CN115116894A - 用于处理基板的设备 - Google Patents

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CN115116894A CN202210233553.6A CN202210233553A CN115116894A CN 115116894 A CN115116894 A CN 115116894A CN 202210233553 A CN202210233553 A CN 202210233553A CN 115116894 A CN115116894 A CN 115116894A
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朴时贤
朴仁煌
罗丞殷
张恩优
金耿民
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Abstract

本发明提供一种用于处理基板的设备，其包括：外壳，在该外壳中具有内部空间；处理容器，其布置于内部空间内且具有处理空间；基板支撑单元，其在处理空间中支撑基板；液体供应单元，其向由基板支撑单元支撑的基板供应液体；排气单元，其排出处理在空间中产生的烟气；气流供应单元，其耦接至外壳顶侧且向内部空间供应气体以形成向下气流；及穿孔板，其布置于处理容器与气流供应单元间且将气体排放至内部空间，穿孔板包含：底部部分及侧部部分，侧部部分包含第一侧部部分，其自底部部分延伸并向上倾斜至外壳的第一侧壁且具有排放气体的第一孔。

Description

用于处理基板的设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年3月22日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0036637的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文所描述的本发明构思的实施例是关于一种基板处理设备，且更具体而言，是关于一种向外壳的内部空间供应向下气流的基板处理设备。
背景技术
执行诸如光刻工艺、薄膜沉积工艺、灰化工艺、蚀刻工艺及离子植入工艺的各种工艺来制造半导体装置。此外，在执行该等工艺中的各者之前及之后执行用于对基板上的剩余颗粒执行清洁处理的清洁工艺。基板处理过程是在基板的清洁工艺中用各种液体执行。
清洁工艺包括：向由旋转头支撑及转动的基板供应化学品的过程；藉由向基板供应清洁液诸如去离子水(deionized water；DIW)而将化学品自基板移除的过程；及然后，藉由供应诸如所具有的表面张力比清洁液低的异丙醇(IPA)溶液的有机溶剂而将基板上的清洁液替换为有机溶剂的过程；及将取代后的有机溶剂自基板移除的过程。
图1是例示已知基板处理设备的剖面图。参考图1，基板处理设备1000在外壳中设置有围绕支撑基板的支撑单元1100的处理容器1200，且在向旋转的基板供应液体的同时对基板进行处理。风扇过滤器单元1300被设置来向外壳的内部空间提供向下气流，以便容易地排放在基板处理工艺期间产生的气体。在内部空间中用各处理液处理基板时产生的颗粒、烟气、气体等与向下气流一起穿过排气装置排放至外部。由于风扇过滤器单元安装于与处理容器相反的位置处，因此气流在外壳的侧壁附近停滞。结果，排气装置的排气不顺畅，且因此基板处理期间产生的气体附着至基板，从而在基板中形成颗粒。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种基板处理设备，该基板处理设备能够移除由于在向外壳的内部空间提供向下气流的同时对基板进行处理时外壳的内部空间中的向下气流造成的气流阻塞。
本发明构思的实施例提供一种基板处理设备，该基板处理设备防止颗粒在向外壳的内部空间提供向下气流的同时对基板进行处理时形成于基板上。
本发明构思的技术目标不限于以上所提及的目标，且所属技术领域中具有通常知识者根据以下描述将明白其他未提及的技术目标。
本发明构思提供一种基板处理设备。该基板处理设备包括：外壳，该外壳在其中具有内部空间；处理容器，该处理容器布置于该内部空间内且具有处理空间；基板支撑单元，该基板支撑单元在该处理空间中支撑基板；液体供应单元，该液体供应单元向由该基板支撑单元支撑的该基板供应液体；排气单元，该排气单元排出在该处理空间中产生的烟气；气流供应单元，该气流供应单元耦接至该外壳的顶侧且向该内部空间供应气体以形成向下气流；及穿孔板，该穿孔板布置于该处理容器与该气流供应单元之间且将该气体排放至该内部空间，且其中该穿孔板包含：底部部分及侧部部分，该侧部部分包含第一侧部部分，且该第一侧部部分自该底部部分延伸并向上倾斜至该外壳的第一侧壁且具有用于排放该气体的第一孔。
在一实施方案中，该穿孔板的该底部部分具有用于排放该气体的底部孔，且该第一侧部部分的每单位面积的该第一孔的开口面积不同于该底部部分的每单位面积的该底部孔的开口面积。
在一实施方案中，该第一侧部部分的顶表面每单位面积的该第一孔的该开口面积小于该底部部分的顶表面每单位面积的该底部孔的该开口面积。
在一实施方案中，该第一孔被设置来在朝向该外壳的该第一侧壁的向下倾斜方向上直接排放该气体。
在一实施方案中，该穿孔板的该侧部部分进一步包含第二侧部部分，该第二侧部部分具有用于排放该气体的第二孔，该第二侧部部分与该第一侧部部分相反，自该底部部分延伸并向上倾斜至该外壳的第二侧壁，该外壳的该第二侧壁与该外壳的该第一侧壁相反。
在一实施方案中，该穿孔板的该第一侧部部分与该外壳的该第一侧壁之间的第一角度不同于该穿孔板的该第二侧部部分与该外壳的该第二侧壁之间的第二角度。
在一实施方案中，该第一角度大于该第二角度，且该第一侧部部分的每单位面积的该第一孔的开口面积被设置为小于该底部部分的每单位面积的该底部孔的开口面积，且该第二侧部部分的每单位面积的该第二孔的开口面积小于该底部部分的该顶表面每单位面积的该底部孔的该开口面积，且大于该第一侧部部分的顶表面每单位面积的该第一孔的该开口面积。
在一实施方案中，该穿孔板的该侧部部分进一步包含：第三侧部部分，该第三侧部部分位于该第一侧部部分与该第二侧部部分之间且具有用于排放该气体的第三孔；及第四侧部部分，该第四侧部部分与该第三侧部部分相反且位于该第一侧部部分与该第二侧部部分之间且具有用于排放该气体的第四孔，且该第三侧部部分自该底部部分延伸并向上倾斜至该外壳的第三侧壁，且该第四侧部部分自该底部部分延伸并向上倾斜至该外壳的第四侧壁。
在一实施方案中，该穿孔板的该第一侧部部分与该外壳的该第一侧壁之间的角度大于该穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与该外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度，且该第一侧部部分的每单位面积的该第一孔的开口面积被设置为小于该底部部分的每单位面积的该底部孔的开口面积，且该第二侧部部分至该第四侧部部分的各个每单位面积的该第二孔至该第四孔的各个开口面积小于该底部部分的每单位面积的该底部孔的该开口面积且大于该第一侧部部分的每单位面积的该第一孔的该开口面积。
在一实施方案中，该侧部部分包含有包括该第一侧部部分的多个侧部部分，且不包括(排除)该第一侧部部分的该多个侧部部分与该外壳的各个侧壁接触。
在一实施方案中，该气流供应单元包含：过滤器，该过滤器用于将杂质自流入该过滤器中的该气体移除；及风扇，该风扇布置于该外壳的顶表面处以用于在该内部空间中形成向下气流。
在一实施方案中，该基板处理设备进一步包含：成像单元，该成像单元与该第一侧部部分的第一端相邻地安装于该外壳的该第一侧壁处，该第一端与该第一侧部部分的连接至该底部部分的第二端相反，该成像单元经安装成使得该成像单元的光轴相对于水平面形成锐角。
本发明构思提供一种基板处理设备。该基板处理设备包括：外壳，该外壳具有内部空间且包括第一侧壁及第二侧壁；处理容器，该处理容器布置于该内部空间内且具有处理空间；基板支撑单元，该基板支撑单元在该处理空间中支撑基板；液体供应单元，该液体供应单元向由该基板支撑单元支撑的该基板供应液体；排气单元，该排气单元排出在该处理空间中产生的烟气；气流供应单元，该气流供应单元耦接至该外壳的顶侧且向该内部空间供应气体以形成向下气流；及穿孔板，该穿孔板布置于该处理容器与该气流供应单元之间且将该气体排放至该内部空间，且其中该穿孔板包含：底部部分，该底部部分具有用于在垂直于由该支撑单元支撑的该基板的顶表面的方向上排放该气体的底部孔；及第一侧部部分，该第一侧部部分自该底部部分向上延伸至该外壳的该第一侧壁且具有用于朝向该外壳的该第一侧壁排放该气体的第一孔。
在一实施方案中，该第一侧部部分的顶表面每单位面积的该第一孔的开口面积被设置为小于该底部部分的顶表面每单位面积的该底部孔的开口面积。
在一实施方案中，该穿孔板包括第二侧部部分，该第二侧部部分自该底部部分延伸并向上倾斜至该外壳的该第二侧壁且具有用于朝向该外壳的该第二侧壁排放该气体的第二孔，且该第一侧部部分与该第一侧壁之间的角度大于该第二侧部部分与该第二侧壁之间的角度，且该第二侧部部分的每单位面积的该第二孔的开口面积小于该底部部分的每单位面积的该底部孔的开口面积且大于该第一侧部部分的每单位面积的该第一孔的开口面积。
在一实施方案中，该基板处理设备进一步包含：成像单元，该成像单元与该第一侧部部分的第一端相邻地安装于该外壳的该第一侧壁处，该第一端与该第一侧部部分的连接至该底部部分的第二端相反，该成像单元经安装成使得该成像单元的光轴相对于由该基板支撑单元的顶表面界定的水平面形成锐角。
本发明构思提供一种基板处理设备。
在一实施方案中，该基板处理设备包括：外壳，该外壳具有内部空间且包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁及第四侧壁；处理容器，该处理容器布置于该内部空间内且具有处理空间；基板支撑单元，该基板支撑单元在该处理空间中支撑基板；液体供应单元，该液体供应单元向由该基板支撑单元支撑的该基板供应液体；排气单元，该排气单元排出在该处理空间中产生的烟气；气流供应单元，该气流供应单元耦接至该外壳的顶侧且向该内部空间供应气体以形成向下气流；及穿孔板，该穿孔板布置于该处理容器与该气流供应单元之间且将该气体排放至该内部空间，且其中该穿孔板包含：底部部分及第一侧部部分，该底部部分包括底部孔，该底部孔用于在垂直于由该支撑单元支撑的该基板的顶表面的方向上排放该气体，该第一侧部部分自该底部部分向上延伸至该外壳的该第一侧壁且具有用于朝向该外壳的该第一侧壁排放该气体的第一孔。
在一实施方案中，该穿孔板进一步包括第二侧部部分、第三侧部部分及第四侧部部分，该第二侧部部分、该第三侧部部分及该第四侧部部分分别自该底部部分延伸并向上倾斜至该第二侧壁、该第三侧壁及该第四侧壁，且该穿孔板的该第一侧部部分与该外壳的该第一侧壁之间的角度大于该穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与该外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度。
在一实施方案中，该第二侧部部分至该第四侧部部分的顶表面各个每单位面积的该第二孔至该第四孔的各个开口面积大于该第一侧部部分的该顶表面每单位面积的该第一孔的该开口面积。
在一实施方案中，该基板处理设备进一步包含：成像单元，该成像单元与该第一侧部部分的第一端相邻地安装于该外壳的该第一侧壁处，该第一端与该第一侧部部分的连接至该底部部分的第二端相反，该成像单元经安装成使得该成像单元的光轴相对于由该基板支撑单元的顶表面界定的水平面形成锐角。
根据本发明构思的一实施方案，当在向外壳的内部空间提供向下气流的同时对基板进行处理时，可防止气流在外壳的内部空间中停滞。
根据本发明构思的一实施方案，可防止颗粒在向外壳的内部空间提供向下气流的同时对基板进行处理时形成于基板上。
根据本发明构思的一实施方案，在设置有用于提供向下气流的穿孔板的结构中，可提供在其中安装成像单元的空间，且同时可将向下气流提供至外壳的整个内部空间。
附图说明
以上及其他目标及特征将藉由参考以下图式的以下描述变得显而易见，其中除非另外规定，否则相同的参考数字在各个图式中是指相同的部件。
图1是示意性地例示已知基板处理设备的处理室的剖面图。
图2是示意性地例示根据本发明构思的一实施方案的基板处理设备的平面图。
图3是示意性地例示图2的基板处理设备的处理室的一实施方案的视图。
图4是自处理室前面观察的图3的穿孔板的视图。
图5是自处理室侧面观察的图3的穿孔板的视图。
图6至图8是分别示意性地例示图3的穿孔板的修改实例的视图。
图9是示意性地例示图3的处理室的另一实施方案的视图。
图10是示意性地例示当穿孔板不具有倾斜侧表面而仅具有底表面时气流在处理室内部的流动的视图。
图11是示意性地例示当穿孔板具有底表面及倾斜侧表面时气流在处理室内部的流动的视图。
图12是示意性地例示图2的基板处理设备的处理室的另一实施方案的视图。
图13是示意性地显示图12的穿孔板的视图。
图14是示意性地例示图2的基板处理设备的处理室的另一实施方案的视图。
图15是示意性地例示图12的处理室的另一实施方案的视图。
图16是示意性地例示图14的处理室的另一实施方案的视图。
【符号说明】
1：基板处理设备
10：分度模块
12：第一方向
14：第二方向
16：第三方向
20：处理模块
120：装载端口
130：容器
140：传送框架
142：分度轨道
144：分度机器人
144a：基座
144b：主体
144c：分度臂
220：缓冲单元
240：传送室
242：导引轨道
244：主机器人
244a：基座
244b：主体
244c：主臂
300：处理室
310：外壳
311：顶壁
312：第一侧壁
313：第二侧壁
314：第三侧壁
315：第四侧壁
320：处理容器
321：导引壁
322：内部再收集容器
322a、324a、326a、322c、324c、326c：空间
324：中间再收集容器
326：外部再收集容器
322b,324b,326b：再收集管线
340：基板支撑单元/旋转头
342：主体
344：支撑销
346：卡盘销
348：支撑轴
349：驱动单元
360：提升/降下单元
362：托架
364：移动轴
366：驱动器
370：液体供应单元
370a：第一处理液供应构件
370b：第二处理液供应构件
372：臂
374：喷嘴
376：支撑轴
378：驱动器
380：排气单元
381：排气导管
400：气流供应单元
500、500e、500f：穿孔板
510、510b、510c、510d、510e、510f：底部部分
511、511b、511c、511d、511e、511f：底部孔
520、520b、520c、520d、520e、520f：第一侧部部分
521、521b、521c、521d、521e、521f：第一孔
530、530b、530c、530d：第二侧部部分
531、531b、531c、531d：第二孔
540、540b、540c、540d：第三侧部部分
541、541b、541c、541d：第三孔
550、550b、550c、550d：第四侧部部分
551、551b、551c、551d：第四孔
700：成像单元
1000：基板处理设备
1100：支撑单元
1200：处理容器
1300：风扇过滤器单元
A1,A2：倾斜程度
d1、d2、d3、d4、d5：距离
W：基板
具体实施方式
本发明构思可以以各种方式进行修改且可具有各种形式，且其具体实施例将在图式中例示出并详细描述。然而，根据本发明构思的实施例并不意欲限制具体揭示形式，且应当理解，本发明构思包括了包括在本发明构思的精神及技术范畴内的所有变形、等效物及替换。在对本发明构思的描述中，当相关已知技术可能使发明构思的本质不清楚时，可省略对该等技术的详细描述。
本文所用的用语是仅出于描述特定实施例的目的，而并不意欲限制本发明构思。如本文所用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式「一」、「一种」及「该」意欲亦包括复数形式。将进一步理解，用语「包含(comprises)及/或包括(comprising)」在本说明书中使用时，规定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、组件及/或组件，但不排除存在或添加一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件及/或其群组。如本文所用，用语「及/或」包括相关联的列出项中之一或多者的任何及所有组合。此外，用语「示例性」意欲是指实例或说明。
将理解，尽管本文可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来描述各种组件、组件、区域、层及/或部段，但此等组件、组件、区域、层及/或部段不应受此等用语所限制。此等用语仅用于将一个组件、组件、区域、层或部段与另一个组件、组件、区域、层或部段区分开。因此，在不脱离本发明构思的教示的情况下，以下讨论的第一组件、组件、区域、层或部段可称为第二组件、组件、区域、层或部段。
在本发明构思的一实施例中，将以藉由向基板上供应诸如清洁液的液体来对基板进行液体处理的工艺为例进行描述。然而，该实施例不限于清洁工艺，且可应用于使用处理液处理基板的各种工艺，诸如蚀刻工艺、灰化工艺、显影工艺及类似者。
在下文中，将参考图2至图16详细描述本发明构思的实施例。
图2是示意性地例示根据本发明构思的一实施例的基板处理设备的平面图。参考图2，基板处理设备1包括分度模块10及处理模块20。分度模块10具有装载端口120及传送框架140。装载端口120、传送框架140及处理模块20在一方向上按顺序配置。在下文中，配置装载端口120、传送框架140及处理模块20所在的方向称为第一方向12，垂直于第一方向12的方向称为第二方向14，且垂直于包括第一方向12及第二方向14的平面的方向称为第三方向16。
其中储存基板W的容器130安置于装载端口120中。沿着第二方向14提供并配置多个装载端口120。装载端口120的数目可根据处理模块20的工艺效率及覆盖区条件而增加或减少。用于水平保持基板W的多个插槽(未显示出)形成于容器130中。前开式晶圆传送盒(front opening unified pod；FOUP)可用作容器130。
处理模块20包括缓冲单元220、传送室240及处理室300。传送室240被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。多个处理室300分别布置于传送室240的两侧上。在传送室240的一侧及另一侧处，处理室300被设置成关于传送室240对称。多个处理室300的一些沿着传送室240(即沿着第一方向12)的纵向方向布置。此外，多个处理室300中的一些被布置成堆叠于彼此之上，即沿着第三方向16。亦即，处理室300可在传送室240的一侧及/或另一侧上配置成AXB配置。此处，A是沿着第一方向12设置的处理室300的数目，而B是沿着第三方向16设置的处理室300的数目。当在传送室240的一侧上设置四或六个处理室300时，处理室300可配置成2×2或3×2配置。处理室300的数目可增加或减少。处理室300可仅设置于传送室240的一侧上。此外，处理室300可以单层(沿着第三方向彼此不堆叠)形式设置于传送室240的一侧及/或两侧上。
缓冲单元220布置于传送框架140与传送室240之间。缓冲单元220提供在传送室240与传送框架140之间、传送基板W之前基板W停留在其中的空间。基板W保持于其上所在的插槽(未显示出)设置在缓冲单元220内部。多个插槽(未显示出)被设置成沿着第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220的面向传送框架140的一侧及面向传送室240的一侧是开口的。缓冲单元220的两个开口侧可为其两个相反侧。
传送框架140在安置于装载端口120上的容器130与缓冲单元220之间传送基板W。传送框架140设置有分度轨道142及分度机器人144。分度轨道142被设置成使得其长度方向平行于第二方向14。分度机器人144安装于分度轨道142上且沿着分度轨道142在第二方向14上线性移动。分度机器人144具有基座144a、主体144b及分度臂144c。基座144a经安装成可沿着分度轨道142移动。主体144b耦接至基座144a。主体144b被设置成可在基座144a上沿着第三方向16移动。此外，主体144b被设置成可在基座144a上转动。分度臂144c耦接至主体144b且被设置成能够相对于主体144b可前后移动。多个分度臂144c被设置成被单独驱动。分度臂144c被布置成在于第三方向16上彼此间隔开的同时堆叠。一些分度臂144c可用于将基板W自处理模块20运送至容器130，而其他一些分度臂144c可用于将基板W自容器130运送至处理模块20。这可防止在由分度机器人144引进及取出基板W的过程中自处理前的基板W产生的颗粒附着至处理后的基板W。
传送室240在缓冲单元220与处理室300之间以及在处理室300之间传送基板W。传送室240设置有导引轨道242及主机器人244。导引轨道242被设置成使得其长度方向平行于第一方向12。主机器人244安装于导引轨道242上且在导引轨道242上沿着第一方向12线性移动。主机器人244具有基座244a、主体244b及主臂244c。基座244a经安装成可沿着导引轨道242移动。主体244b耦接至基座244a。主体244b被设置成可在基座244a上沿着第三方向16移动。此外，主体244b被设置成可在基座244a上转动。主臂244c耦接至主体244b，被设置成可相对于主体244b前后移动。多个主臂244c被设置成单独驱动。主臂244c被布置成在于第三方向16上彼此间隔开的同时堆叠。
处理室300可为向基板W供应液体以执行液体处理工艺的液体处理室。例如，液体处理工艺可为用清洁液清洁基板的清洁工艺。化学处理、清洗处理及干燥处理全都可在处理室内对基板执行。在一些实施例中，用于使基板干燥的干燥室可与液体处理室分开设置。
图3是示意性地例示图2的处理室的实施例的剖面图。图4及图5分别示意性地显示自处理室前面及侧面观察的图3的穿孔板。参考图3至图5，处理室300包括外壳310、处理容器320、基板支撑单元340、液体供应单元370、排气单元380、气流供应单元400及穿孔板500。
外壳310在其中形成空间。外壳310具有界定空间的顶壁311、底壁及侧壁。根据实施例，外壳310通常具有长方体形状，且因此，外壳可具有第一侧壁312、第二侧壁313、第三侧壁314及第四侧壁315。第一侧壁312及第二侧壁313彼此相反，且第三侧壁314及第四侧壁315彼此相反。自第一侧壁312至基板的最短距离可大于自第二侧壁313、第三侧壁314及第四侧壁315至基板的最短距离。
处理容器320位于外壳310内部。处理容器320具有用于处理基板W的处理空间。处理容器320具有导引壁321、内部再收集容器322、中间再收集容器324及外部再收集容器326。再收集容器(322、324及326)中的各者分离及回收工艺所用的处理液中的不同处理液。导引壁321被设置成围绕基板支撑单元340的环形圈形状，且内部再收集容器322被设置成围绕导引壁321的环形圈形状。中间再收集容器324被设置成围绕内部再收集容器322的环形圈形状，且外部再收集容器326被设置成围中间再收集容器324的环形圈形状。内部再收集容器322与导引壁321之间的空间322a充当引入处理液所透过的第一入口。内部再收集容器322与中间再收集容器324之间的空间324a充当引入处理液所透过的第二入口。中间再收集容器324与外部再收集容器326之间的空间326a充当引入处理液所透过的第三入口。此外，导引壁321的底端与内部再收集容器322之间的空间322c充当排放由处理液产生的烟气及气流所透过的第一出口。内部再收集容器322的底端与中间再收集容器324之间的空间324c充当排放由处理液产生的烟气及气流所透过的第二出口。中间再收集容器324的底端与外部再收集容器326之间的空间326c充当排放由处理液产生的烟气及气流所透过的第三出口。可向各再收集容器中引入不同类型的处理液。对于再收集容器(322、324及326)中的各者，连接有自各自底侧向下延伸的再收集管线322b、324b及326b。再收集管线322b、324b及326b中的各者排放透过再收集容器(322、324及326)中的各者引入的处理液、烟气及气流。所排放的处理液可透过外部处理液再生系统(未显示出)再使用。
基板支撑单元340在工艺期间支撑基板W并转动基板W。基板支撑单元340具有主体342、支撑销344、卡盘销346、支撑轴348及驱动单元(未显示出)。主体342具有自上方观察时总体以圆形形状设置的顶表面。支撑轴348固定地耦接至主体342的底表面，且支撑轴348被设置成可由驱动单元349转动。
设置了多个支撑销344。支撑销344在主体342的顶表面的边缘上布置成彼此间隔开预定距离且自主体342向上突出。支撑销344被布置成整体上具有环形圈形状。支撑销344支撑基板W的后边缘，使得基板W与主体342的顶表面间隔开预定距离。
设置了多个卡盘销346。卡盘销346被布置成比支撑销344更远离主体342的中心。卡盘销346被设置成自主体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的侧部，以便在基板W转动时不侧向偏离预定位置。卡盘销346被设置成能够沿着主体342的径向方向在待机位置与支撑位置之间线性移动。待机位置是与支撑位置相比远离主体342的中心的位置。当基板W在基板支撑单元340上装载或卸除时，卡盘销346位于待机位置处，而当对基板W执行工艺时，卡盘销346位于支撑位置处。在支撑位置处，卡盘销346与基板W的侧部接触。
提升/降下单元360在向上/向下方向上线性移动处理容器320。当处理容器320上下移动时，处理容器320相对于旋转头340的相对高度发生改变，提升/降下单元360具有托架362、移动轴364及驱动器366。托架362固定地安装于处理容器320的外部壁上，且藉由驱动器366在向上/向下方向上移动的移动轴364固定地耦接至托架362。当基板W放置于旋转头340上或自旋转头340提升时，处理容器320被降下，使得旋转头340自处理容器320向上突出。此外，对于处理过程，调整处理容器320的高度以使得处理液可根据向基板W供应的处理液类型流入预定再收集容器中。在一些实施例中，提升/降下单元360可在向上/向下方向上移动旋转头340。
液体供应单元370将处理液供应至基板W上。设置了多个液体供应单元370，各液体供应单元供应不同类型的处理液。根据实施例，液体供应单元370包括第一处理液供应构件370a及第二处理液供应构件370b。
第一处理液供应构件370a包括支撑轴376、臂372、驱动器3及喷嘴374。支撑轴376位于处理容器320的一侧上。支撑轴376具有沿着第三方向延伸的杆形状。支撑轴376被设置成可由驱动器378转动。臂372耦接至支撑轴376的顶端。臂372自支撑轴376竖直延伸。喷嘴374固定地耦接至臂372的一端。当支撑轴376转动时，喷嘴374可与臂372一起摆动。喷嘴374可摆动且移动至处理位置及待机位置。此处，处理位置是喷嘴374面向由基板支撑单元340支撑的基板W的位置，而待机位置是喷嘴374偏离处理位置的位置。
在一些实施例中，臂372可设置成能够在其长度方向上前后移动。当自上方观察时，喷嘴374可摆动以位于基板W的中心轴在线。
第二处理液供应构件370b将第二处理液供应至由基板支撑单元340支撑的基板W上。第二处理液供应构件370b被设置成与第一处理液供应构件370a具有相同形状。因此，将省略对第二处理液供应构件370b的详细描述。
第一处理液及第二处理液可为化学品、清洗液及有机溶剂中的任一种。该化学品可包括硝酸、磷酸或硫酸。该清洗液可含有水。该有机溶剂可包括醇诸如异丙醇。
排气单元380排出在处理空间中产生的烟气及气体。排气单元380排出在对基板的液体处理期间产生的烟气及气体。排气单元380可耦接至处理容器320的底表面。
排气导管381排出在外壳310的内部空间中产生的烟气及气体。排气导管381排出在对基板的液体处理期间自处理空间飞散的烟气及气体。排气导管381可耦接至外壳310的底壁。
在对基板的液体处理期间，烟气及气体可仅透过排气单元380及排气导管381排出。在一些实施例中，在对基板的液体处理期间，烟气及气体可同时透过排气单元380及排气导管381排出。在此情况下，可控制排气导管381，使得其排气压力在基板经受液体处理时低于排气单元380的排气压力，从而与排气单元380相比排出更小的量。因此，可防止在处理空间中产生的烟气回流至处理空间外部。
气流供应单元400向外壳310的内部空间供应气体以形成向下气流。气流供应单元400连接至外壳310的顶壁311。透过气流供应单元400向外壳310的内部空间供应的气体在内部空间中形成向下气流。处理空间中因处理过程产生的气体副产物藉由向下气流透过排气单元380排放至外壳310外部。气流供应单元400可设置为风扇过滤器单元。
穿孔板500将由气流供应单元400供应的气体均匀地排放至外壳310的内部空间。穿孔板500布置于气流供应单元400与处理容器340之间。穿孔板500可布置于与气流供应单元400及处理容器340间隔开的高度处。
穿孔板500具有底部部分510及侧部部分。侧部部分自底部部分延伸。侧部部分包括第一侧部部分520、第二侧部部分530、第三侧部部分540及第四侧部部分550。第一侧部部分520及第二侧部部分530彼此相反，且第三侧部部分540及第四侧部部分550彼此相反。第一侧部部分520与外壳310的第一侧壁312相邻，且第二侧部部分530与外壳310的第二侧壁313相邻。此外，第三侧部部分540与外壳310的第三侧壁314相邻，且第四侧部部分550与外壳310的第四侧壁315相邻。
第一侧部部分520自底部部分510的各自侧朝向第一侧壁312延伸。第一侧部部分520可朝向第一侧壁312向上倾斜。第二侧部部分530自底部部分510的各自侧朝向第二侧壁313延伸。第二侧部部分530可朝向第二侧壁313向上倾斜。第三侧部部分540自底部部分510的各自侧朝向第三侧壁314延伸。第三侧部部分540可朝向第三侧壁314向上倾斜。第四侧部部分550自底部部分510的各自侧朝向第四侧壁315延伸。第四侧部部分550可朝向第四侧壁315向上倾斜。
第一侧部部分520、第二侧部部分530、第三侧部部分540及第四侧部部分550中的至少两个侧部部分可设置有不同程度的倾斜。根据实施例，第一侧部部分520比第二侧部部分530、第三侧部部分540及第四侧部部分550倾斜得更少。亦即，穿孔板的第一侧部部分520与外壳的第一侧壁312之间的角度可大于穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度。根据实施例，第一侧部部分520的倾斜程度A1可设置为小于第二侧部部分530的倾斜程度A2。换言之，穿孔板的第一侧部部分520与外壳的第一侧壁312之间的角度可大于穿孔板的第二侧部部分530与外壳的第二侧壁313之间的角度。
第一侧部部分520具有第一孔521。自气流供应单元400供应的气体透过第一孔521排放至内部空间。第一孔521设置在朝向外壳310的第一侧壁312的向下倾斜方向上。因此，自气流供应单元400供应的气体可直接排放至内部空间中的边缘区域。自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的第二孔531形成于第二侧部部分530中。第二孔531可设置成在朝向外壳310的第二侧壁313的向下倾斜方向上直接排放自气流供应单元400供应的气体。自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的第三孔541形成于第三侧部部分540中。第三孔541可设置成在朝向外壳310的第三侧壁314的向下倾斜方向上直接排放自气流供应单元400供应的气体。自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的第四孔551形成于第四侧部部分550中。第四孔551可设置成在朝向外壳310的第四侧壁315的向下倾斜方向上直接排放自气流供应单元400供应的气体。自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的底部孔511形成于底部部分510中。
第一孔521、第二孔531、第三孔541及第四孔551形成于穿孔板500的一部分中，例如，该等孔(521、531、541及551)可占据穿孔板500的顶表面的30％或更少。第一孔521、第二孔531、第三孔541、第四孔551及底部孔511可具有4mm至12mm直径。穿孔板500与气流供应单元400之间的距离可为10mm至80mm。来自气流供应单元400的气体单独地流动穿过第一孔521、第二孔531、第三孔541及第四孔551并分别沿着第一侧壁312、第二侧壁313、第三侧壁314及第四侧壁315向下下降，从而防止外壳310的内部空间中的向下气流之间的碰撞。结果，可最小化内部空间中的气流干扰。
第一孔至第四孔521、531、541及551以及底部孔511可形成于各个的侧部部分及底部部分中以占据各个侧部部分及底部部分的顶表面中不同区域，例如，各个侧部部分及底部部分的顶表面每单位面积的孔的开口面积可不同地形成于至少两个侧部部分中及/或侧部部分与底部部分之间。例如，第一侧部部分520的顶表面每单位面积的第一孔521的开口面积可小于底部部分510的顶表面每单位面积的底部孔511的开口面积。第二侧部部分530的顶表面每单位面积的第二孔531的开口面积可小于底部部分510的顶表面每单位面积的底部孔511的开口面积，但大于第一侧部部分520的顶表面每单位面积的第一孔521的开口面积。第一孔至第四孔521、531、541及551可形成于各个的侧部部分及底部部分中，使得一个侧部部分中的相邻两个孔之间的距离不同于另一个侧部部分中及/或底部部分中的两个相邻孔之间的距离。例如，第一孔521中的孔之间的距离d1、第二孔531中的孔之间的距离d3、第三孔541中的孔之间的距离d4、第四孔551中的孔之间的距离d5及底部孔511中的孔之间的距离d2彼此不同。第一孔521中的孔之间的距离d1可设置为小于底部孔511中的孔之间的距离d2。第二孔531中的孔之间的距离d3可设置为大于第一孔521中的孔之间的距离d1且小于底部孔511中的孔之间的距离d2。第三孔541中的孔之间的距离d4及第四孔551中的孔之间的距离d5可设置为小于底部孔511中的孔之间的距离d2。因此，与离处理容器320及外壳310的第二侧壁313具有近距离的区域相比，离处理容器320及外壳310的第一侧壁312具有远距离的区域可大大增加向下气流密度。
与上述实施例不同，第一侧部部分520b的倾斜程度可设置为等于第二侧部部分530b的倾斜程度，如图6所显示，图6显示图3的穿孔板的修改实例。在一些实施例中，第一侧部部分520b、第二侧部部分530b、第三侧部部分540b及第四侧部部分550b的倾斜程度可设置为相等。在一些实施例中，第一侧部部分520b及第二侧部部分530b的倾斜程度可相等，且第三侧部部分540b及第四侧部部分550b的倾斜程度可不同于第一侧部部分520b的彼等倾斜程度。
第一孔至第四孔521b、531b、541b及551b可形成于各个的侧部部分中以占据各个侧部部分的顶表面中的相同区域，例如，各个侧部部分及底部部分的顶表面每单位面积的孔的开口面积可相等地形成于侧部部分中。所有侧部部分中的孔的开口面积可设置为小于底部部分510b的顶表面每单位面积的底部孔511b的开口面积。第一孔至第四孔521b、531b、541b及551b可形成于各个的侧部部分及底部部分中，使得一个侧部部分中的相邻两个孔之间的距离等于另一个侧部部分中的两个相邻孔之间的距离。给定侧部部分中的相邻两个孔之间的距离可不同于底部孔511b中的相邻两个孔之间的距离。
第一侧部部分520c的倾斜程度可设置为等于第二侧部部分530c的倾斜程度，如图7所显示，与上述实施例不同，图7显示图3的穿孔板的修改实例。在一些实施例中，第一侧部部分520c、第二侧部部分530c、第三侧部部分540c及第四侧部部分550c的倾斜程度可设置为相等。在一些实施例中，第一侧部部分520c及第二侧部部分530的倾斜程度可可相等，且第三侧部部分540c及第四侧部部分550c的倾斜程度可不同于第一侧部部分520c的彼等倾斜程度。
第一侧部部分520c、第二侧部部分530c、第三侧部部分540c、第四侧部部分550c及底部部分510c的顶表面每单位面积的各孔的开口面积可不同地设置。在实施例中，第一侧部部分520c的顶表面每单位面积的第一孔521c的开口面积可设置为小于底部部分510c的顶表面每单位面积的底部孔511c的开口面积。第二侧部部分530c、第三侧部部分540c及第四侧部部分550c的顶表面每单位面积的第二孔531c、第三孔541c及第四孔551c的开口面积可小于底部部分510c的顶表面每单位面积的底部孔511c的开口面积，且大于第一侧部部分520c的顶表面每单位面积的第一孔521c的开口面积。在一些实施例中，第二侧部部分530c的顶表面每单位面积的第二孔531c的开口面积大于第一侧部部分520c的顶表面每单位面积的第一孔521c的开口面积，且小于底部部分510c的顶表面每单位面积的底部孔511c的开口面积、第三侧部部分540c的顶表面每单位面积的第三孔541c的开口面积及第四侧部部分550c的顶表面每单位面积的第四孔551c的开口面积。
第一孔521c、第二孔531c、第三孔541c、第四孔551c及底部孔511c之间的距离可不同地设置。第一孔521c中的孔之间的距离可小于底部孔511c中的孔之间的距离。第二孔531c中的孔之间的距离可大于第一孔521c中的孔之间的距离且小于底部孔511c中的孔之间的距离。第三孔541c中的孔之间的距离及第四孔551c中的孔之间的距离可小于底部孔511c中的孔之间的距离。
与上述实施例不同，第一侧部部分520d、第二侧部部分530d、第三侧部部分540d及第四侧部部分550d的倾斜程度可不同地设置，如图8所显示，图8显示图3的穿孔板的修改实例。在一实施例中，第一侧部部分520d的倾斜程度可设置为小于第二侧部部分530d、第三侧部部分540d及第四侧部部分550d的倾斜程度。
第一侧部部分520d的顶表面每单位面积的第一孔521d的开口面积、第二侧部部分530d的顶表面每单位面积的第二孔531d的开口面积、第三侧部部分540d的顶表面每单位面积的第三孔541d的开口面积及第四侧部部分550d的顶表面每单位面积的第四孔551d的开口面积相同，但小于底部部分510d的顶表面每单位面积的底部孔511d的开口面积。第一孔521d、第二孔531d、第三孔541d及第四孔551d中的孔之间的距离可设置为相同，且可不同于底部孔511d中的孔之间的距离。
图9是示意性地例示图3的处理室的另一实施例的剖面图。图9可进一步包括成像单元700，该成像单元700提供图3的实施例的相同处理室300且获取物体的影像。参考图9，成像单元700可在向下倾斜方向上对待成像的物体进行成像，即，该成像单元的光轴相对于水平面(例如相对于由支撑单元的顶表面界定的平面或由支撑单元所支撑的基板的顶表面界定的平面)形成锐角。在一实施例中，待成像的物体可为由基板支撑单元340支撑的基板或液体供应单元370的喷嘴374。成像单元700可安装于外壳310的第一侧壁312处。成像单元700可与第一侧部部分的第一端相邻地安装于外壳的第一侧壁处，该第一端与第一侧部部分的连接至底部部分的第二端相反。穿孔板500的第一侧部部分520设置为倾斜表面。成像单元700安装于与穿孔板500的第一侧部部分520相邻的位置处。成像单元700可设置于与第一侧部部分520的高度相对应的高度处。因此，在设置有用于提供向下气流的穿孔板的结构中，可确保成像单元700的安装空间，可保留成像单元700的视角，且同时可向整个内部空间提供向下气流。
图10及图11示意性地显示在穿孔板不包括倾斜侧部部分且仅具有底部部分的情况下及在穿孔板具有底部部分及倾斜侧部部分的情况下气流在处理室内部的流动。上述实施例的穿孔板500描述为具有倾斜侧部部分。当穿孔板500仅具有底部部分而不具有倾斜侧部部分时，如图10所显示，气流由于内部空间中的处理容器320的外部区域中向下气流与向下气流之后的向上气流之间的碰撞而停滞。
然而，在穿孔板500具有根据本发明构思的示例性实施例的底部部分510及倾斜侧部部分的情况下，如图11所显示，气体透过倾斜侧部部分排放，从而最小化处理容器320的外部区域中向下气流与向下气流之后的向上气流之间的碰撞。因此，在处理容器320的外部区域中可能干扰向下气流之后的向上气流的向下气流的量较小，且不发生气流的停滞。
图12示意性地显示图2的处理室的另一实施例。参考图12，穿孔板500e具有底部部分510e及侧部部分。侧部部分具有与外壳310的第一侧壁312相邻的第一侧部部分520e。第一侧部部分520e自底部部分510e的各个侧朝向第一侧壁312延伸。第一侧部部分520e被设置成随着其面向上而朝向第一侧壁312向上倾斜。
第一孔521形成于第一侧部部分520e处。自气流供应单元400供应的气体透过第一孔521e排放至内部空间。第一孔521e设置在朝向外壳310的第一侧壁312的向下倾斜方向上。因此，自气流供应单元400供应的气体可直接排放至内部空间中的边缘区域。底部孔511e形成于底部部分510e处。自气流供应单元400供应的气体可透过底部孔511e直接朝向处理空间排放。
第一侧部部分520e的顶表面每单位面积的第一孔521e的开口面积被设置成不同于底部部分510e的顶表面每单位面积的底部孔511e的开口面积。底部孔511e及第一孔521e形成于各个的底部部分及侧部部分中以占据穿孔板500的一部分，例如底部孔511e及第一孔521e可占据穿孔板500e的顶表面的30％或更少。穿孔板500e与气流供应单元400之间的距离可为10mm至80mm。第一孔521e及底部孔511e可具有在4mm至12mm范围内的直径。藉由形成于倾斜第一侧部部分520e处的第一孔521e排放的气体沿着第一侧壁312向下流动，从而最小化由于外壳310的内部空间中的向下气流造成的气流干扰。
图13示意性地显示图12的穿孔板。参考图13，第一侧部部分520e的顶表面每单位面积的第一孔521e的开口面积可设置为小于底部部分510e的顶表面每单位面积的底部孔511e的开口面积。第一孔521e中的孔之间的距离d1被设置为小于底部孔511e中的孔之间的距离d2。因此，在与具有相对较大内部空间的第一侧壁312相邻的区域中，向下气流密度可相对较大。在一些实施例中，第一侧部部分520e的顶表面每单位面积的第一孔521e的开口面积可设置为等于底部部分510e的顶表面每单位面积的底部孔511e的开口面积。在一些实施例中，第一孔521e中的孔之间的距离d1及底部孔511e中的孔之间的距离d2可设置为相同。
图14示意性地显示图2的处理室的另一实施例。参考图14，穿孔板500f将由气流供应单元400供应的气体均匀地排放至外壳310的内部空间。穿孔板500f与气流供应单元400向下间隔开且布置于处理容器320上方。穿孔板500f具有底部部分510f及侧部部分。侧部部分具有与外壳310的第一侧壁312相邻的第一侧部部分520f。第一侧部部分520f自底部部分510f的各个侧朝向第一侧壁312延伸。第一侧部部分520f被设置成朝向第一侧壁312向上倾斜。底部部分510f的除了连接至第一侧部部分520f的侧之外的其余侧与外壳310的第二侧壁313、第三侧壁314及第四侧壁315接触。
自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的第四孔521f形成于第一侧部部分520f中。第一孔521f可设置成在朝向外壳310的第一侧壁312的向下倾斜方向上直接排放自气流供应单元400供应的气体。自气流供应单元400供应的气体被排放所透过的底部孔511f形成于底部部分510f中。底部孔511f及第一孔521f形成于各个的底部部分及侧部部分中以占据穿孔板500f的一部分，例如底部孔511f及第一孔521f可占据穿孔板500f的顶表面的30％或更少。第一孔521f及底部孔511f可具有在4mm至12mm范围内的直径。穿孔板500f与气流供应单元400之间的距离可形成为10mm至80mm。藉由自第一孔521f排放的气体沿着第一侧壁312向下行进，可最小化由于外壳310的内部空间中的向下气流造成的气流干扰。
第一侧部部分520f的顶表面每单位面积的第一孔521f的开口面积被设置成不同于底部部分510f的顶表面每单位面积的底部孔511f的开口面积。在一实施例中，第一侧部部分520f的顶表面每单位面积的第一孔521f的开口面积可设置为小于底部部分510f的顶表面每单位面积的底部孔511f的开口面积。第一孔521f中的孔之间的距离被设置为小于底部孔511f中的孔之间的距离。在与具有相对较大内部空间的第一侧壁312相邻的区域中，向下气流密度可相对较大。
在上述实施例中，穿孔板具有第一侧部部分的情况以及穿孔板具有第一侧部部分、第二侧部部分、第三侧部部分及第四侧部部分的情况均作为实例提供。然而，穿孔板的侧部部分可具有二或三个侧部部分。在上述实施例中，已经在各种实施例中描述了形成于穿孔板中的孔的开口面积及距离，但本发明构思的实施例不限于此且可以各种方式进行修改。
图15示意性地显示图12的处理室的另一实施例。图15可进一步包括成像单元700，该成像单元700提供图12的实施例的相同处理室300且透过成像获取待成像的物体的影像。参考图15，成像单元700可在向下倾斜方向上对待成像的物体进行成像，即，该成像单元的光轴相对于水平面(例如相对于由支撑单元的顶表面界定的平面或由支撑单元所支撑的基板的顶表面界定的平面)形成锐角。在一实施例中，成像单元700可对作为待成像的物体的由基板支撑单元340支撑的基板或液体供应单元370的喷嘴374进行成像。成像单元700可安装于外壳310的第一侧壁312上。成像单元700可与第一侧部部分的与第一侧部部分的连接至底部部分的第二端相反的第一端相邻地安装于外壳的第一侧壁处。成像单元700可设置于与第一侧部部分520e的倾斜表面相对应的高度处、与穿孔板500e的第一侧部部分520e相邻的位置处。因此，在设置有用于提供向下气流的穿孔板的结构中，可确保成像单元700的安装空间，可保留成像单元700的视角，且同时可向整个内部空间提供向下气流。
图16示意性地显示图14的处理室的另一实施例。图16可进一步包括成像单元700，该成像单元700提供图14的实施例的相同处理室300且透过成像获取待成像的物体的影像。参考图16，成像单元700可在向下倾斜方向上对待成像的物体进行成像，即，该成像单元的光轴相对于水平面(例如相对于由支撑单元的顶表面界定的平面或由支撑单元所支撑的基板的顶表面界定的平面)形成锐角。在一实施例中，成像单元700可对作为待成像的物体的由基板支撑单元340支撑的基板或液体供应单元370的喷嘴374进行成像。成像单元700可安装于外壳310的第一侧壁312处。成像单元700可与第一侧部部分的与第一侧部部分的连接至底部部分的第二端相反的第一端相邻地安装于外壳的第一侧壁处。成像单元700可设置于与第一侧部部分520f的倾斜表面相对应的高度处、与穿孔板500f的第一侧部部分520f相邻的位置处。因此，在设置有用于提供向下气流的穿孔板的结构中，可确保成像单元700的安装空间，可保留成像单元700的视角，且同时可向整个内部空间提供向下气流。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属技术领域中具有通常知识者根据本说明书及图式可清楚地理解未提及的效果。尽管到现在为止已经例示及描述了本发明构思的较佳实施例，但本发明构思不限于上述特定实施例，且应注意，本发明构思所属技术领域中具有通常知识者可在不脱离申请专利范围所主张保护的本发明构思的实质的情况下以各种方式实施本发明构思，且修改不应是与本发明构思的技术精神或展望分开解释的向下气流密度。

Claims (20)

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备包含：
外壳，所述外壳在其中具有内部空间；
处理容器，所述处理容器布置于所述内部空间内且具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；
液体供应单元，所述液体供应单元向由所述基板支撑单元支撑的所述基板供应液体；
排气单元，所述排气单元排出在所述处理空间中产生的烟气；
气流供应单元，所述气流供应单元耦接至所述外壳的顶侧且向所述内部空间供应气体以形成向下气流；及
穿孔板，所述穿孔板布置于所述处理容器与所述气流供应单元之间且将所述气体排放至所述内部空间，
其中所述穿孔板包含：
底部部分及侧部部分，所述侧部部分包含第一侧部部分，且所述第一侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第一侧壁且具有用于排放所述气体的第一孔。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述穿孔板的所述底部部分具有用于排放所述气体的底部孔，且所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积不同于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的所述开口面积小于所述底部部分的顶表面每单位面积的所述底部孔的所述开口面积。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述第一孔被设置以在朝向所述外壳的所述第一侧壁的向下倾斜方向上直接排放所述气体。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理设备，其中所述穿孔板的所述侧部部分进一步包含第二侧部部分，所述第二侧部部分具有用于排放所述气体的第二孔，
所述第二侧部部分与所述第一侧部部分相反，自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第二侧壁，所述外壳的所述第二侧壁与所述外壳的所述第一侧壁相反。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述穿孔板的所述第一侧部部分与所述外壳的所述第一侧壁之间的第一角度不同于所述穿孔板的所述第二侧部部分与所述外壳的所述第二侧壁之间的第二角度。
7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中所述第一角度大于所述第二角度，且所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积被设置为小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积，且
所述第二侧部部分的每单位面积的所述第二孔的开口面积小于所述底部部分的所述顶表面每单位面积的所述底部孔的所述开口面积，且大于所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的所述开口面积。
8.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中所述穿孔板的所述侧部部分进一步包含：第三侧部部分，所述第三侧部部分位于所述第一侧部部分与所述第二侧部部分之间且具有用于排放所述气体的第三孔；及第四侧部部分，所述第四侧部部分与所述第三侧部部分相反且位于所述第一侧部部分与所述第二侧部部分之间且具有用于排放所述气体的第四孔，
所述第三侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第三侧壁，且
所述第四侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的第四侧壁。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述穿孔板的所述第一侧部部分与所述外壳的所述第一侧壁之间的角度大于所述穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与所述外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度，
所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积被设置为小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积，且
所述第二侧部部分至所述第四侧部部分的各个每单位面积的所述第二孔至所述第四孔的各个开口面积小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的所述开口面积，且大于所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的所述开口面积。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述侧部部分包含有包括所述第一侧部部分的多个侧部部分，且不包括所述第一侧部部分的所述多个侧部部分与所述外壳的各个侧壁接触。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述气流供应单元包含：
过滤器，所述过滤器用于将杂质自流入所述过滤器中的所述气体移除；及
风扇，所述风扇布置于所述外壳的顶表面处以用于在所述内部空间中形成向下气流。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其中所述基板处理设备进一步包含：
成像单元，所述成像单元与所述第一侧部部分的第一端相邻地安装于所述外壳的所述第一侧壁处，所述第一端与所述第一侧部部分的连接至所述底部部分的第二端相反，所述成像单元经安装成使得所述成像单元的光轴相对于水平面形成锐角。
13.一种基板处理设备，所述基板处理设备包含：
外壳，所述外壳具有内部空间且包括第一侧壁及第二侧壁；
处理容器，所述处理容器布置于所述内部空间内且具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；
液体供应单元，所述液体供应单元向由所述基板支撑单元支撑的所述基板供应液体；
排气单元，所述排气单元排出在所述处理空间中产生的烟气；
气流供应单元，所述气流供应单元耦接至所述外壳的顶侧且向所述内部空间供应气体以形成向下气流；及
穿孔板，所述穿孔板布置于所述处理容器与所述气流供应单元之间且将所述气体排放至所述内部空间，
其中所述穿孔板包含：
底部部分，所述底部部分具有底部孔，所述底部孔用于在垂直于由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面的方向上排放所述气体；及
第一侧部部分，所述第一侧部部分自所述底部部分向上延伸至所述外壳的所述第一侧壁且具有用于朝向所述外壳的所述第一侧壁排放所述气体的第一孔。
14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的开口面积被设置成小于所述底部部分的顶表面每单位面积的所述底部孔的开口面积。
15.根据权利要求14所述的基板处理设备，其中所述穿孔板包括第二侧部部分，所述第二侧部部分自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述外壳的所述第二侧壁且具有用于朝向所述外壳的所述第二侧壁排放所述气体的第二孔，
所述第一侧部部分与所述第一侧壁之间的角度大于所述第二侧部部分与所述第二侧壁之间的角度，且
所述第二侧部部分的每单位面积的所述第二孔的开口面积小于所述底部部分的每单位面积的所述底部孔的开口面积，且大于所述第一侧部部分的每单位面积的所述第一孔的开口面积。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的基板处理设备，其中所述基板处理设备进一步包含：
成像单元，所述成像单元与所述第一侧部部分的第一端相邻地安装于所述外壳的所述第一侧壁处，所述第一端与所述第一侧部部分的连接至所述底部部分的第二端相反，所述成像单元经安装成使得所述成像单元的光轴相对于由所述基板支撑单元的顶表面界定的水平面形成锐角。
17.一种基板处理设备，所述基板处理设备包含：
外壳，所述外壳具有内部空间且包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁及第四侧壁；
处理容器，所述处理容器布置于所述内部空间内且具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；
液体供应单元，所述液体供应单元向由所述基板支撑单元支撑的所述基板供应液体；
排气单元，所述排气单元排出在所述处理空间中产生的烟气；
气流供应单元，所述气流供应单元耦接至所述外壳的顶侧且向所述内部空间供应气体以形成向下气流；及
穿孔板，所述穿孔板布置于所述处理容器与所述气流供应单元之间且将所述气体排放至所述内部空间，
其中所述穿孔板包含：
底部部分，所述底部部分包括底部孔，其用于在垂直于由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面的方向上排放所述气体；及
第一侧部部分，所述第一侧部部分自所述底部部分向上延伸至所述外壳的所述第一侧壁且具有用于朝向所述外壳的所述第一侧壁排放所述气体的第一孔。
18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中所述穿孔板进一步包括第二侧部部分、第三侧部部分及第四侧部部分，所述第二侧部部分、所述第三侧部部分及所述第四侧部部分分别自所述底部部分延伸并向上倾斜至所述第二侧壁、所述第三侧壁及所述第四侧壁，且
所述穿孔板的所述第一侧部部分与所述外壳的所述第一侧壁之间的角度大于所述穿孔板的各个的第二侧部部分至第四侧部部分与所述外壳的各个的第二侧壁至第四侧壁之间的各个角度。
19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其中所述第二侧部部分至所述第四侧部部分的顶表面各个每单位面积的所述第二孔至所述第四孔的各个开口面积大于所述第一侧部部分的顶表面每单位面积的所述第一孔的所述开口面积。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的基板处理设备，其中所述基板处理设备进一步包含：
成像单元，所述成像单元与所述第一侧部部分的第一端相邻地安装于所述外壳的所述第一侧壁处，所述第一端与所述第一侧部部分的连接至所述底部部分的第二端相反，所述成像单元经安装成使得所述成像单元的光轴相对于由所述基板支撑单元的顶表面界定的水平面形成锐角。
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