TWI728133B - 雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜 - Google Patents

雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜 Download PDF

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Abstract

本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，係至少其中一表面上所形成突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數為1×107~1×109個/mm2。本發明係提供具有易滑性，且可抑制粗大突起與異物生成、及加工步驟中發生缺點的熱可塑性樹脂薄膜。

Description

雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜
本發明係關於在至少其中一表面設有微細突起的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
因為熱可塑性樹脂的加工性優良，因而被利用於各種工業領域。又，將該等熱可塑性樹脂加工呈薄膜狀的製品，在工業用途、光學製品用途、包裝用途等現今生活中發揮重要功用。近年，電子資訊機器正朝小型化、高積體化演進，隨此趨勢便對屬於基材的薄膜要求平滑性。另一方面，在處置該等薄膜製品時，易滑性特別重要，若易滑性偏低，則在生產步驟、加工步驟時會有發生起皺、刮傷問題的情況。所以，對薄膜要求的表面平滑性與易滑性日益提升。然而，若提高平滑性，則會有易滑性降低的傾向，因而頗難獲得平滑性與易滑性均優異的薄膜。
近年，就印刷電路板、半導體封裝、可撓性基板等的製造，大多採用以聚酯薄膜使用為支撐體的乾膜光阻(DFR)。一般DFR係構成感光層(光阻層)被夾置於由聚酯薄膜所構成基材薄膜、與由聚烯烴薄膜等所構成保護膜(覆蓋膜)之間的三明治構造。當使用該DFR製作導體電路時，一般採行如下述操作。
即，從DFR上剝離保護膜，依使露出的光阻層表面、與基板上例如銅箔等導電性基材層的表面相密接方式，與基板‧導 電性基材層進行層壓。接著，將烙印有導體電路圖案的光柵放置於由聚酯薄膜構成的基材上，從其上方對主體為感光性樹脂的光阻層照射光線而曝光。然後，經剝離光罩與聚酯薄膜之後，利用溶劑溶解除去光阻層中的未反應成分。接著，利用酸等施行蝕刻，而溶解除去導電性基材層中的露出部分。結果，光阻層中的光反應部分、與該光反應部分所對應的導電性基材層部分便保留殘存。然後，若除去殘留的光阻層，便在基板上形成導體電路。藉由此種方法而形成導體電路，因而針對支撐體的聚酯薄膜，要求不會阻礙光線而可穿透的高光線穿透性。
尤其近年隨OA機器、IT機器等的小型化、輕量化等，要求平滑性優異，即穿透性優異、霧度低、能達成高解析化的乾膜光阻支撐體用聚酯薄膜。
再者，隨當前智慧手機的普及，積層陶瓷電容器正朝小型‧高電容量化演進。所以，積層陶瓷電容器製造時所使用的離型膜，針對平滑性高、薄膜表面及內部沒有缺陷的聚酯薄膜需求正急速增加。當作基材使用的聚酯薄膜表面特性，平滑面的品質亦容易對經加工後胚片製品的品質構成影響之傾向。又，粗面品質亦容易對經加工後胚片製品的品質構成影響之傾向。例如習知聚酯薄膜雖不會有問題，但經胚片加工的平滑面波浪則關聯於積層陶瓷電容器的品質，且粗面側的突起在捲取胚片製品時會轉印於胚片上，而發生刮傷、凹陷。
再者，液晶顯示器等所使用的構件係有偏光板、相位差偏光板或相位差板等，而偏光板通常係由偏光薄膜、表面保護膜、黏著劑層及離型膜構成。偏光薄膜係將使碘、雙色性染料等偏 光元件，吸附配向於例如聚乙烯醇系薄膜之類的親水性薄膜等，且具有偏光軸與吸附軸的偏光片，從上下方利用纖維素系薄膜被覆，或具有藉由塗佈丙烯酸系樹脂而形成的構造。表面保護膜係使用聚酯薄膜等透濕性少、延伸等變形少的透明塑膠薄膜。表面保護膜與偏光薄膜係利用接著劑黏合，該接著劑係使用能與表面保護膜牢固接合，且即便經時日仍能與偏光薄膜輕易剝離者。黏著劑層係由供將偏光薄膜黏著於液晶單元用的壓感式黏著劑等構成，離型膜係由聚酯薄膜等構成。此種偏光板製造時，雖使用預先檢查屬於原料的偏光薄膜之光穿透率、偏光度或霧度等光學特性者，但會有在偏光板製造步驟中，因對偏光薄膜的機械應力、異物混入或附著等而發生缺陷的可能性。所以，最終製品的異物混入、缺陷檢查時，便利用正交偏光法(使2片偏光板相互正交於偏光面，在二片之間依薄膜長邊方向、寬度方向分別對齊互為正交之偏光板偏光面的狀態，觀察穿透光的方法)，由人類目視進行檢查。實際偏光板的目視檢查時，在正常的分析器上，依偏光面正交於該偏光面的方式，將檢查對象的偏光板取代正交偏光法的偏光片與薄膜呈重疊配置，則原理上偏光板中的異物混入、缺陷之類的缺點地方會出現亮點，因而利用目視便可檢查缺點。然而，目前使用為偏光板離型膜用的雙軸配向聚酯薄膜，當利用正交偏光法進行偏光板檢查時，容易發生洩光、頗難進行正確的目視檢查，會有發生偏光板異物混入、屬於缺點的亮點遭忽視的問題。
再者，當使用為磁性記錄媒體的支撐體時，磁性記錄媒體經常被要求高密度記錄化，為能達成更高密度記錄，將磁性層薄膜化、或使用微粒子磁性體，俾更進一步提升磁性層表面的平滑 性係屬有效方法。
近年使用強磁性六方晶肥粒鐵粉末構成的磁性記錄媒體用支撐體，隨磁性層、非磁性層、背塗層、甚至支撐體本身的薄膜化，導致不僅平滑面就連游走面的粗面化受限制。當在製造過程中，磁性記錄媒體係依捲筒狀態保存時，在游走面上所形成的突起會轉印於磁性面上，導致在平滑的磁性層表面上形成凹坑，造成磁性層表面的平滑性惡化，會有電磁轉換特性降低的問題。為提高磁性層表面的平滑性，僅依賴支撐體游走面側所含有粒子的小徑化、低濃度化，就粒子厚度方向的位置規範尚嫌不足，仍無法改善粗大突起。又，若提升游走面的平滑性，則游走性、捲取、狹縫性、以及表面耐久性便會不足。
所以，針對兼顧游走性、捲取性、及表面平滑性等特性改善的要求，隨高密度記錄化進展可謂成為經常存在的問題。
為因應上述要求，已知在薄膜表面上形成不會對平滑性造成影響、但能賦予易滑性程度的微細突起，係屬有效方法。例如為在薄膜表面上形成微細突起，而使含有如膠態狀二氧化矽等實質呈球形二氧化矽粒子的薄膜(專利文獻1)。又，亦已知有將含有供形成表面突起用微細粒子的薄膜層，積層於基層上的聚酯薄膜(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開昭59-171623號公報
專利文獻2：日本專利特開平8-30958號公報
然而，若使薄膜大量含有微細粒子，則會有因粒子凝聚而造成粗大突起形成、因粒子脫落導致步驟污染、或產生源自粒子之異物的問題。本發明有鑑於上述實情，目的在於提供：具平滑性、易滑性，且抑制粗大突起或異物生成，亦能抑制加工步驟中之缺點的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
為解決上述問題，本發明採取以下構成。即，
[I]一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，係至少其中一表面上所形成突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數為1×107~1×109個/mm2。
[II]如[I]所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述設有突起高度1nm以上且未滿2nm之突起個數1×107~1×109個/mm2的薄膜表面，金屬摩擦係數μk係0.1~0.5。
[III]如[I]或[II]所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，霧度係0.1~2.0%。
[IV]如[I]~[III]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述設有突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數為1×107~1×109個/mm2之薄膜表面，突起高度達10nm以上的突起個數係1×106個/mm2以下。
[V]如[I]~[IV]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，構成上述雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的熱可塑性樹脂，係以聚酯、聚烯烴、聚苯硫醚、聚醯亞胺中之任一者為主成分。
[VI]如[I]~[V]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數1×107~1×109個/mm2之薄膜峰度(尖度)係超過3.0且在8.0以下。
[VII]如[I]~[VI]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為離型用薄膜。
[VIII]如[VII]所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為乾膜光阻支撐體用薄膜。
[IX]如[VII]所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，在製造積層陶瓷電容器的步驟中，使用為胚片成形時的支撐體用薄膜。
[X]如[VII]所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為偏光板離型用薄膜。
[XI]如[I]~[VI]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為光學構件用薄膜。
[XII]如[I]~[VI]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為塗佈式數位記錄方式的磁性記錄媒體用底膜。
[XIII]一種磁性記錄媒體，係使用[I]~[VI]中任一項所記載的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜係具有平滑性、易滑性，且經抑制生成粗大突起與異物，並可抑制加工步驟中的缺點。
以下，針對本發明進行詳細說明。
本發明所謂的「熱可塑性樹脂」係指若加熱便呈塑性的樹脂，代表性的樹脂係可例如：源自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乙烯-α,β-二羧酸酯、P-六氫伸茬基對酞酸酯等的高分子；源自1,4-環己烷二甲醇的高分子；聚-P-乙烯氧基苯甲酸酯、聚芳酯、聚碳酸酯等、及該等共聚合體所代表，主鏈具有酯鍵的聚酯類；以及尼龍6、尼龍66、尼龍610、尼龍12、尼龍11等所代表，主鏈具有醯胺鍵的聚醯胺類；聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合體、聚甲基戊烯、聚丁烯、聚異丁烯、聚苯乙烯等所代表，主要僅由碳氫化物構成的聚烯烴類；聚醚碸(PES)、聚伸苯醚(PPO)、聚醚醚酮(PEEK)、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚甲醛等所代表的聚醚類；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯等所代表的鹵化聚合物類；及聚苯硫醚(PPS)、聚碸及該等的共聚合體、改質體；聚醯亞胺等。
本發明中，就從透明性、製膜性的觀點，較佳係以聚酯、聚烯烴、聚苯硫醚(PPS)、聚醯亞胺(PI)為主成分，其中更佳係聚酯。此處所謂「主成分」係指薄膜總成分100質量%中，含有超過50質量%且100質量%以下的成分。
再者，本發明所謂「聚酯」係指由二羧酸構成成分與二醇構成成分進行縮聚形成者。另外，本說明書中，所謂「構成成分」係指將聚酯進行水解後可獲得的最小單位。
構成該聚酯的二羧酸構成成分，係可舉例如：丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酮酸、二聚酸、廿烷二酮酸、庚二酸、壬二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸等脂 肪族二羧酸類；金剛烷二羧酸、降
Figure 106120591-A0101-12-0008-7
烯二羧酸、異山梨醇、環己烷二羧酸、十氫化萘二羧酸、等脂環族二羧酸；對酞酸、異酞酸、酞酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2，6-萘二羧酸、1,8-萘二羧酸、4,4'-二苯基二羧酸、4,4'-二苯醚二羧酸、5-間苯二甲酸磺酸鈉、苯基二氫茚二羧酸(phenylendane dicarboxylic acid)、蒽二羧酸、菲二羧酸、9,9'-雙(4-羧苯基)茀酸等芳香族二羧酸等二羧酸、或其酯衍生物。
再者，構成該聚酯的二醇構成成分，係可舉例如：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇等脂肪族二醇類；環己烷二甲醇、螺二醇、異山梨醇等脂環式二醇類；雙酚A、1,3-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、9,9'-雙(4-羥基苯基)茀、芳香族二醇類等二醇；由上述二醇複數個相連接者等。
本發明所使用的聚酯，亦可與例如月桂醇、異氰酸苯酯等單官能基化合物進行共聚合，亦可與偏苯三酸、均苯四甲酸、丙三醇、季戊四醇及2,4-二氧苯甲酸等三官能基化合物等，在未過度分支或交聯、且聚合物實質呈線狀範圍內進行共聚合。又，除酸成分及二醇成分之外，亦可更進一步與不致損及本發明效果之程度內的少量p-羥基苯甲酸、m-羥基苯甲酸及2,6-羥基萘甲酸等芳香族羥羧酸、及p-胺基酚、p-胺基苯甲酸等進行共聚合。聚酯較佳係使用聚對苯二甲酸乙二酯與聚萘二甲酸乙二酯。又，聚酯亦可為該等的共聚合體、改質體。就從結晶性的觀點，較佳係以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)為主成分。
本發明的熱可塑性樹脂薄膜必需施行雙軸配向。藉由施行雙軸配向，便可提升薄膜的機械強度、提升易滑性。此處所謂 「雙軸配向」係指利用廣角X射線繞射時呈雙軸配向圖案者。雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜一般係藉由將未延伸狀態的熱可塑性樹脂片朝片材長邊方向與寬度方向延伸，然後施行熱處理而完成結晶配向便可獲得。詳細容後述。
本發明的雙軸配向熱可塑性薄膜係必需至少其中一表面設有突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數1×107~1×109個/mm2。較佳係2×107以上且1×109個以下/mm2、更佳係超過3×107且在1×109個以下/mm2。藉由將表面的突起密度設為上述值，便可利用高密度排列的微細突起使薄膜顯現出易滑性。若突起個數逾越上述值，則會有易滑性降低，在製膜時與加工時，刮痕等薄膜表面缺點會構成問題，且步驟污染構成問題的情況。
為將薄膜表面的突起高度設為上述範圍之方法並無特別的限定，例如：奈米壓印般地使用模具在表面上轉印形狀的方法；利用UV照射、電弧放電施行的電暈處理；利用輝光放電施行電漿處理等表面處理，就從沿線的製膜適應性、微細突起形成個數的觀點，較佳係利用UV照射、電弧放電施行的電暈處理、利用大氣壓輝光放電施行的電漿處理。就從處理均勻性(即薄膜表面上所形成微細突起的均勻性)、對薄膜損傷較少的觀點，更佳係在後述條件下，利用大氣壓輝光放電施行的電漿處理。此處所謂「大氣壓」係700Torr~780Torr範圍。
大氣壓輝光放電處理係將處理對象的薄膜導引於相對向的電極與接地輥(earth roll)之間，並將電漿激發性氣體導入於裝置中，藉由朝電極間施加高頻電壓，使該氣體產生電漿激發而在電極間施行輝光放電。藉此，薄膜表面便形成微細且經灰化的突起。
所謂「電漿激發性氣體」係指在如上述條件下能被電漿激發的氣體。電漿激發性氣體係可例如：氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體；氮、二氧化碳、氧、或四氟甲烷等氯氟烴類及該等的混合物等。又，電漿激發性氣體係可單獨使用1種、亦可依任意混合比組合使用2種以上。電漿處理時的高頻電壓頻率較佳係1kHz~100KHz範圍。又，就從突起形成的觀點，依照以下方法所求得放電處理強度(E值)，較佳係依10~2000W‧min/m2範圍施行處理、更佳係40~800W‧min/m2。若放電處理強度(E值)過低，則會有無法充分形成突起的情況，若放電處理強度(E值)過高，則會有對熱可塑性樹脂薄膜造成損傷、或導致所形成突起的突起高度超越2nm的情況。
<放電處理強度(E值)之求法>
E=Vp×Ip/(S×Wt)
E：E值(W‧min/m2)
Vp：施加電壓(V)
Ip：施加電流(A)
S：處理速度(m/min)
Wt：處理寬度(m)。
對本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，施行上述利用UV照射、電弧放電進行的電暈處理、利用輝光放電進行的電漿處理等表面處理時，施行表面處理時的薄膜表面溫度較佳係設為150℃以下。更佳係100℃以下。若表面溫度大於150℃，則會有薄膜進行結晶化導致表面形成粗大突起，或薄膜中的分子鏈運動性提高，導致因表面處理造成薄膜遭損傷的情況。施行表面處理時的薄 膜表面溫度，就從薄膜中的分子鏈運動性不會過度降低，而提高處理效果的觀點，較佳係25℃以上。施行表面處理時的薄膜表面溫度係藉由將處理面對向側之一面，利用冷卻輥等施行冷卻便可調整。
再者，本發明的雙軸配向熱可塑性薄膜係上述突起高度1nm以上且未滿2nm之突起個數1×107~1×109個/mm2的薄膜表面，金屬摩擦係數μk較佳係0.1~0.5。若金屬摩擦係數μk大於0.5，則薄膜游走性變差，在製膜時、加工時，刮痕等薄膜表面缺點會構成問題，且會有步驟污染構成問題的情況。另一方面，若小於0.1，則易滑性過高，薄膜無法穩定，導致加工步驟中發生操作性降低問題的情況。金屬摩擦係數μk係利用配向結晶化、薄膜厚度便可調節。例如若降低配向度(未延伸薄膜、或配向度較小的薄膜)、或者減小薄膜厚度，則金屬摩擦係數μk會增加。金屬摩擦係數μk的更佳範圍係0.1以上且未滿0.4、特佳範圍係0.1以上且未滿0.3。
本發明雙軸配向熱可塑性薄膜的霧度較佳係0.1~2.0%。藉由將霧度設定在上述範圍內，便頗適用於例如光學裝置用途、乾膜光阻用途等要求透明性的用途。更佳係0.1~1.0%、特佳係0.1~0.6%。霧度係可利用構成薄膜的樹脂中所含粒子量、構成薄膜的樹脂之結晶性、以及薄膜表面的粗糙度進行調節。例如若增加構成薄膜的樹脂中所含粒子量，便會促進構成薄膜主要構成成分的樹脂結晶化，或者，若增加薄膜表面的粗糙度，則會有霧度變大的傾向。
再者，本發明的雙軸配向熱可塑性薄膜，上述突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數1×107~1×109個/mm2之薄膜表面，突起高度達10nm以上的突起個數較佳係1×106個/mm2以下。 更佳係1×105個/mm2以下。若突起高度達10nm以上的突起個數超過上述範圍，則會有表面散射變大、霧度惡化的情況，或者因表面突起呈不均勻而導致與金屬間之摩擦變大的情況。突起高度達10nm以上的突起個數係利用上述表面處理的處理條件、與主要構成成分的熱可塑性樹脂結晶性便可調節。例如若利用電弧放電施行的電暈處理係在E值較大的條件下施行處理，或者將結晶性較高的PP、PPS設為薄膜主要構成成分，則突起高度達10nm以上的突起個數會增加。
本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，上述突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數1×107~1×109個/mm2之薄膜表面，粗糙度曲線的峰度(尖度(Rku))較佳係超過3.0且在8.0以下。此處所謂「粗糙度曲線的峰度(Rku)」係根據JIS B 0601(2001年)求得，表示表面凹凸尖銳度尺度的尖度。當Rku為3的情況表示突起左右呈對象正規分布形狀，若超過3的值之情況表示高度分布呈尖銳形狀，若未滿3的值之情況表示表面凹凸呈現高度分布崩潰的形狀。本發明雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的Rku較佳係3.1~8.0範圍，即表面突起成尖銳的形狀。一般若使熱可塑性樹脂薄膜含有粒子，則薄膜表面上所形成突起的高度呈不均勻，且因為各個均較粗大，因而形成具有急遽突起與平坦基底的表面，因為具有急遽突起，因而Rku容易大於8.0。藉由將熱可塑性樹脂薄膜至少其中一表面的Rku設定為上述值，便可提升易滑性、抑制薄膜在製膜步驟中出現刮痕等缺點。若Rku未滿3.1的值，則表面的突起平緩，表面接觸面積增加，因而易滑性降低，導致會有容易發生缺點的情況。又，若Rku大於8.0，則突起過於急遽，會有損及平滑性的情況。Rku更 佳係3.0以上且5.0以下。
本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜在能獲得本發明效果之範圍內亦可含有粒子。粒子係可任意使用無機粒子、有機粒子。具體的種類係可例示如：黏土、雲母、氧化鈦、碳酸鈣、濕式二氧化矽、乾式二氧化矽、膠態二氧化矽、磷酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁矽酸鹽、高嶺土、滑石、蒙脫石、氧化鋁、二氧化鋯等無機粒子；以例如丙烯酸類、苯乙烯系樹脂、聚矽氧、醯亞胺等為構成成分的有機粒子；以及核殼型有機粒子等。又，粒子的尺寸較佳係平均粒徑在0.2μm以下。
本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜在能獲得本發明效果之範圍內，亦可含有各種添加劑，例如：抗氧化劑、耐熱安定劑、耐候安定劑、紫外線吸收劑、有機系易滑劑、顏料、染料、有機或無機微粒子、填充劑、抗靜電劑、核劑等。
其次，針對本發明雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的製造方法，列舉雙軸配向聚酯薄膜為例進行說明，惟本發明不應解釋為僅侷限於由該例所獲得之物品。
獲得本發明所使用聚酯的方法，係可採用依照常法施行的聚合方法。例如使對酞酸等二羧酸成分或其酯形成性衍生物、與乙二醇等二醇成分或其酯形成性衍生物，利用公知方法進行酯交換反應或酯化反應後，再施行熔融聚合反應便可獲得。又，視需要亦可將利用熔融聚合反應所獲得聚酯，於聚酯的熔點溫度以下施行固相聚合反應。
本發明的聚酯薄膜係利用習知公知的製造方法便可獲得，但藉由延伸、熱處理步驟係依照以下條件進行製造，便可輕 易將突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數設定在上述範圍內，故屬較佳。
本發明的聚酯薄膜係可採用將視需要經乾燥的原料在擠出機內施行加熱熔融，再從噴嘴擠出於冷卻的澆鑄滾筒上而加工為片材狀的方法(熔融澆鑄法)。其他方法尚可採用使原料溶解於溶劑中，再將該溶液從噴嘴擠出於澆鑄滾筒、環形帶等支撐體上而呈膜狀，接著再從該膜層中乾燥除去溶劑而加工為片材狀的方法(溶液澆鑄法)等。
當利用熔融澆鑄法製造2層以上積層聚酯薄膜時，最好採取依照構成積層聚酯薄膜的每個層，使用擠出機使各層原料熔融，再將該等利用在擠出裝置與噴嘴之間設置的合流裝置，依熔融狀態進行積層後，導引於噴嘴，再從噴嘴擠出於澆鑄滾筒上而加工呈片材狀的方法。該積層片材經利用靜電，而密接冷卻固化於表面溫度經冷卻至10℃以上且60℃以下的滾筒上，而製作未延伸片材。
接著，對依此所獲得未延伸薄膜施行：如奈米壓印般使用模具在表面上轉印形狀的方法、或者紫外光照射、或利用電弧放電施行電暈處理、利用輝光放電施行電漿處理等表面處理。該等表面處理係可在剛獲得未延伸薄膜後便馬上實施、亦可經施行微延伸後才實施、亦可經朝縱及/或橫方向延伸後才實施，本發明最好對未延伸薄膜施行表面處理。特別最好採取在大氣壓下利用輝光放電施行的電漿處理。若施行大氣壓電漿處理，則藉由將在熱可塑性樹脂薄膜表面的極表層所存在聚合物分子鏈予以微細切斷，便可輕易引發局部性削取微細部分的蝕刻。又，施行表面處理的面係可任意為接觸到澆鑄滾筒之一(滾筒面)、或非接觸到澆鑄滾筒之一面(非滾 筒面)。
然後，視需要將延伸薄膜施行雙軸延伸，而使進行雙軸配向。例如在大氣壓電漿處理後藉由局部性施行微細蝕刻，呈現未被蝕刻部分均勻分散於表面上的狀態，在後續的延伸時便可輕易形成突起。延伸方法係可使用逐次雙軸延伸法或同步雙軸延伸法。就獲得沒有延伸破裂的本發明薄膜而言，採行首先施行長邊方向延伸，接著才施行寬度方向延伸的逐次雙軸延伸法較屬有效。
依此獲得的本發明雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，係具有平滑性、易滑性，且經抑制粗大突起與異物生成、並能抑制加工步驟時的缺點。活用此項特性，頗適用為例如：離型用薄膜(特別係乾膜光阻支撐體用薄膜、積層陶瓷電容器製造步驟中之胚片成形支撐體用薄膜、偏光板離型用薄膜)、光學構件用薄膜、塗佈式數位記錄方式的磁性記錄媒體用底膜。
[特性之評價方法] A.突起個數、粗糙度曲線峰度(Rku)
使用原子力顯微鏡(AFM)，依照下述測定條件，針對所獲得影像，將突起高度臨限值設為1nm、2nm、10nm，計數突起高度1nm以上、2nm以上、10nm以上的突起個數，1nm以上且未滿2nm的突起個數係從1nm以上的突起個數中扣減掉2nm以上的突起個數之值。改變地方測定20次，將平均值換算為1mm2，設為各自的突起個數。又，粗糙度曲線峰度(Rku)亦是改變地方測定20次，求取平均值。
懸臂：矽單晶
掃描模式：輕拍式
掃描速度：0.8Hz
測定視野：5μm四方形
樣品管線：256
樣品調整：23℃、65%RH、靜置24小時
AFM測定環境：23℃、65%RH、24小時
B.金屬摩擦係數(μk)
薄膜寬經切窄為12.65mm的帶狀物，使用帶游走試驗機SFT-700型(橫濱系統研究所(股)製)，於23℃65%RH環境下，且對薄膜施加荷重100g狀態下游走，利用下式求取游走後的摩擦係數(μk)。另外，依待測定的薄膜表面接觸於導輥的方式安裝，求取5次測定的平均值。
μk=2/πln(T2/T1)
T1：張力荷重(100gf)
T2：游走中的張力
導輥直徑：6mm
Figure 106120591-A0101-12-0016-8
導輥材質：SUS27(表面粗度0.2S)
接觸角：90°
游走距離：10cm
游走速度：3.3cm/秒
再者，薄膜的易滑性係依照以下基準施行評價。
μk未滿0.3：A
μk為0.3以上且未滿0.4：B
μk為0.4以上且未滿0.6：C
μk為0.6以上：D
A、B、C均屬良好，其中尤以A最優異。
C.霧度
準備3點(3個)一邊5cm的正方形狀薄膜樣品。接著將樣品在23℃、60%RH中放置40小時。針對各個樣品使用日本電色工業(股)製濁度計「NDH5000」，依照根據JIS「-透明材料的霧度求法」(K7136 2000年版)的方式實施。將各自3點(3個)的霧度值予以平均，設為薄膜的霧度值。
D.製膜性
將依照實施例、比較例的條件實施製膜時，薄膜的破裂次數換算為每1小時的破裂次數，並依照以下基準施行評價。
每1小時的破裂次數未滿1次：A
每1小時的破裂次數為1次：B
每1小時的破裂次數為2次：C
每1小時的破裂次數達3次以上：D
E.凹坑缺點數
將聚光燈使用為光源，針對10m2(例如寬1m、長10m)薄膜的雙面，使用反射光及穿透光，著眼於因光散射造成的亮點，利用肉眼觀察薄膜表面，用筆在缺點地方標記。又，亦併用使用偏光光源，檢測由正交偏光造成的偏光凌亂亮點之方法。針對所標記的缺點地方，利用實體顯微鏡測定凹坑的最大直徑，針對最大直徑達3mm以上的凹坑，使用附設有反射鏡式雙光束干涉鏡筒裝置的實體顯微 鏡(Nikon製SMZ-10)，測定凹坑深度，並測定深度達0.5μm以上且最大直徑達3mm以上的凹坑缺點個數。凹坑的深度係利用測微目鏡讀取在所獲得λ/2間距中獲得的干涉條紋凌亂，並依照下述求取。深度係厚度方向距薄膜表面的最大深度，當在凹坑缺點周圍有發生壟起的情況，便求取壟起頂部距凹坑底部的最大深度。
深度=λ/2×(B/A)
λ：546nm
A：利用目鏡進行的λ/2讀取值
B：干涉條紋的凌亂量
從依照上述方法所求得凹坑缺點個數，依照以下基準判定缺點頻度。
凹坑缺點個數未滿1個/m2：A
凹坑缺點個數為1個/m2以上且未滿3個/m2：B
凹坑缺點個數達3個/m2以上：C
F.光阻特性評價
利用以下a.至c.的方法施行評價。
a.在經單面鏡面研磨的6吋Si晶圓上，塗佈東京應化(股)製負型光阻「PMERN-HC600」，利用大型旋塗機進行旋轉，而製作厚度7μm的光阻層。接著，使用氮循環通風爐，依70℃溫度條件施行約20分鐘的前熱處理。
b.將雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜已形成有微細突起之一面，依接觸於光阻層的方式重疊，使用橡膠製輥，在光阻層上層壓著雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，再於其上面配置鉻金屬且經圖案化的光柵，從該光罩上使用I線(在波長365nm具尖峰的紫外線)步進器施 行曝光。
c.從光阻層上剝離聚酯薄膜後，將光阻層放入於裝入有顯影液N-A5的容器中，施行約1分鐘的顯影。然後，從顯影液中取出，利用水施行約1分鐘的洗淨。使用掃描式電子顯微鏡SEM依約800~3000倍率，觀察經顯影後所製成光阻圖案的30條L/S(μm)(Line and Space)=10/10μm狀態，利用圖案有缺損的條數，依照下述施行評價。
A：有缺損的條數為0至8條
B：有缺損的條數為9至15條
C：有缺損的條數達16條以上
A為光阻性最佳、C為最差。
另外，上述測定中，當所測定薄膜的長邊方向、寬度方向分不清的情況，便將薄膜具最大折射率的方向視為「長邊方向」，並將長邊方向的垂直方向視為「寬度方向」。又，薄膜的最大折射率方向係可利用折射率儀測定薄膜所有方向的折射率而求取，亦可利用相位差測定裝置(雙折射測定裝置)等決定延遲相方向而求得。
G.胚片特性評價
以下利用a.至b.的方法施行評價。
a.離型層之塗佈
在雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜形成有微細突起之一面上，將由交聯底漆層(Toray‧Dow Corning‧Silicones(股)製商品名BY24-846) 調整為固形份1質量%的塗佈液施行塗佈/乾燥，依乾燥後的塗佈厚度成為0.1μm方式利用凹版塗佈機施行塗佈，再依100℃施行20秒鐘乾燥硬化。然後，於1小時以內，將由加成反應型聚矽氧樹脂(Toray‧Dow Corning‧Silicones(股)製商品名LTC750A)100質量份、白金觸媒(Toray‧Dow Corning‧Silicones(股)製商品名SRX212)2質量份調整為固形份5質量%的塗佈液，依乾燥後的塗佈厚度成為0.1μm方式，利用凹版塗佈機施行塗佈，經依120℃施行30秒鐘乾燥硬化後進行捲取，便獲得離型膜。
b.胚片塗佈狀態的評價(陶瓷漿料之塗佈性)
在鈦酸鋇(富士鈦工業(股)製商品名HPBT-1)100質量份、聚乙烯丁醛(積水化學(股)製商品名BL-1)10質量份、酞酸二丁酯5質量份、及甲苯-乙醇(質量比30：30)60質量份中，添加數量平均粒徑2mm的玻璃珠，利用噴射粉碎機施行20小時混合‧分散後，施行過濾而製備得糊膏狀陶瓷漿料。所獲得陶瓷漿料，利用模具塗佈機在離型膜上依乾燥後的厚度成為2μm方式施行塗佈，經乾燥、捲取而獲得胚片。將上述所捲取的胚片繞出，在未從離型膜上剝離的狀態下，利用目視觀察確認有無針孔、以及片材表面及端部的塗佈狀態。另外，觀察的面積係寬300mm、長500mm。針對離型膜上所成形的胚片，一邊從背面依1000勒克斯的背光單元照射，一邊觀察因漏塗而造成的針孔、或者離型膜背面因表面轉印而造成凹陷狀態。
A：針孔與凹陷均沒有。
B：沒有針孔、發現凹陷在3個以內。
C：部分有出現針孔、或凹陷發現達4個以上。
H.磁性記錄媒體特性評價(磁性記錄錯誤率)
將經切窄為寬1m的薄膜，依張力200N進行搬送，在支撐體其中一表面上依照以下所記載塗佈磁性塗料與非磁性塗料，而製成切窄為寬12.65mm的餅。(以下，「份」係指「質量份」。)
磁性層形成用塗佈液
Figure 106120591-A0101-12-0021-3
Figure 106120591-A0101-12-0022-2
針對上述各塗佈液，分別將各成分利用捏合機進行混練。在1.0mm
Figure 106120591-A0101-12-0022-9
二氧化鋯球珠填充入分散部容積之65體積%量的臥式砂磨機中，將塗佈液利用泵進行通液，並依2,000rpm進行120分鐘(實質在分散部中滯留的時間)分散。在非磁性層的塗料係在所獲得分散液中添加聚異氰酸酯5.0份，若磁性層的塗料則添加2.5份，更添加甲乙酮3份，使用具1μm平均孔徑的過濾器施行過濾，而分別調製得非磁性層形成用及磁性層形成用的塗佈液。
將所獲得非磁性層形成用塗佈液，在本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜上，依乾燥後的厚度成為0.8μm方式施行塗佈乾燥後，再將磁性層形成用塗佈液，依乾燥後的磁性層厚度成為0.07μm方式施行塗佈，在磁性層尚處濕潤狀態的期間，利用具 6,000G(600mT)磁力的鈷磁石、與具6,000G(600mT)磁力的螺線管進行配向並使乾燥。然後，依軋光後的厚度成為0.5μm方式，塗佈背塗層(使碳黑平均粒子尺寸17nm：100份、碳酸鈣平均粒子尺寸40nm：80份、及α氧化鋁平均粒子尺寸200nm：5份，分散於聚胺酯樹脂、聚異氰酸酯中)。接著，利用軋光機依溫度90℃、線壓300kg/cm(294kN/m)施行軋光處理後，再依65℃施行72小時硬化。又，在設有狹縫物之送出、捲取裝置的裝置中，依壓抵於磁性面的方式安裝不織布與剃頭刀，利用帶清洗裝置施行磁性層表面的清洗，獲得磁帶筒料。
所獲得帶筒料切窄為寬12.65mm(1/2吋)，將其組裝於LTO用箱體中，製成磁性記錄帶長度960m的資料儲存匣。將該資料儲存(data storage)使用IBM公司製LTO6驅動器，於23℃50%RH環境下施行記錄(記錄波長0.55μm)，接著將匣在50℃、80%RH環境下保存7天。匣經常溫保存1天後，施行全長播放，測定播放時的信號錯誤率。錯誤率係從驅動器所輸出的錯誤資訊(錯誤位元數)，依下式進行計算。依照下述基準施行錯誤率的評價。
錯誤率=(錯誤位元數)/(寫入位元數)
A：錯誤率未滿1.0×10-6
B：錯誤率1.0×10-6以上、且未滿1.0×10-5
C：錯誤率1.0×10-5以上、未滿1.0×10-4
D：錯誤率達1.0×10-4以上。
[實施例]
以下，針對本發明舉實施例進行說明，惟本發明未必僅侷限於該等。
(實施例1)
在對苯二甲酸二甲酯(DMT)中，相對於DMT：1莫耳，添加乙二醇1.9莫耳、及相對於DMT：100重量份添加醋酸鎂‧四水合物0.05重量份、與磷酸0.015重量份，再施行加熱酯交換。接著，添加三氧化銻0.025重量份，加熱升溫，在真空下施行縮聚，獲得實質未含粒子的聚酯顆粒。
將該聚酯分別依160℃施行8小時減壓乾燥後，供應給擠出機施行熔融擠出，經利用過濾器施行過濾後，經由模頭在冷卻輥上使用外加靜電澆鑄法捲繞於澆鑄滾筒並冷卻固化，而獲得未延伸薄膜。將該未延伸薄膜導引於相對向的電極與接地輥之間，於裝置中中導入氮氣，在E值成為400W‧min/m2的條件下施行大氣壓輝光放電處理。又，此時依處理面的薄膜表面溫度成為50℃方式冷卻接地輥。
處理後的未延伸薄膜利用逐次雙軸延伸機朝長邊方向延伸3.3倍(溫度95℃)、及寬度方向分別延伸3.3倍(溫度100℃)合計10.9倍的延伸，然後在定長下依220℃施行熱處理。然後，朝寬度方向施行鬆弛處理，獲得厚度16μm的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例2)
除將大氣壓輝光放電處理的E值設為800W‧min/m2之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。 所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例3)
除將大氣壓輝光放電處理的E值設為100W‧min/m2之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例4)
依照與實施例1同樣的方法獲得未延伸薄膜後，取代大氣壓輝光放電處理，改為對未延伸薄膜照射具400mJ/cm2能量的紫外光施行表面處理之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例5)
依照與實施例1同樣的方法獲得未延伸薄膜後，取代大氣壓輝光放電處理，改為對未延伸薄膜依E值成為400W‧min/m2的條件，在空氣環境下施行電弧放電電暈處理之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例6)
除取代聚酯改為使用聚丙烯，並在未經由乾燥步驟情況下供應給擠出機之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例7)
除取代聚酯改為使用聚苯硫醚之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例8)
除取代聚酯改為使用聚醯亞胺之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例9)
將實施例1所獲得未延伸薄膜在加熱輥間朝長邊方向施行3.3倍(溫度95℃)的延伸，再將依此獲得的薄膜導引於相對向的電極與接地輥間，於裝置中導入氮氣，於E值成為400W‧min/m2的條件施行大氣壓輝光放電處理。又，此時依處理面的薄膜表面溫度成為50℃方式冷卻接地輥。
經處理後的單軸延伸薄膜利用拉幅機朝寬度方向延伸3.3倍(溫度100℃)，總計延伸10.9倍，然後在定長下依220℃施行熱處理。然後，朝寬度方向施行鬆弛處理，獲得厚度16μm的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例10)
將實施例1所獲得的未延伸薄膜導引於相對向的電極與接地輥間，於裝置中導入氮氣，依E值成為400W‧min/m2的條件施行大氣壓輝光放電處理。又，此時依處理面的薄膜表面溫度成為50℃方式冷卻接地輥。
經處理後的未延伸薄膜利用同步雙軸延伸機，朝長邊方向延伸3.3倍、及朝寬度方向分別延伸3.3倍(溫度100℃)總計延伸10.9倍，然後在定長下依220℃施行熱處理。然後，朝寬度方向施行鬆弛處理，獲得厚度16μm的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(實施例11)
將依照與實施例1同樣的方法施行乾燥過的PET樹脂、與後述粒子的母粒，分別依成為後述粒子添加量的方式，供應給各自的擠出機，施行熔融擠出，經利用過濾器施行過濾後，利用3層用合流塊施行合流積層，形成由A層/B層/A層構成的3層。然後，在冷卻輥上使用外加靜電澆鑄法捲繞於澆鑄滾筒上並施行冷卻固化，獲 得二表層(A層)含有平均二次粒徑0.08μm凝聚氧化鋁粒子0.15重量%、而內層(B層)卻未含粒子的PET未延伸薄膜。該未延伸薄膜依照與實施例1同樣的方法導引於相對向的電極與接地輥間，於裝置中導入氮氣，在E值成為400W‧min/m2的條件下施行大氣壓輝光放電處理。又，此時依處理面的薄膜表面溫度成為50℃方式冷卻接地輥。又，施行雙軸延伸，獲得總厚度16μm、A層/B層/A層的積層厚度0.6μm/14.8μm/0.6μm之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性與製膜性均優異的薄膜。
(比較例1)
除依照與實施例1同樣的方法獲得未延伸薄膜後，在未施行大氣壓輝光放電處理狀態下，導引於逐次雙軸延伸機之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性差的薄膜。
(比較例2)
除在空氣環境下施行電弧放電電暈處理時，將薄膜表面溫度設為180℃之外，其餘均依照與實施例5同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性差的薄膜。
(比較例3)
除在氮環境下施行大氣壓輝光放電處理時，將薄膜表面溫度設為180℃之外，其餘均依照與實施例1同樣的方法獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於易滑性差的薄膜。
(比較例4)
取代聚酯改為使用三聚氰胺樹脂製成未延伸薄膜，依照與實施例1同樣的方法施行大氣壓輝光放電處理，依照與實施例1同樣的方法施行逐次雙軸延伸，但因為製膜性差、頻頻發生薄膜破裂，終至無法獲得雙軸配向薄膜。
(比較例5)
依照與實施例1同樣的方法獲得未延伸薄膜後，施行大氣壓輝光放電處理，然後未施行雙軸延伸而獲得未延伸薄膜。所獲得薄膜的特性等係如表1、2所示。得知屬於易滑性差的薄膜。
(比較例6)
依照與實施例1同樣的方法獲得未延伸薄膜後，施行大氣壓輝光放電處理，然後朝長邊方向延伸3.3倍，而獲得單軸配向薄膜。所獲得薄膜的特性等係如表1、2所示。得知屬於易滑性差的薄膜。
(比較例7)
將依照與實施例1同樣的方法施行乾燥過的PET樹脂、與後述粒子的母粒，分別依成為後述粒子添加量的方式，供應給各自的擠 出機，施行熔融擠出，經利用過濾器施行過濾後，利用3層用合流塊施行合流積層，形成由A層/B層/A層構成的3層。然後，在冷卻輥上使用外加靜電澆鑄法捲繞於澆鑄滾筒上並施行冷卻固化，獲得二表層(A層)含有平均二次粒徑0.70μm之二乙烯苯/苯乙烯共聚合體粒子0.08重量%、與平均二次粒徑0.08μm凝聚氧化鋁粒子0.15重量%，而內層(B層)卻未含粒子的PET未延伸薄膜。該未延伸薄膜依照與實施例1同樣的方法施行雙軸延伸，獲得總厚度16μm、且A層/B層/A層的積層厚度0.6μm/14.8μm/0.6μm之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。所獲得雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的特性等，如表1、2所示。得知屬於多起缺點的薄膜。
(產業上之可利用性)
本發明的雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜係藉由良好的易滑性與製膜性，而抑制步驟中發生刮痕等缺點、以及抑制加工步驟中發生缺點，因而頗適用為單面積層著感光樹脂組成物使用之乾膜光阻支撐體用聚酯薄膜、光學裝置基材用薄膜、陶瓷電容器用離型膜、磁性記錄媒體用薄膜。

Claims (12)

  1. 一種雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，係至少其中一表面上所形成突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數為1×107~1×109個/mm2，該薄膜表面的金屬摩擦係數係0.1~0.5。
  2. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，霧度係0.1~2.0%。
  3. 如請求項1或2之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述設有突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數為1×107~1×109個/mm2之薄膜表面，突起高度達10nm以上的突起個數係1×106個/mm2以下。
  4. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，構成上述雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜的熱可塑性樹脂，係以聚酯、聚烯烴、聚苯硫醚、聚醯亞胺中之任一者為主成分。
  5. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，上述突起高度1nm以上且未滿2nm的突起個數1×107~1×109個/mm2之薄膜表面，峰度(尖度)係超過3.0且在8.0以下。
  6. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為離型用薄膜。
  7. 如請求項6之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為乾膜光阻支撐體用薄膜。
  8. 如請求項6之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其中，在製造積層陶瓷電容器的步驟中，使用為胚片成形時的支撐體用薄膜。
  9. 如請求項6之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為偏光板離型用薄膜。
  10. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為光學構件用薄膜。
  11. 如請求項1之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜，其係使用為塗佈式數位記錄方式的磁性記錄媒體用底膜。
  12. 一種磁性記錄媒體，係使用請求項1至5中任一項之雙軸配向熱可塑性樹脂薄膜。
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