TW418523B - Method for fabricating a ferroelectric memory device - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 \ 8 5 2 3 4 7 3 3Pn.doc/Of) 5 A7 _B7_ 五、發明說明（ί ) 本發明是有關於一種半導體元件，且特別是有關於一 種鐵電性記憶體元件及其製造方法。 近代的資料處理系統需要將大部分資料儲存在記憶體 中，供隨機存取，以確保快速存取其資料。爲了在半導體 技術領域實現記憶體的高速操作，所以鐵電隨機存取記憶 體（FRAMs)被發展，而FRAMs所顯露的最大優點在於其 屬於非揮發性的記憶體。鐵電電容器包括一對電容器電極 板（capacitor plates)且在電容器電極板之間具有一鐵電物 質，此電容器電極板具有兩個不同的穩定極化狀態 (polarization state)，其極化狀態可藉由極化對電壓作圖後 所描述的遲滯回路來定義。 目前鐵電物質在半導體工廠中已達商業t的利用。鐵 電性記憶體元件是非揮發性，在低電壓例如低於5伏特即 可編程（但快閃記憶體需要18-22伏特），存取時間少於奈 秒(nano-second)(而快閃記憶體需要微秒），以及具有無限 次讀/寫循環的耐久性。而且這些記憶體元件功率消耗低 (低於1微安培之預備電流），以及具有輻射抵抗力。 鐵電物質的應用爲積體電路應用上的突破，其包括鈣 鈦礦結構之鐵電介電化合物，例如鈦酸锆酸鉛 _、0：；(lead zirconate titanate ; PZT)，鈦酸鋇總（barium strontium titanate ; BST)，欽酸錯酸铅鑭（lead lanthanum zirconate titanate ; PLZT)和總鉍鉬（strontium bismuth tantalum ; SBT)。 在鐵電性記億體之製造過程中，關鍵點在於獲得與一 4 -----.---------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注多ΙΛ再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（，） 電容器/ -電晶體結構和…多層金屬結構相同而無任何退 化現象的鐵電特性。特別是在pzt的情況下，鐵電特性 直接與沉積後回火（post-deposition anneal ing)所產生之錦 鈦礦結晶結構的量有關。因爲pzt層之形成爲非均質 (heterogeneous manner)，所以利用沉積後回火所形成的耗 鈦礦結晶結構容易受與其接觸的物質所影響，其物質比如 電容器電極（即下電極和上電極）。鉑會催化還原反應，即 PZT易氧化而造成在PZT與電極間之介面處產生不預期 的缺陷，使得PZT中的鈦（易被氧化）不足，而衍生可靠度 的問題3 有鑑於此，本發明提出一種改善鐵電特性，如高溫度 保存性（high temperature retention)及高讀/寫耐久性之鐵 電性記億體元件之製造方法。 爲達上述及其他目的，本發明提出一種製造鐵電的 方法，此方法首先係在半導體基底上形成一層第一絕緣 層。複數個電晶體已形成在半導體基底之主動區上。每 一個電晶體包括一具有絕緣蓋層之閘電極與一對向閘電 極側邊延伸之源極/汲極區，而此源極/汲極區位於主動區 中且深及一預定的深度。 鐵電性電容器形成於第一絕緣層上方，ϋ此鐵電性 電容器依序包括一下電極，一鐵電層，以及一上電極。 此外，更在下電極的下方形成一黏著/阻障層。黏著/阻障 層比如是二氧化鈦所製成。下電極係由導電氧化電極與 鉑電極之多層結構所製成。導電氧化電極比如是利用磁 本纸張尺度適用中國國家楳準（CNS)A4規格（210 χ297公坌） --------------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4^8523 五、發明說明（^ ) 控直流濺鍍法形成之二氧化銥所製成。使用鉑電極的目 的在於其可提供一良好的結晶結構，以利於鐵電層的沉 積，而其他適合的電極也可以使用。鐵電層的材質比如 爲PZT。結果PZT鐵電層之鈦成分含量相對較大於锆酸 成分含量。鈦與锆酸的組成成分比例如爲3 : 2，7 : 3或 4 : 1。上電極係由二氧化銥和銥依序組成的多層結構所 製成。利用微影製程形成鐵電電容器。在電容器定義過 後，擴散阻障層形成於鐵電電容器上方。接著之步驟爲 形成內連接。於是第二絕緣層形成於完成之結構上方。 在第二絕緣層和擴散阻障層中形成至下電極的第一開 口。爲了使鉑電極在PZT層作爲還原劑之用之催化效應 降至最低，在氧氛圍中於溫度約450°c的條件下藉由快速 熱回火製程或使用爐管來進行熱處理。在氧氛圍下進行 熱處理有助於穩定二氧化銥電極之形成，使鐵電層與下 電極之介面處所產生的缺陷降至最低，以及使二氧化銥 電極之應力變化降至最低。第一反應阻障層形成於第一 開口中與第二絕緣層上。在第一反應阻障層，第二和第 一絕緣層中形成暴露出源極/汲極區的第二開口。第二反 應阻障層形成於上述之結果結構上，接著，主要的金屬 沉積於其上。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更 明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附 圖式，作詳細說明如下： . 歸1式之簡單說明： 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNShVl規格<2〗〇χ297公釐） I ί ----— In -----線 (請先閲讀背面之注帝K..&再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4185^ _Β7_ 五、發明說明（4) 第1Α圖至第1J圖係依照本發明之一較佳實施例， 一種半導體基底上進行鐵電性電容器製程的部分步驟剖面 示意圖； 第2A圖係依照本發明之一較佳實施例，一種鐵電性 電容器的遲滯回路示意圖；以及 第2B圖係爲習知一種鐵電性電容器的遲滯回路示意 圖。 圖式之標記說明： 10，12，13，14 :遲滯回路 1 〇 〇 :半導體基底 102 :元件隔離區 104 :電晶體 106 :第一絕緣層 108 :黏著/阻障層 1 1 0，1 1 6 :氧化電極層 112，118:金屬電極層 1 1 4 :鐵電層 1 20 :罩幕層 1 2 2 :擴散阻障層 1 2 4 :第二絕緣層 1 2 5 :第一開口 1 2 6 :第一反應阻障層 1 2 8 :第二開口 I 3 0 :第二反應阻障層 7 I ·---------裝--------訂---------線 (請先閒讀背面之注意?4再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ί?】〇χ 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 18523 ________B7____ 五、發明說明（7) 1 3 2 ;第…金屬導線 丨34 :第三絕緣層 1 3 6 :第三開口 1 3 8 :第二金屬導線 實施例 第1A圖至第1J圖係依照本發明之一較佳實施例’ •-種半導體基底上進行鐵電性電容器製程的部分步驟剖 面示意圖。首先，請參照第1A圖’提供·-具有電晶體1〇4 及第一絕緣層106的半導體基底1〇〇，其中電晶體1〇4位 於半導體基底1〇〇之主動區上。主動區被元件隔離區102 於預定的圖案包圍。電晶體104包括一具有絕緣蓋層 (insulating capping layer)的閘電極，以及一對向閘電極側 邊延伸的源極/汲極區，此源極/汲極區位於主動區中且深 及一預定的深度。 請參照第1B圖，黏著/阻障層108形成於第一絕緣層 106上，此黏著/阻障層108是用以加強鐵電性電容器之 下電極與第-絕緣層106之間的黏著力。另外，第一絕 緣層106可當作一層阻障層，用以防止物質的擴軟。黏 著/阻障層108比如是由二氧化鈦(Ti02)所製成。 請參照第1C圖，氧化電極層（oxide electrode layer) 110與銷電極層（platinum electrode layer) 112依序沉積於 黏著/阻障層108上方，此氧化電極層110與鈾電極層112 係作爲電容器之下電極。氧化電極層no的材質比如是 利用磁控直流濺鍍法（DC magnetron sputtering)形成之二 8 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 1· — ·,— !! — ·農-----II — 訂·！----線 (請先閱讀背面之注意亨項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 t 4 18 5 2. 3 4 7 p I [ d o L- . ο 〇 5 A7 ___B7___ 五、發明說明（) 氧化銥（iridium dioxide ; Ir02)。於溫度約600度之氧氛圍 下進行熱處理以增強電極特性。二氧化銥之氧化電極層 】1 0的較佳厚度約爲500埃。使用鉑電極層η 2的目的在 於其可提供-良好的結晶結構，以利於鐵電層 (ferroelectric film)的沉積，而鉑電極層112的厚度約爲 2700埃=熟習此技藝者都知道其他適合的電極也可以被 使用，例如單層的Ir，Rh或Ru可取代二氧化銥和鈉之 雙層結構。此外，雙層結構中的下層係選自於Ir02，IT0, Rh02和MoO;族群之一，而上層係選自於Pt, Ir，Rh和Ru 族群之一-。 鐵電層114形成於下電極110和Π2上，而鐵電層114 比如是PLZT或PZT。依照本發明，鐵電層（PZT)114之 形成方法如下：一層由鐵電物質所組成的先驅物層 (precursor layer)是利用溶膠-凝膠過程（sol-gel process)以 非晶矽型態沉積。此先驅層的鈦成分含量大於锆酸成分 的含量。鈦與锆酸的組成比例例如爲3 : 2，7 : 3或4 : 1。 進行沉積後回火以使得非晶矽產生相轉變，當先驅層由 非結晶相轉變成結晶相，即鈣鈦礦（Perovskite)鐵電介電 相時，其具有所需的鐵電介電特性。此後回火（P〇st-armealing)步驟在氧氛圍且溫度在65〇度以匕，較佳的是 在溫度約700度的條件下藉由快速熱製程或使用爐管 (furnace)來進行。 雙層結構的氧化電極層116與金屬電極層118依序形 成於鐵電層Π4 .卜:方，此氧化電極層116與金屬電極層118 9 本紙張尺度適用t西國家標準（CNS)A4規格（210^297公釐） - !!裝-------1訂---------線 {請先閱讀背面之注意/糸再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A18523 473 3 1M1: Joc/005 A7 __B7__ 五、發明說明（7) 係作爲電容器的上電極=氧化電極層1 1 6的材質比如是 利用磁控直流灑鍍法（DC magnetron sputtering)形成之二 氧化銥（iridium dioxide ; Ir02)。於溫度約450度之氧氛圍 下進行熱處理以提供穩定的氧化導電電極層。此二氧化 銥之氧化電極層Π6的較佳厚度約爲300埃。金屬電極 層118的材質比如爲銥（iridium)且其厚度約爲1700埃。 熟習此技藝者都知道其他適合的電極也可以使用，例如 單層結構的lr，Rh或Ru可取代二氧化銥和鉑之雙層結 構。此外，雙層結構中的下層係選自於Ir02, ITO, Rh02 和Mo03族群之一，而上層係選自於Pt，Ir, Rh和Ru族群 之—-。 在上電極層118上方形成一層厚度約500埃之罩幕 層120,此罩幕層120比如爲二氧化鈦。經由微影的過程， 圖案化此罩幕層120於一預定的形狀。利用此圖案化的 罩幕層120,藉由反應性離子蝕刻（RIE)法非等向性蝕刻 上電極層118和116，以形成上電極圖案。接著，利用微 影蝕刻的步驟蝕刻被暴露出來的鐵電層（PZT)114。爲了去 除蝕刻所造成的損害，將於溫度約450度下進行熱處理。 之後，藉由微影蝕刻的步驟依序蝕刻下電極層112和Π0 以及黏著/阻障層108，以形成如第1C圖所示之預定的結 構。 擴散阻障層122形成於如第1C圖所示之結構上方。 此擴散阻障層122比如爲二氧化鈦，其較佳厚度約爲 500-1000埃左右。擴散阻障層122的功用在於防止電容 Ϊ - -------*1·裝 *-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A-l規格（2〗0 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 418523 ·47.ηΐΜΙ'^οο/{} 05 Α7 ___Β7_ 五、發明說明（？） 器內的物質擴散出去。於溫度650度以上之氧氛圍F進 行熱處理以密實擴散阻障層122。接著，蝕刻部分的擴散 阻障層122以形成如第ID圖所示之鐵電結構。 請參照第1E圖，第二絕緣層！24利用傳統的化學氣 相沉積法（CVD)形成於如第1D圖所示之結構上方’而此 第二絕緣層124比如爲氧化層。依序蝕刻第二絕緣層]24 和擴散阻障層122，以形成暴露出下電極之鉑層Π2的第 一開口 125。鉑會促使還原反應的發生，而此還原劑 (reductam)的特性會氧化鐵電層（PZT)而在下電極舆PZT 層之介面處產生缺陷。爲了降低作爲還原劑之用的釣電 極與PZT層介面處的催化效應，在氧氛圍且溫度約450T： 的條件下藉由快速熱回火製程（RTP)或使用爐管（furnace) 來進行熱處理步驟。因爲在氧氛圍的環境下進行熱處理 有助於穩定下電極，即二氧化銥電極的形成1而且可減 少鐵電層（PZT層）與下電極（銷）之介面處所產生的缺陷以 及降低二氧化銥電極之應力變化量，此應力是由於二氧 化銥在回火過程中轉變成銥所導致的。 第一反應阻障層126形成於第一開口 125與第二絕 緣層124 t，如第1F圖所示。第一反應阻障層126的材 質比如爲氮化鈦，其形成的厚度約爲900埃。第二開口 128 形成於第一反應阻障層丨26,第二絕緣層和第一絕緣層I24 及106中，且暴露出源極/汲極區，如第1G圖所示。 請參照第1H圖，第二反應阻障層130形成於如第1G 圖所示之結構上。第二反應阻障層130係由雙層結構， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂·一-------線 (請先閲讀背面之注意 /龟再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A18523 di.L/005 A7 一—_B7 五、發明說明（f ) 比如具有厚度約300埃之鈦層與約900埃之氮化鈦層所 製成。接著，依序沉積數千埃的鋁（aluminum)以及25〇埃 的氮化鈦層，以形成第一金屬導線132。利用習知之微影 蝕刻步驟定義第一金屬導線132，第二反應阻障層Π0與 第一反應阻障層126,以形成電性連接下電極與源極/汲 極區之接觸層（contact layer)，且位元線也同時形成’如 第11圖所示。 請參照第1·!圖，第三絕緣層134形成於如第II圖所 示之結構上。而第三絕緣層134比如爲電子環繞共振 (electro cyclotron resonant ; ECR)氧化層。此 ECR 氧化層 134的形成步驟係先沉積一層厚度約5000埃的ECR氧化 層，接著平坦化，最後再沉積使之形成厚度約6500埃之 ECR氧化層134。此外，還可使用化學氣相沉積法所形成 之TE0S氧化層來作爲第三絕緣層Π4。鈾刻第三絕緣層 Π4，第二絕緣層124，擴散阻障層122和罩幕層120， 以形成暴露出鐵電電容器上電極之第三開口 136。雖然在 第1J圖中未繪示出，但暴露第一金屬導線132之其他開 口也同時形成。在氮氣氛圍且溫度約450度的環境下進 行熱處理，用以活化位於第二開口 128與矽基底上的鈦

Q 接下來的步驟是形成第二金屬導線。依序於第三開 口 136及第二絕緣層Π4上沉積厚度約6000埃之鋁層與 約250埃之氮化鈦層。利用微影技術，蝕刻氮化鈦層和 鋁層以形成第二金屬導線138。甚至於可在形成鋁層之前 - ,----I----裂--------訂-！ •線 ί請先閱讀背面之注意亨績再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4135 2 3 4 73 3 PI I- doc/00 幻 _B7_ 五、發明說明（/t ) 形成一層厚度約900埃的氮化鈦層。之後，在最終的結 構上進行一保護的步驟（Passivati〇n Process)。 本發明提供一具有鐵電層的鐵電電容器，此鐵電層 含有的鈦成分含量大於锆酸成分的含量，用以改善鐵電 特性，而鈦與锆酸的成分比例例如約爲3 : 2，7 : 3或4 : 1 ° 根據本發明’熱處理歩驟係在絕緣層中形成一用以 形成鐵電電容器之接觸窗開口之後進行，用以改善鐵電 特性。 第2A圖所繪示的是依照上文所提及之本發明之一較 佳實施例，一種鐵電性電容器在施行約IE10疲勞週期 (fatigue cycle)之前（如標號10)與之後（如標號12)的遲滯 回路示意圖。由圖中可看出，最初的遲滯回路(標號1〇)幾 乎與施行約]E10疲勞週期之後的遲滯回路（標號12)沒有 差別。此意味著本發明之電容器即使在施行約1E10疲勞 週期之後，大致上仍保持最初的鐵電特性。 提供第2B圖以與第2A圖做比較，第2B圖係爲習知 —種鐵電性電容器的遲滯回路示意圖。値得注意的是，習 知之鐵電層中錆酸與鈦的成分比例爲U : 12，且習知使 用單層結構的上電極（即鉑）。由圖中可看出，最初的遲滯 回路(標號丨3)與施行約丨E10疲勞週期之後的遲滯回路(標 號14)有非常大的差異。 提供表1以陳述本發明的優點。 - - - -- - ---------------訂·---I 1!-^ (請先閲讀背面之注意/.冷再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ297公釐） 4 7.VU1]}· ϋ(U/0H5 Α7 4 7.VU1]}· ϋ(U/0H5 Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _______Β7 五、發明說明（// ) 表1 參數 繪示於第2A圖之 鐵電電容器 繪示於第2B圖之 鐵電電容器 在5伏特下切換 70.4 pC/cm2 63‘7 pC/cm2 在5伏特下不切換 16.7 μΟ/αη2 ---.- 32,8 pC/cm2 在3伏特下切換 59.1 μΟ/οτη2 5 1.8 pC/cm2 在3伏特下不切換 1 2,1 pC/cm2 26.5 μΟ/οιη2 在5伏特下之2Pr 53.7 pC/cm2 30.9 μΟ/ςηι2 在3伏特下之2Pr 47.0 μΟ/οιη2 25·3 pC/cm2 2Pr(在疲勞測試之 後） 46.4 \xCIcm2 6.8 μΟ/οιτ»2 %, 2Pr 90.8% 5.8% 由表1可看出，根據本發明所得之在5伏特和3伏 特下的切換電量比起習知要高的多。而依照本發明所得 之在5伏特和3伏特下的不切換電量約爲習知的二分之 一。因此，本發明殘留的極化強度（remnant polarization ; Pr)約爲習知的兩倍。在施行約1E10疲勞週期（在±5伏特 雙極脈衝（bipolar pulse) ’ 1 MHz，50%工作週期（duty cycle)) 之後，本發明之2Pr約爲46.4 pC/cm2，其仍爲施行疲勞 週期之前2Pr的98%(=47/46.4 X 100)。另一方面，習知之 2Pr約爲6.8 MC/cm2，其只有施行疲勞週期之前2Pr的 5·80/〇(=25.3/6·8 X 100)。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵0x 297公釐） -I . 裝--------訂---------線 (靖先閲讀背面之注意r-ff再填寫本頁) 41852 3 47.]^ΙΊ1; iloc/00 5 A7 ____B7______ 五、發明說明（/〆） 本發明提出一種製造鐵電電容器的製造方法，此方 法所得之鐵電性電容器具有良好的鐵電特性，例如具有 無限次讀和寫循環之耐久性，以及高殘留極化強度。 雖然本發明已以…-較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾’因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準° I.-------- ----裝-----I--訂---------線 (請先閲讀背面之注意事.pf再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 4 185 2 3 六、申請專利範® 1. -種在一半導體基底上製造鐵電性記憶元件的方法， 該半導體基底具有一電晶體，該電晶體具有一源極/汲極 區與一閘電極，該方法包括： 在該半導體基底上形成一第一絕緣層； 在該第一絕緣層上形成一鐵電電容器，該鐵電電容器 係由一下電極，一鐵電層與一上電極所組成’該鐵電層 之鈦含量大於锆酸； 裝 形成一第二絕緣層； 蝕刻該第二絕緣層之一特定部分以形成一暴露該下電 極之第一開口； 進行一熱處理步驟以防止該下電極與該鐵電層間之一 介面處發生反應； 蝕刻該第二與該第一絕緣層以形成一暴露該源極/汲極 區之第二開口；以及 線 在該第二絕緣層上與該第一和該第二開口中形成一接 觸層，用以電性連接該下電極與該源極/汲極區。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中更包括在形 成該第一絕緣層之後，形成一黏著層，用以改善黏著力。 經濟部智慧財/I局員工消費合作社印製 3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該黏著層係 包括二氧化鈦； 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該下電極係 選自Pt，Ir，Rh和Ru族群之一。 16 本紙乐尺度適用中國国家標準（CNS ) A4说格（2tOX 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 4 Γ…3 .\s 4 7 3 3 IM l; .doc /0 0 5 ('X IJ、 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該下電極係 由一層選自於lr02, ITO, 1〇1〇2和1^〇03族群之一，而另一 層選自於Pt，Ir, Rh和Ru族群之一的雙層結構所組成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該鐵電層係 選自於PZT和PLZT族群之一。 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該PZT之 锆酸和鈦的成份比例係爲4 : 6 ’ 3 : 7或2 : 8 ^ 8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其屮該PLZT之 锆酸和鈦的成份比例係爲4:6 ’3:7或2:8。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該上電極係 選自Pt，Ir，Rh和Ru族群之一。 10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該上電極 係由一層選自於ΙιΌ2, ITO, Rh02和Mo03族群之一，而另 一層選自於Pt，Ir, Rh和Ru族群之一的雙層結構所組成。 11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括形成一 擴散阻障層，以防止周圍的物質因擴散而進入該鐵電電 容器。 12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該擴散阻 障層係包括二氧化鈦。 Π.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該熱處理 步驟係在溫度約450度之氧氛圍下’利用爐管和快速熱 製程其中之一來達成。 14.如申請專利範圍第1項所述之方法’其中更包括在 形成該第一開口之後，形成一阻障層。 I.--.-------^------17------線 (清?-閘"#而.，/"意"-項^:填^-本頁) 本紙乐尺度適用中國囷家標準（CNS ) Λ·4規格（210X297公.聲） 418523 Λ，、 1 7 VU> I Γ DS 力、申請專利範圍 15. 如申請專利範圍第I4項所述之方法，其中該阻障層 係包括氮化鈦。 16. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該接觸層 係依序由Ti，TiN，A1和TiN之多重結構所製成ΰ 17. -種鐵電性記憶元件，包括： 一形成在一半導體基底之一主動區的電晶體’該電晶 體由一鬧氧化層，一具有一罩幕與側壁間隙壁之聞電極’ 以及一源極/汲極區所組成； 一第絕緣層形成在該電晶體和半導體基底上； 一鐵電電容器形成在該第一絕緣層上’該鐵電電容器 係由一下電極，一鐵電層與一上電極所組成； 一第二絕緣層形成在該鐵電電容器與該第+ +•絕緣層 上； 一第一開口形成在該第二絕緣層中且暴露出該下電 極； 一第二開口形成在該第一與該第二絕緣層中且暴露出 該源極/汲極區；以及 接觸層形成在該第二絕緣層上與該第一和該第二開 口中，用以電性連接該下電極與該源 18. 如申請專利範圍第17項所述括在該第 一絕緣層與該下電極之間形成一黏著用以改善彼此 19. 如申請專利範圍第17項所述之^^^]其中該鐵電層 係選自於ΡΖΤ和PLZT族群之一。 {请-閱^背.'".,-.'£意_項"4寫衣汗 XT '*5 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（2I0V297公釐） 185/ 185/ iPH'.doc/aiJ? AS BX ΓΚ [)h 申請專利範圍 20. 如申請專利範圍第19項所述之^^\，其中該PZT 之銷S酸和鈦的成份比例係爲4 : 6 ’ 3 : 21. 如申請專利範圍第19項所述之东+該PLZT 之锆酸和鈦的成份比例係爲4 : 6，3 : 7或-Γ: 8。 ("*聞讀背面之"惠事-"'再填寫本育、) 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規珞（2iO>:2W公釐）