CN110010532A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种处理基板的基板处理装置。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持，在第二位置由基板保持部保持，并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言，通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构，在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下，经由相向构件开口向基板供给第一处理液，第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。

Description

基板处理装置

本申请是申请日为2016年02月04日、申请号为201610078393.7、发明名称为“基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的技术。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，仅称为“基板”)的制造工序中，对基板施加各种各样的处理。例如，通过向表面上形成有光阻的图案的基板上供给药液，对基板的表面进行刻蚀等药液处理。另外，在药液处理结束之后，向基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。

例如，在JP特许第3621568号公报(文献1)的基板清洗装置中，将盖构件载置于水平地保持晶圆的旋转卡盘上，使其与晶圆一起旋转。当进行基板的清洗处理时，首先，从以与盖构件分离的方式配置于盖构件的上方的上喷嘴经由设于盖构件的旋转中心的开口向正在旋转的基板上供给清洗液。作为清洗液，利用氢氟酸、盐酸、硫酸、磷酸、氨水、过氧化氢等。接下来，通过从该上喷嘴向正在旋转的基板上供给纯水，冲洗附着于基板上的清洗液。然后，当进行基板的干燥处理时，从上述上喷嘴喷出氮气(N₂)，经由盖构件的开口供给至晶圆上。这样，能够降低盖构件与晶圆之间的空间的氧浓度，以促进基板的干燥。

上述盖构件是由铁等磁性体形成的。当使盖构件向上方远离旋转卡盘时，利用与臂部的顶端的电磁铁连结的吸附构件来吸附盖构件，盖构件与臂部一起向上方移动。就该基板清洗装置而言，在使吸附构件与盖构件接触的状态下，能够通过向电磁铁通电或断电，来吸附或释放盖构件。

另外，在文献1的基板清洗装置中，从同一喷嘴依次供给氢氟酸等清洗液与纯水。因此，在该喷嘴中有产生清洗液与纯水的混合液的危险。

另外，在文献1的基板清洗装置中，盖构件周围的外部气体从上喷嘴的顶端与盖构件的开口之间的间隙经由该开口进入盖构件与基板之间的空间。因此，盖构件与晶圆之间的空间中的氧浓度会降低。

而且，在文献1的基板清洗装置中，为了借助磁力吸附保持盖构件，盖构件必需含有磁性体。另外，在保持盖构件的保持部上也需要设置电磁铁，还需要控制电磁铁的通断。因此，盖构件的保持结构变得复杂。

另外，文献1的基板清洗装置存在因供给至晶圆的清洗液反复附着在作为与晶圆相向的相向构件盖构件的下表面，再反复干燥，导致清洗残留物等逐渐积累于盖构件下表面而成为污染源。因此，需要将盖构件从基板清洗装置取出进行维护。此时，存在无法在基板清洗装置中进行基板的清洗等，导致生产性降低。

发明内容

本发明涉及处理基板的基板处理装置，一个目的为抑制产生多种处理液的混合液。本发明的另一个目的是抑制外部气体进入相向构件与基板之间的空间。本发明的再一个目的是以简单的结构保持相向构件，并且以简单的结构使相向构件保持部在保持位置与退避位置之间移动。本发明的又一个目的是通过更换使用相向构件，来抑制基板处理的生产性降低。本发明也涉及处理基板的基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。

本发明的一个技术方案的基板处理装置，具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，相向构件搬运机构，保持所述相向构件，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，第一处理液供给部，经由第一处理液喷嘴向所述基板的所述上表面供给第一处理液，第二处理液供给部，经由第二处理液喷嘴向所述基板的所述上表面供给第二处理液，喷嘴移动机构，使所述第一处理液喷嘴以及所述第二处理液喷嘴分别单独地在所述相向构件开口的上方的供给位置与所述基板保持部的周围的各自的退避位置之间移动，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，控制部，控制所述第一处理液供给部、所述第二处理液供给部以及所述喷嘴移动机构，以及气体供给部，向所述相向构件与所述基板之间的空间供给气体；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转，通过所述控制部进行控制，所述第一处理液喷嘴在位于所述供给位置的状态下，经由所述相向构件开口向所述基板供给所述第一处理液，所述第一处理液喷嘴从所述供给位置移动至所述退避位置，将所述第二处理液喷嘴从所述退避位置移动至所述供给位置，经由所述相向构件开口向所述基板供给所述第二处理液。这样，能够抑制产生多种处理液混合。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述相向构件具有：相向构件主体，与所述基板的所述上表面相向，并且在所述中央部设有所述相向构件开口，以及筒状的被保持部，从所述相向构件主体的所述相向构件开口的周围向上方突出，并且被所述相向构件搬运机构保持；所述第一处理液喷嘴以及所述第二处理液喷嘴在所述供给位置从所述被保持部的上部开口插入。

本发明的另一技术方案的基板处理装置具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部，相向构件搬运机构，保持所述相向构件的所述被保持部，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，处理液喷嘴，位于所述被保持部的内侧，该处理液喷嘴经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，以及气体供给部，向所述相向构件与所述基板之间的空间供给气体；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转；所述气体供给部向所述相向构件的所述被保持部的内侧面与所述处理液喷嘴的外侧面之间的间隙供给气体。这样，能够抑制外部气体进入相向构件与基板之间的空间。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述处理液喷嘴从所述相向构件搬运机构向下方突出，从所述被保持部的上部开口插入，来自所述气体供给部的气体经由所述相向构件搬运机构从所述被保持部的所述上部开口供给至所述被保持部内。

本发明的其他技术方案的基板处理装置具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部，相向构件保持部，保持所述相向构件的所述被保持部，相向构件升降机构，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，处理液喷嘴，位于所述被保持部的内侧，经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，以及相向构件保持部移动机构，使所述相向构件保持部在所述相向构件的上方的保持位置与所述相向构件的周围的退避位置之间移动；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件保持部保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转；所述被保持部具有：圆筒状的凸缘连接部，以所述中心轴为中心，以及相向构件凸缘部，从所述凸缘连接部的上端部向径向外方延展；所述相向构件保持部具有：第一凸缘支撑部，从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分，第二凸缘支撑部，位于隔着所述凸缘连接部的所述第一凸缘支撑部的相反侧，该第二凸缘支撑部从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分，以及保持部主体，安装有所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部；在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，通过使所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部水平地移动，使所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部向径向外方远离所述相向构件凸缘部，并将所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部配置于所述相向构件凸缘部的下方。这样，能够利用简单的结构保持相向构件，并且利用简单的结构使相向构件保持部在保持位置与退避位置之间移动。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部固定于所述保持部主体，

通过所述相向构件保持部移动机构使所述保持部主体水平地旋转，所述相向构件保持部在所述保持位置与所述退避位置之间移动，

通过所述保持部主体进行旋转，所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部向径向外方远离所述相向构件凸缘部，并将所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部配置于所述相向构件凸缘部的下方。

本发明的其他基板处理装置具有：基板保持部，保持水平状态的基板，

相向构件，与所述基板的上表面相向，处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转，相向构件容置部，能够容置所述相向构件，以及相向构件搬运机构，保持所述相向构件，在所述上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，并且，在所述基板保持部的上方与所述相向构件容置部之间搬运所述相向构件；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转，所述相向构件被所述相向构件搬运机构从所述基板保持部的上方搬运，并搬入所述相向构件容置部，容置于所述相向构件容置部的其他相向构件被所述相向构件搬运机构取出，并搬运至所述基板保持部的上方。这样，能够更换使用相向构件。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述相向构件以及所述其他相向构件的种类彼此不同。

上述的目的以及其他目的、特征、形态以及优点可以通过参照附图在下文进行的本发明的详细说明中明确。

附图说明

图1是第一实施方式的基板处理装置的俯视图。

图2是基板处理装置的剖视图。

图3是放大示出相向构件保持部的顶端部附近的立体图。

图4是基板处理装置的剖视图。

图5是基板处理装置的俯视图。

图6是示出气液供给部的框图。

图7是第一处理液喷嘴的局部剖视图。

图8是基板处理装置的剖视图。

图9是基板处理装置的剖视图。

图10是第一处理液喷嘴附近的剖视图。

图11是基板处理装置的俯视图。

图12A是示出基板处理流程的图。

图12B是示出基板处理流程的图。

图13是第二实施方式的基板处理装置的俯视图。

图14是基板处理装置的俯视图。

图15是第三实施方式的基板处理装置的俯视图。

图16是基板处理装置的剖视图。

图17是基板处理装置的剖视图。

图18是第一处理液喷嘴附近的剖视图。

图19是基板处理装置的俯视图。

图20A是示出基板处理流程的图。

图20B是示出基板处理流程的图。

图21是示出相向构件保持部的其他例子的基板处理装置的俯视图。

图22是第四实施方式的基板处理系统的俯视图。

图23是基板处理系统的剖视图。

图24是处理单元的俯视图。

图25是示出处理单元的一部分的俯视图。

图26是示出处理单元的一部分的剖视图。

图27是放大示出相向构件保持部的顶端部附近的立体图。

图28是示出处理单元的一部分的剖视图。

图29是相向构件容置部的侧视图。

图30是示出处理单元的一部分的俯视图。

图31是示出处理单元的一部分的剖视图。

图32是示出气液供给部的框图。

图33是示出处理单元的一部分的剖视图。

图34是示出处理单元的一部分的俯视图。

图35A是示出基板处理流程的图。

图35B是示出基板处理流程的图。

图35C是示出基板处理流程的图。

图36是示出处理单元的一部分的剖视图。

图37是第五实施方式的基板处理系统的处理单元的俯视图。

图38是示出处理单元的一部分的俯视图。

图39是示出处理单元的一部分的俯视图。

图40是处理单元的俯视图。

图41是第六实施方式的基板处理系统的俯视图。

图42是基板处理系统的剖视图。

图43是示出处理单元的一部分的剖视图。

图44是示出相向构件保持部的其他例子的处理单元的一部分的俯视图。

附图标记说明如下：

1、1a、1b 基板处理装置

9 基板

10、10a 基板处理系统

11 机壳

21 控制部

31 基板保持部

33 基板旋转机构

43 喷嘴移动机构

44 喷嘴清洗部

45 气体供给部

51、51a、51b 顶板

53、53a、53b 相向构件保持部

54、54a 迷宫式密封部(labyrinth)

55 相向构件升降机构

57 相向构件保持部移动机构

58 移动限制部

65 手部驱动机构

66 共用空间

67 相向构件搬运手部

81、81a、81b 相向构件容置部

82 容置部

84 相向构件清洗机构

90 处理空间

91 (基板的)上表面

411、411a 第一处理液喷嘴

413 第一处理液供给部

414 喷嘴凸缘部

415 喷嘴主体

421、421a 第二处理液喷嘴

418、423 第二处理液供给部

423a 第三处理液供给部

511 相向构件主体

512 被保持部

514 相向构件开口

515 凸缘连接部

516 相向构件凸缘部

517 (被保持部的)上部开口

518 间隙

530 支撑部移动机构

531 保持部主体

532 第一凸缘支撑部

534 第二凸缘支撑部

537 贯通孔

J1 中心轴

S11～S26、S31～S44、S51～S80 步骤

具体实施方式

图1是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置1的俯视图。图2是在图1中的II-II的位置处剖切基板处理装置1时的剖视图。基板处理装置1是一张一张地处理半导体基板9(以下，简称为“基板9”)的单张式装置。基板处理装置1容置于作为装置容置室的机壳11内。在图1中用虚线示出机壳11。

基板处理装置1具有控制部21、基板保持部31、基板旋转机构33、杯部37、第一处理液喷嘴411、第二处理液喷嘴421、喷嘴移动机构43、喷嘴清洗部44、顶板51、相向构件保持部53、相向构件升降机构55和相向构件保持部移动机构57。控制部21控制基板旋转机构33、喷嘴移动机构43、喷嘴清洗部44、相向构件升降机构55、相向构件保持部移动机构57以及后述的第一处理液供给部413、第二处理液供给部423以及气体供给部45等结构。在图2以及以后的图中省略控制部21的图示。

在图1中，在俯视观察时，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421远离顶板51，分别位于顶板51的周围的退避位置。在以下的说明中，在不需要区分第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的情况下，将第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421统一地仅称为“处理液喷嘴”，或者，将第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421中的任一者称为“处理液喷嘴”。

基板保持部31以水平状态来保持基板9。基板保持部31具有基台部311、多个卡盘312、多个卡合部313。基台部311是以朝向上下方向的中心轴J1为中心的大致圆板状的构件。基板9配置于基台部311的上方。多个卡盘312以中心轴J1为中心以大致等角度间隔沿着圆周方向配置于基台部311的上表面的外周部。基板保持部31利用多个卡盘312来保持基板9的外缘部。多个卡合部313以中心轴J1为中心并以大致等角度间隔沿着圆周方向配置于基台部311的上表面的外周部。多个卡合部313配置于多个卡盘312的径向外侧。基板旋转机构33配置于基板保持部31的下方。基板旋转机构33使基板9与基板保持部31一起以中心轴J1为中心进行旋转。

杯部37是以中心轴J1为中心的环状的构件，且配置于基板9以及基板保持部31的径向外侧。杯部37绕整周覆盖基板9以及基板保持部31的周围，接受从基板9向周围飞溅的处理液等。在杯部37的底部设有省略图示的排放口。被杯部37接受的处理液等经由该排放口排放至机壳11的外部。另外，杯部37内的气体经由该排放口排放至机壳11的外部。

俯视观察，顶板51是大致圆形的构件。顶板51是与基板9的上表面91相向的相向构件，是遮挡基板9的上方的遮挡板。顶板51具有相向构件主体511、被保持部512和多个卡合部513。相向构件主体511是以中心轴J1为中心的大致圆板状的构件。相向构件主体511与基板9的上表面91相向。在相向构件主体511的中央部设有相向构件开口514。例如，俯视观察，相向构件开口514是大致圆形的。相向构件开口514的直径远小于基板9的直径。多个卡合部513以中心轴J1为中心并以大致等角度间隔，沿着圆周方向配置于相向构件主体511的下表面的外周部。

被保持部512是从相向构件主体511的相向构件开口514的周围向上方突出的筒状的部位。被保持部512具有凸缘连接部515和相向构件凸缘部516。凸缘连接部515是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。凸缘连接部515在相向构件开口514的边缘附近与相向构件主体511连接。相向构件凸缘部516从凸缘连接部515的上端部向径向外方延展。例如，相向构件凸缘部516是以中心轴J1为中心的大致圆环板状。

相向构件保持部53保持顶板51的被保持部512。相向构件保持部53具有保持部主体531、第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534和第二连接部535。保持部主体531是大致水平地延伸的棒状的臂部。保持部主体531的基部(即图2中的右侧的端部)与相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57连接。在基板处理装置1中，由相向构件保持部53、相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57构成搬运顶板51的相向构件搬运机构。相向构件搬运机构也可以具有其他结构。

在保持部主体531的内部设有遍及保持部主体531的大致整个长度的保持部内部空间536。在保持部主体531的顶端部的下表面设有与保持部内部空间536连通的开口537a。开口537a设于顶板51的被保持部512的上方。

第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534以及第二连接部535安装于保持部主体531的顶端部。第一凸缘支撑部532以及第一连接部533位于保持部主体531的顶端附近，第二凸缘支撑部534以及第二连接部535配置于第一凸缘支撑部532以及第一连接部533与保持部主体531的基部之间。第二凸缘支撑部534隔着顶板51的凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧。

图3是放大示出相向构件保持部53的顶端部附近的立体图。在图3中省略保持部主体531以及相向构件主体511的图示。如图1～图3所示，第一连接部533以及第二连接部535分别是从保持部主体531的下表面向下方延展的大致平板状的部位。第一连接部533以及第二连接部535分别向与保持部主体531的长边方向大致垂直的方向延展。第一凸缘支撑部532是从第一连接部533的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第一凸缘支撑部532从第一连接部533向保持部主体531的基部侧延展。第二凸缘支撑部534是从第二连接部535的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第二凸缘支撑部534从第二连接部535向保持部主体531的顶端侧延展。

在保持部主体531的长边方向上的第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间的距离小于顶板51的相向构件凸缘部516的外径，且大于凸缘连接部515的外径。在保持部主体531的长边方向上的第一连接部533与第二连接部535之间的距离大于相向构件凸缘部516的外径。如图1以及图2所示，开口537a在保持部主体531的长边方向上位于第一连接部533与第二连接部535之间。

在图1所示的例子中，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534经由第一连接部533以及第二连接部535固定于保持部主体531上。换言之，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534是相向构件保持部53的不可动部，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534相对于保持部主体531的相对位置不变。

在顶板51位于图2所示的位置的状态下，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分别从下侧接触支撑顶板51的相向构件凸缘部516的一部分。这样，顶板51由相向构件保持部53悬挂于基板9以及基板保持部31的上方。在以下的说明中，将图2所示的顶板51的上下方向的位置称为“第一位置”。顶板51在第一位置由相向构件保持部53保持并向上方离开基板保持部31。

在第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534上设有限制顶板51错位(即顶板51的移动以及旋转)的移动限制部(省略图示)。例如，移动限制部包含从第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的上表面向上方突出的突起部和设于相向构件凸缘部516且被该突起部插入的贯通孔。或者，例如，移动限制部包含从第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的上表面向上方突出并与相向构件凸缘部516的外缘接触的突起部。在后述的基板处理装置1a中也是同样的。

相向构件升降机构55使顶板51与相向构件保持部53一起在上下方向上移动。图4是示出顶板51从图2所示的第一位置下降的状态的剖视图。在以下的说明中，将图4所示的顶板51的上下方向上的位置称为“第二位置”。即，相向构件升降机构55使顶板51在上下方向上在第一位置与第二位置之间移动。第二位置是第一位置的下方的位置。换言之，第二位置是顶板51在上下方向上比第一位置更接近基板保持部31的位置。

在顶板51位于第二位置的状态下，顶板51的多个卡合部513分别与基板保持部31的多个卡合部313卡合。多个卡合部513被多个卡合部313从下方支撑。例如，卡合部313是在大致平行于上下方向的销，卡合部313的上端部与朝上地形成于卡合部513的下端部的凹部嵌合。另外，顶板51的相向构件凸缘部516向上方与相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分离。这样，顶板51在第二位置被基板保持部31保持并与相向构件保持部53分离(即处于与相向构件保持部53不接触的状态。)。当在顶板51位于第二位置的状态下驱动基板旋转机构33时，顶板51与基板保持部31一起旋转。

在顶板51位于第二位置的状态下，即，在相向构件凸缘部516在上方与第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分离的状态下，相向构件保持部53处于能够水平移动的状态。相向构件保持部移动机构57使处于能够水平移动的状态的相向构件保持部53水平地移动。在图1所示的例子中，在第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于各自的退避位置的状态下，相向构件保持部53进行移动。通过相向构件保持部移动机构57使保持部主体531水平旋转，相向构件保持部53水平地移动。

如图1以及图2所示，喷嘴移动机构43具有第一喷嘴升降机构431、第一喷嘴旋转机构432、第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434。第一处理液喷嘴411与从第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432向水平方向延伸的第一臂部412的顶端部连接。第一喷嘴升降机构431使第一处理液喷嘴411与第一臂部412一起在上下方向上移动。第一喷嘴旋转机构432使第一处理液喷嘴411与第一臂部412一起水平地旋转。

如图1所示，第二处理液喷嘴421与从第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434向水平方向延伸的第二臂部422的顶端部连接。第二喷嘴升降机构433使第二处理液喷嘴421与第二臂部422一起在上下方向上移动。第二喷嘴旋转机构434使第二处理液喷嘴421与第二臂部422一起水平地旋转。

图5是示出基板处理装置1的俯视图。相向构件保持部53通过通过相向构件保持部移动机构57在图1所示的顶板51的上方的位置与图5所示的顶板51的周围的位置(即避开顶板51的上方的位置)之间移动。在以下的说明中，将图1所示的相向构件保持部53在俯视图中的位置称为“保持位置”。另外，将图5所示的相向构件保持部53在俯视图中的位置称为“退避位置”。

在基板处理装置1中，通过在顶板51位于第二位置的状态下，保持部主体531通过相向构件保持部移动机构57旋转，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534水平地移动。这样，位于保持位置的相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外侧与相向构件凸缘部516以及凸缘连接部515分离并移动至退避位置。另外，位于退避位置的相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持位置移动并配置于相向构件凸缘部516的下方。

图6是示出基板处理装置1中的供给气体以及处理液的气液供给部4的框图。气液供给部4具有第一处理液喷嘴411、第二处理液喷嘴421、第一处理液供给部413、第二处理液供给部423和气体供给部45。第一处理液供给部413与第一处理液喷嘴411连接。如后文所述，在第一处理液喷嘴411位于基板9的上方的状态下，第一处理液供给部413经由第一处理液喷嘴411向基板9的上表面91供给第一处理液。第二处理液供给部423与第二处理液喷嘴421连接。如后文所述，在第二处理液喷嘴421位于基板9的上方的状态下，第二处理液供给部423经由第二处理液喷嘴421向基板9的上表面91供给第二处理液。气体供给部45与相向构件保持部53连接，向相向构件保持部53的保持部内部空间536供给气体。气体供给部45还与第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421连接，向第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421供给气体。

在基板处理装置1中，利用各种种类的液体作为第一处理液以及第二处理液。第一处理液以及第二处理液例如可以分别是用于对基板9进行药液处理的药液(例如，聚合物去除液、氢氟酸、四甲基氢氧化铵水溶液等刻蚀液)。第一处理液以及第二处理液例如也可以分别是用于对基板9进行清洗处理的纯水(DIW：deionized water，去离子水)、苏打水等清洗液。第一处理液以及第二处理液例如还可以分别是为了置换基板9上的液体而供给的异丙醇(IPA)。第一处理液与第二处理液优选是不同种类的液体。从气体供给部45供给的气体例如是氮气(N₂)等非活性气体。也可以从气体供给部45供给除了非活性气体以外的各种各样的气体。

图7是放大示出第一处理液喷嘴411的局部的剖视图。第一处理液喷嘴411是例如由PFA(四氯乙烯、全氟烷基乙烯基醚共聚物)形成的。在第一处理液喷嘴411的内部设有处理液流路416和两个气体流路417。处理液流路416与图6所示的第一处理液供给部413连接。两个气体流路417与图6所示的气体供给部45连接。

从第一处理液供给部413供给至处理液流路416的第一处理液从设于第一处理液喷嘴411的下端面的喷出口416a向下方喷出。从气体供给部45供给至中央的气体流路417(图中的右侧的气体流路417)的非活性气体从设于第一处理液喷嘴411的下端面的下表面喷射口417a向下方供给(例如喷射)。从气体供给部45供给至外周部的气体流路417的非活性气体从设于第一处理液喷嘴411的外侧面的多个侧面喷射口417b、417c、417d向周围供给。

多个侧面喷射口417b沿着圆周方向以隔开大致等角度间隔的方式排列。多个侧面喷射口417b与从外周部的气体流路417的下端部沿着圆周方向延伸的圆周状流路连接。多个侧面喷射口417c在多个侧面喷射口417b的上方沿着圆周方向以隔开大致等角度间隔的方式排列。多个侧面喷射口417c与从该气体流路417沿着圆周方向延伸的圆周状流路连接。多个侧面喷射口417d在多个侧面喷射口417c的上方沿着圆周方向以隔开大致等角度间隔的方式排列。多个侧面喷射口417d与从该气体流路417沿着圆周方向延伸的圆周状流路连接。在第一处理液喷嘴411中，也可以设有其他气体流路417，在该其他气体流路417上连接有侧面喷射口417c和/或侧面喷射口417d。

从气体供给部45(参照图6)供给的非活性气体从多个侧面喷射口417b向斜下方供给(例如喷射)，从多个侧面喷射口417c向斜上方供给(例如喷射)。另外，从气体供给部45供给的非活性气体从多个侧面喷射口417d大致水平地供给(例如喷射)。

此外，侧面喷射口417b、417c、417d也可以各自仅设置一个。第二处理液喷嘴421的结构与图7所示的第一处理液喷嘴411的结构是同样的。第二处理液喷嘴421从设于下端面的喷出口喷出第二处理液。

图8是示出基板处理装置1的剖视图。在图8中示出顶板51在第二位置被基板保持部31保持的状态。另外，相向构件保持部53通过相向构件保持部移动机构57从保持位置退避至退避位置。如图5以及图8所示，在相向构件保持部53退避的状态下，第一处理液喷嘴411通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从退避位置移动，从顶板51的被保持部512的上部开口517插入被保持部512。第一处理液喷嘴411位于被保持部512的内侧。换言之，第一处理液喷嘴411的外侧面与被保持部512的内侧面在径向上相向。在以下的说明中，将图8所示的第一处理液喷嘴411的位置称为“供给位置”(第二处理液喷嘴421也是同样的)。在图8所示的例子中，位于供给位置的第一处理液喷嘴411的顶端(即下端)位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第一处理液喷嘴411的顶端在上下方向上也可以位于与相向构件开口514的下端缘相同的位置。

从第一处理液供给部413(参照图6)供给的第一处理液从第一处理液喷嘴411的喷出口416a(参照图7)经由相向构件开口514向基板9的上表面91喷出。另外，从气体供给部45(参照图6)供给的非活性气体的一部分从第一处理液喷嘴411的下表面喷射口417a(参照图7)经由相向构件开口514供给至顶板51与基板9之间的空间90(以下，称为“处理空间90”。)。

如图9所示，在基板处理装置1中，第一处理液喷嘴411也可以从相向构件主体511的相向构件开口514向下方突出。换言之，第一处理液喷嘴411的顶端位于相向构件开口514的下端缘的下方。从气体供给部45供给的非活性气体的一部分在第一处理液喷嘴411内经由相向构件开口514向下方流动，从第一处理液喷嘴411的下表面喷射口417a供给至处理空间90。从第一处理液供给部413供给的第一处理液在第一处理液喷嘴411内经由相向构件开口514向下方流动，从第一处理液喷嘴411的喷出口416a向基板9的上表面91喷出。在以下的说明中，第一处理液经由相向构件开口514供给的情况不仅包括从第一处理液喷嘴411喷出的第一处理液在相向构件开口514的上方经过相向构件开口514的状态，如图9所示，也包括经由插入相向构件开口514的第一处理液喷嘴411喷出第一处理液的状态。后述的第二处理液喷嘴421以及第二处理液也是同样的。

图10是放大示出图8中的第一处理液喷嘴411以及其附近的剖视图。在图10中，顶板51位于第二位置。第一处理液喷嘴411具有喷嘴主体415和喷嘴凸缘部414。喷嘴主体415是大致圆柱状的，被插入被保持部512的凸缘连接部515。喷嘴凸缘部414与喷嘴主体415的上端部连接。喷嘴凸缘部414是从喷嘴主体415的上部向径向外侧延展的大致圆板状的部位。喷嘴凸缘部414与相向构件凸缘部516的上表面相向。

在图10所示的例子中，在相向构件凸缘部516的上表面与喷嘴凸缘部414的下表面之间形成迷宫式密封部54。详细地，由从相向构件凸缘部516的上表面向上方突出的第一突出部541和从位于供给位置的第一处理液喷嘴411的喷嘴凸缘部414的下表面向下方突出的两个第二突出部543，在整个圆周方向上形成迷宫式密封部54。第一突出部541以及两个第二突出部543是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，它们的直径彼此不同。第一突出部541的直径大于内侧的第二突出部543的直径，小于外侧的第二突出部543的直径。第一突出部541的上端位于两个第二突出部543的下端的上方。当位于第二位置的顶板51与基板保持部31一起旋转时，两个第二突出部543不旋转，第一突出部541在两个第二突出部543之间旋转。

在第一处理液喷嘴411位于供给位置的状态下，各侧面喷射口417b、417c与凸缘连接部515的内侧面在径向上相向。从气体供给部45供给至第一处理液喷嘴411的非活性气体的一部分是从第一处理液喷嘴411的外侧面的多个侧面喷射口417b以及多个侧面喷射口417c供给至被保持部512的内侧面与第一处理液喷嘴411的外侧面之间的间隙518。在间隙518中，来自气体供给部45的非活性气体从第一处理液喷嘴411的外侧面向斜下方以及斜上方供给。从侧面喷射口417b向斜下方供给的非活性气体在间隙518中向下方流动，供给至处理空间90。从侧面喷射口417c向斜上方供给的非活性气体在间隙518中向上方流动，到达被保持部512的上部开口517。

另外，各侧面喷射口417d在相向构件凸缘部516的上方与迷宫式密封部54在径向上相向。从气体供给部45供给至第一处理液喷嘴411的非活性气体的一部分从第一处理液喷嘴411的外侧面的多个侧面喷射口417d大致水平地向迷宫式密封部54供给。从侧面喷射口417d水平地供给的非活性气体与从侧面喷射口417c供给并到达上部开口517的非活性气体一起，经由迷宫式密封部54向迷宫式密封部54的圆周方向外侧流动。在第二处理液喷嘴421位于供给位置的状态下也是同样的。

图11是示出基板处理装置1的俯视图。在图11中，第一处理液喷嘴411通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从图5所示的顶板51的上方的供给位置移动达到图11所示的与顶板51的上方分离的顶板51的周围的退避位置。另外，第二处理液喷嘴421利用第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434从图5所示的顶板51的周围的退避位置移动，到达图11所示的顶板51的上方的供给位置。第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的退避位置是也包含如下特定空间(即退避空间)的概念，该特定空间具有允许第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421在该退避位置上摆动的宽度。

第二处理液喷嘴421与图10所示的第一处理液喷嘴411同样，在上述的供给位置从顶板51的被保持部512的上部开口517插入被保持部512的内侧。另外，第二处理液喷嘴421的顶端(即下端)与图10所示的第一处理液喷嘴411同样，在上述的供给位置位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第二处理液喷嘴421的顶端也可以在上下方向上与相向构件开口514的下端缘位于相同位置。

详细地，图5以及图11所示的第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的供给位置是顶板51的相向构件开口514的上方的位置。另外，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421各自的退避位置是基板保持部31的周围的位置。喷嘴移动机构43使第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421各自独立地在供给位置与各自的退避位置之间移动。

如图11所示，喷嘴清洗部44具有第一清洗部441和第二清洗部442。第一清洗部441设于第一处理液喷嘴411的退避位置附近。第一清洗部441清洗位于退避位置的第一处理液喷嘴411。例如，第一清洗部441通过向第一处理液喷嘴411供给纯水等清洗液来清洗第一处理液喷嘴411。第二清洗部442设于第二处理液喷嘴421的退避位置附近。第二清洗部442清洗位于图1所示的退避位置的第二处理液喷嘴421。例如，第二清洗部442通过向第二处理液喷嘴421供给纯水等清洗液来清洗第二处理液喷嘴421。例如，第一清洗部441以及第二清洗部442还对清洗结束后的第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421进行干燥。当清洗以及干燥第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421时，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421也可以在退避位置(即退避空间)摆动。

以下，参照图12A以及图12B，说明基板处理装置1的基板9的处理流程的一个例子。首先，在顶板51位于图2所示的第一位置的状态下，将基板9搬入机壳11内并被基板保持部31保持(步骤S11)。此时，顶板51被相向构件保持部53保持，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于各自的退避位置。

接下来，通过控制部21(参照图1)控制相向构件升降机构55，相向构件保持部53向下方移动。这样，顶板51从第一位置向下方移动至第二位置，如图4所示，顶板51被基板保持部31保持(步骤S12)。从气体供给部45供给至相向构件保持部53的保持部内部空间536的非活性气体经由被保持部512的上部开口517向下方流动，经由相向构件开口514供给至处理空间90。

在步骤S12中，相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534在下方与顶板51的相向构件凸缘部516分离。在这种状态下，通过控制部21控制相向构件保持部移动机构57，相向构件保持部53水平地旋转。这样，相向构件保持部53从顶板51的上方的保持位置退避，移动至上述的退避位置(步骤S13)。

接着，在相向构件保持部53退避至退避位置的状态下，通过控制部21控制第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432，使第一处理液喷嘴411从退避位置移动到供给位置(步骤S14)。如图8以及图10所示，第一处理液喷嘴411从顶板51的被保持部512的上部开口517插入，位于被保持部512的内侧。

当第一处理液喷嘴411位于供给位置时，通过控制部21来控制气体供给部45，将非活性气体从第一处理液喷嘴411的下表面喷射口417a供给至处理空间90。另外，将非活性气体从第一处理液喷嘴411的侧面喷射口417b、417c供给至顶板51的被保持部512的内侧面与第一处理液喷嘴411的外侧面之间的间隙518。而且，将非活性气体从第一处理液喷嘴411的侧面喷射口417d向相向构件凸缘部516的上表面与喷嘴凸缘部414的下表面之间的迷宫式密封部54供给。

另外，通过控制部21来控制基板旋转机构33，开始旋转基板保持部31、基板9以及顶板51(步骤S15)。在步骤S15以后也继续从第一处理液喷嘴411供给非活性气体。此外，也可以在第一处理液喷嘴411向供给位置移动(步骤S14)之前就开始旋转顶板51等(步骤S15)。例如，步骤S15也可以在步骤S12与步骤S13之间进行。在这种情况下，在步骤S13中，相向构件保持部53远离正在旋转的顶板51并移动至退避位置。

然后，在第一处理液喷嘴411位于供给位置的状态下，利用第一处理液供给部413从第一处理液喷嘴411经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514向正在旋转的基板9的上表面91的中央部供给将第一处理液(步骤S16)。从位于供给位置的第一处理液喷嘴411供给至基板9的中央部的第一处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，被施加至基板9的整个上表面91。第一处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，并由杯部37接受。第一处理液供给规定时间，利用第一处理液的基板9的处理结束。

第一处理液例如是聚合物去除液和刻蚀液等药液，在步骤S16，对基板9进行药液处理。此外，也可以在开始旋转基板9(步骤S15)之前供给第一处理液(步骤S16)。在这种情况下，将第一处理液在静止状态的基板9的整个上表面91推开(浸液)，通过第一处理液的推开处理。在后述的步骤S54、S55中也是同样的。

当利用第一处理液对基板9的处理结束时，停止从第一处理液喷嘴411供给第一处理液。然后，第一处理液喷嘴411通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从供给位置移动至退避位置(步骤S17)。

在基板处理装置1中，通过控制部21来控制第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434，第二处理液喷嘴421从退避位置移动至供给位置(步骤S18)。如图11所示，在相向构件保持部53退避至退避位置的状态下，第二处理液喷嘴421从顶板51的被保持部512的上部开口517插入，位于被保持部512的内侧。优选地，第二处理液喷嘴421的移动(步骤S18)与第一处理液喷嘴411的移动(步骤S17)并行进行。此外，步骤S18也可以在步骤S17结束后进行。

当第二处理液喷嘴421位于供给位置时，来自气体供给部45的非活性气体从第二处理液喷嘴421的下表面喷射口供给至处理空间90。另外，该非活性气体从第二处理液喷嘴421的外侧面的侧面喷射口供给至间隙518以及迷宫式密封部54。

接下来，通过控制部21来控制第二处理液供给部423，在第二处理液喷嘴421位于供给位置的状态下，从第二处理液喷嘴421经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514向正在旋转的基板9的上表面91的中央部供给第二处理液(步骤S19)。从位于供给位置的第二处理液喷嘴421供给至基板9的中央部的第二处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及基板9的整个上表面91。第二处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。第二处理液供给规定时间，利用第二处理液的基板9的处理结束。第二处理液例如是纯水、苏打水等清洗液，在步骤S19中，对基板9进行清洗处理。

在基板处理装置1中，与第二处理液喷嘴421的移动(步骤S18)或者第二处理液的供给(步骤S19)并行地利用第一清洗部441对位于退避位置的第一处理液喷嘴411进行清洗(步骤S20)。

当利用第二处理液对基板9的处理结束时，停止从第二处理液喷嘴421供给第二处理液。维持基板9的旋转，对基板9进行干燥处理。干燥处理时的基板9的旋转速度比在步骤S19中利用第二处理液处理基板9时的旋转速度更快。另外，利用第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434，使第二处理液喷嘴421从供给位置移动至退避位置(步骤S21)。然后，利用第二清洗部442清洗位于退避位置的第二处理液喷嘴421(步骤S22)。

另外，利用相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53水平地旋转，从退避位置移动至保持位置(步骤S23)。此时，相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534在第二位置，在下方与正在旋转的顶板51的相向构件凸缘部516分离。

接下来，停止通过基板旋转机构33使基板保持部31、基板9以及顶板51旋转(步骤S24)。接着，通过相向构件升降机构55使相向构件保持部53向上方移动，顶板51从第二位置向上方移动至第一位置(步骤S25)。顶板51在上方与基板保持部31分离并被相向构件保持部53保持。然后，将基板9从机壳11中搬出(步骤S26)。

步骤S23～S26也可以在步骤S22结束后进行。或者，步骤S22也可以与步骤S23～S26中任一个或者其中的多个并行进行。步骤S20例如也可以与步骤S22并行进行。步骤S23只要在步骤S21之后且在步骤S25之前进行即可。例如，步骤S23也可以在步骤S24之后，即，在顶板51等停止旋转后进行。

如上所述，在顶板51位于第二位置时，利用第一处理液以及第二处理液处理基板9，在顶板51位于第一位置时，搬入搬出基板9。因此，可以将上述第一位置以及第二位置分别理解为“非处理位置”以及“处理位置”。

在基板处理装置1中，对多个基板9依次进行上述的步骤S11～S26来处理多个基板9。此外，步骤S22可以在步骤S26结束后且搬入下一张基板9之前进行，也可以与对下一张基板9进行的步骤S11～S17并行进行。或者，步骤S22还可以在对下一张基板9进行的步骤S17与步骤S18之间进行。

如以上说明的那样，在基板处理装置1中，顶板51在第一位置由相向构件保持部53保持，并且，在上方远离基板保持部31。另外，顶板51在第二位置被基板保持部31保持，通过基板旋转机构33与基板保持部31一起旋转。气体供给部45向顶板51与基板9之间的处理空间90供给气体。这样，能够使处理空间90变为期望的气体环境，在该气环境体中处理基板9。例如，在向处理空间90供给非活性气体的情况下，能够在非活性气体环境(即低氧环境)中处理基板9。

在基板处理装置1中，另外，利用气体供给部45向间隙518供给气体，该间隙518是顶板51的被保持部512的内侧面与位于被保持部512的内侧的处理液喷嘴(即位于供给位置的第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421)的外侧面之间的间隙。因此，能够利用该气体密封顶板51与静止状态的处理液喷嘴之间的间隙518，该顶板51与基板9一起旋转。这样，能够抑制外部气体(即处理空间90的周围的气体环境)从顶板51与处理液喷嘴之间的间隙518进入处理空间90。因此，能够将处理空间90维持为期望的气体环境，便于在该气体环境中对基板9进行处理。上述的“外部气体”表示机壳11内的处理空间90周围的气体环境，即，表示顶板51以及基板保持部31周围的气体环境。在以下的说明中也是同样的。

如上所述，在基板处理装置1中，在从第一处理液喷嘴411向基板9供给第一处理液的期间(步骤S16)，从第一处理液喷嘴411供给来自气体供给部45的气体；在从第二处理液喷嘴421向基板9供给第二处理液的期间(步骤S19)，从第二处理液喷嘴421供给来自气体供给部45的气体。这样，能够简化以与利用第一处理液以及第二处理液处理基板9并行的方式向处理空间90供给来自气体供给部45的气体的结构。

在基板处理装置1中设有相向构件保持部移动机构57，该相向构件保持部移动机构57在顶板51位于第二位置的状态下，使相向构件保持部53从顶板51的上方退避。在基板处理装置1中，当顶板51旋转时，由于相向构件保持部53从顶板51的上方退避，所以能够抑制相向构件保持部53在顶板51的上方搅乱气流。另外，能够提高顶板51的上表面的形状和向该上表面追加结构的配置的自由度。

进一步地，在基板处理装置1中，在相向构件保持部53退避的状态下，处理液喷嘴(即第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421)从被保持部512的上部开口517插入内侧，将来自气体供给部45的气体从处理液喷嘴的外侧面直接地供给至间隙518。这样，能够使得容易向间隙518供给气体。此外，也可以省略从气体供给部45经由相向构件保持部53的气体的供给。在这种情况下，相向构件保持部53也可以是例如大致实心的构件。这样，能够简化相向构件保持部53的结构。

来自气体供给部45的气体从位于供给位置的处理液喷嘴(即插入被保持部512的第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421)的外侧面向斜上方以及斜下方供给。这样，能够进一步地抑制外部气体从被保持部512的上部开口517进入间隙518。

在基板处理装置1中，在相向构件凸缘部516的上表面与喷嘴凸缘部414的下表面之间形成有迷宫式密封部54。这样，能够抑制被保持部512附近的外部气体，即相向构件凸缘部516的下侧以及凸缘连接部515的径向外侧的外部气体从相向构件凸缘部516与喷嘴凸缘部414之间经由被保持部512的上部开口517进入间隙518以及处理空间90。而且，来自气体供给部45的气体从处理液喷嘴的外侧面供给至迷宫式密封部54，由此能够更进一步地抑制外部气体从相向构件凸缘部516与喷嘴凸缘部414之间进入间隙518。

在基板处理装置1中，通过控制部21的控制，在第一处理液喷嘴411位于供给位置的状态下，将第一处理液经由相向构件开口514供给至基板9，第一处理液喷嘴411从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴421从退避位置移动至供给位置，第二处理液经由相向构件开口514供给至基板9。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液混合。另外，由于能够使第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421从供给位置退避，所以即使处理液附着于顶板51的被保持部512的内侧面等，也能够容易地去除该处理液。

第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421在供给位置从被保持部512的上部开口517插入被保持部512的内侧，该上部开口517从相向构件开口514的周围向上方突出。这样，能够抑制外部气体经由相向构件开口514进入处理空间90。因此，能够将处理空间90维持为期望的气体环境，容易对基板9在该气体环境中进行处理。

第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的顶端在供给位置位于相向构件开口514的下端缘的上方，或者，在上下方向上位于与该下端缘相同的位置。这样，能够抑制从第一处理液喷嘴411供给的第一处理液在基板9弹回等而附着于第一处理液喷嘴411的顶端部。同样地，能够抑制从第二处理液喷嘴421供给的第二处理液在基板9上弹回等而附着于第二处理液喷嘴421的顶端部。

在基板处理装置1中，相向构件保持部53具有第一凸缘支撑部532、隔着凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧的第二凸缘支撑部534和安装有第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的保持部主体531。第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分别从下侧接触支撑位于第一位置的顶板51的相向构件凸缘部516的一部分。在顶板51位于第二位置的状态下，水平地移动第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534，使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516，另外它们配置于相向构件凸缘部516的下方。

这样，在基板处理装置1中，无论位于第二位置的顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够利用简单的结构容易地使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534远离相向构件凸缘部516，将相向构件保持部53移动至退避位置。另外，无论顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够利用简单的结构将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534容易地插入相向构件凸缘部516的下方，将相向构件保持部53移动至保持位置。即，基板处理装置1能够利用简单的结构保持顶板51，并且，无论顶板51的状态如何，都能够利用简单的结构使相向构件保持部53在保持位置与退避位置之间移动。

如上所述，在基板处理装置1中，相向构件保持部53从退避位置向保持位置的移动(步骤S23)是在顶板51等停止旋转(步骤S24)之前进行的。如此，通过在顶板51等正在旋转时，将相向构件保持部53移动至保持位置，与在步骤S24之后进行步骤S23的情况相比，能够缩短基板9的处理所需要的时间(即从将基板9搬入基板处理装置1到搬出的时间)。另外，在相向构件保持部53从保持位置向退避位置的移动(步骤S13)是在顶板51等开始旋转(步骤S15)之后进行的情况下，即，在顶板51等正在旋转时将相向构件保持部53移动至退避位置的情况下，与在步骤S15之前进行步骤S13的情况相比，能够缩短基板9的处理所需要的时间。

在基板处理装置1中，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534固定于保持部主体531上。而且，通过相向构件保持部移动机构57水平地旋转保持部主体531，相向构件保持部53在保持位置与退避位置之间移动。另外，通过旋转保持部主体531，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516，另外配置于相向构件凸缘部516的下方。这样，能够将相向构件保持部53设置为简单的结构，并且无论顶板51是否旋转，都能够使相向构件保持部53在保持位置与退避位置之间移动。

在基板处理装置1中，利用喷嘴清洗部44清洗位于退避位置的第一处理液喷嘴411。这样，即使在第一处理液喷嘴411上附着有第一处理液等的情况下，也能够去除附着物将第一处理液喷嘴411维持为清洁的状态。因此，当从退避位置向供给位置移动第一处理液喷嘴411时，能够抑制或者防止从第一处理液喷嘴411无意地滴下第一处理液。另外，在第一处理液喷嘴411位于供给位置的状态下，能够抑制或者防止第一处理液无意地滴到基板9上。

在基板处理装置1中，位于退避位置的第二处理液喷嘴421也由喷嘴清洗部44清洗。这样，能够将第二处理液喷嘴421维持为清洁的状态。因此，当移动第二处理液喷嘴421时，或者在第二处理液喷嘴421位于供给位置的状态下，能够抑制或者防止从第二处理液喷嘴421无意地滴下第二处理液。

图13是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置1a的俯视图。在基板处理装置1a中，设置相向构件保持部53a来取代相向构件保持部53，该相向构件保持部53a的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向与图1以及图2所示的相向构件保持部53的不同。在相向构件保持部53a上也设有支撑部移动机构530。基板处理装置1a的其他结构与图1所示的基板处理装置1是同样的，在以下的说明中，对对应的结构标注相同的附图标记。

如图13所示，在相向构件保持部53a中，第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534以及第二连接部535经由支撑部移动机构530安装于保持部主体531的顶端部。第一凸缘支撑部532以及第一连接部533与第二凸缘支撑部534以及第二连接部535位于保持部主体531的长边方向上的大致相同位置。第二凸缘支撑部534隔着顶板51的凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧。

第一连接部533以及第二连接部535分别是从支撑部移动机构530向下方延展的大致平板状的部位。第一连接部533以及第二连接部535分别向与保持部主体531的长边方向大致平行的方向延展。第一凸缘支撑部532是从第一连接部533的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第一凸缘支撑部532从第一连接部533向接近第二凸缘支撑部534的方向延展。第二凸缘支撑部534是从第二连接部535的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第二凸缘支撑部534从第二连接部535向接近第一凸缘支撑部532的方向延展。

与保持部主体531的长边方向垂直的方向(以下，称为“宽度方向”)上的第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间的距离小于顶板51的相向构件凸缘部516的外径，且大于凸缘连接部515的外径。在保持部主体531的宽度方向上的第一连接部533与第二连接部535之间的距离大于相向构件凸缘部516的外径。

支撑部移动机构530使第一连接部533以及第一凸缘支撑部532、第二连接部535以及第二凸缘支撑部534在大致平行于保持部主体531的长边方向的方向上大致水平地移动。即，在相向构件保持部53a中，能够通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534相对于保持部主体531移动。

在基板处理装置1a中，在保持部主体531位于保持位置的状态下，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534从下侧接触位于第一位置的顶板51的相向构件凸缘部516的一部分来支撑顶板51。另外，在保持部主体531位于保持位置，且顶板51位于第二位置的状态下，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持部主体531的基部移动，由此如图14所示，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516。在这种状态下通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53a水平地旋转，由此使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置之间移动。

另外，在基板处理装置1a中，在保持部主体531位于保持位置，且顶板51位于第二位置的状态下，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持部主体531的顶端移动，由此如图13所示，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于相向构件凸缘部516的下方。

在基板处理装置1a中，与图1所示的基板处理装置1同样地，无论位于第二位置的顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534远离相向构件凸缘部516，使相向构件保持部53a移动至退避位置。另外，无论顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够使相向构件保持部53a从退避位置移动至保持位置，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于相向构件凸缘部516的下方。即，在基板处理装置1a中，能够利用简单的结构保持顶板51，并且，无论顶板51的状态如何，都能够利用简单的结构使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置之间移动。如此，基板处理装置1a与图1所示的基板处理装置1同样地，由于能够在顶板51等正在旋转时使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置之间移动，所以能够缩短基板9的处理所需要的时间。

在基板处理装置1a中，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534通过支撑部移动机构530的移动方向并不一定是大致平行于保持部主体531的长边方向的方向。例如，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534也可以通过支撑部移动机构530在与保持部主体531的长边方向大致垂直的方向上水平地移动。在这种情况下，通过使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向彼此远离的方向移动，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516。另外，通过使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向彼此接近的方向移动，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于相向构件凸缘部516的下方。

图15是示出本发明的第三实施方式的基板处理装置1b的俯视图。图16是在图15中的XVI-XVI的位置剖切基板处理装置1b的剖视图。在基板处理装置1b中，相向构件保持部53b具有凸缘支撑部538和连接部539来取代基板处理装置1的第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534以及第二连接部535。另外，基板处理装置1b具有结构不同的第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a来取代第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421。而且，在基板处理装置1b中，省略图1所示的相向构件保持部移动机构57，第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a经由相向构件保持部53b插入顶板51的被保持部512。基板处理装置1b的其他结构与图1以及图2所示的基板处理装置1是同样的，在以下的说明中，对对应的结构标注相同的附图标记。

凸缘支撑部538以及连接部539安装于保持部主体531的顶端部。连接部539是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的部位。连接部539固定于保持部主体531，并从保持部主体531的下表面向下方延展。凸缘支撑部538是以中心轴J1为中心的大致圆环板状的部位。凸缘支撑部538从连接部539的下端部向径向内方延展。凸缘支撑部538的内径小于相向构件凸缘部516的外径。

如图16所示，在顶板51位于第一位置的状态下，凸缘支撑部538从下侧接触支撑顶板51的相向构件凸缘部516的一部分。这样，顶板51由相向构件保持部53b悬挂于基板9以及基板保持部31的上方。换言之，顶板51在第一位置被相向构件保持部53b保持并在上方远离基板保持部31。

在凸缘支撑部538以及相向构件凸缘部516上设有彼此卡合以限制顶板51的错位(即顶板51的移动以及旋转)的移动限制部(省略图示)。例如，移动限制部包含从凸缘支撑部538的上表面向上方突出的突起部和设于相向构件凸缘部516上并被该突起部插入的贯通孔。

在保持部主体531的顶端部设有上下贯通保持部主体531的贯通孔537。贯通孔537与保持部内部空间536连通。在图16所示的例子中，贯通孔537包括设于保持部主体531的上表面以及下表面的两个大致圆形的开口537a。该两个开口537a在俯视观察时重叠。贯通孔537设于顶板51的被保持部512的上方。另外，贯通孔537位于连接部539的径向内侧且位于凸缘支撑部538的内边缘的径向内侧。在图16所示的例子中，第一处理液喷嘴411a经由贯通孔537插入顶板51的被保持部512。

图17是示出在顶板51位于第二位置的状态下的基板处理装置1b的剖视图。当顶板51通过相向构件升降机构55下降而位于第二位置时，顶板51的相向构件凸缘部516在上方远离相向构件保持部53b的凸缘支撑部538。这样，顶板51在第二位置被基板保持部31保持并远离相向构件保持部53b(即处于与相向构件保持部53b不接触的状态)。当在顶板51位于第二位置的状态下驱动基板旋转机构33时，顶板51与基板保持部31一起旋转。

如图17所示，第一处理液喷嘴411a位于顶板51的上方。第一处理液喷嘴411a经由相向构件保持部53b的贯通孔537从相向构件保持部53b的保持部主体531向下方突出，从顶板51的被保持部512的上部开口517插入被保持部512。第一处理液喷嘴411a位于被保持部512的内侧的供给位置。换言之，第一处理液喷嘴411a的外侧面与被保持部512的内侧面在径向上相向。在图17所示的例子中，第一处理液喷嘴411a的顶端(即下端)位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第一处理液喷嘴411a的顶端在上下方向上也可以与相向构件开口514的下端缘位于相同的位置。

图18是放大示出图17中的第一处理液喷嘴411a以及其附近的剖视图。在图18中顶板51也位于第二位置。第一处理液喷嘴411a具有喷嘴主体415和喷嘴凸缘部414。第一处理液喷嘴411a省略了图10所示的第一处理液喷嘴411中的侧面喷射口417c、417d。喷嘴主体415是大致圆柱状，经由相向构件保持部53b的贯通孔537(即两个开口537a)插入被保持部512的凸缘连接部515。喷嘴凸缘部414与喷嘴主体415的上端部连接。喷嘴凸缘部414是从喷嘴主体415的上部向径向外方延展的大致圆板状的部位。喷嘴凸缘部414与相向构件保持部53b的上表面接触来覆盖上侧的开口537a。例如，在喷嘴凸缘部414的下表面与相向构件保持部53b的上表面之间设有O形圈。

在图18所示的例子中，在相向构件凸缘部516的上表面与相向构件保持部53b之间形成有迷宫式密封部54a。详细地，由从相向构件凸缘部516的上表面向上方突出的第一突出部541和从相向构件保持部53b的保持部主体531的下表面向下方突出的两个第二突出部542，在整个圆周方向上形成迷宫式密封部54a。第一突出部541以及两个第二突出部542是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，它们的直径彼此不同。第一突出部541的直径大于内侧的第二突出部542的直径，小于外侧的第二突出部542的直径。第一突出部541的上端位于两个第二突出部542的下端的上方。当位于第二位置的顶板51与基板保持部31一起旋转时，两个第二突出部542不旋转，第一突出部541在两个第二突出部542之间旋转。

从气体供给部45(参照图6)供给至第一处理液喷嘴411a的非活性气体的一部分从第一处理液喷嘴411a的下表面喷射口417a经由相向构件开口514供给至顶板51与基板9之间的处理空间90。从气体供给部45供给至第一处理液喷嘴411a的非活性气体的一部分从第一处理液喷嘴411a的外侧面的多个侧面喷射口417b供给至间隙518，该间隙518是顶板51的被保持部512的内侧面与第一处理液喷嘴411a的外侧面之间的间隙。从侧面喷射口417b向斜下方供给至间隙518的非活性气体在间隙518中向下方流动，供给至处理空间90。

从气体供给部45供给至相向构件保持部53b的保持部内部空间536的非活性气体经由相向构件保持部53b从被保持部512的上部开口517供给至被保持部512内。详细地，从气体供给部45供给至保持部内部空间536的非活性气体供给至贯通孔537的上侧以及下侧的开口537a。如上所述，由于上侧的开口537a被喷嘴凸缘部414堵塞，所以非活性气体从下侧的开口537a向下方流动。然后，在上述间隙518中向下方流动，从相向构件开口514供给至处理空间90。另外，从气体供给部45供给至保持部内部空间536的非活性气体的一部分在相向构件凸缘部516上向径向外方流动被供给至迷宫式密封部54a，经由迷宫式密封部54a向迷宫式密封部54a的圆周方向外侧流动。在第二处理液喷嘴421a位于供给位置的状态下也是同样的。

图19是示出基板处理装置1b的俯视图。在图19中，第一处理液喷嘴411a通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432，从图15所示的顶板51的上方的供给位置移动到远离顶板51的上方且顶板51的周围的退避位置。另外，第二处理液喷嘴421a通过第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434，从图15所示的顶板51的周围的退避位置移动到顶板51的上方的供给位置。第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a的退避位置是也包含如下特定空间(即退避空间)的概念，该特定空间具有允许第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a在该退避位置摆动的宽度。

第二处理液喷嘴421a与图18所示的第一处理液喷嘴411a同样地，在上述的供给位置，插入相向构件保持部53b的贯通孔537，而且，从顶板51的被保持部512的上部开口517(参照图18)插入被保持部512的内侧。另外，第二处理液喷嘴421a的顶端(即下端)与图18所示的第一处理液喷嘴411a同样地，在上述的供给位置，位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第二处理液喷嘴421a的顶端在上下方向上也可以位于与相向构件开口514的下端缘相同的位置。

以下，参照图20A以及图20B说明基板处理装置1b的基板9的处理流程的一个例子。基板处理装置1b的基板9的处理除了省略图12A以及图12B的步骤S13、S23中的移动相向构件保持部53这一点以外，与基板处理装置1的基板9的处理大致是同样的。

在基板处理装置1b中，首先，在顶板51位于图16所示的第一位置的状态下，将基板9搬入机壳11内，并被基板保持部31保持(步骤S31)。此时，第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a位于各自的退避位置。

接下来，通过控制部21(参照图1)来控制相向构件升降机构55，顶板51从第一位置向下方移动至图17所示的第二位置，顶板51被基板保持部31保持(步骤S32)。另外，通过控制部21来控制第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432，第一处理液喷嘴411a从退避位置移动至供给位置(步骤S33)。将第一处理液喷嘴411a经由相向构件保持部53b的贯通孔537插入顶板51的被保持部512，并位于被保持部512的内侧。

此外，步骤S32与步骤S33也可以并行进行。或者，也可以在步骤S32之前就将第一处理液喷嘴411a从退避位置移动至顶板51的上方，并插入位于第一位置的顶板51的被保持部512。在这种情况下，在步骤S32中，与顶板51的下降同步地，第一处理液喷嘴411a也与顶板51一起下降。

然后，通过控制部21来控制气体供给部45，从图18所示的第一处理液喷嘴411a的下表面喷射口417a向处理空间90供给非活性气体。另外，从第一处理液喷嘴411a的侧面喷射口417b向间隙518供给非活性气体，该间隙518是顶板51的被保持部512的内侧面与第一处理液喷嘴411a的外侧面之间的间隙。进而，将供给至相向构件保持部53b的保持部内部空间536的非活性气体从被保持部512的上部开口517供给至间隙518。从第一处理液喷嘴411a以及相向构件保持部53b供给至间隙518的非活性气体向下方流动，经由相向构件开口514被供给至处理空间90。将供给至保持部内部空间536的非活性气体的一部分也供给至迷宫式密封部54a。

另外，通过控制部21来控制图17所示的基板旋转机构33，开始旋转基板保持部31、基板9以及顶板51(步骤S34)。然后，通过控制部21来控制第一处理液供给部413，在第一处理液喷嘴411a位于供给位置的状态下，将第一处理液从第一处理液喷嘴411a经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514供给至正在旋转的基板9的上表面91的中央部(步骤S35)。从位于供给位置的第一处理液喷嘴411a供给至基板9的中央部的第一处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及被基板9的整个上表面91。第一处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。在基板处理装置1b中，第一处理液供给规定时间，利用第一处理液的基板9的处理结束。

当利用第一处理液的基板9的处理结束时，停止从第一处理液喷嘴411a供给第一处理液。然后，第一处理液喷嘴411a通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从供给位置移动至退避位置(步骤S36)。当第一处理液喷嘴411a从供给位置移动时，来自气体供给部45的非活性气体经由相向构件保持部53b的保持部内部空间536从被保持部512的上部开口517供给至处理空间90。

在基板处理装置1b中，通过控制部21来控制第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434，如图19所示，第二处理液喷嘴421a从退避位置移动至供给位置(步骤S37)。第二处理液喷嘴421a经由相向构件保持部53b的贯通孔537插入顶板51的被保持部512，位于被保持部512的内侧。优选地，第二处理液喷嘴421a的移动(步骤S37)与第一处理液喷嘴411a的移动(步骤S36)并行进行。此外，步骤S37也可以在步骤S36完毕后进行。

当第二处理液喷嘴421a位于供给位置时，来自气体供给部45的非活性气体从第二处理液喷嘴421a的下表面喷射口供给至处理空间90。另外，该非活性气体被从第二处理液喷嘴421a的外侧面的侧面喷射口供给至间隙518，该间隙518是顶板51的被保持部512的内侧面与第二处理液喷嘴421a的外侧面之间的间隙。而且，该非活性气体经由相向构件保持部53b的保持部内部空间536从被保持部512的上部开口517供给至间隙518。供给至间隙518的非活性气体向下方流动，经由相向构件开口514供给至处理空间90。供给至保持部内部空间536的非活性气体的一部分也被供给至迷宫式密封部54a。

接下来，通过控制部21来控制第二处理液供给部423，从而在第二处理液喷嘴421a位于供给位置的状态下，第二处理液从第二处理液喷嘴421a经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514供给至正在旋转的基板9的上表面91的中央部(步骤S38)。从位于供给位置的第二处理液喷嘴421a供给至基板9的中央部的第二处理液通过基板9的旋转从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及基板9的整个上表面91。第二处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。第二处理液供给规定时间，利用第二处理液的基板9的处理结束。

在基板处理装置1b中，通过与第二处理液喷嘴421a的移动(步骤S37)或者第二处理液的供给(步骤S38)并行进行，利用控制部21控制第一清洗部441，来清洗位于退避位置的第一处理液喷嘴411a(步骤S39)。

当利用第二处理液对基板9的处理结束时，停止从第二处理液喷嘴421a供给第二处理液。维持基板9旋转，对基板9进行干燥处理。另外，第二处理液喷嘴421a通过第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434从供给位置移动至退避位置(步骤S40)。然后，通过控制部21控制第二清洗部442，来清洗位于退避位置的第二处理液喷嘴421a(步骤S41)。

另外，基板保持部31、基板9以及顶板51通过基板旋转机构33的旋转停止(步骤S42)。接下来，顶板51通过相向构件升降机构55从第二位置向上方移动至第一位置，顶板51在上方远离基板保持部31并被相向构件保持部53b保持(步骤S43)。然后，将基板9从机壳11中搬出(步骤S44)。例如，步骤S42～S44在步骤S41结束后进行。或者，步骤S41也可以与步骤S42～S44中的任一步骤或者其中的多个步骤并行进行。例如，步骤S39也可以与步骤S41并行进行。

在基板处理装置1b中，对多个基板9依次进行上述的步骤S31～S44来处理多个基板9。此外，步骤S41可以在步骤S44结束后且搬入下一张基板9之前进行，也可以与针对下一张基板9的步骤S31～S36并行进行。或者，步骤S41还可以在针对下一张基板9的步骤S36与步骤S37之间进行。

如以上说明的那样，在基板处理装置1b中，与图1所示的基板处理装置1同样地，顶板51在第一位置被相向构件保持部53b保持，并且，在上方远离基板保持部31。另外，顶板51在第二位置被基板保持部31保持，并且远离相向构件保持部53b，通过基板旋转机构33与基板保持部31一起旋转。气体供给部45向顶板51与基板9之间的处理空间90供给气体。这样，将处理空间90变为期望的气体环境，能够在该气体环境中对基板9进行处理。例如，在向处理空间90供给非活性气体的情况下，能够在非活性气体环境(即低氧环境)中处理基板9。

在基板处理装置1b中，另外，利用气体供给部45向间隙518供给气体，该间隙518是顶板51的被保持部512的内侧面与位于被保持部512的内侧的处理液喷嘴(即位于供给位置的第一处理液喷嘴411a或者第二处理液喷嘴421a)的外侧面之间的间隙。因此，能够利用该气体密封间隙518，该间隙518是与基板9一起旋转的顶板51和静止状态的处理液喷嘴之间的间隙。这样，能够抑制外部气体从顶板51与处理液喷嘴之间的间隙518进入处理空间90。因此，能够将处理空间90维持为期望的气体环境，容易地对基板9在该气体环境进行处理。

如上所述，位于供给位置的处理液喷嘴从相向构件保持部53b向下方突出并从顶板51的被保持部512的上部开口517插入。另外，来自气体供给部45的气体经由相向构件保持部53b从被保持部512的上部开口517供给至被保持部512内。这样，不仅在第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a分别位于供给位置的情况下，而且在从第一处理液喷嘴411a向第二处理液喷嘴421a更换的过程中(即在被保持部512的内侧没有处理液喷嘴的状态下)，也能够抑制外部气体从被保持部512的上部开口517进入处理空间90。

如上所述，位于供给位置的处理液喷嘴在被保持部512的上方经由设于相向构件保持部53b的贯通孔537插入被保持部512。另外，来自气体供给部45的气体供给至贯通孔537。在处理液喷嘴位于供给位置的情况下，该气体从贯通孔537的下侧的开口537a流向上述间隙518。这样，能够容易地将气体从相向构件保持部53b引导至处理空间90。

另外，在从第一处理液喷嘴411a向第二处理液喷嘴421a更换的过程中(即贯通孔537中未插入处理液喷嘴的状态)，来自气体供给部45的气体向贯通孔537的上侧以及下侧的开口537a供给。由于该气体向上侧的开口537a供给，所以能够抑制相向构件保持部53b附近的外部气体从上侧的开口537a进入保持部内部空间536。另外，由于该气体向下侧的开口537a供给，并流向被保持部512的上部开口517以及相向构件凸缘部516，所以能够抑制被保持部512附近的外部气体从相向构件凸缘部516的上表面与相向构件保持部53b之间，经由被保持部512的上部开口517进入处理空间90。

在顶板51位于第二位置的状态下，在顶板51的相向构件凸缘部516的上表面与相向构件保持部53b之间形成有迷宫式密封部54a。这样，能够抑制被保持部512附近的外部气体从相向构件凸缘部516的上表面与相向构件保持部53b之间，经由被保持部512的上部开口517进入间隙518以及处理空间90。进一步地，从气体供给部45供给至保持部内部空间536的气体从保持部主体531的下表面的开口537a供给至迷宫式密封部54a，由此能够更进一步地抑制外部气体从相向构件凸缘部516与相向构件保持部53b之间进入间隙518。

如上所述，来自气体供给部45的气体从位于供给位置的处理液喷嘴的外侧面供给至间隙518。如此，通过从位于被保持部512的内侧的处理液喷嘴的外侧面直接地向间隙518供给气体，能够容易地向间隙518供给气体。

在基板处理装置1b中，通过控制部21的控制，在第一处理液喷嘴411a位于供给位置的状态下，第一处理液经由相向构件开口514供给至基板9，第一处理液喷嘴411a从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴421a从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口514向基板9供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比较，能够抑制或者防止多种处理液混合的现象。另外，由于能够使第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a从供给位置退避，所以即使在顶板51的被保持部512的内侧面等附着有处理液，也能够容易地去除该处理液。

如上所述，第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a在供给位置上，在相向构件开口514的上方插入设于相向构件保持部53b的贯通孔537。这样，能够容易地进行将第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a交替地配置于供给位置的动作。

如上所述，在基板处理装置1b中，在从第一处理液喷嘴411a向基板9供给第一处理液的期间(步骤S35)，来自气体供给部45的气体是由第一处理液喷嘴411a供给的，在从第二处理液喷嘴421a向基板9供给第二处理液的期间(步骤S38)，来自气体供给部45的气体是由第二处理液喷嘴421a供给的。这样，能够使以与利用第一处理液以及第二处理液处理基板9并行的方式向将来自气体供给部45的气体供给至处理空间90的结构简化。

图22是示出本发明的第四实施方式的基板处理系统10的内部的俯视图。图23是在图22中的XXIII-XXIII位置剖切基板处理系统10的剖视图。在图23中，也一起描绘了截面的内部的结构。基板处理系统10是处理半导体基板(以下，仅称为“基板”)的系统(装置)。

基板处理系统10具有分度部7和处理部6。分度部7具有多个基板容置器71、多个基板容置器载置部72和分度机械手73。多个基板容置器71分别载置于多个基板容置器载置部72上。在图22以及图23中，多个基板容置器71配置于分度机械手73的左侧。各基板容置器71容置多个基板。在各基板容置器71中，以在上下方向上彼此分离且沿着上下方向排列的方式容置有水平状态的多个基板。

分度机械手73具有分度手部74和手部驱动机构75。分度手部74能够以水平状态保持一个基板。例如，手部驱动机构75具有使分度手部74在水平方向上进退的进退机构、在上下方向上移动分度手部74的升降机构和使分度手部74以平行于上下方向的旋转轴为中心旋转的旋转机构。

通过手部驱动机构75驱动分度手部74，来从基板容置器71搬出基板(例如，未进行处理的未处理基板)，或者，将基板(例如已处理基板)搬入基板容置器71。详细地，手部驱动机构75在使分度手部74与基板容置器71相向之后，再使之前进来插入基板容置器71内。然后，在通过使分度手部74上升来保持基板之后，再使之后退来将基板从基板容置器71搬出。在搬入基板时，进行与上述动作相反的动作。

处理部6具有多个处理单元61、中间单元62和主搬运机械手63。各处理单元61是向基板供给处理液来处理基板的单元。俯视观察，多个处理单元61以包围空间66的方式配置，该空间66中配置有中间单元62以及主搬运机械手63。空间66是多个处理单元61共有的主搬运机械手63用的空间，在以下的说明中称为“共用空间66”。在图22以及图23所示的例子中，基板处理系统10具有12个处理单元61。详细地，在基板处理系统10中，在共用空间66的两侧分别配置有6个处理单元61。也可以仅在共用空间66的单侧配置处理单元61。

主搬运机械手63具有基板搬运手部64和手部驱动机构65。基板搬运手部64能够以水平状态保持一个基板。例如，手部驱动机构65具有使基板搬运手部64在水平方向上进退的进退机构、在上下方向上移动基板搬运手部64的升降机构和使基板搬运手部64以平行于上下方向的旋转轴为中心旋转的旋转机构。

通过手部驱动机构65驱动基板搬运手部64，将基板(例如未处理基板)搬入处理单元61，或者，将基板(例如已处理基板)从处理单元61搬出。详细地，手部驱动机构65在使基板搬运手部64与处理单元61的搬入搬出口相向之后，再使之前进来将基板插入处理单元61内。然后，在将基板从基板搬运手部64交付至处理单元61内的基板保持部31(后述)之后，使基板搬运手部64后退来使之从处理单元61退出。在搬出基板时，进行与上述相反的动作。

中间单元62是在分度机械手73与主搬运机械手63之间交接基板时，暂时地保持基板的单元。例如，利用分度机械手73从基板容置器71搬出未处理基板，搬入中间单元62并在中间单元62中暂时地保持该未处理基板。然后，通过主搬运机械手63从中间单元62搬出该未处理基板，并搬入处理单元61。另外，通过主搬运机械手63从处理单元61搬出已处理基板，搬入中间单元62并在中间单元62中暂时地保持该已处理基板。然后，利用分度机械手73从中间单元62搬出该已处理基板，搬入基板容置器71。

图24是示出一个处理单元61的内部的俯视图。图25是放大示出图24所示的处理单元61的一部分的俯视图。图26是在图25中的XXVI-XXVI的位置处剖切处理单元61的一部分的剖视图。处理单元61具有基板处理装置1和机壳11。基板处理装置1是一张一张地处理基板9的单张式装置。基板处理装置1被容置于作为装置容置室的机壳11内。在图24～图26中用虚线示出机壳11。在以下的同样的附图中也用虚线示出机壳11。在基板处理系统10中，其他处理单元61的结构也与图24～图26所示的是同样的。在其他处理单元61中，其他基板处理装置1被容置于作为其他装置容置室的其他机壳11内。其他基板处理装置1具有与图24～图26所示的基板处理装置1同样的结构。

如图24～图26所示，基板处理装置1具有基板保持部31、基板旋转机构33、杯部37、第一处理液喷嘴411、第二处理液喷嘴421、喷嘴移动机构43、喷嘴清洗部44、顶板51、相向构件保持部53、相向构件升降机构55、相向构件保持部移动机构57和相向构件容置部81。如图24所示，基板处理装置1还具有控制部21。控制部21控制基板旋转机构33、喷嘴移动机构43、喷嘴清洗部44、相向构件升降机构55和相向构件保持部移动机构57等结构。在图25以及以后的图中省略控制部21的图示。

在图24以及图25中，在俯视图中，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421远离顶板51，位于顶板51的周围的各自的退避位置。在以下的说明中，在不需要区分第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的情况下，将第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421统一地称为“处理液喷嘴”，或者，将第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421中的任一者仅称为“处理液喷嘴”。

如图25以及图26所示，喷嘴移动机构43具有第一喷嘴升降机构431、第一喷嘴旋转机构432、第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434。第一处理液喷嘴411与从第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432沿着水平方向延伸的第一臂部412的顶端部连接。第一喷嘴升降机构431使第一处理液喷嘴411与第一臂部412一起在上下方向上移动。第一喷嘴旋转机构432使第一处理液喷嘴411与第一臂部412一起水平地旋转。

如图25所示，第二处理液喷嘴421与从第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434沿着水平方向延伸的第二臂部422的顶端部连接。第二喷嘴升降机构433使第二处理液喷嘴421与第二臂部422一起在上下方向上移动。第二喷嘴旋转机构434使第二处理液喷嘴421与第二臂部422一起水平地旋转。

图25以及图26所示的基板保持部31保持水平状态的基板9。基板保持部31具有基台部311、多个卡盘312和多个卡合部313。基台部311是以朝向上下方向的中心轴J1为中心的大致圆板状的构件。基板9配置于基台部311的上方。多个卡盘312以中心轴J1为中心大致等角度间隔地沿着圆周方向配置于基台部311的上表面的外周部。基板保持部31利用多个卡盘312来保持水平状态的基板9的外缘部。多个卡合部313以中心轴J1为中心大致等角度间隔地沿着圆周方向配置于基台部311的上表面的外周部。多个卡合部313配置于多个卡盘312的径向外侧。基板旋转机构33配置于基板保持部31的下方。基板旋转机构33使基板9与基板保持部31一起以中心轴J1为中心进行旋转。

杯部37是以中心轴J1为中心的环状的构件，并配置于基板9以及基板保持部31的径向外侧。杯部37在整周上覆盖基板9以及基板保持部31的周围，接受从基板9向周围飞溅的处理液等。在杯部37的底部设有省略图示的排放口。被杯部37接受的处理液等经由该排放口被排放至机壳11的外部。另外，杯部37内的气体经由该排放口被排放至机壳11的外部。

俯视观察顶板51是大致圆形的构件。顶板51是与基板9的上表面91相向的相向构件，是遮挡基板9的上方的遮挡板。顶板51具有相向构件主体511、被保持部512和多个卡合部513。相向构件主体511是以中心轴J1为中心的大致圆板状的构件。相向构件主体511与基板9的上表面91相向。在相向构件主体511的中央部设有相向构件开口514。例如，俯视观察，相向构件开口514是大致圆形的。相向构件开口514的直径远小于基板9的直径。多个卡合部513以中心轴J1为中心大致等角度间隔地沿着圆周方向配置于相向构件主体511的下表面的外周部。

被保持部512是从相向构件主体511的相向构件开口514的周围向上方突出的筒状的部位。被保持部512具有凸缘连接部515和相向构件凸缘部516。凸缘连接部515是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。凸缘连接部515在相向构件开口514的边缘附近与相向构件主体511连接。相向构件凸缘部516从凸缘连接部515的上端部向径向外方延展。例如，相向构件凸缘部516是以中心轴J1为中心的大致圆环板状。

相向构件保持部53保持顶板51的被保持部512。相向构件保持部53具有保持部主体531、第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534和第二连接部535。保持部主体531是大致水平地延伸的棒状的臂部。保持部主体531的基部(即图26中的右侧的端部)与相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57连接。在基板处理装置1中，由相向构件保持部53、相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57构成搬运顶板51的相向构件搬运机构。相向构件搬运机构也可以包含其他结构。

第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534以及第二连接部535安装于保持部主体531的顶端部。第一凸缘支撑部532以及第一连接部533位于保持部主体531的顶端附近，第二凸缘支撑部534以及第二连接部535配置于第一凸缘支撑部532以及第一连接部533与保持部主体531的基部之间。第二凸缘支撑部534隔着顶板51的凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧。

图27是放大示出相向构件保持部53的顶端部附近的立体图。在图27中省略保持部主体531以及相向构件主体511的图示。如图25～图27所示，第一连接部533以及第二连接部535分别是从保持部主体531的下表面向下方延展的大致平板状的部位。第一连接部533以及第二连接部535分别向与保持部主体531的长边方向大致垂直的方向延展。第一凸缘支撑部532是从第一连接部533的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第一凸缘支撑部532从第一连接部533向保持部主体531的基部侧延展。第二凸缘支撑部534是从第二连接部535的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第二凸缘支撑部534从第二连接部535向保持部主体531的顶端侧延展。

在保持部主体531的长边方向上的第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间的距离小于顶板51的相向构件凸缘部516的外径，且，大于凸缘连接部515的外径。在保持部主体531的长边方向上的第一连接部533与第二连接部535之间的距离大于相向构件凸缘部516的外径。

在图25所示的例子中，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534经由第一连接部533以及第二连接部535固定于保持部主体531。换言之，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534是相向构件保持部53中的非可动部，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534相对于保持部主体531的相对位置不变。

在顶板51位于图26所示的位置的状态下，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分别是从下侧接触支撑顶板51的相向构件凸缘部516的一部分。这样，顶板51被相向构件保持部53悬挂在基板9以及基板保持部31的上方。在以下的说明中，将图26所示的顶板51的上下方向的位置称为“第一位置”。顶板51在第一位置被相向构件保持部53保持并在上方远离基板保持部31。

如图27所示，基板处理装置1还具有移动限制部58，该移动限制部58限制相向构件保持部53所保持的顶板51的错位(即顶板51的移动以及旋转)。在图27所示的例子中，移动限制部58具有多个突起部581和多个孔部582。突起部581从第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的上表面分别向上方突出。多个孔部582是设于相向构件凸缘部516的外周部的贯通孔。通过设于第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的突起部581插入相向构件凸缘部516的孔部582，来限制顶板51的错位。例如，在基板处理装置1中，也可以通过多个突起部581与从相向构件凸缘部516的外缘朝向径向内方的凹部嵌合，来限制顶板51的错位。移动限制部58也可以是其他各种各样的结构。在后述的基板处理装置1a中也是同样的。

相向构件升降机构55使顶板51与相向构件保持部53一起在上下方向上移动。图28是示出在顶板51从图26所示的第一位置下降的状态的处理单元61的一部分的剖视图。在以下的说明中，将图28所示的顶板51的上下方向的位置称为“第二位置”。即，相向构件升降机构55使顶板51在上下方向上在第一位置与第二位置之间移动。第二位置是第一位置的下方的位置。换言之，第二位置是与第一位置相比，顶板51在上下方向上更接近基板保持部31的位置。

在顶板51位于第二位置的状态下，顶板51的多个卡合部513分别与基板保持部31的多个卡合部313卡合。多个卡合部513由多个卡合部313从下方支撑。例如，卡合部313是与上下方向大致平行的销，卡合部313的上端部与朝上地形成于卡合部513的下端部的凹部嵌合。另外，顶板51的相向构件凸缘部516在上方远离相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534。这样，顶板51在第二位置被基板保持部31保持并远离相向构件保持部53(即处于与相向构件保持部53不接触的状态。)。当在顶板51位于第二位置的状态下驱动基板旋转机构33时，顶板51与基板保持部31一起旋转。

在顶板51位于第二位置的状态下，即，在相向构件凸缘部516在上方远离第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的状态下，相向构件保持部53处于能够水平移动的状态。相向构件保持部移动机构57使处于能够水平移动的状态的相向构件保持部53水平地移动。如图25所示，相向构件保持部53的移动是在第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于各自的退避位置的状态下进行的。通过相向构件保持部移动机构57使保持部主体531水平旋转，相向构件保持部53水平地移动。

相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53在图24中用实线示出的顶板51的上方的位置与用双点划线示出的与相向构件容置部81重合的位置之间移动。在以下的说明中，将在图24中用实线示出的相向构件保持部53的俯视图中的位置称为“保持位置”。另外，将在图24中用双点划线示出的相向构件保持部53的俯视图中的位置称为“更换位置”。

在基板处理装置1中，能够通过相向构件保持部53、相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57，将顶板51更换为容置于图24所示的相向构件容置部81中的其他顶板。图29是示出相向构件容置部81的侧视图。相向构件容置部81是能够容置多个顶板的大致长方体的箱状的构件。相向构件容置部81的两个侧面被侧壁堵塞，另两个侧面是开放的。在相向构件容置部81中，顶板以及相向构件保持部53能够从该开放的侧面出入。

相向构件容置部81具有在上下方向上层叠的多个容置部82。多个容置部82分别能够容置一个顶板。在图29所示的例子中，在上下方向上层叠有3个容置部82。在最上层的容置部82中容置有顶板51a，在最下层的容置部82中容置有顶板51b。当将图28所示的顶板51向相向构件容置部81容置时，容置于中央的容置部82。在以下的说明中，在不需要区分顶板51、51a、51b的情况下，将顶板51、51a、51b统一地仅称为“顶板”，或者，将顶板51、51a、51b中的任一个或者两个仅称为“顶板”。

顶板经由形成于各容置部82的侧面的容置部开口83被搬入容置部82，或者，被从容置部82搬出。基板处理装置1还具有相向构件清洗机构84，该相向构件清洗机构84清洗容置于各容置部82的顶板。相向构件清洗机构84具有多个清洗喷嘴841。多个清洗喷嘴841设于各容置部82的上表面以及下表面，并通过向顶板供给纯水等清洗液来清洗顶板。例如，在各容置部82中还对清洗结束后的顶板进行清洗。例如，在各容置部82中也可以设有堵塞容置部开口83的卷门等，当清洗以及干燥顶板时来堵塞容置部开口83。

顶板51、51a、51b的种类彼此不同。顶板的种类是指例如顶板的形状、材质或者结构。如后文所述，在本实施方式中，顶板51a的形状与顶板51不同。作为顶板的材质不同的实例，例如，有时一个顶板的下表面是由疏水性的特氟龙(注册商标)形成的，而其他顶板的下表面是亲水性的。通过下表面为亲水性的顶板，能够使顶板与基板9之间形成为液密状态来处理基板9。另外，作为顶板的结构不同的实例，例如，一个顶板由特氟龙形成，而其他顶板为将金属制的芯材嵌入特氟龙的结构。通过嵌入有金属制的芯材的高刚性的顶板，在一边加热基板9一边进行处理等情况下，能够抑制顶板的变形。此外，在基板处理装置1中，也可以将与基板9的上方的顶板51相同种类的顶板51容置于相向构件容置部81。

图30是示出处理单元61的一部分的俯视图。相向构件保持部53位于上述的保持位置与更换位置的中间的退避位置。俯视观察，相向构件保持部53的退避位置是顶板51的周围的位置，即，避开顶板51的上方的位置。在基板处理装置1中，在顶板51位于第二位置(参照图28)的状态下，通过相向构件保持部移动机构57使保持部主体531水平地旋转，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534水平地移动。

这样，位于图25所示的保持位置的相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516以及凸缘连接部515。此时，凸缘连接部515从第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间向沿着第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向的一侧脱离。具体地，在与图25中的保持部主体531的长边方向垂直的宽度方向上，在从相向构件保持部53的基部观察顶端部的情况下，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向左侧脱离。然后，相向构件保持部53向图30中所示的退避位置移动。

另外，在基板处理装置1中，通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53水平地旋转，位于退避位置的相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534移动至图25所示的保持位置，并配置于相向构件凸缘部516的下方。

图31是示出处理单元61的一部分的剖视图。在图31中示出顶板51在第二位置被基板保持部31保持的状态。另外，相向构件保持部53通过相向构件保持部移动机构57从保持位置退避至退避位置。如图30以及图31所示，第一处理液喷嘴411在相向构件保持部53退避的状态下，通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从退避位置移动，并从顶板51的被保持部512的上部开口517插入被保持部512。第一处理液喷嘴411位于被保持部512的内侧。换言之，第一处理液喷嘴411的外侧面与被保持部512的内侧面在径向上相向。在以下的说明中，将图31所示的第一处理液喷嘴411的位置称为“供给位置”(在第二处理液喷嘴421中也是同样的)。在图31所示的例子中，位于供给位置的第一处理液喷嘴411的顶端(即下端)位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第一处理液喷嘴411的顶端在上下方向上也可以位于与相向构件开口514的下端缘相同的位置。

图32是示出基板处理装置1中的用于供给气体以及处理液的气液供给部4的框图。气液供给部4具有第一处理液喷嘴411、第二处理液喷嘴421、第一处理液供给部413、第二处理液供给部418、第三处理液供给部423a和气体供给部45。

第一处理液供给部413以及第二处理液供给部418与第一处理液喷嘴411连接。第一处理液供给部413在第一处理液喷嘴411位于基板9的上方的状态下，经由第一处理液喷嘴411向基板9的上表面91供给第一处理液。第二处理液供给部418在第一处理液喷嘴411位于基板9的上方的状态下，经由第一处理液喷嘴411向基板9的上表面91供给第二处理液。第一处理液喷嘴411选择性地向基板9供给第一处理液以及第二处理液中的一种处理液。例如，在从第一处理液喷嘴411向基板9供给第一处理液之后，供给第二处理液。

第三处理液供给部423a与第二处理液喷嘴421连接。如后文所述，第三处理液供给部423a在第二处理液喷嘴421位于基板9的上方的状态下，经由第二处理液喷嘴421向基板9的上表面91供给第三处理液。气体供给部45与第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421连接，向第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421供给气体。

在基板处理装置1中，利用各种种类的液体作为第一处理液、第二处理液以及第三处理液。第一处理液例如是用于对基板9进行药液处理的药液(例如聚合物去除液、氢氟酸、四甲基氢氧化铵水溶液等刻蚀液)。第二处理液例如是用于清洗处理基板9的纯水(DIW：deionized water，去离子水)、苏打水等清洗液。第三处理液例如是为了替换基板9上的液体而供给的异丙醇(IPA)。从气体供给部45供给的气体例如是氮气(N₂)等非活性气体。也可以从气体供给部45供给除了非活性气体以外的各种各样的气体。

在从图31所示的第一处理液喷嘴411供给第一处理液的情况下，来自第一处理液供给部413的第一处理液从设于第一处理液喷嘴411的下端面的喷出口，经由相向构件开口514向基板9的上表面91喷出。另外，在从第一处理液喷嘴411供给第二处理液的情况下，来自第二处理液供给部418的第二处理液从设于第一处理液喷嘴411的下端面的其他喷出口，经由相向构件开口514向基板9的上表面91喷出。例如，从气体供给部45供给的非活性气体从设于第一处理液喷嘴411的下端面的喷射口，经由相向构件开口514被供给至顶板51与基板9之间的空间90(以下，称为“处理空间90”)。

如图33所示，在基板处理装置1中，第一处理液喷嘴411也可以从相向构件主体511的相向构件开口514向下方突出。换言之，第一处理液喷嘴411的顶端位于相向构件开口514的下端缘的下方。从气体供给部45供给的非活性气体在第一处理液喷嘴411内经由相向构件开口514向下方流动，从第一处理液喷嘴411的下端面被供给至处理空间90。从第一处理液供给部413供给的第一处理液以及从第二处理液供给部418供给的第二处理液在第一处理液喷嘴411内经由相向构件开口514向下方流动，从第一处理液喷嘴411的下端面向基板9的上表面91喷出。

在以下的说明中，第一处理液或者第二处理液经由相向构件开口514被供给的情况，不仅包括在相向构件开口514的上方从第一处理液喷嘴411喷出的第一处理液或者第二处理液经过相向构件开口514的状态，还包括如图33所示，第一处理液或者第二处理液经由插入相向构件开口514的第一处理液喷嘴411喷出的状态。后述的第二处理液喷嘴421以及第三处理液也是同样的。

图34是示出处理单元61的一部分的俯视图。在图34中，第一处理液喷嘴411通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432从图30所示的顶板51的上方的供给位置移动，如图34所示，位于远离顶板51的上方的顶板51的周围的退避位置。另外，第二处理液喷嘴421通过第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434从图30所示的顶板51的周围的退避位置移动，位于图34所示的顶板51的上方的供给位置。第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的退避位置是也包含如下特定空间(即退避空间)的概念，该特定空间具有允许第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421在该退避位置摆动的宽度。

第二处理液喷嘴421与图31所示的第一处理液喷嘴411同样地，在上述的供给位置从顶板51的被保持部512的上部开口517插入被保持部512的内侧。另外，第二处理液喷嘴421的顶端(即下端)与图31所示的第一处理液喷嘴411同样地，在上述的供给位置位于相向构件主体511的相向构件开口514的下端缘的上方。第二处理液喷嘴421的顶端在上下方向上可以位于与相向构件开口514的下端缘相同的位置。

详细地，图31以及图34所示的第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的供给位置位于顶板51的相向构件开口514的上方的位置。另外，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421的各自的退避位置是基板保持部31的周围的位置。喷嘴移动机构43使第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421在供给位置与各自的退避位置之间单独地移动。

如图34所示，喷嘴清洗部44具有第一清洗部441和第二清洗部442。第一清洗部441设于第一处理液喷嘴411的退避位置附近。第一清洗部441清洗位于退避位置的第一处理液喷嘴411。例如，第一清洗部441通过向第一处理液喷嘴411供给纯水等清洗液来清洗第一处理液喷嘴411。第二清洗部442设于第二处理液喷嘴421的退避位置附近。第二清洗部442清洗图25所示的位于退避位置的第二处理液喷嘴421。例如，通过第二清洗部442向第二处理液喷嘴421供给纯水等清洗液来清洗第二处理液喷嘴421。例如，第一清洗部441以及第二清洗部442也对清洗结束后的第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421进行干燥。当清洗以及干燥第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421时，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421也可以在退避位置(即退避空间)摆动。

以下，参照图35A、图35B以及图35C说明基板处理装置1的基板9的处理流程的一个例子。首先，在顶板51位于图26所示的第一位置的状态下，将基板9搬入机壳11内，被基板保持部31保持(步骤S51)。此时，顶板51由相向构件保持部53保持，第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于各自的退避位置。

接下来，通过控制部21(参照图24)控制相向构件升降机构55，相向构件保持部53向下方移动。这样，如图28所示，顶板51从第一位置向下方移动至第二位置，顶板51被基板保持部31保持(步骤S52)。

在步骤S52中，相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534在下方远离顶板51的相向构件凸缘部516。在这种状态下，通过控制部21来控制相向构件保持部移动机构57，使相向构件保持部53水平地旋转。这样，相向构件保持部53避开顶板51的上方的保持位置，移动至上述的退避位置(步骤S53)。

接着，在相向构件保持部53退避至退避位置的状态下，通过控制部21来控制第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432，使第一处理液喷嘴411从退避位置移动，并位于供给位置(步骤S54)。如图30以及图31所示，第一处理液喷嘴411从顶板51的被保持部512的上部开口517插入，位于被保持部512的内侧。当第一处理液喷嘴411位于供给位置时，通过控制部21来控制气体供给部45，从第一处理液喷嘴411的下端面向处理空间90供给非活性气体。

另外，通过控制部21来控制基板旋转机构33，使基板保持部31、基板9以及顶板51开始旋转(步骤S55)。在步骤S55以后还继续从第一处理液喷嘴411供给非活性气体。此外，也可以在第一处理液喷嘴411移动至供给位置(步骤S54)之前就开始旋转顶板51等(步骤S55)。例如，步骤S55也可以在步骤S52与步骤S53之间进行。在这种情况下，在步骤S53中，相向构件保持部53远离正在旋转的顶板51并移动至退避位置。

然后，在第一处理液喷嘴411位于供给位置的状态下，通过第一处理液供给部413从第一处理液喷嘴411经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514向正在旋转的基板9的上表面91的中央部供给第一处理液(步骤S56)。从位于供给位置的第一处理液喷嘴411供给至基板9的中央部的第一处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及基板9的整个上表面91。第一处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。第一处理液供给规定时间，第一处理液对基板9的处理结束。

第一处理液是例如聚合物去除液、刻蚀液等药液，在步骤S56中对基板9进行药液处理。此外，第一处理液的供给(步骤S56)也可以在基板9开始旋转(步骤S55)之前进行。在这种情况下，将第一处理液在静止状态的基板9的整个上表面91推开(浸液)，进行第一处理液的推开处理。

当利用第一处理液的基板9的处理结束时，第二处理液从第一处理液喷嘴411经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514，被供给至正在旋转的基板9的上表面91的中央部(步骤S57)。供给至基板9的中央部的第二处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及基板9的整个上表面91。第二处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。第二处理液供给规定时间，利用第二处理液对基板9的处理结束。第二处理液是例如纯水、苏打水等清洗液，在步骤S57中对基板9进行清洗处理。在步骤S57中也可以进行第二处理液的推开处理。

当利用第二处理液对基板9的处理结束时，停止从第一处理液喷嘴411供给第二处理液。而且，停止旋转基板保持部31、基板9以及顶板51(步骤S58)。在步骤S58中也停止从第一处理液喷嘴411供给非活性气体。旋转停止后的基板9的上表面91在大致整个表面的范围内被第二处理液的液膜覆盖。另外，通过第一喷嘴升降机构431以及第一喷嘴旋转机构432将第一处理液喷嘴411从供给位置移动至退避位置(步骤S59)。配置于退避位置的第一处理液喷嘴411由第一清洗部441清洗。

接下来，更换顶板。首先，通过控制部21(参照图24)，根据更换顶板后在基板处理装置1中进行的处理的性质，来决定下一个使用的其他顶板的种类(步骤S60)。在本实施方式中，如后文所述，由于更换顶板后进行的处理是基板9的干燥处理，所以将药液处理以及清洗处理用的顶板51更换为干燥处理用的顶板51a(参照图29)。

当更换顶板51和顶板51a时，通过相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57将位于退避位置的相向构件保持部53移动至保持位置(步骤S61)。然后，如图26所示，通过相向构件保持部53上升，顶板51由相向构件保持部53保持着移动至基板9以及基板保持部31的上方的第一位置(步骤S62)。

接下来，通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53向图24中的顺时针方向旋转，从保持位置移动至更换位置。这样，从基板9以及基板保持部31的上方搬运顶板51，并经由容置部开口83搬入图29所示的相向构件容置部81的中央的容置部82(步骤S63)。更换位置的保持部主体531的顶端部位于该容置部82的内部。在基板处理装置1中，利用图27所示的移动限制部58，来限制上述的相向构件搬运机构中的被相向构件保持部移动机构57正在搬运的顶板51的错位(即顶板51相对于相向构件保持部53的相对移动以及旋转)。

当顶板51搬入容置部82时，通过相向构件升降机构55使相向构件保持部53下降，顶板51载置于容置部82的下表面，相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向下方远离顶板51的相向构件凸缘部516。

然后，相向构件保持部53沿着图24中的逆时针方向旋转，相向构件保持部53从中央的容置部82退避。此时，顶板51的凸缘连接部515从第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间，向沿着第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向的另一侧脱离。具体地，在图24中的保持部主体531的宽度方向上，在从相向构件保持部53的基部观察顶端部的情况下，顶板51的凸缘连接部515向右侧脱离。在基板处理装置1中，凸缘连接部515能够从第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间，向沿着第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向的两侧脱离。如图29所示，在相向构件容置部81中，通过相向构件清洗机构84来清洗容置于中央的容置部82的顶板51(步骤S64)。

然后，相向构件保持部53上升到达最上层的容置部82的侧方，沿着图24中的顺时针方向旋转，从而经由容置部开口83进入该容置部82。第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于下一张顶板51a的相向构件凸缘部516的下方。接下来，相向构件保持部53上升，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534与相向构件凸缘部516接触，顶板51a被相向构件保持部53保持。

然后，通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53沿着图24中的逆时针方向旋转，从更换位置移动至保持位置。这样，容置于相向构件容置部81的顶板51a被搬出，并搬运至基板9以及基板保持部31的上方的第一位置(步骤S65)。在基板处理装置1中，通过移动限制部58(参照图27)限制被相向构件保持部移动机构57正在搬运的顶板51a的错位(即顶板51a相对于相向构件保持部53的相对移动以及旋转)。相向构件保持部移动机构57在基板9以及基板保持部31的上方与相向构件容置部81之间搬运顶板。此外，也可以在搬出顶板51a(步骤S65)之前，就决定上述的步骤S60中的下一张顶板的种类。

接下来，相向构件保持部53向下方移动，顶板51a从第一位置向下方移动至第二位置，如图36所示，顶板51a被基板保持部31保持(步骤S66)。

顶板51a除了在相向构件主体511的下表面设有向下方突出的凸部521这一点以外，还具有与图26、图28以及图31所示的顶板51同样的结构。凸部521是以中心轴J1为中心的大致圆环板状。凸部521的外径大于基板9的直径。凸部521在基板9的大致整个上表面91的范围内与基板9在上下方向上相向。凸部521的下表面在上方远离基板9的上表面91。此外，凸部521中的与基板保持部31的卡盘312相向的部位为了避开卡盘312而向上方凹陷。凸部521的下表面与基板9的上表面91之间在上下方向上的距离在基板9的大致整个上表面91的范围内小于图31所示的顶板51的相向构件主体511的下表面与基板9的上表面91之间在上下方向上的距离。

当顶板51a位于第二位置时，相向构件保持部53水平地旋转，从顶板51a的上方的保持位置移动至上述的退避位置(步骤S67)。

然后，通过控制部21控制第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434，第二处理液喷嘴421从退避位置移动至供给位置(步骤S68)。如图34以及图36所示，在相向构件保持部53退避至退避位置的状态下，第二处理液喷嘴421从顶板51的被保持部512的上部开口517插入，位于被保持部512的内侧。当第二处理液喷嘴421位于供给位置时，来自气体供给部45的非活性气体从第二处理液喷嘴421的下端面供给至处理空间90。另外，通过基板旋转机构33使基板保持部31、基板9以及顶板51a开始旋转(步骤S69)。在步骤S69以后也继续从第二处理液喷嘴421供给非活性气体。在步骤S58～S69之间，基板9的大致整个上表面91被第二处理液的液膜覆盖。换言之，基板9的上表面91受该液膜保护。因此，能够防止当更换上述的顶板时，基板9的上表面暴露于外部气体中。此外，在不需要利用液膜保护基板9的上表面91的情况下，也可以不从第一处理液喷嘴411供给非活性气体。

接下来，通过控制部21控制第二处理液供给部423，在第二处理液喷嘴421位于供给位置的状态下，从第二处理液喷嘴421经由位于第二位置的顶板51的相向构件开口514向至正在旋转的基板9的上表面91的中央部供给第三处理液(步骤S70)。从位于供给位置的第二处理液喷嘴421供给至基板9的中央部的第三处理液通过基板9的旋转而从基板9的中央部向径向外方扩散，遍及基板9的整个上表面91。这样，从基板9上去除存在于基板9的上表面91上的第二处理液(例如纯水等清洗液)。第三处理液例如是异丙醇，在步骤S70中，进行基板9上的清洗液的置换处理。第三处理液从基板9的外缘向径向外方飞溅，被杯部37接受。第三处理液供给规定时间，利用第三处理液对基板9的处理结束。

当利用第三处理液对基板9的处理结束时，停止从第二处理液喷嘴421供给第三处理液。然后，通过第二喷嘴升降机构433以及第二喷嘴旋转机构434将第二处理液喷嘴421从供给位置移动至退避位置(步骤S71)。利用第二清洗部442清洗配置于退避位置的第二处理液喷嘴421。

在基板处理装置1中，维持基板9的旋转，对基板9进行干燥处理(步骤S72)。干燥处理中的基板9的旋转速度比步骤S69中利用第三处理液处理基板9时的旋转速度快。

另外，通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53水平地旋转，从退避位置移动至保持位置(步骤S73)。此时，相向构件保持部53的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534在下方远离在第二位置正在旋转的顶板51a的相向构件凸缘部516。

接下来，停止通过基板旋转机构33使基板保持部31、基板9以及顶板51a旋转(步骤S74)。在步骤S74中，也停止从第二处理液喷嘴421供给非活性气体。然后，通过相向构件升降机构55使相向构件保持部53向上方移动，顶板51a从第二位置向上方移动至第一位置(步骤S75)。顶板51a在上方远离基板保持部31并被相向构件保持部53保持。

接着，通过控制部21(参照图24)根据在基板处理装置1中对下一张基板9进行的处理的性质，决定下一个使用的其他顶板的种类(步骤S76)。在本实施方式中，将药液处理以及清洗处理用的顶板51决定为下一个使用的顶板。然后，相向构件保持部53从保持位置移动至更换位置。这样，将顶板51a从基板9以及基板保持部31的上方搬运，经由容置部开口83搬入图29所示的相向构件容置部81的最上层的容置部82(步骤S77)。通过移动限制部58(参照图27)限制正在搬运中的顶板51a的错位。在相向构件容置部81中，利用相向构件清洗机构84清洗容置于最上层的容置部82中的顶板51a(步骤S78)。

在基板处理装置1中，利用相向构件保持部53搬出容置于中央的容置部82中的下一张顶板51，并搬运至基板9以及基板保持部31的上方的第一位置(步骤S79)。通过移动限制部58限制正在搬运中的顶板51的错位。另外，与步骤S76～S79中的顶板的更换并行地将基板9从机壳11中搬出(步骤S80)。步骤S80优选地与步骤S77并行进行。步骤S80可以在步骤S76～S79结束后进行，也可以在步骤S76～S79之前进行。

如上所述，利用第一处理液以及第二处理液对基板9的处理是在顶板51位于第二位置时进行的，利用第三处理液对基板9的处理是在顶板51a位于第二位置时进行的。因此，能够将上述第二位置理解为“处理位置”。

在基板处理装置1中，对多个基板9依次进行上述的步骤S51～S80来处理多个基板9。在基板处理装置1中，步骤S78中的顶板51a的清洗只要是在步骤S77之后，且在对下一张基板9进行步骤S65(即搬出顶板51a)之前进行即可。另外，在步骤S64中的顶板51的清洗只要在步骤S63之后，且在步骤S79(即搬出顶板51)之前进行即可。

如以上说明的那样，在基板处理装置1中，通过相向构件保持部移动机构57从基板9以及基板保持部31的上方搬运顶板并搬入相向构件容置部81，取出容置于相向构件容置部81的其他顶板并搬运至基板9以及基板保持部31的上方。这样，能够在一个基板处理装置1中更换顶板来使用。

另外，在基板处理装置1中，该顶板以及该其他顶板(即顶板51以及顶板51a)的种类彼此不同。这样，能够在一个基板处理装置1中使用分别适于基板9的多种处理的顶板来处理基板9。

在基板处理装置1中，在使用任一种顶板的情况下，通过向顶板与基板9之间的处理空间90供给气体，都能够将处理空间90形成为期望的气体环境，在该气体环境中进行基板9的处理。例如，在向处理空间90供给非活性气体的情况下，能够在非活性气体环境(即低氧环境)中处理基板9。

在上述的例子中，当对基板9进行药液处理以及清洗处理时，使用图31所示的顶板51，当对基板9进行置换处理以及干燥处理时，使用图36所示的顶板51a。在使用顶板51的情况下，由于基板9的上表面91与相向构件主体511的下表面之间的距离比较大，所以能够抑制药液或者清洗液附着于相向构件主体511的下表面。因此，能够抑制附着于相向构件主体511的药液或者清洗液干燥而产生的颗粒等附着于基板9。

在使用顶板51a的情况下，由于基板9的上表面91与顶板51a的凸部521的下表面之间的距离比较小，所以能够缩短基板9的干燥所需要的时间。因此，能够抑制在基板9的上表面91形成水印。另外，在基板9的上表面91形成有图案的情况下，由于能够缩短残存于该图案之间的处理液的表面张力作用于图案的时间，所以能够抑制图案倒塌等。

此外，当在步骤S70中利用第三处理液进行置换处理时，也可以使用顶板51。在这种情况下，在利用第二处理液的清洗处理(步骤S57)结束之后，不必停止旋转顶板51以及基板9，将第一处理液喷嘴411移动至退避位置(步骤S59)。然后，将第二处理液喷嘴421移动至供给位置(步骤S68)，从第二处理液喷嘴421向基板9供给第三处理液(步骤S70)。然后，依次进行步骤S58、S60～S67、S69、S71～S80。

上述的例子中，虽然顶板51与顶板51a的差异主要是因形状差异引起的与基板9的上表面91之间的距离之差，但是顶板51与顶板51a也可以是大致相同的形状。例如，也可以是顶板51的下表面具有亲水性，而顶板51a的下表面具有疏水性。这样，能够抑制在利用第一处理液以及第二处理液进行处理时，附着于顶板51的下表面的处理液落到基板9上。另外，当进行干燥处理时，能够抑制处理液附着于顶板51a的下表面，能够从顶板51a与基板9之间的空间迅速地排除处理液来缩短干燥处理所需要的时间。

另外，例如，在使用比较高温的处理液(SPM液作为第一处理液的情况下，也可以使用内部嵌入有能够抑制热变形的金属芯材的高刚性的顶板作为顶板51。在这种情况下，优选地使用不具有金属芯材的重量轻的顶板作为顶板51a。这样，能够便于在干燥处理时高速旋转。

如上所述，步骤S60中的顶板种类是在步骤S65之前根据步骤S65中的从相向构件容置部81搬出顶板51a后在基板处理装置1中进行的处理的性质(即根据在步骤S69～S74中进行的处理)决定的。在步骤S76中的顶板种类也同样是在步骤S79之前根据在步骤S79中从相向构件容置部81搬出顶板51之后在基板处理装置1中所进行的处理(即对下一张基板9的处理)的性质决定的。这样，能够在一个基板处理装置1中使用分别适于对基板9的多种处理的顶板来处理基板9。例如，在步骤S60、S76中的顶板种类也可以根据基板处理装置1所存储的工艺读出预先决定的顶板的种类来决定。

基板处理装置1还具有清洗容置于相向构件容置部81中的顶板的相向构件清洗机构84。这样，能够去除附着于顶板的处理液等，能够将未使用的顶板维持为洁净的状态。另外，通过并行地进行顶板的清洗和使用其他顶板对基板9的处理，能够不降低基板处理装置1的生产性，就去除附着于顶板的处理液等。

如上所述，相向构件容置部81具有在上下方向上层叠并且能够分别容置顶板的多个容置部82。这样，与多个容置部82水平配置的情况相比，能够缩小基板处理装置1的占用空间。

基板处理装置1还具有移动限制部58，该移动限制部58限制在被相向构件保持部移动机构57搬运过程中的顶板的错位。这样，当搬运顶板时，能够防止顶板相对于相向构件保持部53相对移动以及旋转。因此，能够以高的位置精度将顶板移动至第一位置，能够容易地利用基板保持部31保持顶板。

另外，在基板处理装置1中，相向构件保持部53具有第一凸缘支撑部532、隔着凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧的第二凸缘支撑部534、安装有第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的保持部主体531。第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534分别从下侧接触支撑位于第一位置的顶板的相向构件凸缘部516的一部分。在顶板位于第二位置的状态下，通过水平地移动第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534，使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516，或者，配置于相向构件凸缘部516的下方。

这样，无论位于第二位置的顶板是处于静止状态还是正在旋转，都能够利用简单的结构容易地使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534远离相向构件凸缘部516，将相向构件保持部53移动至退避位置。另外，无论顶板是处于静止状态还是正在旋转，都能够利用简单的结构容易地将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534插入相向构件凸缘部516的下方，将相向构件保持部53移动至保持位置。即，在基板处理装置1中，能够利用简单的结构保持顶板，并且，无论顶板的状态如何，都能够利用简单的结构使相向构件保持部53在保持位置与退避位置(或者更换位置)之间移动。如此，在基板处理装置1中，由于能够在顶板51等正在旋转时，使相向构件保持部53在保持位置与退避位置(或者更换位置)之间移动，所以能够缩短基板9的处理所需要的时间。

在基板处理装置1中，凸缘连接部515能够从第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间，向沿着第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向的两侧脱离。这样，通过使位于保持位置的相向构件保持部53沿着图24中的顺时针方向向更换位置旋转，能够使相向构件保持部53避开位于基板9的上方的顶板。另外，通过使位于更换位置的相向构件保持部53沿着图24中的逆时针方向向保持位置旋转，能够使相向构件保持部53避开配置于相向构件容置部81的顶板。因此，在基板处理装置1中，能够容易地将顶板搬入相向构件容置部81，并且，能够容易地将顶板从相向构件容置部81中搬出并配置于基板9的上方。

在基板处理系统10的多个处理单元61，在各自的机壳11中分别容置有具有相向构件容置部81的基板处理装置1。这样，在一张基板9的处理过程中不必打开机壳11，就能够更换顶板。

在基板处理装置1中并不一定在相向构件容置部81中容置用于处理一张基板9的多种顶板。例如，在相向构件容置部81中也可以容置适于进行与对基板9进行的上述一系列处理(即药液处理、清洗处理、置换处理以及干燥处理)不同的处理的顶板。在这种情况下，当变更在基板处理装置1中对基板9进行的一系列处理的种类时，将基板保持部31上的顶板更换为适于之后进行的处理的顶板。这样，能够将基板处理装置1切换为适于对基板9进行的多种系列处理(即多个处理工艺)的结构。因此，能够将基板处理装置1用于对基板9进行各种种类的处理。

在基板处理装置1中，配置于基板9的上方的顶板以及容置于相向构件容置部81的顶板的种类并不一定是彼此不同的。例如，也可以将与配置于基板9的上方的顶板51相同种类的顶板51容置于相向构件容置部81中。在这种情况下，例如，当配置于基板9的上方的顶板51上附着有处理液等而需要清洗时(即需要维护顶板51时)，更换该顶板51和容置于相向构件容置部81的顶板51。例如，顶板51的更换可以在一张基板9的处理过程中进行，或者，也可以在从机壳11搬出已处理的基板9之后且在将下一张基板9搬入机壳11之前进行。

图37是示出设有本发明的第五实施方式的基板处理装置1a的处理单元61的内部的俯视图。图38是放大示出图37所示的处理单元61的一部分的俯视图。在基板处理装置1a中设置有相向构件保持部53a来取代相向构件保持部53，该相向构件保持部53a的第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的朝向与图25所示的相向构件保持部53不同。在相向构件保持部53a上也设有支撑部移动机构530。另外，在基板处理装置1a中，将相向构件容置部81a配置于与图24所示的位置不同的位置。基板处理装置1a的其他的结构与图25所示的基板处理装置1是同样的，在以下的说明中，对对应的结构标记相同的附图标记。

如图38所示，在相向构件保持部53a中，第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534以及第二连接部535经由支撑部移动机构530安装于保持部主体531。第一凸缘支撑部532、第一连接部533、第二凸缘支撑部534、第二连接部535以及支撑部移动机构530跨越设置在保持部主体531的长边方向的大致整个长度范围内。第二凸缘支撑部534隔着顶板51的凸缘连接部515位于第一凸缘支撑部532的相反侧。

第一连接部533以及第二连接部535分别是从支撑部移动机构530向下方延展的大致平板状的部位。第一连接部533以及第二连接部535分别沿着大致平行于保持部主体531的长边方向的方向延展。第一凸缘支撑部532是从第一连接部533的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第一凸缘支撑部532从第一连接部533向接近第二凸缘支撑部534的方向延展。第二凸缘支撑部534是从第二连接部535的下端部大致水平地延展的大致平板状的部位。第二凸缘支撑部534从第二连接部535向接近第一凸缘支撑部532的方向延展。

在保持部主体531的宽度方向上的第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间的距离小于顶板51的相向构件凸缘部516的外径，且大于凸缘连接部515的外径。在保持部主体531的宽度方向上的第一连接部533与第二连接部535之间的距离大于相向构件凸缘部516的外径。

支撑部移动机构530使第一连接部533以及第一凸缘支撑部532、第二连接部535以及第二凸缘支撑部534在大致平行于保持部主体531的长边方向的方向上大致水平地移动。即，在相向构件保持部53a中，能够通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534相对于保持部主体531相对移动。支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534相对于保持部主体531进退。

在基板处理装置1a中，在保持部主体531位于保持位置的状态下，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534从下侧与位于第一位置的顶板51的相向构件凸缘部516的一部分接触来支撑顶板51。在图38所示的例子中，相向构件凸缘部516与第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的顶端部(即保持部主体531的顶端部侧的端部)接触。另外，在保持部主体531位于保持位置且顶板51位于第二位置的状态下，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持部主体531的基部侧移动，从而如图39所示，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向径向外方远离相向构件凸缘部516。在这种状态下通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53a水平地旋转，使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置之间移动。

另外，在基板处理装置1a中，在保持部主体531位于保持位置且顶板51位于第二位置的状态下，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持部主体531的顶端侧移动，从而如图38所示，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于相向构件凸缘部516的下方。

基板处理装置1a与图25所示的基板处理装置1同样地，无论位于第二位置的顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534远离相向构件凸缘部516，使相向构件保持部53a移动至退避位置。另外，无论顶板51是处于静止状态还是正在旋转，都能够使相向构件保持部53a从退避位置移动至保持位置，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534配置于相向构件凸缘部516的下方。即，在基板处理装置1a中，能够利用简单的结构保持顶板51，并且，无论顶板51的状态如何，都能够利用简单的结构使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置(或者更换位置)之间移动。如此，基板处理装置1a与图25所示的基板处理装置1同样地，由于能够在顶板51等旋转过程中使相向构件保持部53a在保持位置与退避位置(或者更换位置)之间移动，所以能够缩短基板9的处理所需要的时间。

在基板处理装置1a的基板9的处理流程与图35A～图35C所示的基板处理装置1的基板9的处理流程是大致同样的。另外，基板处理装置1a的各结构的动作与基板处理装置1同样地受控制部21控制。当在步骤S63中将顶板51向相向构件容置部81a搬入时，通过相向构件保持部移动机构57使保持有顶板51的相向构件保持部53a沿着图37中的顺时针方向旋转，从用实线示出的保持位置移动至用双点划线示出的更换位置。此外，在图37中，为了便于理解附图，省略容置于相向构件容置部81a的其他顶板的图示(在图40中也是同样的)。

更换位置处的保持部主体531的顶端部位于相向构件容置部81a的外部，与相向构件容置部81a的侧面相向。相向构件容置部81a与图29所示的相向构件容置部81同样，是能够容置多个顶板的大致长方体的箱状的构件。在相向构件容置部81a中，3个侧面被侧壁堵塞，与位于更换位置的相向构件保持部53a相向的一个侧面打开。在打开的该侧面设置多个容置部82的各自的容置部开口83。

如图40所示，在基板处理装置1a中，位于更换位置的相向构件保持部53a中，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534前进至保持部主体531的顶端侧。这样，如在图40中用双点划线示出的那样，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534从保持部主体531的顶端向长边方向突出，由第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534保持的顶板51搬入相向构件容置部81a的容置部82。

基板处理装置1a与上述的基板处理装置1同样，利用移动限制部58(参照图27)来限制通过相向构件保持部移动机构57以及支撑部移动机构530正在搬运中的顶板51的错位(即顶板51相对于第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的相对移动以及旋转)。当将顶板51搬入容置部82时，通过相向构件升降机构55使相向构件保持部53a下降，由此将顶板51载置于容置部82的下表面，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534在下方远离顶板51的相向构件凸缘部516。然后，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534通过支撑部移动机构530向保持部主体531的基部侧后退，从相向构件容置部81a退避。

当在步骤S65中从相向构件容置部81a搬出顶板51a时，驱动相向构件升降机构55来将相向构件保持部53a移动至与容置有顶板51a的容置部82相向的位置。接下来，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534通过支撑部移动机构530向保持部主体531的顶端侧前进。这样，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534从保持部主体531的顶端向长边方向突出，将第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的顶端部配置于顶板51a的相向构件凸缘部516的下方。

接着，通过使相向构件保持部53a上升，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534与相向构件凸缘部516接触，顶板51a由相向构件保持部53a保持。然后，通过支撑部移动机构530使第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534向保持部主体531的基部侧后退，第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534从相向构件容置部81a退避。这样，从相向构件容置部81a搬出顶板51a。然后，通过相向构件保持部移动机构57使相向构件保持部53a水平地旋转，相向构件保持部53a从更换位置移动至保持位置。这样，从相向构件容置部81a搬出顶板51a，并搬运至基板9以及基板保持部31的上方的第一位置。

基板处理装置1a的在步骤S77中将顶板51a搬入相向构件容置部81a以及在步骤S79中从相向构件容置部81a搬出顶板51的动作，分别与上述的步骤S63以及步骤S65是同样的。

在基板处理装置1a中，搬运顶板的上述的相向构件搬运机构不仅具有相向构件保持部53、相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57，而且还具有支撑部移动机构530。支撑部移动机构530是使顶板相对于相向构件容置部81a进退(即向前后方向移动)的进退机构。这样，能够容易地将顶板搬入相向构件容置部81a以及从相向构件容置部81a搬出顶板。另外，由于不需要将相向构件容置部81a配置于利用相向构件保持部移动机构57旋转顶板的路径上，所以能够提高相向构件容置部81a的配置的自由度。

图41是示出本发明的第六实施方式的基板处理系统10a的内部的俯视图。图42是在图41中的XLII－XLII的位置剖切基板处理系统10a的剖视图。在图42中也一起描绘了截面的后侧的结构。在基板处理系统10a中，省略了各处理单元61中的相向构件容置部81(参照图24)，将共用的相向构件容置部81b配置于处理部6的共用空间66。另外，配置于共用空间66的主搬运机械手63不仅具有基板搬运手部64，而且还具有能够以水平状态保持顶板的相向构件搬运手部67。基板处理系统10a的其他的结构与图22以及图23所示的基板处理系统10是同样的，在以下的说明中，对对应的结构标记相同的附图标记。

作为相向构件保持部的相向构件搬运手部67通过作为相向构件保持部移动机构的手部驱动机构65来与基板搬运手部64一起移动。例如，相向构件搬运手部67配置于基板搬运手部64的下方。例如，相向构件搬运手部67通过手部驱动机构65水平地进退，在上下方向上移动，以平行于上下方向的旋转轴为中心进行旋转。此外，在主搬运机械手63中，可以使相向构件搬运手部67与基板搬运手部64分别单独地移动。

相向构件容置部81b与图29所示的相向构件容置部81是同样地，是能够容置多个顶板的大致长方体的箱状的构件。例如，相向构件容置部81b具有在上下方向上层叠的多个容置部82(参照图29)。多个容置部82能够各自容置一个顶板。例如，相向构件容置部81b配置于中间单元62的下方。例如，相向构件容置部81b也可以配置于中间单元62的上方或者共用空间66的其他位置。

通过驱动主搬运机械手63的相向构件搬运手部67，从处理单元61搬出顶板，并搬入相向构件容置部81b。详细地，在手部驱动机构65使相向构件搬运手部67与处理单元61的搬入搬出口相向之后，使之前进并将相向构件搬运手部67插入处理单元61内。如图43所示，相向构件搬运手部67配置于基板保持部31所保持的顶板51的相向构件凸缘部516的下方。

接下来，通过使相向构件搬运手部67上升，相向构件搬运手部67与相向构件凸缘部516的下表面接触，顶板51被相向构件搬运手部67保持。顶板51在上方远离基板保持部31。接着，通过使相向构件搬运手部67后退从处理单元61退出。这样，从处理单元61搬出顶板51。相向构件搬运手部67以及顶板51移动至与相向构件容置部81b相向的位置。然后，通过使相向构件搬运手部67前进，将相向构件搬运手部67所保持的顶板51搬入相向构件容置部81b。

另外，通过驱动主搬运机械手63的相向构件搬运手部67，将顶板从相向构件容置部81b搬出，并搬入处理单元61。详细地，手部驱动机构65在使相向构件搬运手部67与相向构件容置部81b相向之后，使之前进并将相向构件搬运手部67插入相向构件容置部81b内。接着，在利用相向构件搬运手部67保持顶板之后，使相向构件搬运手部67后退，由此从相向构件容置部81b搬出顶板。然后，通过使相向构件搬运手部67与处理单元61的搬入搬出口相向，使之前进来将相向构件搬运手部67插入处理单元61内，将顶板搬入处理单元61内。然后，将顶板从相向构件搬运手部67交接至基板保持部31，相向构件搬运手部67后退从处理单元61退出。

在基板处理系统10a中，搬运顶板的上述的相向部搬运机构不仅具有相向构件保持部53、相向构件升降机构55以及相向构件保持部移动机构57等，而且还具有主搬运机械手63。在相向构件搬运手部67上与图27所示的相向构件保持部53同样地设有限制正在搬运的顶板错位的移动限制部。例如，该移动限制部的结构与图27所示的移动限制部58同样。这样，能够防止当搬运顶板时，顶板相对于相向构件搬运手部67相对地移动以及旋转。因此，能够将顶板以高位置精度地移动至基板保持部31上，能够容易地利用基板保持部31保持顶板。

如上所述，主搬运机械手63的手部驱动机构65具有使顶板相对于相向构件容置部81b进退的进退机构。这样，能够容易地将顶板搬入相向构件容置部81b，以及将顶板从相向构件容置部81b搬出。

在基板处理系统10a中，多个处理单元61共用主搬运机械手63以及相向构件容置部81b。当关注两个处理单元61时，基板处理系统10a具有基板处理装置1、作为装置容置室的机壳11、其他基板处理装置1和作为其他装置容置室的其他机壳11。其他基板处理装置1与基板处理装置1共用相向构件容置部81b以及作为相向构件搬运机构的一部分的主搬运机械手63，并具有与该基板处理装置1同样的结构。在机壳11中配置有基板处理装置1的除了相向构件容置部81b以及主搬运机械手63以外的结构。其他机壳11也同样地配置有其他基板处理装置1的除了相向构件容置部81b以及主搬运机械手63以外的结构。

这样，能够简化基板处理系统10a的结构。另外，能够缩小各处理单元61的机壳11。因此，能够使基板处理系统10a小型化。

例如，在基板处理系统10a中，在相向构件容置部81b中容置有与处理单元61所使用的顶板51相同种类的顶板51。在这种情况下，例如，当在处理单元61所使用中的顶板51上附着有处理液等需要清洗时(即当需要维护顶板51时)，更换该顶板51与容置于相向构件容置部81b中的顶板51。这样，能够在不降低基板处理系统10a的生产性的情况下更换顶板51。

例如，顶板的更换在将处理完毕的基板9从处理单元61搬出后，且在将下一张基板9搬入处理单元61之前进行。或者，顶板的更换也可以与基板9的搬入搬出并行进行。即，也可以在将处理完毕的基板9从处理单元61搬出的同时，将顶板也从处理单元61搬出，在将未处理基板9搬入处理单元61的同时，将下一张顶板51搬入处理单元61。

另外，在基板处理系统10a中，还可以在相向构件容置部81b中容置与处理单元61所使用的顶板51不同种类的顶板。例如，在相向构件容置部81b中容置分别适于对基板9进行多种系列处理(即多个处理工艺)的多种顶板。在这种情况下，当变更利用处理单元61对基板9进行的一系列处理的种类时，将处理单元61内的顶板51更换为适于以后进行的处理的顶板。这样，在基板处理系统10a中，能够将各处理单元61切换为适于对基板9进行多种系列处理的结构。因此，能够使用各处理单元61对基板9进行各种种类的处理。

上述的基板处理装置1、1a、1b以及基板处理系统10、10a能够进行各种各样的变更。

基板处理装置1、1a也可以利用与处理液喷嘴(即第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421)不同的结构向处理液喷嘴与被保持部512之间的间隙518供给气体。

在基板处理装置1b中，从气体供给部45向间隙518供给气体不一定要经由位于供给位置的处理液喷嘴以及相向构件保持部53b这两者进行。例如，也可以从处理液喷嘴(即第一处理液喷嘴411a以及第二处理液喷嘴421a)的侧面向间隙518供给气体，省略从相向构件保持部53b供给气体。这样，能够简化相向构件保持部53b的结构。在这种情况下，相向构件保持部53b例如是大致实心的构件，贯通孔537是从相向构件保持部53b的上表面到下表面连续的柱状的孔。另外，也可以从相向构件保持部53b经由被保持部512的上部开口517向间隙518供给气体，省略从处理液喷嘴向间隙518供给气体。在这种情况下，能够简化处理液喷嘴的结构。或者，也可以利用与处理液喷嘴以及相向构件保持部53b不同的结构来向间隙518供给气体。

此外，不向间隙518供给气体也可以。另外，只要处理液喷嘴的供给位置是相向构件开口514的上方的位置即可，不限定于被保持部512的内侧。例如，处理液喷嘴也可以配置于被保持部512的上部开口517的上方。

在基板处理装置1中，不是必须在相向构件保持部53位于退避位置的状态下将第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421插入被保持部512。另外，不是必须在第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于退避位置的状态下，相向构件保持部53从退避位置移动至保持位置。例如，如图21所示，也可以在保持部主体531的侧面上设有比第一处理液喷嘴411的喷嘴凸缘部414大的缺口部531a，俯视观察，位于供给位置的第一处理液喷嘴411容置于位于保持位置的相向构件保持部53的缺口部531a中。在这种情况下，可以在相向构件保持部53位于保持位置的状态下，将处理液喷嘴(即第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421)插入被保持部512。另外，可以在将处理液喷嘴插入被保持部512的状态下，使相向构件保持部53从退避位置移动至保持位置。

在基板处理装置1中，第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534可以在图5中的右侧的端部等局部地连接。在基板处理装置1a中也是同样地，第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534也可以在保持部主体531的基部侧的端部等局部地连接。

在基板处理装置1、1a、1b中，也可以从第一处理液喷嘴411、411a依次向基板9上供给多种处理液。针对第二处理液喷嘴421、421a也是同样的。另外，除了第一处理液喷嘴411、411a以及第二处理液喷嘴421、421a以外，也可以还设置其他处理液喷嘴。在基板处理装置1中，也可以省略第二处理液喷嘴421、第二喷嘴升降机构433、第二喷嘴旋转机构434以及第二清洗部442。在基板处理装置1a、1b也是同样的。

在基板处理装置1b中，也可以在相向构件保持部53b上固定一个处理液喷，从该处理液喷嘴向基板9供给一种或者多种处理液。如此，能够通过将喷嘴固定于相向构件保持部53b，简化相向构件保持部53b以及处理液喷嘴的结构。在这种情况下，例如，处理液喷嘴从相向构件保持部53b向下方突出并从顶板51的被保持部512的上部开口517插入，将来自气体供给部45的气体经由相向构件保持部53b从被保持部512的上部开口517供给至被保持部512内。这样，能够既简化处理液喷嘴的结构，又抑制外部气体进入处理空间90。

相向构件升降机构55不是必须使顶板51在上下方向上移动，只要使顶板51相对于基板保持部31相对移动即可。例如，相向构件升降机构55也可以不移动顶板51，通过在上下方向上移动基板保持部31，使顶板51在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于基板保持部31相对地移动。在这种情况下，在由相向构件保持部53保持着并在上方远离基板保持部31的状态的顶板51的位置是第一位置，在被基板保持部31保持的状态的顶板51的位置是第二位置。

在基板处理装置1、1a、1b中，杯部37也可以具有配置为同心圆状的多个杯。在这种情况下，优选地，当切换向基板9上供给的处理液的种类时(例如，当从药液切换为清洗液时)，也切换接受来自基板9的处理液的杯。这样，能够容易地分别回收或者废弃多种处理液。

在基板处理装置1、1a、1b中，也可以在基板保持部31的中央部设置下部喷嘴，来向基板9的下表面供给处理液。

在基板处理装置1、1a、1b中，能够利用顶板51进行希望在低氧环境下进行的各种各样的处理。供给至处理空间90的气体并不限定于氮气，也可以是氩气等其他非活性气体。另外，供给至处理空间90的气体也可以是用于将基板9上形成为期望的气体环境的气体，例如，可以是管理了气体成分比的混合气体(即混合有多种气体的气体)。供给至处理空间90的气体根据处理内容，例如也可以是低湿度的干燥空气。在基板处理装置1、1a、1b中不是必须向处理空间90供给气体。

在基板处理装置1、1a、1b中，也可以对除了半导体基板以外的各种各样的基板进行处理。

在基板处理系统10、10a的基板处理装置1中，在相向构件保持部53位于退避位置的状态下，不是必须将第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421插入被保持部512。另外，在第一处理液喷嘴411以及第二处理液喷嘴421位于退避位置的状态下，相向构件保持部53不是必须从退避位置移动至保持位置。例如，如图44所示，也可以在保持部主体531的侧面上设置大于第一处理液喷嘴411的喷嘴凸缘部414的缺口部531a，俯视观察，位于供给位置的第一处理液喷嘴411容置在位于保持位置的相向构件保持部53的缺口部531a中。在这种情况下，也可以在相向构件保持部53位于保持位置的状态下，将处理液喷嘴(即第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421)插入被保持部512。另外，也可以在将处理液喷嘴插入被保持部512的状态下，相向构件保持部53从退避位置移动至保持位置。无论顶板51是处于静止状态还是正在旋转，凸缘连接部515都能够从第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534之间，向沿着第一凸缘支撑部532以及第二凸缘支撑部534的方向的单侧脱离。

在基板处理系统10、10a的基板处理装置1、1a中，也可以在相向构件保持部53、53a的保持部主体531上设置贯通孔，在相向构件保持部53、53a位于保持位置的状态下，将第一处理液喷嘴411或者第二处理液喷嘴421经由该贯通孔插入被保持部512的内侧。

在基板处理系统10、10a的基板处理装置1、1a中，只要处理液喷嘴的供给位置是相向构件开口514的上方的位置即可，不限定于被保持部512的内侧。例如，处理液喷嘴也可以配置于被保持部512的上部开口517的上方。

在基板处理系统10a的基板处理装置1中，也可以使第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534在图34中的右侧的端部等局部地连接。在基板处理装置1a中，也可以使第一凸缘支撑部532与第二凸缘支撑部534在保持部主体531的基部侧的端部等局部地连接。

上述实施方式以及各变形例的结构只要不相互矛盾，可以适当地组合。

虽然详细地描述并说明了发明，但是上述的说明是例示性的而不是限定性的。因此，可以说只要不脱离本发明的范围，就能够有多种变形或者形态。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，

具有：

基板保持部，以水平状态保持基板，

相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部，

相向构件搬运机构，保持所述相向构件的所述被保持部，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，

处理液喷嘴，位于所述被保持部的内侧，该处理液喷嘴经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液，

基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，以及

气体供给部，向所述相向构件与所述基板之间的空间供给气体；

所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转；

所述气体供给部向所述相向构件的所述被保持部的内侧面与所述处理液喷嘴的外侧面之间的间隙供给气体。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理液喷嘴从所述相向构件搬运机构向下方突出，从所述被保持部的上部开口插入，

来自所述气体供给部的气体经由所述相向构件搬运机构从所述被保持部的所述上部开口供给至所述被保持部内。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述被保持部具有：

圆筒状的凸缘连接部，以所述中心轴为中心，以及

相向构件凸缘部，从所述凸缘连接部的上端部向径向外方延展；

所述相向构件搬运机构从下侧对位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部进行支撑，

在位于所述第二位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的上表面与所述相向构件搬运机构之间形成有迷宫式密封部。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理液喷嘴在所述被保持部的上方经由设于所述相向构件搬运机构的贯通孔被插入所述被保持部，

来自所述气体供给部的气体向所述贯通孔供给。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

来自所述气体供给部的气体从所述处理液喷嘴的所述外侧面向所述间隙供给。

6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述相向构件搬运机构具有：

相向构件保持部，保持所述相向构件，以及

相向构件保持部移动机构，在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，该相向构件保持部移动机构使所述相向构件保持部从所述相向构件的上方退避；

在所述相向构件保持部退避的状态下，所述处理液喷嘴从所述被保持部的上部开口插入，来自所述气体供给部的气体从所述处理液喷嘴的所述外侧面供给至所述间隙。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，来自所述气体供给部的气体从所述处理液喷嘴的所述外侧面向斜下方以及斜上方供给。

8.如权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述被保持部具有：

圆筒状的凸缘连接部，以所述中心轴为中心，以及

相向构件凸缘部，从所述凸缘连接部的上端部向径向外方延展；

所述处理液喷嘴具有：

喷嘴主体，插入所述被保持部的所述凸缘连接部，以及

喷嘴凸缘部，从所述喷嘴主体的上部向径向外方延展，与所述相向构件凸缘部的上表面相向；

在所述相向构件凸缘部的所述上表面与所述喷嘴凸缘部的下表面之间形成有迷宫式密封部。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

来自所述气体供给部的气体从所述处理液喷嘴的所述外侧面向所述迷宫式密封部供给。