JPH08250461A - 半導体基板用アルカリ性洗浄液 - Google Patents
半導体基板用アルカリ性洗浄液Info
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- JPH08250461A JPH08250461A JP7087782A JP8778295A JPH08250461A JP H08250461 A JPH08250461 A JP H08250461A JP 7087782 A JP7087782 A JP 7087782A JP 8778295 A JP8778295 A JP 8778295A JP H08250461 A JPH08250461 A JP H08250461A
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- ammonium fluoride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクル除去能力に優れ、且つ金属不純
物の基板への吸着防止能力を持った、半導体基板用アル
カリ性洗浄液を提供すること。 【構成】 アルカリ性成分、過酸化水素及びふっ化アン
モニウムを有効成分として含有する水溶液より成る半体
基板用アルカリ性洗浄液。
物の基板への吸着防止能力を持った、半導体基板用アル
カリ性洗浄液を提供すること。 【構成】 アルカリ性成分、過酸化水素及びふっ化アン
モニウムを有効成分として含有する水溶液より成る半体
基板用アルカリ性洗浄液。
Description
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は半導体基板用の洗浄液に
関するものであり、さらに詳しくはパーティクルの除去
ならびに金属不純物の吸着防止及び洗浄力に優れた半導
体基板用のアルカリ性洗浄液に関するものである。
関するものであり、さらに詳しくはパーティクルの除去
ならびに金属不純物の吸着防止及び洗浄力に優れた半導
体基板用のアルカリ性洗浄液に関するものである。
【０００２】
【背景技術】近年、さらなる半導体素子の高集積化によ
り半導体基板の清浄度に対する要求は益々厳しいものと
なってきている。半導体基板の汚染原因となる物質とし
てはパーティクルや金属不純物、有機物等が挙げられる
が、金属不純物については、高集積化半導体基板を得る
ためには金属原子として基板表面濃度で１０１０ａｔｍ
ｓ／ｃｍ２以下でコントロールしなくてはならないとい
われている。しかしながら、半導体装置の製造において
用いられている洗浄液はいずれも一長一短があり、その
除去しようとする汚染物質の種類毎にアルカリ性の洗浄
液と酸性の洗浄液とを組み合わせて用いられているのが
現状である。
り半導体基板の清浄度に対する要求は益々厳しいものと
なってきている。半導体基板の汚染原因となる物質とし
てはパーティクルや金属不純物、有機物等が挙げられる
が、金属不純物については、高集積化半導体基板を得る
ためには金属原子として基板表面濃度で１０１０ａｔｍ
ｓ／ｃｍ２以下でコントロールしなくてはならないとい
われている。しかしながら、半導体装置の製造において
用いられている洗浄液はいずれも一長一短があり、その
除去しようとする汚染物質の種類毎にアルカリ性の洗浄
液と酸性の洗浄液とを組み合わせて用いられているのが
現状である。
【０００３】アンモニア水と過酸化水素及び水からなる
洗浄液（ＳＣ−１洗浄液）に代表されるアルカリ性の洗
浄液はパーティクルの除去に優れた効果を発揮するが、
その反面、半導体基板に金属不純物が吸着するため、さ
らに希ふっ酸のような酸性の洗浄液で洗浄し、吸着した
金属不純物を除去しなければならず、工程を煩雑なもの
としている。
洗浄液（ＳＣ−１洗浄液）に代表されるアルカリ性の洗
浄液はパーティクルの除去に優れた効果を発揮するが、
その反面、半導体基板に金属不純物が吸着するため、さ
らに希ふっ酸のような酸性の洗浄液で洗浄し、吸着した
金属不純物を除去しなければならず、工程を煩雑なもの
としている。
【０００４】このような問題点の解決のために、特公昭
５３−２０３７７号公報、特開昭６３−１１４１３１号
公報、あるいは特開平３−２１９０００号公報等にみら
れるように、洗浄液にキレート剤を添加し、金属不純物
の吸着を防止する技術が提案されている。
５３−２０３７７号公報、特開昭６３−１１４１３１号
公報、あるいは特開平３−２１９０００号公報等にみら
れるように、洗浄液にキレート剤を添加し、金属不純物
の吸着を防止する技術が提案されている。
【０００５】しかしながら、これらのキレート剤は、特
定の金属に対しては有効であるが種々の金属の吸着防止
には効果的ではなく、又洗浄効果の安定性においても欠
けるという問題がある。
定の金属に対しては有効であるが種々の金属の吸着防止
には効果的ではなく、又洗浄効果の安定性においても欠
けるという問題がある。
【０００６】更に、キレート剤は、それ自身有機物であ
るため、新たなコンタミネーションを引き起こす恐れが
ある。
るため、新たなコンタミネーションを引き起こす恐れが
ある。
【０００７】
【発明の開示】本発明者らは、上記従来技術の問題点を
解決するために鋭意研究を行ったところ、パーティクル
除去能力に優れ、基板への金属吸着防止能をも兼ね備え
た新規なアルカリ性洗浄液を開発することに成功した。
解決するために鋭意研究を行ったところ、パーティクル
除去能力に優れ、基板への金属吸着防止能をも兼ね備え
た新規なアルカリ性洗浄液を開発することに成功した。
【０００８】すなわち、本発明は、ふっ化アンモニウム
を有効成分として含有する半導体基板用アルカリ性洗浄
液を提供するものである。以下、本発明を詳細に説明す
る。
を有効成分として含有する半導体基板用アルカリ性洗浄
液を提供するものである。以下、本発明を詳細に説明す
る。
【０００９】ＳＣ−１洗浄液に代表されるアルカリ成分
と過酸化水素とを組み合わせたアルカリ性洗浄液中にお
いて、金属不純物のほとんどは、金属水酸化物となり、
一方、半導体基板表面には自然酸化により酸化シリコン
の膜が形成される。そのため、金属水酸化物の水酸基と
半導体基板表面の酸化膜上のシラノール基との間に水素
結合による結合が生じ、金属不純物は半導体基板表面に
吸着されると考えられる。
と過酸化水素とを組み合わせたアルカリ性洗浄液中にお
いて、金属不純物のほとんどは、金属水酸化物となり、
一方、半導体基板表面には自然酸化により酸化シリコン
の膜が形成される。そのため、金属水酸化物の水酸基と
半導体基板表面の酸化膜上のシラノール基との間に水素
結合による結合が生じ、金属不純物は半導体基板表面に
吸着されると考えられる。
【００１０】キレート剤は、金属とキレート化合物を形
成することにより、洗浄液中において金属水酸化物の生
成を抑制するために、半導体基板表面への金属不純物の
吸着を防止する作用を奏しているものと考えられてい
る。
成することにより、洗浄液中において金属水酸化物の生
成を抑制するために、半導体基板表面への金属不純物の
吸着を防止する作用を奏しているものと考えられてい
る。
【００１１】本発明に係るアルカリ性洗浄液の成分であ
るふっ化アンモニウムが解離したふっ素イオンは、アル
カリ性側において金属と錯体を形成し、その結果金属水
酸化物の生成を抑制するというキレート剤と同様の働き
をする。
るふっ化アンモニウムが解離したふっ素イオンは、アル
カリ性側において金属と錯体を形成し、その結果金属水
酸化物の生成を抑制するというキレート剤と同様の働き
をする。
【００１２】しかも、ふっ化アンモニウムは半導体基板
のエッチング液の１成分として広く用いられているた
め、電子工業用薬品として、高純度のものが供給されて
おり、不純物による逆汚染の心配もなく、安価に容易に
入手できる薬品である。
のエッチング液の１成分として広く用いられているた
め、電子工業用薬品として、高純度のものが供給されて
おり、不純物による逆汚染の心配もなく、安価に容易に
入手できる薬品である。
【００１３】また、ふっ素イオンの導入薬品として電子
工業用に市販されているふっ化水素酸の使用も考えられ
るが、ふっ化水素酸は、アンモニア水の様なアルカリ成
分と中和反応を起こし、洗浄液の性能を低下させる傾向
にあり、これを使用した場合、ふっ化水素酸の使用量に
見合った量のアンモニア水を多めに加えなければならず
コストの面からも不利となる。
工業用に市販されているふっ化水素酸の使用も考えられ
るが、ふっ化水素酸は、アンモニア水の様なアルカリ成
分と中和反応を起こし、洗浄液の性能を低下させる傾向
にあり、これを使用した場合、ふっ化水素酸の使用量に
見合った量のアンモニア水を多めに加えなければならず
コストの面からも不利となる。
【００１４】このように本発明に係るふっ化アンモニウ
ムは、従来のアルカリ系洗浄液に添加されることによ
り、その洗浄能力を損なわずに基板への金属不純物の吸
着を効果的に防止することができるものである。
ムは、従来のアルカリ系洗浄液に添加されることによ
り、その洗浄能力を損なわずに基板への金属不純物の吸
着を効果的に防止することができるものである。
【００１５】さらに本発明の半導体基板用アルカリ性洗
浄液について詳細に説明する。本発明に係る半導体基板
用アルカリ性洗浄液としては、従来汎用されているアル
カリ性成分と、過酸化水素とからなるアルカリ性洗浄液
に、ふっ化アンモニウムの所望量を添加したものが最も
好ましい使用態様である。
浄液について詳細に説明する。本発明に係る半導体基板
用アルカリ性洗浄液としては、従来汎用されているアル
カリ性成分と、過酸化水素とからなるアルカリ性洗浄液
に、ふっ化アンモニウムの所望量を添加したものが最も
好ましい使用態様である。
【００１６】アルカリ成分としては、アンモニア水や水
酸化テトラメチルアンモニウム等が好ましく、その濃度
は、使用目的によって異なるがアンモニア水について
は、通常アンンモニアとして０．２重量％〜５重量％が
好ましい濃度である。過酸化水素の濃度は、アンモニア
の濃度に応じて適宜決定されるが、通常、アンモニア濃
度と同濃度〜１０倍の濃度で用いるのが好ましく、通常
は洗浄液中の濃度としてその全量に対し０．２〜５重量
％程度である。
酸化テトラメチルアンモニウム等が好ましく、その濃度
は、使用目的によって異なるがアンモニア水について
は、通常アンンモニアとして０．２重量％〜５重量％が
好ましい濃度である。過酸化水素の濃度は、アンモニア
の濃度に応じて適宜決定されるが、通常、アンモニア濃
度と同濃度〜１０倍の濃度で用いるのが好ましく、通常
は洗浄液中の濃度としてその全量に対し０．２〜５重量
％程度である。
【００１７】ふっ化アンモニウムの濃度は、洗浄液中の
アンモニアの濃度とのバランスで決定されるが、アンモ
ニア濃度に対しその１／２から同濃度程度で使用するの
が好ましい。ふっ化アンモニウムの濃度と金属吸着防止
効果の関係から見てみると、その濃度が３．４重量％付
近で飽和する傾向にあり、また６重量％以上の濃度にな
ると洗浄能力が低下する傾向にあるので、６重量％以上
の濃度で使用しても、それ以上の効果は期待できない。
また、ふっ化アンモニウムの濃度と吸着防止効果は金属
の種類によって異なり、例えば、Ａｌの場合は濃度が高
いほど吸着防止効果は高いが、Ｚｎの場合はＡｌと比べ
て低い濃度でも十分に効果を発揮する。
アンモニアの濃度とのバランスで決定されるが、アンモ
ニア濃度に対しその１／２から同濃度程度で使用するの
が好ましい。ふっ化アンモニウムの濃度と金属吸着防止
効果の関係から見てみると、その濃度が３．４重量％付
近で飽和する傾向にあり、また６重量％以上の濃度にな
ると洗浄能力が低下する傾向にあるので、６重量％以上
の濃度で使用しても、それ以上の効果は期待できない。
また、ふっ化アンモニウムの濃度と吸着防止効果は金属
の種類によって異なり、例えば、Ａｌの場合は濃度が高
いほど吸着防止効果は高いが、Ｚｎの場合はＡｌと比べ
て低い濃度でも十分に効果を発揮する。
【００１８】以上の点を考慮してふっ化アンモニウムの
濃度を決定する必要があるが、アンモニア、過酸化水素
及び水を用いた洗浄液では、通常その配合比は体積比で
アンモニア水：過酸化水素：純水が１：１：１００（ア
ンモニア濃度０．２８重量％）から１：１：５（アンモ
ニア濃度４．２重量％）比で用いられており、これに対
して、ふっ化アンモニウムの濃度としては０．１〜５重
量％、特に０．２〜４．５重量％の濃度範囲で添加して
使用するのが好ましい。
濃度を決定する必要があるが、アンモニア、過酸化水素
及び水を用いた洗浄液では、通常その配合比は体積比で
アンモニア水：過酸化水素：純水が１：１：１００（ア
ンモニア濃度０．２８重量％）から１：１：５（アンモ
ニア濃度４．２重量％）比で用いられており、これに対
して、ふっ化アンモニウムの濃度としては０．１〜５重
量％、特に０．２〜４．５重量％の濃度範囲で添加して
使用するのが好ましい。
【００１９】次に、本発明の実施例及び比較例を掲げ、
さらに本発明を詳細に説明するが、本発明は、これらの
実施例によって限定されるものではないことは勿論であ
る。
さらに本発明を詳細に説明するが、本発明は、これらの
実施例によって限定されるものではないことは勿論であ
る。
【００２０】
〔比較例１〕２９重量％アンモニア水、３０％過酸化水
素水と超純水を体積比１：１：６の割合で混合した洗浄
液をＡｌが１ｐｐｂとなるように汚染し、この液にウェ
ハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１００））を５０℃で、１
０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した後、ウェハ表面に吸
着されたＡｌを希ふっ酸溶液で回収し、回収されたＡｌ
をフレームレス原子吸光法により定量し、その吸着量を
調べた。
素水と超純水を体積比１：１：６の割合で混合した洗浄
液をＡｌが１ｐｐｂとなるように汚染し、この液にウェ
ハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１００））を５０℃で、１
０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した後、ウェハ表面に吸
着されたＡｌを希ふっ酸溶液で回収し、回収されたＡｌ
をフレームレス原子吸光法により定量し、その吸着量を
調べた。
【００２１】〔比較例２〕２９重量％アンモニア水、３
０％過酸化水素水（キレート剤 ３−アミノメチルホス
ホン酸 １００ｐｐｍ添加）と超純水を体積比１：１：
６の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１に記載の方
法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
０％過酸化水素水（キレート剤 ３−アミノメチルホス
ホン酸 １００ｐｐｍ添加）と超純水を体積比１：１：
６の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１に記載の方
法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
【００２２】〔実施例１〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．２５：１：１：６（ふっ化アンモニウム１．２
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．２５：１：１：６（ふっ化アンモニウム１．２
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
【００２３】〔実施例２〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６（ふっ化アンモニウム２．３５
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６（ふっ化アンモニウム２．３５
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
【００２４】〔実施例３〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６（ふっ化アンモニウム３．４
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６（ふっ化アンモニウム３．４
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載
の方法に準じてＡｌの吸着量を調べた。
【００２５】〔実施例４〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比１：１：１：６（ふっ化アンモニウム４．４重量
％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載の方
法に準じてＡｌの吸着量を調べた。以上、Ａｌについて
行った比較例１、２と実施例１〜４の結果を表１に示
す。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比１：１：１：６（ふっ化アンモニウム４．４重量
％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例１記載の方
法に準じてＡｌの吸着量を調べた。以上、Ａｌについて
行った比較例１、２と実施例１〜４の結果を表１に示
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１から明らかなとおり、本発明に係る洗
浄液には、明らかなＡｌの吸着防止効果がみられ、ふっ
化アンモニウムの濃度とともにその吸着量が少なくなる
ことが認められた。一方、ホスホン酸系のキレート剤に
は、Ａｌの吸着防止効果はまったく認められなかった。
浄液には、明らかなＡｌの吸着防止効果がみられ、ふっ
化アンモニウムの濃度とともにその吸着量が少なくなる
ことが認められた。一方、ホスホン酸系のキレート剤に
は、Ａｌの吸着防止効果はまったく認められなかった。
【００２８】〔比較例３〕２９重量％アンモニア水、３
０％過酸化水素水と超純水を体積比１：１：６の割合で
混合した洗浄液をＺｎが１ｐｐｂとなるように汚染し、
この液にウェハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１００））を
５０℃で１０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した後、ウェ
ハ表面に吸着されたＺｎを希ふっ酸で回収し、回収され
たＺｎをフレームレス原子吸光法により定量し、その吸
着量を調べた。
０％過酸化水素水と超純水を体積比１：１：６の割合で
混合した洗浄液をＺｎが１ｐｐｂとなるように汚染し、
この液にウェハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１００））を
５０℃で１０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した後、ウェ
ハ表面に吸着されたＺｎを希ふっ酸で回収し、回収され
たＺｎをフレームレス原子吸光法により定量し、その吸
着量を調べた。
【００２９】〔比較例４〕２９重量％アンモニア水、３
０％過酸化水素水（キレート剤 ３−アミノメチルホス
ホン酸 １００ｐｐｍ添加）と超純水を体積比１：１：
６の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記載の方
法に準じてＺｎの吸着量を調べた。
０％過酸化水素水（キレート剤 ３−アミノメチルホス
ホン酸 １００ｐｐｍ添加）と超純水を体積比１：１：
６の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記載の方
法に準じてＺｎの吸着量を調べた。
【００３０】〔実施例５〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６（ふっ化アンモニウム２．３５
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記
載の方法に準じてＺｎの吸着量を調べた。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６（ふっ化アンモニウム２．３５
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記
載の方法に準じてＺｎの吸着量を調べた。
【００３１】〔実施例６〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６（ふっ化アンモニウム３．４
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記
載の方法に準じてＺｎの吸着量を調べた。以上、Ｚｎに
ついて行った比較例３、４及び実施例５、６の結果を表
２に示す。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６（ふっ化アンモニウム３．４
重量％）の割合で混合した洗浄液を用いて比較例３に記
載の方法に準じてＺｎの吸着量を調べた。以上、Ｚｎに
ついて行った比較例３、４及び実施例５、６の結果を表
２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】表２に示した結果から、Ｚｎの場合は、Ａ
ｌよりも低濃度で効果が現れており、Ａｌと同様にふっ
化アンモニウムによって表面への吸着が効果的に抑えら
れていることが認められた。
ｌよりも低濃度で効果が現れており、Ａｌと同様にふっ
化アンモニウムによって表面への吸着が効果的に抑えら
れていることが認められた。
【００３４】〔比較例５〕２９重量％アンモニア水、３
０％過酸化水素水と超純水を体積比１：１：６の割合で
混合した洗浄液をＣｕが１００ｐｐｂとなるように汚染
し、この液にウェハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１０
０））を５０℃で１０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した
後、ウェハ表面に吸着されたＣｕをふっ酸−硝酸混合液
で回収し、回収されたＣｕをフレームレス原子吸光法に
より定量し、その吸着量を調べた。
０％過酸化水素水と超純水を体積比１：１：６の割合で
混合した洗浄液をＣｕが１００ｐｐｂとなるように汚染
し、この液にウェハ（４インチφ、ＣＺ、Ｎ（１０
０））を５０℃で１０ｍｉｎ．浸漬し、ついで水洗した
後、ウェハ表面に吸着されたＣｕをふっ酸−硝酸混合液
で回収し、回収されたＣｕをフレームレス原子吸光法に
より定量し、その吸着量を調べた。
【００３５】〔実施例７〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６の割合で混合した洗浄液を用い
て比較例５に記載の方法に準じてＣｕの吸着量を調べ
た。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．５：１：１：６の割合で混合した洗浄液を用い
て比較例５に記載の方法に準じてＣｕの吸着量を調べ
た。
【００３６】〔実施例８〕４０％ふっ化アンモニウム、
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６の割合で混合した洗浄液を用
いて比較例５に記載の方法に準じてＣｕの吸着量を調べ
た。以上、Ｃｕについて行った比較例５および実施例
７、８の結果を表３に示す。
２９％アンモニア水、３０％過酸化水素水と超純水を体
積比０．７５：１：１：６の割合で混合した洗浄液を用
いて比較例５に記載の方法に準じてＣｕの吸着量を調べ
た。以上、Ｃｕについて行った比較例５および実施例
７、８の結果を表３に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】表３に示すとおり、Ｃｕの場合は、Ａｌ、
Ｚｎと比較してその効果が顕著ではないが約１／２量に
吸着量か低減されることが認められた。
Ｚｎと比較してその効果が顕著ではないが約１／２量に
吸着量か低減されることが認められた。
【００３９】以上の結果から明らかなように、洗浄液に
ホスホン酸系のキレート剤を添加してもはＡｌやＺｎの
吸着防止には殆ど効果が認められないが、本発明に係る
ふっ化アンモニウムを成分として含有するアルカリ性洗
浄液は、Ａｌ及びＺｎのいずれに対しても優れた洗浄力
を発揮し、またキレート剤を添加する必要もないので新
たなコンタミネーションの問題も生じることなく、半導
体基板用洗浄液として極めて有用なものである。
ホスホン酸系のキレート剤を添加してもはＡｌやＺｎの
吸着防止には殆ど効果が認められないが、本発明に係る
ふっ化アンモニウムを成分として含有するアルカリ性洗
浄液は、Ａｌ及びＺｎのいずれに対しても優れた洗浄力
を発揮し、またキレート剤を添加する必要もないので新
たなコンタミネーションの問題も生じることなく、半導
体基板用洗浄液として極めて有用なものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ふっ化アンモニウムを有効成分として含
有することを特徴とする半導体基板用アルカリ性洗浄
液。 - 【請求項２】 上記ふっ化アンモニウムの濃度が０．２
〜４．５重量％である請求項１記載の半導体基板用アル
カリ性洗浄液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08778295A JP3689871B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体基板用アルカリ性洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08778295A JP3689871B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 半導体基板用アルカリ性洗浄液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250461A true JPH08250461A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3689871B2 JP3689871B2 (ja) | 2005-08-31 |
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