JPS6352115B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント配線板の製造に於ける錫また
は錫合金の剥離液に関するものであり、更に詳細
に述べれば浸漬溶解法又はスプレイ溶解法で錫ま
たは錫合金を銅基質から該基質を損傷することな
く選択的に短時間で剥離し、且つ、銅基質上の鉛
塩の残留物を溶解することのできる錫または錫合
金の剥離液に関するものである。
は錫合金の剥離液に関するものであり、更に詳細
に述べれば浸漬溶解法又はスプレイ溶解法で錫ま
たは錫合金を銅基質から該基質を損傷することな
く選択的に短時間で剥離し、且つ、銅基質上の鉛
塩の残留物を溶解することのできる錫または錫合
金の剥離液に関するものである。
先に本発明者らは過酸化水素と無機酸または／
および有機酸を用いた錫または錫合金の剥離液に
ついて特許出願している。
および有機酸を用いた錫または錫合金の剥離液に
ついて特許出願している。
例えば過酸化水素と硼弗酸を主成分とした硼弗
化物タイプの剥離液については次のようなものが
ある。
化物タイプの剥離液については次のようなものが
ある。
１ ＝NHまたは≡Ｎの形で窒素原子を含有する
銅インヒビターの添加による銅の溶解防止と錫
の再付着防止（特開昭57−164984）、 ２ 多価アルコールまたはその誘導体の添加によ
る銅基質の変色防止（特開昭60−149790）、 ３ 弗素イオンとの併用による錫イオンの安定化
とメタ錫酸の沈澱防止（特公昭60−15707）。
銅インヒビターの添加による銅の溶解防止と錫
の再付着防止（特開昭57−164984）、 ２ 多価アルコールまたはその誘導体の添加によ
る銅基質の変色防止（特開昭60−149790）、 ３ 弗素イオンとの併用による錫イオンの安定化
とメタ錫酸の沈澱防止（特公昭60−15707）。
また、剥離液中に硼弗酸のような弗素イオン成
分を含有せず、過酸化水素と無機酸および有機酸
を主成分とした剥離液、いわゆる弗化物非含有剥
離液については次のようなものがある。
分を含有せず、過酸化水素と無機酸および有機酸
を主成分とした剥離液、いわゆる弗化物非含有剥
離液については次のようなものがある。
１ 鉄イオンとヒドロキシカルボン酸を主成分と
する錫または錫合金の剥離液（特開昭58−
58280）、 ２ 錫イオンに対して、錯体形成能を有する有機
化合物の添加による錫イオンの安定化と錫溶解
能の向上（特開昭59−219475）。
する錫または錫合金の剥離液（特開昭58−
58280）、 ２ 錫イオンに対して、錯体形成能を有する有機
化合物の添加による錫イオンの安定化と錫溶解
能の向上（特開昭59−219475）。
本発明者らは上記特許による薬品の添加により
錫または錫合金の剥離液の性能が著しく改善され
る実例を示した。
錫または錫合金の剥離液の性能が著しく改善され
る実例を示した。
しかしながら、プリント配線板の製造のための
錫または錫合金の剥離に硼弗化物タイプ又は弗化
物非含有タイプの剥離液を用いた場合、その剥離
速度が遅いため、作業に支障をきたすことがたび
たびある。
錫または錫合金の剥離に硼弗化物タイプ又は弗化
物非含有タイプの剥離液を用いた場合、その剥離
速度が遅いため、作業に支障をきたすことがたび
たびある。
このような欠点を改善するために本発明者らは
弗化水素酸又はその塩類と過酸化水素を主成分と
する剥離液に注目した。
弗化水素酸又はその塩類と過酸化水素を主成分と
する剥離液に注目した。
このような弗化水素酸又はその塩類と過酸化水
素を主成分とする剥離液の外国特許としては次の
ようなものが報告されている。
素を主成分とする剥離液の外国特許としては次の
ようなものが報告されている。
１ 適正組成内でのアンモニウムイオンによる銅
基質の腐食抑制方法（米国特許第3841905号） ２ 金属錯化剤の添加による銅基質の腐食抑制方
法（米国特許第3926699号） ３ ポリアクリルアミドの添加による銅基質の腐
食抑制方法（米国特許第4297257号） ４ アミノ化合物又は芳香族カルボン酸類の添加
による銅基質の腐食抑制方法（米国特許第
4306933号） しかしながら、弗化水素酸又はその塩類と過酸
化水素を主成分とする剥離液は銅基質上の半田を
剥離する際、剥離速度を増加するが、この方法も
欠点なしとはいえない。即ち、半田剥離後、不溶
性鉛塩が銅基質上に残るという欠点がある。この
ため、銅基質上に残留した不溶性鉛塩を除去する
のに銅表面のブラシがけやクリーニング等の第二
操作を要し、剥離工程が煩雑になる。
基質の腐食抑制方法（米国特許第3841905号） ２ 金属錯化剤の添加による銅基質の腐食抑制方
法（米国特許第3926699号） ３ ポリアクリルアミドの添加による銅基質の腐
食抑制方法（米国特許第4297257号） ４ アミノ化合物又は芳香族カルボン酸類の添加
による銅基質の腐食抑制方法（米国特許第
4306933号） しかしながら、弗化水素酸又はその塩類と過酸
化水素を主成分とする剥離液は銅基質上の半田を
剥離する際、剥離速度を増加するが、この方法も
欠点なしとはいえない。即ち、半田剥離後、不溶
性鉛塩が銅基質上に残るという欠点がある。この
ため、銅基質上に残留した不溶性鉛塩を除去する
のに銅表面のブラシがけやクリーニング等の第二
操作を要し、剥離工程が煩雑になる。
上記米国特許に代表される弗化水素酸又はその
塩類と過酸化水素を主成分とする剥離液を用いて
も、銅基質上に残る不溶性鉛塩の溶解については
何ら解決されておらず、プリント配線板の製造に
於いて、このように銅基質上に不溶性鉛塩が付着
しているとプリント配線板の電気特性に多大な影
響を与え、製造されたプリント配線板に致命的欠
陥を生じることになる。
塩類と過酸化水素を主成分とする剥離液を用いて
も、銅基質上に残る不溶性鉛塩の溶解については
何ら解決されておらず、プリント配線板の製造に
於いて、このように銅基質上に不溶性鉛塩が付着
しているとプリント配線板の電気特性に多大な影
響を与え、製造されたプリント配線板に致命的欠
陥を生じることになる。
本発明者らはこの欠点を改良すべく研究の結
果、弗化水素酸又はその塩類と過酸化水素を主成
分とする水溶液に硫酸イオン供給化合物または／
および燐酸イオン供給化合物から選択した少なく
とも１種の化合物を陰イオンとして0.001モル／
〜2.5モル／添加すれば錫−鉛合金の剥離の
際には、剥離後の銅基質上の不溶性鉛塩の溶解に
極めて効果を発揮し、しかも錫または錫合金の剥
離速度も更に向上することを見出した。
果、弗化水素酸又はその塩類と過酸化水素を主成
分とする水溶液に硫酸イオン供給化合物または／
および燐酸イオン供給化合物から選択した少なく
とも１種の化合物を陰イオンとして0.001モル／
〜2.5モル／添加すれば錫−鉛合金の剥離の
際には、剥離後の銅基質上の不溶性鉛塩の溶解に
極めて効果を発揮し、しかも錫または錫合金の剥
離速度も更に向上することを見出した。
本発明の剥離液は次の三種の成分からなる。
第一成分は金属の溶解に必要な水素イオンを供
給するための弗化水素酸または／およびその塩類
で、例えば弗化水素水、弗化水素アンモニウム、
弗化水素カリウム、弗化水素ナトリウム等が挙げ
られるが、作業性ならびに異種金属の混入がない
という点で弗化水素アンモニウムが最も好まし
い。
給するための弗化水素酸または／およびその塩類
で、例えば弗化水素水、弗化水素アンモニウム、
弗化水素カリウム、弗化水素ナトリウム等が挙げ
られるが、作業性ならびに異種金属の混入がない
という点で弗化水素アンモニウムが最も好まし
い。
弗化水素酸または／およびその塩類の添加量は
弗素量にして0.01ｇ／〜350ｇ／の濃度範囲
で使用する。0.01ｇ／以下では金属の溶解に必
要な水素イオンの供給ならびに下記の過酸化水素
との相剰効果が期待できず、350ｇ／以上では
それ以上の大きな効果が期待できず、実用上不経
済でもあり、設備、装置なの腐食或いは作業環境
の悪化等の問題も生じる。従つて、第一成分の酸
としての弗化水素酸または／およびその塩類の濃
度は弗素量にして0.01ｇ／〜350ｇ／が好ま
しい。
弗素量にして0.01ｇ／〜350ｇ／の濃度範囲
で使用する。0.01ｇ／以下では金属の溶解に必
要な水素イオンの供給ならびに下記の過酸化水素
との相剰効果が期待できず、350ｇ／以上では
それ以上の大きな効果が期待できず、実用上不経
済でもあり、設備、装置なの腐食或いは作業環境
の悪化等の問題も生じる。従つて、第一成分の酸
としての弗化水素酸または／およびその塩類の濃
度は弗素量にして0.01ｇ／〜350ｇ／が好ま
しい。
第二成分は酸化剤としての過酸化水素である。
この物質は第一成分の酸との作用により金属を溶
解する酸素源である。その添加量は0.01モル／
〜５モル／が好ましく、0.01モル／以下では
酸素源としての効果が期待できず、また、５モ
ル／を越えても、それ以上の効果も期待できず
実用上不経済である。
この物質は第一成分の酸との作用により金属を溶
解する酸素源である。その添加量は0.01モル／
〜５モル／が好ましく、0.01モル／以下では
酸素源としての効果が期待できず、また、５モ
ル／を越えても、それ以上の効果も期待できず
実用上不経済である。
最後に本発明の剥離液に用いる第三成分は、剥
離速度の向上ならびに不溶性鉛塩の溶解のための
硫酸イオン供給化合物または／および燐酸イオン
供給化合物である。硫酸イオン供給化合物として
は硫酸及びその塩類、過硫酸及びその塩類で、例
えば硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウム等である。又、燐酸イオン供
給化合物としては燐酸及びその塩類で、例えば燐
酸、燐酸アンモニウム、燐酸カリウム等である。
これら陰イオンの添加量は0.001モル／〜2.5モ
ル／が好ましく、0.001モル／以下では剥離
速度も遅く、不溶性鉛塩の溶解効果も期待し難
い。又、2.5モル／を越える場合には、それ以
上の大きな効果は期待できず、反面、銅基質への
腐食力が大きくなるため不経済である。
離速度の向上ならびに不溶性鉛塩の溶解のための
硫酸イオン供給化合物または／および燐酸イオン
供給化合物である。硫酸イオン供給化合物として
は硫酸及びその塩類、過硫酸及びその塩類で、例
えば硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウム等である。又、燐酸イオン供
給化合物としては燐酸及びその塩類で、例えば燐
酸、燐酸アンモニウム、燐酸カリウム等である。
これら陰イオンの添加量は0.001モル／〜2.5モ
ル／が好ましく、0.001モル／以下では剥離
速度も遅く、不溶性鉛塩の溶解効果も期待し難
い。又、2.5モル／を越える場合には、それ以
上の大きな効果は期待できず、反面、銅基質への
腐食力が大きくなるため不経済である。
本発明の剥離液は以上の成分を組合わせた液組
成であるが、上記成分のほかに他の物質を添加す
ることができる。例えば過酸化水素のための安定
化剤として尿素等や、更に、銅の腐食抑制が必要
な場合にはカチオン系ポリマー等の銅インヒビタ
ーを添加することができる。
成であるが、上記成分のほかに他の物質を添加す
ることができる。例えば過酸化水素のための安定
化剤として尿素等や、更に、銅の腐食抑制が必要
な場合にはカチオン系ポリマー等の銅インヒビタ
ーを添加することができる。
本発明の錫又は錫合金の剥離液は弗化水素酸ま
たは／およびその塩類及び過酸化水素が主成分で
あり、本発明による添加剤として硫酸イオン供給
化合物または／および燐酸イオン供給化合物から
選択した少なくとも１種の化合物を陰イオンとし
て0.001モル／〜2.5モル／添加したことを特
徴としており、錫又は錫−鉛合金を短時間で剥離
できるようにしたものである。
たは／およびその塩類及び過酸化水素が主成分で
あり、本発明による添加剤として硫酸イオン供給
化合物または／および燐酸イオン供給化合物から
選択した少なくとも１種の化合物を陰イオンとし
て0.001モル／〜2.5モル／添加したことを特
徴としており、錫又は錫−鉛合金を短時間で剥離
できるようにしたものである。
また、上に述べた好ましい範囲内の添加剤を含
む本発明の剥離液の錫又は錫−鉛合金のエツチン
グ速度と銅のエツチング速度との比は約250〜
300：１であるため、錫又は錫−鉛合金溶解後も
銅基質の腐食を抑制することができる。
む本発明の剥離液の錫又は錫−鉛合金のエツチン
グ速度と銅のエツチング速度との比は約250〜
300：１であるため、錫又は錫−鉛合金溶解後も
銅基質の腐食を抑制することができる。
次に本発明の実施例を示す。
実施例 １
硫酸 0.1モル／
（硫酸イオンとして）
弗化水素アンモニウム 200モル／
（弗素量として）
過酸化水素 ３モル／
水（総量が１になるまで添加）
プリント配線板の製造に於いて、錫60％及び鉛
40％を含む半田をメツキ（半田厚10μ）した銅張
り積層板（銅厚35μ）を上記組成の剥離液に30℃
で浸漬したところ、半田が20秒間で板から完全に
除去された。なお回路が銅で被覆されているこの
板を剥離から取り出し、その銅表面を検査したと
ころ、何ら異常は認められなかつた。
40％を含む半田をメツキ（半田厚10μ）した銅張
り積層板（銅厚35μ）を上記組成の剥離液に30℃
で浸漬したところ、半田が20秒間で板から完全に
除去された。なお回路が銅で被覆されているこの
板を剥離から取り出し、その銅表面を検査したと
ころ、何ら異常は認められなかつた。
これに対して、硫酸を添加しないで、その他は
上記と同じ組成の剥離液を使用し、同一条件でメ
ツキされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が板から完全に除去されるのに38秒要し
た。なお回路が銅で被覆されているこの板を剥離
液から取り出し、その銅表面を検査したところ、
回路パターンのスルホール部分に白色の不溶性鉛
塩の残留物が認められた。
上記と同じ組成の剥離液を使用し、同一条件でメ
ツキされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が板から完全に除去されるのに38秒要し
た。なお回路が銅で被覆されているこの板を剥離
液から取り出し、その銅表面を検査したところ、
回路パターンのスルホール部分に白色の不溶性鉛
塩の残留物が認められた。
実施例 ２
硫酸 １モル／
（硫酸イオンとして）
弗化水素アンモニウム 250ｇ／
（弗素量として）
銅インヒビター（例えば縮合ポリアミン）
10ｇ／ 過酸化水素 2.5モル／ 水（総量が１になるまで添加） 上記組成の剥離液に実施例１と同一条件でメツ
キされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が25秒間で板から完全に除去された。な
お回路が銅で被覆されているこの板を剥離液から
取り出し、その銅表面を検査したところ、何ら異
常は認められなかつた。
10ｇ／ 過酸化水素 2.5モル／ 水（総量が１になるまで添加） 上記組成の剥離液に実施例１と同一条件でメツ
キされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が25秒間で板から完全に除去された。な
お回路が銅で被覆されているこの板を剥離液から
取り出し、その銅表面を検査したところ、何ら異
常は認められなかつた。
これに対して、硫酸ナトリウムを添加しない
で、その他は実施例２と同じ組成の剥離液を使用
し、実施例１と同一条件でメツキされた板を30℃
で浸漬したところ、半田が板から完全に除去され
るのに42秒要した。なお回路が銅で被覆されてい
るこの板を剥離液から取り出し、その銅表面を検
査したところ、回路パターンのスルホール部分に
白色の不溶性鉛塩の残留物が認められた。
で、その他は実施例２と同じ組成の剥離液を使用
し、実施例１と同一条件でメツキされた板を30℃
で浸漬したところ、半田が板から完全に除去され
るのに42秒要した。なお回路が銅で被覆されてい
るこの板を剥離液から取り出し、その銅表面を検
査したところ、回路パターンのスルホール部分に
白色の不溶性鉛塩の残留物が認められた。
実施例 ３
燐酸 0.5モル／
（燐酸イオンとして）
弗化水素カリウム 50ｇ／
（弗素量として）
過酸化水素 3.5モル／
尿素 ５ｇ／
水（総量が１になるまで添加）
上記組成の剥離液に実施例１と同一条件でメツ
キされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が23秒間で板から完全に除去された。な
お回路が銅で被覆されているこの板を剥離液から
取り出し、その銅表面を検査したところ、何ら異
常は認められなかつた。
キされたプリント配線板を30℃で浸漬したとこ
ろ、半田が23秒間で板から完全に除去された。な
お回路が銅で被覆されているこの板を剥離液から
取り出し、その銅表面を検査したところ、何ら異
常は認められなかつた。
これに対して、燐酸を添加しないでその他は上
記と同じ組成の剥離液を使用し、実施例１と同一
条件でメツキされたプリント配線板を30℃で浸漬
したところ、半田が板から完全に剥離されるのに
43秒要した。なお回路が銅で被覆されているこの
板を剥離液から取り出し、その銅表面を検査した
ところ、回路パターンのスルホール部分に白色の
不溶性鉛塩の残留物が認められた。
記と同じ組成の剥離液を使用し、実施例１と同一
条件でメツキされたプリント配線板を30℃で浸漬
したところ、半田が板から完全に剥離されるのに
43秒要した。なお回路が銅で被覆されているこの
板を剥離液から取り出し、その銅表面を検査した
ところ、回路パターンのスルホール部分に白色の
不溶性鉛塩の残留物が認められた。
なお、硫酸イオンと燐酸イオンとの合計が
0.001〜2.5モル／になるようにした場合にも同
様な結果の得られることは勿論である。
0.001〜2.5モル／になるようにした場合にも同
様な結果の得られることは勿論である。
以上のことから硫酸イオンまたは／および燐酸
イオンの添加が錫又は錫−鉛合金の剥離速度の向
上ならびに不溶性鉛塩の溶解に充分効果のあるこ
とが分かる。
イオンの添加が錫又は錫−鉛合金の剥離速度の向
上ならびに不溶性鉛塩の溶解に充分効果のあるこ
とが分かる。
本発明の剥離液によれば、錫または錫合金のプ
リント配線板からの剥離速度が従来の剥離液の３
〜４倍に向上し、しかも一度溶解した錫および錫
合金成分の沈殿抑制力は５〜10倍に達し、更に、
配線板回路の銅の腐食は殆ど認められないという
優れた効果が得られる。
リント配線板からの剥離速度が従来の剥離液の３
〜４倍に向上し、しかも一度溶解した錫および錫
合金成分の沈殿抑制力は５〜10倍に達し、更に、
配線板回路の銅の腐食は殆ど認められないという
優れた効果が得られる。
Claims (1)
- １ 弗化水素酸または／およびその塩類及び過酸
化水素を主成分とする水溶液に硫酸イオン供給化
合物または／および燐酸イオン供給化合物から選
択した少なくとも１種の化合物を陰イオンとして
0.001モル／〜2.5モル／添加したことを特徴
とする錫または錫合金の剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219747A JPS6376888A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 錫または錫合金の剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219747A JPS6376888A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 錫または錫合金の剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376888A JPS6376888A (ja) | 1988-04-07 |
| JPS6352115B2 true JPS6352115B2 (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=16740358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219747A Granted JPS6376888A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 錫または錫合金の剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376888A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109652806B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-12-25 | 鹤壁市正华有色金属有限公司 | 一种以紫铜或黄铜为基材的亮锡汽车零部件的退镀液和退镀工艺 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219747A patent/JPS6376888A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376888A (ja) | 1988-04-07 |
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