TW293082B - - Google Patents

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經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背蜃 本發明係有關一種用來處理晶片之立式熔爐》此種處 理必須在一控制的大氣壓力中，以一具有相當大準確度之 相當高的溫度加以實現。 最近用來處理此種晶片之要求，需要一相當高的溫度 。在立式熔逋的習知技藝中，其可單獨或與一組束結合而 加以使用。此種熔爐包括一內部套管加熱線圈絕緣體與一 外部套管。通常該內部套管由一石英材料製成，位於一支 承結構上。在大部分的情況中此支承結構受到冷卻。 然而，在增加該熔燼中的溫度時，例如增加至大約攝 氏1 2 5 0度時，該石英材料將脫釉與退化。由於設於該 內部套管周圍之加熱元件的輻射不會傳遞過此套管，造成 該晶片的加熱不夠充分。再者，該材料變脆且容易斷裂。 在該技藝中已知其他可抗髙溫而不致減損傳遞性質之 陶瓷材料。例如碳化矽可用來達成此種目的。 然而，此種材料之熱傅導性相當髙，使得相當大部分 在該加熱區域中產生之熱置散逸至該支承結構。再者，此 種可抗相當高溫度的陶瓷材料具有一相當高的膨脹係數。 發明摘里 本發明之目的在於提供一種熔爐，使用在相當高的溫 度下，例如超過攝氏1 2 0 0度，其中由該內部套管散逸 至該支承結構的熱量減至最少。 根據一種觀點，本發明係有關一種用來處理晶片之立 本紙浪尺度適用中國國家標牟（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 一 4 一 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、tT A7 B7 293082 五、發明説明（2 ) 式熔爐，一熔爐安裝於一支承結構上，並且包括一內部套 管，其底端或頂端具有一可移除之蓋，其中另一端設有關 閉機構、環繞該內部套管周圍之電加熱機構、環繞該加熱 機構與該內部套管二者周圍之絕緣體、以及一外部套管， 該內部套管包含一種可抗至少攝氏1 2 0 0度髙溫之材料 ，並且設有連接機構，用來將配置於該內部套管周圍之一 支承套管的頂部與該內部套管之底端接合，該支承套管之 底部爲該支承結構所支承。 根據本發明之進一步觀點，該內部套管包含一種碳化 矽材料。 該支承套管較佳地包含一種石英材料。 該支承結構較佳地爲一種冷卻的支承平板。 根據進一步觀點，一種用於將被處理之晶片的容受構 件設於該內部套管之中，該容受構件可垂直移置，以裝上 /卸下該晶片。 此種容受構件可包括一個或更多的隔熱板。 該內部套管之底端較佳地藉由一軸環加以支承，該軸 環較佳地包含一石英材料。 根據本發明之進一步觀點設置機構，以補償可能與該 軸環結合之內部套管的材料，以及該支承套管的材料之間 的不同膨脹，使得該熔爐之緊密度得以確保。 太發明之詳細說明： 本發明之一較佳實施例，將參照所附之圖式，進一步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'〆297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局員工消费合作杜印簟 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 加以詳細地顯示，其中： 圖1顯示本發明之熔爐的一視圖； 圖2顯示根據圖1之熔爐的懸架；以及 圖3顯τκ圖1之細部。 顯示於圖式中之熔爐具有一永久關閉之頂部，並且根 據該技藝加以實現。此熔爐可爲根據美國專利第 五二九四五七二號申請案該組束裝置之部分。其規格將併 入此處提供參考。 —般此種熔爐包括一內部套管2，加熱元件4 (顯示 於圖3中），絕緣體7、8，以及一外部水冷式套管5。 支承平板1 0通常爲一種具有一個或更多冷卻導管1 6之 金屬平板。爲了使此熔爐適合一相當高的溫度，例如攝氏 1 2 5 0度，該內部套管2由一種碳化矽材料加以實現， 其一方面具有良好的抗髙溫性，另一方面在溫度上升時不 致減損其熱傳遞性質，例如石英材料通常可完成此種功能 〇 由於碳化矽爲一相當良好的熱導體，如果要將該內部 套管2直接置於該冷卻的支承平板1 0上，維持一上升的 溫度便發生問題。 爲了避免本發明此種問題，提議設置一支承套管9。 該支承套管9位於內部套管2之周圍，並且藉著可配置於 —內部套管2上之支承突出物3加以支承。雖然該支承套 管可耐高溫，然而這些溫度實際上低於該內部套管2所承 受之溫度。此意味著該支承套管得以藉由一種較產生內部 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 套管2之碳化矽材料更具絕緣性的材料加以實現。例如， 支承套管9可包含一種石英材料。在低溫時，脫釉對此種 支承套管並不重要。 該支承突出物之位置必須加以選擇，使得一方面支承 套管9之長度不至於太大而導致該支承套管9的過熱，另 一方面該支承突出物不應配置得太低，否則經過內部套管 2之熱量散失將不能被接受。 該支承套管將傳遞該套管2之重量至該支承平板1〇 在套管2之底端與蓋6之間設置一軸環1 7以提供一 種封閉。由於在該熔爐之底端具有相當低的溫度，因此該 軸環1 7可包含一種石英材料。爲了補償不同的伸長，軸 環1 7並未直接安裝至支承平板1 〇，而是通過突出物 1 9容置於空間2 0之中，並且置於彈 1之彈力之下 。空間2 0設於密封隔絕於該支承平板1 〇與蓋6底部之 部件2 2中，以補償由於加熱所引起的不同膨脹。 蓋6連接至可沿箭頭1 4之方向移動蓋6(連同部件 1 3、1 2與1 5)之升降軸23。在絕緣塊之上設有許 多環狀隔熱板1 2。 設置導管機構18以排放氣體或將氣體導入該立式熔 爐內部· 設置熱電偶11以測置及/或控制熔埴內部之溫度。 在測試期間，顯露出其可於熔爐內維持攝氏1 2 5 0 度加減0. 5度之溫度。即使在較長'期的使用該熔爐之後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 趣濟部中央棣準局貝工消合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) ，該內部套管與該支承平板二者之性質並未改變。 雖然顯示該熔爐係單獨運作’然而可將其使用在如美 國專利第五二九四五七二號申請案中所顯示之—組束中β 雖然本發明以上所描述者係參照本發明之最佳實施例 ，然而必須了解，亦可引入所提及之若干爲熟習該項技藝 者所顯而易知，且未超過附隨申請專利範圍之部件的替代 物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .^: 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（2丨0Χ297公釐） 8

Claims (1)

1. 293082 B8 C8 D8 .根據申請專利範圍第

   其中該內部套 •、申請專利範園 1. 一種用來處理晶片之立式熔爐，該熔爐安裝於 一支承結構上’並且包括一內部套管，其底端或頂端具有 —可移除之蓋’其中另一端設有關閉機構、環繞該內部套 管周團之電加熱機構、環繞該加熱機構與該內部套管二者 周圍之絕緣體、以及一外部套管，該內部套管包含一種可 抗至少攝氏1 2 0 0度高溫之材料，並且設有連接機構， 用來將配置於該內部套管周園之一支承套管的頂部與該內 部套管之底端接合，該支承套管之底部爲該支承結構所支 承 管包含一種碳化矽材料 .根據申請專利範圍第1 f ，其中該支承套 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) <*τ 管包含一種石英材料 4 .根據申請專 構包括一種冷卻之支 第1谭/¾¾'爐，其中該支承結 經濟部中央梂準局肩工消费合作社印裝 將被處 構件可6 件包括 7 於該內8 其中溫 .根據申請專 理之晶片的容 垂直移置，以 .根據申請專 一隔熱板β .根據申請專 部套管底端上 .根據申請專 度補償機構設 利範圍 承平板 利範圍 受構件設於該、.內部套管之中，該容受 裝上/ 利範圍 第 imS

   黎爐 其中一種用於 卸下該晶）^ 第5之熔爐，其中該容受構 利範圍第5 ^疼#爐，其中一軸環設 ，該軸環連%至該支承結構。 利範圍第1項或第7項之立式熔爐， 於該軸環機構與該支承結構之間。 ^紙張纽適用中國國家揉率（CNS) M祕（21(5X297公4 ) _

   其中該內部 A8 B8 C8 ______ D8 六、申請專利範圍 9 .—種用來處理位於一支承結構上之晶片的立式溶 爐’該熔爐包括一內部套管，其底端或頂端具有一可移除 之蓋，其中另一端設有關閉機構、環繞該內部套管周圔之 電加熱機構 '環繞該加熱機構與該內部套管二者周圍之絕 緣體、以及一外部套管，該內部套管包含一種可抗至少攝 氏1 2 0 0度高溫之材料，其中在該內部套管底端與該支 承結構之間設置一種石英材料之軸環 1 〇根據申請專利範園第9項 套管設有連接機構，用來將配置於該內部套管周圍之一支 承套管的頂端與該內部套管之底端接合，該支承套管之底 端爲該支承結構所支承。 1 1 .根據申請專利範圔第1 0項之立式熔爐，其中 溫度補償機構設置於該支承結構與該軸環座之間。 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 |逋 尺 張 紙 i本 準 梂 家