JP2003147552A - ニッケルまたはニッケル合金の剥離液 - Google Patents

ニッケルまたはニッケル合金の剥離液

Info

Publication number
JP2003147552A
JP2003147552A JP2001380134A JP2001380134A JP2003147552A JP 2003147552 A JP2003147552 A JP 2003147552A JP 2001380134 A JP2001380134 A JP 2001380134A JP 2001380134 A JP2001380134 A JP 2001380134A JP 2003147552 A JP2003147552 A JP 2003147552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
nickel
acid
fluoride
hydrogen peroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001380134A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Takahashi
健一 高橋
Naoki Kogure
直毅 木暮
Kenichi Moriyama
賢一 森山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP2001380134A priority Critical patent/JP2003147552A/ja
Publication of JP2003147552A publication Critical patent/JP2003147552A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/28Acidic compositions for etching iron group metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067Etchants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ニッケルまたはニッケル合金以外
の金属、特に銅および銅合金皮膜ならびに錫および錫合
金皮膜を剥離せず、ニッケル又はニッケル合金皮膜を選
択的に高速度で剥離するための剥離液を提供する。 【解決手段】 (a)過酸化水素、(b)無機酸
またはフッ化物、(c)第四級アンモニウム塩および
(d)下記式(1)で示される構造を有するチオアミド
化合物を含有する水溶液であるニッケルまたはニッケル
合金の剥離液。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニッケルまたはニ
ッケル合金とそれら以外の金属が存在する材料からニッ
ケルまたはニッケル合金を選択的に剥離する剥離液に関
する。本発明の剥離液は、半導体製品、プリント配線板
等の電子部品の製造に有用である。
【0002】
【従来の技術】プリント配線板の銅配線を製造する工程
で、一時的に銅配線をマスクするためにニッケルメッキ
皮膜が施されるが、最終的にはニッケルメッキ皮膜は剥
離される。その際、最近のプリント配線板はファイン化
が進んでいるため、ニッケルメッキ皮膜以外の金属を溶
解させないことが要求されている。
【0003】ニッケル剥離液としては、過酸化水素−硝
酸系、過酸化水素−フッ化物系が知られているが、いず
れの剥離液も錫又は錫合金(半田)を溶解するという問
題がある。又、過酸化水素−硫酸−有機酸系はニッケル
の剥離速度が遅いという問題がある。従って、ニッケル
又はニッケル合金皮膜を、選択的に高速度で剥離するた
めの剥離液の早急な実用化が求められている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ニッ
ケルまたはニッケル合金以外の金属、特に銅および銅合
金皮膜ならびに錫および錫合金皮膜を剥離せず、ニッケ
ル又はニッケル合金皮膜を選択的に高速度で剥離するた
めの剥離液を提供することである。
【0005】
【問題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討を
重ねた結果、過酸化水素−無機酸系または過酸化水素−
フッ化物系に、剥離促進剤及び金属溶解抑制剤を添加す
ることで、銅又は銅合金皮膜及び錫又は錫合金皮膜は剥
離せず、ニッケル又はニッケル合金皮膜を選択的に高速
で剥離出来ることを見出し、本発明を完成させるに至っ
た。
【0006】即ち、本発明は、(a)過酸化水素、
(b)無機酸またはフッ化物、(c)第四級アンモニウ
ム塩、および(d)下記式(1)で示される構造を有す
るチオアミド化合物を含有する水溶液であるニッケル又
はニッケル合金の剥離液に関するものである。
【0007】
【化2】
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の過酸化水素の濃度は、1
〜30重量%であり、好ましくは5〜20重量%であ
る。濃度が1重量%未満では酸化効果が不十分であり十
分な剥離速度が得られず、また添加量が30重量%を超
えるとそれ以上の酸化効果が得られず経済上好ましくな
い。
【0009】無機酸は、硫酸、硝酸、燐酸、硼酸等が挙
げられるが、これらのうち好ましいものは、硫酸、硝
酸、燐酸である。無機酸の濃度は、1〜30重量%であ
り、好ましくは10〜25重量%である。添加量が1重
量%未満では十分な剥離速度が得られず、また添加量が
30重量%を超えるとそれ以上の剥離速度向上が得られ
ず経済上好ましくない。
【0010】フッ化物は、フッ酸、フッ化リチウム、フ
ッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、
フッ化セシウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウ
ム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化マ
ンガン、フッ化鉄、フッ化銅、フッ化錫、フッ化アルミ
ニウム、フッ化チタン、フッ化タンタル、フッ化アンチ
モン、フッ化アンモニウム、酸性フッ化ナトリウム、酸
性フッ化カリウム、酸性フッ化コバルト、酸性フッ化ア
ンモニウム等が挙げられるが、フッ酸、酸性フッ化カリ
ウム、酸性フッ化アンモニウムが好ましい。
【0011】フッ化物の濃度は、1〜30重量%であ
り、好ましくは10〜25重量%である。添加量が1重
量%未満では十分な剥離速度が得られず、また添加量が
30重量%を超えるとそれ以上の剥離速度向上が得られ
ず経済上好ましくない。
【0012】第四級アンモニウム塩は、金属溶解抑制剤
としての効果がある。主なものとしては、テトラメチル
アンモニウムクロライド、トリメチルベンジルアンモニ
ウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロ
ライド、トリブチルベンジルアンモニウムクロライド、
トリオクチルメチルアンモニウムクロライド、トリメチ
ルドデシルアンモニウムクロライド、トリメチルラウリ
ルアンモニウムクロライド、N−ラウリルピリジウムク
ロライド、ジメチルピロリジニウムクロライド、トリメ
チルフェニルアンモニウムブロマイド、トリエチルベン
ジルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウ
ムブロマイド、テトラエチルアンモニウムブロマイド、
テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド、ジメチル
ピロリジニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウム
ヨーダイド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヨーダイ
ド等が挙げられる。これらのうち好ましいものは、テト
ラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムブロマイド、トリメチルドデシルアンモニウムク
ロライド、トリメチルラウリルアンモニウムクロライ
ド、ジメチルピロリジニウムクロライドであり、より好
ましいものはトリメチルドデシルアンモニウムクロライ
ド、トリメチルラウリルアンモニウムクロライド、ジメ
チルピロリジニウムクロライドである。
【0013】第四級アンモニウム塩の濃度は、0.01
〜2重量%であり、好ましくは0.01〜0.5重量%
で、より好ましくは0.05〜0.2重量%である。濃
度が0.01重量%未満では十分な金属溶解抑制効果が
得られず、また添加量が2重量%を超えるとニッケルの
剥離速度が低下し好ましくない。
【0014】チオアミド化合物は、ニッケル剥離速度促
進剤としての効果がある。主なものとしては、チオホル
ムアミド、チオアセトアミド、チオプロピオンアミド、
チオベンズアミド、チオニコチンアミド、チオアセトア
ニリド、チオベンズアニリド、チオ尿素、1,3−ジメ
チルチオ尿素、1,3−ジエチルチオ尿素、1−フェニ
ル−2−チオ尿素、1,3−ジフェニル−2−チオ尿
素、チオカルバジド、チオセミカルバジド、4,4−ジ
メチル−3−チオセミカルバジド、2−メルカプトイミ
ダゾリン、2−チオウラシル、2−チオヒダントイン、
3−チオウラゾール、2−チオウラミル、4−チオウラ
ミル、チオペンタール、2−チオバルビツール酸、チオ
シアヌル酸、2−メルカプトキノリン、チオクマゾン、
チオクモチアゾン、チオサッカリン、2−メルカプトベ
ンズイミダゾール等が挙げられる。これらのうち好まし
いものは、チオアセトアミド、チオ尿素、1,3−ジメ
チルチオ尿素、1,3−ジエチルチオ尿素、2−チオウ
ラシル、チオシアヌル酸であり、より好ましいものはチ
オ尿素、1,3−ジメチルチオ尿素、チオシアヌル酸で
ある。
【0015】チオアミド化合物の濃度は、0.005〜
10重量%であり、好ましくは0.005〜5重量%
で、より好ましくは0.01〜3重量%である。添加量
が0.005重量%未満では、ニッケル剥離促進剤とし
ての効果が十分に得られない場合があり、また添加量が
10重量%を超えるとそれ以上のニッケル剥離促進剤と
しての効果が無く経済上好ましくない。チオアミド化合
物は、一種類のみを添加しても良いし、二種類以上添加
しても良い。
【0016】チオアミド化合物の中で水溶性のものはそ
のまま添加して構わないが、非水溶性のものはメタノー
ル、エタノール等のアルコール類やアセトン、テトラヒ
ドロフラン等の水溶性有機溶剤で溶解させてから調製す
る。
【0017】本発明の剥離液の使用温度に関しては特に
制限はないが、20〜50℃が好ましい。使用温度が高
いほどニッケル剥離速度は速くなるが、50℃を超える
と過酸化水素の分解が激しくなり好ましくない。
【0018】
【実施例】以下に実施例及び比較例により、本発明を具
体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。
【0019】実施例1 過酸化水素5重量%、硫酸15重量%、トリメチルドデ
シルアンモニウムクロライド0.1重量%およびチオ尿
素1重量%を含有する水溶液である剥離液に、ニッケル
板テストピース(50×30×0.3mm)、純銅板テ
ストピース(50×30×0.3mm)、錫−鉛メッキ
(錫:鉛=9:1)10μmを施した板(50×30×
0.3mm)を同時に25℃で1分間浸漬させた。ニッ
ケル、純銅、錫合金の剥離速度を表1に示す。
【0020】実施例2 過酸化水素10重量%、燐酸25重量%、トリメチルラ
ウリルアンモニウムクロライド0.2重量%、1,3−
ジメチルチオ尿素5重量%含有する剥離液を用いる以外
は実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
【0021】実施例3 過酸化水素20重量%、硫酸5重量%、ジメチルピロリ
ジニウムクロライド0.05重量%、チオシアヌル酸
0.01重量%含有する剥離液を用いる以外は実施例1
と同様に行った。結果を表1に示す。
【0022】実施例4 過酸化水素5重量%、硫酸20重量%、テトラメチルア
ンモニウムクロライド0.05重量%、1,3−ジエチ
ルチオ尿素1重量%含有する剥離液を用いる以外は実施
例1と同様である。結果を表1に示す。
【0023】比較例1 硫酸15重量%、トリメチルドデシルアンモニウムクロ
ライド0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥離液
を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1に
示す。
【0024】比較例2 過酸化水素5重量%、トリメチルドデシルアンモニウム
クロライド0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥
離液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表
1に示す。
【0025】比較例3 過酸化水素5重量%、硫酸15重量%、チオ尿素1重量
%添加された剥離液を用いる以外は実施例1と同様に行
った。結果を表1に示す。
【0026】比較例4 過酸化水素5重量%、硫酸15重量%、トリメチルドデ
シルアンモニウムクロライド0.1重量%含有する剥離
液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1
に示す。
【0027】比較例5 過酸化水素5重量%、硝酸10重量%、トリメチルドデ
シルアンモニウムクロライド0.1重量%含有する剥離
液を用いる以外は実施例1と同様に行った。結果を表1
に示す。
【0028】
【表1】
【0029】実施例5 過酸化水素5重量%、硝酸10重量%、ジメチルピロリ
ジニウムクロライド0.1重量%およびチオ尿素1重量
%を含有する水溶液である剥離液に、ニッケル板テスト
ピース(50×30×0.3mm)、純銅板テストピー
ス(50×30×0.3mm)、を同時に30℃で1分
間浸漬させた。ニッケル、純銅の剥離速度を表2に示
す。
【0030】実施例6 過酸化水素10重量%、硝酸15重量%、トリメチルラ
ウリルアンモニウムクロライド0.2重量%、1,3−
ジメチルチオ尿素2重量%含有する剥離液を用いる以外
は実施例6と同様に行った。結果を表2に示す。
【0031】実施例7 過酸化水素20重量%、硝酸5重量%、トリメチルドデ
シルアンモニウムクロライド0.05重量%、チオシア
ヌル酸0.01重量%含有する剥離液を用いる以外は実
施例5と同様に行った。結果を表2に示す。
【0032】実施例8 過酸化水素10重量%、硝酸10重量%、テトラメチル
アンモニウムクロライド0.1重量%、1,3−ジエチ
ルチオ尿素1重量%含有する剥離液を用いる以外は実施
例5と同様である。結果を表2に示す。
【0033】比較例6 硝酸10重量%、ジメチルピロリジニウムクロライド
0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥離液を用い
る以外は実施例5と同様に行った。結果を表2に示す。
【0034】比較例7 過酸化水素5重量%、ジメチルピロリジニウムクロライ
ド0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥離液を用
いる以外は実施例5と同様に行った。結果を表2に示
す。
【0035】比較例8 過酸化水素5重量%、硝酸10重量%、チオ尿素1重量
%添加された剥離液を用いる以外は実施例5と同様に行
った。結果を表2に示す。
【0036】比較例9 過酸化水素5重量%、硝酸10重量%、ジメチルピロリ
ジニウムクロライド0.1重量%含有する剥離液を用い
る以外は実施例5と同様に行った。結果を表2に示す。
【0037】比較例10 過酸化水素5重量%、硝酸10重量%、ベンゾトリアゾ
ール0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥離液を
用いる以外は実施例5と同様に行った。結果を表2に示
す。
【0038】
【表2】
【0039】実施例9 過酸化水素10重量%、酸性フッ化アンモニウム20重
量%、ジメチルピロリジニウムクロライド0.1重量%
およびチオ尿素1重量%を含有する水溶液である剥離液
に、ニッケル板テストピース(50×30×0.3m
m)、純銅板テストピース(50×30×0.3m
m)、を同時に30℃で1分間浸漬させた。ニッケル、
純銅の剥離速度を表3に示す。
【0040】実施例10 過酸化水素15重量%、フッ酸15重量%、トリメチル
ラウリルアンモニウムクロライド0.2重量%、1,3
−ジメチルチオ尿素3重量%含有する剥離液を用いる以
外は実施例9と同様に行った。結果を表3に示す。
【0041】実施例11 過酸化水素20重量%、酸性フッ化カリウム15重量
%、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド0.0
5重量%、チオシアヌル酸0.01重量%含有する剥離
液を用いる以外は実施例9と同様に行った。結果を表3
に示す。
【0042】実施例12 過酸化水素10重量%、酸性フッ化アンモニウム20重
量%、テトラメチルアンモニウムクロライド0.1重量
%、1,3−ジエチルチオ尿素1重量%含有する剥離液
を用いる以外は実施例9と同様である。結果を表3に示
す。
【0043】比較例11 酸性フッ化アンモニウム20重量%、ジメチルピロリジ
ニウムクロライド0.1重量%、チオ尿素1重量%含有
する剥離液を用いる以外は実施例9と同様に行った。結
果を表3に示す。
【0044】比較例12 過酸化水素10重量%、ジメチルピロリジニウムクロラ
イド0.1重量%、チオ尿素1重量%含有する剥離液を
用いる以外は実施例9と同様に行った。結果を表3に示
す。
【0045】比較例13 過酸化水素10重量%、酸性フッ化アンモニウム20重
量%、チオ尿素1重量%添加された剥離液を用いる以外
は実施例9と同様に行った。結果を表3に示す。
【0046】比較例14 過酸化水素10重量%、酸性フッ化アンモニウム20重
量%、ジメチルピロリジニウムクロライド0.1重量%
含有する剥離液を用いる以外は実施例9と同様に行っ
た。結果を表3に示す。
【0047】比較例15 過酸化水素10重量%、酸性フッ化アンモニウム20重
量%、ベンゾトリアゾール0.1重量%、チオ尿素1重
量%含有する剥離液を用いる以外は実施例9と同様に行
った。結果を表3に示す。
【0048】
【表3】
【0049】表1〜3に示されるように、本発明の剥離
液は、ニッケルの溶解量が大きく、しかも銅、錫−鉛の
溶解量はわずかであった。
【0050】
【発明の効果】本発明の剥離剤により、ニッケル又はニ
ッケル合金皮膜を選択的に高速で剥離することが可能と
なる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森山 賢一 神奈川県足柄上郡山北町950番地 三菱瓦 斯化学株式会社山北工場内 Fターム(参考) 4K057 WA13 WB03 WE02 WE03 WE04 WE07 WE11 WE25 WF06 5E339 CD05 CG04

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)過酸化水素、(b)無機酸または
    フッ化物、(c)第四級アンモニウム塩および(d)下
    記式(1)で示される構造を有するチオアミド化合物を
    含有する水溶液であるニッケルまたはニッケル合金の剥
    離液。 【化1】
  2. 【請求項2】 (a)過酸化水素1〜30重量%、
    (b)無機酸またはフッ化物1〜30重量%、(c)第
    四級アンモニウム塩0.01〜2重量%および(d)チ
    オアミド化合物0.005〜10重量%を含有する請求
    項1記載の剥離液。
  3. 【請求項3】 無機酸が、硫酸、硝酸および燐酸から選
    ばれた少なくとも一種である請求項1記載の剥離液。
  4. 【請求項4】 フッ化物が、フッ酸、酸性フッ化カリウ
    ムおよび酸性フッ化アンモニウムから選ばれた少なくと
    も一種である請求項1記載の剥離液。
  5. 【請求項5】 第四級アンモニウム塩が、トリメチルド
    デシルアンモニウムクロライド、トリメチルラウリルア
    ンモニウムクロライドおよびジメチルピロリジニウムク
    ロライドから選ばれた少なくとも一種である請求項1記
    載の剥離液。
  6. 【請求項6】 チオアミド化合物が、チオ尿素、1,3
    −ジメチルチオ尿素およびチオシアヌル酸から選ばれた
    少なくとも一種である請求項1記載の剥離液。
JP2001380134A 2001-08-27 2001-12-13 ニッケルまたはニッケル合金の剥離液 Pending JP2003147552A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001380134A JP2003147552A (ja) 2001-08-27 2001-12-13 ニッケルまたはニッケル合金の剥離液

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001256164 2001-08-27
JP2001-256164 2001-08-27
JP2001380134A JP2003147552A (ja) 2001-08-27 2001-12-13 ニッケルまたはニッケル合金の剥離液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003147552A true JP2003147552A (ja) 2003-05-21

Family

ID=26621030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001380134A Pending JP2003147552A (ja) 2001-08-27 2001-12-13 ニッケルまたはニッケル合金の剥離液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003147552A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286371A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグの製造方法
GB2477459A (en) * 2006-05-03 2011-08-03 Omg Electronic Chemicals Inc Method and composition for selectively stripping nickel from a substrate
JP2012144791A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 無電解ニッケル合金膜のパターニング方法
CN105274530A (zh) * 2015-09-17 2016-01-27 西安空间无线电技术研究所 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法
CN112351593A (zh) * 2020-11-16 2021-02-09 珠海联鼎化工设备有限公司 一种印制电路板osp微蚀前处理液及微蚀方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286371A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグの製造方法
GB2477459A (en) * 2006-05-03 2011-08-03 Omg Electronic Chemicals Inc Method and composition for selectively stripping nickel from a substrate
GB2452174B (en) * 2006-05-03 2012-01-25 Omg Electronic Chemicals Inc A method and composition for selectively stripping nickel from a substrate
GB2477459B (en) * 2006-05-03 2012-01-25 Omg Electronic Chemicals Inc A composition for selectively stripping nickel
EP2021519A4 (en) * 2006-05-03 2016-11-09 Omg Electronic Chemicals Inc PROCESS AND COMPOSITION FOR SELECTIVE CUTTING OF NICKEL FROM SUBSTRATE
JP2012144791A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 無電解ニッケル合金膜のパターニング方法
CN105274530A (zh) * 2015-09-17 2016-01-27 西安空间无线电技术研究所 一种适合多层膜电路制作的镍光刻腐蚀液配方及腐蚀方法
CN112351593A (zh) * 2020-11-16 2021-02-09 珠海联鼎化工设备有限公司 一种印制电路板osp微蚀前处理液及微蚀方法
CN112351593B (zh) * 2020-11-16 2022-07-12 珠海联鼎化工设备有限公司 一种印制电路板osp微蚀前处理液及微蚀方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0438535B1 (en) Inhibited composition and method for stripping tin, lead or tin-lead alloy from copper surfaces
JP2001140084A (ja) ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
JPH06287774A (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
TW201323661A (zh) 銅和銅合金的蝕刻液
US5017267A (en) Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces
JP2009191357A (ja) エッチング液
JPH0480117B2 (ja)
JP4471094B2 (ja) チタンまたはチタン合金のエッチング液
EP0397327B1 (en) Process for dissolving tin and tin alloys
JP2003147552A (ja) ニッケルまたはニッケル合金の剥離液
CN113774382A (zh) 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液
JP4535232B2 (ja) チタンまたはチタン合金のエッチング液
JP2002194574A (ja) 錫又は錫合金皮膜剥離液
JP4019256B2 (ja) ニッケルまたはニッケル合金の剥離液
JP3291512B2 (ja) 過酸化水素、フッ化水素アンモニウム、及び硫酸を含有する酸性溶液の安定剤、及びこれを用いた鉄−ニッケル合金の化学的溶解処理液
JP2007092111A (ja) めっき析出阻害用組成物
JP4431860B2 (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
US5741432A (en) Stabilized nitric acid compositions
JP4395148B2 (ja) レジスト剥離剤
US3322673A (en) Composition for and method of dissolving copper and copper alloys by chemical action
JP3398125B2 (ja) ニッケルあるいは鉄ニッケル合金上の無鉛スズ合金剥離用の剥離液
JP3398116B2 (ja) ニッケルあるいは鉄ニッケル合金上のスズまたはスズ合金剥離用の剥離液
WO2000075404A1 (fr) Decapant electrolytique de l'argent et procede de decapage electrolytique
JP3281436B2 (ja) 水溶性レジストの剥離方法及び剥離液
JP3124512B2 (ja) エッチングレジスト用エッチング液