TW201014927A - Etchant for titanium-based metal, tungsten-based metal, titanium-tungsten-based metal or nitrides thereof - Google Patents

Description

201014927 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系*金屬或該等 之氮化物的鈾刻液。本發明尤其有關相對於鈦系金屬、鎢 系金屬、鈦鎢系金屬以外之金屬之鈦系金屬、鎢系金屬、 鈦鶴系金屬或該等之氮化物之選擇触刻性優異之餓刻液。 _ 【先前技術】 屬於鈦系金屬的金屬鈦（Ti )、氮化鈦（TiN )或鈦 合金已被使用作爲半導體裝置、液晶顯示器、MEMS (微 電子機械系統）裝置、印刷電路基板等之貴金屬或鋁（A1 )、銅（Cu)電路之底層、覆蓋層。又，亦被使用於半導 體裝置中作爲阻障金屬、閘極金屬。 一般的鈦系金屬的蝕刻，已知有利用氫氟酸/硝酸混 合液、過氧化氫/氫氟酸混合液進行處理之方法，但由於 φ 該等含有氫氟酸故有亦會侵蝕矽基板或玻璃基板之缺點。 又’亦有將裝置中存在的A1電路等耐腐蝕性較弱金屬也 同時蝕刻掉的問題。 爲了改善該等液體的缺點，已揭示有過氧化氫/氨 /EDTA (乙二胺四乙酸）混合液以及過氧化氫/磷酸鹽混合 液（專利文獻1、2 )。然而，該等對鈦系金屬的蝕刻速率 小且過氧化氫的分解迅速而無法安定地蝕刻，故作爲改良 該等液體者，已提案有由過氧化氫/磷酸/氨混合液所構成 之蝕刻液（專利文獻3 )。然而，此蝕刻液雖改善了蝕刻 -5- 201014927 速率但蝕刻液卻會激烈發泡，故會在基板表面上附著氣泡 ，而有附著氣泡之部分無法進行触刻之缺點。又，亦有因 過氧化氫發泡、分解導致蝕刻速率的降低變大的問題。該 混合物雖已以氨調整至指定的pH後使用，但以pH的少 許差異改變蝕刻速率及發泡狀態，亦有蝕刻條件的安定性 方面的問題。 另一方面，作爲含有過氧化氫之洗淨液已揭示有於過 g 氧化氫/氨/水中包含有機酸銨鹽之半導體洗淨液（專利文 獻4)。然而，該半導體洗淨液爲使於半導體製造步驟中 去除基板上所附著之微粒子等之污染物之洗淨液，雖記載 有使摻雜氧化膜與非摻雜氧化膜之蝕刻速率較小，但有關 鈦系金屬之蝕刻全然未記載。又，專利文獻5中，揭示含 有過氧化氫/羧酸鹽/水之光阻劑殘渣剝離用組成物。此組 成物目的係用以剝離光阻劑灰化後之光阻劑殘渣，非以鈦 系金屬之蝕刻作爲對象。 φ 又’鎢或鎢合金已使用於液晶顯示器、半導體裝置之 薄膜電晶體之閘極、電路、障壁層或接觸孔、貫通孔（ via hole)之埋入。且於MEMS (微機電系統）領域中， 亦已利用作爲鎢加熱器。 鎢或鎢合金大多藉CVD或濺鍍法予以成膜。但以該 等方法成膜之際，亦會附著於半導體裝置在其實際的元件 形成部以外之基板（晶圓）背面、基板（晶圓）邊緣、成 膜裝置外壁'排氣管內等’而有其等剝離且於元件形成部 發生異物之問題。作爲其對策之一，有利用蝕刻液去除不 -6 - 201014927 需要的膜。此異物對策以外，亦期望於半 顯示裝置、MEMS裝置之製造步驟中，以 更優異的濕蝕刻對鎢或鎢合金進行加工。 半導體裝置程度的加工精度之液晶顯示器 適用濕蝕刻法。 作爲鎢系金屬的蝕刻液、去除液，廣 酸與硝酸之混合液（非專利文獻1等）， _ 溶解矽基板或二氧化矽膜、玻璃基板而不 時蝕刻裝置中所存在之A1電路等耐蝕性 。另一方面，以過氧化氫水爲主成分之蝕 專利文獻6〜9等，於專利文獻9中已詳述 氫爲主的蝕刻液的問題點。據此記載有蝕 隨著鎢溶解pH產生變動的結果，蝕刻速 擇性惡化。再者，亦記載有若鎢被溶解則 速度將大幅增大。作爲解決該等問題者雖 φ 氫中添加唑（專利文獻8 )，但過氧化氫 足，鈾刻速率並不穩定。如上述，以過氧 成分的蝕刻液，於現狀中實用上尙未具鎢 、鎢的蝕刻選擇性大、液體壽命長者。 專利文獻

專利文獻1:特開平08-013166號公_ 專利文獻2:特開2000-311891號公H 專利文獻3:特開2005-146358號公H 專利文獻4:特開平10-284452號公H 導體裝置、液晶 比乾蝕刻生產性 尤其於不要求如 、MEMS裝置則 泛已知有氟化氫 但該等由於亦會 佳。又，亦有同 弱之金屬的問題 刻液已見於例如 歸納以往過氧化 刻速度變慢、伴 率變動使蝕刻選 過氧化氫的分解 已公開於過氧化 之分解抑制尙不 化氫水作爲主要 的蝕刻速率安定 201014927 專利文獻5 :特開2005- 1 83 52 5號公報 專利文獻6 :特開昭62_ 1 43422號公報 專利文獻7 :特開平8-250462號公報 專利文獻8 :特開2002-53 984號公報 專利文獻9 :特開2004-3 1 79 1號公報 非專利文獻 非專利文獻1:監修坂本正典、發行者島健太郎「半 p 導體製造製程材料及化學品」，2006年9月30日發行第 —版，第144頁。 【發明內容】 [發明欲解決的課題] 本發明係消除如上述之問題點者，而提供可藉由減少 蝕刻時之蝕刻液發泡而減低蝕刻對象物之不均一蝕刻，且 蝕刻速率安定之鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等 φ 之氮化物的蝕刻液。再者，可提供不腐鈾基板而對於鈦系 金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物之蝕刻選擇 性優於鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬以外的金屬之蝕 刻液。 [用以解決課題之手段] 本發明人等爲解決上述課題而重複積極硏究之結果， 發現若使用含有過氧化氫及有機酸鹽之水溶液，則可減少 蝕刻液之發泡且可以減低蝕刻對象物之不均一蝕刻且飩刻 -8 - 201014927 速率安定。且發現若使用本發明之鈾刻液，並不會鈾刻鎳 、銅、鋁等之其他金屬或基板材料（玻璃、矽、氧化矽、 氮化矽），而可選擇性地蝕刻鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢 系金屬或該等之氮化物，因而完成本發明。 亦即，本發明包含下列所述者。 π] —種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之 氮化物的蝕刻液，其特徵爲包含10〜40質量％之過氧化氫 g 、0.1〜15質量％之有機酸鹽及水。 [2] —種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之 氮化物的蝕刻液，其特徵爲僅由10〜40質量％之過氧化氫 、0.1〜15質量％之有機酸鹽及水所構成。 [3] 如[1]所述之鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或 該等之氮化物的蝕刻液，其進而包含0.005~4.5質量％之 氨。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述之鈦系金屬、鎢系金屬 φ 、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中上述有機酸 鹽爲選自檸檬酸、甲酸、草酸、乙酸、酒石酸、苯甲酸及 琥珀酸之銨鹽之至少一種。 [5] 如[4]所述之鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或 該等之氮化物的蝕刻液，其中上述有機酸之銨鹽爲選自檸 檬酸氫二銨、檸檬酸三銨、草酸銨、甲酸銨、乙酸銨之至 少一種。 [6] 如[1]至[5]中任一項所述之鈦系金屬、鎢系金屬 、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中鈦系金屬或 -9 - 201014927 其氮化物相對於 A1、Ni、Cu、Cr、Ru、Ta、Si 元素作爲主成分之合金之蝕刻速率比爲20以上 [7] 如[1]至[5]中任一項所述之鈦系金屬、 、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中叙 其氮化物相對於玻璃、矽、氧化矽或氮化矽之創 爲2 0以上。 [8] —種電子裝置之製造方法，該方法具有 [7]中任一項所述之蝕刻液蝕刻鈦系金屬、鎢系金 系金屬或該等之氮化物之步驟。 [發明效果] 本發明之蝕刻液，由於對鈦系金屬、鎢系金 系金屬或該等之氮化物之選擇蝕刻性比對鈦系金 金屬、欽鎢系金屬以外之金屬或基板材料（玻璃 化砂）之蝕刻選擇性優異，且發泡較少，故使用 • 0 鈾刻液可對鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或 化物進行均一地鈾刻。 【實施方式】 以下詳細說明本發明。 本發明之欽系金屬、鶴系金屬、欽鶴系金屬 氮化物的蝕刻液係由含有過氧化氫及有機酸鹽類 所構成。 過氧化氫在蝕刻液中含有1 0〜40質量％ 或以該等 鎢系金屬 系金屬或 刻速率比 藉由[1]至 屬、鈦鎢 屬、駄鶴 屬、鶴系 、砂、氧 本發明之 該等之氮 或該等之 之水溶液 ，更好爲 -10 - 201014927 15〜35質量％，又更好爲20~35質量％。過氧化氫之濃度低 於10質量％時，鈦或鎢、鈦鎢合金之蝕刻速率變低而不實 用。另一方面，當過氧化氫之濃度高於40質量％時’過氧 化氫之分解變多而不實用。 本發明中可用的有機酸鹽並無特別限制，但在不需要 金屬雜質之半導體等電子裝置之製造步驟中使用有機酸鹽 時’更好使用銨鹽。 有機酸鹽在蝕刻液中含有0.1〜15質量％，更好爲含有 1〜10質量％，又更好爲含有3~8質量％。有機酸鹽之濃度 低於0.1質量％時，蝕刻速率變低，而不實用。另外，即 使該濃度高過1 5質量％時，蝕刻速率亦無法大幅提升。 至於有機酸鹽並無特別限制，可舉例爲檸檬酸、甲酸 、草酸、乙酸、酒石酸、琥珀酸、蘋果酸、馬來酸、丙二 酸、戊二酸、己二酸、D-聚葡萄糖酸、衣康酸、檸康酸、 中康酸、2-氧代戊二酸、偏苯三酸、菌多酸（endothal ) 、谷胺酸、甲基琥珀酸、檸蘋酸（Citramalic acid )等之 鹽。本發明者針對鈦系金屬、鎢系金屬或該等之氮化物評 價蝕刻特性之結果，發現蝕刻液係中性比酸性可獲得高的 蝕刻速率之傾向。因而使用有機酸鹽。較好爲使用檸檬酸 、甲酸、草酸、乙酸、酒石酸、琥珀酸之鹽，更好爲使用 檸檬酸氫二銨、檸檬酸三銨、草酸銨、甲酸銨、乙酸銨。 該等可單獨使用.，亦可組合兩種以上使用。另外，有機酸 銨鹽可作爲有機酸敍鹽本身使用，亦可在蝕刻液中使有機 酸與氨反應使用，並沒有任何限制。 -11 - 201014927 爲提高鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之氮 化物的蝕刻速率可依據需要添加氨。添加氨時，蝕刻液中 之濃度爲0·005~4.5質量％’更好爲0.05〜2質量％，又更 好爲0.1 ~0.5質量％之範圍。氨之濃度高於4.5質量％時， 可提昇鈦系金屬、鎢系金屬或此等之氮化物的蝕刻速率， 但裝置中存在之Α1等容易被鹼腐蝕的金屬被蝕刻而不佳 〇 _ 由於上述組成之本發明蝕刻液對鈦系金屬、鎢系金屬 9 、鈦鎢系金屬或此等之氮化物蝕刻時發泡少，因此可進行 均勻蝕刻。另外，本發明之蝕刻液對鈦系金屬、鎢系金屬 、鈦鎢系金屬以外之金屬或基板材料（玻璃、矽、氧化矽 、氮化矽）之蝕刻速率小，相對於此鈦系金屬、鎢系金屬 、鈦鎢系金屬或此等之氮化物之選擇蝕刻性（鈦系金屬、 鎢系金屬或此等之氮化物之蝕刻速率相對於鈦系金屬、鎢 系金屬以外之金屬或基板材料（玻璃、矽、氧化矽、氮化 ❹ 矽）之蝕刻速率之比）爲20以上爲佳。又，本發明之蝕 刻液在不影響蝕刻特性之範圍內亦可添加上述以外之各種 成分，例如潤濕劑、界面活性劑、著色劑、抗發泡劑、有 機溶劑等。 本說明書中所謂的鈦系金屬，除金屬鈦（Ti )以外， 意指含有鈦作爲主成分（70質量％以上）之合金。又，所 謂鈦系金屬之氮化物意指金屬鈦或鈦合金之氮化物，典型 之例舉例爲氮化鈦。鈦合金之具體例舉例爲矽化鈦（Ti Si )。同樣的所謂鎢系金屬，除金屬鎢（W )以外，意指含 -12- 201014927 有鎢作爲主成分（70質量％以上）之合金。又，所謂鎢系 金屬之氮化物意指金屬鎢或鎢合金之氮化物。典型之例舉 例爲氮化鎢。鎢合金之具體例舉例爲鎢化鉬（MoW )、矽 化鎢（WSi )等。 又，本說明書中，所謂鈦鎢系金屬意指包含鈦與鎢二 者，且二者之合計爲70質量％以上之合金。另外，鈦鎢系 金屬之氮化物意指該等鈦鎢系合金之氮化物。 _ 對該等鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬於基板上之 p 成膜方法並無特別限制，可使用CVD、濺鍍、蒸鍍法之任 —種方法，又成膜條件亦無限制。且，本說明書中所謂的 鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬以外之金屬係指Al、Ni 、Cu、Cr ' Ru、Ta、Si或以該等元素之任一種作爲主成 分（70質量％以上）（包含複數元素時其合計量爲70質 量％以上）之合金，亦包含具有其他元素者。 使用上述鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之 φ 氮化物之裝置並無特別限制，可使用於全部電子裝置中。 該等電子裝置舉例爲液晶顯示器、半導體裝置、MENS裝 置、印刷電路基板、有機EL顯示器、場發射顯示器、電 子紙、電漿顯示器等。本發明所謂的蝕刻意指利用蝕刻顯 像之全部者’且當然包含將鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系 金屬圖型化者’亦包含洗淨去除鈦系金屬或鎢系金屬、鈦 鎢系金屬之殘留物等之用途。亦包含於最終製品中雖未殘 留鈦或鎢、鈦鎢合金’但在製造製程過程中使用鈦系金屬 或鎢系金屬、鈦鎢系金屬’使鈦系金屬或鎢系金屬、鈦鎢 -13- 201014927 系金屬全部溶解於蝕刻液中而去除者。 以本發明之鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系 之氮化物的蝕刻液處理，通常係藉由浸漬法進 方法亦可以例如噴佈法、旋轉蝕刻法等處理。 理之條件係依據過氧化氫濃度、有機酸銨鹽之 、鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或此等之 厚等而不同，無法槪略規定，但一般的處理溫 °C，更好爲30〜60°C。該等處理可邊施加超音丨 實施例 以下列舉實施例及比較例具體說明本發明 並不受下列敘述限制。

Ti、W及A1之蝕刻速率之測定 以濺鍍設備將Ti、W及A1分別成膜（膜丨 φ )於LCD (液晶顯示器）用無鹼玻璃基板上之 及A1膜之樣品基板，切成約0.5cm見方，獲 於100毫升燒杯中注入20毫升下表1所示；： 比較例之組成之蝕刻液，且加熱至5 0 °C。將 、W、A1膜之樣品片各一片同時投入該蝕刻液 視觀察各濺鍍膜全部消失之時間。由進行同樣 結果分別計算出Ti、W及A1之蝕刻速率之平 中彙整顯示各實施例、比較例之蝕刻速率。表 各蝕刻液之構成成份以外爲水（超純水）。又 金屬或該等 行，但其他 以浸漬法處 種類或含量 氮化物之膜 度爲20〜80 艺邊進行。 ，但本發明 學各爲50nm 貼附Ti 、 W 得樣品片》 各實施例及 上述貼附Ti 中，且以目 測定3次之 [均値。表1 1中所示之 ，各實施例 -14- 201014927 及比較例之蝕刻液係KISHID A化學製特級品之3 5質量％ 之過氧化氫水，關東化學製造之EL級之28質量％之氨水 ，使用市售有機酸銨依據需要以超純水調製成各組成。

Ti、W及A1以外之金屬蝕刻速率之測定 除以 Ni、Cu、Cr、Ru、Ta、Si 替代 Ti、W 及 A1 成 爲濺鍍膜之材質以外，餘與上述Ti、W、A1之蝕刻速率之 i 測定相同，使用貼附Ni、Cu、Cr、Ru、Ta、Si膜之樣品 片進行測定，計算出蝕刻速率。下表2中顯示使用實施例 1、2、3之組成之蝕刻液測定之結果。

Ti蝕刻速率變化之測定 於100毫升之燒杯中注入20毫升表1之實施例1之 組成之蝕刻液，且加熱至50°C。將一片貼附Ti膜之樣品 片投入維持於50°C之蝕刻液中。以該樣品片投入時作爲起 _ 始點（0時），隨後一邊維持在50°C之溫度一邊每一小時 投入一片貼附Ti膜之樣品片，且測定至6小時後之鈾刻 速率。另外，蝕刻速率之測定方法與前述之方法相同。比 較例使用過氧化氫30質量％、磷酸0.3質量％，氨0.02質 量％，超純水69.68質量％之蝕刻液（比較例3 )，進行同 樣之試驗。其結果不於圖1中。 蝕刻液之發泡狀態之觀察 準備表1之實施例1組成之鈾刻液，維持在恆溫50°c -15- 201014927 下。將切成〇.5cm見方之貼附Ti膜（厚度50nm)之樣品 片浸漬於該蝕刻液中一分鐘。以照相攝影自此時液體之發 泡狀態。又，至於比較例，使用過氧化氫30質量％、磷酸 0.3質量％，氨〇.〇2質量％，超純水69.68質量％之蝕刻液 (比較例3)，同樣的評估發泡狀態。結果示於圖2、3中

TiW蝕刻速率變化之測定 於50毫升之燒杯中注入20毫升表1之實施例12之 組成之蝕刻液，且加熱至45 °C。將一片貼附TiW膜之矽 晶圓片（約〇.5cm見方，W膜厚200nm )投入維持於45°C 之蝕刻液中。以該樣品片投入時作爲起始點（0時），隨 後一邊維持在45 °C之溫度下一邊每6小時投入一片貼附 TiW膜之樣品片，且測定至66小時後之蝕刻速率。又， 蝕刻速率之測定方法與前述之方法相同。作爲比較例，使 用過氧化氣3 0質量％、超純水7 0質量％之蝕刻液（比較 例2)，進行同樣之試驗。其結果示於圖4。又，TiW之 組成係使用包含10質量％之Ti、90質量％之W者。 -16- 201014927 表1

H2〇2 (Mm%) nh3 (質量％) 有機酸/有榜 !酸鹽 蝕刻速率(nm/min) 選擇性 mm 濃度 質量％ Ti W A1 Ti/Al W/Al 實 施 例 1 30 0.1 檸檬酸三銨 5.0 100 375 <1.0 >100 >375 2 30 0.1 甲酸銨 5.0 91 250 1.4 65 179 3 30 0.1 草酸銨 5.0 83 333 1.1 75 302 4 30 0.01 乙酸銨 5.0 60 600 <1.0 >60 >600 5 30 0.1 酒石酸銨 5.0 64 250 <1.0 >64 >250 6 30 0.1 苯甲酸銨 5.0 55 300 <1.0 >55 >300 7 30 0.1 琥珀酸銨 5.0 75 333 <1.0 >75 >333 8 20 0.1 檸檬酸三銨 5.0 75 300 <1.0 >75 >300 9 20 0.5 檸檬酸三銨 3.0 86 800 3.8 23 211 10 30 2.0 檸檬酸氫二銨 5.0 250 800 4.0 63 200 11 30 0.1 檸檬酸三銨 15 75 375 <1.0 >75 >375 12 30 0.0 檸檬酸三銨 5.0 55 300 <1.0 >55 >300 13 30 0.0 甲酸銨 5.0 60 215 <1.0 >60 >215 14 30 0.0 草酸銨 5.0 33 231 <1.0 >33 >231 15 30 0.0 乙酸銨 5.0 60 300 <1.0 >60 >300 16 30 0.0 酒石酸銨 5.0 25 200 <1.0 >25 >200 17 30 0.0 苯甲酸銨 5.0 33 200 <1.0 >33 >200 18 30 0.0 琥珀酸銨 5.0 55 300 <1.0 >55 >300 19 30 0.0 檸檬酸三鉀 5.0 50 300 <1.0 >50 >300 20 30 0.0 檸檬酸三鈉 5.0 50 300 <1.0 >50 >300 21 30 0.0 草酸鈉 5.0 23 200 <1.0 >23 >200 22 30 0.0 乙酸鈉 5.0 50 300 <1.0 >50 >300 23 30 0.0 苯甲_ 5.0 24 200 <1.0 >24 >200 24 30 0.0 苯甲酸鈉 5.0 25 200 <1.0 >25 >200 25 30 0.1 檸檬酸三銨 0.5 67 210 <1.0 >67 >65 26 15 0.2 檸檬酸三銨 5.0 51 180 <1.0 >51 >180 比較 例 1 5 0.1 檸檬酸三銨 5.0 15 40 <1.0 >15 >40 2 30 0.0 - 0.0 11 150 <1.0 >11 >150 -17- 201014927 表2

Cu Ni Ru Ta Cr Si Si02 Si3N4 實施例1 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 實施例2 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 實施例3 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 <1.0 表1中所示之全部實施例1~26組成之鈾刻液，Ti、W 之蝕刻速率相對於A1之蝕刻速率之比爲20以上，Ti、W 之選擇蝕刻性優異。蝕刻速率於一部份組成Ti之蝕刻速 度有些小但大致上也大於50nm/miii而爲良好。另一方面 ，评之蝕刻速度均爲150nm/miii以上而爲良好。相對於此 ，比較例 1之蝕刻液於 Ti、W之蝕刻速率均小如 50nm/min以下而不充分。比較例2中Ti之触刻速率小如 50nm/min以下而不充分。 又，由表2可了解本發明之蝕刻液，與A1相同，對 Ni > Cu ' Cr > Ru ' Ta > Si、Si02、Si3N4 之蝕刻速率亦小 ，相對於此等，對鈦、鎢具有良好的選擇蝕刻性。再者， 由圖1可了解本發明之蝕刻液對鈦之蝕刻速率之經時下降 率小，爲安定性優異。相對於此，比較例3之蝕刻液其初 期之Ti鈾刻速率（150nm/min)雖然高於實施例1之蝕刻 液，但蝕刻速率經時變化（下降）大，安定性差。 再者，針對WN、TiW、TiN以實施例1之組成同樣測 定倉虫刻速率，分別爲 320nm/min、200nm/min、120nm/min 。至於此處之TiW之組成係使用Ti、W分別爲1 0質量％ 、90質量％者。WN、TiN使用如化學式之組成者。 -18- 201014927 圖2、3顯示將貼附Ti膜之樣品片投入蝕刻液中該時 之蝕刻液發泡狀態。相片爲自上方觀察燒杯之照片。於圖 3 (比較例3之蝕刻液）發現蝕刻液有相當的發泡，相對 地，於圖2(實施例1之蝕刻液）中幾乎未觀察到發泡。 據此可知由於本發明之蝕刻液在蝕刻時之氣泡產生少，因 此對鈦系金屬之均勻蝕刻有利。 由圖4可了解本發明之蝕刻液之TiW蝕刻速率經時下 _ 降率小，安定性優異。相對於此，比較例2之蝕刻液之 TiW蝕刻速率（50nm/min)之經時變化（下降）大，安定 性差。 [產業上之可能利用性] 藉由使用本發明之蝕刻液可均勻的蝕刻鈦、鎳及其合 金或者其氮化物。又，本發明之蝕刻液由於對銅、鎳、鋁 等其他金屬或玻璃、矽、氧化矽膜之蝕刻速率小，因此不 〇 會損及基板、甚至氧化矽膜，因此可用於半導體裝置、液 晶顯示器等電子裝置之製造。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示實施例1及比較例3之組成的蝕刻液對鈦 之蝕刻速率經時變化之圖。 圖2爲表示附有Ti膜之樣品片浸漬於實施例1之蝕 刻液時之發泡狀態。 圖3爲表示附有Ti膜之樣品片浸漬於比較例3之蝕 -19- 201014927 刻液時之發泡狀態。 圖4爲顯示以實施例1 2及比較例2之組成的蝕刻液 對鈦鎢（TiW )之蝕刻速率經時變化之圖。

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Claims (1)

1. 201014927 七、申請專利範園： 1·—種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之 氮化物的蝕刻液，其特徵爲包含10~40質量％之過氧化氫 、〇·1〜15質量％之有機酸鹽及水。 2.—種鈦系金屬、鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之 氮化物的蝕刻液，其特徵爲僅由10〜40質量％之過氧化氫 、0.1-15質量％之有機酸鹽及水所構成。 | 3.如申請專利範圍第1項之鈦系金屬、鎢系金屬、 鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其進而包含 0·005〜4.5質量％之氨。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之鈦系金屬 '鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中 上述有機酸鹽爲選自檸檬酸、甲酸、草酸、乙酸、酒石酸 、苯甲酸及琥珀酸之銨鹽之至少一種。 5. 如申請專利範圍第4項之鈦系金屬、鎢系金屬、 春 欽鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中上述有機酸之 錢鹽爲選自檸檬酸氫二銨、檸檬酸三銨、草酸銨、甲酸銨 、乙酸銨之至少一種。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之鈦系金屬 '鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中 金太系金屬或其氮化物相對於Al、Ni、Cu、Cr、Ru、Ta、 Si或以該等元素作爲主成分之合金之蝕刻速率比爲20以 上。 7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之鈦系金屬 -21 - 201014927 、鎢系金屬、駄鎢系金屬或該等之氮化物的蝕刻液，其中 鈦系金屬或其氮化物相對於玻璃、矽、氧化矽或氮化矽之 蝕刻速率比爲2 0以上。 8. —種電子裝置之製造方法，其特徵爲該方法具有 藉由申請專利範圍第1至7項中任一項之鈾刻液蝕刻鈦系 金屬 '鎢系金屬、鈦鎢系金屬或該等之氮化物之步驟。

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