,7〕−ペンタデカ−４，１１−ジ
エンのごときノルボルネン系単量体；

【００２０】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。

【００２１】脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフ
ィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。脂環式オレフィン重合体は、
前記脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフィンと、
これら共重合可能な単量体とを共重合して得られるもの
であってもよい。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィ
ンと共重合可能な単量体としては、エチレン；プロピレ
ン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メ
チル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エ
チル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−
メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセ
ン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１
−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１
−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンな
どの炭素数３〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサ
ジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチ
ル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなど
の非共役ジエン；等が挙げられる。これらの単量体は、
それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用
することができる。

【００２２】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重
合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、
格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができ
る。脂環式オレフィン重合体の具体例としては、ノルボ
ルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノル
ボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体
とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン重
合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水
素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフィン重合体
の芳香環水素添加物などが挙げられる。これらの中で
も、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレ
フィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、特にノル
ボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が好まし
い。

【００２３】前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞ
れ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いること
ができる。なお、脂環式オレフィン重合体のなかでも、
ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物
は、その構造の違いから、Ｃ_nＨ_2nで表されるオレフィ
ンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂とは異種の
ポリマーに分類されるものである。脂環式オレフィン重
合体のＭｗを調整する方法としては、例えば、チタン系
又はタングステン系触媒を用いた脂環式オレフィンの開
環重合に際して、ビニル化合物又はジエン化合物のよう
な分子量調整剤を、単量体全量に対して０．１〜１０モ
ル％程度を添加する方法が挙げられる。このとき分子量
調整剤の量を少な目に用いると比較的高いＭｗの重合体
が得られ、多めに用いると比較的低いＭｗの重合体が得
られる。

【００２４】分子量調整剤として用いるビニル化合物と
しては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１
−オクテンなどのα−オレフィン化合物；スチレン、ビ
ニルトルエンなどのスチレン化合物；エチルビニルエー
テル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエ
ーテルなどのエーテル化合物；アリルクロライドなどの
ハロゲン含有ビニル化合物；酢酸アリル、アリルアルコ
ール、グリシジルメタクリレートなどの酸素含有ビニル
化合物；アクリルアミドなどの窒素含有ビニル化合物；
などが挙げられる。ジエン化合物としては、１，４−ペ
ンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，６−ヘプタジ
エン、２−メチル−１，４−ペンタジエン、２，５−ジ
メチル−１，５−ヘキサジエンなどの非共役ジエン化合
物；１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジ
エン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３
−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなどの共役ジエ
ン化合物；が挙げられる。

【００２５】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以
上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以
上、最も好ましくは１２５℃以上である。本発明に用い
る硬化剤に格別な限定はなく、例えば、イオン性硬化
剤、ラジカル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼
ね備えた硬化剤等が用いられる。たとえば、１−アリル
−３，５−ジグリシジルイソシアヌレート、１，３−ジ
アリル−５−グリシジルイソシアヌレートのごときアリ
ル基とエポキシ基とを含有するハロゲン不含のイソシア
ヌレート系硬化剤などの窒素系硬化剤；ビスフェノール
Ａビス（エチレングリコールグリシジルエーテル）エー
テル、ビスフェノールＡビス（ジエチレングリコールグ
リシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス
（トリエチレングリコールグリシジルエーテル）エーテ
ル、ビスフェノールＡビス（プロピレングリコールグリ
シジルエーテル）エーテルなどのビスフェノールＡ系グ
リシジルエーテル型エポキシ化合物のようなグリシジル
エーテル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、グ
リシジルエステル型エポキシ化合物などの多価エポキシ
化合物；酸無水物やジカルボン酸化合物などのジカルボ
ン酸誘導体；ジオール化合物、トリオール化合物、多価
フェノール化合物などのポリオール化合物；等の硬化剤
があげられる。これらの中でも、多価エポキシ化合物が
好ましく、特に耐クラック性を高める観点からグリシジ
ルエーテル型エポキシ化合物が好ましい。

【００２６】脂環式オレフィン重合体と硬化剤との硬化
反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用
することもできる。硬化促進剤は、特に限定されない。
硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、第３
級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好適で
ある。なかでも、第３級アミン系化合物を使用すると、
微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品
性が向上する。第３級アミン系化合物の具体例として
は、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、
トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルア
ミン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合
物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジ
ン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、
イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げら
れる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を
有する置換イミダゾール化合物が好ましい。

【００２７】置換イミダゾール化合物の具体例として
は、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソ
プロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換
イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミ
ダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、
ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−
（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４
−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリア
ジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラ
ルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換され
たイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中で
も、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式
オレフィン重合体との相溶性の観点から好ましく、特
に、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好まし
い。

【００２８】硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上
を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使
用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性重合体１００
重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好まし
くは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜
５重量部である。硬化助剤は、必要に応じて使用され
る。硬化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベ
ンゾキノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオ
キシム・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレン
ビスマレイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフ
タレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシ
アヌレート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコール
ジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタク
リレート等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエ
ン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビ
ニル系硬化助剤；１−ベンジル−２−フェニルイミダゾ
ールなどの第３級アミン系化合物等が挙げられる。この
他、アリル基を有する硬化剤に対して硬化助剤として機
能する過酸化物を用いることもできる。

【００２９】本発明に係る硬化性組成物には、所望に応
じて、その他の成分を配合することができる。例えば、
ビアホールや層間接続体などの孔を形成するときに使用
されるレーザー光線の波長領域に吸収を持つ化合物を配
合するのが良い。炭酸ガスレーザを用いる場合シリカな
どが用いられ、紫外線レーザー（例えばＵＶ−ＹＡＧレ
ーザなど）を用いる場合、紫外線吸収剤が用いられる。
レーザー光線の波長領域に吸収を持つ化合物を含有する
組成物を用いた場合にはレーザーによる孔形成が容易
で、スミアの発生なども少なくなる。このほか、難燃
剤、軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止
剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブ
ロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合
成油、ワックス、乳剤、充填剤などをその他の成分とし
て用いることができる。その配合割合は、本発明の目的
を損ねない範囲で適宜選択される。

【００３０】本発明においては、絶縁層は、通常、硬化
性組成物のフィルム状又はシート状成形体を基板に加熱
圧着して形成される。硬化性組成物のフィルム状又はシ
ート状成形体（以下、単にシート材と言うことがある）
として用いるシート材は、通常、溶液キャスト法や溶融
キャスト法などにより硬化性組成物がフィルム又はシー
ト状に成形されたものである。溶液キャスト法により成
形する場合は、ワニスを支持体に塗布した後に、有機溶
剤を乾燥除去する。溶液キャスト法に使用する支持体と
して、樹脂フィルム（キャリアフィルム）や金属箔など
が挙げられる。樹脂フィルムとしては、通常、熱可塑性
樹脂フィルムが用いられ、具体的には、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ
エチレンフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリエ
チレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィル
ム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これら樹脂フ
ィルムの中、耐熱性や耐薬品性、積層後の剥離性などの
観点からポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエ
チレンナフタレートフィルムが好ましい。金属箔として
は、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、
金箔、銀箔などが挙げられる。導電性が良好で安価であ
る点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適であ
る。支持体の厚さは特に制限されないが、作業性等の観
点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜
１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍである。

【００３１】塗布方法として、デイップコート、ロール
コート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート
などの方法が挙げられる。また有機溶剤の除去乾燥の条
件は、有機溶剤の種類により適宜選択され、乾燥温度
は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃で
あり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１
分〜３０分である。フィルム又はシートの厚みは、通常
０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、
より好ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィル
ム又はシートを単独で得たい場合には、支持体上にフィ
ルム又はシートを形成した後、支持体から剥離する。

【００３２】ワニスを得る方法に格別な制限はなく、例
えば、硬化性組成物を構成する各成分と有機溶媒とを混
合することにより得られる。各成分の混合方法は、常法
に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラ
ーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、遊星攪拌機、
二軸攪拌機、ボールミル、三本ロールなどを使用した方
法などで行うことができる。これらを混合する際の温度
は、硬化剤による反応が作業性に影響を及ぼさない範囲
であり、さらには安全性の点から混合時に使用する有機
溶剤の沸点以下が好ましい。

【００３３】有機溶剤としては、例えば、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳
香族炭化水素系有機溶剤；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系有機溶剤；シ
クロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系
有機溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリク
ロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系有機溶剤；メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤な
どを挙げることができる。これらの有機溶剤は、それぞ
れ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いること
ができる。

【００３４】これら有機溶剤のなかでも、微細配線への
埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、
芳香族炭化水素系有機溶剤や脂環式炭化水素系有機溶剤
のような非極性有機溶剤とケトン系有機溶剤のような極
性有機溶剤とを混合した混合有機溶剤が好ましい。これ
らの非極性有機溶剤と極性有機溶剤との混合比は適宜選
択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ま
しくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：
８０〜８０：２０の範囲である。有機溶剤の使用量は、
厚みの制御や平坦性向上などの目的に応じて適宜選択さ
れるが、ワニスの固形分濃度が、通常５〜７０重量％、
好ましくは１０〜６５重量％、より好ましくは２０〜６
０重量％になる範囲である。

【００３５】＜微細パターン抵抗素子の形成＞抵抗素子
を形成するには、前述したように基板上に、先に説明し
たような樹脂材料を用いて絶縁層を形成し、その表面を
プラズマエッチングして活性化させ、その後、絶縁層上
に抵抗素子形成のための抵抗層を形成する。このプラズ
マエッチング条件（印加電力、ガス種、エッチング 時
間など）の最適化により、抵抗層の下地の絶縁層の表面
粗さＲａを、０μｍ〜１μｍとする。また、表面粗さＲ
ａは小さい程好ましい。尚、プラズマエッチング条件は
アルゴン及び酸素プラズマにて２００Ｗ，１分間，１０
Ｐａの条件で行った。この絶縁層の表面粗さが小さいと
抵抗素子のパターニング精度がよく、また微細なパター
ンの形成も容易である。実際、後述する実施例で示す、
いわゆるセミアディティブ法を用いた場合、めっき導電
層厚＝１０μｍにおいて、抵抗層のパターン幅及びパタ
ーン長をそれぞれ３０μｍに精度よく形成することがで
きた。なお、抵抗素子のパターン幅やパターン長が大き
くなるとチップ部品を実装する場合との優位性がなくな
るため、パターン幅及びパターン長はそれぞれ最大で２
０００μｍである。

【００３６】また、絶縁層の表面粗さが大きいと実際の
表面積が設計値よりも大きくなり、抵抗層の実効膜厚も
薄くなるため、設計値と実測値のズレが生じたり、抵抗
値の精度が悪くなるといった問題があったが、本発明で
はその問題も解決することができた。また、さらに多層
化することで抵抗素子を基板に内蔵したり、各層に形成
することが可能である。さらに、絶縁層の表面粗さＲａ
が０μｍ〜１μｍと小さいと、高周波特性、特にＧＨｚ
帯において変化の少ない、安定したが抵抗素子を得るこ
とができる。

【００３７】＜金属−金属接合＞また、本発明では抵抗
層として、例えばＮｉやＣｒなどの金属材料（合金も含
む）を用いることができる。抵抗層として金属材料を用
いた場合には、薄膜の抵抗素子と電極パッド（銅）とは
金属−金属結合であるためオーミックコンタクトとな
り、その結果、接触抵抗は極めて小さい。従って、電極
パッドとの接触抵抗の影響を受けることなく、設計値通
りの薄膜の抵抗素子を形成することができる。以下に、
具体的な実施例について説明する。 ＜サブトラクティブ法による微細薄膜の抵抗素子の形成
＞図１及び図２は、サブトラクティブ法による微細薄膜
抵抗素子の形成の工程フローを示す。尚、ここではコア
材の両面側に抵抗素子を積層する場合について説明する
が、コア材の片面のみに形成してもよい。

【００３８】まず、図１（Ａ）に示すように、銅張板ま
たは銅張積層板等のコア材２０の導電層（Ｃｕ）２２に
パターニングを施して内層パターン２４を形成する。こ
の銅張板は、樹脂板の表面に銅箔を形成したものであ
り、また、銅張積層板は銅箔と樹脂板とを多層に形成し
て、内部に必要に応じて回路パターンが形成されている
ものである。そして、上記内層パターン２４の表面を黒
化処理、αプレップ処理、ＣＺ処理などの化学的表面処
理を施し、その上に絶縁層２６を形成する。この絶縁層
２６の形成の詳細については後述する。今回はＣＺ処理
（メック株式会社製メックエッチボンドＣＺ−８１００
を使用）を行った。

【００３９】次に、図１（Ｂ）に示すように、プラズマ
エッチングによって絶縁層２６の表面の粗化・活性化を
行う。この絶縁層２６の粗化・活性化の最適条件は、樹
脂の硬化条件やプラズマエッチング条件によって異な
る。ここで表面粗さＲａは、プラズマパワー、処理圧
力、処理時間を適宜選択することにより制御する。本実
施例では、脂環式オレフィン重合体と硬化剤とを含有す
る硬化性組成物を硬化して得た熱硬化性樹脂のシート材
（厚さ３０〜５０μｍ）を真空ラミネーターで１００〜
１３０℃、０．５〜１．０ＭＰａにて塗工し、１５０〜
１８０℃で２時間の熱硬化処理を行った。尚、シート材
の厚さ、塗工時の温度、圧力、熱硬化処理の温度は、そ
れぞれ上記範囲内にて変化させて種々形成した。また、
プラズマエッチング条件はアルゴン及び酸素プラズマに
て２００Ｗ，１分間，１０Ｐａの条件で行った。このと
きの絶縁層２６の表面粗さＲａは、０．２〜０．３μｍ
の範囲内で変化させて種々形成した。なお、表面粗さＲ
ａは原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔ製、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ３ａ）にてＳｉ単結晶
短冊型カンチレバー（バネ定数＝２０Ｎ／ｍ、長さ１２
５μｍ）を使用し大気中タッピングモードで測定して評
価した。ここでＲａ：平均粗さ（Ｒａ）は中心平面から
の算術平均を表す。

【００４０】次に、図１（Ｃ）に示すように、樹脂と銅
のそれぞれと密着性がよく、かつ抵抗材料としても使用
可能な材料（例えば、少なくともＮｉ，Ｃｒ，Ｔｉのい
ずれか１種類以上を含む金属材料）をスパッタ、蒸着、
イオンプレーティングなどのドライプロセスで成膜し、
抵抗層２８を形成する。この抵抗層２８は大気中に晒さ
れると表面酸化を起こしたり、次工程の電気銅めっき及
びその前処理工程でダメージを受けるため、抵抗層２８
とその上のめっき銅層との密着性が取りにくくなる。そ
こで、抵抗層２８の成膜後、真空状態を保持したまま連
続で導電層３０となる銅の成膜を行う。この層を保護導
電層と呼ぶ。保護導電層３０の厚みは、次工程の電気銅
めっきの前処理工程に耐え得る厚さが必要である。本実
施例では抵抗層２８の厚みを１０００Å（材料Ni/Cr=80
/20wt％）、保護導電層３０の厚みを１０００Åで形成
した。いずれもスパッタ法で行い、条件はアルゴンプラ
ズマで４００Ｗ，0.4 Ｐａにて実施した。抵抗層２８厚
みが５００Åよりも薄くなると熱ストレスや機械的スト
レスによる耐性が不足するため、５００Å以上が必要で
ある。また、抵抗層２８の厚さの上限は、１００００Å
程度であり、これ以上厚くなると、プリント基板形成の
上から現実的でない。

【００４１】次に、図１（Ｄ）に示すように、電気銅め
っきを行ってめっき導電層３２を形成する。本実施例で
はめっき導電層３２の厚みを２０〜３０μｍで形成し
た。次に、図１（Ｅ）に示すように、フォトリソを行っ
た後、塩化第二銅溶液や塩化第二鉄溶液等のエッチング
液を用いてめっき導電層３２、導電層３０及び抵抗層２
８の３層のパターニングを行い、配線パターン３４を形
成する。例えば抵抗層２８の材料がＮｉＣｒの場合、上
記エッチング液を用いれば抵抗層２８と導電層３０とを
同時にエッチングすることが可能である。上記エッチン
グ液ではエッチングできない材料についてはそれぞれに
合ったエッチング液にてさらにエッチングを行う。エッ
チングレジストはインクやドライフィルム、または電着
（Electro Deposition：ＥＤ）膜などがあり、使用する
エッチング液に対し耐性のあるものを使用する。本実施
例では旭化成社製ＡＱ−４０３８（厚さ４０μｍ）を使
用した。次にエッチングレジストを苛性ソーダ溶液等で
除去する。

【００４２】次に、図１（Ｆ）に示すように、フォトリ
ソ後、配線パターン３４の一部のめっき導電層３２及び
導電層３０のみを選択的にエッチングすることによっ
て、その下層の抵抗層２８を薄膜の抵抗素子３６として
利用する。この時の選択エッチング液は、銅をエッチン
グし、かつできるだけ下地の抵抗層２８にダメージを与
えないものを選定しなければならない。選択エッチング
液には、アンモニア系やギ酸系のものを使用するとよ
い。例えばメック株式会社製メックエッチボンドＣＺ−
８１００が有効である。本実施例では液温３０℃で「ジ
ャストエッチング＋α」（めっき導電層３２の厚さによ
ってエッチング時間は異なる）行った時の抵抗層ダメー
ジは抵抗値変化率で見るとおよそ２％の上昇で収まって
いる。選択エッチング後、エッチングレジストを除去す
る。エッチングレジストは図１（Ｅ）で示した工程と同
じものでよいが、アンモニア系エッチング液（例えばメ
ルテックス株式会社製エープロセス）を使用する場合は
耐アルカリタイプのレジストを使用しなければならな
い。次にエッチングレジストを苛性ソーダ溶液等で除去
する。

【００４３】次に、図２（Ａ）に示すように、さらにビ
ルドアップする場合、配線パターンの表面処理を施し、
その上に絶縁層３８を形成する。本実施例は、表面処理
液としてメック株式会社製メックエッチボンドＣＺ−８
１００を使用した。このようにして、図１（Ｂ）〜図１
（Ｆ）の工程を必要に応じて繰り返すことにより、図２
（Ｂ）に示すように内部に抵抗素子３６が埋め込まれた
積層型のプリント基板を作る。次に、図２（Ｃ）に示す
ように、最後にソルダーレジスト４０を形成し、パター
ニングして、プリフラックス処理や金めっき処理などを
行って金めっきよりなる電極パッド４２を形成する。上
記したような、サブトラクティブ法による薄膜の抵抗素
子３６の形成は、配線パターンの一部を選択的にエッチ
ングして形成するため、電極パッド４２とのズレを生じ
ないメリットがある。

【００４４】＜セミアディティブ法による微細薄膜の抵
抗素子の形成＞図３及び図４は、セミアディティブ法に
よる微細薄膜抵抗素子の形成の工程フローを示す。この
セミアディティブ法を用いた形成方法では、先の図１
（Ａ）〜図１（Ｃ）にて説明した方法がここでも全く同
様に適用されるので、この部分の説明については省略す
る。まず、図１（Ｃ）に示すような工程まで処理を行っ
たならば、次に図３（Ａ）に示すように、めっきレジス
ト４４を塗工し、フォトリソにてパターニングを行う。
次に、図３（Ｂ）に示すように、上記めっきレジスト４
４をマスクとして電気銅めっきを行って、めっき導電層
４６を選択的に形成する。本実施例ではめっき導電層４
６の厚みを２０〜３０μｍで形成した。

【００４５】次に、図３（Ｃ）に示すように、上記めっ
きレジスト４４を除去する。次に、図３（Ｄ）に示すよ
うに、抵抗素子を形成するためのレジスト４８を塗工
し、パターニングを行う。次に、図３（Ｅ）に示すよう
に、露出している保護導電層３０及び抵抗層２８をエッ
チングする。この場合、例えば塩化第二銅溶液や塩化第
二鉄溶液等のエッチング液を用いる。例えば抵抗層２８
の材料がＮｉＣｒの場合、上記エッチング液を用いれば
抵抗層２８と導電層３０とを同時にエッチングすること
が可能である。

【００４６】次に図３（Ｆ）に示すように、苛性ソーダ
溶液等でレジスト４８を除去した後、その下部の保護導
電層３０のみを選択的にエッチングして抵抗層２８を残
し、ここに抵抗素子１６を形成する。ここではエッチン
グ液としてメック株式会社製メックエッチボンドＣＺ−
８１００を使用した。さらにビルドアップする場合に
は、図４（Ａ）に示すように、配線パターンの表面処理
を施し、その上に絶縁層３８を形成する。そして、図１
（Ｂ）、図１（Ｃ）、図２（Ａ）〜図２（Ｆ）の工程を
必要に応じて繰り返すことにより、図４（Ｂ）に示すよ
うに内部に抵抗素子１６が埋め込まれた積層型のプリン
ト基板を作る。

【００４７】次に、図４（Ｃ）に示すように、ソルダー
レジスト４０を形成し、パターンニングしてプリフラッ
クス処理や金めっき処理などを行って金めっきよりなる
金属パッド４２を形成する。このセミアディティブ法に
よる薄膜の抵抗素子は、保護導電層３０のみのエッチン
グで形成できるため精度がよく、且つファインな薄膜の
抵抗素子を形成できるといったメリットがある。実際、
めっき導電層厚＝１０μｍにおいて、抵抗層のパターン
幅及びパターン長をそれぞれ３０μｍに精度よく形成す
ることができた。なお、抵抗素子の各部の寸法は、図５
に示すように定義される。図５は抵抗素子の一例を示す
拡大斜視図であり、上記抵抗素子１６の２つのめっき導
電層４６間の長さＬがパターン長であり、抵抗層２８の
横幅Ｗがパターン幅であり、抵抗層２８の厚さｔがパタ
ーン厚である。

【００４８】ここで、絶縁層２６の表面粗さを種々変更
して抵抗素子の抵抗値の評価を行ったので、その評価結
果について説明する。図６は絶縁層の表面粗さＲａと抵
抗値バラツキ率との関係を示す図である。図６（Ａ）は
Ｒａ＝２μｍ、図６（Ｂ）はＲａ＝１μｍ、図６（Ｃ）
はＲａ＝０．５μｍの場合をそれぞれ示す。ここではそ
れぞれ表面粗さの異なる絶縁層上にパターン幅５０μ
ｍ、パターン長１ｍｍ、パターン厚１０００Åの抵抗素
子を形成し、その抵抗値の精度を調べた。分布エリアは
１５０ｍｍ角である。図６によれば、表面粗さＲａが２
μｍの時（図６（Ａ）参照）は、抵抗値のバラツキは±
９〜１２程度まであり、あまり好ましくなかった。これ
に対して、表面粗さＲａが１μｍの時（図６（Ｂ）参
照）及び０．５μｍの時（図６（Ｃ）参照）は、抵抗値
のバラツキは一応の目安である±５％以内に納まってお
り、良好な特性を示していることが確認できた。また、
絶縁層として本発明で説明した材料と一般的なエポキシ
樹脂を用いた場合の高周波特性を測定したので、その評
価結果について説明する。

【００４９】図７は絶縁層の材料が高周波特性に及ぼす
影響を示すグラフであり、図７（Ａ）は絶縁層として一
般的なエポキシ樹脂を用いた場合を示し、図７（Ｂ）は
絶縁層として本発明の材料を用いた場合を示す。また、
抵抗素子の抵抗値として１０Ω、１００Ω、１ｋΩの３
種類を用意した。図７（Ａ）に示すエポキシ樹脂の場合
には、特に周波数１００ＭＨｚ以上において１００Ω及
び１ｋΩの抵抗値の変化率が大きく変化して好ましくな
い。これに対して、図７（Ｂ）に示す本発明の材料の場
合は、周波数２００ＭＨｚ以上でも抵抗値の変化率はそ
れ程大きくなく、良好な高周波特性を示していることが
判明した。

【００５０】また、絶縁層の表面粗さＲａを１μｍにし
た抵抗素子を用いてこの抵抗層と絶縁層との密着性を測
定したところ、エポキシ樹脂の場合は、密着性は不十分
であったが、本発明の材料の場合には十分な密着性を得
ることができた。尚、上記実施例で説明した抵抗素子を
含むプリント基板の積層構造は、単に一例を示したに過
ぎず、これに限定されないのは勿論である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプリント
基板によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。絶縁層の表面粗さを最適化して抵抗層を積
層することにより、密着性を高く維持しつつ微細パター
ン化及び抵抗値の精度の向上を図ることができる。ま
た、抵抗層をスパッタ等のドライプロセスで形成するた
め、抵抗材料の制約を受けにくいため、高抵抗化が容易
である。しかも、スパッタ条件等により、最も仕様に合
ったシート抵抗値を自在に得ることができる。更には、
膜厚精度がよいため、抵抗値の精度がよい。また更に、
抵抗層と導電層を真空中で連続スパッタにより形成する
ため、抵抗層／導電層間が純粋に金属−金属結合である
ため、接触抵抗を極めて小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプリント基板の第１の製造工程（サブ
トラクティブ法）を説明するための工程図である。

【図２】本発明のプリント基板の第１の製造工程（サブ
トラクティブ法）を説明するための工程図である。

【図３】本発明のプリント基板の第２の製造工程（セミ
アディティブ法）を説明するための工程図である。

【図４】本発明のプリント基板の第２の製造工程（セミ
アディティブ法）を説明するための工程図である。

【図５】抵抗素子の一例を示す拡大斜視図である。

【図６】絶縁層の表面粗さＲａと抵抗値バラツキ率との
関係を示す図である。

【図７】絶縁層の材料が高周波特性に及ぼす影響を示す
グラフである。

【図８】従来のペースト印刷法を用いて抵抗素子を形成
する工程を示す図である。

【図９】従来のＣｕ箔に抵抗膜をめっきで形成して抵抗
素子を形成する工程を示す図である。

【符号の説明】 ２０…コア材、２６…絶縁層、２８…抵抗層、３０…導
電層、３２…めっき導電層、３４…電線パターン、３６
…抵抗素子、３８…絶縁層、４２…電極パッド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 道脇 茂 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 吉水 久典 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 河田 茂樹 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 神田 直樹 神奈川県川崎市川崎区夜光１丁目２番１号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内 Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA15 BB05 BB23 BB24 BB26 BB32 BB38 CC03 DD01 DD17 DD19 GG01 GG06 5E343 AA02 AA12 AA36 AA38 AA39 BB08 BB17 BB24 BB38 BB44 BB63 BB71 DD25 DD32 DD75 EE36 GG04 5E346 AA02 AA12 AA14 AA15 AA34 AA37 BB01 BB16 BB20 CC08 CC25 CC32 DD02 DD09 DD17 DD22 DD33 EE33 FF45 GG17 GG22 GG27 HH01 HH11

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁層の表面に抵抗層を形成し、次い
   で、前記抵抗層を所定の形状にエッチングして形成され
   た抵抗素子を有するプリント基板において、 前記絶縁層の表面粗さＲａが、０μｍ〜１μｍであるこ
   とを特徴とするプリント基板。
2. 【請求項２】 前記絶縁層が、脂環式オレフィン重合体
   及び硬化剤を含有した硬化性樹脂組成物を硬化してなる
   ものである請求項１記載のプリント基板。
3. 【請求項３】 前記絶縁層が、プラズマエッチングによ
   り粗化されたものである請求項１又は２記載のプリント
   基板。
4. 【請求項４】 前記プラズマエッチングに用いるプラズ
   マエッチングガスが、アルゴンガス及び／又は酸素ガス
   である請求項３記載のプリント基板。
5. 【請求項５】 前記抵抗素子のパターン幅及びパターン
   長が、それぞれ３０μｍ〜２０００μｍである請求項１
   乃至４のいずれかに記載のプリント基板。
6. 【請求項６】 前記抵抗素子の厚みが、５００Å〜１０
   ０００Åである請求項１乃至５のいずれかに記載のプリ
   ント基板。
7. 【請求項７】 前記抵抗素子の材料が金属であり、且つ
   前記抵抗素子が、上部に金属間結合によって電気的に接
   続された金属製の電気パッドを有するものである請求項
   １乃至６のいずれかに記載のプリント基板。