419796 A7 B7 經濟部中决標卒局兵工消費合作社印欠 五、發明説明 ( 1) 1 1 1 C 發 明 之 詳 细 說 明 1 1 I [ 發 明 之 技 術 領 域 ] 1 I 本 發 明 係 顢 於 — 種 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 及 其 製 造 方 請 先 1 1 閲 | 法 〇 如 果 說 得 更 加 詳 细 一 點 的 話 本 發 明 係 m 於 —* 種 圼 輕 讀 背 j ifi ! 量 化 而 容 易 進 行 加 工 並 且 其 半 導 體 電 路 基 板 和 外 部 電 s 1 意 1 1 路 基 板 間 之 接 合 可 靠 性 相 當 良 好 的 金 展 基 底 半 導 體 電 路 基 事 項 ! ] 再 1 板 及 其 製 造 方 法 〇 填 ίξ 本 裝 [ 先 前 技 術 ] 頁 1 1 近 年 來 金 屬 基 底 半 専 體 電 路 基 板 之 需 隶 係 m 著 /Hit 微 電 1 1 腦 及 微 處 理 器 等 之 半 導 體 封 裝 體 用 之 利 用 而 正 在 不 新 1 1 地 提 高 當 中 〇 該 作 為 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 具 代 表 性 1 訂 之 用 途 例 子 係 有 美 國 專 利 (USP) 5 ,420 ,460 號 中 之 所 揭 示 1 1 出 之 金 团 腾 基 底 之 BGA (Ba 1 1 G r id A r r ay 球 閘 陣 列 Μ 下 1 1 1 則 簡 寫 為 BG A ) 基 板 Μ 及 Η 本 專 利 特 開 平 6- 5 3621 號（ 美 1 1 國 專 利 (USP)5 ,639 ，990號 )中之所揭示出之金靥基底之 1 Λ MQP (Meta 1 Q υ ad P a c k a s e 金 屬 四 逢 型 封 装 體 » Μ 下 則 簡 1 ί 寫 為 MQP ) 0 在 前 述 之 MQP (He t a 1 Qu ad P a c k a g e 金 鼷 四 i 邊 型 封 裝 體 )構造中 係對於電路配線基板 進行引深加 1 1 1 工 處 理 而 使 得 前 述 之 電 路 配 線 基 板 成 為 箱 形 狀 並 且 1 ί 1 在 該 箱 形 狀 電 路 配 線 基 板 之 開 □ 面 之 周 Ά 上 遵 形 成 有 1 1 導 線 部 〇 1 1 金 鼷 基 底 半 導 體 電 路 基 板 係 具 備 有 相 當 良 好 之 散 熱 性 1 I Μ 及 電 磁 遮 蔽 性 等 特 性 0 該 金 屬 基 底 半 m 體 電 路 基 板 中 之 1 1 1 所 使 用 的 基 底 金 屬 係 具 備 有 電 路 之 補 強 用 材 料 半 導 體 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 419796 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（ 2) 1 I 中 之 所 產 生 之 熱 能 的 敗 熱 用 材 料 以 及 電 氣 之 接 地 用 材 料 1 I I 等 之 功 能 0 在 基 底 金 鼷 之 表 面 及 背 面 中 9 係 Μ 電 路 形 成 面 1 I 9 作 為 表 面 t 而 該 電 路 形 成 面 之 相 反 面 > 作 為 m 面 〇 前 述 5 1 1 I 之 背 面 f 係 具 備 有 該 作 為 金 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 敗 熱 讀 背 1 I 1 面 的 功 能 、 Μ 及 該 作 為 使 用 IR (紅外線） 迴 焊 (Γ e f 1 〇 W ) 而 將 冬 I 意 1 j 金 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板 構 裝 於 主 機 板 上 之 時 的 IR (紅夕卜 事 項 I 1 1 線 )吸收面之功能 並且 還隨著狀態之不同 而具備有 填 本 裝 所 謂 絕 緣 層 等 之 功 能 〇 頁 1 I 然 而 > 就 正 如 B 本 專 利 特 開 平 7 — 321250 5R (美國專利 1 1 (USP)5 ,583 ，378號 )中之所記載的 可Μ在習知之金屬基 1 1 底 半 導 體 電 路 基 板 之 背 面 上 設 置 有 環 氣 樹 脂 或 者 瓖 氧 樹 1 訂 脂 以 外 之 適 當 材 料 之 薄 膜 暦 〇 刖 述 之 薄 膜 層 係 可 以 發 揮 I I 出 該 作 為 保 護 層 之 功 能 〇 通 常 前 述 之 金 層 基 底 半 導 體 電 1 1 1 路 基 板 之 背 面 係 為 不 锈 m (SUS)之表面以及該施加過鋅 1 1 鉻 酸 鹽 變 色 防 止 處 理 之 飼 表 面 或 該 藉 由 Hi 電 鍍 處 理 過 之 1 A 保 護 層 Μ 及 N i 電 鍍 + Au 電 鍍 之 處 理 過 之 保 護 層 \ 或 者 環 氧 I 1 樹 脂 層 而 被 覆 住 前 述 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 stts. 面。 1 除 了 該 被 環 氧 樹 脂 層 而 被 覆 住 之 狀 態 之 外 其 餘 之 狀 態 1 1 1 下 之 金 鼷 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 ^(ba m 面 的 輻 射 電 熱 係 數 係 1 1 為 比 較 小 > 而 在 進 行 著 敗 熱 處 理 時 之 輻 射 現 象 也 會 比 較 小 1 1 因 此 在 娌 焊 (Γ e f 1 〇 W ) 訄 内 特 別 是 在 IR (紅外媒）迴 焊 1 1 (Γ e f 1 0 W ) 爐 内 之 IR (紅外線） 吸 收 效 率 會 變 得 比 較 低 0 因 1 1 此 r 在 m 焊 (r e f 1 〇 w) 逋 内 > 比 較 起 該 構 裝 於 主 賭 板 上 之 i 1 I QFP (Qu a d F la t Pa c k a g e :四邊扁平型封装體） 等 之 其 他 零 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枋（210 X 297公筇） '419796 Μ Β7 五、發明説明（ 3) 1 I 件 之 溫 度 該 封 裝 體 之 溫 度 會 變 得 比 較 低 结 果 在 1 1 I 同 時 地 進 行 著 各 種 零 件 之 構 装 作 業 之 狀 態 下 該 酒 焊 1 i (Γ e f 1 〇 W)爐之條件之範圍 會 變 成 為 相 當 地 狹 窄 而 使 得 請 先 閱 背 面 之 注 1 I 1 該 銲 錫 強 度 變 得 相 當 地 不 安 定 0 1 1 此 外 在 製 造 出 金 雇 基 底 之 半 導 體 電 路 用 基 板 之 後 接 | 意 1 I 著 再 進 行 著 電 路 加 工 之 狀 態 下 1 打 媒 用 襯 墊 (v i r e P 〇 n d 事 項 | 再 1 i pad) 係 與 前 述 之 金 羼 基 底 之 半 導 體 電 路 用 基 板 的 背 面 填 寫 本 裝 同 時地進行著Hi/ A u 電 鍍 處 理 〇 因 此 在 並 不 需 要 進 行 Au 頁 «· 1 ί 電 鍍 處 理 之 金 屬 基 底 之 半 導 體 電 路 用 基 板 的 背 面 上 也 被 1 I 電鍍上Au金屬 而 使 得 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 製 造 成 1 1 本 圼 提 高 Ο 並 且 由 於 熱 能 特 性 Μ 及 電 氣 特 性 的 醑 係 在 1 訂 基 底 金 屬 方 面 係 大 多 使 用 銅 金 屬 〇 在 這 樣 之 狀 態 下 由 1 I 於 N i 電 鍍 層 之 埶 膨 脹 係 數 低 於 基 底 鋦 金 屬 之 熱 膨 脹 係 數 1 1 j > 因 此 會 形 成 有 一 種 雙 金 鼷 (b i m e t a Π c >結果， 由於溫 1 1 度 變 化 的 關 係 而 使 得 封 装 體 發 生 有 變 形 現 象 〇 i 係 使 用 基 底 金 靨 厚 度 0 . 1 n -0 .4ιοιι之金屬基底半導體電路 i 1 基 板 作 為 超 薄 型 金 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板 0 在 超 薄 型 金 1 1 I 羼 基 底 半 導 體 電 路 基 板 比 較 多 之 狀 態 下 於 基 底 金 圈 方 面 j 係 大 多 使 用 不 锈 鋼 (SUS)或者銅金靨< >特別是 在大多 I I 數 之 狀 況 下 % 使 用 該 具 備 有 相 當 良 好 之 熱 傳 遞 特 性 及 電 I I 氣 特 性 之 飼 金 臛 或 者 銅 合 金 該 鋦 金 屬 或 者 鋦 合 金 其 彎 I I 曲 剛 性 比 較 小 而 且 也 比 較 不 容 易 因 為 溫 度 變 化 的 Ηβ 關 係 * I I 就 發 生 有 變 形 琨 象 〇 \ 1 | 該 發 生 有 變 形 之 原 因 係 為 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公婼） 6 經濟部中央標本局β工消贽合作社印來 4i9796 at B7五、發明説明（4) 所使用之材料的熱膨脹係数並不相同的«係。該在25 υ之 狀態下之熱膨脹係數的例子，大致躭正如Μ下所敘述的。 其中前面之编號，也是代表著該進行層合處理時之蘑合顒 序。 1 . Hi / A u 電鍍層：1 3 X 1 0 _ 6 / d e g 2. 不锈鋼（SUS)、飼、飼合金之基底金屬：17X10 — s/deg 3. 電路絕緣用聚醢亞胺（Polyiieide)樹脂層：2〇xi〇-£ / deg〜55χ 10** 6 / deg 4 ,電路用銅箔：1 7 x 1 0 - e / d e s 5,姐劑用墨水層：60X10 - 6 / deg 〜80X10_ 6 / deg 如果由熱膨脹係數之觀點而來観察前面所敘述之薄膜層 構造之時，前述之薄膜層構造之熱膨脹係數，係沿著Z釉 方向，而進行著傾斜。因此，在金厪基底半導體電路基板 之溫度圼上升之狀態下，會發生有應力，而使得該金屬基 底半導體電路基板之背面*變成為凹狀面。 基底金羼之厚度，係為〇.4mii以下；特別是在基底金屬 之厚度為0.2ia»K下之狀態下，該金屬基底半導體電路基 板之彎曲剛性，會變得比較小。尤其就正如在1996年12月 之高度成長中之日本第三代超大型積體電路封裝廠（The Third VLSI PACKAGING WORKS HOPS of Japan)之高度技 術水準之空孔降低型金鼷基底球閘陣列封裝體（High Performance Cavity-Down Metal Based BGA(MeBGA) Package)(技術文摘，153頁（TECHNICHDIGEST, Page 153) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .1 衣. 419796 A7 經濟部中央標準局Η工消费合作社印來 B7五、發明説明（5) )中之所發表的，在基底金觴上而打開有檢测用端子之孔 洞的金匾基底半導體電路基板中，球體搭載部之基底金屬 面積，會發生有減少現象，並且，其哿曲剛性，遷會更進 一步地降低。结果，在金鼷基底半導體電路基板之溫度呈 上升之狀態下*其彎曲量會變得比較大。例如在藉由銲錫 球而將金屬基底半導體電路基板構装於主機板上之時*於 25¾之狀態下*該金屬基底半導體電路基板之平坦度*係 相當地良好，因此，能夠非常容易地進行安裝處理，而將 金屬基底半導體電路基板，構装於主機板上。但是，在溶 解有銲錫球之185C之狀態下，由於金屬基底半等體電路 基板之彎曲現象的翻係，使得金屬基底半導體電路基板之 角落中之銲錫球圼浮上來，以至於無法進行理想之銲錫球 接合作業。此外，在將金屬基底半導體電路基板而構裝於 主機板上之狀態下，該由於溫度變化而產生之金屬基底半 導體電路基板之彎曲現象，會帶給銲錫球接合作業之接合 可靠性，柜當大之不良影響。 可K使用科菲—曼森（Coffin-Manson)公式，Μ便於進 行著該藉由應力解析而求出之銲錫球的接合可靠性之模擬 試驗。捍錫球接合之壽命，係陲著彎曲程度之大小•而在 數倍Κ上之範圍中·進行著變化。 該作為能夠解決前述缺點之方法，則可Μ考慮使用下固 所敘述之方法。 第1種方法：在金鼷基底半導體電路基板之背面上，肜 成有热膨脹係數比較高之環氧樹脂層《 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格{ 2ΙΟΧ297公釐） _ S4 _ -----------( ^------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 41 9796 經濟部中央橾苹局貝工消费合作社印繁 A7 B7五、發明説明（8) 第2種方法：藉由增加基底金匾之厚度/而提高基底金 屬之彎曲醣性，K便於對抗該由於熱膨脹係數之差異而產 生之應力。 第3種方法：藉由使用彎曲彈性係數相當高之金龎，作 為基底金羼，K便於提高基底金屬之彎曲剛性*而能夠對 抗該由於熱膨脹係數之差異而產生之應力。 第4種方法：使用熱膨脹係數比較小之聚醢亞胺 (PolyiiBide)樹脂，作為電路絕.緣用。 第5種方法：使得焊料用阻劑層之厚度，比起一般之阻 劑層之厚度，還來得更薄。 第6種方法：使用熱膨脹係數比較低之焊料用阻劑。 但是，由於IR(紅外線）吸收對策K及彎曲對策的關係而 在金鼷基底半導體電路基板之背面上、形成有環氧樹脂層 之狀態下，會有Μ下所敘述之各種問題產生。 在第1種方法中，於使用該預先在金屬基底半専體電路 基板之背面上而形成有環氧樹脂層的基底金靥之狀態下， 當藉由引深加工而形成有空孔（cavity)構造之時，則在前 述之環氧樹脂層中，會產生有裂鏠•因此，會損害到金屬 基底半導體電路基板之耐久可靠性，同時，也會損害到外 觀。 在第2種方法中•為了避免前述之裂缝現象發生|而使 用環氧系阻劑用墨水，在除了引深郜Μ外之金屬基底半導 體電路基板之背面上，形成有樹脂層；然而*在前述瑄揉 之狀態下*由於該樹脂層形成部和該並無樹脂層存在之部 ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装-
'-B 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公f ) 9 B7 蛭濟部中央標率局員工消費合作社印取 五、發明説明（ ( ') I 1 分 之 間 的 形 狀 位 差 現 象 的 存 在 會 m 致 該 引 深 肜 吠 之 精 密 1 1 | 度 呈 降 低 结 果 並 不 適 用 於 半 導 體 構 裝 上 〇 此 外 在 進 行 1 I 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 表 面 之 電 路 加 工 之 時 m 必 須 罩 請 先 閱 讀 背 1 ! 1 住 金 靨 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 背 面 以 避 免 該 圼 曝 露 出 之 1 I 面 1 引 深 加 工 部 之 基 底 金 臑 暴 露 於 蝕 刻 液 中 0 之 1 在第3種方法中 於金屬基底半導體電路基板之背面上 意 事 項 | 再 1 1 而 設 置 有 檢 測 用 端 子 之 狀 態 下 由 於 圖 案 係 相 當 地 微 细 » 填 因 寫 本 裝 此 並 不 容 易 僅 在 該 並 無 檢 測 用 端 子 存 在 之 背 面 部 分 上 頁 1 I > 肜 成 有 環 氧 樹 脂 曆 〇 也 可 以 考 慮 在 形 成 有 空 孔 (c a v ΐ ty) 1 1 之 後 接 著 進 行 環 氧 樹 脂 之 電 著 塗 裝 作 業 〇 但 是 在 這 樣 1 1 之 狀 態 下 3 其 製 造 成 本 比 較 高 0 並 且 還 由 於 黏 著 性 的 關 1 訂 係 而 使 用 玻 璃 轉 移 溫 度 比 較 低 並 且 相 當 柔 軟 之 環 氧 樹 脂 > 1 | 因 此 在 進 行 著 打 媒 (v i r e - b 〇 nd)作業之時 於基板加熱 1 1 用 治 具 上 會 m 褶 (t U C k)上環氧榭脂 〇 而 且 在 電 子 電 路 1 1 中 之 並 不 需 要 tw 埸 氧 樹 腊 之 部 分 上 也 會 電 著 塗 裝 上 環 氧 樹 1 A 脂 0 1 1 所 謂 增 加 基 底 金 屬 之 厚 度 係 意 味 著 增 加 金 屬 基 底 半 導 1 體 電 路 基 板 之 重 量 同 時 還 加 大 該 在 進 行 著 引 深 加 X 和 彎 1 1 1 曲 加 I 時 之 電 路 之 介 電 質 之 延 伸 現 象 Μ 及 電 路 下 面 之 介 電 1 1 質 之 延 伸 規 象 〇 由 於 介 電 質 之 延 伸 琨 象 的 關 係 而 會 限 制 I 1 住 該 在 進 行 著 鼙 曲 加 工 時 之 曲 率 半 徑 0 1 I 所 m 提 高 基 底 金 屬 之 彎 曲 彈 性 係 數 像 有 著 極 限 度 存 在 1 I 著 也 就 是 說 並 不 容 易 藉 由 提 高 基 底 金 屬 之 η 曲 彈 性 像 1 1 | 數 而 進 行 所 謂 之 彎 曲 引 深 加 工 作 業 0 1 1 一 10 ~ 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) Λ4^格（210X297公趁） 419796 A7 137五、發明説明（8 ) 止 為 de前 • 1 a g *1 Hy y 至 01直 { 1 胺， 亞是 醯但 聚’ 用用 緣有 絕地 路當 電相 低係 降 ' 謂数 所係 脹 膝 熱 之 脂 樹 醢 聚 該 姐 用 料 焊 之 大 較 比 數 係 脹 膨 熱 該 與 脂 樹 醯 聚 之 低 較 比 數 係 脹 膨 熱 J3.J- 該 外 此 ο 衡 平 de得 B 取 yl法 01無 (P還 胺， 亞劑 媛 遲 較 比 度 ffp S 刻 蝕 之 下 態 , 狀 } 之 de體 ΙΠ1氣 • I y 用 01獎 (P罨 胺者 亞或 低 較 比 性 著 黏 合 層 其 且 並 體 液 其 容 不 並 而 而加 ’ 深 高 引 較行 比進 性在 剛該 曲住 _ 制 其限 , 謂 時所 同有 ， \Jr- e > oi此 h因 3 *1 ο (V低 孔較 盲比 有率 成伸 形延 易且 降 度 密 精 Η 加 得 使 而 生 產 象 現 42? ΑΡ 小 大 之 徑 半 率 曲 之 時。 Η 低
得之 來低 還降 而 圼 度性 厚靠 之可 劑之 阻劑 之胆 般用 一 料 起焊 比致 度導 厚 會 之該 劑 *. 阻著 用味 料意 焊係 諝 ， ο 所薄寅 sc Μ. § W
X 用 料 焊 之 相 有 備 具 其 成 形 Μ 可 該 到 Λν IP 3 得 於法 低無 數並 係 * 脹上 膨際 熱實 其在 用 . 使 好 最劑 阻 是 但 X ο 3 數 係 脹 膨 熱 且 而 案 圖 之 细 微 之 性 光 感 之 好 良 當 劑 姐 用 料 焊 之 下 以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 經濟部中央標隼局貝工消費合作杜印掣 中迴且 之在並 板該 ， 基行業 路進作 電易良 體不改 導也之 半時性 底同特 基-收 匾性吸 金工丨 在加 , 深 的引 述其IR 敘住之 所持内 上維爐 K 易W) 如容10 正不ef 就並(Γ ， 焊 線 外 紅 薄路 超電 在體 是導 別半 特底 。 基 業屬 作金 予於 賦 ， 之中 性之 特板 劑基 胆路 月 驾 鍍體 電導 行半 進底 易基 容 騸 不金 也型 因狀 之形 同 之 不板 棰基 各.路 有電 於體 由導 會半 , 底 下基 態屬 狀金 之少 化減 變易 有容 生不 發並 度而 溫 ’ 之在 板存 基素 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) A4規格（2丨0X297公ft ) 11* 11 41979s A7 B7 五、發明説明（9) 經濟部中央標準局員工消費合作枉印製 變化。 圖1係為目前習知之一種金屬基底半導體電路基板。前 述之金屬基底半専體電路基板，係按照順序地而層合及形 成有厚度O.lmmM上而5mm以下之成為基底的金鼷板（001) 、厚度5w 上而200u m以下之介電質（010)、K及厚度 0.5a 上而100u mM下之導電體電路（100)。在前述之 金屬基底半導體電路基板之背面上，遨形成有Hi電鍍等之 保護層（300)。此外·該成為基底的金鼷板（001)、Μ及導 電體電路（100) *也藉由BVH(Biind Via Hole:盲貫通孔 )(200 )，而圼部分地相連接在一起。 圖2係為該由第1層介電質（010)、第2層介電質（011)、 第1層専電體電路（100)、以及第2層導電體電路U01)*層 合於金臑基底半導體電路基板上，而成為多層構造之金靨 基底半導體電路基板。該圼多層構造之導電體，係藉由 BVH(Blind Via Hole:盲貫通孔）（200) 、 IVH(Interstitial Via Hole:插入型盲孔）（201)、 K 及TH(Throush Hole: 貫通孔）等，而圼層間狀態地連接在一起。 圖3係為藉由BVH(Blind Via Hole:盲貫通孔）（200)， 而連接上一部分之導電體電路（100)、以及金靨板（001)， 並且 > 對於該在BVH(Biind Via Hole:盲貫通孔）（200)正 下方而且成為基底之金屬板（001)，進行加工處理*以便 於形成該與前述之金鼷板（001)單獨地成為不同個體之檢 测用端子。 以下之例子所顯示出的，係為前述這呰先前技術之金屬 ^ 1 0 _ 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!〇Χ 297公#.) -----Ί--,--裝------訂------^ j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 419796 Α7 Β7 五、發明説明（ίΟ) 經濟部中央標嗥局貝工消費合作社印裝 基底半導體電路基板之製造方 1) 使用黏著劑，並且遨利用 性，而層合上基底金屬以及介 般之方法*而在導電體箔上* 劑層，最後邐進行Ni電鍍處理 2) 使用該由介電質薄片及導 著，按照著一般之方法，而在 然後再肜成阻劑層，最後堪進 便於得到電路形成用薄片。此 用該介電質本身所具有之黏著 有前逑之介電質。 3) 在將介電質而層合於基底 加（additive)法*而形成有導 層，最後還進行Ni電鍍及Au電 4) 在前逑之1)〜3)中之所形 板之背面上*呈選擇性地電著 絕緣體。藉由前述之處理，而 板之背面*成為絕緣狀態。 5) 於前述之1)〜3)中之所 上，係預先地塗裝上環氧樹脂 由於在金靨基底半導體電路 (wire bond pad) (J}(後則簡稱 /Au電鍍的關係，因此，在前 示出之金饜基底半導體電路基 法。 該介電質本身所具有之黏著 電質薄片。接著，按照著一 形成有電路*然後再形成胆 、或者Ni電鍍及Au電鍍處理 電體箔而形成之層合體*接 導電體箔上，形成有電路* 行Ni電鍍及Au電鍍處理，K 外，堪使用黏著劑*以及利 性，而在基底金鼷上*層合 金屬上之後，藉由所諝之添 電體電路，然後再形成阻劑 鍍處理。 成之金屬基底半専體電路基 塗裝上環氧楢脂，而形成有 使得金靥基底半導體電路基 使用之基底金靥之背面部位 〇 基板之表面上之打線用襯墊 為W B襯墊），進行有H ί電鍍 述之例子1及例子3中之所顯 板之背面上，也與前述之打 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規栳（210Χ2?7公楚） 13 419796 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (-U) 線 用 櫬 墊 (W i r e bo nd P ad) 1 同時地形成有相同之電鍍金 靥 〇 在 « r 刖 述 之 例 子 2中 於基底金龎上而層合有電路形成 用 薄 片 之 前 » 大 多 會 在 刖 逑 之 基 底 金 龎 上 預 先 地 形 成 有 N i 電 鍍 等 之 防 m 用 薄 膜 〇 於 刖 述 之 例 子 4中 則形成有環 氧 樹 脂 層 〇 不 管 是 前 述 之 任 何 一 種 情 U 即 使 採 用 該 由 其 具 備 有 防 锈 能 力 之 金 靥 或 者 環 氧 樹 脂 而 組 成 之 保 護 層 來 覆 蓋 住 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 背 面 也 會 產 生 有 像 前 面 所 敘 述 之 各 種 問 題 〇 C 發 明 所 欲 解 決 之 問 題 ] 本 發 明 之 g 的 係 為 提 供 一 種 具 備 有 半 導 體 電 路 基 板 與 外 部 端 子 之 間 的 接 合 部 之 平 坦 性 相 當 良 好 Λ 溫 度 發 生 有 改 變 之 狀 態 下 的 形 狀 變 化 比 較 小 將 半 導 體 電 路 基 板 構 裝 至 主 機 板 上 之 構 裝 性 能 相 當 良 好 可 K 改 善 在 進 行 著 銲 錫 迴 焊 (Γ e f 1 〇 W ) 作 業 時 之 紅 外 線 吸 收 性 能 % 具 有 電 鍍 用 阻 劑 特 性 > Μ 及 相 當 高 之 連 接 可 靠 性 之 等 特 性 的 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 0 此 外 特 別 是 本 發 明 之 巨 的 係' 為 提 供 一 種 具 備 有 該 藉 由 半 導 體 電 路 基 板 之 引 深 加 X 而 形 成 之 空 孔 (C a v i t y) 的 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 〇 並 且 * 本 發 明 之 g 的 • 遨 提 供 一 種 金 靨 基 底 半 導 體 電 路 基 板 係 為 BGA (Ba I 1 G r ί d A r r a y :球閘陣列） 基 板 LGA (L a η d G Γ 1 d Ar ray :帶閘陣列） 基 板 λ 或 者 HQP (Me t a 1 Q υ ad Pa c k a g e :金鼷四邊型封装體） 基 板 之 金 匾 基 底 半 導 本紙張尺度通用中國國家.標準（CNS > Λ4現格U10X297公φ ) -14 - 請 先 閲 讀 背 'it 之 注 意 事 項 再 填 寫裝 本衣 頁 訂 419796 A7 B7 五、發明説明（ί 2) 業引 句 作有均 成備當 形具相 路該為 電及成 在 Μ 變 該、度 種法厚 一 方之 供的屬 提度金 還厚底 係之基 , 屬 得 的金使 目底而 之基工 明變加 。 發改曲 板本會彎 基，不和 路外並 Η 電 另而加 體中深 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 之方法。 【解決問題之手段】 係藉由製造出以下所敘述之金饜基底半導體電路基板， 而達成前述問題之解決效果：一種金龎基底半導體電路基 板，係為在基底金屬之表面上，使用聚醯亞胺（polyiraide) 層|作為介電質，並且*在前述之聚醢亞胺（P〇丨yindde) 層之上，還形成有半導體搭載用電路的金靨基底半導體電 路基板之中，其中該基底金屬之背面上之聚醢亞胺 (polyinide)層合體之25T下之熱膨脹係數，係在14X 10 - 6 / deg〜60X10 - 6 / deg之範圍内，而聚醢亞胺 (po丨yimide)層合體之延伸率，係在5%〜120¾之範圍内 ，並且，如果由基底金屬之角度來觀察的話，則最外側之 聚醢亞胺（PolyUide)層之玻璃轉移溫度係為2001以上* 而且，如果由基底金屬之角度來觀察的話，則最內側之聚 醢亞胺（polyiraide)層對於基底金屬之黏著力*係為0,5kg / C Η Μ 上。 若說得更加具體一點，係藉由茌前述之金屬基底半専體 電路基板之中，使用該相當於以下所敘述之任何一種之聚 醢亞胺（polyimide)層I作為該層合於金臛基底半導體電 路基板背面上之聚醢亞胺（poly Uide)層* K便於製造出 本紙張尺度適用中國國家棉準（CNS > A4現梏（210X 297公f ) (诘先閱讀背面之注意事項再填疼本頁) -15 - 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 419796 A7 137五、發明説明（i3) 金屬基底半導體電路基板，而達成前述問題之解決效果。 (A) 2層構造之聚醯亞胺（polyimide)層，傜按照著Μ下 之順序，而層合在基底金藤之背面上；前述之2層構造之 聚酿亞胺（polyira丨de)層，其層合順序正如下面所敍述的 :熱塑性聚醱亞胺（PolyiinideMl)層，其玻璃轉移溫度為 1 20 Μ上和300 1C K下*並且，該在玻璃轉移溫度+ 30 t 之狀態下的彈性係數，為該在玻璃轉移溫度之狀態下的彈 性係數之1/100M下；非熱塑性聚醢亞胺（polyimide)層 ，其玻璃轉移溫度為200 °CK上，並且*該在玻璃轉移溫 度+ 3〇υ之狀態下的彈性係數，為大於該在玻璃轉移溫度 之狀態下的彈性係數之1/10，而且，其單獨之聚醢亞胺 (polyimide)之厚度之薄膜的延伸率，為上。 (B) l層構造之聚醢亞胺（P〇丨yUide)層，係由熱塑性聚 醢亞胺（polyi«丨de)(2)層或者前述之非熱塑性聚醯亞肢 (polyimide)層而組成的，並且，前逑之1層構造之聚醯亞 胺（polyiBide)層，係層合在基底金臛之背面上；而前述 之熱塑性聚醢亞胺（P〇lyi®ide)(2)層，其玻璃轉移溫度為 200 1CK上和300它以下，並旦，其在玻璃轉移溫度+ 30t 之狀態下的彈性係數，為該在玻璃轉移溫度之狀態下的彈 性係數之1/10Μ下。 (C) 3層構造之聚醢亞胺（poly hide)層，係按照著Μ下 之順序而層合在基底金靥之背面上；按照著熱塑性聚酿 亞胺（P〇lyimide)(l)層、前述（Α)中之所顯示出之非熱塑 性聚醯亞胺（poly in ide)層、K及前述（B)中之所顧示出之 本紙張尺度適用中國國家標土（ CNS ) Λ4规梏（210X29?公釐) 一 -16 - I » u^— n^il «. nn JI^H 1 --1 - 1 、V5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 A7 137 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 五、發明説明 (M ) 1 1 I 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )( 2) 層 的 順 序 S 而 層合 出3層 1 1 I 構 造 之 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )層 c 1 I 藉 由 按 照 著 電 路 形 成 用 鋦 萡 Λ 表 面 聚 醯 亞 胺 (ρ 〇 1 y i id i d e ) 請 先 Μ 1 I I 層 基 底 金 画 、 及 背 面 聚 醯 亞 胺 (Ρ ο 1 y i m \ d e )層之順序、 讀 背 1 | 丨έ 1 或 者 電 路 形 成 用 銅 箔 表 面 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e )層、基 之 注 \ 1 意 1 I 底 金 臑 Λ 背 面 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )層、 及銅箔之順序， 事 項 J I 1 而 層 合 出 層 合 體 之 後 接 著 對 於 a * 刖 述 之 層 合 體， 進行著 本 装 加 熱 壓 接 處 理 而 製 造 出 層 合 基 板 並 且 t 對 於前 述之層 頁 I I 合 基 板 進 行 電 路 加 工 處 理 Μ 便 於 達 成 前 述 問題 之解決 1 1 效 果 〇 1 1 若 對 於 前 述 之 基 底 金 屬 之 背 面 上 而 形 成 有 聚 醢亞 胺 I 訂 (P 〇 1 y i mi de)層的金靨基底半導體電路基板 進行著引深 1 I 加 X 處 理 的 話 則 能 夠 相 當 容 易 地 製 造 出 該 具 備有 1段式 1 I 或 者 2段式之空孔（ c a v i t y )構造的BG A (B a 1 t G r id A r r a y ： 1 1 球 閘 陣 列 )構造或者LG A (L an d G rid Ar r a y : 帶閘陣列）構 f -4、 造 之 金 面 腾 基 底 半 導 體 電 路 基 板 0 此 外 藉 由 引 深加 工或者 1 ί 彎 曲 加 工 也 能 夠 製 造 出 該 具 備 有 HQP (Me t a 1 Quad 1 Γ Pa c k a g e 金屬四邊型封裝體）構 造 之 金 臑 基 底 半導 體電路 1 1 基 板 0 1 1 在 附 加 有 檢 測 用 端 子 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基板 之狀態 1 1 下 根 據 該 使 用 著 聯 胺 (h y c r a ^ 1 n e )等之液體 hf3 等之電 1 1 漿 用 氣 體 或 者 雷 射 等 之 一 般 方 法 而 圼 選 擇 性地 對於該 1 I 用 Μ 覆 蓋 住 前 述 之 檢 測 用 端 子 的 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )層 1 1 1 > 進 行 著 蝕 刻 加 工 處 理 〇 此 外 前 述 之 方 法 也可 以相當 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公f ) -17 - 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印^ . Λ 7 Β7 五、發明説明（i5) 有效地使用於前述之檢測用端子以外之部分上的聚醢亞骹 (polyimide)層。在電路加工面上，使用液體或者氣體， 而同時地進行著該用以形成盲孔（via-hole)之聚醯亞胺 (polyiioide)蝕刻處理Μ及該用以形成背面之檢测用端子 的聚醢亞胺（polyimide)蝕刻處理。 【發明之實施形態】 本發明之層合於金屬基底半導體電路基板之背面上的聚 醢亞胺（polyimide)層*其熱膨脹係數係為14X10_ 6 / deg〜60X10 - 6 / deg，若更加理想的話，則最好為17X 10 — 6 / deg〜60X10 - e / deg，並且，其紅外線之极收 能力及遠紅外線之吸收能力也相當地高，而且，該聚瞌亞 胺（PolyUide)層，還具備有相當高之延伸性、耐熱性、 Μ及耐久性*此外，前述之聚藤亞瞭（polyimide)層之厚 度*係為O.lwmM上和5〇wmK下。 藉由前述之聚醢亞胺（polyifflide)層》而可以得到如Μ 下所敘述之效果。 1) 並不會損害到金屬基底半導體電路基板之引深加工性。 2) 在進行著電路之Ni/Au電鍍加工處理之時，可Μ防止 注所謂熱膨脹该數比較低之Ni、或者Hi和Ρ之合金等之防 锈用電鑛金靥而層合於基底金屬之背面上的現象發生。 3 )能夠取得達到該聚醯亞胺（p ο 1 y i m ί d e )層Μ及該層合 於電路表面上之熱膨脹係數比較高之銲劑用姐劑等層之間 的平衡作用。 4)可以提高前述之基底金匾之背面上的幅射熱傳遞係數 本紙乐尺度適用中國國家標準{〔奶）;\4規栳（2丨0'/ 297公赴） _ τ 〇 _ 1^1 1— - ...... - I . I3·'^1 J In— ^^^1 1 —r 牙 --0-(請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 419T96 , A 7 B7五、發明説明（1Π ) 之大小。 像前述這樣處理過而得到之基板，係具備有Μ下所敘述 之特激。 1) 司Μ提高前述之基底金鼷之背面上的輻射熱傳遞係數 之大小，並且，遨可以提高該在進行著基板構裝於主機板 上之IR (紅外線）迴焊（reflow)構裝作業時之基底金屬背面 上的IR (紅外線）吸收效率。並且，該在進行著I R (紅外線） 娌焊（ref low)構装作業時之金鼷基底半導體電路基板之溫 度，係與該被樹脂所封裝之QFP (Quad Flat Package :四 邊_平型封装體）之溫度Μ及其他之分雜用零件之溫度， 成為相同之狀態。並不會導致前述之QFP(Quad Flat Package:四邊扁平型封裝體）K及其他之分離用零件的劣 化規象發生。因此 > 可Μ提高金屬基底半導體電路基板和 主機板之間的銲锡结合強度。 2) 在金屬基底半導體電路基板之溫度發生有變化之狀態 下，可Μ降低該金屬基底半導體電路基板之形狀變化。 3) 藉由前逑之1)及2)之相乘效果*而可以提高金屬基底 半導體電路基板和主機板之間的接合可靠性》 4) 由於聚醯亞胺（Pobimide)層馀具備有電鍍用阻劑特 性*因此*能夠防止住所諝金臛電鍍之附著琨象發生。特 別是|藉由防止住Au電鍍之附著現象發生，而可以降低金 騸基底半専體電路基板之製造成本。 5) 由於層合有該具備著相當良好之延伸性、耐熱性、以 及耐久性的聚醯亞胺（polyimide)層•因此，即使減少前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公f ) . Λ (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 419796 A*? 經濟部中央標準局貝工消費合作社印" B7五、發明説明（Γ7 ) 述之聚醢亞胺（polyimide)層之厚度*也能夠得到可靠性 相當高之層合膜。所以*不管是否具備有前述之層合膜， 在實際上，也並不會損害到金屬基底半導體電路基板之某 一項特徵··散熱性。 6) 由於層合有該具備著相當良好之延伸性以及基底金鼷 間之黏著性的聚醢亞胺（poly丨層，因此，即使對於 該金匾基底半導體電路基板，進行引深加工，也不會在前 述之聚_亞胺（poly丨snide)層，產生有所謂之裂縫規象。 所Μ，能夠形成該具備有1段式或2段式之空孔（cavity)構 造的BGA(Ball Grid Array:球閘陣列）金屬基底半導體電 路基板、或者LGA(Land Grid Array:帶閘陣列）金屬基底 半導體電路基板Μ及MQP(Metal Quad Package:金雇四逢 型封裝體）金匾基底半導體電路基板；甚至如果有需要的 話，也可以形成該具備有3段式Μ上之空孔（cavity)構造 的金颶基底半導體電路基板。 7) 藉由根據一般常用之方法，而呈選擇性地對於該用Μ 覆蓋住檢測用端子之聚醢亞胺（Ρ〇丨yiffiide)層，進行蝕刻 加工處理，K便於能夠製造出該在前述之檢測用端子Μ外 之部分上而層合有聚醯亞胺（polyimide)層之金屬基底半 導體電路基板。 δ)該在基板之背面上而層合有聚醯亞胺（Polyimide)層 並且還具餚有2段式之空孔（cavity)構造的金屬基底半導 體電 路基板*係適合被使用在如以下所敘述之典型之小 型封装體、例如UA(Land Grid Array:帶閛陣列）封装體 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規栳（210X 297公筇） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20 - 419796 B7 經濟部中央標隼局肩工消費合作社印聚 五、發明説明 (18) 1 1 I 或 者 該 具 有 比 較 小 之 直 徑 的 BG A ( Ba 11 G Γ 1 d A r r a y， 1 1 I 球 閘 陣 列 )封裝體= ! ! 8 - 1) 在 引 深 部 之 第 1段（第 1段之空孔（ca v i ty )) * 係 形 成 請 先 閲 1 1 有 壓 接 縫 合 (b 0 Ω d ί n g ~ S t I t C h) 部 0 相 對 地 加 大 該 具 備 有 電 讀 背 1 1 路 之 部 分 上 的 引 深 曲 率 半 涇 則 可 Μ 防 止 所 謂 在 電 路 上 而 J I 意 ί I 發 生 之 裂 m 琨 象 0 在 第 2段（ 第 2段之空孔（ c a V 1 ty )) 相 對 事 項 I 1 地 減 少 該 並 無 具 備 有 電 路 之 部 分 上 的 引 深 曲 率 半 徑 〇 並 且 本 装 9 還 縮 短 半 導 體 晶 片 和 壓 接 縫 合 (b on ding t 1 t C h) 部 之 間 頁 、· 1 1 的 距 離 〇 此 外 ， 也 使 得 半 導 體 晶 片 之 接 合 用 襯 墊 (b ο η di n g \ ! -P ad)之水平位置和壓接鏠合（bo π d in g 一 S t it ch )部之水平 1 1 位 置 幾 乎 成 為 相 同 之 水 平 位 置 〇 藉 由 前 述 之 處 理 則 可 ! 訂 Μ 縮 短 金 線 之 長 度 〇 1 1 8- 2)該 引 深 部 之 斜 面 係 可 以 發 揮 出 所 謂 用 以 作 為 該 堵 1 1 注 疲 體 狀 封 裝 用 材 科 之 水 vm m 的 功 跬 〇 前 述 之 封 裝 用 材 料 部 1 1 分 並 沒 有 突 出 至 該 比 起 分 型 面 部 之 水 平 位 置 或 者 比 較 小 1 ...Λ 直 徑 之 球 體 (0 .5 mm Μ 下 )部位之水平位置還更高之位置上。 ! 1 8- 3) 藉 由 金 腸 基 底 半 導 體 電 路 基 板 背 面 上 之 聚 醢 亞 胺 1 ί { Ρ 〇 1 y i m i d e ) 而得到相當良好之電氣絕緣性 因此 在 1 1 I 相 當 狹 窄 之 空 間 中 即 使 前 述 之 金 屬 基 底 半 m 體 電 路 基 板 1 1 t 接 觸 到 其 他 之 零 件 Λ 或 者 是 箱 盒 (穀體） 也 m 能 夠 保 持 1 1 庄 相 當 良 好 之 電 氣 絕 緣 性 〇 1 1 基 底 金 靥 係 為 熱 傳 遞 性 相 當 良 好 之 金 颺 該 基 底 金 屬 ϊ 1 | 可 適 用 銅 銅 合 金 以 及 SUS (不 m 鋼 )等之材枓 >特別 1 1 | 是 t 最 適 合 採 用 該 具 備 有 栢 當 良 好 之 熱 傳 遞 性 Μ 及 電 氣 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規祐（2丨0X 297公笕） 419796 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
五、發明説明（ 19) 1 1 I 傳 m 性 引 深 加 I 性 > 鼙 曲 加 工 性 的 銅 和銅 合金。 1 1 i 該 在 基 底 金 屬 之 背 面 上 而 廇 α 上 聚 藤 亞胺 (ρ 〇 1 y ί mi d e ) I I 層 之 方 法 t 則 大 致 可 K 分 為 有 2種方法C 其中1種方 法 係 為 請 先 1 1 I 使 用 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 (Ρ 0 1 y i w i d e )層， 作為該黏著層 讀 背 1 I ιέ ] 而 進 行 著 加 熱 壓 接 處 理 之 方 法 〇 至 於 另 1種方法係為 將 之 注 1 I 意 1 1 該 兼 具 有 黏 著 性 之 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )樹脂、或者該聚 事 項 | 1 醯 亞 胺 (po 1 y z m i de)樹脂之清漆前驅物質，塗敷於基底金 填 % 本 裝 靥 之 上 接 著 進 行 乾 燥 處 理 並 且 還 隨晋 實際之 需 要 ， 頁 1 | 而 進 行 著 醢 亞 胺 化 之 作 業 的 方 法 〇 但 是 *由 於前述 之 基 底 1 1 金 臛 之 厚 度 係 為 0 . 1 m οι Κ上 因此 在後者之第2 種 方 法 1 ! 中 並 不 容 易 進 行 著 所 諝 捲 繞 進 出 式 (Γ oil·' to-r ο 1 1) 之 清 1 訂 漆 塗 敷 作 業 〇 雖 然 圼 1 Η 1 片 地 進 行 著 塗 敷及 乾燥作 業 而 1 I 使 得 其 生 產 效 率 栢 當 地 低 但 是 該 使 用熱 塑性聚 醯 亞 胺 1 I (P 0 1 y i fflide)層而作為其黏著層之前者之第1 種方法 係 tfc 1 1 1 較 容 易 實 行 0 1 Λ 該 使 用 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 (Ρ ο 1 y i m i d e )層而作為其黏著層 [ 1 之 製 造 方 法 之 例 子 9 就 正 如 Μ 下 所 敘 述 的。 1 I 1) 在 基 底 金 臑 之 上 » 按 照 順 序 地 層 合 上熱 塑性聚 藤 亞 胺 1 1 (P 〇1 y i 10 1 d e )(2) 之 薄 膜 Μ 及 飼 箔 接 著， 在進行 過 加 熱 1 1 壓 接 處 理 之 後 * 根 據 一 般 常 用 之 方 式 而除 去前述 之 銅 萡 1 I 的 方 法 〇 1 I 2) 在 基 底 金 HB πβ 之 上 ， 層 合 上 熱 塑 性 聚 豳亞 胺（ρ ο 1 y ί mi d e ) 1 I (2)之薄膜 *然後 *再搭載上該與前述之熱塱性聚豳亞胺 1 I (P 〇 1 y i Bl ί d e )(2) 之 薄 膜 之 間 的 黏 著 力 相 當微 弱之戡 氣 龍 薄 1 I 本紙掁尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'X297公苋） 4\9796 Λ7
IP 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (以” 1 I 膜 ，接 著 在 進 行 過 加 熱 壓 接 處 理 之 後 剝 離 掉 前 述 之 鐵 1 1 i 氟 龍薄 膜 的 方 法 〇 1 I 3)在 基 底 金 屬 之 上 ， 按 昭 順 序 地 增 合 上 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 先 閲 1 ! I (Ρ 〇 1 y i fli i d e )(1) 之 薄 膜 Η 及 非 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 讀 背 1 1 (Ρ ο l y \ m i d e )之薄膜， 接著 進行著加熱壓接處理的方法。 之 注 1 1 意 1 I 4)將 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 (Ρ 〇 J y i m i d e )( 1) 或 者 該 聚 醢 亞 胺 事 項 J I 再 ! (Ρ 〇 1 ϊ i m l d e )⑴之 前 驅 物 質 之 清 漆 t 塗 敷 於 非 熱 塑 性 聚 醯 填 裝 本 亞 胺（Ρ o 1 y i IB 1 d e )之薄膜上 接著 在進行過乾燥處理 、-· 1 1 Μ 及醢 亞 胺 化 作 業 之 後 使 得 .> -t·. 刖 逑 之 熱 塑 性 聚 醒 亞 胺 1 1 I (Ρ 〇 1 y i mi d e )(1) 層 合 體 之 表 面 接 合 於 基 底 金 靥 之 表 面 上 1 1 9 然後 再 進 行 著 層 合 Μ 及 加 熱 壓 接 處 理 的 方 法 0 [ 訂 5)在 飼 萡 上 按 眧 順 序 地 層 合 上 非 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 1 I (Ρ 〇 1 y i mi d e )之前驅物質 Μ及熱塑性聚醯亞胺 1 1 (Ρ ο 1 y i mi d e )⑴ 之 前 驅 物 質 之 清 漆 接 著 在 進 行 UEL 週 乾 燥 1 1 i 處 理、 以 及 釀 亞 胺 化 作 業 之 後 使 得 前 述 之 熱 塑 性 聚 醯 亞 1 Λ 胺 (ρ ο 1 y ί Πϊ 1 d e )( 1)層 合 體 之 表 面 接 合 於 基 底 金 靥 之 表 面 ι 1 上 ，然 後 在 進 行 過 層 八 α 以 及 加 熱 壓 接 處 理 之 後 根 摟 一 1 1 般 常用 之 方 式 而 除 去 * 刖 述 之 銅 箔 的 方 法 〇 1 I 6)在 基 底 金 靥 之 上 按 昭 順 序 地 層 合 上 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 1 1 (Ρ 〇 1 y i aide )( 1) 之 薄 膜 Λ 非 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 (P 〇 1 y i m i d e ) 1 ! 之 薄膜 Μ 及 熱 塑 性 聚 臞 亞 胺 (P ο 1 y i W. 1 d e )(2) 之 薄 膜 此 1 1 外 ，遒 搭 載 上 該 與 前 述 之 熱 塑 性 聚 豳 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e ) ( 2 ) 1 1 之 薄膜 之 間 的 黏 著 力 相 當 微 弱 之 截 氟 龍 薄 膜 f 接 著 在 進 f I 行 過加 熱 壓 接 處 理 之 後 » m 離 掉 前 述 之 鐵 氟 龍 薄 膜 的 方 法0 1 1 -ο ο 本紙張尺度適用中國國家嫖準{ CNS ) Λ4規梏（210Χ297公尨） 23 419796 A7 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（2ί ) 7) 在非熱塑性聚_亞胺（Polyiraide)之薄膜之某1個面上 ，塗敷有熱塑性聚醯亞胺（P〇lyUide)(l)、或者該熱塑性 聚醯亞胺（f>o丨yimideMl)之前驅物質之清漆*並且，在前 述之非熱塑性聚醯亞胺（polyiraide)之薄膜之另外1個面上 ，遨塗敷有熱塑性聚醯亞胺（P〇〗yi»iide)(2)之薄膜、或者 該熱塑性聚醯亞胺（P〇Iyimide)(2)之前驅物質之清漆，接 著*在進行過乾煉處理、K及醢亞胺化作業之後1使得前 述之熱塑性聚醯亞胺（PolyiaHeMl)層合體之表面，接合 於基底金屬之表面上，然後，再進行著層合Μ及加熱壓接 處理的方法。 8) 在鋦箔上，按照顒序地層合上熱塑性聚醢亞胺 (poly丨aiide)(2)之前驅物質、非熱塑性聚醯亞胺 (polyimide)之前驅物質、Μ及熱塑性聚醢亞胺 (polyiinide)U)之前驅物質之清漆，接著，在進行過乾燥 處理、Μ及醯亞胺化作業之後，使得前逑之熱塑性聚醢亞 胺（Ρ〇丨yiioide)(l)層合體之表面，接合於基底金靥之表面 上*然後，在進行過層合Μ及加熱壓接處理之後，根據一 般常用之方式，而除去前逑之飼萡的方法。 此外，該將兼具有黏著性之聚醯亞胺（polyimide)樹脂 、或者該聚醢亞胺（polyiroide)樹脂之前驅物質之清漆， 塗敷於基底金靥之上，接著，進行乾燥處理，並且還随著 實際之需要*而進行著醯亞胺化之作業的方法之例子，就 正如以下所敘述的。 1)在基底金屬上，塗敷有熱塑性聚_亞胺（polyinn’de) (請先閱讀背面之注意事項再填βΓ·3本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4^格（2ίΟΧ 297公沒_ ) 419796 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明 (22) 1 1 (2 )之薄膜、 或者該熱塑β 聚醢®胺（P0 1 y i ra i d e ) ( 2 )之前 1 1 I 驅 物 質 之 清 漆 9 接 著 進 行 乾 燥 處 理， 並且 還隨著實際之 1 I 需 要 t 而 進 行 著 醢 亞 胺 化 之 作 業 的 方法 0 請 先 Μ 1 1 I 2) 在 基 底 金 龎 上 3 塗 敷 有 非 熱 塑 性聚 醢亞 胺 讀 背 1 1 (P 〇 1 y i hi i d e )之薄膜、 或者該非熱塑性聚醯亞胺 之 注 [ 1 意 \ 1 (P 〇 1 y i IB i de)之前驅物質之清漆， 接著， 進行乾燥處理， 事 項 1 I 1 並 且 遒 随 著 實 際 之 需 要 > 而 進 行 著 醯亞 胺化 之作業的方法。 填 本 裝 3) 在 基 底 金 鼷 上 > 按 照 顒 序 地 塗 敷有 熱塑 性聚醯亞胺 頁 1 I (P 〇 1 y i mi d e )( 1) 或 (2)之薄膜之前驅物質之清漆、K及非 1 t 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 (P 〇 1 y ί mi d e )之薄膜之前驅物質之清漆， I I 狀 後 進 行 著 乾 燥 處 理 > 以 及 醯 亞 胺化 作業 的方法。 1 訂 就 正 如 前 面 所 敘 述 的 係 有 著 數 個之 所謂 可以在基底金 1 1 靥 之 背 面 上 而 層 合 有 聚 tP·*& 趣 亞 胺 (P ο 1 y i m ί de)之時機存在著 ! 1 〇 在 前 述 之 方 法 中 特 別 是 最 好 適 用該 按照 順序地層合有 1 1 電 路 形 成 有 m 萡 表 面 聚 藤 亞 胺 (P ο 1 y i in i d e )層、基底金 1 靥 Μ 及 μ m 面 聚 ]C-tt 臨 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e )層 或者按照順序地 1 層 合 有 電 路 形 成 有 飼 箔 表 面 聚 醒 亞胺 (ρ 〇 1 y i in i d e )層、 1 f 基 底 金 屬 背 面 聚 m 亞 胺 (P 〇 1 y i mi d e )層、以及飼箔之後 1 I f 接 著 r 同 時 地 進 行 著 加 熱 壓 接 處 理， 而形 成有金羼基底 1 1 半 導 體 電 路 基 板 的 方 法 〇 ί ! 其 理 由. » 就 正 如 Μ 下 所 敘 述 的 0 1 1 1) 由 於 對 於 基 底 金 龎 之 表 面 背 面 之聚 醯亞 胺 1 I (F 0 1 y i tn 1 de)層 I同時地進行著加熱壓接處理，因此，可 1 I Μ 1次就完成該層合作業 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公觉） 25 419796 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 B7五、發明説明（23) 2) 在金屬基底半導體電路基板之引深加工及彎曲加工作 業之中，該基底金屬之厚度，會影響到該加工精密度。但 是，藉由使用聚醯亞胺（polyimide)層而被覆住前述之基 底金屬之表面背面，K便於在銅箔上而彤成有電路之時， 能夠使得前述之基底金羼，並不會接觸到鋦萡之蝕刻疲， 因此*該基底金屬之厚度》並不會發生有變化。 3) 在按照順序地層合有電路形成有銅箔、表面聚醯亞胺 (polyimide)層、基底金屬、背面聚藤亞胺（polyimide)層 、以及鋦箔之狀態下，遒會具備有以下之儍點。 3-1)在進行聚醸亞胺（polyimide)之蝕刻處理而形成有 盲孔（via ho i_e)之後*接著，在前述之盲孔（via hole)內 之聚醯亞胺（poly丨rnide)表面上，進行著無罨解飼電鍍以 及電解銅電鍍作業，Μ便於達到電路用飼箔和基底金屬之 間的導通效果。在僅使用聚醯亞胺（polyiiide)層而覆蓋 住前述之基底金屬之背面之狀態下*由於無電解銅電鍍金 臛之電氣導電度比較低，因此，在進行著電解銅電鍍作業 之時*會產生有氫氣等之氣體*而使得前逑之無電解銅電 鍍金靨Μ及電解銅電鍍金羼，發生有膨脹現象，Μ至於在 搬運途中，該無電解铜電鍍Μ及電解飼電鍍，會產生有剝 離之現象。结果，會發生有所謂圼剝離掉之铜箔Μ及銅粉 污染到電鍍槽等之問題。在藉由飼箔而被覆住大部分之背 面聚醯亞胺（polyimide)層之狀態下，並沒有専致所謂氣 體產生等之現象•因此，在基底金屬之背面上，也可Μ相 當順利地進行著電鍍作業。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規栺（2丨0X2W公飨) ~ -2 6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 1 9 T 9 6 a? Β7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 (24 ) 1 1 3- 2) 在 附 加 有 檢 測 用 端 子 之 金 龎 基 底 半 導 體 電 路 基 板之 1 1 狀 態 下 f 係 使 用 該 形 成 為 圖 案 之 飼 箔 > 作 為 基 底 金 屬 之背 1 1 面 的 蝕 刻 用 阻 劑 〇 圼 選 擇 性 地 對 於 該 覆 蓋 住 前 逑 之 檢 潮用 請 1 先 1 端 子 之 的 面 聚 醯 亞 胺 (Ρ ο 1 y i mi d e )層 進行著蝕刻加工 閱 讀 1 1 處 理 0 像 瑄 樣 前 述 之 處 理 係 可 Μ 相 當 有 效 地 使 用 於 前述 ιδ 之 1 1 之 檢 測 用 端 子 Μ 外 之 部 分 之 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y ί mi d e )層上。 ’意 事 1 項 1 3- 3) 在 電 路 加 工 面 上 ， 可 以 藉 由 液 體 或 者 氣 體 而 同時 再 填 1 地 進 行 著 該 用 形 成 有 盲 孔 (V i a h 〇 1 e ) 的 聚 醯 亞 胺 寫 本 百 笨 I (ρ 〇 1 y i m i d e )蝕刻處理 Μ及該用以形成有基底金羼之背 ·· 1 1 面 之 檢 測 用 端 子 的 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e )蝕刻處理 > 1 1 I 該 作 為 用 以 對 於 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i m ι d e )層而進行著蝕刻 1 1 訂 處 理 之 蝕 刻 用 液 體 係 有 -— 般 已 知 之 聯 胺 (h y d r a z i n e )和 1 ΚΟΗ之水溶液 > Μ及羥基肟（h y dr 0 X y - ox im e ) 和 Κ0Η之水溶 1 1 液 至 於 氣 體 ΛΙ tf. 則 適 合 使 用 NF 3 " 及cf3 等 之 電 漿 用 氣 體。 1 I 如 果 該 在 本 發 明 中 之 熱 塑 性 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e )(1)層 1 1 9 係 為 具 備 有 以 下 所 敘 述 之 特 性 的 聚 醢 亞 胺 (Ρ 0 1 y i m i d e ) Λ 1 層 的 話 則 不 管 其 構 造 等 條 件 為 何 皆 可 Μ 作 為 熱 塑 性聚 f 1 醢 亞 胺 (P 〇 1 y i ID 1 d e )(1) 層 0 也 就 是 說 其 玻 璃 轉 移 溫 度， 1 1 馀 為 1 2 0 t： Μ 上及 3 0 0 υ Μ 下 並 且 該 在 玻 璃 轉 移 溫 度+ 1 I 30 之 狀 態 下 的 彈 性 係 數 係 為 該 在 玻 璃 轉 移 溫 度 之 狀態 1 1 1 下 的 彈 性 係 數 之 1/ 100M 下 最 好 為 1 / 1000M 下 >此外 1 i 9 在 非 熱 塑 性 聚 醯 亞 胺 (Ρ ο 1 y i mi d e )層上而層合有前述之 i 1 熱 塑 性 聚 醚 亞 胺 (P 0 ] y i m i d e )(1) 層 之 狀 態 下 該 層 合 薄膜 1 1 的 延 伸 率 » 係 為 2 0 Μ 上 ， 但 是 最 好 為 30 % Μ 上 (係根據 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210Χ297公#_ ) - 27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 419796 . A7 B7五、發明説明（25) ASTM(美國材料試驗協會）D882而測定出前述之延伸率）。 就層合可靠性而言*聚醯亞胺（polyimide)層和基底金 屬之間的剌離時黏著力，係為0.5kg/cmM上，最好為 0.8kg / cfflM 上。 如果玻璃轉移溫度低於1 2 0 υ的話，則會使得該在進行 銲錫迴焊（reflov)時之膨脹問題，浮現到墦面上。如果玻 璃轉移溫度高於300t的話，則在藉由加熱壓接處理而將 聚醯亞胺（polyiraide)層•層合於基底基板之狀態下，必 須要使用330亡以上之高溫*因此，並不適合被使用在實 際的生產作業上。於該在玻璃轉移溫度+ 30¾之狀態下的 彈性係数大於該在玻璃轉移溫度之狀態下的彈性係數之1 /100的狀態下，在將聚醯亞胺（polyimide)層*層合於基 底基板上之狀態之時，必須要使用高溫从及高壓。此外， 在層合有熱塑性聚醯亞胺（PolyimideMl)曆和非熱塑性聚 醯亞胺（polyimide)層之層合體的延伸率，小於20%之吠 態下，則在進行著引深加工作業之時•相當容易地發生有 薄膜之裂縫現象。熱塑牲聚醯亞胺（Polyimide)U)層之厚 度，係為lOwmM下、0.5wmM上，但是最好為5umK下 、：U mK上。在熱塑性聚醢亞胺（P〇lyim[de)(l)層之厚度 超過10wm之狀態下，由於吸水作用的闞係•因此在進行 著銲鋦迴焊（reflow)之時，很可能會發生有所謂之膨脹現 象，因此，會使得該在進行著打線（wire-bonding)作業下 之超音波吸收特性，變得比較大。並且，在熱塑性聚醢亞 胺（PolyinideMl)層之厚度未滿0.5wtn之狀態下，則會使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公麓） -28 - t II ------r - I -<^^1 I^---I ^—^1 1— -I -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 at B7五、發明説明（如） 得聚藤亞胺（polyiiaide)層和基底金羼之間的黏著性圼降 經濟部中央標隼局負工消t合作杜印製 本發明之熱塑性聚醯亞胺（P〇lyimide)(2)層，其玻璃轉 移溫度，係為200 t以上及350 t： K下，但是最好為230 T： K上及30010K下；並且，該在玻璃轉移溫度+ 301之吠 態下的彈性係數，僳為該在玻璃轉移溫度之狀態下的彈性 係數之1/10以下_但是最好為1/50M下、1/1000以上 。也就是說，係意味著：在層合有前述之熱塑性聚醢亞胺 (P〇Uimide)(2)層和非熱塑性聚醢亞胺（polyimide)層之 狀態下，前述之聚醯亞胺（P〇丨yimide)層，偁為前述之層 合薄膜之延伸率為20 % Μ上之聚醯亞胺（po ly iiaide)層（係 根據ASTH (美國材料試驗協會）D 8 82而測定出前逑之延伸 率）。此外*在層合有基底金屬之狀態下，前述之層合體 之延伸率，係為5 % Μ上。如果可Μ滿足前述之特性的話 *則該熱塑性聚醯亞胺（P〇lyimide)(2)層，也可Κ與前述 之熱塑性聚醢亞胺（P〇lyimide)(l)層為栢同之熱塑性聚醢 亞胺（polyiieide)層。 就層合可靠性而言，聚醯亞胺（polyimide)層和基底金 屬之間的剝離時黏著力，係為〇.5kg/cmM上，但是最好 為 0.8kg / cmJi(上。 如果玻璃轉移溫度低於2 0 0 t的話·則會使得該在2 00 以上之溫度中而维行著之打線（wire-bonding)作業，發生 有所謂之超音波吸收現象，因此*會導致該打線Uire-bondins)作業特性呈降低，同時*遒發生有所謂聚醚亞胺 ^^^1 41— ^^^1« -I I / -. i ^^^^1 一「 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規袼（210X297公f ) 29 A7 B7 五、發明説明（27) 線 打 於 稻 缝 \1/ 0 d π ♦ 1 y l^x 象 現 之 上 具 治 用 胺 亞 醯 聚 性 塑 熱 於 由 說 是 就 也 層 其 面 表 之 靥 金 底 基 謂 所 HMJ 至 達 夠 能 此 因 大 較 比 數 係 脹 膨 熱 下 。態s Η - 之 之 層 等)F 衡de 平ml 呈yi 數 Ο 係(p 0 胺 ΟΠΗ Ho 膨亞 熱醢 之聚 面性 背塑 和熱 非 有 用 併 在 是 但 醢 聚 性 塑 熱 於 • 1 m y ο ρ //y 胺 亞 滿 未 度 厚 之 層 吠 之 衡 平 圼 數 係 脹 膨 熱 之 面 背 和 面 表 之 屬 金 底 基 之 述， 前果 ' 效 下 之 態等 為 成 變 會 就 e d * 1 ffl *1 y 胺 亞 醢 聚 性 塑 熱 在10 , 過 外超 此度 ο 厚 少之 地 層 當 2 相)( 下 態 狀 之 m 金 底 基 則 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 胺 亞 醯 聚 個 各 之 上 面 背 之 度 厚 總 計 合 之 層 在 〇 大 較 比 得 變 會 ^.1 阻 電 熱 其 得 使 而 厚 較 比 得 變 會 胺 亞 醯 聚 性 塑 將 地 獨 翬金 底 基 於 合 層 層 ,-β 胺 亞 醢 聚 性 塑 熱 於 下 態 狀 之 上 屬 之 層 面此 背 因 和 -面少 表地 之當 屬相 金為 底成 基變 之 會 "， 前果 ’ 效 下之 態等 狀衡 之平 ffl圼 ti 1 數 0.係 滿脹 未膨 度 熱 厚之 ο 3 曲 彎 著 行 進 在 象 規 斷 破 0 所 有 生 發d€ 地 E 易yl 容01 當(P 相胺 ， 亞 下醢 態聚 狀性 之塑 工熱 加在 深 -引 且 和並 Η 。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印焚 下 態 狀 之 In y ο 5 過 超 度 厚 之 層 也 胆 電 熱 其 得 使 大 較 比 得 變 會 此外*本發明之非熱塑性聚醢亞胺（polyimide)層，其 玻璃轉移溫度，係為2001以上•並且，該在玻璃轉移溫 度+ 3010之狀態下的彈性係数，係為大於該在玻璃轉移溫 度之狀態下的彈性係數之1/10;而且*前述之單獨之聚 醯亞胺（polyimide)之厚度25wm之薄瞑之延伸宰•像為20 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2!0X297公f ) " 3 0 一 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (28) 1 % 以 上 r 但 是 最 好 為 30 % Μ 上 (係根據ASTM ( 美 國材料試驗 1 1 協 會 ) D88 2 而 測 定 出 前 述 之 延 伸 率）（ 1 1 就 層 合 可 靠 性 而 言 * 聚 醯 亞 胺 (p ο 1 y i 1 i d e )層和基底金 請 1 先 ! 屬 之 間 的 剝 離 時 黏 著 力 係 為 0 . 5kg/ c m Μ上* 但是最好 Μ 讀 I 1 為 0 . 8k s / c m以上c 之 [ 注 1 如 果 玻 璃 轉 移 溫 度 低 於 2 ο ο υ的話 則會使得該在2 0 0 "Π 意 事 I 項 I 以 上 之 溫 度 中 而 進 行 著 之 打 線 (W ire- bo n d in S ) 作業，發生 再 填 有 所 m 之 超 音 波 吸 收 現 象 因 此 ，會 導 致 該 打 線（v i r e - 寫 本 頁 装 I b 〇 n d i η g) 作 業 特 性 呈 降 低 0 在 前 述之 聚 醢 亞 胺 ^ 1 I (P 0 1 y i mi d e )之厚度25 w m 之 薄 膜 之延 伸 率 低 於 20 %之狀態 1 1 下 於 進 行 著 引 深 加 工 作 業 之 時 ，在 前 述 之 薄 膜上，係相 1 1 訂 當 容 易 地 發 生 有 所 明 之 裂 縫 現 象 〇 1 在 本 發 明 中 該 層 合 於 基 底 金 屬之 背 面 上 之 各個之聚瞌 1 1 亞 胺 (P ο 1 y i mi d e )之合計總厚度 係為0 .5 U 祖K上、5 0 u a I I Μ 下 但 是 最 好 為 30 U m以下 =當前述之厚度超過之 Ϊ 1 Λ 時 則 會 使 得 金 屬 基 底 半 導 體 電 路基 板 之 某 1項之特徵， 1 也 就 是 所 謂 金 饜 基 底 半 導 體 電 路 基板 之 敗 熱 性 ，圼現出減 1 ! 少 之 琨 象 〇 登 FT1 前 述 之 厚 度 為 0 . 5 ϋ m以 下 之 時 則會發生有 1 1 薄 膜 之 缺 陷 現 象 於 進 行 著 引 深 加工 作 業 之 時 ，在前述之 1 I 薄 膜 上 相 當 容 易 地 發 生 有 所 諝 之裂 缝 現 象 〇 1 1 I 就 正 如 前 面 所 敘 述 的 t 基 底 金 臑和 聚 醢 亞 胺 (P 〇 1 y i m i d e ) 1 1 層 之 間 的 剝 離 時 黏 著 力 係 為 〇. 5kg/ c m以上 但是最好 1 1 為 0 . 8k s / c m Μ上 =就該作為用Μ實琨前述之效果的手段 1 1 而 言 底 基 金 屬 之 表 面 處 理 和 聚 醢亞 胺 (P ο 1 y i m i d e )樹脂 I 1 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) Λ4規梠（2丨0X297公费） -3 1 - 41 9 79 6 a7 137 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (29 ) 1 1 之 選 擇 > 係 相 當 地 重要 f 但是 ，如 果可以滿足前述之特性 1 1 的 話 則 並 沒 有 特 別地 限 定樹 脂之 種類。該作為基底金靥 1 1 之 表 面 處 理 之 適 當 之例 子 *係 有三 菱伸飼（股 )公司製之氧 請 1 先 1 化 鉻 (產品名稱： P lama t e )處理、或者銅萡之 表 面處 理 中 閱 讀 I f t 之 所 使 用 之 Hi / C u 合金 處 理、 Hi/ C U / C 0合金處理 Μ及 & 之 1 注 | n i / Cu / Mo / C u 合 金處 理 等。 意 京 1 Ύ 項 I 此 外 t 該 作 為 埶 塑性 聚 醯亞 胺（f> 〇 1 y i πϊ i d e ) (1 )，係可Μ 再 填 1 適 用 該 聚 合 有 曰 本 專利 持 開昭 62-053827號之 所 記載 之 寫 本 頁 裝 | 3 , 3 ' -二胺基苯氣基苯和3 .3 ', 4,4' 二苯甲酮四羧酸二酐而 、， 1 1 得 到 之 聚 醯 亞 胺 (P 〇 1 y ϊ IH ί d e )、 K及該聚合有 3， 3 ’ -二胺基 1 1 I 苯 氧 基 苯 和 3 , 3 ' ,4 ,4'苯并醚四羧酸二酐而得 到 之聚 盤 亞 1 1 胺 (P ο 1 y ί m i d e )等 c 並且， 該作為熱塑性聚醯 亞 胺 訂 1 (ρ ο 1 y i m ί d e )(2) ， 係可 以 適用 該聚 合有3 , 3 '- 二 胺基 二 苯 1 I 甲 酮 和 3， 3 ' ,4 ,4 '二苯甲酮四羧酸二酐而得到 之 聚醢 亞 胺 I | (P 〇 1 y i m i d e )、 該聚合有4 * 4 f - 二胺 基苯基醚和3 ,3 ', 4, 4 , 1 1 聯 苯 四 羧 酸 二 酐 而 得到 之 聚醯 亞胺 (poly i m i d e) 、該 聚 合 1 有 4, 4 ' -貳（3- 二 胺 基苯 氧 基）聯苯和苯四甲酸 二 酐等 而 得 1 1 到 之 聚 m 亞 胺 (P 〇 1 y i la i de )、Μ及三井化學（股）公司 製 之 ί | R e ε u 1 u s ( 產 品 名 稱 )等 ϊ 1 1 該 作 為 非 熱 塑 性 聚醯 亞 胺（Ρ 〇 1 y i ir i d e )層， 係 可Μ 適 用 1 1 1 該 將 聚 醯 亞 胺 (P ο 1 y i hi i d e )之前驅物質|塗敷 於 基底 金 屬 1 1 上 接 著 經 過 乾 燥 處理 > 以及 醯亞 胺化處理 而成為該具 f 1 備 有 黏 著 性 之 聚 酿 亞胺 (P 〇 1 y i m ί d e )，或者也 可 以適 用 市 1 1 面 上 所 販 賣 之 東 麗 杜邦 公 司之 C a p t on Η 、 V ^ E ΕΝ- ZT (商 I 1 本紙張尺度適用中國圈家標準（CNS ) ( 210X297公焙） -32 - A7 B7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 五、發明説明 (30) 1 品 名 稱 )、 宇部興產公司之E up i 1 e x SG A (箱 ί品名稱） > 鐘 淵 1 ί 化 學 公 司 之 Αρ 1 C a i AH、 NP I (商品名稱） 等 產 品 S VX 便 於 在 i 1 35 ： 65之 當 量 比 之 狀 態 下 j 而 將 曰 本 專 利 特 開 昭 62 — 請 1 先 1 208690所 記 載 之 間 位 (HI e t a )配 位 芳 香 族 二 胺 及 對 (P a r a)配 閱 讀 1 1 位 芳 番 族 二 胺 與 芳 香 族 酸 二 酐 * 發 生 著 聚 合 反 愿 ， 而 生 ιδ 之 1 1 成 為 聚 醢 亞 胺 (Ρ ο 1 y i mi d e )c 意 窜 ! 項 I 為 了 更 加 有 效 果 地 實 施 本 發 明 9 因 此 最 好 再 採 取 前 述 之 再 填 1 基 板 的 鬻 曲 解 決 對 策 〇 至 於 具 體 之 内 容 就 正 如 Μ 下 之 例 寫 本 裝 頁 1 子 所 顯 示 的 〇 1 I 1) 在 並 不 會 妨 礙 到 重 量 限 制 Λ 引 深 彎 曲 加 工 以 及 檢 1 1 測 用 端 子 形 成 作 業 之 範 圍 内 增 加 前 逑 基 板 之 厚 度 〇 1 1 2)在 並 不 會 妨 礙 到 引 深 彎 曲 加 工 之 精 密 度 之 範 圍 内 提 IT 1 高 1 r- 月U 逑 基 板 之 彈 性 係 數 〇 ! 1 3) 在 並 不 會 妨 礙 到 層 合 作 業 Λ 樹 脂 蝕 刻 作 業 % Η 及 引 1 I 深 彎 曲 加 工 之 範 圍 内 降 低 電 路 絕 緣 用 聚 醢 亞 胺 1 I ,Ά (P ο 1 y i mi d e )樹脂之熱膨脹係數 > 1 4) 在 可 Μ 滿 足 所 需 要 之 可 靠 性 的 範 圍 内 y 使 得 焊 料 用 m 1 1 劑 之 厚 度 變 得 比 較 薄 並 且 m 使 用 熱 膨 脹 像 數 及 彈 性 係 數 ί I 比 較 低 的 樹 脂 0 1 I Μ 下 9 則 藉 有 實 腌 例 > 而 就 本 發 明 負 來 進 行 相 m 之 說 明。 1 I Ι [ 實 施 例 ] 1 ! (實胞例1 ) i 1 使 用 二 甲 基 乙 ICjff 膝 胺 (d i π e t h ϊ 1 a c e t a 頂i d e )作為溶劑 ，並 1 I 且 Μ 1 :0 . 9 9之當量比 ，混和人3 .3 * _ -二 胺 基 苯 氧 基 苯 Η 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4说格（210X297公釐） -33 ~ 經濟部中央標隼局员工消費合作社印製 Λ7 B7五、發明説明（H) 及3,3',4,4夂二苯甲嗣四羧酸二酐，接著在251之狀態下 ，進行2 4小時之反應，而得到醯胺酸溶液（Μ下則作為P A A-A) 0 使用模塗敷器，將前述之PAA-A，塗敷在厚度25Wm之 Capton Η (東麗杜邦公司製）之兩個面上，於100〜200t之 狀態下，進行著乾燥處理，而且在220〜260C之狀態下， 進行著醢亞胺化處理，最後再進行著乾燥處理。使得該形 成於前述之Capton Η(商品名稱）之兩個面上之PA A-A*發 生有醯亞胺化反應；有關於該由前述之醢亞胺化反應而形 成之聚醢亞胺（Polyimide)A(M下則作為PI-A)之厚度，其 各個面之厚度•皆為使用該在厚度25wm之Capton Η(商品名稱）之兩個面上而層合有厚度1之PI-A的薄膜 •作為结合合成用薄膜（bondply)A。 此外*與在前述之厚度25w m之Capton Η(商品名稱）之 兩個面上而塗敷有ΡΑΑ-Α之狀態同樣地，而在厚度25ϋΐη之 Capton Η (商品名稱）之單一面上而塗敷有PAA-A |接著進 行著乾燥處理、以及醯亞胺化處理。該形成於前述之 Capton Η(商品名稱）之單一面上的ΡΙ-Α之厚度，係為3wm 。而且，遇使用該在厚度25// m之Capton Η(商品名稱）之 單一面上而層合有厚度3wra 之PI-A的薄膜，作為覆蓋用 薄膜A。 前述之PI-A僑為熱塑性聚_亞胺（polyimide)，其圾璃 轉移溫度為198T：，而該在玻璃轉移溫度+ 301C之狀態下 的彈性係数，係為該在玻璃轉移溫度之狀態下的彈性係數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現栝（210X297公釐） -34 _ ^^1 n^— - - - - - -fc - - - -I - n^l f ^^^1 .^ϋ - I 二—， 牙 T功 (請先閲讀背而之注意事項再填商本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 419796 a7 B7 五、發明説明（32 ) 之1/700。前述之Capton Η(商品名稱）係為非熱塑性聚醯 亞胺（polyimide)，其玻璃轉移溫度為4001CM上，而延伸 率則為8 0 %。此外*前述之結合合成用薄膜（b ο n d p 1 y ) AM 及覆蓋用薄膜A的薄膜之延伸率，係分別地為55¾ 、以及 6 0 % 〇 接著，按照順序地層合上厚度18ϋΐη之壓延銅箔（BHN-02BT日本能源（ENERGY)公司製）U〇4)、结合合成用薄膜 (bondply)A、厚度0.3fflra之基底掘板（C-1020三菱伸飼公司 製）（002 )、Μ及覆蓋用薄膜A，並且還使得前述之覆蓋用 薄膜A之熱塑性聚釀亞胺（poiyiinide)面*接觸到前述之基 底銅板（002)面。在真空中，於溫度250T：及壓力65kg/cm2 之狀態下，對於前述之所得到的層合體，進行著60分鐘之 沖壓成彤處理。於日本電解（股）公司，藉由Hi、及Co等之 電氣電鍍作業，而在前述之基底銅板（002)之兩個面上* 進行所謂黏著力改善用之表面粗化處理。使用前述之成形 品，作為金靨基底基板（1)。經過確認：該金靥基底基板 (1)之全部之層間之黏著力，係為0.8kg/cm2 Μ上。 在圖8中之所顯示出的*係為金龎基底基板（1)之剖面模 式圖。在前逑之圖8中，元件編號012係為结合合成用薄膜 (botidplyU*而元件編號500係為覆蓋用薄膜Α。使用該層 合品，而製造出像圖4所示之金靥基底半導體電路基板。 在前述之圖4中*元件编號01 2係為結合合成用薄膜 (bondply)A，而元件煸號500偽為覆蓋用薄膜/\。 接著，進行Μ下所敘述之製造作業。使用蝕刻用阻劑， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規袼（210X297公楚) -35 - · ..... tmI 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 A7 B7 五、發明説明（33') 而在壓延飼箔上，描繪出圈案；然後，藉由氯化銅 (CuCU)，對於前述之歷延嗣萡•進行蝕刻處理，而形成 出銅電路（102)、Μ及壓接縫合（bonding-stitch)部U00) ，並且，遨在導電體電路上，塗敷上厚度20wm之感光性 焊料用阻劑（太陽墨水公司製造、商品名稱：PS R 4000)。 然後，再彤成出圖案，接著*還形成有阻劑用墨水層 (δ 00)。此外，還進行深度0. 4 πππ之引深加工處理，以便於 形成出金靨基底半導體電路基板之模搭載用座台 (1 000)(13am角）。接著，再藉由無電解電鍍法，Κ便於形 成出該由Ni罨鍍（3« m)及Au電鍍（0.5w in)所組成之罨鍍層 (700) *而得到該面朗上型（face-up type)之BGA(Ball Grid Array ：球聞陣列）用之角的金靨基底半等體電 路基板。其引深部之最小曲率半徑，係為0.8mm。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經過引深加工後之檢査作業•在前述之基底鋦板（1)兩 個面之聚醢亞胺（polyimide)層上，完全並無檢査出任何 之裂鏠等之外觀異常現象。並沒有受到該電鍍於電路部位 中之壓接縫合（bonding-stitch)部和銲錫球搭載用襯墊上 之Hi電鍍Μ及Au電鍍的影響，在金靥基底半導體電路基板 之背面上之背面聚醚亞胺（polyimide)層之表面，完全並 無形成有任何之電鍍金屬，而且，該電锻液|也完全並無 滲透沾染於前述之背面聚醢亞胺（polyimide)層之表面和 基底飼板（002)之間的界面中。圖4係為在搭載有半導體晶 片（1001)而藉由金線（1010)進行著打線Uire-bonding)作 業之狀態下的金匾基底半専體電路基板的模式圖。 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -36 - 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印" ! 419 7 9 6 ； A7 B7五、發明説明（31) 前述之背面聚醯亞胺（polyiraide)層之表面之IR(紅外線 )吸收率，係為90¾ K上，大於該被樹脂所封裝住之四遴 扁平型封裝體（Quad Flat Package:以下則稱為QFP。）之 表面之80%的IR(紅外線）吸收率，因此，該背面聚醯亞胺 (polyimide)層之表面之IR (紅外線）吸收率，係相當地良 好。在前述之金屬基底半導體電路基板，搭載上直徑 〇.76πιιιι0之共晶銲錫球，並且，還在IR(紅外線）迴焊 (reflow)爐中*將前述之金屬基底半導體電路基板，與 QFP(Quad Flat Package:四邊扁平型封裝體）以及其他之 分離用零件，同時地進行表面構装處理，而構裝於該由 FR-4所組成之主機板上。調整前述之IR(紅外線）之輸出， Μ便於使得前述之FR-4之表面溫度，成為最高溫度之230 t。藉由熱電偶而測定出前述之金靥基底半導體電路基板 之基底金龎之溫度，结果，可以得知，該基底金靥之溫度 ，已經成為最高溫度之230Ό。 在進行過前述之表面構装處理之後》圼機械式地破壞掉 前逑之金臛基底半導體電路基板*而以便於檢査該銲錫球 接合於主機板上之接合面，结果發現到：所有之銲錫部分 ，皆已經被破壊掉，但是，該銲錫球接合之狀況，還是相 當地良好。此外，在藉由環氧樹脂黏著劑而將LSI(大型積 體雷路）接合於模搭載用座台上之後|使用超音波，在230 ΐ)之狀態下，將金（Au)線，Μ打線（wire-bonding)之方式 ，而連接至LSI(大型積體電路）之襯墊以及金屬基底半導 體電路基板之壓接链合（bonding-stitch)部之上。前述之 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS } Λ4規格（210X 297公# ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -37 - 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印^ 419796 μ Β7 五、發明説明（35) 打線（wire-bonding)接合之狀況，係相當地良好·並無所 諝金屬基底半導體電路基板背面之聚醢亞胺（polyimide) 樹脂鏠褶（tuck)於打線（wire-bonding)用治具上的現象發 生。前述之金靥基底半導體電路基板之風速lm/sec狀態 下之熱抵抗，係為12C/W，因此*對於金屬基底半導體 電路基板背面之覆蓋用薄膜之影響，係相當地微小。 (比較例1) 除了並無層合有該覆蓋用薄膜A之外，其餘則進行與前 述之實施例1相同之加工作業，而得到BGA(Bali Grid Array:球閛陣列）用之金靨基底半導體電路基板。在該金 屬基底半専體電路基板之背面上，進行著Ni/Au電鍍處理 。前述之金屬基底半導體電路基板之背面之IR(紅外線）吸 收率，係為30 % Μ下。與前述之實施例1同樣地，在前述 之金匾基底半導體電路基板，搭載上直徑〇.76ββ4之共晶 銲錫球，並且，還在IR(紅外線）迴焊（refUv)爐中*將前 述之金屬基底半導體電路基板，與QFP(Quad Flat Package :四邊扁平型封裝體）Μ及其他之分離用零件，同時地進 行表面構裝處理，而構裝於該由FR-4所組成之主櫧板上。 調整前述之IR(紅外線）之輸出* Μ便於使得前述之FR-4之 表面溫度*成為最高溫度之2301C。藉由熱電偶而測定出 前述之金屬基底半導體電路基板之基底金靥之溫度，结果 ，可Κ得知*該基底金鼷之溫度，已經成為最高溫度之 230 10。 在進行過前述之表面構裝處理之後，圼機械式地破壊掉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公麓) —W - n ^^^1 ·,1 --·:·.'. 士穴 ^—^1 I— I II 1 J - --I ^^^1 ^—1 .-¾ \ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標牟局員工消費合作社印製 419796 A7 B7 五、發明説明（36) 前述之金屬基底半導體電路基板，而以便於檢査該銲錫球 接合於主機板上之接合面，結果發現到：該銲錫球和金鼷 基底半導體電路基板之間的接合面，係為界面破壞現象， 幾乎沒有任何強度可言。接著，與前述之實施例1同樣地 ，在提高前述之IM紅外線）之輸出而使得前述之FR-4之表 面溫度成為280TC之時，提高金屬基底半導體電路基板之 基底金屬之最高溫度至230¾，而該銲錫球和主機板之間 的接合狀態，係相當地良好。但是，前述之樹脂所封裝住 之一郜份之QFP(Quad Flat Package:四邊扁平型封裝體） ，會發生有所諝之膨脹現象。並且，前述之金靨基底半導 體電路基板之風速lm/ sec狀態下之熱抵抗•係為11 °C/W。 (實施例2 ) 將該由實施例1中之所得到之PAA-A，與前述之簧施例1 同樣地，塗敷在厚度25wffl之Capton EN-ZT(東麗杜邦公司 製）之兩個面上*接著*進行著乾燥處理，而且•還進行 著醯亞胺化處理〇該胗成於前述之Capton SN-ZT(商品名 稱）之兩個面上之PI-A之厚度，其各個面之厚度，皆為5u hi。而且，遇使用該在厚度25uin之Capton EN-ZT (商品名 稱）之兩個面上而層合有厚度5wm之PI-A的薄膜，作為該 結合合成用薄膜（bondpIy)A^ 此外，遇準備有該在質胞例1中之所製造出之覆蓋用薄 膜A。前述之Capton EN-ZT (商品名稱）係為非熱塑性聚醢 亞胺（polyimide)之薄膜，其玻璃轉移溫度為400t以上| 而延伸率為60%K上。此外，前述之結合合成用薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規袼（210X297公荩） n n I--!------ 1 艮 . f —_ 丁---- n _ ·Λ 、vs (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -39 - 經濟部中央標举局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（37 ) (b ο n d p 1 y ) A '之薄膜之延伸率，係為45 % 。接著，按照順 序地層合上厚度18wm之壓延飼箔（BHN-0 2BT日本能源 (ENERGY)公司製）（104)、结合合成用薄膜（bondplyU1、 厚度0,2rara之基底綱板（C-1020 三菱伸铜公司製）（002)、 K及覆蓋用薄膜A，並且遒使得前逑之覆蓋用薄膜A之熱塑 性聚醢亞胺（Polyimide)層之表面，接觸到前述之基底銅 板（002)面。然後，在真空中，於溫度2501及壓力65kg/ cm3之吠態下，對於前述之所得到的層合體，進行著60分 鐘之沖壓成形處理。於日本電解（股）公司，藉由Ni、及Co 等之電氣電鍍作業，而在前述之基底飼板（002)之兩個面 上，進行所謂黏著力改善用之表面粗化處理。使用前述之 成形品|作為金鼷基底基板（2)。經過確認：該金屬基底 基板（2)之全部之層間之黏著力，係為l.〇kg/cm2 K上。 在圖8中之所顯示出的，係為金臛基底基板（2)之剖面模 式圖。在前述之圖S中*元件®號012係為結合合成用薄膜 (bondPly)A\而元件編號500係為覆蓋用薄膜A。使用該 層合品•而與前述之簧施例1同樣地，製造出像圖4所示之 金屬基底半導體電路基板。在前述之圖4中，元件编號012 係為結合合成用薄膜（bondply)A'，而元件編號500係為覆 蓋用薄膜A。 進行與前述之實施例1相同之製造作業。對於前述之® 延飼箔（104)，進行電路加工處理，而形成有銅電路（102) 、以及壓接縫合（bonding-stitch)(800);並且·在導電 體電路上，塗敷上厚度20ϋΐη之感光性焊料用阻劑（田村製 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公# ) 邐· - -Μ 1 一 (請先閱讀背面之注意事項再填筠本頁) -40 - , 3 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（38 ) 作所製造、商品名稱：BGX-5)之後·再形成出圖案，接著 ，還形成有姐劑用墨水層（600)。此外，還進行深度〇.4ιππι 之引深加工處理，以便於形成出金屬基底半導體電路基板 之模搭載用座台（IOOOMUiid角）。接著，再藉由無電解電 鍍法，以便於形成出該由Νί電鍍（3/iin)及Αιι電鍍（0.5wm) 所組成之電鍍層（700) >而得到該面朝上型（face-up type)之 BGA(Ball Grid Array:球閘陣列）用之 40πΐ!ΐι 角的 金靨基底半導體電路基板。其引深部之最小曲率半徑，係 為 0 · 8 m m。 此外，該由電路表面之相反部位而觀察到之俯視模式圖 *就正如圖9所顯示的。經過引深加工後之檢査作業，在 前逑之基底金屬之兩個面之聚醯亞胺（poiyiiaide)層上， 完全並無檢査出任何之裂鏠等之外観異常現象。並沒有受 到該電鍍於電路部位中之壓接Μ合（bondimsUtch)部和 銲錫球搭載用襯墊上之Hi電鍍K及Au電鍍的影響，在金屬 基底半導體電路基板之背面上之背面聚醯亞胺（polyhide) 層之表面，完全並無形成有任何之電鍍金屬，而且，該電 鍍液，也完全並無滲透沾染於前述之背面聚醯亞胺 (polyiniide)層之表面和基底銅板（002)之間的界面中。 在圖9中，Μ金屬基底半専體電路基板之角落，分別地 作為Xi、Χ2、Χ3、Κ及！U。並且，遒以引深部之外側之角 落，分別地作為h、丫ζ、、Μ及Λ。接著，堪連接上角 落父1以及角落1^。由角落丫，開始而至前述之角落I部位為 止，連成為一直線Xt—丫，，而將該僅在距離前述之角落丫 1 本紙張尺度適用中國國家標準（0~5)厶4規格（2!0/ 297公楚） „ t -4 1 - y 裝 1! 1 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（39 ) 之Irani之位置上之點，作為a點；由角落\ ,開始而至前逑之 角落丫 ^ίί位為止*連成為一直線L 一丫L，而將該僅在距離 前述之角落Xiiliam之位置上之點，作為b點》使用前述之 a點，作為基準點，而測定出b點之高度。係使用非接觸式 雷射異位計（Keyence公司製之LT-8110)，而進行高度之测 定作業。係在溫度2510、室內相對溼度（RH)30%之狀態下 、以及在進行升溫而達到之狀態下，分別地進行高 度之測定作業。將a點和b點之間的高度差，作為所謂之彎 曲程度；在b點比較高之狀態下，則該彎曲程度係成為” + ”。在溫度25t之狀態下，進行該成形調整處理，Μ便於 使得所諝之彎曲程度成為OiiBi。當升溫至185 °C之時，則 所謂之彎曲程度成為+ 60«ιβ。因此，前述之彆曲程度* 係在並不會造成任何之金鼷基底半導體電路基板之構装作 業上之問題產生之範圍内。 此外，在藉由環氧樹脂黏著劑而將UI(大型積體電路） 接合於模搭載用座台上之後，使用超音波，在230t之狀 態下，將金（Au)線，Μ打線（wire-bonding)之方式，而連 接至LSI(大型積體電路）之襯墊以及金匾基底半専體電路 基板之壓接鏠合（bondins-stitch)部之上。前述之打線 (wire-bonding)接合之狀況，係枏當地良好，並無所謂金 饜基底半導體電路基板背面之聚醯亞胺（polyUide)樹脂 縫褶（tuck)於打線（wire-bondins)用治具上的現象發生。 前逑之金靥基底半専體電路基板之風速lni/sec狀態下之 熱抵抗，係為12它/«，因此，對於金屬基底半導體電路 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) Λ4規栳（210X297公焓） -4 2 — (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 經濟部中央標準局員χ消資合作社印製 A7 B7五、發明説明（4()) 基板背面之覆蓋用薄膜之影響，係相當地微小。 (比較例2) 除了並無層合有該覆蓋用薄膜A之外*其餘則進行與前 述之實施例2相同之加工作業，而得到BGAUall G「id Ar「ay:球閘陣列）用之金鼷基底半導體電路基板。在該金 麕基底半導體電路基板之背面上1分別地進行著Νί電鍍及 Au電鍍處理，而電鍍上厚度3wm之Ni金靥Μ及厚度0.5μιβ 之Au金屬。在溫度25υ及室内相對溼度UH)30%之狀態下 ，進行該成形調整處理，以便於使得所謂之彎曲程度成為 Owin。當升溫至185¾之時，則所謂之彎曲程度，會增大 成為+ 380«m;而前述之彎曲程度，會使得金鼷基底半導 體電路基板之構裝作業，變得相當不容易進行。此外，前 述之金龎基底半導體電路基板之風速lm/seC狀態下之熱 抵抗，係為11/ W。 (苴施例3) 在該層合於基底金靥之背面部位上之熱塑性聚醯亞胺 (polyifflide)層，係使用二井化學（股）公司製之Regulus PM(產品名稱）；而該三井化學（股）公司製之Regulus PM ( 產品名稱），其玻璃轉移溫度為240¾ ，而該在玻璃轉移溫 度下之彈性係數為3x 10M dyn/mffli，而該在2701溫度下 之彈性係數為2X lO^yn/raii^(為該在玻璃轉移溫度下之 彈性係數的2/300):其厚度為25wm，而延伸率為15 %。 此外1該由前述之Regulus PM(產品名稱）和基底飼板而組 成之層合品之延伸率，係為1 2 % 。接著*按照順序地層合 本紙張尺度適用中國國家標準（（：^5)六4規格（210/ 297公釐） -4 3 - .!. 1!..-- . - —· - 1-- I 1' 1 HI m τΐ 3."ίο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 419796 A7 B7五、發明説明Uj) 上懕延鋦萡（BHN-02BT日本能源（EHERGm公司製）（104)、 Regulus PM(產品名稱）、厚度〇.2bb之基底銅板（C-102 0 三菱伸鋦公司製）（〇〇2)、结合合成用薄膜（bondply)A’ (012)、Μ及壓延銅萡（BO-02BT日本能源（ENERGY)公司製 )(104)之後，接著*在真空中，於溫度260¾及壓力65kg /cm2之狀態下*對於前述之所得到的層合體，進行著60 分鐘之沖壓成形處理。使用前逑之成形品，作為金颶基底 基板（3)。經過確認：該金鼷基底基板（3)之全部之罾間之 黏著力，係為0 · 8ks/ cm2 Μ上。 然後，進行與前述之實施例1之金廳基底基板Π)之相同 之處理，而得到BGA(Ball Grid Array:球閘陣列）用之金 靨基底半導體電路基板。在形成有铜電路之時，除去該層 合於前述之ReguUs PM(產品名稱）上之壓延鋦箔（104)。 並且*就正如圈10所顯示的，歷接缝合（bonding-stitch) 部（800)，係隨著電路而進行著延長，並旦，該壓接縫合 (bonding-stitch)部（800)之某一端，會到達至該引深部 底邊。 經過引深加工後之檢査作業，在前逑之基底金臛之兩個 面之聚醢亞胺（polyinide)層上，完全並無檢査出任何之 裂鏠等之外觀異常現象。並沒有受到該電鍍於電路部位中 之壓接鐽合（bonding-stitch)部和銲錫球搭載用襯墊上之 Hi電鍍以及Au電镀的影響，在金匾基底半導體電路基板之 背面上之背面聚醯亞胺（polyimide)層之表面，完全並無 形成有任何之電镀金屬，而且，該電鍍液，&完全並無滲 -----------^------II------/ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS > A4規格（210X 297公楚） 44 419 796 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (42) 1 I 透 沾 染 於 前 述 之 背 面 聚 醯 亞 胺（P 〇 1 y i mi d e )層之表面和基 1 1 1 底 m 板 (0 0 2 )之間的界面中 > I i 此 外 遷 ι?>Τ 興 J i. 刖 述 之 實 施 例 2同樣地 |在溫度25t及室內 請 先 1 I I 相 對 溼 度 (RH) 30 % 之 狀 態 下 ，進 行該 成 形 調整處理· K便 讀 背 1 ! 於 使 得 所 謂 之 彎 曲 程 度 成 為 0 Ad m 。當 升 溫 至1851：之時* 冬 ί I 意 1 I 則 所 謂 之 彎 曲 程 度 會 變 成 為+ 30 u m 而前逑之彎曲程 事 項 1 I 化 再 1 度 之 變 係 栢 當 地 微 小 因此 ，該 金 屬 基底半導體電路 填 基 板 本 裝 之 構 裝 性 能 係 相 當 地 良好 〇 頁 、_»- i 1 並 且 在 藉 由 ΤΜ» 環 氧 樹 脂 黏 著劑 而將 LS I (大型積體電路） 1 1 接 合 於 模 搭 載 用 座 台 上 之 後 ，使 用超 音 波 ，在1S51之狀 1 f 態 下 將 金 (Au) 線 Μ 打 線 (w I Γ e - b 〇 n d in g)之方式，而連 1 訂 接 至 LS I (大 型 稹 體 電 路 )之襯墊以及金臛基底半専體電路 1 ] 基 板 之 壓 接 m 合 (b on d ϊ n g —s t 1 t C h)部 之 上 。前述之打線 1 1 I (W 1 Γ e - bo n d in ε ) 接 合 之 狀 況 ，係 相當 地 良 好，並無所謂金 1 ! 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 背 面 之聚 醢亞 肢 (P 〇 1 y i m i d e )樹脂 ί m 褶 (t U C k) 於 打 線 (w i r e - bo n d i η u用 治 具 上的現象發生。 [ 1 前 述 之 金 靨 基 底 半 導 體 電 路 基板 之風 速 1 m / sec狀態下之 ! I 熱 抵 抗 t 係 為 12¾ / y 因此，對於金鼷基底半導體電路 1 I I 基 板 背 面 之 覆 蓋 用 薄 膜 之 影 響 ， 係相 當 地 微小。 1 ί (實陁例4) 1 1 使 用 刖 述 之 實 施 例 1之金靥基底基板U) >進行與前述之 ! 1 實 施 例 1相同之加工處理 而得到L G A (L an d Grid Array: 1 I 帶 閘 陣 列 )用之金屬基底半専體電路基板。 對於前述之 1 1 I LG A (La n d G r i d A r r a y 帶閘陣列）用 之 金 屬基底半導體電 1 1 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS )六4坭輅（210X297公犮） 45 419796 A7 B7 經濟部中央標本局負工消費合作社印製 "X、發明説明（4J ) 1' I 路 基 板，進 行 加 工 處 理 而得到圖 11所示 之 2段式引深之 1 1 I 金 鼷 基底半 導 體 電 路 基 板 。對於該 朦接縫 合 (bonding- 1 1 I s t ί t ch)部（800) * 進 行 加 工處理， Μ便於 使 得前述之壓接 請 先 1 1 縫 合 (b ο n d i n g 一 S t 1 t C h)部 (800 ),可Μ到達至第1段之空孔 背 1 1 (C a v i ty)之 内 面 0 在 第 2段之空孔（cav Uy> 係形成有半 δ 之 注 1 — 1 | 導 體 晶片搭 載 用 之 模 搭 載 用座台（1〇〇〇) ° 就 正如在圖11中 意 事 項 1 1 之 圼 模式地 而 顯 示 出 的 * 第1段之空孔（ca V 1 ty)之引深曲 再 填 1 率 半 徑*係 大 於 第 2段之空孔（cavi ty)之引深曲率半徑。 本 頁 裝 1 此 外 ，圖11係 為 顧 示 出 該 藉由模附 上用材 料 (900)，而將 I f 半 専 體晶片 (1001)接 合 及 搭載於前 述之模 搭 載用座台 1 1 ( 1000)上- 並 且 使 用 金 線（1010) ，而連 接 上前述之半導 1 訂 ί I 體 晶 片（1001) 之 打 線 (W i r e _ b ο n d i η g)用襯 墊 和金臛基底半 導 體 電路基 板 之 壓 接 縫 合 (bonding -s t1 t C h) 部，然後*再 1 1 I 藉 由 液態狀 封 裝 用 材 料 (1100)，而 進行著 前 述之半導體晶 1 1 片 (1001)之 封 裝 處 理 之 狀 態下的模 式剖面 圖 。像這樣，使 f 得 液 態狀封 装 用 材 料 之 表 面並不會 高於分 型 面•因此，前 ί 述 之 LG A (La n d G Γ 1 d A r r a y :帶閛陣列）用 之 金雇基底半導 1 ί 體 電 路基板 可 Μ 相 當 容 易地被夠 裝於主 機 板上。 I 1 1 (實施例5) I 1 使 用N-甲 基 nJt 路 啼 (H -ΠΙ e t h y 1 P y r r ο 1 i d 〇 ne)作為溶劑* 1 1 並 且 以1 : 0 .9 9之當量比 混和入3 ,3，-二 胺 基二苯甲嗣、 1 1 >λ 及 3,3.,4 .4 t — 二 苯 甲 詷 四羧酸二 酐，接 著 在2 5 之狀態 1 ! 下 進行24小 時 之 反 應 而得到醢 胺酸溶 液 (以下則作為 1 1 1 ΡΑΑ- U。使 用 N- 甲 基 nit 硌 陡（Ν - ιβ e t h y 1 p y r Γ 0 1 i d ο n e )作為 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公楚） 46 4 i 9 796 經濟部中央標隼局員工消资合作社印取 Μ B7五、發明説明（H ) 溶劑，並且MO.6: 0.4: 0.993之當量比，混和人4,4'-二 胺基二苯基醚、1,4' -二胺基苯、Μ及苯四甲酸二酐。接 著*在25C之狀態下，進行24小時之反應，而得到醯胺酸 溶液（Μ下則作為ΡΑΑ-Κ)。 將前述之PAA-L*塗敷於厚度18Wm之壓延銅萡（104)之 處理面上，並且*不斷地進行著乾燥處理* 一直到並無縫 褶產生為止。接著，再將前逑之PAA-K，塗敷於前述之處 理面上，不斷地進行著乾燥處理，一直到並無縫褶產生為 止；然後，在前述之PAA-K，再塗敷上前述之PAA-A·而對 於所塗敷上之整個之醢胺酸，進行乾燥處理，而成為所謂 之醢亞胺化之狀態。這些聚醯亞胺（polyiinide)之殘留溶 劑，係為O.lwt% 。將PAA-L及PAA-K之圼醢亞胺化狀態之 聚醯亞胺（polyimide)，分別地作為PI-L及PI-K。將前述 之壓延銅箔（104)、PI-L、PI-K、及PI-A之層合品，作為 包裝用薄膜（wrapping-fi丨m)LKA。該形成於前述之壓延鋦 萡（104)上之聚醯亞胺（polyintide)中之PI-L、PI-K、及 PI-A之薄膜厚度，係分別為1.5/u m、6.0w m、以及2.5ϋ ι ;前述之聚醯亞胺（polyimide)中之PI-L、PI-K、及PI-A 之薄膜厚度，係合計成為lOwra。此外，在相同之乾燥及 醢亞胺化之條件下，對於前述之PI-L及PI-K，分別地製造 出不同用途之薄膜，而測定出不同用途之薄膜特性，結果 ，PI-L之玻璃轉移溫度，係為25〇υ ，而PI-K之坡璃轉移 溫度，係為400Τ：以上；就前述之PI-L而言，該在玻璃轉 移溫度+ 30Τ；之狀態下的彈性係数ι係為該在玻璃轉移溫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公# ) -- -I--—Γ I.. K H , 士κ I I--- ί.... τ I- I _ fn 1- I _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -47 - 419796 A7 B7 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 五、發明説明 (45) Ϊ 度 之 狀 態 下 的 彌 性 係 數 之 1/ 90 至於前述之PI-JC而言* 1 1 則 無 法 測 定 出 該 在 玻 璃 轉移溫度 之吠態下的彈性係数、以 1 I 及 該 在 玻 璃 轉 移 溫 度 + 3 0°C之狀 態下的強性係数。 請 i 先 t 對 於 前 述 之 壓 延 铜 萡 (104)進行著蝕刻處理，而由包裝 閱 讀 1 I 用 薄 膜 (W r a PP i η g - f i 1 πϊ )LU，除 掉取下前述之壓延鋦萡 背 ιδ 之 1 ! (104) 以便於得到聚藤亞胺（P 0 ly丨iside)薄膜；而該聚醯 注 意 事 1 i 亞 胺 (P ο 1 y i mi de)薄膜之延伸率 係為28% 。接著，按照 項 再 ! 填 裝 I 順 序 地 層 合 上 厚 度 18 U m之壓延銅箔（104)、结合合成用薄 % 本 頁 膜 (b on dp ly )A » - 、厚度0 .2 in m之基 底飼板（C-1020三菱伸銅 、· 1 1 公 司 製 )(002 ) 、 及 包 裝用薄膜 (wrapping-fiim)LKA0 接 1 I I 著 在 真 空 中 於 溫 度 2 5 0 C及壓力6 5 k s / c a 2之狀態下 1 1 ， 對 於 前 述 之 所 得 到 的 層合體， 進行著60分鐘之沖壓成形 訂 1 處 理 0 於 曰 本 電 解 (股）公司，藉 由Hi、及C 〇等之電氣電鍍 1 1 作 業 i 而 在 前 述 之 基 底 銅板（002)之兩個面上，進行所謂 1 I 黏 著 力 改 善 用 之 表 面 粗 化處理。 使用前述之成形品，作為 1 1 d 金 屬 基 底 基 板 (4) ，經過確認：該金靥基底基板（4)之全部 之 層 間 之 黏 著 力 係 為 0.8kg/ c τη2以上。前述之金屬基 1 I 底 半 導 J9M 腊 電 路 基 板 之 模 式圖*係 就正如圖12之所顯示的。 i 1 使 用 前 述 之 層 合 品 與前述之 實施例2同樣地，在結合 1 | 合 成 用 薄 膜 (b on dp ly)部位之壓延銅萡上*形成有電路· I 1 J 接 著 還 形 成 有 m m 用 墨水層。 藉由全面之蝕刻法*而除 1 1 去 前 述 之 包 裝 用 薄 膜 (V rapping- f i 1 m )之銅萡。此外，遒 1 1 進 行 深 度 0 . 4 m m之引深加工處理 K便於形成出金屬基底 1 | 半 導 體 電 路 基 板 之 模 搭 載用座台 (1 3 m ra角）。接著，再藉由 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公趋) 一 48 - 419796 A7 B7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明 (40 1 無 電 解 電 鍍 法* Μ 便 於 形成 出該 由Hi電鍍 (3 w m )及 A u電鍍 1 1 (0 .5 U m) 所 組成 之 電 鍍 層， 而得 到圖4所示之面朝上 型 ! I (f a c e 一 up t y p e) 之 BGA (Ba 1 1 Grid Array 球閘陣列 )用之 請 1 先 1 40 mm 角 的 金 屬基 底 半 尋 體電 路基 板。 間 讀 1 1 其 引 深 部 之最 小 曲 率 半徑 ，係 為 0 . 8 m m ( >經過引深 加工 1 注 i 後 之 檢 查 作 業* 在 前 述 之基 底金 靨之兩個 面之聚醢亞胺 意 事 1 (P ο 1 y i mi de )層上 完全並無檢査出任何之裂縫等之 外觀 項 i 填 裝 I 異 常 現 象 0 並沒 有 受 到 該電 鍍於 電路部位 中之壓接缝合 本 (b on d i n g _S t 1 t C h) 部 和 銲錫 球搭 載用襯墊 上之N丨電鍍K及 、* J 1 1 Au 電 鍍 的 影 響 ， 在 金 靥 基底 半導 體電路基 板之背面上之背 1 ! 面 聚 醢 亞 胺 (Ρ ο 1 y i mi d e )層之表面，完全並無形成有 任何 f 1 之 電 鍍 金 龎 〇 訂 1 在 溫 度 2 5T：及 室 内 相 對溼 度（R Η ) 3 0 % 之 狀態下，進行該 ! I 成 形 調 整 處 理， Μ 便 於 使得 所諝 之彎曲程 度成為-30 U ffl ° ί I 當 升 溫 至 185 之時 則所謂之彆曲程度 會變成為 + 80 1 1 U IQ 而前述之彎曲程度之變化 係相當地微小，因 此， 該 金 屬 基 底 半導 體 電 路 基板 ，係 在所謂可 Μ充分地進行著 I 1 構 裝 之 區 域 内。 ί I 此 外 在 藉由 環 氧 樹 脂黏 著劑 而將LSI (大型積體電路） 1 1 I 接 合 於 模 搭 載用 座 台 上 之後 ，使 用超音波 ，在 230 t 之狀 1 1 態 下 將 金 (Au) 線 打媒 (W ί Γ e ~ b ο n d ί η s)之方式1 而連 1 1 接 至 LS I (大 型積 體 電 路 )之襯墊以及金屬基底半導體 電路 I 1 基 板 之 壓 接 縫合 (b ο η d i n g ~ s t i t C h)部之上 。前述之打線 1 Ι (w ί Γ e - b 〇 n d i ng) 接 合 之 狀況 ，係 相當地良 好，並無所謂金 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公楚） 419796 A7 H7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (47) 1 1 屬 基 底 半 m 體 電 路 基 板 背 面 之 聚 m 亞 胺（P 〇 1 y i m id e)樹脂 I 1 I 縫 褶 (t U C k) 於 打 線 (W i r Θ - bo n d in g ) 用 治具 上的現象發生。 1 I 並 且 前 述 之 金 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板之 風速1 id/ sec狀 請 先 1 1 I 態 下 之 熱 抵 抗 係 為 11 .5 r / y 因此，對於該 形 成在金 讀 背 ,ΪΓ> 1 ! 屬 基 底 半 m 體 電 路 基 板 背 m 上 之 聚 醢 亞胺 (poly i m i d e )層 冬 L 1 1 之 影 饗 係 相 當 地 微 小 0 意 事 項 1 | 再 1 (實施例6) 填 寫 本 裝 按 照 順 序 地 層 合 上 厚 度 18 U m之壓延飼箔（104)、 结合合 頁 S， 1 I 成 用 薄 膜 Cb on dp ly) A (12) 、 厚 度 0 . 3 m ffl之基底_ 板 (C-1020 1 1 三 菱 伸 錮 公 司 製 )(002) Μ 及 包 裝 用 薄膜 (wrap p i n g - f i 1 in) 1 1 LKA之後 接著 在真空中， 於溫度2 5 0 t 及壓力65kg / cm2 1 訂 之 狀 態 下 對 於 前 逑 之 所 得 到 的 層 合 Jte 體， 進行著60分鐘之 1 1 沖 壓 成 形 處 理 〇 使 用 前 述 之 成 形 品 作為 金屬基底基板{5) \ 1 I 〇 經 過 確 認 ： 該 金 靥 基 底 基 板 (5 )之全部之層間 之 黏著力 1 I t 係 為 〇. 8k g / C π 2 以上 > I 使 用 刖 述 之 層 合 品 與 前 述 之 實 施 例4同樣地 * 在结合 1 合 成 用 薄 膜 (b on dp ly ) A部 位 之 壓 延 銅 萡上 ，形成有電路| ! 1' 接 著 m 形 成 有 阻 劑 用 墨 水 層 〇 藉 由 全面 之蝕刻法，而除 1 1 I 去 前 述 之 包 裝 用 薄 膜 (W r a Ρ Ρ in g 一 f i 1 m )部位之壓 延 飼范。 1 1 此 外 m 進 行 深 度 0 . 4 m nt之引深加工處理 Μ便 於 形成出 ! 1 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 模 搭 載 用 座台 (1 3 ram 角 )。接著 1 1 * 再 藉 由 無 電 解 電 鍍 法 Μ 便 於 形 成 出該 由N i電鑛（3 ju si) 1 | 及 Au 電 m (0 .5 U Π ) 所 組 成 之 電 鍍 層 而得 到圖4所 示之面 1 1 I 朝 上 型 tf a c e - U P ty P e )之 BGA (B a 1 1 Grid A r r a y : 球閘陣 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )，\4規格（210X 297公#_ ) -5 0 - 4 ΐ 9 了 9 6 Α7 137 經濟部中央標準局員工消资合作社印裝 五、發明説明 (48) 1 列 )用之40m m角的金屬基底半導體電路基板 > 1 1 其 引 深 部 之 最 小 曲 率 半 徑 係 為 0 * 8 ra ra。經過引深加工 ! I 後 之 檢 査 作 業 在 前 述 之 基 底 金 屬 之兩 個面 之聚 醢 亞 胺 請 1 先 1 (P 〇 1 y i nt i d e )% 1上 完全並無檢査出任何之裂縫等之外觀 閱 讀 1 f 1 異 常 現 象 0 並 沒 有 受 到 該 電 鍍 於 電 路部 位中 之壓 接 m 合 'έ 之 注 1 (b on d i n g -S t i t C h) 部 和 銲 錫 球 搭 載 用襯 墊上 之N i 電 m 及 意 京 1 項 I Au 電 鍍 的 影 響 在 金 屬 基 底 半 導 體 電路 基板 之背 面 上 之 背 再 填 面 聚 醯 亞 胺 (P 0 1 y i m i d e )層之表面 完全並無形成有任何 % 本 頁 裝 | 之 電 鍍 金 羼 〇 1 I 此 外 前 述 之 背 面 聚 醢 亞 胺 (P 0 1 y i m i d e )層之表面之I R ( 1 1 1 紅 外 線 )吸收率 係為9 0 ? ί以上（ >在前述之金屬基底半導 1 1 訂 1 體 電 路 基 板 搭 載 上 直 徑 0 . 76 in m Φ 之共 晶擇 錫球 9 並 且 9 還 藉 由 一 般 已 知 的 方 法 在 I R (紅外線） 迴焊 (ref 1 〇 V) 爐 中 1 I » 將 前 述 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板， 與 QFP (Qu ad F 1 a t 1 I Pa c k ag e 四邊扁平型封装體）Μ 及 其他 之分 雛用 零 件 同 1 1 時 地 進 行 表 面 構 裝 處 理 而 構 裝 於 該由 FR-4所組 成 之 主 機 板 上 ΰ 調 整 前 述 之 IR (紅外線） 之 輸 出， Μ便 於使 得 前 述 之 1 1 FR -4之 表 面 溫 度 成 為 最 高 溫 度 之 230t。藉由熱電偁而 1 I 測 定 出 前 述 之 金 靥 基 底 半 専 體 電 路 基板 之基 底金 靥 之 溫 度 1 I t 結 果 可 Μ 得 知 該 基 底 金 屬 之 溫度 -已 經成 為 最 高. 溫 1 1 度 之 23 0 t： >在進行過前述之表面構装處理之後 圼機械 1 1 式 地 破 壞 掉 前 述 之 金 屬 基 底 半 導 體 電路 基板 ，而 便 於 檢 1 1 査 該 銲 錫 球 接 合 於 主 機 板 上 之 接 合 面， 結果 發現 到 所 有 1 1 之 銲 錫 部 分 皆 已 經 被 rrtf 吸 m 掉 但 是， 該Ρ 錫球 接 a 之 狀 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4現格（2丨0X 297公《 ) - 51 - 419796 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 (49 ) i 況 t 還 是 相 當 地 良 好 〇 1 t 此 外 f 在 藉 由 環 氧 樹 脂 黏 著 劑 而 將 LS I (大 型積體電路） 1 1 接 合 於 模 搭 載 用 座 台 上 之 後 使 用 超 音 波 9 在23 0 t之狀 •—V 請 1 先 1 態 下 t 將 金 (An ) 線 1 打 線 (w i Γ e， bo n d in g ) 之方式，而連 閲 讀 1 f 1 接 至 LS I (大 型 積 體 電 路 )之襯墊Μ及金屬基底半導體電路 面 1 基 板 之 壓 接 缝 合 (b on d ί n g 一 S t i t C h) 部 之 上 〇 前述之打線 意 事 ( (W i r e - b 〇 n d in g) 接 合 之 狀 況 係 相 當 地 良 好 •並無所謂金 項 再 1 填 裝 1 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板 背 面 之 聚 賜 亞 胺 (P ο 1 y ί in i d e )樹脂 本 f 縫 褶 (t U C k) 於 打 線 (tf 1 Γ e - bo n d i η g ) 用 治 具 上 的現象發生。 t 1 I 而 且 前 述 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 風 速lm/ sec狀 1 1 態 下 之 熱 抵 抗 係 為 11 .5°C / V 因此 對於該彤成在金 ! I 靥 基 底 半 導 體 電 路 基 板 面 上 之 聚 n>**· 臨 亞 胺 (P ο 1 y i 姐 i d e )層 訂 I 之 影 m 係 相 當 地 微 小 ο 1 I (實施例7) 1 1 1 使 用 該 在 前 述 之 實 施 例 5中之所得到之金匾基底基板（5) 1 1 Λ 1 進 行 如 下 Μ 所 敘 述 之 加 工 處 理 而 得 到 該 附加有檢測用 端 子 之 金 靨 基 底 半 導 體 電 路 基 板 〇 藉 由 在 结 合合成用薄膜 I 1 (b on d p ly )A部 位 之 壓 延 飼 萡 上 使 用 氮 化 銅 (CuC 1 2)溶液 1 I 9 而 打 開 出 直 徑 0 . 25 m m Φ 之 孔 洞 Μ 便 於 m 露出該聚騮亞 J 1 I 胺 (P ο 1 y i mi d e )層之表面 =前述之孔洞之位置，係為銲镯 1 1 球 搭 載 用 襯 墊 之 週 當 場 所 〇 藉 由 在 包 裝 用 薄 膜(wrapping- 1 1 f i 1 m )LKASU 位 之 壓 延 铜 萡 中 使 用 氮 化 飼 (C uC U )溶液* 1 1 而 打 開 出 該 由 直 徑 0 . 8 1 之外圓Μ及直徑0 * 5 5 m m 4之内 1 I 圓 之 所 夾 注 而 形 成 之 環 圈 狀 之 孔 m » 梗 於 暘露出該聚醚 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS〉Λ4規枱（2丨OX 29?公ϋ 一 5 2 ~ 419796 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（50) 亞胺（polyimide)層之表面。該孔洞之位置，係具備有與 前述之孔洞之相同之座標，也就是說，相當於該孔洞之背 面部位的位置。同時地打開出前述之兩個表面上之孔洞。 然後，藉由雷射式蝕刻法，以便於除去前述之所曝露出之 基底銅板（002)之兩個面之聚醯亞胺（polyimide)層，而分 別地曝露出直徑0.23^1^0之圓形之基底銅板、Μ及該由直 徑0.79miB4之外圓Μ及直徑0.56ram4之内圓之所夾住而形 成之環圈狀之基底飼板（請參照圖5(a))。 然後，藉由無電解電鍍銅K及電解電鍍铜*而對於前述 之結合合成用薄膜（bondply)A面部位之金屬基底基板之表 面，進行電鍍處理，K便於達到前述之基底飼板和銅箔之 間的導通琨象，而形成有BVH(Blind Via Hole:盲貫通孔 ) 200 (請參照圖5(b))。在進行著前述之銅電鍍處理之時， 雖然在前述之BVHUlind Via HoU:盲貫通孔）200之背面 部位，也電鍍上銅金靨，但是*該電鍍上之銅金屬，並沒 有發生所謂之膨脹或者剝離現象。 接著，藉由使用前逑之结合合成用薄膜（bondply)部位 之聚醯亞胺（polyimide)層·作為基底銅板之蝕刻用阻劑 ，而尉於前述之基底飼板，進行蝕刻處理，以便於形成有 環圈狀之孔洞，而形成有檢測用端子（400>(請參照圖5(c))。 然後*藉由雷射，而對於該並不需要之聚醯亞胺 (polyimide)層*進行触刻處理•而除去該並不需要之聚 醯亞胺（polyimide)層，Μ便於成為圖6之形狀。在前述之 結合合成用薄膜（b ο n d ρ 1 y ) Α部位之銅萡上，形成有電路| 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公筇） -5 3 - (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^9796 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印11 五、發明锐明 (51 ) 丨 也 就 是 說 形 成 有 飼 電 路 (102)以及球體搭載用襯墊（105) 1 1 I 0 前 述 之 基 底 飼 板 之 剖 面 形 狀 i 就 正 如 圖7所顯示的 前 1 | 述 之 基 底 飼 板 之 突 起 係 成 為 * 刖 述 之 球 體搭載 用襯 墊 請 S3 1 1 ί (105)之檢測用端子 背 I I ιέ m 後 在 前 述 之 電 路 郜 位 上 形 成 有 阻劑用 墨水 層 〇此 i 意 i 1 外 在 進 行 深 度 0 . 4 IQ HI之引深加工處理 Μ便於形成出金 事 項 l I 再 1 臑 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 模 搭 載 用 座 台 (1 3 m in 角）之 後 ，接 填 寫 本 裝 著 再 藉 由 無 電 解 電 鍍 法 以 便 於 形 成 出該由 Mi電 鍍 (3 u 頁 1 I m) 及 Au 電 鍍 (0 .5 U IB ) 所 組 成 之 電 鍍 層 而得到 該面 朝 上型 1 1 (f a c e - u P t y p € ) 之 BGA (Ba 11 G r i d Ar r a y :球閛陣列） 用之 1 1 40 m ία 角 的 金 靨 基 底 半 導 體 電 路 基 板 〇 僅 有在電 路部 位 中之 1 訂 壓 接 縫 合 (b on d ί n g -S t 1 t C h) 部 飞 銲 錫 球 搭載用 襯墊 以及 1 I 檢 測 用 端 子 之 上 進 行 著 Ν ί 電 鍍 及 Au 電鍍， 然而 在金 1 1 | 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 背 面 上 之 背 面 聚醯亞 胺 1 1 (P 〇 1 y i 01 1 de )層之表面 則完全並無形成有任何之電鍍金 1 、'木 屬 0 1 此 外 前 述 之 背 面 聚 醢 亞 胺 (P ο 1 y i mide)層之表面之IR( 1 紅 外 線 )吸收率 係為9 0 s s Μ上t >在前述之金靨基底半導 1 1 I 體 電 路 基 板 搭 載 上 直 徑 0 . 76 m m φ 之 共 晶銲踢 球， 並 且， 1 1 還 藉 由 一 般 已 知 的 方 法 在 IR (紅外線） 迴焊（Γ e f I 〇 w ) 爐中 1 1 f 將 前 述 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 與 QFP (Quad Flat 1 1 Pa c k a g e 四邊扁平型封裝體）Μ 及 其 他 之分離 用零 件 ，同 1 I 時 地 進 行 表 面 構 裝 處 理 而 構 裝 於 該 由 F R - 4 所 組成 之 主機 1 1 I 板 上 0 調 整 前 述 之 IR (紅外線） 之 輸 出 以便於 使得 前 述之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 29*7公楚） -54 一 419 ?9〇 A7 137 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 (52 ) 1 FR -4之 表 面 溫 度 成 為 最 高 溫 度 之 240 1 3藉由熱電偶而 1 1 測 定 出 前 述 之 金 匾 基 底 半 導 體 電 路基板 之 基 底 金 屬 之 溫 度 1 1 9 结 果 f 可 K 得 知 該 基 底 金 屬 之溫度 已 經 成 為 最 高 溫 請 1 先 1 度 之 24〇r。 閱 讀 I 1 在 進 行 過 前 述 之 表 面 構 装 處 理 之後， 圼 機 械 式 地 破 壞 掉 ιδ 之 注 I 前 述 之 金 靥 基 底 半 導 «Mr 體 電 路 基 板 ，而Κ 便 於 檢 查 該 銲 錫 球 意 事 1 項 I 接 合 於 主 機 板 上 之 接 合 面 结 果 發現到 所 有 之 銲 錫 部 分 再 填 1 t 皆 已 經 被 破 壞 掉 怛 是 該 銲 錫球接 八 〇 之 狀 況 遒 是 相 寫 本 頁 蒗 | 當 地 良 好 〇 此 外 前 述 之 金 臛 基 底半導 體 電 路 基 板 之 風 速 1 I 1 m / s e C狀態下之熱抵抗 係為121: / w 〇 1 1 1 (實施例8) 1 1 使 用 該 在 前 逑 之 實 施 例 5中之所得到之金屬基底基板（4) 訂 i 進 行 如 下 面 所 敘 述 之 加 工 處 理 *而得 到 該 附 加 有 檢 測 用 1 I 端 子 之 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 。在结 σ 合 成 用 薄 m 1 I (b on d p ly )A '部位之壓延銅萡上 藉由蝕刻處理 而打開 1 I 出 直 徑 0 . 25 m m φ 之 孔 洞 Μ 便 於 暘露出 該 聚 醯 亞 胺 ·«、 1 (P ο 1 y i mi de )層之表面 >前述之孔洞之位置 係為銲錫球 1 1 搭 載 用 襯 墊 之 適 當 場 所 0 此 外 藉由在 包 装 用 薄 膜 I (W r a P P ί η 8 - f i 1 ΕΠ )UA部 位 之 壓 延 铜萡中 藉 由 蝕 刻 處 理 » I I 而 打 開 出 直 徑 0 . 8 m m 0之孔洞 以便於曝31出該聚雖亞胺 1 1 (P 〇 1 y i m i d e )層之表面、 >該孔洞之位置 係具備有與前述 1 1 之 孔 洞 之 柜 同 之 座 標 也 就 是 說 ，相當 於 該 孔 洞 之 背 面 部 I 1 位 的 位 置 0 同 時 地 打 開 出 前 述 之 兩個表 面 上 之 孔 洞 〇 然 後 1 I f 藉 由 該 包 含 有 聯 胺 (h y d r a z i n e )及Κ 0 Η (氳氧化鉀） 之 水 溶 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（（^5)/\4規格（210/297公#) -55- 419796 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ A7 B7五、發明説明（53) 液，進行蝕刻處理，μ便於同時地除去前述之基底銅板 (002)之表面和背面兩個面上之所曝露出之聚醯亞胺（ ρο丨yimide)層*而分別地曝露出直徑Ο.23ιβιπ0之圓形之基 底銅板面、以及直徑0.83mni必之圓形之基底飼板面（請參 照圖 15 (a))。 然後，藉由輕微之蝕刻處理，而除去該呈突出 (overhang)狀之鋦萡（請參照圖15(b))。然後，藉由無電 解電鍍飼Μ及電解電鍍銅處理，而對於前述之结合合成用 薄膜（bondply)A面部位之金靥基底基板之兩個面，進行電 鍍處理· K便於達到前述之基底铜板和洞萡之間的導通現 象，而彤成有BVH (B 1 i nd V i a Ho 1 e :盲貫通孔）20 0 (請參 照圖 15(c))。 接著，在包裝用薄膜（v/fappUs-fUmUlU部位之壓延铜 箔中*藉由蝕刻甩咀劑而描繪出圖案，从便於能夠形成出 檢測用端子之後，接著，藉由對於前述之基底銅板，進行 蝕刻處理，>i便於使得該基底飼板|成為環圈狀，而形成 有檢測用端子（400)。然後*藉由剝離用溶液，而除去該 蝕刻用阻劑（請參照圖6)。對於前述之包裝用薄膜（ wrapping-filinHlU部位之銅圖案，進行電路加工處理， 而形成有銅電路（102)以及球體搭載用襯墊U05)。前逑之 基底铜板之剖面形狀，就正如圖7所顯示的；前述之基底 銅板之突起，係成為前述之球體搭載用襯墊（105)之檢測 用端子。 然後，在前述之電路部位上*形成有阻劑用墨水圄。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210Χ 297公t ) _ c 〇 _ -I— m n- - 1· »^1 l ^ - ϋ I i _ n T -5 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) .419796 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 五、發明説明 (51) ί 外 9 在 進 行深度 0 . 4tnm之引深加工處理 K梗於形 成 出 金 1 1 屬 基 底 半 等體電 路 基板之横 搭載 用座 台 (1 3mm角）之後* 接 1 1 著 1 再 藉 由無電 解 電鍍法* K便 於形 成 出該由N i電鍍（ 3 u 請 1 先 I m ) 及 Au 電 鍍（0 , 5 a m)所組成 之電 鍍層 9 而得到該面朝上型 間 if 1 背 1 (f a c e - U P type) 之 BGA (Ba 1 1 G r ϊ d A r r a y :球閘陣 列 )用之 面 之 i 1 40 ώι m 角 的 金屬基 底 半導體電 路基 板。 僅 有在電路部位中之 意 事 1 ί 壓 接 縫 合 (b ο n d i η ε -stitch) 部、 銲錫 球 搭載用襯墊 Μ及 再 填 1 檢 測 用 端 子之上 1 進行著H ί 電鍍 以及 Au 電鍍，然而< 在金 寫 本 頁 装 1 屬 基 底 半 導體電 路 基板之背 面上 之背 面 聚醢亞胺 1 I (P 〇 1 y i mi de)層之表面，則完全並無形成有任何之 電 鍍 金 1 1 I 面 腾 〇 1 1 訂 在 溫 度 251、 室 内相對溼 度（RH)30 % 之狀態下， 進行該 1 成 形 調 整 處理| Μ 便於使得 所謂 之彎 曲 程度成為- -30 t t ID 1 1 ΰ 在 185T：之時 所謂之彎曲程度，會變成為小至 + 110 U 1 I ID 因此 在構裝作業上，成為可K充分地發揮出 效 用 之 1 區 域 0 該 金覇基 底 半導體電 路基 板之 風 速 1 m / s e c 之 狀 態 ..-Λ 1 下 的 熱 抵 抗係數 係為1 2 t / W = I 1 (實施例9) P- 1 1 使 用 前 述之實 陁 例6中之所得到之金靥基底半導 體 電 路 1 1 基 板 (5) 而在结合合成用薄膜（bond p 1 y ) A部位上 之 飼 箔 1 1 I 1 進 行 電 路加工 處 理。接著 ，進 行著 圖 13所示之引深加工 1 1 t 而 得 到 HQP (Me t a 1 Quad Pack age* 金麋四邊型 封 裝 體） 1 I 型 之 金 臛 基底半 導 體電路基 板。 1 1 引 深 部 之最小 曲 率半徑， 係為 1 πι ra ^ 在進行過引 深 加 工 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規袼（210X297公釐） -57 - 4/9796 A7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（55 ) 後之檢査作業中•於基底銅板（002)之兩個面之聚醢亞胺 (poly iraide)層（012或者500)上•完全並無檢測出裂鏠等 之外觀異常現象。並沒有受到電路部位上之Ni電鍍、及Au 電鍍之影響，在金鼷基底半導體電路基板之背面上之背面 聚醢亞胺（polyimide)層之表面上，完全並無形成有任何 之電鍍金臛。 此外|金屬基底半導體電路基板之背面聚醯亞胺 (polyimide)層之表面之IM釭外線）吸收率，係為90%K 上。藉由一般已知之使用焊錫音之方法，而在IR(紅外線） 迴焊（reilo»)爐中，將前述之金屬基底半導體電路基板， 與QFP(Quad Flat Package:四邊_平型封裝體）Μ及其他 之分離用零件*同時地進行表面構装處理，而構装於該由 FR-4所組成之主機板上=調整前逑之IR(紅外線）之輸出， Μ便於使得前述之FR-4之表面溫度，成為最高溫度之2 30 它。藉由熱電偁而測定出前述之金鼷基底半導體電路基板 之基底銅板之溫度，结果*可以得知*該基底飼板之溫度 ，已經成為最高溫度之230t。在進行過構裝作業之後| 銲錫可Μ相當充分地上升至MQP(Metal Quad Package:金 屬四邊型封裝體）之専線狀铜電路部分，因此，就顯示出 :該専線狀铜電路部分之溫度 > 係可Μ相當充分地滿足銲 錫接合作業之需求。 (茛施例10) 使用前述之實施洌2中之所得到之金屬基底半導體電路 基板（2 )，而在結合合成用薄膜（b ο n d ρ 1 y ) Α部位上之銅萡 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Λ4规梏（210X297公矩） ~ 5 8 - -- - - —1---^ — - - n _ 1 T _ I____ _ ![ A .¾. ,va\ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中失標卑局貞工消費合作社印^ B7五、發明説明（5Π ) ，進行電路加工處理。接著*進行著引深加工，而使得該 由電路面之祖反部位之角度而觀察前述之圖13之MQP(Metal Quad Package:金靥四邊型封裝體）型之金屬基底半導體 電路基板的剖面模式圖之狀態下的俯視模式圏，成為圖14 所示之形狀1以便於得到MQP(Metal Quad Package:金屬 四邊型封裝體）型之金屬基底半導體電路基板。 引深部之最小曲率半徑•係為1mm。在進行過引深加工 後之檢查作業中，於基底銅板（002)之兩個面之聚釀亞胺 (polyimide)層（012或者500)上，完全並無檢測出裂縫等 之外觀異常現象。並沒有受到電路部位上之Hi電鍍、及Au 電鍍的影饗，在金靥基底半導體電路基板之背面上之背面 聚醢亞胺（polyimide)層之表面上，完全並無胗成有任何 之電鍍金屬。 在圖14中，K金鼷基底半導體電路基板之背面之中心點 ，作為c點*並且*由引深部之内側角落Χί開始而至前述 之c點為止，連成為一直線，而將該僅在距離前逑之内側 角落Χ5之Ιιπιπ之位置上之點，作為d點。使用前述之c點， 作為基準點，而測定出d點之高度。係在溫度2 5 ΐ：、室內 相對溼度（ϋ Η ) 3 0 %之狀態下、以及在進行升溫而達到1 85 之狀態下，分別地進行d點之高度測定作業。將c點和d 點之間的高度差*作為所謂之彎曲程度；在d點比較高之 狀態下，則該彎曲程度係成為” + ”。在溫度2 5 t 、室内相 對溼度（RH)30 %之狀態下，進行該成形調整處理| Μ便於 使得所謂之彎曲程度成為0 u m。當升溫至1 δ 5 C之時，則 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公犮） ^^1 ^—^1 ^—^1 - --'-* i ^^^1 Λ I ^^^1 1 I \ ’ 、-='° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 419796 A7 B7五、發明説明（57) 所謂之彎曲程度成為+ 10W1D。該彆曲形狀變化係為ΙΟ^ΙΒ •也就是說，該在溫度發生有改變之狀態下的形狀變化， 係相當地微小，因此*作為金靥基底半導體電路基板，可 以顯示出相當良好之特性。 (比較例3) 除了並無層合有覆蓋用薄膜A之外，則進行著與賁施例9 相同之加工處理*而得到MQP(Metal Quad Package:金靥 四邊型封装體）型之金屬基底半導體電路基板。在前述之 金匾基底半導體電路基板之背面上，係電鍍有厚度之 Νί金靨、以及0.5w m之Au金鼷。在溫度25υ、室内相對溼 度（RH)30%之狀態下，進行該成形調整處理，以便於使得 所諝之鬻曲程度成為0« m。然後再升溫至。所謂之 彆曲程度•成為增大至+ 60ϋϋΐ。因此*在金屬基底半導 體電路基板之溫度發生變化之狀態下的模搭載用座台中之 彎曲程度，會變得比較大*而在金靥基底半導體電路基板 和IC (半導體）晶片之間，產生有所謂之剝離應力。所Μ， 可以預測出：比較起前述之實施例9·該比較例3之金屬基 底半導體電路基板之黏著可靠性，相對地會變得比較低。 【發明之效果】 在該使用聚醢亞胺（ρ ο 1 y i π i d e )作為絕緣體之金靨基底 半導體電路基板之中，藉由在基底金屬之背面上|層合有 聚豳亞胺（p 〇 1 y i m i d e )層，以便於能夠發揮出Μ下所敘述 之相當良好之效果。 1)可Κ在背面上而仍然附加有聚醯亞胺（Ρ〇丨yimide)層 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規掊（2I0X297公f ) ~ 6 0~二 ^^^1 ^^^^1 Λ ^^^^1 ....... ^^^^1 ^ W3. *-Β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •4.1 <9 7 9 6 A7 B7 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印聚 五、發明説明（ 5 1' 1 之 狀 態 下 進 行 著 引 深 加 工 而 能 夠 形 成 有 空 孔 (C a v it y ) 0 1 1 I 2)係 具 備 有 相 當 良 好 之 電 鍍 用 阻 劑 效 果 因 此 在 金 _ 1 1 基 底 半 導 體 電 路 基 板 之 背 面 上 並 不 會 層 合 有 熱 膨 脹 係 數 請 先 1 1 閱 | 比 較 低 之 Ni 電 鍍 層 並 且 在 金 匾 基 底 導 體 電 路 基 板 之 讀 背 I 背 面 上 也 並 不 會 電 鍍 上 高 價 昂 貴 之 Au 金 屬 0 \UJ 之 注 I 意 1 [ 3)由 於 在 金 屬 基 底 半 専 體 電 路 基 板 之 sit m 面 上 傜 藉 由 Hi 事 項 L I 1 電 鍍 層 而 形 成 有 熱 膨 脹 係 數 比 較 大 之 聚 2B££ 脑 亞 胺 (P ο 1 y i 0E i d e ) 4 本 装 層 因 此 可 以 減 少 金 靥 基 底 半 尋 體 電 路 基 板 之 形 狀 變 化 頁 V*· 1 I 9 而 使 得 所 m 之 彎 曲 琨 象 會 變 得 比 較 少 0 所 Μ 銲 錫 球 1 1 能 夠 在 25 t Μ 及 銲 錫 熔 融 溫 度 之 狀 態 下 相 當 均 匀 地 接 觸 1 1 到 主 機 板 0 ί 訂 4)由 於 可 以 提 高 金 屬 基 底 半 m 體 ru£ 電 路 基 板 3匕 m 面 之 IR (紅 1 ! 外 線 )吸收效率 因此 該在迴焊（ re f 1 OW)爐内之熱吸收 1 1 I 作 用 係 相 當 地 良 好 並 且 銲 錫 球 等 之 銲 錫 溫 度 係 與 其 1 I 他 之 分 雛 用 零 件 呈 相 同 0 藉 由 前 述 之 作 用 而 使 得 銲 錫 球 1 等 之 銲 錫 接 合 強 度 變 成 為 相 當 良 好 0 1 1 5) 在 溫 度 發 生 有 變 化 之 狀 態 下 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 ! I 板 之 形 狀 變 化 係 比 較 少 0 並 且 該 銲 錫 球 等 接 合 於 主 機 板 1 1 I 上 之 銲 錫 接 合 強 度 係 相 當 地 良 好 〇 藉 由 前 述 之 作 用 而 1 1 使 得 金 屬 基 底 半 導 體 電 路 基 板 和 主 機 板 之 間 的 接 合 可 靠 性 1 1 t 變 成 為 相 當 良 好 〇 1 1 [ 圖 式 之 簡 單 說 明 ] 1 I 圖 1係為該由金屬板0 0 1 介 電 質 0 1 0 、導電體電路100 1 1 I BVH (B 1 i η d V i a Η 〇 1 e :盲貫通孔> 200 、以及保護用層3 0 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規袼（21 OX 297公总） ™ 6 1 — 419796 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ A7 B7五、發明説明（59) 之所组成之先前技術型式之金鼷基底半導體電路基板的剖 面模式圖。 圖2係為該由金屬板001、第1層介電質010、第1層導電 體電路100、第2層介電質011、第2層導電體電路101、其 用以结合第1層導電體電路100和第2層専電體電路101的 BVH(Blind Via H〇U:盲貫通孔）200、Μ及其用Μ结合第 1層専電體電路100和金屬板001的IVHUnterstitia丨Via Hole:插入型盲孔）201之所組成之先前技術型式之2層配 線金鼷基底半専體電路基板的剖面模式圖。 圖3係為該由金屬板001、介電質010、導電體電路100、 BVH(Biind Via Hole:盲貫通孔）200、Μ及其用K對於前 述之金靥板001而進行蝕刻加工處理之檢測用端子400之所 组成之先前技術型式之金屬基底半導體電路基板的部分剖 面模式圖。 圖4傜為該由基底銅板0 02、結合合成用薄膜（bo n dp iy) 012、飼電路 102、壓接縫合（bonding-stitch)部 800、阻 劑用墨水層600、Ni/iU電鍍層700、Μ及背面聚醯亞胺 (polyimide)層500之所组成並且邐具備有其由引深加工而 形成之模搭載用座台1000的金屬基底半導體電路基板的部 分剖面模式圖。 圖5U)像為該由基底跼板002、结合合成用薄膜 (b〇ndply)012、銅圖案103、Μ及背面聚醱亞胺 (polyiraide)層500之所構成並且還對於前述之结合合成用 薄膜（bondply)012及背面聚醸亞胺（polyimide)層500進行 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規袼（210X297公釐） -52 - Α7 137 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明（60 ) 1 蝕 刻處 理而被加工 成 為 能夠看 得 見 前 述 之 基 底 銅 板 002之 1 1 I 所 規定 部分之加工 階 段 的半専 體 電 路 基 板 之 部 分 剖 面 模式 1 | 圖 0 請 先 閱 1 ! I 圖5 ( b )係為在前 逑 之 圖 5 (a) 之 加 X 階 段 中 另 外 m 進行 讀 背 1 銅 電鍍 處理，而形 成 有 BVH (B 1 in d V i a Ho 1 e 盲 貫 通孔 之 注 I 意 1 I )200 之 加工階段的 半 導 體電路 基 板 之 部 分 剖 面 模 式 rsr 圖 〇 事 項 | 圖5 ( 再 1 e)係為在前 逑 之 圖 5 (b) 之 加 X 階 段 中 另 外 還 進行 填 述之 % 本 裝 前 基底銅板0 0 2之蝕刻處理 而形成有檢測用端子400 % 1 之 加工 階段的半導 Μ 體 電 路基板 之 部 分 剖 m 模 式 圖 0 1 1 圖6係為在圖5 (c )中而對於前逑之檢測用端子400上 之背 1 ! 面 聚醢 亞胺（ρ 〇 1 y i id i d e )層 500 進 行 蝕 刻 及 除 去 處 理 時 之加 1 訂 1 1 工 途中 之附加有檢 測 用 端子的 半 導 體 電 路 基 板 之 部 分 剖面 模 式圖 0 1 1 I 圖7係為在圖6中 而 對 於前述 之 鋦 圜 案 103進行加工而肜 1 1 成 有球 體搭載用襯 墊 105及銅電路102時 之 加 工 途 中 之 附加 1 有 檢測 用端子的金 屬 基 底半導 體 電 路 基 板 之 剖 面 模 式 圖0 ί 圖8係為該由基底銅板002、 背 面 聚 觸 亞 胺 (P 〇 1 y i mi d e ) 1 r 層 500 结合合成用薄膜（b 0 η d P i y ) 012、 Μ及壓延飼箔104 1 I I 之 所組 成的金靥基 底 半 導體電 路 基 板 的 剖 瓸 橫 式 圖 〇 1 i 圖9係為該由電路面之相反部位之角度而觀察前述之圖4 I 1 之 金饜 基底半導體 電 路 基板的 剖 面 棋 式 圖 之 狀 態 下 的 俯視 1 I 模 式圖 〇 1 I 圖10係為在引深 部 底 遏上而 形 成 有 壓 接 縫 合 (b on d i n g ^ 1 1 | S t i t c h )部 8 0 0 之一 端 的 金匾基 底 半 導 體 電 路 基 板 的 剖 面模 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（C叫Μ規格（膽歸f) _ 419796 kl 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 B7五、發明説明（SI) 式圖。 圖11係為在引深部第1段而形成有壓接缝合（bonding-stitch) 部 800 並 且在引 深部第 2 段而 形成有 模搭載 用座台 1000的金靥基底半専體電路基板之剖面模式圖。此外*圖 11S顯示出該藉由模附上用材料900,而將半導體晶片1001 接合於前述之模搭載用座台1000上，並且，使用金線1010 •而連接上前述之半導髖晶片1001和壓接縫合（bontUns-stitch)部800，然後，再藉由液態狀封裝用材料1100，而 進行著前述之半導體晶片1001之封裝處理之加工階段》 圖12係為該由基底鋦板002、背面聚醢亞胺（polyiraide) 層500、结合合成用薄膜（bondpiy)012、Μ及壓延飼箔104 之所組成的金屬基底半導體電路基板的剖面模式圖。 圖13係為該由基底飼板002、背面聚醯亞胺（polyimide) 層500、結合合成用薄膜（bondp丨y)012、Μ及飼電路102之 所組成的MQP (Meta丨 Qu a d P a c k a g e :金羼四邊型封裝體） 型之金龎基底半導體電路基板的剖面模式圖。 圖14係為該由電路面之相反部位之角度而觀察前述之圖 13之HQP(Metal Quad Package:金蘑四遴型封裝體）型之 金屬基底半導體電路基板的剖面模式圖之狀態下的俯視模 式圖。 圖15(a)偽為該由基底飼板002、结合合成用薄膜 (bondply)012、飼圖案103、Μ及背面聚醯亞胺 (polyimide)層500之所構成並且堪對於前述之结合合成用 薄膜（bondply)012及背面聚醢亞胺（polyimide)層500進行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規袼（210X 297公费) -6 4 - ! I - IT I —l· II 1^1 I n If m n T ----- HI ——[n A US. i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 419796 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B?五、發明説明（62) 蝕刻處理而被加工成為能夠看得見前述之基底銅板002之 所規定部分之加工階段的半導體電路基板之部分剖面模式 _。 圖15(b)係為茌前述之圖15(a)之加工階段中|另外遨對 於前述之飼圖荼103，進行相當輕微之蝕刻處理，而除去 前述之圖15U)之加工階段中之铜圖察103之突出 (overhang)部分106之加工階段的半導體電路基板之部分 剖面横式圖。 圖15(c)像為在前述之圖15(b)之加工階段中，另外遒進 行鋦電鏤處理*而形成有BVH(Blinci Via Hole:盲貫通孔 )200之加工階段的半導體電路基板之部分剖面模式圖。 【元件编號之說明】 001 :金靨板 002 :基底銅板 010:介電質或者第1層介電質 0 11 :第2層介電質 012:结合合成用薄膜（bondoly)(结合合成用薄膜A或者结 合合成用薄膜A ’） 100:専電體電路或者第1層専電體電路 101:第2層導電體電路 1 02 :銅電路 103 :铜圖案 104 :壓延銅萡 105 ··球體搭載用襯墊 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2i0X297公犛） -6 5 - ^lt 1-i I- I Jf^i ^m4 m nl^— ft -¾ 、-& (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 419796 A7 * 137五、發明説明 106:銅圖案之突出（overhang)部份 200: BVH(Blind Via Hole:盲貫通孔） 201: IVH(Inter*stitial Via Hole:插入型盲孔） 3 0 0 :保護用層 400 :檢測用端子 500:背面聚驢亞胺（polyimide)層 6 00 :阻劑用墨水層 70 0 : Ν ί / Au電鍍層 800:® 接縫合（bonding-stitch)部 9 0 0 :模附上用材料 1 000 :模搭載用座台 1001 :半導體晶片 1010 :金線 1100:液態狀封裝用材料 II__I__Γ _ ._广__n _ I n --- - 丁----I --Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公蝥） 66 _ R R -