CN103731992B - 减少电路板镀金区域产生凹坑的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,属于印制电路板技术领域。该方法包括层压、钻孔、沉铜、板镀、第一次图形转移、电镀、退膜、磨板、第二次图形转移、图形电镀铜镍金、第三次图形转移、电镀硬金、外层蚀刻工序;钻孔工序中,将通孔和盲孔同时制作出;第一次图形转移工序中,仅暴露通孔和盲孔;电镀工序中,对盲孔和通孔同时进行电镀。采用该方法,可以避免整板反复电镀和长时间电镀,从而减少金手指区域的凹坑产生。
Description
技术领域
本发明涉及印制电路板技术领域,特别是涉及一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法。
背景技术
光电板为小尺寸的电路板,也称SFP板,在光电板中,一般采用长短金手指设计,板厚是1.0±0.1mm,表面工艺为“水金+镀厚硬金”,为了方便拔插,需在长短金手指位置镀硬金。该光电板主要应用在千兆以太网、千兆光通道等通讯设备的光模块上,把电信号转换成光信号、从而实现光通信系统数据传输的功能。为了更好地在高频/高速下控制信号传输或完整性,通讯设备供应商对光电板“长短金手指”的凹坑、形状完整性等外观要求极其严格。大多数PCB厂家长期被光电板“金手指凹坑”报废所困扰。导致光电板凹坑的主要原因是在PCB生产电镀过程,由于电镀缸添加剂成分不足、或镀液有机污染或杂物、或前处理或过滤系统不良等影响,此类电路板在长时间电镀后容易产生凹坑。
而在常规工艺中,为实现各层间的互连,光电板大多设计有盲孔结构,对于“盲孔、通孔”并存的这种光电板,传统的工艺为:前工序→激光钻盲孔→沉铜→板镀→盲孔电镀填孔→减薄铜→钻通孔→沉铜→板镀→图形转移→图镀铜镍金→图形转移2→电镀硬金→外层蚀刻→…后流程;上述工艺经过2次板镀、电镀填孔(需长时间电镀、全板加厚铜20-35um)、减薄铜、图镀铜镍金(长时需间电镀、全板加厚铜20-35um),在反复、长时间、整板面电镀和减铜影响下,每块电路板产生电镀凹坑数量较多,因凹坑报废的现象经常发生。
发明内容
基于此,本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,采用该方法,可以减小电镀的时间,避免整板面电镀,从而减少凹坑的产生。
一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,
为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:
一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,包括层压、钻孔、沉铜、板镀、第一次图形转移、电镀、退膜、磨板、第二次图形转移、图形电镀铜镍金、第三次图形转移、电镀硬金、外层蚀刻工序;其中:
钻孔工序中,将通孔和盲孔同时制作出;
第一次图形转移工序中,对整个板面贴膜,通过曝光、显影,仅暴露通孔和盲孔;
电镀工序中,对盲孔和通孔同时进行电镀;
磨板工序中,对通孔和盲孔的孔口进行打磨;
第二次图形转移工序中,将图形线路转移至电路板板面;
第三次图形转移工序中,将电路板的金手指部分暴露;
电镀硬金工序中,对暴露出的金手指电镀硬金;
外层蚀刻工序中,以金层作为抗蚀层,蚀刻出该电路板的所有图形线路。
本发明的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,利用第一次图形转移,将通孔和盲孔露出进行电镀,而此时,该电路板的其它位置仍被膜覆盖保护,不能被电镀。由于仅针对盲孔和通孔进行电镀,无需进行减薄铜工序,避免了大面积板面因反复、长时间电镀而产生凹坑,降低了报废率。
在其中一个实施例中,所述电镀工序中,先在高铜低酸药水中进行电镀,满足盲孔孔铜的要求,再在高酸低铜药水中进行电镀,满足通孔孔铜的要求。当通孔孔径≥0.2mm,盲孔孔径3-6mil时,根据盲孔和通孔不同的特点,有针对性的选择电镀药水,可提高盲孔和通孔的电镀可靠性。
在其中一个实施例中,所述电镀工序中,控制电流密度为6-12ASF,为每块电路板输出≤10A的电流,电镀时间为60-220min。由于仅有盲孔和通孔露出,需要电镀的面积小,因此每一块电路板所需要的电流较小,需控制为每块电路板输出≤10A的电流。
在其中一个实施例中,所述电镀工序中,以量程为10-50A的整流器输出电流;
或在第一次图形转移工序中,对拼板的板边进行开窗,以开窗增加电镀面积,使用量程为50A以上的整流器输出电流。
所述拼板为在常规工艺中,为了操作方便及提高生产效率,常常是以多块电路板拼合为一整块大的拼板进行电镀。以小量程的整流器可以输出符合要求的稳定电流。或者在拼板的板边开窗,以开窗增大了电镀面积,从而减小每一块电路板的电镀电流,将电流波动分散,降低电流波动对每一块电路板的影响,从而也可以采用量程大于50A的整流器,如采用100A的大量程整流器输出电流也可实现高精度的电镀。
在其中一个实施例中,所述板镀工序中,通过电镀使电路板的铜层加厚5-8μm。避免将铜层电镀得过厚后又需要进行减薄铜工序,并在反复的电镀-减薄铜过程中产生凹坑。
在其中一个实施例中,所述板镀工序中,控制电流密度为8-12ASF,电镀时间为20-40min。采用上述电镀参数,能够在保证电镀效果的同时兼顾效率。
在其中一个实施例中,所述图形电镀铜镍金工序中,先对电路板上的图形线路加厚铜层1-5μm,再进行镀镍、镀金步骤。先对电路板上的图形线路加厚铜层1-5μm,有利于改善金面划痕的问题。
在其中一个实施例中,所述图形电镀铜镍金工序中,电镀加厚铜层时,控制电流密度为7-15ASF,电镀时间为5-15min。采用该电镀参数,具有较好的电镀改善金面划痕效果,也不会因长时间电镀产生凹坑,满足在高频/高速下实现完整信号传输的目的。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明的一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,利用图形转移,将电路板整个板面用膜覆盖保护,仅露出通孔和盲孔,先针对该通孔和盲孔同时进行电镀,使通孔和盲孔的孔铜满足要求,避免了板面因整板面反复电镀-减铜、长时间电镀等工序导致光电板“金手指”区域的铜面产生凹坑。
同时,还针对因电路板的其它位置被膜覆盖保护,仅有盲孔和通孔露出,电镀面积小,采用常规电镀方式可能会产生“孔口封孔,孔内不足”的问题,该方法电镀工序中采用稳定的电流进行电镀,能够确保镀孔的可靠性,避免通孔或盲孔在电镀中产生孔口封孔、孔内不足等缺陷,降低了报废率。
并且,该方法减少了总的电镀加厚铜时间,无需减薄铜工序,从生产流程上简化了生产工艺,提高了生产效率,还由于无需减薄铜工序,节约了电镀铜球的消耗,节约了生产成本。
附图说明
图1为实施例1中第一次图形转移工序后仅露出通孔和盲孔的电路板示意图;
图2为实施例1中第二次图形转移工序后全部图形线路均露出的电路板示意图;
图3为实施例2中第一次图形转移工序后露出通孔、盲孔以及在拼板的板边开窗的示意图。
其中:1.通孔;2.盲孔;3.金手指。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例来详细说明本发明。
实施例1
一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,包括开料、内层图形制作、层压、钻孔、沉铜、板镀、第一次图形转移、电镀、退膜、磨板、第二次图形转移、图形电镀铜镍金、第三次图形转移、电镀硬金、外层蚀刻、阻焊、表面处理工序;其中:
开料、内层图形制作、层压、沉铜、退膜、阻焊、表面处理工序按照常规工艺制作,制得板厚≤2mm的电路板。
钻孔工序中,将通孔1和盲孔2同时制作出;可采用激光钻盲孔、机械钻通孔的方式钻出盲孔和通孔,所述通孔孔径为0.2mm,盲孔孔径3mil。
板镀工序中,控制电流密度为8ASF,电镀时间为30min,通过电镀使电路板的铜层加厚5μm。
第一次图形转移工序中,对电路板的板面贴干膜,通过曝光、显影,仅暴露通孔和盲孔。
电镀工序中,对盲孔和通孔同时进行电镀,先在高铜低酸药水中进行电镀,所述高铜低酸药水中,硫酸与铜离子的质量比小于10:1,满足盲孔孔铜的要求;再在高酸低铜药水中进行电镀,所述高酸低铜药水中,硫酸与铜离子的质量比大于14:1,满足通孔孔铜的要求。电镀时,控制电流密度为6ASF,根据电镀面积计算所需电流,以10A小量程的整流器输出2A电流,电流波动范围为±0.3A,电镀时间为220min。
磨板工序中,对通孔和盲孔的孔口进行打磨。
第二次图形转移工序中,将图形线路转移至电路板板面。
图形电镀铜镍金工序中,电镀加厚铜层时,控制电流密度为7ASF,电镀时间为10min,先对电路板上的图形线路加厚铜层1μm,再按常规工艺进行镀镍、镀金步骤。
第三次图形转移工序中,将电路板的金手指部分暴露。
电镀硬金工序中,按照常规工艺对暴露出的金手指3电镀硬金。
外层蚀刻工序中,以金层作为抗蚀层,蚀刻出该电路板的所有图形线路。
阻焊、表面处理工序按照常规工艺制作。
通过上述方法,制备得到电路板A。
实施例2
本实施例的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法与实施例1中的方法基本相同,不同在于:
钻孔工序中,钻出的通孔孔径为0.5mm,盲孔孔径6mil。
板镀工序中,控制电流密度为12ASF,电镀时间为20min,通过电镀使电路板的铜层加厚8μm。
第一次图形转移工序中,对电路板的板面贴干膜,通过曝光、显影,暴露通孔和盲孔,并对拼板的板边进行开窗,以开窗增加电镀面积,如图3所示。电镀工序中,电镀时,控制电流密度为12ASF,根据电镀面积计算所需电流,以100A大量程的整流器输出电流,由于拼板的板边进行了开窗,增加了电镀面积,从而可以降低电流波动对每块板的影响,电镀时间为140min。
图形电镀铜镍金工序中,电镀加厚铜层时,控制电流密度为15ASF,电镀时间为5min,使电路板上的图形线路加厚铜层5μm。
通过上述方法,制备得到电路板B。
实施例3
本实施例的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法与实施例1中的方法基本相同,不同在于:
钻孔工序中,钻出的通孔孔径为0.4mm,盲孔孔径5mil。
板镀工序中,控制电流密度为10ASF,电镀时间为40min,通过电镀使电路板的铜层加厚7μm。
电镀工序中,控制电流密度为9ASF,电镀时间为60min。
图形电镀铜镍金工序中,电镀加厚铜层时,控制电流密度为11ASF,电镀时间为15min,使电路板上的图形线路加厚铜层3μm。
通过上述方法,制备得到电路板C。
对比例1
本对比例的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法与实施例1中的方法基本相同,不同在于:
电镀工序中,控制电流密度为14ASF,电镀时间为220min。
通过上述方法,制备得到电路板D。
对比例2
本对比例的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法与实施例1中的方法基本相同,不同在于:
电镀工序中,控制电流密度为6ASF,根据电镀面积计算所需电流,以100A大量程的整流器输出2A电流,经监测,电流波动最大达5-6A,电镀时间为220min。
通过上述方法,制备得到电路板E。
试验例
按照上述实施例1-3和对比例1-2的方法制备得到各10块电路板A-E,并按照传统工艺方法制备10块电路板F,进行测试,考察其各项性能。
上述传统工艺方法为:前工序→激光钻盲孔→沉铜→板镀→盲孔电镀填孔→减薄铜→钻通孔→沉铜→板镀→图形转移1→图镀铜镍金→图形转移2→电镀硬金→外层蚀刻→…后流程。
一、考察其金手指上产生凹坑的情况。
观察各电路板板面金手指区域,记录其产生凹坑的情况,结果如下表1所示。
表1考察不同电路板的金手指凹坑现象
电路板 | A | B | C | D | E | F |
产生凹坑的个数 | 1-5 | 1-5 | 1-5 | 1-5 | 1-5 | 50-120 |
通过上述表1,我们可以看出,采用干膜覆盖保护整个板面,仅露出通孔和盲孔进行电镀的方法制备得到的电路板,由于仅针对盲孔和通孔进行电镀,无需进行减薄铜工序,避免了大面积板面因反复、长时间电镀而产生凹坑,大大减少了凹坑的个数。
二、考察其通孔和盲孔的电镀情况。
将各电路板剖开,观察各电路板剖面通孔和盲孔的电镀情况,结果如下表2所示。
表2考察不同电路板通孔和盲孔的电镀情况
电路板 | A | B | C | D | E |
通孔或盲孔中是否孔口封孔,孔内不足 | 否 | 否 | 否 | 是 | 是 |
通过上述表2,我们可以看出,采用实施例1-3的方法制备得到的电路板孔中铜层填充效果较好,孔中心无空洞。而对比例1中,由于采用了较大的电流,导致在电镀工序中无法获得较好的填充效果;对比例2中,虽然采用的电流不大,但是由于电流不稳定,波动过大,也难以获得较好的填充效果。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,其特征在于,包括层压、钻孔、沉铜、板镀、第一次图形转移、电镀、退膜、磨板、第二次图形转移、图形电镀铜镍金、第三次图形转移、电镀硬金、外层蚀刻工序;其中:
钻孔工序中,将通孔和盲孔同时制作出;
第一次图形转移工序中,对整个板面贴膜,通过曝光、显影,仅暴露通孔和盲孔;
电镀工序中,对盲孔和通孔同时进行电镀;
磨板工序中,对通孔和盲孔的孔口进行打磨;
第二次图形转移工序中,将图形线路转移至电路板板面;
第三次图形转移工序中,将电路板的金手指部分暴露;
电镀硬金工序中,对暴露出的金手指电镀硬金;
外层蚀刻工序中,以金层作为抗蚀层,蚀刻出该电路板的所有图形线路;
所述电镀工序中,先在高铜低酸药水中进行电镀,满足盲孔孔铜的要求,再在高酸低铜药水中进行电镀,满足通孔孔铜的要求;控制电流密度为6-12ASF,为每块电路板输出≤10A的电流,电镀时间为60-220min;以量程为10-50A的整流器输出电流;
或在第一次图形转移工序中,对拼板的板边进行开窗,以开窗增加电镀面积,使用量程为50A以上的整流器输出电流。
2.根据权利要求1所述的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,其特征在于,所述板镀工序中,通过电镀使电路板的铜层加厚5-8μm。
3.根据权利要求1所述的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,其特征在于,所述板镀工序中,控制电流密度为8-12ASF,电镀时间为20-40min。
4.根据权利要求1所述的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,其特征在于,所述图形电镀铜镍金工序中,先对电路板上的图形线路加厚铜层1-5μm,再进行镀镍、镀金步骤。
5.根据权利要求4所述的减少电路板镀金区域产生凹坑的方法,其特征在于,所述图形电镀铜镍金工序中,电镀加厚铜层时,控制电流密度为7-15ASF,电镀时间为5-15min。
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