KR0159539B1 - 가열장치 - Google Patents

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KR0159539B1
KR0159539B1 KR1019920003171A KR920003171A KR0159539B1 KR 0159539 B1 KR0159539 B1 KR 0159539B1 KR 1019920003171 A KR1019920003171 A KR 1019920003171A KR 920003171 A KR920003171 A KR 920003171A KR 0159539 B1 KR0159539 B1 KR 0159539B1
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켄 나카오
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이노우에 다케시
도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼 가이샤
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

본 발명은 주로 반도체 제조공정에서의 사용에 적합한 가열장치에 사용되는 단열재에 발열체를 지지시킨 구조의 가열장치에 관한 것으로서, 알루미나질 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더로 이루어지는 부피밀도 0.3~0.8g/cm3의 내층부와, 알루미나실리카섬유/무기질 바인더로 이루어지고, 부피밀도가 0.2~0.4g/cm3이며, 또한 상기 내층부보다 작은 외층부가 일체층으로 성형되어 상기 내층부가 발열체의 지지부로 되도록 한 것이다.

Description

가열장치
제1도는 본 발명의 가열장치의 1실시예를 나타낸 사시도.
제2도는 제1도에 나타낸 가열장치의 확대 단면도.
제3도는 단열층의 부피밀도와 열전도율의 관계를 나타낸 선도.
제4도는 본 발명의 가열장치의 다른 실시예를 나타낸 요부 사시도.
제5도는 본 발명의 가열장치를 종형 CVD장치에 적용한 상태를 나타낸 부분 단면도.
제6도는 제5도의 CVD장치에 있어서, 노의 부분을 보다 상세하게 나타낸 부분 단면도.
제7도는 제6도에 나타낸 장치의 외관을 나타낸 일부 절결 사시도.
제8도는 본 발명의 가열장치의 다른 실시예를 나타낸 일부 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
A : 단열통체 a1: 내층부
a2: 외층부 1 : 발열코일
2 : 나선홈 11 : 고정부재
12 : 도입구멍 13 : 단자
20 : 클린룸 21 : 종형 CVD장치
22 : 웨이퍼카세트 23 : 웨이퍼이체부
24 : 처리부 25 : 개구
26 : 간막이벽 27 : 필터
28 : 팬 29 : 카세트 스테이션
30 : 보우트 로딩기구 31 : 열처리로
31a : 하부개구 32 : 덮개부재
33 : 보온통 34 : 종형보우트
35 : 반도체 웨이퍼 36 : 지지부재
37 : 볼스크류 38 : 플랜지
39 : 송풍파이프 40 : 열교환기
41 : 단자접속부 44 : 안쪽커버
45 : 냉각관 48 : 바깥쪽커버
50 : 급전단자부 51a~51f : 단자
52 : 급전단자부 52a,52b : 애자
52c : 너트 53 : 보조판
54 : 나사 55 : 내화물
56 : 스텐레스강판 58 : 유지홈
60 : 전원 61 : 콘트롤러
62,63,64 : 열전대 70 : 프로세스튜브
71 : 가스공급관 72 : 가스배기관
73 : 기초대 74 : 보울트
84 : 내통 86a,86b : 고리형상 지지체
87 : 스페이서링 88 : 외통
89a : 공기층 89b : 틈새
본 발명은 단열재에 발열체를 지지시킨 구조의 가열장치에 관한 것으로서, 주로 반도체 제조공정에서의 사용에 적합한 가열장치에 관한 것이다.
종래 트랜지스터나 IC등의 반도체 제조공정에서, 실리콘 기판상으로의 불순물 확산에 사용하는 가열장치로서, 노심관(勞心管)을 단열재로 형성한 통형상체로 둘러싸고, 그 통형상체의 내면에 발열코일을 지지하여서 구성하는 확산로가 많이 사용되고 있다.
그리고, 상기 발열코일을 지지하는 통형상체에는 단열벽돌이 사용되고 있었으나, 최근에는 소형경량화를 도모함과 동시에, 외부의 열방산을 최소로 억제하기 위하여, 예컨대 부피밀도 0.5g/㎤으로 이루어진 열전도율이 작은 알루미나질 섬유를 주재로 한 성형체가 많이 사용되고 있다.
상기 알루미나질 섬유는, 확산로의 단열재로서 최적한 것이지만, 부피 밀도가 크기 때문에 열용량이 크고, 노내온도를 승온 강온할 경우에 많은 시간을 필요로 한다. 또 가열장치의 틀 형상도 반도체웨이퍼의 대구경화(예컨대 4인치에서 6인치, 8인치로 변화하여 오고 있다)에 따라서 대형화하고 있고, 상기 가열장치의 중량도 증대하고 있기 때문에, 가열장치를 경량화하는 것이 소망되고 있다.
본 발명은 예컨대 1200℃정도의 고온역, 혹은 500℃정도의 저온역에 있어서도 뛰어난 내열성 및 단열성이 발휘되고, 열용량도 적은 단열층을 갖추고, 따라서 노내 온도의 승온 강온 시간을 짧게 할 수 있는 가열장치를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적 달성의 수단으로서, 알루미나질 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더로 이루어지는 부피밀도 0.3~0.8g/㎤의 내층부와, 알루미나실리카섬유/무기질 바인더로 이루어지고, 부피밀도가 0.2~0.4g/㎤이며, 또한 상기 내층부보다 작은 외층부가 일체층으로 성형되어 상기 내층부가 발열체의 지지부로 되어 있는 것을 특징으로 하는 가열장치를 제공하는 것이다.
상기 구멍의 단열층을 갖춘 가열장치에 있어서는, 발열체를 지지하는 내층부가 알루미나질 섬유를 사용한 비교적 고밀도의 단열층으로 형성되어 있으므로, 외층부와 함께 고온역에 있어서의 뛰어난 내열성, 단열성이 발휘된다. 또 외층부는 저밀도의 단열층으로 형성되어 있으나, 내층부와 비교하여 저온영역에 있어서는 충분한 단열성이 발휘된다. 더구나 내층부와 외층부는 다른 재료로 형성되어 있더라고, 실질적으로 이음매가 없는 일체층으로 되어 있으므로, 분리될 염려는 없다.
[실시예]
제1도 및 제2도는 본 발명의 1실시예에 관한 가열장치를 도시한 것으로서, 도면에서, (A)는 발열체를 갖고 있는 단열통체로서, 알루미나질 섬유를 주재로 하여, 이것에 무기질 충전재가 무기질 바인더를 더하여 성형한 내층부(a1)와, 알루미나실리카 섬유를 주재로 하여, 이것에 무기질 바인더를 더하여 성형한 외층부(a2)가, 이음매가 없는 일체층으로 성형되어 있다. 내층부(a1)의 내주면에는, 내층부(a1)의 성형시에 미리 형성된 나선홈에 발열코일(1)이 장착된다.
여기서, 알루미나질 섬유란, 알루미나를 주성분으로 하는 섬유, 예컨대 알루미나를 78중량%이상 함유하고, 기타 실리카 등의 무기질로 이루어지는 섬유를 말한다.
무기질 충전재는 내층부(a1)의 부피밀도를 크게 하기 위한 것이고, 내화성 무기분말, 예컨대 알루미나분말, 마그네시아 분말, 실리카분말 등을 사용할 수 있다.
무기질 바인더로서는, 콜로이덜 실리카, 콜로이덜 알루비나, 규산소다, 지르코니아졸, 금속산화물졸 등 공지의 것을 임의로 사용할 수 있다.
내층부(a1)의 두께에 대하여는 특히 제한은 없으나, 통상 20㎜전후면 좋다. 또, 외층부(a2)의 두께에 대하여도 특히 제한은 없으나, 통상 20㎜전후면 좋다.
상기 내층부(a1)를 형성하는 알루미나질 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더의 배합비율은, 바람직하기는 20~85/35~70/3~10(모두 중량부)로 하고, 성형후의 이 섬유층의 부피밀도가 0.3~0.8g/㎤로 되도록 한다. 부피밀도가 0.3g/㎤미만으로 고온 예컨대 1000℃에서의 열전도율이 커지고 단열특성에 결함이 있게 된다.
부피밀도가 0.8g/㎤을 초과하면, 성형후 크래크가 발생하기 쉽게 되며, 또 고온 예컨대 1000℃에서의 열전도율이 커지고, 또한 열용량이 커지며, 중량도 커진다.
또, 외층부(a2)를 형성하는 알루미나 실리카섬유/무기질 바인더의 배합비는 바람직하기는 85~95/5~15(모두 중량부)로 하고, 성형후의 이 섬유층의 부피밀도가 0.2~0.4g/㎤로 되고, 또한 상기 내층부(a1)의 부피밀도보다 작아지도록 한다. 부피밀도가 0.2g/㎤미만에서는 중량이 큰 내층부(a1)와 발열코일(1)을 유지하는 것이 곤란하게 되고 또, 저온, 예컨대 600℃전후에서의 열전도율도 커진다. 부피밀도가 0.4g/㎤을 초과하면, 열용량이 커지며, 중량도 커진다. 열용량은 단열재의 중량과 비열에 의하여 결정되기 때문에, 부피비가 작은 단열재를 사용하는 것이 바람직하고, 이에 의하여 열용량을 작게 할 수 있다.
제3도의 도표는, 상기 내층부(a1) 및 외층부(a2)의 각각에 대한 열전도율의 측정결과를 나타낸 것이다. 이 도표로 알 수 있는 바와같이, 고온역에서는 부피밀도가 0.3~0.8g/㎤의 범위에서 열전도율이 작아지고, 저온역에서는 열전도율이 작은 구역이 저밀도쪽으로 약간 옮기고 있다.
또한, 내층부(a1)는 알루미나질 섬유의 일부를 알루미나 실리카 섬유로 대체 가능하다. 그 경우, 알루미나질 섬유/알루미나 실리카 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더의 배합비는 5~20/15~45/35~70/3~10(모두 중량부)의 범위가 바람직하다.
제1도 및 제2도에 나타낸 상기 구성의 단열통체(A)는 다음의 방법에 의하여 얻을 수 있다.
먼저, 알루미나질 섬유에 무기질 충전재, 무기질 바인더, 물을 가하여 조제한 섬유분산액중에 흡인여과용 통체를 투입하고, 통체를 진공발생기에 연결하여서 상기 진공발생기를 소정시간 작동시키고, 통체의 바깥쪽에 소요두께의 섬유층을 진공형성한다. 그때 상기 여과통체의 바깥쪽에 소정의 형재(型材)를 마련하여 놓고, 상기 섬유층 내면에 발열코일(1)을 넣기 위한 나선홈(2)을 만든다. 이 나선홈이 있는 섬유층이 내층부(a1)로 된다.
다음에, 알루미나 실리카 섬유에 무기질 바인더, 물을 가하여 조제한 섬유분산액중에, 상기 섬유층이 있는 통체를 투입하고 전과 마찬가지로 통체를 진공발생기에 연결하여서 상기 진공발생기를 작동시키고, 상기 내층부(a1)의 섬유층의 바깥쪽에 다시 섬유층을 진공성형한다. 이 섬유층이 외층부(a2)로 된다.
상기 진공성형에 의하여, 내층부(a1)와 그 바깥쪽을 둘러싸는 외층부(a2)와는 실질적으로 이음매없는 일체층으로 성형되므로, 여과통체로부터 빼낸 뒤에, 예컨대 105℃로 16시간 가열건조처리함으로써, 소망의 단열통체(A)를 얻을 수 있다.
이어서 이 단열통체(A)의 내층부(a1)의 내면의 나선홈(2)에 발열코일(1)을 끼워 고정시킴으로써 제1도 및 제2도에 나타낸 가열장치를 얻을 수 있다.
제4도는 본 발명의 가열장치의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 이 실시예에서는 발열코일(1)이 내층부(a1) 내벽으로부터 돌출설치된 고정부재(11)를 개재하여 고착되어 있다. 즉, 고정부재(11)에는 다수의 도입구멍(12)이 형성되어 있어서, 이 도입구멍(12)에 발열코일(1)의 한 가닥 한가닥이 삽입, 지지되어 있다. 또한, 도면중(13)을 발열코일(1)에 접속된 단자이다.
본 발명의 가열장치는 예컨대 300℃내지 1200℃, 바람직하게는 500℃내지 1200℃의 온도 범위에서 가열하는 것이 적합하며, 예컨대 미국 특허출원 No.693,728(1971년 4월 30일 출원)에 나타낸 바와 같은 반도체 웨이퍼의 처리공정에서의 가열처리에 사용된다.
제5도는 본 발명의 가열장치를 종형 CVD장치의 가열로에 적용한 구체예를 나타내고 있다.
여기서, 종형 CVD장치(21)는, 클린룸(20)내에 설치되고, 컴퓨터시스템에 의하여 백업된 전자동기이며, 그 동작은 모두 자동체어되도록 되어 있다. 종형 CVD장치(21)의 전면에는 핸들링로보트의 궤조(도시하지 않음)가 부설되고, 로보트(도시하지 않음)에 의하여 웨이퍼카세트(22)가 CVD장치(21)의 웨이퍼이체부(웨이퍼 트랜스퍼 섹션) (23)내에 반입되도록 되어 있다.
종형 CVD장치(21)의 처리부(프로세스 섹션)(24)는, 웨이퍼이체부(23)의 상부에 마련되어 있다. 처리부(24) 및 웨이퍼이체부(23)는 개구(25)를 개재하여 상호 연이어 통하고 있다. 또, 처리부(24) 및 웨이퍼이체부(23)의 간막이벽(26)에는, 필터(27)를 가진 팬(28)이 달려 있다.
웨이퍼이체부(23)에는 카세트 스테이션(29) 및 보우트로딩기구(30)가 마련되어 있다. 카세트스테이션(29)은 다단의 선반구조를 하고, 각 단의 선반에는 복수의 웨이퍼카세트(22)가 재치되어 있다.
제1도 및 제2도에 나타낸 가열장치를 주된 구성으로 하는 가열로(31)가, 간막이벽(26)의 개구(25)의 바로 위에 위치하도록 처리부(24)에 설치되어 있다. 가열로(31)의 하부개구(31a)와 개구(25)와는 상호 연이어 통하고 있다.
제6도를 참조하고, 더 상세히 기술하면 프로세스튜브(70)가 코일히터(1)에 둘러싸이듯이, 가열로(31)속에 설치되어 있다. 프로세스튜브(70)의 하부개구는, 처리중에는 덮개부재(32)에 의하여 막혀지도록 되어 있다. 덮개부재(32)의 위에는 보온통(33)이 얹혀지고, 또한 보온통(33)위에 종형보우트(34)가 얹혀져 있다. 보우트(34)에는 다수의 반도체웨이퍼(35)가 쌓여 있다.
덮개부재(32)는, 보우트로딩기구(30)의 부재(36)에 의하여 지지되고, 지지부재(36)의 너트는 볼스크류(37)에 나사맞춤하고 있다.
플랜지(38)가 단열통체(A)의 하부개구 끝단에 부착되어 있다. 이 플랜지(38)와 프로세스튜브(70)의 하부가 보울트(74)를 개재하여 기대(73)에 고정되어 있다.
가스공급관(71) 및 가스배기관(72)이 프로세스튜브(70)의 하부에 각각 설치되고, 소정성분의 프로세스가스가 프로세스튜브(70)내에 공급되고, 이어서 배기되도록 되어 있다.
열처리로(31)의 주위에는 복수의 송풍파이프(39)가 노(31)내를 관통하도록 하여 설치되어 있어서, 노(31) 내부의 냉각을 촉진할 수 있도록 되어 있다. 송풍파이프(39)를 통하여 도입된 냉각에어는 정상부의 열교환기(40)를 거쳐 흡수기(도시하지 않음)에 의하여 외부로 방출되도록 되어 있다.
제7도에 도시한 바와 같이, 열처리로(31)의 둘레면은 열전도성 재료, 예컨대 금속제의 이중커버(44),(48)로 덮혀 있는 한쪽의 안쪽커버(44)의 바깥면에는 열전도성 재료 예컨대 동파이프제의 냉각관(45)이 사행(蛇行)형상으로 부착되어 있다. 냉각관(45)은 냉각수 공급원(도시하지 않음)에 연이어 통하고, 소정유량의 냉각수가 공급되도록 되어 있다.
다른쪽의 바깥쪽커버(48)로부터는 3쌍 6개의 단자(51a)~(51f)가 돌출하고, 각 쌍의 단자(51a),(51b) (제1존), 단자(51c),(51d) (제2존), 단자(51e),(51f) (제3존)가 각각 전원(60)에 접속되어 있다. 이와같이, 코일히터(1)는 적어도 3개의 존으로 구성되어 있다.
제7도에 도시한 바와같이, 단자(51a)와 단자(51b)와의 사이에 높이 약100㎜의 제1존이, 단자(51c)와 단자(51d)와의 사이에 높이 750㎜의 제2존이, 단자(51e)와 단자(51f)와의 사이에 높이 150㎜의 제3존이, 각각 형성된다. 각 단자(51a)~(51f)는 교류전원(60)에 각각 접속되어 있다.
제6도에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제3존에는 온도측정소자로서 열전대(62),(63),(64)가 각각 마련되어 있다. 각 열전대(62),(63),(64)는 콘트롤러(61)의 입력부에 접속되어 있다. 또한, 전원(60)은 콘트롤러(61)를 구비하고, 콘트롤러(61)에 의하여 각 존으로의 급전량이 각각 제어되도록 되어 있다. 이와같이, 제1 내지 제3의 존의 각각으로의 인가전류를 제어가능케하고, 열처리 장치내의 균열범위가 넓게 잡히는 구성으로 하고 있다.
제8도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내고 있다.
여기서, 열처리로(31)의 둘레벽은, 안쪽으로부터 차례로 내층부(a1), 외층부(a2), 공기층(89a)으로 이루어지는 3층으로 구성되어 있다. 또, 노(31)의 천정에는 두꺼운 내화물(55)이 씌워지고, 이 바깥쪽을 스텐레스강판(56)으로 덮고 있다. 노(31)의 하단부는 개구하고, 이 개구부에는 스텐레스강판제의 플랜지(38)가 부착되어 있다.
내층부(a1)의 내면에는 유지홈(58)이 형성되고, 유지홈(58)에 코일히터(1a)가 끼워맞추기 또는 메워넣기로 유지되고 있다.
내통(84)의 하부는, 고리현상 지지체(86b)에 의하여 하부플랜지(38)에 부착되어 있다. 내통(84)의 상부는, 노 천정과의 사이에 틈새(89b)를 형성하고 있고, 프리한 상태이다.
외통(88)의 상부는, 스텐레스강제의 스페이서링(87)을 개재하여 노천정에 고정되어 있다. 또, 외통(88)의 하부는, 고리형상 지지체(86b)에 의하여 하부플랜지(38)에 부착되어 있다. 이에 의하여, 내통(84) 및 외통(88)의 사이에 공기층(89a)이 형성되어 있다. 또한 외통(88)의 적당한 곳에는 제7도와 마찬가지로 단자(51a)~(51f)를 꺼내기 위한 개구가 형성되어 있다.
열처리로(31)의 코일히터(1a)는 Fe-Cr-Al 합금으로 이루어진 저항발열선을 코일형상으로 감아서 만들어져 있다. 코일히터(1a)의 각부의 사이즈는, 선의 지름이 2㎜, 감은 지름이 2㎜, 감은 피치가 9.5~10㎜이다. 또한, 코일히터(1a)의 감은 형상은, 원형코일만으로 한하지 않고, 타원형코일 등, 고리형상이면 어떤 형상이라도 좋다.
코일히터(1a)의 각 단부는, 급전단자부(50)의 단자(51a)~(51f)의 꼬리 끝단부에 각각 끼워넣고 용접되어 있다. 이 경우에, 단자접속부(41)를 미리 형성하여 놓고, 단자가 붙은 코일히터(1a)를 내층부(a1)에 메워넣는다.
또한, 각 단자(51a)~(51f)는, 코일히터(1a)와 같은 재료 또는 유사한 재료로 만들어지고, 지름은 코일히터(1a)의 선의 지름보다 굵고, 예컨대 6㎜지름이다.
각 단자(51a)~(51f)는, 내통(84)의 개구를 통과하여 외통(88)의 바깥쪽으로 돌출하고 있다. 보조판(53)이 외통(88)의 단자 꺼내기용 개구를 막도록, 4개의 나사(54)로 외통(88)에 부착되어 있다. 각 단자(51a)~(51f)는 나사골이 패어져 있다. 보조판(53)을 양면으로부터 끼듯이 1쌍의 애자(52a),(52b)가 마련되고, 애자(52a),(52b)에 의하여 각 단자(51a)~(51f)와 외통(88)이 절연되어 있다.
또한, 각 단자(51a)~(51f)는, 도시한 바와 같이 내통(84)에 대하여 프리한 상태로 외통(88)에 고정되어 있다. 또한 부호(85)는 제7도와 같이 설치된 냉각관이다.
본 발명에 의한 가열장치는, 상기와 같이 구성하므로, 하기의 효과를 얻을 수 있다.
(1) 발열체를 지지하는 내층부는, 알루미나질 섬유를 사용하고 있기 때문에, 내열재로서 충분한 내열성을 가진다. 또 내층부는 고밀도로 성형되어 있기 때문에, 강도에 뛰어난 성능이 발휘된다. 또, 가열장치내에 강제적으로 냉각기체를 보내는 경우에는, 내풍속성(耐風速性)에 뛰어나고, 강풍을 보내더라도 단열재로부터의 발진(發塵)등은 충분히 낮게 유지할 수 있다.
(2) 상기 내층부와 그 바깥쪽을 둘러싸는 저밀도의 외층부에 의하여 뛰어난 단열성능이 발휘된다.
(3) 고밀도의 내층부의 바깥쪽에 저밀도의 외층부를 형성한 것은, 고온 안정성에 뛰어나고 있다. 즉, 수축에 의한 그래크의 발생에 대하여 억지작용이 있고, 노내온도의 안정화의 효과가 있다.
(4) 또 상기 내층부와 외층부에 의한 단열층은, 전체로서 열용량이 작고, 열응답성이 좋고, 급열급냉이 가능하다.
(5) 상기 내층부와 외층부는 다른 부재로 성형되어 있더라도, 이음매가 없는 일체층으로 형성되어 있기 때문에, 표면으로부터의 열방산에 흩어짐이 나기 어렵고, 노내 온도를 안정, 균일로 유지하기 쉽다.
(6) 알루미나질 섬유는 내층부에만 사용하고 있기 때문에, 단열구조의 제작코스트를 대폭으로 저감할 수 있다.

Claims (10)

  1. 알루미나질 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더로 이루어지는 부피밀도 0.3~0.8g/㎤의 내층부(a1)와, 알루미나실리카 섬유/무기질 바인더로 이루어지고, 부피밀도가 0.2~0.4g/㎤이며, 또한 상기 내층부(a1)보다 작은 외층부(a2)가 일체층으로 성형되어, 상기 내층부(a1)가 발열체의 지지부(36)로 되어 있는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  2. 제1항에 있어서, 알루미나질 섬유가 알루미나를 78중량% 함유하는 것인 가열장치.
  3. 제1항에 있어서, 알루미나질 섬유/무기질 충전재/무기질 바인더의 배합비가 20~65/35~70/3~10(모두 중량부)인 가열장치.
  4. 제1항에 있어서, 알루미나실리카 섬유/무기질 바인더의 배합비가 85~95/5~15(모두 중량부)인 가열장치.
  5. 제1항에 있어서, 알루미나질 섬유의 일부를 알루미나실리카 섬유로 대체한 가열장치.
  6. 제5항에 있어서, 알루미나질 섬유/알루미나실리카섬유/무기질 충전재/무기질 바인더의 배합비가 5~20/15~45/35~70/3~10(모두 중량부)인 가열장치.
  7. 제1항에 있어서, 내층부에 나선형상 홈이 형성되어 있고, 이것에 발열체가 끼워져 있는 가열장치.
  8. 제1항에 있어서, 내층부에 지지부재가 돌출설치되어 있고, 이것에 발열체가 지지되어 있는 가열장치.
  9. 제1항에 있어서, 발열체가 그 자체 코일형상으로 감아서 만들어져 있는 가열장치.
  10. 제1항에 있어서, 이 가열장치가 반도체 제조장치용의 노로서 사용되고 있는 가열장치.
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