TW201920224A

TW201920224A - 金屬錯合物

Info

Publication number: TW201920224A
Application number: TW107125089A
Authority: TW
Inventors: 菲利普史托希爾; 亞民奧奇
Original assignee: 德商麥克專利有限公司
Priority date: 2017-07-25
Filing date: 2018-07-20
Publication date: 2019-06-01
Also published as: CN110959010A; CN110959010B; US20200207794A1; EP3658564B1; WO2019020538A1; TWI776926B; KR102653759B1; KR20200031148A; JP7175959B2; EP3658564A1; JP2020529979A; US11535640B2

Abstract

本發明係關於適合用於有機電致發光裝置尤其是作為發光體的銥錯合物。

Description

金屬錯合物

本發明係關於適合用於有機電致發光裝置尤其是作為發光體之銥錯合物。

根據先前技術，用於磷光有機電致發光裝置(OLED)的三重態發光體係銥錯合物，詳而言之，尤指具有芳族配位基的雙-及參-鄰位金屬化錯合物，其中該配位基係經由帶負電的碳原子及未荷電的氮原子或是經由帶負電的碳原子及未荷電的碳烯碳原子，鍵結至金屬。如此錯合物的例子有參(苯基吡啶基)銥(III)及其衍生物，且有眾多的相關錯合物係已知的，例如，與1-或3-苯基異喹啉配位基、與2-苯基喹啉配位基或與苯基碳烯配位基的錯合物，其中此等錯合物亦可具有乙烯丙酮酸鹽(acetylacetonate)作為輔助的配位基。帶有多足配位基之此類錯合物亦為已知的，如記載於，例如，WO 2016/124304者。即使此等具有多足配位基之錯合物與具有相同配位基結構但其中的個別配位基不具有多足橋聯的錯合物相較之下，顯現出優點，但是仍然需要有改良。這尤其係指化合物之發光效率，以及化合物的昇華溫度。較低的昇華溫度使得合成中的錯合物純化較簡單，且使得加工程序簡化，當彼等係藉由真空蒸鍍法塗佈於OLED。

本發明所陳述之問題在於提供適合用於OLED作為發光體的新穎且特別改良的金屬錯合物。

吾人出乎意料地發現到，該問題可藉由具有下文所敘述結構之帶有六牙三足配位基的金屬錯合物來解決，其中彼等非常適合用於有機電致發光裝置。因而，本發明係提供此等金屬錯合物以及包含此等錯合物之有機電致發光裝置。

本發明因此係提供式(1)化合物

其中所使用之符號如下：
L¹ 為下列式(2)之子配位基，其經由二個Z基團與銥配位且經由虛線鍵與V鍵結：
，
其中：
A 在各情況下係相同或互異且為CR₂ 、O、S或NR，其中至少有一個A基團為CR₂ ；
Z 在各情況下係相同或互異且為O、S或NR；
L² 為二牙、單陰離子性子配位基，其經由一個碳原子以及一個氮原子或經由二個碳原子與銥配位；
L³ 為二牙、單陰離子性子配位基，其經由一個碳原子及一個氮原子或經由二個碳原子與銥配位，或為上文詳述之式(2)的子配位基(其可與L¹ 相同或互異)；
V 為式(3)之基團，其中虛線鍵各代表子配位基L¹ 、L² 及L³ 之鍵聯的位置，

X¹ 在各情況下係相同或互異且為CR或N；
X² 在各情況下係相同或互異且為CR或N，或是二個相鄰的X² 基團一起為NR、O或S，因而形成一五員環；或是二個相鄰的X² 基團一起形成CR或N(當環內之X³ 基團之一為N時)，因而形成一五員環；先決條件為：在各環內沒有二個以上的相鄰X² 基團為N；
X³ 在各情況下於一環內為C或是一個X³ 基團為N且在相同環內之另外的X³ 基團為C，其中在三個環內的X³ 基團可獨立地選擇，先決條件為：二個相鄰的X² 基團一起為CR或N(當環內的X³ 基團之一為N時)；
R 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R¹ )₂ 、OR¹ 、SR¹ 、CN、NO₂ 、COOH、C(=O)N(R¹ )₂ 、Si(R¹ )₃ 、B(OR¹ )₂ 、C(=O)R¹ 、P(=O)(R¹ )₂ 、S(=O)R¹ 、S(=O)₂ R¹ 、OSO₂ R¹ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基團或具有2至20個碳原子之烯基或炔基基團或是具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基基團(其中烷基、烯基或炔基基團在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代且其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可被Si(R¹ )₂ 、C=O、NR¹ 、O、S或CONR¹ 所替代)、或是具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R原子團亦可一起形成一環系統；
R¹ 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R² )₂ 、OR² 、SR² 、CN、NO₂ 、Si(R² )₃ 、B(OR² )₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(R² )₂ 、S(=O)R² 、S(=O)₂ R² 、OSO₂ R² 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基團或具有2至20個碳原子之烯基或炔基基團或是具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基基團(其中烷基、烯基或炔基基團在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代且其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可被Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 所替代)、或是具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個R¹ 原子團亦可一起形成一環系統；
R² 在各情況下係相同或互異且為H、D、F或是脂族、芳族及∕或雜芳族有機原子團，尤指具有1至20個碳原子的烴基原子團，其中一或多個氫原子亦可被F替代；
同時，由架橋V所分開之三個二牙配位基L¹ 、L² 及L³ 亦可藉由另一架橋來閉環，而形成穴狀化合物。

根據本發明，配位基因而為具有三個二牙子配位基L¹ 、L² 及L³ 之六牙三足配位基。「二牙」意指錯合物內的特定子配位基係經由二個配位部位位置或鍵結至銥。「三足」意指配位基有三個鍵結至架橋V或式(3)之架橋的子配位基。由於配位基有三個二牙子配位基，所以總體結果為六牙配位基，亦即，經由六個配位位置配位或鍵結至銥的配位基。在本申請案之情況下，「二牙子配位基」詞句意指L¹ 、L² 或L³ 在各情況下會是二牙配位基，如果架橋V或式(3)之架橋未出現的話。然而，由於自該二牙配位基將氫原子形式抽象化以及連結至式(3)之架橋的結果，其不再是分離的配位基，但為因而所出現之六牙配位基的一部分，且因此而使用「子配位基」一詞。

本發明之化合物的配位基因此具有下列結構(LIG)：
。

配位基至銥的鍵可為配位鍵或共價鍵，或是該鍵的共價分率(covalent fraction)可隨著配位基而變化。當提到配位基或子配位基係配位或鍵結至銥時，就本申請案的情況而言，此係指配位基或子配位基至銥之任何類型的鍵，不論鍵的共價成分如何。

當二個R或R¹ 原子團一起形成一環系統時，其可為單-或多環、且脂族、雜脂族、芳族或雜芳族的。在此情況下，一起形成一環系統之此等原子團可為相鄰的，意指此等原子團係鍵結至相同的碳原子或鍵結至彼此直接相鄰的碳原子，或是彼等可進一步相互遠離。例如，R原子團亦可能鍵結至X² 基團，而與鍵結至X¹ 基團的R原子團形成一環。當鍵結至X² 基團的R原子團與鍵結至X¹ 基團之R原子團之間有如此的環形成時，此環較佳藉由具有三個架橋原子的基團(較佳為具有三個碳原子者，且更佳為-(CR₂ )₃ -基團)形成。

在本說明的情況下，二個或多個原子團一起可形成環的措詞應理解為特別係指二個原子團藉由一化學鍵相互結合，形式脫去(formal elimination)二個氫原子。這例示於下面的流程：

此外，然而，前述措辭亦應理解為係指如果該二個原子團中有一者係氫，則第二個原子團係鍵結至該氫原子鍵結的位置，而形成環。這例示於下面的流程：

如前文所述地，於鍵結至互相直接相鄰之碳原子的原子團，或是於鍵結至更遠離的碳原子之原子團上可能有如此類型的環形成。此類型的環較佳形成於鍵結至互相直接相鄰之碳原子或相同碳原子的原子團上。

就本發明之情況而言，芳基基團係含有6至40個碳原子；就本發明之情況而言，雜芳基基團含有2至40個碳原子以及至少一個雜原子，先決條件為：碳原子及雜原子的總和係至少5。該雜原子較佳選自N、O及∕或S。在此情況下，雜芳基基團較佳含有不多於三個雜原子。芳基基團或雜芳基團應理解為意指單純的芳族環，亦即，苯；或單純的雜芳族環，例如，吡啶、嘧啶、噻吩等；或是稠合的芳基或雜芳基基團，例如，萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等。

就本發明之情況而言，芳族環系統在環系統內含有6至40個碳原子。就本發明之情況而言，雜芳族環系統在環系統中含有1至40個碳原子及至少一個雜原子，先決條件為：碳原子及雜原子的總和至少為5。該雜原子較佳選自N、O及∕或S。就本發明之情況而言，芳族或雜芳族環系統應理解為係指不一定僅含有芳基或雜芳基基團的系統，但是其中亦可能有多個芳基或雜芳基基團被非芳族單元(較佳的是，10%以下的原子不為H)，例如，碳、氮或氧原子或羰基基團所斷開。例如，諸如9,9’-螺二茀、9,9-二芳基茀、三芳基胺、二芳基醚、二苯乙烯等系統因此亦被視為就本發明之情況而言的芳族環系統，以及還有其中有二或多個芳基基團被，例如，線性或環狀烷基基團或被矽基基團斷開的系統。此外，其中有二或多個芳基或雜芳基基團直接互相鍵結的系統，例如，聯苯、聯三苯、四聯苯或聯吡啶，應同樣地被視為芳族或雜芳族環系統。

就本發明之情況而言，環狀烷基、烷氧基或硫烷氧基基團應被理解為意指單環、雙環或多環的基團。

就本發明之情況而言，C₁ -至C₂₀ -烷基基團(其中，個別的氫原子或CH₂ 基團亦可被前述基團所替代)應理解為意指，例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、第三戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、第二己基、第三己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2.2.2.]辛基、2-雙環[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二-1-基、1,1-二甲基-正十四-1-基、1,1-二甲基-正十六-1-基、1,1-二甲基-正十八-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二-1-基、1,1-二乙基-正-十四-1-基、1,1-二乙基-正十六-1-基、1,1-二乙基-正十八-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基及1-(正癸基)環己-1-基原子團。烯基基團應理解為意指，例如，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基或環辛二烯基。炔基基團應理解為意指，例如，乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。OR¹ 基團應理解為意指，例如，甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基或2-甲基丁氧基。

具有5-40個芳族環原子且在各情況下亦可經前述之原子團所取代且可經由任何所期望的位置結合至芳族或雜芳族環系統之芳族或雜芳族環系統應理解為意指，例如，衍生自下列的基團：苯、萘、蒽、苯並蒽、菲、苯並菲、芘、稠二萘(chrysene)、苝、1,2-苯並苊(fluoranthene)、苯並芙(benzofluoranthene)、稠四苯、稠五苯、苯並芘、聯苯、亞聯苯(biphenylene)、聯三苯、亞三苯(terphenylene)、茀、螺雙茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式-或反式-茚並茀、順式-或反式-單苯並茚並茀、順式-或反式-二苯並茚並茀、參茚並苯、異參茚並苯、螺參茚並苯、螺異參茚並苯、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚並咔唑、茚並咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、萘啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、苯並噻嗪、苯並㗁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹啉並咪唑、㗁唑、苯並㗁唑、萘並㗁唑、蒽並㗁唑、菲並㗁唑、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒嗪、苯並嗒嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹㗁啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、啡嗪、苯並㗁嗪、苯並噻嗪、熒紅環(fluorubin)、奈啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-氧雜二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲巾及苯並噻二唑。

下文所陳述的係橋頭V，亦即式(3)之結構的較佳體系。

式(3)之基團的適當體系係下列式(4)至(7)的結構：

其中所使用之符號具有前文所給定的定義。

於本發明之一較佳體系中，式(3)之基團內的所有X¹ 基團皆為CR，且因此式(3)之中央三價環係苯。更佳的是，式(4)、(6)及(7)內的所有X¹ 基團皆為CH。於本發明之另一較佳體系中，所有的X¹ 基團皆為氮原子，且因而式(3)之中央三價環係三嗪。式(3)之較佳體系因而係式(4)及(5)之結構。

就式(4)之三價中央苯環上或式(6)之中央嘧啶環上或式(7)之中央吡啶環上的較佳R原子團而言，下列係適用的：
R 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、CN、OR¹ 、具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團或具有2至10個碳原子之烯基團或是具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(彼等各可經一或多個R¹ 原子團所取代，但較佳為未經取代的)、或是芳族或雜芳族環系統(具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代)；同時，R原子團亦可與X² 上的R原子團形成一環系統；
R¹ 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、CN、OR² 、具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團或具有2至10個碳原子之烯基團或是具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(彼等各可經一或多個R² 原子團所取代，但較佳為未經取代的)、或是芳族或雜芳族環系統(具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代)；同時，二或多個相鄰的R¹ 原子團可一起形成一環系統；
R² 在各情況下係相同或互異且為H、D、F或是具有1至20個碳原子之脂族、芳族及∕或雜芳族有機原子團，其中一或多個氫原子亦可被F所替代。

就式(4)之三價中央苯環上或式(6)之中央嘧啶環上或式(7)之中央吡啶環上的特別較佳R原子團而言，下列係適用的：
R 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、CN、具有1至4個碳原子的直鏈烷基基團或是具有3至6個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(彼等各可經一或多個R¹ 原子團所取代，但較佳為未經取代的)、或是芳族或雜芳族環系統(具有6至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代)；同時，R原子團亦可與X² 上的R原子團形成一環系統；
R¹ 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、CN、具有1至4個碳原子的直鏈烷基基團或是具有3至6個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(彼等各可經一或多個R² 原子團所取代，但較佳為未經取代的)、或是芳族或雜芳族環系統(具有6至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代)；同時，二或多個相鄰的R¹ 原子團可一起形成一環系統；
R² 在各情況下係相同或互異且為H、D、F或是具有1至12個碳原子之脂族或芳族烴原子團。

更佳的是，式(4)之基團係下列式(4’)之結構：

其中所使用之符號具有前文所給定的定義。

接下來是出現於式(3)至(7)之基團的較佳二價伸芳基或伸雜芳基的敘述。由式(3)至(7)之結構明顯可知，此等結構含有三個鄰位鍵結的二價伸芳基或伸雜芳基單元。

於本發明之一較佳體系中，符號X³ 為C，且因此式(3)至(7)之基團可由下列式(3a)至(7a)表示：

其中符號具有前文所列出的定義。

式(3)之基團形式上可由下列式(3’)表示，其中式(3)及(3’)涵蓋相同的結構：

其中Ar在各情況下係相同或互異且為下列式(8)之基團：

其中虛線鍵在各情況下代表二牙子配位基L¹ 、L² 或³ 與此結構之鍵的位置，*代表式(8)之單元與中央三價芳基或雜芳基基團之鍵聯的位置且X² 具有前文所給定的定義。式(8)基團內之較佳取代基係選自前述取代基R。

式(8)之基團可表示雜芳族五員環或是芳族或雜芳族六員環。於本發明之一較佳體系中，式(8)之基團在芳基或雜芳基基團中含有不多於二個雜原子，更佳的是不多於一個雜原子。這並不意謂鍵結至此基團之任何取代基不能亦含有雜原子。此外，此定義並不意謂藉由取代基的環形成無法產生稠合的芳族或雜芳族結構，例如，萘、苯並咪唑等等。式(8)之基團較佳選自：苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、嗒嗪、吡咯、呋喃、噻吩、吡唑、咪唑、㗁唑以及噻唑。

當環內之二個X³ 基團皆為碳原子時，式(8)之基團的較佳體系係下列式(9)至(25)的結構：

其中所使用之符號具有前文所列出的定義。

當環內之一個X³ 基團為碳原子且相同環內之另一個X³ 基團為氮原子時，式(8)之基團的較佳體系係下列式(26)至(33)的結構：

其中所使用之符號具有前文所列出的定義。

特別較佳的是前述式(9)至(13)之任意經取代的六員芳族環及六員雜芳族環。非常特別較佳的是鄰位-伸苯基，亦即前述式(9)之基團。

同時，亦如前文之取代基敘述中所述者，相鄰取代基亦可能一起形成一環系統，而得以形成稠合的結構，包括稠合的芳基及雜芳基基團，例如，萘、喹啉、苯並咪唑、咔唑、二苯並呋喃或二苯並噻吩。

在此情況下，式(3)至(7)或式(3’)基團內所出現之三個式(8)基團可相同或互異。於本發明之一較佳體系中，式(8)內的所有三個基團可相同且亦具有相同的取代。

更佳的是，式(4)至(7)的結構係選自下列式(4b)至(7b)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

式(4b)之一較佳體系係下列式(4b’)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

更佳的是，式(3)至(7)內的R基團在各情況下係相同或互異且為H、D或具有1至4個碳原子的烷基基團。最佳的是，R=H。非常特別較佳的是下列式(4c)或(5c)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

接下來是二牙子配位基L¹ 的敘述。如前文所述地，子配位基L¹ 具有式(2)之結構。

於本發明之一較佳體系中，二個A基團皆為CR₂ ，更佳的是CH₂ 。

於本發明之另一較佳體系中，至少有一個Z基團為O。更佳的是，二個Z基團皆為O。

L¹ 因而較佳為下列式(2a)之子配位基：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

亦可為較佳的是當二個R原子團一起形成一環時。尤其較佳的是當二個R原子團係鍵結至相同碳原子(亦即，於CR₂ 基團內或乙醯基丙酮酸基團內之直接相鄰的二個R原子團之間)時。此環較佳為具有5或6個環原子之脂族環或芳族環。取代基之間之適當環形成的例子示於下列結構(L¹ -A)至(L¹ -F)：

其中此等結構亦可被一或多個R¹ 原子團所取代，但較佳為未經取代。

L¹ 更佳為下列式(2b)之子配位基：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

最佳的是，L¹ 為下列式(2c)之子配位基：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義。

式(2)、(2a)、(2b)及(2c)內的R在各情況下係相同或互異且選自：H、D、OR¹ 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至10個碳原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代(但較佳為未經取代)的支鏈或環狀烷基基團、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個R原子團亦可能一起形成環系統。特別較佳的R原子團在各情況下係相同或互異且選自：H、D、具有1至4個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至6個碳原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代(但較佳為未經取代)的支鏈或環狀烷基基團、或是具有6至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個R原子團亦可能一起形成環系統。特別較佳的烷基基團係甲基、乙基、異丙基、異丁基、第三丁基及新戊基，尤指甲基。

此外，R¹ 較佳選自H、D、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至10個碳原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代(但較佳為未經取代)的支鏈或環狀烷基基團、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個R¹ 原子團亦可能一起形成環系統。

接下來的是二牙子配位基L² 及L³ 的敘述。如前文所述者，L² 係經由一個碳原子及一個氮原子或是經由二個碳原子配位至銥。此外，L³ 係相同或互異且為L¹ 或L² ，亦即式(2)之子配位基或是經由一個碳原子及一個氮原子或經由二個碳原子配位至銥之子配位基。於本發明之一較佳體系中，L² 及L³ 皆為子配位基，各經由一個碳原子及一個氮原子或是經由二個碳原子配位至銥。二個子配基L² 及L³ 可為相同或互異。

較佳的是，子配位基L² 及L³ 中至少有一者具有一個碳原子及一個氮原子作為配位原子。最佳的是，子配位基L² 及L³ 皆具有一個碳原子及一個氮原子作為配位原子。

另外較佳的是當由銥及子配位基L² 或L³ 所形成之金屬環化物為五員環時。這圖示於下文：

其中N為配位氮原子且C為配位碳原子，而顯示出的碳原子係子配位基L² 或L³ 的原子。

於本發明之一較佳體系中，子配位基L² 及L³ 中至少有一者(較佳的是子配位基L² 及L³ 二者)於各情況下為相同或互異且為下列式(L-1)及(L-2)的結構：

其中虛線鍵代表子配位基至式(3)之架橋的鍵且所使用之其他記號係如下：
CyC 在各情況下係相同或互異且為經取代或未經取代的芳基或雜芳基基團，其具有5至14個芳族環原子且在各情況下經由碳原子配位至金屬，並且經由一共價鍵鍵結至CyD；
CyD 在各情況下係相同或互異且為經取代或未經取代的雜芳基基團，其具有5至14個芳族環原子且經由氮原子或經由碳烯碳原子配位至金屬，並且經由一共價鍵鍵結至CyC；
同時，二或多個任意的取代基可一起形成一環系統；任意的原子團較佳選自前述R原子團。

CyD較佳經由未荷電的氮原子或經由碳烯碳原子配位。此外，CyC係經由陰離子性碳原子配位。

當二或多個取代基(尤指二或多個R原子團)一起形成一環系統時，可能由鍵結至直接相鄰之碳原子的取代基形成一環系統。此外，在CyC及CyD上的取代基亦可能一起形成一環，其結果是CyC及CyD亦可一起形成單稠合的芳基或雜芳基基團作為二牙配位基。

在此，二個子配位基L² 及L³ 可能具有式(L-1)之結構，或是子配位基L² 及L³ 皆具由式(L-2)之結構，或是子配位基L² 及L³ 中有一者具有式(L-1)之結構且另一子配位基具有式(L-2)之結構。於本發明之一較佳體系中，子配位基L² 及L³ 中有一者具有式(L-1)之結構，且子配位基L² 及L³ 中的另一者具有式(L-2)之結構。

於本發明之一較佳體系中，CyC係具有6至13個芳族環原子之芳基或雜芳基基團，更佳的是具有6至10個芳族環原子，最佳的是具有6個芳族環原子，其係經由碳原子配位至金屬，其可經一或多個R原子團所取代且係經由一共價鍵鍵結至CyD。

CyC基團之較佳體系係下列式(CyC-1)至(CyC-19)的結構，其中CyC基團在各情況下係於標示為#的位置上與CyD結合且於標示為*的位置上與銥結合，

其中R具有前文所給定的定義且所使用之其他的符號係如下：
X 在各情況下係相同或互異且為CR或N，先決條件為：每一個環有不超過二個符號X為N；
W 在各情況下係相同或互異且為NR、O或S；
先決條件是：當式(3)的架橋係鍵結至CyC時，有一符號X為C且式(3)之架橋係鍵結至該碳原子。當CyC基團係鍵結至式(3)之架橋時，該鍵較佳經由在前文所描述之通式內標記為「o」的位置，且因而在該情況下，標記為「o」之符號X較佳為C。不含任何標記為「o」之符號X的前述結構較佳不直接鍵結至式(3)的架橋，因為就位阻的理由而言，如此之與架橋的鍵係不利的。

較佳的是，CyC內總共有不超過二個符號X為N，且更佳的是，CyC內有不超過一個符號X為N，且最佳的是，所有的符號X皆為CR，先決條件為：當式(3)的架橋係鍵結至CyC時，則有一個符號X為C且式(3)的架橋係鍵結至此碳原子。

特別較佳之CyC基團係下列式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基團：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義，且當式(3)的架橋係鍵結至CyC時，未有一個R原子團存在且式(3)的架橋係鍵結至對應的碳原子。當CyC基團係鍵結至式(3)的架橋時，該鍵較佳經由在前文所描述之通式內標記為「o」的位置，且因而在該情況下，在此位置之R原子團較佳不存在。不含任何標記為「o」之碳原子的前述結構較佳不直接鍵結至式(3)的架橋。

在(CyC-1)至(CyC-19)基團之中，較佳的基團係(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)及(CyC-16)基團，且特別較佳的是(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)及(CyC-16a)基團。

於本發明之另一較佳體系中，CyD係雜芳基基團，其具有5至13個芳族環原子，更佳為具有6至10個芳族環原子，其係經由未荷電的氮原子或經由碳烯碳原子配位至金屬，且其可經一或多個R原子團所取代且其係經由一共價鍵鍵結至CyC。

CyD基團之較佳體系係下列式(CyD-1)至(CyD-12)的結構，其中CyD基團在各情況下係在標示為#的位置上與CyC結合且於標示為*的位置上與銥結合，

其中X、W及R具有前文所給定的定義，先決條件為：當式(3)之架橋係鍵結至CyD時，有一符號X為C且式(3)之架橋係鍵結至此碳原子。當CyD基團係鍵結至式(3)之架橋時，該鍵結較佳經由前文所描述通式內標記為「o」的位置，且因此於該情況下，標記為「o」之符號X較佳為C。不含任何標記為「o」之任何符號X的前文所描述結構較佳不直接鍵結至式(3)的架橋，因為就位阻的理由而言，如此之與架橋的鍵係不利的。

於此情況下，(CyD-1)至(CyD-4)及(CyD-7)至(CyD-12)基團係經由未荷電的氮原子，且(CyD-5)及(CyD-6)基團係經由碳烯碳原子，配位至金屬。

較佳的是，CyD內總共有不超過二個符號X為N，且更佳的是，CyD內有不超過一個符號X為N，且尤其較佳的是，所有的符號X皆為CR，先決條件為：當式(3)的架橋係鍵結至CyD時，有一個符號X為C且式(3)的架橋係鍵結至此碳原子。

特別較佳之CyD基團係下列式(CyD-1a)至(CyD-12b)之基團：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義且，當式(3)的架橋係鍵結至CyD時，未有一個R原子團存在且式(3)的架橋係鍵結至對應的碳原子。當CyD基團係鍵結至式(3)的架橋時，該鍵較佳經由在前文所描述之通式內標記為「o」的位置，且因而在該情況下，在此位置的R原子團較佳不存在。不含任何標記為「o」之碳原子的前述結構較佳不直接鍵結至該式的架橋。

(CyD-1)至(CyD-12)基團之中，較佳的基團係(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)及(CyD-6)基團，尤指(CyD-1)、(CyD-2)及(CyD-3)，且特別較佳的是(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)及(CyD-6a)基團，尤其是(CyD-1a)、(CyD-2a)及(CyD-3a)。

於本發明之一較佳體系中，CyC為具有6至13個芳族環原子的芳基或雜芳基基團，且同時CyD為具有5至13個芳族環原子的雜芳基基團。更佳的是，CyC為具有6至10個芳族環原子的芳基或雜芳基基團，且同時CyD為具有5至10個芳族環原子的芳基或雜芳基團。最佳的是，CyC為具有6個芳族環原子的芳基或雜芳基基團，且CyD為具有6至10個芳族環原子之雜芳基基團。同時，CyC及CyD可經一或多個R原子團所取代。

前述之較佳(CyC-1)至(CyC-20)及(CyD-1)至(CyD-12)基團可視需要相互併合，先決條件為：至少有一個CyC或CyD基團具有與式(3)架橋連接之適當連結位置，適當的連結位置在前文所給定的通式內標示為「o」。

尤其較佳的是當前文指明為特別較佳之CyC及CyD基團(亦即，式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基團以及式(CyD1-a)至(CyD-14b)的基團)相互併合時，先決條件為：至少有一個較佳的CyC或CyD基團具有與式(3)架橋連接之適當連接位置，適當的連結位置在前文所給定的通式內標示為「o」。因此，其中CyC及CyD都不具有與式(3)架橋連結之適當連接位置的組合係非較佳者。

當(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)及(CyC-16)基團中有一者(且尤指(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)及(CyC-16a)基團)，與(CyD-1)、(CyD-2)及(CyD-3)基團中之一者(且尤指(CyD-1a)、(CyD-2a)及(CyD-3a)基團) 組合時，係非常特別較佳的。

較佳的子配位基(L-1)係式(L-1-1)及(L-1-2)的結構，且較佳的子配位基(L-2)係式(L-2-1)至(L-2-4)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義且「o」代表與式(3)之架橋鍵結的位置。

特別較佳的子配位基(L-1)係式(L-1-1a)及(L-1-2b)的結構，且特別較佳的子配位基(L-2)係(L-2-1a)至(L-2-4a)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義且「o」代表與式(3)之架橋鍵結的位置。

當二個R原子團(其中之一者鍵結至CyC且另一者鍵結至CyD)一起形成一芳族環系統時，這可導致產生橋接的子配位基且，例如，亦會生成總體為單一較大雜芳基基團的子配位基，例如，苯並[h]喹啉等。CyC及CyD上的取代基之間的環較佳藉由下列式(34)至(43)中之一的基團形成：

其中R¹ 具有前文所給定的定義且虛線鍵代表與CyC或CyD的鍵結。同時，在前文所提及之基團中的不對稱基團可以二個可能的選擇中之一的方式併入；例如，在式(43)之基團中，氧原子可鍵結至CyC基團且羰基基團鍵結至CyD基團，或是氧原子可鍵結至CyD基團且羰基基團鍵結至CyC基團。

同時，式(40)之基團係特別較佳的，當這會，例如，藉由式(L-21)及(L-22)導致環形成，而生成如下所示的6員環時。

透過不同環內之二個R原子團之間的環形成而產生的較佳配位基係下文所示之式(L-3)至(L-30)的結構：

其中所使用的符號具有前文所給定的定義且「o」代表此子配位基鍵聯至式(3)之基團的位置。

於(L-5)至(L-32)之子配位基的較佳體系中，總共有一個符號X為N而其他的符號X為CR，或是所有的符號X皆為CR。

於本發明之另一體系中，較佳的是，如果在基團(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)或是於子配位基(L-5)至(L-32)中，原子X之一為N(當鍵結為與該氮原子相鄰之取代基的R基團不為氫或氘)。這同樣地適用於較佳結構(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中與非配位氮原子相鄰鍵結的取代基較佳為非氫或非氘的R基團。

在此情況下，此取代基R較佳選自：CF₃ 、OCF₃ 、具有1至10個碳原子的烷基基團(尤指具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基基團)、OR¹ (其中R¹ 為具有1至10個碳原子的烷基基團，尤指具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團)、具有2至10個碳原子之二烷胺基基團、芳族或雜芳族環系統或芳烷基或雜芳烷基基團。此等基團乃高位阻的(sterically demanding)基團。進一步較佳的是，此R原子團亦可與相鄰的R原子團形成一環。

金屬錯合物(其中金屬係過渡金屬)之其他適當的二牙子配位基係下列式(L-31)或(L-32)的子配位基：

其中R具有前文所給定的定義，*代表配位至金屬的的位置，「o」代表子配位基與式(3)之基團的鍵聯位置，且所使用的其他符號係如下：
X 在各情況下係相同或互異且為CR或N，先決條件為：每一環有不超過一個X符號為N。

當鍵結至子配位基(L-31)及(L-32)內之相鄰碳原子的二個R原子團互相形成一芳族環時，此環連同二個相鄰的碳原子較佳為下列式(44)之結構：

其中虛線鍵係標誌該基團於子配位基內的鍵聯且Y在各情況下係相同或互異的且為CR¹ 或N且較佳的是，不超過一個符號Y為N。

於子配位基(L-31)或(L-32)的較佳體系中，有不超過一個式(44)基團存在。因此，該子配位基較佳為下列式(L-33)至(L-38)的子配位基：

其中X在各情況下係相同或互異且為CR或N，但是R原子團不一起形成芳族或雜芳族環系統且其他的符號具有前文所給定的定義。

於本發明之一較佳體系中，在式(L-31)至(L-38)的子配位基中，總共有0、1或2個符號X及Y(若存在)為N。更佳的是，總共有0或1個符號X及Y(若存在)為N。

式(L-33)至(L-38)之較佳體系係下列式(L-33a)至(L-38f)的結構：

其中所用的符號具有前文所給定的定義且「o」是指與式(3)之基團的鍵聯位置。

於本發明之一較佳體系中，在與金屬之配位呈鄰位上的X基團係CR。於此原子團中，鍵結在與金屬之配位呈鄰位上的R較佳選自：H、D、F及甲基。

於本發明之另一體系中，較佳的是，若原子X之一或Y(若存在)為N，當與該氮原子相鄰鍵結的取代基係非氫或非氘的R基團。

在此情況下，此取代基R較佳選自：CF₃ 、OCF₃ 、具有1至10個碳原子的烷基基團(尤指具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基基團)、OR¹ (其中R¹ 為具有1至10個碳原子的烷基基團，尤指具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團)、具有2至10個碳原子之二烷胺基基團、芳族或雜芳族環系統或芳烷基或雜芳烷基基團。此等基團乃高位阻的基團。進一步較佳的是，此R原子團亦可與相鄰的R原子團形成一環。

接下來的是可出現於前述子配位基L² 及L³ ，亦可出現於式(3)至(7)結構內(亦即於式(8)結構內)之二牙伸芳基或伸雜芳基上的較佳取代基的敘述。

於本發明之較佳體系中，本發明之金屬錯合物含有二個R取代基或二個R¹ 取代基，彼等係鍵結至相鄰的碳原子且一起形成根據下文所記述通式之一的脂族環。在此情況下，形成該脂族環之二個R取代基可出現於式(3)之架橋上及∕或於一或多個二牙子配位基上。藉由二個R取代基一起或藉由二個R¹ 取代基一起之環形成所形成的脂族環較佳由下列式(45)至(51)所描述：

其中R¹ 及R² 具有前文所給定的定義，虛線鍵代表配位基中二個碳原子的鍵聯且此外：
A¹ 、A³ 在各情況下係相同或互異且為C(R³ )₂ 、O、S、NR³ 或C(=O)；
A² 為C(R¹ )₂ 、O、S、NR³ 或C(=O)；
G 為具有1、2或3個碳原子且可經一或多個R² 原子團所取代的伸烷基基團、-CR² =CR² -或是具有5至14個芳族環原子且可經一或多個R² 原子團所取代的鄰位鍵結伸芳基或伸雜芳基基團；
R³ 在各情況下係相同或互異且為H、F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基或烷氧基基團、具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基或烷氧基基團(其中該烷基或烷氧基基團在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代，其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可被R² C=CR² 、C≡C、Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 所替代)、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統、或是具有5至24個芳族環原子且可經一或多個R² 原子團所取代的芳氧基或雜芳氧基基團；同時，鍵結至相同碳原子之二個R³ 原子團可一起形成脂族或芳族環系統且因此形成螺環系統；此外，R³ 與相鄰的R或R¹ 原子團可形成脂族環系統；
先決條件為：此等基團中沒有二個雜原子係直接互相鍵結且沒有二個C=O基團係直接互相鍵結的。

於前文所描述之式(45)至(51)的結構中以及此等結構之經指明為較佳的其他體系中，就形式而言，雙鍵係形成於二個碳原子之間。此乃化學結構的簡化，當此等二碳原子係併入芳族或雜芳族系統且因而此等二碳原子之間的鍵形式上係於單鍵之鍵結等級(bonding level)及雙鍵的鍵結等級之間。因此，形式雙鍵之繪圖的解讀不應使結構受到限制；反而，習於此藝之士可明顯得知此乃一芳族鍵。

當本發明之結構內的相鄰原子團形成脂族環系統時，較佳的是當後者不具有任何酸性苄基質子時。苄基質子係理解為意指鍵結至與配位基直接鍵結之碳原子上的質子。這可憑藉在脂族環系統內、直接鍵結至經完全取代且不含任何鍵結氫原子之芳基或雜芳基基團的碳原子來達成。因此，憑藉A¹ 及A³ (當彼等係C(R³ )₂ ，經定義以致R³ 不為氫)，可達到式(45)至(47)內不存在有酸性苄基質子。另外，這還可憑藉在脂族環系統內、直接鍵結至在雙-或多環狀結構內為橋頭之芳基或雜芳基基團的碳原子來達成。由於雙-或多環的空間結構，鍵結至橋頭碳原子的質子較並非鍵結在雙-或多環結構內之碳原子上的苄基質子酸性顯著較低且在本發明之情況下，係視為非酸性質子。因此，藉助於雙環結構造成R¹ (當其為H時)較苄基質子之酸性小很多(因為雙環結構之對應陰離子並非共振安定的)，而達到式(48)至(51)之無酸性苄基質子存在。因此，即使當式(48)至(51)內的R¹ 為H時，其就本申請案之情況而言為一非酸性的質子。

於本發明之一較佳體系中，R³ 不為H。

於式(45)至(51)之結構的一較佳體系中，A¹ 、A² 及A³ 基團中未有超過一者為雜原子，尤指O或NR³ ，且其他的基團為C(R³ )₂ 或C(R¹ )₂ ，或是A¹ 及A³ 在各情況下係相同或互異且為O或NR³ 且A² 為C(R¹ )₂ 。於本發明之一特別較佳體系中，A¹ 及A³ 在各情況下係相同或互異且為C(R³ )₂ ，而A² 為C(R¹ )₂ 且更佳者為C(R³ )₂ 或CH₂ 。

因此，式(45)之較佳體系係式(45-A)、(45-B)、(45-C)及(45-D)，且式(45-A)之特別較佳體系係式(45-E)及(45-F)的結構：

其中R¹ 及R³ 具有前文所給定的定義且A¹ 、A² 及A³ 在各情況下係相同或互異且為O或NR³ 。

式(46)之較佳體系係下列式(46-A)至(46-F)的結構：

其中R¹ 及R³ 具有前文所給定的定義且A¹ 、A² 及A³ 在各情況下係相同或互異且為O或NR³ 。

式(47)之較佳體系係下列式(47-A)至(47-E)的結構：

其中R¹ 及R³ 具有前文所給定的定義且A¹ 、A² 及A³ 在各情況下係相同或互異且為O或NR³ 。

於式(48)之結構的一較佳體系中，鍵結至橋頭的R¹ 原子團為H、D、F或CH₃ 。另外較佳的是，A² 為C(R¹ )₂ 或O，且更佳者為C(R³ )₂ 。因此，式(48)之較佳體系係式(48-A)及(48-B)的結構，且式(48-A)之特別較佳體系係式(48-C)之結構：

其中所用的符號具有前文所給定的定義。

於式(49)、(50)及(51)之結構的一較佳體系中，鍵結至橋頭的R¹ 原子團為H、D、F或CH₃ 。另外較佳的是，A² 為C(R¹ )₂ 。因此，式(49)、(50)及(51)之較佳體系係式(49-A)、(50-A)及(51-A)的結構：

其中所用的符號具有前文所給定的定義。

另外較佳的是，式(48)、(48-A)、(48-B)、(48-C)、(49)、(49-A)、(50)、(50-A)、(51)及(51-A)內的G基團為可經一或多個R² 原子團所取代的1,2-伸乙基基團(其中R² 在各情況下較佳相同或互異的且為H或具有1至4個碳原子的烷基基團)、或具有6至10個碳原子且可經一或多個R² 原子團所取代的鄰位伸芳基基團(但較佳為未經取代的)，尤指可經一或多個R² 原子團所取代的鄰位伸苯基基團(但較佳為未經取代的)。

於本發明之另一較佳體系中，式(45)至(51)及較佳體系之基團內的R³ 在各情況下係相同或互異且為F、具有1至10個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(其中在各情況下一或多個非相鄰CH₂ 基團可被R² C=CR² 所替代且一或多個氫原子可被D或F所替代)、或是具有5至14個芳族環原子且在各情況下可被一或多個R² 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統；同時，鍵結至相同碳原子之二個R³ 原子團可一起形成脂族或芳族環系統且因而形成螺環系統；此外，R³ 可與相鄰的R或R¹ 原子團形成脂族環系統。

於本發明之一特別較佳體系中，式(45)至(51)及較佳體系內之基團內的R³ 在各情況下係相同或互異的且為F、具有1至3個碳原子之直鏈烷基基團(尤指甲基)、或是具有5至12個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統(但較佳為未經取代的)；同時，鍵結至相同碳原子之二個R³ 原子團可一起形成脂族或芳族環系統且因而形成螺環系統；此外，R³ 可與相鄰的R或R¹ 原子團形成脂族環系統。

式(45)之特別適當基團的例子係列於下文的結構：

。

式(46)之特別適當基團的例子係列於下文的結構：

。

式(47)、(49)及(50)之特別適當基團的例子係列於下文的結構：
。

式(48)之特別適當基團的例子係列於下文的結構：

。

式(49)之特別適當基團的例子係列於下文的結構：
。

當R原子團係鍵結於二牙子配位基或鍵結於與式(3)至(7)或較佳體系鍵結之式(8)的二價伸芳基或伸雜芳基基團內時，此等R原子團在各情況下係相同或互異且較佳選自：H、D、F、Br、I、N(R¹ )₂ 、CN、Si(R¹ )₃ 、B(OR¹ )₂ 、C(=O)R¹ 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基基團或具有2至10個碳原子之烯基基團或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(其中該烷基或烯基基團在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代)、或是具有5至30個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統；同時，二個相鄰的R原子團一起或R與R¹ 一起亦可形成單-或多環的、脂族或芳族環系統。更佳的是，此等R原子團在各情況下係相同或互異且選自：H、D、F、N(R¹ )₂ 、具有1至6個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(其中一或多個氫原子可被D或F所替代)、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的芳族或雜環族系統；同時，二個相鄰R原子團一起或R與R¹ 一起亦可形成單-或多環的、脂族或芳族環系統。

鍵結於R之較佳R¹ 原子團在各情況下係相同或互異且為H、D、F、N(R¹ )₂ 、CN、具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團或具有2至10個碳原子之烯基基團或具有3至10個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(其中該烷基基團在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代)、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個相鄰的R¹ 原子團可一起可形成單-或多環的脂族環系統。鍵結於R之特別較佳R¹ 原子團在各情況下係相同或互異且為H、F、CN、具有1至5個碳原子的直鏈烷基基團或具有3至5個碳原子之支鏈或環狀烷基基團(彼等各可經一或多個R² 原子團所取代)、或是具有5至13個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個相鄰的R¹ 原子團可一起可形成單-或多環的脂族環系統。

較佳的R² 原子團在各情況下係相同或互異的且為H、F、或具有1至5個碳原子之脂族烴基原子團或具有6至12個碳原子之芳族烴基原子團；同時，二或多個R² 取代基亦可一起形成單-或多環的脂族環系統。

前述之較佳體系可視需要相互併合。於本發明之一特別較佳體系中，前述較佳體系可同時適用。

本發明之適當結構的例子係下文所描述的化合物。

本發明之銥錯合物係掌性結構。若錯合物之三足配位基加之亦為掌性，則有可能形成非鏡像異構物及多個鏡像異構物對。在該情況下，本發明之錯合物包括不同非鏡像異構物或對應消旋物的混合物，也包括個別單離出的非鏡像異構物或鏡像異構物。

若將具有二個相同子配位基之C_s -對稱配位基用於錯合化反應，通常會得到C₁ -對稱錯合物的消旋混合物，亦即，Δ及Λ鏡像異構物的消旋混合物。彼等可藉由標準的方法(於掌性物質∕管柱上進行的層析法或是藉由結晶法進行的光學離析)分離。這示於下文的流程，使用帶有二個相同苯基吡啶子配位基的C_s -對稱配位基之例且亦類似地適用於所有其他C_s -對稱配位基。

經由非鏡像異構鹽對之分段結晶法的光學離析可藉由慣用的方法來執行。就此目的而言的選擇之一係：將未荷電的Ir(III)錯合物氧化(例如，使用過氧化物或H₂ O₂ 或藉由電化學手段)；將鏡像異構純的單陰離子鹼(掌性鹼)的鹽添加至因此所產生的陽離子性Ir(IV)錯合物；藉由分段結晶法，將因此所產生的非鏡像異構鹽分離出來；然後藉助於還原劑(例如，鋅、肼水合物、抗壞血酸等)，將彼等還原，而得到鏡像異構純的未荷電錯合物，如下列示意圖所示地：

此外，藉由在掌性介質(例如，R-或S-1,1-聯萘酚)的錯合化作用，可能實現鏡像異構純或富含鏡像異構的合成。

使用C₁ -或C_s -對稱配位基的錯合物亦可進行類似的方法程序。

若將C₁ -對稱配位基用於錯合化，通常會得到的係錯合物的非鏡像異構物混合物，彼等可藉由標準的方法(層析法，結晶法)分離。

本發明之化合物原則上可藉由各種方法製備得。一般而言，為達此目的，銥鹽係與對應的自由配位基反應。

因此，本發明還提供了供製備本發明之化合物的方法，其係令適宜的自由配位基與式(52)之銥烷氧化物反應，與式(53)之銥二酮酸鹽(iridium ketoketonates)反應，與式(54)之銥鹵化物反應或與式(55)之銥羧酸鹽反應，

其中R具有前文所給定的定義，Hal= F、Cl、Br或I且銥反應物亦可採取對應水合物的形式。在此，R較佳為具有1至4個碳原子之烷基基團。

同樣地可能使用銥化合物，其同時帶有烷氧化物及∕或鹵化物及∕或羥基以及二酮酸根原子團。此等化合物亦可為荷電的。特別適合作為反應物的對應銥化合物係揭示於WO 2004∕085449。特別適當的是[IrCl₂ (acac)₂ ]^- (例如，Na[IrCl₂ (acac)₂ ])、帶有乙醯丙酮酸衍生物作為配位基之金屬錯合物(例如，Ir(acac)₃ 或參(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮酸)銥)、以及IrCl₃ ·xH₂ O(其中，x通常為2至4的數目)。

錯合物的合成較佳如於WO 2002/060910以及於WO2004/085449所述地來進行。在此情況下，合成亦可，例如，藉由，熱或光化學手段及∕或藉由微波輻射，加以活化。此外，合成還可於壓力增大及∕或溫度升高的熱壓器內進行。

反應可在未將溶劑或熔化助劑添加至待o-金屬化之對應配位基之熔體的情況下進行。任意地亦可添加溶劑或熔化助劑。適當的溶劑係質子或非質子溶劑，諸如，脂族及∕或芳族醇類(甲醇、乙醇、異丙醇、第三丁醇等等)、寡聚-及多元醇類(乙二醇、丙烷-1,2-二醇、甘油等)；醇醚類(乙氧基乙醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇等)；醚類(二-及三乙二醇二甲醚、苯醚等)；芳族、雜芳族及∕或脂族烴類(甲苯、二甲苯、均三甲苯、氯基苯、吡啶、二甲吡啶、喹啉、異喹啉、十三烷、十六烷等)；醯胺類(DMF、DMAC等)；內醯胺類(NMP)；亞碸類(DMSO)或碸類(二甲亞碸、環丁碸等等)。適當的熔化助劑係於室溫下呈固體形式，但在加熱反應混合物時熔化且會溶解反應物而形成均質熔體形式的化合物。特別適合者係聯苯、間聯三苯、聯伸三苯、R-或S-聯萘酚或是對應消旋物、1,2-、1,3-、1,4-雙苯氧基苯、氧化三苯基膦、18-冠醚-6、酚、1-萘酚、氫醌等。在此，特別較佳的係使用氫醌。

藉由此等方法(視需要，後接純化，例如，再結晶或昇華)，可以高純度(較佳大於99%，藉由¹ H-NMR及∕或HPLC測定得)得到本發明之式(1)化合物。

藉由適當的取代，例如，經相對較長的烷基基團(約4至20個碳原子，尤指支鏈的烷基基團)，或任意經取代之芳基基團(例如，二甲苯基、三甲苯基或是支鏈的聯三苯或四聯苯基團)所取代，亦可使本發明之化合物具可溶性。另一可導致金屬錯合物的溶解度有明顯改進的特定方法係使用稠合上的脂族基團，例如，如前文所揭示之式(45)至(51)所示者。於是，如此化合物可於室溫下，溶於標準的有機溶劑內，例如，甲苯或二甲苯，呈足以能夠由溶液加工該錯合物的濃度。此等可溶化合物特別適於由溶液所進行的加工，例如，印刷加工法。

對於由液相藉由，例如，旋轉塗佈或印刷方法，來進行本發明銥錯合物的加工而言，本發明之銥錯合物的調配物係有需要的。此等調配物可為，例如，溶液、分散液或乳液。就此目的而言，較佳的係使用二或多種溶劑的混合物。適當且較佳的溶劑係，例如，甲苯；大茴香醚；鄰-、間-或對二甲苯；苯甲酸甲酯；均三甲苯；四氫萘；藜蘆素；THF；甲基-THF；THP；氯基苯；二㗁烷；苯氧基甲苯(尤指3-苯氧基甲苯)；(-)-葑酮肟；1,2,3,5-四甲基苯；1,2,4,5-四甲基苯；1-甲基萘；2-甲基苯並噻唑；2-苯氧基乙醇；2-吡咯啶酮；3-甲基大茴香醚；4-甲基大茴香醚；3,4-二甲基大茴香醚；3,5-二甲基大茴香醚；苯乙酮；α-萜品醇；苯並噻唑；苯甲酸丁酯；異丙苯；環己醇；環己酮；環己基苯；十氫萘；十二基苯；苯甲酸乙酯；茚烷；NMP；對-異丙基甲苯；苯乙醚；1,4-二異丙基苯；二苄基醚；二乙二醇丁基甲基醚；三乙二醇丁基甲基醚；二乙二醇二丁基醚；三乙二醇二甲基醚；二乙二醇單丁基醚；三丙二醇二甲基醚；四乙二醇二甲基醚；2-異丙基萘；戊基苯；己基苯；庚基苯；辛基苯；1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基茚烷、2-甲基聯苯、3-甲基聯苯、1-甲基萘、1-乙基萘、辛酸乙酯、癸二酸二乙酯、辛酸辛酯、庚基苯、異戊酸薄荷腦酯、己酸環己酯或此等溶劑的混合物。

因此，本發明進一步提供了一種調配物，其包含至少一個本發明之化合物以及至少一個其他的化合物。該其他的化合物可為，例如，溶劑，尤指前述溶劑中之一者或此等溶劑之混合物。該其他化合物或者可為其他的有機或無機化合物，其同樣可用於電子裝置，例如，基質材料。此其他的化合物亦可為聚合性的。

本發明之化合物可用於電子裝置作為主動元件(active component)，較佳作為發光層內的發光體或作為電洞-或電子傳輸層內的電洞或電子傳輸材料，或是作為氧敏化劑或作為光起始劑或光觸媒。因此，本發明還提供了本發明化合物用於電子裝置或作為氧敏化劑或作為光起始劑或光觸媒的用途。本發明之鏡像異構純的銥錯合物適合作為掌性光誘導合成法的光觸媒。

本發明還提供了包含至少一個本發明之化合物的電子裝置。

電子裝置應理解為意指包含陽極、陰極或至少一層的任何裝置，其中該層包含至少一個有機或有機金屬化合物。因此，本發明之電子裝置係包含陽極、陰極以及至少一層含有至少一個本發明之銥錯合物的層。較佳的電子裝置係選自：有機電致發光裝置(OLED，PLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)(其應理解為意指純有機太陽能電池以及染料敏化太陽電池)、有機光學偵檢器、有機光接收器、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、氧感測器或是有機雷射二極體(O-雷射)，於至少一層內包含至少一個本發明之化合物。於紅外線發光的化合物適合用於有機紅外線發光裝置以及紅外線感測器。特別較佳的是有機電致發光裝置。主動元件通常係有機或無機的材料，彼等係導入於陽極及陰極之間，例如，電荷注入、電荷傳輸或電荷阻擋材料，但是，尤指發光材料及基質材料。本發明之化合物在作為有機電致發光裝置之發光材料上，呈現出特別優良的性質。因此，本發明之一較佳體系係有機電致發光裝置。此外，本發明之化合物可用於產生單重態氧或用於光催化作用。

有機電致發光裝置係包含陰極、陽極及至少一層發光層。除了此等層之外，其還亦可包含其他的層，例如在各情況下可為：一或多層電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、電荷產生層及∕或有機或無機p∕n型接面。在此情況下，一或多個電洞傳輸層有可能係p-摻雜的，例如，經金屬氧化物，諸如，MoO₃ 或WO₃ ，或是經(過)氟化的缺電子芳族化合物或經缺電子之經氰基取代的雜芳族或經缺電子之氰基取代的雜芳族(例如，根據JP 4747558、JP 2006-135145、US 2006/0289882、WO 2012/095143)、或經醌系統(例如，根據EP1336208)或經路易士酸類、或經硼烷類(例如，根據US 2003/0006411、WO 2002/051850、WO 2015/049030)或經主族元素3、4或5的羧酸鹽類(WO 2015/018539)所摻雜；且∕或一或多層電子傳輸層可能為n-摻雜的。

同樣亦可能將間層導入二層發光層之間，彼等具有，例如，阻擋激子的功能及∕或控制電致發光裝置內的電荷平衡及∕或產生電荷(電荷產生層，例如，於具有二或多層發光層之層系統內，例如，於發白光的OLED元件內)。然而，應當指出的是，並非每一此等層皆需存在。

在此情況下，有機電致發光裝置可能含有一層發光層，或是其可能含有多層發光層。若有多層發光層存在，則彼等較佳具有在380 nm及750 nm整體之間的多個發光最大值，因而整體導致白色發光；換言之，有可發螢光或發磷光的各種發光化合物用於發光層。尤其較佳的是三層系統，其中該三層呈現出藍色、綠色及橘色或紅色的發光(有關基本的結構，參見，例如，WO 2005/011013)；或是具有三層以上發光層的系統。該系統亦可為混合系統，其中有一或多層係發螢光且有一或多其他層係發磷光的。較佳的體系乃串聯式OLED。發白光的有機電致發光裝置可用於照明的應用領域或是與濾色器一起用於全色彩顯示器。

於本發明之一較佳體系中，有機電致發光裝置在一或多層的發光層內包含本發明之銥錯合物作為發光化合物。

當本發明之銥錯合物用作為發光層內的發光化合物時，其較佳與一或多個基質材料併用。本發明之銥錯合物與基質材料之混合物包含0.1至99體積%(較佳為1至90體積%，更佳為3至40體積%且尤指5至15體積%)之本發明的銥錯合物，基於發光體及基質材料之整體混合物。相對應地，該混合物含有99.9至1體積%(較佳為99至10體積%，更佳為97至60體積%且尤指95至85體積%)之基質材料，基於發光體及基質材料之整體混合物。

所使用之基質材料通常可為根據先前技術已知可供此目地之用的任何材料。基質材料的三重態能級(triplet level)較佳高於發光體的三重態能級。

對於本發明之化合物適合的基質材料係：酮類；氧化膦類；亞碸及碸類，例如，根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680者；三芳基胺類；咔唑衍生物，例如，CBP(N,N-二咔唑基聯苯)；m-CBP或揭示於WO2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784的咔唑衍生物；二咔唑衍生物；吲哚並咔唑衍生物，例如，根據WO 2007/063754或WO 2008/056746者；茚並咔唑衍生物，例如，根據WO 2010/136109或WO 2011/000455者；氮雜咔唑衍生物，例如，根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160者；雙極性基質材料，例如，根據WO 2007/137725者；矽烷類，例如，根據WO 2005/111172者；氮雜硼雜環戊烯類(azaboroles)或硼酸酯類，例如，根據WO 2006/117052者；二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)衍生物，例如，根據WO 2010/054729者；二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物，例如，根據WO 2010/054730者；三嗪衍生物，例如，根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746者；鋅錯合物，例如，根據EP 652273或WO 2009/062578者；二苯並呋喃衍生物，例如，根據WO 2009/148015或WO 2015/169412者；或是橋聯的咔唑衍生物，例如，根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877者。就溶液加工之OLED而言適當的基質材料亦為聚合物(例如，根據WO 2012/008550或WO 2012/048778者)、寡聚物或樹枝狀聚合物(例如，根據Journal of Luminescence 183 (2017), 150-158者)。

亦較佳的是，採用呈混合物形式之數個不同的基質材料，尤指至少一個電子傳導基質材料以及至少一個電洞傳導基質材料的混合物。較佳的組合為，例如，使用芳族酮、三嗪衍生物或氧化膦衍生物與三芳基胺衍生物或咔唑衍生物作為本發明金屬錯合物的混合基質。同樣較佳的是使用電荷傳輸基質材料與未顯著涉及(若有的話)電荷傳輸之電惰性的基質材料[稱作為「寬能隙主體」(wide bandgap host)]的混合物，例如，如WO 2010/108579或WO 2016/184540所敘述者。同樣較佳的是使用二種電子傳輸基質材料，例如，三嗪衍生物與內醯胺衍生物，例如，如WO 2014/094964所敘述者。

下文所描述的是適合作為本發明化合物之基質材料的化合物例子。

可用作為電子傳輸基質材料的三嗪類及嘧啶類例子係下列結構：

可用作為電子傳輸基質材料的內醯胺類例子係下列結構：

可用作為電子傳輸基質材料的酮衍生物例子係下列結構：

可用作為電子傳輸基質材料的金屬錯合物例子係下列結構：

可用作為電子傳輸基質材料的氧化膦類例子：

依取代模式可用做電洞-或電子-傳輸基質材料之廣義的吲哚並-及茚並咔唑衍生物例子係下列結構式：

依取代模式可用作為電洞-或電子-傳輸基質材料之咔唑衍生物的例子係下列結構：

可用作為電洞-傳輸基質材料之橋聯咔唑衍生物的例子：

可用作為電洞傳輸基質材料之二咔唑衍生物的例子：

可用作為電洞傳輸基質材料之胺類的例子：

可用作為寬能隙基質材料之材料的例子：

另外較佳的是，使用二或多個三重態發光體(尤指二或三個三重態發光體)連同一或多個基質材料的混合物。在此情況下，具有較短波之發光光譜的三重態發光體係充作為具有較長波發光光譜之三重態發光體的共基質(co-matrix)。例如，本發明之金屬錯合物可與在較短波長發光(例如，發藍光、綠光或黃光)之作為共基質的金屬錯合物併合。例如，本發明之金屬錯合物有可能用作為在較長波長下發光之三重態發光體(例如，紅色-發光三重態發光體)的共基質。在此情況下，亦較佳的是當在較短波長及較長波長發光之金屬錯合物皆為本發明之化合物時。在使用三個三重態發光體之混合物的情況下，較佳的體系係當有二者作為共主體(co-host)而有一者作為發光材料時。此等三重態發光體較佳具有綠色、黃色及紅色或是藍色、綠色及橘色的發光顏色。

發光層內之較佳混合物包含電子傳輸主體材料(稱作為「寬能隙」主體材料，基於其電子性質，其在層內未涉及電荷傳輸至顯著的程度(若有涉及的話))、共摻雜劑(其係三重態發光體，於較本發明之化合物短的波長發光)、以及本發明之化合物。

發光層內之另一較佳混合物包含電子傳輸主體材料(稱作為「寬能隙」主體材料，基於其電子性質，其在層內未涉及電荷傳輸至顯著的程度(若有涉及的話))、電洞傳輸主體材料、共摻雜劑(其係三重態發光體，於較本發明之化合物短的波長發光)、以及本發明之化合物。

本發明之化合物亦可用於電子裝置內之其他功能，例如，在電洞注入或傳輸層中作為電洞傳輸材料、作為電荷產生材料、做為電子阻擋材料、作為電洞阻擋材料或作為電子傳輸材料(例如，於電子傳輸層內)。本發明之錯合物同樣可能用於其他磷光金屬錯合物的發光層內作為基質材料。

較佳的陰極係具有低工作函數之金屬、金屬合金或是由各種金屬組成的多層結構，例如，鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如，Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。另外亦適合的是由鹼金屬或鹼土金屬及銀所組成的合金，例如，由鎂及銀組成的合金。在多層結構的情況下，除了前文所提到的金屬之外，亦可使用具有相對較高工作函數的其他金屬，諸如，Ag，在該情況下，通常係使用金屬的組合，諸如，Mg∕Ag、Ca∕Ag或Ba∕Ag。亦較佳的是，將具有高介電常數之材料的薄間層導入金屬陰極與有機半導體之間。對此目的而言，可用之材料的例子係鹼金屬或鹼土金屬氟化物，但還有對應的氧化物或碳酸鹽(例如，LiF、Li₂ O、BaF₂ 、MgO、NaF、CsF、Cs₂ CO₃ 等等)。有機鹼金屬錯合物，例如，Liq[喹啉酸鋰(lithium quinolinate)]，同樣亦適用於此目的。此層的層厚度較佳在0.5至5 nm之間。

較佳的陽極係具有高工作函數的材料。較佳的是，陽極具有大於4.5 eV對真空的工作函數。首先，適於此目的者係具有高還原氧化電位的金屬，例如，銀、鉑或金。其次，金屬∕金屬氧化物電極(例如，Al/Ni/NiO_x 、Al/PtO_x )亦可為較佳者。就某些應用而言，至少有一個電極必須是透明的或部分透明的，俾便使有機材料(O-SC)能夠照射或光能夠發光(OLED/PLED，O-雷射)。在此，較佳的陽極材料係導電性的混合金屬氧化物。特別較佳的是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。進一步較佳的是導電性摻雜的有機材料，尤指導電性的摻雜聚合物，例如，PEDOT、PANI或此等聚合物的衍生物。另外較佳的是當p-摻雜之電洞傳輸材料應用作為電洞注入層的陽極之時，在該情況下，適當的p-摻雜劑係金屬氧化物(例如，MoO₃ 或WO₃ )、或是(過)氟化缺電子芳族系統。其他適當的p-摻雜劑有HAT-CN(六氰基六氮雜聯伸三苯)或購自Novaled的化合物NPD9。如此之層簡化了注入具有低HOMO之材料(亦即，就量級而言大的HOMO)的電洞注入。

在其他層內，通常可能使用根據先前技術可用於此等層之任何材料，且習於此藝之士在未行使創新的技術的情況下，能夠將任何此等材料以及本發明之材料併合於電子裝置。

可用於本發明之有機電致發光裝置的電洞注入或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層的適當電荷傳輸材料係例如，揭示於Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010的化合物，或是根據先前技術用於此等層的其他材料。可用於本發明之電致發光裝置內之電洞傳輸、電洞注入或電子阻擋層之較佳電洞傳輸材料係茚並茀胺衍生物(例如，根據WO 06/122630或WO 06/100896者)、揭示於EP 1661888的胺衍生物、六氮雜聯三苯衍生物(例如，根據WO 01/049806者)、具有稠合芳族系統的胺衍生物(例如，根據US 5,061,569者)、揭示於WO 95/09147的胺衍生物、單苯並茚並茀胺類(例如，根據WO 08/006449者)、二苯並茚並茀胺類(例如，根據WO 07/140847者)、螺環聯茀胺類(例如，根據WO 2012/034627、WO 2014/056565者)、茀胺類(例如，根據EP 2875092、EP 2875699及EP 2875004者)、螺環二苯並哌喃胺類(例如，根據EP 2780325者)及二氫吖啶衍生物(根據WO 2012/150001者)。

裝置係相應地(視應用而定)結構化(structured)，設置觸點且最後進行密封，因為，在有水及∕或空氣存在下，如此裝置的壽命會大幅地縮短。

進一步較佳的是特徵如下的有機電致發光裝置：有一或多層係藉由昇華程序進行塗覆。在此情況下，該材料係藉由在真空昇華系統內，於通常小於10^-5 毫巴(較佳小於10^-6 毫巴)之初壓力下的蒸鍍塗佈。初壓力亦可能甚至更低或甚至更高，例如，低於10^-7 毫巴。

同樣較佳的是特徵如下的有機電致發光裝置：有一或多層藉助OVPD(有機氣相沉積)方法或藉助載體氣體昇華法塗覆。在此情況下，該材料係於10^-5 毫巴至1巴的壓力下塗覆。此方法之一特別例子為OVJP(有機蒸氣噴印)方法，其中該材料係透過噴嘴直接塗佈且因而結構化(例如，M. S. Arnoldet al. ,Appl. Phys. Lett. 2008,92 , 053301)。

另外較佳的是特徵如下的有機電致發光裝置：有一或多層係由溶液，例如，藉由旋轉塗佈法，或是藉助於任何印刷方法，例如，網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法或噴嘴印刷法[但特別較佳為LITI(光誘致熱成像法、熱轉印法)]或是噴墨印刷法，製造得的。就此目的而言，可溶性化合物係必需的，彼等可透過，例如，適當的取代而得到。

有機電致發光裝置亦可藉由溶液施佈一或多層且藉由蒸鍍法施佈一或多層其他的層而以混合系統(hybrid system)製造得的。例如，可能自溶液塗佈包含本發明之金屬錯合物以及基質材料的發光層，且藉由在減壓下的蒸鍍法，於發光層上塗佈電洞阻擋層及∕或電子傳輸層。

此等方法一般而言對於習於此藝之士係已知的且可被習於此藝之士毫無困難地應用於包含式(1)化合物或前文詳述之較佳體系的有機電致發光裝置。

本發明之電子裝置(尤指有機電致發光裝置)以優於先前技術之一或多個下列令人驚訝的優點而引人注目：
1. 本發明之金屬錯合物可在特別短的反應時間及相對低的溫度下，以非常高的產率及非常高的純度合成得。
2. 本發明之金屬錯合物具有極佳的熱安定性，這亦呈現於錯合物的昇華。詳而言之，本發明之錯合物較具有三個鄰位金屬化配位基之類似多足錯合物顯示出較低的昇華溫度。因此，本發明之化合物對於藉由真空蒸鍍法的加工具有非常好的適應性。
3. 本發明之金屬錯合物具有非常好的水解安定性。詳而言之，與含有乙醯丙酮酸衍生物作為配位基(但其中配位基不具有多足的橋聯)的情況相較之下，水解安定性好很多。因此，本發明之化合物對於由溶液的加工亦具有非常好的安定性。
4. 包含本發明之金屬錯合物作為發光材料之有機電致發光裝置具有非常好的壽命。這甚至對於簡單的OLED(其中本發明之金屬錯合物係併入單一基質 – 亦即基質與主體材料)而言尤其如此。
5. 包含本發明之金屬錯合物作為發光材料之有機電致發光裝置具有優越的效率且顯示出定向的發光(oriented emission)。

前文所提及之此等優點並不伴隨有其他電子性質的減損。

茲藉由下文的實施例，對本發明進行更詳盡的說明，無意藉此而限制本發明。習於此藝之士能夠使用所給定的細節，在未行使創新的技術下，製造出本發明之其他電子裝置，且因而能夠實施整個請求專利範圍的發明。

實施例

除非另有指明，下面的合成係於保護氣體氣氛中、無水溶劑內進行的。金屬錯合物另外還於排除光的情況下或於黃色光下處理。溶劑及試劑可購自，例如，Sigma-ALDRICH或ABCR。於方括號內的各別數字或標明個別化合物的數字係相關文獻上已知化合物的CAS編號。在可具有出多個互變異構體形式之化合物的情況下，代表性地顯示出一個互變異構形式。

A：合成子S的合成–第1部分：
實施例S1：

根據Casey, Brian M. et al., Beilstein Journal of Organic Chemistry, 9, 1472-1479, 2013的製備。

在非常充分的攪拌下，將10.3 g (100 mmol)之乙醯丙酮[123-54-6]逐滴添加至2.6 g (110 mmol)之NaH 於300 ml THF所形成之已冷卻至0℃的懸浮液中(注意：有氫產生)，並且將該混合物攪拌另外15分鐘。然後，逐滴添加42.0 ml (105 mmol)正丁基鋰(2.5M，於正己烷中)，並且將該混合物攪拌另外15分鐘。然後，在非常充分的攪拌下，將25.0 g (100 mmol)之2-溴基苄基溴[3433-80-5]於25 ml THF所形成之冷卻至0℃的溶液一次全部添加。將該混合物攪拌另外10分鐘，將冰浴移除，並且令該混合物於30分鐘期間溫熱至15℃並且藉由添加逐滴添加110 ml之2N含水HCl，進行水解。移出水相並且用乙酸乙酯萃取三次(每次200 ml)。用飽和的氯化鈉溶液清洗合併的有機相二次(每次300 ml) ，並且令其經硫酸鎂乾燥。於減壓下去除溶劑後，於自動管柱系統(CombiFlash Torrent from A. Semrau)內，對油狀殘留物進行層析。產量：12.4 g (46 mmol)，46%。純度：約97% (藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可能製備得下列化合物：

實施例S50：

將26.9 g (100 mmol)之2-(3-氯基-5-甲氧基苯基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷[929626-16-4]、31.0 g (100 mmol)之2-(2’-溴基[1,1’-聯苯]-4-基)吡啶[1374202-35-3]、21.2 g (200 mmol)碳酸鈉、788 mg (3 mmol)三苯基膦、225 mg (1 mmol)乙酸鈀(II)、300 ml甲苯、100 ml乙醇以及300 ml水之混合物加熱回流48小時。冷卻後，用300 ml甲苯擴充該混合物，並且移出有機相，用500 ml水清洗一次並且用500 ml飽和的氯化鈉溶液清洗一次，並且令其經硫酸鎂乾燥。溶劑去除之後，於矽膠上對殘留物進行層析(正庚烷∕乙酸乙酯，2：1 v/v)。產量：28.4 g (76 mmol)，76%。純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例S100：

將37.2 g (100 mmol) S50、31.0 g (100 mmol)之5-(2-溴苯基)-2-苯基吡啶[1989597-29-6]、21.2 g (200 mmol)之碳酸鈉、1.23 g (3 mmol) SPhos、449 mg (2 mmol)之乙酸鈀(II)、300 ml甲苯、100 ml乙醇以及300 ml水之混合物加熱回流16小時。冷卻後，用300 ml甲苯擴充該混合物，並且移出有機相，用500 ml水予以清洗一次並且用500 ml飽和的氯化鈉溶液清洗一次，並且令其經硫酸鎂乾燥。溶劑去除之後，於矽膠上對殘留物進行層析(正庚烷∕乙酸乙酯，2：1 v/v)。產量：40.3 g (71 mmol)，71%。純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例S200：

於水分離器上，將55.6 g (100 mmol) S100及115.6 g (1 mol)吡啶鎓鹽酸鹽[628-13-7]加熱至200℃，歷時3小時，不時地排出餾出液。冷卻後，將1000 ml冰水添加至該反應混合物，將產物結晶化。令該混合物於冷藏庫內靜置一整夜，抽氣過濾出晶體，用少量冰水清洗並且於減壓下乾燥。產量：55.0 g (87 mmol)，87%；純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例S300：

在充分攪拌下，將34 ml (200 mmol)三氟甲烷磺酸酐[358-23-6]逐滴添加至55.6 g (100 mmol)之S200於500 ml二氯甲烷與100 ml吡啶之混合物所形成的已冷卻至0℃的溶液中。令該反應混合物溫熱至室溫並且予以攪拌另外16小時，邊攪拌邊將其倒入1000 ml冰水內並且另外攪拌10分鐘，移出有機相並且用300 ml二氯甲烷萃取水相三次(每次300 ml)。用300 ml冰水清洗合併的有機相二次(每次300 ml)並且用500 ml飽和的氯化鈉溶液清洗一次，並且令其經硫酸鎂乾燥。令於減壓下去除二氯甲烷後所得到的蠟狀物自乙腈再結晶析出。產量：60.5 g (88 mmol)，88%；純度：約95%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例S400：

在充分攪拌下，將41.8 ml (300 mmol)三乙胺添加至68.5 g (100 mmol)之S300及二氯化雙(二苯基膦基)鈀x DCM於500 ml二㗁烷所形成的溶液中，然後以逐滴的方式，添加29.0 ml (200 mmol)之4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]-二氧雜硼雜環戊烷，並且將該混合物加熱回流16小時。冷卻後，於減壓下，將該混合物濃縮至乾，並且將油狀物納入500 ml乙酸乙酯中，用水清洗三次(每次300 ml)並且用300 ml飽和的氯化鈉溶液清洗一次，並且令其經硫酸鎂乾燥，而且使用矽膠床(於乙酸乙酯漿狀物內)，過濾出乾燥劑。於減壓下，移除溶劑並且令殘留物自乙腈(添加了少量乙酸乙酯)再結晶析出。產量：49.7 g (75 mmol)，75%；純度：約95%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

B：配位基L的合成：
實施例L1：

將66.3 g (100 mmol)之2,2’-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-[1,1’:2’,1”:3”,1’’’:2’’’,1’’’’-五苯基]-4,4’’’’-二基]雙吡啶[1989597-72-9]、29.6 g (110 mmol)之S1、31.8 g (300 mmol)碳酸鈉、1.23 g (3 mmol)之SPhos、449 mg (2 mmol)乙酸鈀(II)、300 ml甲苯、100 ml乙醇以及300ml水的混合物加熱回流18小時。冷卻後，用乙酸將pH調整至6-7，移出有機相，用甲苯萃取水相三次(每次100 ml)，並且用300 ml水清洗合併的有機相一次且用500 ml的飽和氯化鈉溶液清洗一次，並且令其經硫酸鈉乾燥。在去除溶劑後，對殘留物進行層析(A. Semrau的CombiFlash Torrent)。產量：50.0 g (69 mmol)，69%；純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例L100：

與實施例L1類似的程序，但是使用3,3’-[5’-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-[1,1’:3’,”-三苯基]-2,2”-二基]雙[6-苯基吡啶][1989597-70-7]，而非2,2’-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-[1,1’:2’,1”:3”,1’’’:2’’’,1’’’’-五苯基]-4,4’’’’-二基]雙吡啶[1989597-72-9]。產量：53.2g(73 mmol)，73%；純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

實施例L200：

與實施例L1類似的程序，但是使用S400，而非2,2’-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基)-[1,1’:2’,1”:3”,1’’’:2’’’,1’’’’-五苯基]-4,4’’’’-二基]雙吡啶[1989597-72-9]。產量：53.0g(72 mmol)，72%；純度：約97%(藉由¹ H NMR)。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

C：金屬錯合物的製備
實施例Ir(L1)：

變型A：

將7.25 g (10 mmol)之配位基L1、4.90 g (10 mmol)之參乙醯基丙酮基銥(III)[15635-87-7]及120 g氫醌[123-31-9]的混合物先裝填入1000 ml雙頸圓底燒瓶(裝備有玻璃套管磁棒)。該燒瓶配備了水分離器(供密度低於水的介質所用)以及空氣冷凝器(帶有氬圍包)。將該燒瓶置於金屬加熱包內。經由氬氣圍包系統，由頂部沖洗裝置15分鐘，讓氬氣由該雙頸燒瓶的側頸流出去。通過雙頸燒瓶的側頸，將玻璃套管Pt-100熱電偶導入燒瓶並且讓末端剛好位於磁攪拌棒的上方。然後，用家庭用鋁箔紙寬鬆地纏繞數圈，使該裝置絕熱，該絕熱係執行上到水分離器的垂直上升管。然後，使用加熱的實驗攪拌器系統，將該裝置快速加熱至250-255℃(使用浸入在熔化之已攪拌反應混合物內的Pt-100熱感器測量)。在接下來的1小時期間，將該反應混合物維持在250-255℃，於該期間有少量的冷凝液蒸餾出，將其收集於水分離器內。1小時後，令該混合物冷卻至190℃，移走加熱包，然後逐滴添加100 ml乙二醇。冷卻至100℃後，緩慢地逐滴添加400 ml甲醇。令如此所得到的米色懸浮液過濾通過雙端濾片(double-ended frit)，並且用50 ml甲醇清洗該米色的固體三次，然後，於減壓下進行乾燥。粗製產量：定性。將如此所得到的固體溶於200 ml二氯甲烷並且於黑暗中、排除空氣的情況下，令其過濾通過約1 kg之呈二氯甲烷漿體形式的矽膠(管柱直徑約18 cm)，將黑色的成份留在起點。截出核心級份並且於旋轉式蒸發器上進行濃縮，同時連續地逐滴添加甲醇，直到結晶析出為止。在抽氣過濾後，用少量甲醇清洗並且於減壓下乾燥，在小心排除空氣及光的情況下，藉由使用二氯甲烷∕乙腈1：1(v∕v)進行連續熱萃取五次(在各情況下，起始裝填的量係約200 ml，萃取套筒：Whatman之纖維素製標準Soxhlet套筒)，進一步純化該橘色產物。經由二氯甲烷(低沸點物及良好的溶解劑)：乙腈(高沸點物及不良的溶解劑)的比例，可調節損失到母液內的損失。其典型上應為所使用之量的3-6%。熱萃取亦可使用其他溶劑，諸如，甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等來完成。最後，令產物在390℃、高真空下進行昇華。產量：5.95 g (6.1 mmol)，61%；純度：＞ 99.9%(藉由HPLC)。

變型B：

與Ir(L1)變型A類似的程序，但是使用300 ml乙二醇[111-46-6]，而非120 g氫醌且混合物係於190℃下攪拌16小時。冷卻至70℃後，用300 ml乙醇稀釋混合物，並且抽氣過濾出固體(P3)，用乙醇(每次100 ml)清洗三次，然後於減壓下乾燥。如變型A所敘述地，執行進一步的純化。產量： 6.35 g (6.5 mmol)，65%；純度：＞ 99.9%(藉由HPLC)。

變型C：

與Ir(L1)變型B類似的程序，但是使用3.53 g (10 mmol)氯化銥x n H₂ O (n係約3)，而非4.90 g (10 mmol)之參乙醯基丙酮基銥(III) [15635-87-7]，並且使用300 ml之2-乙氧基乙醇∕水(3：1，vv)，而非120 g氫醌，並且於回流下，將混合物攪拌30小時。冷卻後，抽氣過濾出固體(P3)，用乙醇(每次30 ml)清洗三次，然後在減壓下乾燥。如變型B所敘述地執行進一步純化。產量：4.67 g (5.1 mmol)，51%；純度：＞ 99.9%(藉由HPLC)。

金屬錯合物通常係以Λ及Δ異構物∕鏡像異構物之1：1混合物的形式得到。下文所舉出之錯合物的圖像通常係僅顯示一個異構物。若使用具有三個不同子配位基的配位基，或使用掌性配位基作為消旋物，則衍生的金屬錯合物係以非鏡像異構物混合物的形式得到。彼等可藉由分段結晶法或層析法分離，例如，使用自動管柱系統(A. Semrau之CombiFlash)。若掌性配位基係以鏡像異構純的形式使用，則衍生的金屬錯合物係以非鏡像異構物混合物的形式得到，其藉由分段結晶法或層析法的分離可導致產生純鏡像異構物。分離出的非鏡像異構物或鏡像異構物可如前文所述地進一步純化，例如，藉由熱萃取法。

下文之非鏡像異構物1係指在薄膜層析試片(Merck之TLC矽膠60 F₂₅₄ ，使用乙酸乙酯作為洗提劑)上顯示出較大Rf的非鏡像異構物；非鏡像異構物2係指顯示出較小Rf的非鏡像異構物。

依類似的方式，可製備得下列化合物：

昇華溫度及速率：

與具有三個似苯基吡啶之子配位基的三足錯合物相較之下，本發明之化合物在較低溫度下昇華且在給定的昇華溫度下有較高的昇華速率(g∕h)，詳見下表。確切的溫度及昇華速率一直都係取決於確切的壓力以及所使用之昇華裝置的特定幾何形狀。於各情況下，在相同的裝置內，溫度及昇華速率係於約10^-5 毫巴的基礎壓力下測定的。

實施例： OLED的製造
1) 真空加工裝置：

本發明之OLED及根據先前技術之OLED係藉由根據WO 2004/058911的通用方法製造得的，該方法已經過調整適用於本文所敘述的情況(層厚度的變化，所使用的材料)。

各種OLED的結果呈現於下文的實施例。用UV臭氧(UVP之PR-100 UV臭氧發生器)預處理經厚度50 nm之結構化ITO(銦錫氧化物)塗覆之乾淨的玻璃板(於Miele實驗室的玻璃清潔器內清洗，Merck Extran清潔劑)25分鐘，而且在30分鐘之內，用20 nm PEDOT：PSS(聚(3,4-乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸酯)，購自Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland的CLEVIOS™ P VP AI 4083，由水溶液旋轉塗佈)塗覆，以改善加工，然後在180℃下烘烤10分鐘。此等經塗覆的玻璃板形成塗佈OLED的基板。OLED基本上具有下列層結構：基板∕電洞傳輸層1(HTL1)，由經5% NDP-9(購自Novaled)摻雜的HTM所組成，20 nm∕電洞傳輸層2(HTL2)∕任意的電子阻擋層(EBL)∕發光層(EML)∕任意的電洞阻擋層(HBL)∕電子傳輸層(ETL)∕任意的電子注入層(EIL)以及最後的陰極。該陰極係由厚度100 nm的鋁層所形成的。

首先，對真空加工的OLED進行說明。為達此目地，於真空室中，藉由熱蒸鍍法，塗佈所有的材料。在此情況下，發光層一直都是由至少一基質材料(主體材料)及發光摻雜劑(發光體)所組成，該摻雜劑係藉由共蒸鍍法，以特定的體積比例添加至基質材料或複數個基質材料。在此，於諸如M1：M2：Ir(L2) (55%：35%：10%)之形式所給定的詳細信息意指材料M1係以55體積%比出現於該層中，M2係以35體積%的比例出現在該層中，且Ir(L1)係以10體積%的比例出現於該層中。類似地，電子傳輸層亦可由二種材料的混合物所組成。OLED的精確結構可見於表2。用於製造OLED的材料示於表4。

OLED係藉由標準方法特性化。為達此目的，茲由電流-電壓-發光強度特性線(IUL特性線)，假設朗伯輻射特性(Lambertian radiation characteristics)，計算出與發光強度呈函數關係之電流效率(以cd∕A測得)、功率效率(以lm/W測得)以及外部量子效率(EQE，以百分比測得)，且亦測定出壽命。電致發光光譜係在1000 cd∕m²的發光強度下測定的，且由其計算出CIE 1931 x及y色座標。壽命LT80係定義為在以40 mA/cm²恆電流操作期間，光度降至起始光度之80%的時間。

本發明之化合物作為磷光OLED之發光體材料的用途

本發明化合物之一用途係用於OLED的發光層作為磷光發光體材料。將根據表4的銥錯合物用作為根據先前技術的對照。OLED的結果彙整於表2。

溶液加工裝置：
由低分子量之可溶性官能性材料開始

本發明之錯合物亦可由溶液進行加工且於該情況下，導致產生與真空加工OLED相較之下在製程技術上較簡單，然而卻具有優良的性質的OLED。如此元件的製造係基於聚合性發光二極體(PLEDs)的製造，其已記載於文獻中多次(例如，於WO 2004/037887中)。該結構係由基板∕ITO∕電洞注入層(60 nm)∕間層(20 nm)∕發光層(60 nm)∕電洞阻擋層(10 nm)∕電子傳輸層(40 nm)∕陰極所組成。為此目的，茲採用Technoprint的基板(鈉鈣玻璃)，於其上塗佈ITO結構(銦錫氧化物，透明的導電陽極)。於一潔淨的室內，用去離子水及清潔劑(Deconex 15 PF)，將基板清潔乾淨，然後，藉由UV∕臭氧電漿處理，予以活化。然後，同樣於潔淨室內，藉由旋轉塗佈法，塗佈20 nm的電洞注入層。所需之旋轉速度係取決於稀釋的程度以及特定旋轉塗佈機的幾何形狀。在200℃的加熱板上烘烤基板30分鐘，以便自層去除殘留的水。間層係用來供電洞注入之用；在此情況下，係使用Merck的HL-X092。間層另外亦可被僅需符合不會因後續之由溶液進行EML沉積的加工步驟而再次脫離之條件的一或多層所取代。將本發明之三重態發光體連同基質材料溶於甲苯中，俾便製造發光層。如此溶液內的典型固體含量係在16至25 g∕l之間，如同在本文中，對於裝置而言典型的60 nm厚度係藉由旋轉塗佈法達成的。溶液加工的裝置類型1含有一發光層，其係由M3：M4：IrL (20%：60%：20%)所組成，且類型2者含有一發光層，其係由M3：M4：IrLa：IrLb (30%：34%：30%：6%)所組成；換言之，彼等含有二種不同的銥錯合物。發光層係於惰性氣氛中(在目前的情況下係氬氣)旋轉塗佈，並且在160℃下烘烤10分鐘。蒸鍍於後者之上的係電洞阻擋層(10 nm ETM1)及電子傳輸層(40 nm ETM1 (50%)∕ETM2 (50%))(來自Lesker的蒸鍍系統或類似者，典型的蒸鍍壓力5 x 10^-6 毫巴)。最後，藉由蒸鍍，塗佈鋁的陰極(10 nm)(來自Aldrich的高純度金屬)。為了將裝置與空氣及大氣水分阻隔，最後，將裝置囊封，然後進行特性化。所引用之OLED實施例尚未最佳化；表3彙整所得到的數據。

Claims

一種式(1)之化合物其中所使用之符號如下： L¹ 為式(2)之子配位基，其經由二個Z基團與銥配位且經由虛線鍵與V鍵結：， A 在各情況下係相同或互異且為CR₂ 、O、S或NR，其中至少有一個A基團為CR₂ ； Z 在各情況下係相同或互異且為O、S或NR； L² 為二牙、單陰離子性子配位基，其經由一個碳原子以及一個氮原子或經由二個碳原子與銥配位； L³ 為二牙、單陰離子性子配位基，其經由一個碳原子及一個氮原子或經由二個碳原子與銥配位，或為式(2)的子配位基(其可與L¹ 相同或互異)； V 為式(3)之基團，其中虛線鍵各代表子配位基L¹ 、L² 及L³ 之鍵聯， X¹ 在各情況下係相同或互異且為CR或N； X² 在各情況下係相同或互異且為CR或N，或是二個相鄰的X² 基團一起為NR、O或S，因而形成一五員環；或是二個相鄰的X² 基團一起形成CR或N(當環內之X³ 基團之一為N時)，因而形成一五員環；先決條件為：在各環內沒有二個以上的相鄰X² 基團為N； X³ 在各情況下於一環內為C或是一個X³ 基團為N且在相同環內之另外的X³ 基團為C，其中在三個環內的X³ 基團可獨立地選擇，先決條件為：二個相鄰的X² 基團一起為CR或N(當環內的X³ 基團之一為N時)； R 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R¹ )₂ 、OR¹ 、SR¹ 、CN、NO₂ 、COOH、C(=O)N(R¹ )₂ 、Si(R¹ )₃ 、B(OR¹ )₂ 、C(=O)R¹ 、P(=O)(R¹ )₂ 、S(=O)R¹ 、S(=O)₂ R¹ 、OSO₂ R¹ 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基團或具有2至20個碳原子之烯基或炔基基團或是具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基基團(其中烷基、烯基或炔基基團在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代且其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可被Si(R¹ )₂ 、C=O、NR¹ 、O、S或CONR¹ 所替代)、或是具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二個R原子團亦可一起形成一環系統； R¹ 在各情況下係相同或互異且為H、D、F、Cl、Br、I、N(R² )₂ 、OR² 、SR² 、CN、NO₂ 、Si(R² )₃ 、B(OR² )₂ 、C(=O)R² 、P(=O)(R² )₂ 、S(=O)R² 、S(=O)₂ R² 、OSO₂ R² 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基團或具有2至20個碳原子之烯基或炔基基團或是具有3至20個碳原子的支鏈或環狀烷基基團(其中烷基、烯基或炔基基團在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代，且其中一或多個非相鄰的CH₂ 基團可被Si(R² )₂ 、C=O、NR² 、O、S或CONR² 所替代)、或是具有5至40個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R² 原子團所取代之芳族或雜芳族環系統；同時，二或多個R¹ 原子團亦可一起形成一環系統； R² 在各情況下係相同或互異且為H、D、F或是脂族、芳族及∕或雜芳族有機原子團，尤指具有1至20個碳原子的烴基原子團，其中一或多個氫原子亦可被F替代；同時，由架橋V所分開之三個二牙配位基L¹ 、L² 及L³ 亦可藉由另一架橋來閉環，而形成穴狀化合物。
如申請專利範圍第1項之化合物，其中：V係選自式(4a)至(7a) 其中符號具有申請專利範圍第1項所詳述的定義。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：V具有式(4b’)、(4c)或(5c)的結構其中符號具有申請專利範圍第1項所給定的定義。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：子配位基L¹ 中的二個A基團皆為CR₂ 。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：子配位基L¹ 中的二個Z基團皆為O。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：L¹ 具有式(2c)之結構，其中虛線鍵代表與V的鍵結，且R在各情況下係相同或互異且選自：H、D、OR¹ 、具有1至10個碳原子之直鏈烷基基團或具有3至10個碳原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的支鏈或環狀烷基基團、或是具有5至24個芳族環原子且在各情況下可經一或多個R¹ 原子團所取代的芳族或雜芳族環系統，且R¹ 具有申請專利範圍第1項所給定的定義。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：二個子配位基L² 及L³ 各具有一個碳原子及一個氮原子作為配位原子。
如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中：子配位基L² 及L³ 在各情況下係相同或互異且為式(L-1)或(L-2)之結構其中虛線鍵代表子配位基與V的鍵結且其他的符號如下： CyC 在各情況下係相同或互異且為經取代或未經取代的芳基或雜芳基基團，其具有5至14個芳族環原子且在各情況下經由碳原子配位至金屬，並且經由一共價鍵鍵結至CyD； CyD 在各情況下係相同或互異且為經取代或未經取代的雜芳基基團，其具有5至14個芳族環原子且經由氮原子或經由碳烯碳原子配位至金屬，並且經由一共價鍵鍵結至CyC；同時，二或多個任意的取代基可一起形成一環系統。
如申請專利範圍第8項之化合物，其中：子配位基L² 及L³ 中有一者具有式(L-1)之結構且子配位基L² 及L³ 中之另一者具有(L-2)之結構。
如申請專利範圍第8項之化合物，其中：CyC係選自式(CyC-1)至(CyC-19)的結構，其中CyC基團在各情況下係於標示為#的位置上與CyD結合且於標示為*的位置上與銥結合；以及在於：CyD基團係選自式(CyD-1)至(CyD-12)的結構，其中CyD基團在各情況下係於標示為#的位置上與CyC結合且於標示為*的位置上與銥結合，其中R具有申請專利範圍第1項所給定的定義且其他的符號如下： X 在各情況下係相同或互異且為CR或N，先決條件為：每一個環有不超過二個符號X為N； W 在各情況下係相同或互異且為NR、O或S；先決條件為：當架橋V係鍵結至CyC時，對應CyC基團內之一符號X為C且架橋V係鍵結至此碳原子，而且當架橋V係鍵結至CyD時，對應CyD基團內之一符號X為C且架橋V係鍵結至此碳原子；在此情況下，與架橋V的鍵結係經由標記為「o」的位置。
一種供製備申請專利範圍第1至10項中一或多項之化合物的方法，其係令自由配位基與式(52)之銥烷氧化物反應，與式(53)之銥二酮酸鹽反應，與式(54)之銥鹵化物反應或與式(55)之銥羧酸鹽反應其中R具有申請專利範圍第1項所給定的定義，Hal= F、Cl、Br或I且式(52)至(55)之銥反應物亦可呈水合物的形式。
一種調配物，其包含至少一個申請專利範圍第1至10項中之一或多項的化合物以及至少一個其他的化合物，其中該其他的化合物較佳選自基質材料及∕或溶劑。
一種申請專利範圍第1至10項中之一或多項之化合物的用途，其係用於電子裝置或作為氧敏化劑或作為光起始劑或作為光觸媒。
一種電子裝置，其包含至少一個申請專利範圍第1至10項中之一或多項的化合物，其中該電子裝置較佳選自：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、有機光學偵檢器、有機光接收器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、紅外線感測器、氧感測器及有機雷射二極體。
如申請專利範圍第14項之電子裝置，其係有機電致發光裝置，其中：申請專利範圍第1至10項中之一或多項的化合物係用於一或多個發光層內。