JPS6043436B2 - 金属はくり用組成物及びその方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 従来、過酸化水素含有溶液を金属類や金属酸化物の溶解
などを包含する各種の方法に用いる提案がなされてきた
。

これらの方法の中には例えば酸洗い、エッチング、清浄
、化学光沢化又は化学研摩その他が包含されている。酸
洗い溶液の代表例として英国特許出願第２，０１４，５
５２Ａ号ではサツ力リン安定剤を含有する鉱酸と過酸化
水素との溶液を開示し、英国特許第１，４９９，９１８
号及び対応する米国特許第４，０２２，７０３号では８
−ヒドロキシキノリン安定剤を含有する硫酸と過酸化水
素との溶液を開示している。エッチング溶液の代表例と
して英国特許第１，４７４，２９４号では抑制剤として
のテトラゾリウムを含有する過酸化水素のフッ化物水溶
液を、英国特許第１，２９５，９５４号では金属イオン
錯化剤及び安定剤を含有する過酸化水素のアルカリ性溶
液を開示し、また英国特許第５９６２，３３５号ではフ
ッ化アンモニウムの過酸化水素溶液を開示している。金
属清浄剤の代表例として英国特許第１，４０７，２的号
では硫酸第一鉄、過酸化水素もしくは硝酸、硫酸及び重
フッ化物の使用を開示していＯる。

化学光沢剤液又は化学研摩液の代表例としては英国特許
第１，２０９，０１６号では過酸化水素、重フッ化アン
モニウム、修酸及びスルファミン酸を、英国特許第１，
０５６，６７吟ては過酸化水素とヒドロフツ化水素酸を
開示している。これらの方法の多くは過酸化水素に対す
る安定剤の必要性を認めている。

これらの開示においてのみならす、一般的に過酸化水素
溶液を安定化する必要があることは公知である。例えば
フランス特許第９９８，４８６号では硫酸塩の如きオキ
シキノリン化合物を、また米国特許第３，０５３，６３
鰐では２−アルキル置換８−ヒドロキシキノリンの使用
が提案されている。近年、印刷回路板工業が発展するに
つれて、銅のような他の金属表面からはんだ材をはくり
したり取り除くための組成物に関する要望が増加してい
る。

印刷回路板の製作工程ではスズ又はスズー鉛はんだをタ
ーミナルタブのような回路板の銅部材に頻繁にほどこす
。次いで金の如きもつと貴な金属をめつきし得るように
この銅素地からはんだ材を取り除く必要が生ずる。更に
加えて、はんだのし損じも頻繁に起こるので、このよう
な場合には銅メッキ印刷回路素地を回収してはんだ付け
をやり直すために銅素地からし損じたはんだを取り除く
必要がある。印刷回路板の生産速度の速さを考慮すると
、はんだ材を高速で除去することが一番重要である。そ
の際に銅素地になんらの侵食も及ぼさないことが必要条
件である。前記したような過酸化水素を主体にした各種
の金属処理組成物をはんだのはくりに有効に利用しよう
とする試みは一般的に不成功に終つている。

これらの組成物によつて銅素地からスズ及びスズ／鉛合
金はんだをはくりしようとすると、はくり速度が甚だ遅
く、及び／又は銅素地に対する侵食が著しい。そこでは
んだのはくり用に特に好適な過酸化水素基準の溶液を調
製するための試みがなされてきた。

例えば米国特許第３，８４１，９０５号には過酸化水素
と重フッ化アンモニウムから成るはんだはくり用組成物
が開示されている。米国特許第３，５９２６，６９９号
には安定剤としてデクエスト（Ｄｅｑｕｅｓｔ）とトリ
イソプロパノールアミンとの組み合わせを含有している
過酸化水素と重フッ化アンモニウム系のはんだはくり用
組成物が開示されている。英国特許第９７６，１６７号
には過酸化水素るとフッ化ホウ素酸による組成物が提案
されている。過酸化水素、重フッ化アンモニウム、トリ
クロル酢酸及びポリアクリルアミドから調製するはんだ
はくり用の組成物が英国特許第２，０７４，１０３Ａ号
に記載せられている。その他のはんだはくり液組成物と
しては英国特許第１，４４６，８１６号又は相当する米
国特許第３，９８６，９７吋に記載されている過酸化水
素、酸、フッ素イオン源及び過酸化水素の安定剤とから
成るものがある。開示せられている安定剤の中でも好ま
しいものは８−ヒドロキシキノリンである。これらの組
成物は若干の成功をみてはいるものの、一般的には銅素
地の侵食なしに高速にてはんだをはくりする能力がな）
く、現在の印刷回路板の製作現場における要望を満し得
ないものである。この発明の目的は改良されたはんだは
くり用組成物及び方法の提供にある。

さらにこの発明の他の目的は銅の如き金属素地・を実質
的に侵食せずに高速にてはんだをはくりし得ることを特
徴とする改良されたはんだはくり用組成物の提供にある
。

上記の目的を追求した結果、はくり速度が著しく大きく
素地侵食が少ないはくり組成物が過酸化″水素、フッ化
アンモニウム又は重フッ化アンモニウム、酸及び８−ヒ
ドロキシキノリン化合物のある一定範囲量とこれら諸成
分相互間のある特殊な比率を維持することによつて調製
できることが分つた。

本発明による改良されたはんだはくり用組成物は約０．
１〜約１０モルの過酸化水素（成分Ａ）、フッ化アンモ
ニウム又は重フッ化アンモニウム成分Ｂ約０．４〜約１
０モル、被はくり表面上における溶液のＰＨをスマツト
が生成する限界値以下に維持するのに少なくとも十分な
量の無機酸（成分Ｃ）と、金属錯化用化合物としての８
−ヒドロキシキノリン化合物（成分Ｄ）を少なくとも約
０．００５モルの濃度で含有する水性溶液である。加え
て、本発明の組成物によれば、水素イオン対成分Ｄのモ
ル比は少なくとも１００：１であり、かつ成分Ａ対成分
Ｂのモル比は多くても１：１、せいぜい０．９１：１が
好ましく、フッ化アンモニウム又は重フッ化アンモニウ
ム（Ｂ）の金属錯化剤（２）に対するモル比は少なくと
も１２５：１であり、過酸化水素（４）の金属錯化剤（
９）に対するモル比は少なくとも５０：１である。

スプレー法又は浸せき法のいずれにしても、好ましい酸
として硫酸が用いられる場合には浴のＰＨが約５．３以
上にならないような十分な量で酸が存在し、さらに重フ
ッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウム（重フッ化ア
ンモニウムとして計算）の過酸化水素に対する重量比が
約１．２５：１以上である場合において、銅素地に対す
る目立つた侵食もなしに銅の如き金属素地からスズ及び
スズ／鉛はんだを急速にはくりしうることができる。こ
の発明ははんだが付着している銅素地にスプレー法及び
浸せき手段によつて施こす溶液であつて、この素地上か
らスズ及びスズー鉛合金を高い容量ではくりするための
化学はくり溶液の提供を目的にしている。

この溶液のはくり速度はまた非常に速いものでなければ
ならない。過酸化水素は水への溶解度が大きく、高いは
くり容量が得られるのて酸化剤として選ばれた。高速は
くり性は過酸化水素と重フッ化アンモニウム又はフッ化
アンモニウムとを組み合わせることにより達成されるが
、重フッ化アンモニウムが好ましい。しかし乍らこの組
み合わせは銅素地に対して若干の侵食作用があり、この
結果として溶液中に溶け込んだ銅イオンが触媒的に作用
して過酸化水素を分解する傾向がある。スズ及び鉛イオ
ンはこのような分解作用は少ない。そこで本発明者らは
過酸化水素の分解を阻止するための適当な安定剤を探索
するか又は溶解した銅イオンを錯化してしまう錯化剤を
探して過酸化水素の分解に及ぼす触媒効果を妨げること
を試みてきた。スズ、鉛及び銅イオンを含有する浴中に
各種の化合物を試みたが、８−ヒドロキシキノリンが過
酸化水素の分解を防止するのに効果的な化合物の部類の
代表例であることが分つた。８−ヒドロキシキノリンの
ような化合物が存在すると銅イオンが強力に錯化されて
、特に８ーヒドロキシキノリンの銅に対するモル比が１
より大きい場合には銅イオンが強力に錯化されることが
分つた。

過酸化水素、重フッ化アンモニウム及び８−ヒドロキシ
キノリン型の化合物を混合すると、スズ及びスズー鉛合
金に対するはくり容量が好ましい程度に大きく、はくり
速度も大きい結果を与えるが、予想外にも銅８−ヒドロ
キシキノリン錯化物（銅オキシネート）と考えられる緑
色の沈澱が生じ素地上へのスマツト状生成物が増加する
結果になつた。

この錯化物はＰＨ５．３以下では浴可溶性であり、驚ろ
くべきことには、かかるスマツトの問題は硫酸添加によ
つて溶液の酸性度を高め、かつ銅めつき印刷回路素地か
らの銅のはくり速度を高めないような酸性度にすること
によつて避けることができることが分つた。かくして、
この発明によると、金属性、すなわち銅被覆した素地か
らスズ及びスズ・鉛合金を除去し、該素地の再使用を可
能ならしめるのに好適なこの化学はくり溶液は、０．１
〜１０モル濃度の過酸化水素、０．４〜１０モル濃度の
重フッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウム、浴のＰ
Ｈを５．３以下にするような酸及び少なくとも０．００
５モル濃度の金属錯化剤、すなわち銅を錯化するための
化合物から成り、該金属錯化剤が８−ヒドロキシキノリ
ン又は８−ヒドロキシキノリン誘導体又は置換８−ヒド
ロキシキノリンから成ることを特徴とする。

過酸化水素は１〜６モル、すなわち２〜５モル濃度で存
在するのが好ましい。重フッ化アンモニウム又はフッ化
アンモニウムは０．５モル以上、すなわち２〜７又は３
〜６モル濃度で存在するのが好ましい。酸は０．１〜４
モル範囲、例えば硫酸の場合、１〜２モル範囲であるの
が好ましい。金属錯化物は０．２モル以下、すなわち０
．０１〜０．１モル又はより好ましくは０．０１〜０．
０５モルの範囲で使用するのがよい。特に好ましい銅錯
化剤は８−ヒドロキシキノリンである。置換キノリンで
あつてキノリンの炭素原子の一つにアルキル又はアリー
ル基を有する化合物もまた効果がある。以上、銅被覆せ
られた印刷回路板を再使用するためにこれからスズ又は
はんだをはくりすることについて記載してきたが、本発
明によるはくり組ノ成物は他の目的のはくりにも効果を
有する。

特に、印刷回路板上のターミナルタブははんだによつて
スプレーしぶきを受けたり被覆されることもあり、かか
る場合にはこのターミナルタブを金のような貴金属によ
つて被覆して回路が使用される門電子装置中での回路に
対する接触を良好ならしめるための操作に先立つて、こ
のはんだをはくりする必要が生ずる。この際、この貴金
属めつきを効果的ならしめるには、スズ又ははんだを完
全に除去又は実質的に完全に除去しながら、かつ銅の目
）立つたはくりが起こらないようにすることが特に望ま
しいのである。重フッ化アンモニウムはフッ化ホウ素酸
の供給源として市販品として好ましい化合物であるが、
フッ化アンモニウムのようなアンモニアとフッ化水素酸
又はその塩との他の活性成分もまた有効であることが判
明しており、これらの成分の使用もまた本発明の範囲内
にある。

フッ化水素酸は活性な成分であるが、アンモニアはフッ
化水素酸を抑制して銅の侵食を減少又は阻止する機能が
あるようである。使用可能な他のアンモニア／フッ化水
素酸塩又は混合物には、フッ化アンモニア以外ではフッ
化水素酸とアンモニウムハライドとの混合物がある。過
酸化水素は、また、はんだと酸の反応を支援するのに適
した簡便な酸素源の単なる代表例である。

過酸化水素は市販品では好ましい材料ではあるが、他の
適切な酸素源も使用でき、これらの中にはターシヤリー
ブチルハイドロパーオキシド及びナトリウム又はアンモ
ニウムパーボレートが包含される。ＰＨを低減するため
の酸に関する限りは、硫酸が非常に簡便で、かつ好まし
いがその他の酸でも有効てある。

しかし乍ら塩化水素酸は銅素地を侵す可能性があるので
避けた方がよい。８−ヒドロキシキノリンの各種の誘導
体が有効に使用できるが、これらには８−ヒドロキシキ
ノリンの中性硫酸塩〔（Ｃ，Ｈ６ＮＯＨ）２Ｈ２Ｓ０４
，オルトヒドロキシキノリンとして公知〕、フタリルス
ルフアチアゾールの８−ヒドロキシキノリン誘導体、５
−スルホー６−メチルー８−オキシキノリン及び８−ヒ
ドロキシーキノリンーサリシレートが包含される。

これらの化合物は、ここでいう８−ヒドロキシキノリン
誘導体の部類に属する。

特に好ましいはくり組成物は１〜４００ｙ／１１すなわ
ち１０〜２００ｙ／ｆ又は５０〜１８０ｙ／′、特に好
ましくは７０〜１００ｙ／′の過酸化水素（１００％）
と、少なくとも１ｙ／ｅ１すなわち２〜３０ｙ／′、特
に好ましくは２．５〜６ｙ／′の安定剤としての８−ヒ
ドロキシキノリンと、５〜３５０ｙ／′、すなわち５０
〜２００ｇ／ｅ１特に好ましくは８０〜１７０ｙ／ｌの
硫酸と、２０〜６００ｆ／ｅ１すなわち２００〜４００
ｙ／ｅ１特に好ましくは２５０〜３５０ｙ／′の重フッ
化アンモニウムとから成る。

特定した範囲以内の量の上記成分を用いることに加えて
、また各種成分相互間の一定の濃度比率をはくり溶液中
で維持することが重要である。

この観点からして、重フッ化アンモニウム又はフッ化物
の金属錯化剤に対するモル比を少なくとも約１２５：１
、好ましくは約１２５〜約２６５：１の範囲以内にする
必要がある。更に加えて、酸化剤としての過酸化水素の
金属錯化剤に対するモル比は少なくとも５０：１、好ま
しくは約５０〜約１１５：１以内にすべきである。また
重フッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウム（重フッ
化アンモニウムとして計算して）の過酸化水素に対する
重量比は約１２５：１以上に維持することが非常に好ま
しいことも判明した。

この重量比は少なくとも約１．５：１がより好ましく、
最も好ましくは約１．８〜約５（又はそれ以上）：ｌで
ある。硫酸の量は浴のＰＨが約５．３以下になるのに十
分な量であり、しかも銅素地に対しての溶液による侵食
を少しも増加させることがない程度に十分に低い濃度で
あることが好ましい。

溶液中の硫酸量は約７５〜約１８５ｙ／ｅの範囲が最も
好ましい。浴中の酸があまりにも少ないと、緑色の銅オ
キシネートの沈澱物及び／又はスマツトが生成するし、
酸が過剰量で存在すれば銅に対する侵食が増加する。大
部分の好ましい実施態様において、硫酸の金属錯化剤に
対する重量比が少なくとも約３５：１のときに特に好結
果が得られる。

最も好ましい硫酸の金属錯化剤に対する重量比は約３５
〜約９５：１以内である。次に実施例により本発明を更
に詳述する。

実施例１ ガラス繊維強化樹脂製印刷回路基板上の銅層から、はん
だ（６０％スズ／４０％鉛）をスプレーはくりするため
の組成物を次の処方により調製した。

これらの諸成分を表記の順序に従つて混合し、膜厚２０
ミクロンのはんだ層を有する膜厚４０ミクロンの銅層に
伴なつた樹脂製印刷回路をこの組成液によつてスプレー
したが、スプレー温度２５℃、１分間当りはんだ被覆表
面の単位面積（ｃ＃Ｉ）に対し約２５ｃｃのネットレー
トでスプレーした。ここでのネットレートとははくりせ
られる表面と接触しているスプレー液の実際の量を意味
する。組成物のＰＨは４．０であつた。はんだは１分以
内に実質的に除去されたが、銅に対する目立つた侵食は
みられす銅層の膜厚の減少はなかつた。はんだに対する
侵食速度は１０ｃｃの溶液が３２ｃＩｉの印刷回路をは
くりするのに用いられたまでは実質的に減少しなかつた
。１ｅの溶液によつて３２００ｃＩｔの印刷回路をはく
りした後でのはくり液の分析によれば、該浴は３２ｙ／
ｅのスズ、２１ｙ／ｅの鉛（大部分は硫酸塩又はフッ化
物として沈澱していた）及び１／３′／′の銅が含まれ
ていた。

この発明において注意すべきことは被はくり面における
ＰＨがスマツト生成点以下になつていることを確認しな
ければならない点で、銅の場合には５．３である。

はくり反応中での過酸化水素の存在ははくり中にＰＨを
上昇させる傾向があるので、バルク溶液の初期のＰＨは
、使用に際しての処理面上のＰＨが上記のような限界Ｐ
Ｈ値以上に上昇しないようなＰＨであることを確認して
置くことが必要である。銅素地の場合には初期のＰＨが
４．０以下の場合にスマツトの生成が避けられて効果的
なシステムが得られる。実施例２ 過酸化水素濃度が１モル、硫酸濃度が１モル及び８−ヒ
ドロキシキノリン濃度が０．０２モルであつた以外は実
施例１と同様にして類似の浴を調製した。

この浴を実施例１と同一条件下て使用したが同様の結果
が得られた。実施例３過酸化水素濃度が４．５モル（１
５３ｆ／ｅ）、硫酸濃度が２モル（１６４ｑ／ｅ）、８
−ヒドロキシキノリンの濃度が０．０４モル（５．８４
ｙ／ｅ）であり重フッ化アンモニウム濃度が５モル（２
８５Ｖ／ｅ）であつた以外は実施例１と同様にして類似
の浴を調製した。

この浴を実施例１と同一条件下で使用したが同様の結果
が得られた。実施例４ 本発明による化学はくり溶液の酸洗い効果を、次表によ
つて調製した英国特許第１．４９９，９１８号に記載の
溶液ど比較した。

実施例１の溶液中に１分間浸せきした銅ラミネート印刷
回路板を、溶液Ａ中に１分間浸せきした同じ回路板ど比
較した。

いずれの場合もゆるやかに電磁かくはんした。この処理
液後、この二つの板の外観はいずれも銅表面が清浄で僅
かにエッチングされ、侵食され、酸洗いせられている点
において類似していた。しかし溶液Ａが０．９μｍ／分
以上の速度で銅を除去したのに対して、実施例１の溶液
はわずかに０．０９μｍ／分の銅除去速度であつた。実
施例５ 本発明による化学はくり溶液のはんだのはくり性を実施
例４に記載の溶液Ａと比較した。

その上に２０ミクロン厚のはんだ層を有する４０ミクロ
ン膜厚の銅層を伴なつた樹脂印刷回路板を溶液Ａ中に浸
せきした。ゆるやかに磁気かくはんしたが、はんだのは
くりは目立つて生起しなかつた。次に一枚の印刷回路板
を、実施例１の溶液の代わりに溶液Ａを用いた以外は実
施例１と同じくスプレー処理した。０．７μｍ／分のは
くり速度が観察されたが、実施例１の溶液を用いたとき
のはくり速度は１４μｍ／分であつた。

本発明の操作を更に説明するために他のはくり溶液を第
表１にしたがつて調製した。

ここでＡは１１２０２，ＢはＮＨ４ＨＦ２，ＣはＨ２Ｓ
Ｏ４であり、Ｄは８−ヒドロキシキノリンを示す。実施
例６は英国特許第１，４４６，８托号の実施例１２に相
当する。

また実施例９ではＮａＦが不溶の範囲になるので使用で
きる溶液の調製ができなかつた。実施例６〜実施例８及
び実施例１０〜実施例１３の溶液のそれぞれを、実施例
５の回路板を用いて実施例１に記載のスプレー法と実施
例５に記載の浸せき法を用いて６０／４０スズ／鉛はん
だに対するはくり速度を試験した。

更に、これらの組成を用いて実施例４に記載の銅めつき
板を使つて銅素地に対する侵食性試験を実施例４の如き
浸せき法ならびにスプレー法の両方を用いて試験したが
、スプレー法の場合にはスプレーの３ｃｍ直径のコーン
を通過させて発振した。最後にこれらの実施例の組成を
用いてはくり後の銅上へのはんだの再析出性を試験した
が、方法は実施例５のように浸せき法とスプレー法の双
方で行なつたが、使つた回路板は実施例５のものよりも
はんだ厚さがわずかに少なかつた。スプレーの場合の結
果を第■表に、浸せきの場合の結果を第■表に示した。
重フッ化アンモニウムの濃度を変えた以外は実施例８に
準拠して追加的なはくり溶液を調製した。

これらの液を用いて前記のようにスプレー法ではんだの
はくり速度と銅侵食試験を実施した。使用した組成と結
果を第■表に示した。実施例１４〜実施例２１のいずれ
の場合も、はくり後のスマツトの生成は認められなかつ
た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属性素地からスズ及びスズ−鉛合金を除去するの
   に適した化学はくり用水性組成物であつて、Ａ ０．１
   〜１０モル／ｌの過酸化水素、Ｂ ０．４〜１０モル／
   ｌの重フッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウム、Ｃ
   金属表面上にスマツトが生成したり、金属性表面の金
   属から成る化合物や金属錯化剤化合物が金属面に析出す
   るようなｐＨの限界値以下に被はくり面上の溶液のｐＨ
   を維持するような量の酸、Ｄ 少なくとも０．００５モ
   ル／ｌの金属錯化剤化合物としての８−ヒドロキシキノ
   リン化合物から成り、成分Ｂの成分Ｄに対するモル比が
   少なくとも１２５：１であり、かつ成分Ａの成分Ｄに対
   するモル比が少なくとも５０：１であるような水性組成
   物。 ２ 水素イオンの成分Ｄに対するモル比が少なくとも１
   ００：１であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載の水性組成物。 ３ 成分Ａの成分Ｂに対するモル比が、多くても１：１
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
   項に記載の水性組成物。 ４ 成分Ｂが重フッ化アンモニウムであり、成分Ｃが硫
   酸であり、かつ成分Ｄが８−ヒドロキシキノリンである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項及び第
   ３項のいずれか一つに記載の水性組成物。 ５ 成分Ｂの成分Ｄに対するモル比が１２５〜２６５：
   １であり、かつ成分Ａの成分Ｄに対するモル比が５０〜
   １１５：１であることを特徴とする特許請求の範囲第４
   項に記載の水性組成物。 ６ 成分Ｂの成分Ａに対する重量比が１．２５：１であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の水性
   組成物。 ７ 成分Ｂの成分Ａに対する重量比が１．８〜５．０：
   １であることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載
   の水性組成物。 ８ 成分Ｃの成分Ｄに対する重量比が３５〜９５：１以
   上であることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載
   の水性組成物。 ９ 成分Ｃの成分Ｄに対する重量比が３５〜９５：１で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の水
   性組成物。 １０ 成分Ａが１〜６モル量、成分Ｂが２〜７モル量、
   成分Ｃが０．１〜４モル量、、及び成分Ｄが０．０１〜
   ０．１モル量で含まれることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項に記載の水性組成物。 １１ 成分Ａが５０〜１８０ｇ／ｌ成分Ｂが２５０〜３
   ５０ｇ／ｌ、成分Ｃが８０〜１７０ｇ／ｌ）及び成分Ｄ
   が２．５〜６ｇ／ｌの濃度で含まれることを特徴とする
   特許請求の範囲第９項に記載の水性組成物。 １２ 金属性素地からスズはんだ及びスズ−鉛合金はん
   だをはくりする方法であつて、はんだ被覆物を有する素
   地、Ａ０．１〜１０モル／ｌの過酸化水素、 Ｂ０．４〜１０モル／ｌの重フッ化アンモニウム又はフ
   ッ化アンモニウム、Ｃ 金属表面上にスマツトが生成し
   たり、金属性表面の金属から成る化合物や金属錯化剤化
   合物が金属面に析出するようなｐＨの限界値以下に被は
   くり面上の溶液のｐＨを維持するような量の酸、Ｄ 少
   なくとも０．００５モル／ｌの金属錯化剤化合物として
   の８−ヒドロキシキノリン化合物から成り、成分Ｂの成
   分Ｄに対するモル比が少なくとも１２５：１であり、か
   つ成分Ａの成分Ｄに対するモル比が少なくとも５０：１
   であるような水性組成物と、該素地には目立つた侵食を
   与えずに該はんだの実質的全量を除去するのに十分な時
   間帯に亘つて接触させることから成る方法。 １３ 水素イオンの成分Ｄに対するモル比が少なくとも
   １００：１であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   ２項に記載の方法。 １４ 成分Ａの成分Ｂに対するモル比が、多くても１：
   １であることを特徴とする特許求の範囲第１２項又は第
   １３項に記載の方法。 １５ 成分Ｂが重フッ化アンモニウムであり、成分Ｃが
   硫酸であり、かつ成分Ｄが８−ヒドロキシキノリンであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１２項、第１３項
   及び第１４項のいずれか一つに記載の方法。 １６ 成分Ｂの成分Ｄに対するモル比が１２５〜２６５
   ：１であり、かつ成分Ａの成分Ｄに対するモル比が５０
   〜１１５：１であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １５項に記載の方法。 １７ 成分Ｂの成分Ａに対する重量比が１．２５：１以
   上であることを特徴とする特許請求の範囲第１５項に記
   載の方法。 １８ 成分Ｂの成分Ａに対する重量比が１．８〜５．０
   ：１であることを特徴とする特許請求の範囲第１６項に
   記載の方法。 １９ 成分Ｃの成分Ｄに対する重量比が３５：１である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１７項に記載の方法
   。 ２０ 成分Ｃの成分Ｄに対する重量比が３５〜９５：１
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１８項に記載
   の方法。 ２１ 成分Ａが１〜６モル量、成分Ｂが２〜７モル量、
   成分Ｃが０．１〜４モル量、及び成分Ｄが０．０１〜０
   ．１モル量で含まれることを特徴とする特許請求の範囲
   第１５項に記載の方法。 ２２ 成分Ａが５０〜１８０ｇ／ｌ、成分Ｂが２５０〜
   ３５０ｇ／ｌ、成分Ｃが８０〜１７０ｇ／ｌ）及び成分
   Ｄが２．５〜６ｇ／ｌの濃度で含まれることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２０項に記載の方法。