TWI595591B - 用以處理晶圓狀物件之表面的程序及設備 - Google Patents

Description

用以處理晶圓狀物件之表面的程序及設備

本發明整體關於用以處理晶圓狀物件，如半導體晶圓之表面的程序及設備，其中一或更多處理液體係分配至晶圓狀物件之表面上。

半導體晶圓遭受各種表面處理程序，如蝕刻、清潔、研磨及材料沉積。為了提供此等程序，單一晶圓相對於一或更多處理流體噴嘴、可由與可旋轉式托架相連之夾盤支撐，例如美國專利第4903717號及和5513668號所描述之範例。

可選擇地，為環狀轉子之形式、用以支撐晶圓的夾盤可位於封閉的處理腔室中，並在沒有實際接觸的情況下，透過主動磁軸承趨動，如在國際公開號WO 2007/101764及美國專利第6485531號中所描述。

在任一類型的裝置中，當半導體晶圓被夾盤旋轉時，處理液體係分配至半導體晶圓之一或兩個主表面上。此等處理液體可例如是強氧化性組合物，例如用於清洗半導體晶圓表面之硫酸和過氧化物之混合物。此等處理液體通常亦包含於不同處理步驟之間沖洗晶圓的去離子水，且該去離子水普遍添加異丙醇，以降低晶圓上之沖洗液體的表面張力。

隨著形成於此等晶圓上之半導體裝置的尺寸持續減少，對用以處理晶圓之設備便有了新的要求。較小的裝置結構更容易受到「圖案崩壞」的影響，即當晶圓上之沖洗液體或其他處理液之表面張力過大時，不僅由於裝置尺寸降低，亦由於較小的裝置結構具有之普遍較高的深寬比所 導致的問題。

這些問題受到晶圓直徑增加之趨勢更加惡化。針對直徑為200毫米的半導體晶圓所設計之製造廠日漸被利用直徑300毫米之半導體晶圓之製造廠所取代，且已開發出用於下一代的450毫米晶圓之標準。當處理液體經過較大的晶圓直徑時，處理液體之溫度和粘度隨著離開分配點之距離而變化的可能性增加，此可造成處理效能不一致。

傳統的晶圓處理裝置，包含安裝在擺動式桿臂的分配噴嘴，俾使分配點可在整個晶圓表面移動，且包含複數可移動式噴嘴和噴淋頭，例如在美國專利第6834440及第7017281號以及美國專利申請公開第2006/0086373號所示。然而，這些方法增加了處理設施之機械複雜性，且特別是在封閉之處理腔室的情況下，移動式部件構成微粒污染之潛在來源。再者，移動式部件不見得能夠充分控制整個晶圓表面上之液體的行為及物理特性。

本發明人已經開發出用以處理晶圓狀物件之改良程序及設備，其中至少一列之固定噴嘴沿著晶圓狀物件之半徑方向配置，而每一噴嘴配有其各自之電腦控制閥。

因此，本發明在一實施態樣中，關於一種用以處理晶圓狀物件之設備，包含旋轉夾盤，該旋轉夾盤適用於夾持其上有預設直徑之晶圓狀物件，並繞著旋轉軸旋轉該晶圓狀物件，以及包含一列液體分配噴嘴之液體分配裝置。位於液體分配裝置之處理位置的噴嘴在位於旋轉夾盤上之晶圓狀物件的主表面之鄰近處開啟。噴嘴列由最靠近旋轉軸之最內部噴嘴，徑向地延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近位於旋轉夾盤上的晶圓狀物件的外圍。液體分配裝置更包含導管列，其中每一導管與對應之噴嘴列的其中一者連接。導管之每一者配有各自之電腦控制閥，使得流動通過噴嘴之每一者的液體，可獨立於流動通過任何其它噴嘴之液體而加以控制。噴嘴列之安裝方式，使得當噴嘴位於處理位置時，在與旋轉軸垂直的方向上相對於彼此為不可移動的。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配噴嘴列包含至少三個液體分配噴嘴、較佳地為3-7個液體分配噴嘴、更佳地為4-6個液體分配噴嘴、最佳地為5個液體分配噴嘴。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配裝置包含複數液體分配噴嘴列，其中該等液體分配噴嘴列之每一者，由最靠近旋轉軸之最內部噴嘴，徑向地延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近位於旋轉夾盤上的晶圓狀物件的外圍。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配裝置包含2至4個液體分配噴嘴列、且較佳地為3個液體分配噴嘴列。

根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配噴嘴列之每一者係與各自不同之液體供應端連接。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配噴嘴列之至少一者的最內部噴嘴在旋轉軸上開啟，以分配液體至位於旋轉夾盤上之晶圓狀物件的中心上。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，該設備包含圍起旋轉夾盤之處理腔室，處理腔室包含蓋件，且其中液體分配設備裝置至少部分安裝於蓋件中，使液體分配噴嘴由蓋件處以平行於旋轉軸的方向延伸進入腔室。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，提供與液體分配裝置分開的中央液體供應噴嘴，中央液體供應噴嘴在旋轉軸上開啟，以分配液體至位於旋轉夾盤上之晶圓狀物件的中心上。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，電腦控制閥之每一者係沿著其各自之導管，設置於距離其各自的液體分配噴嘴之開口部的上游之5mm-15mm處。

在根據本發明之較佳實施例的設備中，液體分配噴嘴之其中至少一者具有分配開口，其直徑不同於液體分配噴嘴之至少另外一者的分配開口之直徑。

在另一實施態樣中，本發明關於用於處理晶圓狀物件之方法，包含將晶圓狀物件放置於旋轉夾盤上、使晶圓狀物件繞著旋轉軸旋轉、 以及將第一液體經由液體分配噴嘴列分配至晶圓狀物件之表面上。噴嘴列由最靠近旋轉軸之最內部噴嘴，徑向地延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近晶圓狀物件的外圍。在分配期間，噴嘴列之每一者係由各自之電腦控制閥單獨控制，使得在分配期間流動通過該等噴嘴之每一者的液體，可獨立於流動通過任何其它噴嘴的液體而加以控制。噴嘴在整個分配期間相對於彼此呈現靜止。

在根據本發明之較佳實施例的方法中，分配步驟包含透過噴嘴列中之每一個噴嘴，分配具有相同成分之第一液體，其中電腦控制閥依序從最內部到最外部的噴嘴開啟和關閉。

在根據本發明之較佳實施例的方法中，噴嘴列包含至少三個噴嘴，且分配步驟包含首先透過噴嘴列最內部之噴嘴及與其相鄰之噴嘴同時分配第一液體，而最外部之噴嘴保持關閉狀態，且隨後經由噴嘴列最外部之噴嘴及相鄰之噴嘴同時分配第一液體，而最內部之噴嘴保持關閉狀態。

在根據本發明之較佳實施例的方法中，噴嘴列包含至少三個噴嘴，且分配步驟包含在任何特定的時間內，僅透過噴嘴列之其中一者分配第一液體。

在根據本發明之較佳實施例的方法中，透過另一噴嘴列分配第二液體。

1‧‧‧外處理腔室

2‧‧‧內蓋件

10‧‧‧圓柱形壁

12‧‧‧下部件

14‧‧‧下壁

15‧‧‧上部件

16‧‧‧排氣口

17‧‧‧動態密封件

18‧‧‧密合墊

20‧‧‧底座

21‧‧‧圓柱形壁

22‧‧‧中空軸

23‧‧‧處理液體排出口

24‧‧‧環形偏轉器構件

25‧‧‧排出管件

26‧‧‧密合墊

28‧‧‧流體介質入口

30‧‧‧旋轉夾盤

32‧‧‧定子

33‧‧‧側門

34‧‧‧圓柱形壁

36‧‧‧蓋件

38‧‧‧環形齒輪

40‧‧‧夾持構件

42‧‧‧歧管

43‧‧‧導管

44‧‧‧導管

45‧‧‧導管

46‧‧‧導管

47‧‧‧閥件

48‧‧‧內腔室

53‧‧‧噴嘴

54‧‧‧噴嘴

55‧‧‧噴嘴

56‧‧‧噴嘴

62‧‧‧液體歧管

63‧‧‧導管

67‧‧‧中央噴嘴

68‧‧‧電腦控制閥件

80‧‧‧旋轉夾盤

82‧‧‧夾持構件

84‧‧‧液壓軸

85‧‧‧軸

86‧‧‧蓋件

88‧‧‧馬達

100‧‧‧裝置

120‧‧‧環形夾盤

160‧‧‧圓柱形壁

163‧‧‧上部透明蓋件

165‧‧‧下部板

167‧‧‧下部分配管

181‧‧‧第一噴嘴列

182‧‧‧第二噴嘴列

183‧‧‧第三噴嘴列

184‧‧‧中央噴嘴

190‧‧‧定子外殼

W‧‧‧晶圓

本發明之其它目的、特徵、和優點於閱讀以下關於本發明之較佳實施例的詳細描述、參照隨附圖式後變得更顯而易見，其中：圖1為根據本發明的一個實施例之設備的解釋性透視圖；圖2為根據本發明的第二實施例之處理腔室的解釋性橫剖面側視圖，其內蓋件係顯示為位於其第一位置；圖3為根據本發明之第二實施例的處理腔室之解釋性橫剖面側視圖，其內蓋件係顯示為位於其第二位置；圖4a、4b、4c、和4d為一系列連續示意圖，呈現根據本發明之實施例的分配順序； 圖5a、5b、5c、和5d為一系列連續示意圖，呈現根據本發明之實施例的另一分配順序；圖6為根據本發明之第三實施例的處理腔室之解釋性橫剖面側視圖，其內蓋件及外蓋件係顯示為位於其第一位置；以及圖7為根據本發明之第三實施例的處理腔室之解釋性橫剖面側視圖，其內蓋件及外蓋件係顯示為位於其第二位置。

現將參照圖1，該圖呈現根據本發明之第一實施例之用以處理晶圓狀物件之表面的設備。圖1所示之整體結構類似於共同擁有美國專利申請公開第2011/0253181號(對應於WO 2010/113089)之圖2a-2f所示之設備。在圖1中，裝置100包含腔室，係由下部板165、上部透明蓋件163、以及延伸於下部板及上部透明蓋件間之圓柱形壁160所界定。位於腔室內之環形夾盤120係配合定子磁性懸浮及旋轉，該定子圍繞腔室並由定子外殼190圍起。

下部分配管167係穿過腔室之下部板165。參考數字181表示具有四個以徑向設置之噴嘴的第一列，該等噴嘴用以供應酸(例如氫氟酸)至晶圓W之上表面。噴嘴181之每一者穿過透明蓋件163，且在其下端開口處具有一孔口進入腔室。具有四個以徑向設置之噴嘴的第二列182供應一鹼性液體(例如氨水與過氧化氫SCl)。具有四個以徑向設置之噴嘴的第三列183供應去離子水。

與噴嘴列181、182、183分離的單一中央噴嘴184供應第四液體(例如異丙醇)。

在圖2所示的實施例包含外處理腔室1，其係較佳地由塗有PFA(全氟烷氧基)樹脂之鋁所製成。本實施例中之腔室具有主要圓柱形壁10、下部件12和上部件15。從上部件15延伸出更窄的圓柱形壁34，該圓柱形壁係由蓋件36所封閉。

旋轉夾盤30係設置於腔室1之上部，且由圓柱形壁34所包圍。在使用該設備期間，迴轉夾盤30以可旋轉的方式支撐晶圓W。旋轉夾 盤30結合一包含環形齒輪38之旋轉驅動器，環形齒輪38嚙合並驅動複數可偏心移動式夾持構件，以選擇性地接觸及釋放晶圓W之外圍邊緣。

在此實施例中，旋轉夾盤30為一環形轉子，設置相鄰於圓柱形壁34之內表面。定子32係設置相對於環形轉子，相鄰於圓柱形壁34之外表面。轉子30和定子34作用為馬達，藉此環形轉子30(且從而其支撐之晶圓W)可透過主動磁性軸承旋轉。舉例而言，定子34可包含複數可受主動控制之電磁線圈或繞線，以透過設置在轉子上之對應的永久磁體，轉動式地驅動旋轉夾盤30。旋轉夾盤30之軸向及徑向軸承亦可藉由主動控制定子或由永久磁體加以實施。因此，旋轉夾盤30在無機械接觸下，可呈現懸浮且旋轉式驅動。可替代地，轉子可由被動軸承所握持，其中轉子之磁體係由對應之高溫超導磁體(HTS磁體)所握持，該等高溫超導磁體係沿著腔室外之外轉子之周圍上設置。以此替代性實施例，環形轉子之每一磁體係固定至其對應的外轉子之HTS磁體。因此，即使沒有實質連接，內轉子仍進行與外轉子相同的移動。

蓋件36具有安裝於其外部上之歧管42，該歧管供應一系列之導管43-46，該等導管穿過蓋件36並止於對應的噴嘴53-56，噴嘴53-56之開口相鄰於晶圓W之上表面。吾人將注意到，本實施例中之晶圓W由旋轉夾盤30處向下懸掛、由夾持構件40所支撐，俾使通過噴嘴53-56供應之流體撞擊面向上方之晶圓W的表面。

每個導管43-46配有其各自之閥件47，為求清楚，其中僅有一者標記於圖2中。閥件47係各自由電腦所控制，此將於下文中更詳細描述。

獨立之液體歧管62經由導管63將液體供應至單一的中央噴嘴67。導管63配有自己的電腦控制閥件68。

在晶圓W為半導體晶圓之情況下，例如直徑為300mm或450mm者，晶圓W之向上面可為晶圓W之裝置面或正面，此係取決於晶圓如何置於旋轉夾盤30上，此又取決於在腔室1內所進行之特定處理。

若期望時，噴嘴53-56及67可安裝以相對於彼此及蓋件36作軸向移動，然而，該等噴嘴係較佳地為固定式，因為在軸向方向移動並 沒有任何特別的優勢，且因為此移動會構成於腔室內部之微粒污染的潛在來源。

相似地，當蓋件36自設備1中移除時，噴嘴53-56之徑向位置為可調整的；然而，在如圖2所示之處理位置時，該等噴嘴53-56在相對於彼此或相對於蓋件36之徑向方向上係不可移動。此固定式安裝類似地防止腔室周圍之微粒污染。此外，由於根據本發明之噴嘴配置及獨立閥件之排列，已不需要使噴嘴在晶圓W之徑向移動。雖然在圖2中之噴嘴53-56設置於腔室1內，但噴嘴亦可能配置於蓋件內，俾使噴嘴之孔口與蓋件36之內表面齊平。在該情況下，相連之導管43-46和閥件47將配置於腔室1之外側、蓋件36內部或上方。

圖2之設備更包含內蓋件2，相對於處理腔室1為可移動式。內蓋件2如圖2所示，係為其第一或開啟位置，其中旋轉夾盤30與腔室1之外圓柱形壁10相連接。在本實施例中蓋件2整體為杯形，包含底座20，由直立的圓柱形壁21所包圍。蓋件2更包含中空軸22，以支承底座20、並穿過腔室1之下壁14。

中空軸22係由形成於主腔室1內之套筒12所包圍，且此等元件係透過動態密封件連接，此動態密封件使中空軸22相對於套筒12可位移，同時維持腔室1內之氣密密封。

圓柱形壁21之頂部裝設一環形偏轉器構件24，在其向上面之表面上夾帶密合墊26。蓋件2較佳地包含一流體介質入口28穿過底座20，而使處理流體和沖洗液體可被引入至腔室，到達面向下的晶圓W之表面上。

蓋件2更包含處理液體排出口23，此開啟成為排出管件25。管件25牢固地安裝在蓋件2之底座20上時，其通過動態密封件17穿過腔室1之下壁14，使管件可相對於下壁14軸向滑動，同時維持氣密密封。排氣口16穿過腔室1之壁10，並連接至適當之排氣導管(未顯示於圖中)。

圖2所示之位置對應於晶圓W之裝載或卸載。特定地，晶圓W可藉由移除蓋件36裝載至旋轉夾盤30上，或更佳地，經由腔室壁10中之側門33為之。然而，當蓋件36在適當的位置且當側門33已關閉時， 腔室1係為氣密狀態，且可維持已界定之內部壓力。

在圖3中，內蓋件2已移動至其第二，或關閉位置，該位置對應於晶圓W之處理。換言之，晶圓W裝載至旋轉夾盤30上後，蓋件2藉由在中空軸22上作用之合適馬達(未顯示)，相對於腔室1向上移動。內蓋件2之向上運動持續進行，直到偏轉器構件24接觸到腔室1之上部件15的內表面。特定地，由偏轉器24夾帶之密合墊26靠著上部件15之底面密封，而由上部件15夾帶之密合墊18靠著偏轉器24之上表面密封。

當內部蓋件2到達其如圖3所示之第二位置時，因此在封閉的處理腔室1內產生第二腔室48。再者，內腔室48係以氣密方式於腔室1之其餘部分外密封。

在晶圓之處理期間，處理流體可經由噴嘴53-56，67及/或28加以導引至旋轉之晶圓W以執行各種處理，如蝕刻、清洗、沖洗，和任何其它對於處理中之晶圓的所期望之表面處理。

舉例來說，在圖4a-4d中，噴嘴53-56之閥件47受控制，以使分配之液體在整個晶圓之上表面產生徑向刮掃動作，如可以傳統桿臂實施者，但沒有和移動式噴嘴組件相關之缺點。在圖4a中，與徑向最內部之噴嘴56相連之閥件47為開啟狀態，而與噴嘴53-55相連之閥件47為關閉狀態。因此，液體僅可透過噴嘴56分配。在預設之時間間隔後，此時間間隔可為短如數毫秒或長如數秒鐘，噴嘴56之閥件47關閉且下一個相鄰噴嘴55之閥件47幾乎隨即開啟，如圖4b所示。藉由在預定的時間間隔後關閉噴嘴55及開啟噴嘴54而重複該程序，如圖4c所示。接著，徑向最外側或外圍之噴嘴53開啟而噴嘴54關閉，如圖4d所示。

可依相反的順序重複此順序，以造成分配液體從週邊朝向晶圓之中心「刮掃」。

開啟及關閉閥件47之另一種順序係顯示於圖5a-5d，從中可看出噴嘴53-56係成對地開啟和關閉。換言之，徑向最內部的噴嘴56及下一個相鄰之噴嘴之閥件47一起開啟，如圖5a所示，而噴嘴53和54之閥件47保持關閉。接著，關閉噴嘴56之閥件的同時，開啟噴嘴54之閥件，而噴嘴55之閥件保持開啟狀態(如圖5b)。重覆此順序，以開啟噴嘴53和 54(如圖5c)，其後可依期望反轉該順序，如圖5d所示，此實際上係為與圖5b相同之閥件狀態。此替代順序能夠「刮掃」晶圓表面，同時在任何特定的時間內接觸相對較大的晶圓面積。

上述範例使熟悉本領域之技術者了解，根據本發明之設備和方法可根據特定處理要求，進行液體流動之大幅度調整。換言之，藉由適當選擇每列中之噴嘴數目、噴嘴孔口之直徑(此可為相同或不同)、以及每個噴嘴之閥件開啟之期間及相鄰噴嘴的開啟時間之重疊(若有的話)之程度等，可取得比傳統的設備和技術更均勻的蝕刻結果。換言之，例如在晶圓中心的蝕刻速度(以奈米/分鐘或埃/分鐘表示)與在邊緣附近者可為幾乎相同的。

圖6和圖7顯示本發明之第三實施例，其中第一實施例之腔室設計係適用於與旋轉夾盤一起使用，晶圓W係安裝於夾盤之上側，夾盤藉由馬達對於中心軸之作用而旋轉。

特定地，當內蓋件2位於圖7所示之裝載/卸載位置時，晶圓W裝載至旋轉夾盤80上，且晶圓W係由夾持構件82固定在相對於夾盤80之預定方位。藉由移除蓋件86可接觸夾盤80，藉由將蓋件以馬達88之液壓軸84方向平移及旋轉，如圖7之箭頭所示，蓋件86可垂直和水平移動。

蓋件86接著旋轉回到其位於晶圓上方之位置，且係下降以便密封外腔室，如圖7所示。腔室內蓋件2接著移動至其第二位置，如圖7所示且如與第二實施例相關之上文所述，以界定內腔室48。

在此實施例中，可看出旋轉夾盤80可相對於內蓋件2垂直移動，使其可提高至腔室48內之最佳處理位置。旋轉夾盤80接著由作用於軸85上之馬達(圖中未示出)所旋轉。

可選擇地，蓋件86可在液體供應期間保持開啟狀態。在此情況下，蓋件86可以由攜帶該複數噴嘴列之媒介臂取代。

100‧‧‧裝置

120‧‧‧環形夾盤

160‧‧‧圓柱形壁

163‧‧‧上部透明蓋件

165‧‧‧下部板

167‧‧‧下部分配管

181‧‧‧第一噴嘴列

182‧‧‧第二噴嘴列

183‧‧‧第三噴嘴列

184‧‧‧中央噴嘴

190‧‧‧定子外殼

W‧‧‧晶圓

Claims (19)

1. 一種用以處理晶圓狀物件之設備，包含：一旋轉夾盤，該旋轉夾盤用於夾持具有預設直徑之晶圓狀物件於其上，並使該晶圓狀物件繞著旋轉軸旋轉；以及一液體分配裝置，包含一液體分配噴嘴列，其中位於液體分配裝置之處理位置的該等噴嘴在位於該旋轉夾盤上之晶圓狀物件的面向上方之主表面之鄰近處開啟，且其中該噴嘴列由最靠近該旋轉軸之最內部噴嘴，徑向地延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近位於該旋轉夾盤上的晶圓狀物件的外圍，該液體分配裝置更包含導管列，該等導管之每一者與對應之該噴嘴列的其中一者連接，其中該等導管之每一者配有各自之電腦控制閥，使得流動通過該等噴嘴之每一者的液體，可獨立於流動通過任何其它噴嘴之液體而加以控制，其中該噴嘴列之安裝方式，使得當該等噴嘴位於該處理位置時，在與該旋轉軸垂直的方向上相對於彼此為不可移動的。
2. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配噴嘴列包含至少三個液體分配噴嘴。
3. 如申請專利範圍第2項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配噴嘴列包含3-7個液體分配噴嘴。
4. 如申請專利範圍第3項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配噴嘴列包含4-6個液體分配噴嘴。
5. 如申請專利範圍第4項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配噴嘴列包含5個液體分配噴嘴。
6. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配裝置包含複數該液體分配噴嘴列，其中該等液體分配噴嘴列之每一者，由最靠近該旋轉軸之最內部噴嘴徑向延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近位於該旋轉夾盤上的晶圓狀物件的外圍。
7. 如申請專利範圍第6項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配裝置包含2至4個液體分配噴嘴列。
8. 如申請專利範圍第7項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該液體分配裝置包含3個液體分配噴嘴列。
9. 如申請專利範圍第6項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該等液體分配噴嘴列之每一者係與各自不同之液體供應端連接。
10. 如申請專利範圍第6項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該等液體分配噴嘴列之至少一者的該最內部噴嘴在該旋轉軸上開啟，以分配液體至位於該旋轉夾盤上之晶圓狀物件的中心上。
11. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，更包含圍起該旋轉夾盤之處理腔室，該處理腔室包含蓋件，且其中該液體分配裝置至少部分安裝於該蓋件中，使該等液體分配噴嘴由該蓋件處以平行於該旋轉軸的方向延伸進入該腔室。
12. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中更包含與該液體分配裝置分開的中央液體供應噴嘴，該中央液體供應噴嘴在該旋轉軸上開啟，以分配液體至位於該旋轉夾盤上之晶圓狀物件的中心上。
13. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該等電腦控制閥之每一者係沿著其各自之導管，設置於距離其各自的液體分配噴嘴之開口部的上游之5mm-15mm處。
14. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件之設備，其中該等液體分配噴嘴之其中至少一者具有分配開口，其直徑不同於該等液體分配噴嘴之 至少另外一者的分配開口。
15. 一種用於處理晶圓狀物件之方法，包含將晶圓狀物件放置於旋轉夾盤上、使該晶圓狀物件繞著旋轉軸旋轉、以及將第一液體經由液體分配噴嘴列分配至該晶圓狀物件的面向上方之表面上，其中該噴嘴列由最靠近該旋轉軸之最內部噴嘴，徑向地延伸至最外部噴嘴，該最外部噴嘴係最靠近該晶圓狀物件的外圍，其中在該分配期間，該噴嘴列之每一者係由各自之電腦控制閥單獨控制，使得在分配期間流動通過該等噴嘴之每一者的液體，可獨立於流動通過任何其它噴嘴之液體而加以控制，且其中該等噴嘴在整個該分配期間相對於彼此呈現靜止。
16. 如申請專利範圍第15項之用於處理晶圓狀物件之方法，其中該分配步驟包含透過該噴嘴列中之每一個噴嘴，分配具有相同成分之第一液體，其中從該最內部噴嘴到該最外部噴嘴依序開啟和關閉該等電腦控制閥。
17. 如申請專利範圍第15項之用於處理晶圓狀物件之方法，其中該噴嘴列包含至少三個噴嘴，且其中該分配步驟包含首先透過該噴嘴列之該最內部噴嘴及與其相鄰之噴嘴同時分配第一液體，而該最外部噴嘴保持關閉狀態，且隨後經由該噴嘴列之該最外部噴嘴及相鄰之噴嘴同時分配該第一液體，而該最內部噴嘴保持關閉狀態。
18. 如申請專利範圍第15項之用於處理晶圓狀物件之方法，其中該噴嘴列包含至少三個噴嘴，且其中該分配步驟包含在任何特定的時間內，僅透過該噴嘴列之其中一者分配第一液體。
19. 如申請專利範圍第15項之用於處理晶圓狀物件之方法，更包含透過另一該噴嘴列分配第二液體。