TW202415535A - 乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其藉由控制特定溫度範圍中之薄膜的熱尺寸變化率，而乾膜阻劑用薄膜之高溫層壓步驟中的加工適性優異，同時藉由控制兩側表面層所含有之粒徑與表面形狀，而生產性與光學特性優異。
[解決方法]一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL
90-130℃(ppm/℃)時，至少一個方向為-50以上150以下，薄膜總厚度為11μm以上50μm以下。
Description
本發明係關於一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其藉由控制特定溫度中之熱尺寸變化率，使乾膜阻劑加工步驟中的高溫層壓加工性提升，同時阻劑光學特性與薄膜生產性優異。
聚酯樹脂因其加工性的良好，而被利用於各式各樣的產業領域。又，將此等聚酯樹脂加工成薄膜狀而成之產品(雙軸配向聚酯薄膜)在產業用途、光學產品用途、包裝用途、磁性記錄帶用途等現今的生活中發揮重要的作用。
近年來，電子資訊設備中，進行小型化、高整合化，伴隨於此，電子資訊設備的配線亦正在發展細微化。此等電子資訊設備的細微配線的製作中，大多使用乾膜阻劑工法，其將透明的薄膜作為支持體，使表面設置了光硬化性的樹脂層(阻劑層)而成者與貼合了薄膜銅而成之基板(銅箔基板)密著，對每個薄膜使用光阻技術來描繪配線形狀，在薄膜剝離後進行清洗，藉此使銅配線形成，次世代產品中，變得需要進行配線寬度為2～5μm的非常精細的加工。
一般而言，雙軸配向聚酯薄膜係在製造步驟中進行製膜後，會被捲繞成輥狀。此時，若薄膜表面過於平滑則薄膜彼此會密著，因此薄膜的捲繞性會惡化。因此，為了確保薄膜的捲繞性，已知有藉由在薄膜中添加/含有粒子，使薄膜表面一定程度地變粗糙(在薄膜表面形成突起)之方法。藉由使添加之粒子的量減少、或使添加粒子的粒徑小徑化，能夠提高有助於阻劑配線描繪之薄膜的阻劑光學特性。另一方面，由於存在於薄膜表面之突起的個數及高度減少，因發生聚酯薄膜製造步驟中的表面損傷、捲繞不良而生產性降低，因此該等薄膜的阻劑光學特性與生產性的兼顧成為課題。
又，乾膜阻劑之層壓加工步驟中的條件，係因應阻劑層的熱特性、與使用之銅箔基板的組合，一般是使用經加熱至90℃以上之橡膠輥來加壓並使其密著，但近年來，進行到120～130℃的高溫條件下的加工之需要正在提高。一般而言，若在玻璃轉移溫度以上的溫度下加熱聚酯則薄膜會熱收縮，因此由於層壓加工時與阻劑層的寬度方向的熱尺寸變化率會產生差，而因銅箔基板與阻劑層的密著不良而發生氣泡滯留之現象(層壓空隙)，導致後續的光阻劑步驟中的缺陷產生。因此，控制從90℃加熱至130℃附近之過程(升溫過程)中的雙軸配向聚酯薄膜的熱尺寸變化率在用以提升層壓加工性方面是重要的。
就控制雙軸配向聚酯薄膜的熱尺寸變化之方法而言，專利文獻1～3中記載在薄膜製膜步驟中藉由進行高溫熱處理，來控制熱處理前後的尺寸變化之技術，同時專利文獻4中記載藉由使用耐熱性聚酯樹脂，同樣地控制熱尺寸變化之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2021-160240號公報
專利文獻2：日本特開2021-054069號公報
專利文獻3：日本特開平10-24665號公報
專利文獻4：日本特開2015-178623號公報
[發明欲解決之課題]
然而，專利文獻1、2中，控制熱處理溫度、及尺寸變化率所需要的鬆弛處理的溫度低，要控制目標之90℃～130℃的溫度下的熱尺寸變化率是困難的。又，專利文獻3中，藉由組合高面積倍拉伸、再拉伸，在4.5μm的薄膜中達成熱尺寸變化率的控制。然而，因薄膜厚度薄而薄膜沒有剛性(韌性)，層壓加工時會因輥行走的些微的搖晃而容易產生皺摺，又，若為了消除皺褶而對薄膜施加張力則會發生薄膜破裂，因此層壓加工適性會顯著降低。
專利文獻4中，因使用耐熱性聚酯樹脂作為共聚合成分而可達成熱特性的控制，另一方面，由於源自共聚合成分而表面粗糙度增加、及薄膜內的光學特性會產生不均，作為乾膜阻劑支持體用薄膜使用時光學特性會顯著降低，因而較不佳。
本發明的課題在於提供一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其高溫層壓加工適性優異，同時阻劑光學特性及薄膜生產性優異。
[用以解決課題之手段]
[I]一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL
90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)的至少一個方向為-50以上150以下，薄膜總厚度T(μm)為11以上50以下。
[II]如[I]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL
90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)的至少一個方向為20以上150以下，薄膜總厚度T(μm)為11以上50以下。
[III]如[I]或[II]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向中，將薄膜溫度從110℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL
110-130℃(ppm/℃)為0以上。
[IV]如[I]或[II]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其中與前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向之從90℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-200以上0以下。
[V]如[I]或[II]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-50以上150以下之方向中，將薄膜溫度從90℃升溫至110℃時的尺寸變化率ΔL
90-110℃(ppm/℃)為0以上。
[VI]如[I]或[II]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其至少單側表面的均方根粗糙度Sq(nm)為0.8以上且小於3.0。
[VII]如[I]或[II]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在至少單側最外表層具有含有平均1次粒徑為70nm以上200nm以下的粒子之層(P1層)。
[VIII]如[VII]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將前述P1層的厚度設為T
P1(μm)時，T
P1為0.03以上0.35以下。
[IX]如[VII]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將前述P1層表面的均方根粗糙度設為Sq
P1(nm)時，Sq
P1(nm)為0.8以上且小於3.0。
[X]如[VII]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其中與前述P1層為相對側的最外表層(P2層)滿足以下(1)、(2)。
(1)不包含平均1次粒徑為200nm以上的粒子
(2)表面具有突起，將高度10nm以上的突起個數設為N
10nm(個/mm
2)時，N
10nm為600以上12000以下
[XI]如[X]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在前述P1層與前述P2層之間，具有含有粒子濃度比P1層低、或不含粒子之層(P3層)。
[XII]如[VII]記載之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將由光學顯微鏡所觀察之存在於從前述P1層側起薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的數量設為N
P1(個/8.25mm)時，N
P1為20以下。
[發明之效果]
本發明係一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其係高溫層壓加工適性優異，同時阻劑光學特性及薄膜生產性優異。
[用以實施發明的形態]
以下，詳細地說明本發明。
本發明係關於雙軸配向聚酯薄膜。
本發明係一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL
90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)至少一個方向為-50以上150以下，薄膜總厚度T(μm)為11以上50以下。
(聚酯樹脂)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜較佳為以聚酯樹脂作為主要成分之構成。
本發明所謂之雙軸配向聚酯薄膜，係表示以聚酯樹脂作為主要成分之薄膜。此處所謂之主要成分，係表示在100質量%的薄膜的全部成分中，含有超過50質量%之成分。
又，本發明所謂之聚酯樹脂係將二羧酸構成成分與二醇構成成分聚縮合而成者。此外，本說明書內，所謂構成成分，係表示可藉由將聚酯水解而能得到之最小單元。
就構成該聚酯之二羧酸構成成分而言，可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二甲酸、1,5-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,8-萘二甲酸、4,4’-二苯基二甲酸、4,4’-二苯基醚二甲酸等芳香族二羧酸、或者其酯衍生物。
又，就構成該聚酯之二醇構成成分而言，可列舉：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇等脂肪族二醇類、環己烷二甲醇、螺二醇(spiroglycol)等脂環式二醇類、連接複數個上述二醇而成者等。
就本發明中所使用之聚酯樹脂而言，從機械特性、透明性的觀點來看，適宜使用：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯(PEN)、及在PET的二羧酸成分的一部分將間苯二甲酸、萘二甲酸共聚合而成者、將環己烷二甲醇、螺二醇、二乙二醇與PET的二醇成分之一部分進行共聚合而成之聚酯，其中特佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
(雙軸配向聚酯薄膜)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，藉由進行雙軸配向，因薄膜的機械強度提升而變得難以產生皺摺，能夠使捲繞性提升，又，在拉伸步驟中藉由施加均勻的拉伸應力而能夠在薄膜全部區域使表面的平滑性變得均勻。此處所謂之雙軸配向，係指在廣角X射線繞射中顯示雙軸配向的圖案者。聚酯薄膜一般能夠藉由在片材長邊方向及寬度方向將未拉伸狀態的熱塑性樹脂片拉伸，之後實施熱處理與鬆弛處理來使結晶配向結束而得。詳細內容係後述。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜中，將薄膜整體的固有黏度(IV)設為IV(dl/g)時，IV(dl/g)較佳為0.55以上0.80以下。藉由將IV(dl/g)設為0.55以下，拉伸製膜步驟中的機械特性會提升，能夠抑制薄膜破裂所造成之薄膜製膜的良率減少，又，藉由將IV設為0.8以下，能夠抑制熔融擠出步驟中之擠出不良。
就本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜的構成而言，較佳為設置了含有後述之粒子之行走面層(P1層)及具有突起之層(P2層)而成之P1層/P2層等至少2層以上的積層構成。
從使本發明的雙軸配向聚酯薄膜的光學特性提升之觀點來看，更佳為由在前述P1層與前述P2層之間具有不含粒子及回收原料之中間層(P3層)之P1層/P3層/P2層所構成之異種3層積層構成等至少3層以上的積層構成。又，從控制P1層的表面粗糙度之觀點來看，亦可將P2層或者在不對本發明的熱尺寸變化率及光學特性造成影響之範圍含有粒子之P4層作為P1層的基底層，P1層/P2層/P3層/P2層、或P1層/P4層/P3層/P2層的4層積層構成同樣地亦為較佳的構成。詳細內容係後述。
就分別將由聚酯樹脂所構成之P1層、P2層、及P3層積層之方法而言並未特別限制，能夠使用後述之共擠出法、對於製膜途中的薄膜將其他樹脂層原料投入擠出機並熔融擠出且一邊從紡嘴擠出一邊進行層壓之方法(熔融層壓法)、將製膜後的薄膜彼此隔著接著劑層進行積層之方法、及在製膜步驟中於製膜步驟後藉由塗布來設置之方法(線內塗布法、離線塗布法)等，其中較宜使用可同時進行前述處理所引起的突起形成與積層之共擠出法。
將本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜的總厚度設為T(μm)時，T較佳為11以上50以下。藉由將薄膜總厚度T(μm)設為11以上，會抑制因薄膜的剛性不足而在雙軸配向聚酯薄膜生產時的薄膜捲繞時產生捲繞皺褶，同時在作為乾膜阻劑支持體用薄膜使用之情況下，能夠抑制層壓加工步驟中的皺褶的產生，且能夠抑制在阻劑層的塗布步驟、高溫層壓步驟、及熱處理步驟中發生薄膜破裂。又，藉由將薄膜總厚度T(μm)設為50以下，由於因源自聚酯樹脂原料所產生之薄膜內部的異物會使光阻劑的光散射產生，能夠抑制阻劑配線的針孔缺陷產生，且會防止雙軸配向聚酯薄膜的薄膜剛性過度提高，能夠使加工性變得良好。就薄膜總厚度T(μm)的下限值而言，更佳為15以上。就薄膜總厚度T(μm)的上限值而言，更佳為35以下，進一步較佳為25以下。
(雙軸配向聚酯薄膜的熱尺寸特性)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL
90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)的至少一個方向為-50以上150以下是必要的。
所謂將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)，係以後述之熱機械分析(ThermoMechanical Analysis : TMA)測定所得到之值。其係表示以層壓步驟中的高溫層壓輥加熱本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜時的尺寸變化率之值，若值為正則表示為膨脹之值，若值為負則表示為收縮之值。藉由將前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)設為-50以上，能夠使熱收縮變小至適當的範圍。藉此，有在高溫層壓步驟中，因與以往阻劑層相比，雙軸配向聚酯薄膜會大幅熱收縮，而在雙軸配向聚酯側產生捲曲，密著之銅箔基板與阻劑層剝離，銅箔基板與阻劑層間產生浮起之情況，但本發明能夠抑制此情況。就ΔL
90-130℃(ppm/℃)的下限值而言，更佳為0以上，進一步較佳為20以上。又，藉由將前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)設為150以下，能夠使熱膨脹變小至適當的範圍。有在高溫層壓步驟中，因與以往阻劑層相比，雙軸配向聚酯薄膜會大幅膨脹，而與雙軸配向聚酯薄膜貼合之阻劑層會過度拉伸，在阻劑層中產生微小的缺陷，以該處作為起點而在銅箔基板與阻劑層之間產生浮起之情況，但本發明能夠抑制此情況。就前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)的上限值而言，更佳為85以下。
關於將前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)設為-50以上150以下之方法，能夠藉由在後述之將雙軸拉伸聚酯薄膜製膜時的橫拉伸步驟中進行之熱處理、及寬度方向的鬆弛處理中，對進行了雙軸拉伸之薄膜實施一定溫度以上的熱處理，同時實施一定溫度以上的鬆弛處理來達成。
具體而言，較佳為在221℃以上240℃以下的溫度下對雙軸配向聚酯薄膜實施熱處理，同時在與熱處理溫度相同的溫度下在寬度方向以1%以上4%以下的比例實施鬆弛處理(放鬆處理)。藉由一邊使因雙軸拉伸而殘留在經雙軸配向之薄膜內的聚酯樹脂分子鏈之過剩的配向應力緩和一邊稍微使寬度方向收縮，能夠在保持平面性的情況下使熱尺寸穩定性提升。藉由將寬度方向的鬆弛處理的比例設為1%以上，可得到前述配向應力緩和的效果，藉由將寬度方向的鬆弛處理的比例設為4%以下，能夠抑制因急遽的熱收縮而在雙軸配向聚酯薄膜中產生被稱為波狀皺褶之週期性的皺褶而品質降低之情況。就熱處理溫度的進一步較佳的範圍而言為225℃以上240℃以下，最佳為230℃以上240℃以下。又，作為在熱處理溫度下實施之寬度方向的鬆弛處理(放鬆處理)的比例的較佳的範圍，下限值更佳為1.5%以上，上限值更佳為2.5%以下。
在前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)滿足-50以上150以下之方向中，為了將前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)設為更佳的範圍，較佳為在進行前述寬度方向的鬆弛處理後，在相當於層壓加工溫度範圍之90℃以上150℃以下的溫度下以0.5%以上3%以下的比例實施寬度方向的鬆弛處理。這是因為藉由進行前述溫度下的寬度方向的鬆弛處理，薄膜內的聚酯樹脂分子鏈在層壓加工溫度下會採取穩定的結構。
又，就在前述90℃以上150℃以下的溫度下的鬆弛處理方法而言，進一步較佳為在2個不同的溫度範圍進行2次以上寬度方向的鬆弛處理，最佳為在115℃以上150℃以下的溫度下以0.5%以上2.0%以下的比例在寬度方向實施鬆弛處理，之後在90℃以上且小於115℃的溫度下以0.3%以上2.0%以下的比例在寬度方向實施鬆弛處理。這是因為藉由使用較佳的鬆弛處理方法，使後述之從90℃升溫至110℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
90-110℃(ppm/℃)、及從110℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
110-130℃(ppm/℃)皆增大是可能的，伴隨於此，使前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)的值增大是可能的。就在115℃以上150℃以下的溫度下實施之寬度方向的鬆弛處理(放鬆處理)的比例而言，就下限值而言更佳為1.0%以上，就上限值而言更佳為1.8%以下。又，作為在90℃以上且小於115℃的溫度下實施之寬度方向的鬆弛處理(放鬆處理)的較佳的比例，下限值更佳為0.5%以上，上限值更佳為1.5%以下，進一步較佳為0.8%以下。
又，前述熱處理以後所進行之各溫度下的鬆弛處理(放鬆處理)比例的合計較佳為設為5%以下。藉由將鬆弛處理比例的合計設為5%以下，能夠抑制因使雙軸配向聚酯薄膜在過度鬆弛之狀態下熱收縮而產生被稱為波狀皺褶之週期性的皺褶而品質降低之情況。更佳的鬆弛處理(放鬆處理)比例的合計為4.5%以下。
從配合前述阻劑層的熱尺寸變化率之觀點來看，在將本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜使用於高溫層壓加工之情況下，將前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向設為層壓加工時的輥的寬度方向(TD方向)為更佳的形態。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，較佳為與ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向之將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-200以上0以下。與前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-200以上0以下，表示在薄膜溫度為90℃以上130℃以下的溫度範圍中薄膜會收縮。藉由與前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)為-200以上0以下，層壓加工時因熱收縮而對從輥捲出之薄膜的捲出方向施加適度的張力，藉此能夠抑制皺褶的產生。因此，在將本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜使用於高溫層壓加工之情況下，與前述方向呈面內垂直的方向為輥捲出方向為較佳的形態。就與前述ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)的下限值而言，更佳為-150以上。
就將與前述方向面內垂直的方向的將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)控制在較佳的範圍之方法而言，能夠藉由實施前述熱處理/鬆弛處理，同時在後述製膜步驟中在長邊方向以拉伸倍率為3.0倍以上4.8倍以下的範圍進行拉伸來控制。就更佳的範圍而言為3.5倍以上4.8倍以下。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，較佳為在ΔL
90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向中，薄膜溫度從90℃升溫至110℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
90-110℃(ppm/℃)為0以上。藉由將前述ΔL
90-110℃(ppm/℃)設為0以上，在薄膜為90℃以上110℃以下的溫度下進行層壓加工時，因薄膜會膨脹而能夠抑制與阻劑層的尺寸變化率的差產生，因此能夠輔助將高溫加工輥所引起之加壓時的應力傳播至寬度方向，因而較佳。就前述ΔL
90-110℃(ppm/℃)的更佳範圍而言為30以上，進一步較佳為70以上。又，關於上限值，就更佳的範圍而言為設為150以下，進一步較佳為設為120以下，藉此在層壓步驟中，因與阻劑層相比，雙軸配向聚酯薄膜會大幅膨脹，而能夠抑制銅箔基板與阻劑層之間產生浮起之情況。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，較佳為前述方向中，薄膜溫度從110℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率ΔL
110-130℃(ppm/℃)為0以上。藉由將前述ΔL
110-130℃(ppm/℃)設為0以上，在薄膜為110℃以上130℃以下的溫度下進行層壓加工時，因薄膜會膨脹而能夠抑制與阻劑層的尺寸變化率的差產生，因而較佳。又，藉此能夠輔助將高溫的加工輥所引起之加壓時的應力傳播至寬度方向，因而較佳。就前述ΔL
110-130℃(ppm/℃)的較佳範圍而言為10以上，進一步較佳為20以上。關於上限值，就更佳的範圍而言為設為250以下，進一步較佳為設為100以下，藉此在層壓步驟中，因與阻劑層相比，雙軸配向聚酯薄膜會大幅膨脹，而能夠抑制銅箔基板與阻劑層之間產生浮起之情況。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜的至少單側表面的均方根粗糙度Sq(nm)較佳為0.8以上且小於3.0。均方根粗糙度(Sq)與一般作為表面粗糙度使用之算術平均粗糙度(Sa)相比，大量估計了高度高的突起、及深的谷部分的影響而得之平均粗糙度的值，係反映了表面中以低機率產生之粗大的突起、凹陷缺陷的數量而得之值，在估計乾膜阻劑支持體用薄膜所需要的阻劑光學特性及薄膜的行走性方面為有用的值。均方根粗糙度係依照後述方法進行掃描型白色干涉顯微鏡(VertScan)測定，依據由掃描型白色干涉顯微鏡附屬的軟體求出之ISO 25178，藉由後述之測定方法所測定之值。
藉由至少單側表面的均方根粗糙度Sq(nm)為0.8以上且小於3.0，將本發明的雙軸配向聚酯薄膜作為乾膜阻劑支持體用時，能夠配置對應之面側作為與設置阻劑層者為相對面，且一般照射阻劑加工用所使用之波長365nm的紫外光(以下，有時稱為阻劑光)之面(以下，有時稱為行走面)來使用。藉由均方根粗糙度Sq(nm)為0.8以上，在薄膜製造步驟及乾膜阻劑的加工步驟中，能夠抑制薄膜表面與輸送輥的摩擦增大而產生薄膜表面損傷之情況，又，藉由均方根粗糙度Sq(nm)小於3.0，會抑制光阻劑步驟中之阻劑加工用的紫外光在薄膜表面光散射，而能夠抑制阻劑配線的缺陷產生。就均方根粗糙度Sq(nm)的下限值而言，更佳為2.0以上。又，就均方根粗糙度Sq(nm)的上限值而言，更佳為2.9以下。
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜的兩側表面的均方根粗糙度Sq(nm)滿足0.8以上且小於3.0時可將任一面設為行走面，但從抑制含有粒子所引起之阻劑光的光散射的影響直接傳播至阻劑層之觀點來看，較佳為將含有平均1次粒徑較大的粒子之層設為行走面。
(含有粒子之行走面層：P1層)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，較佳為具有含有平均1次粒徑為70nm以上200nm以下的粒子之層(P1層)。藉由含有平均1次粒徑為200nm以下的粒子，在阻劑光通過P1層中時會抑制光散射，能夠抑制阻劑配線的缺陷產生。又，藉由在P1層中含有70nm以上的粒子，因表面變粗糙而能夠使薄膜製膜時的行走性提升。就本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜的進一步較佳的形態而言，為具有含有平均1次粒徑為70nm以上150nm以下的粒子之層(P1層)。
從兼顧薄膜製膜時的行走性與阻劑光學特性之觀點來看，在與設置阻劑層之表面為相對面之行走面側配置P1層為更佳的形態。
進一步從抑制阻劑光的光散射之觀點來看，P1層更佳為不包含平均1次粒徑超過200nm之粒子。
又，從使薄膜的行走性提升之目的、抑制P1層表面的損傷之目的來看，P1層亦可連同前述平均1次粒徑為70nm以上200nm以下的粒子一起含有平均1次粒徑小於70nm的粒子。
關於前述P1層含有之粒子，可使用無機粒子、有機粒子任一者，亦可併用2種以上的粒子。
就能夠使用之無機粒子而言，可列舉例如：碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈰、氧化鎂、硫酸鋇、硫化鋅、磷酸鈣、氧化鋁(α-氧化鋁、β-氧化鋁、γ-氧化鋁、δ-氧化鋁)、雲母、雲母、雲母鈦、沸石、滑石、黏土、高嶺土、氟化鋰、氟化鈣、蒙脫石、氧化鋯、二氧化矽(濕式二氧化矽、乾式二氧化矽、膠體二氧化矽)等。就有機粒子而言，能夠例示例如：以丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等作為構成成分之有機粒子、核殼型有機粒子等。其中，無機粒子中，從配合雙軸配向聚酯薄膜的折射率並將對於阻劑光學特性的影響抑制在最小限度之觀點來看，較佳為氧化鋁或二氧化矽，又，有機粒子中，苯乙烯系樹脂因相同的理由而折射率與雙軸配向聚酯薄膜相近，因而較佳。
將本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜中之前述P1層的厚度設為T
P1(μm)時，T
P1(μm)較佳為0.03以上0.35以下。藉由將T
P1(μm)設為0.35以下，會抑制P1層所含有之粒子所引起之阻劑光的光散射，能夠抑制阻劑配線形成時的針孔缺陷，又，藉由將T
P1(μm)設為0.03以上，能夠抑制P1層所含有之粒子在薄膜行走時脫落之情況。就前述T
P1(μm)上限值的更佳的範圍而言為0.30以下，最佳為0.25以下。
為了將能夠抑制前述層內的粒子所引起之阻劑光的光散射之P1層作為行走面使用，較佳為本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜中之前述P1層表面的均方根粗糙度Sq
P1(nm)為0.8以上且小於3.0。藉由前述P1層表面的均方根粗糙度Sq
P1(nm)為0.8以上，能夠抑制薄膜製造步驟及乾膜阻劑的加工步驟中因P1層表面與輸送輥的摩擦而產生表面損傷之情況。又，藉由前述P1層表面的均方根粗糙度Sq
P1(nm)小於3.0，會抑制光阻劑步驟中之阻劑加工用的紫外光在薄膜表面光散射，而能夠抑制阻劑配線的配線形狀的變形發生。作為P1層表面的均方根粗糙度Sq
P1(nm)的下限值，更佳為2.0以上。又，作為P1層表面的均方根粗糙度Sq
P1(nm)的上限值，更佳為2.9以下。
(具有突起之平滑面層：P2層)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，較佳為在與前述P1層為相對表面側具有滿足以下(1)、(2)之P2層。
(1)不包含平均1次粒徑為200nm以上的粒子
(2)表面具有突起，將高度10nm以上的突起個數設為N
10nm(個/mm
2)時，N
10nm為600以上12000以下
藉由本發明的前述P2層不包含平均1次粒徑為200nm以上的粒子，能夠抑制在P2層表面形成突發性的粗大突起而在P2層表面上設置阻劑層時因P2層表面的凹凸形狀轉印而產生阻劑層缺陷之情況。又，從抑制阻劑光的光散射之觀點來看，亦較佳為不含有平均1次粒徑為200nm以上的粒子。就前述P2層的含有粒子而言，更佳為不含有平均1次粒徑為150nm以上的粒子，進一步較佳為不含有平均1次粒徑為100nm以上的粒子，最佳為不含有平均1次粒徑為70nm以上的粒子。
藉由本發明的前述P2層的表面具有突起，且將在依照後述方法之掃描型白色干涉顯微鏡測定中所得到之高度10nm以上的突起個數設為N
10nm(個/mm
2)時N
10nm為600以上12000以下，能夠使雙軸拉伸薄膜的製膜步驟中的行走性提升。將本發明的雙軸配向聚酯薄膜作為乾膜阻劑支持體用薄膜使用時，N
10nm表示前述P2層表面的基底紋理部所形成之細微的突起的個數，係對前述P2層的行走性造成影響之值。藉由前述高度10nm以上的突起個數N
10nm(個/mm
2)為600以上，即使P2層不使用平均1次粒徑為200nm以上的粒子，在雙軸配向聚酯薄膜的製造步驟中仍能夠確保與輸送輥的行走性，能夠抑制表面損傷的產生。又，藉由前述高度10nm以上的突起個數N
10nm(個/mm
2)為12000以下，P2層表面與阻劑層的界面變得粗糙，能夠抑制阻劑光在前述界面中光散射之情況。就前述高度10nm以上的突起個數N
10nm(個/mm
2)的下限值而言，更佳為1000以上，就前述高度10nm以上的突起個數N
10nm(個/mm
2)的上限值而言，更佳為10000以下。
就用以將本發明的前述P2層在表面中，在掃描型白色干涉顯微鏡測定中所得到之高度10nm以上的突起個數N
10nm設為前述範圍的方法而言，可列舉：添加後述之具有特定粒徑之粒子之方法、例如如奈米壓印般使用模具在表面轉印形狀之方法、對未拉伸片進行利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理後，進行雙軸拉伸之方法等。其中，從使本發明的雙軸配向聚酯薄膜的行走性提升之觀點來看，較佳為使用進行利用大氣壓力輝光放電之電漿處理並進行雙軸拉伸之方法、及後述之含有微小的粒子之方法的任一者。從不使細微阻劑配線用的光學特性降低之觀點、及抑制因前述雙軸配向聚酯薄膜製造步驟中的高溫熱處理所產生之寡聚物等劣化物表面堆積而在層壓時產生浮起(層壓空隙)之觀點來看，較佳為使用進行利用大氣壓力輝光放電之電漿處理並進行雙軸拉伸之方法、或者併用進行利用大氣壓力輝光放電之電漿處理並進行雙軸拉伸之方法與後述之含有微小的粒子之方法。
利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理(以下，有時稱為大氣壓力電漿處理)在聚酯薄膜製造步驟中，可在擠出後的未拉伸薄膜的狀態下實施處理或對拉伸後薄膜實施處理，但從對前述P2層表面賦予平滑性與易滑性之觀點來看，最佳為在未拉伸薄膜的狀態下實施利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理。這是因為藉由利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理來削取非晶聚酯部分，在之後的拉伸製膜步驟中殘留在表面之結晶聚酯部分會成為凸部而結晶成長並在表面形成細微的突起。又，由於聚酯薄膜的結晶成長會隨著前述利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理而進行，提升薄膜表面中分子鏈密集地堆積而成之結晶化域的存在比率，因此展現出阻礙因熱處理等所產生之寡聚物從薄膜內部析出至表面之效果。
此處所謂之大氣壓力，係700托(Torr)～780托的範圍。大氣壓力輝光放電處理係將處理對象的薄膜引導至相對之電極與接地輥間，在裝置中導入電漿激發性氣體，並在電極間施加高頻電壓，藉此使該氣體電漿激發並在電極間進行輝光放電者。藉此細微地加工(灰化)薄膜表面而形成突起。
所謂電漿激發性氣體，係指在前述般的條件下可被電漿激發之氣體。就電漿激發性氣體而言，可列舉例如：氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣等稀有氣體、氮氣、二氧化碳、氧氣、或四氟甲烷般的氟氯烷類及該等的混合物等。又，電漿激發性氣體，可單獨使用1種，亦可以任意的混合比組合2種以上。
電漿處理中之高頻電壓的頻率較佳為1kHz～100kHz的範圍。又，利用以下方法所求出之放電處理強度(E值)，從突起形成的觀點來看，較佳為在50～1000W．min/m
2的範圍進行處理，更佳為150～800W．min/m
2。藉由放電處理強度(E值)為50W．min/m
2以上，能夠充分地形成突起，藉由放電處理強度(E值)為1000W．min/m
2以下，能夠抑制對聚酯薄膜造成過度的損傷而能夠減少表面異物的產生。
＜放電處理強度(E值)的求法＞
E=Vp×Ip/(S×Wt)
E：E值(W．min/m
2)
Vp：施加電壓(V)
Ip：施加電流(A)
S：處理速度(m/min)
Wt：處理寬度(m)。
一般而言，藉由大氣壓力輝光放電處理將聚酯薄膜，尤其是將如PET、PEN般具有非晶部與結晶部之薄膜的表面灰化時，從柔軟的非晶部開始灰化。藉由使結晶部與非晶部細分化，能夠藉由大氣壓力輝光放電處理來形成更細微的突起，而能夠使前述N
10nm增加。
關於前述P2層含有之粒子，可使用無機粒子、有機粒子任一者，亦可併用2種以上的粒子，但如前述，關於P2層含有之粒子，較佳為使用平均1次粒徑小於200nm的粒子，更佳為含有小於150nm的粒子，進一步較佳為使用小於100nm的粒子，最佳為使用小於70nm的粒子。
就能夠使用之無機粒子而言，可列舉例如：碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈰、氧化鎂、硫酸鋇、硫化鋅、磷酸鈣、氧化鋁(α-氧化鋁、β-氧化鋁、γ-氧化鋁、δ-氧化鋁)、雲母、雲母、雲母鈦、沸石、滑石、黏土、高嶺土、氟化鋰、氟化鈣、蒙脫石、氧化鋯、二氧化矽(濕式二氧化矽、乾式二氧化矽、膠體二氧化矽)等。就有機粒子而言，能夠例示例如：以丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等作為構成成分之有機粒子、核殼型有機粒子等。其中，無機粒子中，氧化鋁係莫氏硬度高而有抑制薄膜表面的損傷之效果，因而較佳，又，有機粒子中，苯乙烯系樹脂係折射率與雙軸配向聚酯薄膜相近，因而較佳。
本發明的雙軸配向聚酯薄膜中，將P2層整體的固有黏度(IV)設為IV
P2(dl/g)時，IV
P2(dl/g)較佳為0.50以上0.63以下。IV係反映分子鏈的長度之數字，分子鏈短者進行拉伸/熱處理時聚酯分子容易進行配向/結晶化，藉由將IV
P2(dl/g)設為0.63以下，使用前述大氣壓力電漿處理時能夠促進雙軸拉伸製膜步驟中的突起形成而使行走性提升。
又，藉由將IV
P2設為0.50dl/g以上，一邊將熱處理所引起之寡聚物產生抑制在最小限度，一邊能在將聚酯樹脂熔融擠出時不施加壓力下抑制因氣泡產生而薄膜破裂，且雙軸拉伸製膜變得困難之情況。
將本發明的雙軸配向聚酯薄膜中之前述P2層的厚度設為T
P2(μm)時，T
P2較佳為0.2以上2.0以下。藉由將P2層的厚度T
P2(μm)設為0.2以上，能夠在P2層中含有粒子、或者在控制固有黏度時能效率良好地得到利用大氣壓力輝光放電之電漿處理所得到之突起形成的效果。又，從抑制薄膜整體的光學特性的降低之觀點來看，更佳為將前述P2層的厚度T
P2(μm)設為2.0以下。就前述P2層的厚度T
P2(μm)的上限值而言，更佳為1.5以下。
(中間層：P3層)
本發明的乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜亦可在含有前述粒子之行走面層(P1層)及具有突起之(P2層)之間，設置含有粒子濃度比P1層低、或不含粒子之P3層。
從使雙軸配向聚酯薄膜的光學特性提升之觀點來看，前述P3層較佳為含有粒子濃度比P1層低、或不含粒子。又，藉由將P3層的含有粒子量設為如前述般，能夠將添加含有粒子的母料顆粒、含有粒子的薄膜的回收原料等經過一次熔融擠出而熱劣化之狀態的原料抑制在最小限度，從在高溫熱處理中抑制寡聚物等劣化物產生之觀點來看為較佳。此處所謂回收原料，係指將經一次製膜之聚酯薄膜粉碎後，作成顆粒狀態之原料。在薄膜製膜時可將作為廢料排出之薄膜再利用，因此回收原料能夠利用於降低產品成本，另一方面，與新的聚酯樹脂切片相比，會受到製膜時、及再次顆粒化時的熱損傷，於P3層添加時劣化物的產生會惡化。
就雙軸配向聚酯薄膜中之前述P3層而言，更佳為含有粒子濃度比P1層低，而且平均1次粒徑為70nm以上200nm以下的粒子的含有濃度比P1層低的形態、或不含粒子之形態。
再者，將構成P2層之聚酯樹脂的固有黏度控制在前述較佳的範圍時，從使聚酯薄膜整體的機械特性提升之觀點來看，前述P3層較佳為設為由固有黏度(IV)為0.55以上之聚酯樹脂所構成之P1層/P3層/P2層的3層構成。
本發明的雙軸配向聚酯薄膜中，將由光學顯微鏡所觀察之存在於從前述P1層側起薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的數量設為N
P1(個/8.25mm
2)時，N
P1較佳為20個以下。存在於薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的數量N
P1(個/8.25mm
2)係反映了P1層所含有之凝聚粒子的個數之值、及在P1層厚度小於3μm之情況下係反映了到為中間層之P3層為止所含有之凝聚粒子的個數之值，藉由將N
P1設為10個/8.25mm
2以下，即使在次世代細微阻劑配線(L/S 5/5μm)中仍能夠抑制針孔缺陷的產生。就N
P1(個/8.25mm
2)的較佳的範圍而言為10以下，進一步較佳為8以下。
將為存在於從前述P1層側起薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的數量之N
P1(個/8.25mm
2)設為較佳的範圍之方法，係將以擠出機進行熔融並擠出之聚合物藉由過濾器進行過濾之方法。若雙軸配向聚酯薄膜所含有之粒子、使聚酯樹脂聚合時的觸媒殘渣、及從製膜步驟外部混入之極小的異物亦進入薄膜中則會成為粗大突起缺陷，因此對於過濾器，使用例如捕集95%以上的2μm以上或者5μm以上的異物之高精度者是有效的。又，使本發明的雙軸配向聚酯薄膜含有粒子時，在使用粒子母料顆粒之情況下，製作粒子母料顆粒時亦使用相同的過濾器為更佳的形態。
(雙軸配向聚酯薄膜的製造方法)
接著，針對本發明的雙軸配向聚酯薄膜的製造方法，列舉例子進行說明，但本發明並未僅限定解釋為由該例子所得到之物。
就得到本發明所使用之聚酯薄膜之方法而言，能夠採用利用常法之聚合方法。例如，能夠使對苯二甲酸等二羧酸成分或其酯形成性衍生物、與乙二醇等二醇成分或其酯形成性衍生物以周知的方法進行酯交換反應或者酯化反應後，藉由進行熔融聚合反應而得。又，亦可因應需要，將以熔融聚合反應所得到之聚酯，在聚酯的熔點溫度以下進行固相聚合反應。
本發明的聚酯薄膜，能夠利用以往周知的製造方法得到。具體而言，本發明的聚酯薄膜能夠因應需要使用將經乾燥之原料在擠出機內加熱熔融，從紡嘴擠出並擠出在經冷卻之澆注滾筒上並加工成片狀之方法(熔融澆注法)。作為其他方法，亦能夠使用使原料溶解於溶劑中，將該溶液從紡嘴擠出在澆注滾筒、環帶等支持體上並作成膜狀，接著從該膜層使溶劑乾燥去除並加工成片狀之方法(溶液澆注法)等。
藉由熔融澆注法製造2層以上的雙軸配向聚酯薄膜時，適宜使用對每個構成雙軸配向聚酯薄膜之層使用擠出機，使各層的原料熔融，在設置在擠出裝置與紡嘴之間之合流裝置中在熔融狀態下將此等層壓後引導至紡嘴，從紡嘴擠出在澆注滾筒上並加工成片狀之方法(共擠出法)。使該層壓片藉由靜電密著在經冷卻至表面溫度20℃以上60℃以下之澆注滾筒上並冷卻固化，藉此製作未拉伸薄膜。藉由將澆注滾筒的表面溫度設為20℃以上，能夠使未拉伸薄膜表面的結晶聚酯部分更為增大，而能夠得到利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理所得到之拉伸後的細微突起的形成的效果。又，藉由將澆注滾筒的表面溫度設為60℃以下，能夠抑制未拉伸薄膜對於澆注滾筒的黏著，而得到薄膜行走方向中厚度不均少的未拉伸薄膜。就澆注滾筒的表面溫度的更佳的範圍而言為25℃以上55℃以下。
接著，對此處所得到之未拉伸薄膜實施利用大氣壓力輝光放電之電漿表面處理等表面處理。此等表面處理可在得到未拉伸薄膜後立刻進行，亦可在薄膜的行走方向(以下，有時稱為長邊方向)拉伸後進行，但本發明中，從更為促進前述突起形成之觀點來看，較佳為對未拉伸薄膜進行表面處理。又，實施表面處理之面可為與澆注滾筒接觸之面(滾筒面)或不與澆注滾筒接觸之面(非滾筒面)的任一者。
(逐次雙軸拉伸)
關於將未拉伸薄膜雙軸拉伸時的拉伸條件，在本發明的聚酯薄膜以聚酯作為主要成分之情況下，就長邊方向的拉伸而言，較佳為將未拉伸薄膜引導至經加熱至70℃以上之輥群，在長邊方向(縱向，即薄膜的行進方向)拉伸，以經設定為20℃以上50℃以下的溫度之輥群進行冷卻。針對長邊方向的拉伸中之加熱輥溫度的下限，只要不損及片材的拉伸性則並無特別限制，但較佳為超過使用之聚酯樹脂的玻璃轉移溫度。又，長邊方向的拉伸倍率的較佳的範圍為3.0倍以上4.8倍以下。就更佳的範圍而言為3.5倍以上4.8倍以下。若長邊方向的拉伸倍率為3.0倍以上，則能夠進行配向結晶化而提高薄膜強度。另一方面，藉由將拉伸倍率設為4.8倍以下，能夠將與長邊方向呈面內垂直的方向(寬度方向)之從90℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)控制在較佳的範圍，同時能夠抑制因過度的配向而經常發生製造中的薄膜破裂而生產性降低之情況。
較佳為一邊以夾具夾持得到之在長邊方向拉伸之單軸拉伸薄膜的兩端一邊引導至拉幅機，在經加熱至70℃以上160℃以下的溫度之環境中，朝向與長邊方向垂直的方向(寬度方向)進行3倍以上5倍以下的拉伸。
之後，較佳為將經拉伸之薄膜熱處理並進行內部的配向結構的穩定化。關於熱處理時薄膜承受之熱履歷溫度，能夠以後述之利用示差掃描熱量計(DSC)所測定之熔點溫度的正下方出現之微小吸熱峰(有時稱為Tmeta)溫度來確認。一般而言，Tmeta表示熱處理溫度的-5℃左右的值，因此從本數值推測對薄膜施加之熱履歷是可能的。再者，以進行熱處理後賦予尺寸穩定性作為目的，較佳為進行鬆弛處理(放鬆處理)。關於熱處理及鬆弛處理的條件，係依照將前述方向的從90℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)控制在較佳的範圍之條件。
拉伸倍率係長邊方向與寬度方向分別設為3倍以上4.8倍以下，但其面積倍率(長邊方向的拉伸倍率×寬度方向的拉伸倍率)較佳為9倍以上22倍以下，更佳為9以上20倍以下。藉由將面積倍率設為9倍以上，能夠促進得到之雙軸配向聚酯薄膜的分子配向並使耐久性提升，藉由將面積倍率設為22倍以下，能夠抑制拉伸時的破裂發生。
[特性的評價方法]
A.利用掃描型白色干涉顯微鏡(VertScan)之評價
從雙軸配向聚酯薄膜進行6cm×6cm的取樣，針對各個樣品，使用掃描型白色干涉顯微鏡(裝置：日立先端科技公司製「VertScan」(註冊商標) VS1540)，將雙軸配向聚酯薄膜中之表面，使用50倍物鏡並將測定模式設定為WAVE模式，在測定面積113μm×113μm進行90個視野測定。樣品組係以測定Y軸成為樣品薄膜的長邊方向(薄膜捲繞之方向)的方式將樣品設置在載物台上來進行測定。此外，在不知道長邊方向之樣品的情況下，以測定Y軸成為樣品薄膜的任意1個方向的方式進行測定，之後以成為旋轉120度之方向的方式進行測定，再之後以成為旋轉120度之方向的方式進行測定，將各自的測定結果的平均設為該樣品具有之突起個數。又，測定之樣品薄膜係藉由夾在放入了2片橡皮墊料之金屬框中，使框內的薄膜成為拉伸之狀態(將樣品的鬆弛、捲曲去除之狀態)並進行樣品表面的測定。
針對得到之顯微鏡影像，以該顯微鏡內建之表面分析軟體VS-Viewer Version 10.0.3.0，在下述條件下實施影像處理，藉此求出均方根粗糙度、及各高度的突起個數。
(影像處理條件)
以下述順序進行影像處理。
．內插處理：完全內插
．濾波處理：中值(3×3像素)
．表面修正：4次。
(i)均方根粗糙度(Sq)
關於雙軸配向聚酯的表面，進行90個視野的掃描型白色干涉顯微鏡測定，關於進行了前述影像處理之各測定影像，在表面分析軟體内的「ISO參數」分析中選擇以下分析條件與「Height Parameters」並將得到之數值群輸出至參數表欄中，藉此求出得到之均方根粗糙度Sq(nm)，將90個視野的平均值設為測定面的均方根粗糙度Sq(nm)。將以前述方法求出之前述P1層表面的均方根粗糙度設為Sq
P1(nm)，將前述P2層表面的均方根粗糙度設為Sq
P2(nm)。
(ISO參數分析條件)
在下述條件下進行ISO參數分析處理。
．S-Filter：自動
．正規機率紙
分割數：300
計算範圍的上限：3.000
計算範圍的下限：-3.000
．參數：選擇「Height Parameters」
．輸出：選擇「參數列表」
(參數表輸出)
選擇由上述ISO參數分析所表示之「ISO參數」視窗中的「Height Parameters」並進行「追加至參數表」，藉此將「參數表」視窗的「ISO參數」標籤所表示之「Sq[μm]」換算為nm單位來使用。
(ii)高度10nm以上的突起個數(N
10nm)
依照上述，實施表面(A面)的顯微鏡像觀察與影像處理後，以該顯微鏡內建之表面分析軟體VS-Viewer Version 10.0.3.0，在下述條件下進行粒子分析處理，將以10nm的高度閾值(R
50nm，高度閾值設定值：0.01μm)所檢測出之「粒子分析」畫面所表示之粒子的個數(個)除以測定面積(113μm×113μm)，藉此求出高度10nm以上的突起個數(個/mm
2)。
在經測定之90個視野全部中進行相同的操作，將該等的平均值設為樣品具有之前述A面的高度10nm以上的突起個數N
10nm(個/mm
2)。
(粒子分析條件)
在下述條件下進行突起分析處理。
．分析種類：突起分析
．影像修正：無
．處理
高度閾值：0.01μm
粒子整形：無
基準高度：零平面(平均面)
．判定對象
高度/深度：-10000μm≦h≦10000μm
最長直徑：-10000μm≦d≦10000μm
體積：V≧0.0000μm
3長寬比：r≧0.0000
直方圖：分割數50
(基準高度：零平面(平均面))
就前述基準高度(高度0nm)設定中之「零平面(平均面)」而言，使用藉由前述方法進行顯微鏡像觀察，在實施了前述影像處理所得到之測定影像(113μm×113μm)中，由以下式子自動地求出之「高度的平均值(Ave)」的平面。
．Ix：進行了前述影像處理之各測定影像中之X方向的範圍長度
．Iy：進行了前述影像處理之各測定影像中之Y方向的範圍長度
．h(x, y)：進行了前述影像處理之測定影像內的各影像點(x, y)中之高度
B.熱尺寸變化率ΔL(ppm/℃)
(i)熱機械分析(TMA)測定
使用熱機械測定裝置TMA/SS6000(精工儀器公司製)及附屬的分析軟體TMA/SS6100(精工儀器公司製)，以下述要領進行測定。
將雙軸配向聚酯薄膜，以在測定之方向成為30mm、在與測定方向垂直之方向成為4mm的方式切出長條狀，以在測定之方向夾頭間距離成為20mm的方式安裝在裝置上。
之後，在可控制溫度的爐內(槽內)，在對樣品的測定方向施加張力29.4mN之狀態下，以升溫速度10℃/分鐘將爐內溫度從25℃升溫至180℃，之後從使用保持10分鐘之升溫程式進行加熱時的各薄膜溫度下的尺寸，即夾頭間距離，求出雙軸配向聚酯薄膜的熱尺寸變化率ΔL(ppm/℃)。
此處所謂薄膜溫度，係指使用附屬的分析軟體TMA/SS6100(精工儀器公司製)並在測定時每20秒所記錄之槽溫度(Temp Cel)，又，夾頭間距離係指使用附屬的分析軟體TMA/SS6100(精工儀器公司製)並在測定時所記錄之TMA長度(TMA μm)。
(ii)從90℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-130℃依照前項(i)，使用以下式(1)，從薄膜溫度90℃及130℃之薄膜尺寸求出從90℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-130℃。進行2次測定並將其平均值設為雙軸配向聚酯薄膜具有之從90℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-130℃(ppm/℃)。
ΔL
90-130℃(ppm/℃)=[(130℃下的薄膜尺寸(μm))-(90℃下的薄膜尺寸(μm))]/[130℃-90℃]×10000．．．(1)
關於雙軸配向聚酯薄膜的寬度方向及長邊方向，進行測定並求出寬度方向及長邊方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)。
在聚酯薄膜的方向不明確之情況下，進行任意方向的測定後，在每偏移45之方向進行測定，確認該等之中是否有滿足本案的構成之方向，將ΔL
90-130℃(ppm/℃)滿足-50以上150以下之方向設為寬度方向。
(iii)從90℃升溫至110℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-110℃依照前項(i)，使用以下式(2)，從薄膜溫度90℃及110℃之薄膜尺寸求出從90℃升溫至110℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-110℃。進行2次測定並將其平均值設為雙軸配向聚酯薄膜具有之從90℃升溫至110℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
90-110℃(ppm/℃)。
ΔL
90-130℃(ppm/℃)=[(110℃下的薄膜尺寸(μm))-(90℃下的薄膜尺寸(μm))]/[110℃-90℃]×10000．．．(2)
關於雙軸配向聚酯薄膜的前述寬度方向，進行測定並求出寬度方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)。
(iv)從110℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
110-130℃依照前項(i)，使用以下式(2)，從薄膜溫度90℃及110℃之薄膜尺寸求出從110℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
110-130℃。進行2次測定並將其平均值設為雙軸配向聚酯薄膜具有之從110℃升溫至130℃之步驟中的熱尺寸變化率ΔL
110-130℃(ppm/℃)。
ΔL
110-130℃(ppm/℃)=[(130℃下的薄膜尺寸(μm))-(110℃下的薄膜尺寸(μm))]/[130℃-110℃]×10000．．．(2)
關於雙軸配向聚酯薄膜的前述寬度方向，進行測定並求出寬度方向的ΔL
90-130℃(ppm/℃)。
C.薄膜厚度
(i)薄膜總厚度T
雙軸配向聚酯薄膜的總厚度係使用千分表，依據JIS K7130(1992年)A-2法，在重疊10片薄膜之狀態下針對任意5處測定厚度。將其平均值除以10並設為薄膜總厚度T(μm)。
(ii)層壓厚度(T
P1、T
P2、T
P3)
在與薄膜寬度方向平行的方向利用切片機切出雙軸配向聚酯薄膜剖面。利用掃描型電子顯微鏡以5000～20000倍的倍率觀察該剖面，求出層壓各層的厚度比率。從求出之層壓比率與前述(i)項所得到之全部層薄膜厚度，算出各層的厚度。
D.聚合物特性
(i)固有黏度(IV)
使測定試樣(聚酯樹脂(原料)或本發明的聚酯薄膜)溶解於100ml的鄰氯苯酚(溶液濃度C(測定試樣重量/溶液體積)=1.2g/100ml)，使用奧氏黏度計測定該溶液的25℃下的黏度。又，同樣地測定溶劑的黏度。使用得到之溶液黏度、溶劑黏度，由下述式(1)算出[η]，將得到之值設為聚酯薄膜整體的固有黏度(IV)。
ηsp/C=[η]+K[η]
2．C．．．(1)
(此處，ηsp=(溶液黏度/溶劑黏度)-1，K為赫金斯常數(設為0.343)。)
此外，在使測定試樣溶解而成之溶液中有無機粒子等不溶物之情況下，使用以下方法進行測定。
(1-1)使測定試樣溶解於100mL的鄰氯苯酚，製作溶液濃度比1.2g/100mL濃的溶液。此處，將供給至鄰氯苯酚之測定試樣的重量設為測定試樣重量。
(1-2)接著，將含有不溶物之溶液過濾，進行不溶物的重量測定、與過濾後的濾液的體積測定。
(1-3)在過濾後的濾液中追加鄰氯苯酚，以(測定試樣重量(g)-不溶物的重量(g))/(過濾後的濾液的體積(mL)+經追加之鄰氯苯酚的體積(mL))成為1.2g/100mL的方式進行調整。
(例如，製作測定試樣重量2.0g/溶液體積100mL的濃厚溶液時，在將該溶液過濾時的不溶物的重量為0.2g、過濾後的濾液的體積為99mL之情況下，實施追加51mL的鄰氯苯酚之調整。((2.0g-0.2g)/(99mL+ 51mL)=1.2g/100mL)
(1-4)使用(1-3)所得到之溶液，使用奧氏黏度計測定25℃下的黏度，使用得到之溶液黏度、溶劑黏度，由上述式(5)算出[η]，將得到之值設為固有黏度(IV)。
(ii)粒子母料顆粒的固有黏度(IV
MP)
關於作為本發明的雙軸配向聚酯薄膜的原料使用之粒子母料顆粒，與前項(i)同樣地進行以得到粒子母料顆粒的固有黏度(IV
MP)。
(iii)聚酯樹脂的固有黏度(IV
PET)
關於作為本發明的雙軸配向聚酯薄膜的原料使用之聚酯樹脂，與前項(i)同樣地進行以得到聚酯樹脂的固有黏度(IV
PET)。
(iv)雙軸配向聚酯薄膜的固有黏度(IV)
關於本發明的雙軸配向聚酯薄膜，與前項(i)同樣地進行並進行測定以得到雙軸配向聚酯薄膜的固有黏度(IV)。
E.含有粒子評價
(i)粒子觀察
關於本發明的雙軸配向聚酯薄膜，使用切片機製作在相對於表面為垂直方向進行切削之小片，對該剖面使用下述之TEM(穿透型電子顯微鏡：日立製作所(股)製H7100FA型)，以1萬～10萬倍觀察P1層、P2層或P3層以得到含有粒子之剖面照片。
測定裝置：穿透型電子顯微鏡(TEM) 日立製H-7100FA型
測定條件：加速電壓 100kV
測定倍率：20萬倍～80萬倍
試樣調整：超薄膜切片法(RuO
4染色)。
(ii)平均1次粒徑(波峰直徑D
1(nm))
由以前述(i)中記載的方法所得到之剖面照片，使用影像分析軟體Image-Pro Plus(Nippon Roper(股))求出P1層、P2層或P3層中存在之粒子的粒度分布。剖面影像係從不同的任意測定視野選出，關於存在於剖面影像之400個以上的粒子，測定各個粒子的等效圓直徑。關於得到之粒子的等效圓直徑，進行將橫軸設為粒徑(等效圓直徑)、將縱軸設為粒子的存在比率之個數基準粒度分布測定，將顯示極大值之峰頂的粒徑(等效圓直徑)設為平均1次粒子波峰直徑D
1(nm)。此時，當確認有複數個粒子連接而成之凝聚粒子時，求出構成凝聚粒子之各個粒子(無法進一步將粒子分割之最小粒子)的等效圓直徑並使用該值進行個數基準粒度分布測定。
當雙軸配向聚酯薄膜含有粒徑不同的2種以上的粒子時，上述個數基準粒度分布中成為具有2個以上的波峰之分布。此情況下，將各個峰值設為各個粒子的平均1次粒徑(波峰直徑D
1)。
(iii)粒子含有濃度
將1g的僅削取本發明的雙軸配向聚酯薄膜的P1層、P2層、P3層各個部分而得之試樣投入200ml的1N-KOH甲醇溶液中並進行加熱回流，使聚合物溶解。在溶解結束之該溶液中添加200ml的水，接著對該液體使用離心分離器使粒子沉降，將上澄清液去除。對於粒子，進一步添加水並重複2次清洗、離心分離。使這樣地進行所得到之粒子乾燥，測量其質量(g)，藉此算出雙軸配向聚酯薄膜的各層部分所含有之粒子的含有濃度(質量%)。
含有粒子中含有有機粒子時，選擇聚合物會溶解但不會使有機粒子溶解之溶劑，在沒有加熱回流的情況下將聚合物溶解，將粒子離心分離並算出各層部分的粒子含量(質量%)。含有粒子為有機粒子還是無機粒子，在以SEM-EDX等一般周知之方法觀察粒子之情況下，能夠藉由有無檢測出無機物來確認。
F.薄膜霧度評價
(i)初期霧度(H0)
將雙軸配向聚酯薄膜取樣成5cm見方後，使用全自動直讀式霧度計算機HGM-2DP(Suga試驗機(股)製)測定厚度方向的霧度(%)，將3次試驗之測定值的平均作為雙軸配向聚酯薄膜的初期霧度(H0)求出。
(ii)熱處理後的霧度(H1)
在經保持在150℃之烘箱中投入前項(i)所使用之5cm見方樣品，進行1小時的熱處理的加速試驗。之後，從烘箱取出並冷卻至室溫後，與前項(i)同樣地進行，測定熱處理後的薄膜霧度。將3次試驗之測定值的平均設為雙軸配向聚酯薄膜的熱處理後的霧度(H1)。
使用下述式(2)求出150℃1小時的熱處理前後的霧度上升量(ΔH)。
ΔH=H1-H0．．．(2)
G.P1層的粗大物個數評價
將本發明的雙軸配向聚酯薄膜切成11mm×0.75mm(8.25mm
2)，使用光學顯微鏡(Nikon製ECLIPSE LV100)，針對薄膜P1層表面，將焦點聚焦於薄膜表面後，一邊將焦點偏移至薄膜厚度方向的薄膜內部側，一邊實施從薄膜表面到薄膜厚度方向3μm為止的區域的觀察，計測存在於從薄膜表面起薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的個數。測定數係設為n=3，將該等平均值設為樣品具有之粗大物個數N
P1(個/8.25mm
2)。
[用途特性的評價方法]
A.薄膜生產性
(i)波狀皺褶評價
將本發明的雙軸配向聚酯薄膜在速度為100m/分鐘以上的條件下，進行10次寬度2000mm寬以上且捲繞長度4000m以上的雙軸拉伸薄膜卷的捲繞。得到之10根薄膜切割卷之中，關於薄膜在寬度方向產生10m以上的起伏高度5mm以上之波狀的皺褶(波狀皺褶)之根數，如下述般進行評價。
A：10根卷之中，產生了波狀皺褶之卷為1根以下。
B：10根卷之中，產生了波狀皺褶之卷為2根以上3根以下。
C：10根卷之中，產生了波狀皺褶之卷為4根以上6根以下。
D：10根卷之中，產生了波狀皺褶之卷為7根以上。
就波狀皺褶評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(ii)捲繞皺褶評價
關於前述(i)項中所得到之10根卷之中未產生波紋皺褶之卷，在速度130m/分鐘以上的速度條件下以成為寬度1000mm的方式進行切割，採取10根連續之4000m的捲繞切割卷。關於產生捲繞皺褶，從得到之10根薄膜切割卷的捲繞外觀如下述般進行評價。
A：10根卷之中，產生捲繞皺褶之卷為1根以下。
B：10根卷之中，產生捲繞皺褶之卷為2根以上3根以下。
C：10根卷之中，產生捲繞皺褶之卷為4根以上6根以下。
D：10根卷之中，產生捲繞皺褶之卷為7根以上。
就捲繞皺褶評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(iii)表面損傷評價
從前述(ii)項中所得到之10根切割卷各自的表層捲出10m，採取寬度1000mm且長度1m(從表層捲出10m～11m之位置)的薄膜樣品。進行得到之10根卷的薄膜樣品的表面觀察，以目視確認表面損傷，關於各卷的表面損傷，如下述般進行評價。
A：10根卷之中，產生表面損傷之卷為1根以下。
B：10根卷之中，產生表面損傷之卷為2根以上3根以下。
C：10根卷之中，產生表面損傷之卷為4根以上6根以下。
D：10根卷之中，產生表面損傷之卷為7根以上。
就表面損傷評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
B.高溫層壓加工適性評價
(i)阻劑層塗布與層壓加工
藉由以下a.、b.的方法在雙軸配向聚酯薄膜上設置阻劑層，進行層壓加工。
a.關於本發明的雙軸配向聚酯薄膜的寬度200mm長度1m以上的樣品，在P2層表面上，在暗室內利用凹版塗布法以塗布厚度成為15μm的方式塗布感光性樹脂層。作為感光性樹脂層，使用包含以下的混合物：作為熱塑性樹脂的由甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯所構成之共聚物、作為感光性材料的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯及聚乙二醇(數量平均分子量600)二甲基丙烯酸酯、作為光聚合起始劑的二苯基酮及二甲基胺基二苯基酮、作為穩定劑的氫醌、與作為著色劑的甲基紫。
b.使所得之設置了阻劑層之雙軸配向聚酯薄膜樣品的阻劑層表面、與貼合了切割成A4尺寸之3μm厚的銅箔而成之金屬基板(銅箔基板)以接觸的方式重疊後，使用具備可控制溫度的橡膠製的加壓輥之層壓機，在以下條件下進行層壓加工。
(層壓加工條件)
層壓輸送速度：2m/分鐘
層壓輥溫度：100℃、及120℃
層壓壓力：0.5MPa
藉由目視確認將層壓輥溫度設為100℃時的銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的A4尺寸的層壓樣品，評價100℃下的層壓加工適性，藉由目視確認將層壓輥溫度設為120℃時的銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的層壓樣品，評價120℃下的層壓加工適性。
(ii)100℃層壓空隙評價
藉由目視前項(i)a.～b.項中所得到之在層壓輥溫度100℃下進行了層壓之銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的A4尺寸的層壓樣品10片，確認有無層壓空隙(層壓層的浮起)，從空隙的長徑超過1mm之樣品片數，如以下般進行評價。
A：10片層壓樣品之中，在1片以下產生層壓空隙。
B：10片層壓樣品之中，在2片以上3片以下產生層壓空隙。
C：10片層壓樣品之中，在4片以上6片以下產生層壓空隙。
D：10片層壓樣品之中，在7片以上產生層壓空隙。
就100℃層壓空隙評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(iii)100℃層壓皺褶評價
藉由目視前項(ii)所使用之在層壓輥溫度100℃下進行了層壓之銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的A4尺寸的層壓樣品10片，確認有無在層壓時產生之長度1cm以上的皺褶，如以下般進行評價。
A：10片層壓樣品之中，在1片以下產生層壓皺褶。
B：10片層壓樣品之中，在2片以上3片以下產生層壓皺褶。
C：10片層壓樣品之中，在4片以上6片以下產生層壓皺褶。
D：10片層壓樣品之中，在7片以上產生層壓皺褶。
就100℃層壓皺褶評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(iv)120℃層壓空隙評價
藉由目視確認前項(i)a.～b.項中所得到之在層壓輥溫度120℃下進行了層壓之銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的A4尺寸的層壓樣品10片，確認有無層壓層與雙軸拉伸聚酯樣品層間的浮起，從確認了空隙的長徑超過1mm之浮起(層壓空隙)之樣品片數，如以下般進行評價。
A：10片層壓樣品之中，在1片以下產生層壓空隙。
B：10片層壓樣品之中，在2片以上3片以下產生層壓空隙。
C：10片層壓樣品之中，在4片以上6片以下產生層壓空隙。
D：10片層壓樣品之中，在7片以上產生層壓空隙。
就120℃層壓空隙評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(v)120℃層壓皺褶評價
藉由目視前項(iv)所使用之在層壓輥溫度120℃下進行了層壓之銅箔基板與雙軸配向聚酯樣品的A4尺寸的層壓樣品10片，確認有無在層壓時產生之高度2mm以上、且長度1cm以上的皺褶(層壓皺褶)，如以下般進行評價。
A：10片層壓樣品之中，在1片以下產生層壓皺褶。
B：10片層壓樣品之中，在2片以上3片以下產生層壓皺褶。
C：10片層壓樣品之中，在4片以上6片以下產生層壓皺褶。
D：10片層壓樣品之中，在7片以上產生層壓皺褶。
就120℃層壓皺褶評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
C.細微配線阻劑評價
(i)投影曝光所引起的細微配線形成
關於前述B的(i)項中所得到之在層壓輥溫度120℃下進行了層壓之樣品10片，在與雙軸配向聚酯薄膜的設置阻劑層之面為相對面(P1層表面)上配置以鉻金屬進行了圖案化之標線(阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)=5μm/5μm 30條)，從該標線上方(從本發明的雙軸配向聚酯薄膜的P1層表面側)進行使用了具備投影透鏡之i線(在波長365nm具有波峰之紫外線)步進機之投影曝光。
之後，將聚酯薄膜從感光性樹脂層剝離後，在放入了顯影液N-A5之容器中放入感光性樹脂層並進行約1分鐘的顯影。之後，從顯影液取出，以水進行約1分鐘的清洗。使用掃描型電子顯微鏡(SEM)以約80～3000倍率觀察顯影後所製作之30條阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)=5μm/5μm的狀態。
(ii)細微配線區域缺陷評價
關於前項(i)中所得到之10片細微配線阻劑配線形成樣品，關於各個樣品中形成之30條配線圖案區域，確認跨越複數條配線而產生配線形狀缺陷之等效圓直徑中產生100μm以上的區域缺陷之片數，從該片數如下述般進行評價。
A：有區域缺陷之樣品為1片以下
B：有區域缺陷之樣品為2片以上3片以下。
C：有區域缺陷之樣品為4片以上6片以下。
D：有區域缺陷之樣品為7片以上。
(iii)細微配線阻劑形狀(5μm寬度評價)評價
關於前項(ii)中評價所使用之10片細微配線阻劑配線形成樣品，在10片樣品的每一個中，確認各個樣品中形成之30條配線圖案上表面的長邊部分中存在直線形狀變形0.5μm以上的凹陷之部分之配線圖案的條數，使用該等的平均值，如下述般評價薄膜的細微配線阻劑形狀(5μm寬度)。
S：有缺陷之條數為平均1條以下
A：有缺陷之條數為平均2條以上3條以下
B：有缺陷之條數為平均4條以上7條以下。
C：有缺陷之條數為平均8條以上10條以下。
D：有缺陷之條數為平均11條以上。
就細微配線阻劑形狀評價(5μm寬度)而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(iv)細微配線針孔缺陷
關於前項(ii)中評價所使用之10片細微配線阻劑配線形成樣品，關於各個樣品中形成之30條阻劑配線圖案，各自確認存在配線圖案缺少1.5μm以上之部分之配線圖案的條數，使用該等的平均值，如下述般評價薄膜的細微配線針孔缺陷評價。
A：有針孔缺點之條數為平均0條
B：有針孔缺點之條數為平均1條以上5條以下。
C：有針孔缺點之條數為平均6條以上10條以下。
D：有針孔缺點之條數平均超過10條。
就細微配線針孔缺陷評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(v)細微配線阻劑形狀(8μm寬度評價)評價
與前項(i)同樣地，使用以鉻金屬進行了圖案化之標線(阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)=8μm/8μm 30條)，得到顯影後所製作之阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)成為8μm/8μm之形成了30條配線之樣品10片。
關於10片細微配線阻劑配線形成樣品，在10片樣品的每一個中，確認各個樣品中形成之30條配線圖案上表面的長邊部分中存在直線形狀變形0.8μm以上的凹陷之部分之配線圖案的條數，使用該等的平均值，如下述般評價薄膜的細微配線阻劑形狀(8μm寬度)。
S：有缺陷之條數為平均1條以下
A：有缺陷之條數為平均2條以上3條以下
B：有缺陷之條數為平均4條以上7條以下。
C：有缺陷之條數為平均8條以上10條以下。
D：有缺陷之條數為平均11條以上。
就細微配線阻劑形狀(8μm寬度)評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
(vi)細微配線阻劑形狀(3μm寬度評價)評價
與前項(i)同樣地，使用以鉻金屬進行了圖案化之標線(阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)=3μm/3μm 30條)，得到顯影後所製作之阻劑配線圖案的L/S(μm)(Line and Space)成為3μm/3μm之形成了30條配線之樣品10片。
關於10片細微配線阻劑配線形成樣品，在10片樣品的每一個中，確認各個樣品中形成之30條配線圖案上表面的長邊部分中存在直線形狀變形0.3μm以上的凹陷之部分之配線圖案的條數，使用該等的平均值，如下述般評價薄膜的細微配線阻劑形狀(3μm寬度)。
S：有缺陷之條數為平均1條以下
A：有缺陷之條數為平均2條以上3條以下
B：有缺陷之條數為平均4條以上7條以下。
C：有缺陷之條數為平均8條以上10條以下。
D：有缺陷之條數為平均11條以上。
就細微配線阻劑形狀(3μm寬度)評價而言，A～C為良好，其中最優異為A。
[實施例]
以下，針對本發明列舉實施例進行說明，但本發明未必限定於此等。
[PET-1的製造]
由對苯二甲酸及乙二醇，將三氧化二銻作為觸媒，藉由常法進行聚合，得到實際上不含粒子之熔融聚合PET。得到之熔融聚合PET的玻璃轉移溫度為81℃，熔點為255℃，固有黏度為0.50。
之後，將得到之聚酯顆粒在160℃乾燥6小時並使其結晶化後，進行220℃、真空度0.3托、8小時的固相聚合，得到固相聚合PET(PET-1)。得到之固相聚合PET的玻璃轉移溫度為81℃，熔點為255℃，固有黏度為0.61。
[PET-2的製造]
與前項[PET-1的製造]同樣地進行，得到玻璃轉移溫度為81℃、熔點為255℃、固有黏度為0.56的固相聚合PET樹脂顆粒(PET-2)。
[MB-A的製造]
前項PET-1的聚合時，以相對於PET之添加量成為2質量%的方式，在以捕集95%以上的5μm以上的異物之過濾器進行高精度過濾後，添加分散於乙二醇之平均1次粒徑為20nm的氧化鋁粒子(氧化鋁-1)，得到粒子母料顆粒MB-A。得到之粒子母料顆粒MB-A的玻璃轉移溫度為80℃，熔點為255℃，固有黏度為0.59。
[MB-B～G的製造]
與前項[MB-A的製造]的方法同樣地進行，如表1所記載，PET-1或者PET-2的聚合時，以相對於PET之添加量成為如表1所記載的方式，添加分散於乙二醇之表1中記載的粒子，得到粒子母料顆粒MB-B～G。粒子母料顆粒的特性係如表1所記載。
[表1]
| 粒子母料顆粒 | 顆粒組成 | 顆粒特性 | ||||||
| 構成樹脂 | 粒子含量 (質量%) | 粒子名稱 | 粒子種類 | 分散於乙二醇時的 平均1次粒徑(nm) | 玻璃轉移溫度 (℃) | 熔點 (℃) | IV MP(dl/g) | |
| MB-A | PET-1 | 2.0 | 氧化鋁-1 | δ-氧化鋁 | 20 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-B | PET-1 | 0.5 | 二氧化矽-1 | 膠體二氧化矽 | 200 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-C | PET-2 | 2.0 | 氧化鋁-1 | δ-氧化鋁 | 20 | 80 | 255 | 0.56 |
| MB-D | PET-1 | 2.0 | 有機粒子-1 | 交聯PS粒子 | 150 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-E | PET-1 | 2.0 | 有機粒子-2 | 交聯PS粒子 | 320 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-F | PET-1 | 2.0 | 有機粒子-3 | 交聯PS粒子 | 460 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-G | PET-1 | 2.0 | 氧化鋁-1 | δ-氧化鋁 | 20 | 80 | 255 | 0.59 |
| MB-H | PET-1 | 2.0 | 二氧化矽-2 | 膠體二氧化矽 | 70 | 80 | 255 | 0.59 |
[塗料組成物A]
[樹脂(A)]
．丙烯酸樹脂(a-1)
使用日本碳化物工業製丙烯酸單體共聚物「Nikasol」(註冊商標) RX7013ED(固體成分濃度35%，溶劑：水)。
．丙烯酸樹脂(a-2)
在不銹鋼反應容器中，以質量份的比率進料75質量份的甲基丙烯酸甲酯(a)、20質量份的甲基丙烯酸羥乙酯(b)、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(根上工業(股)製，ART RESIN(註冊商標) UN-3320HA，丙烯醯基的數量為6)(c)，相對於前述(a)～(c)的合計100質量份，添加2質量份的十二基苯磺酸鈉作為乳化劑並進行攪拌，製備混合液1。接著，準備具備攪拌機、回流冷卻管、溫度計及滴液漏斗之反應裝置。在反應裝置中進料60重量份的上述混合液1、200重量份的異丙醇、與5重量份的作為聚合起始劑的過硫酸鉀，加熱至60℃，製備混合液2。使混合液2在60℃的加熱狀態下保持20分鐘。接著，製備包含40重量份的混合液1、50重量份的異丙醇、與5重量份的過硫酸鉀之混合液3。接著，使用滴液漏斗花費2小時將混合液3滴加至混合液2，製備混合液4。之後，混合液4在加熱至60℃之狀態下保持2小時。將得到之混合液4冷卻至50℃以下後，移至具備攪拌機、減壓設備之容器。於其中添加60重量份的濃度25重量%的氨水、及900重量份的純水，一邊加熱至60℃一邊在減壓下回收異丙醇及未反應單體，得到分散於純水之丙烯酸樹脂(a2)並使用。
．丙烯酸樹脂(a-3)
使用前述丙烯酸樹脂(a-2)中記載的方法，使用由甲基丙烯酸甲酯/乙基丙烯酸乙酯/丙烯酸/N-羥甲基丙烯醯胺所構成之水分散性丙烯酸共聚物(玻璃轉移溫度80℃)的水分散體(平均粒徑：110nm，固體成分濃度40%)。
[交聯劑(B)]
．羥甲基化三聚氰胺樹脂(b-1)
使用三和化學(股)製，「NIKALAC」(註冊商標) MW12LF(固體成分濃度70質量%，溶劑：水)。
[粒子成分(C)]
．粒子(c-1)
使用日揮觸媒化成(股)製，平均1次粒徑為80nm的二氧化矽的水分散體「CATALOID」(註冊商標) SI-80P(固體成分濃度10質量%，溶劑：水)。
得到以各個成分成為表2中記載的比率的方式混合此等丙烯酸樹脂(a-1)、羥甲基化三聚氰胺樹脂(b-1)、粒子(c-1)、及作為溶劑的水而成之固體成分濃度為3%的混合溶液。相對於100份的此混合溶液，添加以液體比計為0.1份的信越化學工業(股)製界面活性劑「OLFINE」(註冊商標) EXP4051F(固體成分濃度70質量%，溶劑：水)以得到[塗料組成物A]。
[塗料組成物B、C]
如表2般變更使用之丙烯酸樹脂，以成為表2中記載的比率的方式混合，除此以外，與[塗料組成物A]同樣地進行以得到[塗料組成物B]及[塗料組成物C]。
[表2]
| 塗料組成物 | 樹脂成分組成 | 比率(%：固體成分質量比) | ||||
| 樹脂 (A) | 交聯劑 (B) | 粒子成分 (C) | 樹脂 (A) | 交聯劑 (B) | 粒子成分 (C) | |
| 塗料組成物A | (a-1) | (b-1) | (c-1) | 60 | 35 | 5 |
| 塗料組成物B | (a-2) | (b-1) | (c-1) | 65 | 34.75 | 0.25 |
| 塗料組成物C | (a-3) | (b-1) | - | 60 | 40 | - |
(實施例1)
將PET樹脂顆粒PET-1、PET-2、及粒子母料顆粒MB-A～C在180℃減壓乾燥2小時半後，以摻合量成為表3中記載的P1層、P2層、P3層的量的方式摻合，供給至3台各別的擠出機，進行熔融擠出並以過濾器過濾後，在饋料塊中以層壓為3層構成(P1層/P3層/P2層構成)的方式使其合流後，通過T字模具，使用施加靜電澆注法捲附在保持在42℃之冷卻澆注輥上並冷卻固化以得到未拉伸薄膜。此處P1層及P2層的過濾器過濾中，使用捕集95%以上的5μm以上的異物之高精度的過濾器，P3層的過濾器過濾中，使用捕集95%以上的2μm以上的異物之高精度的過濾器並進行熔融擠出。
將此未拉伸薄膜引導至相對之電極與接地輥間，在裝置中導入氮氣，在處理強度(E值)成為280W．min/m
2之條件下對P2層的表面進行利用大氣壓力輝光放電之電漿處理。
使處理後的未拉伸薄膜通過輥溫度設為25℃之除電輥後，在表4中記載的條件下進行逐次雙軸拉伸機。首先，在長邊方向引導至經加熱至60℃～100℃之拉伸輥群並藉由拉伸操作進行拉伸至總計3.8倍後，引導至拉幅機並在寬度方向實施4.3倍的拉伸，在固定長度下在230℃實施熱處理並如表4所記載般在寬度方向實施鬆弛處理(放鬆處理)，藉此得到厚度16μm的雙軸配向聚酯薄膜。
[表3]
| 雙軸配向聚酯薄膜的原料組成 | ||||||||||||||||||||||||
| P1層(行走面層) | P3層(中間層) | P2層(與P1層為相對面層) | ||||||||||||||||||||||
| 構成樹脂 | P1層 粒子① | P1層 粒子② | P1層 粒子③ | 構成樹脂 | P3層 粒子① | 構成樹脂 | P2層 粒子① | P2層 粒子② | ||||||||||||||||
| PET 樹脂 顆粒 種類 | PET樹脂顆粒 IV PET(dl/g) | 粒子母料顆粒 | 添加粒子種類 | 粒子 含量 (質量%) | 粒子 母料 顆粒 | 添加 粒子 種類 | 粒子 含量 (質量 %) | 粒子母料顆粒 | 添加 粒子 種類 | 粒子 含量 (質 量 %) | PET樹脂顆粒種類 | PET樹脂顆粒IV PET(dl/g) | 粒子 母料 顆粒 | 添加 粒子 種類 | 粒子 含量 (質量 %) | PET 樹脂 顆粒 種類 | PET樹脂顆粒IV PET(dl/g) | 粒子 母料 顆粒 | 添加 粒子 種類 | 粒子 含量 (質 量 %) | 粒子母料顆粒 | 添加 粒子 種類 | 粒子 含量 (質量%) | |
| 實施例1 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例2 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例3 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例4 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例5 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例6 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例7 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例8 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例9 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例10 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例11 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 0.7 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例12 | 塗料組成物A(線內塗布) | PET-1 | 0.61 | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | ||||||||||||||
| 實施例13 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.80 | - | - | - |
| 實施例14 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | - | - | - | - | - | - |
| 實施例15 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例16 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.013 | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例17 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 0.7 | MB-D | 有機粒子1 | 0.080 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 實施例18 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 0.7 | MB-E | 有機粒子2 | 0.050 | MB-F | 有機粒子3 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-1 | 0.61 | MB-G | 氧化鋁-1 | 0.70 | MB-H | 二氧化矽-2 | 0.10 |
| 實施例19 | 塗料組成物B(線內塗布) | PET-1 | 0.61 | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | ||||||||||||||
| 實施例20 | 塗料組成物C(線內塗布) | PET-1 | 0.61 | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | ||||||||||||||
| 比較例1 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 比較例2 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 比較例3 | PET-1 | 0.61 | MB-B | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 比較例4 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
| 比較例5 | PET-1 | 0.61 | MB-A | 氧化鋁-1 | 1.5 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | MB-B | 二氧化矽-1 | 0.015 | PET-1 | 0.61 | - | - | - | PET-2 | 0.56 | MB-C | 氧化鋁-1 | 0.15 | - | - | - |
[表4-1]
| 表面處理 | 製膜條件 | ||||||||||||||
| 方法 | 條件 | 處理面 | 雙軸拉伸方式 | 長邊 方向 拉伸 | 寬度方向拉伸 | ||||||||||
| 拉伸 倍率 (倍) | 拉伸 倍率 (倍) | 熱處理溫度 (℃) | 放鬆處理① | 放鬆處理② | 放鬆處理③ | 總計 放鬆率(%) | |||||||||
| 處理 強度 E值 | 氣體種類 | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | ||||||||
| 實施例1 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例2 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 240 | 240 | 2.5 | 125 | 2.0 | 100 | 0.5 | 5.0 |
| 實施例3 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 240 | 240 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例4 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 225 | 225 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例5 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 225 | 225 | 2.0 | - | - | 100 | 2.0 | 4.0 |
| 實施例6 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 225 | 225 | 2.0 | - | - | - | - | 2.0 |
| 實施例7 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例8 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例9 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例10 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例11 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例12 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
[表4-2]
| 薄膜積層構成 | |||||
| 積層構成 | 聚酯薄膜厚度 (μm) | ||||
| 全部層T (μm) | P1層T P1(μm) | P3層T P3(μm) | P2層T P2(μm) | ||
| 實施例1 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例2 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例3 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例4 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例5 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例6 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例7 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 50 | 0.25 | 48.55 | 1.2 |
| 實施例8 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 50 | 0.25 | 48.55 | 1.2 |
| 實施例9 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 11 | 0.25 | 9.55 | 1.2 |
| 實施例10 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.5 | 14.30 | 1.2 |
| 實施例11 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例12 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.04 | 14.76 | 1.2 |
[表4-3]
| 表面處理 | 製膜條件 | ||||||||||||||
| 方法 | 條件 | 處理面 | 雙軸拉伸方式 | 長邊方向拉伸 | 寬度方向拉伸 | ||||||||||
| 拉伸 倍率 (倍) | 拉伸 倍率 (倍) | 熱處理溫度 (℃) | 放鬆處理① | 放鬆處理② | 放鬆處理③ | 總計放鬆率(%) | |||||||||
| 處理 強度 E值 | 氣體種類 | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | 放鬆 溫度 (℃) | 放鬆率(%) | ||||||||
| 實施例13 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例14 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例15 | 未處理 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 | |||
| 實施例16 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例17 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例18 | 未處理 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 225 | 225 | 2.0 | - | - | 100 | 2.0 | 4.0 | |||
| 實施例19 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 實施例20 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 比較例1 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 245 | 245 | 3.0 | 125 | 2.0 | 100 | 1.0 | 6.0 |
| 比較例2 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 210 | - | - | 130 | 3.0 | - | - | 3.0 |
| 比較例3 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 215 | 215 | 2.0 | 205 | 1.5 | 150 | 0.5 | 4.0 |
| 比較例4 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 3.8 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
| 比較例5 | 電漿處理 | 280 | 氮氣 | P2層表面 | 逐次 | 5.0 | 4.3 | 230 | 230 | 2.0 | 125 | 1.5 | 100 | 0.5 | 4.0 |
[表4-4]
| 薄膜積層構成 | |||||
| 積層構成 | 聚酯薄膜厚度 (μm) | ||||
| 全部層T (μm) | P1層T P1(μm) | P3層T P3(μm) | P2層T P2(μm) | ||
| 實施例13 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例14 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例15 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例16 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例17 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 實施例18 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.5 | 14.30 | 1.2 |
| 實施例19 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.05 | 14.75 | 1.2 |
| 實施例20 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.03 | 14.77 | 1.2 |
| 比較例1 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 比較例2 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 比較例3 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 16 | 0.25 | 14.55 | 1.2 |
| 比較例4 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 75 | 0.25 | 73.55 | 1.2 |
| 比較例5 | 3層 (P1層/P3層/P2層) | 5 | 0.25 | 3.55 | 1.2 |
得到之雙軸配向聚酯薄膜的構成、薄膜特性係如表5、表6所示。
[表5]
| 薄膜構成 | |||||
| 固有黏度 IV (dl/g) | Tmeta (℃) | 含有粒子 平均1次粒徑D 1 | |||
| P1層 | P2層 | P3層 | |||
| D 1P1(nm) | D 1P2(nm) | D 1P3(nm) | |||
| 實施例1 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例2 | 0.58 | 235 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例3 | 0.58 | 235 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例4 | 0.58 | 220 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例5 | 0.58 | 220 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例6 | 0.58 | 220 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例7 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例8 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例9 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例10 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例11 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例12 | 0.58 | 225 | 80 | 20 | - |
| 實施例13 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例14 | 0.58 | 225 | 20、200 | - | - |
| 實施例15 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 實施例16 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | 200 |
| 實施例17 | 0.58 | 225 | 20、150 | 20 | - |
| 實施例18 | 0.60 | 220 | 20、320、460 | 20、70 | - |
| 實施例19 | 0.58 | 225 | 80 | 20 | - |
| 實施例20 | 0.58 | 225 | - | 20 | - |
| 比較例1 | 0.58 | 240 | 20、200 | 20 | - |
| 比較例2 | 0.58 | 205 | 20、200 | 20 | - |
| 比較例3 | 0.58 | 210 | 20、200 | 20 | - |
| 比較例4 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
| 比較例5 | 0.58 | 225 | 20、200 | 20 | - |
[表6]
| 薄膜特性 | |||||||||
| 熱尺寸變化率 | 表面特性 | 光學特性 | |||||||
| 90℃～130℃升溫過程 ⊿L 90-130℃(ppm/℃) | 90℃～110℃升溫過程 ⊿L 90-110℃(ppm/℃) | 110℃～130℃升溫過程 ⊿L 110-130℃(ppm/℃) | 均方根粗糙度 | P2層表面高度10nm以上的突起個數N 10nm(個/mm 2) | 以光學顯微鏡所觀察之 P1層的粗大物數量N P1(個) | 150℃×1小時熱處理後霧度增加量 ⊿H(%) | |||
| 長邊方向 | 寬度方向 | 寬度方向 | 寬度方向 | P1層表面 Sq P1(nm) | P2層表面 Sq P2(nm) | ||||
| 實施例1 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例2 | -110 | 150 | 130 | 170 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例3 | -110 | 90 | 100 | 80 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例4 | -110 | 0 | 0 | 0 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例5 | -110 | 15 | 100 | -70 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例6 | -110 | -50 | -15 | -85 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例7 | -110 | 45 | 70 | 20 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例8 | -110 | 50 | 75 | 25 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例9 | -170 | 70 | 90 | 50 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 實施例10 | -110 | 55 | 85 | 25 | 3.3 | 3.0 | 4500 | 12 | 0.3 |
| 實施例11 | -110 | 55 | 85 | 25 | 1.8 | 3.0 | 4500 | 4 | 0.3 |
| 實施例12 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.3 | 3.0 | 4500 | 2 | 0.3 |
| 實施例13 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.8 | 3.3 | 12000 | 7 | 0.3 |
| 實施例14 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.8 | 2.5 | 900 | 7 | 0.3 |
| 實施例15 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.8 | 3.0 | 3800 | 7 | 0.4 |
| 實施例16 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 25 | 0.5 |
| 實施例17 | -110 | 55 | 85 | 25 | 2.6 | 3.0 | 4500 | 3 | 0.2 |
| 實施例18 | -110 | 15 | 100 | -70 | 5.0 | 3.4 | 6000 | 20 | 0.5 |
| 實施例19 | -110 | 55 | 85 | 25 | 1.6 | 3.0 | 4500 | 1 | 0.2 |
| 實施例20 | -110 | 55 | 85 | 25 | 1.0 | 3.0 | 4500 | 0 | 0.2 |
| 比較例1 | -60 | 170 | 150 | 190 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 比較例2 | -130 | -120 | -90 | -150 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 比較例3 | -160 | -60 | -30 | -100 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 比較例4 | -110 | 65 | 90 | 30 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
| 比較例5 | -210 | 80 | 90 | 70 | 2.8 | 3.0 | 4500 | 7 | 0.3 |
生產適性、用途適性係如表7所示，為薄膜生產性、高溫層壓加工適性、乾膜阻劑適性良好的薄膜。
[表7]
| 生產適性 | 用途適性 | |||||||||||
| 薄膜生產性 | 高溫層壓加工適性 | 乾膜阻劑適性 | ||||||||||
| 波紋皺褶 | 捲繞皺褶 | 表面損傷 | 100℃層壓空隙 | 100℃層壓皺褶 | 120℃層壓空隙 | 120℃層壓皺褶 | 區域缺陷 | 阻劑形狀 (8μm寬度) | 阻劑形狀 (5μm寬度) | 阻劑形狀 (3μm寬度) | 針孔缺陷 | |
| 實施例1 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | A |
| 實施例2 | B | A | A | C | A | C | A | C | A | A | B | A |
| 實施例3 | A | A | A | B | A | B | A | B | A | A | B | A |
| 實施例4 | A | A | A | B | A | B | A | B | A | A | B | A |
| 實施例5 | A | A | A | A | A | C | A | C | A | A | B | A |
| 實施例6 | A | A | A | C | A | C | A | C | A | A | B | A |
| 實施例7 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | C |
| 實施例8 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | B |
| 實施例9 | A | C | A | A | C | A | C | C | A | A | B | A |
| 實施例10 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | C | B |
| 實施例11 | A | A | B | A | A | A | A | A | A | A | B | A |
| 實施例12 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | A |
| 實施例13 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | B |
| 實施例14 | A | A | B | A | A | A | A | A | A | A | B | A |
| 實施例15 | A | A | A | A | A | A | A | B | A | A | B | A |
| 實施例16 | A | A | A | A | A | A | A | C | A | A | B | C |
| 實施例17 | A | A | A | A | A | A | A | A | S | S | A | A |
| 實施例18 | A | A | A | A | A | C | A | C | A | C | C | C |
| 實施例19 | A | A | B | A | A | A | A | A | S | S | A | A |
| 實施例20 | A | A | B | A | A | A | A | A | S | S | S | A |
| 比較例1 | D | A | A | D | A | D | A | D | A | A | B | A |
| 比較例2 | A | A | A | D | A | D | A | D | A | A | B | A |
| 比較例3 | A | A | A | D | C | D | C | D | A | A | B | A |
| 比較例4 | A | A | A | A | A | A | A | A | A | A | B | D |
| 比較例5 | A | D | A | A | D | A | D | D | A | A | B | A |
(實施例2～20)
實施例2～5中，在表2～4中記載的製膜條件下製作雙軸配向聚酯薄膜。此處實施例12中，使P2層與P3層在熔融擠出後層壓後，在縱向拉伸後薄膜中之P3層的與設置P2層者為相對表面，利用使用表2中記載的塗料組成物A之線內塗布方法，以乾燥後塗膜厚度成為表4所記載的方式設置P1層，得到3層構成(P1層/P3層/P2層構成)的雙軸配向聚酯薄膜。
實施例19、20中，將塗料組成物如表3所記載般分別變更為塗料組成物B及塗料組成物C，除此以外，與實施例12同樣地進行，利用線內塗布方法以乾燥後塗膜厚度成為表4所記載的方式設置P1層，得到3層構成(P1層/P3層/P2層構成)的雙軸配向聚酯薄膜。
得到之雙軸配向聚酯薄膜的構成、薄膜特性係如表5、表6所示。
生產適性、用途適性係如表7所示，薄膜生產性、高溫層壓加工適性、乾膜阻劑適性的任一者與實施例1對比為同等或者較差，但為實用上沒有問題的薄膜。
(比較例1～5)
比較例1～5中，在表2～4中記載的製膜條件下製作雙軸配向聚酯薄膜。
得到之雙軸配向聚酯薄膜的構成、薄膜特性係如表5、表6所示。
生產適性、用途適性係如表7所示，為薄膜生產性、高溫層壓加工適性、乾膜阻劑適性的任一者與實施例1對比為大幅較差之薄膜。
[產業上利用之可能性]
本發明的雙軸配向聚酯薄膜，藉由控制特定溫度範圍中之薄膜的熱尺寸變化率，乾膜阻劑用薄膜之高溫層壓步驟中的加工適性優異，同時藉由控制兩側表面層所含有之粒徑與表面形狀，兼具生產性與良好的光學特性，因此適宜作為細微配線用乾膜阻劑用支持體薄膜使用。
1:具有有突起之面之層(P2層)
2:具有突起之面(P2層表層)
3:掃描型白色干涉顯微鏡測定中之零平面(平均面；高度0nm)
4:掃描型白色干涉顯微鏡測定中之高度10nm線(R
10nm)
5:存在於P2層表層之突起
6:含有粒子之行走面側層(P1層)
7:行走面(P1層表面)
8:2層構成(P1層/P2層)的雙軸配向聚酯薄膜
9:中間層(P3層)
10:3層構成(P1層/P3層/P2層)的雙軸配向聚酯薄膜
11:中間層(P4層)
12:4層構成(P1層/P4層/P3層/P2層)的雙軸配向聚酯薄膜
圖1係顯示具有以掃描型白色干涉顯微鏡所測定之突起之面(P2層表面)之示意圖。
圖2係本發明的雙軸配向聚酯薄膜的2層構成圖。
圖3係本發明的雙軸配向聚酯薄膜的3層構成圖。
圖4係本發明的雙軸配向聚酯薄膜的4層構成圖。
無。
Claims (12)
- 一種乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL 90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)的至少一個方向為-50以上150以下，薄膜總厚度T(μm)為11以上50以下。
- 如請求項1之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將薄膜溫度從90℃升溫至130℃時的薄膜尺寸變化率設為ΔL 90-130℃(ppm/℃)時，寬度方向(TD方向)、長邊方向(MD方向)的至少一個方向為20以上150以下，薄膜總厚度T(μm)為11以上50以下。
- 如請求項1或2之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在該ΔL 90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向中，將薄膜溫度從110℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL 110-130℃(ppm/℃)為0以上。
- 如請求項1或2之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其中與該ΔL 90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向呈面內垂直的方向之從90℃升溫至130℃時的尺寸變化率ΔL 90-130℃(ppm/℃)為-200以上0以下。
- 如請求項1或2之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在該ΔL 90-130℃(ppm/℃)成為-50以上150以下之方向中，將薄膜溫度從90℃升溫至110℃時的尺寸變化率ΔL 90-110℃(ppm/℃)為0以上。
- 如請求項1或2之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其至少單側表面的均方根粗糙度Sq(nm)為0.8以上且小於3.0。
- 如請求項1或2之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在至少單側最外表層具有含有平均1次粒徑為70nm以上200nm以下的粒子之層(P1層)。
- 如請求項7之乾膜阻劑支持體用聚酯薄膜，其將該P1層的厚度設為T P1(μm)時，T P1為0.03以上0.35以下。
- 如請求項7之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將該P1層表面的均方根粗糙度設為Sq P1(nm)時，Sq P1(nm)為0.8以上且小於3.0。
- 如請求項7之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其中與該P1層為相對側的最外表層(P2層)滿足以下(1)、(2)： (1)不包含平均1次粒徑為200nm以上的粒子 (2)表面具有突起，將高度10nm以上的突起個數設為N 10nm(個/mm 2)時，N 10nm為600以上12000以下。
- 如請求項10之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其在該P1層與該P2層之間，具有含有粒子濃度比P1層低、或不含粒子之層(P3層)。
- 如請求項7之乾膜阻劑支持體用雙軸配向聚酯薄膜，其將由光學顯微鏡所觀察之存在於從該P1層側起薄膜厚度方向3μm的區域之長徑2.0μm以上的粗大物的數量設為N P1(個/8.25mm 2)時，N P1為20以下。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022-125263 | 2022-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202415535A true TW202415535A (zh) | 2024-04-16 |
Family
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