TW200941101A - Anisotropic conductive film, and connected structure and manufacturing method for the same - Google Patents

Anisotropic conductive film, and connected structure and manufacturing method for the same Download PDF

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Description

200941101 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於異向性導電膜，及接合體及其製造方 法，特定而言，係關於可將ic晶片、液晶顯示器（lcd) 中之液晶面板(LCD面板）等電路構件進行電氣或機械連接 之異向性導電臈，及具備該異向性導電膜之接合體及其製 造方法。 【先前技術】 ❹ 向來，連接電路構件之手段，係使用膠帶狀連接材 料，其分散有導電性粒子之熱硬化性樹脂塗佈在剝離臈上 (例如，異向性導電膜(ACF ; anisotropic conductive film))。 該異向性導電膜係使用於，例如，連接軟性印刷電路 基板(FPC)或1C晶片之端子與LCD面板之玻璃基板上所 - 形成之IT〇(氧化銦錫）電極，以及將各種端子彼此連接及 同時進行電氣連接之情況。 φ 就上述異向性導電膜而言，係將含有陽離子系之硬化 劑及環氧樹脂之陽離子硬化系異向性導電膜予以實用 化，以實現低溫硬化性及降低被著體翹曲。 然而，銃鹽等陽離子系硬化劑有「由於硬化活性高， 即使只有微量雜質等，硬化反應亦容易被阻害，發生硬化 不良」等問題。 尤其’在1C晶片之背面形成之由聚醯亞胺構成之鈍 ' 化膜(passivation film)經常發生硬化不良。此係以陽離子 硬化系異向性導電膜居間連接1C晶片時，陽離子硬化系 3 200941101 :向性導電膜貼附於IC晶片，一旦開始硬化 產生之陽離子物種(H+)會被純化膜之聚㈣胺原料去活 化之故。所產生之陽離子種(H+)被鈍化&聚醯亞胺原料 去活化之理由，研判為陽離子物種(H+)與聚醯亞胺中之氮 (N)原子反應而被捕捉(發生R n—r n+p 鹽)之故。 反應’生成銨 0 再者，使用以接著劑貼合聚醯亞胺與Cu箔之TAB進 行連接之情況，由於上述接著劑包含聚酿亞胺，因 起硬化阻害之問題。 又，就上述異向性導電膜而言，含有自由基系硬化劑 (有機過氧化物)及丙烯酸系樹脂之自由基硬㈣里 =在ΓΒ侧之連接方面已多被實用化，且實現低溫硬 化卜=而’自由基硬化系異向性導電膜，由於未在硬化 中生成Μ基’而有「與具有極性之被著體之相互作用減 弱，接者強度變弱，發生硬化不良等」之問題。尤立，自 系：向性導電膜’ t「對LCD面板側玻璃面之 後者’谷易引起界面剝離」之問題。因此，自由基硬 化系異向性導電膜，不適合㈣LCD面板 乏實際使用情形。 J ^ 就異向導電膜之材料而言，—般所使用之橡膠 系材料有「容易㈣硬化阻害，做為硬倾之應力缓和劑 之用途受到限制，又，彈性率及Tg容易變高，容易引起 硬化後之基材變形」之問題。 又，有人亦提出自由基系硬化劑（低溫硬化）與咪唑硬 200941101 化劑（尚溫硬化）混合而成之二元硬化系異向性導電膜（例 如，專利文獻1)。然而，將硬化機構不同之成分混合而製 作之異向性導電膜，由於硬化時引起層分離，容易引起内 部龜裂’連接信賴性變差。又，必須以二階段進行硬化， 不適合用在短時間連接。 又，也有人已提出自由基系硬化劑與陽離子系硬化劑 混合而成之二元硬化系異向性導電膜（例如，專利文獻 2)、在黏合劑中含有熱硬化性組成物及光硬化性組成物之 異向性導電膜(例如，專利文獻3)、具有含光陽離子系硬 化劑之層及含光自由基系硬化劑之層的二層構造異向性 導電膜（例如，專利文獻4)，然而此等之任一者均無法改 善在1C晶片背面形成之包含聚醯亞胺之鈍化膜所造成之 硬化不良。因此，本發明期待開發的異向性導電膜，不會 發生聚醯亞胺之鈍化膜所造成之硬化不良。 又，近年LCD、PDP、有機EL等顯示裝置構件，基 於電傳導性等觀點多在ITO等之襯底上積層AbMo、Cr、 ΤΤ · i'Cu、Ni等金屬配線來使用，因此藉由光硬化使異向性 導電膜硬化並連接電路構件變得困難。 [專利文獻丨]曰本特開2007-262412號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇6_127776號公報 [專利文獻3]日本特開2005-235956號公報 【發明ΐϋ文獻4]國際公開〇〇/〇84193號公報 本發明係以解決先前之各種問題，達成下述目的為課 200941101 題。亦即，本發明之目的為提供一種可提高對電路構件之 接·著強择 夕 X ’得到高導通信賴性之異向性導電膜、接合體及 其製造方法。 解决上述課題之手段如以下所示。亦即： _ 一種異向性導電膜’其係將第一電路構件、與在 〇 該第電路構件相對面形成有含氮原子之膜之第二電路 構件予以電氣連接之異向性導電膜；其特徵為具備：配置 於該第電路構件侧之第一層及配置於該第二電路構件 側之t一層’該第一層含有陽離子系硬化劑及第一熱硬化 t樹知’ s亥第二層含有自由基系硬化劑及第二熱硬化性樹 曰~第層及第二層之至少任一者含有導電性粒子，該 第層及第二層之最大產熱尖峰溫度差為2(TC以内。 記载之異向性導電膜，由於含有陽離子系硬化 劑及f 熱硬化性樹脂之第一層配置於第一電路構件 ❹ 侧、δ有自由基系硬化劑及第二熱硬化性樹脂之第二層配 置^在該第—電路構件相對面形成含有氮原子之膜之第 路構件側’第—及第二層之最大產熱尖峰溫度差為 賴=内，可提高對魏構件之接㈣度，得到高導通信 異向性導電膜，其巾第—熱硬化 <曰^如H，第二熱硬化性樹脂為丙烯酸系樹脂。 盆中亨陽離之任—項記載之異向性導電膜， 氧^ 硬化料疏鹽，自由基系硬化劑為有機過 6 200941101 <4>如上述<1：>至<3>之任— 其中導電性粒子為金屬粒子屬载之異向性導電膜， 者。 金屬被覆樹脂粒子之任一 如上述<1：>至<4>之任—項 其令第二電路構件係由不^载之異向性導電膜， 件具有金屬材料。 材枓所構成，第一電路構 <6>—種接合體，其具 ❹ ❹ 電路構件相對面形成有含件與在該第一 以電氣連接之異向性導電膜；該接二電路構件予 性導電膜具備配置於访笛。體之特徵為：該異向 於該第二電路構件敵第;'層—層及配置 及第-熱硬化性樹脂，該第:層 及第二熱硬化性樹脂，該第―層==基^更化劑 有導電性粒子，該第—層 任一者含 為20。(：以内。 —s之最大產熱尖峰溫度差 一熱硬化性由於含㈣離子彡硬化劑及第 由基系硬化冑彳及s 第—電路構件侧，含有自 構件侧=τ:形成含有氮原子之膜之第二電路 内，可提最大產熱尖峰溫度差為辦以 m構件之接著強度，得到高導通信賴性。 至〜任-tr製造方法，其特徵為包含以上越… 弟1路構件加熱，同時進行屋著接合之接 構 200941101 找接合體之製造方法中，接合步驟係以JL述d〉至 5哲之任項§己載之異向性導電膜居間，將第一電路構件 及第：電路構件加熱，同時進行壓著接合。 、，右依知本發明，可解決上述先前之各種問題，達成上 述的供月b提回對電路構材之接著強度，得到高導通 信賴性之^轉_，及接合體及其製造方法。 r〜依照本發明，可減低連接後電路構件之應力。 (接合體） 本發明之接合體具有第一電路構件、第二電路構件、 及異向性導電膜’並可視需要再選擇適當的其他構件。例 如，如第-圖所示’接合⑴⑼具有為第—電路構件之⑽ 面板Η)，為第二電路構件之IC晶片UA異向性導電膜 12。藉由將IC晶片u之端子m、異向性導電膜η之導 電性粒子12a及IXD面板1G之端子(未圖示）導通，可進 行LCD面板10與1C晶片11之電氣連接。 <第一電路構件> 上述第-魏構件並祕·制，可 選擇，例如，可為破璃製之LCD其缸^ 扪阳週卫 板、玻璃製之有_基板等基板、麵製之㈣基 又，第=路構件具有例如結形成之金屬配線。因 此’若第-電路構件具有料不透光材料形成之金屬酿 線，由於將異岐導電財含有之樹脂進料硬化變得困 200941101 難’故異向性導電膜中含有之樹脂以熱硬化性樹脂為較 佳。 <第二電路構件> Ο ❹ 就上述弟一電路構件而言’只要在與第一電路構件相 對面形成含有氮原子之膜即可，並無特別限制，可依照目 的而適宜選擇，例如可為含有聚醯亞胺之鈍化膜 (passivation film)所形成之ic晶片，含有ShlSU之鈍化膜 所形成之IC晶片，或裝載1C晶片之TAB膠帶等。 又，第二電路構件係由不透光材 第二電路構件係由*透光材料 斤構成。因此，若 膜所含之樹料行光硬化變 成’由於將異向性導電 之樹脂以熱硬化性樹脂為較佳。故異向性導電膜所含 <異向性導電膜> 上迷異向性導電膜且 需要具有適宜選择之其：一層及第二層，再者，可視 性膜12 *有剝離層(分 列如’如第二圖所示，導電 離層（分離物上之第二緣層離為形成於剝 緣層22上之第一層）。 及導電層21(作為形成於絕 該導電膜U中，舉例而
LCD 4下，並將1C晶片n(第—、灸’將剝離層（分開層）2〇 接合體100(第一圈）。 從絕緣層22側壓合，形成 9 200941101 «第'一層》 上述第一層，只要配置於上述第〜 陽離子系硬化劑及第一熱硬化性樹脂者即路構件側且含有 制，可依照目的適宜選擇。上述第一屉、卩可，並無特別限 性粒子較佳。 m以進—步含有導電 <«陽離子系硬化劑》〉 對於上述陽離子系硬化劑無特 宜選擇；可列舉如銃鹽、鑌鹽等， 鹽較佳。 別限制’可依照目的適❹ 此等之中，以芳香族錡 〈《第一熱硬化性樹脂>>> 對於上述第-熱硬化性樹脂無_ 適宜選擇’可列舉如㈣A型環氣_、雙紛二的 脂、酚醛樹脂型環氧樹脂、或此等 ^•衣虱樹 化性環氧樹脂。其巾，可使料等熱硬 用。 T便用早獨-種’亦可2種以上併 〈《導電性微粒子》> 上述導電性粒子無特別限制， 導電接著劑所用者相同構造之粒徑 或金屬被覆樹脂粒子。 可使用與先前之異向性 1〜5ΟμΓη0之金屬粒子 就上述金屬粒子而言 了列舉鎳、姑、銅等。為了防 200941101 止其表面氧化，亦可使用於表面施加金、鈀之粒子。再者， 亦可使用表面施以金屬突起或有機物之絕緣皮膜者。 作為上述金屬被覆樹脂粒子者，可列舉藉由鎳、錄、 銅等一種以上施行電鍍之圓球狀粒子。同樣地，亦可使用 最外表面施加金、鈀之粒子。再者，亦可使用表面施以金 屬突起或有機物之絕緣皮膜。 " «第二層》 作為上述第二層者，只要配置於上述第二電路構件 側，且含有自由基系硬化劑及第二熱硬化性樹脂者即可， 並無特別限制，可依照目的適宜選擇。上述第二層亦可含 有導電性粒子。 3 〈自由基系硬化劑>>> 作為上述自由基系硬化劑者，無特別限制，可依照目 的適宜選擇，例如，可為有機過氧化物。 <<<第二熱硬化性樹脂>>> 丙 乙二醇二丙 甲基内燒三丙稀酸 作為上述第二熱硬化性樹脂者，無特別限制’可依照 目的適宜選擇，例如，可為丙烯酸曱酯、丙烯酸乙萨、… 烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環氧酷 曰 酸，、㉔基-U-二丙烯醯氧基丙烷、2,2、寒::二3 烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥 酿、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯 11 200941101 基甲氧基）苯基]丙烧、2,2-貳[4·(丙烯醯氧基乙氧基)苯基] 丙烷、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸三環癸酯、異氰尿酸參 (丙稀酸乳基乙醋）、胺基甲酸酉旨丙稀酸I旨等之丙稀酸系樹 脂。其中，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。 又’亦可將上述丙烯酸酯改為甲基丙烯酸酯。對於此 等，可使用單獨一種，亦可併用2種以上。 «第一層與第二層之最大產熱尖峰溫度差》 上述第一層與第二層之最大產熱尖峰溫度差為2〇它❹ 以内。近年，LCD面板之製造量亦增加，由於單件產品生 產時間（tact time)縮短而在10秒以下進行連接。短時間加 熱進行連接時，若上述第一層與上述第二層之反應速度不 同，任一層先行硬化，則無法充分地押入電路構件。 «其他層》 作為上述其他層者無特別限制，可依照目的適宜選 擇，例如，可為剝離層。 上述剝離層中，有關其形狀、構造、大小、厚度、材 料(材質）無特別P艮制’可依照目的適宜選擇，然而以剝離 性良好者或耐熱性高者為較佳，例如，適合為塗有聚石夕氧 等剝離劑之透明剝離PET(聚對苯二曱酸乙二酯）片。又， 亦可使用PTFE(聚四氟乙烯）片。 <其他構件> 12 200941101 上述其他構件無特別限制，可依照目的而適宜選擇。 (接合體之製造方法） 本發明之接合體之製造方法至少包含接合步驟，視需 要可進一步包含經適宜選擇之其他步驟。 <接合步驟> 上述接合步驟係介以本發明之異向性導電膜，將第一 ® 電路構件及第二電路構件加熱，同時進行壓著接合之步 驟。 上述加熱係由總熱量而決定，以ίο秒以下之連接時 間完成接合時，係在加熱溫度120°C〜220°C進行。 上述壓著係隨第二電路構件之種類而異，為TAB膠 ' 帶時，壓力為2〜6 MPa，為1C晶片時，壓力為20〜120 MPa， 分別進行3〜10秒。 φ 再者，亦可藉由超音波進行熱接合。 <其他步驟> 上述其他步驟無特別限制，可依照目的而適宜選擇。 [實施例] 以下，對於本發明之實施例加以說明，然而本發明並 不限於以下實施例。 (製造例1 :陽離子硬化系電極接著用片C1) 13 200941101 製）、35 \60份之苯氧樹脂（品名：ΥΡ_50,東都化成公司 製）、】，之環氧樹脂（品名：Ep_82S，日本環氧樹脂公司 、伤之矽烷偶合劑（品名：KBM-403，信越化學工業 公司製）及4价夕电丨， 、 物之硬化劑（品名：SI-60L，三新化學公司製） 2之，著财’使導電性粒子（品名：AUL704，積水化 二，A司製）以粒子密度成為5〇,〇〇〇個如仿2之方式分 製作厚度20μιη之陽離子硬化系電極接著用片clc) 、又Μ吏用DSC測定機（品名：EXSTAR6_，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表ι及第三❹ 圖中Dsc之測定係在氮氣氣流中，以10°C/分鐘之速度 從室溫加熱之條件下進行。 (製k例2 .陽離子硬化系電極接著用片c2) 除了將製造例i中之厚度2〇_變更成厚度⑴㈣之 例1同樣方式製造陽離子硬化系電極接著用片 C2 ° 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6〇()() ◎ 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表！及第三 (製造例3 :陽離子硬化系電極接著用片c3) 除了在製造例2中不添加導電性粒子（〇名· AUL704，積水化學工業公司製）之外，以製造例^樣方 式製造陽離子硬化系電極接著用片C3。 14 200941101 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工羞 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表丨及： 圖中。 二 (製造例4 ··陽離子硬化系電極接著用片c4) 除了將製造例2中之硬化劑（品名：SI_6〇L，三新化風 公司製）以硬化劑（品名：SI-80L，三新化學公司製）代替之 彳，以與製造例2同樣之方式製作陽離子硬化系電極接基 ® 用片C4。 者 又’使用DSC測定機（品名：EXSTAR6〇〇〇，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表丨及第三 圖中。 —
I (製造例5 :自由基硬化系電極接著用片R1) 在由6〇伤之本氧樹脂（品名：γρ-50，東都化成公司 ❹ 製）、35份之自由基聚合性樹脂（品名：EB-600，Daicel-Cytec 公司製）、1份之矽烷偶合劑（品名：KBM-503，信越化學 工業公司製）及2份之硬化劑（品名：Perbutyl〇,日本油脂 △司製)構成之接著劑中’使導電性粒子（品名：AUL704， 積水化學工業公司製）以粒子密度成為50,000個/mm2之方 式分散’製作厚度2〇μπι之自由基硬化系電極接著用片R1。 又’使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表1及第四 圖中。 15 200941101 (製造例6 :自由基硬化系電極接著用片R2) 除了將在製造例5中之厚度20μπι變更成厚度1〇μιη 之外，以製造例5同樣方式製造自由基硬化系電極接著用 片R2。 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表1及第四 圖中。 (製造例7 :自由基硬化系電極接著用片尺3) 除了在製造例6中，不添加導電性粒子（品名： AUL7〇4 ’積水化學工業公司製）之外，以製造例6同樣方 式製造自由基硬化系電極接著用片R3。 又’使用DSC測定機（品名：EXSTAR6〇〇〇，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表〗及第四 圖中。 (製造例8 :自由基硬化系電極接著用片R4) 除了將製造例7中之硬化劑（品名：pe_yl〇,日本 油脂公司製)之添加量從2份變更為〇.5份之外，以與製造 例7同樣之方式製作自由基硬化系電極接著用片以。 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6〇〇〇，精工儀 器公司製）測定最大產熱线溫度。將結果*於表丨及第四 圖中。 200941101 (製造例9 :自由基硬化系電極接著用片R5) 除將製造例7中之硬化劑（品名：Perbutyl Ο，日本油 脂公司製）之添加量從2份變更為6份之外，以製造例7 同樣方式製造自由基硬化系電極接著用片R5。 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表1及第四 圖。 ❹ (製造例10 :自由基硬化系電極接著用片R6) 除了將製造例7中之硬化劑（品名：Perbutyl Ο，曰本 油脂公司製）以硬化劑（品名：Peroyl L，日本油脂公司製) 代替之外，以製造例7同樣方式製造自由基硬化系電極接 著用片R6。 又，使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀 器公司製）測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表1及第五 圖。 (製造例11 :自由基硬化系電極接著用片R7及R7-2) 除了將製造例7中之硬化劑（品名：Perbutyl Ο，曰本 油脂公司製）以硬化劑（品名：Perbutyl E，曰本油脂公司製) 代替外，以製造例7同樣方式製造自由基硬化系電極接著 用片R7。 再者，除將製造例7中之2份硬化劑（品名：Perbutyl 17 200941101 〇,日本油脂公司製）以0.5份硬化劑（品名：Perbutyi E， 曰本油脂公司製)代替之外，以製造例7同樣方式製造自由 基硬化系電極接著用片R7-2。 又’使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀 器么司幻測定最大產熱尖峰溫度。將結果示於表1及第五 (Ik例12 :自由基硬化系電極接著用片R8) 匕除了將製造例7中之硬化劑（品名：Perbutyl 〇，曰本❹ 油月日a Ί製）以硬化劑（品名：percumyi D，日本油脂公司 製)代替外’以製造例7同樣方式製自由基硬化系電極接著 用片R8。 # 〇又|使用DSC測定機（品名：EXSTAR6000，精工儀· 器公司製）測定最大產熱尖夸溫度。將結果示於表1及第五‘ 圖。 [表1]
(製&例13 :光陽離子硬化系電極接著用片U1) U在由60份之笨氧樹脂（品名：YP-50，東都化成公司 製）、35份之環氧樹脂（品名：EP-828，日本環氧樹脂公司 製卜1伤之矽烷偶合劑（品名：KBM-403，信越化學工業 1製）及之伤之光硬化劑（品名：Cyracure UVI-6990， 200941101
Union Carbide公司製）構成之接著劑中，使導電性粒子（品 名：AUL704’積水化學工業公司製）以粒子密度成為 50,000 個/mm2之方式分散，製造厚度20μιη之光陽離子硬化系電 極接著用片U1。 (製造例14 :光陽離子硬化系電極接著用片U2) 除將製造例13中之厚度20μιη變更成厚度ι〇μιη之 〇 外’以製造例13同樣方式製造光陽離子硬化系電極接著 用片U2。 (比較例1) 以製造例1中所製作之陽離子硬化系電極接著用片 C1居間，進行1C晶片Α(尺寸：1.8mmx20.0mm，厚度： 〇.5mmt，金屬凸塊(bump)尺寸：30μιηχ85μπι，凸塊高度： Ι5μπη，間距：50μιη)與對應於1C晶片Α圖案之鋁圖案玻 G 璃基板(Corning 公司製，1737F，尺寸: 50mm><30mmx〇.5mm) 之連接，製作接合體Cl-Α。再者，作為ic晶片A之鈍化 膜者，可使用Si#4。其中’ 1C晶片A與銘圖案玻璃基板 之連接，係於190°C，80MPa，5秒之條件下押入ic晶片 A而進行。 再者，以製造例1所製作之陽離子硬化系電極接著用 片C1居間，進行1C晶片B(尺寸：1.8mmx20.〇mm，厚度： 〇.5mmt，金屬凸塊(bump)尺寸：30μιηχ85μιη，凸塊高度： 15μπη，間距：50μιη)與對應於1C晶片Β圖案之鋁圖案玻 19 200941101 璃基板(Corning公司製，〗 ^ ± ,. ., 尺寸：50mm><30mmx〇.5mm) 之連接，製作接合體C1 R ^ ) in B u ^ 衫。再者，可使用聚醯亞胺作為 1C晶片B之鈍化臈者。 ,c ^ ^ , 具中’ 1C晶片B與鋁圖案玻璃基 板之連接係於190。(：，8QMp π二义— SUMPa，5秒之條件下押入1C晶片 •t5而進仃。 <連接電阻之測定> 對於所製作之接合體C1_A及C卜B，使用測定儀進行 電阻（初期之連接阻力及環境試驗⑻。⑶侧㈣〇 紅連接電阻)之測定。將接合體ci_a之結果示於表2中 之A型」欄，將接合體C1_B之結果示於表2中之「b <接著強度之測定> I對於所製作之接合體(^八及C1_B，使用晶片焊接強 ^剪切力（die shear)測定機（品名：Dage 24〇〇，Dage公司 ')進仃初期接著強度之測定。將接合體C1-A之結果示於 表2之「A型」攔中，將接合體Cl-Β之結果示於表2之 B型」襴中。 、呐囱解析: 對於所製作之接合體C1_A及C1_B，於環境 人C/85%/5()〇hr)後’進行剖面研磨並確認連接狀態。將 合體Cl-Α之結果示於表2之「A型」欄中，將接合體 20 200941101 B型」欄中
Cl-Β之結果示於表2之 (比較例2) ^例i ’除將陽離子硬化系電 ^ 5所製作之自由基硬化系電極接著二 外，以比較例丨同樣方式用片R1代替之 行連接電阻之;収、接R及Κ1·Β，並進 ❹ 體R1-A0果干度之収及剖轉析。將接合 、、、口果不於表2之「a型摘中 之結果示於表2之4型」欄中。，中將接合體幻·Β (比較例3) 層構父例1之陽離子硬化系電極接著用片C1以一 層構k之電極接著用片m代替 以- Ϊ製造接合㈣·MD1_B，並進物樣方 者強度之敎及剖轉析。將接讀D ，^ 2之「A型」攔中，將接合體㈣之之^果不於表 型」攔中。 不於表2之「b 再者，二層構造之電極接著用片m，如表 _ 係由製造例丨2所製造之自由基硬化系電極接著用片： 製造例2所製作之陽離子硬化系電極接著用片ο之二声 構造所構成，在1C晶片侧貼附自由基硬化系電極接= 片R8,在銘圖案玻璃基板側貼附陽離子硬化系電極 用片C2，最大產熱尖峰溫度之差為3Γ(：。 21 200941101 (實施例1) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片 二層構造之電極接著用片说代替之外，以比較例: 方式製造接合體D2_A及D2_B，並進行連接電“，、 接著強度之測定及剖面解析。將接合體D2_A之鈐，、 表2之「A型」攔中，將接合體D2-B之結果八果示於 「B塑」爛中。 、：表2中 再I，二層構造之電極接著用片D2，如表3 一 係由製造例11所製造之自由基硬化系電極接著用片所= 製造例2所製作之陽離子硬化系電極接著用片 構造所構成，在1C晶片侧貼附自由基硬化 之一層 片R7;在==板側貼附陽離子魏系電：； 用月C2，取大產熱尖峰溫度之差為19它。 位钱者 (實施例2) Ο 陳將比較例1中之陽離子硬化系電極接、 二層構邊之電極接著用片03代替之外， 1以 方式製造接合體D3-A及D3_B，並進行連接電^ j二樣 接著強虞之測定及剖面解析。將接合體D3_a社測，、 表2之「A型」欄中，將接合體D3-B之姓之、、'。果不於 「B裂」攔中。 之
再者，二層構造之電極接著用片D 如表3 ήί •- 係由製造例7所製作之自由基硬化系電極接 斤不’ 製造例2所製作之陽離子硬化系電極接著 R3及 用月C2之二層 22 * 200941101 構体所構成，在1C晶片側貼附自由基硬化系電極接著用 片R3，在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬化系電極接著 用片C2，最大產熱尖峰溫度之差為4〇c。 (實施例3) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片C1以 >層構造之電極接著用片D4代替外，以比較例丨同樣方 式製造接合體D4-A及D4-B，並進行連接電阻之測定、接 著強度之測定及剖面解析。將接合體D4-A之結果示於表 2厶「A蜇」攔中’將接合體D4-B之結果示於表2之「β 炎J攔卡。 再|，二層構造之電極接著用片D4，如表3所示， • 孫由製造例11所製作之自由基硬化系電極接著用片尺7及 製造例4所製作之陽離子硬化系電極接著用片C4之二層 才冓造所構成在ic曰曰片侧貼附自由基硬化系電極接著用 〆R7’在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬化系電極接 0 碣片C4，最大產熱尖峰溫度之差為5〇c。 (實施例4) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片C1、 >廣構造之電極接著用片D5代替外，以比較例^ = 式製造换合體D5-A及D5_B，並進行連接電阻之測定 著強度之測定及刮面解析。將接合體D5 2之「A $」财，將接合體D5_B之結果示於表2之、「^ 23 200941101 型」攔中° 再者，二層構造之電極接著用片D5，如表3所示， 係由製造例7所製作之自由基硬化系電極接著用片R3及 製造例4所製造之陽離子硬化系電極接著用片c " ^ J&f 構造所構成，在IC晶片側貼附自由基硬化系電極接著用 片R3，在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬化系電極接# 用片C4，最大產熱尖峰溫度之差為2〇t：。 (比輯例4) 除了將比較例1之陽離子硬化系電極接著用片^、 二層構造之電極接著用片D6代替之外，以比較例〗= 方式製造接合體D6_A及D6-B，並進行連接電阻〜、 接著強度之測定及剖面解析。將接合體D6_A之結果,〇、、 表2之「A型」攔中’將接合體咖之結果示：：： 乃jj(>，如表3戶斤— 係由製造例Η)所製作之自域硬化系電極接 :’ 製造例4所製造之陽離子硬化系電極接著用片匚4 一及 ^所構成，在IC晶片侧貼附自由基硬化系 =如，在_案玻縣板侧貼附陽離子硬化系電極= 片C4，取大產熱尖峰溫度之差為32〇c。 者 (比較例5) 以 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片d 24 •200941101 二層構造：電極接著用片07代替外， 式製造接合體D7.A及D7_B，並進行 ⑴问樣方 著強度之敎及剖轉析。將接合體定、接 2之「A ^!」财，將接合體D7_B之 :果不於表
裂」棚中。 之-果-於表2之「B Φ 再者’二層構造之電極接著用片m，如表 係由製造例11所製造之自由基硬化系電極接著用片 及製造例2所製造之陽離子硬化系電極接著用片a之一 層耩造所構成’在1C晶片侧貼附自由基硬化系電極； 用片糾，在_案玻絲板㈣附陽離子硬 著用片C2，最大產熱尖峰溫度之差為抑。”電極接 (實施例5) 除了將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片〇 以〉層構造之電極接著用# D8代替夕卜，以比較例】同樣 方式製造接合體m-A及D8_B，线行連接電阻之測定、 ® 接著強度之測定及剖面解析。將接合體D8-A之結果示於 表2之「A型」攔中，將接合體D8_B之結果示於表2 ^ 「β梨」攔中。 再者，二層構造之電極接著用片D8，如表3所示， 係由製造例8所製造之自由基硬化系電極接著用片厌4及 製造例2所製作之陽離子硬化系電極接著用片C2之二層 構造所構成，在1c晶片側貼附自由基硬化系電極接著用 片只4，在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬化系電極接著 25 200941101 用片C2，最大產熱尖峰溫度之差為9<>c。 (實施例6) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著 二層構造之電極接著用片D9代替外，以比較例 以 ，製造接合體D9-A及D9_B，並進行連接電阻之測二j 著強度之測定及剖面解析。將接合體D9_a之結 、
2之「A型」攔中，將接合體D9_B之結果示:於表 型」攔中。 、^之B 再者，二層構造之電極接著用片D9，如表3 係由製造例8所製造之自由基硬化系電極接著用 製造例4所造作之陽離子硬化系電極接著用片一 構造所構成，在IC晶片側貼附自由基硬化系電極 片R4,在銘圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬 用 用片C4,最大產熱災峰溫度之差為吹。’、極接著 〇 (比較例6) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片C1 :層構造之電極接著用片_代替外，以比 ： 式製造接合體DU)-A及D1G_B，並進行 J樣方 接著強度之測定及剖面解析。將接合體Diq_疋、 表2之「A型」射，將接合體隐5之=示於 「B型」财。 於表2之 再者’二層構造之電極接著用片D10，如表3所示， 26 • 200941101 係由製造例9所製造之自由基硬化系電極接 用片R5爲 製造例4所製造之陽離子硬化系電極接著用片 久 構造所構成，在K：晶片側貼附自由基硬化系電°^ = 片R5,在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離子硬化系 用 用片C4，最大產熱尖峰溫度之差為27。(：。 '、極接著 (實施例7) ❹ 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用 二層構造之電極接著用片D11代替外，以比較例^以 式製造接合體D11MD11_B，並進行連接電随之^ 接者強度之測定及剖面解析。將接合體Du_ 果疋、 表型」搁中’將接合體叫結果示 B型」攔中。 、衣2之 再者，二層構造之電極接著用片Dli，如 中製作之自由基硬化系電極接著用片J及 k例2中製作之陽離子硬化系電極接著w c = ，造所構成’在1(：晶片側貼附自由基硬化系電極縣 在紹圖案玻璃基板侧_陽離子硬化系 用片C2 ’最大產熱尖峰溫度之差為4t。又 ==玻璃基板侧任一者之片(自由； (實施例8) 27 200941101 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著Μ ο、 二層構造之電極接著用片D12代替外，以比_ = 式製造接合體D12_A&D12-B’並進行連接電阻之測 接著強度之測定及剖面解析。將接合體D12_A之結果示於 表2之「A型」攔中，將接合體D12_B之結果示:表= 「B型」欄中。 〇 再者，二層構造之電極接著用片Dl2，如表3所示， 係由製造例6所製作之自由基硬化系電極接著用片 製造例3所製造之陽離子硬化系電極接著用片之一 構造所構成，晶片㈣附自由基硬化系電極 片R2,在鋁圖案玻璃基板侧貼附陽離 用片。3,最大產熱尖峰溫度之差為4。。。更又 :之片（自由基硬化系電極接著用片R2)中含有導電=二 (比較例7) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片^、❹ 二層構造之電極接著用片D13代替外，以比較例i = 式^接合體D13-A及DU-B，並進行連接電阻之剛定、 接著強度之测定及剖面解析。將接合體D13_A之結果^、 表2之「A型」攔中’將接合體〇13七之結果示==於 「B型」攔中。 之 再者，二層構造之電極接著用片D13，如表3所示 係由製造例7所製作之自由基硬化系電極接著用片， 及 28 200941101 躑 製造例2所製作之陽離子硬化系電極接著用片c 構造所構成’在1C晶片侧貼附陽離子硬化系電極接; 片C3,在銘圖案玻璃基板侧貼附自由基硬化系電極 用片R2(逆貼）’最大產熱尖峰溫度之差為4它。 (比較例8) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片c ❹ 冑造例13所製作之光陽離子硬化系電極接著用丨山 之外，以比較例1同樣方式製造接合體饥^及饥B 進行連接電阻之測定、接著強度之測定及剖面解析。將接 合體Ul-Α之結果示於表2之「a型」欄中，將接合體此b 之結果示於表.2之「B型」攔中。 (比較例9) 除將比較例1中之陽離子硬化系電極接著用片a以 ❿ 二層構造之電極接著用片m4代替，並將扣晶片與 案玻璃基板之連接條件從「以190。〇，8〇MPa，5秒將扣 晶片押入」代換為「以13〇。〇，8〇MPa，3秒將以曰 =後’並從銘圖案破璃基板侧用紫外線(金屬自化物燈，光 ! 3,000nJ/cm2)照射20秒」外，以比較例i同樣方 ★接合體D14.A及D14_b ’並進行連接電阻之測定、接著 強度之測定及剖面解析。將接合體D14 A之結果示於表2 之「A型」攔中，將接合體m4_B之結果示於表 型」攔中。 29 200941101 丹考· #由丨 片Dl4，如表3所示， 係由裏仏例7所製作之自由基硬化季 =:構成’在!。晶片側貼附自由基硬㈣ ： 用片R3,在㈣案玻璃基板側貼附光 考 接著用片U2。 又化系电極 (比較例10)
比較例1中，除將陽離子硬化系電極接著用片C1以 層構造之電極接著用片D15代替，並將以日片鱼乂 案玻璃基板之連接，從「以we，8_pa，5 _'IeT 片押入」代換為「以13(rc，嶋,3秒將IC晶片押: 後，並從銘圖案玻璃基板侧用紫外線(金屬_化物燈 3，_mJ/Cm2)照射20秒」夕卜，以與比較例丄同樣 ^ 作接合體D15.A及D15_B，並進行連接電阻之測定 強度之測定、及剖面解析。將接合體D15_a 2中之「A型」攔’將接合體D咖之結果‘St 「B型」欄。 甲之 /再者，二層構造之電極接著用片m5，如表3所示， 係由製造例12所製作之自由基硬化系電極接著用片 製造例14所製造之光陽離子硬化系電極接著用片扔 層構造所構成，在IC晶片側貼附自由基硬㈣電極Μ 用片R8,在銘圖案玻璃基板側貼附光 接著用片ϋ2。 τ文亿糸電極 30 200941101 Ο ❹ 異向 性導 電模 比較 例1 C1 比較 例2 R1 比較 例3 D1 實施 例1 D2 實施 例2 D3〜 實施 例3 D4 實施 例4 D5 比較 例4 D6 ~ 比較 例5 D7 實施 例5 D8 實施 例6 D9 比較 例6 D10 — 實施 例7 D11 實施 例8 D12 比較 例7 D13 比較 例8 U1 比較 例9 D14 比較 例1C D15 2.3 —— 0.5 0.5 0? 'ίο' 1.9 [表2]
40.3 >50 36.7 導電性粒子 未與端子接 觸 導電性粒子 未與端子接 觸 ΤΓ 3.4 3.5 24.3 3.4 3.4 20.1 45.3 25.7 31.3 >50 >50 >50 >50 >50 >50 16 21 24 導電性粒子 未與端子接 觸 正常 正常 導電性粒子 未與端子接_m 正常 正常 在玻璃界面 剝離 導電性粒子 覆_1有間隙 導電性粒子 Μ有間隙 導電性粒子 1圍有間隙 2.4 0.5 2.〇 0.5 0.5 2.0 -----2.2 2.0 2.0 39.1 3.4 25.3 3.4 3.4 23.3 49.3 24.6 27.6 >50導電性粒子 未與端子接 觸 >50 >50 正常 正常 >50導電性粒子 未與端子接 觸 >50 >50 19 15 20 正常 正常 在鈍化膜界 面及玻璃界 面剝離 導電性粒子 周圍有間隙 導電性粒子 周圍有間隙 導電性粒子 周圍有間隙 31 200941101 [表3] 異向性導 電膜 貼面 構成 硬化劑 份數 有無導電 性粒子 最大產熱 尖峰溫度 尖峰溫度 差 D1 1C R8 Percumyl D 2 - 145 31 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D2 1C R7 Perbutyl E 2 - 133 19 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D3 1C R3 Perbutyl 0 2 - 118 4 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D4 1C R7 Perbutyl E 2 - 133 5 玻璃 C4 SI-80L 4 有 138 D5 1C R3 Perbutyl 0 2 - 118 20 玻璃 C4 SI-80L 4 有 138 D6 1C R6 Peroyl L 2 - 106 32 玻璃 C4 SI-80L 4 有 138 D7 1C R7-2 Perbutyl E 0.5 - 139 25 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D8 1C R4 Perbutyl 0 0.5 - 123 9 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D9 1C R4 Perbutyl 0 0.5 - 123 15 玻璃 C4 SI-80L 4 有 138 D10 1C R5 Perbutyl 0 6 - 111 27 玻璃 C4 SI-80L 4 有 138 D11 1C R2 Perbutyl 0 2 有 118 4 玻璃 C2 SI-60L 4 有 114 D12 1C R2 Perbutyl 0 2 有 118 4 玻璃 C3 SI-60L 4 - 114 D13 1C C3 SI-60L 4 - 114 4 玻璃 R2 Perbutyl 0 2 有 118 D14 1C R3 Perbutyl 0 2 - 118 玻璃 U2 Cyracure 2 有 - D15 1C R8 Percumyl D 2 - 145 玻璃 U2 Cyracure 2 有 - 32 200941101 從表2研判實施例1〜8中，在1C晶片側配置自由基 硬化系電極接著用片，在鋁圖案玻璃基板側配置陽離子硬 化系电極接著用片，由於陽離子硬化系電極接著用月與自 由基硬化系電極接著用片之最大產熱尖峰溫度之差係在 20 C以内，因此提高對IC晶片及鋁圖案玻璃基板之接著 強度，可彳于到高導通信賴性。 又，攸表2研判比較例1中，由於異向性導電膜為陽 ❹ 離子硬化系電極接著用片之單層構造，無法維持對晶 片B(由聚醯亞胺所構成之鈍化膜）之接著強度而產生 離。 又，從表2研判比較例2中，由於異向性導電膜為自 *基硬m極接著用#之單層構造，無法維持對銘圖案 玻璃基板(尤其’案以外之玻璃面）之接著強度，產生 剝離。 又從表2研判比較例4及6中，由於Dsc測定中 ❹之陽_子硬化彡、電植接著用#與自由基硬化彳、電極接著 二片之最大產熱尖峰溫度之差超過20°C，押入1C晶片 月ϋ ’配置於1C晶片侧之樹脂已硬化，導電性粒子未附接 於端子，無法得到高導通信賴性。又，比較例3及5中， 由於DSC測定巾之陽離子硬化系電雜著用#與自由基 硬化系電極接著用片之最大產熱尖峰溫度之差超過 20°C，將1C晶片鈿λ 乂 曱入刚’配置於銘圖案玻璃基板側之樹 脂已充分硬化，而配置於1C晶片側之樹脂未硬化，無法 %•到充77之凝聚力’又由於導電性粒子未附接於端子，無 33 200941101 法得到高導通信賴性。再者，將壓合溫度提高2(rc(至 210 C) ’試行接合，然而配置於鋁圖案玻璃基板侧之樹脂 於押入1C晶片前已硬化，無法得到良好之導通信賴性。 又，從表2研判比較例7中，由於在1C晶片側配置 陽離子硬化系電極接著用片，在鋁圖案玻璃基板侧配置自 由基硬化系電極接著用片，無法維持對鋁圖案玻璃基板之 連接強度及對1C晶片B(由聚醯亞胺所構成之鈍化膜）之連 接強度，而產生剝離。 又’從表2研判比較例8〜1〇中’由於異向性導電膜❹ 為光硬化系，導電性粒子無法充分崩散，導電性粒子之周 圍產生間隙，無法得到高導通信賴性。研判此為異向性導 電膜之樹脂硬化不充分之故。 【圖式簡單說明】 第一圖為表示本發明之接合體之概略說明圖。 第二圖為表示本發明之異向性導電膜之概略說明圖。 第三圖為實施例中所用陽離子硬化系電極接著片C1〜C4 之DSC數據。 〇 第四圖為實施例中所用自由基硬化系電極接著片ri〜r5 之DSC數據。 第五圖為實施例中所用自由基硬化系電極接著片r6〜r8 之DSC數據。 【主要元件符號說明】 10 LCD面板 11 1C晶片 34 200941101 lla 端子 12 異向性導電膜 12a 導電性粒子 20 剝離層 21 導電層 22 絕緣層 100 接合體

Claims (1)

  1. 200941101 七、申請專利範園： L播導電犋，其係將第-電路構件、與在該第-電路 =相：面形成有含氣原子之膜之第二電路構件予‘ 連接之異向性導電膜； 电矾 其特徵為具備： :=第一電路構件侧之第-層及配置於該第二電路構 性樹脂，該第ΓΛ—Λ子系硬化劑及第—熱硬化 脂’該第一層及第曰 系硬化劑及第二熱硬化性樹 一 0弟一層之至少任一者含有導電性粒子，該第 ^ —層之最大產熱尖峰溫度差為2GX：以内。 化柯ft利1!圍第1項所述之異向性導電膜，其中第-熱硬 3 士由·χ知為％氧樹脂’第二熱硬化性樹脂為丙烯酸系樹脂。 廊」專W㈣第1項所述之異向性導電膜，其中陽離子系 為錄鹽’自由基系硬化劑為有機過氧化物。 子兔ΐί利㈣第1項所述之異向性導電膜，其中導電性粒 為金屬粒子及金屬被覆樹脂粒子之任一者。 第1項所述之異向性導電膜，其中第二電路 料。不透光材料所構成’且第—電路構件具有金屬材 盤品/體其具備將第一電路構件與在該第一電路構件相 異向:人之膜之第二電路構件予以電氣連接之 置於玆楚—、，以接0體之特徵為.該異向性導電骐具備配 側之第1電路構件側之第一層及配置於該第二電路構件 曰忒第一層含有陽離子系硬化劑及第—熱硬化性 36 200941101 樹脂，該第二層含有自由基系硬化劑及第二熱硬化性樹脂， 該第一層及第二層之至少任一者含有導電性粒子，該第一層 及第二層之最大產熱尖峰溫度差為20°C以内。 7. —種接合體之製造方法，其特徵為包含以申請專利範圍第1 項所述之異向性導電膜居間，將第一電路構件及第二電路構 件加熱，同時進行壓著接合之接合步驟。
    37
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