CN102804292A - 电子元器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种可抑制围绕在各线圈导体周围的磁通导致产生磁饱和的电子元器件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的绝缘体层(19)。在绝缘体层(19)上形成线圈导体(18)。在绝缘体层(19)上除线圈导体(18)以外的部分上形成具有高于第1Ni含有率的第2Ni含有率的绝缘体层(16)。绝缘体层(16、19)及线圈导体(18)构成单位层(17)。层叠单位层(17)及绝缘体层(15)以获得层叠体(12)。之后，将层叠体(12)进行烧成。在将层叠体(12)进行烧成的工序之后，被绝缘体层(19)中的线圈导体(18)从z轴方向的两侧夹住的第1部分中的Ni含有率低于绝缘体层(19)中除第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子元器件及其制造方法，尤其涉及一种内设线圈的电子元器件及其制造方法。
背景技术
作为现有的电子元器件，例如已知有专利文献1所记载的开磁路型层叠线圈元器件。图8是专利文献1所记载的开磁路型层叠线圈元器件500的截面结构图。
如图8所示，开磁路型层叠线圈元器件500具备层叠体502及线圈L。层叠体502由多个磁性体层经层叠而构成。线圈L呈螺旋状，由多个线圈导体506经连接而构成。再者，开磁路型层叠线圈元器件500还具备非磁性体层504。非磁性体层504以横穿线圈L的方式设于层叠体502。
上述开磁路型层叠线圈元器件500中，围绕在多个线圈导体506周围的磁通φ500通过非磁性体层504。其结果是，可抑制在层叠体502内磁通过度集中而发生磁饱和。其结果是，开磁路型层叠线圈元器件500具有优异的直流叠加特性。
然而，开磁路型层叠线圈元器件500中，除了围绕在多个线圈导体506周围的磁通φ500之外，也存在有围绕在各线圈导体506周围的磁通φ502。这种磁通φ502也会成为在开磁路型层叠线圈元器件500中发生磁饱和的原因。
专利文献1：日本专利特开2005-259774号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种可抑制围绕在各线圈导体周围的磁通导致产生磁饱和的电子元器件及其制造方法。
本发明一个方式所涉及的电子元器件的制造方法的特征在于，包括：形成层叠体的工序，所述层叠体内设有将多个线圈导体在从层叠方向俯视时彼此重合的状态下进行连接而构成的螺旋状线圈，由多个第1单位层经连续层叠而构成，所述第1单位层包括具有第1Ni含有率的第1绝缘体层、设于该第1绝缘体层上的所述线圈导体、以及第2绝缘体层，所述第2绝缘体层具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率，设于该第1绝缘体层上除该线圈导体以外的部分上；以及将所述层叠体进行烧成的工序。
本发明一个方式所涉及的电子元器件具备多个单位层，所述单位层包括一片片状的第1绝缘体层、设于所述第1绝缘体层上的线圈导体、及设于该第1绝缘体层上除该线圈导体以外的部分上的第2绝缘体层，其特征在于：连续层叠所述多个单位层，从而多个所述线圈导体相互连接而构成螺旋状线圈，被所述第1绝缘体层上的所述线圈导体从层叠方向的两侧夹住的第1部分中的Ni含有率低于该第1绝缘体层上除该第1部分以外的第2部分中的Ni含有率，所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。
根据本发明，可抑制围绕在各线圈导体周围的磁通导致产生磁饱和。
附图说明
图1是实施方式所涉及的电子元器件的立体图。
图2是一个实施方式所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。
图3是图1的A-A线处的电子元器件的截面结构图。
图4是显示仿真结果的图表。
图5是第1变形例所涉及的电子元器件的截面结构图。
图6是第2变形例所涉及的电子元器件的截面结构图。
图7是第3变形例所涉及的电子元器件的截面结构图。
图8是专利文献1所记载的开磁路型层叠线圈元器件的截面结构图。
具体实施方式
以下，说明本发明实施方式所涉及的电子元器件及其制造方法。
(电子元器件的结构)
以下，参照附图说明本发明一个实施方式所涉及的电子元器件。图1是实施方式所涉及的电子元器件10a～10d的立体图。图2是一个实施方式所涉及的电子元器件10a的层叠体12a的分解立体图。图3是图1的A-A线处的电子元器件10a的截面结构图。图2所示的层叠体12a显示烧成前的状态。另一方面，图3所示的电子元器件10a显示烧成后的状态。以下，将电子元器件10a的层叠方向定义为z轴方向，将沿电子元器件10a的长边的方向定义为x轴方向，将沿电子元器件10a的短边的方向定义为y轴方向。x轴、y轴、z轴彼此正交。
如图1所示，电子元器件10a具备层叠体12a及外部电极14a、14b。层叠体12a呈长方体状，内设有线圈L。外部电极14a、14b分别与线圈L进行电连接，设于彼此相对的层叠体12a的侧面。本实施方式中，将外部电极14a、14b设成覆盖位于x轴方向两端的两个侧面。
如图2所示，层叠体12a由绝缘体层15a～15e、16a～16g、19a～19g、线圈导体18a～18g及通孔导体b1～b6构成。绝缘体层15a～15e分别呈长方形，是由Ni-Cu-Zn类铁氧体所构成的一片片状的磁性体层。绝缘体层15a～15c依次层叠于较设有线圈导体18a～18g的区域更偏z轴方向的正方向一侧，从而构成外层。另外，绝缘体层15d、15e依次层叠于较设有线圈导体18a～18g的区域更偏z轴方向的负方向一侧，从而构成外层。
如图2所示，绝缘体层19a～19g呈长方形，为具有第1Ni的绝缘体层。本实施方式中，绝缘体层19a～19g，是由不含Ni的Cu-Zn类铁氧体所构成的非磁性体层。然而，绝缘体层19a～19g在烧成前虽为非磁性体层，但在烧成后部分成为磁性体层。对此点将在后面进行描述。
如图2所示，线圈导体18a～18g由Ag所构成的导电性材料构成，具有3/4匝的长度，与通孔导体b1～b6一起构成线圈L。线圈导体18a～18g分别设于绝缘体层19a～19g上。另外，线圈导体18a的一端在绝缘体层19a上被引出至x轴方向的负方向侧的边缘，从而构成引出导体。线圈导体18a的一端与图1的外部电极14a相连接。线圈导体18g的一端在绝缘体层19g上被引出至x轴方向的正方向侧的边缘，从而构成引出导体。线圈导体18g的一端与图1的外部电极14b相连接。另外，从z轴方向俯视时，线圈导体18a～18g彼此重合而形成一个长方形的环。
如图2所示，通孔导体b1～b6沿z轴方向贯穿绝缘体层19a～19f，连接在z轴方向上相邻的线圈导体18a～18g。具体而言，通孔导体b1连接线圈导体18a的另一端与线圈导体18b的一端。通孔导体b2连接线圈导体18b的另一端与线圈导体18c的一端。通孔导体b3连接线圈导体18c的另一端与线圈导体18d的一端。通孔导体b4连接线圈导体18d的另一端与线圈导体18e的一端。通孔导体b5连接线圈导体18e的另一端与线圈导体18f的一端。通孔导体b6连接线圈导体18f的另一端与线圈导体18g的另一端(另外，上述线圈导体18g的一端为引出导体)。以上述方式，线圈导体18a～18g及通孔导体b1～b6构成具有沿z轴方向延伸的线圈轴的螺旋状线圈L。
如图2所示，绝缘体层16a～16g分别设于绝缘体层19a～19g上除线圈导体18a～18g以外的部分。因此，绝缘体层19a～19g的主面被绝缘体层16a～16g及线圈导体18a～18g所遮盖。再者，绝缘体层16a～16g及线圈导体18a～18g的主面分别构成一个平面，成为面高相同。另外，绝缘体层16a～16g是具有高于第1Ni含有率的第2Ni含有率的绝缘体层。即，本实施方式中，绝缘体层16a～16g是由Ni-Cu-Zn类铁氧体所构成的磁性体层。
这里，绝缘体层19a～19g的厚度薄于绝缘体层16a～16g的厚度。具体而言，绝缘体层19a～19g的厚度为5μm以上15μm以下，相对于此，绝缘体层16a～16g的厚度为25μm。
以上述方式构成的绝缘体层16a～16g、19a～19g及线圈导体18a～18g分别构成单位层17a～17g。此外，单位层17a～17g依次连续层叠于绝缘体层15a～15c与绝缘体层15d、15e之间。由此，构成层叠体12a。
若将上述层叠体12a进行烧成，形成外部电极14a、14b，则电子元器件10a具有图3所示的截面结构。具体而言，在将层叠体12a进行烧成时，绝缘体层19a～19g的一部分中的Ni含有率高于第1Ni含有率。即，绝缘体层19a～19g的一部分从非磁性体层变化成磁性体层。
更详细而言，如图3所示，电子元器件10a中，绝缘体层19a～19g包含第1部分20a～20f及第2部分22a～22g。第1部分20a～20f是在绝缘体层19a～19f中被线圈导体18a～18g从z轴方向的两侧夹住的部分。具体而言，第1部分20a是在绝缘体层19a中被线圈导体18a与线圈导体18b夹住的部分。第1部分20b是在绝缘体层19b中被线圈导体18b与线圈导体18c夹住的部分。第1部分20c是在绝缘体层19c中被线圈导体18c与线圈导体18d夹住的部分。第1部分20d是在绝缘体层19d中被线圈导体18d与线圈导体18e夹住的部分。第1部分20e是在绝缘体层19e中被线圈导体18e与线圈导体18f夹住的部分。第1部分20f是在绝缘体层19f中被线圈导体18f与线圈导体18g夹住的部分。另外，第2部分22a～22g是在绝缘体层19a～19f中除第1部分20a～20f以外的部分。然而，在绝缘体层19g中不存在第1部分20g，仅存在第2部分22g。其原因在于，绝缘体层19g位于比位于z轴方向的最负方向侧的线圈导体18g更靠近z轴方向的负方向的一侧。
第1部分20a～20f中的Ni含有率低于第2部分22a～22g中的Ni含有率。本实施方式中，在第1部分20a～20f中不含Ni。因此，第1部分20a～20f是非磁性体层。另一方面，在第2部分22a～22g中含有Ni。因此，第2部分22a～22g是磁性体层。另外，第2部分22a～22g中的Ni含有率低于绝缘体层16a～16g中的Ni含有率。
(电子元器件的制造方法)
以下，参照附图说明电子元器件10a的制造方法。另外，以下，对同时制成多个电子元器件10a时的电子元器件10a的制造方法进行说明。
首先，准备要成为图2的绝缘体层19a～19g的陶瓷生片。具体而言，将以规定比例称量后的氧化铁(Fe2O3)、氧化锌(ZnO)、及氧化铜(CuO)等各材料作为原材料投入球磨机，进行湿法搅拌。将得到的混合物进行干燥后进行粉碎，将得到的粉末在800℃下预烧制1小时。将得到的预烧制粉末用球磨机进行湿法粉碎后进行干燥，然后进行粉碎，从而得到铁氧体陶瓷粉末。
对该铁氧体陶瓷粉末添加粘合剂(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、增塑剂、润湿剂、分散剂，用球磨机进行混合，之后，通过减压来进行脱泡。将得到的陶瓷浆料使用刮刀法在载体片材上形成为片材状，并使其干燥，以制作出要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片。
接着，准备要成为图2的绝缘体层15a～15e的陶瓷生片。具体而言，将以规定比例称量后的氧化铁(Fe2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镍(NiO)及氧化铜(CuO)等各材料作为原材料投入球磨机，进行湿法搅拌。将得到的混合物进行干燥后进行粉碎，将得到的粉末在800℃下预烧制1小时。将得到的预烧制粉末用球磨机进行湿法粉碎后进行干燥，然后进行粉碎，从而得到铁氧体陶瓷粉末。
对该铁氧体陶瓷粉末添加粘合剂(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、增塑剂、润湿剂、分散剂，用球磨机进行混合，之后，通过减压来进行脱泡。将得到的陶瓷浆料使用刮刀法在载体片材上形成为片材状，并使其干燥，以制作出要成为绝缘体层15a～15e的陶瓷生片。
接着，准备要成为图2的绝缘体层16a～16g的陶瓷层的陶瓷浆料。具体而言，将以规定比例称量后的氧化铁(Fe2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镍(NiO)及氧化铜(CuO)等各材料作为原材料投入球磨机，进行湿法搅拌。将得到的混合物进行干燥后进行粉碎，将得到的粉末在800℃下预烧制1小时。将得到的预烧制粉末用球磨机进行湿法粉碎后进行干燥，然后进行粉碎，从而得到铁氧体陶瓷粉末。
对该铁氧体陶瓷粉末添加粘合剂(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、增塑剂、润湿剂、分散剂，用球磨机进行混合，之后，通过减压来进行脱泡，从而得到要成为绝缘体层16a～16g的陶瓷层的陶瓷浆料。
接着，如图2所示，在要成为绝缘体层19a～19f的陶瓷生片上分别形成通孔导体b1～b6。具体而言，对要成为绝缘体层19a～19f的陶瓷生片照射激光束形成通孔。接下来，使用印刷涂布等方法对该通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等的导电性糊料。
接着，如图2所示，在要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片上形成线圈导体18a～18g。具体而言，在要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片上用丝网印刷法或光刻法等方法涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等作为主要成分的导电性糊料，从而形成线圈导体18a～18g。此外，也可以在相同工序中进行形成线圈导体18a～18g的工序、以及对通孔填充导电性糊料的工序。
接着，如图2所示，在要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片上除线圈导体18a～18g以外的部分上形成要成为绝缘体层16a～16g的陶瓷生片层。具体而言，用丝网印刷法或光刻法等方法涂布陶瓷糊料，从而形成要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片层。利用以上工序，形成要成为图2所示的单位层17a～17g的陶瓷生片层。
接着，如图2所示，将要成为绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、要成为单位层17a～17g的陶瓷生片层及要成为绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按所述顺序并排进行层叠、压接，以获得未烧成的母层叠体。在对要成为绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、要成为单位层17a～17g的陶瓷生片层及要成为绝缘体层15d、15e的陶瓷生片进行层叠、压接时，在逐一将它们进行层叠并进行预压接后，利用静水压冲压对未烧成的母层叠体进行加压以进行正式压接。
此外，在进行层叠时，沿z轴方向连续层叠要成为单位层17a～17g的陶瓷生片层，从而形成线圈L。由此，如图2所示，在未烧成的母层叠体中，线圈导体18a～18g与绝缘体层19a～19g沿z轴方向交替排列。
接着，利用刀刃将母层叠体切割成规定尺寸(2.5mm×2.0mm×1.0mm)的层叠体12a。由此，获得未烧成的层叠体12a。对该未烧成的层叠体12a进行脱粘合剂处理及烧成。例如在低氧环境中以500℃、2小时的条件进行脱粘合剂处理。例如以870℃～900℃、2.5小时的条件进行烧成。
在进行烧成时，Ni从绝缘体层15c、16a～16g、15d向绝缘体层19a～19g发生扩散。更详细而言，如图3所示，由于绝缘体层19a～19g的第2部分22a～22g与含有Ni的绝缘体层15c、16a～16g、15d接触，因此，Ni会从绝缘体层15c、16a～16g、15d扩散至第2部分22a～22g。因此，第2部分22a～22g成为磁性体层。然而，第2部分22a～22g中的Ni含有率低于绝缘体层15c、16a～16g、15d中的第2Ni含有率。
另一方面，绝缘体层19a～19f的第1部分20a～20f与绝缘体层15c、16a～16g、15d不接触，因此，Ni不会从绝缘体层15c、16a～16g、15d扩散至第1部分20a～20f。因此，第1部分20a～20f仍为非磁性体层。此外，第1部分20a～20f原则上不含Ni，但有可能含有透过第2部分22a～22g扩散而来的Ni。因此，第1部分20a～20f也可以含有不带磁性程度的、少量的Ni。
利用以上工序，能获得烧成后的层叠体12a。对层叠体12a施加滚光筒加工，并进行倒角。之后，例如使用浸渍法等方法在层叠体12a的表面上涂布主要成分为银的电极糊料并进行煅烧，从而形成要成为外部电极14a、14b的银电极。在800℃下对银电极进行1小时煅烧。
最后，在银电极的表面实施镀镍(Ni)/镀锡(Sn)，从而形成外部电极14a、14b。经过以上的工序，完成图1所示的电子元器件10a。
(效果)
电子元器件10a及其制造方法中，如以下说明，可抑制围绕在各线圈导体18a～18f周围的磁通导致产生磁饱和。更详细而言，若电流流过电子元器件10a的线圈L，则会产生如图3所示的围绕在整个线圈导体18a～18f周围的、具有相对较长磁路的磁通φ1，并产生围绕在各线圈导体18a～18f周围的、具有相对较短磁路的磁通φ2(图3中，仅记载线圈导体18d周围所产生的磁通φ2)。此外，磁通φ2与磁通φ1相同，将成为在电子元器件10a中发生磁饱和的原因。
因此，以上述制造方法制作的电子元器件10a中，在绝缘体层19a～19f中，被线圈导体18a～18g从z轴方向的两侧夹住的第1部分20a～20f成为非磁性体层。因此，围绕在各线圈导体18a～18f周围的磁通φ2通过作为非磁性体层的第1部分20a～20f。因此，可抑制磁通φ2的磁通密度变得过高而在电子元器件10a中发生磁饱和。其结果是，可提升电子元器件10a的直流叠加特性。
本申请发明人为了使电子元器件10a及其制造方法所达成的效果更明确，进行了以下说明的计算机仿真。具体而言，制作与电子元器件10a相当的第1模型，并制作以电子元器件10a的绝缘体层19a～19g为磁性体层的第2模型。模拟条件如下。
线圈L的匝数：8.5匝
电子元器件的尺寸：2.5mm×2.0mm×1.0mm
绝缘体层19a～19g的厚度：10μm
图4是显示仿真结果的图表。纵轴表示电感值，横轴表示电流值。根据图4，即使第1模型的电流值大于第2模型，电感值的减少也较缓慢。即，可知第1模型具有优于第2模型的直流叠加特性。这意味着第2模型较第1模型易于产生围绕各线圈电极的磁通所导致的磁饱和。由上述可知，电子元器件10a及其制造方法可抑制围绕在各线圈导体18a～18f周围的磁通φ2导致产生磁饱和。
另外，电子元器件10a及其制造方法中，非磁性体层仅为被线圈电极18a～18f夹住的第1部分20a～20f。因此，围绕线圈电极18a～18f的磁通φ1不会通过非磁性体层。因此，电子元器件10a可获得较大的电感值。
再者，电子元器件10a及其制造方法中，可高精度形成作为非磁性体层的第1部分20a～20f。更详细而言，在一般电子元器件中，作为在被线圈导体夹住的部分上形成非磁性体层的方法，例如可考虑在被线圈导体夹住的部分上印刷非磁性体的糊料。
然而，在印刷非磁性体的糊料的方法的情形下，由于印刷偏移或层叠偏移，非磁性体层有可能会从被线圈导体夹住的部分露出。这样，若非磁性体层从被线圈导体夹住的部分露出，则有可能会妨碍围绕整个线圈导体的、具有较长磁路的磁通。即，除所需要磁通以外的磁通也会通过非磁性体层。
另一方面，上述电子元器件10a及其制造方法中，制作层叠体12a后，在烧成时形成作为非磁性体层的第1部分20a～20f。因此，不会因印刷偏移或层叠偏移而导致第1部分20a～20f从被线圈导体18a～18f夹住的部分露出。其结果是，电子元器件10a及其制造方法中，可高精度地形成作为非磁性体层的第1部分20a～20f。其结果是，可抑制除所需要磁通φ2以外的磁通φ1通过非磁性体层。
另外，电子元器件10a中，将单位层17a～17g依次连续层叠于绝缘体层15a～15c与绝缘体层15d、15e之间。由此，非磁性体层仅设于被线圈导体18a～18g夹住的第1部分20a～20f。此外，不存在横穿线圈L的非磁性体层。
另外，电子元器件10a及其制造方法中，优选为绝缘体层19a～19g的厚度为5μm以上15μm以下。绝缘体层19a～19g的厚度小于5μm时，不易制作要成为绝缘体层19a～19g的陶瓷生片。另一方面，绝缘体层19a～19g的厚度大于15μm时，Ni不会充分扩散，不易使第2部分22a～22g成为磁性体层。
此外，电子元器件10a中，不存在横穿线圈L的非磁性体层。然而，电子元器件10a中，允许在第1部分20a～20f以外的部分上也存在非磁性体层。由此，可调整电子元器件的直流叠加特性，或调整电感值。以下，针对在除第1部分20a～20f以外的部分上设置有非磁性体层的变形例所涉及的电子元器件进行说明。
(第1变形例)
以下，参照附图说明第1变形例所涉及的电子元器件10b及其制造方法。图5是第1变形例的电子元器件10b的截面结构图。图5中，为了避免附图变得复杂，省略一部分与图3相同的结构的参照标号。
电子元器件10a与电子元器件10b的不同点在于，电子元器件10b中使用作为非磁性体层的绝缘体层24d来代替作为磁性体层的绝缘体层16d。由此，作为非磁性体层的绝缘体层24d横穿线圈L。其结果是，电子元器件10b中，可抑制磁通φ1导致产生磁饱和。
此外，作为电子元器件10b的制造方法，在要成为绝缘体层19d的陶瓷生片上，形成通孔导体b4。对通孔导体b4的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19d的陶瓷生片上形成线圈导体18d。线圈导体18d的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19d的陶瓷生片上除线圈导体18d以外的部分上形成要成为绝缘体层24d的陶瓷生片层。具体而言，用丝网印刷法或光刻法等方法涂布非磁性的陶瓷糊料，从而形成要成为绝缘体层24d的陶瓷生片层。利用以上工序，形成要成为单位层26d的陶瓷生片层。
接着，将要成为绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、要成为单位层17a～17c、26d、17e～17g的陶瓷生片层及要成为绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按所述顺序并排进行层叠、压接，以获得未烧成的母层叠体。电子元器件10b的制造方法中的其他工序与电子元器件10a的制造方法中的其他工序相同，因此省略说明。
(第2变形例)
以下，参照附图说明第2变形例的电子元器件10c及其制造方法。图6是第2变形例所涉及的电子元器件10c的截面结构图。图6中，为了避免附图变得复杂，省略一部分与图3相同的结构的参照标号。
电子元器件10a与电子元器件10c的不同点在于，电子元器件10c中使用作为非磁性体层的绝缘体层28b、28f及作为磁性体层的绝缘体层30b、30f来代替作为磁性体层的绝缘体层16b、16f。即，电子元器件10c中，在线圈L的外侧设置有作为非磁性体层的绝缘体层28b、28f。由此，磁通φ1通过作为非磁性体层的绝缘体层30b、30f，电子元器件10c中，可抑制磁通φ1导致产生磁饱和。
此外，作为电子元器件10c的制造方法，在要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上，形成通孔导体b2、b6。对通孔导体b2、b6的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上形成线圈导体18b、18f。对线圈导体18b、18f的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19b的陶瓷生片上除线圈导体18b以外的部分上形成要成为绝缘体层28b、30b的陶瓷生片层。另外，在要成为绝缘体层19f的陶瓷生片上除线圈导体18f以外的部分上形成要成为绝缘体层28f、30f的陶瓷生片层。具体而言，在比要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上的线圈导体18b、18f更靠近外侧的部分上形成绝缘体层28b、28f，在比要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上的线圈导体18b、18f更靠近内侧的部分上形成绝缘体层30b、30f。要成为绝缘体层28b、28f的陶瓷生片层由非磁性的陶瓷糊料(即，不含Ni的陶瓷糊料)构成，要成为绝缘体层30b、30f的陶瓷生片层由磁性的陶瓷糊料(即，含有Ni的陶瓷糊料)构成。接着，用丝网印刷法或光刻法等方法涂布磁性及非磁性的陶瓷糊料，从而形成要成为绝缘体层28b、28f、30b、30f的陶瓷生片层。利用以上工序，来形成要成为单位层32b、32f的陶瓷生片层。
接着，将要成为绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、要成为单位层17a、32b、17c～17e、32f、17g的陶瓷生片层及要成为绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按所述顺序并排进行层叠、压接，以获得未烧成的母层叠体。电子元器件10c的制造方法中的其他工序与电子元器件10a的制造方法中的其他工序相同，因此省略说明。
(第3变形例)
以下，参照附图说明第3变形例所涉及的电子元器件10d及其制造方法。图7是第3变形例所涉及的电子元器件10d的截面结构图。图7中，为了避免附图变得复杂，省略一部分与图7相同的结构的参照标号。
电子元器件10a与电子元器件10d的第1不同点在于，电子元器件10d中使用作为磁性体层的绝缘体层34b及作为非磁性体层的绝缘体层36b来代替作为磁性体层的绝缘体层16b。另外，电子元器件10a与电子元器件10d的第2不同点在于，电子元器件10d中使用作为非磁性体层的绝缘体层28f及作为磁性体层的绝缘体层30f来代替作为磁性体层的绝缘体层16f。
电子元器件10d中，在线圈L的内侧设置有作为非磁性体层的绝缘体层36b，在线圈L的外侧设置有作为非磁性体层的绝缘体层28f。由此，磁通φ1通过作为非磁性体层的绝缘体层36b、28f，电子元器件10d中，可抑制磁通φ1导致产生磁饱和。
此外，作为电子元器件10d的制造方法，在要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上，形成通孔导体b2、b6。对通孔导体b2、b6的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19b、19f的陶瓷生片上形成线圈导体18b、18f。对线圈导体18b、18f的形成方法已进行说明，因此省略。
接着，在要成为绝缘体层19b的陶瓷生片上除线圈导体18b以外的部分上形成要成为绝缘体层34b、36b的陶瓷生片层。另外，在要成为绝缘体层19f的陶瓷生片上除线圈导体18f以外的部分上形成要成为绝缘体层28f、30f的陶瓷生片层。具体而言，在比要成为绝缘体层19b的陶瓷生片上的线圈导体18b更靠近外侧的部分上，形成绝缘体层34b，在比要成为绝缘体层19b的陶瓷生片上的线圈导体18b更靠近内侧的部分上，形成绝缘体层36b。另外，在比要成为绝缘体层19f的陶瓷生片上的线圈导体18f更靠近外侧的部分上，形成绝缘体层28f，在比要成为绝缘体层19f的陶瓷生片上的线圈导体18f更靠近内侧的部分上，形成绝缘体层30f。要成为绝缘体层28f、36b的陶瓷生片层由非磁性的陶瓷糊料(即，不含Ni的陶瓷糊料)构成，要成为绝缘体层30f、34b的陶瓷生片层由磁性的陶瓷糊料(即，含有Ni的陶瓷糊料)构成。然后，用丝网印刷法或光刻法等方法涂布磁性及非磁性的陶瓷糊料，从而形成要成为绝缘体层28f、30f、34b、36b的陶瓷生片层。利用以上工序，来形成要成为单位层38b、32f的陶瓷生片层。
接着，将要成为绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、要成为单位层17a、38b、17c～17e、32f、17g的陶瓷生片层及要成为绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按所述顺序并排进行层叠、压接，以获得未烧成的母层叠体。电子元器件10d的制造方法中的其他工序与电子元器件10a的制造方法中的其他工序相同，因此省略说明。
此外，虽然利用了逐次压接工艺来制作电子元器件10a～10d，但也可以利用例如印刷工艺来制作电子元器件10a～10d。
工业上的实用性
本发明适用于电子元器件及其制造方法，尤其是在可抑制围绕在各线圈导体周围的磁通导致产生磁饱和的方面较为优异。
标号说明
L 线圈
b1～b6 通孔导体
10a～10d 电子元器件
12a～12d 层叠体
14a、14b 外部电极
15a～15e、16a～16g、19a～19g、24d、28b、28f、30b、30f、34b、36b绝缘体层
17a～17g、26d、32b、32f、38b 单位层
18a～18g 线圈导体
20a～20f 第1部分
22a～22g 第2部分
Claims (10)
1.一种电子元器件的制造方法，包括：
形成层叠体的工序，所述层叠体内设有将多个线圈导体在从层叠方向俯视时彼此重合的状态下进行连接而构成的螺旋状线圈，由多个第1单位层经连续层叠而构成，所述第1单位层包括具有第1Ni含有率的第1绝缘体层、设于该第1绝缘体层上的所述线圈导体、以及第2绝缘体层，所述第2绝缘体层具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率，设于该第1绝缘体层上除该线圈导体以外的部分上；以及
将所述层叠体进行烧成的工序。
2.如权利要求1所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
作为形成所述第1单位层的工序，所述形成层叠体的工序包括：
准备片状的所述第1绝缘体层的工序；
在所述第1绝缘体层上形成所述线圈导体的工序；以及
在所述第1绝缘体层上形成所述第2绝缘体层的工序。
3.如权利要求2所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
所述形成层叠体的工序还包括通过沿层叠方向连续层叠所述第1单位层、来形成所述线圈的工序。
4.如权利要求2所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
作为形成第2单位层的工序，所述形成层叠体的工序还包括：
准备片状的所述第1绝缘体层的工序；
在所述第1绝缘体层上形成所述线圈导体的工序；以及
在所述第1绝缘体层上除所述线圈导体以外的部分上形成具有所述第1Ni含有率的第3绝缘体层的工序，
所述形成层叠体的工序还包括层叠所述第1单位层及所述第2单位层的工序。
5.如权利要求2所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
作为形成第3单位层的工序，所述形成层叠体的工序还包括：
准备片状的所述第1绝缘体层的工序；
在所述第1绝缘体层上形成所述线圈导体的工序；以及
在相同的所述第1绝缘体层上除所述线圈导体以外的部分上形成具有所述第1Ni含有率的第4绝缘体层、及具有所述第2Ni含有率的第5绝缘体层的工序；
所述形成层叠体的工序还包括层叠所述第1单位层及所述第3单位层的工序。
6.如权利要求1至5的任一项所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
所述第1绝缘体层的厚度薄于所述第2绝缘体层的厚度。
7.如权利要求6所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
所述第1绝缘体层的厚度为5μm以上15μm以下。
8.如权利要求1至7的任一项所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
所述第1绝缘体层为不含有Ni的非磁性体层。
9.如权利要求1至8的任一项所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，
在将所述层叠体进行烧成的工序之后，被所述第1绝缘体层中的所述线圈导体从层叠方向的两侧夹住的第1部分中的Ni含有率低于所述第1绝缘体层中除该第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。
10.一种电子元器件，所述电子元器件包括多个单位层，所述单位层包括一片片状的第1绝缘体层、设于所述第1绝缘体层上的线圈导体、以及设于该第1绝缘体层上除该线圈导体以外的部分上的第2绝缘体层，其特征在于，
通过连续层叠所述多个单位层来连接多个所述线圈导体，以构成螺旋状的线圈，
被所述第1绝缘体层中的所述线圈导体从层叠方向的两侧夹住的第1部分中的Ni含有率低于该第1绝缘体层中除该第1部分以外的第2部分中的Ni含有率，
所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。
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