TW201017724A - Liquid treatment apparatus and liquid treatment method - Google Patents

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TW201017724A TW098135617A TW98135617A TW201017724A TW 201017724 A TW201017724 A TW 201017724A TW 098135617 A TW098135617 A TW 098135617A TW 98135617 A TW98135617 A TW 98135617A TW 201017724 A TW201017724 A TW 201017724A
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Michio Kinoshita
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Tokyo Electron Ltd
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Description

201017724 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液體處理裝置及液體處理方法, ,或液晶顯示制之玻璃基板(平面顯示器基二^導體 塗佈液喷嘴塗佈抗蝕劑液或顯影液等塗佈液。)的所明基板,從 【先前技術】 在基抗=ί:係之:的 -連串步驟自《往· _、顯影裝置而處理,且該等 固持Γ即====佈基板 抗_液讀徽佈錢乾,轉,藉此進行 =圓之抗侧液供給,係藉由從喷嘴:二 僅於喷出抗__輪送至_趋^ 置待機, 厚等二成的膜 單構 之複數塗佈喷嘴—鮮巾 粒佈早讀使用 塗佈單元間共通移動的驅動臂(例如參照專成一列之複數 201017724 大翁^ ί 塗佈液喷嘴的前端狀態為抑制抗姓劑液盥 該儘:吸塗:it 較佳係各別 ,複^之嘴嘴-體移動’必縣低例如紐滴人或 1中藉由以溶劑密封塗佈液噴嘴前端而製作 工虱層,也可S忍為係防止抗餘劑液的乾燥。 舰之㈣種贼所含溶劑,㈣賴程度不同
參 ^但是藉由如上述構成,而有如下之方法:藉 =以,同樣地密封,由於塗佈液喷嘴之抗軸彳本身 ”外部乳體之大氣接觸’而降低塗佈液喷嘴乾燥的風險,因此 進行長時間假注液。 【專利文獻1】曰本特開2006_302934號公報(圖3、圖4、圖8) 【發明内容】 (發明所欲解決之課題) 然而,設於驅動臂之一體構成的複數塗佈液喷嘴中,於所使 =之塗佈液噴嘴肖塗佈單元移動時不使用之喷嘴的前端部變成暴 露於風=。因此,長期不使用時,即使將專利文獻1所載之塗佈 液喷,前端以溶劑密封,有時塗佈液喷嘴前端之溶劑的抗蝕劑仍 會乾燥。對此,於各噴嘴前端部密封之溶劑往喷嘴内部之抽吸量 的差異也會成為其原因。該所抽吸溶劑之量因某種原因若少於既 定量時溶劑將揮發乾燥。 、 士種情形,由於密封喷嘴前端之溶劑揮發而密封效果消失, 故,得必須在此之前先進行一次假注液後廢棄殘存溶劑,再進行 將密封溶劑重新抽吸的動作。當因此種原因而假注液的次數增加 時’由於抗蝕劑的使用量增加,並使用共通之驅動臂,因此有對 生產力造成影響之虞。又,近年來的裝置為減少占有面積而為堆 叠構造,且對高度方向也有更降低的傾向。因此,塗佈單元之構 201017724 待機狀態_整作業上树需要&使財嘴之料處於長時間 概竭如增絲 於=置==:嘴佈‘ 於塗佈液㈣吐動作,或者諸⑧從該塗佈液喷嘴對 ^吸動作與抑制乾燥溶劑的排 g 劑的 制該注液控制部;判斷處理部,設於制部,控 ,喷:之:影機構所拍攝的喷嘴影像“判=佈 =行 影機構所得到之該塗佈液 ί=rW居忿 ΐ 爾的位置,而在該軟量尺之刻度值 —丨居於最適 處理控制該注液控制部,以調整該塗佈液喷=== 201017724 液的乾燥抑制(申請專利範圍1)。 本發明中,該喷嘴輸送機構設有複數之該塗佈液喷嘴,可對 於各個塗佈液喷嘴進行該設定值的輸入、判斷處理及注液控制(申 請專利範圍2)。 $ 一又’本發明中,控制部也可直接進行注液控制。軟量尺之顯 示即使不與塗佈喷嘴成對顯示,若到達塗佈喷嘴之前端的長度相 同,也可從喷嘴顯示部之旁邊對塗佈喷嘴顯示共通的刻度顯示線。 藉由如此構成,變得能將以往利用裝置維修者之目視所進行 調整的塗佈喷嘴前端的狀態精密地調整,可經過長時間而防止 理液的乾燥。 又,申請專利範圍3之發明中,其特徵為:該設定值分成第1 設=值、第2設定值與第3設定值,該第丨設定值係從塗佈喷嘴 端到該塗佈噴嘴内所抽吸之處理液的下端液面的距離,該第2 "又疋值係從該則端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的上端液面的距離, 而該第3設定值係從該前端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面 的距離。此時,該處理液的下端液面與該抑制乾燥溶劑的上端液 面之,間較佳係设有空氣層(申請專利範圍4)。又,該第3設定值較 g為從該塗佈液喷嘴别端回吸抑制乾燥溶劑的距離(申請專利範圍 ’可想像已設定 完成狀態而輸入 ❿ 藉由如此構成,依據晝面上所顯示的軟量尺 希望之抑制乾燥溶劑等之位置的塗佈喷嘴的 設定值。 # ,申請專利範圍6之發明中,該喷嘴槽具備該塗佈液喷嘴 如孔、麟抑魏驗狀滅孔,並具備切換該 吐孔的位置與該抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置的轉動 為:該塗佈噴嘴抽吸抑制乾燥溶劑時,以該轉動機 ^槽,動’而從該塗佈液喷嘴之塗佈液之喷吐孔的位置 署齡抽吸孔的位置,並從該喷嘴槽之内部所設 201017724 嘴槽轉動時,使該抑制乾燥溶劑流通至該塗佈液噴嘴之塗佈液 喷吐孔之下部所没置的塗佈液廢液流道(申請專利範圍7)。 藉由如此構成,可不變更塗佈噴嘴之水平方向的位置,而切 換塗佈喷嘴的噴吐位置與抑制乾燥溶劑的抽吸位置。 又,本發明之液體處理方法從塗佈液喷嘴對基板固持部所大 致水平固持之基板的表面供給塗佈液,進行向該基板的表面噴出 塗佈液以形成塗佈膜的液體處理;其特徵為:包含:噴嘴待機步 驟:使該塗佈液嘴嘴移動·以令塗佈液喷嘴待機的喷嘴槽而令 其待機;注液控制步驟,從該塗佈液喷嘴對於塗佈液的喷吐動作, 或者塗佈液及該塗佈液之抑制乾燥溶劑的抽吸動作盘抑制乾燥容 劑的排出動作進行注液控制;判斷處理步驟,將由拍攝該塗佈液 喷嘴之攝影機構所拍攝的喷嘴影像資料解析判斷;與操作顯示步 驟,在具有可重合於該攝影機構所得到之該塗佈液喷嘴 =向的長度而固定顯示樣值的軟量尺,顯二= ^喷,喷嘴影像資料’並進行設定值的輸入;該判斷處理』 ^ ί下列二者加以比較並進行判斷處理:為使該塗佈液喷嘴内 之塗佈液與抑制乾燥溶劑在該操作顯示步驟居於最適當的位置, ^該軟量尺之刻度值所設定的設定值;與拍攝作射之塗佈液 J嘴的狀態所得於職佈时嘴内之塗驗及抑制賴溶劑的各 ^之抽吸位置;且錄關_理步狀絲_綠液控制步 $範ίΓ)整該塗佈液喷嘴之前端勒的塗佈液之乾燥抑制(申請專 爐此構成,變得能將以往利職置維修者之目視所進行 喷嘴麵離祕魏難,可觸長咖而防止處 =專利範圍9之發明係於申請專利範圍8之液體處理方法 :j徵為:該操作顯示步驟之該設定值的設定分成第1設定 售ί丨好ί定值與第3設定值,該第1設定值做塗佈液喷嘴之 佈液喷嘴内所抽吸之塗佈液的下端液面的距離,該第2 值係從該前端騎減之抑制麵賴的上端液面的距離, 201017724 。3⑨定值係㈣前端酬抽吸之抑制乾燥溶綱下端液面 有所3如,構成:依據畫面上所顯示的軟量尺,可想像已設定 設定值。之_乾燥溶鮮之位置的塗佈喷嘴的完錄態而輸入 中,==範圍1〇之發明係於申請專利範圍8之液體處理方法 驟,乂姑^為該注液控制步驟於抽吸抑制乾燥溶劑時包含一步 喷嘴撕設有的獅機構轉動,而從驗佈液喷嘴之塗 喑:播夕吐孔的位置轉動至抑制乾燥溶劑之抽吸孔的位置後,從 嗔嘴?之内部所設置的觸賴溶_儲存部進行抽吸。 旅涂it”成,不變更塗佈喷嘴之水平方向的位置,而能切 換塗佈喷嘴的喷吐位置與抑制乾燥溶_抽吸位 (發明之效果) ❹ wiii明,由於使得不使用之塗佈液喷嘴之前端部内的塗佈 二3制可輕易地以最適當狀態維持喷嘴狀態,故即使因切 準備不_塗佈液,也可不花時間進行假注液動作。又, ίΐΐΐ精魏調整’而下次進行假注液設定也更正確,因此變 传裝置運轉狀態’甚至生產力也提高;而^由於能以顯 H 斤拍攝的影像,故由裝置操作者(操作員)也可確實地確 藉由在喷嘴槽設置用以切換塗佈液之喷吐孔與抑制 吸孔的轉動機構,而由於不在移動於處理基板上的 喷巧送機構設置鶴部,因此機構部錢雜,而來自驅動機構 之發塵微粒所造成的缺陷問題也消失。 【實施方式】 (實施發明之最佳形態) 以下,依據附加圖式,說明本發明之最佳實施形態。在此, 說明將依本發明之液體處理裝置適用於在晶圓塗饰抗侧液之塗 佈單兀的實施形態。首先說明依實施形態之塗佈單元的概略結 構。圖1⑻係塗佈單元i的概略俯視圖,圖1(b)係其縱剖面圖:又, 9 201017724 圖2係顯示塗佈單元1内之液體處理部2,與對該液體處理部2 供給塗佈液之供給單元7的關係的結構圖。 如圖1所示,依本實施形態之塗佈單元丨包含:液體處理部 2a、2b、2c’共3個,於偏平箱狀之框體30内沿橫方向(圖中之γ 方向)配,成-列;嘴嘴1〇,有複數支,對該等液體處理部〜如、 糊液__等塗佈液;噴嘴輸送麟1Ga,用以輸 $喷嘴1G ;喷嘴槽14 ’令喷嘴1G待機;及邊緣球狀光阻去除 EBR)麟6,細.晶圓歡 41 Ϊ部2(2a、%、2(0具備共通之結構,③含:旋轉夾盤 圓^持部;及減5,叫魏雜縫41所固持晶 W 方式°又置。以下,說明液體處理部2的結構。 瞻旋ίίΪ41用以將晶圓W之背面侧中央部抽吸吸附以水平 Ξ 基細铸的魏。如®2所示,旋触盤41經 备動機構(旋轉失盤馬達)43,並於固持晶圓W的 旋轉及升降方式構成。在旋轉夾盤41之侧方,連 升降銷44支持晶,之背面而以可升降方 用可進行從 係臨向傳遞。又’圖1⑻所示之符號3〇& ,機構之框體3G壁面所形成的晶圓1的送人送出口。 散至框tnt有,旋轉塗佈科因旋轉晶圓W而飛散的水氣飛 將該水氣排出塗佈單元1外的功能。杯體ίί 有圈卜觀,其内部形成如圖2所示的構造。 具 中,如圖ϋΐ内部構造如下:圈餅狀之杯體本體50的内部 氣的氣體所流通的氣H 51aa H3有從晶圓w飛散之水 夾盤41 曰H 3 °又’第2環構件52以位於旋轉 「〜字Ι 的周緣部下方方式設置’其頂面彎曲成 入杯體端面設有端板53,該端板以進 个㈣之底稍賴收納部54方式往下方延伸。藉此, 201017724 二^分抗钱嫩作為排放液順著第2環構件52及 知板53的表面被導往液體收納部54。 55 , 之下部側為液體收納部54,其底部設有:排氣口 用以排屮蚀卢於用以排出流通於杯體5内的氣流;及排放口 56, 之:_液的排放液。排氣口 ” 裔η t卩礼導^,又,與各液體處理部2a、2b、2c之排 在⑧站-排氣導管在框體3〇外連接於排氣耗電設備。 ❹ φ 壁往液體收納地構成抗溢流壁地,該抗溢流 π α 方延伸,用以防止抗蝕劑從液體收納部 裝有:i單杯:5對向之框體30的頂棚部安 顏,於始辦^ &猎從過/慮單兀31以既定流量供給例如潔淨空 30内之未圖示的==^的=1分潔淨空氣由設在框體 内,姑射所排出,麵之潔淨空氣被導入杯體5 口 55被^。圖2之杯體5剖面圖内以箭頭所示的氣流而從排氣 構。ίί ι’οϋϋ液喷嘴1〇(以下稱喷嘴10)及其輸送機構的結 液。H職触盤41賴狀晶® W表面供給抗_ 細社構;Ϊ闇係喷嘴1〇與固持該嗔嘴1〇之喷嘴臂11的詳 的立體圖。本實施形態之塗佈單元i包含n支 〇,俾 液ίΪ或齡獨的1G航侧液,刻域抗_ 月』曰?曰由l上谷易擴展的稀釋劑(以下總稱為塗佈液)。又,圖1⑻ 及圖^為便於圖示,省略喷嘴1G的支數而顯示。 11,固掊=戶f示,喷嘴輸送機構1〇a由下列部分構成:喷嘴臂 座12的H r基座12,支樓該喷嘴臂11 ;執道13,形成基 13上移動。L,及基座移動機構(未圖示)’使基座12於軌道 及去示,喷嘴臂11由固持11支喷嘴1G的喷嘴頭部lla, 牙^嘴頭部11a的臂部lib所構成。喷嘴頭部lla之前端部 11 201017724 ,面形成可嵌人上述喷嘴1G之基部_狀, 基部即可固持各個喷嘴1G。其結果,u支噴嘴ig端1 $
並 一歹Γ ^以該等喷嘴之排列方向與圖1⑻所示嘴嘴 10的輸送方向一致方式配置。另一方面H =迷=。7的供給管71 ’經由嘴嘴頭部lla内;可往 俾於;== 持頭之 21 勺0u 7作為使喷嘴臂11移動之滑動件的功能:基座 t,構,臂部llb之基部安裝於該升降機構。 可於圖1(b)所7方向任意升降。又’轨道13 Ϊ侧方ί各液體處理部2a、2b、2c之排列方向平 ΐ ίο塗佈單元1包含㈣在秘給塗佈液時載置喷 嘴10而7其待機的喷嘴槽14;軌道13具有能於該 鱼 體處理部2a所固持的晶圓|供給塗佈液的、 友辦二二i座移動的長度。又’嘴嘴槽14形成稀釋劑環境 亂體,俾於喷嘴1〇待機中抗蝕劑液不會乾燥。 s:rirF---- ❹ 方向及轉速,;使望=調整掛設轴的旋轉 編!1 上之結構,藉由使基座12於軌道13上飾,可將並 2c之大致嘴10在連接喷嘴槽14與液體處理部2a、2b、 部2a、2b 2、°所ΐϋϋ上輸送。因此,晶圓W由任一個液體處理 f,均可藉由娜基座12的停止位置,以 抗餘2二=EBR機構6。EBR機構為防止所塗佈於晶圓w之 蝕劑二ϊ等,發揮對晶圓霄周緣部供給用以去除抗
、冲冼液的功^设於各個液體處理部2a、2b、2c之EBR 12 201017724 各i有大致共通的結構,如圖1⑻所示地包含:EBR臂61, it 63,中洗液的嘴嘴;_62’令該歷臂61移動;軌 洗液時^置^2嘴機及咖喷嘴槽64 ’於不供給沖 目恰對,於塗佈液種類’該塗佈液供給機構包含:供二 ❹ 給盘機:7〇軸氣動閥72,用以切換塗佈液之供 中H圖hL10種抗钱劑液與稀釋劑切換而供給。又,圖2 ㈣第======左圖 其#目^ :麟分職給於_抗_液前每 J。該塗佈液供給機構7〇、氣動閥72與回二 液的動作。以以:之塗:抗, 機構往框體3〇外退避而使升降料下降,而mUi 13 201017724 2(2a ' 2b ' 41 〇 到達晶圓W的大致中央上方的位置,停止移、喈=嘴10 位置令喷嘴臂η下降。其後,在靜止之a^m’ 稀釋劑後,移動喷嘴臂11以使於該處理‘ ;ίοw 轉夾盤41例如尚速旋轉,並對該旋轉巾 液並:r=rr 之=二 的甩乾。其間,喷嘴輸送機構10a以與上 ^之抗,劑液 喷嘴:丄1方:使以液,嘴10於二1 的4::移動 ^沖洗时做6 = 糟由在此塗佈沖洗液,並使旋轉夾盤 圓之周緣和而 同的處理。又,喷嘴10於一個液體處f =、2b、2c ’進行相 出塗佈液(稀釋劑及抗儀劑液)後:;'。束對晶圓W上喷 端的喷嘴槽丨4,抑制抗_^^至例如位於塗佈單元1之- 再來,說明圖1(b)之喷嘴槽Η的妹槿 ^明之。圖频猶 14 ⑼、 嘴嘴10的複數嘴嘴前端部的數目,用10a所設之 溶刺抽吸孔101,有複數個,用以舆該假注 201017724 前端抽吸例如稀釋劑。圖4(b)顯示已實施假 ,的下“有的也 ===== 二之原_定期使抗輔液從嗔嘴 未圓H管ίΓ出棄之抗倾液通過共通排放流道103,往 i05 複數之第1溶劑儲存部102連通的流道以緩衝室所構 ί所對該第2溶_存部1G5供給例如稀釋5, S3 過第2溶劑儲存部105儲存於第1溶劑儲存^ 、卓、番,L、》谷劑儲存部102與共通排放流道103於連通路徑⑽ /乂於供給溶劑至$ 1溶劑儲存部102之時間點所溢出的 放容; 15 1 溶劑儲存_浸潰前端部,抽吸溶劑既定I 在第 嘴嘴包職狀結構的本實獅_塗料元1的 及喷嘴10,於例如噴嘴槽14的位置進行光學攝影, 干之^於喷嘴1G之乾燥麵污的假注賴次數,圖5所 S具備實行喷嘴1G内所狀的抗_液層⑴二 回ί 之位置(寬)、抑制乾燥溶劑層113之位置(寬)、 量的適當動作的功能。以下,詳細說明該等功能。 就嘴嘴10前端部之内外狀態的攝影麟而言,喷嘴輸送機構 201017724 侧方拍攝嘴包含:攝影機構,以影像感測器從 垂直的方角拍射^ 喷嘴1G的排列方向大致 10的前端部。又,摄· 17 :人成為被此之影子而能拍攝各喷嘴 -列之全部喷嘴又二; 令喷嘴10移動至嘴靜且對焦在各個前端部。 如圖5所示地進行製程中不“^嘴^的動作後’ 過既定運轉時間的狀態,例如8小^^的嘴^制 =3,經
Si二if:以攝影機17總括地拍攝喷;10。以下= 各峨1嶋合= 勺人之複數喷嘴1G的攝影f料被送至控制部9。控制邱9 ϋί=ϊΐ121,亦即於控制部内部影像處理以進行塗=嘴 析處理及判斷處理等的程式。而且,控制部9:接^ ;用者顯示各種_錢_之輸 作部120⑽特定位置之例如每lmm隔開的複數 ^不操 度)121a〜121c配合複數喷嘴10的長度表示。該特定位ϋ 所拍攝之複數喷嘴10的長度、間隔、數目。另外,=依據 所示地將實際拍攝之複數喷嘴10的影像122顯示6(c) 面之軟量尺121a〜121c重疊而-併顯示。此時藉 於晝 的安裝位置嚴格地微調整以使軟量尺121a〜3^=機Η 像之垂直方向的喷嘴1G前端-致,而如圖6(b)、6U^噴嘴影 接著’說明圖7中對-個喷嘴1G進行設定的方法m 16 201017724 喷嘴$同。又’採用直接使用與圖5相同之號碼而說明者。首先, 先在監視器畫面上之軟量尺121a〜121c(以下以121a為代表說明 ,)與喷嘴10重合的狀態下,進行3種設定俾於成為長時間不進 ^注液之噴嘴10内部的處理。Setl可將第丨設定高度,即從 前巧到抗蝕劑液前端的距離;Set2可將第2設定高度,即到 乾燥溶劑上端的距離;Set3可將第3設定高度,即回吸寬對複數 之喷嘴10個別設定。該設定進行設定於控制部9之喷嘴輪送機 :〇a的動作’並由此發送控制信號至注液控制部119以輪出動作信 號。該設定值依軟量尺121a的刻度值進行設定,以構成可一面^ 斷景》像處理狀態,一面調整注液控制部119。又,圖7中,符號 111為抗蝕劑液層,符號112為空氣層,符號113為抑制乾溶 層,符號114為回吸寬。 劑 例如,如圖8所示地以喷嘴前端為基準,對於從該喷嘴前 起之距離’使第1設定值,即Setl為8mm ;使第2設定值,即 Sef為5mm ;使第3設定值,即Set3為2mm時,結束的狀態下 空氣層112之寬為3mm,抑制乾燥溶劑層113之寬為3mm,& 寬為2mm。 再來,以圖9對於一連串動作的樣子併記喷嘴前端狀離與 動閥72及回吸閥的狀態依序說明之。令喷嘴臂u下降以使噴 〇 10於喷嘴槽14插入假注液孔1〇〇,將抗侧液假注液喷出,令喷 嘴臂11上升(參照圖9(a))。拍攝此時的狀態以進行影像解析後, 以判斷處理部121決定歸零位置(參照圖9(b))。以下,判斷設 作時採用從判斷處理部121所發出之信號者。 " 接著,為確保空氣層112而使回吸閥作動以將抗蝕劑往上抽 吸(參照圖9(c))。將該抽吸狀態拍攝並以影像處理於兩個確認點, 即喷嘴10前端之成為歸零基準位置的觀視點13〇,盥成為抗飯 液,面位置的觀視點131間之距離以軟量尺121a “ 3mm的時 點停止回吸閥的抽吸動作,俾於成為Setl與Set2之差,即 8mm—5mm=3mm狀態(參照圖9(d))。再來,令喷嘴槽14轉動 溶劑抽吸孔101朝向垂直方向,同時從溶劑供給孔1〇6供給溶劑。 17 201017724 藉此重y供給溶劑至第〗溶劑儲存部1〇2。 抽吸2i(e)所示’令喷嘴臂11下降’使喷嘴10進入溶劑 ®i事先設定的下降位£,即喷嘴1Q前端財__ 切狀離及動作抽吸溶劑,但由於在此位置無法攝影以碎 二,&,因此令回吸閥作動以進行抽吸動作既定量,例如敕詈尺 值5mm左右的程度(參照圖9(Q)。 多的:^升糾_嘴1G,__比設定值 面進仃送回以回吸動作所抽吸之量的動作,一面 吸為既定量方式將溶綱人翻而«至溶劑抽
G 也了進巧僅止於觀視點130、132的影像認知。 仃 產生ΪΪ。’ ^回吸制乾燥溶劑於製程中的移動狀態下不 扞枯if* Ϊ _述地進行攝影,—面以影像處㈣ Ο 令:===^^理’-面 =:=輸=:S 巧= 定而起動者。該動作依據-:欠 險而將塗佈處理所不使用之喷嘴10量,因此為降低故障風 本發明中,由於藉由因綱劑之種_==^^。 18 201017724 整動作,可正確地控制空氣層的量或抑制乾燥溶劑的量,因此可 正確地掌缝數之倾1G的可機_,並可正確地蚊適當時 間。又’由於亦可測量液面到達以觀視點13〇為基點之以下的觀 視點的移動時間,故也能進行抽吸時間的適當調整。 藉此,變得能以短時間結束目視調整不易^處的調整,由於 可盡可能抑制伴叉注液而產生實行間的等待時間等、 的效率降低,故生產力也提高。 ❹ 參 接著,簡單說明於顯影裝置適用上述塗佈單元丨之一 1〇係塗佈、顯影裝置連接有曝光裝置的系統的俯視圖圖u係同 系統的立體圖。又’圖12係同系統的縱剖面圖。該 區塊S1,以傳遞臂C從其載置台80a上所載置之密閉型載且8〇、 ===以,遞至處理區塊S2,再從處理區塊S2承接“處 理之日日圓W以送回載具80的方式構成。 «而理,S2如圖11所示,由以下之部分由下而上依序堆 豐而構成1 1區塊(DEV雜卜本例中用以進行顯影處理 2區塊(BCT層)B2,形成於抗侧膜之下層侧,用以進行抗 塊(cot_,用以進行抗反射膜的塗佈; 第4 &塊(TCT層)B4 ’形成於抗蝕麵之上層側,用 射膜的形成。 第2區塊(BCT層)B2與第4區塊(TCT層)B4由下列部分椹 成··塗佈單元1,依本發明,以旋轉塗佈法塗佈用 1 射膜的化㈣液;加熱•视⑽料元群,用錢 兀1 行之處理的前處理及後處理;及輸送臂A2、A4 塗佈單元1與處理單元群之間於其間傳遞晶圓w。第3區^、^ 層)B3除該化學藥液為抗蝕劑液外,係相同結構。 徊=方思面⑴關於第1區塊層)m,圖12中雖未圖示十 -個DEV層B1 _疊有2段顯影單元。糾,該DE ^ 設有用以輸送晶® w至該等2段⑽彡單元的輸送臂A1。亦 形成對2段顯影單元係輸送臂A1共通化的結構。 而且處理區塊S2如圖1〇及圖12所示地設有棚架單元u5, 201017724 來自載具區塊S1的晶圓W由設於該棚架單元仍附 降的第1傳遞臂D1依序輸送至細架單元U5 ^ m第2 ί塊(bct層)b2的傳遞單元⑽ 内的輸送臂A2從該傳遞單元CPL2承接晶圓w以輸送至各 早兀(抗反射膜單兀及加熱•冷卻系處理單元 圓W形成抗反射膜。 π Μ等早7G中曰曰 棚苹棚架單元U5之傳遞單元BF2、傳遞臂di、 傳遞从CPL3及輸送臂A3,被送人第3區塊(COT 僂。進而’晶圓職過輸送臂A3—棚架單元 元Rpf遞單 傳遞臂D1 ’被傳遞至棚架單元U5之傳遞單 :又二形成有抗侧膜的晶® W有時也於第4區塊(TCT ^诚lit形成抗反雜。此時,晶81 _由傳遞單元沉4 元TRS4輸送臂八4,形成抗反射膜後由輸送臂八4傳駐傳遞單 以將 傳遞科CPL12的專麟職構。_有抗^ 射朗晶圓W透過#遞臂D1從傳遞單元即3、 到棚竿單亓遞'^傳遞單元CPU1,並由此以穿梭臂E直接輸送
G 遞ef元咖2 ’導入介面區塊S3。又,圖12 單元· 之傳遞單元兼為調溫用冷卻單元,附有BF之傳遞 兼為可載置複數片晶圓W的緩衝單元, 定之步2 W由介面臂B輸送至曝光裝置S4,於此進行既 理區挽^後’載置到棚架單元U6的傳遞單元TRS6而送回處 理了並由輪if ΓΛ^81 w於第1區塊(DEV層)B1進行顯影處 台,再棚架單元仍的傳遞臂⑶近範圍的傳遞 有各個加赦C送回載具80。又,Κ 10中U1〜U4係堆疊 各個加熱部與冷卻部的熱系單元群。 20 201017724 【圖式簡單說明】 圖示。上料柄之㈣處理部與供給塗佈液之供 i係顯示本發明之塗佈單元的俯視圖_及其縱剖面圖 圖2 給單元的結構圖 之狀ΐ的將本發明之供給塗佈液峻射嘴絲於噴嘴臂 之]^線機位置之喷嘴槽的概略俯視圖⑻、沿(a) @,_及供給溶___⑹。 ❿ ^ 6t顯ti佈喷嘴前端部所蚊之液體的狀態的剖面圖。 尺與塗佈繼畫__、顯示軟量 監視器畫===(:)_示,顯示軟量尺與塗佈喷嘴在 剖面^。7係叹定塗佈嘴嘴之狀態時的以軟量尺所設定的概略放大 圖8係顯示設定狀態的概略放大剖面圖。 麻ΐ 9(a)〜9(i)係顯*塗佈喷嘴進行注液控制的樣子的概略放大 刮W園。 祕係顯不適用上述塗佈單元之塗佈、顯影裝置的實施形態 ❹ 的俯視圖。 圖11係上述塗佈、顯影裝置的立體圖。 圖12係上述塗佈、顯影裝置的縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 1〜塗佈單元 2、2a、2b、2c〜液體處理部 5〜杯體 6〜邊緣球狀光阻去除機構(EBR機構) 7〜供給單元 9〜控制部 21 201017724 ίο〜塗佈液喷嘴 10a〜喷嘴輸送機構 11〜噴嘴臂 11a〜喷嘴頭部 lib〜臂部 12〜基座 13〜軌道 14〜喷嘴槽 17〜攝影機(攝影機構) 18〜固定構件 30〜框體 30a〜送入送出口 31〜過濾單元 41〜旋轉夾盤(基板固持部) 42〜轴部 43〜驅動機構(旋轉夾盤馬達) 44〜升降銷 44a〜升降機構 50〜杯體本體 51〜第1環構件 51a〜氣體流道 52〜第2環構件 53〜端板 54〜液體收納部 54a〜抗溢流璧 55〜排氣口 56〜排放口 61〜EBR臂 62〜基座 63〜執道 22 201017724 64〜EBR喷嘴槽 70〜塗佈液供給機構 71〜供給管 72〜氣動閥 73〜回吸閥 80〜載具 80a〜載置台 100〜假注液孔 101〜溶劑抽吸孔 102〜第1溶劑儲存部 ® 103〜共通排放流道 104〜連通路徑 105〜第2溶劑儲存部(緩衝室) 106〜溶劑供給孔 110〜轉動機構 111〜抗餘劑液層 112〜空氣層 113〜抑制乾燥溶劑層 114〜回吸寬 _ 119〜注液控制部 120〜顯示操作部(監視器晝面) 121〜判斷處理部 121a、121b、121c〜軟量尺 122〜影像 130〜觀視點(塗佈噴嘴前端) 131〜觀視點(抗蝕劑液下端液面) 132〜觀視點(抑制乾燥溶劑上端液面) 133〜觀視點(抑制乾燥溶劑下端液面) 200〜稜鏡照明器 A〜喷嘴槽14利用轉動機構在與喷嘴排列方向垂直之鉛直面 23 201017724 上45度轉動的中心。 A1—A4〜輸送臂 B〜介面臂 B1〜第1區塊(DEV層) B2〜第2區塊(BCT層) B3〜第3區塊(COT層) B4〜第4區塊(TCT層) BF2、BF3〜傳遞單元 C〜傳遞臂 CPL2、CPL3、CPL4、CPL11、CPL12〜傳遞單元 D1〜第1傳遞臂 E〜穿梭臂 S1〜載具區塊 S2〜處理區塊 S3〜介面區塊 S4〜曝光裝置 TRS1〜傳遞台 TRS4、TRS6〜傳遞單元 U1 一U4〜熱系單元群 U5、U6〜棚架單元
Setl〜第1設定值
Set2〜第2設定值
Set3〜第3設定值 W〜半導體晶圓(基板)

Claims (1)

  1. 201017724 七、申請專利範圍: 水平對=固持部所大致 佈液以形成塗佈膜的液體處ί佈液進仃向該基板的表面喷出塗 其特徵在於: 包含: 的嫩鳴賴持之基板 參 瘳 吐動作,或者塗舰及驗佈液對於_液的喷 制乾燥溶劑的排出動作進行注輒^劑_吸動作與抑 控制部’控制該注液控制部; 拍攝該塗佈液喷嘴之噴嘴影像 判斷處理部,設於該控制部,將由 機構所拍攝的噴嘴影像資料,予以解析判斷:"、対嘴之攝影 資料的 顯示,及設定值的輸入;與 之該=喷ΐ=直:;===到 示部; 心顒不於該操作顯 該判斷處理部對下列二者加以比較並進 塗佈液喷嘴内之塗驗與抑職齡齡為使該 制部拍攝作射之塗佈液喷嘴的狀㈡該控 佈液及抑制乾燥溶劑的各自之抽吸位置;且x塗佈液噴嘴内之塗 該控制部依獅觸處财伽注雜制部 液喷嘴之前端部内的塗佈液之乾燥抑制。 乂調整該塗佈 2.如申請專利範圍第1項之液體處理裝置,复 ,構設有魏之·佈㈣嘴,可騎各瓣佈2 送 定值的輸人、騎處理及錄_ ㈣嘴進仃該設 25 201017724 3.如申請專利範圍第1或2項之液體處 值分成第1設定值、第2設定值與第3言^ * 中」該設定 從塗佈液嘴嘴之前端到該塗佈液嘴嘴$ 設定值係 面的距離,第2設定值係從該前端下端液 的二3設定值係從該前端到所抽吸之 枯炎如申明專利範圍第3項之液體處理裝置,其中,談第3 值為從該塗佈液喷嘴前端回吸抑制乾燥溶劑的距離。"叹疋 專1細第1或2項之液體處理裝置,其中,該噴嘴 槽具備該塗佈液噴嘴之塗佈液之喷吐 嗔, 抽吸孔的位置的轉動機^喷吐孔的位置與该抑制乾燥溶劑之 =佈㈣嘴於抽吸抑魏燥溶騎,關轉動機構令 該塗佈液喷嘴之塗佈液之喷吐孔的位置U 溶置’並從設於該喷嘴槽内部的抑制乾燥 今抑圍第6項之液體處理裝置,其巾,該喷嘴槽於 抽吸孔包含儲存部;且包含—流道,於令該喷 哈《4^動時使該抑制乾燥溶劑流通至該塗佈液喷嘴之塗佈液的 喷吐孔之下部所設置的塗佈液廢液流道。 二種1體處财法,财舰倾對㈣級_部所大致 ^口持之基板的表面供給塗佈液, 佈液以形成塗佈膜的液體處理; 貨^文 其特徵在於: 包含: 機的待ί該塗佈液喷嘴移動至用以令塗佈液喷嘴待 > 主液控制步驟’對於從該塗佈液喷嘴之塗佈液的喷吐動作, 26 201017724 ίίΐί液及驗佈液之抑魏燥溶_抽吸動作與抑制乾燥溶 劑的排出動作,進行注液控制; ,拍攝該塗佈液喷嘴之攝影機構所拍攝的 噴嘴影像育料,予以解析判斷;與 液喷重合於該攝影機構所得到之該塗佈 直 長度响定顯示之職值陳量尺,顯 理.’對下列二者加以比較並處 ❿ϊ f ’而在錄量尺之職值所狀的設定 9. 如申請專利範圍第8項之液體虛 步驟之該設定值的設定分成第!設定^1,‘定值„示 吸之塗佈術微_轉嘴内所抽 •端到所抽吸之抑制乾燥溶劑的下端液面的;;ί。又疋值係從該前 10. 如申請專利範圍第8項之液 制包含於抽吸抑制乾燥溶劑時 I主液控 制乾燥溶狀置轉動至抑 剤之儲存部進行抽吸。 又;喷嘴槽内口 ρ的抑制乾燥溶 八 圖式: 27
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI595591B (zh) * 2012-03-12 2017-08-11 蘭姆研究股份公司 用以處理晶圓狀物件之表面的程序及設備
CN109328114A (zh) * 2016-06-20 2019-02-12 诺信公司 用于将液体涂层涂敷到基板的方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4426403B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置
JP4982527B2 (ja) * 2009-06-08 2012-07-25 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5457384B2 (ja) * 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
TWI409597B (zh) * 2010-08-06 2013-09-21 Inotera Memories Inc 用於減少顯影劑用量之顯影劑噴灑裝置
JP5336441B2 (ja) * 2010-08-24 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5672204B2 (ja) * 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5537581B2 (ja) * 2012-03-08 2014-07-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布体の製造方法
JP6203098B2 (ja) 2013-03-29 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9527116B2 (en) * 2013-09-28 2016-12-27 General Electric Company System and method for conformal cleaning
CN104635436A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 可变温度幕状显影装置
US20150262848A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle
JP6423672B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
US9589820B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus and adjustment method
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Screenホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
US10906058B2 (en) * 2017-01-27 2021-02-02 Nordson Corporation Systems and methods for inspecting and cleaning a nozzle of a dispenser
JP6981032B2 (ja) * 2017-04-18 2021-12-15 凸版印刷株式会社 ノズルの待機方法、及び塗布装置
JP6915498B2 (ja) * 2017-10-23 2021-08-04 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
DE102018220405A1 (de) * 2017-12-06 2019-06-06 Robert Bosch Gmbh Medienauftragsvorrichtung
KR102099114B1 (ko) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7179568B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7331568B2 (ja) * 2019-09-12 2023-08-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理装置の液検出方法
JP7446920B2 (ja) 2020-05-29 2024-03-11 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
US20230255896A1 (en) * 2020-07-10 2023-08-17 Nova Thin Film Pharmaceuticals Llc Method and system for manufacturing oral soluble films, compositions of oral soluble films, oral soluble films made by thereby, and methods of use thereof
CN114302773B (zh) * 2020-08-04 2023-10-20 株式会社东芝 涂敷装置以及涂敷方法
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912663B2 (ja) * 1990-02-28 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2923044B2 (ja) * 1990-11-30 1999-07-26 東京エレクトロン株式会社 コーティング装置
JPH09145453A (ja) * 1995-11-20 1997-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光学的境界面計測装置
JP2000082646A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
US6878401B2 (en) * 2001-09-27 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
JP3993496B2 (ja) * 2001-09-27 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法および塗布処理装置
JP4024036B2 (ja) * 2001-11-06 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置の自動設定方法及びその装置
JP3741655B2 (ja) * 2002-03-04 2006-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP3889347B2 (ja) * 2002-11-18 2007-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 シール剤の塗布装置および塗布方法
JP4606234B2 (ja) * 2005-04-15 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
JP2007075722A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 生ごみ処理装置
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2008227195A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Hitachi High-Technologies Corp 液処理装置
JP4974363B2 (ja) * 2007-04-09 2012-07-11 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI595591B (zh) * 2012-03-12 2017-08-11 蘭姆研究股份公司 用以處理晶圓狀物件之表面的程序及設備
CN109328114A (zh) * 2016-06-20 2019-02-12 诺信公司 用于将液体涂层涂敷到基板的方法

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