TW201108267A - Electronic component and method for producing the same - Google Patents

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201108267 六、發明說明： 於 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—箱φ J 禋電子零件及其製 種内设線圈之電子！拙^η 心电于零件及其製造方 【先刖技術】 造 方法，尤其是關 法 習知電子零件 型積層線圈零件。 線圈零件500的戴 ，例如已知有專利文獻1記載之開磁路 圖8係專利文獻1記載之開磁路型積層 面構造圓。 ::路型積層線圈零件5〇〇，如圖8所示，具備積層體 及線圈L。穑厚科，於奸 θ 02係藉由積層複數個磁性體層而構 描4圈L為螺紅狀，係藉由連接複數個線圈導體鄉而 成#者’開磁路型積層線圈零件则進—步具備非磁 '生體層504。非磁性體層5〇4係以橫越線圏L之方式設於積 上述開磁路型積層線圈零件巾，在複數個線圈導 體506周圍旋轉之磁通05〇〇通過非磁性體層5〇4。其結果， 可抑制在積層II 502内磁通過度集中而產生磁氣飽和。其 、’、。果’開磁路型積層線圈零# 5〇〇具有優異之直流重疊特 性。 然而，開磁路型積層線圈零件5〇〇中，除了在複數個 線圈導體506周圍旋轉之磁通05〇〇之外，亦存在有在各線 圈導體506周圍旋轉之磁通05〇2。此種磁通05〇2亦成為在 開磁路型積層線圈零件500產生磁氣飽和之原因。 專利文獻1 :日本特開2005 - 259774號公報 201108267 【發明内容】 因此’本發明之目的在於提供一種可抑制在各線圈導 體周圍方疋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之電子零件及其 製造方法。 本發明一形態之電子零件之製造方法，其具有：形成 積層體之步驟，該積層體内設有從積層方向俯視時複數個 線圈導體在彼此重疊之狀態下連接構成之螺旋狀線圈，且 係連續積層複數個第1單位層構成，該第丨單位層係由具 有第1之Νι含有率之第1絕緣體層’設於該第1絕緣體層 上之β玄線圈導體’及具有高於該第1之Ni含有率之第2之 Νι含有率 '設於該第i絕緣體層上之該線圈導體以外之部 分之第2絕緣體層構成；以及將該積層體燒成之步驟。 本發明一形態之電子零件，具備複數個單位層，該單 位層係由一片片狀之第丨絕緣體層、設於該第丨絕緣體層 上之線圈導體、及設於該第丨絕緣體層上之該線圈導體以 外之部分之第2絕緣體層構成，其特徵在於：藉由連續積 層該複數個單位層以連接複數個該線圈導體構成螺旋狀線 圈，在由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側 挾持之第1部分之Ni含有率低於在該第1絕緣體層之該第 1部分以外之第2部分之Ni含有率；在該第2部分之Ni含 有率低於在該第2絕緣體層之犯含有率。 根據本發明’可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導 致之磁氣飽和之產生。 【實施方式】 4 201108267 以下，說明本發明實施形態之電子零件及其製造方法 (電子零件之構成） 以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件。 ，1係實施形態之電子零件10a〜10d的立體圖。圖2係一 貫施形態之電子零件10a之積層體12a的分解立體圖。圖， 係圖1之A—A線之電子零件1〇a的截面構造圖。圖2所示 之積層體12a顯示燒成前之狀態。另一方面，圖3所示之電 子零件1〇a顯示燒成後之狀態。以下，將電子零件l〇a之積 層方向定義為z軸方向，將沿著電子零件iQa之長邊之方向 定義為X軸方向，將沿著電子零件1〇a之短邊之方向定義為 y軸方向。X軸、y軸、z軸彼此正交。 電子零件l〇a ’如圖！所示，具備積層體l2a及外部電 極14a’ 14b。積層體i 2a為長方體片大，内設有線圈l。外部 電極1 4a, 14b分別電氣連接於線圈L，設於彼此對向之積層 體：23之側面。本實施形態中’外部電極14a，14b係設成 覆蓋位於X軸方向兩端之二個側面。 曰 a，如圖2所示’係由絕緣體層15a〜15e, 16a §， a 19g、線圈導體！8a〜i8g及導通孔導體bl〜b6 構成。絕緣體層15a〜15e分別為長方形，係由Ni_Cu—& 系肥粒鐵構成之—片片狀之磁性體層。絕緣體層1 i 5c 係以此順序積層於較設有線圈導體心〜叫之區域更偏z 車方向$向側’構成外層。又，絕緣體層i5d，15e係 以此順序積層於較設有線圈導體18a〜18g之區域更偏z軸 方向之負方向側，構成外層。 201108267 絕緣體層19a〜19g，如圖2所示為長方形，為具有第i 之Ni之絕緣體層。本實施形態中，絕緣體層i9a〜19g，係 由不含Ni之Cu — Zn系肥粒鐵構成之非磁性體層。然而， 絕緣體層19a〜19g在燒成前雖為非磁性體層，但在燒成後 部分成為磁性體層。此點將於後述。 線圈導體18a〜18g’如圖2所示，係由Ag所構成之導 電性材料構成’具有3/4 E數之長度，與導通孔導體匕卜 構減m圈導體18a〜18g係分別設於絕緣體 層19a〜19g上。又，線圈導體18a之—端，在絕緣體層w 上係引…軸方向之負方向側之邊，構成引出導 『導體18a之-錢連接於01之外部體 18g之一端’在絕緣體層19g上 導 側之邊，構成引出導體。線圈導體18g之向之正方向 之外部電極，又，線圈導體18a〜i8g :係連接於圖1 時，彼此重疊形成一個長方形之環。 Z方向俯視 導通孔導體bl〜b6 ,如圖2所示 緣體層19a〜19f，連接在 亂 “ Z輪方向貫通絕 與線圈導體18b之一端。導 體之另一端 之另一端與線圈導體丨8e$ _ ® b2連接線圈導體18b 導…另-端與線Γ導一二導通孔導體連接線圈 連接線圏導體18d之另—端與線圈導通孔導體Μ 導體b5連接線圈導體l8e之 e之—端。導通孔 另端與線圏導體 201108267 如上述線圈導體I8g之一端為引出導 線圈導體18a〜18g及導通孔導體bl〜 18g之另一端（又， 體）。以上述方式， b6構成具有在z紅 a釉方向延伸之線圈軸之螺旋狀線圈1^。 絕緣體層1 6 a 層19a〜19g上续：g ’如® 2所示，係分別設於絕緣體 ^ ^ 1Q 1 、、圈導體18a〜18g以外之部分。因此，絕緣 體層19a〜I9g夕+ 1〇 <主面被絕緣體層16a〜16g及線圈導體18a 〜18g覆蓋。再去 、，邑緣體層i6a〜i6g及線圈導體18a〜18 之主面分別構成— 5 個平面’成為面高相同。又，絕緣體層 16a〜16g係具有古 .A 1 阿於第1之Νι含有率之第2之Ni含有率 之絕緣體層。亦gp i & 即’本實施形態中，絕緣體層l6a〜16係 由 Ni — Cu— i； t 糸肥粒鐵構成之磁性體層。 处’’邑緣體層19a〜19g之厚度薄於絕緣體層16a〜 16 g之厚度。_ 體而言，絕緣體層19a〜i9g之厚度為5#m 以上15 // m以下， 相對於此’絕緣體層16 a〜16 g之厚度為 25 // m。 以上述方式構成之絕緣體層16a〜16g，19a〜19g及線 圈導體1 8 a〜1 8 g分2丨| @ a ， g刀別構成單位層17a〜17g。此外，單位層 17a〜17g係以此順序連續積層於絕緣體層ι5&〜 μ。與絕緣 體層15d，15e之間。藉此，構成積層體12&。 將上述積層體12a燒成，形成外部電極14a，丨物，則電 子零件10a具有圖3所示之截面構造。具體而言，在積層體 Ua之燒成時，絕緣體層19a〜19g之一部分中之州含有率 同於第1之Νι含有率。亦即，絕緣體層1 9a〜丨9吕之一部分 從非磁性體層變化成磁性體層。 201108267 更詳細而言’如圖3所示’電子零件〖0a中，絕緣體層 19a〜19g包含第1部分20a〜20f及第2部分22a〜22g。第 1部分20a〜20f係在絕緣體層19a〜19f由線圈導體18a〜 1 8 g從z軸方向之兩側挾持之部分。具體而言，第 係在絕緣體層19a由線圈導體18a與線圈導體181?挾持之部 分。第1部分20b係在絕緣體層19b由線圈導體18b與線 圈導體18c挾持之部分。第1部分20c係在絕緣體層 由線圈導體1 8c與線圈導體1 8d挾持之部分。第i部分2〇d 係在絕緣體層19d由線圈導體18d與線圈導體186挾持之部 分。第1部分20e係在絕緣體層l9e由線圈導體丨以與線圈 導體18f挾持之部分。第i部分20f係在絕緣體層丨％由線 圈導體18f與線圈導體18g挾持之部分。又，第2部分22丑 〜22g係在絕緣體層19a〜19f上第i部分2〇a〜2〇f以外之 部分。然而，在絕緣體層19g不存在第1部分2〇g，僅存在 第2部分22g。其原因在於，絕緣體層19g較位於z轴方向 之最負方向側之線圈導體18g更位於z軸方向之負方向側。 在第1部分20a〜20f之Ni含有率低於在第2部分22a 〜22g之Ni含有率。本實施形態中，在第！部分2〇a〜2〇f 不含N!。因此，第i部分20a〜2〇f係非磁性體層。另—方 面，在第2部分22a〜22g含有Ni。因此，帛2部分22a〜 22g係磁性體層。又，在第2部分22a〜22g之Μ含有率低 於在絕緣體層16a〜16g之Ni含有率。 — (電子零件之製造方法） 以下，參照圖式說明電子零件1〇a的製造方法。又以 201108267 下說明㈣作成複數個電子零件1〇a時之電子零件的製 造方法。 首先，準備應成為圖2之絕緣體層19a〜i9g的陶瓷坯 片。具體而言，將以既定比例稱量後的氧化冑（Fe2〇3)、 氧化辞（ZnO) '及氧化銅（Cu〇)等各材料作為原材料投 入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎， 將得到的粉末在戰下預燒i小時。將得到的預燒粉末用 球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得到肥粒鐵陶瓷粉 末。 對該肥粒鐵陶瓷粉末添加結合劑（乙酸乙烯酯、水溶 丙稀馱等）、可塑劑、濕潤劑、分散劑，用球磨機進行 混合，之後藉由減壓進行脫泡。將得到的陶曼浆料使用到 刀法在載體片上形成為片材狀，並使其乾燥，製作出應成 為絕緣體層19a〜19g的陶資1述片。 接著，準備應成為圖2之絕緣體層15a〜i5e的陶瓷坯 片。具體而言，將以既定比例稱量後的氧化鐵（Fe2〇3)、 氧化鋅（Zn〇)、氧化錄（Nio)及氧化銅（Cu〇)等各材 料作為原材料投入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合 物乾燥後粉碎，將得到的粉末在8〇〇t下預燒】小時。將得 到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得 到肥粒鐵陶瓷粉末。 對a亥肥粒鐵陶瓷粉末添加結合劑（乙酸乙烯酯、水溶 性丙稀酸等）、可塑劑、濕潤劑、分散劑，用球磨機進行 混合，之後藉由減壓進行脫泡。將得到的陶究衆料使用刮 9 201108267 刀法在載體片上形成為片 為㈣栌思κ a月材狀並使其乾燥，製作出應成 為絕，，彖體層15a〜i5e的陶瓷坯片。 的陶Π!/備應成為圖2之絕緣體層…〜…的陶究層 = 將以既定比例稱量後的氧化鐵 :3、.氧化鋅（Zn〇)、氧化鎳（Ni〇)及氧化銅（⑽ ㈣為原材料投人球磨機，進行濕式調合。將得到 的I物乾燥後粉碎’將得到的粉末在8〇〇。〇下預燒】小 2將得㈣預燒粉末„磨機進行濕切碎後，乾燥後 私碎，得到肥粒鐵陶瓷粉末。 對該肥粒鐵陶究粉末添加結合劑（乙酸乙稀醋、水溶 人烯义等）可塑劑、.濕潤劑、分散劑，用球磨機進行 。之後藉由減壓進行脫泡，得到應成為絕緣體層16a 6g的陶瓷層的陶瓷漿料。 接著，士 圖 ，〇圖2所示，在應成為絕緣體層1 9a〜1 9f的陶 片分別形成導通孔s ^ ^ _ 絕緣體層…〜m的二 ，對應成為 的陶瓷坯片照射雷射光束形成導通孔。 下來’使用印刷塗布等方法在該導通孔填充Ag、pd、cu、 u或它們的合金等的導電性糊。 接著，如圖2所示，在應成為絕緣體層19a〜1 9g的陶 缘=上形成線圈導體Ua〜18g。具體而言，在應成為絕 緣體層19a〜 的陶瓷坯片上用網版印刷法或光微影法等 將’Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成 性糊，以形成線圈導體18a〜18g。此外， 圈導體1 8〜1 u取綠 a〜8g之步驟與對導通孔填充導電性糊之步驟， 201108267 在相同步驟進行亦可。 接*者’如圖2卢/f — » 7不，在應成為絕緣體層l9a〜19的陶 瓷枉片上之線圈導體 fI Μ 8a〜18g以外之部分形成應成為絕緣 體層16a〜16g的陶瓷坯片 L敬 亢坯片層。具體而言，用網版印刷法或 光食土影法等方法塗布陶这 陶免糊，形成應成為絕緣體層16a〜 16g的陶瓷坯片層。藉 „ y 稭甶以上步驟，形成應成為圖2所示之 早位層17a〜17g的陶究坯片層。 ^接著#圖2所不’依照應成為絕緣體層1 5a〜1 5c的 陶曼述片、應成为^ α ’’、早位層"a〜17g的陶瓷坯片層及應成為 絕緣體層1 5 d，15 e的（¾ $ u 的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接，以 得未燒成之母積層體。應成為絕緣體層⑸〜⑸的陶究 片應'成為早位層17a〜17g的陶Μ片層及應成為絕緣 ，15e的陶瓷坯片之積層、壓接，在逐一積層進行 預壓接後’藉由靜水壓加壓對未燒成之母積層體進行加壓 以進行正式壓接。 匕外在積層時’在z軸方向連續積層應成為單位層 戶八17g的陶瓷坯片層，藉此形成線圈L。藉此，如圖2 丁在未燒成之母積層體，線圈導體18a〜18g與絕緣體 層19a〜19g在z軸方向交互排列。 妾著 藉由切刀將母積層體切割成既定尺寸 (5mmX2.〇mmXl.〇mm)之積層體12a。藉此獲得未燒成之積 a對§亥未燒成之積層體12a進行脫結合劑處理及燒 之脫合劑處理，例如在低氧環境氣氛中以500°C 2小時 條件進订。燒成’例如以870°C〜90(TC 2.5小時之條件進 11 201108267 行0 在燒成時，產生Ni從絕緣體層15c，16a〜16g，15d至 絕緣體層19a〜19g之擴散。更詳細而言，如圖3所示’絕 緣體層19a〜I9g之第2部分22a〜22g與含有Ni之絕緣體 層15c，16a〜I6g，15d接觸，因此在第2部分22a〜22g’

Ni從絕緣體層15c, 16a〜16g，15d擴散而來。因此’第2 部分22a〜22g成為磁性體層。然而，在第2部分22a〜22g 之Ni含有率低於在絕緣體層15c, i6a〜 16g, 15d之第2之 Ni含有率。 另一方面，絕緣體層19a〜19f之第1部分20a〜20f與 絕緣體層15c，16a〜16g, 15d不接觸，因此在第1部分20a 〜20f ’ Ni不會從絕緣體層15c, i6a〜 16g，i5d擴散而來。 因此’第1部分2〇a〜20f仍為非磁性體層。此外，第1部 分20a〜20f原則上不含Ni，但有可能含有透過第2部分22a 〜22g擴散而來之Ni。因此，第1部分20a〜20f含有不帶 磁性程度之稀少量之Ni亦可。 藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12a。對積層體12a 施加筒式加工，進行去角。之後，在積層體12a的表面上， 例如使用浸潰法等方法塗布及燒接主要成分為銀的電極 糊’形成應成為外部電極14a，14b之銀電極。銀電極之垆 接在800°C下進行60分鐘。 疋 最後，在銀電 形成外部電極1 電子零件10a。 極的表面實施鍍鎳（Ni) /鍍錫（Sn), 14b。經過以上的步驟，完成圖}所示的 12 201108267 (效果） 電子零件10a及其製造方法中，如以下說明，可抑制在 各線圈導體18a〜…周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產 生。更詳細而言，電流流過電子零件1Ga之線圈^後，產 生圖3所示之在線圏導體18a〜18f整體周圍旋轉之且有相 對較長磁路之磁通0〗，且產生在各線圈導體丨心〜周圍 旋轉之具有相對較短磁路之磁通02(圖3中，僅記載在線圈 導體⑻周圍產生之磁通02)。此外，磁通Μ與磁通心目 问地，成為在電子零件10a產生磁氣飽和之原因。 因此，以上述製造方法製作之電子零件i〇a中， :層1…f’由線圈導體18a〜18§從2轴方向之兩側挾 :體18a〜l8f周圍旋轉之磁通02，通過非磁性體層之第1 :分20a〜20卜因此’可抑制磁通02之磁通密度過高在電 ^ IGa產生磁氣飽和。其結果，可提升電子零件心 之直流重疊特性。 本申請發明人為了使電子零件1〇a及其製造方法所達 製更明確，進行以下說明之電腦模擬。具體而言， W 〃電子零件1Ga相當之第丨模型，且製作以電子零件 件二絕緣體層19a〜19g為磁性體層之第2模型。模擬條 線圈L之匝數：8·5匝數 電子零件之尺寸：2.5mmx2.0mmxl.0mm 絕緣體層19a〜19g之厚度：1〇"m 13 201108267 圖4係顯示模擬結果的圖表。縱軸表示電感值，橫軸 表示電流值。根據圖4,即使第】模型之電流值大於第2模 型，電感值之減少亦緩慢。亦即，可知第丨模型具有優於 第2模型之直流重疊特性。此意味著第2模型較第丨模型 易於產生在各線圈電極旋轉之磁通導致之磁氣飽和。根據 上述可知電子零件丨〇a及其製造方法可抑制在各線圈導體 18a〜18f周圍旋轉之磁通02導致之磁氣飽和之產生。 又電子零件1 〇a及其製造方法中，非磁性體層僅為由 線圈電極18a〜i8f挾持之第丨部分2〇a〜2〇f。因此，在線 圈電極18a〜18f旋轉之磁通0丨不會通過非磁性體層。因 此，電子零件1〇3中，可獲得大的電感值。 再者，電子零件l〇a及其製造方法中，可高精度形成非 磁性體層之第i部分2〇a〜2〇f。更詳細而言，在一般電子 零件中作為在由線圈導體挾持之部分形成非磁性體層之 方法，例如可考慮在由線圈導體挾持之部分印刷非磁性體 之糊。 然而，印刷非磁性體之糊之方法之情形，由於印刷偏 移或積層偏移，會有非磁性體層從由線圈導體挾持之部分

Jt 屡。如上述，若非磁性體層從由線圈導體挾持之部 刀露出，則會有妨礙在線圈導體整體旋轉之具有較長磁路 吳°亦即’所欲磁通以外之磁通亦通過非磁性體 層0 另方面’上述電子零件i〇a及其製造方法中，製作積 體1 2a後’在燒成時形成非磁性體層之第1部分20a〜 201108267 20f。因此，不會因印刷偏移或積層偏移，第】部分2〇a〜 20f從由線圈導體i8a〜i8f挾持之部分露出。其結果，電子 零件10a及其製造方法中，可高精度形成非磁性體層之第！ 部分20a〜20f。其結果，可抑制所欲磁通02以外之磁通01 通過非磁性體層。 又’電子零件10a中’單位層l7a〜17g以此順序連續 積層於絕緣體層15a〜15c與絕緣體層15d，15e之間。藉此， 非磁性體層僅設於由線圈導體18a〜18g挾持之第i部分 20a〜20f。此外，不存在橫越線圈[之非磁性體層。 又，電子零件1 〇a及其製造方法中，較佳為絕緣體層 19a 19g之厚度為5 μ m以上15 "爪以下。絕緣體層心 1 9g之厚度小於5 # m # ’不易製作應成為絕緣體層】％ 19g之陶究述片。另一方面絕緣體層^〜19g之厚度 大於15 " m時’ Nl不會充分擴散不易使第2部分〜 22g成為磁性體層。 此*，f子零件l0a巾，不存在橫越線圈L之非磁性 體層°、然而’電子零件W中，在第i部分2Ga〜2()f以外 之部分存在非磁性體層亦可。藉此，可調整電子零件之 抓重疊特性’或調整電感值。以下’針對在第1部分20a 〜20f以外之部分設置非磁性體層之變形例之電 行說明。 令1干進 (第1變形例） 以下， 製造方法。 參照圖式說明第i 圖5係第1變形例 變形例之電子零件l〇b及其 之電子零件10b的截面構造 15 201108267 圖圖巾A 了避免圖式複雜 構成之參照符號。 電子零件〗Ga與電子零件1Gb之不㈣在於電子零件 1 Ob中使用非磁性體居夕 體層之、.色緣體層24d替代磁性體層之絕緣 體層16d。藉此，非綠料牌疏 P生體層之絕緣體層24d橫越線圈L » 其結果，電子零件l〇b φ , -Γ 可抑制磁通0 1導致之磁氣飽和 之產生。 此外，作為電子零件咖之製造方法在應成為絕緣 體層19d之陶免坯片形成導通孔導體μ。導通孔導體"之 形成方法已進行說明，因此省略。 接著，在應成為絕緣體層19d之陶究这片上形成線圈 導體⑻。線圈導體刚之形成方法已進行說明，因此省略。 接者，在應成為絕緣體層19d的 體―外之部分形成應成為絕緣體層⑷的二導 層。具體而言’用網版印刷法或光微影法等方法塗布非磁 性之m，形成應成為絕緣體層24d的陶㈣片層。藉 由以上步驟，形成應成為單位層26d的陶瓷坯片層。 接著，依照應成為絕緣體層15a〜15c的陶^片、應 成為單位層17a〜17c，26d，17e〜17g的陶竟迷片 ： 為絕緣體層15d，15e的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接，. 以獲得未燒成之母積層體。電子零件1〇 、瑕造方法中盆 他步驟與電子零件l〇a之製造方法中其 八 略說明。 ，驟相同，因此省 (第2變形例） 16 201108267 以下，參照圖式苟日^，穿1代 °月第2變形例之電子零件1 0c及其製 造方法。圖6係第2變形 、 〜例之電子零件1 0c的截面構造圖。 圖ό中，為了避免圖式複 、艰雜癌略一部分與圖3相同構成 之參照符號。 電子零件l〇a與雷子f姓_ 1Λ 电于零件10c之不同點在於，電子零件 1〇ς中使用非磁性體層 &緣體層28b，2 8f及磁性體層之絕 緣體層 30b，30f 替 管代磁性體層之絕緣體層16b，16f。亦即， 電子零件10c中’在線圈L之外側执番 < yM則叹置非磁性體層之絕緣 體層28b，28f。藉此，磁通01通過非磁性體層之絕緣體層 30b，30f，電子零# 1〇c中’可抑制磁通0i ^致之磁氣飽和 之產生。 此外’作為電子零件10c之製造方法，在應成為絕緣體 層19b，19f之陶瓷坯片形成導通孔導體b2, b6。導通孔導體 b2, b6之形成方法已進行說明，因此省略。 接著，在應成為絕緣體層19b，19f之陶竞链片上形成線 圈導體18b，18f。線圈導體18b，18f之形成方法已進行說 明’因此省略。 接著’在應成為絕緣體層1 9b的陶竞场片上之線圈導 體1 8b以外之部分形成應成為絕緣體層28b，3〇b的陶曼域 片層。又’在應成為絕緣體層19f的陶瓷坯片上之線圈導體 1 8f以外之部分形成應成為絕緣體層28f，3〇f的陶充述片 層。具體而言，在較應成為絕緣體層19b，19f之陶究培片上 之線圈導體18b，18f外側之部分形成絕緣體層28b，28f，在 較應成為絕緣體層19b, 19f之陶瓷坯片上之線圈導體 17 201108267 18f内側之部分形成絕緣體層3〇b，3〇f。應成為絕緣體層 28f之陶瓷坯片層係由非磁性之陶瓷糊（亦即，不含…之陶 瓷糊）構成’應成為絕緣體層3〇b，3〇f之陶瓷 ^ 係由磁 性之陶瓷糊（亦即，含有Ni之陶瓷糊）構成。接著，用網版 印刷法或光微影法等方法塗布磁性及非磁性之陶瓷糊形 成應成為絕緣體層28b，28f，30b，30f的陶瓷坯片層。藉由 以上步驟，形成應成為單位層32b，32f的陶瓷坯片層。 接著依照應成為絕緣體層1 5 a〜1 5 c的陶究趣片、腐 成為單位層 17a，32b，17e〜17e，32f，17g_UW^ 成為絕緣體層15d，15e的陶莞链片之順序並排積層、壓接， 以獲得未燒成之母積層體。電子零件l〇c之製造方法中其他 步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同，因此省略 說明。 (第3變形例） 以下’參照圖式說明第3變形例之電子零件咖及其 =造方法。圖7係第3變形例之電子零件i〇d的截面構造 囫。圖7中，為了避务他 免圓式複雜，省略一部分與圖3相同 構成之參照符號。 電子零件l〇a與雷不 冤子零件之第1不同點在於，電子 +件10d中使用磁性體眉 姐增之絕緣體層34b及非磁性體層之 、、邑緣體層36b替代磁性辦麻 旁n磁〖生體層之絕緣體層16b。又，電子零件 a與電子零件l〇d之第 弟2不同點在於，電子零件1 〇d中使

用非磁性體層之絕緣體B .. 層2以及磁性體層之絕緣體層30f替 代磁性體層之絕緣體層 18 201108267 電子零件10d巾’在線圈L之内側設置非磁性體層之 絕緣體層36b，在線圈L之外側設置非磁性體層之絕緣體層 28f。藉此，磁通01通過非磁性體層之絕緣體層Μ、μ卜 電子零件HM巾，可#制磁4 01㈣之磁氣飽和之產生。 此外，作為電子零件10d之製造方法，在應成為絕緣 體層19b，19f之陶瓷坯片形成導通孔導體b2, b6。導通孔導 體b2, b6之形成方法已進行說明，因此省略。 19f之陶瓷坯片上形成線 18f之形成方法已進行說 接著，在應成為絕緣體層丨9b， 圈導體18b，18f。線圈導體18b， 明，因此省略。 接著，在應成為絕緣體層19b的陶瓷坯片上之線圈導 體1 8b以外之部分形成應成為絕緣體層34b，36b的陶瓷坯 片層。又，在應成為絕緣體層19f的陶瓷坯片上之線圈導體 1 8f以外之部分形成應成為絕緣體層28f，3〇f的陶瓷坯片 層。具體而言，在較應成為絕緣體層19b之陶瓷坯片上之 線圈導體丨8b外側之部分形成絕緣體層34b，在較應成為絕 緣體層19b之陶瓷坯片上之線圈導體18b内側之部分形成 絕緣體層36b。又，在較應成為絕緣體層i 9f之陶瓷坯片上 之線圈導體18f外側之部分形成絕緣體層28f，在較應成為 絕緣體層19f之陶瓷坯片上之線圈導體i 8f内側之部分形成 絕緣體層30f。應成為絕緣體層28f，36b之陶瓷坯片層係由 非磁性之陶瓷糊（亦即，不含Ni之陶瓷糊）構成，應成為絕 緣體層30f，34b之陶瓷坯片層係由磁性之陶瓷糊（亦即，八 有Ni之陶瓷糊）構成。接著，用網版印刷法或光微影法等方 19 201108267 法塗布磁性及非磁性之始$ f之陶瓷糊，形成應成為絕緣體層28f， 30f，34b，36b的陶瓷坯g思姑匕 u ’ 尤坯片層。藉由以上步驟，形成應成為單 位層38b，32f的陶瓷坯片層。 接著，依照應成為絕緣體層15a〜15c的陶兗这片、應 成為單位層17a，38b丨7r〜〜 ， 17e，32〔 17g的陶瓷坯片層及應 成為絕緣體層15d，15e的陶究兹片之順序並排積層、屢接： 以獲得未燒成之母積層體。電子零件旧之製造方法中其 他步驟與電子零件！ Ga之製造方法中其他步驟相同因 略說明^ 此外’電子零件l〇a〜1()d雖藉由逐次壓接工法製作， 但例如藉由印刷工法製作亦可。 =發明有用於電子零件及其製造方法，尤其是在可抑 點優異線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之 【圖式簡單說明】 圖1係實施形態之電子零件的立體圖。 :糸-實施形態之電子零件之積層體的分解立體圖。 圖係圖kA—A線之電子零件的截面構造圖。 圖4係顯示模擬結果的圖表。 圖5係第i變形例之電子零件的截面構造圖。 圖6係第2變形例之電子零件的截面構造圖。 圖7係第3變形例之電子零件的戴面構造圖。 面構1圖8係專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件的截 20 201108267 【主要元件符號說明】 L 線圈 b 1 〜b6 導通孔導體 1 0a 〜1Od 電子零件 12a〜12d 積層體 14a, 14b 外部電極 15a〜15e, 16a〜16g，19a〜19g，24d，28b，28f，30b，30f， 34b, 36b 絕緣體層 17a〜17g, 26d，3 2b, 3 2f，3 8b 單位層 18a〜18g 線圈導體 20a〜20f 第1部分 22a〜22g 第2部分 21

Claims (1)

1. 201108267 七、申請專利範圍： 1.一種電子零件之製造方法，其具有： 形成積層體之步驟，該積層體内設有從積層方向俯視 時複數個線圈導體在彼此重疊之狀態下連接構成之螺旋狀 線圈’且係連續積層複數個帛i單位層構成，該第i單位 層係由具有第1之Ni合右虚夕货，μ 3有羊之第1絕緣體層，設於該第t 絕緣體層上之該線圈導體，及具有高於該第…丨含有率 之第2之Nl含有率、設於該第1絕緣體層上之該線圈導體 以外之部分之第2絕緣體層構成；以及 將該積層體燒成之步驟。 2.如申請專利_ 1項之電子零件之製造方法，其 中，該形成積層體之步驟，作為形成該第！單位層之步驟， 包含· 準備片狀之該第1絕緣體層之步驟； 在該第1絕緣體層上形成該線圈導體之步驟；以及 在該第1絕緣體層上形成該第2絕緣體層之步驟。 3_如申請專利範圍第2項之電 中 該形成積層體之步驟進—步包含=製造方法，其 積層該第1單位層以形成該線圈之步驟\積層方向連續 4.如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方… 中，該形成積層體之步驟，作為形成第 八 進-步包含： I位層之步驟’ 準備片狀之該第1絕緣體層之步驟； 在該第1絕緣體層上形成該線圏導 歧爻步驟；以及 22 201108267 在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分形成具 有該第1之Νι含有率之第3絕緣體層之步驟； 泫形成積層體之步驟進一步包含積層該第丨單位層及 該第2單位層之步驟。 5.如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方法其 中，該形成積層體之步驟，作為形成第3單位層之步驟， 進一步包含： 準備片狀之該第1絕緣體層之步驟； 在5玄第1絕緣體層上形成該線圈導體之步驟；以及 在相同之°亥第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分 形成具有該第1之1^含有率之第4絕緣體層及具有該第2 之Ni含有率之第5絕緣體層之步驟； 該形成積層體之先· 趙之步驟進—步包含積層該帛1單位層及 該第3單位層之步驟。 6·如中請專利範圍第1至5項中任-項之電子零件之製 造方法，其中，該第〗解& 層之厚度。 、&緣體層之厚度薄於該第2絕緣體 7 ·如申請專利範圊笛 』乾固第6項之電子零件之製造方法， 中’該1絕緣體層之厚度為5/zm以上15心以下。、 8.如申請專利範圍第 造方法，其中，該第1絕_\5項中任—項之電子零件之製 9·如申請專利範圍第中含有％之非磁性體層。 造方法，其中，在將該一項之電子零件之製 絕緣體層之該線圈導體從積：燒成之步驟之後，在由該第1 導體從積層方向之兩側挾持之第！部分 23 201108267 部分以外之第 之Nl含有率低於在該第〗絕緣體層之該第 2部分之Ni含有率。 1 υ. -片片狀之第ΓΓ’，具襟複數個單位層，該單位層係由 .邑緣體層、設於該第〗 導體 '及設於該第！絕緣體層上之該線圈：層上之線圈 之第2絕緣體層構成，其特徵在於： 卩外之部分 藉由連續積層該複數個單位層 體構成螺旋狀線圈； ㈣魏個錢圈導 在由絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側 、之第1部分之Nl含有率低於在該第1絕緣體層之該第 1部分以外之第2部分之州含有率； 層… 在該第2 刀之Nl含有率低於在該第2絕緣體層之Μ 含有率。 八、圖式： (如次頁） 24