TW202238789A - 用於處理基板之設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理設備，包括：外殼，在該外殼中具有內部空間；處理容器，其佈置於內部空間內且具有處理空間；基板支撐單元，其在處理空間中支撐基板；液體供應單元，其向由基板支撐單元支撐的基板供應液體；排氣單元，其排出處理在空間中產生的煙氣；氣流供應單元，其耦接至外殼頂側且向內部空間供應氣體以形成向下氣流；及穿孔板，其佈置於處理容器與氣流供應單元間且將氣體排放至內部空間，穿孔板包含：底部部分及側部部分，側部部分包含第一側部部分，其自底部部分延伸並向上傾斜至外殼之第一側壁且具有排放氣體的第一孔。

Description

用於處理基板之設備
本文所描述之本發明構思之實施例係關於一種基板處理設備，且更具體而言，係關於一種向外殼之內部空間供應向下氣流的基板處理設備。
執行諸如光刻製程、薄膜沉積製程、灰化製程、蝕刻製程及離子植入製程的各種製程來製造半導體裝置。此外，在執行該等製程中之各者之前及之後執行用於對基板上的剩餘顆粒執行清潔處理的清潔製程。基板處理過程係在基板之清潔製程中用各種液體執行。
清潔製程包括：向由旋轉頭支撐及轉動的基板供應化學品之過程；藉由向基板供應清潔液諸如去離子水(deionized water；DIW)而將化學品自基板移除之過程；及然後，藉由供應諸如所具有之表面張力比清潔液低的異丙醇(IPA)溶液的有機溶劑而將基板上的清潔液替換為有機溶劑之過程；及將取代後的有機溶劑自基板移除之過程。
圖1係例示習知基板處理設備的剖面圖。參考圖1，基板處理設備1000在外殼中設置有圍繞支撐基板的支撐單元1100的處理容器1200，且在向旋轉的基板供應液體的同時對基板進行處理。風扇過濾器單元1300經設置來向外殼之內部空間提供向下氣流，以便容易地排放在基板處理製程期間產生的氣體。在內部空間中用各處理液處理基板時產生的顆粒、煙氣、氣體等與向下氣流一起穿過排氣裝置排放至外部。由於風扇過濾器單元安裝於與處理容器相反的位置處，因此氣流在外殼之側壁附近停滯。結果，排氣裝置的排氣不順暢，且因此基板處理期間產生的氣體附著至基板，從而在基板中形成顆粒。
本發明構思之實施例提供一種基板處理設備，該基板處理設備能夠移除由於在向外殼之內部空間提供向下氣流的同時對基板進行處理時外殼之內部空間中的向下氣流造成的氣流阻塞。
本發明構思之實施例提供一種基板處理設備，該基板處理設備防止顆粒在向外殼之內部空間提供向下氣流的同時對基板進行處理時形成於基板上。
本發明構思之技術目標不限於以上所提及之目標，且所屬技術領域中具有通常知識者根據以下描述將明白其他未提及之技術目標。
本發明構思提供一種基板處理設備。該基板處理設備包括：外殼，該外殼在其中具有內部空間；處理容器，該處理容器佈置於該內部空間內且具有處理空間；基板支撐單元，該基板支撐單元在該處理空間中支撐基板；液體供應單元，該液體供應單元向由該基板支撐單元支撐的該基板供應液體；排氣單元，該排氣單元排出在該處理空間中產生的煙氣；氣流供應單元，該氣流供應單元耦接至該外殼之頂側且向該內部空間供應氣體以形成向下氣流；及穿孔板，該穿孔板佈置於該處理容器與該氣流供應單元之間且將該氣體排放至該內部空間，且其中該穿孔板包含：底部部分及側部部分，該側部部分包含第一側部部分，且該第一側部部分自該底部部分延伸並向上傾斜至該外殼之第一側壁且具有用於排放該氣體的第一孔。
在一實施例中，該穿孔板之該底部部分具有用於排放該的底部孔，且該第一側部部分之每單位面積的該第一孔之開口面積不同於該底部部分之每單位面積的該底部孔之開口面積。
在一實施例中，該第一側部部分之頂表面每單位面積的該第一孔之該開口面積小於該底部部分之頂表面每單位面積的該底部孔之該開口面積。
在一實施例中，該第一孔經設置來在朝向該外殼之該第一側壁的向下傾斜方向上直接排放該氣體。
在一實施例中，該穿孔板之該側部部分進一步包含第二側部部分，該第二側部部分具有用於排放該氣體的第二孔，該第二側部部分與該第一側部部分相反，自該底部部分延伸並向上傾斜至該外殼之第二側壁，該外殼之該第二側壁與該外殼之該第一側壁相反。
在一實施例中，該穿孔板之該第一側部部分與該外殼之該第一側壁之間的第一角度不同於該穿孔板之該第二側部部分與該外殼之該第二側壁之間的第二角度。
在一實施例中，該第一角度大於該第二角度，且該第一側部部分之每單位面積的該第一孔之開口面積經設置為小於該底部部分之每單位面積的該底部孔之開口面積，且該第二側部部分之每單位面積的該第二孔之開口面積小於該底部部分之該頂表面每單位面積的該底部孔之該開口面積，且大於該第一側部部分之頂表面每單位面積的該第一孔之該開口面積。
在一實施例中，該穿孔板之該側部部分進一步包含：第三側部部分，該第三側部部分位於該第一側部部分與該第二側部部分之間且具有用於排放該氣體的第三孔；及第四側部部分，該第四側部部分與該第三側部部分相反且位於該第一側部部分與該第二側部部分之間且具有用於排放該氣體的第四孔，且該第三側部部分自該底部部分延伸並向上傾斜至該外殼之第三側壁，且該第四側部部分自該底部部分延伸並向上傾斜至該外殼之第四側壁。
在一實施例中，該穿孔板之該第一側部部分與該外殼之該第一側壁之間的角度大於該穿孔板之各別的第二側部部分至第四側部部分與該外殼之各別的第二側壁至第四側壁之間的各別角度，且該第一側部部分之每單位面積的該第一孔之開口面積經設置為小於該底部部分之每單位面積的該底部孔之開口面積，且該第二側部部分至該第四側部部分之每各別單位面積的該第二孔至該第四孔之各別開口面積小於該底部部分之每單位面積的該底部孔之該開口面積且大於該第一側部部分之每單位面積的該第一孔之該開口面積。
在一實施例中，該側部部分包含有包括該第一側部部分的複數個側部部分，且不包括(排除)該第一側部部分的該複數個側部部分與該外殼之各別側壁接觸。
在一實施例中，該氣流供應單元包含：過濾器，該過濾器用於將雜質自流入該過濾器中的該氣體移除；及風扇，該風扇佈置於該外殼之頂表面處以用於在該內部空間中形成向下氣流。
在一實施例中，該基板處理設備進一步包含：成像單元，該成像單元與該第一側部部分之第一端相鄰地安裝於該外殼之該第一側壁處，該第一端與該第一側部部分之連接至該底部部分的第二端相反，該成像單元經安裝成使得該成像單元之光軸相對於水平面形成銳角。
本發明構思提供一種基板處理設備。該基板處理設備包括：外殼，該外殼具有內部空間且包括第一側壁及第二側壁；處理容器，該處理容器佈置於該內部空間內且具有處理空間；基板支撐單元，該基板支撐單元在該處理空間中支撐基板；液體供應單元，該液體供應單元向由該基板支撐單元支撐的該基板供應液體；排氣單元，該排氣單元排出在該處理空間中產生的煙氣；氣流供應單元，該氣流供應單元耦接至該外殼之頂側且向該內部空間供應氣體以形成向下氣流；及穿孔板，該穿孔板佈置於該處理容器與該氣流供應單元之間且將該氣體排放至該內部空間，且其中該穿孔板包含：底部部分，該底部部分具有用於在垂直於由該支撐單元支撐的該基板之頂表面的方向上排放該氣體的底部孔；及第一側部部分，該第一側部部分自該底部部分向上延伸至該外殼之該第一側壁且具有用於朝向該外殼之該第一側壁排放該氣體的第一孔。
在一實施例中，該第一側部部分之頂表面每單位面積的該第一孔之開口面積經設置為小於該底部部分之頂表面每單位面積的該底部孔之開口面積。
在一實施例中，該穿孔板包括第二側部部分，該第二側部部分自該底部部分延伸並向上傾斜至該外殼之該第二側壁且具有用於朝向該外殼之該第二側壁排放該氣體的第二孔，且該第一側部部分與該第一側壁之間的角度大於該第二側部部分與該第二側壁之間的角度，且該第二側部部分之每單位面積的該第二孔之開口面積小於該底部部分之每單位面積的該底部孔之開口面積且大於該第一側部部分之每單位面積的該第一孔之開口面積。
在一實施例中，該基板處理設備進一步包含：成像單元，該成像單元與該第一側部部分之第一端相鄰地安裝於該外殼之該第一側壁處，該第一端與該第一側部部分之連接至該底部部分的第二端相反，該成像單元經安裝成使得該成像單元之光軸相對於由該基板支撐單元之頂表面界定的水平面形成銳角。
本發明構思提供一種基板處理設備。
在一實施例中，該基板處理設備包括：外殼，該外殼具有內部空間且包括第一側壁、第二側壁、第三側壁及第四側壁；處理容器，該處理容器佈置於該內部空間內且具有處理空間；基板支撐單元，該基板支撐單元在該處理空間中支撐基板；液體供應單元，該液體供應單元向由該基板支撐單元支撐的該基板供應液體；排氣單元，該排氣單元排出在該處理空間中產生的煙氣；氣流供應單元，該氣流供應單元耦接至該外殼之頂側且向該內部空間供應氣體以形成向下氣流；及穿孔板，該穿孔板佈置於該處理容器與該氣流供應單元之間且將該氣體排放至該內部空間，且其中該穿孔板包含：底部部分及第一側部部分，該底部部分包括底部孔，該底部孔用於在垂直於由該支撐單元支撐的該基板之頂表面的方向上排放該氣體，該第一側部部分自該底部部分向上延伸至該外殼之該第一側壁且具有用於朝向該外殼之該第一側壁排放該氣體的第一孔。
在一實施例中，該穿孔板進一步包括第二側部部分、第三側部部分及第四側部部分，該第二側部部分、該第三側部部分及該第四側部部分分別自該底部部分延伸並向上傾斜至該第二側壁、該第三側壁及該第四側壁，且該穿孔板之該第一側部部分與該外殼之該第一側壁之間的角度大於該穿孔板之各別的第二側部部分至第四側部部分與該外殼之各別的第二側壁至第四側壁之間的各別角度。
在一實施例中，該第二側部部分至該第四側部部分之頂表面每各別單位面積的該第二孔至該第四孔之各別開口面積大於該第一側部部分之該頂表面每單位面積的該第一孔之該開口面積。
在一實施例中，該基板處理設備進一步包含：成像單元，該成像單元與該第一側部部分之第一端相鄰地安裝於該外殼之該第一側壁處，該第一端與該第一側部部分之連接至該底部部分的第二端相反，該成像單元經安裝成使得該成像單元之光軸相對於由該基板支撐單元之頂表面界定的水平面形成銳角。
根據本發明構思之一實施例，當在向外殼之內部空間提供向下氣流的同時對基板進行處理時，可防止氣流在外殼之內部空間中停滯。
根據本發明構思之一實施例，可防止顆粒在向外殼之內部空間提供向下氣流的同時對基板進行處理時形成於基板上。
根據本發明構思之一實施例，在設置有用於提供向下氣流的穿孔板的結構中，可提供在其中安裝成像單元的空間，且同時可將向下氣流提供至外殼之整個內部空間。
本發明構思可以各種方式進行修改且可具有各種形式，且其具體實施例將在圖式中例示出並詳細描述。然而，根據本發明構思之實施例並不意欲限制具體揭示形式，且應當理解，本發明構思包括了包括在本發明構思之精神及技術範疇內的所有變形、等效物及替換。在對本發明構思的描述中，當相關已知技術可能使發明構思之本質不清楚時，可省略對該等技術的詳細描述。
本文所用之用語係僅出於描述特定實施例之目的，而並不意欲限制本發明構思。如本文所用，除非上下文另外清楚地指示，否則單數形式「一」、「一種」及「該」意欲亦包括複數形式。將進一步理解，用語「包含(comprises及/或comprising)」在本說明書中使用時，規定存在所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。如本文所用，用語「及/或」包括相關聯的列出項中之一或多者之任何及所有組合。此外，用語「示例性」意欲係指實例或說明。
將理解，儘管本文可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、組件、區域、層及/或部段，但此等元件、組件、區域、層及/或部段不應受此等用語所限制。此等用語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部段與另一個元件、組件、區域、層或部段區分開。因此，在不脫離本發明構思之教示的情況下，以下討論的第一元件、組件、區域、層或部段可稱為第二元件、組件、區域、層或部段。
在本發明構思之一實施例中，將以藉由向基板上供應諸如清潔液的液體來對基板進行液體處理的製程為例進行描述。然而，該實施例不限於清潔製程，且可應用於使用處理液處理基板的各種製程，諸如蝕刻製程、灰化製程、顯影製程及類似者。
在下文中，將參考圖2至圖16詳細描述本發明構思之實施例。
圖2係示意性地例示根據本發明構思之一實施例的基板處理設備的平面圖。參考圖2，基板處理設備1包括分度模組10及處理模組20。分度模組10具有裝載埠120及傳送框架140。裝載埠120、傳送框架140及處理模組20在一方向上按順序配置。在下文中，配置裝載埠120、傳送框架140及處理模組20所在的方向稱為第一方向12，垂直於第一方向12的方向稱為第二方向14，且垂直於包括第一方向12及第二方向14的平面的方向稱為第三方向16。
其中儲存基板W的容器130安置於裝載埠120中。沿著第二方向14提供並配置複數個裝載埠120。裝載埠120之數目可根據處理模組20之製程效率及覆蓋區條件而增加或減少。用於水平保持基板W的複數個插槽(未顯示出)形成於容器130中。前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod；FOUP)可用作容器130。
處理模組20包括緩衝單元220、傳送室240及處理室300。傳送室240經佈置成使得其長度方向平行於第一方向12。複數個處理室300分別佈置於傳送室240之兩側上。在傳送室240之一側及另一側處，處理室300經設置成關於傳送室240對稱。複數個處理室300中之一些沿著傳送室240 (即沿著第一方向12)之縱向方向佈置。此外，複數個處理室300中之一些經佈置成堆疊於彼此之上，即沿著第三方向16。亦即，處理室300可在傳送室240之一側及/或另一側上配置成AXB配置。此處，A係沿著第一方向12設置的處理室300之數目，而B係沿著第三方向16設置的處理室300之數目。當在傳送室240之一側上設置四或六個處理室300時，處理室300可配置成2×2或3×2配置。處理室300之數目可增加或減少。處理室300可僅設置於傳送室240之一側上。此外，處理室300可以單層(沿著第三方向彼此不堆疊)形式設置於傳送室240之一側及/或兩側上。
緩衝單元220佈置於傳送框架140與傳送室240之間。緩衝單元220提供在傳送室240與傳送框架140之間傳送基板W之前基板W停留在其中的空間。基板W保持於其上所在的插槽(未顯示出)設置在緩衝單元220內部。複數個插槽(未顯示出)經設置成沿著第三方向16彼此間隔開。緩衝單元220的面向傳送框架140的一側及面向傳送室240的一側係開口的。緩衝單元220之兩個開口側可為其兩個相反側。
傳送框架140在安置於裝載埠120上的容器130與緩衝單元220之間傳送基板W。傳送框架140設置有分度軌道142及分度機器人144。分度軌道142經設置成使得其長度方向平行於第二方向14。分度機器人144安裝於分度軌道142上且沿著分度軌道142在第二方向14上線性移動。分度機器人144具有基座144a、主體144b及分度臂144c。基座144a經安裝成可沿著分度軌道142移動。主體144b耦接至基座144a。主體144b經設置成可在基座144a上沿著第三方向16移動。此外，主體144b經設置成可在基座144a上轉動。分度臂144c耦接至主體144b且經設置成能夠相對於主體144b可前後移動。複數個分度臂144c經設置成被個別地驅動。分度臂144c經佈置成在於第三方向16上彼此間隔開的同時堆疊。一些分度臂144c可用於將基板W自處理模組20運送至容器130，而其他一些分度臂144c可用於將基板W自容器130運送至處理模組20。這可防止在由分度機器人144引進及取出基板W之過程中自處理前的基板W產生的顆粒附著至處理後的基板W。
傳送室240在緩衝單元220與處理室300之間以及在處理室300之間傳送基板W。傳送室240設置有導引軌道242及主機器人244。導引軌道242經設置成使得其長度方向平行於第一方向12。主機器人244安裝於導引軌道242上且在導引軌道242上沿著第一方向12線性移動。主機器人244具有基座244a、主體244b及主臂244c。基座244a經安裝成可沿著導引軌道242移動。主體244b耦接至基座244a。主體244b經設置成可在基座244a上沿著第三方向16移動。此外，主體244b經設置成可在基座244a上轉動。主臂244c耦接至主體244b，經設置成可相對於主體244b前後移動。複數個主臂244c經設置成被個別地驅動。主臂244c經佈置成在於第三方向16上彼此間隔開的同時堆疊。
處理室300可為向基板W供應液體以執行液體處理製程的液體處理室。例如，液體處理製程可為用清潔液清潔基板的清潔製程。化學處理、清洗處理及乾燥處理全都可在處理室內對基板執行。在一些實施例中，用於使基板乾燥的乾燥室可與液體處理室分開設置。
圖3係示意性地例示圖2之處理室之實施例的剖面圖。圖4及圖5分別示意性地顯示自處理室前面及側面觀察的圖3之穿孔板。參考圖3至圖5，處理室300包括外殼310、處理容器320、基板支撐單元340、液體供應單元370、排氣單元380、氣流供應單元400及穿孔板500。
外殼310在其中形成空間。外殼310具有界定空間的頂壁311、底壁及側壁。根據實施例，外殼310通常具有長方體形狀，且因此，外殼可具有第一側壁312、第二側壁313、第三側壁314及第四側壁315。第一側壁312及第二側壁313彼此相反，且第三側壁314及第四側壁315彼此相反。自第一側壁312至基板的最短距離可大於自第二側壁313、第三側壁314及第四側壁315至基板的最短距離。
處理容器320位於外殼310內部。處理容器320具有用於處理基板W的處理空間。處理容器320具有導引壁321、內部再收集容器322、中間再收集容器324及外部再收集容器326。再收集容器(322、324及326)中之各者分離及回收製程所用的處理液中的不同處理液。導引壁321經設置成圍繞基板支撐單元340的環形圈形狀，且內部再收集容器322經設置成圍繞導引壁321的環形圈形狀。中間再收集容器324經設置成圍繞內部再收集容器322的環形圈形狀，且外部再收集容器326經設置成圍中間再收集容器324的環形圈形狀。內部再收集容器322與導引壁321之間的空間322a充當引入處理液所透過的第一入口。內部再收集容器322與中間再收集容器324之間的空間324a充當引入處理液所透過的第二入口。中間再收集容器324與外部再收集容器326之間的空間326a充當引入處理液所透過的第三入口。此外，導引壁321之底端與內部再收集容器322之間的空間322c充當排放由處理液產生的煙氣及氣流所透過的第一出口。內部再收集容器322之底端與中間再收集容器324之間的空間324c充當排放由處理液產生的煙氣及氣流所透過的第二出口。中間再收集容器324之底端與外部再收集容器326之間的空間326c充當排放由處理液產生的煙氣及氣流所透過的第三出口。可向各再收集容器中引入不同類型之處理液。對於再收集容器(322、324及326)中之各者，連接有自各別底側向下延伸的再收集管線322b、324b及326b。再收集管線322b、324b及326b中之各者排放透過再收集容器(322、324及326)中之各者引入的處理液、煙氣及氣流。所排放之處理液可透過外部處理液再生系統(未顯示出)再使用。
基板支撐單元340在製程期間支撐基板W並轉動基板W。基板支撐單元340具有主體342、支撐銷344、卡盤銷346、支撐軸348及驅動單元(未顯示出)。主體342具有自上方觀察時總體以圓形形狀設置的頂表面。支撐軸348固定地耦接至主體342之底表面，且支撐軸348經設置成可由驅動單元349轉動。
設置了複數個支撐銷344。支撐銷344在主體342之頂表面之邊緣上佈置成彼此間隔開預定距離且自主體342向上突出。支撐銷344經佈置成整體上具有環形圈形狀。支撐銷344支撐基板W之後邊緣，使得基板W與主體342之頂表面間隔開預定距離。
設置了複數個卡盤銷346。卡盤銷346經佈置成比支撐銷344更遠離主體342之中心。卡盤銷346經設置成自主體342向上突出。卡盤銷346支撐基板W之側部，以便在基板W轉動時不側向偏離預定位置。卡盤銷346經設置成能夠沿著主體342之徑向方向在待機位置與支撐位置之間線性移動。待機位置係與支撐位置相比遠離主體342之中心的位置。當基板W在基板支撐單元340上裝載或卸載時，卡盤銷346位於待機位置處，而當對基板W執行製程時，卡盤銷346位於支撐位置處。在支撐位置處，卡盤銷346與基板W之側部接觸。
提升/降下單元360在向上/向下方向上線性移動處理容器320。當處理容器320上下移動時，處理容器320相對於旋轉頭340的相對高度發生改變，提升/降下單元360具有托架362、移動軸364及驅動器366。托架362固定地安裝於處理容器320之外部壁上，且藉由驅動器366在向上/向下方向上移動的移動軸364固定地耦接至托架362。當基板W放置於旋轉頭340上或自旋轉頭340提升時，處理容器320被降下，使得旋轉頭340自處理容器320向上突出。此外，對於處理過程，調整處理容器320之高度以使得處理液可根據向基板W供應的處理液類型流入預定再收集容器中。在一些實施例中，提升/降下單元360可在向上/向下方向上移動旋轉頭340。
液體供應單元370將處理液供應至基板W上。設置了複數個液體供應單元370，各液體供應單元供應不同類型之處理液。根據實施例，液體供應單元370包括第一處理液供應構件370a及第二處理液供應構件370b。
第一處理液供應構件370a包括支撐軸376、臂372、驅動器3及噴嘴374。支撐軸376位於處理容器320之一側上。支撐軸376具有沿著第三方向延伸的桿形狀。支撐軸376經設置成可由驅動器378轉動。臂372耦接至支撐軸376之頂端。臂372自支撐軸376豎直延伸。噴嘴374固定地耦接至臂372之一端。當支撐軸376轉動時，噴嘴374可與臂372一起擺動。噴嘴374可擺動且移動至處理位置及待機位置。此處，處理位置係噴嘴374面向由基板支撐單元340支撐的基板W的位置，而待機位置係噴嘴374偏離處理位置的位置。
在一些實施例中，臂372可設置成能夠在其長度方向上前後移動。當自上方觀察時，噴嘴374可擺動以位於基板W之中心軸線上。
第二處理液供應構件370b將第二處理液供應至由基板支撐單元340支撐的基板W上。第二處理液供應構件370b經設置成與第一處理液供應構件370a具有相同形狀。因此，將省略對第二處理液供應構件370b的詳細描述。
第一處理液及第二處理液可為化學品、清洗液及有機溶劑中之任一種。該化學品可包括硝酸、磷酸或硫酸。該清洗液可含有水。該有機溶劑可包括醇諸如異丙醇。
排氣單元380排出在處理空間中產生的煙氣及氣體。排氣單元380排出在對基板的液體處理期間產生的煙氣及氣體。排氣單元380可耦接至處理容器320之底表面。
排氣導管381排出在外殼310之內部空間中產生的煙氣及氣體。排氣導管381排出在對基板的液體處理期間自處理空間飛散的煙氣及氣體。排氣導管381可耦接至外殼310之底壁。
在對基板的液體處理期間，煙氣及氣體可僅透過排氣單元380及排氣導管381排出。在一些實施例中，在對基板的液體處理期間，煙氣及氣體可同時透過排氣單元380及排氣導管381排出。在此情況下，可控制排氣導管381，使得其排氣壓力在基板經受液體處理時低於排氣單元380之排氣壓力，從而與排氣單元380相比排出更小的量。因此，可防止在處理空間中產生的煙氣回流至處理空間外部。
氣流供應單元400向外殼310之內部空間供應氣體以形成向下氣流。氣流供應單元400連接至外殼310之頂壁311。透過氣流供應單元400向外殼310之內部空間供應的氣體在內部空間中形成向下氣流。處理空間中因處理過程產生的氣體副產物藉由向下氣流透過排氣單元380排放至外殼310外部。氣流供應單元400可設置為風扇過濾器單元。
穿孔板500將由氣流供應單元400供應的氣體均勻地排放至外殼310之內部空間。穿孔板500佈置於氣流供應單元400與處理容器340之間。穿孔板500可佈置於與氣流供應單元400及處理容器340間隔開的高度處。
穿孔板500具有底部部分510及側部部分。側部部分自底部部分延伸。側部部分包括第一側部部分520、第二側部部分530、第三側部部分540及第四側部部分550。第一側部部分520及第二側部部分530彼此相反，且第三側部部分540及第四側部部分550彼此相反。第一側部部分520與外殼310之第一側壁312相鄰，且第二側部部分530與外殼310之第二側壁313相鄰。此外，第三側部部分540與外殼310之第三側壁314相鄰，且第四側部部分550與外殼310之第四側壁315相鄰。
第一側部部分520自底部部分510之各別側朝向第一側壁312延伸。第一側部部分520可朝向第一側壁312向上傾斜。第二側部部分530自底部部分510之各別側朝向第二側壁313延伸。第二側部部分530可朝向第二側壁313向上傾斜。第三側部部分540自底部部分510之各別側朝向第三側壁314延伸。第三側部部分540可朝向第三側壁314向上傾斜。第四側部部分550自底部部分510之各別側朝向第四側壁315延伸。第四側部部分550可朝向第四側壁315向上傾斜。
第一側部部分520、第二側部部分530、第三側部部分540及第四側部部分550中的至少兩個側部部分可設置有不同程度的傾斜。根據實施例，第一側部部分520比第二側部部分530、第三側部部分540及第四側部部分550傾斜得更少。亦即，穿孔板之第一側部部分520與外殼之第一側壁312之間的角度可大於穿孔板之各別的第二側部部分至第四側部部分與外殼之各別的第二側壁至第四側壁之間的各別角度。根據實施例，第一側部部分520之傾斜程度A1可設置為小於第二側部部分530之傾斜程度A2。換言之，穿孔板之第一側部部分520與外殼之第一側壁312之間的角度可大於穿孔板之第二側部部分530與外殼之第二側壁313之間的角度。
第一側部部分520具有第一孔521。自氣流供應單元400供應的氣體透過第一孔521排放至內部空間。第一孔521設置在朝向外殼310之第一側壁312的向下傾斜方向上。因此，自氣流供應單元400供應的氣體可直接排放至內部空間中的邊緣區域。自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的第二孔531形成於第二側部部分530中。第二孔531可設置成在朝向外殼310之第二側壁313的向下傾斜方向上直接排放自氣流供應單元400供應的氣體。自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的第三孔541形成於第三側部部分540中。第三孔541可設置成在朝向外殼310之第三側壁314的向下傾斜方向上直接排放自氣流供應單元400供應的氣體。自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的第四孔551形成於第四側部部分550中。第四孔551可設置成在朝向外殼310之第四側壁315的向下傾斜方向上直接排放自氣流供應單元400供應的氣體。自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的底部孔511形成於底部部分510中。
第一孔521、第二孔531、第三孔541及第四孔551形成於穿孔板500之一部分中，例如，該等孔(521、531、541及551)可佔據穿孔板500之頂表面之30%或更少。第一孔521、第二孔531、第三孔541、第四孔551及底部孔511可具有4 mm至12 mm直徑。穿孔板500與氣流供應單元400之間的距離可為10 mm至80 mm。來自氣流供應單元400的氣體單獨地流動穿過第一孔521、第二孔531、第三孔541及第四孔551並分別沿著第一側壁312、第二側壁313、第三側壁314及第四側壁315向下下降，從而防止外殼310之內部空間中的向下氣流之間的碰撞。結果，可最小化內部空間中的氣流干擾。
第一孔至第四孔521、531、541及551以及底部孔511可形成於各別的側部部分及底部部分中以佔據各別側部部分及底部部分之頂表面中不同區域，例如，各別側部部分及底部部分之頂表面每單位面積的孔之開口面積可不同地形成於至少兩個側部部分中及/或側部部分與底部部分之間。例如，第一側部部分520之頂表面每單位面積的第一孔521之開口面積可小於底部部分510之頂表面每單位面積的底部孔511之開口面積。第二側部部分530之頂表面每單位面積的第二孔531之開口面積可小於底部部分510之頂表面每單位面積的底部孔511之開口面積，但大於第一側部部分520之頂表面每單位面積的第一孔521之開口面積。第一孔至第四孔521、531、541及551可形成於各別的側部部分及底部部分中，使得一個側部部分中的相鄰兩個孔之間的距離不同於另一個側部部分中及/或底部部分中的兩個相鄰孔之間的距離。例如，第一孔521中之孔之間的距離d1、第二孔531中之孔之間的距離d3、第三孔541中之孔之間的距離d4、第四孔551中之孔之間的距離d5及底部孔511中之孔之間的距離d2彼此不同。第一孔521中之孔之間的距離d1可設置為小於底部孔511中之孔之間的距離d2。第二孔531中之孔之間的距離d3可設置為大於第一孔521中之孔之間的距離d1且小於底部孔511中之孔之間的距離d2。第三孔541中之孔之間的距離d4及第四孔551中之孔之間的距離d5可設置為小於底部孔511中之孔之間的距離d2。因此，與離處理容器320及外殼310之第二側壁313具有近距離的區域相比，離處理容器320及外殼310之第一側壁312具有遠距離的區域可大大增加向下氣流密度。
與上述實施例不同，第一側部部分520b之傾斜程度可設置為等於第二側部部分530b之傾斜程度，如圖6所顯示，圖6顯示圖3之穿孔板之修改實例。在一些實施例中，第一側部部分520b、第二側部部分530b、第三側部部分540b及第四側部部分550b之傾斜程度可設置為相等。在一些實施例中，第一側部部分520b及第二側部部分530b之傾斜程度可可相等，且第三側部部分540b及第四側部部分550b之傾斜程度可不同於第一側部部分520b之彼等傾斜程度。
第一孔至第四孔521b、531b、541b及551b可形成於各別的側部部分中以佔據各別側部部分之頂表面中的相同區域，例如，各別側部部分及底部部分之頂表面每單位面積的孔之開口面積可相等地形成於側部部分中。所有側部部分中之孔之開口面積可設置為小於底部部分510b之頂表面每單位面積的底部孔511b之開口面積。第一孔至第四孔521b、531b、541b及551b可形成於各別的側部部分及底部部分中，使得一個側部部分中的相鄰兩個孔之間的距離等於另一個側部部分中的兩個相鄰孔之間的距離。給定側部部分中的相鄰兩個孔之間的距離可不同於底部孔511b中之相鄰兩個孔之間的距離。
第一側部部分520c之傾斜程度可設置為等於第二側部部分530c之傾斜程度，如圖7所顯示，與上述實施例不同，圖7顯示圖3之穿孔板之修改實例。在一些實施例中，第一側部部分520c、第二側部部分530c、第三側部部分540c及第四側部部分550c之傾斜程度可設置為相等。在一些實施例中，第一側部部分520c及第二側部部分530c之傾斜程度可可相等，且第三側部部分540c及第四側部部分550c之傾斜程度可不同於第一側部部分520c之彼等傾斜程度。
第一側部部分520c、第二側部部分530c、第三側部部分540c、第四側部部分550c及底部部分510c之頂表面每單位面積的各孔之開口面積可不同地設置。在實施例中，第一側部部分520c之頂表面每單位面積的第一孔521c之開口面積可設置為小於底部部分510c之頂表面每單位面積的底部孔511c之開口面積。第二側部部分530c、第三側部部分540c及第四側部部分550c之頂表面每單位面積的第二孔531c、第三孔541c及第四孔551c之開口面積可小於底部部分510c之頂表面每單位面積的底部孔511c之開口面積，且大於第一側部部分520c之頂表面每單位面積的第一孔521c之開口面積。在一些實施例中，第二側部部分530c之頂表面每單位面積的第二孔531c之開口面積大於第一側部部分520c之頂表面每單位面積的第一孔521c之開口面積，且小於底部部分510c之頂表面每單位面積的底部孔511c之開口面積、第三側部部分540c之頂表面每單位面積的第三孔541c之開口面積及第四側部部分550c之頂表面每單位面積的第四孔551c之開口面積。
第一孔521c、第二孔531c、第三孔541c、第四孔551c及底部孔511c之間的距離可不同地設置。第一孔521c中之孔之間的距離可小於底部孔511c中之孔之間的距離。第二孔531c中之孔之間的距離可大於第一孔521c中之孔之間的距離且小於底部孔511c中之孔之間的距離。第三孔541c中之孔之間的距離及第四孔551c中之孔之間的距離可小於底部孔511c中之孔之間的距離。
與上述實施例不同，第一側部部分520d、第二側部部分530d、第三側部部分540d及第四側部部分550d之傾斜程度可不同地設置，如圖8所顯示，圖8顯示圖3之穿孔板之修改實例。在一實施例中，第一側部部分520d之傾斜程度可設置為小於第二側部部分530d、第三側部部分540d及第四側部部分550d之傾斜程度。
第一側部部分520d之頂表面每單位面積的第一孔521d之開口面積、第二側部部分530d之頂表面每單位面積的第二孔531d之開口面積、第三側部部分540d之頂表面每單位面積的第三孔541d之開口面積及第四側部部分550d之頂表面每單位面積的第四孔551d之開口面積相同，但小於底部部分510d之頂表面每單位面積的底部孔511d之開口面積。第一孔521d、第二孔531d、第三孔541d及第四孔551d中之孔之間的距離可設置為相同，且可不同於底部孔511d中之孔之間的距離。
圖9係示意性地例示圖3之處理室之另一實施例的剖面圖。圖9可進一步包括成像單元700，該成像單元700提供圖3之實施例之相同處理室300且獲取物體之影像。參考圖9，成像單元700可在向下傾斜方向上對待成像之物體進行成像，即，該成像單元之光軸相對於水平面(例如相對於由支撐單元之頂表面界定的平面或由支撐單元所支撐的基板之頂表面界定的平面)形成銳角。在一實施例中，待成像之物體可為由基板支撐單元340支撐的基板或液體供應單元370之噴嘴374。成像單元700可安裝於外殼310之第一側壁312處。成像單元700可與第一側部部分之第一端相鄰地安裝於外殼之第一側壁處，該第一端與第一側部部分之連接至底部部分的第二端相反。穿孔板500之第一側部部分520設置為傾斜表面。成像單元700安裝於與穿孔板500之第一側部部分520相鄰的位置處。成像單元700可設置於與第一側部部分520之高度相對應的高度處。因此，在設置有用於提供向下氣流的穿孔板的結構中，可確保成像單元700之安裝空間，可保留成像單元700之視角，且同時可向整個內部空間提供向下氣流。
圖10及圖11示意性地顯示在穿孔板不包括傾斜側部部分且僅具有底部部分的情況下及在穿孔板具有底部部分及傾斜側部部分的情況下氣流在處理室內部的流動。上述實施例之穿孔板500描述為具有傾斜側部部分。當穿孔板500僅具有底部部分而不具有傾斜側部部分時，如圖10所顯示，氣流由於內部空間中的處理容器320之外部區域中向下氣流與向下氣流之後的向上氣流之間的碰撞而停滯。
然而，在穿孔板500具有根據本發明構思之示例性實施例的底部部分510及傾斜側部部分的情況下，如圖11所顯示，氣體透過傾斜側部部分排放，從而最小化處理容器320之外部區域中向下氣流與向下氣流之後的向上氣流之間的碰撞。因此，在處理容器320之外部區域中可能干擾向下氣流之後的向上氣流的向下氣流之量較小，且不發生氣流之停滯。
圖12示意性地顯示圖2之處理室之另一實施例。參考圖12，穿孔板500e具有底部部分510e及側部部分。側部部分具有與外殼310之第一側壁312相鄰的第一側部部分520e。第一側部部分520e自底部部分510e之各別側朝向第一側壁312延伸。第一側部部分520e經設置成隨著其面向上而朝向第一側壁312向上傾斜。
第一孔521形成於第一側部部分520e處。自氣流供應單元400供應的氣體透過第一孔521e排放至內部空間。第一孔521e設置在朝向外殼310之第一側壁312的向下傾斜方向上。因此，自氣流供應單元400供應的氣體可直接排放至內部空間中的邊緣區域。底部孔511e形成於底部部分510e處。自氣流供應單元400供應的氣體可透過底部孔511e直接朝向處理空間排放。
第一側部部分520e之頂表面每單位面積的第一孔521e之開口面積經設置成不同於底部部分510e之頂表面每單位面積的底部孔511e之開口面積。底部孔511e及第一孔521e形成於各別的底部部分及側部部分中以佔據穿孔板500之一部分，例如底部孔511e及第一孔521e可佔據穿孔板500e之頂表面之30%或更少。穿孔板500e與氣流供應單元400之間的距離可為10 mm至80 mm。第一孔521e及底部孔511e可具有在4 mm至12 mm範圍內的直徑。藉由形成於傾斜第一側部部分520e處的第一孔521e排放的氣體沿著第一側壁312向下流動，從而最小化由於外殼310之內部空間中的向下氣流造成的氣流干擾。
圖13示意性地顯示圖12之穿孔板。參考圖13，第一側部部分520e之頂表面每單位面積的第一孔521e之開口面積可設置為小於底部部分510e之頂表面每單位面積的底部孔511e之開口面積。第一孔521e中之孔之間的距離d1經設置為小於底部孔511e中之孔之間的距離d2。因此，在與具有相對較大內部空間的第一側壁312相鄰的區域中，向下氣流密度可相對較大。在一些實施例中，第一側部部分520e之頂表面每單位面積的第一孔521e之開口面積可設置為等於底部部分510e之頂表面每單位面積的底部孔511e之開口面積。在一些實施例中，第一孔521e中之孔之間的距離d1及底部孔511e中之孔之間的距離d2可設置為相同。
圖14示意性地顯示圖2之處理室之另一實施例。參考圖14，穿孔板500f將由氣流供應單元400供應的氣體均勻地排放至外殼310之內部空間。穿孔板500f與氣流供應單元400向下間隔開且佈置於處理容器320上方。穿孔板500f具有底部部分510f及側部部分。側部部分具有與外殼310之第一側壁312相鄰的第一側部部分520f。第一側部部分520f自底部部分510f之各別側朝向第一側壁312延伸。第一側部部分520f經設置成朝向第一側壁312向上傾斜。底部部分510f的除了連接至第一側部部分520f的側之外的其餘側與外殼310之第二側壁313、第三側壁314及第四側壁315接觸。
自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的第四孔521f形成於第一側部部分520f中。第一孔521f可設置成在朝向外殼310之第一側壁312的向下傾斜方向上直接排放自氣流供應單元400供應的氣體。自氣流供應單元400供應的氣體被排放所透過的底部孔511f形成於底部部分510f中。底部孔511f及第一孔521f形成於各別的底部部分及側部部分中以佔據穿孔板500f之一部分，例如底部孔511f及第一孔521f可佔據穿孔板500f之頂表面之30%或更少。第一孔521f及底部孔511f可具有在4 mm至12 mm範圍內的直徑。穿孔板500f與氣流供應單元400之間的距離可形成為10 mm至80 mm。藉由自第一孔521f排放的氣體沿著第一側壁312向下行進，可最小化由於外殼310之內部空間中的向下氣流造成的氣流干擾。
第一側部部分520f之頂表面每單位面積的第一孔521f之開口面積經設置成不同於底部部分510f之頂表面每單位面積的底部孔511f之開口面積。在一實施例中，第一側部部分520f之頂表面每單位面積的第一孔521f之開口面積可設置為小於底部部分510f之頂表面每單位面積的底部孔511f之開口面積。第一孔521f中之孔之間的距離經設置為小於底部孔511f中之孔之間的距離。在與具有相對較大內部空間的第一側壁312相鄰的區域中，向下氣流密度可相對較大。
在上述實施例中，穿孔板具有第一側部部分的情況以及穿孔板具有第一側部部分、第二側部部分、第三側部部分及第四側部部分的情況均作為實例提供。然而，穿孔板之側部部分可具有二或三個側部部分。在上述實施例中，已經在各種實施例中描述了形成於穿孔板中的孔之開口面積及距離，但本發明構思之實施例不限於此且可以各種方式進行修改。
圖15示意性地顯示圖12之處理室之另一實施例。圖15可進一步包括成像單元700，該成像單元700提供圖12之實施例之相同處理室300且透過成像獲取待成像之物體之影像。參考圖15，成像單元700可在向下傾斜方向上對待成像之物體進行成像，即，該成像單元之光軸相對於水平面(例如相對於由支撐單元之頂表面界定的平面或由支撐單元所支撐的基板之頂表面界定的平面)形成銳角。在一實施例中，成像單元700可對作為待成像之物體的由基板支撐單元340支撐的基板或液體供應單元370之噴嘴374進行成像。成像單元700可安裝於外殼310之第一側壁312上。成像單元700可與第一側部部分的與第一側部部分之連接至底部部分的第二端相反的第一端相鄰地安裝於外殼之第一側壁處。成像單元700可設置於與第一側部部分520e之傾斜表面相對應的高度處、與穿孔板500e之第一側部部分520e相鄰的位置處。因此，在設置有用於提供向下氣流的穿孔板的結構中，可確保成像單元700之安裝空間，可保留成像單元700之視角，且同時可向整個內部空間提供向下氣流。
圖16示意性地顯示圖14之處理室之另一實施例。圖16可進一步包括成像單元700，該成像單元700提供圖14之實施例之相同處理室300且透過成像獲取待成像之物體之影像。參考圖16，成像單元700可在向下傾斜方向上對待成像之物體進行成像，即，該成像單元之光軸相對於水平面(例如相對於由支撐單元之頂表面界定的平面或由支撐單元所支撐的基板之頂表面界定的平面)形成銳角。在一實施例中，成像單元700可對作為待成像之物體的由基板支撐單元340支撐的基板或液體供應單元370之噴嘴374進行成像。成像單元700可安裝於外殼310之第一側壁312處。成像單元700可與第一側部部分的與第一側部部分之連接至底部部分的第二端相反的第一端相鄰地安裝於外殼之第一側壁處。成像單元700可設置於與第一側部部分520f之傾斜表面相對應的高度處、與穿孔板500f之第一側部部分520f相鄰的位置處。因此，在設置有用於提供向下氣流的穿孔板的結構中，可確保成像單元700之安裝空間，可保留成像單元700之視角，且同時可向整個內部空間提供向下氣流。
本發明構思之效果不限於上述效果，且本發明構思所屬技術領域中具有通常知識者根據本說明書及圖式可清楚地理解未提及之效果。儘管到現在為止已經例示及描述了本發明構思之較佳實施例，但本發明構思不限於上述特定實施例，且應注意，本發明構思所屬技術領域中具有通常知識者可在不脫離申請專利範圍所主張保護之本發明構思之實質的情況下以各種方式實施本發明構思，且修改不應是與本發明構思之技術精神或展望分開解釋的向下氣流密度。
1:基板處理設備 10:分度模組 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 20:處理模組 120:裝載埠 130:容器 140:傳送框架 142:分度軌道 144:分度機器人 144a:基座 144b:主體 144c:分度臂 220:緩衝單元 240:傳送室 242:導引軌道 244:主機器人 244a:基座 244b:主體 244c:主臂 300:處理室 310:外殼 311:頂壁 312:第一側壁 313:第二側壁 314:第三側壁 315:第四側壁 320:處理容器 321:導引壁 322:內部再收集容器 322a,324a,326a,322c,324c,326c:空間 324:中間再收集容器 326:外部再收集容器 322b,324b,326b:再收集管線 340:基板支撐單元/旋轉頭 342:主體 344:支撐銷 346:卡盤銷 348:支撐軸 349:驅動單元 360:提升/降下單元 362:托架 364:移動軸 366:驅動器 370:液體供應單元 370a:第一處理液供應構件 370b:第二處理液供應構件 372:臂 374:噴嘴 376:支撐軸 378:驅動器 380:排氣單元 381:排氣導管 400:氣流供應單元 500,500e,500f:穿孔板 510,510b,510c,510d,510e,510f:底部部分 511,511b,511c,511d,511e,511f:底部孔 520,520b,520c,520d,520e,520f:第一側部部分 521,521b,521c,521d,521e,521f:第一孔 530,530b,530c,530d:第二側部部分 531,531b,531c,531d:第二孔 540,540b,540c,540d:第三側部部分 541,541b,541c,541d:第三孔 550,550b,550c,550d:第四側部部分 551,551b,551c,551d:第四孔 700:成像單元 1000:基板處理設備 1100:支撐單元 1200:處理容器 1300:風扇過濾器單元 A1,A2:傾斜程度 d1,d2,d3,d4,d5:距離 W:基板
以上及其他目標及特徵將藉由參考以下圖式的以下描述變得顯而易見，其中除非另外規定，否則相同的參考數字在各個圖式中係指相同的部件。
圖1係示意性地例示習知基板處理設備之處理室的剖面圖。
圖2係示意性地例示根據本發明構思之一實施例的基板處理設備的平面圖。
圖3係示意性地例示圖2之基板處理設備之處理室之一實施例的視圖。
圖4係自處理室前面觀察的圖3之穿孔板的視圖。
圖5係自處理室側面觀察的圖3之穿孔板的視圖。
圖6至圖8係分別示意性地例示圖3之穿孔板之修改實例的視圖。
圖9係示意性地例示圖3之處理室之另一實施例的視圖。
圖10係示意性地例示當穿孔板不具有傾斜側表面而僅具有底表面時氣流在處理室內部的流動的視圖。
圖11係示意性地例示當穿孔板具有底表面及傾斜側表面時氣流在處理室內部的流動的視圖。
圖12係示意性地例示圖2之基板處理設備之處理室之另一實施例的視圖。
圖13係示意性地顯示圖12之穿孔板的視圖。
圖14係示意性地例示圖2之基板處理設備之處理室之另一實施例的視圖。
圖15係示意性地例示圖12之處理室之另一實施例的視圖。
圖16係示意性地例示圖14之處理室之另一實施例的視圖。
1:基板處理設備
10:分度模組
12:第一方向
14:第二方向
16:第三方向
20:處理模組
120:裝載埠
140:傳送框架
142:分度軌道
144:分度機器人
144a:基座
144b:主體
144c:分度臂
220:緩衝單元
240:傳送室
242:導引軌道
244:主機器人
244a:基座
244b:主體
244c:主臂
300:處理室

Claims (20)

  1. 一種基板處理設備，前述基板處理設備包含： 外殼，前述外殼在其中具有內部空間； 處理容器，前述處理容器佈置於前述內部空間內且具有處理空間； 基板支撐單元，前述基板支撐單元在前述處理空間中支撐基板； 液體供應單元，前述液體供應單元向由前述基板支撐單元支撐的前述基板供應液體； 排氣單元，前述排氣單元排出在前述處理空間中產生的煙氣； 氣流供應單元，前述氣流供應單元耦接至前述外殼之頂側且向前述內部空間供應氣體以形成向下氣流；及 穿孔板，前述穿孔板佈置於前述處理容器與前述氣流供應單元之間且將前述氣體排放至前述內部空間， 其中前述穿孔板包含： 底部部分及側部部分，前述側部部分包含第一側部部分，且前述第一側部部分自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述外殼之第一側壁且具有用於排放前述氣體的第一孔。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述穿孔板之前述底部部分具有用於排放前述氣體的底部孔，且前述第一側部部分之每單位面積的前述第一孔的開口面積不同於前述底部部分之每單位面積的前述底部孔的開口面積。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述第一側部部分之頂表面每單位面積的前述第一孔之前述開口面積小於前述底部部分之頂表面每單位面積的前述底部孔之前述開口面積。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一孔經設置來在朝向前述外殼之前述第一側壁的向下傾斜方向上直接排放前述氣體。
  5. 如請求項2或3所述之基板處理設備，其中前述穿孔板之前述側部部分進一步包含第二側部部分，前述第二側部部分具有用於排放前述氣體的第二孔， 前述第二側部部分與前述第一側部部分相反，自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述外殼的第二側壁，前述外殼之前述第二側壁與前述外殼之前述第一側壁相反。
  6. 如請求項5所述之基板處理設備，其中前述穿孔板之前述第一側部部分與前述外殼之前述第一側壁之間的第一角度不同於前述穿孔板之前述第二側部部分與前述外殼之前述第二側壁之間的第二角度。
  7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中前述第一角度大於前述第二角度，且前述第一側部部分之每單位面積的前述第一孔之開口面積經設置為小於前述底部部分之每單位面積的前述底部孔之開口面積，且 前述第二側部部分之每單位面積的前述第二孔之開口面積小於前述底部部分之前述頂表面每單位面積的前述底部孔之前述開口面積，且大於前述第一側部部分之頂表面每單位面積的前述第一孔之前述開口面積。
  8. 如請求項5所述之基板處理設備，其中前述穿孔板之前述側部部分進一步包含：第三側部部分，前述第三側部部分位於前述第一側部部分與前述第二側部部分之間且具有用於排放前述氣體的第三孔；及第四側部部分，前述第四側部部分與前述第三側部部分相反且位於前述第一側部部分與前述第二側部部分之間且具有用於排放前述氣體的第四孔， 前述第三側部部分自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述外殼之第三側壁，且 前述第四側部部分自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述外殼之第四側壁。
  9. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述穿孔板之前述第一側部部分與前述外殼之前述第一側壁之間的角度大於前述穿孔板之各別的第二側部部分至第四側部部分與前述外殼之各別的第二側壁至第四側壁之間的各別角度， 前述第一側部部分之每單位面積的前述第一孔之開口面積經設置為小於前述底部部分之每單位面積的前述底部孔之開口面積，且 前述第二側部部分至前述第四側部部分之各別每單位面積的前述第二孔至前述第四孔之各別開口面積小於前述底部部分之述每單位面積的前述底部孔之前述開口面積，且大於前述第一側部部分之每單位面積的前述第一孔之前述開口面積。
  10. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述側部部分包含有包括前述第一側部部分的複數個側部部分，且不包括前述第一側部部分的前述複數個側部部分與前述外殼之各別側壁接觸。
  11. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述氣流供應單元包含： 過濾器，前述過濾器用於將雜質自流入前述過濾器中的前述氣體移除；及 風扇，前述風扇佈置於前述外殼之頂表面處以用於在前述內部空間中形成向下氣流。
  12. 如請求項1至3中任一項所述之基板處理設備，其中前述基板處理設備進一步包含： 成像單元，前述成像單元與前述第一側部部分之第一端相鄰地安裝於前述外殼之前述第一側壁處，前述第一端與前述第一側部部分之連接至前述底部部分的第二端相反，前述成像單元經安裝成使得前述成像單元之光軸相對於水平面形成銳角。
  13. 一種基板處理設備，前述基板處理設備包含： 外殼，前述外殼具有內部空間且包括第一側壁及第二側壁； 處理容器，前述處理容器佈置於前述內部空間內且具有處理空間； 基板支撐單元，前述基板支撐單元在前述處理空間中支撐基板； 液體供應單元，前述液體供應單元向由前述基板支撐單元支撐的前述基板供應液體； 排氣單元，前述排氣單元排出在前述處理空間中產生的煙氣； 氣流供應單元，前述氣流供應單元耦接至前述外殼之頂側且向前述內部空間供應氣體以形成向下氣流；及 穿孔板，前述穿孔板佈置於前述處理容器與前述氣流供應單元之間且將前述氣體排放至前述內部空間， 其中前述穿孔板包含： 底部部分，前述底部部分具有底部孔，其用於在垂直於由前述支撐單元支撐的前述基板之頂表面的方向上排放前述氣體；及 第一側部部分，前述第一側部部分自前述底部部分向上延伸至前述外殼之前述第一側壁且具有用於朝向前述外殼之前述第一側壁排放前述氣體的第一孔。
  14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中前述第一側部部分之頂表面每單位面積的前述第一孔之開口面積經設置成小於前述底部部分之頂表面每單位面積的前述底部孔之開口面積。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述穿孔板包括第二側部部分，前述第二側部部分自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述外殼之前述第二側壁且具有用於朝向前述外殼之前述第二側壁排放前述氣體的第二孔， 前述第一側部部分與前述第一側壁之間的角度大於前述第二側部部分與前述第二側壁之間的角度，且 前述第二側部部分之每單位面積的前述第二孔之開口面積小於前述底部部分之每單位面積的前述底部孔之開口面積，且大於前述第一側部部分之每單位面積的前述第一孔之開口面積。
  16. 如請求項13至15中任一項所述之基板處理設備，其中前述基板處理設備進一步包含： 成像單元，前述成像單元與前述第一側部部分之第一端相鄰地安裝於前述外殼之前述第一側壁處，前述第一端與前述第一側部部分之連接至前述底部部分的第二端相反，前述成像單元經安裝成使得前述成像單元之光軸相對於由前述基板支撐單元之頂表面界定的水平面形成銳角。
  17. 一種基板處理設備，前述基板處理設備包含： 外殼，前述外殼具有內部空間且包括第一側壁、第二側壁、第三側壁及第四側壁； 處理容器，前述處理容器佈置於前述內部空間內且具有處理空間； 基板支撐單元，前述基板支撐單元在前述處理空間中支撐基板； 液體供應單元，前述液體供應單元向由前述基板支撐單元支撐的前述基板供應液體； 排氣單元，前述排氣單元排出在前述處理空間中產生的煙氣； 氣流供應單元，前述氣流供應單元耦接至前述外殼之頂側且向前述內部空間供應氣體以形成向下氣流；及 穿孔板，前述穿孔板佈置於前述處理容器與前述氣流供應單元之間且將前述氣體排放至前述內部空間， 其中前述穿孔板包含： 底部部分，前述底部部分包括底部孔，其用於在垂直於由前述支撐單元支撐的前述基板之頂表面的方向上排放前述氣體；及 第一側部部分，前述第一側部部分自前述底部部分向上延伸至前述外殼之前述第一側壁且具有用於朝向前述外殼之前述第一側壁排放前述氣體的第一孔。
  18. 如請求項17所述之基板處理設備，其中前述穿孔板進一步包括第二側部部分、第三側部部分及第四側部部分，前述第二側部部分、前述第三側部部分及前述第四側部部分分別自前述底部部分延伸並向上傾斜至前述第二側壁、前述第三側壁及前述第四側壁，且 前述穿孔板之前述第一側部部分與前述外殼之前述第一側壁之間的角度大於前述穿孔板之各別的第二側部部分至第四側部部分與前述外殼之各別的第二側壁至第四側壁之間的各別角度。
  19. 如請求項18所述之基板處理設備，其中前述第二側部部分至前述第四側部部分之頂表面各別每單位面積的前述第二孔至前述第四孔之各別開口面積大於前述第一側部部分之頂表面每單位面積的前述第一孔之前述開口面積。
  20. 如請求項17至19中任一項所述之基板處理設備，其中前述基板處理設備進一步包含： 成像單元，前述成像單元與前述第一側部部分之第一端相鄰地安裝於前述外殼之前述第一側壁處，前述第一端與前述第一側部部分之連接至前述底部部分的第二端相反，前述成像單元經安裝成使得前述成像單元之光軸相對於由前述基板支撐單元之頂表面界定的水平面形成銳角。
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