KR20220119072A - 전자 디바이스용 화합물 - Google Patents

전자 디바이스용 화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR20220119072A
KR20220119072A KR1020227024232A KR20227024232A KR20220119072A KR 20220119072 A KR20220119072 A KR 20220119072A KR 1020227024232 A KR1020227024232 A KR 1020227024232A KR 20227024232 A KR20227024232 A KR 20227024232A KR 20220119072 A KR20220119072 A KR 20220119072A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aromatic ring
group
groups
alkoxy
compound
Prior art date
Application number
KR1020227024232A
Other languages
English (en)
Inventor
아미르 호싸인 파르함
엘비라 몬테네그로
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20220119072A publication Critical patent/KR20220119072A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/04—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/10—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • H01L51/0067—
    • H01L51/0068—
    • H01L51/0071—
    • H01L51/0073—
    • H01L51/0074—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/652—Cyanine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

본 출원은 식 (I) 의 화합물, 전자 디바이스에서의 그의 용도, 상기 화합물의 제조 방법, 및 그 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.

Description

전자 디바이스용 화합물
본 출원은 벤젠 고리 중 하나가 헤테로아릴 고리로 교환된 플루오렌 유도체 및 스피로바이플루오렌 유도체에 관한 것이다. 이 화합물은 전자 디바이스에 사용하기에 적합하다.
전자 디바이스는 본 출원의 맥락에서, 유기 반도체 재료를 기능성 재료로서 함유하는, 유기 전자 디바이스로 불리는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 보다 특히, 이들은 OLED (organic electroluminescent device) 를 의미하는 것으로 이해된다. 용어 OLED 는 유기 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 가지며 전기 전압의 인가시에 광을 방출하는 전자 디바이스를 의미하는 것으로 이해된다. OLED 의 구성 및 일반적인 기능 원리는 당업자에게 알려져 있다.
전자 디바이스에서, 특히 OLED에서, 성능 데이터의 개선에 큰 관심이 있다. 이들 측면에서, 아직 완전히 만족스러운 솔루션을 찾는 것이 가능하지 않았다.
전자 디바이스의 성능 데이터에 대한 큰 영향은 방출층 및 전자 수송 기능을 갖는 층이 갖는다. 이들 층에 사용하기 위한 신규 화합물, 특히 인광 방출체용으로, 방출층에서, 특히 전자 수송 화합물 및 전자 수송 매트릭스 재료의 역할을 할 수 있고, 이러한 사용에서 동시에 고효율, 긴 수명 및 낮은 작동 전압을 갖는 전자 디바이스에 이를 수 있는 화합물이 지속적으로 모색되고 있다. 이를 위해, 특히 유리 전이 온도가 높고 안정성이 높으며 전자 전도성이 높은 화합물이 모색된다. 화합물의 높은 안정성은 전자 디바이스의 긴 수명을 달성하기 위한 전제 조건이다.
종래 기술은 특히 융합된 페닐 기를 갖는 헤테로플루오렌 및 헤테로스피로바이플루오렌 유도체 및 특히 N-카르바졸 치환을 갖는 바이폴라 헤테로플루오렌 및 헤테로스피로바이플루오렌 유도체를 전자 디바이스용 전자 수송 재료 및 전자 수송 매트릭스 재료로서 개시한다.
그러나, 전자 디바이스에 사용하기에 적합한 대안의 화합물, 특히 위에 언급된 유리한 특성 중 하나 이상을 갖는 화합물이 여전히 필요하다. 특히 디바이스의 수명, 작동 전압 및 효율 관련하여 화합물이 전자 디바이스에 사용될 때 달성되는 성능 데이터의 개선이 여전히 필요하다.
이제, 벤젠 고리 중 하나가 헤테로아릴 고리로 교환된 특정 플루오렌 유도체 및 스피로바이플루오렌 유도체가 전자 디바이스에 사용하기에 우수하게 적합하다는 것을 알아냈다. 이들은 특히 OLED 에 사용하기에 적합하고, 이들에서 특히 전자 수송 재료로서 사용하기에 그리고 전자 수송 매트릭스 재료로서 사용하기에, 특히 인광 방출체용으로, 적합하다. 알아낸 화합물은 전자 디바이스의 높은 수명, 높은 효율 및 낮은 작동 전압으로 이어진다. 또한 바람직하게, 알아낸 화합물은 높은 유리 전이 온도, 높은 안정성 및 전자에 대한 높은 전도도를 갖는다.
따라서, 본 출원은 하기 식 (I) 의 화합물을 제공한다:
Figure pct00001
식중에서:
Y 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, O, S, NAr0 및 CAr1 로부터 선택되며, 여기서 O, S 및 NAr0 로부터 선택되는 적어도 하나의 Y 가 존재해야 하고;
Z 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N 및 CR1 로부터 선택되고;
Ar0 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고;
Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R2, CN, Si(R2)3, P(=O)(R2)2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R2 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고, 이때 2개의 Ar1 기가 서로 연결되어 단환 또는 다환 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성하는 것은 제외한다;
R0 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R1, CN, Si(R1)3, N(R1)2, P(=O)(R1)2, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 기로부터 선택되고; 여기서 2개 R0 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하여, 플루오렌 유도체, 특히 스피로바이플루오렌 유도체의 위치 8에서 스피로 화합물을 형성할 수 있고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R1 라디칼에 의해 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R2 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
R5 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R6, CN, Si(R6)3, N(R6)2, P(=O)(R6)2, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R5 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R6 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, C=O, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
R6 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템로부터 선택되고; 여기서 2개 이상의 R6 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 F 및 CN 으로 선택된 하나 이상의 라디칼에 의해 치환될 수도 있고;
식 (I) 중, 적어도 하나의 R1 라디칼, 하나의 Ar0 기 또는 하나의 Ar1 기는 식 (A) 에 따르는 A 기로 치환된다:
Figure pct00002
식중:
* 는 식 (I) 의 구조에 대한 결합을 나타내고;
ArL 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고;
ET 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 하나 이상의 Ar2 기가 결합되는 전자 결핍 헤테로방향족 기로부터 선택되는 전자 수송 기이다;
Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, P(=O)(R3)2, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R3 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 Ar2 기가 함께 단환 또는 다환 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R3 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
n 은 0 또는 1 이며, n = 0 인 경우, ArL 기가 존재하지 않고 FG 기는 단일 결합을 통해 식 (I) 의 구조에 직접 결합된다.
결과적으로, 식 (I) 의 화합물은, 정의에 의해, 전자 수송기 ET를 갖는 식 (A) 의 적어도 하나의 치환기를 항상 함유한다.
본 출원에 따른 헤테로플루오렌 유도체에서의 카운팅 방식은 다음과 같이 정해진다:
Figure pct00003
본 출원에 따른 헤테로스피로바이플루오렌 유도체에서의 카운팅 방식은 다음과 같이 정해진다:
Figure pct00004
이하의 정의들은 본원에서 사용되는 화학 기에 적용 가능하다. 이들은 어떠한 더 구체적인 정의가 주어지지 않는 한 적용 가능하다.
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 단일 방향족 환 (cycle), 즉 벤젠, 또는 융합 방향족 다환 (polycycle), 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌 또는 안트라센을 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 맥락에서 융합된 방향족 다환은 서로 융합된 2개 이상의 단일 방향족 환으로 이루어진다. 여기서 환들 간의 융합은 환들이 서로 적어도 하나의 에지를 공유하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유한다. 또한, 아릴 기는 방향족 고리 원자로서 어떤 헤테로원자도 함유하지 않지만, 탄소 원자만 함유한다.
본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 단일 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 융합된 헤테로방향족 다환, 예를 들어 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 이해된다. 본원의 맥락에서 융합된 헤테로방향족 다환은 서로 융합된 둘 이상의 단일 방향족 또는 헤테로방향족 환들로 이루어지며, 여기서 방향족 및 헤테로방향족 환들 중 적어도 하나는 헤테로방향족 환이다. 여기서 환들 간의 융합은 환들이 서로 적어도 하나의 에지를 공유하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴기는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 이 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로아릴 기의 헤테로원자들은 바람직하게는 N, O 및 S 로부터 선택된다.
각각이 위에 언급된 라디칼에 의해 치환될 수도 있는, 아릴 또는 헤테로아릴기는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 벤즈이미다졸로[1,2-a]벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유래하는 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명에 정의된 바와 같은 아릴옥시기는, 산소 원자를 통해 결합된 상기 정의된 바와 같은 아릴기를 의미하는 것으로 이해된다. 유사한 정의가 헤테로아릴옥시 기에 적용된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 반드시 아릴기를 단독으로 함유할 필요가 있는 것이 아니라, 적어도 하나의 아릴 기에 융합된 하나 이상의 비방향족 고리를 추가로 함유할 수도 있는 시스템이다. 이러한 비방향족 고리는 고리 원자로서 전적으로 탄소 원자를 함유한다. 이 정의에 의해 커버되는 기들의 예는 테트라히드로나프탈렌, 플루오렌 및 스피로바이플루오렌이다. 또한, 용어 "방향족 고리 시스템" 은, 예를 들어 바이페닐, 테르페닐, 7-페닐-2-플루오레닐, 쿼터페닐 및 3,5-디페닐-1-페닐인, 단일 결합을 통해 서로 연결된 둘 이상의 방향족 고리 시스템으로 이루어진 시스템을 포함한다. 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고 헤테로원자를 함유하지 않는다. "방향족 고리 시스템" 의 정의는 헤테로아릴 기를 포함하지 않는다.
헤테로방향족 고리 시스템은, 고리 원자로서 적어도 하나의 헤테로원자를 함유해야 하는 것을 제외하고는, 전술한 방향족 고리 시스템의 정의에 따른다. 방향족 고리 시스템의 경우와 같이, 헤테로방향족 고리 시스템은 아릴 기 및 헤테로아릴 기를 전적으로 함유할 필요가 있는 것이 아니라, 적어도 하나의 아릴 또는 헤테로아릴 기에 융합된 하나 이상의 비방향족 고리를 추가로 함유할 수도 있다. 비방향족 고리는 고리 원자로서 탄소 원자만을 함유할 수도 있거나, 또는 하나 이상의 헤테로원자를 추가로 함유할 수도 있으며, 여기서 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및 S 로부터 선택된다. 이러한 헤테로방향족 고리 시스템에 대한 하나의 예는 벤조피라닐이다. 또한, 용어 "헤테로방향족 고리 시스템" 은 단일 결합, 예를 들어 4,6-디페닐-2-트리아지닐을 통해 서로 결합된 2개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 시스템을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서, 헤테로방향족 고리 시스템은 탄소 및 헤테로원자로부터 선택되는 5 내지 40 개의 고리 원자를 함유하고, 여기서 고리 원자 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로방향족 고리 시스템의 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및 S로부터 선택된다.
따라서, 본원에서 정의된 용어 "헤테로방향족 고리 시스템" 및 "방향족 고리 시스템" 은 방향족 고리 시스템이 고리 원자로서 헤테로원자를 가질 수 없는 반면에, 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 원자로서 적어도 하나의 헤테로원자를 가져야 한다는 점에서 서로 상이하다. 이 헤테로원자는 비방향족 복소환 고리의 고리 원자로서 또는 방향족 복소환 고리의 고리 원자로서 존재할 수도 있다.
위의 정의에 따라, 임의의 아릴 기는 "방향족 고리 시스템" 이라는 용어에 의해 커버되고, 임의의 헤테로아릴 기는 "헤테로방향족 고리 시스템" 이라는 용어에 의해 커버된다.
6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히 아릴기 및 헤테로아릴 기 하에서 위에 언급된 기로부터, 그리고 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 인데노카르바졸로부터, 또는 이들 기의 조합으로부터 유도하는 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 및 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 및 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 (여기서 개개의 수소 원자 또는 CH2 기는 또한, 라디칼의 정의에서 위에 언급된 기들에 의해 치환될 수도 있음) 는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플로오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플로오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다.
1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬기 (여기서 개개의 수소 원자 또는 CH2 기는 또한 라디칼의 정의에서 상기 언급된 기로 대체될 수 있음) 는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다.
본원의 맥락에서, 둘 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있다는 문구는, 특히, 2개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결된다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 그러나, 추가적으로, 위에 언급된 문구는 또한 2개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에, 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 에서, 정확히 2개의 Y는 NAr0, O 및 S 로부터 선택되고, 보다 바람직하게는 정확히 하나의 Y 로부터 선택되고, 다른 2개의 Y는 CAr1 이다. 보다 바람직하게는, 정확히 하나의 Y는 O 및 S로부터, 가장 바람직하게는 S로부터 선택되고, 2개의 다른 Y는 CAr1 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물은 따라서 하기 식 (II), (III) 및 (IV) 의 화합물로부터 선택되고:
Figure pct00005
식 중 식 마다 적어도 하나의 A 기가 있다.
위에 언급된 식 중에서, 식 (II) 및 (IV), 특히 식 (II) 가 바람직하며, 여기서 Y는 바람직하게는 O 또는 S 이고; 더 바람직하게는, Y는 S 이다.
바람직하게는 식 (I) 에서 2개 이하의 Z 기는 N이고; 보다 바람직하게는 식 (I) 에서 하나 이하의 Z 기는 N이고; 매우 바람직하게는 Z 기는 N이 아니다. 나머지 Z 기는 대응하여 CR1 이다. 또한, 하나의 고리에서 인접한 Z 기는 N 이 아닌 것이 바람직하다.
Ar0 는 바람직하게 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각각 R2 라디칼로 치환되는 방향족 고리 시스템으로부터 선택된다. 보다 바람직하게, Ar0 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 및 트리아지닐-치환된 페닐로부터 선택되고, 언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환된다. 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 및 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환됨) 이 아주 특히 바람직하다. 가장 바람직하게는, Ar0 은 R2 라디칼로 치환된 페닐이고, 여기서 R2 는 바람직하게는 H이다.
Ar1 은 바람직하게는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 알킬 기, 알콕시 기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R2 라디칼로 치환되고, 이때 두 개의 Ar1 기가 서로 연결되어 지방족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하는 것은 제외되고; Ar1 은 보다 바람직하게는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 H 및 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템으로부터 선택된다. 더욱 더 바람직하게, Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다. 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환되고, R2 는 바람직하게 H 이다) 및 H 가 훨씬 더욱 바람직하다.
바람직한 Ar1 기는 다음 표에 도시되어 있다:
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
식 중 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타낸다. 여기서 (Ar1-1), (Ar1-2), (Ar1-8), (Ar1-28), (Ar1-30), (Ar1-31), (Ar1-34), (Ar1-34), (Ar1-43), (Ar1-44), (Ar1-144), (Ar1-163), (Ar1-189) 및 (Ar1-190) 기가 특히 바람직하다.
R1 은 바람직하게 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템에서 선택되고; 상기 알킬 및 알콕시 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬 또는 알콕시 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 -C≡C-, -R5C=CR5-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -NR5-, -O-, -S-, -C(=O)O- 또는 -C(=O)NR5- 에 의해 대체될 수도 있다. 보다 바람직하게, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R5 라디칼로 각각 치환된다. 더욱 더 바람직하게는, R1 은 H 이다.
여기서 R1, 그리고 또한 Ar0 및 Ar1는 그 질소 원자를 통해 식 (I) 의 나머지 부분에 결합된 카르바졸릴기를 나타내는 것은 배제되는 것이 바람직하다.
바람직한 R1 기는 다음 표에 나타나 있다:
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
식 중 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타낸다. 여기서 (Ar1-1), (Ar1-2), (Ar1-8), (Ar1-28), (Ar1-30), (Ar1-31), (Ar1-34), (Ar1-34), (Ar1-43), (Ar1-44), (Ar1-144), (Ar1-163), (Ar1-189) 및 (Ar1-190) 기가 특히 바람직하다.
R2 는 바람직하게 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템에서 선택되고; 상기 알킬 및 알콕시 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬 또는 알콕시 기에서의 하나 이상의 CH2 기는 -C≡C-, -R5C=CR5-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -NR5-, -O-, -S-, -C(=O)O- 또는 -C(=O)NR5- 에 의해 대체될 수도 있다. 보다 바람직하게, R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R5 라디칼로 각각 치환된다. 더욱 더 바람직하게는, R2 는 H 이다.
바람직하게는, 1개 또는 2개의 A 기만이 식 (I) 에 존재하고; 보다 바람직하게는, 정확히 하나의 A 기가 식 (I) 에 존재한다.
2개의 A 기가 식 (I) 에 존재하는 경우, 이들은 바람직하게 둘 다 식 (I) 의 헤테로방향족 5원 고리에 결합된다.
브릿징 ArL 기는 바람직하게 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 20개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 20개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택된다. 특히 바람직한 ArL 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프탈렌, 플루오렌, 인데노플루오렌, 인데노카르바졸, 스피로바이플루오렌, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜으로부터 유도된 2가 기로부터 선택되며, 이들 각각은 R2 라디칼로 치환된다. 더욱 더 바람직하게는, ArL 은 벤젠, 바이페닐, 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜으로부터 유도된 2가 기이며, 이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환되고, 여기서 이 경우 R2 라디칼은 바람직하게는 H이다.
바람직하게는, n 은 0 이다.
n = 1 인 경우 바람직한 -(ArL)n- 기는 다음 식에 따른다:
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
식 중 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타내고, 비치환된 것으로 나타낸 위치에서의 기들은 각각 R2 라디칼로 치환되며, 이들 위치에서의 R2 라디칼은 바람직하게는 H 이다.
위에 언급된 식들 중에서, 식 (ArL-1), (ArL-2), (ArL-7), (ArL-12), (ArL-20), (ArL-31) 이 특히 바람직하다.
전자-수송 ET 기는 바람직하게는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 5 내지 40개의 방향족 고리 원자 (그 중 적어도 하나, 바람직하게는 적어도 2개 그리고 매우 바람직하게는 적어도 3개는, 바람직하게는 N, O 및/또는 S로부터 선택되고, 가장 바람직하게는 N인 헤테로원자이다) 를 갖는 헤테로아릴 기로부터 선택되며, 여기서 헤테로아릴 기는 각각 Ar2 기로 치환된다.
바람직하게 각각의 ET 기는 H 가 아닌 적어도 하나의 Ar2 기, 보다 바람직하게는 H 가 아닌 적어도 2개의 Ar2 기로 치환된다.
또한 바람직하게, ET 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 식 (ET-1) 내지 (ET-11) 및 (ET-11a) 내지 (ET-11c) 의 기들로부터 선택되고:
Figure pct00030
Figure pct00031
식 중
Q' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 CAr2 또는 N 으로부터 선택되고;
Q'' 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 NR2, O 또는 S 으로부터 선택되고;
각 경우에 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 부착 위치를 표시하고, R2 및 Ar2 는 위에서 정의된 것과 같고;
여기서 적어도 하나의 Q' 은 N 이다.
특히 바람직한 ET 기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,2,4-트리아진, 1,3,5-트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸 및 벤족사졸로부터 유도된 기 (이들 각각은 Ar2 기로 치환됨) 로부터 선택된다. ET 기는 가장 바람직하게는 하나 이상의 Ar2 기로 치환된 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,3,5-트리아진, 벤즈이미다졸 및 퀴나졸린이다.
매우 특히 바람직한 헤테로방향족 전자 수송기 ET 기는 하기 식 (ET-12) 내지 (ET-35) 로부터 선택된다:
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
식 중 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타내며, 식 (ET-12), (ET-13), (ET-14), (ET-20), (ET-21) 및 (ET-22) 의 기가 매우 특히 바람직하며, 식 (ET-12) 의 기가 가장 바람직하다.
바람직하게는, Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고
H, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 알킬 기, 알콕시 기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R3 라디칼로 치환될 수도 있고 2개 이상의 인접한 Ar2 기는 함께 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
Ar2 은 보다 바람직하게 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H 및 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 R3 라디칼로 치환되는 방향족 고리 시스템으로부터 선택된다. 보다 특히 바람직하게, Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R3 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 Ar2 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R3 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다.
매우 특히 바람직한 Ar2 기는 동일하거나 상이하며 H 및 하기 식에서 선택된다:
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
식중 비치환된 것으로 표시된 위치에서의 기는 R3 라디칼로 치환되고, 여기서 이들 위치에 있는 R3 는 바람직하게는 H이고, 점선 결합은 A 기의 나머지에 대한 결합이다.
상기 언급된 기 중, 식 (Ar-1), (Ar-3), (Ar-16), (Ar-49), (Ar-63), (Ar-65), (Ar-66), (Ar-69), (Ar-78), (Ar-139) 및 (Ar-274) 이 기가 가장 바람직하고, 특히 식 (Ar-1) 이다.
바람직한 실시형태에서, 식 (A) 에서 선택되는 Ar2 기는 동일하다. 다른 바람직한 실시형태에서, 선택되는 Ar2 기는 상이하다.
매우 특히 바람직한 ET 기의 예는 하기 기이고, 여기서 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타낸다:
하기 일반식을 갖는 ET-23a 내지 ET-23s 기
Figure pct00054
식 중:
Figure pct00055
하기 일반식을 갖는 ET-24a 내지 ET-24s 기
Figure pct00056
식 중:
Figure pct00057
하기 일반식을 갖는 ET-25a 내지 ET-25s 기
Figure pct00058
식 중:
Figure pct00059
하기 일반식을 갖는 ET-26a 내지 ET-26k 기
Figure pct00060
식 중:
Figure pct00061
하기 일반식을 갖는 ET-27a 내지 ET-27k 기
Figure pct00062
식 중:
Figure pct00063
하기 일반식을 갖는 ET-28a 내지 ET-28k 기
Figure pct00064
식 중:
Figure pct00065
바람직하게, R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, Si(R5)3, N(R5)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬 및 알콕시 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬 또는 알콕시 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -C≡C-, R5C=CR5-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -NR5-, -O-, -S-, -C(=O)O- 또는 -C(=O)NR5- 로 대체될 수 있다. 보다 바람직하게, R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R5 라디칼로 각각 치환된다. 더욱 더 바람직하게는, R3 는 H 이다.
바람직하게는, R5 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, Si(R6)3, N(R6)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 여기서 상기 알킬 및 알콕시 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R6 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬 또는 알콕시 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -C≡C-, -R6C=CR6-, Si(R6)2, C=O, C=NR6, -NR6-, -O-, -S-, -C(=O)O- 또는 -C(=O)NR6- 로 대체될 수도 있다. 보다 바람직하게, R5 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R6)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R6 라디칼로 각각 치환된다. 더욱 더 바람직하게는, R5 는 H 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 2개의 R0 라디칼은 서로 연결되지 않고 지방족 또는 헤테로방향족 고리를 형성하지 않아, 플루오렌 유도체의 위치 8에서 스피로 화합물, 특히 스피로바이플루오렌 유도체가 형성되지 않는다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에서 식 (I) 은 하기 식 (I-A) 에 따른다.
Figure pct00066
여기서 변수는 식 (I) 에 대해 위에 정의된 바와 같고, 위에 정의된 바와 같은 적어도 하나의 A 기가 식 마다 존재하고;
R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R1, CN, Si(R1)3, N(R1)2, P(=O)(R1)2, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 기로부터 선택되고; 2개 R4 라디칼이 서로 연결되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외하고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R1 라디칼에 의해 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있다.
식 (I-A) 의 바람직한 실시형태는 하기 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 이다:
Figure pct00067
여기서 변수는 위에 정의된 바와 같고, 위에 정의된 바와 같은 적어도 하나의 A 기가 식 마다 존재한다.
바람직하게 R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, F, CN, Si(R1)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외한다.
위에 언급된 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 와 관련하여, 변수의 전술한 바람직한 실시형태가 바람직하게 적용가능하다. 바람직하게는, 위에 언급된 기에서, 정확히 2개의 A 기는 또는 1개의 A 기는 각각의 식에 포함되고, 보다 바람직하게는 정확히 1개가 포함된다 (이것은, (더) 바람직하게는 1개 또는 2개의 R1 라디칼, 또는 1개 또는 2 개의 Ar1 기, 또는 1개의 R1 라디칼 및 1개의 Ar1 기가 대응하여 1개 또는 2개의 A 기로 대체되는 것을 의미한다). 2개의 A 기가 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 의 화합물에 존재하는 경우, 이들은 둘 다 헤테로방향족 5원 고리에 결합될 수 있거나; 또는 하나의 A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합되고 다른 하나의 A 기는 벤젠 고리 (방향족 6원 고리) 에 결합되거나; 또는 두 A 기 모두가 벤젠 고리에 결합된다. 바람직하게는, 1개 또는 2개의 A 기는 헤테로방향족 5원 고리에 결합된다. 플루오렌 유도체 베이스 골격의 벤젠 고리 상의 바람직한 결합 위치는 위치 4 및 6 이다. A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합되지 않은 경우, 두 Ar1 기 모두가 H 일 수 있거나 또는 하나의 Ar1 기가 H 이고 다른 하나는 위에서 정의한 바와 같은 라디칼이거나, 또는 2개의 Ar1 기는 동일하거나 상이하고 위에 정의된 라디칼로부터 선택될 수 있다. 하나의 A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합된 경우, 하나의 Ar1 기는 H 또는 위에 정의된 바와 같은 라디칼일 수 있다. 위에 언급된 식에서 X 는 바람직하게는 S 또는 O, 보다 바람직하게는 S이다. 위에 언급된 식 중에서, 식 (II-A) 및 (IV-A), 특히 식 (II-A) 가 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 위에 언급된 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 에서, 벤젠 고리에 결합된 모든 R1 라디칼은 H 이다. 추가의 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 에서, 특히 A 기(들)이 헤테로방향족 5원 고리에 결합되어 있는 경우에는, 존재하는 A 기(들) 이외에, 벤젠 고리에 결합된 정확히 2개의 R1 라디칼, 더욱 바람직하게는 정확히 1개는 H 가 아니다. H 가 아닌 R1 라디칼의 바람직한 결합 위치는 플루오렌 유도체 베이스 골격의 벤젠 고리 상의 위치 4 및 6 이지만, 물론 이러한 위치가 A 기(들)에 의해 점유되지 않는 경우에만 그렇다. R1 이 H 가 아닌 경우, 특히 바람직한 R1 기는 위에 더 정의된 (R1-1), (R1-8), (R1-31), (R1-33), (R1-163), (R1-189) 및 (R1-190) 기이다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R4 는 각각의 경우에 동일하게 선택된다. 보다 바람직하게, 위에 언급된 식에서 R4 는 동일하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개의 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외한다. 가장 바람직하게는, 2개의 R4 라디칼은, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 및 페닐로부터 여기서 동일하게 선택되고, 각각은 R1 라디칼에 의해 치환되고 이 경우에 R1 은 바람직하게는 H 이다.
본 발명의 다른 추가의 바람직한 실시형태에서, R4 는 각각의 경우에 상이하게 선택된다. 보다 바람직하게, 위에 언급된 식에서 R4 는 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개의 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외한다. 가장 바람직하게는, 2개의 R4 라디칼은, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 및 페닐로부터 여기서 상이하게 선택되고, 각각은 R1 라디칼에 의해 치환되고 이 경우에 R1 은 바람직하게는 H 이다.
식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 의 바람직한 실시형태들은 하기 식에 따른다:
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
식 중 변수는 위에 주어진 정의를 가지며 바람직하게는 그들의 위에 언급된 바람직한 실시형태에 따른다.
위에 언급된 식들 중에서, 식 (II-A-S1) 내지 (IV-A-S1), (II-A-S2) 내지 (IV-A-S2), (II-A-S4) 내지 (IV-A-S4), (II-A-S6) 내지 (IV-A-S6), (II-A-O1) 내지 (IV-A-O1), (II-A-O2) 내지 (IV-A-O2), (II-A-O4) 내지 (IV-A-O4) 및 (II-A-O6) 내지 (IV-A-O6) 가 특히 바람직하다. 식 (II-A-S1) 내지 (IV-A-S1), (II-A-S2) 내지 (IV-A-S2), (II-A-S4) 내지 (IV-A-S4), (II-A-O1) 내지 (IV-A-O1), (II-A-O2) 내지 (IV-A-O2) 및 (II-A-O4) 내지 (IV-A-O4) 가 매우 특히 바람직하다.
식 (II-A-S1), (IV-A-S1), (II-A-S2), (IV-A-S2), (II-A-S4), (IV-A-S4), (II-A-S6), (IV-A-S6), (II-A-O1), (IV-A-O1), (II-A-O2), (IV-A-O2), (II-A-O4), (IV-A-O4), (II-A-O6) 및 (IV-A-O6) 가 더욱 더 바람직하다.
위에 언급된 식들 중에서, 식 (II-A-S1), (IV-A-S1), (II-A-S2), (IV-A-S2), (II-A-S4), (IV-A-S4), (II-A-O1), (IV-A-O1), (II-A-O2), (IV-A-O2), (II-A-O4) 및 (IV-A-O4) 가 가장 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 본 출원에 따른 화합물은 따라서 식 (II-A-S1) 내지 (IV-A-S1), (II-A-S2) 내지 (IV-A-S2), (II-A-S4) 내지 (IV-A-S4), (II-A-S6) 내지 (IV-A-S6), (II-A-O1) 내지 (IV-A-O1), (II-A-O2) 내지 (IV-A-O2), (II-A-O4) 내지 (IV-A-O4) 또는 (II-A-O6) 내지 (IV-A-O6) 에 따르고, 식 중 발생하는 변수는 다음과 같다:
Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R5 라디칼로 각각 치환된다;
R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개의 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외한다;
A 는 식 (A) 의 단위이다
Figure pct00074
식 (A), 식 (A) 중 변수는 다음과 같이 정의된다:
ArL 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프탈렌, 플루오렌, 인데노플루오렌, 인데노카르바졸, 스피로바이플루오렌, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜으로부터 유도된 2가 기로부터 선택되며, 이들 각각은 R2 라디칼로 치환된다.
ET 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,2,4-트리아진, 1,3,5-트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸 및 벤족사졸로부터 유도된 기 (이들 각각은 Ar2 기로 치환됨) 로부터 선택된다.
Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R3 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다;
n = 1 또는 0;
그리고 추가의 변수는 그들의 위에 명시된 가장 넓은 실시형태, 바람직하게는 위에 명시된 바람직한 실시형태에 정의된 바와 같다.
이 실시형태에서 식 (I) 의 바람직한 화합물은 아래 표 1에 나타나 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 2개의 R0 라디칼은 서로 연결되고 지방족 또는 헤테로방향족 고리를 형성해서, 플루오렌 유도체의 위치 8에서 스피로 화합물, 특히 스피로바이플루오렌 유도체가 형성된다.
따라서, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서 식 (I) 은 하기 식 (I-B) 에 따른다:
Figure pct00075
식 중
W 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N 및 CR1 로부터 선택되고;
U 는 O 또는 S 로부터 선택되고;
k는 0 또는 1이고, 여기서 k = 0인 경우, 관련 헤테로원자 U는 존재하지 않고 U 는 대신에 대응하는 2개의 방향족 6원 고리를 연결하는 단일 결합이고;
변수 Z, Y 및 R1 은 위에 정의된 바와 같고, 위에 정의된 바와 같은 적어도 하나의 A 기가 식 (I-B) 에 존재한다.
바람직하게, 식 (I-B) 에서, 3개 이하의 W 기가 N 이며, 보다 바람직하게는 2개 이하의 W 기가 N 이며, 더욱 더 바람직하게는 1개 이하의 W 기가 N 이고, 가장 바람직하게는 어느 W 기도, 방향족 6원 고리에서, N 이 아니다. 나머지 기는 대응하여 CR1 이다. 또한, 방향족 6원 고리에서 인접한 W 기는 N 이 아닌 것이 바람직하다. 한층 더 바람직하게는, 임의의 식 (I-B) 에서 3개 이하의 W 기가 N 이고; 보다 바람직하게는, 임의의 식 (I-B) 에서 2개 이하의 W 기는 N 이고; 더욱 더 바람직하게는, 임의의 식 (I-B) 에서 1개 이하의 W 기는 N이고; 가장 바람직하게는 어느 W 기도 N 이 아니다.
식 (I-B) 의 바람직한 실시형태는 하기 식 (II-B) 내지 (IV-B) 및 (II-C) 내지 (IV-C) 에 따른다:
Figure pct00076
Figure pct00077
식 중 변수는 위에서 정의한 바와 같고 벤젠 고리 상의 비점유 위치는 각각 R1 라디칼로 치환되고, 위에 정의된 바와 같은 적어도 하나의 A 기가 식 마다 존재하고, 바람직하게는 식 마다 정확히 하나의 A 기가 위에 언급된 식에 포함되고, 벤젠 고리 중 하나에 (즉, 하나의 R1 라디칼은 대응하게 A 기로 대체됨) 또는 헤테로방향족 5원 고리에 (즉, 하나의 Ar1 기는 대응하게 A 기로 대체됨) 결합되며, A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합하는 경우에 특히 바람직하다. 스피로바이플루오렌 유도체 베이스 골격의 벤젠 고리 상의 바람직한 결합 위치는 위치 4, 6, 9, 11, 12 및 14 이다. A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합되지 않은 경우, 두 Ar1 기 모두가 H 일 수 있거나 또는 하나의 Ar1 기가 H 이고 다른 하나는 위에서 정의한 바와 같은 라디칼이거나, 또는 2개의 Ar1 기는 동일하거나 상이하고 위에 정의된 라디칼로부터 선택될 수 있다. 하나의 A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합된 경우, 하나의 Ar1 기는 H 또는 위에 정의된 바와 같은 라디칼일 수 있다. 위에 언급된 식에서 X 는 바람직하게는 S 또는 O, 보다 바람직하게는 S이다.
더욱 바람직하게는, 위에 언급된 식 (II-B) 내지 (IV-B) 및 (II-C) 내지 (IV-C) 에서, 벤젠 고리에 결합된 모든 R1 라디칼은 H 이다. 추가의 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 식 (II-B) 내지 (IV-B) 및 (II-C) 내지 (IV-C) 에서, 특히 적어도 하나의 A 기가 헤테로방향족 5원 고리에 결합되는 경우에는, 존재하는 적어도 하나의 A 기 이외에, 벤젠 고리에 결합된 정확히 2개의 R1 라디칼, 더욱 바람직하게는 정확히 1개의 R1 라디칼은 H 가 아니다. H 가 아닌 R1 라디칼에 대한 바람직한 결합 위치는 스피로바이플루오렌 유도체 베이스 골격의 벤젠 고리 상의 위치 4, 6, 9, 11, 12 및 14 이고, 물론 이러한 위치가 적어도 하나의 A 기에 의해 점유되지 않는 경우에만 그렇다. R1 이 H 가 아닌 경우, 특히 바람직한 R1 기는 위에 더 정의된 (R1-1), (R1-8), (R1-31), (R1-33), (R1-163), (R1-189) 및 (R1-190) 기이다.
바람직하게는, k 는 0 이다. 위에 언급된 식 중에서, 따라서 식 (II-B) 내지 (IV-B), 특히 식 (II-B) 가 바람직하다.
식 (II-B) 내지 (IV-B) 의 바람직한 실시형태는 아래에 나타낸 식에 따른다:
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
Figure pct00083
Figure pct00084
식 중 변수는 위에 주어진 정의를 갖고 바람직하게 위에 언급된 바람직한 실시형태에 따르고, 벤젠 고리 상의 비점유 위치는, 바람직하게 H 인 R1 라디칼로 각각 치환된다.
위에 언급된 식에서 Ar0 은 바람직하게는 R2 라디칼로 치환된 페닐이고, 여기서 이들 경우에 R2 는 바람직하게는 H이다.
위에 언급된 식들 중에서, 식 (II-B-S1) 내지 (II-B-S4), (II-B-N1) 내지 (II-B-N4) 및 (II-B-O1) 내지 (II-B-O4), (III-B-S1) 내지 (III-B-S4), (III-B-N1) 내지 (III-B-N4) 및 (III-B-O1) 내지 (III-B-O4), 및 (IV-B-S1) 내지 (IV-B-S4), (IV-B-N1) 내지 (IV-B-N4) 및 (IV-B-O1) 내지 (IV-B-O4) 가 특히 바람직하다. 식 (II-B-S1) 내지 (II-B-S4) 및 (II-B-O1) 내지 (II-B-O4), (III-B-S1) 내지 (III-B-S4) 및 (III-B-O1) 내지 (III-B-O4), 및 (IV-B-S1) 내지 (IV-B-S4) 및 (IV-B-O1) 내지 (IV-B-O4) 가 특히 바람직하다. 식 (II-B-S1) 내지 (II-B-S4) 및 (II-B-O1) 내지 (II-B-O4) 가 매우 특히 바람직하다.
식 (II-B-S1) 내지 (II-B-N1) 및 (II-B-S2) 내지 (II-B-N2) 가 보다 특히 바람직하다.
식 (II-B-S1), (II-B-O1), (II-B-S2) 및 (II-B-O2) 가 가장 바람직하다.
식 (II-B-S1), (II-B-S2), (II-B-S3), (II-B-S4), (II-B-O1), (II-B-O2), (II-B-O3), (II-B-O4), (III-B-S1), (III-B-S2), (III-B-S3), (III-B-S4), (III-B-O1), (III-B-O2), (III-B-O3), (III-B-O4), (IV-B-S1), (IV-B-S2), (IV-B-S3), (IV-B-S4), (IV-B-O1), (IV-B-O2), (IV-B-O3), (IV-B-O4), (II-B-N1) 및 (II-B-N2) 가 보다 특히 바람직하다.
식 (II-B-S3), (II-B-S4), (III-B-S3), (III-B-S4), (IV-B-S3) 및 (IV-B-S4) 의 바람직한 실시형태는 하기 식이다:
Figure pct00085
Figure pct00086
식중 발생하는 변수는 위에 정의된 바와 같고 바람직하게는 바람직한 실시형태에 부합하고, 벤젠 고리 상의 비점유 위치는, 바람직하게 H 인 R1 라디칼로 각각 치환된다.
식 (II-B-O3), (II-B-O4), (III-B-O3), (III-B-O4), (IV-B-O3) 및 (IV-B-O4) 의 바람직한 실시형태는 하기 식이다:
Figure pct00087
Figure pct00088
식중 발생하는 변수는 위에 정의된 바와 같고 바람직하게는 바람직한 실시형태에 부합하고, 벤젠 고리 상의 비점유 위치는, 바람직하게 H 인 R1 라디칼로 각각 치환된다.
위에 언급한 식 중에서, 식 (II-B-S3-1), (II-B-S3-2), (II-B-S4-1) (II-B-S4-2), (II-B-O3-1), (II-B-O3-2), (II-B-O4-1) (II-B-O4-2) 이 특히 바람직하다.
가장 바람직하게는, 이 실시형태에서 식 (I) 의 화합물은 식 (II-B-S1), (II-B-O1), (II-B-S2), (II-B-O2), (II-B-S3-1), (II-B-S3-2), (II-B-S4-1) (II-B-S4-2), (II-B-O3-1), (II-B-O3-2), (II-B-O4-1) 및 (II-B-O4-2) 중 하나에 부합하고, 여기서 이들 경우에 변수는 바람직하게는 위에 명시된 바람직한 실시형태에 따른다.
더욱 바람직하게는, 본 출원에 따른 화합물은 따라서 식 (II-B-S1), (II-B-S2), (II-B-S3), (II-B-S4), (II-B-O1), (II-B-O2), (II-B-O3), (II-B-O4), (III-B-S1), (III-B-S2), (III-B-S3), (III-B-S4), (III-B-O1), (III-B-O2), (III-B-O3), (III-B-O4), (IV-B-S1), (IV-B-S2), (IV-B-S3), (IV-B-S4), (IV-B-O1), (IV-B-O2), (IV-B-O3), (IV-B-O4), (II-B-N1) and (II-B-N2) 에 마찬가지로 따르고, 식 중 발생하는 변수는 다음과 같다:
Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은, 바람직하게는 H 인, R5 라디칼로 각각 치환된다;
R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개의 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외한다;
A 는 식 (A) 의 단위이다
Figure pct00089
식 (A), 식 (A) 중 변수는 다음과 같이 정의된다:
ArL 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프탈렌, 플루오렌, 인데노플루오렌, 인데노카르바졸, 스피로바이플루오렌, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜으로부터 유도된 2가 기로부터 선택되며, 이들 각각은 R2 라디칼로 치환된다.
ET 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 1,2,4-트리아진, 1,3,5-트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸 및 벤족사졸로부터 유도된 기 (이들 각각은 Ar2 기로 치환됨) 로부터 선택된다.
Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 카르바졸릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R3 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택된다;
n = 1 또는 0;
그리고 추가의 변수는 그들의 위에 명시된 가장 넓은 실시형태, 바람직하게는 위에 명시된 바람직한 실시형태에 정의된 바와 같다.
이 실시형태에서 식 (I) 의 바람직한 화합물은 아래 표 1에 나타나 있다.
표 1
Figure pct00090
Figure pct00091
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
Figure pct00099
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
Figure pct00103
Figure pct00104
Figure pct00105
Figure pct00106
Figure pct00107
Figure pct00108
본원에 따른 화합물은 당업자에게 알려진 유기 화학 합성 단계에 의해, 예를 들어 금속화(metallation), 카르보닐기 상으로의 친핵체(nucleophile)의 첨가, Suzuki 반응 및 Hartwig-Buchwald 반응에 의해 제조할 수 있다.
본원에 따른 화합물의 바람직한 제조 방법은 이하에 상세히 설명된다. 방법은 예시적이고 비제한적인 방식으로 이해되어야 한다. 당업자는 본원에 따른 화합물에 도달하기 위해 기술적으로 유리한 경우, 상세히 나타낸 예시적인 방법에서 벗어나 그의 일반적인 기술 지식의 범위 내에서 변경할 수 있을 것이다.
바람직한 방법에서, 제 1 단계에서, 카르복실산 기 또는 카르복실산 에스테르 기를 갖는 헤테로방향족 5원 고리 (보다 바람직하게는 피롤, 푸란 또는 티오펜) 가 Suzuki 반응에서 벤젠 고리에 커플링된다 (도식 1). 대안적으로, 카르복실산 또는 카르복실산 에스테르 기는 또한 벤젠 고리에 결합될 수도 있다.
도식 1
Figure pct00109
여기서 변수는 하기와 같이 정의된다:
V 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 반응성 기, 바람직하게는 Cl, Br 또는 I 로부터 선택되고;
X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 S, O, NAr0, C-H 및 C-V 중에서 선택되고, 여기서 Ar0 는 식 (I) 에 정의된 바와 같으며, 바람직하게는 정확히 2개의 X, 더욱 바람직하게는 정확히 1개의 X는 S, O 및 NAr0 로부터 선택된다;
Hal 은 Cl, Br 또는 I이고;
E 는 반응성 기, 바람직하게는 보론산 기 또는 보론산 에스테르 기이고;
f 는 0, 1 또는 2 이고;
식 중 화합물은 식 (I) 에 대해 위에 정의된 바처럼, R1 라디칼에 의해 벤젠 고리 상의 비점유 위치에서 각각 치환되고, 적어도 하나의 V가 존재한다.
도식 1에 따라 얻어진 화합물을 사용하여 산성 조건 하의 폐환 반응에 의해 식 (Int-1) 의 중간체를 제조한다 (도식 2).
도식 2
Figure pct00110
여기서 변수는 도식 1에 대해 정의된 바와 같다.
본 출원에 따라 식 (I) 또는 식 (I-A) 의 플루오렌 유도체의 제조를 위해 (이들 각각에서 벤젠 고리가 5원 헤테로아릴 고리 (보다 바람직하게는 피롤, 푸란 또는 티오펜 고리) 로 교환되었음), 식 (Int-1) 의 화합물은 예를 들어 촉매로서 Raney 니켈의 존재 하에 히드라진 수화물 용액의 첨가에 의해 식 (Int-2) 의 화합물로 환원된다. 식 (Int-2) 의 화합물은 후속 단계에서 유기할로겐 화합물 또는 유기금속 시약, 바람직하게는 Grignard 시약의 첨가에 의해 식 (Int-3) 의 중간체 화합물로 전환된다 (도식 3).
도식 3
Figure pct00111
여기서 변수는 도식 1에 대해 정의된 바와 같고, R4 는 식 (I-A) 에 대해 위에서 정의한 바와 같다.
5원 헤테로아릴 고리 및/또는 벤젠 고리에 적어도 하나의 A 기를 도입하기 위해, 식 (Int-3) 의 화합물은 Suzuki 반응에서, 대응하는 V 기(들)가, 바람직하게는 보론산 기 또는 보로닉 에스테르 기인 하나 이상의 반응성 기 E 로 전환된 후에, 적어도 하나의 A 기 (Hal-A) 에 커플링된다. 선택적으로 또한, 하나 또는 두 개의 Ar1 기가 5원 헤테로아릴 고리 (X가 C-V 에 대응하는 경우) 에 미리, 마찬가지로 바람직하게는 Suzuki 반응에 의해, 결합될 수 있다. 이는 도식 4에 나타낸 바와 같은 식 (I-A) 의 화합물을 제공한다:
도식 4
Figure pct00112
변수는 식 (I-A) 에 대해 위에서 정의한 바와 같으며, 여기서 인덱스 g 는 1 또는 2, 바람직하게는 1이고, 식은 각각 벤젠 고리 상의 비점유 위치에서 R1 라디칼로 치환된다.
본 출원에 따라 식 (I) 또는 식 (I-B) 의 스피로바이플루오렌의 제조를 위해 (이들 각각에서 벤젠 고리가 5원 헤테로아릴 고리 (보다 바람직하게는 피롤, 푸란 또는 티오펜 고리) 로 교환되었음), 식 (Int-1) 의 화합물은 후속 단계에서, 예를 들어 식 (Int-1) 의 화합물의 카르보닐 작용기 상에 오르토-할로겐화 또는 오르토-금속화 비스아릴을 첨가하고 후속 산-촉매화 폐환에 의해, 반응되어, 식 (Int-4) 의 화합물을 제공한다 (도식 5).
도식 5
Figure pct00113
화학식 (Int-4) 의 화합물에서 변수는 위에 정의된 바와 같으며, 여기서 인덱스 f 는 바람직하게는 0 또는 1이고 인덱스 k 는 0 또는 1, 바람직하게는 0 이며, 여기서 적어도 하나의 V 기가 존재하고, 식은 각각 벤젠 고리 상의 비점유 위치에서 R1 라디칼에 의해 각각 치환된다.
5원 헤테로아릴 고리 및/또는 벤젠 고리에 적어도 하나의 A 기를 도입하기 위해, 식 (Int-4) 의 화합물은 Suzuki 반응에서, 대응하는 V 기(들)가, 바람직하게는 보론산 기 또는 보로닉 에스테르 기인 하나 이상의 반응성 기 E 로 전환된 후에, 적어도 하나의 A 기 (Hal-A) 에 커플링된다. 선택적으로 또한, 하나 또는 두 개의 Ar1 기가 5원 헤테로아릴 고리 (X가 C-V 에 대응하는 경우) 에 미리, 마찬가지로 바람직하게는 Suzuki 반응에 의해, 결합될 수 있다. 이는 도식 6에 나타낸 바와 같은 식 (I-B) 의 화합물을 제공한다:
도식 6
Figure pct00114
변수는 식 (I-B) 에 대해 위에서 정의한 바와 같으며, 여기서 인덱스 g 는 1 또는 2, 바람직하게는 1이고, 식은 각각 벤젠 고리 상의 비점유 위치에서 R1 라디칼로 치환된다.
도식 4 또는 6에서 위에 나타낸 바와 같이, 식 (Int-3) 및 (Int-4) 의 중간체는 기 A (Hal-A) 에 대응하는 헤테로아릴 화합물과 스즈키 커플링에 의해 반응될 수 있다. 이는 식 (I) 의 화합물을 제공한다.
따라서, 본 출원은 식 (I) 의, 특히 식 (I-A) 의 플루오렌 유도체, 또는 식 (I) 의, 특히 식 (I-B) 의 스피로바이플루오렌 유도체의 제조 방법으로서, 제 1 단계에서 Suzuki 커플링이 수행되고, 여기서 헤테로방향족 5원 고리가 벤젠 고리에 커플링되고, 헤테로방향족 5원 고리 또는 벤젠 고리가 카르복실산 기를 갖는 것; 제 2 단계에서 카르복실산 기는 산성 조건 하에 폐환 반응에 의해 고리화되어 헤테로방향족 5원 고리와 벤젠 고리 사이에 브릿징 카르보닐 기를 형성하는 것; 제 3 단계에서 카르보닐기가 환원되고, 유기할로겐 화합물 또는 유기금속 시약의 첨가로, 헤테로방향족 5원 고리와 벤젠 고리 사이에 치환된 메틸렌 브릿지가 얻어지고; 제 4 단계에서 헤테로아릴 화합물과 Suzuki 커플링을 수행하여 식 (I) 의, 특히 식 (I-A) 의 화합물을 수득하는 것; 또는 제 3 단계에서 오르토-할로겐화 또는 오르토-금속화 비스아릴이 첨가되고 추가의 폐환 반응이 수행되고; 제 4 단계에서 헤테로아릴 화합물과 Suzuki 커플링을 수행하여 식 (I) 의 화합물, 특히 식 (I-B) 의 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 제조 방법을 제공한다.
위에 기재된 본 발명의 화합물, 특히 반응성 이탈 기, 예컨대 브롬, 요오드, 염소, 보론 산 또는 보로닉 에스테르 (boronic ester) 에 의해 치환된 화합물은 대응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조용 단량체로서 용도를 찾을 수도 있다. 적합한 반응성 이탈기는 예를 들어, 브롬, 요오드, 염소, 보론산, 보론산 에스테르, 아민, 말단 C-C 이중 결합 또는 C-C 삼중 결합을 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 옥시란, 옥세탄, 부가 환화, 예를 들어 1,3-쌍극성 부가 환화에 들어가는 기, 예를 들어 디엔 또는 아지드, 카르복실산 유도체, 알코올 및 실란이다.
따라서 본 발명은 또한 식 (I), 또는 식 (I-A) 또는 (I-B) 의 하나 이상의 플루오렌 유도체 또는 스피로바이플루오렌 유도체를 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들) 이 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 에서의 R0, R1, R2, R3 또는 R4 에 의해 치환된 임의의 원하는 위치에서 국부화될 수도 있는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공한다. 식 (I), 또는 식 (I-A) 또는 (I-B) 의 화합물의 연결에 따라, 화합물은 올리고머 또는 폴리머의 측쇄의 일부 또는 주쇄의 일부이다. 본 발명의 맥락에서 올리고머는 적어도 3 개의 단량체 단위로부터 형성된 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 폴리머는 본 발명의 맥락에서 적어도 10 개의 단량체 단위로부터 형성된 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액되거나, 부분적으로 공액되거나 또는 비공액될 수도 있다. 본 발명의 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지상 (dendritic) 일 수도 있다. 선형 연결을 갖는 구조에서, 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 단위는 서로 직접 연결될 수 있거나, 또는 2가 기를 통해, 예를 들면 치환 또는 비치환된 알킬렌기를 통해, 헤테로원자를 통해 또는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 서로 연결될 수 있다. 분지 및 수지상 구조에서, 예를 들면, 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 3 개 이상의 단위가 3가 또는 더 높은 가수의 기를 통해, 예를 들면 3가 또는 더 높은 가수의 방향족 또는 헤테로방향족 기를 통해 연결되어, 분지형 또는 수지상 올리고머 또는 폴리머를 제공하는 것이 가능하다.
올리고머, 덴드리머 및 폴리머에서 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 반복 단위를 위해, 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 화합물에 대해 상술한 바와 같이 동일한 선호들이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 단량체는 추가 단량체와 단독 중합 또는 공중합된다. 적합하고 바람직한 공단량체는 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 파라페닐렌, 카르바졸, 티오펜, 디히드로페난트렌, 시스-및 트랜스-인데노플루오렌, 케톤, 페난트렌 또는 그렇지 않으면 이들 단위 중 둘 이상으로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 통상적으로 또한 더욱 추가의 단위, 예를 들어 방출 (형광 또는 인광) 단위, 예를 들어 비닐트리아릴아민 또는 인광 금속 착물, 및/또는 전하 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기반한 그러한 것들을 함유한다.
본 발명의 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 유리한 특성, 특히 고 수명, 고 효율 및 양호한 색상 좌표를 갖는다.
본 발명의 폴리머 및 올리고머는 일반적으로 하나 이상의 단량체 유형의 중합에 의해 제조되고, 이들 중 적어도 하나의 단량체는 폴리머에서 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 반복단위에 이른다. 적합한 중합 반응은 당업자에게 알려져 있고 문헌에 기재되어 있다. C-C 및 C-N 커플링에 이르는 특히 적합하고 바람직한 중합 반응은 다음과 같다 :
(A) SUZUKI 중합;
(B) YAMAMOTO 중합;
(C) STILLE 중합; 및
(D) HARTWIG-BUCHWALD 중합.
이들 방법들에 의해 중합이 수행될 수 있는 방식 및 다음으로 폴리머가 반응 매질로부터 분리되고 정제될 수 있는 방식은 당업자에게 알려져 있고 문헌에 자세히 설명되어 있다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체 상으로부터 본 발명의 화합물을 처리하기 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 필요하다. 이들 포뮬레이션은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-크실렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, 알파-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 또한 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 적어도 하나의 플루오렌 유도체 또는 스피로바이플루오렌 유도체, 또는 식 (I), 또는 (I-A) 또는 (I-B) 의 적어도 하나의 단위를 함유하는 적어도 하나의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머 및 적어도 하나의 용매, 바람직하게는 유기 용매를 포함하는 포뮬레이션, 특히 용액, 분산액 또는 유화액을 제공한다. 이러한 용액이 제조될 수 있는 방법은 당업자에게 알려져 있다.
본 발명의 화합물 또는 본 발명의 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는, 마찬가지로 전자 디바이스에서, 예를 들어, 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 형광 방출체, 지연 형광 재료, 인광 방출체, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 차단 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료, n-도펀트 및 p-도펀트에 사용되는, 적어도 하나의 추가 화합물, 특히 적어도 하나의 추가 유기 또는 무기 화합물과 함께 조성물에 추가적으로 존재할 수 있다.
따라서, 본 발명은 본 발명의 적어도 하나의 화합물 또는 본 발명의 적어도 하나의 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머, 및 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 형광 방출체, 지연 형광 재료, 인광 방출체, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 차단 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료, n-도펀트 및 p-도펀트로부터 선택된 추가 화합물을 포함하는 조성물을 추가로 제공한다. 이들 추가 화합물의 적합한 예는 하기에 열거된다.
식 (I) 의 화합물은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 에 사용하기에 적합하다. 치환에 따라, 식 (I) 의 화합물은 상이한 기능 및 층에 사용될 수 있다. 전자 수송 층에서 전자 수송 재료로서 및/또는 방출 층에서 매트릭스 재료로서, 보다 바람직하게는 인광 방출체와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
따라서 본 발명은 전자 디바이스에서 식 (I) 의 화합물의 사용을 추가로 제공한다. 이러한 전자 디바이스는 바람직하게는 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 디바이스 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC), 유기 레이저 다이오드 (O-laser) 및 더욱 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한 적어도 하나의 식 (I) 의 화합물을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 이 전자 디바이스는 바람직하게는 위에 언급된 디바이스로부터 선택된다.
특히 바람직하게는 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출층을 포함하고, 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 적어도 하나의 유기층이 디바이스에 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다. 바람직하게는 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출층을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스로서, 전자 수송 층 및 방출층으로부터 선택되는, 디바이스 내의 적어도 하나의 유기층이 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
여기서 전자 수송 층은 캐소드와 방출 층 사이에 배치되는 모든 층, 바람직하게는 전자 주입 층 (EIL), 전자 수송층 (ETL), 및 정공 차단 층 (HBL) 을 의미하는 것으로 이해된다. 여기서 전자 주입 층은 캐소드에 바로 인접하는 층을 의미하는 것으로 이해된다. 여기서 전자 수송 층은 캐소드와 방출 층 사이에 있지만 캐소드에 바로 인접하지 않고 바람직하게 방출 층에도 바로 인접하지 않는 층을 의미하는 것으로 이해된다. 여기서 정공 차단 층은 캐소드와 방출 층 사이에 있고 방출 층에 바로 인접하는 층을 의미하는 것으로 이해된다.
정공 차단 층은 바람직하게는, 에너지 목적으로, 제 1 유기 매트릭스 재료 및/또는 제 2 유기 매트릭스 재료보다 하위 (lower-lying) HOMO를 갖는 유기 재료를 포함한다. 따라서, 정공 (일반적으로 더 작은 문제를 구성하는 주입 및 수송) 은 전자 수송층에 의해 캐소드로 직접 이동하는 것이 막힌다 (이러한 이유로 전자 수송층을 종종 정공 차단층이라고도 한다).
캐소드, 애노드 및 방출층 이외에, 전자 디바이스는 추가 층을 포함할 수도 있다. 이들은 예를 들어, 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 여기자 차단층, 중간층, 전하 생성 층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합으로부터 선택된다. 그러나, 이러한 층 모두가 반드시 존재할 필요는 없고 층의 선택은 항상 사용된 화합물 및 특히 또한 디바이스가 형광 또는 인광 전계 발광 디바이스인지 여부에 의존함이 지적되야 한다.
전자 디바이스에서의 층들의 순서는 바람직하게는 다음과 같다 :
-애노드-
-정공 주입층-
-정공 수송층-
-선택적으로 추가의 정공 수송 층-
- 선택적으로 전자 차단 층 -
- 방출 층-
-선택적으로 정공 차단 층-
-전자 수송 층-
-전자 주입층-
-캐소드-.
동시에, 언급된 층 모두가 존재할 필요는 없다는 것 및/또는 추가 층이 또한 존재할 수도 있다는 것이 다시 지적되어야 한다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 둘 이상의 방출 층을 함유할 수도 있다. 더 바람직하게는, 이들 방출층은 전체 결과가 백색 방출이 되도록, 전체적으로 380 nm 내지 750 nm 의 여러 방출 최대치를 가지며; 다른 말로는, 형광 또는 인광일 수도 있고 청색, 녹색 황색, 오렌지색 또는 적색 광을 방출하는 다양한 방출성 화합물이 방출층에서 사용된다. 3 층 시스템, 즉 3 개의 방출층을 갖는 시스템으로서, 각 경우에 3 개의 층 중 하나는 청색 방출을 나타내고, 각 경우에 3 개의 층 중 하나는 녹색 방출을 나타내며, 각 경우에 3 개의 층 중 하나는 오렌지색 또는 적색 방출을 나타내는, 시스템이 특히 바람직하다. 본 발명의 화합물은 바람직하게는 정공 수송 층 또는 방출층에 존재한다. 백색광의 생성을 위해, 넓은 파장 범위에서 방출하는 개별적으로 사용되는 방출체 화합물이, 색을 방출하는 복수의 방출체 화합물 대신에 또한 적합할 수 있다는 것이 언급되어야 한다.
식 (I) 의 화합물이 전자 수송 재료 (ETM) 로 사용되는 것이 바람직하다. 여기서 방출 층은 형광 방출 층일 수도 있거나, 또는 인광 방출 층일 수도 있다. 방출 층은 바람직하게는 청색 형광 층 또는 녹색 인광 층이다.
식 (I) 의 화합물을 함유하는 디바이스가 인광 발광층을 함유하는 경우, 이 층은 2 개 이상, 바람직하게는 정확히 2 개의 상이한 매트릭스 재료 (혼합 매트릭스 시스템) 을 함유하는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템의 바람직한 실시 형태는 아래에서 더 자세히 설명된다.
식 (I) 의 화합물이 전자 수송층, 전자 주입층 또는 정공 차단층에서 전자 수송 재료로서 사용된다면, 화합물은 순수한 재료, 즉 100 % 비율로 전자 수송, 전자 주입 또는 정공 차단층에 사용될 수 있거나, 또는 그것은 하나 이상의 추가 화합물, 바람직하게는 유기 화합물과 조합하여 사용될 수 있다.
바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물을 포함하는 전자 수송 층은 하나 이상의 추가의 전자 수송 화합물을 추가로 포함한다. 이들 추가 전자 수송 화합물은 바람직하게는 아래에 추가로 명시된 전자 수송 재료의 바람직한 실시형태로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 전자 수송층은 추가 전자 수송 화합물로서 LiQ (리튬 8-퀴놀리네이트) 또는 LiQ 유도체와 함께 식 (I) 의 화합물을 포함한다. 설명된 바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물 및 하나 이상의 추가의 전자 수송 화합물은 바람직하게는 각각 적어도 10%, 보다 바람직하게는 각각 적어도 20% 의 비율로 존재한다.
다른 바람직한 실시형태에서, 전자 수송층은 순수한 재료로서 식 (I) 의 화합물을 포함하고, 전자 주입층은 하나 이상의 추가 전자 수송 화합물, 보다 바람직하게는 LiQ 또는 LiQ 유도체를 포함한다.
바람직한 실시형태에서, 식 (I) 의 화합물을 함유하는 정공 수송 층은 추가적으로 하나 이상의 p-도펀트를 함유한다. 본 발명에 따라 사용된 p-도펀트는 혼합물 중 하나 이상의 다른 화합물을 산화시킬 수 있는 그러한 유기 전자 수용체 화합물인 것이 바람직하다.
p-도펀트로서 특히 바람직한 것은 퀴노디메탄 화합물, 아자인데노플루오렌디온, 아자페날렌, 아자트리페닐렌, I2, 금속 할라이드, 바람직하게는 전이 금속 할라이드, 금속 산화물, 바람직하게는 적어도 하나의 전이 금속 또는 주 3 족으로부터의 금속을 포함하는 금속 산화물, 및 전이 금속 착물, 바람직하게는 Cu, Co, Ni, Pd 및 Pt 와 결합 부위로서 적어도 하나의 산소 원자를 함유하는 리간드와의 착물이다. 또한, 도펀트로서 전이 금속 산화물이 바람직하고, 레늄, 몰리브덴 및 텅스텐의 산화물이 바람직하고, Re2O7, MoO3, WO3 및 ReO3 이 더욱 바람직하다. (III) 산화 상태의 비스무트 착물, 보다 특히, 전자-결핍 리간드, 보다 특히 카르복실레이트 리간드를 갖는 비스무트(III) 착물이 한층 더 바람직하다.
p-도펀트는 바람직하게는 p-도핑된 층 내에 실질적으로 균일한 분포로 있다. 이들은 예를 들어, p-도펀트 및 정공 수송 재료 매트릭스의 동시 증발에 의해 달성될 수 있다. p-도펀트는 바람직하게는 p-도핑된 층에 1 % 내지 10 %의 비율로 존재한다.
바람직한 p-도펀트는 특히 하기 화합물이다:
Figure pct00115
Figure pct00116
바람직한 실시 형태에서, 다음 실시형태 중 하나를 따르는 정공 주입 층이 디바이스에 존재한다 : a) 그것은 트리아릴아민 및 p-도펀트를 함유하거나; 또는 b) 그것은 단일 전자 결핍 재료 (전자 수용체) 를 함유한다. 실시 형태 a) 의 바람직한 실시형태에서, 트리아릴아민은 모노트리아릴아민, 특히 아래에서 추가로 언급되는 바람직한 트리아릴아민 유도체 중 하나이다. 실시 형태 b) 의 바람직한 실시형태에서, 전자 결핍 재료는 US 2007/0092755에 기술된 바와 같은 헥사아자트리페닐렌 유도체이다.
식 (I) 의 화합물은 디바이스의 전자 주입층, 전자 수송 층 및/또는 정공 차단 층에 존재할 수도 있다. 화합물이 전자 주입 층 또는 전자 수송층에 존재하는 경우, 바람직하게 이것은 p-도핑되었으며, 이는 그것이 층에서 전술한 바와 같이 p-도펀트와 혼합된 형태임을 의미한다.
식 (I) 의 화합물은 바람직하게, 전자 수송층에서 및/또는 정공 차단층에서 존재한다. 가장 바람직하게는, 식 (I) 의 화합물은 전자 수송 층에 존재한다. 이 경우, 이것은 p-도핑되지 않는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 이 경우, 전자 수송층에 단일 화합물로 존재하는 것이 아니라, 하나 이상의 추가 화합물, 바람직하게는 추가 전자 수송 및/또는 전자 주입 재료, 그리고 가장 바람직하게는 LiQ (리튬 8-퀴놀리놀레이트) 또는 LiQ 유도체와 조합하여 존재한다.
대안의 바람직한 실시 형태에서, 식 (I) 의 화합물은 하나 이상의 방출 화합물, 바람직하게 인광 방출 화합물과 조합하여 매트릭스 재료로서 방출 층에 사용된다. 여기서 인광 방출 화합물은 바람직하게는 적색 인광 및 녹색 인광 화합물로부터 선택된다.
이러한 경우 방출층에서의 매트릭스 재료의 비율은 50.0 부피% 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 부피% 내지 99.5 부피%, 그리고 보다 바람직하게는 85.0 부피% 내지 97.0 부피% 이다.
이에 대응하여, 방출 화합물의 비율은 0.1 부피% 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 부피% 내지 20.0 부피%, 그리고 보다 바람직하게는 3.0 부피% 내지 15.0 부피% 이다.
유기 전계발광 디바이스의 방출층은 또한 복수의 매트릭스 재료 (혼합된 매트릭스 시스템) 및/또는 복수의 방출 화합물을 포함하는 시스템을 함유할 수도 있다. 이 경우에도 또한, 방출 화합물은 일반적으로 시스템에서 더 적은 비율을 갖는 화합물이고, 매트릭스 재료는 시스템에서 더 큰 비율을 갖는 화합물이다. 그러나, 개개의 경우에, 시스템에서 단일 매트릭스 재료의 비율은 단일 방출 화합물의 비율보다 적을 수도 있다.
식 (I) 의 화합물은 혼합 매트릭스 시스템의 성분으로서, 바람직하게는 인광 방출체에 사용되는 것이 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 또는 3 개의 상이한 매트릭스 재료, 보다 바람직하게는 2 개의 상이한 매트릭스 재료를 포함한다. 바람직하게는, 이러한 경우, 2 개 재료 중 하나는 전자 수송 특성을 갖는 재료이고, 다른 재료는 정공 수송 특성을 갖는 재료이다. 재료들 중 하나가 HOMO 와 LUMO 사이의 에너지 차이가 큰 화합물 (와이드 밴드갭 재료) 로부터 선택되는 경우에 또한 바람직하다. 혼합 매트릭스 시스템에서 식 (I) 의 화합물은 바람직하게는 전자 수송 특성을 갖는 매트릭스 재료이다. 대응하여, 식 (I) 의 화합물이 OLED 의 방출 층에서 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 사용될 때, 정공 수송 특성을 갖는 제 2 매트릭스 화합물이 방출 층에 존재한다. 전자 수송 재료로서 식 (I) 의 화합물이 정공 수송 재료로서 카르바졸 유도체, 특히 비스카르바졸과 함께 혼합물로서 EML에 존재하는 경우 여기서 특히 바람직하다. 2 개의 상이한 매트릭스 재료는 여기서 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 더욱 바람직하게는 1:10 내지 1:1, 그리고 가장 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비로 존재할 수도 있다.
매트릭스 재료로서 바람직한 비스카르바졸은 하기 식의 것들이다:
Figure pct00117
매우 바람직한 비스카르바졸은 하기 식의 것들이다:
Figure pct00118
식 중, R 기는 위에 및/또는 청구항 1에 정의된 R0 기와 동일한 정의를 가지며; Ar4 및 Ar5 는 위에 및/또는 청구항 1 에 정의된 Ar0 기와 동일한 정의를 갖는다.
특히 바람직한 비스카르바졸은 하기 식의 것들이다:
Figure pct00119
Figure pct00120
그러나, 혼합 매트릭스 성분의 원하는 전자 수송 및 정공 수송 특성은 또한, 주로 또는 전적으로 단일 혼합 매트릭스 성분 내에 조합될 수 있고, 이러한 경우 추가의 혼합 매트릭스 성분(들) 이 다른 기능을 이행한다.
위에서 언급한 디바이스의 층에서 다음 재료 부류를 사용하는 것이 바람직하다:
인광 방출체:
"인광 방출체" 라는 용어는 통상적으로, 스핀 금지 천이, 예를 들어, 여기된 삼중항 상태 또는 더 높은 스핀 양자 수를 갖는 상태, 예를 들어 오중항 (quintet) 상태로부터의 천이를 통해 광의 방출이 이루어지는 화합물을 포함한다.
적합한 인광 방출체는 특히, 적합하게 여기될 때, 바람직하게는 가시 영역에서, 광을 방출하고 또한 20 초과, 바람직하게는 38초과 그리고 84 미만, 보다 바람직하게는 56 초과 그리고 80 미만의 원자 번호 (atomic number) 의 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물이다. 인광 방출체로서, 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 문맥에서, 모든 발광성 이리듐, 백금 또는 구리 착물은 인광 화합물인 것으로 간주된다.
일반적으로, 선행 기술에 따른 인광 OLED 에 사용되고 유기 전계 발광 디바이스 분야의 당업자에게 알려져 있는 모든 인광 착물이, 본 발명의 디바이스에서의 사용에 적합하다. 적합한 인광 방출체의 추가의 예가 아래 표에 나타나 있다:
Figure pct00121
Figure pct00122
Figure pct00123
Figure pct00124
Figure pct00125
Figure pct00126
Figure pct00127
Figure pct00128
Figure pct00129
Figure pct00130
Figure pct00131
형광 방출체:
바람직한 형광 방출 화합물은 아릴아민의 부류로부터 선택된다. 아릴아민 또는 방향족 아민은 본 발명의 맥락에서 질소에 직접 결합된 3 개의 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 이러한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들 중 적어도 하나는, 보다 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는, 융합 고리 시스템이다. 이들의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노 기가, 바람직하게는 9,10 위치에서, 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되며, 여기서 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 추가의 바람직한 방출 화합물은 인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 -디아민, 및 융합된 아릴 기를 갖는 인데노플루오렌 유도체이다. 마찬가지로 피렌아릴아민이 바람직하다. 마찬가지로, 벤조인데노플루오렌아민, 벤조플루오렌아민, 확장된 벤조인데노플루오렌 (extended benzoindenofluorene), 페녹사진, 및 플루오렌 유도체가 푸란 단위에 또는 티오펜 단위에 연결된 것이 바람직하다.
지연 형광 재료:
적합한 지연 형광 재료, 이를테면 지연 형광 방출체 또는 지연 형광 호스트는 선행 기술에, 예를 들어, Ye Tao et al., Adv. Mater. 2014, 26, 7931-7958, M. Y. Wong et al., Adv. Mater. 2017, 29, 1605444, WO 2011/070963, WO 2012/133188, WO 2015/022974 and WO 2015/098975 에 잘 알려져 있다. 통상적으로, 지연 형광 재료는 단일항 에너지 레벨 (S1) 과 삼중항 에너지 레벨 (T1) 사이에 아주 작은 에너지 갭을 갖는 것을 특징으로 한다. 바람직하게, EST 는 0.5 eV 보다 작고, 보다 바람직하게는 0.3　eV 보다 작고 가장 바람직하게는 0.2　eV 보다 작고, 여기서 EST 는 단일항 에너지 레벨 (S1) 과 삼중항 에너지 레벨 (T1) 사이의 에너지 차이를 나타낸다.
형광 방출체용 매트릭스 재료:
형광 방출체를 위한 바람직한 매트릭스 재료는 올리고아릴렌 (예를 들어, 2,2',7,7'-테트라페닐스피로바이플루오렌), 특히 융합된 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 폴리포달 금속 착물, 정공 전도 화합물, 전자 전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 산화물 및 술폭사이드; 회전장애 이성질체 (atropisomer), 보론산 유도체 또는 벤즈안트라센의 부류로부터 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 산화물 및 술폭사이드의 부류에서 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애 이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 부류에서 선택된다. 본 발명의 맥락에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 것이다.
인광 방출체용 매트릭스 재료:
식 (I) 의 화합물뿐만 아니라, 인광 방출체를 위한 바람직한 매트릭스 재료들은, 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어, CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐), 인돌로카르바졸 유도체, 인데노카르바졸 유도체, 아자카르바졸 유도체, 바이폴라 매트릭스 재료, 실란, 아자보롤 또는 보로닉 에스테르, 트리아진 유도체, 아연 착물, 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 디아자포스폴 유도체, 브릿지된 카르바졸 유도체, 트리페닐렌 유도체 또는 락탐이다.
전자 수송 재료:
본 발명의 OLED 의 전자 수송 층에서 식 (I) 의 화합물과 함께 바람직하게 이용되는 추가의 화합물은, 예를 들어 YY. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010 에 개시되어 있는 화합물, 또는 선행 기술에 따라 이들 층에서 사용되는 다른 재료이다.
전자 수송층에서 식 (I) 의 화합물과 함께 사용되는 추가 화합물은 선행 기술에 따른 전자 수송층에서 전자 수송 재료로서 사용될 수 있는 임의의 재료이다. 특히, 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 리튬 착물, 예를 들어 Liq, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 산화물 유도체가 적합하다. 바람직한 전자 수송 화합물은 다음의 표에 나타나 있다:
Figure pct00132
Figure pct00133
정공 수송 재료:
Figure pct00134
Figure pct00135
Figure pct00136
Figure pct00137
Figure pct00138
Figure pct00139
Figure pct00140
Figure pct00141
Figure pct00142
정공 수송 층에 사용되는 재료는 선행 기술에 따라 이들 층에서 사용되는 임의의 재료일 수도 있다. 하기가 특히 적합하다: 인데노플루오렌아민 유도체, 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체, 융합 방향족 시스템을 갖는 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민, 디벤조인데노플루오렌아민, 스피로바이플루오렌아민, 플루오렌아민, 스피로디벤조피란아민, 디히드로아크리딘 유도체, 스피로디벤조푸란 및 스피로디벤조티오펜, 페난트렌디아릴아민, 스피로트리벤조트로폴론, 메타-페닐디아민 기를 갖는 스피로바이플루오렌, 스피로비스아크리딘, 크산텐디아릴아민, 및 디아릴아미노 기를 갖는 9,10-디히드로안트라센 스피로 화합물이 특히 바람직하다. 바람직한 정공 수송 화합물은 다음의 표에 나타나 있다:
Figure pct00143
Figure pct00144
Figure pct00145
Figure pct00146
와이드 밴드갭 재료:
본 발명의 맥락 내에서, 와이드 밴드 갭 재료는 US　7,294,849 에 개시된 바와 같은 그러한 재료를 의미하는 것으로 이해되며, 이는 적어도 3.5 eV 의 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하고, 여기서 용어 "밴드 갭" (band gap) 은 최고 점유 분자 궤도 (HOMO) 와 최저 비점유 분자 궤도 (LUMO) 사이의 에너지 갭을 의미한다. 이러한 시스템은 당업계에 잘 알려져 있으며 전계 발광 디바이스에서 특히 유리한 성능 특성을 가진다.
n-도펀트:
n형 ETL (n-ETL) 의 경우 n-도펀트의 이온화 전위는 전자 수송 매트릭스의 LUMO 레벨보다 높아야 한다. n-ETL의 LUMO 레벨은 보통 약 3.0 eV 이며, n-도펀트에 대해 더 높은 HOMO 에너지 (< 3.0 eV) 가 필요하다. n-도펀트에 대한 가능한 후보는 Li 및 Cs와 같은 알칼리 금속 또는 Ru (terpy) 2 와 같은 상위 HOMO 분자이다.
전자 수송층과 접촉 금속 사이에 LiF 층을 도입하면 OLED의 작동 전압을 낮추는 것으로 나타났다. 이것은 Alq3에서 방출된 Li에 의한 일종의 n-도핑 효과로 설명된다.
p-도펀트:
p-도핑된 정공 수송 재료가 정공 주입층으로서 애노드에 적용되는 경우가 또한 바람직하며, 이러한 경우 적합한 p-도펀트는 금속 산화물, 예를 들어 MoO3 또는 WO3, 또는 (퍼)플루오르화 전자-결핍 방향족 시스템이다. 추가의 적합한 p-도펀트는 Novaled 로부터의 화합물 NPD9 또는 HAT-CN (hexacyanohexaazatriphenylene) 이다. 이러한 층은 낮은 HOMO, 즉 규모의 관점에서 큰 HOMO 를 갖는 재료에의 정공 주입을 단순화시킨다.
전자 디바이스의 바람직한 캐소드는 낮은 일함수를 갖는 금속, 다양한 금속, 예를 들어 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란타노이드 (예를 들어, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 로 구성되는 금속 합금 또는 다층 구조이다. 추가적으로, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은으로 구성된 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은으로 구성된 합금이 적합하다. 다중층 구조의 경우에, 언급된 금속에 추가로, 상대적으로 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 또는 Al 을 또한 사용할 수 있으며, 이 경우 예를 들어 Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ba/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이러한 목적을 위해 유용한 재료의 예는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라 대응하는 산화물 또는 카보네이트 (예를 들어, LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 또한 이 목적을 위해 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 를 사용하는 것이 가능하다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
바람직한 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료이다. 바람직하게는, 애노드는 진공에 비해 4.5 eV 초과의 일 함수를 갖는다. 첫째, 산화환원 전위가 높은 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au가 이 목적에 적합하다. 둘째, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들면, Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수도 있다. 일부 응용의 경우, 전극 중 적어도 하나가, 유기 재료의 조사 (유기 태양 전지) 또는 광의 방출 (OLED, O-레이저) 중 어느 일방을 가능하게 하기 위해 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야 한다. 여기서, 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 추가로 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 중합체가 바람직하다. 게다가, 애노드는 또한, 2개 이상의 층, 예를 들어 ITO 의 내부 층 및 금속 산화물, 바람직하게는 산화 텅스텐, 산화 몰리브덴 또는 산화 바나듐의 외부 층으로 이루어질 수도 있다.
바람직한 실시형태에서, 전자 디바이스는 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서의 증착에 의해 적용된다. 이 경우, 그러나, 초기 압력이 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 또한 가능하다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 운반체 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스가 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 와 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특별한 경우는 OVJP (organic vapour jet printing) 방법으로, 여기서 재료는 노즐에 의해 직접 도포되고, 이에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold 등의, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
부가적으로 바람직한 것은 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 노즐 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 그러나 보다 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미징, 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스이다. 이 목적을 위해, 식 (I) 의 가용성 화합물이 필요하다. 높은 용해도는 화합물의 적합한 치환에 의해 달성될 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 디바이스가 용액으로부터 하나 이상의 층 및 승화 방법에 의해 하나 이상의 층을 적용함으로써 제조되는 것이 바람직하다.
층들의 적용 후에, 사용에 따라, 디바이스는 물 및 공기에 의한 손상 영향을 배제하기 위해, 구조화되고, 접점-접속되고, 최종적으로 밀봉된다.
본 발명에 따라서, 식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 디바이스는 디스플레이에서, 조명 응용에서 광원으로서 그리고 의료 및/또는 미용 응용에서 광원으로서 사용될 수 있다.
실시예
A) 합성예
달리 언급하지 않는 한, 건조 용매 중에서 보호 가스 분위기 하에 하기의 합성을 수행한다. 반응물은 ALDRICH (불화칼륨(분무 건조), 트리-tert-부틸포스핀, 팔라듐(II) 아세테이트)에서 구입될 수 있다. 3-클로로-5,6-디페닐-1,2,4-트리아진은 EP 577559와 유사하게 제조될 수 있다. 2',7'-디-tert- 부틸-스피로-9,9'-바이플루오렌-2,7-비스보론산 글리콜 에스테르는 WO 02/077060에 따라 제조할 수 있으며, 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진은 US 5,438,138에 따라 제조될 수 있다. 스피로-9,9'-바이플루오렌-2,7-비스(보론산 글리콜 에스테르)는 WO 02/077060과 유사하게 제조될 수 있다.
a) 6-클로로인데노[1,2-c]티오펜-4-온 1a
Figure pct00147
4-(4-클로로페닐)티오펜-3-카르복실산 10g(41.9mmol)을 트리플루오로메탄술폰산 73ml에 현탁하고 90℃에서 2시간 가열한다. 냉각 후, 잔류물을 얼음에 붓고 에틸 아세테이트로 추출한다. 상 분리 후, 용매를 감압하에 제거하고 잔류물을 크로마토그래피 (헵탄/에틸 아세테이트, 1:1) 로 분리한다.
수율은 2.9　g (13.4　mmol) 이며, 이론치의 32% 에 해당한다.
b) 6-클로로-4H-인데노[1,2-c]티오펜 1b
Figure pct00148
톨루엔 1000ml와 에탄올 2000ml의 혼합물 중 6-클로로인데노[1,2-c]티오펜-4-온의, 환류하 비등의, 잘 교반된 현탁액에, 히드라진 수화물 49ml(1000mmol) 그리고 다음으로 새로 제조한 Raney 니켈 3g을 첨가한다. 환류하 2시간 후, 혼합물을 냉각시키고, 감압하에 용매를 제거하고, 잔류물을 따뜻한 클로로포름 1000ml에 테이크업하고, 용액을 실리카겔을 통해 여과하고, 맑은 용액을 100ml로 농축하고, 300ml의 에탄올을 첨가한다. 혼합물을 12시간 동안 방치한 후, 무색 결정을 흡인으로 여과한 다음 클로로포름/에탄올로부터 2회 재결정화하였다.
수율 : 49 g (238 mmol), 이론치의 96%; 순도 : 1H NMR 에 의한 94%.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00149
Figure pct00150
c) 6-클로로-4,4-디메틸인데노[1,2-c]티오펜 1c
Figure pct00151
31　g (152　mmol) 의 6-클로로-4H-인데노[1,2-c]티오펜을 베이크 아웃된 플라스크 (baked-out flask) 에서 600　ml 의 건조 DMSO 에 용해시킨다. 43.9　g (457　mmol) 의 NaO t Bu 를 실온에서 첨가한다. 이제 청색 현탁액을 80℃의 내부 온도가 된게 한다. 이 온도에서 64.8g (457mmol) 의 요오도메탄을 내부 온도가 90℃를 초과하지 않는 그러한 속도 (지속시간 : 30분) 로 이제 보라색 용액에 적가한다. 혼합물은 추가 30분 동안 내부 온도 80-90℃ 에서 교반된다.
수율 : 30.5 g (132 mmol), 이론치의 88%; 순도 : 1H NMR 에 의한 96%.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00152
d) 6-클로로-1,3-디페닐인데노[1,2-c]티오펜-4-온 1d
Figure pct00153
4A 분자체의 초기 충전물을 베이크 아웃한 다음, 초기에 보호 가스 하에 325 ml의 건조 DMF 중 30g(136mmol)의 6-클로로인데노[1,2-c]티오펜-4-온, 탄산세슘 72g(220mmol), 브로모벤젠 46g(294mmol), {[1,1'-바이페닐]-2-일}디-tert-부틸)포스핀 2.2g(7.3mmol) 및 팔라듐(II) 아세테이트 0.83g (3.6mmol) 을 충전하고, 혼합물을 150℃에서 밤새 교반하였다. 그 후, 혼합물을 Celite 를 통해 열여과(hot-filter)하고, 에틸 아세테이트를 통해 세척하고 농축하고, 톨루엔/헵탄에서 재결정화한다.
수율은 30.4　g (82　mmol) 이며, 이론치의 60% 에 해당한다.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00154
Figure pct00155
e) 4-브로모-1',3'-디페닐-스피로[플루오렌-9,4'-인데노[1,2-c]티오펜] 1e
Figure pct00156
1 ℓ 의 4 구 플라스크에 350　ml 의 THF 중 40　g (112.2　mmol)의 2,2'-디브로모바이페닐을 초기에 투입하고 -78 ℃로 냉각시켰다. 적하 깔대기 (dropping funnel) 에 의해, 49　ml (123.5　mmol) 의 n-부틸리튬 (n-헥산 중 2.5　M) 을 이 온도에서 적하 첨가하고 그 혼합물을 1 시간 동안 교반한다. 이어서, THF 300ml 에 용해된 1,3-디페닐-8H-인데노[1,2-c ]티오펜-8-온 38g (112mmol ) 을 적하 깔때기를 통해 첨가하고, 혼합물을 밤새 실온이 되도록 하였다. 그 후 회전증발로 THF를 제거하고 물 500ml/에틸 아세테이트 200ml로 가수분해한 후 추출 진탕 및 건조한다. 고체를 440ml의 톨루엔에 용해시키고 2.1g(11.198mmol)의 톨루엔-4-술폰산 일수화물과 함께 환류하에 밤새 비등시켰다. 이 다음에, 물 및 에틸 아세테이트를 첨가하고, 상을 분리하고 회전식 증발기에서 유기 용매를 제거한다. 고체들은 알루미나 위의 n-헵탄/톨루엔 (1:1) 으로 열 추출되고 헵탄/톨루엔에서 재결정화된다.
수율은 58.8　g (106　mmol) 이며, 이론치의 90% 에 해당한다.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00157
Figure pct00158
f) 2-브로모스피로[4a,8a-디히드로인데노[1,2-b]푸란-4,9'-플루오렌] 1f
Figure pct00159
클로로포름 (900　ml) 중 46.2　g (150 mmol) 의 스피로[4a,8a-디히드로인데노[1,2-b]푸란-4,9'-플루오렌]의 용액에, 0℃ 암 상태에서, N-브로모숙신이미드 (26.6　g, 150　mmol) 가 부분들로 (in portions) 첨가되고, 혼합물이 이 온도에서 2 시간 동안 교반된다.
아황산 나트륨 용액을 첨가하여 반응을 종결시키고, 혼합물을 실온에서 추가 30 분 동안 교반하였다. 상분리 후, 유기 상을 물로 세척하고 수성 상을 디클로로메탄으로 추출하였다. 조합된 유기 상을 황산 나트륨 상에서 건조시키고, 감압 하에 농축한다. 잔류물을 톨루엔에 용해시키고, 실리카 겔을 통해 여과한다. 이후, 조 생성물 (crude product) 을 톨루엔/헵탄으로부터 재결정화한다.
수율 : 44 g (115 mmol), 이론치의 77%, 무색 고체.
g) ( 1',3'-디페닐스피로[플루오렌-9,4'-인데노[1,2-c]티오펜]-4-일)보론 산 1g
Figure pct00160
-78℃ 로 냉각시킨, 1500 ml 의 디에틸 에테르 중 144 g (270 mmol) 의 4-브로모-1',3'-디페닐-스피로[플루오렌-9,4'-인데노[1,2-c]티오펜] 의 용액에, 110 ml (276 mmol) 의 n-부틸리튬 (헥산 중 2.5 M) 을 적가한다. 반응 혼합물은 30 분 동안 -78℃ 에서 교반된다. 혼합물을 실온이 되게 하고 다시 -78℃ 로 냉각시킨 다음, 50 ml 의 디에틸 에테르 중 40 ml (351 mmol) 의 트리메틸 보레이트의 혼합물을 신속하게 첨가하였다. -10℃ 로 가온시킨 후, 가수분해를 135 ml 의 2 N 염산으로 행했다. 유기 상을 제거하고, 물로 세척하고, 황산나트륨 상 건조하고 농축 건조시켰다. 잔류물을 300 ml 의 n-헵탄에서 테이크 업하고, 무색 고체를 흡인으로 여과하고, n-헵탄으로 세정하고, 감압 하 건조시킨다.
수율: 135 g (262 mmol), 이론치의 97%; 순도: HPLC 에 의한 96%.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00161
Figure pct00162
Figure pct00163
Figure pct00164
h) 2-(1',3'-디페닐스피로[플루오렌-9,4'-인데노[1,2-c]티오펜]-4-일)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 1h
Figure pct00165
(1',3'-디페닐스피로[플루오렌-9,4'-인데노[1,2-c]티오펜]-4-일)보론산 57g(110mmol), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 30g(110.0mmol) 및 인산삼칼륨 45g (210.0mmol) 을 500　ml 의 톨루엔, 500　ml 의 디옥산 및 500　ml 의 물에 현탁시킨다. 이 현탁액에 913　mg (3.0　mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 그리고 다음으로 112 mg (0.5 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 반응 혼합물을 16 시간 동안 환류하에 가열한다. 냉각 후, 유기 상을 제거하고, 실리카 겔을 통해 여과하고, 200　ml 의 물로 3 회 세척한 다음 농축 건조시킨다. 톨루엔 및 디클로로메탄/이소-프로판올로부터 잔류물을 재결정화시키고, 최종적으로 고 진공 (p = 5 x 10-5 mbar, T = 377℃) 하 승화시킨다. 수율은 이론치의 82%에 해당하는 63.6　g (90　mmol) 이다.
유사한 방식으로, 하기의 화합물을 수득하는 것이 가능하다:
Figure pct00166
Figure pct00167
Figure pct00168
Figure pct00169
Figure pct00170
Figure pct00171
Figure pct00172
Figure pct00173
Figure pct00174
Figure pct00175
Figure pct00176
Figure pct00177
B) 디바이스 예
1) OLED 를 위한 일반 제조 프로세스 및 OLED 의 특성화
두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리판은 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판/선택적 중간층 (IL)/정공 주입층 (HIL)/정공 수송층 (HTL)/전자 차단층 (EBL)/방출층 (EML)/선택적 정공 차단층 (HBL)/전자 수송층 (ETL)/선택적 전자 주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조는 이하의 표에서 찾아볼 수 있다. 제조된 OLED의 구조 및 OLED 제조에 사용된 재료는 하기 표 2 및 3에 나타내었다.
모든 재료들은 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 이러한 경우, 방출 층은, 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 동시 증발에 의해 특정한 부피 비율로, 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 방출 도펀트로 이루어진다. EG1:TER5 (97%:3%) 와 같은 이러한 형태로 주어진 상세들은 여기에서 재료 EG1 가 부피 비율로 97% 그리고 TER5 이 3% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다.
유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적의 경우, 전계 발광 스펙트럼, 전류 효율 (CE, cd/A 로 측정됨) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨) 은, 수명과 같이, Lambertian 방출 특성을 가정하여 전류-전압-휘도 특성 (IUL 특성) 으로부터 계산된, 휘도의 함수로서 측정된다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 결정되고, CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 그로부터 계산된다. 표 4 에서의 파라미터 U1000 은 1000 cd/㎡ 의 휘도에 필요한 전압을 나타낸다. CE1000 및 EQE1000 은 각각 1000 cd/㎡ 에서 얻은 전류 효율 및 외부 양자 효율을 나타낸다.
수명 LT 는, 일정한 전류 밀도 j0 로 작동하는 동안 휘도가 시작 휘도로부터 특정한 비율 L1 로 하락하는 시간으로서 정의된다. 표 4 에서의 L1 = 95% 의 수치는 LT 열에 보고된 수명이, 휘도가 그 시작 값의 95% 까지 떨어진 후의 시간에 대응하는 것을 의미한다.
2) OLED에서 본 발명의 식 (I) 의 화합물의 용도 및 이점
최적의 전하 밸런스를 달성하고 따라서 OLED 의 매우 우수한 성능 데이터를 달성하기 위해 두 개의 호스트 재료의 혼합물이 일반적으로 OLED 의 방출층에 사용된다. OLED 의 간소화된 제조와 관련하여, 사용되는 재료의 감소가 바람직하다. 따라서, 방출층에서 단 하나의 호스트 재료를 사용하는 것이 유리하다.
2a) 인광 적색 OLED 의 방출층에서의 본 발명의 화합물의 용도
실시예 E1 및 E2, E5 및 E6에서 본 발명의 화합물 EG1 내지 EG2를 인광 적색 OLED의 방출층의 매트릭스 재료로 사용함으로써, 단일 재료(E1 및 E5) 로서 그리고 특히 제 2 호스트 재료 IC2(E2 및 E6)와의 혼합물에서의 사용은, 특히 수명 및 효율과 관련하여 선행 기술에 비해 OLED의 개선된 성능 데이터를 제공한다는 것을 보일 수 있다.
2b) 인광 녹색 OLED 의 방출층에서의 본 발명의 화합물의 용도
실시예 E9 내지 E12에서 더 높은 삼중항 에너지를 갖는 본 발명의 화합물 EG3 내지 EG6을 인광 녹색 OLED의 방출층에서 매트릭스 재료로서 사용함으로써, 제 2 호스트 재료 IC2와의 혼합물에서의 사용이 우수한 수명을 제공한다는 것을 보일 수 있다.
표 4는 실시예 E1 내지 E12로부터의 OLED의 성능 데이터에 대한 결과를 수집 분석한다.
2c) OLED 의 전자 수송 층에서 전자 수송 재료로서의 본 발명의 화합물의 용도
본 발명의 화합물 EG3 내지 EG6 이 전자 수송 재료로서 사용될 때, 종래 기술에 따른 물질 SdT1 및 SdT2(실시예 E13 내지 E14)보다 현저히 더 낮은 전압 및 더 나은 효율 및 수명 (실시예 E15 내지 E18) 이 달성된다.
표 5는 실시예 E13 내지 E18 로부터의 OLED의 성능 데이터에 대한 결과를 수집 분석한다.
Figure pct00178
Figure pct00179
Figure pct00180
Figure pct00181
Figure pct00182
Figure pct00183

Claims (29)

  1. 하기 식 (I) 의 화합물로서,
    Figure pct00184

    식중에서:
    Y 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, O, S, NAr0 및 CAr1 로부터 선택되며, 여기서 O, S 및 NAr0 로부터 선택되는 적어도 하나의 Y 가 존재해야 하고;
    Z 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N 및 CR1 로부터 선택되고;
    Ar0 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고;
    Ar1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R2, CN, Si(R2)3, P(=O)(R2)2, OR2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R2 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고, 이때 2개의 Ar1 기가 서로 연결되어 단환 또는 다환 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성하는 것은 제외한다;
    R0 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R1, CN, Si(R1)3, N(R1)2, P(=O)(R1)2, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 기로부터 선택되고; 2개 R0 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하여, 플루오렌 유도체, 특히 스피로바이플루오렌 유도체의 위치 8에서 스피로 화합물을 형성할 수 있고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R1 라디칼에 의해 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R1 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R2 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
    R5 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R6, CN, Si(R6)3, N(R6)2, P(=O)(R6)2, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R5 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R6 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, C=O, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
    R6 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템로부터 선택되고; 여기서 2개 이상의 R6 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 F 및 CN 으로 선택된 하나 이상의 라디칼에 의해 치환될 수도 있고;
    식 (I) 중, 적어도 하나의 R1 라디칼, 하나의 Ar0 기 또는 하나의 Ar1 기는 식 (A) 에 따르는 A 기로 치환된다:
    Figure pct00185

    식중:
    * 는 식 (I) 의 구조에 대한 결합을 나타내고;
    ArL 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖고 R2 라디칼로 치환된 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고;
    ET 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 하나 이상의 Ar2 기가 결합되는 전자 결핍 헤테로방향족 기로부터 선택되는 전자 수송 기이다;
    Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, P(=O)(R3)2, OR3, S(=O)R3, S(=O)2R3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R3 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접한 Ar2 기가 함께 단환 또는 다환 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고;
    R3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R5, CN, Si(R5)3, N(R5)2, P(=O)(R5)2, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 2개 이상의 R3 라디칼은 서로 연결될 수도 있고 고리를 형성할 수도 있고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼에 의해 각각 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 알케닐 및 알키닐 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, C=O, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있고;
    n 은 0 또는 1 인, 화합물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    정확히 하나의 Y 가 O, S 및 NAr0 로부터 선택되고, 두 개의 Y가 CAr1 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    정확히 하나의 Y 가 O 및 S 로부터 선택되고, 두 개의 Y가 CAr1 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Z 기는 CR1 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 특히 9,9'-디메틸플루오레닐 및 9,9'-디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 인데노플루오레닐, 인데노카르바졸릴, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 벤조 융합된 디벤조푸라닐, 벤조 융합된 디벤조티오페닐, 나프틸-치환된 페닐, 플루오레닐-치환된 페닐, 스피로바이플루오레닐-치환된 페닐, 디벤조푸라닐-치환된 페닐, 디벤조티오페닐-치환된 페닐, 카르바졸릴-치환된 페닐, 피리딜-치환된 페닐, 피리미딜-치환된 페닐, 트리아지닐-치환된 페닐 (언급된 기들은 각각 R2 라디칼로 치환된다), 및 H 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, Si(R5)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 분지형 또는 환형 알킬 기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 방향족 고리 시스템 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 중수소화될 수도 있는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 상기 알킬 기, 상기 방향족 고리 시스템 및 상기 헤테로방향족 고리 시스템은 R5 라디칼로 각각 치환되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ArL 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 바이페닐, 테르페닐, 나프탈렌, 플루오렌, 인데노플루오렌, 인데노카르바졸, 스피로바이플루오렌, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜으로부터 유도된 2가 기로부터 선택되며, 이들 각각은 R2 라디칼로 치환되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ET 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지며 Ar2 기로 치환되는 헤테로아릴 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ET 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 하기 식들 (ET-1) 내지 (11c) 의 기들로부터 선택되고:
    Figure pct00186

    Figure pct00187
    0
    식 중
    Q' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 CAr2 또는 N 으로부터 선택되고;
    Q'' 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 NR2, O 또는 S 으로부터 선택되고;
    각 경우에 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 부착 위치를 표시하고, R2 및 Ar2 는 제 1 항에서 정의된 것과 같고;
    여기서 적어도 하나의 Q' 은 N 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ET 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 하기 식들 (ET-12) 내지 (ET-35) 의 기들로부터 선택되고
    Figure pct00188

    Figure pct00189

    Figure pct00190

    Figure pct00191

    식 중 점선은 식 (I) 의 나머지에 대한 결합을 나타내고, Ar2 는 제 1 항에 정의된 바와 같은 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 알킬 또는 알콕시 기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기, 6 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고, 여기서 알킬 기, 알콕시 기, 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 하나 이상의 R3 라디칼로 치환될 수도 있고 2개 이상의 인접한 Ar2 기는 함께 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (I-A) 에 따르고:
    Figure pct00192

    식중 변수는 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같고, 적어도 하나의 A 기는 식 마다 존재하고;
    R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R1, CN, Si(R1)3, N(R1)2, P(=O)(R1)2, OR1, S(=O)R1, S(=O)2R1, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 2 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 및 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 아르알킬 기로부터 선택되고; 2개 R4 라디칼이 서로 연결되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것을 제외하고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 각각 R1 라디칼에 의해 치환되고; 상기 알킬, 알콕시, 티오알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시 및 아르알킬 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (II-A), (III-A) 및 (IV-A) 중 하나에 대응하고:
    Figure pct00193

    식중 변수는 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같고, 적어도 하나의 A 기는 식 마다 존재하고;
    R4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, F, CN, Si(R1)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템, 및 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되고; 상기 알킬기 및 상기 방향족 고리 시스템 및 헤테로방향족 고리 시스템은 R1 라디칼로 각각 치환되고, 2개 R4 라디칼이 서로 결합되어 지방족 또는 헤테로지방족 고리를 형성하는 것은 제외하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식들 중 하나에 따르고
    Figure pct00194

    Figure pct00195

    Figure pct00196

    Figure pct00197

    Figure pct00198

    Figure pct00199

    식 중 변수는 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 것을 특징으로 하는 화합물.
  15. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식 (I-B) 에 따르고:
    Figure pct00200

    식 중
    W 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N 및 CR1 로부터 선택되고;
    U 는 O 또는 S 로부터 선택되고;
    k는 0 또는 1이고, 여기서 k = 0인 경우, 관련 헤테로원자 U는 존재하지 않고 U 는 대신에 대응하는 2개의 방향족 6원 고리를 연결하는 단일 결합이고;
    적어도 하나의 A 기가 식 (I-B) 에 존재하고, 식 중 변수 Z, Y 및 R1 그리고 적어도 하나의 A 기는 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 것을 특징으로 하는 화합물.
  16. 제 15 항에 있어서,
    W 기는 CR1 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    하기 식 (II-B) 내지 (IV-B) 및 (II-C) 내지 (IV-C) 에 따른다:
    Figure pct00201

    식 중 변수는 제 15 항 또는 제 16 항 및 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같고, 벤젠 고리 상의 비점유 위치는 각각 R1 라디칼에 의해 치환되고, 적어도 하나의 A 기가 식 마다 존재하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    k = 0 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하기 식들 중 하나에 따르고
    Figure pct00202

    Figure pct00203

    Figure pct00204

    Figure pct00205

    Figure pct00206

    Figure pct00207

    Figure pct00208

    식 중 변수는 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 것을 특징으로 하는 화합물.
  20. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서,
    - 제 1 단계에서, Suzuki 커플링이 수행되고, 여기서 헤테로방향족 5원 고리가 벤젠 고리에 커플링되며, 헤테로방향족 5원 고리 또는 벤젠 고리는 카르복실산 기를 갖는 것;
    - 제 2 단계에서, 카르복실산 기는 산성 조건 하에 폐환 반응에 의해 고리화되어 헤테로방향족 5원 고리와 벤젠 고리 사이에 브릿징 카르보닐 기를 형성하는 것;
    - 제 3 단계에서 카르보닐기가 환원되고, 유기할로겐 화합물 또는 유기금속 시약의 첨가에 의해, 헤테로방향족 5원 고리와 벤젠 고리 사이에 치환된 메틸렌 브릿지가 얻어지는 것; 및
    - 제 4 단계에서 헤테로아릴 화합물과의 Suzuki 커플링이 수행되거나;
    또는
    - 제 3 단계에서 오르토-할로겐화 또는 오르토-금속화 비스아릴이 첨가되고 추가 폐환 반응이 수행되는 것; 및
    - 제 4 단계에서 헤테로아릴 화합물과의 Suzuki 커플링을 수행하여 식 (I), 특히 식 (I-B) 의 화합물을 수득하는 것
    을 특징으로 하는 화합물의 제조 방법.
  21. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들)이 식 (I) 에서 R0, R1, R2 또는 R3 에 의해 치환되는 임의의 원하는 위치에 국부화될 수 있는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  22. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 적어도 하나 또는 제 21 항에 기재된 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머 적어도 하나, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
  23. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 적어도 하나 또는 제 21 항에 기재된 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머 적어도 하나, 및 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 형광 방출체, 인광 방출체, 지연 형광 재료, 호스트 재료, 매트릭스 재료, 전자 차단 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료, n-도펀트 및 p-도펀트로부터 선택된 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 조성물.
  24. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 적어도 하나 또는 제 21 항에 기재된 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머 적어도 하나, 또는 제 23 항에 기재된 조성물을 포함하는, 전자 디바이스.
  25. 제 24 항에 있어서,
    유기 전계 발광 디바이스이고 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 방출 층을 함유하고, 상기 화합물이 상기 디바이스의 전자 수송 층 또는 방출 층에 존재하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 화합물이 하나 이상의 추가 전자 수송 화합물과 함께 상기 전자 수송 층에 전자 수송 재료로서 존재하며, 상기 추가 전자 수송 화합물은 바람직하게는 히드록시퀴놀리네이트, 매우 바람직하게는 Liq 유도체, 그리고 가장 바람직하게는 Liq인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 화합물이 상기 전자 수송 층에 전자 수송 재료로서 존재하며, 하나 이상의 추가 전자 수송 화합물이 상기 전자 주입층에 존재하고, 상기 추가 전자 수송 화합물은 바람직하게는 히드록시퀴놀리네이트, 매우 바람직하게는 Liq 유도체, 그리고 가장 바람직하게는 Liq인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 화합물은 정공 수송 재료와 함께 방출층에 전자 수송 재료로서 존재하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  29. 전자 디바이스에서의, 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 용도.
KR1020227024232A 2019-12-19 2020-12-17 전자 디바이스용 화합물 KR20220119072A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19218239 2019-12-19
EP19218239.2 2019-12-19
PCT/EP2020/086602 WO2021122868A1 (de) 2019-12-19 2020-12-17 Verbindungen für elektronische vorrichtungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220119072A true KR20220119072A (ko) 2022-08-26

Family

ID=69410990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227024232A KR20220119072A (ko) 2019-12-19 2020-12-17 전자 디바이스용 화합물

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230138100A1 (ko)
EP (1) EP4078692A1 (ko)
JP (1) JP2023506660A (ko)
KR (1) KR20220119072A (ko)
CN (1) CN114830369A (ko)
TW (1) TW202136246A (ko)
WO (1) WO2021122868A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115916754A (zh) 2020-05-05 2023-04-04 纽威伦特公司 杂芳族大环醚化学治疗剂
EP4146205A4 (en) 2020-05-05 2024-05-29 Nuvalent Inc HETEROAROMATIC MACROCYCLIC ETHER-BASED CHEMOTHERAPY AGENTS

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW252111B (ko) 1992-07-02 1995-07-21 Ciba Geigy
EP2276084A1 (en) 2001-03-14 2011-01-19 The Trustees of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
KR100888910B1 (ko) 2001-03-24 2009-03-16 메르크 파텐트 게엠베하 스피로비플루오렌 단위와 플루오렌 단위를 함유하는 공액중합체 및 이의 용도
US20070092755A1 (en) 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
KR101317923B1 (ko) 2009-12-07 2013-10-16 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 유기 발광 재료 및 유기 발광 소자
EP2690681B1 (en) 2011-03-25 2019-09-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic electroluminescent element
KR102119673B1 (ko) * 2013-03-05 2020-06-08 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102191957B1 (ko) 2013-08-14 2020-12-16 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 유기 일렉트로루미네선스 소자
JP5905916B2 (ja) 2013-12-26 2016-04-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP4078692A1 (de) 2022-10-26
JP2023506660A (ja) 2023-02-17
WO2021122868A1 (de) 2021-06-24
US20230138100A1 (en) 2023-05-04
CN114830369A (zh) 2022-07-29
TW202136246A (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102599157B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 페녹사진 유도체
KR102528638B1 (ko) 유기 전계발광 소자 (oled) 를 위한 물질로서의 비스벤조푸란-융합된 인데노[1,2-b]플루오렌 유도체 및 관련된 화합물
KR102587272B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 페녹사진 유도체
KR102540425B1 (ko) 유기 전계발광 소자 (oled) 용 재료로서 비스벤조푸란-융합된 2,8-디아미노인데노[1,2-b]플루오렌 유도체 및 관련 화합물
KR102556584B1 (ko) 전자 디바이스용 스피로비플루오렌 유도체 계의 재료
KR102638811B1 (ko) 유기 전계 발광 디바이스용 치환된 방향족 아민
KR101620826B1 (ko) 전자 소자용 재료
KR102047653B1 (ko) 전자 소자용 물질
KR102265993B1 (ko) 전자 소자용 재료
KR102268222B1 (ko) 플루오렌 및 이를 함유하는 전자 소자
KR102166556B1 (ko) 전자 소자용 물질
KR102626977B1 (ko) 전자 디바이스용 재료
KR20220139919A (ko) 전자 디바이스용 재료
KR20230008244A (ko) 2-디아릴아미노플루오렌의 유도체 및 이를 함유하는 유기 전자 화합물
KR20210108408A (ko) 전자 디바이스용 재료
KR102557516B1 (ko) 유기 전자 디바이스용 재료
KR102661058B1 (ko) 전자 디바이스용 재료
KR20200051722A (ko) 전자 디바이스용 재료
KR20220107000A (ko) 전자 디바이스용 화합물
KR20210105935A (ko) 전자 디바이스용 재료
KR102585423B1 (ko) 전자 디바이스용 화합물
KR20200090817A (ko) 전자 디바이스용 재료
JP2023123425A (ja) 電子デバイス用材料
KR102532374B1 (ko) 전자 소자용 가교된 트리아릴아민
KR20200130838A (ko) 전자 디바이스용 화합물