TW201927573A - 雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜 - Google Patents

雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜 Download PDF

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Abstract

本發明為一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係至少一側之表面為最大突起高度未滿20nm，在將高1nm以上且未滿2nm之突起之個數設為A(個/mm2)、將高3nm以上且未滿20nm之突起之個數設為B(個/mm2)時，B/A為0.001以上且5以下者；藉此可提供具有良好透明性、平滑性與易滑性，進而製膜‧加工步驟中之耐損傷性亦獲得提升的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。

Description

雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜
本發明係關於於表面具有細微突起之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
熱可塑性樹脂由於其加工性優良，被利用於各種工業領域。又，將此等熱可塑性樹脂加工為薄膜狀的製品，已於工業用途、光學製品用途、包裝用途、磁性記錄帶用途等現今生活中擔任重要角色。近年來，在電子資訊機器方面正朝小型化、高積體化演進，隨此而對用於製造電子資訊機器的薄膜要求加工性提升。尤其在製作電子資訊機器時，大多採用於薄膜表面使其他材料積層，依各薄膜進行光阻等光學性加工的手法。因此，為了提升薄膜之加工性，一般手段係在保持薄膜之透明性之下提高薄膜之平滑性。
為了對應上述要求，必須對薄膜表面賦予透明性、易滑性與平滑性、進而加工性。因此，例如專利文獻1中揭示有不使薄膜含有粒子，藉由添加劑使表面粗糙化而提升易滑性的技術；專利文獻2中揭示有藉由於薄膜表面建構內含有機樹脂粒子之表現易滑性的塗佈層，而提升易滑性的技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2016-221853號公報
專利文獻2：日本專利特開2005-153322號公報
然而，在如專利文獻1記載般使用添加劑的情況，雖滿足易滑性，但由於添加濃度不均所造成之表面粗糙，或產生來自添加劑之異物，而成為平滑性降低、或發生表面散射而透明性降低的課題。又，在如專利文獻2記載般設置易滑性之塗佈層的情況，有於加工步驟中塗佈層剝離而成為步驟污染之原因的課題。本發明係有鑑於上述情況，目的在於提供一種具有良好平滑性與易滑性，進而製膜‧加工步驟中之耐損傷性亦獲得提升的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
為了解決上述課題，本發明採用以下構成。亦即，
[I]一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係至少一側之表面為最大突起高度未滿20nm，在將高1nm以上且未滿2nm之突起之個數設為A(個/mm2)、將高3nm以上且未滿20nm之突起之個數設為B(個/mm2)時，B/A為0.001以上且5.000以下。
[II]如[I]之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面係在將高2nm以上且未滿3nm之突起之個數設為C(個/mm2)時，C/A為0.100以上且2.000以下。
[III]如[I]或[II]之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面之算術平均粗度Ra為3.0nm以下。
[IV]如[I]至[III]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其 中，具有上述表面之層係實質上不含有粒子。
[V]如[I]至[IV]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面之突起係高1nm之突起剖面之圓相當直徑之平均值為15nm以上且30nm以下。
[VI]如[I]至[V]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A為1.0×107個/mm2以上且1.0×109個/mm2以下。
[VII]如[I]至[VI]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，在將上述表面之高1nm以上且未滿10nm之突起之個數設為D(個/mm2)時，突起個數D為5.0×107~6.0×109個/mm2。
[VIII]如[I]至[VII]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，構成上述雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之熱可塑性樹脂係以聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯亞胺樹脂之任一者為主成分。
[IX]如[I]~[VIII]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用作為脫模用薄膜。
[X]如[I]至[VIII]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用作為乾膜光阻支撐體用薄膜。
[XI]如[I]至[VIII]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係在製造積層陶瓷電容器的步驟中使用作為生胚片成形之支撐體用薄膜。
[XII]如[I]至[VIII]中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用於磁性記錄媒體用底膜。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜係具有良好透明性、平滑性與易滑性，進而具有製膜‧加工步驟中之耐損傷性。
1‧‧‧施行了突起形成處理之層(P1層)
2‧‧‧AFM解析中之基準面(高0nm)
3‧‧‧高1nm之線(R1nm)
4‧‧‧高2nm之線(R2nm)
5‧‧‧高3nm之線(R3nm)
6‧‧‧最大突起高度(Rtop)
7‧‧‧高20nm之線(R20nm)
8‧‧‧P2層
9‧‧‧P3層
10‧‧‧高1nm之位置的突起之剖面
圖1為表示藉AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)所測定之Rtop、R1nm、R2nm、R3nm、R20nm之概念圖。
圖2為本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之2層構成圖。
圖3為本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之3層構成圖。
圖4為本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之異種3層構成圖。
圖5為表示藉AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)所測定之高1nm之位置的突起剖面之概念圖。
以下，針對本發明進行詳細說明。
本發明係關於一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。本發明中所謂熱可塑性樹脂，係指進行加熱則顯示塑性的樹脂，代表性樹脂係有如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乙烯α,β-二羧酸酯、來自P-六氫茬對苯二甲酸酯之聚合物、來自1,4-環己烷二甲醇之聚合物、聚-P-乙烯氧基苯甲酸酯、聚芳酯、聚碳酸酯等及其等之共聚合體所代表般，於主鏈具有酯鍵的聚酯樹脂類；以及尼龍6、尼龍66、尼龍610、尼龍12、尼龍11等所代表般，於主鏈具有醯胺鍵的聚醯胺樹脂類；聚乙烯、聚丙烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚合體、聚甲基戊烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚苯乙烯等所代表般，主要僅由碳氫化物構成的聚烯烴樹脂類；聚醚碸(PES)、聚伸苯醚(PPO)、聚醚醚酮(PEEK)、聚環氧乙烷、 聚環氧丙烷、聚甲醛等所代表的聚醚樹脂類；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚三氟氯乙烯等所代表的鹵化聚合物樹脂類；及聚苯硫醚(PPS)、聚碸樹脂及其等的共聚合體或改質體；聚醯亞胺樹脂等。
作為本發明中所使用之熱可塑性樹脂，由透明性、製膜性的觀點而言，較佳係以聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醯亞胺(PI)樹脂為主成分，其中特佳係聚酯。於此所謂「主成分」係指於薄膜之總成分100重量%中，含有超過50重量%且100重量%以下的成分。
又，本發明中所謂聚酯樹脂，係指由二羧酸構成成分與二醇構成成分進行縮聚合而成者。另外，本說明書中，所謂構成成分係指將聚酯樹脂進行水解而可獲得的最小單位。
作為構成此種聚酯樹脂之二羧酸構成成分，可舉例如：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、1,8-萘二羧酸、4,4'-二苯基二羧酸、4,4'-二苯醚二羧酸等之芳香族二羧酸或其酯衍生物。
又，構成此種聚酯樹脂之二醇構成成分，可舉例如：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇等脂肪族二醇類；環己烷二甲醇、螺二醇等脂環式二醇類；上述二醇複數個連接者等。
又，近年來由環境負擔的觀點而言，要求擺脫從石化燃料來源之原料與替換為生質來源原料，以減少本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之環境負荷為目的，可適合使用來自生質之上述例示的二醇構成成分。作為生質之具體例，可舉例如甘蔗、甜菜等 糖質資源或玉米、米、薯芋類等澱粉資源。
上述聚酯樹脂中，由機械特性、透明性的觀點而言，適合使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯-2,6-萘二羧酸酯(PEN)及對PET之二羧酸成分之一部分使間苯二甲酸或萘二羧酸進行共聚合的聚酯樹脂，對PET之二醇成分之一部分使環己烷二甲醇、螺二醇、二乙二醇進行共聚合的聚酯樹脂。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜必須進行雙軸配向。藉由進行雙軸配向，可提升薄膜之機械強度並提升易滑性。於此所謂雙軸配向，係指利用廣角X射線繞射顯示雙軸配向之圖案者。雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜一般係將未延伸狀態之熱可塑性樹脂片材朝片材長邊方向及寬度方向進行延伸，其後進行熱處理而完成結晶配向，藉此可獲得。其細節係於後述。
本發明之雙軸配向熱可塑性薄膜必須係至少一側之表面係在將依後述方法藉由AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)所測定之突起之最大高度(最大突起高度)設為Rtop(nm)時，Rtop(nm)未滿20nm，且在將高1nm以上且未滿2nm之突起之個數設為A(個/mm2)、將高3nm以上且未滿20nm之突起之個數設為B(個/mm2)時，B/A為0.001以上且5.000以下(以下，有時將最大突起高度未滿20nm、B/A為0.001以上且5.000以下之薄膜表面，簡稱為上述表面)。
本發明之Rtop(nm)係反映了存在於薄膜表面之具有最大突起高度之突起的高度。在Rtop(nm)為20nm以上時，將薄膜捲取成輥狀時在薄膜之其他面將發生缺陷，或在對薄膜表面積層其他層時因突起而於其他層造成缺陷。其結果，有薄膜之加工性降低的 情形，或有薄膜之霧度上升而喪失薄膜之透明性，於光阻等之光學性加工時成為引起缺點之原因的情形。又，在Rtop較小時，則於薄膜不存在具一定突起高度以上的突起，有薄膜之易滑性惡化的情形。Rtop(nm)較佳為3nm以上且未滿20nm，更佳為3nm以上且15nm以下，再更佳為3nm以上且10nm以下，最佳為3nm以上且5nm以下。
本發明中高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)係反映了於上述表面之薄膜面層部所存在突起之個數。突起個數A(個/mm2)變多則與其他面接觸時之面積(以下有時將與其他面接觸時之面積稱為接觸面積)降低，提升薄膜之易滑性。在突起個數A(個/mm2)較多時，有薄膜之易滑性變高而薄膜捲取時發生捲取偏差的情形。又，在突起個數A(個/mm2)較少時，薄膜變得平坦而與其他面之接觸面積增加，有製膜步驟或其後之加工步驟中與製程輥間的摩擦增加而發生皺紋，或薄膜捲取變得困難，而製膜‧加工之適性降低的情形。高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)較佳為1.0×107個/mm2以上且1.0×109個/mm2以下，更佳為2.0×107個/mm2以上且5.0×108個/mm2以下。
本發明中高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)係反映了在離開上述表面面層部之位置所存在突起之個數，其妨礙存在於面層部之高1nm以上且未滿2nm之突起與其他面之間的接觸，具有更加提升薄膜之易滑性的效果。使用高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)與高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)所算出的值B/A係反映了兩突起之個數的平衡。在B/A較大時，由於有助於易滑性之高1nm以上且未滿2nm 之突起的比例降低故易滑性降低，薄膜之製膜‧加工適性降低。又，B/A較小時，高3nm以上且未滿20nm之突起的比例降低，其他面與薄膜面層部的接觸面積增加，故薄膜之易滑性降低而製膜‧加工適性降低。此外，發生許多因薄膜與製程輥間之摩擦所造成的損傷。作為B/A之較佳範圍為0.010以上且2.000以下，更佳範圍為0.010以上且0.080以下。習知技術中，高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)與高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)，係呈在欲增加個數B時則個數A減少、在欲增加個數A時則個數B減少的折衷關係，但本發明中可藉由後述方法將B/A控制於上述範圍。
本發明中高2nm以上且未滿3nm之突起之個數C(個/mm2)係反映了存在於上述表面之上述高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)與高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)之中間位置的突起之個數。突起個數C(個/mm2)並無特別限定，但在最大突起高度之Rtop(nm)為5nm以下時則無法忽略其影響，已判明了有因其與上述高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)的比C/A值而耐損傷性改變的情形。具體而言，Rtop(nm)為5nm以下時C/A值較佳為0.100以上且2.000以下。更佳為0.200以上且0.400以下。在C/A值未滿0.100時，即使上述C/A值為較佳範圍內仍無法忽略其他面接觸至面層部的影響，有耐損傷性降低的情形。又，若C/A值大於2.000，則與面層部存在於高2nm以上且未滿3nm之突起部分的情況無異，有薄膜之耐損傷性降低的情形。
在將本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表 面中高1nm以上且未滿10nm之突起之個數設為D(個/mm2)時，個數D係表示由存在於上述表面之面層附近起至突起高度未滿10nm之高位置所存在的突起之總個數，並表示了負責防止在將薄膜捲取成輥時，因薄膜間之凝集(黏結)或伴隨此之皺紋發生的突起之總個數。在將薄膜捲取成為輥時，除了對薄膜施加一定張力而進行捲取之外，在長期間保管輥時有因保管溫度而輥縮捲的情形。因此，輥狀態之薄膜係於厚度方向上受到較大壓力。為了防止薄膜彼此之黏結或皺紋、表面缺點發生，重要的是使形成於表面之突起所造成的壓力分散，抑制薄膜面間之凝集。本案發明人等經潛心研究後，結果判明了表面所存在之突起中，突起高度為10nm以上之突起將有助於壓力分散，另一方面，突起高度變高、與面層部間之高低差有促使皺紋、表面缺點發生的情形。因此，為了防止輥狀態下之薄膜的黏結與皺紋、表面缺點，突起高度為1nm以上且未滿10nm之突起個數D較佳為5.0×107~6.0×109個/mm2以上。在突起個數D為未滿5.0×107個/mm2時，由於輥狀態下之薄膜彼此之接觸面積增加而發生凝集，故有薄膜難以退繞的情形，或有依輥狀態保管時多數發生皺紋、表面缺點的情形。另一方面，在突起個數口超過6.0×109個/mm2時，可抑制薄膜彼此之黏結，另一方面，有發生薄膜捲取偏差而生產性降低的情形。突起個數D之較佳範圍為1.7×108~1.0×109個/mm2，更佳範圍為2.0×108~8.0×108個/mm2。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面，較佳係表示表面粗度之算術平均粗度Ra為3.0nm以下、更佳為0.5nm以上且3.0nm以下。在未滿0.5nm時，可有效減少接觸面積的突起較少，有滑性(易滑性)降低的情形。另一方面，超過3.0nm時，由 於存在粗大之突起，故在捲取本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜時有轉印凹凸而喪失薄膜之平滑性的情形。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上面表面，較佳係藉後述AFM測定所求得之距基準面高1nm之位置之突起的剖面之圓相當直徑之平均值D1nm為15nm以上且30nm以下。在圓相當直徑之平均值未滿15nm時，即使上述突起較多(高密度)存在時，與其他面接觸時仍容易發生變形，而有無法發揮降低接觸面積之功能的情形。另一方面，在圓相當直徑之平均值超過30nm時，則突起粗大，高1nm以上且未滿2nm之突起個數降低，結果有薄膜之易滑性降低的情形。
用於使薄膜之透明性不惡化、將薄膜表面之突起高度設為上述範圍的方法並無特別的限定，可舉例如：如奈米壓印般使用模具於表面轉印形狀的方法；利用大氣壓輝光放電的電漿表面處理；對表層添加了光學上不易造成影響之2次粒徑小於10nm之細微粒子後，進行後述之雙軸延伸。由生產線上之製膜適應性或細微突起之形成個數的觀點而言，較佳係利用大氣壓輝光放電的電漿處理或進行細微粒子添加並進行雙軸延伸；基於突起形成均勻性或對薄膜之損傷較少，更佳係利用大氣壓輝光放電進行電漿處理並進行雙軸延伸。於此所謂大氣壓係指700Torr~780Torr之範圍。
大氣壓輝光放電處理係將處理對象之薄膜導入至相對向的電極與接地輥之間，於裝置中導入電漿激發性氣體，對電極間施加高頻電壓，藉此使該氣體產生電漿激發而在電極間進行輝光放電。藉此使薄膜表面被細微加工而形成突起。
所謂電漿激發性氣體，係指在如上述條件下可被電漿 激發的氣體。電漿激發性氣體可舉例如氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體；氮、二氧化碳、氧、或如四氟甲烷般之氟氯烷類及此等的混合物等。又，電漿激發性氣體可單獨使用1種、亦可依任意混合比組合2種以上。由藉電漿激發時活性變高的觀點而言，較佳係含有氬、氧、二氧化碳中之至少1種，更佳為含有氧。電漿處理時之高頻電壓之頻率較佳為1kHz~100kHz之範圍。又，由突起形成之觀點而言，依以下方法所求得之放電處理強度(E值)較佳係依10~2000W‧min/m2之範圍進行處理，更佳係40~500W‧min/m2。若放電處理強度(E值)過低，則有突起未充分形成的情形；若放電處理強度(E值)過高，則有對熱可塑性樹脂薄膜造成損傷、或灰化進行而未形成較佳突起的情形。
<放電處理強度(E值)之求法>
E=Vp×Ip/(S×Wt)
E：E值(W‧min/m2)
Vp：施加電壓(V)
Ip：施加電流(A)
S：處理速度(m/min)
Wt：處理寬度(m)。
將表示藉AFM所測定之Rtop、R1nm、R2nm、R3nm、R20nm之概念圖示於圖1。圖1中，所謂基準面係指將測定表面距基準面之距離規定為0的高度(較基準面高時為正值，較基準面低時為負值)。
一般而言，在藉由大氣壓輝光放電處理使熱可塑性樹脂薄膜、尤其如PET或PEN般具有非晶部與結晶部之薄膜的表面進行灰化時，將由較柔軟之非晶部開始被加工。藉由將結晶部與非 晶部細分化，利用大氣壓輝光放電處理可形成更細微之突起，再者，藉由事先增加結晶部則較柔軟之非晶部被較深地切削，而可增加突起高度。
因此，本發明之熱可塑性樹脂薄膜之具有上述表面之層的固有黏度(IV)較佳為0.55dl/g以上、更佳為0.70dl/g以上。IV係反映了分子鏈長度的數字，分子鏈較長者由於在同一分子鏈中容易明確地形成結晶部與非晶部，故藉由大氣壓輝光放電處理容易形成更細微之突起而較佳。又，在IV未滿0.55dl/g時，由於分子鏈短而結晶化容易進行，故有延伸步驟時頻繁發生破斷而製膜困難的情形。
又，藉由於構成薄膜之熱可塑性樹脂中使其他熱可塑性樹脂成分依奈米等級之尺寸分散，有Rtop(nm)變大的傾向。又，提升大氣壓輝光放電處理之強度、或大氣壓輝光放電處理時所使用之電漿激發性氣體之活性亦屬有效手段。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜可為單膜構成、亦可為積層了其他樹脂的2層以上構成。於作成2層構成時，在將具有上述表面之層稱為P1層、將所積層之層稱為P2層時，較佳係配置成使P1層之具有突起之表面成為最外層的P1層/P2層構成。於作成3層構成時，可為2種3層構成(P1層/P2層/P1層)，亦可為進一步積層了其他樹脂的異種3層構成(P1層/P2層/P3層)。
作為將P1層與P2層、P3層等其他樹脂層進行積層的方法，並無特別限制，可使用後述之共擠出法、或將其他樹脂層原料投入至擠出機進行熔融擠出並由模口擠出而層合至製膜途中之薄膜上的方法(熔融層合法)、將製膜後之薄膜彼此經由接黏劑層 進行積層的方法等；其中，較佳係使用可同時進行上述處理之突起形成與積層的共擠出法。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，係後述測定條件中具有上述突起之表面與金屬間之摩擦係數(μk)較佳為0.20以上且0.55以下。更佳為0.20以上且0.40以下、最佳為0.20以上且0.37以下。在超過0.55時，易滑性不足，無法對本發明之薄膜進行製膜‧加工。在小於0.20時，有捲取本發明之薄膜時發生捲取偏差的情形。
本發明之熱可塑性薄膜係在使用於乾膜光阻支撐體用薄膜等要求高光線穿透性(透明性)的用途時，薄膜之霧度較佳為0.60%以下。在薄膜之霧度超過0.60%時，使用薄膜時穿透光發生散射，而在例如乾膜光阻支撐體用途中於光阻佈線發生缺點。更佳係0.50%以下、再更佳係0.45%以下。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，在不損及本發明特性的範圍內，亦可含有有機粒子或無機粒子、或其兩者。為了最大限地獲得本發明特性，較佳係實質上不含有粒子。所謂實質上不含有粒子，係指相對於熱可塑性樹脂薄膜，粒子含量為500ppm以下、更佳為50ppm以下、最佳為10ppm以下。
又，本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，在不損及本發明特性的範圍內，亦可以抗靜電為目的而添加AS劑(抗靜電劑)，或以賦予配合了使用用途之光學特性為目的而添加染料、色素或有機及無機之波長轉換材料。
接著，針對本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之製造方法，列舉雙軸配向聚酯樹脂薄膜為例進行說明，但本發明不應 解釋為僅侷限於由此種例所得之物。
作為獲得本發明所使用之聚酯樹脂的方法，可採用依常法進行的聚合方法。例如使對苯二甲酸等二羧酸構成成分或其之酯形成性衍生物、與乙二醇等二醇構成成分或其之酯形成性衍生物，藉由公知方法進行酯交換反應或酯化反應後，進行熔融聚合反應則可獲得。又，視需要亦可將藉由熔融聚合反應所得之聚酯樹脂，於聚酯樹脂之熔點溫度以下進行固相聚合反應。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜可依習知公知之製造方法而獲得，藉由依以下條件進行延伸、熱處理步驟而製造，可控制突起形成而作成如上述般具有較佳物性的表面。
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，可使用將視需要經乾燥之原料於擠出機內進行加熱熔融，從模口擠出至經冷卻之澆鑄滾筒上而加工成片材狀的方法(熔融澆鑄法)。作為其他方法，可使用使原料溶解於溶媒中，將此溶液從模口擠出至澆鑄滾筒、環形帶等支撐體上而作成膜狀，接著從此種膜層中將溶媒乾燥除去而加工為片材狀的方法(溶液澆鑄法)等。
在藉由熔融澆鑄法製造2層以上之積層聚酯樹脂薄膜時，適合使用依照構成積層聚酯薄膜之各層，使用擠出機使各層原料熔融，使此等在設於擠出裝置與模口之間的合流裝置依熔融狀態進行積層後，引導於模口，再從模口擠出至澆鑄滾筒上而加工成片材狀的方法(共擠出法)。該積層片材係藉由靜電而密接冷卻固化於表面溫度冷卻至20℃以上且60℃以下之滾筒上，製作未延伸薄膜。澆鑄滾筒之溫度更佳為25℃以上且60℃以下、再更佳為30℃以上且55℃以下。在20℃以下時，有施行後述之大氣壓輝光放電 處理、並經雙軸延伸後的薄膜表面之突起形成不足的情形。若超過60℃，則有薄膜貼附於澆鑄滾筒，難以獲得未延伸薄膜的情形。
接著，對於此所得之未延伸薄膜施行大氣壓輝光放電之電漿處理等的表面處理。此等表面處理可在剛獲得未延伸薄膜後馬上施行，亦可進行微延伸後再施行，亦可朝縱及/或橫方向延伸後才施行，本發明中較佳係對未延伸薄膜進行表面處理。又，施行表面處理之面可為接觸至澆鑄滾筒之面(滾筒面)、或未接觸至澆鑄滾筒之面(非滾筒面)的任一者。
其後，對未延伸薄膜進行雙軸延伸，而使其雙軸配向。作為延伸方法，可使用逐次雙軸延伸法或同步雙軸延伸法。最初於長邊方向、接著於寬度方向進行延伸的逐次雙軸延伸法，可無延伸破裂地有效獲得本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
(雙軸延伸)
有關對未延伸薄膜進行雙軸延伸時的延伸條件並無特別限定，在本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜為以聚酯樹脂為主成分時，作為長邊方向之延伸，較佳係將未延伸薄膜引導至加熱為70℃以上之輥群，朝長邊方向(縱方向、亦即片材之進行方向)進行延伸，並藉20~50℃之溫度的輥群進行冷卻。長邊方向之延伸時加熱輥溫度的下限，係在不損及片材延伸性之前提下並無特別限定，較佳係所使用之聚酯樹脂之玻璃轉移溫度+5℃。又，長邊方向之延伸倍率之較佳範圍為2.5倍~5倍。更佳範圍為3.0倍~3.5倍。若長邊方向之延伸倍率為2.5倍以下，則配向結晶化不進行而薄膜強度顯著降低。另一方面，在延伸倍率超過4.5倍時，由於延伸所伴隨之 聚酯樹脂之配向結晶化進行，而有在變脆之同時製膜時發生破裂的情形。
接著，關於與長邊方向呈直角之方向(寬度方向)的延伸，較佳係以夾具把持著薄膜兩端而引導至拉輻機，於加熱為70~160℃之溫度的環境中，朝與長邊方向呈直角之方向(寬度方向)進行3~5倍之延伸，及其後對經延伸之薄膜進行熱處理，而使薄膜內部之分子配向構造穩定化。關於熱處理時薄膜所受到之熱履歷溫度，可藉由以後述示差掃描熱量計(DSC)所測定之融點溫度之正下方所出現的微小吸熱波峰(以下有時稱為Tmeta)溫度而確認，作為拉輻機裝置設定溫度，在例如以聚對苯二甲酸乙二酯(融點255℃)為主成分時，一般而言，較佳係將拉輻機內之最高溫度設定為200℃以上且250℃以下；在以其他熱可塑性樹脂為主成分時，較佳係設定為該熱可塑性樹脂之融點-55℃以下且融點-5℃以下。在以聚對苯二甲酸乙二酯為主成分時，在熱處理溫度為200℃以下的情況；或在以其他熱可塑性樹脂為主成分時，在小於該熱可塑性樹脂之融點-55℃的情況，藉由上述大氣壓輝光放電處理所形成之突起無法充分成長，結果難以形成上述較佳範圍的突起。另一方面，在聚對苯二甲酸乙二酯為主成分且依超過250℃施行熱處理的情況；或在以其他熱可塑性樹脂為主成分時依超過該熱可塑性樹脂之融點-5℃施行熱處理的情況，有薄膜熔解而多數發生破裂、生產性降低的情形。在聚對苯二甲酸乙二酯為主成分時，熱處理溫度之更佳範圍為220℃以上且245℃以下。
作為表示熱處理時薄膜所受到之熱履歷溫度的Tmeta的範圍，在以聚對苯二甲酸乙二酯為主成分時，基於上述理由較佳 為190℃以上且245℃以下。更佳範圍為210℃以上且240℃以下。
進而經熱處理後，以對薄膜賦予尺寸穩定性為目的，亦可於0%以上且6%以下之範圍進行鬆弛(弛緩)處理。
延伸倍率係於長邊方向與寬度方向分別設為3~5倍，其面積倍率(縱延伸倍率×橫延伸倍率)較佳為9~20倍、更佳為9~15倍。若面積倍率未滿9倍，則所得雙軸延伸薄膜之耐久性不足；若面積倍率超過20倍則有延伸時容易發生破裂的傾向。
為了形成本發明之突起，重要的是選擇於拉輻機內之延伸時不施加長邊方向之力的拉輻機之溫度條件、延伸條件。此種於拉輻機內之延伸時所施加之長邊方向的力，一般係發生曲折(bowing)的因子之一，並由拉輻機內之延伸區中薄膜之蒲松變形力(朝長邊方向收縮之力)、及從延伸區朝更高溫之熱處理區前進時所發生之各溫度下之薄膜剛性差所支配。此長邊方向之力越大則薄膜越被拉入至長邊方向延伸區側。藉由減低此長邊方向之力，可使延伸時之應力均勻，可形成上述範圍的突起。作為具體之處方，有效的是採用「薄膜之寬度方向高配向度化」、「拉輻機內溫度之階段升溫」、「熱處理區之追加延伸」之3種條件。此3個條件可獨立應用，亦可組合應用。
(薄膜之寬度方向高配向度化)
薄膜之寬度方向高配向度化係藉由使寬度方向之機械延伸倍率大於長邊方向之機械延伸倍率而實施。具體而言，在將長邊方向之機械延伸倍率設為X(%)、將寬度方向之機械延伸倍率設為Y(%)時，由Y/X所算出之值較佳為1.00以上、更佳為1.05以上、再更 佳為1.10以上、最佳為1.20以上。在Y/X值小於1.00時，無法獲得使上述長邊方向之應力降低的效果，有無法將突起控制於較佳範圍的情形。
(拉輻機內溫度之階段升溫)
藉由將拉輻機內溫度由80℃逐漸升溫、提高延伸區之最高溫度、降低熱處理區之最高溫度、維持熱處理區之最高溫度並降低起始溫度等，可達成延伸區與熱處理區之溫度差的減低。具體而言，延伸區與熱處理區之溫度差較佳為160℃以下。更佳為100℃以下、最佳為40℃以下。在溫度差超過160℃時，薄膜之延伸溫度低，寬度方向上無法均勻延伸，有發生厚度不均或平面性惡化的情形，或者熱處理區之溫度較高而薄膜融解並多數發生破裂，有生產性降低的情形。
(熱處理區之追加延伸)
藉由於拉輻機內、延伸區之後方所配置的熱處理區再次朝寬度方向進行延伸則可達成。具體而言，較佳係於熱處理區朝寬度方向依機械延伸倍率計1.05倍以上且1.50倍以下進行延伸。在寬度方向之延伸倍率小於1.05倍時，有無法獲得抑制上述長邊方向之力之效果的情形。另一方面，寬度方向之延伸倍率大於1.50倍時，因薄膜之結晶化度上升而變脆，延伸之均勻性崩壞或多數發生破裂，故有生產生降低的情形。
依上述方式所得之本發明之薄膜，係具有良好之平滑性與易滑性，進而製膜‧加工步驟中之耐損傷性亦優越。發揮此特 性，而適合使用作為例如脫模薄膜(尤其是偏光板之脫模薄膜或用於製造積層陶瓷電容器的脫模薄膜)、或磁性記錄媒體之支撐體。
在將習知之熱可塑性樹脂薄膜使用作為偏光板之脫模薄膜時，係有如以下之課題。偏光板係進行用正交偏光鏡法(使二片偏光板彼此之偏光面正交，依於其間使薄膜之長邊方向、寬度方向分別對準正交之偏光板之偏光面而夾入的狀態，觀察穿透光的方法)之人眼目視檢查作為異物混入或缺陷檢查。此種檢查中，若使用為了提升脫模性而含有粒子的習知之熱可塑性樹脂薄膜作為偏光板之脫模薄膜，則容易發生以粒子為起因的漏光，難以進行正確的進行目視檢查，發生遺漏異物混入或缺點之亮點的問題。本發明之熱可塑性樹脂薄膜由於具有優越的脫模性，並可抑制此種問題發生，故適合使用作為偏光板之脫模薄膜。
又，在將習知之熱可塑性樹脂薄膜使用作為用於製造積層陶瓷電容器的脫模薄膜時，有如以下之課題。近年來，積層陶瓷電容器係朝小型、高容量化演進。因此，若在用於製造積層陶瓷電容器的脫模薄膜的表面有粗大突起，則將生胚片製品捲起時轉印至生胚片上，成為發生損傷或凹陷的較大問題。另一方面，習知之熱可塑性樹脂薄膜並無法在抑制粗大突起發生的同時，賦予良好的易滑性、進而賦予製造‧加工步驟中的耐損傷性。本發明之熱可塑性樹脂薄膜由於具有良好之平滑性與易滑性，進而製膜‧加工步驟中之耐損傷性亦優越，故可適合使用作為用於製造積層陶瓷電容器的脫模薄膜。
又，在將習知之熱可塑性樹脂薄膜使用作為磁性記錄媒體之支撐體時，有如以下之課題。近年來，對磁性記錄媒體係要 求進一步的高密度記錄化。為了達成進一步的高密度記錄，有效的是磁性層之薄膜化或使用微粒子磁性體而進一步提升磁性層表面之平滑性。尤其是近年來之使用強磁性六方晶肥粒鐵粉末而成之塗佈型數位記錄方式之磁性記錄媒體用支撐體中，隨著磁性層或非磁性層、背塗層、進而支撐體本身的薄膜化，不僅是平滑面、行走面之粗面化亦受到制約。於製造過程中作為磁性記錄媒體依輥狀態保存時，有在行走面所形成之突起轉印至磁性面、於平滑之磁性層表面形成凹陷而磁性層表面之平滑性惡化、電磁轉換性特降低的問題。為了提高磁性層表面之平滑性而企圖使支撐體之行走面側所含有的粒子小徑化或低濃度化時，因所添加之粒子於厚度方向上重疊而發生粒子於表面上突起的現象，故仍然無法改善粗大突起。另一方面，若薄膜之平滑性提高，則有薄膜與製程輥間之易滑性降至的傾向，故於加工步驟中薄膜之搬送性降低。其結果，發生加工性降低之課題，故難以使薄膜之加工性與易滑性同時提升。本發明之熱可塑性樹脂薄膜由於具有優越之脫模性，並可抑制此種問題發生，故適合使用作為磁性記錄媒體之支撐體、尤其是塗佈型數位記錄方式之支撐體。
[特性之評價方法] A.AFM(Atomic Force Microscope，原子力顯微鏡)所進行之評價 (i)最大突起高度Rtop(nm)
對藉以下測定方法所得之薄膜表面的影像，使用附屬之解析軟體(NanoScope Analysis Version 1.40)進行解析。對所得薄膜表面之Height Sensor影像僅施行下述Flatten處理後，將Particle Analysis 解析模式如下述般設定，而自動地決定薄膜表面之基準面。由該基準面，將突起高度之臨限值(Threshold Height)依間隔1nm而定為1nm、2nm...，計算於各臨限值所得之突起個數，將由所計算之突起個數首次成為0的臨限值低1nm之臨限值作為其測定影像之Rtop(nm)。
對各試樣中20處之測定影像全部進行上述解析，以其平均值作為試樣之最大突起高度Rtop(nm)。
(ii)高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)
與上述(i)項同樣地，將藉由附屬之解析軟體所算出之突起高度之臨限值(Threshold Height)為1nm(R1nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N1nm(個/mm2)，將2nm(R2nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N2nm(個/mm2)時，以依下式所求得之值作為此測定影像中高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)。
A(個/mm2)=N1nm(個/mm2)-N2nm(個/mm2)
對各試樣中20處之測定影像全部進行上述解析，以其平均值作為試樣中高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A(個/mm2)。
(iii)高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)
與上述(i)項同樣地，將藉由附屬之解析軟體所算出之突起高度之臨限值(Threshold Height)為3nm(R3nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N3nm(個 /mm2)，將20nm(R20nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N20nm(個/mm2)時，以依下式所求得之值作為此測定影像中高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)。
B(個/mm2)=N3nm(個/mm2)-N20nm(個/mm2)
對各試樣中20處之測定影像全部進行上述解析，以其平均值作為試樣中高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B(個/mm2)。
(iv)突起個數比率B/A
對各測定影像，以將上述(iii)項所求得之B(個/mm2)除以(ii)項所求得之A(個/mm2)的值作為此影像的突起個數比率B/A，並將各試樣之20處之測定影像全部的B/A之平均值作為試樣所具有之突起個數比率B/A。
(v)高2nm以上且未滿3nm之突起之個數C(個/mm2)
與上述(i)項同樣地，將藉由附屬之解析軟體所算出之突起高度之臨限值(Threshold Height)為2nm(R2nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N2nm(個/mm2)，將3nm(R3nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N3nm(個/mm2)時，以依下式所求得之值作為此測定影像中高2nm以上且未滿3nm之突起之個數C(個/mm2)。
C(個/mm2)=N2nm(個/mm2)-N3nm(個/mm2)
(vi)突起個數比率C/A
對各測定影像，以將上述(v)項所求得之C(個/mm2)除以(ii)項所求得之A(個/mm2)的值作為此影像的突起個數比率C/A，並將各試樣之20處之測定影像全部的C/A之平均值作為試樣所具有之突起個數比率C/A。
(vii)高1nm以上且未滿10nm之突起之個數D(個/mm2)
與上述(i)項同樣地，將藉由附屬之解析軟體所算出之突起高度之臨限值(Threshold Height)為1nm(R1nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N1nm(個/mm2)，將10nm(R10nm)時每1μm2之突起密度之平均值(Density行、Mean列的值)換算為每1mm2時的數值設為N10nm(個/mm2)時，以依下式所求得之值作為此測定影像中高1nm以上且未滿10nm之突起之個數D(個/mm2)。
D(個/mm2)=N1nm(個/mm2)-N10nm(個/mm2)
(viii)於高1nm地點之突起之圓相當直徑的平均值D1nm
與上述(i)項同樣地，將藉由附屬之解析軟體所算出之突起高度之臨限值(Threshold Height)為1nm時之突起的圓相當直徑之平均值(Diameter行、Mean列的值)設為D1nm(nm)，將各試樣中20處之測定影像全部的D1nm之平均值作為試樣所具有之突起個數比率D1nm(nm)。
(ix)算術平均粗度(Ra)
與上述(i)項同樣地，對藉由以下測定方法所得之薄膜表面之Height Sensor影像施行下述Flatten處理後，以Roughness解析模式 所表示之Image Ra之值作為測定影像之算術平均粗度Ra(nm)，將各試樣中20處之測定影像全部的Ra之平均值作為試樣所具有之算術平均粗度Ra(nm)。
[AFM測定方法]
‧裝置：Bruker公司製 原子力顯微鏡(AFM)Dimention Icon with ScanAsyst
‧懸臂：氮化矽製探針ScanAsyst Air
‧掃描模式：ScanAsyst
‧掃描速度：0.977Hz
‧掃描方向：朝依後述方法所製作之測定試樣之寬度方向進行掃描
‧測定視野：1μm四方
‧試樣管線512
‧Peak Force SetPoint：0.0195V~0.0205V
‧Feedback Gain：10~20
‧LP Deflection BW：40kHz
‧試樣調整：23℃、65%RH、靜置24小時
‧AFM測定環境：23℃、65%RH
‧測定試樣作成方法：於AFM試料碟(直徑15mm)之單面貼附雙面膠帶，將AFM試料碟、及切出為約15mm×13mm(長邊方向×寬度方向)之本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面(測定面)的相反側之面貼合，作為測定試樣。
‧試樣測定次數：依各試樣彼此至少離開5μm以上的方式變更場所，進行20次測定。
‧測定值：對所測定之20處之影像進行上述解析，測定各數值並以其平均值作為試樣所具有之各數值。
[Flatten處理]
‧Flatten Order：3rd
‧Flatten Z Threshholding Direction：No thresholding
‧Find Threshold for：the whole image
‧Flatten Z Threshold %：0.00%
‧Mark Excluded Data：Yes
[Particle Analysis模式設定] (Detect tab)
‧Threshold Height：配合各值輸入
‧Feature Direction：Above
‧X Axis：Absolute
‧Number Histogram Bins：512
‧Histogram Filter Cutoff：0.00nm
‧Min Peak to Peak：1.00nm
‧Left Peak Cutoff：0.00000%
‧Right Peak Cutoff：0.00000%
(Modify tab)
‧Beughbirhood Size：3
‧Number Pixels Off：1
‧所有Dilate/Erode操作均不進行。
(Select tab)
‧Image Cursor Mode：Particle Select
‧Bound Particles：Yes
‧Non-Representative Particles：No
‧Height Reference：Relative To Max Peak
‧Number Histogram Bins：50
‧在求取上述數值時，不選擇解析影像中之特定波峰、區域
‧於Diameter、Height、Area之所有直方圖不選擇特定處。
B.金屬摩擦係數(μk)
將薄膜寬度切為12.65mm之帶狀物，使用帶行走試驗機SFT-700型(橫濱系統研究所(股)製)，於23℃、65%RH環境下，依對薄膜施加荷重100g之狀態使其行走，藉下式求得行走後之摩擦係數(μk)。又，本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜係使上述表面依接觸於導輥(金屬輥)的方式安裝，由5次測定之平均值求得。
μk=2/π×ln(T2/T1)
T1：張力荷重(100gf)
T2：行走中的張力(單位：gf)
導輥直徑：6mm
導輥材質：SUS27(表面粗度0.2S)
接觸角：90°
行走距離：10cm
行走速度：3.3cm/秒。
C.耐損傷性
對同一處實施上述B項中帶行走試驗機之10cm之帶行走5次，目視觀察行走試驗前後之與金屬輥間之接觸面側的損傷，計算行走方向上具1cm以上長度之損傷的增加條數。對各試樣於任意5處進行試驗，以其平均值作為此試樣之耐損傷性，如下述般進行評價。
損傷之增加條數為0~1條：A
損傷之增加條數為2~5條：B
損傷之增加條數為5~10條：C
損傷之增加條數為11條以上：D
耐損傷性係A~C為良好，其中最優良為A。
D.厚度(μm)
薄膜厚度係使用度盤規，依照JIS K7130(1992年)A-2法，依薄膜重疊10片之狀態對任意5處測定厚度。以將其平均值除以10之值作為試樣之薄膜厚度。
在薄膜為積層薄膜的情況，依下述方法，求得各層厚度。朝與薄膜寬度方向平行之方向藉薄切片機切出薄膜剖面。藉掃描型電子顯微鏡依5000倍之倍率觀察該剖面，求得積層各層之厚度比率。由所求得之積層比率與上述薄膜厚度，算出各層厚度。
E.薄膜之固有黏度IV(dl/g)
使本發明之薄膜溶解於鄰氯苯酚100ml(溶液濃度C=1.2g/dl)，使用奧氏黏度計測定此溶液於25℃時之黏度。又，同樣地測定溶媒黏度。使用所得溶液黏度、溶媒黏度，藉下式(a)算出[η](dl/g)，以所得值作為固有黏度(IV)。
(a)ηsp/C=[η]+K[η]2‧C
(於此，ηsp=(溶液黏度(dl/g)/溶媒黏度(dl/g))-1，K為赫金斯常數(設為0.343))。
在本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜為積層構成時，具有上述表面之層(P1層)之IV係藉常法僅將P1層切削出，並依上述方法進行測定。
F.末端羧基量(表中記載為COOH量)
關於末端羧基量，係依照Maulice之方法，依以下方法進行測定。(文獻M.J.Maulice,F.Huizinga,Anal.Chim.Acta,22 363(1960))
將測定試料(僅分離出聚酯樹脂(原料)或太陽電池背面保護用片材之P1層者)2g依溫度80℃溶解於鄰甲酚/氯仿(重量比7/3)50mL，藉由0.05N之KOH/甲醇溶液進行滴定，測定末端羧基濃度，依當量/聚酯樹脂1ton之值表示。又，滴定時之指示劑係使用酚紅，以由黃綠色變為淡紅色時作為滴定終點。又，在溶解了測定試料之溶液中有無機粒子等不溶物時，係過濾溶液並進行不溶物之重量測定，實施以由測定試料重量減去不溶物重量之值作為測定試料重量的校正。
G.滑性(易滑性)
對本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜進行製膜並連續進行5000m之輥捲取10次，由所得10根輥之情況如下述般評價薄膜捲取性。
可無問題地實施10次之輥採取：A
於10次中之1~2次，在輥出現凹折、皺紋：B
於10次中之3~次，在輥出現凹折、皺紋：C
於10次中之5次以上，在輥出現凹折、皺紋：D
滑性(易滑性)係以A~C為良好，其中最優良為A。
H.製膜穩定性
根據在將本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜連續採取20000m之期間，無薄膜破裂有而如下述般評價製膜穩定性。
20000m之製膜中，完全無薄膜破裂：A
20000m之製膜中，發生薄膜破裂1~3次：B
20000m之製膜中，發生薄膜破裂4~10次：C
20000m之製膜中，發生薄膜破裂10次以上：D
製膜穩定性係以A~C為良好，其中最優良為A。
I.融點(Tm)、微小吸熱波峰(Tmeta)
依照JIS K7121-1987，使用Seiko Instruments公司製DSC(EXSTAR DSC6220)作為示差掃描熱量計，將試料5mg於鋁製承盤上，依升溫速度20℃/分鐘由室溫(25℃)升溫至300℃。此時， 以所觀測到之融解之吸熱波峰之波峰溫度作為融點(Tm)，以Tm正下方之微小吸熱波峰作為Tmeta。
J.霧度
準備3件(3個)一邊5cm之正方形狀之薄膜試樣。接著將試樣於23℃、60%RH中放置40小時。針對各試樣使用日本電色工業(股)製濁度計「NDH5000」，依照根據JIS「透明材料之霧度求法」(K7136 2000年版)的方式實施。將各3件(3個)的霧度之值平均，設為薄膜的霧度之值。
K.光阻特性
藉以下a.至c.之方法進行評價。
a.在經單面鏡面研磨之6吋Si晶圓上，塗佈東京應化(股)製之負型光阻「PMERN-HC600」，利用大型旋塗機使其旋轉而製作厚7μm之光阻層。接著，使用氮循環之通風爐，依70℃溫度條件進行約20分鐘的預熱處理。
b.將本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面依接觸於光阻層的方式重疊，使用橡膠製輥，於光阻層上層合雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，於其上配置藉由鉻金屬所圖案化的光罩，由此光罩上使用I射線(在波長365nm具有波峰之紫外線)步進器進行曝光。
c.由光阻層剝離聚酯薄膜後，將光阻層放入於裝有顯影液N-A5之容器中進行顯影約1分鐘。其後，由顯影液中取出，藉水進行約1分鐘之洗淨。使用掃描型電子顯微鏡(SEM)依約800~3000倍率觀察顯影後所作成之線狀光阻圖案的L/S(μm)(Line and Space)=8/8μm 之30條的狀態，依線狀圖案中有寬2.4μm以上之缺損的條數，如以下般進行評價。
有缺損的條數為5條以下：A
有缺損的條數為6~10條：B
有缺損的條數為11~15條：C
有缺損的條數為16條以上：D
光阻特性係以A~C為良好，其中最優良為A。
L.耐黏結性
將捲取了本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜10000m的輥於溫度35℃下放置1週後，由將薄膜退捲時之薄膜狀態，如下述般評價耐黏結性。
薄膜容易退捲，亦未確認到皺紋或表面缺點：A
薄膜容易退捲且無表面缺點，但確認到皺紋：B
薄膜容易退捲，但確認到表面缺點或表面缺點及皺紋：C
薄膜難以退捲且確認到許多皺紋或表面缺點：D
耐黏結性係以A~C為良好，其中最優良為A。
M.生胚片特性評價(僅於實施例17、18、比較例8、9中實施)
以下利用a.至b.的方法進行生胚片特性評價。
a.脫模層之塗佈
於本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面，將由交聯 底漆層(Toray‧Dow Corning‧Silicones(東麗‧道康寧‧矽利康(股)製商品名BY24-846)調整為固形份1質量%的塗佈液進行塗佈/乾燥，依乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式利用凹版塗佈機進行塗佈，再依100℃進行20秒鐘乾燥硬化。其後，於1小時以內將由加成反應型聚矽氧樹脂(Toray‧Dow Corning‧Silicones(股)製商品名LTC750A)100質量份、白金觸媒(Toray‧Dow Corning‧Silicones(股)製商品名SRX212)2質量份調整為固形份5質量%的塗佈液，依乾燥後之塗佈厚度成為0.1μm之方式利用凹版塗佈機進行塗佈，再依120℃進行30秒鐘乾燥硬化後進行捲取，獲得脫模薄膜。
b.生胚片之塗佈狀態的評價(陶瓷漿料之塗佈性)
於鈦酸鋇(富士鈦工業(股)製商品名HPBT-1)100質量份、聚乙烯丁醛(積水化學(股)製商品名BL-1)10質量份、鄰苯二甲酸二丁酯5質量份、與甲苯-乙醇(質量比30：30)60質量份中，添加數量平均粒徑2mm之玻璃珠，利用噴射粉碎機進行20小時混合.分散後，進行過濾而製得糊狀之陶瓷漿料。對所得陶瓷漿料，利用模塗機在脫模薄膜中之藉前項a設置了脫模層的面上，依乾燥後之厚度成為2μm之方式進行塗佈並使其乾燥，捲取而獲得生胚片。將上述所捲取的生胚片繞出，依未從脫模薄膜剝離的狀態，目視觀察確認有無針孔、或片材表面及端部的塗佈狀態。又，所觀察之面積係寬300mm、長500mm。針對脫模薄膜上所成形之生胚片，從背面依1000勒克斯的背光單元進行照射，並觀察因漏塗佈所造成的針孔、或脫模薄膜背面之因表面轉印所造成的凹陷狀態。
無針孔亦無凹陷：A
無針孔，凹陷為3個以內：B
無針孔，凹陷為5個以內：C
一部分有針孔，或凹陷為6個以上：D
生胚片特性評價係以A~C為良好，其中最優良為A。
N.錯誤率評價(僅於實施例19、20、比較例10、11中實施)
本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之形狀轉印缺點評價，係依下述方法進行評價。將經窄切為1m寬之本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，依張力200N進行搬送，在本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面側重疊塗佈後述非磁性層形成用塗佈液與磁性層形成用塗佈液，並於上述表面之相反面側塗佈後述之背塗層形成用塗佈液，進而窄切為12.65mm(1/2吋)寬，作成薄餅(pancake)。
(以下，「份」係指「質量份」。)
磁性層形成用塗佈液
非磁性層用塗佈液
針對上述各塗佈液，分別將各成分藉捏合機進行混練。在裝有1.0mm二氧化鋯球珠依相對於分散部容積填充65%之量的臥式砂磨機中，將塗佈液利用泵進行通液，依2,000rpm進行120分鐘(實質上於分散部中滯留的時間)分散。在非磁性層之塗料時於所獲得分散液中添加聚異氰酸酯5.0份，在磁性層之塗料時則添加2.5份，並進一步添加甲基乙基酮3份，使用具1μm平均孔徑之過濾器進行 過濾，而分別調製非磁性層形成用及磁性層形成用之塗佈液。
將所得非磁性層形成用塗佈液，於本發明之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之上述表面上，依乾燥後之厚度成為0.8μm之方式進行塗佈乾燥。其後，將磁性層形成用塗佈液依乾燥後之磁性層厚度成為0.07μm之方式進行塗佈，在磁性層尚呈濕潤狀態的期間，利用具6,000G(600mT)磁力之鈷磁石與具6,000G(600mT)磁力之螺線管使其進行配向並乾燥。
接著，依軋光後之厚度成為0.5μm之方式，在上述表面之相反面側塗佈背塗層形成用塗佈液(使碳黑平均粒子尺寸17nm：100份、碳酸鈣平均粒子尺寸40nm：80份、及α氧化鋁平均粒子尺寸200nm：5份，分散於聚胺基甲酸酯樹脂、聚異氰酸酯中)。接著，利用軋光機依溫度90℃、線壓300kg/cm(294kN/m)進行軋光處理後，依65℃進行72小時硬化。又，在具有狹縫物之送出、捲取裝置的裝置依壓抵於磁性面之方式安裝不織布與剃頭刀，利用帶清洗裝置進行磁性層表面清洗，獲得磁性帶。
將所得帶原料窄切為12.65mm(1/2吋)寬，將其組裝於LTO用箱體中，製成磁性記錄帶長度為960m之資料儲存匣。將此資料儲存(data storage)使用IBM公司製LTO7驅動器，於23℃、50%RH環境下進行記錄(記錄波長0.55μm)，接著將匣在50℃、80%RH環境下保存7天。將匣於常溫保存1天後，進行全長播放，測定播放時的信號錯誤率。錯誤率係由驅動器所輸出的錯誤資訊(錯誤位元數)，依下式(b)進行計算。
(a)錯誤率=(錯誤位元數)/(寫入位元數)
錯誤率未滿1.0×10-6：A
錯誤率為1.0×10-6以上、且未滿1.0×10-5：B
錯誤率為1.0×10-5以上、且未滿1.0×10-4：C
錯誤率為1.0×10-4以上：D
形狀轉印缺點評價係以A~C為良好，其中最優良為A。
[實施例]
以下，針對本發明列舉實施例進行說明，但本發明並不一定侷限於此等。
[PET-1之製造]由對苯二甲酸及乙二醇，以三氧化銻作為觸媒，依常法進行聚合，得到實質上不含粒子之熔融聚合PET。所得熔融聚合PET之玻璃轉移溫度為81℃、融點為255℃、固有黏度為0.62。其後，依常法進行固相聚合，得到固相聚合PET。所得固相聚合PET之玻璃轉移溫度為81℃、融點為255℃、固有黏度為0.81。
[PET-2之製造]與前項PET-1同樣地進行聚合，得到玻璃轉移溫度為81℃、融點為255℃、固有黏度為0.72之固相聚合PET。
[MB-A之製造]在前項PET-1之聚合時，以相對於PET之添加量成為50%之方式，添加分散於乙二醇之2次平均粒徑3nm的微小二氧化矽粒子(二氧化矽-1)，得到MB-A。所得之熔融聚合MB-A之玻璃轉移溫度為81℃、融點為255℃、固有黏度為0.76。
[MB-B之製造]在前項PET-1之聚合時，以相對於PET之添加量成為50%之方式，添加分散於乙二醇之2次平均粒徑40nm的大徑二氧化矽粒子(二氧化矽-2)，得到MB-B。所得之熔融聚合MB-B之玻璃轉移溫度為81℃、融點為255℃、固有黏度為0.70。
[PI之製造]將PET-1 45重量%與SABIC公司製之聚醚醯亞胺「Ultem1010」55重量%，投入至具通氣孔之擠出機，一邊將通氣孔減壓為1kPa以下、一邊進行混練，得到以聚醯亞胺樹脂為主成分之與PET樹脂的混合體(以下有時稱為PI)。
[塗液1]將水溶性丙烯酸-聚酯樹脂(高松油脂股份有限公司製PESRESIN A-643GEX)之水溶液(固形份重量2重量%)65重量份、甲基纖維素系樹脂(信越化學(股)製SM-15)之水溶液(固形份重量2重量%)20重量份、平均粒徑30nm之聚甲基丙烯酸甲酯粒子的水分散液(固形份重量2重量%)10重量份、聚氧乙烯(n=7)月桂基醚之水溶液(固形份重量2重量%)5重量份進行混合。
(實施例1)
將PET-1依180℃進行半減壓乾燥2小時後，供給至擠出機，進行熔融擠出並藉過濾器過濾後，經由模具在冷卻輥上使用外加靜電澆鑄法捲繞於保持為37℃之澆鑄滾筒並冷卻固化，得到未延伸薄膜。將此未延伸薄膜導入至相對向之電極與接地輥之間，於裝置中導入氮氣，依E值成為160W‧min/m2之條件進行大氣壓輝光放電處理。
將處理後之未延伸薄膜藉由逐次雙軸延伸機依表2記載之條件，分別朝長邊方向延伸3.3倍(330%)、及朝寬度方向延伸3.6倍(360%)、合計11.9倍的延伸，其後，在定長下依240℃進行熱處理。其後，朝寬度方向進行鬆弛處理，獲得厚度18μm的雙軸配向薄膜。將所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價示於表4、表5。其滑性雖然稍差但為較佳範圍內，為耐損傷性、製膜穩定性、 光阻特性、耐黏結性均良好的薄膜。
(實施例2~5)
除了如表2、表3般變更製膜條件以外，其餘與實施例1同樣地進行，得到厚18μm之雙軸配向薄膜。將所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價示於表4、表5。
實施例2中係使熱處理溫度較實施例1降低，結果高3nm以上且未滿20nm之突起個數降低，故突起個數比率之B/A減少。其耐損傷性係較實施例1降低，但為製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均良好的薄膜。
實施例3中係使熱處理溫度較實施例1提升，結果高1nm以上且未滿2nm之突起個數減少，故突起個數比率之B/A增加。其滑性、耐損傷性係較實施例1降低，製膜穩定性亦惡化但仍為實用範圍內。又，為耐損傷性、光阻特性均良好的薄膜。
實施例4中係將機械延伸倍率於長邊方向上設為4.0倍(400%)、於寬度方向上設為4.5倍(450%)，進行合計18.0倍延伸，結果延伸所造成之突起成長進行，高1nm以上且未滿2nm之突起個數較實施例1減少，故突起個數比率之B/A增加。其滑性、耐黏結性雖較實施例1降低但仍為實用範圍內，為耐損傷性、製膜性、光阻特性均良好的薄膜。
實施例5中係使拉輻機溫度依表3階段性地上升，結果高1nm以上且未滿2nm之突起個數大輻增加，突起個數比率之B/A減少，結果成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例6、7)
實施例6、7中，依作為低面積倍率條件而將機械延伸倍率設為朝長邊方向3.3倍(330%)、朝寬度方向3.6倍(360%)的條件(實施例6)，以及作為高面積倍率條件而設為朝長邊方向4.0倍(400%)、朝寬度方向4.5倍(450%)的條件(實施例7)下，依照表2、表3記載之條件於拉輻機熱處理區進行延伸。將所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價示於表4、表5。
實施例6對比於實施例1、實施例7對比於實施例4時，高1nm以上且未滿2nm之突起個數減少，故突起個數比率之B/A增加，金屬摩擦係數亦降低。結果成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例8、9)
實施例8、9中，分別相據實施例5及實施例7，作為「薄膜之橫幅化」依照表2、表3記載之條件，將機械延伸倍率設為朝長邊方向為3.6倍(360%)、朝寬度方向為4.5倍(450%)。將所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價示於表4、表5。結果，實施例8、9均成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例10、11)
於實施例10、11中，同樣以PET-1作為P1層原料，除了將作為P2層原料之PET-2依180℃進行半減壓乾燥2小時後，供給至 擠出機，進行熔融擠出並藉過濾器過濾後，經由模具在冷卻輥上使用外加靜電澆鑄法以外，其餘與實施例1同樣地進行，得到實施例10(2層構成)、實施例11(3層構造)的薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示般，實施例10、11均成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例12~14)
除了將P1層之原料變更為以聚醯亞胺樹脂為主成分之與PET樹脂的混合體(PI與PET之混合體；融點255℃)(實施例12)，或變更為聚丙烯樹脂(PP；融點165℃)(實施例13)，或變更為聚苯硫醚樹脂(PPS；融點280℃)(實施例14)，並如表2、表3般變更製膜條件以外，其餘與實施例7同樣地得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示般，使用了PI之實施例12雖然光阻特性較實施例7稍微降低但實用性上無問題，實施例12~14均成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例15)
除了於P1層之原料中將PET-1與屬於微小二氧化矽粒子主顆粒之MB-A依微小二氧化矽粒子成為表1記載量的方式調配，並供給至擠出機以外，其餘與實施例10同樣地進行得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示般，實施例15之突起個數比率之B/A較實施例10增加，耐 損傷性、耐黏結性雖稍差但實用上無問題，且成為滑性、製膜穩定性、光阻特性均無問題的薄膜。
(實施例16)
除了將P1層之原料設為PET-2以外，其餘與實施例8同樣地進行，得到厚18μm之雙軸配向薄膜。將所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價示於表4、表5。由於在P1層中使用固有黏度(IV)較低之聚酯樹脂而抑制突起形成之進展，但因高1nm以上且未滿2nm之突起個數減少而突起個數比率之B/A增加，滑性雖些微降低但實用上無問題，成為耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
(實施例17、18)
如表3所記載般，除了薄膜厚為30μm以外，其餘與實施例8、9同樣地進行，分別得到實施例17、實施例18。所得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表6、表7所示般，實施例17、18係與實施例8、9同等，成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
對實施例17、18之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，依上述方法實行假設為生胚片成形之支撐體用薄膜的生胚片評價，結果如表6、7所示般均為良好結果，其可適合使用作為生胚片成形之支撐體用薄膜。
(實施例19、20)
如表3所記載般，除了薄膜厚為4.5μm以外，其餘與實施例8、9同樣地進行，分別得到實施例19、實施例20。所得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表6、表7所示般，實施例19、20係與實施例8、9同等，成為滑性、耐損傷性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性均無問題的薄膜。
對實施例19、20之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，依上述方法實行假設為磁性記錄媒體用底膜的錯誤率評價，結果如表6、7所示般均為良好結果，其可適合使用作為磁性記錄媒體用底膜。
(比較例1)
依與實施例1同樣之方法得到未延伸薄膜後，除了不進行大氣壓輝光放電處理而導入至逐次雙軸延伸機以外，其餘依與實施例1同樣之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示。由於未實施大氣壓輝光放電處理，故突起形成不足而突起個數比率之B/A降低至0，結果成為滑性、耐損傷性、耐黏結性均大幅劣化的薄膜。
(比較例2)
依與實施例4同樣之方法得到未延伸薄膜後，除了不進行大氣壓輝光放電處理而導入至逐次雙軸延伸機以外，其餘依與實施例1同樣之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示。由於未實施大氣壓輝光放電處理，故突起形成不足而突起個數比率之B/A降低至0，結果成為滑性、耐損傷性、耐黏結性均大幅劣化的薄膜。
(比較例3)
除了使熱處理溫度較實施例1更加上升至255℃以外，其餘依與實施例1同樣之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示。由於高3nm以上且未滿20nm之突起個數增加而突起個數比率之B/A增加至超過5，滑性大幅惡化。另一方面，由於熱處理溫度上升至聚酯樹脂之融點附近，故於拉輻機出口多數發生薄膜破裂，無法實施穩定之製膜。又，關於耐黏結性，高1nm以上且未滿10nm之突起之個數D雖較實施例1降低而薄膜由輥之退捲於實用上並無問題，但因存在突起高度為10nm以上的突起故於輥頻繁發生表面缺點。
(比較例4)
除了使熱處理溫度較實施例1更加降低至200℃以外，其餘依與實施例1同樣之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示。由於高3nm以上且未滿20nm之突起個數降低而突起個數比率之B/A降低至0，結果成為滑性、耐損傷性大輻劣化的薄膜。
(比較例5)
除了將作為P1層之原料之PET-1與屬於大徑二氧化矽粒子主顆粒之MB-B依大徑二氧化矽粒子成為表1記載量的方式調配，並將作為P2層原料之PET-1供給至擠出機以外，其餘依與實施例1同樣之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突 起形狀、特性評價係如表4、表5所示。最大突起高度超過20nm，霧度上升，光阻特性大幅劣化，又，薄膜由輥之退捲雖然容易，但於薄膜表面多數發生來自突起高度20nm以上之突起的表面缺陷，成為耐黏結性差的薄膜。
(比較例6)
除了將作為P1層之原料之PET-1、與作為添加劑之屬於結晶核劑的硬脂酸鈉(結晶核劑-1)依表1記載之量進行調配以外，其餘依與實施例1相同之方法得到雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示。高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A減低，另一方面，高3nm以上且未滿20nm之突起之個數B增加，故突起個數比率之B/A增加，滑性較實施例1惡化。另一方面，由於多數發生來自添加劑的表面異物，故霧度上升、光阻特性大幅惡化。又，高1nm以上且未滿10nm之突起之個數D減少，同時多數存在高度為10nm以上的突起，故多數發生表面缺點而耐黏結性大幅惡化。
(比較例7)
依與實施例1同樣之方法得到未延伸薄膜後，不進行大氣壓輝光放電處理而導入至逐次雙軸延伸機時，朝長邊方向進行延伸3.3倍(330%)後塗佈塗液1，接著朝寬度方向進行延伸3.6倍(360%)並乾燥，藉此得到具有厚0.3μm之塗佈層的雙軸配向薄膜。所得雙軸配向薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表4、表5所示般，雖然滑性、製膜穩定性、光阻特性、耐黏結性於實用上並無問題， 但多數發生塗層切削所造成的損傷，耐損傷性大幅惡化。
(比較例8、9)
除了如表3記載般，薄膜厚度為30μm以外，其餘與比較例1、2同樣地進行，分別得到比較例8、比較例9。所得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表6、表7所示。比較例8、9係與比較例1、2同等，成為滑性、耐損傷性、耐黏結性大幅劣化的薄膜。
對比較例8、9之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，依上述方法實行假設為生胚片成形之支撐體用薄膜的生胚片評價，結果因製程輥或捲取時薄膜間之摩擦而於表面多數發生損傷，如表6、7所示般，均成為生胚片評價較實施例17、18大幅劣化的結果。
(比較例10、11)
除了如表3記載般，薄膜厚度為4.5μm以外，其餘與比較例1、2同樣地進行，分別得到比較例10、比較例11。所得雙軸配向熱可塑性薄膜之物性、表面突起形狀、特性評價係如表6、表7所示。比較例10、11係與比較例1、2同等，成為滑性、耐損傷性、耐黏結性大幅劣化的薄膜。
對比較例10、11之薄膜，依上述方法實行假設為磁性記錄媒體用底膜的錯誤率評價，結果因製程輥或捲取時薄膜間之摩擦而於表面多數發生損傷，如表6、7所示般，均成為錯誤率評價較實施例19、20大幅劣化的薄膜。
(產業上之可利用性)
本發明之熱可塑性樹脂薄膜係具有良好的透明性、平滑性、易滑性，進而亦可使製膜‧加工步驟中之耐損傷性提升，故可適合使用作為於單面積層感光樹脂組成物而使用的乾膜光阻支撐體用聚酯薄膜或光學裝置基材用薄膜、陶瓷電容器用脫模薄膜、磁性記錄媒體用薄膜。

Claims (12)

  1. 一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係至少一側之表面為最大突起高度未滿20nm，在將高1nm以上且未滿2nm之突起之個數設為A(個/mm2)、將高3nm以上且未滿20nm之突起之個數設為B(個/mm2)時，B/A為0.001以上且5.000以下。
  2. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面係在將高2nm以上且未滿3nm之突起之個數設為C(個/mm2)時，C/A為0.100以上且2.000以下。
  3. 如請求項1或2之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面之算術平均粗度Ra為3.0nm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，具有上述表面之層係實質上不含有粒子。
  5. 如請求項1至4中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述表面之突起中，高1nm之突起剖面之圓相當直徑之平均值為15nm以上且30nm以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述高1nm以上且未滿2nm之突起之個數A為1.0×107個/mm2以上且1.0×109個/mm2以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，在將上述表面之高1nm以上且未滿10nm之突起之個數設為D(個/mm2)時，突起個數D為5.0×107~6.0×109個/mm2。
  8. 如請求項1至7中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，構成上述雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜之熱可塑性樹脂係以聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯亞胺樹脂之 任一者為主成分。
  9. 如請求項1至8中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用作為脫模用薄膜。
  10. 如請求項1至8中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用作為乾膜光阻支撐體用薄膜。
  11. 如請求項1至8中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係在製造積層陶瓷電容器的步驟中使用作為生胚片成形之支撐體用薄膜。
  12. 如請求項1至8中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用於磁性記錄媒體用底膜。
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