TW201705249A - 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

頂板係於第一位置中被對向構件保持部保持，並於第二位置中被基板保持部保持且與基板保持部一起旋轉。在基板處理裝置中，控制部係控制第一處理液供給部、第二處理液供給部以及噴嘴移動機構，藉此第一處理液噴嘴係在位於頂板的被保持部內的供給位置的狀態下經由對向構件開口將第一處理液供給至基板，且第一處理液噴嘴係從供給位置移動至退避位置。並且，第二處理液噴嘴係從退避位置移動至供給位置，並經由對向構件開口將第二處理液供給至基板。如此，與從一個處理液噴嘴依序供給複數種類的處理液的情形相比，能抑制或防止複數種類的處理液的混液。

Description

基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
本發明係有關於一種處理基板之技術。
以往在半導體基板(以下簡稱為「基板」)的製造步驟中，對基板施予各種處理。例如將藥液供給至表面上形成有阻劑(resist)的圖案(pattern)的基板上，藉此對基板的表面進行蝕刻等藥液處理。此外，於藥液處理結束後，於基板上供給洗淨液進行洗淨處理後，進行基板的乾燥處理。
例如在日本特許第3621568號公報(專利文獻1)的基板洗淨裝置中，將蓋構件載置於用以水平地保持晶圓之自轉夾具(spin chuck)上，並與晶圓一起旋轉。於基板的洗淨處理時，首先從離開地配置於蓋構件的上方的上噴嘴經由設置於蓋構件的旋轉中心之開口將洗淨液供給至旋轉中的基板上。以洗淨液而言，係利用氟酸、鹽酸、硫酸、磷酸、氨(ammonia)、過氧化氫水等。接著，從該上噴嘴對旋轉中的基板上供給純水，藉此沖洗附著於基板的洗淨液。之後， 於基板的乾燥處理時從上述上噴嘴噴出氮(N2)氣體，並經由蓋構件的開口供給至晶圓上。藉此，能使蓋構件與晶圓之間的空間中的氧濃度降低，而能促進基板的乾燥。
上述蓋構件係由鐵等磁性體所形成。使蓋構件從自轉夾具朝上方離開時，藉由連結至手臂(arm)前端的電磁鐵之吸附構件吸附蓋構件，且蓋構件係與手臂一起朝上方移動。在該基板洗淨裝置中，在使吸附構件接觸至蓋構件的狀態下將對於電磁鐵的通電予以導通(ON)/關斷(OFF)，藉此能將蓋構件予以吸附/解放。
然而，在文獻1的基板洗淨裝置中，由同一個噴嘴依序供給氟酸等洗淨液與純水。因此，會有在該噴嘴中產生洗淨液與純水的混液之虞。
此外，在文獻1的基板洗淨裝置中，蓋構件周圍的外部氣體係從上噴嘴的前端與蓋構件的開口之間的間隙經由該開口進入至蓋構件與基板之間的空間。因此，蓋構件與晶圓之間的空間中的氧濃度降低存在限度。
再者，在文獻1的基板洗淨裝置中，為了以磁力吸附並保持蓋構件，蓋構件必須包含有磁性體。此外，用以保持蓋構件之保持部亦必須設置電磁鐵，且需要控制電磁鐵的導通/關斷。因此，有蓋構件的保持之構造複雜化之虞。
此外，在文獻1的基板洗淨裝置中，有供給至晶圓的洗淨液反復附著於與晶圓相對向之屬於對向構件的蓋構件的下表面並反復乾燥，而於蓋構件下表面逐漸累積洗淨殘渣等而成為污染源之虞。因此，有需要從基板洗淨裝置取出蓋構件並進行保養(maintenance)。此時，在基板洗淨裝置中，無法進行基板的洗淨等，而有生產性降低之虞。
本發明的目的之一為適用於用以處理基板之基板處理裝置，並抑制複數種類的處理液的混液。此外，本發明的目的之一在於抑制外部氣體進入至對向構件與基板之間的空間。再者，本發明的目的之一在於以簡單的構造保持對向構件並以簡單的構造在保持位置與退避位置之間移動對向構件保持部。本發明的目的之一在於將對向構件交換使用，藉此抑制基板處理的生產性降低。本發明亦適用於用以處理基板之基板處理系統以及用以處理基板之基板處理方法。
本發明的基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口；對向構件搬運機構，係保持前述對向構件，並在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性 地移動；第一處理液供給部，係經由第一處理液噴嘴將第一處理液供給至前述基板的前述上表面；第二處理液供給部，係經由第二處理液噴嘴將第二處理液供給至前述基板的前述上表面；噴嘴移動機構，係在前述對向構件開口的上方的供給位置與前述基板保持部的周圍的各個退避位置之間個別地移動前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；控制部，係控制前述第一處理液供給部、前述第二處理液供給部以及前述噴嘴移動機構；以及氣體供給部，係將氣體供給至前述對向構件與前述基板之間的空間；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；藉由前述控制部的控制，在前述第一處理液噴嘴位於前述供給位置的狀態下經由前述對向構件開口將前述第一處理液供給至前述基板，前述第一處理液噴嘴係從前述供給位置移動至前述退避位置，前述第二處理液噴嘴係從前述退避位置移動至前述供給位置，並經由前述對向構件開口將前述第二處理液供給至前述基板。藉此，能抑制複數種類的處理液的混液。
在本發明的一個較佳實施形態中，前述對向構件係具備有：對向構件本體，係與前述基板的前述上表面相對向， 並於前述中央部設置有前述對向構件開口；以及筒狀的被保持部，係從前述對向構件本體的前述對向構件開口的周圍朝上方突出，並被前述對向構件搬運機構保持；前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴係在前述供給位置中從前述被保持部的上部開口插入。
本發明的另一實施形態的基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口，且具有從前述對向構件開口的周圍朝上方突出的筒狀的被保持部；對向構件搬運機構，係保持前述對向構件的前述被保持部，並在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；處理液噴嘴，係位於前述被保持部的內側，並經由前述對向構件開口朝前述基板的前述上表面噴出處理液；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；以及氣體供給部，係將氣體供給至前述對向構件與前述基板之間的空間；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述氣體供給部係將氣體供給至前述對向構件的前述被保持部的內側面與前述處理液噴嘴的外側面之間的間隙。藉此，能抑制外部氣體進入至對向構件 與基板之間的空間。
在本發明的一個較佳實施形態中，前述處理液噴嘴係從前述對向構件搬運機構朝下方突出並從前述被保持部的上部開口插入；來自前述氣體供給部的氣體係經由前述對向構件搬運機構從前述被保持部的前述上部開口供給至前述被保持部內。
本發明的另一實施形態的基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口，且具有從前述對向構件開口的周圍朝上方突出的筒狀的被保持部；對向構件保持部，係保持前述對向構件的前述被保持部；對向構件升降機構，係在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；處理液噴嘴，係位於前述被保持部的內側，並經由前述對向構件開口朝前述基板的前述上表面噴出處理液；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；以及對向構件保持部移動機構，係在前述對向構件的上方的保持位置與前述對向構件的周圍的退避位置之間移動前述對向構件保持部；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件保持部保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋 轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述被保持部係具備有：圓筒狀的凸緣(flange)連接部，係將前述中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述對向構件保持部係具備有：第一凸緣支撐部，係從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；第二凸緣支撐部，係夾著前述凸緣連接部並位於與前述第一凸緣支撐部的相反側，並從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；以及保持部本體，係安裝有前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部；在前述對向構件位於前述第二位置的狀態下將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部水平地移動，藉此從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向構件凸緣部的下方。藉此，能以簡單的構造保持對向構件並以簡單的構造在保持位置與退避位置之間移動對向構件保持部。
在本發明的一個較佳實施形態中，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係固定於前述保持部本體；前述對向構件保持部移動機構係將前述保持部本體水平地旋轉，藉此前述對向構件保持部係於前述保持位置與前述退避位置之間移動；藉由前述保持部本體的旋轉，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向構件凸緣部的下 方。
本發明的另一實施形態的基板處理裝置係具備有：基板保持部，係保持水平狀態的基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向；處理液供給部，係將處理液供給至前述基板的前述上表面；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，並將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；對向構件收容部，係可收容前述對向構件；以及對向構件搬運機構，係保持前述對向構件並在上下方向的第一位置與第二位置之間相對於前述基板保持部相對性地移動，並在前述基板保持部的上方與前述對向構件收容部之間搬運；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持且從前述基板保持部朝上方離開，並在前述第二位置中被前述基板保持部保持，藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；藉由前述對向構件搬運機構，前述對向構件係從前述基板保持部的上方被搬運並被搬入至前述對向構件收容部，且取出收容於前述對向構件收容部的其他的對向構件並搬運至前述基板保持部的上方。藉此，能將對向構件交換使用。
在本發明的一個較佳實施形態中，前述對向構件及前述其他的對向構件的種類係彼此不同。
本發明的上述目的及其他的目的、特徵、態樣及優點 係能藉由參照隨附的圖式及下述說明的本發明的詳細內容而更明瞭。
1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧氣液供給部
6‧‧‧製程部
7‧‧‧索引部
9‧‧‧基板(半導體基板)
10、10a‧‧‧基板處理系統
11‧‧‧殼體
21‧‧‧控制部
31‧‧‧基板保持部
33‧‧‧基板旋轉機構
37‧‧‧罩部
43‧‧‧噴嘴移動機構
44‧‧‧噴嘴洗淨部
45‧‧‧氣體供給部
51、51a、51b‧‧‧頂板
53、53a、53b‧‧‧對向構件保持部
54、54a‧‧‧迷宮構件
55‧‧‧對向構件升降機構
57‧‧‧對向構件保持部移動機構
58‧‧‧移動限制部
61‧‧‧處理單元
62‧‧‧中間單元
63‧‧‧主搬運機器人
64‧‧‧基板搬運手
65‧‧‧手驅動機構
66‧‧‧共用空間(空間)
67‧‧‧對向構件搬運手
71‧‧‧基板收容器
72‧‧‧基板收容器載置部
73‧‧‧索引機器人
74‧‧‧索引手
75‧‧‧手驅動機構
81、81a、81b‧‧‧對向構件收容部
82‧‧‧收容部
83‧‧‧收容部開口
84‧‧‧對向構件洗淨機構
90‧‧‧處理空間(空間)
91‧‧‧上表面
311‧‧‧基座部
312‧‧‧夾具
313、513‧‧‧卡合部
411、411a‧‧‧第一處理液噴嘴
412‧‧‧第一手臂
413‧‧‧第一處理液供給部
414‧‧‧噴嘴凸緣部
415‧‧‧噴嘴本體
416‧‧‧處理液流路
416a‧‧‧噴出口
417‧‧‧氣體流路
417a‧‧‧下表面噴射口
417b、417c、417d‧‧‧側面噴射口
418、423‧‧‧第二處理液供給部
421、421a‧‧‧第二處理液噴嘴
422‧‧‧第二手臂
423‧‧‧第二處理液供給部
423a‧‧‧第三處理液供給部
431‧‧‧第一噴嘴升降機構
432‧‧‧第一噴嘴旋轉機構
433‧‧‧第二噴嘴升降機構
434‧‧‧第二噴嘴旋轉機構
441‧‧‧第一洗淨部
442‧‧‧第二洗淨部
511‧‧‧對向構件本體
512‧‧‧被保持部
514‧‧‧對向構件開口
515‧‧‧凸緣連接部
516‧‧‧對向構件凸緣部
517‧‧‧上部開口
518‧‧‧間隙
530‧‧‧支撐部移動機構
531‧‧‧保持部本體
531a‧‧‧切口部
532‧‧‧第一凸緣支撐部
533‧‧‧第一連接部
534‧‧‧第二凸緣支撐部
535‧‧‧第二連接部
536‧‧‧內部空間
537‧‧‧貫通孔
537a‧‧‧開口
538‧‧‧凸緣支撐部
539‧‧‧連接部
541‧‧‧第一突出部
543‧‧‧第二突出部
581‧‧‧突起部
582‧‧‧孔部
841‧‧‧洗淨噴嘴
S11至S26、S31至S44、S51至S80‧‧‧步驟
J1‧‧‧中心軸
圖1係第一實施形態的基板處理裝置的俯視圖。
圖2係基板處理裝置的剖視圖。
圖3係將對向構件保持部的前端部附近放大顯示之立體圖。
圖4係基板處理裝置的剖視圖。
圖5係基板處理裝置的俯視圖。
圖6係顯示氣液供給部的區塊圖。
圖7係第一處理液噴嘴的一部分的剖視圖。
圖8係基板處理裝置的剖視圖。
圖9係基板處理裝置的剖視圖。
圖10係第一處理液噴嘴附近的剖視圖。
圖11係基板處理裝置的俯視圖。
圖12A係顯示基板的處理流程的圖。
圖12B係顯示基板的處理流程的圖。
圖13係第二實施形態的基板處理裝置的俯視圖。
圖14係基板處理裝置的俯視圖。
圖15係第三實施形態的基板處理裝置的俯視圖。
圖16係基板處理裝置的剖視圖。
圖17係基板處理裝置的剖視圖。
圖18係第一處理液噴嘴附近的剖視圖。
圖19係基板處理裝置的俯視圖。
圖20A係顯示基板的處理流程的圖。
圖20B係顯示基板的處理流程的圖。
圖21係顯示對向構件保持部的其他的例子之基板處理裝置的俯視圖。
圖22係第四實施形態的基板處理系統的俯視圖。
圖23係基板處理系統的剖視圖。
圖24係處理單元的俯視圖。
圖25係顯示處理單元的一部分之俯視圖。
圖26係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖27係將對向構件保持部的前端部附近放大顯示之立體圖。
圖28係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖29係對向構件收容部的側視圖。
圖30係顯示處理單元的一部分之俯視圖。
圖31係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖32係顯示氣液供給部之方塊圖。
圖33係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖34係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖35A係顯示基板的處理流程的圖。
圖35B係顯示基板的處理流程的圖。
圖35C係顯示基板的處理流程的圖。
圖36係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖37係第五實施形態的基板處理系統的處理單元的 俯視圖。
圖38係顯示處理單元的一部分之俯視圖。
圖39係顯示處理單元的一部分之俯視圖。
圖40係處理單元的俯視圖。
圖41係第六實施形態的基板處理系統的俯視圖。
圖42係基板處理系統的剖視圖。
圖43係顯示處理單元的一部分之剖視圖。
圖44係顯示對向構件保持部的其他的例子之處理單元的一部分之俯視圖。
圖1係顯示本發明第一實施形態的基板處理裝置1之俯視圖。圖2係將基板處理裝置1在圖1中的Ⅱ-Ⅱ位置切斷之剖視圖。基板處理裝置1係用以逐片處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)之葉片式的裝置。基板處理裝置1係收容於屬於裝置收容室的殼體(housing)11內。圖1中係以虛線顯示殼體11。
基板處理裝置1係具備有控制部21、基板保持部31、基板旋轉機構33、罩(cup)部37、第一處理液噴嘴411、第二處理液噴嘴421、噴嘴移動機構43、噴嘴洗淨部44、頂板(top plate)51、對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57。控制部21係控制基板旋轉機構33、噴嘴移動機構43、噴嘴洗淨部44、對向構 件升降機構55、對向構件保持部移動機構57、後述的第一處理液供給部413、後述的第二處理液供給部423以及後述的氣體供給部45等。在圖2以後的圖式中，省略控制部21的圖示。
圖1中，俯視觀之，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421係從頂板51離開，並位於頂板51周圍的各自的退避位置。在以下的說明中，在無須區別第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的情形中，將第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421統稱為「處理液噴嘴」，或者將第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的任一者稱為「處理液噴嘴」。
基板保持部31係以水平狀態保持基板9。基板保持部31係具備有基座部311、複數個夾具312以及複數個卡合部313。基座部311係將朝向上下方向的中心軸J1作為中心之略圓板狀的構件。基板9係配置於基座部311的上方。複數個夾具312係將中心軸J1作為中心以略等角度間隔地於周方向配置於基座部311的上表面的外周部。在基板保持部31中，藉由複數個夾具312保持基板9的外緣部。複數個卡合部313係將中心軸J1作為中心以略等角度間隔地於周方向配置於基座部311的上表面的外周部。複數個卡合部313係配置於比複數個夾具312還靠近徑方向外側。基板旋轉機構33係配置於基板保持部31的下方。基板旋 轉機構33係將中心軸J1作為中心並將基板9與基板保持部31一起旋轉。
罩部37為將中心軸J1作為中心之環狀的構件，並配置於基板9及基板保持部31的徑方向外側。罩部37係遍及全周地覆蓋基板9及基板保持部31的周圍，並接住從基板9朝周圍飛散的處理液等。於罩部37的底部設置有未圖示的排出埠。被罩部37所接住的處理液等係經由該排出埠排出至殼體11的外部。此外，罩部37內的氣體係經由該排出埠排出至殼體11的外部。
俯視觀之，頂板51為略圓形的構件。頂板51為與基板9的上表面91相對向之對向構件，且為用以遮蔽基板9的上方之遮蔽板。頂板51係具備有對向構件本體511、被保持部512以及複數個卡合部513。對向構件本體511為將中心軸J1作為中心之略圓板狀的構件。對向構件本體511係與基板9的上表面91相對向。於對向構件本體511的中央部設置有對向構件開口514。對向構件開口514係例如俯視觀之為略圓形。對向構件開口514的直徑係遠小於基板9的直徑。複數個卡合部513係將中心軸J1作為中心並以略等角度間隔地於周方向配置於對向構件本體511的下表面的外周部。
被保持部512為從對向構件本體511的對向構件開口 514的周圍朝上方突出之筒狀的部位。被保持部512係具備有凸緣連接部515以及對向構件凸緣部516。凸緣連接部515為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。凸緣連接部515係在對向構件開口514的邊緣附近中連接至對向構件本體511。對向構件凸緣部516係從凸緣連接部515的上端部朝徑方向外側擴展。對向構件凸緣部516係例如為將中心軸J1作為中心之略圓環板狀。
對向構件保持部53係保持頂板51的被保持部512。對向構件保持部53係具備有保持部本體531、第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535。保持部本體531為略水平延伸的棒狀的臂部。保持部本體531的基部(亦即圖2中的右側的端部)係連接至對向構件升降機構55及對向構件保持部移動機構57。在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57構成用以搬運頂板51之對向構件搬運機構。對向構件搬運機構亦可包含有其他的構成。
於保持部本體531的內部設置有遍及保持部本體531的略全長之保持部內部空間536。於保持部本體531的前端部的下表面設置有連通至保持部內部空間536之開口537a。開口537a係設置於頂板51的被保持部512的上方。
第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535係安裝至保持部本體531的前端部。第一凸緣支撐部532及第一連接部533係位於保持部本體531的前端附近；第二凸緣支撐部534及第二連接部535係配置於第一凸緣支撐部532及第一連接部533與保持部本體531的基部之間。第二凸緣支撐部534係夾著頂板51的凸緣連接部515並位於與第一凸緣支撐部532的相反側。
圖3係將對向構件保持部53的前端部附近放大顯示之立體圖。圖3中係省略保持部本體531及對向構件本體511的圖示。如圖1至圖3所示，第一連接部533及第二連接部535係分別為從保持部本體531的下表面朝下方擴展之略平板狀的部位。第一連接部533及第二連接部535係分別於與保持部本體531的長度方向略垂直的方向擴展。第一凸緣支撐部532為從第一連接部533的下端部略水平延伸之略平板狀的部位。第一凸緣支撐部532係從第一連接部533朝保持部本體531的基部側擴展。第二凸緣支撐部534為從第二連接535的下端部略水平擴展之略平板狀的部位。第二凸緣支撐部534係從第二連接部535朝保持部本體531的前端側擴展。
保持部本體531的長度方向中的第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間的距離係比頂板51的對向構件 凸緣部516的外徑還小且比凸緣連接部515的外徑還大。保持部本體531的長度方向中的第一連接部533與第二連接部535之間的距離係比對向構件凸緣部516的外徑還大。如圖1及圖2所示，開口537a係在保持部本體531的長度方向中位於第一連接部533與第二連接部535之間。
在圖1所示的例子中，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係經由第一連接部533及第二連接部535固定至保持部本體531。換言之，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534為對向構件保持部53中的非可動部，且第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534之相對於保持部本體531的相對位置不會變化。
在頂板51位於圖2所示的狀態下，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係分別從下側接觸並支撐頂板51的對向構件凸緣部516的一部分。藉此，頂板51係在基板9及基板保持部31的上方中被對向構件保持部53垂吊。在以下的說明中，將圖2所示的頂板51的上下方向的位置稱為「第一位置」。頂板51係在第一位置中被對向構件保持部53保持並從基板保持部31朝上方離開。
於第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534設置有用以限制頂板51的位置偏移(亦即頂板51的移動及旋轉)之移動限制部(未圖示)。移動限制部係例如包含有：突起 部，係從第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的上表面朝上方突起；以及貫通孔，係設置於對向構件凸緣部516，並被該突起部插入。或者，移動限制部係例如包含有：突起部，係從第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的上表面朝上方突出，並接觸至對向構件凸緣部516的外緣。在後述的基板處理裝置1a中亦同樣。
對向構件升降機構55係使頂板51與對向構件保持部53一起於上下方向移動。圖4係顯示頂板51已從圖2所示的第一位置下降的狀態之剖視圖。在以下的說明中，將圖4所示的頂板51的上下方向的位置稱為「第二位置」。亦即，對向構件升降機構55係在第一位置與第二位置之間將頂板51於上下方向移動。第二位置為比第一位置還下方的位置。換言之，第二位置為頂板51在上下方向中比第一位置還接近基板保持部31之位置。
在頂板51位於第二位置的狀態下，頂板51的複數個卡合部513係分別與基板保持部31的複數個卡合部313卡合。複數個卡合部513係被複數個卡合部313從下方支撐。例如，卡合部313為於上下方向略平行的銷(pin)，且卡合部313的上端部係嵌合至於卡合部513的下端部朝上形成的凹部。此外，頂板51的對向構件凸緣部516係從對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534朝上方離開。藉此，頂板51係在第二位置中被基板保持部 31保持並從對向構件保持部53離開(亦即成為與對向構件保持部53非接觸的狀態)。當在頂板51位於第二位置的狀態下驅動基板旋轉機構33時，頂板51係與基板保持部31一起旋轉。
在頂板51位於第二位置的狀態下，亦即在對向構件凸緣部516從第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534朝上方離開的狀態下，對向構件保持部53係成為可水平移動的狀態。對向構件保持部移動機構57係使成為可水平移動的狀態的對向構件保持部53水平地移動。在圖1所示的例子中，對向構件保持部53的移動係在第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421位於各自的退避位置的狀態下進行。對向構件保持部移動機構57係將保持部本體531水平地旋轉，藉此對向構件保持部53係水平地移動。
如圖1及圖2所示，噴嘴移動機構43係具備有第一噴嘴升降機構431、第一噴嘴旋轉機構432、第二噴嘴升降機構433以及第二噴嘴旋轉機構434。第一處理液噴嘴411係連接至從第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432於水平方向延伸的第一手臂412的前端部。第一噴嘴升降機構431係將第一處理液噴嘴411與第一手臂412一起於上下方向移動。第一噴嘴旋轉機構432係將第一處理液噴嘴411與第一手臂412一起水平地旋轉。
如圖1所示，第二處理液噴嘴421係連接至從第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434於水平方向延伸的第二手臂422的前端部。第二噴嘴升降機構433係將第二處理液噴嘴421與第二手臂422一起於上下方向移動。第二噴嘴旋轉機構434係將第二處理液噴嘴421與第二手臂422一起水平地旋轉。
圖5係顯示基板處理裝置1之俯視圖。對向構件保持部53係藉由對向構件保持部移動機構57在圖1所示的頂板51的上方的位置與圖5所示的頂板51周圍的位置(亦即避開頂板51的上方的位置)之間移動。在以下的說明中，將圖1所示的對向構件保持部53中俯視觀之的位置稱為「保持位置」。此外，將圖5所示的對向構件保持部53中俯視觀之的位置稱為「退避位置」。
在基板處理裝置1中，在頂板51位於第二位置的狀態下，藉由對向構件保持部移動機構57所為之保持部本體531的旋轉，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係水平地移動。藉此，位於保持位置之對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516及凸緣連接部515朝徑方向離開並移動至退避位置。此外，位於退避位置之對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持位置移動並配置於對向構件凸緣部516的下方。
圖6係顯示基板處理裝置1中用以供給氣體及處理液之氣液供給部4的方塊圖。氣液供給部4係具備有第一處理液噴嘴411、第二處理液噴嘴421、第一處理液供給部413、第二處理液供給部423以及氣體供給部45。第一處理液供給部413係連接至第一處理液噴嘴411。如後述般，在第一處理液噴嘴411位於基板9的上方的狀態下，第一處理液供給部413係經由第一處理液噴嘴411將第一處理液供給至基板9的上表面91。第二處理液供給部423係連接至第二處理液噴嘴421。如後述般，在第二處理液噴嘴421位於基板9的上方的狀態下，第二處理液供給部423係經由第二處理液噴嘴421將第二處理液供給至基板9的上表面91。氣體供給部45係連接至對向構件保持部53，並將氣體供給至對向構件保持部53的保持部內部空間536。此外，氣體供給部45亦連接至第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421，並將氣體供給至第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421。
在基板處理裝置1中，利用各種種類的液體作為第一處理液及第二處理液。第一處理液及第二處理液亦可分別為例如使用於基板9的藥液處理之藥液(例如聚合物去除液、氟酸或氫氧化四甲銨(TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液等蝕刻液)。第一處理液及第二處理液亦可分別為例如使用於基板9的洗淨處理之純水(去離子水 (DIW：deionized water))或碳酸水等洗淨液。第一處理液及第二處理液亦可分別為用以置換基板9上的液體之被供給的異丙醇(IPA：isopropyl alcohol)。較佳為第一處理液及第二處理液為不同種類的液體。從氣體供給部45所供給的氣體係例如為氮(N2)氣體等惰性氣體。亦可從氣體供給部45供給惰性氣體以外的各種氣體。
圖7係將第一處理液噴嘴411的一部分放大顯示之剖視圖。第一處理液噴嘴411係例如由PFA(tetrafluoroethylene par fluoro alkyl vinyl ether copolymer；四氟乙烯共聚合物)所形成。於第一處理液噴嘴411的內部設置有處理液流路416以及兩個氣體流路417。處理液流路416係連接至圖6所示的第一處理液供給部413。兩個氣體流路417係連接至圖6所示的氣體供給部45。
從第一處理液供給部413供給至處理液流路416的第一處理液係從設置於第一處理液噴嘴411的下端面之噴出口416a朝下方噴出。從氣體供給部45供給至中央的氣體流路417(圖中右側的氣體流路417)的惰性氣體係從設置於第一處理液噴嘴411的下端面之下表面噴射口417a朝下方供給(例如噴射)。從氣體供給部45供給至外周部的氣體流路417的惰性氣體係從設置於第一處理液噴嘴411的外側面之複數個側面噴射口417b、417c、417d朝周圍供給。
複數個側面噴射口417b係略等角度間隔地排列於周方向。複數個側面噴射口417b係連接至從外周部的氣體流路417的下端部朝周方向延伸的周狀流路。複數個側面噴射口417c係在比複數個側面噴射口417b還上方中略等角度間隔地排列於周方向。複數個側面噴射口417c係連接至從該氣體流路417朝周方向延伸的周狀流路。複數個側面噴射口417d係在比複數個側面噴射口417c還上方中略等角度間隔地排列於周方向。複數個側面噴射口417d係連接至從該氣體流路417朝周方向延伸的周狀流路。在第一處理液噴嘴411中，亦可設置有其他的氣體流路417，且於該其他的氣體流路417連接有側面噴射口417c或側面噴射口417d。
從氣體供給部45(參照圖6)所供給的惰性氣體係從複數個側面噴射口417b朝斜下方供給(例如噴射)，並從複數個側面噴射口417c朝斜上方供給(例如噴射)。此外，從氣體供給部45供給的惰性氣體係從複數個側面噴射口471d大致水平地供給(例如噴射)。
此外，側面噴射口417b、417c、417d亦可僅分別設置一個。第二處理液噴嘴421的構造係與圖7所示的第一處理液噴嘴411的構造同樣。在第二處理液噴嘴421中，從設置於下端面的噴出口噴出第二處理液。
圖8係顯示基板處理裝置1之剖視圖。圖8中，顯示頂板51在第二位置中被基板保持部31保持的狀態。此外，對向構件保持部53係藉由對向構件保持部移動機構57從保持位置退避至退避位置。如圖5及圖8所示，在對向構件保持部53已退避的狀態下，第一處理液噴嘴411係藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432從退避位置移動，且從頂板51的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512。第一處理液噴嘴411係位於被保持部512的內側。換言之，第一處理液噴嘴411的外側面係於徑方向與被保持部512的內側面相對向。在以下的說明中，將圖8所示的第一處理液噴嘴411的位置稱為「供給位置」(第二處理液噴嘴421亦同樣)。在圖8所示的例子中，位於供給位置的第一處理液噴嘴411的前端(亦即下端)係位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣還上方。第一處理液噴嘴411的前端亦可在上下方向中位於與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
從第一處理液供給部413(參照圖6)所供給的第一處理液係從第一處理液噴嘴411的噴出口416a(參照圖7)經由對向構件開口514朝基板9的上表面91噴出。此外，從氣體供給部45(參照圖6)所供給的惰性氣體的一部分係從第一處理液噴嘴411的下表面噴射口417a(參照圖7)經由對向構件開口514供給至頂板51與基板9之間的空間90(以下稱為「處理空間90」)。
如圖9所示，在基板處理裝置1中，第一處理液噴嘴411亦可從對向構件本體511的對向構件開口514朝下方突出。換言之，第一處理液噴嘴411的前端係位於比對向構件開口514的下端緣還下方。從氣體供給部45所供給的惰性氣體的一部分係在第一處理液噴嘴411內經由對向構件開口514朝下方流動，並從第一處理液噴嘴411的下表面噴射口417a供給至處理空間90。從第一處理液供給部413所供給的第一處理液係在第一處理液噴嘴411內經由對向構件開口514朝下方流動，並從第一處理液噴嘴411的噴出口416a朝基板9的上表面91噴出。在以下的說明中，在第一處理液經由對向構件開口514供給的情形中，不僅包括在比對向構件開口514還上方中從第一處理液噴嘴411噴出的第一處理液通過對向構件開口514的狀態，亦包括圖9所示經由插入至對向構件開口514的第一處理液噴嘴411噴出第一處理液的狀態。後述的第二處理液噴嘴421及第二處理液亦同樣。
圖10係將圖8中的第一處理液噴嘴411及其附近放大顯示之剖視圖。在圖10中，頂板51係位於第二位置。第一處理液噴嘴411係具備有噴嘴本體415及噴嘴凸緣部414。噴嘴本體415為略圓柱狀，並插入至被保持部512的凸緣連接部515。噴嘴凸緣部414係連接至噴嘴本體415的上端部。噴嘴凸緣部414為從噴嘴本體415的上部朝徑 方向外側擴展之略圓板狀的部位。噴嘴凸緣部414係與對向構件凸緣部516的上表面相對向。
在圖10所示的例子中，於對向構件凸緣部516的上表面與噴嘴凸緣部414的下表面之間形成有迷宮構件(labyrinth)54。詳細而言，藉由從對向構件凸緣部516的上表面朝上方突出之第一突出部541以及從位於供給位置的第一處理液噴嘴411的噴嘴凸緣部414的下表面朝下方突出的兩個第二突出部543，於周方向全周形成有迷宮構件54。第一突出部541及兩個第二突出部543為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀，且其直徑彼此不同。第一突出部541的直徑係比內側的第二突出部543的直徑還大，且比外側的第二突出部543的直徑還小。第一突出部541的上端係位於比兩個第二突出部543的下端還上方。在位於第二位置的頂板51與基板保持部31一起旋轉時，兩個第二突出部543不會旋轉，而第一突出部541係在兩個第二突出部543之間旋轉。
在第一處理液噴嘴411位於供給位置的狀態下，各個側面噴射口417b、417c係於徑方向與凸緣連接部515的內側面相對向。從氣體供給部45供給至第一處理液噴嘴411的惰性氣體的一部分係從第一處理液噴嘴411的外側面的複數個側面噴射口417b及複數個側面噴射口417c供給至被保持部512的內面側與第一處理液噴嘴411的外側面之 間的間隙518。在間隙518中，來自氣體供給部45的惰性氣體係從第一處理液噴嘴411的外側面朝斜下方及斜上方供給。從側面噴射口417b朝斜下方供給的惰性氣體係經由間隙518朝下方流動，並供給至處理空間90。從側面噴射口417c朝斜上方供給的惰性氣體係經由間隙518朝上方流動，並達至被保持部512的上部開口517。
此外，各個側面噴射口417d係在比對向構件凸緣部516還上方中於徑方向與迷宮構件54相對向。從氣體供給部45供給至第一處理液噴嘴411的惰性氣體的一部分係從第一處理液噴嘴411的外側面的複數個側面噴射口417d朝迷宮構件54大致水平地供給。從側面噴射口417d水平供給的惰性氣體係與從側面噴射口417c供給並達至上部開口517的惰性氣體一起經由迷宮構件54朝迷宮構件54的周方向外側流動。在第二處理液噴嘴421位於供給位置的狀態下亦同樣。
圖11係顯示基板處理裝置1之俯視圖。在圖11中，第一處理液噴嘴411係藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432從圖5所示的頂板51的上方的供給位置移動，並如圖11所示般位於從頂板51的上方離開之頂板51周圍的退避位置。此外，第二處理液噴嘴421係藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434從圖5所示的頂板51周圍的退避位置移動，並如圖11所示般位於頂 板51的上方的供給位置。第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的退避位置亦包括具有在該退避位置中容許第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421搖動的程度的餘裕之空間(亦即退避空間)的概念。
與圖10所示的第一處理液噴嘴411同樣地，第二處理液噴嘴421係在上述供給位置中從頂板51的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512的內側。此外，與圖10所示的第一處理液噴嘴411同樣地，第二處理液噴嘴421的前端(亦即下端)係在上述供給位置中位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣還上方。第二處理液噴嘴421的前端亦可在上下方向中位於與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
詳細而言，圖5及圖11所示的第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的供給位置為頂板51的對向構件開口514的上方的位置。此外，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421各自的退避位置為基板保持部31周圍的位置。噴嘴移動機構43係在供給位置與各自的退避位置之間個別地移動第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421。
如圖11所示，噴嘴洗淨部44係具備有第一洗淨部441及第二洗淨部442。第一洗淨部441係設置於第一處理液噴嘴411的退避位置附近。第一洗淨部441係洗淨位於退 避位置的第一處理液噴嘴411。第一洗淨部441係例如將純水等洗淨液供給至第一處理液噴嘴411，藉此進行第一處理液噴嘴411的洗淨。第二洗淨部442係設置於第二處理液噴嘴421的退避位置附近。第二洗淨部442係洗淨位於圖1所示的退避位置的第二處理液噴嘴421。第二洗淨部442係例如將純水等洗淨液供給至第二處理液噴嘴421，藉此進行第二處理液噴嘴421的洗淨。在第一洗淨部441及第二洗淨部442中，例如在洗淨結束後亦進行第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的乾燥。在第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的洗淨及乾燥時，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421亦可在退避位置(亦即退避空間)搖動。
接著，參照圖12A及圖12B說明基板處理裝置1中的基板9的處理流程的一例。首先，在頂板51位於圖2所示的第一位置的狀態下，基板9係被搬入至殼體11內，並被基板保持部31保持(步驟S11)。此時，頂板51係被對向構件保持部53保持，且第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421係位於各自的退避位置。
接著，控制部21(參照圖1)係控制對向構件升降機構55，藉此對向構件保持部53係朝下方移動。藉此，頂板51係從第一位置朝第二位置向下方移動，且如圖4所示，頂板51係被基板保持部31保持(步驟S12)。從氣體供給部 45供給至對向構件保持部53的保持部內部空間536的惰性氣體係經由被保持部512的上部開口517朝下方流動，並經由對向構件開口514供給至處理空間90。
在步驟S12中，對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從頂板51的對向構件凸緣部516朝下方離開。在此狀態下，控制部21係控制對向構件保持部移動機構57，藉此對向構件保持部53係水平地旋轉。藉此，對向構件保持部53係從頂板51的上方的保持位置退避，並移動至上述退避位置(步驟S13)。
接著，在對向構件保持部53退避至退避位置的狀態下，控制部21係控制第一噴嘴升降機構341及第一噴嘴旋轉機構432，藉此第一處理液噴嘴411係從退避位置移動至供給位置(步驟S14)。如圖8及圖10所示，第一處理液噴嘴411係從頂板51的被保持部512的上部開口517插入並位於被保持部512的內側。
當第一處理液噴嘴411位於供給位置時，控制部21係控制氣體供給部45，藉此從第一處理液噴嘴411的下表面噴射口417b、471c將惰性氣體供給至頂板51的被保持部512的內側面與第一處理液噴嘴411的外側面之間的間隙518。再者，從第一處理液噴嘴411的側面噴射口417d將惰性氣體供給至對向構件凸緣部516的上表面與噴嘴凸緣 部414的下表面之間的迷宮構件54。
此外，控制部21係控制基板旋轉機構33，藉此基板保持部31、基板9以及頂板51開始旋轉(步驟S15)。在步驟S15以後亦繼續從第一處理液噴嘴411供給惰性氣體。此外，頂板51等的開始旋轉(步驟S15)亦可在比朝第一處理液噴嘴411的供給位置移動(步驟S14)之前就先進行。例如，步驟S15亦可在步驟S12與步驟S13之間進行。在此情形中，在步驟S13中，對向構件保持部53係從旋轉中的頂板51離開並移動至退避位置。
接著，在第一處理液噴嘴411位於供給位置的狀態下，藉由第一處理液供給部413，第一處理液係從第一處理液噴嘴411經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S16)。從位於供給位置的第一處理液噴嘴411供給至基板9的中央部的第一處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第一處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。以預定時間賦予第一處理液後，結束第一處理液對於基板9的處理。
第一處理液例如為聚合物去除液或蝕刻液等藥液，並在步驟S16中進行針對基板9之藥液處理。此外，第一處 理液的供給(步驟S16)亦可在基板9的開始旋轉(步驟S15)之前先進行。在此情形中，第一處理液係覆漿(paddle)(覆液)至靜止狀態的基板9的上表面91整體，而進行第一處理液所為之覆漿處理。在後述的步驟S54、步驟S55中亦同樣。
當結束第一處理液對於基板9的處理時，停止從第一處理液噴嘴411供給第一處理液。接著，藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432，第一處理液噴嘴411係從供給位置移動至退避位置(步驟S17)。
在基板處理裝置1中，控制部21係控制第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，藉此第二處理液噴嘴421係從退避位置移動至供給位置(步驟S18)。如圖11所示，在對向構件保持部53退避至退避位置的狀態下，第二處理液噴嘴421係從頂板51的被保持部512的上部開口517插入，並位於被保持部512的內側。較佳為第二處理液噴嘴421的移動(步驟S18)係與第一處理液噴嘴411的移動(步驟S17)並行進行。此外，步驟S18亦可在步驟S17結束後再進行。
當第二處理液噴嘴421位於供給位置時，來自氣體供給部45的惰性氣體係從第二處理液噴嘴421的下表面噴射口供給至處理空間90。此外，該惰性氣體係從第二處理液 噴嘴421的外側面的側面噴射口供給至間隙518及迷宮構件54。
接著，控制部21係控制第二處理液供給部423，藉此在第二處理液噴嘴421位於供給位置的狀態下，第二處理液係從第二處理液噴嘴421經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S19)。從位於供給位置的第二處理液噴嘴421供給至基板9的中央部之第二處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第二處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。以預定時間賦予第二處理液後，結束第二處理液對於基板9的處理。第二處理液係例如為純水或碳酸水等洗淨液，並在步驟S19中進行對於基板9的洗淨處理。
在基板處理裝置1中，與第二處理液噴嘴421的移動(步驟S18)或第二處理液的供給(步驟S19)並行，藉由第一洗淨部441進行位於退避位置的第一處理液噴嘴411之洗淨(步驟S20)。
當結束第二處理液對於基板9的處理時，停止從第二處理液噴嘴421供給第二處理液。維持基板9的旋轉以進行基板9的乾燥處理。乾燥處理時的基板9的旋轉速度係 比步驟S19中的第二處理液對於基板9的處理時的旋轉速度還快。此外，藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，第二處理液噴嘴421係從供給位置移動至退避位置(步驟S21)。接著，藉由第二洗淨部442進行位於退避位置的第二處理液噴嘴421的洗淨(步驟S22)。
此外，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53係水平地旋轉，並從退避位置移動至保持位置(步驟S23)。此時，對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係在第二位置中從旋轉中的頂板51的對向構件凸緣部516朝下方離開。
接著，停止基板旋轉機構33所為之基板保持部31、基板9以及頂板51的旋轉(步驟S24)。接著，藉由對向構件升降機構55，對向構件保持部53係朝上方移動，藉此頂板51係從第二位置朝第一位置向上方移動(步驟S25)。頂板51係從基板保持部31朝上方離開並被對向構件保持部53保持。之後，從殼體11搬出基板9(步驟S26)。
步驟S23至步驟S26亦可在步驟S22結束後再進行。或者，步驟S22亦可與步驟S23至步驟S26中的任一個步驟或複數個步驟並行進行。步驟S20亦可例如與步驟S22並行進行。只要步驟S23在步驟S21之後且在步驟S25之前進行即可。例如步驟S23亦可在步驟S24之後進行，亦 即在頂板51等停止旋轉後再進行。
如上所述，第一處理液及第二處理液對於基板9的處理係在頂板51位於第二位置時進行，基板9的搬出及搬入係在頂板51位於第一位置時進行。因此，上述第一位置及第二位置亦可分別視為「非處理位置」及「處理位置」。
在基板處理裝置1中，對複數個基板9依序進行上述步驟S11至步驟S26，藉此處理複數個基板9。此外，步驟S22係可在步驟S26結束後且在搬入下一個基板9之前進行，或者亦可與針對下一個基板9所進行的步驟S11至步驟S17並行進行。或者，步驟S22亦可在針對基板9所進行的步驟S17與步驟S18之間進行。
如上述所說明般，在基板處理裝置1中，頂板51係在第一位置中被對向構件保持部53保持，並從基板保持部31朝上方離開。此外，頂板51係在第二位置中被基板保持部31保持，並藉由基板旋轉機構33而與基板保持部31一起旋轉。氣體供給部45係將氣體供給至頂板51與基板9之間的處理空間90。藉此，能將處理空間90作成期望的氣體氛圍，並在該氣體氛圍中進行基板9的處理。例如，在將惰性氣體供給至處理空間90的情形中，能在惰性氣體氛圍(亦即低氧氛圍)中處理基板9。
此外，在基板處理裝置1中，藉由氣體供給部45將氣體供給至頂板51的被保持部512的內側面與位於被保持部512的內側之處理液噴嘴(亦即位於供給位置的第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421)的外側面之間的間隙518。因此，能以該氣體密封與基板9一起旋轉的頂板51與靜止狀態的處理液噴嘴之間的間隙518。藉此，能抑制外部氣體(亦即處理空間90周圍的氛圍)從頂板51與處理液噴嘴之間的間隙518進入至處理空間90。結果，能將處理空間90維持在期望的氣體氛圍，而能容易地在該氣體氛圍中進行基板9的處理。上述「外部氣體」係指殼體11內的處理空間90周圍的氛圍，亦即係指頂板51及基板保持部31周圍的氛圍。在以下的說明中亦同樣。
如上所述，在基板處理裝置1中，在從第一處理液噴嘴411將第一處理液供給至基板9的期間(步驟S16)，來自氣體供給部45的氣體係由第一處理液嘴411所供給，而在從第二處理液噴嘴421將第二處理液供給至基板9的期間(步驟S19)，來自氣體供給部45的氣體係由第二處理液噴嘴421所供給。藉此，能將用以與第一處理液及第二處理液對於基板9的處理並行且將來自氣體供給部45的氣體供給至處理空間90之構造簡單化。
在基板處理裝置1中設置有：對向構件保持部移動機構57，係在頂板51位於第二位置的狀態下，使對向構件 保持部53從頂板51的上方退避。在基板處理裝置1中，在頂板51旋轉時，對向構件保持部53係從頂板51的上方退避，藉此能抑制頂板51的上方中之對向構件保持部53所造成的氣流吝亂。此外，能提升頂板51的上表面的形狀及對該上表面的追加構造的配置自由度。
再者，在基板處理裝置1中，在對向構件保持部53已退避的狀態下，處理液噴嘴(亦即第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421)係從被保持部512的上部開口517插入至內側，且來自氣體供給部45的氣體係從處理液噴嘴的外側面直接地供給至間隙518。藉此，能容易地進行對於間隙518的氣體供給。此外，亦可省略從氣體供給部45經由對向構件保持部53所進行的氣體供給。在此情形中，對向構件保持部53亦可為例如大致實心的構件。藉此，能將對向構件保持部53的構造簡單化。
來自氣體供給部45的氣體係從位於供給位置的處理液噴嘴(亦即插入至被保持部512的第一處理液411或第二處理液噴嘴421)的外側面朝斜上方及斜下方供給。藉此，能進一步地抑制外部氣體從被保持部512的上部開口517進入至間隙518。
在基板處理裝置1中，於對向構件凸緣部516的上表面與噴嘴凸緣部414的下表面之間形成有迷宮構件54。藉 此，能抑制被保持部512附近的外部氣體亦即對向構件凸緣部516的下側及凸緣連接部515的徑方向外側的外部氣體從對向構件凸緣部516與噴嘴凸緣部414之間經由被保持部512的上部開口517進入至間隙518及處理空間90。再者，來自氣體供給部45的氣體係從處理液噴嘴的外側面朝迷宮構件54供給，藉此能進一步地抑制外部氣體從對向構件凸緣部516與噴嘴凸緣部414之間進入至間隙518。
在基板處理裝置1中，藉由控制部21的控制，在第一處理液噴嘴411位於供給位置的狀態下，第一處理液係經由對向構件開口514供給至基板9，且第一處理液噴嘴411係從供給位置移動至退避位置。接著，第二處理液噴嘴421係從退避位置移動至供給位置，第二處理液係經由對向構件開口514供給至基板9。藉此，與從一個處理液噴嘴依序供給複數種類的處理液之情形相比，能抑制或防止複數種類的處理液的混液。此外，由於能使第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421從供給位置退避，因此即使處理液附著至頂板51的被保持部512的內側面等，亦能容易地去除該處理液。
第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421係在供給位置中從由對向構件開口514的周圍朝上方突出的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512的內側。藉此，能抑制外部氣體經由對向構件開口514進入至處理空間 90。結果，能將處理空間90維持在期望的氣體氛圍，而能在該氛圍中容易地進行基板9的處理。
第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的前端係在供給位置中位於比對向構件開口514的下端緣還上方，或者在上下方向中位於與該下端緣相同的位置。藉此，能抑制從第一處理液噴嘴411供給的第一處理液在基板9上濺起等而附著至第一處理液噴嘴411的前端部。同樣地，能抑制從第二處理液噴嘴421供給的第二處理液在基板9上濺起等而附著至第二處理液噴嘴421的前端部。
在基板處理裝置1中，對向構件保持部53係具備有：第一凸緣支撐部532；第二凸緣支撐部534，係夾著凸緣連接部515位於第一凸緣支撐部532的相反側；以及保持部本體531，係安裝有第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534。第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係分別從下側接觸並支撐位於第一位置的頂板51的對向構件凸緣部516的一部分。在頂板51位於第二位置的狀態下，將第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534水平地移動，藉此使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534從對向構件凸緣部516朝徑方向外側離開，且配置於對向構件凸緣部516的下方。
藉此，在基板處理裝置1中，不論位於第二位置的頂 板51為靜止狀態或旋轉中，皆能以簡單的構造使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534容易地從對向構件凸緣部516離開，並使對向構件保持部53朝退避位置移動。此外，不論頂板51為靜止狀態或旋轉中，皆能以簡單的構造使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534容易地插入至對向構件凸緣部516的下方，並能將對向構件保持部53朝保持位置移動。亦即，在基板處理裝置1中，能以簡單的構造保持頂板51，且不論頂板51的狀態為何皆能以簡單的構造在保持位置與退避位置之間移動對向構件保持部53。
如上所述，在基板處理裝置1中，從對向構件保持部53的退避位置朝保持位置的移動(步驟S23)係在頂板51等的停止旋轉(步驟S24)之前進行。如此，在頂板51等的旋轉中將對向構件保持部53朝保持位置移動，藉此與步驟S23在步驟S24之後才進行的情形相比，能縮短基板9的處理所需的時間(亦即基板9搬入至基板處理裝置1後直至搬出的時間)。此外，在從對向構件保持部53的保持位置朝退避位置的移動(步驟S13)為在頂板51等開始旋轉(步驟S15)之後才進行的情形中，亦即在頂板51等的旋轉中將對向構件保持部53朝退避位置移動的情形中，與步驟S13在步驟S15之前進行的情形相比，能縮短基板9的處理所需的時間。
在基板處理裝置1中，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係固定至保持部本體531。此外，對向構件保持部移動機構57係將保持部本體531水平地旋轉，藉此對向構件保持部53係在保持位置與退避位置之間移動。此外，藉由保持部本體531的旋轉，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516朝徑方向外側離開，並配置於對向構件凸緣部516的下方。藉此，能將對向構件保持部53的構造簡單化，且不論頂板51有無旋轉皆能在保持位置與退避位置之間移動對向構件保持部53。
在基板處理裝置1中，藉由噴嘴洗淨部44洗淨位於退避位置的第一處理液噴嘴411。藉此，即使在第一處理液等附著於第一處理液噴嘴411之情形中，亦能去除附著物並將第一處理液噴嘴411維持在清淨的狀態。結果，能抑制或防止第一處理液噴嘴411從退避位置移動至供給位置時第一處理液不慎從第一處理液噴嘴411滴下。此外，能抑制或防止在第一處理液噴嘴411位於供給位置的狀態下第一處理液不慎滴下至基板9上。
在基板處理裝置1中，位於退避位置的第二處理液噴嘴421亦被噴嘴洗淨部44洗淨。藉此，能將第二處理液噴嘴421維持在清淨的狀態。結果，能抑制或防止第二處理液噴嘴421移動時或者在第二處理液噴嘴421位於供給位 置的狀態下，第二處理液不慎從第二處理液噴嘴421滴下。
圖13係顯示本發明第二實施形態的基板處理裝置1a之俯視圖。在基板處理裝置1a中，係設置有第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的朝向係與圖1及圖2所示的對向構件保持部53不同之對向構件保持部53a，以取代對向構件保持部53。於對向構件保持部53a亦設置有支撐部移動機構530。基板處理裝置1a的其他的構成係與圖1所示的基板處理裝置1同樣，在以下的說明中於對應的構成附上相同的元件符號。
如圖13所示，在對向構件保持部53a中，第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535係經由支撐部移動機構530安裝至保持部本體531的前端部。第一凸緣支撐部532與第一連接部533、以及第二凸緣支撐部534與第二連接部535係位於保持部本體531的長度方向中大致相同的位置。第二凸緣支撐部534係夾著頂板51的凸緣連接部515並位於與第一凸緣支撐部532相反側的位置。
第一連接部533及第二連接部535係分別為從支撐部移動機構530朝下方擴展之略平板狀的部位。第一連接部533及第二連接部535係分別於與保持部本體531的長度方向略平行的方向擴展。第一凸緣支撐部532為從第一連接 部533的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第一凸緣支撐部532係從第一連接部533朝接近第二凸緣支撐部534的方向擴展。第二凸緣支撐部534為從第二連接部535的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第二凸緣支撐部534係從第二連接部535朝接近第一凸緣支撐部532的方向擴展。
與保持部本體531的長度方向垂直的方向(以下稱為「寬度方向」)中的第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間的距離係比頂板51的對向構件凸緣部516的外徑還小且比凸緣連接部515的外徑還大。保持部本體531的寬度方向中的第一連接部533與第二連接部535之間的距離係比對向構件凸緣部516的外徑還大。
支撐部移動機構530係將第一連接部533與第一凸緣支撐部532、以及第二連接部535與第二凸緣支撐部534於與保持部本體531的長度方向略平行的方向略水平地移動。亦即，在對向構件保持部53a中，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係能相對於保持部本體531相對性地移動。
在基板處理裝置1a中，在保持部本體531位於保持位置的狀態下，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從下側接觸至位於第一位置的頂板51的對向構件凸緣 部516的一部分並支撐頂板51。此外，在保持部本體531位於保持位置且頂板51位於第二位置的狀態下，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的基部移動，藉此如圖14所示，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516朝徑方向外側離開。在此狀態下藉由對向構件保持部移動機構57使對向構件保持部53a水平地旋轉，藉此使對向構件保持部53a在保持位置與退避位置之間移動。
此外，在基板處理裝置1a中，在保持部本體531位於保持位置且頂板51位於第二位置的狀態下，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的前端移動，藉此如圖13所示，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係配置於對向構件凸緣部516的下方。
與圖1所示的基板處理裝置1同樣，在基板處理裝置1a中，不論位於第二位置的頂板51為靜止狀態或旋轉中，皆能使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534從對向構件凸緣部516離開，並將對向構件保持部53a朝退避位置移動。此外，不論頂板51為靜止狀態或旋轉中，皆能將對向構件保持部53a從退避位置移動至保持位置，並將第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534配置於對向構件 凸緣部516的下方。亦即，在基板處理裝置1a中，能以簡單的構造保持頂板51，且不論頂板51的狀態為何皆能以簡單的構造在保持位置與退避位置之間移動對向構件保持部53a。如此，與圖1所示的基板處理裝置1同樣，在基板處理裝置1a中，由於能在頂板51等的旋轉中進行對向構件保持部53a在保持位置與退避位置之間的移動，因此能縮短基板9的處理所需的時間。
在基板處理裝置1a中，支撐部移動機構530所為之第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的移動方向不一定需要為與保持部本體531的長度方向略平行的方向。例如，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534亦可藉由支撐部移動機構530於與保持部本體531的長度方向略垂直的方向水平地移動。在此情形中，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝彼此離開的方向移動，藉此第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516朝徑方向外側離開。此外，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝彼此接近的方向移動，藉此第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係配置於對向構件凸緣部516的下方。
圖15係顯示本發明第三實施形態的基板處理裝置1b之俯視圖。圖16係將基板處理裝置1b在圖15中的XVI-XVI的位置切斷之剖視圖。在基板處理裝置1b中，對向 構件保持部53b係具備有凸緣支撐部538及連接部539，以取代基板處理裝置1的第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535。此外，基板處理裝置1b係具備有構造不同的第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a，以取代第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421。再者，在基板處理裝置1b中，省略圖1所示的對向構件保持部移動機構57，且第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a係經由對向構件保持部53b插入至頂板51的被保持部512。基板處理裝置1b的其他的構成係與圖1及圖2所示的基板處理裝置1同樣，在以下的說明中於對應的構成附上相同的元件符號。
凸緣支撐部538及連接部539係安裝至保持部本體531的前端部。連接部539為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的部位。連接部539係固定至保持部本體531，並從保持部本體531的下表面朝下方擴展。凸緣支撐部538為將中心軸J1作為中心之略圓環板狀的部位。凸緣支撐部538係從連接部539的下端部朝徑方向內側擴展。凸緣支撐部538的內徑係比對向構件凸緣部516的外徑還小。
如圖16所示，在頂板51位於第一位置的狀態下，凸緣支撐部538係從下側接觸並支撐頂板51的對向構件凸緣部516的一部分。藉此，頂板51係在基板9及基板保持部31的上方中被對向構件保持部53b垂吊。換言之，頂板51 係在第一位置中被對向構件保持部53b保持並從基板保持部31朝上方離開。
於凸緣支撐部538及對向構件凸緣部516係設置有彼此卡合且限制頂板51的位置偏移(亦即頂板51的移動及旋轉)之移動限制部(未圖示)。移動限制部係例如包含有：突起部，係從凸緣支撐部538的上表面朝上方突出；以及貫通孔，係設置於對向構件凸緣部516，並被該突起部插入。
於保持部本體531的前端部設置有將保持部本體531上下地貫通之貫通孔537。貫通孔537係連通至保持部內部空間536。在圖16所示的例子中，貫通孔537係具有設置於保持部本體531的上表面及下表面之兩個略圓形的開口537a。俯視觀之該兩個開口537a係重疊。貫通孔537係設置於頂板51的被保持部512的上方。此外，貫通孔537係位於連接部539的徑方向內側且位於凸緣支撐部538的內邊緣的徑方向內側。在圖16所示的例子中，第一處理液噴嘴411a係經由貫通孔537插入至頂板51的被保持部512。
圖17係顯示頂板51位於第二位置的狀態的基板處理裝置1b之剖視圖。當藉由對向構件升降機構55使頂板51下降並位於第二位置時，頂板51的對向構件凸緣部516係從對向構件保持部53b的凸緣支撐部538朝上方離開。藉此，頂板51係在第二位置中被基板保持部31保持，並從 對向構件保持部53b離開(亦即與對向構件保持部53b成為非接觸狀態)。當在頂板51位於第二位置的狀態下驅動基板旋轉機構33時，頂板51係與基板保持部31一起旋轉。
如圖17所示，第一處理液噴嘴411a係位於頂板51的上方。第一處理液噴嘴411a係經由對向構件保持部53b的貫通孔537從對向構件保持部53b的保持部本體531朝下方突出，並從頂板51的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512。第一處理液噴嘴411a係位於被保持部512的內側的供給位置。換言之，第一處理液噴嘴411a的外側面係於徑方向與被保持部512的內側面相對向。在圖17所示的例子中，第一處理液噴嘴411a的前端(亦即下端)係位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣還上方。第一處理液噴嘴411a的前端亦可在上下方向中位於與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
圖18係將圖17中的第一處理液噴嘴411a及其附近放大顯示之剖視圖。在圖18中，頂板51亦位於第二位置。第一處理液噴嘴411a係具備有噴嘴本體415及噴嘴凸緣部414。在第一處理液噴嘴411a中，省略圖10所示的第一處理液噴嘴411以及側面噴射口417c、417d。噴嘴本體415為略圓柱狀，並經由對向構件保持部53b的貫通孔537(亦即兩個開口537a)插入至被保持部512的凸緣連接部515。噴嘴凸緣部414係連接至噴嘴本體415的上端部。噴嘴凸 緣部414為從噴嘴本體415的上部朝徑方向外側擴展之略圓板狀的部位。噴嘴凸緣部414係接觸對向構件保持部53b的上表面，並覆蓋上側的開口537a。於噴嘴凸緣部414的下表面與對向構件保持部53b的上表面之間設置有例如O形環。
在圖18所示的例子中，於對向構件凸緣部516的上表面與對向構件保持部53b之間形成有迷宮構件54a。詳細而言，藉由從對向構件凸緣部516的上表面朝上方突出的第一突出部541以及從對向構件保持部53b的保持部本體531的下表面朝下方突出的兩個第二突出部542，遍及周方向全周地形成有迷宮構件54a。第一突出部541及第二突出部542為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀，且直徑彼此不同。第一突出部541的直徑係比內側的第二突出部542的直徑還大且比外側的第二突出部542的直徑還小。第一突出部541的上端係位於比兩個第二突出部542的下端還上方。在位於第二位置的頂板51與基板保持部31一起旋轉時，兩個第二突出部542不會旋轉，第一突出部541係在兩個第二突出部542之間旋轉。
從氣體供給部45(參照圖6)供給至第一處理液噴嘴411a的惰性氣體的一部分係從第一處理液噴嘴411a的下表面噴射口417a經由對向構件開口514供給至頂板51與基板9之間的處理空間90。從氣體供給部45供給至第一 處理液噴嘴411a的惰性氣體的一部分係從第一處理液噴嘴411a的外側面的複數個側面噴射口417b供給至頂板51的被保持部512的內側面與第一處理液噴嘴411a的外側面之間的間隙518。從側面噴射口417b朝間隙518向斜下方供給的惰性氣體係經由間隙518朝下方流動，並供給至處理空間90。
從氣體供給部45供給至對向構件保持部53b的保持部內部空間536的惰性氣體係經由對向構件保持部53b從被保持部512的上部開口517供給至被保持部512內。詳細而言，從氣體供給部45供給至保持部內部空間536的惰性氣體係朝貫通孔537的上側及下側的開口537a供給。如上所述，由於上側的開口537a係被噴嘴凸緣部414閉塞，因此惰性氣體係從下側的開口537a朝下方流動。接著，經由上述間隙518朝下方流動，並從對向構件開口514供給至處理空間90。此外，從氣體供給部45供給至保持部內部空間536的惰性氣體的一部分係經由對向構件凸緣部516上朝徑方向外側流動並供給至迷宮構件54a，且經由迷宮構件54a朝迷宮構件54a的周方向外側流動。在第二處理液噴嘴421a位於供給位置的狀態下亦同樣。
圖19係顯示基板處理裝置1b之俯視圖。在圖19中，第一處理液噴嘴411a係藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432從圖15所示的頂板51的上方的供給位 置移動，並位於已從頂板51的上方離開的頂板51周圍的退避位置。此外，第二處理液噴嘴421a係藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434從圖15所示的頂板51周圍的退避位置移動，並位於頂板51的上方的供給位置。第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a的退避位置亦包括具有在該退避位置中容許第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a搖動的程度的餘裕之空間(亦即退避空間)的概念。
與圖18所示的第一處理液噴嘴411a同樣地，第二處理液噴嘴421a係在上述供給位置中插入至對向構件保持部53b的貫通孔537，並從頂板51的被保持部512的上部開口517(參照圖18)插入至被保持部512的內側。此外，與圖18所示的第一處理液噴嘴411a同樣地，第二處理液噴嘴421a的前端(亦即下端)係在上述供給位置中位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣還上方。第二處理液噴嘴421a的前端亦可在上下方向中位於與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
接著，參照圖20A及圖20B說明基板處理裝置1b中的基板9的處理流程的一例。基板處理裝置1b中的基板9的處理除了省略圖12A及圖12B的步驟S13、S23中的對向構件保持部53的移動之外，與基板處理裝置1中的基板9的處理大致同樣。
在基板處理裝置1b中，首先，在頂板51位於圖16所示的第一位置的狀態下，基板9係被搬入至殼體11內，並被基板保持部31保持(步驟S31)。此時，第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a係位於各自的退避位置。
接著，控制部21(參照圖1)係控制對向構件升降機構55，藉此頂板51係從第一位置朝圖17所示的第二位置向下方移動，且頂板51係被基板保持部31保持(步驟S32)。此外，控制部21係控制第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432，藉此使第一處理液噴嘴411a從退避位置移動至供給位置(步驟S33)。第一處理液噴嘴411a係經由對向構件保持部53b的貫通孔537插入至頂板51的被保持部512並位於被保持部512的內側。
此外，步驟S32與步驟S33亦可並行進行。或者，第一處理液噴嘴411a亦可在步驟S32之前從退避位置移動至頂板51的上方，並插入至位於第一位置的頂板51的被保持部512。在此情形中，在步驟S32中，與頂板51的下降同步地，第一處理液噴嘴411a亦與頂板51一起下降。
接著，控制部21係控制氣體供給部45，藉此從圖18所示的第一處理液噴嘴411a的下表面噴射口417a將惰性氣體供給至處理空間90。此外，從第一處理液噴嘴411a 的側面噴射口417b將惰性氣體供給至頂板51的被保持部512的內側面與第一處理液噴嘴411a的外側面之間的間隙518。再者，供給至對向構件保持部53b的保持部內部空間536的惰性氣體係從被保持部512的上部開口517供給至間隙518。從第一處理液噴嘴411a及對向構件保持部53b供給至間隙518的惰性氣體係朝下方流動，並經由對向構件開口514供給至處理空間90。供給至保持部內部空間536的惰性氣體的一部分亦供給至迷宮構件54a。
此外，控制部21係控制圖17所示的基板旋轉機構33，藉此基板保持部31、基板9以及頂板51開始旋轉(步驟S34)。接著，控制部21係控制第一處理液供給部413，藉此在第一處理液噴嘴411a位於供給位置的狀態下，第一處理液係從第一處理液噴嘴411a經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S35)。從位於供給位置的第一處理液噴嘴411a供給至基板9的中央部的第一處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第一處理液係從基板9的外緣朝徑向方外側飛散，並被罩部37接住。在基板處理裝置1b中，以預定時間賦予第一處理液後，結束第一處理液對於基板9的處理。
當結束第一處理液對於基板9的處理時，停止從第一 處理液噴嘴411a供給第一處理液。接著，藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432，第一處理液噴嘴411a係從供給位置移動至退避位置(步驟S36)。當第一處理液噴嘴411a從供給位置移動時，來自氣體供給部45的惰性氣體係經由對向構件保持部53b的保持部內部空間536從被保持部512的上部開口517供給至處理空間90。
在基板處理裝置1b中，控制部21係控制第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，藉此如圖19所示第二處理液噴嘴421係從退避位置移動至供給位置(步驟S37)。第二處理液噴嘴421a係經由對向構件保持部53b的貫通孔537插入至頂板51的被保持部512，並位於被保持部512的內側。較佳為第二處理液噴嘴421a的移動(步驟S37)係與第一處理液噴嘴411a的移動(步驟S36)並行進行。此外，步驟S37亦可在步驟S36結束後再進行。
當第二處理液噴嘴421a位於供給位置時，來自氣體供給部45的惰性氣體係從第二處理液噴嘴421a的下表面噴射口供給至處理空間90。此外，該惰性氣體係從第二處理液噴嘴421a的外側面的側面噴射口供給至頂板51的被保持部512的內側面與第二處理液噴嘴421a的外側面之間的間隙518。再者，該惰性氣體係經由對向構件保持部53b的保持部內部空間536從被保持部512的上部開口517供給至間隙518。供給至間隙518的惰性氣體係朝下方流動， 並經由對向構件開口514供給至處理空間90。供給至保持部空間536的惰性氣體的一部分亦供給至迷宮構件54a。
接著，控制部21係控制第二處理液供給部423，藉此在第二處理液噴嘴421a位於供給位置的狀態下，第二處理液係從第二處理液噴嘴421a經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S38)。從位於供給位置的第二處理液噴嘴421a供給至基板9的中央部之第二處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第二處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。以預定時間賦予第二處理液，藉此結束第二處理液對於基板9的處理。
在基板處理裝置1b中，與第二處理液噴嘴421a的移動(步驟S37)或第二處理液的供給(步驟S38)並行，控制部21係控制第一洗淨部441進行位於退避位置的第一處理液噴嘴411a的洗淨(步驟S39)。
當結束第二處理液對於基板9的處理時，停止從第二處理液噴嘴421a供給第二處理液。維持基板9的旋轉以進行基板9的乾燥處理。此外，藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，第二處理液噴嘴421a係從供給位置移動至退避位置(步驟S40)。接著，控制部21係控制 第二洗淨部442進行位於退避位置的第二處理液噴嘴421a的洗淨(步驟S41)。
此外，停止基板旋轉機構33所為之基板保持部31、基板9以及頂板51的旋轉(步驟S42)。接著，藉由對向構件升降機構55使頂板51係從第二位置朝第一位置向上方移動，且頂板51係從基板保持部31朝上方離開並被對向構件保持部53b保持(步驟S43)。之後，從殼體11搬出基板9(步驟S44)。步驟S42至步驟S44係在例如步驟S41結束後再進行。或者，步驟S41亦可與步驟S42至步驟S44中的任一個步驟或複數個步驟並行進行。步驟S39亦可例如與步驟S41並行進行。
在基板處理裝置1b中，對複數個基板9依序進行上述步驟S31至步驟S44，藉此處理複數個基板9。此外，步驟S41係可在步驟S44結束後且在搬入下一個基板9之前進行，或者亦可與針對下一個基板9所進行的步驟S31至步驟S36並行進行。或者，步驟S41亦可在針對下一個基板9所進行的步驟S36與步驟S37之間進行。
如上述所說明般，與圖1所示的基板處理裝置1同樣地，在基板處理裝置1b中，頂板51係在第一位置中被對向構件保持部53b保持，並從基板保持部31朝上方離開。此外，頂板51係在第二位置中被基板保持部31保持並從 對向構件保持部53b離開，且藉由基板旋轉機構33而與基板保持部31一起旋轉。氣體供給部45係將氣體供給至頂板51與基板9之間的處理空間90。藉此，能將處理空間90作成期望的氣體氛圍，並在該氣體氛圍中進行基板9的處理。例如，在將惰性氣體供給至處理空間90的情形中，能在惰性氣體氛圍(亦即低氧氛圍)中處理基板9。
在基板處理裝置1b中，藉由氣體供給部45將氣體供給至頂板51的被保持部512的內側面與位於被保持部512的內側之處理液噴嘴(亦即位於供給位置的第一處理液噴嘴411a或第二處理液噴嘴421a)的外側面之間的間隙518。因此，能以該氣體密封與基板9一起旋轉的頂板51與靜止狀態的處理液噴嘴之間的間隙518。藉此，能抑制外部氣體從頂板51與處理液噴嘴之間的間隙518進入至處理空間90。結果，能將處理空間90維持在期望的氣體氛圍，而能容易地在該氣體氛圍中進行基板9的處理。
如上所述，位於供給位置的處理液噴嘴係從對向構件保持部53b朝下方突出，並從頂板51的被保持部512的上部開口517插入。此外，來自氣體供給部45的氣體係經由對向構件保持部53b從被保持部512的上部開口517供給至被保持部512內。藉此，不僅在第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a分別位於供給位置的情形中，在從第一處理液噴嘴411a至第二處理液噴嘴421a的交換中(亦即 於被保持部512的內側未存在有處理液噴嘴的狀態)，亦能抑制外部氣體從被保持部512的上部開口517進入至處理空間90。
如上所述，位於供給位置的處理液噴嘴係在被保持部512的上方中經由設置於對向構件保持部53b的貫通孔537插入至被保持部512。此外，來自氣體供給部45的氣體係朝貫通孔537供給。在處理液噴嘴位於供給位置的情形中，該氣體係從貫通孔537的下側的開口537a流動至上述間隙518。藉此，能容易地將氣體從對向構件保持部53b導引至處理空間90。
此外，在從第一處理液噴嘴411a朝第二處理液噴嘴421a的交換中(亦即於貫通孔537未插入有處理液噴嘴的狀態)，來自氣體供給部45的氣體係朝貫通孔537的上側及下側的開口537a供給。由於該氣體係朝上側的開口537a供給，因此能抑制對向構件保持部53b附近的外部氣體從上側的開口537a進入至保持部內部空間536。此外，由於該氣體係朝下側的開口537a供給並流動至被保持部512的上部開口517及對向構件凸緣部516，因此能抑制被保持部512附近的外部氣體從對向構件凸緣部516的上表面與對向構件保持部53b之間經由被保持部512的上部開口517進入至處理空間90。
在頂板51位於第二位置的狀態下，於頂板51的對向構件凸緣部516的上表面與對向構件保持部53b之間形成有迷宮構件54a。藉此，能抑制被保持部512附近的外部氣體從對向構件凸緣部516的上表面與對向構件保持部53b之間經由被保持部512的上部開口517進入至間隙518及處理空間90。再者，從氣體供給部45供給至保持部內部空間536之氣體係從保持部本體531的下表面的開口537a供給至迷宮構件54a，藉此能進一步地抑制外部氣體從對向構件凸緣部516與對向構件保持部53b之間進入至間隙518。
如上所述，來自氣體供給部45的氣體係從位於供給位置的處理液噴嘴的外側面供給至間隙518。如此，從位於被保持部512的內側之處理液噴嘴的外側面直接將氣體供給至間隙518，藉此能容易地進行對於間隙518的氣體供給。
在基板處理裝置1b中，藉由控制部21的控制，在第一處理液噴嘴411a位於供給位置的狀態下，第一處理液係經由對向構件開口514供給至基板9，且第一處理液噴嘴411a係從供給位置移動至退避位置。並且，第二處理液噴嘴421a係從退避位置移動至供給位置，並經由對向構件開口514將第二處理液供給至基板9。藉此，與從一個處理液噴嘴依序供給複數種類的處理液的情形相比，能抑制或 防止複數種類的處理液的混液。此外，由於能使第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a從供給位置退避，因此即使處理液附著至頂板51的被保持部512的內側面等，亦能容易地去除該處理液。
如上所述，第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a係在供給位置中從對向構件開口514的上方插入至設置於對向構件保持部53b的貫通孔537。藉此，能容易地配置到交互進行的第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a的供給位置。
如上所述，在基板處理裝置1b中，在將第一處理液從第一處理液噴嘴411a供給至基板9的期間(步驟S35)，來自氣體供給部45的氣體係從第一處理液噴嘴411a供給；在將第二處理液從第二處理處理液噴嘴421a供給至基板9的期間(步驟S38)，來自氣體供給部45的氣體從從第二處理液噴嘴421a供給。藉此，能將與第一處理液及第二處理液對於基板9的處理並行並將來自氣體供給部45的氣體供給至處理空間90之構造簡單化。
圖22係顯示本發明第四實施形態的基板處理系統10的內部之俯視圖。圖23係將基板處理系統10從圖22中的XXIII-XXIII的位置切斷之剖視圖。在圖23中，亦配合比剖面還內部的構成來描繪。基板處理系統10為用以處理半 導體基板(以下簡稱為「基板」)之系統(裝置)。
基板處理系統10係具備有索引(indexer)部7以及製程(process)部6。索引部7係具備有複數個基板收容器71、複數個基板收容器載置部72以及索引機器人73。複數個基板收容器71係分別載置於複數個基板收容器載置部72上。在圖22及圖23中，複數個基板收容器71係配置於索引機器人73的左側。各個基板收容器71係收容複數個基板。在各個基板收容器71中，水平狀態的複數個基板係於上下方向彼此離開、排列並收容。
索引機器人73係具備有索引手(indexer hand)74以及手驅動機構75。索引手74係可將一個基板保持成水平狀態。手驅動機構75係例如具備有：進退機構，係使索引手74於水平方向進退；升降機構，係將索引手74於上下方向移動；以及旋轉機構，係將與上下方向平行的旋轉軸作為中心將索引手74旋轉。
藉由手驅動機構75驅動索引手74，藉此從基板收容器71搬出基板(例如未處理完畢的未處理基板)，或將基板(例如處理完畢的基板)搬入至基板收容器71。詳細而言，手驅動機構75係使索引手74與基板收容器71相對向後，使索引手74前進並插入至基板收容器71內。接著，使索引手74上升藉此保持基板後，使索引手74後退並將基板 從基板收容器71搬出。在搬入基板的情形中，進行與上述動作相反的動作。
製程部6係具備有複數個處理單元61、中間單元62以及主搬運機器人63。各個處理單元61為用以對基板供給處理液並處理基板之單元。俯視觀之，複數個處理單元61係以圍繞配置有中間單元62及主搬運機器人63之空間66的方式配置。空間66為被複數個處理單元61所共有之主搬運機器人63用的空間，在以下的說明中稱為「共用空間66」。在圖22及圖23所示的例子中，基板處理系統10係具有12個處理單元61。詳細而言，在基板處理系統10中，於共用空間66的兩側分別配置有6個處理單元61。亦可僅於共用空間66的一側配置有處理單元61。
主搬運機器人63係具備有基板搬運手64以及手驅動機構65。基板搬運手64係可將一個基板保持成水平狀態。手驅動機構65係例如具備有：進退機構，係使基板搬運手64於水平方向進退；升降機構，係將基板搬運手64於上下方向移動；以及旋轉機構，係將與上下方向平行的旋轉軸作為中心將基板搬運手64旋轉。
藉由手驅動機構65驅動基板搬運手64，藉此將基板(例如未處理基板)搬入至處理單元61，或者從處理單元61搬出基板(例如處理完畢的基板)。詳細而言，手驅動機構 65係使基板搬運手64與處理單元61的搬出入口相對向後，使基板搬運手64前進並將基板插入至處理單元61內。接著，從基板搬運手64將基板傳遞至處理單元61內的基板保持部31(後述)後，使基板搬運手64後退並從處理單元61退出。在搬出基板的情形中，進行與上述動作相反的動作。
中間單元62為用以在索引機器人73與主搬運機器人63之間進行基板的授受時暫時地保持基板之單元。例如，藉由索引機器人73將未處理基板從基板收容器71搬出並搬入至中間單元62，且暫時保持在中間單元62中。接著，藉由主搬運機器人63將該未處理基板從中間單元62搬出，並搬入至處理單元61。此外，藉由主搬運機器人63將處理完畢的基板從處理單元61搬出並搬入至中間單元62，且暫時地保持在中間單元62中。接著，藉由索引機器人73將該處理完畢的基板從中間單元62搬出，並搬入至基板收容器71。
圖24係顯示一個處理單元61的內部之俯視圖。圖25係將圖24所示的處理單元61的一部分放大顯示之俯視圖。圖26係將處理單元61的一部分在圖25中的XXVI-XXVI的位置切斷之剖視圖。處理單元61係具備有基板處理裝置1以及殼體11。基板處理裝置1為用以逐片處理基板9之葉片式的裝置。基板處理裝置1係收容於屬於裝置 收容室的殼體11內。在圖24至圖26中，以虛線顯示殼體11。以下同樣的圖中亦以虛線顯示殼體11。在基板處理系統10中，其他的處理單元61的構造亦與圖24至圖26所示的構造同樣。在其他的處理單元61中，其他的基板處理裝置1係收容於屬於其他的裝置收容室的其他的殼體11內。其他的基板處理裝置1係具有與圖24至圖26所示的基板處理裝置1同樣的構造。
如圖24至圖26所示，基板處理裝置1係具備有基板保持部31、基板旋轉機構33、罩部37、第一處理液噴嘴411、第二處理液噴嘴421、噴嘴移動機構43、噴嘴洗淨部44、頂板51、對向構件保持部53、對向構件升降機構55、對向構件保持部移動機構57以及對向構件收容部81。如圖24所示，基板處理裝置1進一步具備有控制部21。控制部21係控制基板旋轉機構33、噴嘴移動機構43、噴嘴洗淨部44、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57等構成。在圖25以及圖25以後的圖中，省略控制部21的圖示。
在圖24及圖25中，俯視觀之，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421係從頂板51離開，並位於頂板51周圍各自的退避位置。在以下的說明中，在無須區別第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的情形中，將第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421統稱為「處理液噴 嘴」，或者將第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的任一者簡稱為「處理液噴嘴」。
如圖25及圖26所示，噴嘴移動機構43係具備有第一噴嘴升降機構431、第一噴嘴旋轉機構432、第二噴嘴升降機構433以及第二噴嘴旋轉機構434。第一處理液噴嘴411係連接至從第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432朝水平方向延伸之第一手臂412的前端部。第一噴嘴升降機構431係將第一處理液噴嘴411與第一手臂412一起朝上下方向移動。第一噴嘴旋轉機構432係將第一處理液噴嘴411與第一手臂412一起水平地旋轉。
如圖25所示，第二處理液噴嘴421係連接至從第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434朝水平方向延伸之第二手臂422的前端部。第二噴嘴升降機構433係將第二處理液噴嘴421與第二手臂422一起朝上下方向移動。第二噴嘴旋轉機構434係將第二處理液噴嘴421與第二手臂422一起水平地旋轉。
圖25及圖26所示的基板保持部31係保持水平狀態的基板9。基板保持部31係具備有基座部311、複數個夾具312以及複數個卡合部313。基座部311為將朝向上下方向的中心軸J1作為中心之略圓板狀的構件。基板9係配置於基座部311的上方。複數個夾具312係將中心軸J1作為中 心並以略等角度間隔地於周方向配置於基座部311的上表面的外周部。在基板保持部31中，藉由複數個夾具312保持水平狀態的基板9的外緣部。複數個卡合部313係將中心軸J1作為中心並以略等角度間隔地於周方向配置於基座部311的上表面的外周部。複數個卡合部313係配置於比複數個夾具312還靠近徑方向外側。基板旋轉機構33係配置於基板保持部31的下方。基板旋轉機構33係將中心軸J1作為中心並將基板9與基板保持部31一起旋轉。
罩部37為將中心軸J1作為中心之環狀的構件，並配置於基板9及基板保持部31的徑方向外側。罩部37係遍及全周地覆蓋基板9及基板保持部31的周圍，並接住從基板9朝周圍飛散的處理液等。於罩部37的底部設置有未圖示的排出埠。被罩部37接住的處理液等係經由該排出埠排出至殼體11的外部。此外，罩部37內的氣體係經由該排出埠排出至殼體11的外部。
俯視觀之，頂板51為略圓形的構件。頂板51為與基板9的上表面91相對向之對向構件，且為用以遮蔽基板9的上方之遮避板。頂板51係具備有對向構件本體511、被保持部512以及複數個卡合部513。對向構件本體511為將中心軸J1作為中心之略圓板狀的構件。對向構件本體511係與基板9的上表面91相對向。於對向構件本體511的中央部設置有對向構件開口514。俯視觀之，對向構件開口 514係例如為略圓形。對向構件開口514的直徑係遠小於基板9的直徑。複數個卡合部513係將中心軸J1作為中心並以略等角度間隔地於周方向配置於對向構件本體511的下表面的外周部。
被保持部512為從對向構件本體511的對向構件開口514的周圍朝上方突出之筒狀的部位。被保持部512係具備有凸緣連接部515以及對向構件凸緣部516。凸緣連接部515為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。凸緣連接部515係在對向構件開口514的邊緣附近連接至對向構件本體511。對向構件凸緣部516係從凸緣連接部515的上端部朝徑方向外側擴展。對向構件凸緣部516係例如將中心軸J1作為中心之略圓環板狀。
對向構件保持部53係保持頂板51的被保持部512。對向構件保持部53係具備有保持部本體531、第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535。保持部本體531為略水平延伸的棒狀的手臂。保持部本體531的基部(亦即圖26中的右側的端部)係連接至對向構件升降機構55及對向構件保持部移動機構57。在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57構成用以搬運頂板51之對向構件搬運機構。對向構件搬運機構亦可包含有其他的構成。
第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535係安裝至保持部本體531的前端部。第一凸緣支撐部532及第一連接部533係位於保持部本體531的前端附近，第二凸緣支撐部534及第二連接部535係配置於第一凸緣支撐部532及第一連接部533與保持部本體531的基部之間。第二凸緣支撐部534係夾著頂板51的凸緣連接部515並位於第一凸緣支撐部532的相反側。
圖27係將對向構件保持部53的前端部附近放大顯示之立體圖。在圖27中，省略保持部本體531及對向構件本體511的圖示。如圖25至圖27所示，第一連接部533及第二連接部535係各自為從保持部本體531的下表面朝下方擴展之略平板狀的部位。第一連接部533及第二連接部535係各自於與保持部本體531的長度方向略垂直的方向擴展。第一凸緣支撐部532為從第一連接部533的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第一凸緣支撐部532係從第一連接部533朝保持部本體531的基部側擴展。第二凸緣支撐部534為從第二連接部535的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第二凸緣支撐部534係從第二連接部535朝保持部本體531的前端側擴展。
保持部本體531的長度方向中的第一凸緣支撐部532 與第二凸緣支撐部534之間的距離係比頂板51的對向構件凸緣部516的外徑還小且比凸緣連接部515的外徑還大。保持部本體531的長度方向中的第一連接部533與第二連接部535之間的距離係比對向構件凸緣部516的外徑還大。
在圖25所示的例子中，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係經由第一連接部533及第二連接部535固定至保持部本體531。換言之，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534為對向構件保持部53中的非可動部，且第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534之相對於保持部本體531的相對位置不會變化。
在頂板51位於圖26所示的位置的狀態下，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係各自從下側接觸並支撐頂板51的對向構件凸緣部516的一部分。藉此，頂板51係在基板9及基板保持部31的上方中被對向構件保持部53垂吊。在以下的說明中，將圖26所示的頂板51的上下方向的位置稱為「第一位置」。頂板51係在第一位置中被對向構件保持部53保持，並從基板保持部31朝上方離開。
如圖27所示，基板處理裝置1係進一步具備有：移動限制部58，係限制被對向構件保持部53保持的頂板51的位置偏移(亦即頂板51的移動及旋轉)。在圖27所示的例 子中，移動限制部58係包含有複數個突起部581以及複數個孔部582。突起部581係分別從第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的上表面朝上方突出。複數個孔部582為設置於對向構件凸緣部516的外周部之貫通孔。設置於第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的突起部581係插入至對向構件凸緣部516的孔部582，藉此限制頂板51的位置偏移。在基板處理裝置1中，複數個突起部581亦可例如與從對向構件凸緣部516的外緣朝徑方向內側之凹部嵌合，藉此限制頂板51的位置偏移。移動限制部58亦可為其他的各種的構造。後述的基板處理裝置1a亦同樣。
對向構件升降機構55係使頂板51與對向構件保持部53一起於上下方向移動。圖28係顯示頂板51已從圖26所示的第一位置下降的狀態的處理單元61的一部分之剖視圖。在以下的說明中，將圖28所示的頂板51的上下方向的位置稱為「第二位置」。亦即，對向構件升降機構55係在第一位置與第二位置之間將頂板51於上下方向移動。第二位置為比第一位置還下方的位置。換言之，第二位置為頂板51在上下方向中比第一位置還接近基板保持部31之位置。
在頂板51位於第二位置的狀態下，頂板51的複數個卡合部513係各自與基板保持部31的複數個卡合部313卡 合。複數個卡合部513係被複數個卡合部313從下方支撐。例如卡合部313為與上下方向略平行的銷，且卡合部313的上端部係嵌合至於卡合部513的下端部朝上形成的凹部。此外，頂板51的對向構件凸緣部516係從對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534朝上方離開。藉此，頂板51係在第二位置中被基板保持部31保持，且從對向構件保持部53離開(亦即與對向構件保持部53成為非接觸狀態)。當在頂板51位於第二位置的狀態下驅動基板旋轉機構33時，頂板51係與基板保持部31一起旋轉。
在頂板51位於第二位置的狀態下，亦即在對向構件凸緣部516已從第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534朝上方離開的狀態下，對向構件保持部53係成為可水平移動的狀態。對向構件保持部移動機構57係使成為可水平移動的狀態的對向構件保持部53水平地移動。如圖25所示，對向構件保持部53的移動係在第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421位於各自的退避位置的狀態下進行。對向構件保持部移動機構57係將保持部本體531水平地旋轉，藉此對向構件保持部53係水平地移動。
對向構件保持部移動機構57係使對向構件保持部53在圖24中以實線所示的頂板51的上方的位置與圖24中以二點鍊線所示的與對向構件收容部81重疊的位置之間移 動。在以下的說明中，將圖24中以實線所示的對向構件保持部53中俯視觀之的位置稱為「保持位置」。此外，將圖24中以二點鍊線所示的對向構件保持部53中俯視觀之的位置稱為「交換位置」。
在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57，能將頂板51與收容至圖24所示的對向構件收容部81的其他的頂板交換。圖29係顯示對向構件收容部81的側視圖。對向構件收容部81為可收容複數個頂板之略長方體的箱狀構件。在對向構件收容部81中，兩個側面係被側壁閉塞，其他的兩個側面係被開放。在對向構件收容部81中，頂板及對向構件保持部53可從該開放的側面出入。
對向構件收容部81係具備有於上下方向積層的複數個收容部82。複數個收容部82係可分別收容一個頂板。在圖29所示的例子中，三個收容部82係於上下方向積層。於最上方的收容部82收容有頂板51a，於最下方的收容部82收容有頂板51b。在圖28所示的頂板51收容於對向構件收容部81時，係收容於中央的收容部82。在以下的說明中，在無須區別頂板51、51a、51b的情形中，將頂板51、51a、51b統稱為「頂板」，或者將頂板51、51a、51b的任一者或兩者簡稱為「頂板」。
頂板係經由形成於各個收容部82的側面之收容部開口83被搬入至收容部82或者從收容部82被搬出。基板處理裝置1係進一步具備有：對向構件洗淨機構84，係用以洗淨收容於各個收容部82的頂板。對向構件洗淨機構84係具備有複數個洗淨噴嘴841。複數個洗淨噴嘴841係設置於各個收容部82的上表面及下表面，並將純水等洗淨液供給至頂板，藉此進行頂板的洗淨。在各個收容部82中，例如亦進行洗淨結束後的頂板的乾燥。亦可在各個收容部82中設置有例如用以閉塞收容部開口83之擋門(shutter)等，並在頂板的洗淨及乾燥時閉塞收容部開口83。
頂板51、51a、51b的種類彼此不同。所謂頂板的種類係例如為頂板的形狀、材質或構造。如後述般，在本實施形態中，頂板51a的形狀係與頂板51不同。以頂板的材質不同之外殼(case)而言，有例如一個頂板的下表面由疏水性的鐵氟龍(Teflon；註冊商標)所形成而其他的頂板的下表面為親水性之情形。利用下表面為親水性的頂板，可將頂板與基板9之間作成液密狀態並進行基板9的處理。此外，以頂板的構造不同之殼體而言，有例如一個頂板由鐵氟龍形成而其他的頂板作成將金屬製的芯材埋入至鐵氟龍的構造之情形。利用埋入有金屬製的芯材之高剛性的頂板，藉此能在將基板9一邊加熱一邊處理的情形等抑制頂板的變形。此外，在基板處理裝置1中，亦可將與基板9的上方的頂板51相同種類的頂板51收容至對向構件收容部81。
圖30係顯示處理單元61的一部分之俯視圖。對向構件保持部53係位於上述的保持位置與交換位置之間的中間的退避位置。俯視觀之，對向構件保持部53的退避位置為頂板51的周圍的位置，亦即為避開頂板51的上方的位置。在基板處理裝置1中，在頂板51位於第二位置(參照圖28)的狀態下，對向構件保持部移動機構57係將保持部本體531水平地旋轉，藉此第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係水平地移動。
藉此，位於圖25所示的保持位置之對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516及凸緣連接部515朝徑方向外側離開。此時，凸緣連接部515係從第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間脫離至沿著第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的方向的一側。具體而言，在圖25中與保持部本體531的長度方向垂直的寬度方向中，脫離至從對向構件保持部53的基部觀視前端部時的左側。並且，對向構件保持部53係移動至圖30中所示的退避位置。
在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部移動機構57使對向構件保持部53水平地旋轉，藉此位於退避位置之對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係移動至圖25所示的保持位置，並配置於對向構 件凸緣部516的下方。
圖31係顯示處理單元61的一部分之剖視圖。在圖31中，顯示頂板51在第二位置中被基板保持部31保持的狀態。此外，對向構件保持部53係藉由對向構件保持部移動機構57從保持位置退避至退避位置。如圖30及圖31所示，在對向構件保持部53已退避的狀態下，第一處理液噴嘴411係藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432從退避位置移動，並從頂板51的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512。第一處理液噴嘴411係位於被保持部512的內側。換言之，第一處理液噴嘴411的外側面係於徑方向與被保持部512的內側面相對向。在以下的說明中，將圖31所示的第一處理液噴嘴411的位置稱為「供給位置」(在第二處理液噴嘴421中亦同樣)。在圖31所示的例子中，位於供給位置的第一處理液噴嘴411的前端(亦即下端)係位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣更上方。第一處理液噴嘴411的前端亦可位在上下方向中與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
圖32係顯示基板處理裝置1中用以供給氣體及處理液的氣液供給部4之方塊圖。氣液供給部4係具備有第一處理液噴嘴411、第二處理液噴嘴421、第一處理液供給部413、第二處理液供給部418、第三處理液供給部423a以及氣體供給部45。
第一處理液供給部413及第二處理液供給部418係連接至第一處理液噴嘴411。在第一處理液噴嘴411位於基板9的上方的狀態下，第一處理液供給部413係經由第一處理液噴嘴411將第一處理液供給至基板9的上表面91。在第一處理液噴嘴411位於基板9的上方的狀態下，第二處理液供給部418係經由第一處理液噴嘴411將第二處理液供給至基板9的上表面91。在第一處理液噴嘴411中，第一處理液及第二處理液的一者的處理液係選擇性地供給至基板9。例如在從第一處理液噴嘴411將第一處理液供給至基板9之後，供給第二處理液。
第三處理液供給部423a係連接至第二處理液噴嘴421。如後述般，在第二處理液噴嘴421位於基板9的上方的狀態下，第三處理液供給部423a係經由第二處理液噴嘴421將第三處理液供給至基板9的上表面91。氣體供給部45係連接至第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421，並將氣體供給至第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421。
在基板處理裝置1中，以第一處理液、第二處理液及第三處理液而言，係利用各種種類的液體。第一處理液係例如為使用於基板9的藥液處理之藥液(例如聚合物去除液、氟酸或氫氧化四甲銨水溶液等蝕刻液)。第二處理液係 例如為使用於基板9的洗淨處理之純水(去離子水)或碳酸水等洗淨液。第三處理液係例如為用以置換基板9上的液體之被供給的異丙醇(IPA)。從氣體供給部45所供給的氣體係例如為氮(N2)氣體等惰性氣體。亦可從氣體供給部45供給惰性氣體以外的各種氣體。
在從圖31所示的第一處理液噴嘴411供給第一處理液的情形中，來自第一處理液供給部413的第一處理液係從設置於第一處理液噴嘴411的下端面之噴出口經由對向構件開口514噴出至基板9的上表面91。此外，在從第一處理液噴嘴411供給第二處理液的情形中，來自第二處理液供給部418的第二處理液係從設置於第一處理液噴嘴411的下端面之其他的噴出口經由對向開口514噴出至基板9的上表面91。從氣體供給部45所供給的惰性氣體係例如從設置於第一處理液噴嘴411的下端面之噴射口經由對向構件開口514供給至頂板51與基板9之間的空間90(以下稱為「處理空間90」)。
如圖33所示，在基板處理裝置1中，第一處理液噴嘴411亦可從對向構件本體511的對向構件開口514朝下方突出。換言之，第一處理液噴嘴411的前端係位於比對向構件開口514的下端緣還下方。從氣體供給部45所供給的惰性氣體係在第一處理液噴嘴411內經由對向構件開口514朝下方流動，並從第一處理液噴嘴411的下端面供給至處 理空間90。從第一處理液供給部413所供給的第一處理液及從第二處理液供給部418所供給的第二處理液係在第一處理液噴嘴411內經由對向構件開口514朝下方流動，並從第一處理液噴嘴411的下端面噴出至基板9的上表面91。
在以下的說明中，在第一處理液或第二處理液經由對向構件開口514供給的情形中，不僅包括在比對向構件開口514還上方中從第一處理液噴嘴411噴出的第一處理液或第二處理液通過對向構件開口514的狀態，亦包括圖33所示經由插入至對向構件開口514的第一處理液噴嘴411噴出第一處理液或第二處理液的狀態。後述的第二處理液噴嘴421及第三處理液亦同樣。
圖34係顯示處理單元61的一部分之俯視圖。在圖34中，第一處理液噴嘴411係藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432從圖30所示的頂板51的上方的供給位置移動，並如圖34所示般位於已從頂板51的上方離開的頂板51的周圍的退避位置。此外，第二處理液噴嘴421係藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434從圖30所示的頂板51的周圍的退避位置移動，並位於圖34所示的頂板51的上方的供給位置。第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的退避位置亦包括具有在該退避位置中容許第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421搖動的程度的餘裕之空間(亦即退避空間)的概念。
與圖31所示的第一處理液噴嘴411同樣地，第二處理液噴嘴421係在上述供給位置中從頂板51的被保持部512的上部開口517插入至被保持部512的內側。此外，與圖31所示的第一處理液噴嘴411同樣地，第二處理液噴嘴421的前端(亦即下端)係在上述供給位置中位於比對向構件本體511的對向構件開口514的下端緣還上方。第二處理液噴嘴421的前端亦可位於上下方向中與對向構件開口514的下端緣相同的位置。
詳細而言，圖31及圖34所示的第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的供給位置為頂板51的對向構件開口514的上方的位置。此外，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421各自的退避位置為基板保持部31周圍的位置。噴嘴移動機構43係在供給位置與各自的退避位置之間個別地移動第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421。
如圖34所示，噴嘴洗淨部44係具備有第一洗淨部441及第二洗淨部442。第一洗淨部441係設置於第一處理液噴嘴411的退避位置附近。第一洗淨部441係洗淨位於退避位置的第一處理液噴嘴411。第一洗淨部441係例如將純水等洗淨液供給至第一處理液噴嘴411，藉此進行第一處理液噴嘴411的洗淨。第二洗淨部442係設置於第二處理液噴嘴421的退避位置附近。第二洗淨部442係洗淨位 於圖25所示的退避位置的第二處理液噴嘴421。第二洗淨部442係例如將純水等洗淨液供給至第二處理液噴嘴421，藉此進行第二處理液噴嘴421的洗淨。在第一洗淨部441及第二洗淨部442中，例如於洗淨結束後進行第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的乾燥。於第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421的洗淨及乾燥時，第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421亦可在退避位置(亦即退避空間)搖動。
接著，參照圖35A、圖35B以及圖35C說明基板處理裝置1中的基板9的處理流程的一例。首先，在頂板51位於圖26所示的第一位置的狀態下，基板9係被搬入至殼體11內，並被基板保持部31保持(步驟S51)。此時，頂板51係被對向構件保持部53保持，且第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421係位於各自的退避位置。
接著，控制部21(參照圖24)係控制對向構件升降機構55，藉此對向構件保持部53係朝下方移動。藉此，頂板51係從第一位置朝第二位置向下方移動，並如圖28所示頂板51係被基板保持部31保持(步驟S52)。
在步驟S52中，對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從頂板51的對向構件凸緣部516朝下方離開。在此狀態下，控制部21係控制對向構件 保持部移動機構57，藉此對向構件保持部53係水平地旋轉。藉此，對向構件保持部53係從頂板51的上方的保持位置退避，並移動至上述退避位置(步驟S53)。
接著，在對向構件保持部53退避至退避位置的狀態下，控制部21係控制第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432，藉此第一處理液噴嘴411係從退避位置移動並位於供給位置(步驟S54)。如圖30及圖31所示，第一處理液噴嘴411係從頂板51的被保持部512的上部開口517插入並位於被保持部512的內側。當第一處理液噴嘴411位於供給位置時，控制部21係控制氣體供給部45，藉此惰性氣體係從第一處理液噴嘴411的下端面供給至處理空間90。
此外，控制部21係控制基板旋轉機構33，藉此基板保持部31、基板9以及頂板51開始旋轉(步驟S55)。在步驟S55以後亦繼續從第一處理液噴嘴411供給惰性氣體。此外，頂板51等的開始旋轉(步驟S55)亦可在第一處理液噴嘴411移動至供給位置(步驟S54)之前進行。例如步驟S55亦可在步驟S52與步驟S53之間進行。在此情形中，在步驟S53中，對向構件保持部53係從旋轉中的頂板51離開並移動至退避位置。
接著，在第一處理液噴嘴411位於供給位置的狀態 下，藉由第一處理液供給部413，第一處理液係從第一處理液噴嘴411經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S56)。從位於供給位置的第一處理液噴嘴411供給至基板9的中央部的第一處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第一處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。以預定時間賦予第一處理液後，結束第一處理液對於基板9的處理。
第一處理液例如為聚合物去除液或蝕刻液等藥液，並在步驟S56中進行針對基板9之藥液處理。此外，第一處理液的供給(步驟S56)亦可在基板9的開始旋轉(步驟S55)之前先進行。在此情形中，第一處理液係覆漿(覆液)至靜止狀態的基板9的上表面91整體，而進行第一處理液所為之覆漿處理。
當結束第一處理液對於基板9的處理時，第二處理液係從第一處理液噴嘴411經由位於第二位置的頂板51的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S57)。供給至基板9的中央部的第二處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部朝徑方向外側擴展，並賦予至基板9的上表面91整體。第二處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。以預定時間賦 予第二處理液後，結束第二處理液對於基板9的處理。第二處理液係例如為純水或碳酸水等洗淨液，並在步驟S57中進行對於基板9的洗淨處理。亦可在步驟S57中進行第二處理液所為之覆漿處理。
當結束第二處理液對於基板9的處理時，停止從第一處理液噴嘴411供給第二處理液。接著，停止基板保持部31、基板9以及頂板51的旋轉(步驟S58)。在步驟S58中，亦停止從第一處理液噴嘴411供給惰性氣體。停止旋轉後的基板9的上表面91係略全面地被第二處理液的液膜覆蓋。此外，藉由第一噴嘴升降機構431及第一噴嘴旋轉機構432，第一處理液噴嘴411係從供給位置移動至退避位置(步驟S59)。配置於退避位置的第一處理液噴嘴411係被第一洗淨部441洗淨。
接著，進行頂板的交換。首先，控制部21(參照圖24)係因應於頂板的交換後在基板處理裝置1所進行的處理的性質來決定接下來所使用的其他的頂板的種類(步驟S60)。在本實施形態中，如後所述，由於在頂板的交換後所進行的處理為基板9的乾燥處理，因此藥液處理及洗淨處理用的頂板51係交換成乾燥處理用的頂板51a(參照圖29)。
在頂板51與頂板51a交換時，藉由對向構件升降機構 55及對向構件保持部移動機構57，位於退避位置的對向構件保持部53係移動至保持位置(步驟S61)。接著，對向構件保持部53係上升，藉此如圖26所示，頂板51係被對向構件保持部53保持，並移動至基板9及基板保持部31的上方的第一位置(步驟S62)。
接著，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53係朝圖24中的順時鐘方向旋轉，並從保持位置移動至交換位置。藉此，頂板51係從基板9及基板保持部31的上方被搬運，並經由收容部開口83被搬入至圖29所示的對向構件收容部81的中央的收容部82(步驟S63)。交換位置中的保持部本體531的前端部係位於該收容部82的內部。在基板處理裝置1中，藉由圖27所示的移動限制部58限制上述對向構件搬運機構中的對向構件保持部移動機構57所為之搬運中的頂板51的位置偏移(亦即頂板51之相對於對向構件保持部53的相對性移動及旋轉)。
當頂板51被搬入至收容部82時，藉由對向構件升降機構55，對向構件保持部53係下降，藉此頂板51係載置於收容部82的下表面，且對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從頂板51的對向構件凸緣部516朝下方離開。
之後，對向構件保持部53係朝圖24中的逆時鐘方向 旋轉，藉此對向構件保持部53係從中央的收容部82退避。此時，頂板51的凸緣連接部515係從第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間脫離至沿著第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534之方向的另一側。具體而言，在圖24中的保持部本體531的寬度方向中，脫離至從對向構件保持部53的基部觀看前端部時的右側。在基板處理裝置1中，凸緣連接部515係可從第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間脫離至沿著第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534之方向的兩側。如圖29所示，在對向構件收容部81中，藉由對向構件洗淨機構84進行收容至中央的收容部82的頂板51的洗淨(步驟S64)。
接著，對向構件保持部53係上升並位於最上方的收容部82的側邊，且朝圖24中的順時鐘方向旋轉，藉此經由收容部開口83進入至該收容部82。第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係配置於下一個頂板51a的對向凸緣支撐部516的下方。接著，對向構件保持部53上升，藉此第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係接觸至對向構件凸緣部516，且頂板51a係被對向構件保持部53保持。
接著，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53係朝圖24中的逆時鐘方向旋轉，並從交換位置移動至保持位置。藉此，搬出收容於對向構件收容部81的頂 板51a，並搬運至基板9及基板保持部31的上方的第一位置(步驟S65)。在基板處理裝置1中，藉由移動限制部58(參照圖27)限制對向構件保持部移動機構57所為之搬運中的頂板51a的位置偏移(亦即頂板51a之相對於對向構件保持部53的相對性移動及旋轉)。對向構件保持部移動機構57係在基板9及基板保持部31的上方與對向構件收容部81之間搬運頂板。此外，上述步驟S60中之下一個頂板的種類的決定只要在頂板51a的搬出(步驟S65)之前進行即可。
接著，對向構件保持部53係朝下方移動，藉此頂板51a係從第一位置朝第二位置向下方移動，且如圖36所示，頂板51a係被基板保持部31保持(步驟S66)。
除了於對向構件本體511的下表面設置有朝下方突出的凸部521之外，頂板51a係具有與圖26、圖28及圖31所示的頂板51同樣的構造。凸部521為將中心軸J1作為中心之略圓環板狀。凸部521的外徑係比基板9的直徑還大。凸部521係於上下方向中遍及基板9的上表面91的略全面地與基板9相對向。凸部521的下表面係從基板9的上表面91朝上方離開。此外，在凸部521中，為了避開夾具312，基板保持部31中之與夾具312相對向的部位係朝上方凹陷。凸部521的下表面與基板9的上表面91之間的上下方向的距離係在基板9的上表面91的略全面中皆比圖31所示的頂板51的對向構件本體511的下表面與基板9 的上表面91之間的上下方向的距離還小。
當頂板51a位於第二位置時，對向構件保持部53係水平地旋轉，並從頂板51a的上方的保持位置移動至上述退避位置(步驟S67)。
接著，控制部21係控制第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，藉此第二處理液噴嘴421係從退避位置移動至供給位置(步驟S68)。如圖34及圖36所示，在對向構件保持部53已退避至退避位置的狀態下，第二處理液噴嘴421係從頂板51a的被保持部512的上部開口517插入，並位於被保持部512的內側。當第二處理液噴嘴421位於供給位置時，來自氣體供給部45的惰性氣體係從第二處理液噴嘴421的下端面供給至處理空間90。此外，藉由基板旋轉機構33，基板保持部31、基板9以及頂板51a開始旋轉(步驟S69)。在步驟S69以後亦繼續從第二處理液噴嘴421供給惰性氣體。在步驟S58至步驟S69之間，基板9的上表面91係略全面地被第二處理液的液膜覆蓋。換言之，基板9的上表面91係被該液膜保護。因此，能防止在上述頂板的交換時基板9的上表面暴露於外部氣體。此外，在無須藉由液膜保護基板9的上表面91之情形中，第一處理液噴嘴411亦可不進行惰性氣體的供給。
接著，控制部21係控制第二處理液供給部423，藉此 在第二處理液噴嘴421位於供給位置的狀態下，第三處理液係從第二處理液噴嘴421經由位於第二位置的頂板51a的對向構件開口514供給至旋轉中的基板9的上表面91的中央部(步驟S70)。從位於供給位置的第二處理液噴嘴421供給至基板9的中央部的第三處理液係藉由基板9的旋轉而從基板9的中央部擴展至徑方向外側，並賦予至基板9的上表面91整體。藉此，從基板9上去除存在於基板9的上表面91上的第二處理液(例如純水等洗淨液)。第三處理液例如為異丙醇，且在步驟S70中進行基板9上的洗淨液的置換處理。第三處理液係從基板9的外緣朝徑方向外側飛散，並被罩部37接住。賦予預定時間的第三處理液後，結束第三處理液對於基板9的處理。
當結束第三處理液對於基板9的處理時，停止從第二處理液噴嘴421供給第三處理液。接著，藉由第二噴嘴升降機構433及第二噴嘴旋轉機構434，第二處理液噴嘴421係從供給位置移動至退避位置(步驟S71)。配置於退避位置的第二處理液噴嘴421係藉由第二洗淨部442予以洗淨。
在基板處理裝置1中，維持基板9的旋轉，進行基板9的乾燥處理(步驟S72)。乾燥處理時的基板9的旋轉速度係比步驟S69中的第三處理液對於基板9的處理時的旋轉速度還快。
此外，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53係水平地旋轉，並從退避位置移動至保持位置(步驟S73)。此時，對向構件保持部53的第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係在第二位置中從旋轉中的頂板51a的對向構件凸緣部516朝下方離開。
接著，停止基板旋轉機構33所為之基板保持部31、基板9以及頂板51a的旋轉(步驟S74)。在步驟S74中，亦停止從第二處理液噴嘴421供給惰性氣體。接著，藉由對向構件升降機構55，對向構件保持部53係朝上方移動，藉此頂板51a係從第二位置朝第一位置向上方移動(步驟S75)。頂板51a係從基板保持部31朝上方離開並被對向構件保持部53保持。
接著，藉由控制部21(參照圖24)，因應下一個基板9在基板處理裝置1中所進行的處理性質，決定下一個所使用的其他的頂板的種類(步驟S76)。在本實施形態中，藥液處理及洗淨處理用的頂板51係決定成下一個所使用的頂板。接著，對向構件保持部53係從保持位置朝交換位置移動。藉此，頂板51a係從基板9及基板保持部31的上方被搬運，經由收容部開口83搬入至圖29所示的對向構件收容部81的最上方的收容部82(步驟S77)。搬運中的頂板51a的位置偏移係被移動限制部58(參照圖27)限制。在對向構件收容部81中，藉由對向構件洗淨機構84，進行收容至 最上方的收容部82的頂板51a的洗淨(步驟S78)。
在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部53，搬出收容於中央的收容部82的下一個頂板51，並搬運至基板9及基板保持部31的上方的第一位置(步驟S79)。搬運中的頂板51的位置偏移係被移動限制部58限制。此外，與步驟S76至步驟S79中的頂板的交換並行，從殼體11搬出基板9(步驟S80)。步驟S80較佳為與步驟S77並行進行。步驟S80亦可在步驟S76至步驟S79結束後再進行，或者亦可在步驟S76至步驟S79之前進行。
如上所述，第一處理液及第二處理液對於基板9的處理係在頂板51位於第二位置時進行，第三處理液對於基板9的處理係在頂板51a位於第二位置時進行。因此，將上述第二位置定義成「處理位置」。
在基板處理裝置1中，對複數個基板9依序進行上述步驟S51至步驟S80以處理複數個基板9。在基板處理裝置1中，步驟S78中的頂板51a的洗淨只要在步驟S77之後且為對於下一個基板9的步驟S65(亦即頂板51a的搬出)之前進行即可。此外，步驟S64中的頂板51的洗淨只要在步驟S63之後且為步驟S79(亦即頂板51的般出)之前進行即可。
如以上說明般，在基板處理裝置1中，藉由對向構件保持部移動機構57，頂板係從基板9及基板保持部31的上方被搬運並被搬入至對向構件收容部81，取出收容於對向構件收容部81的其他的頂板並搬運至基板9及基板保持部31的上方。藉此，能在一個基板處理裝置1中將頂板交換使用。
此外，在基板處理裝置1中，該頂板及該其他的頂板(亦即頂板51及頂板51a)的種類彼此不同。藉此，能在一個基板處理裝置1中使用分別適合基板9的複數種處理的頂板來進行基板9的處理。
在基板處理裝置1中，即使在使用任一種頂板的情形中，將氣體供給至頂板與基板9之間的處理空間90，藉此能將處理空間90作成期望的氣體氛圍，並在該氣體氛圍進行基板9的處理。例如，在將惰性氣體供給至處理空間90之情形中，能在惰性氣體氛圍(亦即低氧氛圍)處理基板9。
在上述的例子中，在對基板9進行藥液處理及洗淨處理時，使用圖31所示的頂板51；在對基板9進行置換處理及乾燥處理時，使用圖36所示的頂板51a。在使用頂板51之情形中，由於基板9的上表面91與對向構件本體511的下表面之間的距離較大，因此能抑制藥液及洗淨液附著至對向構件本體511的下表面。結果，能抑制附著至對向 構件本體511之藥液和洗淨液乾燥而產生的微粒等附著至基板9。
在使用頂板51a之情形中，由於基板9的上表面91與頂板51a的凸部521的下表面之間的距離較小，因此能縮短基板9的乾燥所需的時間。結果，能抑制於基板9的上表面91形成水漬。此外，於基板9的上表面91形成有圖案之情形中，由於能縮短殘留於該圖案間的處理液所為之表面張力作用於圖案的時間，因此能抑制圖案的崩壞等。
此外，於步驟S70中進行第三處理液所為的置換處理時，亦可使用頂板51。在此情形中，結束第二處理液所為之洗淨處理(步驟S57)後，不需停止頂板51及基板9的旋轉，第一處理液噴嘴411係移動至退避位置(步驟S59)。接著，第二處理液噴嘴421係移動至供給位置(步驟S68)，並從第二處理液噴嘴421將第三處理液供給至基板9(步驟S70)。之後，依序進行步驟S58、步驟S60至步驟S67、步驟S69以及步驟S71至步驟S80。
在上述的例子中，頂板51與頂板51a的差異主要為形狀差所造成之與基板9的上表面91之間的距離之差，但頂板51與頂板51a亦可為略相同的形狀。例如頂板51的下表面亦可具有親水性，且頂板51a的下表面亦可具有潑水性。藉此，在進行第一處理液及第二處理液所為之處理時， 能抑制附著於頂板51的下表面的處理液滴落至基板9上。此外，在乾燥處理時，抑制處理液附著至頂板51a的下表面，能從頂板51a與基板9之間的空間迅速地排除處理液，而能縮短乾燥處理所需的時間。
此外，例如在將較高溫的處理液(SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸-過氧化氫混合液)等)作為第一處理液使用之情形中，以頂板51而言，亦可使用已將能抑制熱變形的金屬芯構件埋入至內部的高剛性的頂板。在此情形中，以頂板51a而言，較佳為使用未具有金屬芯構件的輕量頂板。藉此，能容易地在乾燥處理時高速旋轉。
如上所述，步驟S60中頂板種類的決定係因應步驟S65中頂板51a從對向構件收容部81搬出後在基板處理裝置1所進行的處理的性質(亦即因應在步驟S69至步驟S74中所進行的處理)，在步驟S65之前進行。步驟S76中頂板種類的決定亦同樣，係因應步驟S79中頂板51從對向構件收容部81搬出後在基板處理裝置1所進行的處理(亦即對於下一個基板9的處理)之性質，在步驟S79之前進行。藉此，能在一個基板處理裝置1中使用分別適用於對於基板9的複數種類的處理之頂板來進行基板9的處理。步驟S60、步驟S76中的頂板種類的決定亦可從儲存於基板處理裝置1的處方(recipe)讀出預先決定的頂板種類來進行。
基板處理裝置1係進一步具備有：對向構件洗淨機構84，係洗淨收容於對向構件收容部81的頂板。藉此，能去除附著於頂板的處理液等，而能將未使用的頂板維持在清淨的狀態。此外，與使用其他的頂板之基板9的處理並行地進行頂板的洗淨，藉此不會降低基板處理裝置1的生產性，並能去除附著於頂板的處理液等。
如上所述，對向構件收容部81係具備有：複數個收容部82，係積層於上下方向，並可分別收容頂板。藉此，與水平地配置複數個收容部82的情形相比，能縮小基板處理裝置1的底面積(footprint)。
基板處理裝置1係進一步具備有：移動限制部58，係限制對向構件保持部移動機構57所為之搬運中的頂板的位置偏移。藉此，在頂板的搬運時，能防止頂板相對於對向構件保持部53相對性地移動及旋轉。結果，能將頂板位置精度佳地移動至第一位置，且能容易地進行基板保持部31所為之頂板的保持。
此外，在基板處理裝置1中，對向構件保持部53係具備有：第一凸緣支撐部532；第二凸緣支撐部534，係夾著凸緣連接部515位於第一凸緣支撐部532的相反側；以及保持部本體531，係安裝有第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534。第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534 係分別從下側接觸並支撐位於第一位置的頂板的對向構件凸緣部516的一部分。在頂板位於第二位置的狀態下，將第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534水平地移動，藉此使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534從對向構件凸緣部516朝徑方向外側移動，並配置於對向構件凸緣部516的下方。
藉此，不論位於第二位置的頂板為靜止狀態或旋轉中，皆能以簡單的構造使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534從對向構件凸緣部516輕易地離開，並將對向構件保持部53移動至退避位置。此外，不論頂板為靜止狀態或旋轉中，皆能以簡單的構造將第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534輕易地插入至對向構件凸緣部516的下方，並將對向構件保持部53移動至保持位置。亦即，在基板處理裝置1中，能以簡單的構造保持頂板，且不論頂板的狀態為何，皆能以簡單的構造在保持位置與退避位置(或交換位置)之間移動對向構件保部53。如此，由於能在基板處理裝置1中在頂板51等旋轉中進行對向構件保持部53的保持位置與退避位置(或交換位置)之間的移動，因此能縮短基板9的處理所需的時間。
在基板處理裝置1中，凸緣連接部515係可從第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間脫離至沿著第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的方向的兩側。藉 此，使位於保持位置的對向構件保持部53以圖3中的順時鐘方向朝著交換位置旋轉，藉此能從位於基板9的上方之頂板上退避。此外，使位於交換位置的對向構件保持部53以圖3中的逆時鐘方向朝保持位置旋轉，藉此能從配置於對向構件收容部81的頂板上退避。結果，在基板處理裝置1中，能容易地將頂板搬入至對向構件收容部81，並能容易地從對向構件收容部81搬出並配置於基板9的上方。
在基板處理系統10中，在複數個處理單元61的各者中，具有對向構件收容部81之基板處理裝置1係收容於殼體11。藉此，無需開放殼體11，能於一片基板9的處理中交換頂板。
在基板處理裝置1中，並不一定需要將使用於一片基板9的處理之複數種類的頂板收容於對向構件收容部81。例如亦可於對向構件收容部81收容有適合與對於基板9所為之上述一連串的處理(亦即，藥液處理、洗淨處理、置換處理以及乾燥處理)不同的處理之頂板。在此情形中，在基板處理裝置1中變更對於基板9所進行的一連串的處理的種類時，基板保持部31上的頂板係交換成適合下一次進行的處理之頂板。藉此，能將基板處理裝置1切換成適合對於基板9的複數種類的一連串處理(亦即複數個處理處方)的構成。結果，能將基板處理裝置1使用於對於基板9的各種種類的處理。
在基板處理裝置1中，配置於基板9上方的頂板以及收容於對向構件收容部81的頂板的種類不一定要彼此不同。例如，與配置於基板9上方的頂板相同種類的頂板51亦可收容於對向構件收容部81。在此情形中，例如當處理液等附著至配置於基板9上方的頂板51而需要洗淨時(亦即需要頂板51的保養時)，該頂板51與收容於對向構件收容部81的頂板51係被交換。頂板51的交換亦可為例如在一片基板9的處理中進行；或者在從殼體11搬出處理完畢的基板9之後且在下一個基板9搬入至殼體11之前進行。
圖37係顯示設置有本發明第五實施形態的基板處理裝置1a的處理單元61的內部之俯視圖。圖38係將圖37所示的處理單元61的一部分放大顯示之俯視圖。在基板處理裝置1a中，設置有第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的朝向與圖25所示的對向構件保持部53不同之對向構件保持部53a，以取代對向構件保持部53。於對向構件保持部53a亦設置有支撐部移動機構530。此外，在基板處理裝置1a中，對向構件保持部81a係配置於與圖24所示的位置不同的位置。基板處理裝置1a的其他的構成係與圖25所示的基板處理裝置1同樣，在以下的說明中於對應的構成附上相同的元件符號。
如圖38所示，在對向構件保持部53a中，第一凸緣支 撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534以及第二連接部535係經由支撐部移動機構530安裝至保持部本體531。第一凸緣支撐部532、第一連接部533、第二凸緣支撐部534、第二連接部535以及支撐部移動機構530係遍及本持部體本531的長度方向的大致全長地設置。第二凸緣支撐部534係夾著頂板51的凸緣連接部515並位於第一凸緣支撐部532的相反側。
第一連接部533及第二連接部535係分別為從支撐部移動機構530朝下方擴展之略平板狀的部位。第一連接部533及第二連接部535係分別朝與保持部本體531的長度方向略平行的方向擴展。第一凸緣支撐部532為從第一連接部533的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第一凸緣支撐部532係從第一連接部533朝接近第二凸緣支撐部534之方向擴展。第二凸緣支撐部534為從第二連接部535的下端部略水平地擴展之略平板狀的部位。第二凸緣支撐部534係從第二連接部535朝接近第一凸緣支撐部532之方向擴展。
保持部本體531的寬度方向中的第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間的距離係比頂板51的對向構件凸緣部516的外徑還小且比凸緣連接部515的外徑還大。保持部本體531的寬度方向中的第一連接部533與第二連接部535之間的距離係比對向構件凸緣部516的外徑還大。
支撐部移動機構530係將第一連接部533與第一凸緣支撐部532以及第二連接部535與第二凸緣支撐部534朝與保持部本體531的長度方向略平行的方向略水平地移動。亦即，在對向構件保持部53a中，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係可相對於保持部本體531相對性地移動。支撐部移動機構530係使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534相對於保持部本體531進退。
在基板處理裝置1a中，在保持部本體531位於保持位置的狀態下，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從下側接觸位於第一位置的頂板51的對向構件凸緣部516的一部分並支撐頂板51。在圖38所示的例子中，對向構件凸緣部516係接觸第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的前端部(亦即保持部本體531的前端部側的端部)。此外，在保持部本體531位於保持位置且頂板51位於第二位置的狀態下，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的基部側移動，藉此如圖39所示般，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從對向構件凸緣部516朝徑方向外側離開。在此狀態下，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53a係水平地旋轉，藉此對向構件保持部53a係在保持位置與退避位置之間移動。
此外，在基板處理裝置1a中，在保持部本體531位於保持位置且頂板51位於第二位置的狀態下，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的前端側移動，藉此如圖38所示般，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係配置於對向構件凸緣部516的下方。
與圖25所示的基板處理裝置1同樣地，在基板處理裝置1a中，不論位於第二位置的頂板51為靜止狀態或旋轉中，皆能使第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534從對向構件凸緣部516離開，並將對向構件保持部53a移動至退避位置。此外，不論頂板51為靜止狀態或旋轉中，皆能使對向構件保持部53a從退避位置移動至保持位置，並將第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534配置於對向構件凸緣部516的下方。亦即，在基板處理裝置1a中，能以簡單的構造保持頂板51，且不論頂板51的狀態為何，皆能以簡單的構造在保持位置與退避位置(或交換位置)之間移動對向構件保持部53a。如此，與圖25所示的基板處理裝置1同樣地，在基板處理裝置1a中，由於能在頂板51等的旋轉中進行對向構件保持部53a的保持位置與退避位置(或交換位置)之間的移動，因此能縮短基板9的處理所需的時間。
基板處理裝置1a中的基板9的處理流程係與圖35A至圖35C所示的基板處理裝置1中的基板9的處理流程大致同樣。此外，與基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1a中的各構成的動作係被控制部21控制。於步驟S63中頂板51朝對向構件收容部81a搬入時，已保持頂板51的對向構件保持部53a係藉由對向構件保持部移動機構57而朝圖37中的順時鐘方向旋轉，且從實線所示的保持位置移動至二點練線所示的交換位置。此外，在圖37中，為了容易理解圖式，係省略收容於對向構件收容部81a之其他的頂板的圖示(圖40中亦同樣)。
交換位置中的保持部本體531的前端部係位於對向構件收容部81a的外部，並與對向構件收容部81a的側面相對向。與圖29所示的對向構件收容部81同樣地，對向構件收容部81a為可收容複數個頂板之略長方體的箱狀的構件。在對向構件收容部81a中，三個側面係被側壁閉塞，並開放與位於交換位置的對向構件保持部53a相對向之一個側面。於開放的該側面設置有複數個收容部82各自的收容部開口83。
如圖40所示，在基板處理裝置1a中，在位於交換位置的對向構件保持部53a中，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的前端側前進。藉此，在圖40中如二點練線所示般， 第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從保持部本體531的前端朝長度方向突出，被第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534保持的頂板51係被搬入至對向構件收容部81a的收容部82。
與上述基板處理裝置1同樣地，在基板處理裝置1a中，藉由移動限制部58(參照圖27)，限制對向構件保持部移動機構57及支撐部移動機構530所為之搬運中的頂板51的位置偏移(亦即頂板51相對於第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的相對性地移動及旋轉)。當頂板51被搬入至收容部82時，藉由對向構件升降機構55，對向構件保持部53a係下降，藉此頂板51係載置於收容部82的下表面，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從頂板51的對向構件凸緣部516朝下方離開。之後，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的基部側後退，並從對向構件收容部81a退避。
在步驟S65中從對向構件收容部81a搬出頂板51a時，對向構件升降機構55被驅動，對向構件保持部53a係朝與收容有頂板51a的收容部82相對向之位置移動。接著，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的前端側前進。藉此，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係從保持部本體 531的前端朝長度方向突出，且第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534的前端部係配置於頂板51a的對向構件凸緣部516的下方。
接著，對向構件保持部53a上升，藉此第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係接觸至對向構件凸緣部516，頂板51a係被對向構件保持部53a保持。接著，藉由支撐部移動機構530，第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534係朝保持部本體531的基部側後退，並從對向構件收容部81a退避。藉此，頂板51a係從對向構件收容部81a搬出。之後，藉由對向構件保持部移動機構57，對向構件保持部53a係水平地旋轉，並從交換位置移動至保持位置。藉此，頂板51a係從對向構件收容部81a搬出，並被搬運至基板9及基板保持部31的上方的第一位置。
步驟S77中頂板51a朝對向構件收容部81a之搬入以及步驟S79中頂板51從對向構件收容部81a之搬出中的基板處理裝置1a的動作係分別與上述步驟S63及步驟S65同樣。
在基板處理裝置1a中，用以搬運頂板之上述對向構件搬運機構除了具備有對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57之外，還具備有支撐部移動機構530。支撐部移動機構530為用以使頂板相 對於對向構件收容部81a進退(亦即於前後方向移動)之進退機構。藉此，容易進行朝對向構件收容部81a之頂板的搬入以及從對向構件收容部81a之頂板的搬出。此外，由於無須將對向構件收容部81a配置於對向構件保持部移動機構57所為之頂板的旋轉路徑上，因此能提升對向構件收容部81a的配置自由度。
圖41係顯示本發明第六實施形態的基板處理系統10a的內部之俯視圖。圖42係將基板處理系統10a於圖41中的XLII-XLII的位置切斷之剖視圖。在圖42中，亦配合比剖面還內側的構成予以描繪。在基板處理系統10a中，省略各個處理單元61及對向構件收容部81(參照圖24)，共用的對向構件收容部81b係配置於製程部6的共用空間66。此外，配置於共用空間66的主搬運機器人63除了具備有基板搬運手64之外，進一步具備有可水平狀態地保持頂板之對向構件搬運手67。基板處理系統10a的其他的構成係與圖22及圖23所示的基板處理系統10同樣，在以下的說明中於對應的構成附上相同的元件符號。
屬於對向構件保持部之對向構件搬運手67係藉由屬於對向構件保持部移動機構之手驅動機構65而與基板搬運手64一起移動。對向構件搬運手67係例如配置於基板搬運手64的下方。對向構件搬運手67係例如藉由手驅動機構65水平地進退，並於上下方向移動，且以與上下方向 平行的旋轉軸作為中心旋轉。此外，在主搬運機器人63中，對向構件搬運手67亦可與基板搬運手64個別地移動。
與圖29所示的對向構件收容部81同樣地，對向構件收容部81b為可收容複數個頂板之略長方體的箱狀構件。對向構件收容部81b係例如具備有積層於上下方向的複數個收容部82(參照圖29)。複數個收容部82分別可收容一個頂板。對向構件收容部81b係例如配置於中間單元62的下方。對向構件收容部81b亦可例如配置於中間單元62的上方或共用空間66的其他的位置。
在主搬運機器人63中驅動對向構件搬運手67，藉此從處理單元61搬出頂板，並搬入至對向構件收容部81b。詳細而言，手驅動機構65係使對向構件搬運手67與處理單元61的搬出入口相對向後，使對向構件搬運手67前進，並將對向構件搬運手67插入至處理單元61內。如圖43所示，對向構件搬運手67係配置於被基板保持部31保持的頂板51的對向構件凸緣部516的下方。
接著，對向構件搬運手67上升，藉此對向構件搬運手67係接觸對向構件凸緣部516的下表面，頂板51係被對向構件搬運手67保持。頂板51係從基板保持部31朝上方離開。接著，對向構件搬運手67後退，藉此從處理單元61退出。藉此，從處理單元61搬出頂板51。對向構件搬 運手67及頂板51係朝與對向構件收容部81b相對向的位置移動。接著，對向構件搬運手67前進，藉此被對向構件搬運手67保持的頂板51係被搬入至對向構件收容部81b。
此外，在主搬運機器人63中驅動對向構件搬運手67，藉此從對向構件收容部81b搬出頂板，並搬入至處理單元61。詳細而言，手驅動機構65係使對向構件搬運手67與對向構件收容部81b相對向後，使對向構件搬運手67前進，並將對向構件搬運手67插入至對向構件收容部81b內。接著，藉由對向構件搬運手67保持頂板後，對向構件搬運手67後退，藉此從對向構件收容部81b搬出頂板。接著，使對向構件搬運手67與處理單元61的搬出入口相對向，使對向構件搬運手67前進，將對向構件搬運手67插入至處理單元61內，藉此將頂板搬入至處理單元61內。接著，將頂板從對向構件搬運手67授予至基板保持部31，對向構件搬運手67後退並從處理單元61退出。
在基板處理系統10a中，用以搬運頂板之上述對向構件搬運機構除了具備有對向構件保持部53、對向構件升降機構55以及對向構件保持部移動機構57等之外，還具備有主搬運機器人63。與圖27所示的對向構件保持部53同樣地，於對向構件搬運手67設置有用以限制搬運中的頂板的位置偏移之移動限制部。該移動限制部的構造係例如與圖27所示的移動限制部58同樣。藉此，能於頂板的搬運 時防止頂板相對於對向構件搬運手67相對性地移動及旋轉。結果，能位置精度佳地將頂板朝基板保持部31上移動，且能容易地進行基板保持部31所為之頂板的保持。
如上所述，主搬運機器人63的手驅動機構65係具備有用以使頂板相對於對向構件收容部81b進退之進退機構。藉此，能容易地進行朝對向構件收容部81b之頂板的搬入以及從對向構件收容部81b之頂板的搬出。
在基板處理系統10a中，主搬運機器人63及對向構件收容部81b係被複數個處理單元61共用。當著眼於兩個處理單元61時，基板處理系統10a係具備有基板處理裝置1、屬於裝置收容室之殼體11、其他的基板處理裝置1以及屬於其他的裝置收容室之其他的殼體11。其他的基板基板處理裝置1係與基板處理裝置1共用對向構件收容部81b以及屬於對向構件搬運機構的一部分之主搬運機器人63，並具有與該基板處理裝置1同樣的構造。於殼體11配置有除了基板處理裝置1中的對向構件收容部81b及主搬運機器人63以外的構成。其他的殼體11亦同樣，配置有除了其他的基板處理裝置1中的對向構件收容部81b及主搬運機器人63之外的構成。
藉此，能將基板處理系統10a的構造簡單化。此外，能縮小各個處理單元61的殼體11。結果，能將基板處理 系統10a小型化。
在基板處理系統10a中，例如與處理單元61中所使用的頂板51相同種類的頂板51係收容於對向構件收容部81b。在此情形中，例如當處理液等附著於處理單元61中正在使用中的頂板51而變成需要洗淨時(亦即變成需要頂板51的保養時)，該頂板51與收容於對向構件收容部81b的頂板51係交換。藉此，不會降低基板處理系統10a的生產性，能進行頂板51的交換。
頂板的交換係例如在從處理單元61搬出處理完畢的基板9之後且在下一個基板9搬入至處理單元61之前進行。或者，頂板的交換亦可與基板9的搬出入並行進行。亦即，從處理單元61搬出處理完畢的基板9的同時，從處理單元61搬出頂板；將未處理的基板9搬入至處理單元61的同時，將下一個頂板51搬入至處理單元61。
此外，在基板處理系統10a中，亦可於對向構件收容部81b收容與處理單元61中所使用的頂板51不同種類的頂板。例如，於對向構件收容部81b收容有分別適合對於基板9的複數種類的一連串的處理(亦即複數個處理處方)之複數種類的頂板。在此情形中，在變更於處理單元61中對於基板9所進行的一連串的處理的種類時，處理單元61內的頂板51係交換成適合下一次進行的處理之頂板。 藉此，在基板處理系統10a中，能將各個處理單元61切換成適合對於基板9的複數種類的一連串的處理之構成。結果，能將各個處理單元61使用於對於基板9的各種種類的處理。
在上述基板處理裝置1、1a、1b以及基板處理系統10、10a中，可進行各種變化。
在基板處理裝置1、1a中，亦可利用與處理液噴嘴(亦即第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421)不同的構成，並將氣體供給至處理液噴嘴與被保持部512之間的間隙518。
在基板處理裝置1b中，從氣體供給部45朝間隙518之氣體的供給並不一定需要經由位於供給位置的處理液噴嘴及對向構件保持部53b雙方來進行。例如，亦可從處理液噴嘴(亦即第一處理液噴嘴411a及第二處理液噴嘴421a)的側面將氣體供給至間隙518，並省略從對向構件保持部53b供給氣體。藉此，能將對向構件保持部53b的構造簡單化。在此情形中，對向構件保持部53b例如為實心的構件，貫通孔537為從對向構件保持部53b的上表面朝下表面連續的柱狀的孔。此外，亦可從對向構件保持部53b經由被保持部512的上部開口517朝間隙518供給氣體，並省略從處理液噴嘴朝間隙518供給氣體。在此情形中，能 將處理液噴嘴的構造簡單化。或者，亦可利用與處理液噴嘴及對向構件保持部53b不同的構成將氣體供給至間隙518。
此外，並不一定需要對間隙518供給氣體。此外，處理液噴嘴的供給位置只要為對向構件開口514的上方的位置，則未限定於被保持部512的內側。例如，處理液噴嘴亦可配置於被保持部512的上部開口517的上方。
在基板處理裝置1中，不一定需要在對向構件保持部53位於退避位置的狀態下將第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421插入至被保持部512。此外，不一定需要在第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421位於退避位置的狀態下將對向構件保持部53從退避位置移動至保持位置。例如，亦可如圖21所示，亦可於保持部本體531的側面設置有比第一處理液嘴411的噴嘴凸緣部414還大的切口部531a，且俯視觀之位於供給位置的第一處理液噴嘴411係收容於位於保持位置的對向構件保持部53的切口部531a。在此情形中，亦可在對向構件保持部53位於保持位置的狀態下，將處理液噴嘴(亦即第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421)插入至被保持部512。此外，亦可在處理液噴嘴插入至被保持部512的狀態下，對向構件保持部53係從退避位置移動至保持位置。
在基板處理裝置1中，第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534亦可局部性地連接至圖5中的右側的端部等。同樣地，在基板處理裝置1a中，第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534亦可局部性地連接至保持部本體531的基部側的端部等。
在基板處理裝置1、1a、1b中，亦可從第一處理液噴嘴411、411a將複數種類的處理液依序供給至基板9上。第二處理液噴嘴421、421a亦同樣。此外，除了第一處理液噴嘴411、411a以及第二處理液噴嘴421、421a之外，亦可設置有其他的處理液噴嘴。在基板處理裝置1中，亦可省略第二處理液噴嘴421、第二噴嘴升降機構433、第二噴嘴旋轉機構434以及第二洗淨部442。基板處理裝置1a、1b亦同樣。
在基板處理裝置1b中，亦可為一個處理液噴嘴係固定於對向構件保持部53b，並從該處理液噴嘴將一種類或複數種類的處理液供給至基板9。如此，藉由將噴嘴固定於對向構件保持部53b，能將對向構件保持部53b及處理液噴嘴的構造簡單化。在此情形中，例如處理液噴嘴係從對向構件保持部53b朝下方突出並從頂板51的被保持部512的上部開口517插入，且來自氣體供給部45的氣體係經由對向構件保持部53b從被保持部512的上部開口517供給至被保持部512內。藉此，能將處理液噴嘴的構造簡單化， 並能抑制外部氣體進入至處理空間90。
對向構件升降機構55並不一定需要將頂板51朝上下方向移動，只要將頂板51相對於基板保持部31相對性地移動即可。例如，對向構件升降機構55亦可不將頂板51移動，而是將基板保持部31於上下方向移動，藉此在上下方向的第一位置與第二位置之間將頂板51相對於基板保持部31相對性地移動。在此情形中，被對向構件保持部53保持且從基板保持部31朝上方離開的狀態中的頂板51的位置為第一位置，被基板保持部31保持的狀態中的頂板51的位置為第二位置。
在基板處理裝置1、1a、1b中，罩部37亦可具備有配置成同心圓狀的複數個罩。在此情形中，較佳為切換供給至基板9上的處理液的種類時(例如從藥液切換成洗淨液時)，亦切換用以接住來自基板9的處理液之罩。藉此，能容易地區別複數個處理液並予以回收或廢棄。
在基板處理裝置1、1a、1b中，亦可於基板保持部31的中央部設置有下部噴嘴，並將處理液供給至基板9的下表面。
在基板處理裝置1、1a、1b中，能利用頂板51進行較佳為在低氧環境下進行之各種處理。供給至處理空間90 的氣體並未限定於氮氣氣體，亦可為氬等其他的惰性氣體。此外，供給至處理空間90的氣體亦可為用以將基板9上作成期望的氣體氛圍之氣體，例如亦可為已管理氣體組成比的混合氣體(亦即已混合複數種類的氣體)。供給至處理空間90的氣體亦可根據處理內容而例如為低濕度的乾燥氣體。在基板處理裝置1、1a、1b中，並不一定不進行對處理空間90供給氣體。
在基板處理裝置1、1a、1b中，亦可對半導體基板以外的各種基板進行處理。
在基板處理系統10、10a的基板處理裝置1中，不一定需要在對向構件保持部53位於退避位置的狀態下將第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421插入至被保持部512。此外，不一定需要在第一處理液噴嘴411及第二處理液噴嘴421位於退避位置的狀態下將對向構件保持部53從退避位置移動至保持位置。例如，亦可如圖44所示，於保持部本體531的側面設置有比第一處理液噴嘴411的噴嘴凸緣部414還大的切口部531a，且俯視觀之位於供給位置的第一處理液噴嘴411亦可收容於位於保持位置的對向構件保持部53的切口部531a。在此情形中，亦可在對向構件保持部53位於保持位置的狀態下將處理液噴嘴(亦即第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421)插入至被保持部512。此外，亦可在處理液噴嘴插入至被保持部512的狀態 下，對向構件保持部53係從退避位置移動至保持位置。不論頂板51為靜止狀態或旋轉中，凸緣連接部515皆可從第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534之間朝沿著第一凸緣支撐部532及第二凸緣支撐部534之方向的一側脫離。
在基板處理系統10、10a的基板處理裝置1、1a中，亦可於對向構件保持部53、53a的保持部本體531設置有貫通孔，且在對向構件保持部53、53a位於保持位置的狀態下，第一處理液噴嘴411或第二處理液噴嘴421係經由該貫通孔插入至被保持部512的內側。
在基板處理系統10、10a的基板處理裝置1、1a中，處理液噴嘴的供給位置只要為對向構件開口514的上方的位置，則未限定於被保持部512的內側。例如處理液噴嘴亦可配置於被保持部512的上部開口517的上方。
在基板處理系統10a的基板處理裝置1中，第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534亦可局部性地連接至圖34中的右側的端部等。在基板處理裝置1a中，第一凸緣支撐部532與第二凸緣支撐部534亦可局部性地連接至保持部本體531的基部側的端部等。
上述實施形態以及各個變化例中的構成只要不會彼此衝突亦可適當地組合。
雖然已詳細地描述並說明本發明，但上述說明僅為例示性而非限定性。因此，只要不逸離本發明的範圍，可有各種的變化和態樣。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板(半導體基板)
11‧‧‧殼體
21‧‧‧控制部
31‧‧‧基板保持部
37‧‧‧罩部
43‧‧‧噴嘴移動機構
44‧‧‧噴嘴洗淨部
51‧‧‧頂板
53‧‧‧對向構件保持部
55‧‧‧對向構件升降機構
57‧‧‧對向構件保持部移動機構
311‧‧‧基座部
411‧‧‧第一處理液噴嘴
412‧‧‧第一手臂
421‧‧‧第二處理液噴嘴
422‧‧‧第二手臂
431‧‧‧第一噴嘴升降機構
432‧‧‧第一噴嘴旋轉機構
433‧‧‧第二噴嘴升降機構
434‧‧‧第二噴嘴旋轉機構
441‧‧‧第一洗淨部
442‧‧‧第二洗淨部
511‧‧‧對向構件本體
512‧‧‧被保持部
515‧‧‧凸緣連接部
516‧‧‧對向構件凸緣部
531‧‧‧保持部本體
532‧‧‧第一凸緣支撐部
533‧‧‧第一連接部
534‧‧‧第二凸緣支撐部
535‧‧‧第二連接部
J1‧‧‧中心軸

Claims (39)

  1. 一種基板處理裝置，係用以處理基板，並具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口；對向構件搬運機構，係保持前述對向構件，並在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；第一處理液供給部，係經由第一處理液噴嘴將第一處理液供給至前述基板的前述上表面；第二處理液供給部，係經由第二處理液噴嘴將第二處理液供給至前述基板的前述上表面；噴嘴移動機構，係在前述對向構件開口的上方的供給位置與前述基板保持部的周圍的各自的退避位置之間個別地移動前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；控制部，係控制前述第一處理液供給部、前述第二處理液供給部以及前述噴嘴移動機構；以及氣體供給部，係將氣體供給至前述對向構件與前述基板之間的空間； 前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；藉由前述控制部的控制，在前述第一處理液噴嘴位於前述供給位置的狀態下經由前述對向構件開口將前述第一處理液供給至前述基板，前述第一處理液噴嘴係從前述供給位置移動至前述退避位置，前述第二處理液噴嘴係從前述退避位置移動至前述供給位置，並經由前述對向構件開口將前述第二處理液供給至前述基板。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係具備有：對向構件本體，係與前述基板的前述上表面相對向，並於前述中央部設置有前述對向構件開口；以及筒狀的被保持部，係從前述對向構件本體的前述對向構件開口的周圍朝上方突出，並被前述對向構件搬運機構保持；前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴係在前述供給位置中從前述被保持部的上部開口插入。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述第一處理液噴嘴的前端及前述第二處理液噴嘴的前端係在前述供給位置中位於比前述對向構件開口的下端緣還上 方或者在前述上下方向中位於與前述下端緣相同的位置。
  4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴係在前述供給位置中且在前述對向構件開口的上方插入至設置於前述對向構件搬運機構的貫通孔。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中來自前述氣體供給部的氣體係經由前述對向構件搬運機構從前述對向構件開口被供給。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件搬運機構係具備有：對向構件保持部，係保持前述對向構件；以及對向構件保持部移動機構，係在前述對向構件位於前述第二位置的狀態下，使前述對向構件保持部從前述對向構件的上方退避；在前述對向構件保持部已退避的狀態下，前述第一處理液噴嘴或前述第二處理液噴嘴係位於前述供給位置，來自前述氣體供給部的氣體係從位於前述供給位置的前述第一處理液噴嘴或前述第二處理液噴嘴被供給。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：噴嘴洗淨部，係洗淨位於前述退避位置的前述第一處理液噴嘴。
  8. 一種基板處理裝置，係用以處理基板，並具備有： 基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口，且具有從前述對向構件開口的周圍朝上方突出的筒狀的被保持部；對向構件搬運機構，係保持前述對向構件的前述被保持部，並在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；處理液噴嘴，係位於前述被保持部的內側，並經由前述對向構件開口朝前述基板的前述上表面噴出處理液；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；以及氣體供給部，係將氣體供給至前述對向構件與前述基板之間的空間；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述氣體供給部係將氣體供給至前述對向構件的前述被保持部的內側面與前述處理液噴嘴的外側面之間的間隙。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係從前述對向構件搬運機構朝下方突出並從前述被保持部的上部開口插入；來自前述氣體供給部的氣體係經由前述對向構件搬運機構從前述被保持部的前述上部開口供給至前述被保持部內。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述被保持部係具備有：圓筒狀的凸緣連接部，係將前述中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述對向構件搬運機構係從下側支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部；於位於前述第二位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的上表面與前述對向構件搬運機構之間形成有迷宮構件。
  11. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係在前述被保持部的上方中經由設置於前述對向構件搬運機構的貫通孔插入至前述被保持部。
  12. 如請求項8至11中任一項所記載之基板處理裝置，其中來自前述氣體供給部的氣體係從前述處理液噴嘴的前述外側面供給至前述間隙。
  13. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件搬運機構係具備有：對向構件保持部，係保持前述對向構件；以及對向構件保持部移動機構，係在前述對向構件位於前述第二位置的狀態下，使前述對向構件保持部從前述對向構件的上方退避；在前述對向構件保持部已退避的狀態下，前述處理液噴嘴係從前述被保持部的上部開口插入，來自前述氣體供給部的氣體係從前述處理液噴嘴的前述外側面供給至前述間隙。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中來自前述氣體供給部的氣體係從前述處理液噴嘴的前述外側面朝斜下方及斜上方供給。
  15. 如請求項13或14所記載之基板處理裝置，其中前述被保持部係具備有：圓筒狀的凸緣連接部，係將前述中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述處理液噴嘴係具備有：噴嘴本體，係插入至前述被保持部的前述凸緣連接部；以及噴嘴凸緣部，係從前述噴嘴本體的上部朝徑方向外側擴展，並與前述對向構件凸緣部的上表面相對向； 於前述對向構件凸緣部的前述上表面與前述噴嘴凸緣部的下表面之間形成有迷宮構件。
  16. 如請求項15所記載之基板處理裝置，其中來自前述氣體供給部的氣體係從前述處理液噴嘴的前述外側面朝前述迷宮構件供給。
  17. 一種基板處理裝置，係用以處理基板，並具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口，且具有從前述對向構件開口的周圍朝上方突出的筒狀的被保持部；對向構件保持部，係保持前述對向構件的前述被保持部；對向構件升降機構，係在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；處理液噴嘴，係位於前述被保持部的內側，並經由前述對向構件開口朝前述基板的前述上表面噴出處理液；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；以及對向構件保持部移動機構，係在前述對向構件的上方的保持位置與前述對向構件的周圍的退避位置之間移動前述對向構件保持部； 前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件保持部保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述被保持部係具備有：圓筒狀的凸緣連接部，係將前述中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述對向構件保持部係具備有：第一凸緣支撐部，係從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；第二凸緣支撐部，係夾著前述凸緣連接部並位於與前述第一凸緣支撐部的相反側，並從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；以及保持部本體，係安裝有前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部；在前述對向構件位於前述第二位置的狀態下將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部水平地移動，藉此從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向構件凸緣部的下方。
  18. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係固定於前述保持部本體；前述對向構件保持部移動機構係將前述保持部本體水平地旋轉，藉此前述對向構件保持部係於前述保持位置與前述退避位置之間移動；藉由前述保持部本體的旋轉，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向構件凸緣部的下方。
  19. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件保持部進一步具備有：支撐部移動機構，係將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部相對於前述保持部本體移動；在前述保持部本體位於前述保持位置的狀態下，藉由前述支撐部移動機構，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係移動，藉此前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向構件凸緣部的下方。
  20. 一種基板處理裝置，係用以處理基板，並具備有：基板保持部，係保持水平狀態的基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向； 處理液供給部，係將處理液供給至前述基板的前述上表面；基板旋轉機構，係將朝向上下方向的中心軸作為中心，並將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；對向構件收容部，係可收容前述對向構件；以及對向構件搬運機構，係保持前述對向構件並在前述上下方向的第一位置與第二位置之間相對於前述基板保持部相對性地移動，並在前述基板保持部的上方與前述對向構件收容部之間搬運；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持且從前述基板保持部朝上方離開，並在前述第二位置中被前述基板保持部保持，藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；藉由前述對向構件搬運機構，前述對向構件係從前述基板保持部的上方被搬運並被搬入至前述對向構件收容部，且取出收容於前述對向構件收容部的其他的對向構件並搬運至前述基板保持部的上方。
  21. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件及前述其他的對向構件的種類彼此不同。
  22. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：對向構件洗淨機構，係洗淨收容於前述對向構件收容部的前述對向構件。
  23. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件收容部係具備有：複數個收容部，係積層於前述上下方向，且可分別收容對向構件。
  24. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件搬運機構係具備有：進退機構，係使前述對向構件相對於前述對向構件收容部進退。
  25. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：移動限制部，係限制前述對向構件搬運機構中的前述對向構件的位置偏移。
  26. 如請求項20至25中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係具備有：對向構件本體，係與前述基板的前述上表面相對向，且於中央部設置有對向構件開口；以及筒狀的被保持部，係從前述對向構件本體的前述對向構件開口的周圍朝上方突出，並被前述對向構件搬運機構保持；前述被保持部係具備有：圓筒狀的凸緣連接部，係將中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述對向構件搬運機構係具備有： 第一凸緣支撐部，係從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；第二凸緣支撐部，係夾著前述凸緣連接部並位於前述第一凸緣支撐部的相反側，且從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；以及本持部本體，係安裝有前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部；在前述對向構件位於前述第二位置的狀態下，前述對向構件搬運機構係將前述保持部本體水平地旋轉，藉此使前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開，並配置於前述對向凸緣部的下方；前述凸緣連接部係可從前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部之間朝沿著前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部之方向的至少一側脫離。
  27. 一種基板處理系統，係用以處理基板，並具備有：請求項20所記載之基板處理裝置；其他的基板處理裝置；裝置收容室，係收容前述基板處理裝置；以及其他的裝置收容室，係收容前述其他的基板處理裝置。
  28. 一種基板處理系統，係用以處理基板，並具備有： 請求項20所記載之基板處理裝置；其他的基板處理裝置，係與前述基板處理裝置共用前述對向構件收容部及前述對向構件搬運機構，並具有與前述基板處理裝置同樣的構造；共用空間，係配置有前述對向構件收容部及前述對向構件搬運機構；裝置收容室，係配置有前述基板處理裝置中除了前述對向構件收容部及前述對向構件搬運機構之外的構成；以及其他的裝置收容室，係配置有前述其他的基板處理裝置中除了前述對向構件收容部及前述對向構件搬運機構之外的構成。
  29. 一種基板處理方法，係用以在基板處理裝置中處理基板；該基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口；對向構件搬運機構，係保持前述對向構件，並在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；第一處理液供給部，係經由第一處理液噴嘴將第一處理液供給至前述基板的前述上表面； 第二處理液供給部，係經由第二處理液噴嘴將第二處理液供給至前述基板的前述上表面；噴嘴移動機構，係在前述對向構件開口的上方的供給位置與前述基板保持部的周圍的各自的退避位置之間個別地移動前述第一處理液噴嘴及前述第二處理液噴嘴；基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；以及氣體供給部，係將氣體供給至前述對向構件與前述基板之間的空間；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述基板處理方法係具備有：步驟a：將前述對向構件從前述第一位置移動至前述第二位置；步驟b：從位於供給位置的前述第一處理液噴嘴經由前述對向構件開口將前述第一處理液供給至前述基板；步驟c：將前述第一處理液噴嘴從前述供給位置移動至前述退避位置； 步驟d：將前述第二處理液噴嘴從前述退避位置移動至前述供給位置；以及步驟e：經由前述對向構件開口將前述第二處理液供給至前述基板。
  30. 如請求項29所記載之基板處理方法，其中前述對向構件搬運機構係具備有用以保持前述對向構件之對向構件保持部；在前述步驟a與前述步驟b之間，進一步具備有使前述對向構件保持部從前述對向構件的上方退避之步驟；在前述步驟b中，來自前述氣體供給部的氣體係從前述第一處理液噴嘴被供給；在前述步驟e中，來自前述氣體供給部的氣體係從前述第二處理液噴嘴被供給。
  31. 如請求項29或30所記載之基板處理方法，其中進一步具備有與前述步驟d或前述步驟e並行且用以洗淨位於退避位置的前述第一處理液噴嘴之步驟。
  32. 一種基板處理方法，係用以在基板處理裝置中處理基板；該基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向，並於中央部設置有對向構件開口，且具有從前述對向構件開口的周圍朝上方突出的筒狀的被保持部； 對向構件保持部，係保持前述對向構件的前述被保持部；對向構件保持部，係保持前述對向構件的前述被保持部；對向構件升降機構，係在上下方向的第一位置與第二位置之間將前述對向構件相對於前述基板保持部相對性地移動；處理液噴嘴，係位於前述被保持部的內側，並經由前述對向構件開口朝前述基板的前述上表面噴出處理液；以及基板旋轉機構，係將朝向前述上下方向的中心軸作為中心，將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；前述基板處理裝置係進一步具備有：對向構件保持部移動機構，係在前述對向構件的上方的保持位置與前述對向構件的周圍的退避位置之間移動前述對向構件保持部；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件保持部保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述被保持部係具備有： 圓筒狀的凸緣連接部，係將前述中心軸作為中心；以及對向構件凸緣部，係從前述凸緣連接部的上端部朝徑方向外側擴展；前述對向構件保持部係具備有：第一凸緣支撐部，係從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；第二凸緣支撐部，係夾著前述凸緣連接部並位於與前述第一凸緣支撐部相反側，並從下側接觸並支撐位於前述第一位置的前述對向構件的前述對向構件凸緣部的一部分；以及保持部本體，係安裝有前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部；前述基板處理方法係具備有：步驟a：將前述對向構件從前述第一位置移動至前述第二位置；步驟b：開始前述基板、前述基板保持部以及前述對向構件的旋轉；步驟c：將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部水平地移動，藉此從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開；步驟d：從前述處理液噴嘴將前述處理液供給至前述基板； 步驟e：將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部水平地移動，藉此配置於前述對向構件凸緣部的下方；步驟f：停止前述基板、前述基板保持部以及前述對向構件的旋轉；以及步驟g：將前述對向構件從前述第二位置移動至前述第一位置。
  33. 如請求項32所記載之基板處理方法，其中前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係固定至前述保持部本體；前述對向構件保持部移動機構係將前述保持部本體水平地旋轉，藉此前述對向構件保持部係在前述保持位置與前述退避位置之間移動；在前述步驟c中，藉由前述保持部本體的旋轉，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開；在前述步驟e中，藉由前述保持部本體的旋轉，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係配置於前述對向構件凸緣部的下方。
  34. 如請求項32所記載之基板處理方法，其中前述對向構件保持部係進一步具備有：支撐部移動機構，係將前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部相對於前述保持部本體移動； 在前述步驟c中，在前述保持部本體位於前述保持位置的狀態下，藉由前述支撐部移動機構，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係移動，藉此前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係從前述對向構件凸緣部朝徑方向外側離開；在前述步驟e中，在前述保持部本體位於前述保持位置的狀態下，藉由前述支撐部移動機構，前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係移動，藉此前述第一凸緣支撐部及前述第二凸緣支撐部係配置於前述對向構件凸緣部的下方。
  35. 一種基板處理方法，係用以在基板處理裝置中處理基板；該基板處理裝置係具備有：基板保持部，係以水平狀態保持基板；對向構件，係與前述基板的上表面相對向；處理液供給部，係將處理液供給至前述基板的前述上表面；以及基板旋轉機構，係將朝向上下方向的中心軸作為中心，且將前述基板與前述基板保持部一起旋轉；前述基板處理裝置係進一步具備有：對向構件收容部，係可收容前述對向構件；以及對向構件搬運機構，係保持前述對向構件，並在前述上下方向的第一位置與第二位置之間相對於前述 基板保持部相對性地移動，並在前述基板保持部的上方的位置與前述對向構件收容部之間搬運；前述對向構件係在前述第一位置中被前述對向構件搬運機構保持並從前述基板保持部朝上方離開，且在前述第二位置中被前述基板保持部保持，並藉由前述基板旋轉機構而與前述基板保持部一起旋轉；前述基板處理方法係具備有：步驟a：將前述對向構件從前述基板保持部的上方搬運並搬入至前述對向構件收容部；以及步驟b：係搬出收容於前述對向構件收容部的其他的對向構件，並搬運至前述基板保持部的上方。
  36. 如請求項35所記載之基板處理方法，其中前述對向構件及前述其他的對向構件的種類彼此不同；進一步包含有下述步驟：因應在前述步驟b之後在前述基板處理裝置中所進行的處理的性質，在前述步驟b之前決定前述其他的對向構件的種類。
  37. 如請求項35所記載之基板處理方法，其中進一步具備有在前述步驟a之後洗淨收容於前述對向構件收容部的前述對向構件之步驟。
  38. 如請求項35所記載之基板處理方法，其中在前述步驟a中，前述對向構件係相對於前述對向構件收容部於前後方向移動，藉此搬入至前述對向構件收容部。
  39. 如請求項35至38中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述步驟a中，限制搬運中的前述對向構件的位置偏移。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759526B (zh) * 2017-08-23 2022-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI807017B (zh) * 2018-04-27 2023-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器的檢查方法、基板固持器的檢查裝置、及具備該檢查裝置之鍍覆裝置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7000054B2 (ja) * 2017-07-12 2022-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2019159742A1 (ja) * 2018-02-13 2019-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7213624B2 (ja) * 2018-05-01 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
CN111166181B (zh) * 2018-11-12 2022-07-05 富士电机株式会社 饮料供给装置
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7307575B2 (ja) 2019-03-28 2023-07-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7386026B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN110544662B (zh) * 2019-10-11 2022-06-14 青岛融合装备科技有限公司 一种半导体器件加工用旋转定位装置
CN112871811B (zh) * 2019-11-29 2023-03-14 长鑫存储技术有限公司 单片晶圆清洗系统及方法
CN112768378B (zh) * 2020-12-31 2023-02-10 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法
CN112847145B (zh) * 2021-02-07 2022-09-16 华海清科股份有限公司 一种抛光液供给臂和化学机械抛光装置
JP2022143176A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 測定ツール、基板処理装置及び基板製造方法
JP2023003251A (ja) 2021-06-23 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS621568A (ja) 1985-06-28 1987-01-07 Toshiba Corp 罫線発生装置
JP2906017B2 (ja) 1993-11-18 1999-06-14 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
US5626675A (en) 1993-11-18 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus, substrate processing apparatus and method of transferring a processed article
JPH08316190A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3628830B2 (ja) 1996-04-18 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置
JP3621568B2 (ja) 1997-09-26 2005-02-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3587723B2 (ja) 1999-04-30 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6506009B1 (en) 2000-03-16 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for storing and moving a cassette
JP2002164314A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転支持板およびそれを用いた基板処理装置
JP3660581B2 (ja) 2000-12-04 2005-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2002184660A (ja) 2000-12-13 2002-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを用いた基板処理装置
US6616758B2 (en) 2001-03-23 2003-09-09 Techpoint Pacific (S) Pte Ltd Method and apparatus for spin coating
JP3761415B2 (ja) 2001-03-30 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2003077808A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003080159A (ja) 2001-09-10 2003-03-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転塗布装置
US6824666B2 (en) 2002-01-28 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method over sub-micron apertures
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP3884700B2 (ja) * 2002-11-28 2007-02-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20040084144A1 (en) * 2002-08-21 2004-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4179593B2 (ja) 2002-08-21 2008-11-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
KR100562502B1 (ko) 2003-07-02 2006-03-21 삼성전자주식회사 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법
JP4343018B2 (ja) * 2004-04-20 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP4446875B2 (ja) * 2004-06-14 2010-04-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4397299B2 (ja) * 2004-07-30 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2006128424A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4368288B2 (ja) 2004-11-01 2009-11-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2007088398A (ja) 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP2007036109A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置
JP4514700B2 (ja) * 2005-12-13 2010-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4698407B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5430873B2 (ja) * 2008-04-16 2014-03-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
KR101065557B1 (ko) * 2008-10-29 2011-09-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
US9997379B2 (en) * 2010-11-30 2018-06-12 Lam Research Ag Method and apparatus for wafer wet processing
JP5734705B2 (ja) * 2011-03-02 2015-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5604371B2 (ja) 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5602690B2 (ja) * 2011-07-12 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5420596B2 (ja) * 2011-07-12 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR101811066B1 (ko) * 2011-07-12 2017-12-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
KR101668139B1 (ko) * 2011-07-12 2016-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5686261B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-18 セメス株式会社ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ 基板処理装置及び基板処理方法
JP5496966B2 (ja) * 2011-08-05 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5951377B2 (ja) * 2011-08-26 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5667545B2 (ja) * 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5645796B2 (ja) * 2011-11-21 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2013207272A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5965729B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
JP5978071B2 (ja) 2012-08-31 2016-08-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP5486708B2 (ja) 2013-02-28 2014-05-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6017999B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6118595B2 (ja) 2013-03-15 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20140273498A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014194965A (ja) 2013-03-28 2014-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759526B (zh) * 2017-08-23 2022-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI807017B (zh) * 2018-04-27 2023-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器的檢查方法、基板固持器的檢查裝置、及具備該檢查裝置之鍍覆裝置

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KR102604997B1 (ko) 2023-11-22
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