TW201000262A - Polishing pad - Google Patents
Polishing pad Download PDFInfo
- Publication number
- TW201000262A TW201000262A TW098115954A TW98115954A TW201000262A TW 201000262 A TW201000262 A TW 201000262A TW 098115954 A TW098115954 A TW 098115954A TW 98115954 A TW98115954 A TW 98115954A TW 201000262 A TW201000262 A TW 201000262A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- honing
- groove
- layer
- pad
- buffer layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Description
201000262 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種硏磨墊。該硏磨墊係關於在藉由硏 磨而使半導體基板之表面平坦化的步驟或藉由硏磨而使形 成於半導體基板上之絕緣層表面或金屬配線表面平坦化的 步驟中,用於該硏磨而較佳地使用的硏磨墊。 【先前技術】 代表半導體記憶體之大規模積體電路(LSI),正逐年地 進展著其中之電路的高密度化。隨著該高密度化,亦使半 導體裝置的積層數增加。由於該積層數的增加,以往由不 成問題之積層所產生之半導體基板主面的凹凸卻成爲問 題。因此,由於補償肇因於由積層所產生之凹凸之曝光時 的焦點深度不足的目的,或者由於提昇藉由因穿孔部分之 平坦化所致之配線密度的目的,正硏究使用化學機械硏磨 (CMP : Chemical Mechanical Polishing)技術之半導體基板的 平坦化。 \ 一般而言,化學機械硏磨裝置係由固定被硏磨物之半 導體基板的硏磨頭、用於進行被硏磨物之硏磨處理的硏磨 墊、固定該硏磨墊之硏磨定盤所構成。半導體基板之硏磨 處理係使用由硏磨劑(砥粒)與藥液所構成之硏磨漿體,藉 由使半導體基板與硏磨墊進行相對運動,除去半導體基板 表面之層的突出部分,使半導體基板表面之層變平滑。 於化學機械硏磨中所使用之代表性硏磨墊方面,係在 JP06-02 1 0 28A所揭示之在以具有微細發泡構造(氣泡直 徑:約30/zm至50/zm)之硬質聚胺基甲酸酯所構成硏磨層 201000262 上’貼合以含浸聚胺基甲酸酯不織布、軟質發泡聚胺基甲 酸酯等所構成之緩衝層的雙層構造之硏磨墊;在 JP3685066B或JP3924952B所揭示之在前述硏磨層上,貼合 以無發泡之彈性體所構成之緩衝層的雙層構造之硏磨墊。 【發明内容】 在習知之雙層構造的硏磨墊上,使用著含浸聚胺基甲 酸酯不織布或軟質發泡聚胺基甲酸酯等之壓縮彈性率較低 之發泡型緩衝層的積層墊上,有所謂一方面平坦化特性不 r 足,一方面硏磨層歷經硏磨同時變薄與平坦化特性降低的 問題。又,在習知之雙層構造的硏磨墊上,在使用著壓縮 彈性率高之無發泡彈性體或高密度之發泡型緩衝層的積層 墊上,在平坦化特性優異同時在設置於硏磨層之習知的溝 槽形狀中,有硏磨不穩定、墊間之硏磨特性的不一致性變 大的問題。 即,在習知的硏磨墊中,在硏磨穩定性上有問題,在 平坦化特性與墊間之硏磨特性不一致性的方面不足。 I 本發明之目的在於提供一種硏磨墊,其具有在半導體 基板之平坦化或藉由硏磨而使形成於半導體基板上之絕緣 層表面或金屬配線表面平坦化的步驟中所較佳地使用之優 異硏磨穩定性或平坦化特性,並且墊間之硏磨特性的不一 致性少的硏磨墊。 本發明之硏磨墊係如以下所述。 一種硏磨墊,其係由硏磨層與緩衝層之積層體所構成 的硏磨墊,其中 (a)前述硏磨層之微橡膠A硬度爲75度以上,其厚度爲 201000262 0.8mm 至 3_0mm; (b) 前述緩衝層係由無發泡彈性體所構成,其厚度爲0.05mm 至 1. 5 mm ; (c) 在前述硏磨層的表面上,形成至少2種之溝槽群,該2 種溝槽群之中的一種爲第1溝槽群,其他一種爲第2溝槽 群; (d) 前述第1溝槽群之各溝槽的溝槽寬爲〇.5mm至1.2mm, 各溝槽之溝槽間距爲7.5mm至50mm ; (e) 前述第2溝槽群之各溝槽的溝槽寬爲1.5mm至3mm,各 溝槽之溝槽間距爲20mm至50mm;而且, (f) 前述第1溝槽群之各溝槽及前述第2溝槽群之各溝槽朝 向前述硏磨層之側端面開口。 在本發明之硏磨墊中,前述微橡膠A硬度較佳爲80 度以上,前述緩衝層之厚度較佳爲0.05mm至0.5mm。 在本發明之硏磨墊中,前述緩衝層之拉伸彈性率較佳 爲 15Mpa 至 50MPa。 在本發明之硏磨墊中,前述硏磨層與前述緩衝層之間 的剪斷接著力較佳爲3000gf/(20x20mm2)以上。 在本發明之硏磨墊中,較佳爲將形成前述第1溝槽群 之溝槽排列成格子狀,並且將形成前述第2溝槽群之溝槽 排列成格子狀。再者,在該硏磨墊中,較佳爲將第1溝槽 群及第2溝槽群之各溝槽排列成直線狀’並且互相平行地 排列。 在本發明之硏磨墊中,較佳爲前述硏磨層具有含聚胺 基甲酸酯與乙烯系化合物之聚合物的發泡構造。 201000262 在本發明之硏磨墊中,較佳爲在將前述聚胺基甲酸酯 與前述乙烯系化合物之聚合物一體化的狀態。 其中,所謂在將聚胺基甲酸酯與乙烯系化合物之聚合 物一體化的狀態,係指聚胺基甲酸酯之相與乙烯系化合物 聚合物之相未互相分離而存在的狀態。該狀態具有以焦點 大小爲5 0 // m之顯微紅外線分光裝置所觀察之硏磨層的紅 外線光譜,或聚胺基甲酸酯之紅外線吸收光譜與乙烯系化 合物之聚合物的紅外線吸收光譜,可充分理解在整個硏磨 " 層全體上,各處之紅外線光譜約略相同的狀態。其中所使 用之顯微紅外線分光裝置方面,例如有SPETRA-TECH公司 製的IR # s。 在本發明之硏磨墊中,前述乙烯系化合物之聚合物的 含有比例較佳爲23重量%至66重量% 。 在本發明之硏磨墊中,前述乙烯系化合物較佳爲 CH2 = CR.COOR2(Ri :甲基、乙基;R2:甲基、乙基、丙基、 丁基)。 ί : 藉由本發明,則提供具有優異之硏磨穩定性或平坦化 特性,且墊間之硏磨特性的不一致性少的硏磨墊。 【實施方式】 本發明之硏磨墊係由硏磨層與緩衝層之積層體所構 成。 該硏磨層係由微橡膠Α硬度爲75度以上的材料所構 成,其厚度爲〇_8mm至3.0mm。 微橡膠A硬度係以高分子計器股份有限公司製微橡膠 硬度計MD -1所測定的硬度。微橡膠硬度計MD -1係可進行 201000262 以習知之硬度計難以測定之薄物件、小物件之試樣的硬度 測定者。該硬度計設計、製作作爲彈簧式橡膠硬度計(硬度 計)A型之約1 /5的縮小模組。因此’該測定値可認爲是與 以彈簧式橡膠硬度計A型的測定値相同者。還有’通常的 硏磨墊,硏磨層或硬質層之厚度爲5mm以下時則因過薄而 不能以彈簧式橡膠硬度計評估’但可藉由使用微橡膠硬度 計MD-1評估。 在硏磨層之微橡膠A硬度未滿75度的情況下,則平坦 化特性不足。在硏磨層之厚度未滿〇.8mm的情況下,則平 坦化特性不足。在硏磨層之厚度超過3.0mm情況下,面內 均一性變差。 形成硏磨層的材料並無特別限制。該等材料方面,有 聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚脲、聚苯乙烯、 聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、 聚醯胺、聚縮醛,聚醯亞胺、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、 三聚氰胺樹脂、酚樹脂、ABS樹脂,電木、環氧樹脂/紙、 環氧樹脂/纖維等之各種積層板、FRP、天然橡膠、新平橡 膠(NEOPRENE)(註冊商標)橡膠、氯平橡膠、丁二烯橡膠、 苯乙烯-丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠、 聚聚矽氧橡膠、氟橡膠等的各種橡膠等。 硏磨層爲發泡構造及無發泡構造之任一種均可。然 而,在硏磨速度、面內均一性等之硏磨特性良好、灰塵、 刮傷等缺點少的觀點來看,較佳爲發泡構造。 硏磨層之發泡構造的形成方法方面,可使用公認的方 法。可舉例有在單體或聚合物中摻混各種發泡劑,然後藉 201000262 由加熱等而使發泡的方法;在單體或聚合物中分散中空的 微珠粒並使其硬化,使微珠粒部分成爲獨立氣泡的方法; 機械攪拌已熔融之聚合物而使其發泡後,再冷却硬化的方 法;將已溶解有聚合物之溶劑之溶液成膜成薄片狀後,浸 漬於對於聚合物之貧溶劑中,而僅萃取溶劑的方法;將單 體浸漬於具有發泡構造之薄片狀高分子中後,再進行聚合 硬化的方法等。彼等之中,在硏磨層之發泡構造的形成或 氣泡直徑之控制比較簡便、又硏磨層之製作亦簡便的觀點 來看’較佳爲將單體含浸於具有發泡構造之薄片狀高分子 中後,再進行聚合硬化的方法。 形成具有發泡構造之薄片狀高分子的材料,若爲可含 浸單體者則無特別限制。彼等材料方面,舉出有以聚胺基 甲酸酯、聚脲、軟質氯乙烯、天然橡膠、新平橡膠(註冊商 標)橡膠、氯平橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、 丙烯腈-丁二烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠、聚聚矽氧橡膠、氟 橡膠等之各種橡膠等爲主成分的樹脂薄片或布、不織布、 紙等。 彼等之中’特別在可較容易地控制氣泡直徑的觀點來 看,較佳爲以聚胺基甲酸酯爲主成分的材料。在薄片狀高 分子中’以所製造之硏磨墊的特性改良爲目的,亦可添加 硏磨劑、潤滑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、安定劑等的各種 添加劑。 單體若爲進行加成聚合、縮合聚合、複加成、加成縮 合、開環聚合等之聚合反應者,種類則無特別限制。單體 方面則舉出乙烯系化合物、環氧化合物,異氰酸酯化合物、 201000262 二羧酸等。彼等之中,特別在對於薄片狀高分子之含浸、 聚合容易的觀點來看,較佳爲乙烯系化合物。乙烯系化合 物雖無特別限制,亦在對於聚胺基甲酸酯之含浸、聚合容 易的觀點來看爲較佳。 乙烯系化合物方面,舉出有丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸 甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯' 丙烯酸正丁酯、甲 基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸異 癸酯、甲基丙烯酸正十二酯、甲基丙烯酸-2-羥乙酯、甲基 ^ 丙烯酸-2-羥丙酯、甲基丙烯酸-2-羥丁酯、甲基丙烯酸二甲 胺基乙酯、甲基丙烯酸二乙胺基乙酯、甲基丙烯酸環氧丙 酯'乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、反丁 烯二酸、反丁烯二酸二甲酯、反丁烯二酸二乙酯、反丁烯 二酸二丙酯、順丁烯二酸、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二 酸二乙酯、順丁烯二酸二丙酯、苯基馬來亞醯胺、環己基 馬來亞醯胺、異丙基馬來亞醯胺、丙烯腈、丙烯醯胺、氯 乙烯、偏二氯乙烯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、二乙烯苯、 I 乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯等。彼 等單體亦可單獨或混合2種以上來使用。 在上述之乙烯系化合物之中,因對於聚胺基甲酸酯之 含浸性良好的觀點、聚合硬化容易的觀點、由已聚合硬化 之聚胺基甲酸酯與乙烯系化合物所聚合之聚合物的硬度高 而硏磨時之平坦化特性良好的觀點而言,特佳爲甲基丙烯 酸甲酯。 在硏磨層具有發泡構造之情況的平均氣泡直徑雖無特 別限制,但較佳爲20 // m至300 // m。平均氣泡直徑未滿 -10- 201000262 20/zm時,一方面硏磨時之硏磨速度下降,一方面在硏磨 後之半導體基板表面上有容易產生刮傷、灰麈的傾向。平 均氣泡直徑超過300 # m時,由於硏磨層之剛性降低,一方 面平坦化特性等之硏磨特性惡化,一方面有硏磨墊之壽命 變短的傾向。平均氣泡直徑較佳爲30#m至250#ιη。 平均氣泡直徑係以SEM以倍率200倍觀察硏磨層之截 面,並以畫面處理裝置測定所記錄之SEM照片的氣泡直 徑,藉由取得其平均値所求之値。 f 硏磨層之密度雖無特別限制,但較佳爲0.4g/cm3至 1.0g/cm3。密度較0.4g/cm3低時,則有硏磨時之平坦化特性 惡化的傾向。密度較l.〇g/cm3高時,一方面硏磨時之面內 均一性惡化,一方面在硏磨後之半導體基板表面有容易產 生刮傷、灰塵的傾向。密度更佳爲0.5g/cm3至0.8g/cm3。 密度係藉由日本工業規格UIS )K-7 222記載之方法所測 定的値。 緩衝層係以厚度爲〇.〇5mm至1.5mm之無發泡彈性體所 ί / 形成。藉由該緩衝層,則達成已穩定之硏磨速度與優異之 面內均一性。在厚度未滿〇.〇5mm的情況下,因面內均一性 變差而不佳。在厚度超過1.5mm的情況下,亦因邊緣部份 之硏磨速度不穩定,而使面內均一性變差,故不佳。 無發泡彈性體之緩衝層的材料方面,舉出有天然橡 膠、腈橡膠、新平橡膠(註冊商標)橡膠、聚丁二烯橡膠、 氯平橡膠、熱塑性聚胺基甲酸酯橡膠、熱硬化性聚胺基甲 酸酯橡膠、聚聚矽氧橡膠、氟橡膠等,但不限定於彼等。 彼等之中,特佳爲聚胺基甲酸酯,再者,熱塑性聚胺 201000262 基甲酸酯橡膠除了可得到較厚之精確度優異的製品外,因 可不使用離型劑而成形、接著性優異而佳。熱塑性聚胺基 甲酸酯係由顯示橡膠狀彈性之軟段及形成三次元綱目之結 點的硬段(hard segment)所構成,在常溫下顯示橡膠彈性, 在高溫下因可塑化而可擠押成形。具體而言,硬段爲具有 胺基甲酸酯鍵結之聚胺基甲酸酯系嵌段聚合物、軟段(soft segment)爲聚酯或聚醚的彈性體。 在形成緩衝層的材料中,爲了賦予緩衝層所必需之特 性,亦可添加抗靜電劑、潤滑劑、安定劑,染料等之各種 添加劑或其他樹脂。 本發明之緩衝層之拉伸彈性率爲15MPa至50MPa,因 硏磨速度穩定、墊間之硏磨特性的不一致性少而佳。在拉 伸彈性率未滿1 5MPa的情況下,因邊緣部份之硏磨速度不 穩定,且面內均一性差而不佳。在拉伸彈性率超過50MPa 的情況下,因硏磨速度不穩定而不佳。 在硏磨層的表面上,以硏磨漿體之保持性、流動性的 提升、從硏磨層表面之硏磨屑除去效率的提升爲目的,則 形成多數條溝槽。彼等之溝槽係藉由溝槽寬之不同而區分 至少2種的溝槽群所構成。該2種溝槽群之內的一種稱爲 第1溝槽群,另一種則稱爲第2溝槽群。 在第1溝槽群中之各溝槽的溝槽寬爲0.5 mm至 1.2mm’各溝槽之溝槽間距爲7.5mm至50mm。 在第2溝槽群中之各溝槽的溝槽寬爲1.5 mm至3 mm, 各溝槽之溝槽間距爲20mm至50mm。 在硏磨層之表面的全面上,形成屬於至少第1溝槽群 -12- 201000262 與第2溝槽群之多數溝槽,屬於第1溝槽群與第2溝槽群 之多數溝槽的全部則朝向硏磨層的側端面。但是,即使說 是全面,但在實質上無問題之程度的無溝槽範圍亦無妨。 又,即使說全部溝槽朝向硏磨層之側端面開口,但實質上 無問題之程度地存在不朝向硏磨層之側端部分開口的溝槽 亦無妨。 將存在於硏磨層表面之全面的第1溝槽群中的鄰接溝 槽彼此的最小距離定義爲溝槽間距。同樣地,將存在於硏 / 磨層表面之全面的第2溝槽群中的鄰接溝槽彼此的最小距 離定義爲溝槽間距。第1溝槽群中之各溝槽係以固定溝槽 間距離(溝槽間距)存在於硏磨層表面之全面上。在第2溝 槽群之溝槽間距爲第1溝槽群之溝槽間距的整數倍的情況 下,第1溝槽群之一部份的溝槽與第2溝槽群之溝槽重疊, 雖有無法確認其存在的情況,但該溝槽存在著。針對固定 溝槽間距離(溝槽間距),則可容許製作上的不一致性。 在第1溝槽群中之溝槽寬未滿〇.5mm的情況下,對於 晶圓之吸附變大,晶圓變得容易從硏磨墊脫離,故硏磨不 穩定。在第1溝槽群中之溝槽寬超過1.2mm的情況下,硏 磨速度變得不穩定。在第1溝槽群中之溝槽間距未滿7.5 mm 的情況下,硏磨速度變得不穩定。在第1溝槽群中之溝槽 間距超過50mm的情況下,面內均一性變差。 在第2溝槽群中之溝槽寬未滿1.5mm的情況下’硏磨 墊間之硏磨特性的不一致性變大。在第2溝槽群中之溝槽 寬超過3mm的情況下,硏磨速度變得不穩定。在第2溝槽 群中之溝槽間距未滿20 mm的情況下,硏磨速度變得不穩 -13- 201000262 定。在第2溝槽群中之溝槽間距超過50mm的情況下,面 內均一性變差。 溝槽之排列圖案並無特別限制,舉出有格子狀、同心 圓狀、螺旋狀、輻射狀等。其中,較佳爲第1溝槽群中之 溝槽的排列圖案與第2溝槽群中之溝槽的排列圖案同時爲 格子狀的排列。藉由格子狀的排列,則快速地除去硏磨中 的硏磨屑、抑制刮傷的產生、硏磨速度亦穩定。在溝槽之 格子狀的排列中’將各溝槽排列成直線狀,而且將各溝槽 互相平行地排列著,除了上述優點之外,因溝槽形成位置 之正確性及溝槽形成操作之容易性而佳。 第1溝槽群及第2溝槽群之全部溝槽連接於硏磨層的 側端部分,即朝向側端部分開口,從硏磨墊表面除去硏磨 屑、造成刮傷變困難。但是,即使說溝槽全部連接於硏磨 層之側端部分,但以實質上無問題之程度存在未連接硏磨 層之側端部分的溝槽亦無妨。 溝槽之深度係以所謂儘可能延長硏磨墊之壽命的觀點 來看,較佳爲選定硏磨層之厚度與溝槽深度之差爲〇.3mm 至1.0mm。硏磨層之厚度與溝槽深度之差未滿〇.3mm時, 硏磨墊之力學強度小,在以固定盤之貼合時,在溝槽部分 產升皴摺而不佳。在硏磨層之厚度與溝槽深度之差超過 1.0mm的情況下,因硏磨墊之壽命變短而不佳。 溝槽之橫截面形狀爲長方形,由於硏磨中之橫截面形 狀的變形少,因硏磨特性穩定而佳》 對於硏磨層之表面的溝槽形成方法並無特別限制。溝 槽之形成方法方面,可舉出有藉由使用起槽機等裝置切削 -14- 201000262 加工硏磨層的表面以形成溝槽的方法;藉由在硏磨層之表 面上接觸已加熱之模具、熱線等並溶解接觸部分以形成溝 槽的方法;使用溝槽之形成模具,並從一開始即成形形成 溝槽之硏磨層的方法;以鑽頭、湯姆生鑽刀等形成孔洞的 方法等。 硏磨層與緩衝層係互相積層而形成積層體。該積層體 係以黏著劑或接著劑等直接貼合硏磨層與緩衝層而成的構 造,或在硏磨層與緩衝層之間挾存著高分子薄片,以黏著 f 劑或接著劑或者本身接著來個別貼合而成的構造亦無妨。 硏磨層與緩衝層的積層方法並無特別限制。積層方法 方面,可舉出有藉由以積層機之對硏磨層的雙面黏著膠帶 之貼合或以各種塗布機之對於硏磨層的接著劑塗布等的方 法’在硏磨層與緩衝層之間形成黏著劑層、接著劑層後, 藉由積層機、輥壓機、平板鑄壓機等進行加壓的方法;在 硏磨層與緩衝層之間塗布挾存高分子薄片的黏著劑或接著 劑等後,藉由積層機、輥壓機、平板壓鑄機等進行加壓的 ί... 方法。還有,此時在不造成硏磨層、緩衝層不良影響的範 圍中’亦可加熱積層機或壓鑄機本身。 接著劑並無特別限制。接著劑方面,舉出有胺基甲酸 酯系、環氧系、丙烯酸系、橡膠系等之各種接著劑;塗布 彼等之接著劑於薄膜、不織布等基材之雙面所製造而成的 各種雙面膠帶等。 胺基甲酸酯系接著劑方面,可使用例如市售之單液型 或雙液型。 環氧系接著劑方面,可使用例如市售之單液型或雙液 -15 - 201000262 型。丙烯酸系接著劑或橡膠系接著劑亦可使用市售者。 接著劑方面,除了上述之通常的接著劑以外,從環境、 操作性的觀點來看’亦以使用無溶劑型之加熱熔融型接著 劑爲佳。加熱溶融型接著劑亦隨著種類,在70 T:至130 左右之溫度下,以輥塗機等塗布熔融接著劑於被接著物的 一側或雙側上,接著於具有黏著性之間,並實施加壓處理 等之後,藉由將接著劑冷却固化而得到接著機能。又,亦 有在接著後藉由空氣中或被黏著體之水分或濕氣而進行交 聯反應並硬化,而使接著強度增大者。 加熱熔融型接著劑方面,舉出有聚酯系、改質烯烴系、 胺基甲酸酯系等,類型亦有上述之熔融接著後冷却硬化 型;熔融接著•冷却硬化後,進一步與空氣中之濕氣反應 而交聯的2種類型。聚酯系加熱熔融型接著劑.、改質烯烴 系加熱熔融型接著劑、及胺基甲酸酯系加熱熔融型接著劑 係因有市售,故可使用彼等。由於雙面黏著膠帶亦有市售, 故可使用彼等。 硏磨層與緩衝層的剪斷接著力的測定: 從硏磨層與緩衝層的積層體,切下寬20mm、長60mm 的試樣。在距試樣終端40mm的位置上,從硏磨層側完全 切斷接著劑層或高分子薄片,並且以剃刀等銳利的刀刃, 切入至未完全將緩衝層切斷的深度。在距試樣之與先前之 終端相反側之終端40mm的位置上,從緩衝層側完全切斷 接著劑層或高分子薄片,並且同樣地切入至未完全切斷硏 磨層的深度。在硏磨層及緩衝層之各個表面上,以接著劑 貼附鋁板(第360號,以耐水硏磨紙硏磨表面者)。貼附該鋁 -16 - 201000262 板後放置1日以上並在接著劑完全固化後,使用萬能試驗 機“天矽龍(TENSILON)” RTG-1250(Orientec 公司製),在上 側拉伸夾具上固定貼附於硏磨層的鋁板、在下側拉伸夾具 上固定貼附於緩衝層的鋁板,以移位速度300mm/min拉伸 試樣,在試樣中央部份之寬20mm、長20mm的範圍中,測 定硏磨層與緩衝層剝離時的荷重,以該値爲剪斷接著力。 硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力較佳爲3 000gf/(20x 20mm2)以上。在剪斷接著力未滿3000gf/(20x20mm2)的情況 " 下,由於因初期之硏磨特性的面內均一性不良、連續硏磨 而硏磨特性不穩定,故不佳。剪斷接著力更佳爲 6000gf/(20x20mm2)以上。 積層硏磨層與緩衝層後,較佳爲在與緩衝層之積層面 相反側的面上,貼合硏磨定盤固定用的雙面黏著膠帶。雙 面黏著膠帶方面,則可使用市售者。 硏磨層可藉由硏磨由上述材料所形成之原硏磨層(未 加工硏磨層)的表面所製造。藉由硏磨原硏磨層之表面,由 κ 於使硏磨層之厚度不均變少,則使硏磨特性之穩定性變 高,將使用時之起始時間的縮短變可能。在積層硏磨層與 緩衝層之後,硏磨硏磨層的表面亦無妨。 硏磨層之表面的硏磨方法並無特別限制。硏磨方法方 面,可舉出有藉由砂紙之硏磨、使用鑽石砂輪或墊之硏磨 等。在彼等之中特別在成本的觀點來看,較佳爲藉由砂紙 的硏磨。又,使用砂紙之硏磨方面,在生産性的觀點來看, 較佳爲藉由寬式皮帶磨砂機之硏磨。 硏磨墊係可藉由以具有較硏磨墊大之夾具輥之硏磨 -17- 201000262 機’硏磨硏磨層之表面來製造。藉由使用較硏磨墊大之夾 具輥,則使保持硏磨墊於全面均一,而使厚度不均少之硏 磨變可能。在夾具輥較硏磨墊小的情況下,由於局部固定 硏磨墊,而不能均一地硏磨,亦因有厚度不一致性變大之 傾向,故不佳。 砂紙之編號雖無特別之限制,但較佳爲第60號至第 400號。較第60號粗糙之編號時,硏磨後之表面粗糙度變 得粗糙,因有硏磨時之起始時間增加的傾向而不佳。另外, 以較第400號細的編號,則缺乏硏磨能力,從操作性的觀 點來看並不佳。 砂紙砥粒之材料並無特別之限制。材料方面,舉出有 氧化鋁、白鋁、鋁酸锆、碳化矽、鑽石、石榴石、剛砂, 燧石等。 使用本發明之硏磨墊,並使用氧化矽系漿體、氧化鋁 系漿體、氧化铈矽漿體作爲漿體,可將於半導體晶圓上之 絕緣膜的凹凸或金屬配線的凹凸局部地平坦化。又,一方 面可將整體高低平面落差變小,一方面可抑制凹狀扭曲硏 磨。漿體方面,則可使用市售者。 形成於半導體晶圓之上的絕緣層方面,則有金屬配線 之層間絕緣膜或金屬配線之下層絕緣膜或者使用於元件分 離之淺溝槽隔離。形成於半導體晶圓之上的金屬配線方 面,則有鋁、鎢、銅等之配線,在構造上,則有金屬鑲嵌 法、雙金屬鑲嵌法、插塞法。在使用銅作爲金屬配線的情 況下,氮化矽等之障壁金屬亦成爲硏磨對象。 現今絕緣膜雖以氧化矽爲主流’但因延遲時間的問 -18- 201000262 題,則有使用低介電率絕緣膜的情況。 使用本發明之硏磨墊時,以難以造成刮傷的狀態,可 進行硏磨同時良好地測定硏磨狀態。本發明之硏磨墊則在 半導體晶圓以外’亦可使用於磁頭、硬碟、藍寶石等的硏 磨。 其次,使用實施例及比較例來說明本發明。在實施例 及比較例中所用之硏磨墊的各種評估方法,則如下述。 緩衝層之拉伸彈性率: • 萬能材料試驗機” Model 5565 ”(Instron公司製),在測 定溫度23°C、速度5cm/min下進行,由所得之線圖求得斜 率,以測定拉伸彈性率。試驗片爲寬5mm、長50mm之啞 鈴形狀。 硏磨層之厚度、及緩衝層之厚度: 使用針盤量規” ID-125B”(三豐(mitutoyo)股份有限公 司製),以測定壓230gf ’測定硏磨墊面內之49點,以彼等 之平均値算出。 1 : 硏磨層之微橡膠A硬度: 藉由微橡膠A硬度計” M D-1 ”(高分子計器股份有限 公司製)所測定。微橡膠Α硬度計” MD-1 ”之構成係如下 述。 1. 1感測器部分 (1) 荷重方式:懸臂葉片形板彈簧。 (2) 彈簧荷重:〇 點/2.24gf’ 及 100 點/33_85gf。 (3) 彈簧荷重誤差:±〇.32gf。 (4) 押針尺寸··直徑:〇.16mm圓柱形。高度:〇.5mm。 -19- 201000262 (5) 位移偵測方式:應變計式。 (6) 加壓腳尺寸:外徑4mm,內徑1.5mm。 1.2感測器驅動部份 (1) 驅動方式:藉由步進馬達之上下驅動。藉由氣壓制動 器之下降速度控制。 (2) 上下運動來回幅度:12mm。 (3) 下降速度:10mm/sec 至 30mm/sec。 (4) 高度調整範圍:〇mm至67mm(試樣桌面與感測器加壓 / 面的距離)。 硏磨層之密度: 藉由記載於JIS K - 7 2 2 2的方法來測定。 硏磨層之平均氣泡直徑: 使用掃描型電子顯微鏡“SEM2400” (日立製作所股份 有限公司製),藉由畫面處理裝置解析以倍率200倍觀察硏 磨層切斷面之照片,測量照片中所存在之全部的氣泡直 徑,以該平均値爲平均氣泡直徑。 硏磨層與緩衝層的剪斷接著力 由硏磨層與緩衝層之積層體,切下寬20mm、長60mm 之試樣。在距試樣之終端40mm的位置上,從硏磨層側將 接著劑層或高分子薄片完全地切斷,而且以剃刀等之銳利 的刀刃,切入至未完全將緩衝層切斷的深度。在距試樣之 與先前之終端相反側之終端40mm的位置上,從緩衝層側 完全切斷接著劑層或高分子薄片,並且同樣地切入至未完 全切斷硏磨層的深度。 在硏磨層及緩衝層表面的各個表面上,以接著劑貼著 -20- 201000262 鋁板(以第3 60號、耐水硏磨紙硏磨表面者)。貼著該鋁板後 放置1日以上,在接著劑完全固化後,使用萬能試驗機” 天矽龍(TENSILON)” RTG-1250(歐力恩技術公司製),在上 側拉伸夾具上固定貼附於硏磨層的鋁板、在下側拉伸夾具 上固定貼附於緩衝層的鋁板,以移位速度300mm/min拉伸 試樣,在試樣中央部份之寬20mm、長20mm的範圍中,測 定硏磨層與緩衝層剝離時的荷重,以該値爲剪斷接著力。 硏磨之狀態的評估係在硏磨氧化膜的情況下,由以下 之評估方法(I)進行,而在硏磨金屬(鎢)的情況下,則由以 下之評估方法(II)進行。 硏磨之狀態的評估方法(I): 將所製作之硏磨墊裝置於硏磨機(應用材料製 “ MIRRA(註冊商標)”),一邊將 2倍稀釋的漿體 “SS-25” (卡伯特(CABOT)公司製)以150mm/min之流量流 入,同時以滾筒速度= 93rpm、硏磨頭速度= 89rpm、薄膜 壓力=4psi、扣環壓力=5.5psi、內管壓力=4psi之硏磨條 ( 件’以硏磨時間=1分鐘,以300片連續硏磨附加氧化膜之 晶圓。 以每5 0片之硏磨結果作爲硏磨穩定性的評估結果,最 大硏磨速度與最小硏磨速度之差除以平均値,求出所得之 値乘上100的値,以所求得之値作爲穩定性的指標。面內 均一性係以每5 0片之面內均一性之各値的平均値作爲指 標。硏磨後之晶圓的硏磨速度、面內均一性係如以下求得。 使用“拉姆達耶使(Lambda ace)(註冊商 標)” VM-2000(大日本篩網製造股份有限公司製),在距晶 -21 - 201000262 圓之邊緣3 mm以內的範圍內,測定所決定的1 98點,藉由 下述通式(1),計算出各點上之硏磨速度。還有’藉由下述 通式(2),計算出面內均一性。 硏磨速度= (硏磨前之氧化膜的厚度-硏磨後之氧化膜的厚度)/硏磨時間 .....(1) 面內均一性(% )= (最大硏磨速度一最小硏磨速度)/(最大硏磨速度+最小硏 , 磨速度)X100 ......(2) 製作10片各類之硏磨墊,個別進行300片之連續測 試,計算出各平均硏磨速度的最大與最小之差。從10片之 各別平均硏磨速度計算10片的平均硏磨速度,最大與最小 之差除以由10片之平均硏磨速度爲硏磨墊間之不一致性 的指標。 平坦化特性之評估: 將20mm平方之模頭配置於8吋矽晶圓。在該20mm平 1./ 方之模頭的左半部,以300 寬的間距、以線與間距配置 30/zm寬、高1.2"m的鋁配線,而在前述模頭之右半部, 以30 " m的間距、以線與間距配置300 // m寬、高1.2 // m 的鋁配線。再者,於其上,以CVD形成四乙氧矽烷爲厚度 3 μ m以作爲絕緣膜。所得之晶圓爲平坦化特性評估用晶 圓。以上述硏磨條件硏磨該平坦化特性評估用晶圓’以左 半部之3 00 # m寬之間距與右半部之300m寬之線徑的高度 差爲高低平面落差,成爲平坦化特性的指標。 硏磨之狀態的評估方法(II): -22- 201000262 將所製作之硏磨墊裝置於硏磨機(應用材料製 “ MIRRA(註冊商標)”),將2%雙氧水添加至2倍稀釋之 “ W-2000” (卡伯特(CABOT)公司製),將調製而成之漿體以 140mm/min之流量流入,同時以滾筒速度sllSrpm、硏磨 頭速度=ll〇rpm、薄膜壓力= 3.8psi、扣環壓力= 6.0psi、 內管壓力=6.Opsi之硏磨條件’以硏磨時間=1分鐘’以 3 00片連續硏磨附加鎢之晶圓。 以每50片之硏磨結果作爲硏磨穩定性的評估結果’最 , 大硏磨速度與最小硏磨速度之差除以平均値’求出所得之 値乘上1 00的値,所求得之値作爲穩定性的指標。面內均 一性係以每50片之面內均一性之各値的平均値作爲指 標。硏磨後之晶圓的硏磨速度、面內均一性係如以下求得。 使用”金屬膜厚計VR-120S”(國際電氣股份有限公司 製),在距晶圓之邊緣5mm以內的範圍中’測定所決定之 49點,藉由下述通式(3),計算出在各點之硏磨速度。又, 藉由下述通式(4),計算出面內均一性。 ί 硏磨速度= (硏磨前之鎢膜的厚度-硏磨後之鎢膜的厚度)/硏磨時間 ......(3) 面內均一性(% )= (最大硏磨速度一最小硏磨速度)/(最大硏磨速度+最小硏磨 速度)+ 2χ100 ......(4) 製作10片各類之硏磨墊,個別進行300片的連續測 試,計算出各平均硏磨速度之最大與最小的差。由10片之 各個平均硏磨速度計算出1〇片的平均硏磨速度,以最大與 -23- 201000262 最小之差除以ίο片之平均硏磨速度作爲硏磨墊間之不一 致性的指標。 平坦化特性之評估: 使用由SKW Associate, Inc.所販售之SKW5-4圖案晶 圓’評估0.25/zm之線與間距之部分的凹洞(凹狀扭曲硏 磨)。將該圖案晶圓裝置於硏磨機(應用材料製“MIRRA(註 冊商標)”)’ 一邊將2 %雙氧水添加至2倍稀釋之 “ W-2000” (CABOT公司製)中,將調製而成之槳體以 , 1 40 m m/m in之流量流入,一邊以滾筒速度=ii3 rpm、硏磨 頭速度=llOrpm、薄膜壓力=3.8psi、扣環壓力=6.0psi、 內管壓力=6.0 p s i之硏磨條件,進行雷射的終點檢測,從 除去鎢至進行過硏磨16秒並停止。以KLA-Tenchol公司製 P-15評估所得之硏磨後的圖案晶圓之0.25 // m的線與間距 部分的凹洞(凹狀扭曲硏磨)。 實施例 實例1 1.; 藉由RIM成型機,以吐出壓力15MPa碰撞混合保持液 溫於 40°C之由混合聚醚多元醇:“桑尼克斯(SANNIX)(註 冊商標)FA-909”(三洋化成工業股份有限公司製)100重量 份、鏈延長劑:乙二醇8重量份、胺觸媒:“Dabco(註冊 商標)33LV”(空氣製品日本股份有限公司(Air products Japan Inc.)製)1重量份、胺觸媒:” ToyocaU註冊商 標)ET”(東曹股份有限公司製)0.1重量份、聚矽氧整泡劑: “ TEG0STAB(註冊商標)B8462” (Th.Goldschmidt AG 公司 製)0.5重量份、發泡劑:混合水〇. 2重量份所構成的A液, -24- 201000262 與保持液溫於40°C之由異氰酸酯:”桑風(SANFOAM)(註冊 商標)NC-703 ” 95重量份所構成之 B液之後,以吐出量 500g/sec吐出於保持60°C的模具內,藉由放置1〇分鐘,製 作大小700mmx700mm、厚10mm之發泡聚胺基甲酸酯塊(微 橡膠A硬度:47度、密度:0.77g/cm2、平均氣泡直徑:37 /zm)。之後,以切片機將該發泡聚胺基甲酸酯塊切片成厚 度 3mm。 其次,將該發泡聚胺基甲酸酯薄片浸漬於已添加偶氮 … 雙異丁腈0.1重量份之甲基丙烯酸甲酯中45分鐘。將所得 之已含浸甲基丙烯酸甲酯之發泡聚胺基甲酸酯薄片,經由 氯乙烯製的襯片夾在2片玻璃板間,藉由在60°C加熱10 小時、在1 20°C加熱3小時,進行聚合硬化。從玻璃板間離 型之後,於50°C進行真空乾燥,而得到硬質發泡薄片。硏 磨加工所得之硬質發泡薄片之雙面至厚度成爲2.0mm,以 製作原硏磨層。所得之原硏磨層的微橡膠A硬度爲92度、 密度爲0.77g/cm2、平均氣泡直徑爲47#m、硏磨層中之聚 t。: 甲基丙烯酸甲酯的含有率爲54重量% 。 從所得之原硏磨層切下直徑508 mm圓形的硏磨層。在 所得之圓形硏磨層的表面上,以第1溝槽群與第2溝槽群 互相平行的狀態,使用數値控制起槽機(NC起槽機)以形成 由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距l〇mm、溝槽深度1.5mm 之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成溝槽寬 2 m m、溝槽間距3 0 m m、溝槽深度1 · 5 m m之格子狀的溝槽所 構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲長方形。 其次,在該硏磨層上,使用積層機以線壓1 kg/cm貼 -25- 201000262 合雙面黏著膠帶” 4421S” (住友3M股份有限公司製)後, 剝除剝離紙,使用積層機以線壓lkg/cm,將其貼合於由厚 0.5mm之熱塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:16MPa) 所構成的緩衝層之上,以製作硏磨墊。在所製作之硏磨墊 上之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 3000gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442IS” (住友3M股份 有限公司製)。 ^ 其中將所製作之硏磨墊貼著於硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件,進行附加氧化膜之晶圓300 片的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2530(埃/ 分鐘),面內均一性爲8.3%而良好。由於硏磨速度的最大 與最小之差爲120(埃/分鐘),故穩定性之指標爲4.7%而良 好。 以CVD形成厚度成爲3//m的四乙氧矽烷而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 I 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲1 200埃而良好。製作另外的 9片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓300片的連續硏 磨測試,計算出1 0片的硏磨特性。硏磨特性爲25 1 0(埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲130(埃/分 鐘)’墊間之不一致性爲5 1 % ,得到不一致性少的結果。 實例2 與實例1同樣地從所製作之原硏磨層切下直徑508 mm 之圓形的硏磨層。在所得之圓形之硏磨層的表面上,以第 -26- 201000262 1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC起槽機以 形成由排列成溝槽寬1.2mm、溝槽間距12.5mm、溝槽深度 1.5mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成 溝槽寬3mm、溝槽間距37.5mm、溝槽深度i.5mm之格子狀 的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲 長方形。 其次’在該硏磨層上,使用積層機以線壓1 kg/cm貼合 雙面黏著膠帶” 442JS” (住友3M股份有限公司製)之後, ^ 剝除剝離紙,使用積層機以線壓1 kg/cm,將其貼合於由厚 0.2mm之熱塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:20MPa) 所構成的緩衝層之上,以製作硏磨墊。在所製作之硏磨墊 之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 3000gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 iy 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2570(埃/分 鐘),面內均一性爲6.3%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲115(埃/分鐘),穩定性之指標爲4.5%而良好。 以CVD形成厚度成爲3/zm的四乙氧矽烷而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲1000埃而良好。製作另外的 9片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓300片的連續硏 -27- 201000262 磨測試,計算出1 〇片的硏磨特性。硏磨特性爲2 5 8 〇 (埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲13〇(埃/分 鐘),墊間之不一致性爲5.0 % ,得到不一致性少的結果。 實例3 與實例1同樣地從所製作之原硏磨層切下直徑508mm 之圓形的硏磨層。在所得之圓形之硏磨層的表面上’以第 1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態’使用NC起槽機以 形成由排列成溝槽寬〇.7mm、溝槽間距7.5mm、溝槽深度 1.2mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成 溝槽寬2mm、溝槽間距45mm、溝槽深度1.5mm之格子狀的 溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲長 方形。 其次,在該硏磨層上,使用積層機以線壓lkg/cm貼合 雙面黏著膠帶” 442JS” (住友3M股份有限公司製)之後, 剝除剝離紙,使用積層機以線壓1 kg/cm,將其貼合於由厚 0.05mm之熱塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:35MPa) 所構成的緩衝層之上,以製作硏磨墊。在所製作之硏磨墊 之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 3000gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 5 00(埃/分 鐘),面內均一性爲5.3%而良好。由於硏磨速度的最大與 -28- 201000262 最小之差爲100(埃/分鐘),穩定性之指標爲4.0%而良好。 以CVD形成厚度成爲3#m的四乙氧砂院而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲900埃而良好。製作另外的9 片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓3 0 0片的連續硏 磨測試’計算出1〇片的硏磨特性。硏磨特性爲2490(埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲130(埃/分 鐘),墊間之不一致性爲5 · 2 % ,得到不一致性少的結果。 【實例4】 硏磨加工於實例1中所製作之硬質發泡薄片的雙面至 厚度成爲1.0mm,以製作原硏磨層。從所得之原硏磨層切 下直徑5 08 mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形之硏磨層的 表面上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使 用NC起槽機以形成由排列成溝槽寬〇.8mm、溝槽間距 10.0mm、溝槽深度0.4mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝 槽群,與由排列成溝槽寬2.3mm、溝槽間距30mm、溝槽深 度0.4mm之格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之 橫截面形狀大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20°C之輥塗機上熔融“海彭 (Ηι-Βοη)(註冊商標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限 公司製)作爲以胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著 劑,並在輥塗機上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在 塗布接著劑後1分鐘以內,在所塗布的接著劑之上貼合由 厚0.05mm之熱硬化性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率: -29- 201000262 4 8MPa)所構成的緩衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地 將雙方壓著,以製作硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲8 0 从m。在所製作之硏磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接 著力爲1 2500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用 積層機以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442IS”(住友 3M股份有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 ^ 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2700(埃/分 鐘),面內均一性爲7.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲100(埃/分鐘),穩定性之指標爲3.7%而良好。 以CVD形成厚度成爲3//m的四乙氧矽烷而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲1 000埃而良好。製作另外的 9片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓300片的連續硏 ( 磨測試,計算出10片的硏磨特性。硏磨特性爲2690(埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲11〇(埃/分 鐘),墊間之不一致性爲4 · 1 % ,得到不一致性少的結果。 實例5 硏磨加工於實例1中所製作之硬質發泡薄片的雙面至 厚度成爲〇.8mm,以製作原硏磨層。從所得之原硏磨層切 下直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形之硏磨層的 表面上’以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使 用NC起槽機以形成由排列成溝槽寬1 .〇mm、溝槽間距 -30- 201000262 10.0mm、溝槽深度〇.2mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝 槽群,與由排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距30mm、溝槽深 度0.2mm之格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之 橫截面形狀大致爲長方形。 在加熱至輥溫120°C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR7 13-1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 ί 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上貼合由厚0.2mm之熱塑 性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:1 8 Μ P a)所構成的緩衝 層,以輥鑄壓線壓1 .5kg/cm,快速地將雙方壓著,以製作 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲50#m。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 95 00gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶“ 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 300(埃/分 鐘),面內均一性爲8.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲80(埃/分鐘),穩定性之指標爲3.5%而良好。 以CVD形成厚度成爲3^111的四乙氧矽烷而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲1 3 5 0埃而良好。製作另外的 -31 - 201000262 9片同類之硏磨墊’進行附加氧化膜之晶圓3〇〇片的連續硏 磨測試’計算出10片的硏磨特性。硏磨特性爲2340(埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲90(埃/分 鐘),墊間之不一致性爲3.8 % ,得到不一致性少的結果。 實例6 硏磨加工於實例1中所製作之硬質發泡薄片的雙面至 厚度成爲1.5mm’以製作原硏磨層。從所得之原硏磨層切 下直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形之硏磨層的 表面上,以第1溝槽群之溝槽間距與第2溝槽群之溝槽間 距彼此錯開1 /2間距且雙方溝槽群之溝槽彼此重疊,並且 各溝槽互相平行的狀態,使用NC起槽機以形成由排列成 溝槽寬1.0mm、溝槽間距45.0mm、溝槽深度0.7mm之格子 狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成溝槽寬2.0mm、 溝槽間距45mm、溝槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的 第2溝槽群B。各溝槽之橫截面形狀大致爲長方形。 在加熱至輥溫120°C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR7 13-1W”(日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:24MPa)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm ’快速地將雙方壓著,以製 作硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲50 // m。在所製作之 硏磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 9500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 -32- 201000262 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲4 5 0 0(埃/分 鐘)’面內均一性爲3.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲144 (埃/分鐘),穩定性之指標爲3.2%而良好。 以上述硏磨條件硏磨鎢用平坦化特性用晶圓,測定高 低平面落差。所測定之高低平面落差爲3 50埃而良好。製 作另外的9片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓3 00 片的連續硏磨測試,計算出1 0片的硏磨特性。硏磨特性爲 44 80(埃/分鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲 1 8 8(埃/分鐘),墊間之不一致性爲4.2% ,得到不一致性少 的結果。 實例7 藉由RIM成型機,以吐出壓力15MPa碰撞混合保持液 溫於 40 °C之由混合聚醚多元醇:“桑尼克斯(註冊商 標)FA-909” (三洋化成工業股份有限公司製)1〇〇重量份、 鏈延長劑:乙二醇8重量份、胺觸媒:“ Dabco(註冊商 標)3 3LV”(空氣製品日本股份有限公司製)1重量份、胺觸 媒:“Toyocat(註冊商標)ET”(東曹股份有限公司製)〇.1重 量份、聚矽氧整泡劑:“ TEG0STAB(註冊商 標)B8462” (Th.Goldschmidt AG 公司製)0.5 重量份、發泡 劑:混合水1.0重量份所構成的A液,與保持液溫於40 °C 之由異氰酸酯:“桑風(註冊商標)NC-703 ” 95重量份所構 -33- 201000262 成之B液之後,以吐出量500g/sec吐出於保持60°C的模具 內,藉由放置10分鐘,製作大小700mmx700mm、厚iOmm 之發泡聚胺基甲酸酯塊(微橡膠A硬度:38度、密度: 0.55g/cm2、平均氣泡直徑:63;zm)。之後,以切片機將該 發泡聚胺基甲酸酯塊切片成厚度3mm,以製作發泡聚胺基 甲酸酯薄片。 其次,將該發泡聚胺基甲酸酯薄片浸漬於已添加偶氮 雙異丁腈0.1重量份之甲基丙烯酸甲酯中10分鐘。將所得 之已含浸甲基丙烯酸甲酯之發泡聚胺基甲酸酯薄片,經由 氯乙烯製的襯片夾在2片玻璃板間,藉由在60°C加熱10 小時、在1 20°C加熱3小時,進行聚合硬化。從玻璃板間離 型之後,於5(TC進行真空乾燥,而得到硬質發泡薄片。硏 磨加工所得之硬質發泡薄片之雙面至厚度成爲1.5 mm,以 製作原硏磨層。所得之原硏磨層的微橡膠A硬度爲80度、 密度爲0.56 g/cm2、平均氣泡直徑爲65 Mm、硏磨層中之聚 甲基丙烯酸甲酯的含有率爲47重量% 。 ί 從所得之原硏磨層切下直徑508mm圓形的硏磨層。在 所得之圓形硏磨層的表面上,以第1溝槽群之溝槽間距與 第2溝槽群之溝槽間距彼此錯開1 /2間距且雙方溝槽群之 溝槽彼此重疊,並且各溝槽互相平行的狀態,使用N C起 槽機以形成由排列成溝槽寬1.0mm、溝槽間距40.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由 排列成溝槽寬2_0mm、溝槽間距40mm、溝槽深度〇.9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 -34- 201000262 在加熱至輥溫12(TC之輥塗機上熔融”海彭(註冊商 標)YR713-1 W”(日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.1mm之聚 酯膜,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著。再者, 在硏磨層與0.1mm之聚酯膜貼合品的聚酯膜面上,以輥塗 機塗布在加熱至輥溫1 2 0 °C之輥塗機上熔融”海彭(註冊商 f 標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲接 著劑。 在塗布接著劑後1分鐘以內,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm, 在聚酯膜面上,快速貼合由厚0.5mm之熱塑性胺基甲酸酯 橡膠薄片(拉伸彈性率:24MPa)所構成的緩衝層,並以輥鑄 壓線壓1.5 kg/cm,快速壓著雙方以製作硏磨墊。固化後之 接著劑的厚度爲50μιη。在所製作之硏磨墊中之硏磨層與 緩衝層之間的剪斷接著力爲9500gf/(20x20mm2)。再者,在 緩衝層的下面,使用積層機以線壓1 kg/cm貼合雙面黏著膠 帶” 4 4 2 J S ” (住友3 Μ股份有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機’以記載於前述 硏磨評估方法(II)的硏磨條件進行3 00片鎢膜之連續硏磨測 試。每50片之硏磨速度的平均爲4700(埃/分鐘)’面內均 一性爲5.0%而良好。由於硏磨速度的最大與最小之差爲 1 4 6 (埃/分鐘),穩定性之指標爲3 · 1 %而良好。 以上述硏磨條件硏磨所得之鎢用平坦化特性用晶圓, 測定高低平面落差。所測定之高低平面落差爲400埃而良 -35- 201000262 好。製作另外的9片同類之硏磨塾’進丫了鶴膜300片的連 續硏磨測試,計算出10片的硏磨特性。硏磨特性爲4780(埃 /分鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲177(埃, 分鐘),墊間之不一致性爲3.7 % ,得到不一致性少的結果。 實例8 製作與實例7同樣的發泡聚酯塊’以切片機切片成厚 度3mm,以製作發泡聚胺基甲酸酯薄片。 其次,將該發泡聚胺基甲酸醋_片'浸漬於已添力卩偶1氮1 f 雙異丁腈o.i重量份之甲基丙嫌酸甲酯中8分鐘。將所得 之已含浸甲基丙烯酸甲酯之發泡聚胺基甲酸醋薄片’經由 氯乙烯製的襯片夾在2片玻璃板間’藉由在60°C加熱10 小時、在1 2 0 °C加熱3小時’進行聚合硬化。從玻璃板間離 型之後,於50 °C進行真空乾燥’而得到硬質發泡薄片。硏 磨加工所得之硬質發泡薄片之雙面至厚度成爲1.5mm’以 製作原硏磨層。所得之原硏磨層的微橡膠A硬度爲76度、 密度爲0.54g/cm2、平均氣泡直徑爲62#m、硏磨層中之聚 I, 甲基丙烯酸甲酯的含有率爲41重量% ° 從所得之原硏磨層切下直徑5 08mm圓形的硏磨層。在 所得之圓形硏磨層的表面上,以第1溝槽群之溝槽間距與 第2溝槽群之溝槽間距彼此錯開1 /2間距且雙方溝槽群之 溝槽彼此重疊,並且各溝槽互相平行的狀態’使用N C起 槽機以形成由排列成溝槽寬1.0mm、溝槽間距40.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群’與由 排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距40mm、溝槽深度〇_ 9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 -36- 201000262 大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20 °C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR713_1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.1mm之聚 酯膜,以輥鑄壓線壓1.5 kg/cm,快速地將雙方壓著。再者, 在硏磨層與0.1mm之聚酯膜貼合品的聚酯膜面上,以輥塗 f 機塗布在加熱至輥溫1201:之輥塗機上熔融”海彭(註冊商 標)YR7 13-1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲接 著劑。 在塗布接著劑後 1分鐘以內,以輥鑄壓線壓 1.5kg/cm,在聚酯膜面上,快速貼合由厚1.5mm之熱塑性 胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:18MPa)所構成的緩衝 層,並以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速壓著雙方以製作硏磨 墊。固化後之接著劑的厚度爲50 /z m。在所製作之硏磨墊 ί.: 中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 9300gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶“ 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(II)的硏磨條件進行3 00片之鎢膜的連續硏磨 測試。每50片之硏磨速度的平均爲4900(埃/分鐘),面內 均一性爲5.0%而良好。由於硏磨速度的最大與最小之差爲 1 57 (埃/分鐘),穩定性之指標爲3.2%而良好。 -37- 201000262 以上述硏磨條件硏磨所得之鎢用平坦化特性用晶圓, 測定高低平面落差。所測定之高低平面落差爲450埃而良 好。製作另外的9片同類之硏磨墊,進行鎢膜300片的連 續硏磨測試,計算出10片的硏磨特性。硏磨特性爲4 850(埃 /分鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲175 (埃/ 分鐘),墊間之不一致性爲3.6% ,得到不一致性少的結果。 比較例1 與實例1同樣地從所製作之原硏磨層切下直徑5 0 8mm / 之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面上,以第1 溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC起槽機以形 成由排列成溝槽寬〇.4mm、溝槽間距3mm、溝槽深度1.5mm 之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成溝槽寬 1.5mm、溝槽間距20mm、溝槽深度1.5mm之格子狀的溝槽 所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲長方形。 其次,在該硏磨層上,使用積層機以線壓lk g/cm貼合 雙面黏著膠帶“ 442〗S” (住友3M股份有限公司製)之後, 剝除剝離紙,使用積層機以線壓lkg/cm,將其貼合於由厚 0.3 m m之熱塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:2 5 Μ P a) 所構成的緩衝層之上,以製作硏磨墊。在所製作之硏磨墊 中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 3000gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶“ 442 IS” (住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 -38- 201000262 的連續硏磨測試。然而,在測試途中晶圓吸附於硏磨層’ 而不能進行穩定的連續硏磨。 【比較例2】 硏磨加工於實例1中所製作之硬質發泡薄片的雙面至 厚度成爲1.5mm,以製作原硏磨層。從所得之原硏磨層切 下直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表 面上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用 NC起槽機以形成由排列成溝槽寬1.3mm、溝槽間距 , 5.0mm、溝槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽 群,與由排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距25mm、溝槽深度 0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫 截面形狀大致爲長方形。 在加熱至輥溫120 °C之輥塗機上溶融“海彭(註冊商 標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.3mm之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:25 M Pa)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著以製作 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60 #m。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 1 0500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442〗S”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 -39- 201000262 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 600(埃/分 鐘),面內均一性爲6.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲3 00 (埃/分鐘),穩定性之指標爲1 1. 5 % ,故得 到所謂硏磨不穩定的結果。 比較例3 硏磨加工實例1中所製作之硬質發泡薄片之雙面至厚 度成爲1.5mm,以製作硏磨墊。從所製作之原硏磨層切下 直徑5 08mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面 上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態’使用NC 起槽機以形成由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距5.0mm、溝 槽深度0.9 mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群’與由 排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距15mm、溝槽深度〇.9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20°C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 i , 標)YR7 13-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲胺 基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑’並在輥塗機上 接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1分 鐘以內,在所塗布的接著劑之上’貼合由厚0.3mm之熱塑 性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率·· 25 MPa)所構成的緩衝 層,以輥鑄壓線壓1 .5kg/cm ’快速地將雙方壓著以製作硏 磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60μιη。在所製作之硏磨 墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 10500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 -40- 201000262 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶“ 442〗S”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2600(埃/分 鐘),面內均一性爲6.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲400(埃/分鐘),穩定性之指標爲15.4% ,故得 到所謂硏磨不穩定的結果。 f 比較例4 硏磨加工實例1中所製作之硬質發泡薄片之雙面至厚 度成爲1.5mm,以製作硏磨墊。從所製作之原硏磨層切下 直徑5 08 mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面 上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC 起槽機以形成由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距2.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由 排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距20mm、溝槽深度0.9mm之 L.' 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20 °C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.3mm之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:25MPa)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著以製作 -41 - 201000262 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60^m。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 1 0500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2500(埃/分 鐘),面內均一性爲6.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲3 5 0(埃/分鐘),穩定性之指標爲14% ,故得到 所謂硏磨不穩定的結果。 比較例5 硏磨加工實例1中所製作之硬質發泡薄片之雙面至厚 度成爲1.5mm,以製作硏磨墊。從所製作之原硏磨層切下 直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面 上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC 起槽機以形成由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距5.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群’與由 排列成溝槽寬2.0mm、溝槽間距55mm、溝槽深度〇.9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 在加熱至輥溫12(TC之輥塗機上熔融"海彭(註冊商 標)YR7 13-1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 -42- 201000262 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.3mm之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:2 5 Μ P a)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著以製作 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60 a m。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 1 0500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 r 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 5 00(埃/分 鐘),面內均一性爲1 3.0%而不佳。 比較例6 硏磨加工實例1中所製作之硬質發泡薄片之雙面至厚 度成爲1.5mm,以製作硏磨墊。從所製作之原硏磨層切下 直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面 ί 上,以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC 起槽機以形成由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距5.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由 排列成溝槽寬1.4mm、溝槽間距25mm、溝槽深度0.9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20 °C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 -43- 201000262 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚〇.3mm之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:25MPa)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著以製作 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60 # m。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 10500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442IS” (住友3M股份 / .有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(1)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 5 00(埃/分 鐘),面內均一性爲7.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲100(埃/分鐘),穩定性之指標爲3.7%而良好。 以CVD形成厚度成爲的四乙氧矽烷而得到的前 述平坦化特性用晶圓作爲絕緣膜,並以上述硏磨條件硏磨 所得之前述平坦化特性用晶圓4分鐘,測定高低平面落 差。所測定之高低平面落差爲11 〇〇埃而良好。製作另外的 9片同類之硏磨墊,進行附加氧化膜之晶圓3 0 0片的連續硏 磨測試,計算出1 0片的硏磨特性。硏磨特性爲2 7 9 0 (埃/分 鐘)。最大的硏磨速度與最小的硏磨速度之差爲350(埃/分 鐘),墊間之不一致性爲1 2 _ 5 % ’得到所謂不一致性多的結 果。 比較例7 硏磨加工實例1中所製作之硬質發泡薄片之雙面至厚 -44- 201000262 度成爲1.5mm,以製作硏磨墊。從所製作之原硏磨層切下 直徑508mm之圓形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面 上’以第1溝槽群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC 起槽機以形成由排列成溝槽寬1mm、溝槽間距5.0mm、溝 槽深度0.9mm之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由 排列成溝槽寬3.2mm、溝槽間距25mm、溝槽深度〇.9mm之 格子狀的溝槽所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀 大致爲長方形。 在加熱至輥溫120 °C之輥塗機上溶融“海彭(註冊商 標)YR7 13-1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚0.3 mm之熱 塑性胺基甲酸酯橡膠薄片(拉伸彈性率:25MPa)所構成的緩 衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方壓著以製作 硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲60/zm。在所製作之硏 磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 10500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶“ 442〗S” (住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2 600(埃/分 鐘),面內均一性爲7.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲400(埃/分鐘),穩定性之指標爲15.3%而不佳。 -45 - 201000262 比較例8 從於實例1中所製作之原硏磨層切下直徑5 0 8mm之圓 形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面上,以第1溝槽 群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC起槽機以形成由 排列成溝槽寬1.2mm、溝槽間距12.5mm、溝槽深度1.5mm 之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群,與由排列成溝槽寬 3mm、溝槽間距37.5mm、溝槽深度1.5mm之格子狀的溝槽 所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲長方形。 f 在加熱至輥溫1 20°C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 標)YR7 13-1 W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱熔膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚1.7 mm之熱 塑性聚胺基甲酸酯胺基甲酸酯薄片(拉伸彈性率:25MPa) 所構成的緩衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方 壓著以製作硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲70 // m。在 I 所製作之硏磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 9500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓1 kg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓3 00片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2570(埃/分 鐘),面內均一性爲13.0%而不佳。 比較例9 -46- 201000262 從於實例1中所製作之原硏磨層切下直徑5〇8mm之圓 形的硏磨層。在所得之圓形硏磨層的表面上’以第1溝槽 群與第2溝槽群互相平行的狀態,使用NC起槽機以形成由 排列成溝槽寬1 · 2 m m、溝槽間距1 2.5 m m、溝槽深度1. 5 m m 之格子狀的溝槽所構成的第1溝槽群’與由排列成溝槽寬 3mm、溝槽間距37.5mm、溝槽深度1.5mm之格子狀的溝槽 所構成的第2溝槽群。各溝槽之橫截面形狀大致爲長方形。 在加熱至輥溫1 20 °C之輥塗機上熔融“海彭(註冊商 f 標)YR713-1W” (日立化成聚合物股份有限公司製)作爲以 胺基甲酸酯爲主成分的反應性熱溶膠接著劑,並在輥塗機 上接觸硏磨層,塗布接著劑於硏磨層。在塗布接著劑後1 分鐘以內,在所塗布的接著劑之上,貼合由厚〇.5mm之熱 塑性聚胺基甲酸酯胺基甲酸酯薄片(拉伸彈性率:53MPa) 所構成的緩衝層,以輥鑄壓線壓1.5kg/cm,快速地將雙方 壓著以製作硏磨墊。固化後之接著劑的厚度爲70 ym。在 所製作之硏磨墊中之硏磨層與緩衝層之間的剪斷接著力爲 G 8500gf/(20x20mm2)。再者,在緩衝層的下面,使用積層機 以線壓lkg/cm貼合雙面黏著膠帶” 442JS”(住友3M股份 有限公司製)。 其中將所製作之硏磨墊貼附著硏磨機,以記載於前述 % 硏磨評估方法(I)的硏磨條件進行附加氧化膜之晶圓300片 的連續硏磨測試。每50片之硏磨速度的平均爲2500(埃/分 鐘),面內均一性爲7.5%而良好。由於硏磨速度的最大與 最小之差爲400(埃/分鐘),穩定性之指標爲16%而不佳。 爲了容易互相對比比較在以上所説明之各實施例及各 -47- 201000262 比較例中所出現之代表性數値,於表1、表2及表3顯示彼 等之數値。 表1 硏磨層 緩衝層 微橡膠 厚度 拉伸彈性率 厚度 A硬度(度) (mm) (MPa) (mm) 實例1 92 2.0 16 0.5 實例2 92 2.0 20 0.2 實例3 92 2.0 35 0.05 實例4 92 1.0 48 0.05 實例5 92 0.8 18 0.2 實例6 92 1.5 24 0.15 實例7 80 1.5 24 0.5 實例8 76 1.5 18 1.5 比較例1 92 2.0 25 0.3 比較例2 92 1.5 25 0.3 比較例3 92 1.5 25 0.3 比較例4 92 1.5 25 0.3 比較例5 92 1.5 25 0.3 比較例6 92 1.5 25 0.3 比較例7 92 1.5 25 0.3 比較例8 92 2.0 25 1.7 比較例9 92 2.0 53 0.5 -48- 201000262 表2 第1溝槽君 L 第2溝槽g L 溝槽寬 (mm) 溝槽間距 (mm) 溝槽深 (mm) 溝槽寬 (mm) 溝槽間距 (mm) 溝槽深 (mm) 實例1 1.0 10.0 1.5 2.0 30.0 1.5 實例2 1.2 12.5 1.5 3.0 37.5 1.5 實例3 0.7 7.5 1.2 2.0 45.0 1.5 實例4 0.8 10.0 0.4 2.3 30.0 0.4 實例5 1.0 10.0 0.2 '2.0 30.0 0.2 實例6 1.0 45.0 0.7 2.0 45.0 0.9 實例7 1.0 40.0 0.9 2.0 40.0 0.9 實例8 1.0 40.0 0.9 2.0 40.0 0.9 比較例1 0.4 3.0 1.5 1.5 20.0 1.5 比較例2 1.3 5.0 0.9 2.0 25.0 0.9 比較例3 1.0 5.0 0.9 2.0 15.0 0.9 比較例4 1.0 2.0 0.9 2.0 20.0 0.9 比較例5 1.0 5.0 0.9 2.0 55.0 0.9 比較例6 1.0 5.0 0.9 1.4 25.0 0.9 比較例7 1.0 5.0 0.9 3.2 25.0 0.9 比較例8 1.2 12.5 1.5 3.0 37.5 1.5 比較例9 1.2 12.5 1.5 3.0 37.5 1.5 -49 - 201000262 表3 硏磨穩定性 面內 平坦化特性 墊間之不一 (% ) 均一性(% ) (埃) 致性(% ) 實例1_J 4.7 8.3 1200 5.1 實例2 4.5 6.3 1000 5.0 實例3 4.0 5.3 900 5.2 實例4 3.7 7.5 1000 4.1 實例5 3.5 8.5 1350 3.8 實例6 3.2 3.5 350 4.2 實例7 3.1 5.0 400 3.7 實例8 3.2 5.0 450 3.6 比較例1 晶圓吸附而不能穩定硏磨 比較例2 11.5 比較例3 15.4 比較例4 14.0 _ 比較例5 _ 13.0 • 比較例6 3.7 7.5 1100 12.5 比較例7 15.3 7.5 _ 比較例8 13.0 _ _ 比較例9 16.0 7.5 - - 藉由本發明,提供具有優異之硏磨穩定性或平坦化特 丨生’且墊間之硏磨特性的不一致性少的硏磨墊。 【圖式簡單說明】 無0 【主要元件符號說明】 無。 -50-
Claims (1)
- 201000262 七、申請專利範圍: 1. 一種硏磨墊,其係由硏磨層與緩衝層之積層體所構成的 硏磨墊,其中 U)該硏磨層之微橡膠A硬度爲75度以上,其厚度爲 0.8mm 至 3.0mm; (b) 該緩衝層係由無發泡彈性體所構成,其厚度爲〇.〇5mm S 1.5mm; (c) 在該硏磨層之表面上,形成至少2種溝槽群’該2種 溝槽群之中的一種爲第1溝槽群,另一種爲第2溝槽群; (d) 該第1溝槽群之各溝槽的溝槽寬爲0.5 mm至1.2 mm, 而各溝槽之溝槽間距爲7.5mm至50mm ; (e) 該第2溝槽群之各溝槽的溝槽寬爲1.5 mm至3 mm’而 各溝槽之溝槽間距爲20mm至50mm ;而且, (f) 該第1溝槽群之各溝槽及該第2溝槽群之各溝槽朝向 該硏磨層之側端面開口。 2. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊,其中該微橡膠A硬度 I 爲80度以上,該緩衝層之厚度爲0.05mm至0.5mm。 3. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊,其中該緩衝層之拉伸 彈性率爲1 5MPa至50MPa。 4. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊,其中該硏磨層與該緩 衝層之間的剪斷接著力爲3000gf/(20x20mm2)以上。 5. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊,其中將形成該第1溝 槽群之溝槽排列成格子狀,並且將形成該第2溝槽群之 溝槽排列成格子狀。 6. 如申請專利範圍第5項之硏磨墊,其中將該第1溝槽群 -51 - 201000262 及該第2溝槽群之各溝槽排列成直線狀,並且互相平行 地排列。 7. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊,其中該硏磨層具有含 聚胺基甲酸酯與乙烯系化合物之聚合物的發泡構造。 8. 如申請專利範圍第7項之硏磨墊,其係在將該聚胺基甲 酸酯與該乙烯系化合物之聚合物一體化的狀態。 9. 如申請專利範圍第7項之硏磨墊’其中該乙烯系化合物 之聚合物的含有比例爲23重量%至66重量% 。 10.如申請專利範圍第9項之硏磨墊’其中該乙烯系化合@ 爲CH2 = CRiCOOR2(Ri :甲基、乙基;R2:甲基、乙基 丙基、丁基)。 V -52- 201000262 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: te 〇 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008129160 | 2008-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201000262A true TW201000262A (en) | 2010-01-01 |
Family
ID=41318768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098115954A TW201000262A (en) | 2008-05-16 | 2009-05-14 | Polishing pad |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110045753A1 (zh) |
JP (1) | JP5585081B2 (zh) |
KR (1) | KR20110010727A (zh) |
CN (1) | CN102026775A (zh) |
TW (1) | TW201000262A (zh) |
WO (1) | WO2009139401A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI556910B (zh) * | 2013-10-01 | 2016-11-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | 複合硏磨墊及其製造方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5254729B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-08-07 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP5291647B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2013-09-18 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 取替え交換が容易な積層研磨パッド |
JP5893413B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2016-03-23 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッドの製造方法 |
JP5997973B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-09-28 | 株式会社クラレ | 金属膜研磨用パッドおよびそれを用いた研磨方法 |
WO2015120430A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | President And Fellows Of Harvard College | 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp) |
EP3140852B1 (en) * | 2014-05-07 | 2021-07-28 | CMC Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad for cmp |
EP2975154A1 (de) * | 2014-07-14 | 2016-01-20 | Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH | Verfahren zur Herstellung von Neutronen Konvertern |
JP6399393B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-10-03 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
CN105881198A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-08-24 | 天津西美科技有限公司 | 一种抛光模板用吸附垫片 |
JP2015127094A (ja) * | 2015-03-04 | 2015-07-09 | 学校法人立命館 | 研磨パッド |
US10687613B2 (en) * | 2015-05-07 | 2020-06-23 | Craig R. Smith | Rotary cleaning tool for commode surfaces |
EP3328584A4 (en) * | 2015-07-30 | 2019-03-27 | JH Rhodes Company, Inc. | POLYMERIC LACQUERING MATERIALS, MEDIA AND SYSTEMS WITH POLYMERIC LACQUERING MATERIAL AND METHOD FOR THE FORMING AND USE THEREOF |
JP6937117B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-09-22 | 東レコーテックス株式会社 | 研磨パッド |
JP6360586B1 (ja) * | 2017-04-13 | 2018-07-18 | 三菱電線工業株式会社 | Cmp装置のウエハ保持用の弾性膜 |
JP7295624B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-06-21 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法 |
JP7181040B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-11-30 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法、並びに研磨加工品の製造方法 |
CN110170917A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-08-27 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种抛光衬垫及其制备方法 |
JP7105334B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2022-07-22 | エスケーシー ソルミックス カンパニー,リミテッド | 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
KR102489678B1 (ko) * | 2020-12-07 | 2023-01-17 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마패드용 시트, 연마패드 및 반도체 소자의 제조방법 |
CN112720282B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-08 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 一种抛光垫 |
JP7239049B1 (ja) * | 2022-02-18 | 2023-03-14 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 研磨パッド用の湿気硬化型ホットメルト接着剤および研磨パッド |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3504457A (en) * | 1966-07-05 | 1970-04-07 | Geoscience Instr Corp | Polishing apparatus |
US5489233A (en) * | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
JPH0957608A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-03-04 | Sony Corp | 研磨パッド及びこれを用いた被表面処理加工物の研磨方法 |
JP3324643B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2002-09-17 | 日本電気株式会社 | 研磨パッド |
US6273806B1 (en) * | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6315857B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-11-13 | Mosel Vitelic, Inc. | Polishing pad shaping and patterning |
KR100574311B1 (ko) * | 1998-08-28 | 2006-04-27 | 도레이 가부시끼가이샤 | 연마 패드 |
JP2000071167A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Toray Ind Inc | 研磨パッド |
JP3890786B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2007-03-07 | 東レ株式会社 | 研磨装置および研磨パッド |
JP3685066B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2005-08-17 | 東レ株式会社 | 研磨パッド及び研磨装置 |
US6328632B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6953388B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-10-11 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad, and method and apparatus for polishing |
US6656019B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
CN100496896C (zh) * | 2000-12-01 | 2009-06-10 | 东洋橡膠工业株式会社 | 研磨垫 |
JP2004524676A (ja) * | 2000-12-27 | 2004-08-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 強化ウエハ研磨パッドの製造方法および同パッドを実装した装置 |
JP2002246343A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Nikon Corp | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス |
US7378454B2 (en) * | 2001-04-09 | 2008-05-27 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polyurethane composition and polishing pad |
US20050276967A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-12-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Surface textured microporous polishing pads |
JP2004090125A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Central Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨装置で使用する研磨布の加工方法 |
US20050148183A1 (en) * | 2002-08-30 | 2005-07-07 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad, platen hole cover, polishing apparatus, polishing method, and method for fabricating semiconductor device |
JP2004243428A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
JP4478859B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2010-06-09 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド |
US7435161B2 (en) * | 2003-06-17 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
US6884156B2 (en) * | 2003-06-17 | 2005-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
JP3754436B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2006-03-15 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッドおよびそれを使用する半導体デバイスの製造方法 |
CN100436060C (zh) * | 2004-06-04 | 2008-11-26 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫及其制造方法 |
JP2006140240A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Renesas Technology Corp | 研磨パッド、研磨装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101279819B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2013-06-28 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 방사-편향 연마 패드 |
JP2007030157A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-02-08 | Elpida Memory Inc | 研磨装置及び研磨方法 |
JP4884726B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-02-29 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッドの製造方法 |
CN100580885C (zh) * | 2006-02-06 | 2010-01-13 | 东丽株式会社 | 研磨垫、研磨装置、研磨装置用保护膜以及研磨方法 |
JP2007210236A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド |
JP5145683B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2013-02-20 | 東レ株式会社 | 研磨方法、研磨パッド、研磨パッドの製造方法 |
KR100818523B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2008-03-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 연마 패드 |
JP2008062355A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Fujitsu Ltd | 研磨装置及び電子装置の製造方法 |
US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
JP2009241205A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
-
2009
- 2009-05-13 US US12/990,434 patent/US20110045753A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-13 WO PCT/JP2009/058881 patent/WO2009139401A1/ja active Application Filing
- 2009-05-13 KR KR1020107025576A patent/KR20110010727A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-05-13 CN CN2009801169391A patent/CN102026775A/zh active Pending
- 2009-05-13 JP JP2009545759A patent/JP5585081B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-14 TW TW098115954A patent/TW201000262A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI556910B (zh) * | 2013-10-01 | 2016-11-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | 複合硏磨墊及其製造方法 |
US9682457B2 (en) | 2013-10-01 | 2017-06-20 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Composite polishing pad and method for making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009139401A1 (ja) | 2009-11-19 |
JPWO2009139401A1 (ja) | 2011-09-22 |
US20110045753A1 (en) | 2011-02-24 |
KR20110010727A (ko) | 2011-02-07 |
JP5585081B2 (ja) | 2014-09-10 |
CN102026775A (zh) | 2011-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201000262A (en) | Polishing pad | |
US5692950A (en) | Abrasive construction for semiconductor wafer modification | |
TWI312305B (en) | Pad constructions for chemical mechanical planarization applications | |
KR100628854B1 (ko) | 연마 패드 및 연마 장치 | |
US10201886B2 (en) | Polishing pad and method for manufacturing the same | |
JP5634687B2 (ja) | 複数層化学機械研磨パッド製造方法 | |
WO2000012262A1 (fr) | Tampon polisseur | |
JP5759888B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP2006339570A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
WO2016051796A1 (ja) | 研磨パッド | |
TW201313388A (zh) | 研磨墊 | |
KR20140034128A (ko) | 연마 패드 | |
JP5102426B2 (ja) | 両面粘着シート及び研磨布積層体 | |
JP2005131720A (ja) | 研磨パッドの製造方法 | |
JP2009148876A (ja) | 研磨パッド、およびそれを用いた研磨方法 | |
JP2009255271A (ja) | 研磨パッド、およびその製造方法 | |
JP5145683B2 (ja) | 研磨方法、研磨パッド、研磨パッドの製造方法 | |
WO2013103142A1 (ja) | 研磨パッド | |
JP2002059357A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 | |
JP2008272922A (ja) | 研磨パッドの製造方法 | |
JP2013034018A (ja) | 研磨パッド | |
JP5292958B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP2004014744A (ja) | 研磨パッド、研磨装置、およびそれを用いた研磨方法 | |
JP2005056920A (ja) | 研磨パッド | |
JP2014188647A (ja) | 研磨パッド |