JPH11274223A - 2重金属被覆パッド面へのワイヤ・ボンディング方法及びそのワイヤ・ボンディングを含む電気カ―ド構造 - Google Patents
2重金属被覆パッド面へのワイヤ・ボンディング方法及びそのワイヤ・ボンディングを含む電気カ―ド構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップ・パッケージ上のボンド・パッ
ドへのワイヤ・ボンディングの方法に関するものであ
る。 【解決手段】 ワイヤ・ボンドは、有機誘電基板上のパ
ラジウムを被覆した接合パッドに対して200℃未満で
作られる。14マイクロインチより厚いパラジウムの層
は金の薄片で覆う。銅パッドを覆うパラジウムは、その
2つの間の薄いニッケル層により銅の拡散が防止され
る。続いて185℃、1時間の焼き付けにより、金の厚
みが200Å未満の場合は水素分子が付勢され放出され
る。次に、好適には金のボンディング・ワイヤが、従来
のボンディング機器を使用して200℃未満で良好な状
態で接合される。
ドへのワイヤ・ボンディングの方法に関するものであ
る。 【解決手段】 ワイヤ・ボンドは、有機誘電基板上のパ
ラジウムを被覆した接合パッドに対して200℃未満で
作られる。14マイクロインチより厚いパラジウムの層
は金の薄片で覆う。銅パッドを覆うパラジウムは、その
2つの間の薄いニッケル層により銅の拡散が防止され
る。続いて185℃、1時間の焼き付けにより、金の厚
みが200Å未満の場合は水素分子が付勢され放出され
る。次に、好適には金のボンディング・ワイヤが、従来
のボンディング機器を使用して200℃未満で良好な状
態で接合される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップ・パッ
ケージ上のボンド・パッドへのワイヤ・ボンディング、
特にパラジウムが被覆されたボンド・パッドへのワイヤ
・ボンディングに関する。
ケージ上のボンド・パッドへのワイヤ・ボンディング、
特にパラジウムが被覆されたボンド・パッドへのワイヤ
・ボンディングに関する。
【0002】
【従来の技術】チップ上のボンド・パッドから、チップ
・キャリア上の対応するパッドまたはリードへのワイヤ
・ボンディングによる半導体チップとの電気的接続の技
術は、半導体産業では広く知られており、実施されてい
る。エポキシ・ガラス層や銅の導電層等、従来の有機誘
電物質を使ってチップ・キャリアを製造することは、分
野によっては有益であることがわかっているが、通常、
銅パッドに形成されるワイヤ・ボンドは、普通は金線物
質と銅パッドの間に脆い金属間合金が形成されるので用
をなさなくなる。従って、通常は、薄いニッケル層とこ
れに続く厚い金層を、金線を接合する前にボンド・パッ
ドにメッキする。
・キャリア上の対応するパッドまたはリードへのワイヤ
・ボンディングによる半導体チップとの電気的接続の技
術は、半導体産業では広く知られており、実施されてい
る。エポキシ・ガラス層や銅の導電層等、従来の有機誘
電物質を使ってチップ・キャリアを製造することは、分
野によっては有益であることがわかっているが、通常、
銅パッドに形成されるワイヤ・ボンドは、普通は金線物
質と銅パッドの間に脆い金属間合金が形成されるので用
をなさなくなる。従って、通常は、薄いニッケル層とこ
れに続く厚い金層を、金線を接合する前にボンド・パッ
ドにメッキする。
【0003】約150±50マイクロインチ厚のニッケ
ル層は、銅パッドと金層の間に銅と金の金属間合金が形
成されるのを防ぐ上で申し分ない拡散障壁になる。金層
はその際、従来のワイヤ・ボンド接続を行うための望ま
しい表面になる。直径0.8ミリインチ乃至1.5ミリ
インチの金線で満足のいく接合部を得るには、通常は1
4マイクロインチを超えるかなり厚い金層が必要であ
る。
ル層は、銅パッドと金層の間に銅と金の金属間合金が形
成されるのを防ぐ上で申し分ない拡散障壁になる。金層
はその際、従来のワイヤ・ボンド接続を行うための望ま
しい表面になる。直径0.8ミリインチ乃至1.5ミリ
インチの金線で満足のいく接合部を得るには、通常は1
4マイクロインチを超えるかなり厚い金層が必要であ
る。
【0004】パラジウムは金層の代用として比較的低コ
ストであるが、望ましい接合部を得るには、例えば約2
00℃等、比較的高温にまで加熱しなければならないこ
とがわかっている。エポキシ・ガラス物質はこのような
高温に耐えられないので、パラジウムを被覆したパッド
に、パラジウム下にニッケル拡散障壁を設けてワイヤ・
ボンドを形成するために様々な試みがなされているが、
成功していない。
ストであるが、望ましい接合部を得るには、例えば約2
00℃等、比較的高温にまで加熱しなければならないこ
とがわかっている。エポキシ・ガラス物質はこのような
高温に耐えられないので、パラジウムを被覆したパッド
に、パラジウム下にニッケル拡散障壁を設けてワイヤ・
ボンドを形成するために様々な試みがなされているが、
成功していない。
【0005】Gillumらによる"Wire Bond Evaluation Re
port"、National Center for Manufacturing Science
s、April 30、1996では、13ページに、パラジウム表
面の結果が良好でなく、不完全な初期接合部が多数形成
されることが報告されている。
port"、National Center for Manufacturing Science
s、April 30、1996では、13ページに、パラジウム表
面の結果が良好でなく、不完全な初期接合部が多数形成
されることが報告されている。
【0006】"Electroless Palladium: A Surface Fini
sh for Interconnect Technology"、SMT Trends、Janua
ry 22、1996という初期研究では、良好な接合部が報告
されているが、接合温度は報告されていない。
sh for Interconnect Technology"、SMT Trends、Janua
ry 22、1996という初期研究では、良好な接合部が報告
されているが、接合温度は報告されていない。
【0007】日本国特許番号第8139148A号は、
銅の上のパラジウム層の接合性は、接合前に銅がパラジ
ウム層を通してどのくらい拡散しているかを測定するこ
とによって確認できるとしている。ニッケル障壁層がパ
ラジウム下に置かれると、200℃未満で形成された接
合部は用をなさなくなる。
銅の上のパラジウム層の接合性は、接合前に銅がパラジ
ウム層を通してどのくらい拡散しているかを測定するこ
とによって確認できるとしている。ニッケル障壁層がパ
ラジウム下に置かれると、200℃未満で形成された接
合部は用をなさなくなる。
【0008】このような背景から、パラジウムは、ハン
ダ付けによりコンポーネントを装着するため用いられる
パッドを被覆する際に、金の良好な代替物として認めら
れてはいるものの、有機誘電チップ・キャリア上にワイ
ヤ・ボンド・パッドを被覆するためには用いられていな
い。ワイヤ・ボンド・チップ及びハンダ付けされたコン
ポーネントが両方とも1つのキャリア上に装着されると
き、両方のタイプの接合パッドにパラジウムを用いるこ
とは、現在慣習的に行われているように、両方のパッド
に別々のメタラジを用いること、あるいはもっと高価な
金を用いることよりも有益である。
ダ付けによりコンポーネントを装着するため用いられる
パッドを被覆する際に、金の良好な代替物として認めら
れてはいるものの、有機誘電チップ・キャリア上にワイ
ヤ・ボンド・パッドを被覆するためには用いられていな
い。ワイヤ・ボンド・チップ及びハンダ付けされたコン
ポーネントが両方とも1つのキャリア上に装着されると
き、両方のタイプの接合パッドにパラジウムを用いるこ
とは、現在慣習的に行われているように、両方のパッド
に別々のメタラジを用いること、あるいはもっと高価な
金を用いることよりも有益である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、パッ
ケージ、チップ、その他の導電素子上の金属表面との配
線接合を行う改良された方法を提供することによって、
半導体チップのパッケージ化技術を改良することであ
る。
ケージ、チップ、その他の導電素子上の金属表面との配
線接合を行う改良された方法を提供することによって、
半導体チップのパッケージ化技術を改良することであ
る。
【0010】本発明の別の目的は、導電配線を受け取る
改良された接合可能なパッドを持つ電気カード構造を提
供することである。
改良された接合可能なパッドを持つ電気カード構造を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、別の目
的を含めて本発明の1実施例において達成される。実施
例の方法は、第1金属層を置き、第2の薄い金属層を第
1金属層に付着し、第1と第2の金属層を所定温度まで
所定時間加熱することによって、接合可能な金属の表面
を形成することである。この方法はまた、ワイヤを、上
に薄い第2金属層を持つ第1金属層に接合するステップ
を含む。
的を含めて本発明の1実施例において達成される。実施
例の方法は、第1金属層を置き、第2の薄い金属層を第
1金属層に付着し、第1と第2の金属層を所定温度まで
所定時間加熱することによって、接合可能な金属の表面
を形成することである。この方法はまた、ワイヤを、上
に薄い第2金属層を持つ第1金属層に接合するステップ
を含む。
【0012】本発明の別の実施例では、上に少なくとも
1つのワイヤ・ボンド・パッドを持つ回路化された基
板、ワイヤ・ボンド・パッド上の第1金属層及び第1金
属層上の薄い第2金属層よりなる電気カード構造が提供
される。電気カード構造にはまた、上に薄い第2金属層
を持つ第1金属層に接合されるワイヤを追加でき、この
接合は薄い第2層を通して行われる。
1つのワイヤ・ボンド・パッドを持つ回路化された基
板、ワイヤ・ボンド・パッド上の第1金属層及び第1金
属層上の薄い第2金属層よりなる電気カード構造が提供
される。電気カード構造にはまた、上に薄い第2金属層
を持つ第1金属層に接合されるワイヤを追加でき、この
接合は薄い第2層を通して行われる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の1実施例に従っ
た電気カード構造10を示す。電気カード構造10は回
路化された基板11を含む。基板11は、上に銅等の金
属間配線層13(後述)を含む適切な誘電物質(好適に
はこれまでのエポキシ・ガラス等の有機絶縁物)で作ら
れる。少なくとも1つのワイヤ・ボンド・パッド12
を、配線層13の一部として、または別個の電気導体と
して使用できる。配線層13上の第1金属層14は、好
適にはパラジウムから形成され、好適には少なくとも約
5マイクロインチ厚である。銅のボンド・パッドを持つ
実施例では、発明の属する技術分野で述べた理由によ
り、銅とパラジウムの間に約120マイクロインチ乃至
180マイクロインチ厚の薄いニッケル層(図示なし)
を置くのが望ましい。
た電気カード構造10を示す。電気カード構造10は回
路化された基板11を含む。基板11は、上に銅等の金
属間配線層13(後述)を含む適切な誘電物質(好適に
はこれまでのエポキシ・ガラス等の有機絶縁物)で作ら
れる。少なくとも1つのワイヤ・ボンド・パッド12
を、配線層13の一部として、または別個の電気導体と
して使用できる。配線層13上の第1金属層14は、好
適にはパラジウムから形成され、好適には少なくとも約
5マイクロインチ厚である。銅のボンド・パッドを持つ
実施例では、発明の属する技術分野で述べた理由によ
り、銅とパラジウムの間に約120マイクロインチ乃至
180マイクロインチ厚の薄いニッケル層(図示なし)
を置くのが望ましい。
【0014】第1金属とは異なる薄い第2金属層15は
第1金属層14上に置かれる。金属層15は、好適には
厚みが50Å乃至200Åの金である。ここで、このよ
うなかなり薄い金の層は、構造を完成させるコストをあ
まり増やさずに、下の金属層の酸化を防ぐことが知られ
いることに注意されたい。金の層は、周知の浸漬プロセ
スで適用できる。
第1金属層14上に置かれる。金属層15は、好適には
厚みが50Å乃至200Åの金である。ここで、このよ
うなかなり薄い金の層は、構造を完成させるコストをあ
まり増やさずに、下の金属層の酸化を防ぐことが知られ
いることに注意されたい。金の層は、周知の浸漬プロセ
スで適用できる。
【0015】ワイヤ・ボンドのワイヤ17は、これまで
のワイヤ・ボンディング法により、薄い第2金属層15
を通して第1金属層14に接続される。ワイヤ17は、
好適には直径0.0008インチ乃至0.00125イ
ンチの金の細線であるが、アルミニウム、銅等、他のワ
イヤ物質も使用できる。
のワイヤ・ボンディング法により、薄い第2金属層15
を通して第1金属層14に接続される。ワイヤ17は、
好適には直径0.0008インチ乃至0.00125イ
ンチの金の細線であるが、アルミニウム、銅等、他のワ
イヤ物質も使用できる。
【0016】図2は本発明の別の実施例20である。ベ
ース21は回路化された基板22を支持する。ベース2
1は、支持材、固定材、ヒートシンク等であり、基板2
2は、その一部に銅の配線層を含み、マイラーから作ら
れる可撓膜基板(マイラーはE. I. DuPont de Nemour
s、Inc. の商標である)、ポリイミド、薄いエポキシ・
ガラス物質等である。基板22としては単一層しか示し
ていない。基板22は単純に銅等の導電物質の層等から
なる。
ース21は回路化された基板22を支持する。ベース2
1は、支持材、固定材、ヒートシンク等であり、基板2
2は、その一部に銅の配線層を含み、マイラーから作ら
れる可撓膜基板(マイラーはE. I. DuPont de Nemour
s、Inc. の商標である)、ポリイミド、薄いエポキシ・
ガラス物質等である。基板22としては単一層しか示し
ていない。基板22は単純に銅等の導電物質の層等から
なる。
【0017】第1金属層14(好適にはパラジウム)は
回路化された基板22上に置かれる。ニッケルの分離層
24により、第1金属層を基板22から分離することが
できる。これは特にこれら2つの要素にパラジウムと銅
が用いられる場合である。厚みが約50Å乃至200Å
の薄い第2金属層15(好適には金)が第1金属14の
上面を覆う。ボンディング・ワイヤ17は薄い第2金属
層15を通して第1金属層14に接続される。この実施
例では、エポキシまたは他の適切な絶縁物質の保護被膜
物質層26が接合領域の外部の基板22とベース21を
覆う。
回路化された基板22上に置かれる。ニッケルの分離層
24により、第1金属層を基板22から分離することが
できる。これは特にこれら2つの要素にパラジウムと銅
が用いられる場合である。厚みが約50Å乃至200Å
の薄い第2金属層15(好適には金)が第1金属14の
上面を覆う。ボンディング・ワイヤ17は薄い第2金属
層15を通して第1金属層14に接続される。この実施
例では、エポキシまたは他の適切な絶縁物質の保護被膜
物質層26が接合領域の外部の基板22とベース21を
覆う。
【0018】パッドが、ここで開示しているとおりに形
成された他の構造は、半導体チップ、個別コンポーネン
ト等を含み、それらには、熱圧着、超音波等、従来の方
法によりワイヤ・ボンドを接続すれば好都合であろう。
成された他の構造は、半導体チップ、個別コンポーネン
ト等を含み、それらには、熱圧着、超音波等、従来の方
法によりワイヤ・ボンドを接続すれば好都合であろう。
【0019】図1、2の構造を作る好適な方法は、最初
に、これまでの無電解メッキ法により、障壁層(例えば
120マイクロインチ乃至180マイクロインチ厚のニ
ッケル)を銅のボンド・パッドにメッキすることであ
る。次に少なくとも5マイクロインチ厚のパラジウムを
ニッケル層に無電解メッキする。次に薄い金層をパラジ
ウムに浸漬(無電解)メッキする。金層は、200℃未
満では適切なボンドが得られないパラジウムの表面の酸
化を防ぐ。コストを低くするために、金層は極端に薄
く、ただし約50Åを下回らない程度に形成される。こ
の金層は、水素分子の通路が得られるように上部が薄い
ことに注意されたい。これらの水素分子は、下記の処理
の間にパラジウムから、パラジウムの高温により生じ
る。
に、これまでの無電解メッキ法により、障壁層(例えば
120マイクロインチ乃至180マイクロインチ厚のニ
ッケル)を銅のボンド・パッドにメッキすることであ
る。次に少なくとも5マイクロインチ厚のパラジウムを
ニッケル層に無電解メッキする。次に薄い金層をパラジ
ウムに浸漬(無電解)メッキする。金層は、200℃未
満では適切なボンドが得られないパラジウムの表面の酸
化を防ぐ。コストを低くするために、金層は極端に薄
く、ただし約50Åを下回らない程度に形成される。こ
の金層は、水素分子の通路が得られるように上部が薄い
ことに注意されたい。これらの水素分子は、下記の処理
の間にパラジウムから、パラジウムの高温により生じ
る。
【0020】パラジウムと金の層は次に、空気中で約1
時間≧185℃まで加熱される。この加熱の間、パラジ
ウム層に捕捉された水素分子が熱によって付勢され、金
層を通って空気中に放出される。金層が約200Å未満
の厚みであれば、水素分子が充分に通過して放出される
ことが確認されている。水素があるとき、メッキされた
パラジウム物質の表面が硬化するため、200℃未満で
のパラジウム表面に対するボンディングの不良の原因
は、パラジウムに捕捉された水素分子であると、現時点
では考えられている。本発明はこの水素を放出し、加熱
の間、また金を通してワイヤをパラジウムに接合する前
に、パラジウム表面の酸化を防ぐことがわかっている。
更に、本発明により、直径0.001インチの金線を用
いてパラジウム層を200℃以上に加熱せずに、良好な
ボンドが形成されている。
時間≧185℃まで加熱される。この加熱の間、パラジ
ウム層に捕捉された水素分子が熱によって付勢され、金
層を通って空気中に放出される。金層が約200Å未満
の厚みであれば、水素分子が充分に通過して放出される
ことが確認されている。水素があるとき、メッキされた
パラジウム物質の表面が硬化するため、200℃未満で
のパラジウム表面に対するボンディングの不良の原因
は、パラジウムに捕捉された水素分子であると、現時点
では考えられている。本発明はこの水素を放出し、加熱
の間、また金を通してワイヤをパラジウムに接合する前
に、パラジウム表面の酸化を防ぐことがわかっている。
更に、本発明により、直径0.001インチの金線を用
いてパラジウム層を200℃以上に加熱せずに、良好な
ボンドが形成されている。
【0021】金層は、パラジウムの酸化を防ぐ一方、か
なり薄いのでワイヤ・ボンディング自体には何の影響も
与えず、簡単に貫通できる。例えば直径0.001イン
チの金線は、極端に薄い金を貫通し、パラジウム層に直
接接合できる。対照的に、厚い金のパッド・ボンドに対
する金線では、約8マイクロインチ厚のパッド上に金層
が必要になる。この厚みは2032Åに等しい(本発明
に用いられるものの40倍以上)。
なり薄いのでワイヤ・ボンディング自体には何の影響も
与えず、簡単に貫通できる。例えば直径0.001イン
チの金線は、極端に薄い金を貫通し、パラジウム層に直
接接合できる。対照的に、厚い金のパッド・ボンドに対
する金線では、約8マイクロインチ厚のパッド上に金層
が必要になる。この厚みは2032Åに等しい(本発明
に用いられるものの40倍以上)。
【0022】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【0023】(1)接合可能な金属表面を形成する方法
であって、第1金属層を用意するステップと、前記第1
金属とは異なる、薄い第2金属層を前記第1金属層に付
着するステップと、前記薄い第2金属層を含む前記第1
金属層を所定時間の間、所定温度まで加熱することによ
って、前記薄い第2金属層上に接合可能な金属表面を形
成するステップと、を含む、方法。 (2)前記第1金属層はパラジウムであり、約5マイク
ロインチを超える厚みにされる、前記(1)記載の方
法。 (3)前記薄い第2金属層は、約50Å乃至約200Å
の厚さになるまで、金槽に前記パラジウムを浸漬するこ
とによって付着する、前記(2)記載の方法。 (4)前記第1金属層の前記加熱は約185℃で約1時
間行われる、前記(3)記載の方法。 (5)第3の金属を用意し、その後に前記第3金属上の
前記第1金属層をメッキするステップを含む、前記
(1)記載の方法。 (6)前記第3金属をニッケル層とする、前記(5)記
載の方法。 (7)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層にワ
イヤを接合するステップを含む、前記(1)記載の方
法。 (8)前記ボンディングは、直径が約0.0008イン
チ乃至0.00125インチの金線を接合することによ
って行う、前記(7)記載の方法。 (9)前記ボンディングは、ワイヤ・ボンディング機器
を使用して行う、前記(7)記載の方法。 (10)前記第1金属層は誘電基板上に形成する、前記
(1)記載の方法。 (11)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層に
ワイヤを接合するステップを含む、前記(10)記載の
方法。 (12)少なくとも1つのワイヤ・ボンド・パッドが置
かれた回路化された基板と、前記ワイヤ・ボンド・パッ
ド上の事実上水素分子のない第1金属層と、前記第1金
属層上の、前記第1金属とは異なる薄い第2金属の層
と、を含む、電気カード構造。 (13)前記第1金属層は厚みが約5マイクロインチを
超えるパラジウムである、前記(12)記載の電気カー
ド構造。 (14)前記薄い第2金属層は約50Å乃至約200Å
の厚みの金である、前記(13)記載の電気カード構
造。 (15)前記ワイヤ・ボンド・パッドは銅とニッケルか
らなる、前記(12)記載の電気カード構造。 (16)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層に
接合したワイヤを含む、前記(12)記載の電気カード
構造。 (17)前記ワイヤは、直径が約0.0008インチ乃
至0.00125インチの金である、前記(16)記載
の電気カード構造。
であって、第1金属層を用意するステップと、前記第1
金属とは異なる、薄い第2金属層を前記第1金属層に付
着するステップと、前記薄い第2金属層を含む前記第1
金属層を所定時間の間、所定温度まで加熱することによ
って、前記薄い第2金属層上に接合可能な金属表面を形
成するステップと、を含む、方法。 (2)前記第1金属層はパラジウムであり、約5マイク
ロインチを超える厚みにされる、前記(1)記載の方
法。 (3)前記薄い第2金属層は、約50Å乃至約200Å
の厚さになるまで、金槽に前記パラジウムを浸漬するこ
とによって付着する、前記(2)記載の方法。 (4)前記第1金属層の前記加熱は約185℃で約1時
間行われる、前記(3)記載の方法。 (5)第3の金属を用意し、その後に前記第3金属上の
前記第1金属層をメッキするステップを含む、前記
(1)記載の方法。 (6)前記第3金属をニッケル層とする、前記(5)記
載の方法。 (7)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層にワ
イヤを接合するステップを含む、前記(1)記載の方
法。 (8)前記ボンディングは、直径が約0.0008イン
チ乃至0.00125インチの金線を接合することによ
って行う、前記(7)記載の方法。 (9)前記ボンディングは、ワイヤ・ボンディング機器
を使用して行う、前記(7)記載の方法。 (10)前記第1金属層は誘電基板上に形成する、前記
(1)記載の方法。 (11)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層に
ワイヤを接合するステップを含む、前記(10)記載の
方法。 (12)少なくとも1つのワイヤ・ボンド・パッドが置
かれた回路化された基板と、前記ワイヤ・ボンド・パッ
ド上の事実上水素分子のない第1金属層と、前記第1金
属層上の、前記第1金属とは異なる薄い第2金属の層
と、を含む、電気カード構造。 (13)前記第1金属層は厚みが約5マイクロインチを
超えるパラジウムである、前記(12)記載の電気カー
ド構造。 (14)前記薄い第2金属層は約50Å乃至約200Å
の厚みの金である、前記(13)記載の電気カード構
造。 (15)前記ワイヤ・ボンド・パッドは銅とニッケルか
らなる、前記(12)記載の電気カード構造。 (16)前記薄い第2金属層を通して前記第1金属層に
接合したワイヤを含む、前記(12)記載の電気カード
構造。 (17)前記ワイヤは、直径が約0.0008インチ乃
至0.00125インチの金である、前記(16)記載
の電気カード構造。
【図1】本発明の1実施例に従い、金等の第2の金属の
薄片が被覆された、パラジウム等の第1金属パッドへの
ワイヤ・ボンドを示す図である。
薄片が被覆された、パラジウム等の第1金属パッドへの
ワイヤ・ボンドを示す図である。
【図2】ここで開示しているとおり、上に障壁層を含
み、第1と第2の金属の2重金属層を持つパッドへのワ
イヤ接合を示した、本発明の別の実施例を示す図であ
る。
み、第1と第2の金属の2重金属層を持つパッドへのワ
イヤ接合を示した、本発明の別の実施例を示す図であ
る。
10 電気カード構造 11、22 基板 12 ワイヤ・ボンド・パッド 13 金属間配線層 14 第1金属層 15 第2金属層 17 ワイヤ 20 別の実施例 21 ベース 24 分離層 26 保護被膜物質層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・ジェラルド・ガウディエロ アメリカ合衆国13732、ニューヨーク州ア パラチン、グラン・ロード 89 (72)発明者 ルイス・ジーザス・マティエンゾ アメリカ合衆国13760、ニューヨーク州エ ンディコット、カフェルティ・ヒル・ロー ド 1211 (72)発明者 ニヒル・モハン・マーデシュウォー アメリカ合衆国13732、ニューヨーク州ア パラチン、ブラウン・レーン 13
Claims (17)
- 【請求項1】接合可能な金属表面を形成する方法であっ
て、 第1金属層を用意するステップと、 前記第1金属とは異なる、薄い第2金属層を前記第1金
属層に付着するステップと、 前記薄い第2金属層を含む前記第1金属層を所定時間の
間、所定温度まで加熱することによって、前記薄い第2
金属層上に接合可能な金属表面を形成するステップと、 を含む、方法。 - 【請求項2】前記第1金属層はパラジウムであり、約5
マイクロインチを超える厚みにされる、請求項1記載の
方法。 - 【請求項3】前記薄い第2金属層は、約50Å乃至約2
00Åの厚さになるまで、金槽に前記パラジウムを浸漬
することによって付着する、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】前記第1金属層の前記加熱は約185℃で
約1時間行われる、請求項3記載の方法。 - 【請求項5】第3の金属を用意し、その後に前記第3金
属上の前記第1金属層をメッキするステップを含む、請
求項1記載の方法。 - 【請求項6】前記第3金属をニッケル層とする、請求項
5記載の方法。 - 【請求項7】前記薄い第2金属層を通して前記第1金属
層にワイヤを接合するステップを含む、請求項1記載の
方法。 - 【請求項8】前記ボンディングは、直径が約0.000
8インチ乃至0.00125インチの金線を接合するこ
とによって行う、請求項7記載の方法。 - 【請求項9】前記ボンディングは、ワイヤ・ボンディン
グ機器を使用して行う、請求項7記載の方法。 - 【請求項10】前記第1金属層は誘電基板上に形成す
る、請求項1記載の方法。 - 【請求項11】前記薄い第2金属層を通して前記第1金
属層にワイヤを接合するステップを含む、請求項10記
載の方法。 - 【請求項12】少なくとも1つのワイヤ・ボンド・パッ
ドが置かれた回路化された基板と、 前記ワイヤ・ボンド・パッド上の事実上水素分子のない
第1金属層と、 前記第1金属層上の、前記第1金属とは異なる薄い第2
金属の層と、 を含む、電気カード構造。 - 【請求項13】前記第1金属層は厚みが約5マイクロイ
ンチを超えるパラジウムである、請求項12記載の電気
カード構造。 - 【請求項14】前記薄い第2金属層は約50Å乃至約2
00Åの厚みの金である、請求項13記載の電気カード
構造。 - 【請求項15】前記ワイヤ・ボンド・パッドは銅とニッ
ケルからなる、請求項12記載の電気カード構造。 - 【請求項16】前記薄い第2金属層を通して前記第1金
属層に接合したワイヤを含む、請求項12記載の電気カ
ード構造。 - 【請求項17】前記ワイヤは、直径が約0.0008イ
ンチ乃至0.00125インチの金である、請求項16
記載の電気カード構造。
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