TW394984B - Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus - Google Patents

Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus Download PDF

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Description

經濟部中央標準局貝工消费合作社印簟 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 本發明係關於晶圓處理裝置和方法、晶圓運送機器人 、半導體基底製造方法、和半導體製造裝置，且更特別關 铃將晶圓浸漬於處理溶液中以處理晶圓之晶圓處理裝置和 方法、適於此處理的晶圓運送機器.人、及半導體基底製造 方法和施加處理之半導體製造裝置。 相關技藝說明 j黑蝕刻係將晶圓浸漬於溶液中以執行處理之典型實施 例。濕蝕刻的一目的係改進平面內的均勻性。傳統上，使 g中的蝕刻溶液流通而供應新鮮的蝕刻溶液至反應表面， ^確保平面內均勻性。將晶圓浸漬於溶液中以執行處理的 另一實施例係晶圓淸洗處理。日本專利公開號8 — 2 9 3 4 7 8揭示一種晶圓淸潔裝置，其於浸漬晶圓一部份於溶 液中時施加超音波並旋轉晶圓，以增加晶圓淸潔效率。 日本專利公開號8 — 2 9 3 4 7 8中所揭示的晶圓淸 潔裝置會在使晶圓與旋轉凸輪相接觸時，旋轉晶圓，其使 凸輪及其配件產生粒子。 在此晶圓淸潔裝置中，超音波的駐波強度會於晶圓的 中心及週圍部份改變。由於凸輪會阻礙超音波的傳送，所 以超音波無法均.勻地施加至整個晶圓表面。因此，無法均 勻地處理晶圓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜 •訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _________^_B7_五、發明説明g ) 在晶圓淸潔裝置中，超音波會振盪槽中的溶液，結果 ’晶圓也會振盪。晶圓及凸輪會傾向於彼此滑脫，且晶圓 寧法均勻地旋轉。 在晶圓淸潔裝置中，當具有定向平坦部之晶圓要被處 理時，用以將旋轉力從凸輪傳遞至晶圓的條件會於定向平 坦部處及其餘部份改變。因此，晶圓無法均勻地旋轉。 發明槪述 本發明係慮及上述問題而創作，且其目的係使晶圓處 理均勻。 本發明的另一目的係防止粒子所產生的晶圓污染。 根據本發明之晶圓處理裝置係將晶圓浸入於處理溶液 中以處理晶圓之晶圓處理裝置，特徵爲包括晶圓處理槽. :直接或非直接固持晶圓之固持部、及驅動部，該驅動部係 用以從處理槽之上支持固持部份以便在處理槽中擺動固持 部。 在晶圓處理裝置中，驅動部較佳地作爲輸送機構以便 在裝置及另一裝置之間輸送晶圓。 晶圓處理裝置更較佳地包括超音波產生機構以便在處 理槽中產生超音波。 晶圓處理裝置較佳地進一步包括擺動支持構件，該擺 動支持構件會於驅動部旋轉晶圓時與晶圓週邊部份相接觸 ，藉以支持驅動部所執行之旋轉。 在晶圓處理裝置中，與晶圓的週邊部份接觸之擺動支 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 本纸張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- A7 ____B7 五、發明説明（3 ) 持構件會較佳地圓化。 在晶圓處理裝置中，與晶圓的週邊部份接觸之擺動支 持構件在與晶圓表面實際地平行的方向上具有溝槽。 在晶圓處理裝置中，溝槽較佳地具有V形狀。. 在晶圓處理裝置中，溝槽較佳地具有全波整流形狀。 在晶圓處理裝置中，處理槽較佳地包括循環機構，該 循環機構包含溢流槽。 在晶圓處理裝置中，驅動部較佳地擺動固持部，以便 當晶圓的週邊部與擺動支持構件接觸時，旋轉晶圓。 在晶圓處理裝置中，超音波產生機構較佳地包括超音 波槽、超音波源、及用以調整超音波槽中的超音波源之位 置的調整機構，且超音波會較佳地經由置於超音波槽中的 超音波傳送介質而傳送至處理槽。 在晶圓處理裝置中，驅動部較佳地包括水平地驅動固 持部之第一驅動部、及垂直地驅動固持部之第二驅動部。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 在晶圓處理裝置中，固持部較佳地將晶圓固持成實際 垂直於處理槽的底面，且驅動部較佳地在實際垂直於處理 槽底面之平面內擺動晶圓。 在晶圓處理裝置中，驅動部較佳地於處理槽內擺動固 持部，以便以處理液實際均勻地處理晶圓。 在晶圓處理裝置中，固持部較佳地固持能儲存多個晶 圓之晶圓固持器。 在晶圓處理裝置中，能與處理液接觸之處理槽、固持 部及驅動部的至少一些部份係較佳地由選自石英及塑膠組 -6- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公嫠） Μ Β7 五、發明説明β ) 成的族群中之材料所製成。 在晶圓處理裝置中，能與處理液接觸之處理槽、固持 部及驅動部的至少一些部份係較佳地由選自氟樹脂、氯乙 烯、聚乙烯、聚两烯、聚對酞酸伸丁酯（PBT)、及聚 醚醚酮（PEEK)組成的族群中之材料所製成。 根據本發明之晶圓輸送裝置係用以輸送晶圓之晶圓輸 送裝置，特徵爲包括用以直接或非直接固持晶圓之固持部 、及用以延著輸送通道驅動固持部之驅動部，驅動部會將 晶圓浸於晶圓處理槽中並於延著輸送通道之中途擺動晶圓 {許先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 經 ▲ 部 中 矣. 標 準 局 貝 X. 消 費 合 作 社 % 在晶圓輸送裝置中 持部之第一驅動部、及 在晶圓輸送裝置中 地垂直處理槽之底面， 槽的底面之平面內擺動 在晶圓輸送裝置中 持部以便以處理槽內的 在晶圓輸送裝置中 持部以便當晶圓週圍部 ，加強晶圓擺動* 在晶圓輸送裝置中 持部以便當晶圓的週圍 時，旋轉晶圓。 在晶圓輸送裝置中 ，驅動部較佳地包括水平地驅動固 垂直地驅動固持部之第二驅動部。 ，固持部較佳地將晶圓固持成實際 且驅動部較佳地在實際垂直於處理 晶圓。 ，驅動部較佳地在處理槽內擺動固 處理液實際均勻地處理晶圓。 ，驅動部較佳地於處理槽內擺動固 份與形成於處理槽中的突部接觸時 ，驅動部較佳地在處理槽內擺動固 部份與形成於處理槽中的突部接觸 ，固持部較佳地固持能儲存多個晶 ,τ--訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210〆297公楚） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5 ) 圓之晶圓固持器。 根據本發明之半導體製造裝置，特徵爲包括晶圓輸送 裝置，及一或多個晶圓處理裝置。 根據本發明之晶圓處理方法係將晶圓浸於處理液中處 理晶圓之晶圓處理方法，特徵爲包括從晶圓處理槽上支持 晶圓時將晶圓浸入於處理溶液中，並於處理槽內擺動晶圓 。在晶圓處理方法中，當晶圓於處.理槽內擺動時，於處理 液中較佳地產生超音波。 在晶圓處理方法中，當晶圓於處理槽內擺動時，較佳 地使晶圓的週圍部份接觸形成於處理槽中的突部以加強晶 圓的擺動。 在晶圓處理方法中，當晶圓在處理槽內擺動時，較佳 地使晶圓的週圍部份與形成於處理槽中的突部接觸以旋轉 晶圓。 在晶圓處理方法中，較佳地擺動晶圓以便以處理液實 際均勻地處理晶圓。 晶圓處理方法藉由使用蝕刻溶液作爲處理液以蝕刻晶 圓。 晶圓處理方法藉由使用蝕刻溶液作爲處理液以蝕刻具 有多孔矽層之晶圓。 根據本發明之S 0 I晶圓製造方法特徵爲包括在一部 份製造步驟中使用晶圓處理方法製造S 0 I晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法特徵爲包括使用晶圓處理 裝置處理晶圓。 !ΜΊϋ--l· n 1· I.參-11111 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） -8 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（6 ) 根據本發明之晶圓處理方法特徵爲包括使用晶圓處理 裝置蝕刻形成於晶圓上的特別層》 根據本發明之S 0 I晶圓製造方法特徵爲包括於一部 份製造步驟中使用晶圓處理方法製造S 0 I晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中，並於改變作用於晶圓上的超音.波強度時處理晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中，並於移動晶圓時處理晶掘。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中，並於擺動晶圓時處理晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中，並於擺動晶圓至交會超音波的振動平面時處理晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中、支持晶圓成實際地垂直於超音波的振動平面、及於擺 動晶圓至交會超音波的振動平面時處理晶圓。 根據本發明之晶圓處理方法係於供應超音波時處理晶 圓之晶圓處理方法，特徵爲包括將晶圓完全浸入於處理液 中、支持晶圓成實際地平行於超音波的振動平面、及於擺 動晶圓至交會超音波的振動平面時處理晶圓》 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 A7 _ B7___ 五、發明説明（7 ) 根據本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步 驟：在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層 、黏著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將 非多孔層夾於第一基底側與第二基底之間、從黏著結構移 除第一基底以曝露其第二基底側上的多孔層之移除步驟、 及於多孔層曝露於其上之第二基底側完全浸於蝕刻溶液中 並施加超音波時蝕刻多孔層，藉以.曝露第二基底側的表面 之蝕刻步驟，蝕刻步驟會改變作用於第二基底側上的超音 波強度。’ 根據本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步 驟：在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層 、黏著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將 非多孔層夾於立體結構的第一基底側與第二基底之間、從 黏著結構移除第一基底以曝露其第二基底側上的多孔層之 移除步驟、及於多孔層曝露於其上之第二基底側堯全浸於 _刻溶液中並施加超音波時蝕刻多孔層藉以曝露第二基底 側的表面之蝕刻步驟，蝕刻步驟會移動第二基底側。 本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步驟： 在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層、黏 著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將非多 孔層夾於第一基底側與第二基底之間、從黏著結構移除第 一基底以曝露其第二基底側上的多孔層之移除步驟、及於 多孔層曝露於其上之第二基底側完全浸於蝕刻溶液中並施 加超音波時蝕刻多孔層藉以曝露第二基底側的表面之蝕刻 —•^i I n n I I n I — I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ,ιΜ. 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 £7______五、發明説明（8 ) 步驟，蝕刻步驟會擺動第二基底側。 本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步驟： 在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層、黏 著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將非多 孔層夾於第一基底側與第二基底之間、從黏著結構移除第 —基底以曝露其第二基底側上的多孔層之移除步驟、及於 多孔層曝露於其上之第二基底側完.全浸於蝕刻溶液中並施 加超音波時蝕刻多孔層藉以曝露第二基底側的表面之蝕刻 步驟，蝕刻步驟會擺動第二基底側至交會超音波的振動平 面。 本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步驟： 在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層、黏 著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將非多 孔層夾於第一基底側與第二基底之間、從黏著結構移除第 —基底以曝露其第二基底側上的多孔層之移除步驟、及於 多孔層曝於其上之第二基底側完全浸於蝕刻溶液中和被支 持成實際地垂直於超音波振動平面、及施加超音波時，蝕 刻多孔層藉以曝露第二基底側的表面之蝕刻步驟，蝕刻步 驟會擺動第二基底側至交會超音波的振動平面。 本發明之半導體基底製造方法特徵爲包括下述步驟： 在形成於第一基底的表面上之多孔層上形成非多孔層、黏 著立體結構之第一基底側與分別製備之第二基底以將非多 孔層夾於第一基底側與第二基底之間、從黏著結構移除第 一基底以曝露其第二基底側上的多孔層之移除步驟、及於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 五、發明説明（9 ) 多孔層曝露於其上之第二基底側完全浸於蝕刻溶液中和被 支持成實際地平行於超音波振動平面、及施加超音波時， 蝕刻多孔層藉以曝露第二基底側的表面之蝕刻步驟，蝕刻 步驟會擺動第二基底側至交會超音波的振動平面。 從參考附圖之下述本發明實施例中，可更加淸楚本發 明的其它目的、特點及優點。 圖式簡述 圖1 A係顯示根據本發明較佳實施例之晶圓處理裝置 、 的構造輪廓； 圖1B係顯示固持器驅動機構之構造輪廓； 圖2A至2E係解釋晶圓擺動方法之視圖； 圖3係顯示擺動支持構件構造之實施例； 圖4 A及4 B.係顯示擺動支持構件構_造之另一實施例 、 · » · 圖5 A係透視圖，顯示具有晶圓處理裝置之晶圓處理 系統的結構之輪廓； 圖5 B係前視圖，顯示具有晶圓處理裝置之晶圓處理 系統的結構輪廓； 圖6 A至6 D係用以解釋晶圓擺動方法之另一實施例 的視圖； 圖7係顯示根據本發明的另—實施例之晶圓處理裝® 構造輪廓；及 圖8 A至8 F分別顯示製造半導體基底之方法。 (请先《读背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐） -12- A7 B7 五、發明説明（10 ) 主要元件對Μ表 2 3， 4 2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 1 b 3 1c 3 1 d 3 1a 4 1 5 1 6 1 6 2 7 1 8 0 8 1 10 0 10 1 晶圓處理槽 溢流槽 擺動支持構件 擺動支持構件 V形溝槽 液面 晶圓固持器 固持器驅動機構 固持器驅動機構 抓握部 桿 水平驅動軸 垂直驅動軸 抓握部 晶圓 超音波源 超音波槽 調整機構 循環器 晶圓移動機構 臂 晶圓處理裝置 晶圓處理裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -r、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 五、發明説明（Μ ) A7 B7 5 0 1 單 晶 矽 基底 5 0 2 多 孔矽 層 5 0 3 非 多 孔 層 5 0 4 S i 〇 2層 5 0 5 第 二 基 底 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 較佳實施例詳述 將參考附圖，於下說明本發明之較佳實施例。 〔第一實施例〕 圖1 A係顯示根據本發明較佳實施例之晶圓處理裝置 的構造之輪廓。根據本實施例之晶圓處理裝置可廣泛地應 用至蝕刻、淸潔、及供應處理液至晶圓之另一處理。 在根據本實施例之晶圓處理裝置1 0 0中，會與處理 液接觸的部份可根據所要的使用而較佳地由石英或塑膠所 製成。塑膠的較佳實施例係氟樹脂、氯乙烯、聚乙烯、聚 丙烯、聚對酞酸伸丁酯（P B T )、及聚醚醚酮（ P E E K )。氯樹脂的較佳實施例係P V D F、P F A、 及 P T F E。 此晶圓處理裝置1 0 0具有晶圓處理槽1 1、及固持 器驅動機構3 1，用以在晶圓處理槽1 1中擺動晶圓固持 器2 1。晶圓處理裝置1 〇 〇較佳地包括超音波槽6 1。 爲處理晶圓，晶圓處理槽1 1會裝有處理液。4平面 溢流槽1 2會安裝於晶圓處理槽1 1上，並由具有過濾器 (諳先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) I I I 4! I ί- I ----^ 1 n I - - I ^ I n - n u *4 n HI - Is I u n —J n n n I n n n a.— - . . ( > - c . 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -14 -
I 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 ____B7五、發明説明（12 ) 之循環器7 1將處理溶液從晶圓處理槽1 1的底部供應入 晶圓處理槽1 1中》從晶圓處理槽1 1溢流之處理溶液會 儲存於4平面溢流槽1 2中，並從4平面溢流槽1 2的底 部釋放至循環器7 1。由於晶圓處理裝置1 0 0會於固持 器驅動機構3 1擺動晶圓固持器2 1時搖動處理溶液，所 以處理溶液的液位可保持固定。因此，包含4平面溢流槽 1 2之循環系統是非常有用的。 晶圓固持器2 1爲商業上可取得之產品，且較佳地由 石英或塑膠所製成。塑膠的較佳實施例是氟樹脂、氯乙烯 、聚乙烯、聚丙烯.聚對酞酸伸丁酯（P B T )、及聚醚 醚酮（P E E K )。氟樹脂的較佳實施例係P V D F、 固持器驅動機構3 1具有一對抓握部3 1 a ，用以抓 握晶圓固持器2 1。晶圓固持器2 1會由一對抓握部 3 1 a抓握並被浸於晶圓處理槽1 1中。當晶圓固持器 2 1於晶圓處理槽1 1內擺動時，可對晶圓4 1執行所需 處理。固持器驅動機構3 1會作動以輸送固持已接受先前 處理的晶圓4 1之晶圓固持器2 1至晶圓處理槽1 1或下 -處理，因而作爲晶圓處理裝置1 0 0的一部份。 在本實施例中，以抓握部3 1 a固持晶圓固持器2 1 而非直接地固持晶圓4 1。或者，舉例而言，可由夾墊取 代抓握部3 1 a以直接地固持晶圓4 1。固持晶圓4 1之 方向並不限於垂直晶圓處理槽1 1的底面之方向，且可爲 平行於底面之方向。擺動支持構件1 3在固持器驅動機構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -15: (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 _B7五、發明説明（13 ) 方向並不限於垂直晶圓處理槽1 1的底面之方向，且可爲 _平行於底面之方向。擺動支持構件13在固持器驅動機構 3 1擺動晶圓4 1時用以增加晶圓4 1的擺動效率，其較 佳地配置於晶圓處理槽11的底部。當晶圓固持器21移 動時，擺動支持構件1 3會與晶圓固持器21所固持的晶 圓4 1之週圍部份相接觸，以藉由摩擦力旋轉晶圓4 1並 於晶圓固持器2 1內將其垂直移動.。擺動支持構件1 3可 用於改進處理的晶圓之平面內均勻度。 也可有效地配置驅動機構以垂直地（y軸方向）及/ 或水平地（X軸方法）移動擺動支持構件1 3。在此情形 中，擺動支持構件1 3本身可移動以旋轉晶圓4 i及於晶 圓固持器2 1內垂直地移動它。因此，可以減少固持器驅 動機構31移動晶圓固持器21的移動範圍，換言之，可 以縮小晶圓處理槽1 1的尺寸 超音波源5 1會配置於超音波槽6 1中，並塡充超音 波傳送介質（例如，水）。超音波源5 1係固定於調整機 構6 2，該調整機構6 2係用以垂直地及/或水平地調整 超音波5 1之位置。可藉由調整機構6 2調整超音波源 5 1與晶圓處理槽1 1之間的位置關係，而使要供應至晶 圓處理槽11，特別是要供應至晶圓41之超音波最佳化 。超音波源5 1較佳地具有調整要被產生的超音波之頻率 或強度之功能。此可進一步最佳化超音波供應。由於超音 波源5 1具有使供應至晶圓4 1之超音波供應最佳化’所 以，可處理不同型式的晶圓。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 |裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -16- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7_ 五、發明説明（14 ) 圖1 B係顯示固持器驅動機構3 1的構造之輪廓。藉 由開啓/關閉桿3 1 b可開啓抓握部3 1 a，及藉由收縮 這些桿3 l b，可關閉抓握部3 1 a。固持器驅動機構 31會延著水平驅動軸31c於X軸方向移動並延著垂直 驅動軸31d於y軸方向移動》 圖2 A至2 E係用以解釋晶圓擺動方法。在圖2 A至 2 E中，箭頭係標示晶圓固持器2.1的移動方向。圖2 A 係顯示正好在開始擺動晶圓之前的狀態。當下令啓動晶圓 擺動時，如圖2 B所示，固持器驅動機構3 1會在電腦控 制之下，降下抓握部3 1 a。在此下降期間，晶圓4 1的 週圍部份會與.擺動支持機構1 3接觸。結果，晶圓4 1的 下部會由擺動支持構件13所支持。 擺動支持構件13在與晶圓41接觸時會產生一些粒 子。如圖3所示，將擺動支持機構1 3的遠端部份圓化， 則擺動支持機構3 1可較佳地平滑接觸晶圓4 1。 由於擺動支持機構13足以支持晶圓41的擺動’所 以其會形成爲諸如薄板等不會阻礙超音波傳送之形狀。以 此形狀，要被供應至晶圓4 1的超音波可爲均勻以便均勻 地處理晶圓4 1。 .. 由於晶圓處理裝置1 0 0會於改變晶圓4 1與擺動支 持構件1 3之間的位置關係（換言之，晶圓4 1與晶圓處 理槽1 1之間的相對位置關係）時處理晶圓4 1 ’所以’ 支持構件13所造成的超音波輕微不均勻並不會有任何問 題。 · >紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -17- I:----.-III ^ I-^丨 — I—1T-----上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印褽 A7 B7_ __ 五、發明説明（15 ) 由於晶圓固持器2 1的稍微大的下降量會增加晶圓 4 1與擺動支持構件1 3之間的接觸壓力，所以，可以防 止擺動支持構件1 3與晶圓4 1之間的滑脫，以防止操作 固障。這是因爲，假使下降量過小，則晶圓4 1重力於晶 圓固持器21上之作用遠大於其於擺動支持機構13的作 用。當使用具有根據本實施例的形狀之擺動支持構件1 3 時，在晶圓4 1與擺動支持構件1.3接觸之後，下降量較 佳地約爲3 Οιππι。 如圖2 C所示，在降下晶圓固持器2 1時，固持器驅 動機構3 1會在電腦控制.下，將抓握部3 1 a向右移動（ X軸的正向）。結果，當晶圓4 1順時針旋轉時會於晶圓 處理槽11中實際水平地向右移動（X軸的正向）。抓握 部3 1 a的移動量必須設定爲其不會與晶圓固持器2 1的 下部處的開口部相撞之範圍內。. 在晶圓固持器2 1向右移之後（X軸的正向），如圖 2D所示，固持器驅動機構3 1會垂直地移動抓握部 3 1 a。抓握部3 1 a的移動量較佳地落在晶圓4 1不會 接近處理溶液的液面1 4圍內。這是因爲假使晶圓4 1接 近液面1 4時則粒子可能附著於晶圓4 1的表面。
在完成晶圓固持器2 1的向上移動時，如圖2 E所示 ，固持器驅動機構3 1會在電腦控制之下向左移動抓握部 i 3 a (X軸的負向）以使它們歸回至初始狀態（圖2A )°
藉由重覆地執行上述操作（圖2八->圖2 B —圖2 C >紙張尺度適用中國國家搮準（CNS) A4规格（210x297公釐） -18- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ”裝· 订 A7 _B7____ 五、發明説明（16 ) —圖2 D —圖2 E )，則可適當地擺動及均勻地處理晶圓 4 1° 根據晶圓處理裝置1 0 0，由於晶圓4 1會於超音波 的供應藉由調整超音波槽61而最佳化之區域中被擺動， 所以作用於晶圓4 1上的超音波可最隹化》 超音波的駐波於固定間隔具有迴路（高強度部份）及 節點（低強度部份）。因此，在晶.圓處理槽1 1中，超音 波難以均勻β 但是，由於晶圓處理裝置1 0 0會以固持器驅動機構 3 1擺動晶圓4 1，因此，不管超音波強度分佈是否有些 不均勻，其依然能均勻地處理晶圓4 1。即使移動晶圓 4 1的方向係諸如僅爲水平、垂直、或斜向等簡單方向， 其依然有助於晶圓4 1處理的均句度。藉由使晶圓4 1於 其軸向（ζ軸方向）上擺動，則可修正導因於水平平面中 的超音波之高強度部份之晶圓間的處理不均勻。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 由於晶圓處理裝置1 0 0進一步包括擺動支持構件 1 3，可有效率地增加晶圓4 1的擺動量。擺動支持構件 1 3的固定位置不限於晶圓處理槽1 1的底部。只要擺動 支持構件1 3與晶圓固持器2 1的所有晶圓4 1接觸，則 其可固定至諸如晶圓處理槽1 1之側壁或固持器驅動機構 3 1 (在此情形中，配置一機構，改變擺動支持構件1 3 與抓握部3 1 a之間的相對位置關係）。 根據晶圓處理裝置1 0 0，由於無驅動機構存在於晶 圓處理槽1 1中，所以，驅動機構不會產生粒子。 -19- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7_五、發明説明（17 ) 即使晶圓處理裝置1 0 0未包括任何超音波槽6 1， 其依然能作爲晶圓處理之裝置。更特別的是，假使晶圓處 理裝置1 0 0具有在晶圓處理槽1 1內由固持器驅動機構 3 1擺動晶圓固持器2 1之功能，則其僅以此功能，即可 均勻地處理晶圓4 1，並有效地搖動處理溶液。在處理晶 圓4 1時所產生的氣體等等，可有效地從晶圓4 1的表面 移除。由於固持器驅動機構3 1可.以作爲晶圓4 1的輸送 及擺動機構，所以，可以有效地處理晶圓。 圖4A係擺動支持構件13的構造之另一實施例的整 體視圖。圖4 B係擺動支持構件1 3的部份放大視圖。假 使超音波的強度爲高時，則擺動支持構件1 3的遠端部及 晶圓41會滑脫且無法有效地擺動晶圓41。 圖4 A及4 B中所示之擺動支持構件1 3'具有固定間 隔之V形溝槽1 3' a。藉由形成這些V形溝槽1 3 a，則 可增加與晶圓4 1的接觸面積。由於擺動支持構件1 3’會 與晶圓4 1嚼合以便挾住它，所以.，晶圓4 1的擺動頻率 會增加。即使晶圓4 1會振動以便暫時地與擺動支持構件 1 3 ’隔開，則除非晶圓4 1準確地垂直移動，否則與晶圓 4 1的摩擦力並不會增加。 在擺動支持構件1 3’的遠端部之溝槽可具有形狀 1 3 b，亦即，全波整流形狀。在此情形中，由於溝槽並 未具有任何上端，所以，與V形溝槽1 3 a不同，在接觸 晶圓4 1時之粒子產生可受抑制。 I I I I 裝— ―― I I I I 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -20 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 〔第二實施例〕 圖5 A係透視圖，顯示具有晶圓處理裝置1 0 0之晶 圓處理系統的構造之輪廓。圖5 B係前視圖，顯示圖5 A 中所示的晶圓處理系統之部份。 此晶圓處理系統較佳地爲負載器、晶圓處理裝置（例 如蝕刻或淸潔裝置）、旋轉乾燥器、卸載器等等之組合。 參考數字3 1 ’係代表固持器驅動機構，其具有與固持 器驅動機構3 1實際相同的功能，其具有用以抓握晶圓固 持器2 1之抓握部3 1 a ’、用以水平地驅動晶圓固持器 2 1之機構（個別裝置之對齊方向）、及用以垂直地驅動 晶圓固持器2 1之機構。 此晶圓處理系統能在電腦控制下自動地處理晶圓。可 以防止因操作員之干涉而產生的粒子附著於晶圓，且可增 加處理效率。 〔第三實施例〕 第三實施例將舉例說明另一晶圓擺動方法。圖6 A至 6 D係視圖，用以解釋本實施例中的晶圓擺動方法。在圖 6A至6D中箭頭標示晶圓固持器2 1的移動方向。圖 6 A係顯示正在好開始擺動晶圓之前的狀態。如圖6 B所 示，當指令開始擺動晶圓時，固持器驅動機構3 1會在電 腦控制下，將抓握部3 1 a向下移動至右方。移動方向較 適宜的是與水平表面成約45° 。當晶圓固持器21向下 移動至右方時，晶圓4 1會以擺動支援構件1 3的遠端部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - I.J--^------/1、麥-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 A7 ___ B7_ _五、發明説明（19 ) 爲中心，作順時鐘旋轉，而其週圍部份會受晶圓固持器 21的左側壁施懕。 在晶圓固持器2 1向下移動至右方時，晶圓4 1的重 心會移至相對於擺動支持構件1 3的遠端部之右方，且晶 圓4 1會旋轉至晶圓固持器2 1的右側壁而處於如圖6 C 所示之狀態。 如圖6 D所示，在將晶圓固持.器2 1下移至右方時， 固持器驅動機構3 1會將抓握部3 1 a上移至左方。移動 方向較佳的’是與圖6 B中所示的移動方向相反。 當晶圓固持器2 1向上移動至左方時，晶圓4 1會以 擺動支持構件1 3爲中心，逆時針旋轉，而其週圍部份會 受晶圓固持器2 1的右側壁施壓。藉由移動晶圓固持器 2 1至如圖6 A所示的狀態，可完成一操作。 藉由重覆地執行上述操作（.圖6 A —圖6 B —圖6C 〜圖6D)，可以適當地擺動及均勻地處理晶圓41。 〔第四實施例〕 第四實施例係關於具有另一結構之晶圓處理裝置。圖 7係顯示根據本實施例之晶圓處理裝置的結構之輪廓。與 根據第一實施例的晶圓處理裝置1 〇 0的結構中相同的參 考數字實際上代表相同的構成要件，並省略其說明。 根據第四實施例之晶圓處理裝置101會以移動機構 .8 0固持晶圓4 1成爲幾乎與晶圓處理槽1 1的底面平行 (亦即，幾乎與超音波的振動平面平行），並在將晶圓 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) M规格（210X297公釐） -22 - --l· — —1梦— — (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（20 ) 4 1完全地浸入晶圓處理槽1 1內的處理溶液中（例如， 清潔或蝕刻溶液）時，擺動·晶圓41。以此方式’可均勻 地處理晶圓4 1，且防止晶圓4 1受粒子污染。 晶圓移動機構8 0會以臂8 1抓握晶圓4 1 ’且於晶 圓處理槽11中擺動晶圓41。以垂直超音波的振動平面 之方向（亦即垂直方向）、或平行超音波的振動平面之方 向（水平方向），較佳地擺動晶圓· 4 1。 而且在晶圓處理裝置1 0 1中，在完全地將晶圓4 1 浸入處理溶液中時，較佳地處理晶圓4 1。在此情形中， 可以在接近處理溶液與週遭環境之間的交界處，防止粒子 附著於晶圓4 1 » 根據晶圓處理裝置1 0 1，藉由在晶圓處理槽1 1中 擺動動晶圓4 1，可均勻地處理晶圓4 1。 〔晶圓處理裝置的應用〕 根據上述實施例的晶圓處理裝置1 0 0，舉例而言， 適於作爲蝕刻裝置。根據此蝕刻裝置，1 )可均勻地蝕刻 晶圓，2 )可減少粒子污染，及3 )可增加蝕刻率。 晶圓處理裝置可作爲蝕刻裝置，用以蝕刻具有多孔矽 層之晶圓。多孔砂的餓刻機制揭示於K. Sakaguchi et al., Jpn. Appl. Phys. Vol. 34，part 1，No. 2B，842-847(1995)。 當蝕刻溶液以毛細管作用穿透多孔矽的毛孔並蝕刻毛孔的 壁時，多孔矽會被蝕刻。當毛孔的壁變得較薄時，這些壁 在某點之外無法支持其本身。最後，多孔層會完全地崩潰 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 A7 B7_ _ 五、發明説明（21 ) 而完成蝕刻。當使毛孔壁僅藉由蝕刻溶液的作用而未藉由 任何蝕刻輔助而崩潰時，則孔壁蝕刻率低.，且蝕刻時間長 。在多孔層崩潰的區域中，下層會被蝕刻。因此，較佳地 儘可能抑制多孔矽晶圓的平面內蝕刻率變化及晶圓之間的 蝕刻率。 舉例而言，在單晶矽基底上形成多孔矽層、在多孔矽 層上生長磊晶層、及在磊晶層上形.成絕緣膜，以製備第一 基底。黏著第一基底及第二基底以將絕緣膜夾於其間。然 後，從第一羞底的下表面移除單晶矽基底，並蝕刻多孔矽 層以製造S 0 I晶圓。此方法僅需約1 0 5的蝕刻選擇性（ 多孔矽/磊晶層）。 但是，即使使用具有高選擇性的蝕刻方法，則於蝕刻 移除多孔矽層時所曝露的S 0 I層表面仍會輕微地被蝕刻 。此輕微的不必要蝕刻並不會使S 0 I層的厚度均勻性變 差，但是，要求較高的選擇性及較高的厚度均勻性。未來 ，當晶圓尺寸增加時，將需要較高的S 0 I層厚度均勻度 〇 當晶圓處理裝置1 0 0應用至多孔矽蝕刻裝置時，藉 由在晶圓處理槽內擺動晶圓可抑制S 0 I層的平面內變及 晶圓之間的變化，並能製造較k品質的s 0 I基底》 於供應超音波時擺動晶圓以及執行蝕刻，則可提升多 孔矽層的崩潰、縮短蝕刻時間、及增加蝕刻選擇性。 將於下說明，使用根據上述晶圓處理裝置以製造半導 體基底的方法實施例。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -24- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _'_ B7五、發明説明（22 ) 圖8 A至8 F係視圖，分別顯示製造半導體基底的方 法。約略言之，在此製造方法中，藉由在單晶矽基底上形 成多孔矽層、在多孔矽層上形成非多孔層、及於非多孔層 上較佳地形成絕緣膜，以製備第一基底。將第一基底以及 分開製備的第二基底相黏著，以致於將絕緣膜夾於其間。 之後，從第一基底的下表面移除單晶矽基底，並蝕刻多孔 矽層以製造半導體基底》 將參考圖8 A至8 F，於下說明製造半導體基底的方 法。 製備用以形成第一基底的單晶Si基底501，且多 孔S i層502會形成於單晶S i基底50 1的主表面上 (參見圖8A)。至少一非多孔層5 0 3會形成於多孔矽 層502上（參見圖8B)。'非多孔層503的較佳實施 例係單晶S i層、多晶S . i層、.非晶矽層/金屬膜層、化 合物半導體層、及超導體層。諸如MOSFET之元件可 形成於非多孔層5 0 3上。 於非多孔層503上較佳地形成S i 〇2層504，作 爲另一非多孔層，並作爲第一基底（參見圖8 C )。因爲 在後續步驟中黏著第一基底與第二基底5 0 5時，可從主 動層移除黏著介面處的介面能量，所以，S i 〇2層5 0 4 是有用的。 第一基底及第二基底5 0 5會於室溫下被緊密地黏著 以便將81〇2層504夾於其間（參見圖8D)。此黏著 可於需要時藉由執行陽極耦合、力壓、或熱處理、或它們 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） .55 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 一 _ B7 五、發明説明幻） 氧化或類似方法於單晶S i層的表面上形成s i 0 2層 5 0 4之後，第一基底會較佳地黏著至第二基底5 0 5。 第二基底5 0 5的較佳實施例係S i基底、具有形成 於S i基底上的S i 〇2層之基底、諸如石英基底或類似者 之光透射基底、及藍寶石基底。第二基底505足以具有 要被黏著的平坦表面，並可爲另一型的基底。 圖8 D係顯示經由S i 〇2層5 0 4之第一和第二基底 之黏著狀態。當非多孔層5 0 3或第二基底非爲S i時， 無需形成S'i〇2504。 在黏著時，薄絕緣板可插入於第一與第二基底之間。. 在多孔S i層5 0 2的邊界處，從第二基底移除第一 基底（參見圖8E)。移除方法包含使用硏磨、拋光、蝕 刻等等之第一方法及在多孔層5 0 2的邊界處分離第一和 第二甚底之第二方法。在第二方法中，於需要時可藉由移 除留在經分離的第一基底上的多孔S i、及使第一基底的 表面平坦化•可回收第一基底。 選擇性地蝕刻及移除多孔S I層5 0 2 (參見圖 8 F )。晶圓處理裝置1 0 0或1 0 1適用於此蝕刻。由 於此晶圓處理裝置會於完全地將晶圓浸入蝕刻溶液中並擺 動它時，供應超音波，所以，晶圓幾乎不會被粒子污染’ 且可使蝕刻均勻。根據此晶圖處理裝置，蝕刻時間會縮短 ，且非多孔層5 0 3與多孔層5 0 4之間的蝕刻選擇性會 增加。由於超音波會提升蝕刻，所以蝕刻時間會縮短’且 因爲超音波於多孔層5 0 4上的的蝕刻促進比非多孔層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，装. -訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -26- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明知） 5 〇 3上的蝕刻促進更加顯著，所以，蝕刻選擇性會增加 〇 當非多孔層5 0 3爲單晶S i時，可使用下述蝕刻溶 液加上--般的S i蝕刻溶液。 (〇氫氟酸 (b)添加酒精及過氧化氫中的至少一者於氫氟酸中而 製備的混合溶液 (c )緩衝氫氟酸 (^ )添加酒精及過氧化氫中的至少一者於緩衝氫氟酸 中而製備的混合溶液 (e )氫氟酸、氮酸、及醋酸之混合溶液 使用這些蝕刻溶液，可選擇性地蝕刻多孔層5 0 2以 留下下層多孔層5 0 3 (單晶S i )。由於多孔S i具有 大量表面區且對非多孔矽層的蝕刻會因而以非常高的速度 進行，所以，可輕易地選擇性蝕刻多孔層5 0 2 » 圖8 E係以圖形顯示上述製造方法所取得的半導體基 底》根據此製造方法，平坦的非多孔層5 0 3 (例如單晶 S 1層）會均勻地形成於第二基底5 0 5的整個表面之上 υ 舉例而言，假使使用絕緣基底作爲第二基底5 0 5時 ，可有效地使用上述製造方法所取得的半導體基底，以形 成絕緣的電子元件。 本發明可使晶圓處理均勻，並能防止粒子所造成的晶 圓污染。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -27- A7 B7 _ 五、發明説明（25 ) 本發明可使晶圓處理均勻，並能防止粒子所造成的晶 圓污染。 本發明並不限於上述實施例且在本發明的精神及範圍 內產生不同的改變及修改。因此，爲揭示本發明的範圍， 於後述明申請專利範圍。 . - 1 y In-------，裝--.--.--訂------ (請先閲請背面之注意事項再填寫本瓦) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 第87101325號專利申請案厂〇 / 由文由請專利範圍修正緣民國90年1月呈 經濟部晳.^时---ί.^ϋ:工消骨合作社卬:Ι.·ΙΛ γ、申請專利範園 1 . 一種晶圓處理裝置，將晶圓浸入於處理溶液中以 處理晶圓，包括 晶圓處理槽； , 固持部，直接地或非直接地固持晶圓，其中該固持部 使晶圓轉動； 驅動部，用以從處理槽之上方支持該固持部以便在該 處理槽中擺動該固持部；和 擺動支持構件，具有一接觸部份位在該處理槽中，且允 許接觸晶圓之週邊部份， 其中該驅動部擺動該固持部，以使晶圓的週邊部份接觸 用以轉動晶圓之該擺動支持構件之接觸部份。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，.其中該驅動部也 作爲輸送機構以便在裝置及另一裝置之間輸送晶圓。 3 ·如申請專周範圍第1項之裝置，更包括超音波產 生機構以便在該處理.槽中產生超音波。 4 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擺動支持 構件之接觸部份係經圓化。 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擺動支持 構件之接觸部份在與晶圓表面實際平行的方向上具有溝槽 •如申請專利範圍第5項 置，其中溝槽具有V % ; 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 t 裝 訂 '、線 形狀 7 .如申請專利範圍第5項之裝置，其中溝槽具有全 波整流形狀。 邊用中闺國家墦??- ί rNS ) Λ4坭格（21.0 X 2们公釐） Λ8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利把園 1 . 一種晶圓處理裝置，將晶圓浸入於處理溶液中以 處逵晶圓，包括 晶圓處理槽； 固持部，直接地或非直接地固持晶圓； 驅動部，用以從處理槽之上方支持該固持部以便在該 處理槽中擺動該固持部。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該驅動部也 作爲輸送機構以便在裝置及另一裝置之間輸送晶圓-。 3 .如申請專利範圍第1項之裝置，更包括超音波產 生機構以便在該處理槽中產生超音波。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括擺動 支持構件，於該驅軌部旋轉晶圓時與晶圓週邊部份相接觸 ，藉以支持.驅動部所執行之旋轉。 5 .如申請專利範圍第4項之裝置，其中，與晶圓的 週邊部份接觸之該擺動支持構件係經圓化。 6 ·如申請專利範圍第4項之裝置，其中，與晶，圓的 週邊部份接觸之該擺動支持構件在與晶圓表面實際平行的. 方向上具有溝槽。 7 .如申請專利範圍第6項之裝置，其中，溝槽具有 V形狀。 8 ▲如申請專利範圍第6項之裝置，其中，溝槽具有 全波整流形狀。 9 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該處理槽 包括循環機構，該循環機構包含溢流槽》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 · 經濟部中央標率局貝工消费合作社印裝 A8 B8 C8 D8々、申請專利範園 1 0 .如申請專利範圍第4項之裝置’其中該驅動部 擺動該固持部，以便當晶圓的週邊部與該擺動支持構件接 觸時，旋轉晶圓。 1 1 .如申請專利範圍第3項之裝置中，其中，該超 音波產生機構包括超音波槽超音波源、及用以調塵該超 音波源在該超音槽.源之位置的調整機構’且超音波會經由 置於超音波槽中的超音波傳送介質而傳送至處理槽。 1 2 .如申請專利範圍第1項之裝置’其中，該驅動 部包括水平地驅動該固持部之第一驅動部、及垂直地驅動 該固持部之第二驅動部。 1 3 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該固持 部將晶圓固持成實際垂直於該處理槽的底面’旦該驅動部 會在實際垂直於該處理槽底面之平面內擺動晶凰。 1 4 .如申請專利範圍第1項之裝置，其-Φ.該驅動部· 會於該處理槽內擺動該固持部，以便以處理_液實際均勻地 處理晶圓。 1 5 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該固持部 可以固持能儲存多個晶圓之晶圓固持器。 1 6 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中能與處理 液接觸之該處理槽、該固持部-及〜該驅軌部至少一些部份 係較佳地由選自石英及塑膠組成的族群中之材料所製成。 1 7 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中，能與處 理液接觸之該處理槽、該固持部及該驅動部的至少一些部 份係較佳地由選自氟樹脂、氲乙烯、、聚乙烯、聚丙烯、聚 —^--------' 衮-- (請先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) 訂- JU 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（2!0X297公釐） • 30· A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 對太酸伸丁酯（PBT)、及聚醚·醚酮（P E E K )組成 的族群中之材料所製成》 1 8 .—種晶圓輸送裝置，用以輸送晶圓，包括： 固持.部，甩以直接地或非直接地固持晶圓； 驅動部，用以延著輸送通道驅動該固持部； 該驅動部會將晶圓浸於晶圓處理槽中並於延著輸送通 道之中途擺動晶圓。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之裝置，其中，該驅 動部包v括水平地驅動該固持部之第一驅動部、及垂直地驅 該動固持部之第二驅動部》 20 .如申請專利範圍第18項之裝置，其中，該固 持部將晶圓固持成實際地垂直該處理槽之底面，且該驅動 部在實際垂直於該處理槽的底面之平面內擺動晶圓。 2 1 .如申請專利範圍第18項之裝置，其中，該驅 動部在該處理槽內擺動該固持部以便在該處理槽內以處理 液實際均勻地處理晶圓。· 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 2 .如申請專利範圍第18項之裝置，其中，該驅 動部於該處理槽內擺動該固持部以便當羞圓_週圍部份與形 成於該處理槽中的突部接觸時，加強晶圓擺動。 2 3 .如申請專利範圍第1 8項之裝置〖其中，該驅 動部在該處理槽內擺動該固持部以便當晶圓的週圍部份與 形成於該處理槽中的突部接觸時，旋轉晶圓。 2 4 .如申請專利範圍第1 8項之裝置，其中，該固 持部固持能儲存多個晶圓之晶圓固持器。 ^紙蒗尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2I0X297公釐） -31 - B8 C8 D8 七、申請專利範圍 2 5 .—種半導體製造裝置，包括如申請專利範圍第 1 8項之裝置，及一或多個晶圓處理裝置。 2 6 .—種晶圓處理方法，將晶圓浸於處理液中以處 理晶圓’包括從晶圓處理槽上方.支持晶圓時，將晶圓浸入 於處理溶液中，並於該處理槽內.擺動晶圓。 2 7 .如申請專利範圍第2 6項之方法，其中，當晶 圓於該處理槽內擺動時，於處理液中產生超音波。 2 8 .如申請專利範圍第2 6項之方法，、其中，當晶 圓於該處理槽內擺動時，使晶.圓的週圍部份接觸形成於該 處理槽中的突部以加.強晶圓的擺動。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項之方法，其中，當晶 圓在該檀處理內擺動時，使晶隱的週圍部份_與形成於該處 理槽中的突部接觸以旋轉晶圓。 3 〇 _如电請專利範圍第2 6項之方法中，其中，擺 動晶圓以便以處理液實際均勻地處理晶圓。 3 1 .如申請專利範圍第2 6.項之方法，其中，藉由 使用蝕刻溶液作爲處理液以飽刻晶圓。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 3 2 .如申請專利範圍第2 6項之方法，其中藉由使 用蝕刻溶液作爲處理液以餓刻具有多孔政.層之晶圓。 3 3 . —種半導體基底製造方法，包括在一部份製造 步驟中使用如申請專利範菌第3 2項之晶圓處理方法製造 半導體基底》 3 4 . —種晶圓處理方法，包括使用如申請專利範圍 第1項之裝置處理晶圓。 -32- (谛先聞讀背面之注意事項再填寫本貰) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 08 六、申請專利範圍 3 5 .—種晶圓處理方法，包括使用如申請專利範圍 第1項之裝置蝕刻形成於晶圓上的特別層。 3 6 . —種半導體基底製造方法，包括於一部份製造 步驟中使用如申請專利範圍第3 5項之方法以製造半導體 基底。 3 7 種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入於處理液中，並於ϋ作用於晶圓上 的超音波強度時處理晶圓^ 3 8 種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入於處理液中，並於移動晶..圓時處理晶 圓。 3 9 .—種晶圓處理方法，於供應超音波時-處理..晶圓 ，包括： 將..晶.圓完全浸入於處理液中，並於擺動晶圓時處理晶 圓。 4 0 .—種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入於處理液中，並於擺動晶圓至交會超 音波的振動平面時處理晶圓。 4 1 種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ’包括： 將晶圓完全浸入於處理液中、支持晶圓成賓際地垂直 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公f) ' A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 .於超音波的振動平面、及於擺動晶圓至交會超音波的振動 平面時處理晶圓。 4 2 · —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全地浸入於處理液中、支持晶圓成實際地平 行於超音波的振動平面、、及於擺動_晶__圓至交會-超音波的振 動平面時處理晶圓_。 4 3 .—種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於該第一基底側與該第二基底 之間； 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 蝕刻步驟，於該多孔層曝露於其上之第二基底側完全 浸於蝕刻溶液中並施加超音波時蝕刻多孔層，藉以曝露第 二基底側的表面， 蝕刻步驟會改變作用於第二基底側上的超音波強度。 .4 4 .—種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔/層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底，以將該非多孔層夾於第一基底P.與該第二基底 -34- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範園 之間： 移除步驟，從黏著結構移除該第一基摩以曝露其第二 基底側上的多孔層；及 蝕刻步驟，於多孔層曝露於其上之第二基底完全浸 於蝕刻溶液中並施加.超耷姨時蝕刻多孔層，藉..以曝露第二 基底側的表面， 蝕刻步驟會移動第二基底側。， 4 5 . —種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將非多孔層夾於第一基底側與該第二基底之間 * 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 蝕刻步驟，於該多孔層屬露於其上之第二基底側完全 浸於蝕刻溶液中並施加超音波時，蝕刻多孔層，藉以曝露 第二基底側的表面， 蝕刻步驟會擺動第二基底側。 4 6 . —種半導體基底製造方法.包括： •形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於第一基底側與該第二基底之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 W· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 六、申請專利範園 間*; 移除步释，從黏著臨.搆移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 蝕刻步驟於多孔層曝霞於-其上之苐二棊底側完全浸於 蝕刻溶液中並施加超音波時蝕刻多層，藉以曝露第二基 底側的表面， 蝕刻步驟會擺動第二基底側以交會超音波的振動平面 〇 4 7 .·—種半導體基底製造方法，包括 形成步驟’在形成於第—基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於第—基底側與該第二基底之 間： 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 經濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 蝕刻步驟，於多孔層曝露於其上之第二基底側完全浸 於蝕刻溶液中和被支持成實際地垂直於超音波振動平面、 及施加超音波時，蝕刻多孔層，藉以曝露第二基底側的表 面， 蝕刻步驟會擺動第二基底顧_至交會超音.波的振動平面 〇 4 8 種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS)A4規格（ 210X297公釐） -36- B8 C8 D8 六、申請專利範園 成非多孔層： 黏著步驟，黏著..立體結搆之第一.基直側與-分別製備之 .第二基底以將該非多孔層.夾於第二-棊..底JU與該第二基底茗 間； 移除步驟，從黏著結構移除第一基底以曝露其第二基 底側上的該多孔層：、及 蝕刻步驟，於該多孔層曝露於其上之第二基底側完金 浸於蝕刻溶液中和被支持成實際地平行於超音波振動平® 、及施加超音波時，鈾刻該多孔層，藉以曝露第二基底側 的表面， 蝕刻步驟會擺動第二基底側至交會超音波的振動平面 〇 4 9 .如申請專利範圍第4項之裝置，其中擺動支持構 件係由選自氟樹脂、氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚對酞酸 伸丁酯（PBT)、及聚醚醚酮（PEEK)組成的族群 中之材料所製成。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 |裝· 訂· 線 經濟部中央標準局肩工消费合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -37- 第87101325號專利申請案厂〇 / 由文由請專利範圍修正緣民國90年1月呈 經濟部晳.^时---ί.^ϋ:工消骨合作社卬:Ι.·ΙΛ γ、申請專利範園 1 . 一種晶圓處理裝置，將晶圓浸入於處理溶液中以 處理晶圓，包括 晶圓處理槽； , 固持部，直接地或非直接地固持晶圓，其中該固持部 使晶圓轉動； 驅動部，用以從處理槽之上方支持該固持部以便在該 處理槽中擺動該固持部；和 擺動支持構件，具有一接觸部份位在該處理槽中，且允 許接觸晶圓之週邊部份， 其中該驅動部擺動該固持部，以使晶圓的週邊部份接觸 用以轉動晶圓之該擺動支持構件之接觸部份。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，.其中該驅動部也 作爲輸送機構以便在裝置及另一裝置之間輸送晶圓。 3 ·如申請專周範圍第1項之裝置，更包括超音波產 生機構以便在該處理.槽中產生超音波。 4 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擺動支持 構件之接觸部份係經圓化。 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擺動支持 構件之接觸部份在與晶圓表面實際平行的方向上具有溝槽 •如申請專利範圍第5項 置，其中溝槽具有V % ; 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 t 裝 訂 '、線 形狀 7 .如申請專利範圍第5項之裝置，其中溝槽具有全 波整流形狀。 邊用中闺國家墦??- ί rNS ) Λ4坭格（21.0 X 2们公釐） A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部智慈时--;=?只工消費合作|1卬絮 請 先: 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 本 頁 V:. 括循環 9 產生機 源在該 超音波 1 包括水 固持部 1 將晶圓 在實際 1 會於該 處理晶 1 可以固 1 液接觸 係較佳 1 理液接 份係較 對酞酸 .如申 機構， .如申 構包括 超音槽 槽中的 0 .如 平地驅 之第二 1 .如 固持成 垂直於 2 .如 處理槽 圓。 3 .如 持能儲 4 ·如 之該處 地由選 5 .如 觸之該 佳地由 伸丁酯 請專利 該循環 請專利 超音波 源之位 超音波 申請專 動該固 驅動部 申請專 實際垂 該處理 申請專 內擺動 申請專 存多個 申請專 理槽、 自石英 申請專 處理槽 選自氟 (P B 範圍第 機構包 範圍第 槽、超 置的調 傳送介 利範圍 持部之 〇 利範圍 直於該 槽底面 利範圍 該固持 利範圍 晶圓之 利範圍 該固持 及塑膠 利範圍 、該固 樹脂、 T )、 1項之裝置，其中該處理槽包 含溢流槽。 3項.之裝置，其 音波源、及用以調 整機構’且超音波 質而傳送至處理槽 中該超音波 整該超音波 會經由置於 第1項之裝置，其中該驅動部 第一驅動部、及垂直地驅動該 第1項之裝置，其 處理槽的底面，且 之平面內擺動晶圓 第1項之裝置，其 部’以便以處理液 第1項之裝置，其 晶圓固持器。 第1項之裝置，其 部及該驅動部的至 組成的族群中之材 第1項之裝置，其 持部及該驅動部的 氯乙烯、聚乙烯、 及聚醚醚酮（p E 中該固持部 該驅動部會 〇 中該驅動部 實際均勻地 中該固持部 中能與處理 少一些部份 料所製成。 中，能與處 至少一些部 聚丙烯、聚 E K )組成 適用中阐國家標浓f CNS ) Λ4規格（2丨Ο X 297公釐） -2- 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 的族群中之材料所製成。 1 6 . —種晶圓輸送裝置’用以輸送晶圓，包括： 固持部，用以直接地或非直接地固持晶圓，其中該固 持部使晶圓轉動； 驅動部，用以延箸輸送通道驅動該固持部； 其中該驅動部移動該固持部以將晶圓浸於晶圓處理槽 中並於延著輸送通道之中途擺動固持部以使晶圓的週邊部 份接觸在晶圓處理槽中之用以轉動晶圓之接觸部份。 t， 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之裝置，其中該驅動 部包括水平地驅動該固持部之第一驅動部、及垂直地驅該 動固持部之第二驅動部。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之裝置，其中該固持 部將晶圓固持成實際地垂直該處理槽之底面，且該驅動部 在實際垂直於該處理槽的底面之平面內擺動晶圓。 1 9 .如申請專利範圍第1 6項之裝置，其中該驅動 部在該處理槽內擺動該固持部以便在該處理槽內以處理液 實際均勻地處理晶圓。 ‘ 2 0 ·如申請專利範圍第1 6項之裝置，其中該固持 部固持能儲存多個晶圓之晶圓固持器。 2 1. —種半導體製造裝置，包括如申請專利範圍第 1 6項之裝置’及一或多個晶圓處理裝置。 2 2 . ~種晶圓處理方法，將晶圓浸於處理液中以處 理晶圓’包括從晶圓處理槽上方支持晶圓時，將晶圓浸入 於處理溶液中；和於該處理槽內擺動晶圓，以使晶圓之週 請 先 閱 讀 背 I& 之 注 意 事 項 再 KAdS用中國國家榡嗥（C，NS ) A_4現輅（21.0κ297公釐} -3- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 邊部份接觸在處理槽中之用以轉動晶圓之接觸部份。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之方法，其中當晶圓 >" 請先閲讀背面之注意事項再t本頁) 於該處理槽內擺動時，於處理液中，產生超音波。 2 4 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中擺動晶 圓以便以處理液實際均勻地處理晶圓。 2 5 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中藉由使 用蝕刻溶液作爲處理液以蝕刻晶圓。 2 6 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中藉由使 *· 用蝕刻溶液作爲處理液以蝕刻具有多孔矽層之晶圓。 2 7 . —種半導體基底製造方法，包括在一部份製造 步驟中使用如申請專利範圍第2 6項之晶圓處理方法製造 半導體基底。 2 8 . —種晶圓處理方法，包括使用如申請專利範圍 第1項之裝置處理晶圓。 2 9 . —種晶圓處理方法，包括使用如申請專利範圍 第1項之裝置蝕刻形成於晶圓上的特別層。 經濟部智S財·工消費合作社 3 0 · —種半導體基底製造方法，包括於一部份製造 步驟中使用如申請專利範圍第2 9項之方法以製造半導體 基底。 3 1 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入在一晶圓處理槽之處理液中，且在處 理槽內擺動晶圓以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之用 以轉動晶圓之接觸部份，並改變作用於晶圓上的超音波強 -4 - ___§8 _ 六、申請專利範圍 度時處理晶圓。 3 2 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： ， 將晶圓完全浸入在一晶圓處理槽之處理液中’且在移 動晶圓在處理槽內以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之 用以轉動晶圓之接觸部份時處理晶圓。 3 3 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： <.- 將晶圓完全浸入在一晶圓處理槽之處理液中1且在處 理槽內擺動晶圓以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之用 以轉動晶圓接觸部份時處理晶圓。 3 4 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入在一晶圓處理槽之處理液中，且在處 理槽內擺動晶圓以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之用 以轉動晶圓接觸.部份至交會超音波的振動平面時處理晶圓 〇 經濟部智总財，'-^Η工"贽合作社:Ί;一^ 3 5 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 ，包括： 將晶圓完全浸入在一晶圓處理槽之處理液中、支持晶 圓成實際地垂直於超音波的振動平面、及在處理槽內擺動 晶圓以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之用以轉動晶圓 接觸部份至交會超音波的振動平面時處理晶圓。 3 6 . —種晶圓處理方法，於供應超音波時處理晶圓 玟度適用中國國家樣象（CNS > Λ4現格（2Κ)Χ297公着) ~ mm A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ，包括： 將晶圓完全地浸入在一晶圓處理槽之處理液中、支持 晶圓成實際地平行於超音波的振動，平面、及在處理槽內擺 動晶圓以使晶圓之週邊部份接觸在處理槽中之用以轉動晶 圓接觸部份至交會超音波的振動平面時處理晶圓。 37 . —種半導體基底製造方法，包括··、 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於該第一基底側與該第二基底 之間； 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層； 蝕刻步驟，於該黏著結構完全浸入在處理槽中之蝕刻 溶液中並施加超音波時蝕刻多孔層，藉以曝露第二基底側 的表面， 其中，在蝕刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以使黏 著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構之接 觸部份，和改變作用於第二基底側上的超音波強度。 3 8 .—種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟’在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟’黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底’以將該非多孔層夾於第一棊底側與該第二基底 才、托乐砍度適用中國阈家橾?M C，NS Μ4現格（2l0x 297公釐） -6- 請 先 閲 讀 背 (¾ 之 注 意 事 項 再 ί ]
    六、申請專利範圍 之間；’ 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的多孔層；及 Ψ- 蝕刻步驟，於多黏著結構完全浸入在處理槽中並施加 超音波時蝕刻多孔層，藉以曝露第二基底側的表面， 其中，在該飩刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以 使黏著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構 之接觸部份。 39 . —種半導體基底製造方法，包括： ‘ 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將非多孔層夾於第一基底側與該第二基底之間 » 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 經濟部智总时4·:?:«工消費合作社印製 蝕刻步驟，於黏著結構完全浸入在處理槽中並施加超 音波時，蝕刻多孔層，藉以曝露第二基底側的表面， 其中，在該蝕刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以使 黏著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構之 接觸部份。 4 0 . —種半導體基底製造方法 > 包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 度琦用中國國家螵鼕（（A'S ) Α4規格（2).0/297公釐）
    六、申請專利範圍 If 1 (請先閲讀背面之注意事項再$本頁 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於第一基底側與該第二基底之 間； ♦ 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 蝕刻步驟於黏著結構完全浸入在處理槽中並施.加超音 波時蝕刻多孔層，藉以曝露第二基底側的表面， 其中，在該蝕刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以 < * 使黏著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構 之接觸部份，以交會超音波的振動平面。 4 1 . 一種半導體基底製造方法，包括： 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 黏著步驟，黏著立體’結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於第一基底側與該第二基底之 間； 經濟部皙葸財/ί/.·;Μ工消#合作_社印％ 移除步驟，從黏著結構移除該第一基底以曝露其第二 基底側上的該多孔層；及 蝕刻步驟’於黏著結構完全浸入在處理槽中和被支持 成實際地垂直於超音波振動平面、及施加超音波時，蝕刻 多孔層，藉以曝露第二基底側的表面， 其中，在該蝕刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以 使黏著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構 之接觸I部份主父會超首波的振動平面。. 本吆張尺度適用中國國家標鼕（CNS ) Λ4現格（2丨.0x 297公楚） -8- .mm ι__ 六、申請專利範圍 4 2 .—種半導體基底製造方法，包括： (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 形成步驟，在形成於第一基底的表面上之多孔層上形 成非多孔層； 9> 黏著步驟，黏著立體結構之第一基底側與分別製備之 第二基底以將該非多孔層夾於第—基底側與該第·二基底之 間； 移除步驟，從黏著結構移除第一基底以曝露其第二基 底側上的該多孔層；、及 < - 蝕刻步驟，於黏著結構完全浸入在處理槽中和被支持 成實際地平行於超音波振動平面、及施加超音波時，蝕刻 該多孔層，藉以曝露第二基底側的表面， 其中，在該鈾刻步驟中，在處理槽中移動黏著結構以使 黏著結構之週邊部份接觸在處理槽中用以轉動黏著結構之 接觸部份，至交會超音波的振動平面。 經濟部智丛財，ν^,'Α工消骨合作社印K 4 3 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中擺動支持構 件係由選自氟樹脂、氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚對酞酸 伸丁醋（P B T )、及聚醚醚酮（P E E K )組成的族群 中之材料所製成。 方、《:1.张乂度適用中國國家標來（C，NS ) Α4現格（21.0Χ2<Π公釐） -9 -
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