TW201642374A - 半導體容器保管設備 - Google Patents

半導體容器保管設備 Download PDF

Info

Publication number
TW201642374A
TW201642374A TW105106718A TW105106718A TW201642374A TW 201642374 A TW201642374 A TW 201642374A TW 105106718 A TW105106718 A TW 105106718A TW 105106718 A TW105106718 A TW 105106718A TW 201642374 A TW201642374 A TW 201642374A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
space
air
opening
intake port
suction device
Prior art date
Application number
TW105106718A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI683385B (zh
Inventor
道下大貴
山川美穗
Original Assignee
大福股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大福股份有限公司 filed Critical 大福股份有限公司
Publication of TW201642374A publication Critical patent/TW201642374A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI683385B publication Critical patent/TWI683385B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Abstract

本發明提供一種半導體容器保管設備。設置有保管用以收容半導體基板之容器的保管庫。保管庫具備有：具有沿著上下方向之側壁部的區隔壁、和藉由區隔壁與外部空間作區隔之收容空間。將含有比外部空間之空氣中所含有的惰性氣體濃度更高的惰性氣體之惰性氣體濃化空氣供應至收容空間內，且於側壁部形成有讓相對於保管庫被搬出、搬入之容器通過的第1開口部。外部空間中的與第1開口部的邊緣部相鄰之位置上配置有第1吸氣口，且在保管庫設置有第1吸引裝置，該第1吸引裝置是將通過第1吸氣口所吸引之空氣排出至在收容空間之外且與外部空間區分的排出空間。

Description

半導體容器保管設備 發明領域
本發明是有關於一種半導體容器保管設備，其設置有保管用以收容半導體基板之容器的保管庫，保管庫具備：具有沿著上下方向之側壁部的區隔壁、及藉由區隔壁與外部空間作區隔之收容空間；並將含有比外部空間的空氣中所含有之惰性氣體濃度更高的惰性氣體之惰性氣體濃化空氣供給至收容空間內，且於側壁部形成有讓相對於保管庫被搬出、搬入之容器通過之第1開口部。
發明背景
如上述之半導體容器保管設備之保管庫中，為了抑制因容器內之半導體基板的氧化所造成的變質，會有對保管於收容空間之容器內，或者，對位於收容空間內之用於保管容器的開閉式的保管部位供給惰性氣體，以使半導體基板周邊之氧氣濃度降低的情況。在這種情況下，藉由容器內及保管部位內之惰性氣體流出至收容空間內，收容空間內之空氣中所含有之惰性氣體的濃度會成為比外部空 間之空氣中所含有的惰性氣體之濃度更高的濃度。
又，保管庫是在直到以設置於外部空間側之處理裝置等進行處理或出貨為止的期間，暫時保管容器之保管庫，而有在與外部空間之間存取容器的必要。因此，在區隔壁上形成有讓相對於保管庫被搬出、搬入之前述容器通過之第1開口部。當存在如此之開口時，恐有惰性氣體濃度較高之收容空間內的空氣流出至外部空間之虞。
另一方面，由於在外部空間會有作業者進行作業的可能性，因此為了維持安全的作業環境，宜極力避免收容空間內之空氣流出至外部空間。
於是，已有例如，如日本專利特開平10-172873號公報(專利文獻1)所示，用以避免收容空間內之空氣流出至外部空間之在搬送口18(第1開口部)具備有開閉自如之門的保管庫被提出。
發明概要
課題、用以解決課題之手段
在專利文獻1中，對於搬送口18的門雖然沒有詳細之記載，但在構成為例如，在保管庫與其他部位之間，藉由自走式的搬送裝置等搬送容器時，會有必須將搬送口18之門的開閉用自動方式來進行的情況。此時，必須具備例如用於驅動開閉之門的驅動部、及控制門之開閉的控制部，而有產生保管部之構成的繁雜化及成本的增加之虞。
於是，避免產生保管部之構成的繁雜化及成本的 增加，且可以抑制收容空間內之空氣流出至外部空間的半導體容器保管設備是備受期待的。
有鑑於上述而作成之半導體保管設備，設置有保管用以收容半導體基板之容器的保管庫，前述保管庫具備：具有沿著上下方向之側壁部的區隔壁、及藉由前述區隔壁與外部空間作區隔之收容空間，且其將含有比前述外部空間之空氣中所含有的惰性氣體濃度更高的惰性氣體之惰性氣體濃化空氣供給至前述收容空間內，並於前述側壁部形成有讓相對於前述保管庫被搬出、搬入之前述容器通過的第1開口部，
其特徵之點在於：於前述外部空間中的與前述第1開口部的邊緣部相鄰之位置上配置有第1吸氣口，並設置有第1吸引裝置，該第1吸引裝置將通過前述第1吸氣口所吸引之空氣排出至在前述收容空間之外且與前述外部空間區分的排出空間。
亦即，當收容空間之空氣(惰性氣體濃度較高的空氣)欲透過第1開口部流出至外部空間時，此欲流出至外部空間的空氣，或者，由第1開口部暫時流出至外部空間的空氣，是藉由第1吸引裝置之吸引作用，而被配置於與第1開口部的邊緣部相鄰之位置上的第1吸氣口所吸引。而且，已由該第1給氣口吸引之空氣，會被排出至在收容空間之外且與外部空間區分的排出空間。藉此，可以抑制第1開口部之空氣往外部空間流出。
因此，即使不在第1開口部設置開閉自如的門， 也可以抑制收容空間之空氣流出至外部空間。
如此地進行，可以提供一種半導體容器保管設備，其避免產生保管部之構成的繁雜化及成本的增加，且可以抑制收容空間內之空氣流出至外部空間。
10‧‧‧保管庫
10S‧‧‧收納空間
11‧‧‧側壁部
12‧‧‧上底部
13‧‧‧下底部
20‧‧‧堆高式起重機
21‧‧‧行走台車
22‧‧‧昇降桅桿
24‧‧‧昇降台
25‧‧‧移載裝置
30‧‧‧支撐部
31‧‧‧運動銷
40‧‧‧沖孔板
41‧‧‧搬送路徑部分
50R‧‧‧吸氣箱
51‧‧‧框材
52‧‧‧固定隔板
53‧‧‧第1板
54‧‧‧第2板
55‧‧‧第3板
55K‧‧‧缺口部
58‧‧‧固定用構件
59‧‧‧螺栓
90‧‧‧天花板搬送設備
90R‧‧‧行走軌道
90V‧‧‧天花板搬送車
91‧‧‧本體部
92‧‧‧昇降體
93‧‧‧行走部
A‧‧‧開口量調整板(調整裝置)
B‧‧‧容器
C‧‧‧天花板
CV1‧‧‧第1輸送機
CV2‧‧‧第2輸送機
F1‧‧‧風扇單元(下降氣流形成部)
F2‧‧‧風扇單元(吸引裝置、第1吸引裝置、第2吸引裝置)
F21‧‧‧第1吸引裝置
F22‧‧‧第2吸引裝置
FL1、FL2‧‧‧虛線
G‧‧‧外部空間
H1‧‧‧排氣路
K1、S1‧‧‧第1開口部
K2、S2‧‧‧第2開口部
Q‧‧‧區隔壁
R1‧‧‧軌道
S‧‧‧開口部分
V1‧‧‧第1吸氣口
V2‧‧‧第2吸氣口
Y‧‧‧收容空間
圖1是保管庫之側面視剖面圖。
圖2是顯示第1輸送機(conveyor)及第1吸氣口的平面圖。
圖3是顯示第2吸氣口及安裝於其上之開口量調整板的立體圖。
圖4(a)-(c)是顯示開口量調整板之安裝模式的圖。
圖5是顯示開口量調整板之安裝模式與開口率的關係之圖表。
圖6是顯示外部空間及收容空間中的空氣的流動之圖。
用以實施發明之形態
以下，根據圖式說明半導體容器保管設備之實施形態。
如圖1所示，本實施形態之半導體容器保管設備具備有：將收容半導體基板之容器B(FOUP)在上下方向上排列複數個而保管之保管庫10。
保管庫10具備有：區隔壁Q、收容空間Y、與惰性氣體濃化空氣供給部。區隔壁Q具有：沿上下方向之側壁部11、 上底部12、及下底部13。由上下方向觀看，收容空間Y是藉由區隔壁Q而與外部空間G作區隔。惰性氣體濃化空氣供給部是將含有比外部空間G之空氣中所含有之惰性氣體更高濃度的惰性氣體(氮氣等)之惰性氣體濃化空氣供給至收容於收容空間Y之容器B。這種保管庫10是設置於半導體製造工廠內之無塵室內。
在保管庫10內，是將支撐容器B之支撐部30在上下方向及左右方向上排列複數個而設置。雖然圖示省略，但容器B之底部設置有將惰性氣體導入同容器B之收納空間內的導入口、及將容器B之收納空間內的氣體排出至容器B外的排出口。在支撐部30設置有與設置於容器B之底部的卡合溝卡合而以將容器B定位的狀態進行支撐之運動銷(kinematic pin)31。支撐部30之上方的空間成為容器B的收納空間10S。又，在已將容器B支撐於支撐部30之狀態下，於支撐部30設置有與容器B的導入口連結以將惰性氣體注入至容器B內的惰性氣體注入管。藉由從惰性氣體注入管注入新的惰性氣體，可由容器B將充滿於收納空間內之舊的惰性氣體排出至保管庫10的收容空間Y。亦即，在本實施形態中是藉由支撐部30之惰性氣體注入管構成惰性氣體濃化空氣供給部。
又，於支撐部30的前面設置有堆高式起重機(stacker crane)20。在該堆高式起重機20上具備有：可在沿著左右方向舖設之軌道R1上行走的行走台車21、豎立設置於行走台車21之昇降桅桿22、受到昇降桅桿22引導而可昇 降移動的昇降台24、及受到昇降台24支撐而可在其本身與移載目的地之間移載容器B的移載裝置25。
在保管庫10中，讓相對於該保管庫10被搬出、搬入之容器B通過的第1開口K1形成於側壁部11。
並設置有在收容空間Y與外部空間G之間以通過第1開口K1之形態搬送容器B之第1輸送機CV1。本實施形態中，第1輸送機CV1具備台車式之搬送部，並在搬送部之上端具備有載置容器B之載置部。搬送部是作為沿著搬送路徑部分41(參照圖2)行走之台車式的輸送機而被構成。再者，亦可使用滾輪式輸送機(roller conveyor)作為第1輸送機CV1。
第1輸送機CV1之外部空間G側的端部，構成為可在與圖未示之自走式台車之間交接容器B。又，第1輸送機CV1之收容空間Y側的端部，構成為可在與上述之堆高式起重機20的移載裝置25之間交接容器B。第1輸送機CV1之相較於側壁部11更位在外部空間G側的部分之下方處，設置有將空氣排出至排氣路H1的吸氣箱50R。該排氣路H1是形成於地面，且此排氣路H1(具體來說是由排氣路H1所形成之空間)是相當於在收容空間Y之外且與外部空間G區分之排出空間。
吸氣箱50R的下端安裝有吸氣用之風扇單元F2，風扇單元F2之排出側連接有排氣路H1。
天花板C與地面之間所形成的空間藉由區隔壁Q而被區隔成收容空間Y及外部空間G。外部空間G是位於與收容空間Y相同高度的空間。外部空間G與收容空間Y是被 虛擬或實體地區分，且至少使由排出空間往外部空間G之空氣的流動受到防止或抑制。
具體來說，本實施形態中，外部空間G與作為排出空間之排氣路H1，是以排氣路H1之上端的高度(地面之上表面的高度)被虛擬地區分，且藉由以風扇單元F2使空氣由外部空間G朝排出空間流動，而防止由排出空間往外部空間G之空氣的流動。
順道一提，「防止」是表示藉由以風扇等使空氣由排出空間朝向外部空間G流動、以無孔板(沒有形成空氣可流通之孔部的板)分隔排出空間與外部空間G、以空氣幕(air curtain)分隔排出空間與外部空間G等之積極地防止空氣由排出空間流動至外部空間G的狀態。又，「抑制」是表示藉由以多孔板(形成有多數個空氣可流通之孔部的板)分隔排出空間與外部空間G等，而相較於未以多孔板分隔排出空間與外部空間G的情況，較能抑制由排出空間往外部空間G之空氣的流動之狀態。
又，以多孔板形成地面，並實體地區分形成於多孔板之上方的外部空間G與形成於多孔板之下方的空間，而將形成於多孔板之下方的空間作為排出空間亦可。如此，藉由以多孔板區分外部空間G與排出空間，而可以抑制由排出空間往外部空間G之空氣的流動。而且，像這樣以多孔板區分外部空間G與排出空間時，亦可藉由在天花板C設置風扇單元以形成由外部空間G通過多孔板流動至排出空間之空氣的下降氣流，來防止由排出空間往外部空間G之空氣的 流動。
又，亦可在天花板C與地面之間的空間中的收容空間Y之外，由天花板C橫跨到地面設置多孔板或無孔板，或者，形成空氣幕，以將形成於天花板C與地面之間的空間區分成收容空間Y、外部空間G、與排出空間。在這種情況下，較理想的是，以於排出空間中不包含作業者進行作業之作業區域的方式來區分。
本實施形態中，風扇單元F1相當於下降氣流形成部。亦即，在收容空間Y中的比第1開口部K1更上方處，設置使收容空間Y內之空氣朝向下方流動而在收容空間Y內形成下降氣流之作為下降氣流形成部的風扇單元F1。
又，在比第1開口部K1更上方且比風扇單元F1更下方處，形成有讓相對於保管庫10被搬出、搬入之容器B通過的第2開口部K2。
並設置有在收容空間Y與外部空間G之間以通過第2開口部K2之形態搬送容器B之第2輸送機CV2。
第2輸送機CV2之外部空間G側的端部，構成為可在與天花板搬送設備90中的天花板搬送車90V之間交接容器B。天花板搬送設備90具備有：可在由天花板C懸吊而被支撐之行走軌道90R上行走自如之行走部93、受到行走部93支撐而沿著行走軌道90R與行走部93一體地移動之本體部91、及昇降自如地被支撐在本體部91的昇降體92。昇降體92構成為可把持設置於容器B之上端的凸緣部。又，第2輸送機CV2之收容空間Y側的端部，構成為可在與上述之堆高 式起重機20的移載裝置25之間交接容器B。
圖2是第1輸送機CV1的平面圖。如該圖2所示，在吸氣箱50R之上端的與第1輸送機CV1之搬送方向正交的兩側邊，安裝有設置了複數個空氣可流通之孔部的沖孔板(punching panel)40。
如圖3所示，於吸氣箱50R之收容空間Y側的側面安裝有固定隔板52。又，吸氣箱50R之收容空間Y側的側面中，形成有開口部分S作為固定隔板52以外的部分。開口部分S藉由框材51分割為左右。本實施形態中，開口部分S以左右排列的狀態分割成第1開口部S1與第2開口S2。第2開口部S2形成為與第1開口部S1相同的橫寬。分別在第1開口部S1與第2開口部S2安裝有3個固定用構件58，以使開口部分S在上下方向上形成4等份。以下，將被形成4等份之開口部分S的1份之高度稱為單位開口高度。3個固定用構件58是配置成使在上下方向上相鄰之固定用構件58彼此之距離為幾乎均等。又，開口量調整板A構成為能以螺栓59在固定用構件58裝卸自如。
如圖3所示，開口量調整板A具備有板狀之第1板53、板狀之第2板54、及板狀之第3板55。第1板53是形成為1份單位開口高度之上下方向寬度且成為開口部分S之橫寬方向的一半之橫寬(與第1開口部S1或第2開口部S2相同橫寬)，並未形成有空氣可流通之孔部。第2板54是形成為1份單位開口高度之上下方向寬度且成為開口部分S之橫寬方向的一半之橫寬，並形成有空氣可流通之孔部。第3板55是 形成為2份單位開口高度之上下方向寬度且成為開口部分S之橫寬方向的一半之橫寬，並在未形成有空氣可流通之孔部的情形下，於一部分形成有缺口部55K。這些第1板53、第2板54與第3板55中，第3板55僅被使用於開口部分S之最下部。
圖4是顯示開口量調整板A之安裝模式的圖。再者，在本實施形態中，雖然是做成分別在第1開口部S1與第2開口部S2以相同的模式安裝開口量調整板A，但亦可使分別安裝於第1開口部S1與第2開口部S2之開口量調整板A的安裝模式不同。
圖4(a)是分別在第1開口部S1與第2開口部S2安裝2個第1板53、與1個第3板55之例。此時，如圖5所示，相對於開口部分S之總面積之開口面積的比例為15.3%。
圖4(b)是分別在第1開口部S1與第2開口部S2安裝3個第1板53之例。此時，如圖5所示，相對於開口部S之總面積之開口面積的比例為21.5%。
圖4(c)是分別在第1開口部S1與第2開口部S2安裝2個第1板53、與1個第2板54之例。此時，如圖5所示，相對於開口部分S之總面積之開口面積的比例為28.0%。
如此，藉由變更第1板53、第2板54、第3板55之安裝模式，如圖5所示，可以變更相對於開口部分S之總面積之開口面積的比例。再者，圖5中所顯示的是使用於1個開口部(例如，第1開口部S1)之開口量調整板A的數量。
藉由使風扇單元F2作動，將吸氣箱50R內之空氣 排出至排氣路H1而在吸氣箱50R內成為負壓。藉此，使沖孔板40之上方的空氣通過沖孔板40之孔部被吸引至吸氣箱50R內，且使收容空間Y內之空氣透過開口部分S(或被開口量調整板A遮蔽之剩餘的開口部分S)被吸引至吸氣箱50R內。亦即，藉由風扇單元F2之吸引作動而由第1吸氣口V1及第2吸氣口V2兩者吸引空氣。
在此，由於相對於沖孔板40之總面積的孔部之開口部分的比例是固定的，因此由第1吸氣口V1往風扇單元F2之空氣的流路之流路截面積無法變更。然而，藉由開口量調整板A之裝卸，由第2吸氣口V2往風扇單元F2之空氣的流路之流路截面積是可以調整的。
於是，本實施形態中，是藉由如圖3~圖5所示地調整開口量調整板A之安裝模式，來設定開口量調整板A之由第2吸氣口V2往風扇單元F2之空氣的流路之流路截面積，以使收容空間Y內之與第1開口部K1相鄰的空間中所形成之下降氣流的流速變得比由第1吸氣口V1往風扇單元F2流動之空氣的流速更快。
本實施形態中，吸氣箱50R之上端設置有沖孔板40的部分相當於第1吸氣口V1，吸氣箱50R之收容空間Y側的側面之開口部分S相當於第2吸氣口V2。
又，本實施形態中，第1吸引裝置F21與第2吸引裝置F22是以作為共通之吸引裝置的風扇單元F2所構成。亦即，設置有將通過第1吸氣口V1吸引之空氣排出至收容空間Y之外的排氣路H1的第1吸引裝置F21、與將通過第2吸氣口V2 吸引之空氣排出至收容空間Y之外的排氣路H1的第2吸引裝置F22，並將第1吸引裝置F21與第2吸引裝置F22做成共通之吸引裝置。
又，在外部空間G中的與第1開口部K1之邊緣部相鄰的位置上配置有第1吸氣口V1。又，在側壁部11中的比第1開口部K1更下方處，形成有在收容空間Y內開口之第2吸氣口V2。
又，藉由調整開口量調整板A之安裝模式，以將第1吸引裝置F21與第2吸引裝置F22設定成使收容空間Y內之與第1開口部K1相鄰的空間中所形成之下降氣流的流速變得比第1吸引裝置F21所吸引之空氣的流速更快。
又，本實施形態中，開口量調整板A相當於調整流路截面積之調整裝置。亦即，是在由第1吸氣口V1往第1吸引裝置F21之空氣的流路與由第2吸氣口V2往第2吸引裝置F22之空氣的流路的至少一個上設置有調整流路截面積之調整裝置，且設置為相對於第2吸氣口V2裝卸自在。
藉由如此之構成，如圖6所示，收容空間Y內之空氣會如虛線FL2所示地被第2吸氣口V2吸引，而在收容空間Y內之與第1開口部K1相鄰的空間形成下降氣流。因此，可以防止收容空間Y內的空氣由第1開口部K1流出至外部空間G。
又，與第1開口部K1之邊緣部相鄰之外部空間G的空氣，如虛線FL1所示，會被第1吸氣口V1所吸引。因此，可以防止外部空間G的空氣由第1開口部K1流入收容空間Y，並且 可以防止由於比保管庫10之收容空間Y包含更多雜質粒子之外部空間G的空氣而使容器B內之半導體基板污損之情形。
[其他實施形態]
(1)上述實施形態中，雖然說明了將作為調整裝置之開口量調整板A安裝於第2吸氣口V2的構成，但並不限定於如此之構成，亦可做成將調整裝置安裝在第1吸氣口V1的構成。又，亦可做成將調整裝置安裝在第1吸氣口V1及第2吸氣口V2雙方上的構成。
(2)上述實施形態中，雖然作為開口量調整板A，而構成為將未形成孔部之第1板53、形成有孔部之第2板54等之具有複數種開口率的板組合以獲得所期望之開口率，但並不限定於如此之構成，亦可做成將開口量調整板A形成為覆蓋整個開口部分S之面積的1片板，並將已設定成複數種開口率之複數個板安裝於開口部分S之構成。
(3)上述實施形態中，雖然所顯示的是將調整裝置做成安裝於第2吸氣口V2之開口部分S的開口量調整板A的例子，但並不限定於如此之構成，例如，亦可做成為下列之構成：藉由具備扇形之開口、及與該開口重複之扇形的遮蔽板，並使遮蔽板以扇形之樞軸部分為旋轉軸旋轉，以調整開口與遮蔽板之重複量、或做成如下之構成：重疊2片具備有複數個狹縫(slit)之板狀體，並使該2片板狀體之雙方互相滑動以調整2片板狀體之狹縫中的貫通部分的面積。
(4)上述實施形態中，雖然說明了將吸引裝置作成風扇單元F2之構成，但亦可使用例如旋轉泵(rotary pump)或擴散泵(diffusion pump)等真空泵。
(5)上述實施形態中，雖然說明了將第1吸引裝置F21與第2吸引裝置F22做成共通之吸引裝置(風扇單元F2)的構成，但並不限定於如此之構成，例如，將第1吸引裝置F21與第2吸引裝置F22做成不同之風扇單元亦可。此時，作為調整裝置，可以個別地調整作為第1吸引裝置F21之風扇單元與作為第2吸引裝置F22之風扇單元的吸引力。又，可將作為第1吸引裝置F21之風扇單元排出空氣之排出空間、與作為第2吸引裝置F22之風扇單元排出空氣的空間做成不同的空間。
(6)上述實施形態中，雖然說明了在吸氣箱50R之上表面形成第1吸氣口V1，並在吸氣箱50R之側面形成第2吸氣口V2的構成，但將第1吸氣口V1及第2吸氣口V2之雙方或其中一方做成將一端側連接於吸引裝置之導管的另一端側之開口部分亦可。
(7)上述實施形態中，雖然顯示了在收容空間Y中的比第1開口部K1更上方處設置使收容空間Y內之空氣往下方流動以在收容空間Y內形成下降氣流的風扇單元F1(下降氣流形成部)的例子，但亦可做成不設置風扇單元F1之構成。此時，可藉由從設置於收容空間Y下端部附近之第2吸氣口V2吸引收容空間Y內之空氣而在收容空間Y內形成下降氣流。
(8)上述實施形態中，雖然在比第1開口部K1更上方且比風扇單元F1更下方處形成讓相對於保管庫10被搬出、搬入之容器B通過之第2開口部K2，但亦可做成不具備第2開口部K2之保管庫。
[上述實施形態的概要]
以下，針對上述所說明之半導體容器保管設備的概要加以說明。
半導體容器保管設備設置有保管用以收容半導體基板之容器的保管庫，前述保管庫具備：具有沿著上下方向之側壁部的區隔壁、及藉由前述區隔壁與外部空間作區隔之收容空間，且其將含有比前述外部空間之空氣中所含有的惰性氣體濃度更高的惰性氣體之惰性氣體濃化空氣供給至前述收容空間內，並於前述側壁部形成有讓相對於前述保管庫被搬出、搬入之前述容器通過的第1開口部， 其特徵之點在於，於前述外部空間中的與前述第1開口部的邊緣部相鄰之位置上配置有第1吸氣口，並設置有第1吸引裝置，該第1吸引裝置將通過前述第1吸氣口所吸引之空氣排出至在前述收容空間之外且與前述外部空間區分的排出空間。
亦即，當收容空間之空氣(惰性氣體濃度較高的空氣)欲透過第1開口部流出至外部空間時，此欲流出至外部空間的空氣，或者，由第1開口部暫時流出至外部空間的空氣，是藉由第1吸引裝置之吸引作用，而被配置於與第1開口部的邊緣部相鄰之位置上的第1吸氣口所吸引。而且， 已由該第1給氣口吸引之空氣，會被排出至在收容空間之外且與外部空間區分的排出空間。藉此，可以抑制第1開口部之空氣往外部空間流出。
因此，即使不在第1開口部設置開閉自如的門，也可以抑制收容空間之空氣流出至外部空間。
如此地進行，可以提供一種半導體容器保管設備，其避免產生保管部之構成的繁雜化及成本的增加，且可以抑制收容空間內之空氣流出至外部空間。
又，較理想的是，在前述收容空間中的比前述第1開口部更上方處設置下降氣流形成部，該下降氣流形成部使前述收容空間內之空氣向下方流動而在前述收容空間內形成下降氣流；並在前述側壁部中的比前述第1開口部更下方處形成於前述收容空間內開口的第2吸氣口，且設置有將通過前述第2吸氣口所吸引之空氣排出至前述排出空間之第2吸引裝置。
亦即，藉由下降氣流形成部使收容空間內之空氣朝下方流動，並以第2吸引裝置由較第1開口部更下方之第2吸氣口將收容空間內之空氣吸引並排出至排出空間，藉此可以在收容空間內形成下降氣流。
此時，如果藉由第2吸引裝置而由收容空間內排出之空氣的量比藉由下降氣流形成部使其往下方流動之空氣的量更少，恐有收容空間內之空氣壓變高之虞。當該收容空間內之空氣壓比外部空間之空氣壓更高時，會有收容空間內之空氣由第1開口部流出至外部空間之虞。
在如此之情況下，仍然可以藉由第1吸引裝置之吸引作用由第1開口部吸引欲由配置於與第1開口部之邊緣部相鄰的位置上之第1吸氣口流出至外部空間之空氣，或者，由第1開口部暫時流出至外部空間之空氣，以抑制收容空間內之空氣往外部空間流出。
較理想的是，將前述第1吸引裝置及前述第2吸引裝置設定成使在前述收容空間內之與前述第1開口部相鄰的空間中所形成之下降氣流的流速變得比前述第1吸引裝置所吸引之空氣的流速更快。
亦即，根據本特徵構成，藉由收容空間內之與前述第1開口部相鄰的空間中所形成之下降氣流的流速、與第1吸引裝置所吸引的空氣之流速的不同，使第1吸引裝置吸引之空氣被流速較快之下降氣流吸引。因此，收容空間之空氣不會透過第1開口部流出至外部空間。又，欲由外部空間朝向收容空間流入之空氣，由於會被第1吸氣口吸引而排出至收容空間外之部位，因此外部空間之空氣不會流入收容空間內。
如此，可以做成雖然在第1開口部未設置門之構成，但可適當地抑制收容空間內之空氣流出至外部空間、或外部空間之空氣流入收容空間的情況。
較理想的是，前述第1吸引裝置與前述第2吸引裝置為共通之吸引裝置。
亦即，藉由將第1吸引裝置與第2吸引裝置做成共通之吸引裝置，可以抑制吸引裝置之台數的增加，並實現 以下兩者：由第1開口部吸引與第1開口部相鄰之空間部分的空氣、與由第2開口部吸引收容空間內之空氣。因此，易於抑制機器之設置成本。
較理想的是，在由前述第1吸氣口往前述第1吸引裝置之空氣的流路、與由前述第2吸氣口往前述第2吸引裝置之空氣的流路的至少一個上設置用以調整流路截面積的調整裝置。
如上述，為了將相鄰於第1開口部之空間中所形成之下降氣流的流速設定為比第1吸引裝置吸引之空氣的流速更快，需要調整由第1吸氣口吸引之空氣的流量與由第2吸氣口吸引之空氣的流量之比例。
另一方面，當已將第1吸引裝置與第2吸引裝置做成共通之吸引裝置時，無法像將第1吸引裝置與第2吸引裝置做成不同之吸引裝置的情況藉由調整吸引裝置之吸引能力(每單位時間使其流動之氣體的流量)的比例來調整如上述之流量的比例。
於是，藉由變更從第1吸氣口往第1吸引裝置之空氣的流路之流路截面積與從第2吸氣口往第2吸引裝置之空氣的流路之流路截面積的比例，可以做到由第1吸氣口吸引的空氣之流量與由第2吸氣口吸引的空氣之流量的比例之調整。
較理想的是，前述調整裝置相對於前述第1吸氣口及前述第2吸氣口之至少其中一個的吸氣口設置成裝卸自如。
亦即，當已做成在第1吸氣口及第2吸氣口兩者皆安裝調整裝置之構成時，即使做成變更流路截面積之比例以調整由第1吸氣口吸引之空氣量與由第2吸引口吸引之空氣量，也會變得要變更雙方來微調整以成為目標之比例，恐有使作業者之作業變複雜之虞。
於是，藉由將安裝調整裝置之吸氣口設成第1吸氣口及第2吸氣口之至少其中一個，並將另一個設成吸氣量為固定，可以做到即使要調整吸氣量之比例也可使其計算或調整變得單純，而容易進行作業。
較理想的是，在比前述第1開口部更上方且比前述下降氣流形成部更下方處，形成有讓相對於前述保管庫被搬出、搬入之前述容器通過的第2開口部。
亦即，在半導體之處理設備中，有以天花板搬送車等的天花板附近之高處的搬送裝置來搬送容器的情況。在如此的情況下，藉由在比第1開口部更上方且比下降氣流形成部更下方處形成第2開口部，可以在天花板搬送車等之搬送高度附近將容器搬出、搬入於保管庫內外。
又，即使在第2開口部不設置門，也可以藉由調整收容空間內之下降氣流的速度，而在收容空間與外部空間之間防止收容空間之空氣透過第2開口部往外部空間流動。
10‧‧‧保管庫
10S‧‧‧收納空間
11‧‧‧側壁部
12‧‧‧上底部
13‧‧‧下底部
20‧‧‧堆高式起重機
21‧‧‧行走台車
22‧‧‧昇降桅桿
24‧‧‧昇降台
25‧‧‧移載裝置
30‧‧‧支撐部
31‧‧‧運動銷
50R‧‧‧吸氣箱
52‧‧‧固定隔板
90‧‧‧天花板搬送設備
90R‧‧‧行走軌道
90V‧‧‧天花板搬送車
91‧‧‧本體部
93‧‧‧行走部
C‧‧‧天花板
CV1‧‧‧第1輸送機
CV2‧‧‧第2輸送機
F1‧‧‧風扇單元(下降氣流形成部)
F2‧‧‧風扇單元(吸引裝置、第1吸引裝置、第2吸引裝置)
F21‧‧‧第1吸引裝置
F22‧‧‧第2吸引裝置
FL1、FL2‧‧‧虛線
G‧‧‧外部空間
H1‧‧‧排氣路
K1‧‧‧第1開口部
K2‧‧‧第2開口部
Q‧‧‧區隔壁
R1‧‧‧軌道
V1‧‧‧第1吸氣口
V2‧‧‧第2吸氣口
Y‧‧‧收容空間

Claims (7)

  1. 一種半導體容器保管設備，具備以下：保管庫，保管用以收容半導體基板之容器，其具有以下特徵，前述保管庫具備：區隔壁，具有沿著上下方向之側壁部；及收容空間，藉由前述區隔壁與外部空間作區隔；且該半導體容器保管設備將含有比前述外部空間的空氣中所含有的惰性氣體濃度更高的惰性氣體之惰性氣體濃化空氣供給至前述收容空間內，並於前述側壁部形成有讓相對於前述保管庫被搬出、搬入之前述容器通過的第1開口部，於前述外部空間中的與前述第1開口部的邊緣部相鄰之位置上配置有第1吸氣口，並設置有第1吸引裝置，該第1吸引裝置將通過前述第1吸氣口所吸引之空氣排出至在前述收容空間之外且與前述外部空間區分的排出空間。
  2. 如請求項1之半導體容器保管設備，其中，在前述收容空間中的比前述第1開口部更上方處設置下降氣流形成部，該下降氣流形成部使前述收容空間內之空氣向下方流動而在前述收容空間內形成下降氣流，並在前述側壁部中的比前述第1開口部更下方處形 成於前述收容空間內開口的第2吸氣口，且設置有將通過前述第2吸氣口所吸引之空氣排出至前述排出空間之第2吸引裝置。
  3. 如請求項2之半導體容器保管設備，其中，將前述第1吸引裝置與前述第2吸引裝置設定成使在前述收容空間內之與前述第1開口部相鄰的空間中所形成之下降氣流的流速變得比前述第1吸引裝置吸引之空氣的流速更快。
  4. 如請求項3之半導體容器保管設備，其中，前述第1吸引裝置與前述第2吸引裝置為共通之吸引裝置。
  5. 如請求項4之半導體容器保管設備，其中，在由前述第1吸氣口往前述第1吸引裝置之空氣的流路與由前述第2吸氣口往前述第2吸引裝置之空氣的流路的至少其中一個上設置有調整流路截面積的調整裝置。
  6. 如請求項5之半導體容器保管設備，其中，是將前述調整裝置相對於前述第1吸氣口及前述第2吸氣口之至少其中一個的吸氣口設置成裝卸自如。
  7. 如請求項1至6中任1項之半導體容器保管設備，其為在比前述第1開口部更上方且比前述下降氣流形成部更下方處形成有讓相對於前述保管庫被搬出、搬入之前述容器通過的第2開口部之請求項2至6中任1項的半導體容器保管設備。
TW105106718A 2015-03-26 2016-03-04 半導體容器保管設備 TWI683385B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-064737 2015-03-26
JP2015064737A JP6358143B2 (ja) 2015-03-26 2015-03-26 半導体容器保管設備

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201642374A true TW201642374A (zh) 2016-12-01
TWI683385B TWI683385B (zh) 2020-01-21

Family

ID=56976537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105106718A TWI683385B (zh) 2015-03-26 2016-03-04 半導體容器保管設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10242900B2 (zh)
JP (1) JP6358143B2 (zh)
KR (1) KR102424035B1 (zh)
TW (1) TWI683385B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110249419A (zh) * 2017-02-07 2019-09-17 村田机械株式会社 储存库

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6428953B2 (ja) * 2015-12-08 2018-11-28 村田機械株式会社 搬送システム及び搬送方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
JP7259684B2 (ja) * 2019-09-27 2023-04-18 株式会社ダイフク 物品搬送設備
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4666477A (en) * 1986-04-22 1987-05-19 Weber Technical Products, Division Of Craig Systems Corporation Adjustable damper for clean room systems
JPS63185704A (ja) * 1987-01-23 1988-08-01 Tokyo Electron Ltd 搬送用ハンドリング装置
US4986715A (en) * 1988-07-13 1991-01-22 Tokyo Electron Limited Stock unit for storing carriers
JP2533459Y2 (ja) * 1991-11-14 1997-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板表面処理室の基板搬入口／搬出口遮断装置
JPH10172873A (ja) 1996-12-12 1998-06-26 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JP2000016521A (ja) * 1998-07-02 2000-01-18 Murata Mach Ltd 自動倉庫
JP2001031213A (ja) * 1999-07-26 2001-02-06 Murata Mach Ltd 自動倉庫とそれを用いた搬送システム
JP2009126677A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 搬送装置
JP5524539B2 (ja) * 2009-08-26 2014-06-18 日本無機株式会社 クリーンストッカ
JP5700119B2 (ja) * 2011-05-25 2015-04-15 村田機械株式会社 ロードポート装置、搬送システム、及びコンテナ搬出方法
JP6198043B2 (ja) * 2013-06-06 2017-09-20 Tdk株式会社 ロードポートユニット及びｅｆｅｍシステム
JP5979089B2 (ja) * 2013-06-26 2016-08-24 株式会社ダイフク 保管設備
JP6052469B2 (ja) * 2014-04-28 2016-12-27 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110249419A (zh) * 2017-02-07 2019-09-17 村田机械株式会社 储存库
CN110249419B (zh) * 2017-02-07 2023-04-18 村田机械株式会社 储存库

Also Published As

Publication number Publication date
KR102424035B1 (ko) 2022-07-21
JP2016184691A (ja) 2016-10-20
JP6358143B2 (ja) 2018-07-18
KR20160115802A (ko) 2016-10-06
TWI683385B (zh) 2020-01-21
US20160279629A1 (en) 2016-09-29
US10242900B2 (en) 2019-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201642374A (zh) 半導體容器保管設備
KR101178787B1 (ko) 기판 수납 설비, 기판 처리 설비 및 기판 수납 설비의 작동방법
JP4756372B2 (ja) 基板処理方法
TWI681921B (zh) 物品搬送設備
KR100524359B1 (ko) 클린 룸용의 물품 보관 설비
KR20100057493A (ko) 클린룸용 자동창고와 자동창고에서의 물품 보관방법
JP5273479B2 (ja) 基板用収納容器、及び、それを搬送する搬送設備
TWI408090B (zh) 物品保管庫
JP2009007124A (ja) 物品保管庫及びクリーンルーム用の物品保管設備
KR101110541B1 (ko) 정화공기 통풍식의 물품보관설비
JP4780396B2 (ja) 物品保管庫及びクリーンルーム用の物品保管設備
JP4780401B2 (ja) クリーンルーム用の物品保管設備
TWI406804B (zh) Plate-type goods with a van
KR101184316B1 (ko) 물품 수납 설비
JP2010067700A (ja) 基板カセット搬送装置および基板カセット搬入出装置
JPH03192005A (ja) クリーンルーム内の荷保管設備
JP2009007125A (ja) 物品搬送車
KR101184320B1 (ko) 물품 수납 설비
TWI601918B (zh) 清淨氣體送風單元
JP4623381B2 (ja) 物品収納設備
CN105632986A (zh) 基板输送系统和采用该基板输送系统的热处理装置
JP4116928B2 (ja) 物品搬送車及び搬送システム