TW201841388A - 氮化物半導體發光元件之製造方法 - Google Patents

氮化物半導體發光元件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201841388A
TW201841388A TW107103937A TW107103937A TW201841388A TW 201841388 A TW201841388 A TW 201841388A TW 107103937 A TW107103937 A TW 107103937A TW 107103937 A TW107103937 A TW 107103937A TW 201841388 A TW201841388 A TW 201841388A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
cycle
gas
nitride semiconductor
semiconductor light
Prior art date
Application number
TW107103937A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI748053B (zh
Inventor
山下智也
Original Assignee
日商日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日商日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW201841388A publication Critical patent/TW201841388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI748053B publication Critical patent/TWI748053B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種能夠抑制正向電壓Vf之上升且提高亮度之氮化物半導體發光元件之製造方法。 本發明之氮化物半導體發光元件之製造方法包括在使發光層生長之前，使具有InGaN層與GaN層之n側超晶格層生長之n側超晶格層生長步驟，n側超晶格層生長步驟包括：將包含使1層InGaN層生長之InGaN層生長步驟與使1層GaN層生長之GaN層生長步驟之步驟反覆進行n個循環，且於n側超晶格層生長步驟中，使用包含N2氣體且不含H2氣體之載氣進行第1個循環～第m個循環中之GaN層生長步驟，並使用包含H2氣體之氣體作為載氣進行第(m＋1)個循環～第n個循環中之GaN層生長步驟。

Description

氮化物半導體發光元件之製造方法
本發明係關於一種氮化物半導體發光元件之製造方法。
近年來，發光二極體等半導體發光元件被用於各種照明等多種用途。隨之，對發光元件要求以低驅動電壓高亮度地進行發光。為了滿足此種要求，例如專利文獻1中揭示有一種能夠明亮(高亮度地)發光之發光元件之製造方法。專利文獻1之製造方法係一種於n側之層包含n側超晶格層之氮化物半導體發光元件之製造方法，其揭示有作為n側超晶格層形成步驟，反覆形成InGaN層151、InGaN層151上之GaN層152、以及GaN層152上之n型GaN層153。並且，於形成InGaN層151時，使用氮氣作為載氣，於形成n型GaN層153時，使用將氮氣與氫氣混合而成之混合氣體作為載氣。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2016-92253號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，藉由專利文獻1之製造方法而製作之發光元件於提高亮度之方面能夠得到一定之效果，但另一方面，正向電壓Vf容易上升。 因此，本發明之目的在於提供一種能夠抑制正向電壓Vf之上升且提高亮度之氮化物半導體發光元件之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了實現上述目的，本發明之實施形態之氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於包括在使發光層生長之前，使具有InGaN層與GaN層之n側超晶格層生長之n側超晶格層生長步驟， 上述n側超晶格層生長步驟包括：將包含使1層InGaN層生長之InGaN層生長步驟與使1層GaN層生長之GaN層生長步驟之步驟反覆進行n個循環，且 於上述n側超晶格層生長步驟中，使用包含N2 氣體且不含H2 氣體之載氣進行第1個循環～第m個循環中之GaN層生長步驟，並使用包含H2 氣體之氣體作為載氣進行第(m＋1)個循環～第n個循環中之GaN層生長步驟。 [發明之效果] 根據以上述方式構成之本發明之實施形態之氮化物半導體發光元件之製造方法，可提供一種能夠抑制正向電壓Vf之上升且提高亮度之氮化物半導體發光元件之製造方法。
以下，一面參照圖式一面針對本發明之實施形態之氮化物半導體發光元件進行說明。 本實施形態之氮化物半導體發光元件100包括：基板1、設置於基板1上之基底層2、n側接觸層3、n側超晶格層4、活性層5、p側披覆層6及p側接觸層7。n側超晶格層4包含n對含有1層InGaN層與1層GaN層之單一對。並且，於n側超晶格層4中，使用不含氫氣之N2 氣體作為載氣使自基底層2側起至m對之GaN層4a生長，使用包含H2 氣體之氣體作為載氣使活性層5側之(m＋1)～n對之GaN層4x生長。又，於n側超晶格層4中，較佳為自基底層2側起至k對之InGaN層4b係未摻雜n型雜質之未摻雜層，(k＋1)～n對之InGaN層4s係包含n型雜質之層。於n側超晶格層4中，如圖1所示，例如最靠近基底層2側之層為GaN層4a，最靠近活性層5側之層為InGaN層4s。於n側超晶格層4上形成之活性層5包含交替設置之井層與障壁層，例如將障壁層以接觸於n側超晶格層4中之最靠近活性層5側之InGaN層4s之方式設置於n側超晶格層4上。並且，於活性層5上依序形成p側披覆層6及p側接觸層7。此處，n為3以上之整數，m為小於n且1以上之整數，k為小於n且1以上之整數。再者，於本說明書中，在記作(m＋1)～n對時，亦包括m＝n－1之情況、即僅存在最靠近活性層5側之n對之情況。又，於本說明書中，在記作(k＋1)～n對時，亦包括k＝n－1之情況、即僅存在最靠近活性層5側之n對之情況。 又，於p側接觸層7之表面之一部分設置有p電極8，於去除一部分區域之p側接觸層7、p側披覆層6及活性層5而露出之n側接觸層3之表面(電極形成面)設置有n電極8。 於本實施形態之氮化物半導體發光元件中，作為氮化物半導體，可列舉出III-V族氮化物半導體(InX AlY Ga1 － X － Y N(0≦X、0≦Y、X＋Y≦1))，亦可為III族元素之一部分使用B，或者利用P、As、Sb置換V族元素之N之一部分而得到之混晶。該等氮化物半導體層可藉由例如有機金屬氣相生長法(MOCVD)、氫化物氣相生長法(HVPE)、分子束壘晶生長法(MBE)等而形成。 以上述方式構成之氮化物半導體發光元件能夠以良好之結晶性形成活性層，因此能夠提高發光輸出且能夠抑制正向電壓Vf之上升。尤其是於活性層5具備含有相對較多In之井層且發光波峰波長為500 nm以上之氮化物半導體發光元件(例如由InGaN構成之井層之中，In之比率為20.0～25.0%左右且發出綠光之發光元件)中，能夠獲得顯著之效果。此處，本說明書中，使用數字記作A～B時，包括數為A之情況及數為B之情況。 以下，針對藉由本實施形態之製造方法得到之氮化物半導體發光元件中之各構成要素進行說明。 (基板1) 用以形成半導體層之基板1可使用例如以C面、R面及A面之任一者作為主面之藍寶石或尖晶石(MgA12 O4 )之類之絕緣性基板。其中，較佳為藍寶石基板。又，作為基板1，亦可使用SiC(包括6H、4H、3C)、ZnS、ZnO、GaAs、Si等。基板1可最終被去除，亦可不被去除。 (n側接觸層3) n側接觸層3至少於其一部分含有n型雜質，用於實現對電極形成面內及發光層供給載子並使之擴散。尤其是為了使載子自n電極8朝向活性層5進行面內擴散而加以供給，較佳為以相對較高之濃度摻雜有n型雜質。n側接觸層3較佳為由GaN構成。 (n側超晶格層4) n側超晶格層4係為了使形成於其上之活性層5等之結晶性變良好而設置之層，如上所述，包含n對含有1層InGaN層與1層GaN層之單一對。此處，對數n例如係設定為10～40之範圍，較佳為設定為15～35之範圍，進而較佳為設定為25～35之範圍。例如，於活性層5中之井層之In含量相對較小且發出藍光之氮化物半導體發光元件中，係設定為20對，於活性層5中之井層之In含量相對較大且發出綠光之氮化物半導體發光元件中，係設定為30對。又，GaN層4a、4x較佳為設定為1.5 nm～5 nm之厚度，更佳為設定為2 nm～4 nm之厚度。InGaN層4b、4s較佳為設定為0.5 nm～3 nm之厚度，更佳為設定為0.7 nm～2 nm之厚度。GaN層4a、4x及InGaN層4b、4s之厚度可於每單位對中不同，例如，可於n側接觸層3側之GaN層4a與活性層5側之GaN層4x之間不同，亦可於n側接觸層3側之InGaN層4b與活性層側5之InGaN層4s之間不同。 又，如上所述，於n側超晶格層4中，使用不含氫氣之N2 氣體作為載氣使自基底層2側起至m對之GaN層4a生長，並使用包含H2 氣體之氣體作為載氣使活性層5側之(m＋1)～n對之GaN層4x生長。使用包含H2 氣體之氣體作為載氣生長之活性層5側之對數(n－m)較佳為設為1～5，更佳為設為2～4，進而較佳為設為2或3。藉由將使用包含H2 氣體之氣體作為載氣而生長之活性層5側之對數(n－m)設為1以上，GaN層4a之表面難以成為具有較大凹陷(V坑)之表面，能夠製成更平坦之表面，又，能夠使GaN層4a之結晶性變良好，因此，能夠良好地形成在GaN層4a之上表面形成之活性層5。此處，作為難以於GaN層4a之表面形成較大凹陷之理由，認為藉由在供給包含H2 氣體之氣體作為載氣之同時使GaN層4a生長，而促進GaN層4a之橫向生長，抑制於GaN層4a之表面形成之凹陷變大。藉由將使用包含H2 氣體之氣體作為載氣而生長之活性層5側之對數(n－m)設為5以下，能夠提高亮度而不使正向電壓Vf過度上升。 此處，於n側超晶格層4中，利用包含H2 氣體之氣體作為載氣使自基底層2側而非活性層5側起至數對之GaN層4a生長之情形時，存在亮度基本不提高、正向電壓Vf上升之傾向。認為其原因在於：在n側超晶格層4a中，即便改善基底層2側之GaN層4a之表面狀態，供活性層5形成之GaN層4a之表面狀態亦不會變成平坦之表面，而無法效率良好地形成活性層5。 又，如上所述，於n側超晶格層4中，較佳為自基底層2側起至k對之InGaN層4b係未摻雜n型雜質之未摻雜層，(k＋1)～n對之InGaN層4s係包含n型雜質之層。具備包含n型雜質之InGaN層4s之活性層5側之對數(n－k)較佳為設為2～5，更佳為設為3或4。藉由將具備包含n型雜質之InGaN層4s之活性層5側之對數(n－k)設為2以上，能夠效率良好地獲得藉由使超晶格層包含n型雜質而帶來之降低正向電壓Vf之效果，能夠抑制正向電壓Vf之上升。藉由將具備包含n型雜質之InGaN層4s之活性層5側之對數(n－k)設為5以下，能夠抑制正向電壓Vf之上升，並且抑制因包含n型雜質所導致之超晶格層之結晶性變差，而維持靜電耐壓特性。 此處，於n側超晶格層4中，將自基底層2側而非活性層5側起至數對之InGaN層4b設為包含n型雜質之層時，存在靜電耐壓特性提高但正向電壓Vf、亮度變差之傾向。認為其原因在於：由於在n側超晶格層4之活性層5側未形成包含n型雜質之層，故而難以向活性層5中注入載子。 又，(k＋1)～n對之InGaN層4s之n型雜質濃度較佳為設為1×1018 /cm3 ～5×1018 /cm3 ，更佳為設為2×1018 /cm3 ～4×1018 /cm3 。 進而，於n側超晶格層4中，具備包含n型雜質之InGaN層4s之活性層5側之對數(n－k)較佳為多於使用包含H2 氣體作為載氣使GaN層進行生長之活性層5側之對數(n－m)。 以上述方式構成之包含n側超晶格層之氮化物半導體發光元件不僅能夠使活性層5之結晶性變良好，而且促進驅動時之電流之面內擴散，亦能夠提高耐壓。因此，根據本實施形態之氮化物半導體發光元件，能夠在不使正向電壓Vf上升下提高亮度，而且能夠維持靜電耐壓特性。 (活性層5) 作為活性層5，較佳為使用包含In之氮化物半導體，藉由適當設定In比率，能夠於紫外線區域～可見光(紅色光)之區域進行發光且獲得較高之發光效率。例如，由InX Ga1 － X N構成井層之情形時，以能夠獲得期望之發光色之方式設定In組成x。關於氮化物半導體發光元件之發光波長，發光波峰波長係設為430 nm～570 nm之範圍，較佳為設為500 nm～570 nm之範圍。又，障壁層可由例如GaN、InGaN、AlGaN等構成。井層、障壁層可包含Si等n型雜質及/或Mg等p型雜質，亦可未經摻雜。 (p側披覆層6) p側披覆層6係為了封閉載子而設置之層，例如可由包含Mg等p型雜質之GaN、AlGaN等構成。p側披覆層6例如係設定為10 nm～30 nm之厚度。 (p側接觸層7) p側接觸層7係於上表面形成電極之層，例如可由包含Mg等p型雜質之GaN、AlGaN等構成。p側接觸層7例如係設定為100 nm～150 nm之厚度。 以下，針對本實施形態之氮化物半導體發光元件之製造方法進行說明。 (基底層形成步驟) 首先，例如於包含藍寶石之基板1之C面上利用有機金屬氣相生長法(MOCVD)隔著緩衝層形成基底層2。 此處，緩衝層例如係藉由在600℃以下之低溫下使用TMA(trimethylaluminium，三甲基鋁)、TMG(trimethyl gallium，三甲基鎵)、氨等作為原料氣體，使AlGaN於基板上生長而形成。 又，基底層2例如係藉由使用TMG、氨作為原料氣體，使GaN於緩衝層上生長而形成。該基底層2例如可藉由包含在1050℃之溫度下生長之第1層及在1150℃之溫度下生長之第2層之多層形成。 (n側接觸層形成步驟) 繼而，例如藉由使用TMG、氨作為原料氣體，並使用甲矽烷作為n型雜質氣體，在例如1150℃之溫度下使例如包含含有Si之n型雜質之n型GaN生長，從而形成n側接觸層3。 (n側超晶格層形成步驟) 繼而，使溫度低於n側接觸層3生長時之溫度，例如將溫度設為860℃，使GaN層與InGaN層交替地生長，從而形成n側超晶格層4。 於各對中，使GaN層生長時，於自n側接觸層3側起形成m對之第1個循環～第m個循環中，使用TEG(triethyl gallium，三乙基鎵)、氨作為原料氣體，並使用N2 氣體作為載氣而使GaN層生長，於形成活性層5側之(n－m)對之第(m＋1)個循環～第n個循環(最終循環)中，使用TEG、氨作為原料氣體，並使用包含H2 氣體之氣體作為載氣而使GaN層生長。第(m＋1)個循環～第n個循環之GaN層之生長中使用之載氣較佳為僅為H2 氣體。藉此，容易獲得抑制GaN層4a中之V坑變大等上述效果。再者，本說明書中，記作第(m＋1)個循環～第n個循環時，亦包括m＝n－1之情況、即僅存在最終循環之情況。 於各對中，使InGaN層生長時，於自n側接觸層3側起形成k對之第1個循環～第k個循環中，使用TEG、TMI(trimethyl indium，三甲基銦)、氨作為原料氣體，並使用N2 氣體作為載氣，且不供給n型雜質氣體而使InGaN層4b生長，於形成活性層5側之(n－k)對之第(k＋1)個循環～第n個循環(最終循環)中，對作為原料氣體之TEG、TMI、氨進而供給n型雜質氣體，並使用N2 氣體作為載氣而使InGaN層4s生長。此處，使InGaN層4b、4s生長時，n型雜質氣體之濃度係以InGaN層4b、4s之中之In比率較佳為成為1%～10%、更佳為成為1%～3%之方式進行設定。再者，於本說明書中，在記作第(k＋1)個循環～第n個循環時，亦包括k＝n－1之情況、即僅存在最終循環之情況。 (活性層5) 繼而，例如使用TEG、TMI、氨作為原料氣體，例如將溫度設為950℃而使包含GaN之障壁層生長，將溫度設為800℃而使包含InGaN之井層生長。藉由使該等障壁層與井層交替地生長，最後使包含GaN之障壁層生長，從而形成活性層5。 (p側披覆層6) 繼而，例如使用TEG、氨作為原料氣體，並使用Cp2 Mg(環戊二烯基鎂)作為p型雜質氣體，使包含含有Mg之p型雜質之p型AlGaN生長，從而形成p側披覆層6。 (p側接觸層7) 繼而，例如使用TMG、TMA、氨作為原料氣體，使包含未經摻雜之GaN之層生長。其後，於該包含未經摻雜之GaN之層上，使用TMG、TMA、氨作為原料氣體，並使用Cp2 Mg(環戊二烯基鎂)作為p型雜質氣體，使包含含有Mg之p型雜質之p型GaN生長，從而形成p側接觸層7。較佳為使p側接觸層7之雜質濃度高於p側披覆層6。 生長結束後，於氮氣氣氛中，將晶圓於反應容器內以例如700℃左右之低於上述各層之生長溫度之溫度進行退火，使p側披覆層6及p側接觸層7低電阻化。 退火後，去除一部分區域之p側接觸層7、p側披覆層6及活性層5，使用以形成n電極8之表面(電極形成面)露出。 最後，於p側接觸層7表面之一部分及電極形成面分別形成p電極9及n電極8。 經由以上步驟，製作氮化物半導體發光元件。 以下，針對本發明之實施例進行說明。 [實施例] 實施例1. 藉由以下說明之製造方法，製作氮化物半導體發光元件。 (基板1) 作為基板1，使用包含藍寶石之基板，首先於MOCVD反應容器內，在氫氣氣氛中、1050℃之溫度下對供氮化物半導體生長之藍寶石(C面)進行清潔。 (緩衝層) 將溫度設為550℃，使用TMA、TMG、氨作為原料氣體，使包含AlGaN之緩衝層於基板上生長至約12 nm之膜厚。 (基底層2) 將溫度設為1050℃，使用TMG、氨作為原料氣體，使GaN於緩衝層上生長至約1 μm之膜厚。繼而，將溫度設為1150℃，使用TMG、氨作為原料氣體，使GaN生長至約1 μm之膜厚。將如此生長之2層GaN一併作為基底層2。 (n側接觸層3) 繼而，於1150℃之溫度下，使用TMG、氨、甲矽烷，使包含摻雜有1×1019 /cm3 之Si之n型GaN之n側接觸層3生長至6 μm之膜厚，從而形成n側接觸層3。 (n側超晶格層4) 繼而，將溫度設為860℃，以下述方式將使GaN層與InGaN層逐層地生長之步驟反覆進行30個循環，從而形成n側超晶格層4。 首先，使用TEG、氨作為原料氣體，並使用N2 氣體作為載氣，使GaN層4a生長為3 nm之厚度(A1步驟)。再者，於本實施例中，在作為載氣僅記載一種氣體之情形時，係指載氣實質上僅由該一種氣體構成，實質上不含其他種類之氣體。即，於A1步驟中，載氣實質上僅由N2 氣體構成。 繼而，使用TEG、TMI、氨作為原料氣體，並使用N2 氣體作為載氣，使InGaN層4b生長至1 nm之厚度(B1步驟)。 將該A1步驟與B1步驟作為1個循環，自第1至第27個循環反覆進行27個循環。 第28個循環中，使用TEG、氨作為原料氣體，並使用H2 氣體作為載氣，使GaN層4x生長至3 nm之厚度(A2步驟)。此處，將H2 氣體之流量設為80 slm。再者，於本實施例中，使各層進行生長時，為了控制基板之生長面上之原料氣體與載氣之混合氣體之流動，自基板之生長面之斜上方通入包含N2 氣體之控制氣體。因此，於MOCVD反應容器內混合存在原料氣體、載氣、及控制氣體，但主要對基板之生長面吹送包含原料氣體之載氣而非控制氣體。因此，即便使用包含N2 之控制氣體，只要使用H2 作為載氣，則亦能夠控制GaN層4x之生長。於本實施例中之A2步驟中，將作為載氣之H2 氣體之流量設為80 slm，並將作為控制氣體之N2 氣體之流量設為150 slm。即，相對於H2 氣體之流量與N2 氣體之流量之總氣體之流量，將H2 氣體之流量之比率設為約35%。 繼而，使用TEG、TMI、氨作為原料氣體，並使用甲矽烷作為n型雜質氣體，使用N2 氣體作為載氣，使摻雜有3×1018 /cm3 之Si之InGaN層4s生長(B2步驟)。 將該A2步驟與B2步驟分別自第28至第30個循環反覆進行3個循環。 以上述方式形成分別包含30層GaN層、30層InGaN層之超晶格層。即，將n設為30、將m及k設為27而形成n側超晶格層4。 (活性層5) 繼而，將溫度設為930℃，使用TEG、TMI、氨作為原料氣體，使用甲矽烷作為n型雜質氣體，使摻雜有4×1018 /cm3 之Si且膜厚為6 nm之GaN層生長，並於其上使膜厚為3 nm之未經摻雜之GaN層生長。進而於其上交替地生長9對將溫度設為800℃、使用TEG、TMI、氨作為原料氣體而生長之包含In0.25 Ga0.75 N且膜厚為3 nm的井層與將溫度設為960℃、使用TEG、氨作為原料氣體而生長之包含GaN且膜厚為19 nm的障壁層。進而於其上交替地生長3對將溫度設為800℃、使用TEG、TMI、氨作為原料氣體而生長之包含In0.25 Ga0.75 N且膜厚為3 nm的井層與將溫度設為960℃、使用TEG、氨作為原料氣體而生長之包含GaN且膜厚為16 nm的障壁層，從而形成活性層5。 (p側披覆層6) 繼而，將溫度設為930℃，使用TEG、TMA、氨作為原料氣體，使用Cp2 Mg(環戊二烯基鎂)作為p型雜質氣體，將包含摻雜有2×1020 /cm3 之Mg之Al0.13 Ga0.87 N之p側披覆層6形成至11 nm之膜厚。 (p側接觸層7) 繼而，於溫度為850℃～1000℃左右下，使用TMG、氨，使包含未經摻雜之GaN之層以約80 nm之膜厚進行生長，於其上使用TMG、氨、Cp2 Mg，使包含摻雜有5×1020 /cm3 之Mg之p型GaN之層以約40 nm之膜厚進行生長，從而形成p側接觸層7。 生長結束後，於氮氣氣氛中，將形成有氮化物半導體之基板1於反應容器內以700℃之溫度進行退火，使p側披覆層6及p側接觸層7低電阻化。 退火後，去除一部分區域之p側接觸層7、p側披覆層6活性層5，使用以形成n電極8之表面(電極形成面)露出。 最後，於p側接觸層7表面之一部分及電極形成面分別形成p電極9及n電極8。 以上述方式製作之實施例1之氮化物半導體發光元件之用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.30 V，VL為107.31。又，平均發光波峰波長為532.9 nm。此處，VL係表示氮化物半導體發光元件之亮度之指標，其值越大則表示越亮，越小則表示越暗。VL於本實施形態中係藉由使用探針儀，於形成於基板1上之氮化物半導體發光元件之p電極與n電極之間流通電流而使其發光，利用光電二極體接收放射出之光而進行測定。又，於本說明書中，VL之值係將基板1上形成之多個氮化物半導體發光元件之VL值進行平均而得到之平均值。 實施例2. 實施例2之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例2中，自第1個循環起至第26個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第27個循環進行B1步驟。進而，自第27個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第28個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為26、將k設為27，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例2之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.38 V，VL為106.97。又，平均發光波峰波長為531.6 nm。 實施例3. 實施例3之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例3中，自第1個循環起至第25個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第27個循環進行B1步驟。進而，自第26個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第28個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為25、將k設為27，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例3之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.49 V，VL為109.52。又，平均發光波峰波長為532.2 nm。 實施例4. 實施例4之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例4中，自第1個循環起至第28個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第27個循環進行B1步驟。進而，自第29個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第28個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為28、將k設為27，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例4之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.28 V，VL為105.53。又，平均發光波峰波長為530.3 nm。 實施例5. 實施例5之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例5中，自第1個循環起至第29個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第27個循環進行B1步驟。進而，於第30個循環中進行A2步驟，自第28個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為29、將k設為27，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例5之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.26 V，VL為102.95。又，平均發光波峰波長為529.5 nm。 實施例6. 實施例6之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例6中，自第1個循環起至第27個循環進行B2步驟，自第1個循環起至第28個循環進行B1步驟。進而，自第28個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第29個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為27、將k設為28，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例6之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.37 V，VL為106.92。又，平均發光波峰波長為528.1 nm。 實施例7. 實施例7之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例7中，自第1個循環起至第27個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第26個循環進行B1步驟。進而，自第28個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第27個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為27、將k設為26，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例7之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.30 V，VL為108.46。又，平均發光波峰波長為528.8 nm。 實施例8. 實施例8之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例8中，自第1個循環起至第27個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第25個循環進行B1步驟。進而，自第28個循環起至第30個循環進行A2步驟，自第26個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為27、將k設為25，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例2之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.29 V，VL為109.75。又，平均發光波峰波長為527.1 nm。 實施例9. 實施例9之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層4之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 實施例9中，自第1個循環起至第27個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第30個循環進行B1步驟。進而，自第28個循環起至第30個循環進行A2步驟。即，將n設為30、將m設為27、將k設為30，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之實施例9之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.68 V，VL為107.30。又，平均發光波峰波長為530.3 nm。 [比較例1] 比較例之氮化物半導體發光元件除了以下述方式形成n側超晶格層之外，係與實施例1同樣地製作。 (n側超晶格層4) 比較例1中，自第1個循環起至第30個循環進行A1步驟，自第1個循環起至第27個循環進行B1步驟。進而，自第28個循環起至第30個循環進行B2步驟。即，將n設為30、將m設為30、將k設為27，從而形成n側超晶格層4。 以上述方式製作之比較例1之氮化物半導體發光元件中，用以流通65 mA之正向電流所必需之正向電壓Vf為3.23 V，VL為97.60。 將以上實施例及比較例之n側超晶格層之構成與評價結果示於表1。 [表1] 由表1示出之結果可理解如下內容。 (1)藉由使用包含H2 氣體之氣體作為載氣使n側超晶格層4中之活性層5側之GaN層生長，能夠提高亮度(實施例1～9與比較例1之比較)。 (2)藉由向n側超晶格層4中之活性層5側之InGaN層摻雜n型雜質，能夠降低正向電壓Vf(實施例1～8與實施例9之比較)。 如以上之實施例所示，根據本實施例之氮化物半導體發光元件，藉由使用包含H2 氣體之氣體作為載氣使n側超晶格層4中之活性層5側之GaN層生長，能夠提高亮度。進而，藉由向n側超晶格層4中之活性層5側之InGaN層摻雜n型雜質，能夠將正向電壓Vf抑制得較低且提高亮度。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基底層
3‧‧‧n側接觸層
4‧‧‧n側超晶格層
4a‧‧‧GaN層
4b‧‧‧InGaN層
4s‧‧‧InGaN層
4x‧‧‧GaN層
5‧‧‧活性層
6‧‧‧p側披覆層
7‧‧‧p側接觸層
8‧‧‧n電極
9‧‧‧p電極
100‧‧‧氮化物半導體發光元件
圖1係表示本發明之實施形態之發光元件之構成之截面圖。

Claims (9)

  1. 一種氮化物半導體發光元件之製造方法，其特徵在於包括在使發光層生長之前，使具有InGaN層與GaN層之n側超晶格層生長之n側超晶格層生長步驟， 上述n側超晶格層生長步驟包括：將包含使1層InGaN層生長之InGaN層生長步驟與使1層GaN層生長之GaN層生長步驟之步驟反覆進行n個循環，且 於上述n側超晶格層生長步驟中，使用包含N2 氣體且不含H2 氣體之載氣進行第1個循環～第m個循環中之上述GaN層生長步驟，並使用包含H2 氣體之氣體作為載氣進行第(m＋1)個循環～第n個循環中之上述GaN層生長步驟。
  2. 如請求項1之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中於上述n側超晶格層生長步驟中，不供給n型雜質氣體而進行第1個循環～第k個循環中之InGaN層生長步驟，並供給n型雜質氣體而進行第(k＋1)個循環～第n個循環中之InGaN層生長步驟。
  3. 如請求項1之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中上述氮化物半導體發光元件之發光波峰波長處於500～570 nm之範圍。
  4. 如請求項2之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中上述氮化物半導體發光元件之發光波峰波長處於500～570 nm之範圍。
  5. 如請求項1至4中任一項之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中n為20以上且40以下。
  6. 如請求項5之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中(n－m)為1以上且4以下。
  7. 如請求項5之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中(n－k)為2以上且5以下。
  8. 如請求項6之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中(n－k)為2以上且5以下。
  9. 如請求項1至4中任一項之氮化物半導體發光元件之製造方法，其中m之值大於k之值。
TW107103937A 2017-02-06 2018-02-05 氮化物半導體發光元件之製造方法 TWI748053B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017019717A JP6669095B2 (ja) 2017-02-06 2017-02-06 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2017-019717 2017-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201841388A true TW201841388A (zh) 2018-11-16
TWI748053B TWI748053B (zh) 2021-12-01

Family

ID=63037401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107103937A TWI748053B (zh) 2017-02-06 2018-02-05 氮化物半導體發光元件之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11075320B2 (zh)
JP (1) JP6669095B2 (zh)
KR (1) KR102374048B1 (zh)
CN (1) CN108400205B (zh)
TW (1) TWI748053B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110957403B (zh) * 2019-12-24 2022-09-30 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延结构生长方法
WO2024035969A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 The Regents Of The University Of Michigan Light emitting devices and methods of manufacture
CN116012258B (zh) * 2023-02-14 2023-10-13 山东大学 一种基于循环生成对抗网络的图像和谐化方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100485985C (zh) * 1997-01-09 2009-05-06 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
JP3424507B2 (ja) * 1997-07-02 2003-07-07 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法
JP4277283B2 (ja) * 1997-07-22 2009-06-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
EP2273572B1 (en) * 1998-03-12 2015-04-29 Nichia Corporation A nitride semiconductor device
KR100670531B1 (ko) * 2004-08-26 2007-01-16 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7446345B2 (en) * 2005-04-29 2008-11-04 Cree, Inc. Light emitting devices with active layers that extend into opened pits
US7547925B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-16 Palo Alto Research Center Incorporated Superlattice strain relief layer for semiconductor devices
JP2007214384A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子
JP5087540B2 (ja) * 2006-05-26 2012-12-05 ローム株式会社 窒化物半導体発光素子
JP4948134B2 (ja) * 2006-11-22 2012-06-06 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
KR101017396B1 (ko) * 2008-08-20 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 변조도핑층을 갖는 발광 다이오드
WO2010059132A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Agency For Science, Technology And Research A light emitting diode structure and a method of forming a light emitting diode structure
US8604461B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8575592B2 (en) * 2010-02-03 2013-11-05 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses
US8742440B2 (en) * 2010-02-19 2014-06-03 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same
JP5533744B2 (ja) * 2010-03-31 2014-06-25 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US20120126201A1 (en) * 2010-11-23 2012-05-24 Heng Liu Gallium nitride led devices with pitted layers and methods for making thereof
JP5372045B2 (ja) * 2011-02-25 2013-12-18 株式会社東芝 半導体発光素子
JP5996846B2 (ja) * 2011-06-30 2016-09-21 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
CN102412351B (zh) * 2011-10-27 2016-06-22 华灿光电股份有限公司 提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法
JP2013183126A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
KR20130106925A (ko) * 2012-03-21 2013-10-01 서울바이오시스 주식회사 비극성 반도체 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN104205297B (zh) * 2012-03-21 2018-06-15 首尔伟傲世有限公司 制造非极性氮化镓基半导体层的方法、非极性半导体器件及其制造方法
KR101936305B1 (ko) * 2012-09-24 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2015109383A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2016092253A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
CN104701432A (zh) * 2015-03-20 2015-06-10 映瑞光电科技(上海)有限公司 GaN 基LED 外延结构及其制备方法
KR101713426B1 (ko) * 2015-07-24 2017-03-08 전남대학교산학협력단 발광 다이오드 및 이의 제조방법
JP2017069299A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN108400205A (zh) 2018-08-14
US20180226536A1 (en) 2018-08-09
CN108400205B (zh) 2023-02-28
JP2018129340A (ja) 2018-08-16
KR20180091736A (ko) 2018-08-16
US20210328099A1 (en) 2021-10-21
TWI748053B (zh) 2021-12-01
JP6669095B2 (ja) 2020-03-18
KR102374048B1 (ko) 2022-03-11
US11075320B2 (en) 2021-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108028300B (zh) 氮化物半导体发光元件
JP5322523B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
CN103165785B (zh) 用于制造半导体器件的方法
JP2016171127A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US20210328099A1 (en) Method of manufacturing nitride semiconductor light-emitting element
JP2008277714A (ja) ＧａＮ系半導体発光ダイオードの製造方法
JPH09129926A (ja) Ｉｉｉ族窒化物発光素子
JP2016111234A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2713095B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
US8633469B2 (en) Group III nitride semiconductor light-emitting device
US9601654B2 (en) Method of producing group III nitride semiconductor light-emitting device
JP2011187862A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
JP6928277B2 (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2006128653A (ja) ３−５族化合物半導体、その製造方法及びその用途
KR100881053B1 (ko) 질화물계 발광소자
JP2008227103A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
JP2003008059A (ja) 窒化物系半導体発光素子
JP5834495B2 (ja) 窒化物半導体素子
JPH11307812A (ja) 窒化物半導体発光素子
TW202232783A (zh) 氮化物半導體發光元件
KR20120131147A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5942519B2 (ja) 半導体発光素子
JP2020035951A (ja) 窒化物半導体発光素子とその製造方法
JP2004207763A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2000091635A (ja) 窒化物半導体発光素子