JP4535232B2 - チタンまたはチタン合金のエッチング液 - Google Patents
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Description
(1)エッチングされてはならない金属の存在下でチタンまたはチタン合金をエッチングするためのエッチング液であって、10〜40重量%の過酸化水素、0.1〜2重量%のリン酸およびアンモニアからなる水溶液であるチタンまたはチタン合金のエッチング液。
(2)エッチングされてはならない金属の存在下でチタンまたはチタン合金をエッチングするためのエッチング液であって、10〜40重量%の過酸化水素、0.1〜2重量%のリン酸およびアンモニアからなる水溶液で処理することを特徴とするチタンまたはチタン合金のエッチング方法。
過酸化水素20重量%、リン酸0.5重量%、アンモニア水を含有するpH9.0に調整された水溶液であるエッチング液に、シリコンウェハー(ウェハー径:5インチ)上にスパッタ法でチタン膜を2000Å成膜させた基盤とシリコンウェハー(ウェハー径:5インチ)上にスパッタ法で銅膜を2000Å成膜させた基盤とシリコンウェハー(ウェハー径:5インチ)上にスパッタ法でアルミニウム膜を2000Å成膜させた基盤と、更にSUS304材上に錫−鉛(6:4)電気メッキを10000Å施した板(100mm×100mm×0.5mm)を40℃で1分間浸漬させた。各種金属膜の溶解速度結果を表1に示す。
過酸化水素30重量%、リン酸0.3重量%、アンモニア水を含有するpH8.5に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
過酸化水素35重量%、リン酸0.1重量%、アンモニア水を含有するpH8.0に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
硝酸1重量%、フッ酸1重量%を含有するエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
過酸化水素1重量%、フッ酸1重量%含有するエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
過酸化水素20重量%、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム0.1重量%、アンモニア水を含有するpH8.0に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
過酸化水素20重量%、リン酸水素二ナトリウムを含有するpH8.0に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
アンモニアの代わりに水酸化カリウムを用いた以外は、実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
アンモニアの代わりに水酸化テトラメチルアンモニウムを用いた以外は、実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
過酸化水素20重量%、リン酸0.5重量%、アンモニア水を含有するpH8.0に調整されたエッチング液に金属チタン100mg/Lを溶解させ、液温度を30℃に保ち8時間放置させた。放置前と放置後の過酸化水素の分解率を表2に示す。
過水分解率(%)=(放置前過水濃度−放置後過水濃度)×100/放置前過水濃度
過酸化水素20重量%、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム0.1重量%、アンモニア水を含有するpH8.0に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例4と同様に行った。結果を表2に示す。
過酸化水素20重量%、リン酸水素二ナトリウムを含有するpH8.0に調整されたエッチング液を用いる以外は実施例4と同様に行った。結果を表2に示す。
Claims (2)
- エッチングされてはならない銅、錫、錫合金またはアルミニウムの存在下でチタンまたはチタン合金をエッチングするためのエッチング液であって、10〜40重量%の過酸化水素、0.1〜2重量%のリン酸およびアンモニアからなり、pHが7〜9に調整されている水溶液であるチタンまたはチタン合金のエッチング液。
- エッチングされてはならない銅、錫、錫合金またはアルミニウムの存在下でチタンまたはチタン合金をエッチングするためのエッチング液であって、10〜40重量%の過酸化水素、0.1〜2重量%のリン酸およびアンモニアからなり、pHが7〜9に調整されている水溶液で処理することを特徴とするチタンまたはチタン合金のエッチング方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104911595A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-09-16 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种TiW膜层腐蚀液及腐蚀方法 |
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101270837B1 (ko) | 2006-04-20 | 2013-06-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 텅스텐 또는 티타늄-텅스텐 합금 식각용액 |
WO2009081884A1 (ja) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | エッチング剤、エッチング方法及びエッチング剤調製液 |
JP5150401B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | 株式会社アルバック | 真空槽の構成部品の製造方法、該部品の再生方法、枠体の製造方法、及び枠体の再生方法 |
KR101282177B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2013-07-04 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 티탄계 금속, 텅스텐계 금속, 티탄-텅스텐계 금속 또는 그것들의 질화물의 에칭액 |
KR20120067198A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
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CN114196956B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-03-12 | 珠海市丹尼尔电子科技有限公司 | 一种用于钛的蚀刻液 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55138078A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-28 | Fuji Electric Co Ltd | Selective etching liquid for laminated metallic film |
JPH06310492A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Fuji Xerox Co Ltd | チタン系薄膜のエッチング液及び半導体装置の製造方法 |
JPH0813166A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-16 | Nippondenso Co Ltd | TiNおよびTiのエッチング液 |
JPH0853781A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-02-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | C4製造のためのTiWの選択的エッチング |
JP2000311891A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Seiko Instruments Inc | Ti−Wの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 |
JP2002053984A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | エッチング液 |
JP2002155382A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-05-31 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Ti系膜用エッチング剤及びエッチング方法 |
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2003
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55138078A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-28 | Fuji Electric Co Ltd | Selective etching liquid for laminated metallic film |
JPH06310492A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Fuji Xerox Co Ltd | チタン系薄膜のエッチング液及び半導体装置の製造方法 |
JPH0853781A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-02-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | C4製造のためのTiWの選択的エッチング |
JPH0813166A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-16 | Nippondenso Co Ltd | TiNおよびTiのエッチング液 |
JP2000311891A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Seiko Instruments Inc | Ti−Wの選択的エッチング液及びそのエッチング方法 |
JP2002053984A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | エッチング液 |
JP2002155382A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-05-31 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Ti系膜用エッチング剤及びエッチング方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104911595A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-09-16 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种TiW膜层腐蚀液及腐蚀方法 |
US10377948B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for fabricating semiconductor device by using the same |
US10800972B2 (en) | 2016-11-29 | 2020-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for fabricating semiconductor device by using the same |
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